JP2011237504A - Wiring board with optical waveguide and method of manufacturing the same - Google Patents

Wiring board with optical waveguide and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2011237504A
JP2011237504A JP2010106961A JP2010106961A JP2011237504A JP 2011237504 A JP2011237504 A JP 2011237504A JP 2010106961 A JP2010106961 A JP 2010106961A JP 2010106961 A JP2010106961 A JP 2010106961A JP 2011237504 A JP2011237504 A JP 2011237504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
core
clad
optical waveguide
wiring board
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010106961A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5367635B2 (en
Inventor
Atsushi Suzuki
敦 鈴木
Masaru Takagi
優 高木
Toshikazu Horio
俊和 堀尾
Toshifumi Kojima
敏文 小嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2010106961A priority Critical patent/JP5367635B2/en
Publication of JP2011237504A publication Critical patent/JP2011237504A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5367635B2 publication Critical patent/JP5367635B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

【課題】損失を小さくして光の伝送ロスを小さくすることができるとともに、コア材の流出を防止して歩留まりを向上させることができる光導波路付き配線基板を提供すること。
【解決手段】光導波路付き配線基板10は、配線層42と絶縁層33,34とを積層してなり、基板厚さ方向に沿って延びる孔80内に光導波路82を備える。光導波路82は、光信号が伝搬する光路となるコア83及びコア83を取り囲むクラッド84を有する。なお、クラッド84の屈折率はコア83の屈折率よりも小さく、コア83及びクラッド84の比屈折率差は1.4%以上である。また、コア83を形成するためのコア材及びクラッド84を形成するためのクラッド材は、クラッド材の硬化物からなるシート上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角が35°以上となるような組み合わせとされている。
【選択図】図4
To provide a wiring board with an optical waveguide that can reduce a loss by reducing a loss of light transmission and prevent a core material from flowing out to improve a yield.
A wiring substrate with an optical waveguide is formed by laminating a wiring layer and insulating layers, and includes an optical waveguide in a hole extending along the thickness direction of the substrate. The optical waveguide 82 has a core 83 that serves as an optical path through which an optical signal propagates, and a clad 84 that surrounds the core 83. The refractive index of the clad 84 is smaller than the refractive index of the core 83, and the relative refractive index difference between the core 83 and the clad 84 is 1.4% or more. The core material for forming the core 83 and the clad material for forming the clad 84 have a contact angle of 35 ° or more when the core material is dropped in an uncured state on a sheet made of a cured product of the clad material. The combination is such that
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、光信号が伝搬する構造を有する光導波路付き配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a wiring board with an optical waveguide having a structure in which an optical signal propagates and a method for manufacturing the same.

近年、インターネットに代表される情報通信技術の発達や、情報処理装置の処理速度の飛躍的向上などに伴って、画像等の大容量データを送受信するニーズが高まりつつある。かかる大容量データを情報通信設備を通じて自由にやり取りするためには10Gbps以上の情報伝達速度が望ましく、そのような高速通信環境を実現しうる技術として光通信技術に大きな期待が寄せられている。一方、機器内の配線基板間の接続、配線基板内の半導体チップ間での接続、半導体チップ内での接続など、比較的短い距離における信号伝達経路に関しても、高速で信号を伝送することが近年望まれている。このため、従来一般的であった金属ケーブルや金属配線から、光導波路等を用いた光伝送へと移行することが理想的であると考えられている。   In recent years, with the development of information communication technology represented by the Internet and the dramatic improvement in the processing speed of information processing apparatuses, there is an increasing need for transmitting and receiving large-capacity data such as images. An information transmission speed of 10 Gbps or higher is desirable to exchange such a large amount of data freely through an information communication facility, and great expectations are placed on optical communication technology as a technology that can realize such a high-speed communication environment. On the other hand, in recent years, signal transmission paths at relatively short distances such as connections between wiring boards in devices, connections between semiconductor chips in wiring boards, connections within semiconductor chips, and the like have recently been transmitted at high speed. It is desired. For this reason, it is thought that it is ideal to shift from the conventionally common metal cable or metal wiring to optical transmission using an optical waveguide or the like.

そして近年では、光素子との間で光通信を行う光導波路を備えた光導波路付き基板が各種提案されている(例えば特許文献1〜4参照)。特許文献1〜3では、例えば、基板の孔内に充填された透明樹脂(クラッドを形成するための材料)の中心部を除去した後、最初に充填した材料よりも屈折率の高い材料(コアを形成するための材料)を除去部分に充填するなどして、屈折率分布を有する光導波路を形成する技術が提案されている。特許文献4では、光信号を伝搬させるための貫通孔(ビアホール)を基板に設ける技術が提案されている。   In recent years, various substrates with optical waveguides including optical waveguides that perform optical communication with optical elements have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 to 4). In Patent Documents 1 to 3, for example, after removing the central portion of the transparent resin (material for forming the clad) filled in the holes of the substrate, a material (core) having a higher refractive index than the first filled material There has been proposed a technique for forming an optical waveguide having a refractive index distribution by, for example, filling a removal portion with a material for forming an optical waveguide. Patent Document 4 proposes a technique of providing a substrate with a through hole (via hole) for propagating an optical signal.

特開2008−158388号公報([0038],[0039]、図1等)JP 2008-158388 A ([0038], [0039], FIG. 1 etc.) 特開2009−180861号公報([0039],[0040]、図2等)Japanese Patent Laying-Open No. 2009-180861 ([0039], [0040], FIG. 2 etc.) 特開2009−133967号公報([0050],[0051]、図2等)JP 2009-133967 A ([0050], [0051], FIG. 2 etc.) 特開2007−4043号公報([0053]、図1等)JP 2007-4043 A ([0053], FIG. 1 etc.)

ところで、特許文献4に記載の従来技術は、光信号が伝搬する光路がコア及びクラッドを有しない単なる貫通孔であるため、貫通孔内を伝搬する光信号の一部は、貫通孔の内周面において反射する。ところが、貫通孔の内周面は、ドリル加工やレーザー加工によって形成されるために粗くなっている。この場合、光信号は、貫通孔の内周面で上手く反射せずに散乱したり、貫通孔の内周面に吸収されたりするため、損失が大きくなり、光の伝送ロスが生じてしまう。   By the way, in the prior art described in Patent Document 4, since the optical path through which the optical signal propagates is a simple through-hole having no core and cladding, a part of the optical signal propagating in the through-hole is part of the inner circumference of the through-hole. Reflects on the surface. However, the inner peripheral surface of the through hole is rough because it is formed by drilling or laser processing. In this case, the optical signal is scattered without being reflected well on the inner peripheral surface of the through hole, or is absorbed by the inner peripheral surface of the through hole, resulting in a large loss and a light transmission loss.

一方、特許文献1〜3に記載の従来技術では、光導波路が、光信号が伝搬する光路となるコアと、コアを取り囲むクラッドとを有しているため、光信号は貫通孔の内周面に到達しにくくなる。その結果、光信号の散乱や吸収が防止されるため、損失が小さくなり、光の伝送ロスが小さくなる。しかしながら、図11に示されるように、コアを形成するためのコア材111は、クラッド112の中心部を貫通するコア用孔113にコア材111を充填して硬化させる際に、コア材111がコア用孔113から流出(ブリードアウト)する可能性がある。この場合、コア材111によって形成されるコア115の上端部及び下端部に凹み114が発生してしまい、不良品発生率が高くなって歩留まりが低下するという問題がある。   On the other hand, in the prior art described in Patent Documents 1 to 3, since the optical waveguide has a core serving as an optical path through which the optical signal propagates and a clad surrounding the core, the optical signal is the inner peripheral surface of the through hole. It becomes difficult to reach. As a result, since scattering and absorption of the optical signal are prevented, the loss is reduced and the light transmission loss is reduced. However, as shown in FIG. 11, when the core material 111 for forming the core is hardened by filling the core material 111 in the core hole 113 penetrating the center portion of the clad 112 and curing the core material 111, There is a possibility of outflow (bleed out) from the core hole 113. In this case, there is a problem in that the recesses 114 are generated at the upper end and the lower end of the core 115 formed by the core material 111, the defective product generation rate increases, and the yield decreases.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、損失を小さくして光の伝送ロスを小さくすることができるとともに、コア材の流出を防止して歩留まりを向上させることができる光導波路付き配線基板及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to reduce loss and light transmission loss, and to prevent the core material from flowing out and improve yield. Another object of the present invention is to provide a wiring substrate with an optical waveguide and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するための手段(手段1)としては、複数の配線層と絶縁層とを積層してなり、基板厚さ方向に沿って延びる孔内に光導波路を備える光導波路付き配線基板において、前記光導波路は、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記クラッドの屈折率が前記コアの屈折率よりも小さく、前記コア及び前記クラッドの比屈折率差が1.4%以上であり、前記コアを形成するためのコア材及び前記クラッドを形成するためのクラッド材は、前記クラッド材の硬化物からなるシート上に前記コア材を未硬化状態で滴下したときの接触角が35°以上となるような組み合わせとされていることを特徴とする光導波路付き配線基板がある。   As a means (means 1) for solving the above-mentioned problem, in a wiring substrate with an optical waveguide comprising a plurality of wiring layers and an insulating layer laminated, and having an optical waveguide in a hole extending along the substrate thickness direction The optical waveguide has a core serving as an optical path through which an optical signal propagates and a clad surrounding the core, the refractive index of the clad is smaller than the refractive index of the core, and the relative refractive index difference between the core and the clad Is 1.4% or more, and the core material for forming the core and the clad material for forming the clad are dripped in an uncured state on the core material on a sheet made of a cured product of the clad material There is a wiring board with an optical waveguide characterized in that the contact angle is 35 ° or more.

従って、手段1の光導波路付き配線基板によると、クラッドの屈折率がコアの屈折率よりも小さく、コア及びクラッドの比屈折率差が1.4%以上であるため、光信号は、コア内のみを伝搬し、孔の内周面に到達しにくくなる。即ち、光信号の散乱や吸収が防止されるため、損失が小さくなり、光の伝送ロスが小さくなる。また、コア材及びクラッド材は、クラッド材の硬化物からなるシート上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角が35°以上となるような組み合わせとされている。即ち、コア材が樹脂に対する濡れ性が低く流れにくい材料からなるため、クラッドの中心部を貫通するコア用孔にコア材を充填しかつ硬化させる際に、コア用孔からコア材が流出しにくくなり、ひいては、コア材によって形成されるコアに凹みが発生しにくくなる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられるため、製造される光導波路付き配線基板の歩留まりが高くなる。   Therefore, according to the wiring substrate with an optical waveguide of the means 1, the refractive index of the cladding is smaller than the refractive index of the core, and the relative refractive index difference between the core and the cladding is 1.4% or more. It propagates only, and it becomes difficult to reach the inner peripheral surface of the hole. That is, since the scattering and absorption of the optical signal are prevented, the loss is reduced and the light transmission loss is reduced. The core material and the clad material are combined such that the contact angle when the core material is dropped in an uncured state on a sheet made of a cured clad material is 35 ° or more. That is, since the core material is made of a material having low wettability to the resin and difficult to flow, the core material is unlikely to flow out of the core hole when the core material is filled into the core hole penetrating the central portion of the clad and cured. As a result, dents are less likely to occur in the core formed by the core material. Therefore, since the defective product occurrence rate is suppressed to a low level, the yield of manufactured wiring boards with optical waveguides is increased.

光導波路付き配線基板(配線基板)としては、例えば、樹脂配線基板、セラミック配線基板、ガラス配線基板または金属配線基板が使用可能であるが、コスト面を考慮すると樹脂配線基板であることが好ましい。このようにすれば、配線基板の基板厚さ方向に沿って延びる孔を容易に形成することができる。なお、樹脂配線基板に比較して熱伝導性の高いセラミック配線基板を用いた場合には、発生した熱が効率良く放散されるため、配線基板に光素子を搭載した場合には、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレが回避され、動作安定性や信頼性に優れた配線基板を実現することができる。   As the wiring substrate with an optical waveguide (wiring substrate), for example, a resin wiring substrate, a ceramic wiring substrate, a glass wiring substrate or a metal wiring substrate can be used, but a resin wiring substrate is preferable in consideration of cost. If it does in this way, the hole extended along the board | substrate thickness direction of a wiring board can be formed easily. When using a ceramic wiring board with higher thermal conductivity than a resin wiring board, the generated heat is efficiently dissipated. A shift in the emission wavelength due to deterioration can be avoided, and a wiring board excellent in operational stability and reliability can be realized.

かかるセラミック配線基板の好適例を挙げると、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ムライト、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等からなる配線基板がある。また、樹脂配線基板の好適例としては、例えば、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイド−トリアジン樹脂)、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)等からなる配線基板を挙げることができる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる配線基板を使用してもよい。金属配線基板の好適例としては、例えば、銅からなる配線基板、銅合金からなる配線基板、銅以外の金属単体からなる配線基板、銅以外の合金からなる配線基板などを挙げることができる。   Preferable examples of such ceramic wiring boards include wiring boards made of alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, beryllia, mullite, low-temperature fired glass ceramic, glass ceramic and the like. Moreover, as a suitable example of a resin wiring board, the wiring board which consists of EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), BT resin (bismaleide-triazine resin), PPE resin (polyphenylene ether resin) etc. is mentioned, for example. be able to. In addition, a wiring board made of a composite material of these resins and organic fibers such as glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) or polyamide fibers may be used. Preferable examples of the metal wiring board include a wiring board made of copper, a wiring board made of a copper alloy, a wiring board made of a single metal other than copper, and a wiring board made of an alloy other than copper.

なお、光導波路付き配線基板は、複数の配線層と絶縁層とを積層してなる多層配線基板である。これらの配線層の層間接続を図るために、基板内部にスルーホール導体が形成されていてもよい。なお、かかる配線層やスルーホール導体は、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)などからなる導電性金属ペーストを印刷または充填することにより形成される。そして、このような配線層には電気信号が流れるようになっている。なお、このような多層配線基板に加えて、例えば、配線層と絶縁層とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア基板の下端または両面に有するビルドアップ多層配線基板を用いることも許容される。このようにすれば、配線基板の高密度化を図りやすくなる。   The optical waveguide-equipped wiring board is a multilayer wiring board formed by laminating a plurality of wiring layers and insulating layers. In order to achieve interlayer connection between these wiring layers, through-hole conductors may be formed inside the substrate. The wiring layer and the through-hole conductor are made of, for example, a conductive metal paste made of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), tungsten (W), molybdenum (Mo), or the like. It is formed by printing or filling. An electrical signal flows through such a wiring layer. In addition to such a multilayer wiring board, for example, it is allowed to use a build-up multilayer wiring board having a build-up layer formed by alternately laminating wiring layers and insulating layers on the lower end or both surfaces of the core board. The This makes it easy to increase the density of the wiring board.

光導波路付き配線基板には光素子が搭載可能となっている。光素子は、配線基板に対して1つまたは2つ以上搭載される。その搭載方法としては、例えば、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング等の手法、異方導電性材料を用いた手法などを採用することができる。なお、発光部を有する光素子(即ち発光素子)としては、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)、半導体レーザーダイオード(Laser Diode ;LD)、面発光レーザー(Vertical Cavity Surface Emitting Laser;VCSEL)等を挙げることができる。これらの発光素子は、入力した電気信号を光信号に変換した後、その光信号を所定部位に向けて発光部から出射する機能を有している。一方、受光部を有する光素子(即ち受光素子)としては、例えば、pinフォトダイオード(pin Photo Diode ;pin PD)、アバランシェフォトダイオード(Avalanche Photo Diode ;APD)等を挙げることができる。これらの受光素子は、光信号を受光部にて入射し、その入射した光信号を電気信号に変換して出力する機能を有している。なお、光素子は発光部及び受光部の両方を有する受発光素子であってもよい。また、受発光素子は、複数の受発光部を有するものであってもよい。各受発光部は、一列に配置されていてもよいし、複数列に亘って配置されていてもよい。このような受発光素子は、動作回路によって動作される。具体的に言うと、発光素子用の動作回路は、例えばドライバICと呼ばれ、受光素子用の動作回路は、例えばアンプまたはトランスインピーダンスアンプ(transimpedance amplifier;TIA)と呼ばれている。光素子及び動作回路は、例えば、配線基板に形成された配線層(金属配線層)を介して電気的に接続されている。なお、光素子に使用する好適な材料としては、例えば、Si、Ge、InGaAs、GaAsP、GaAlAs、InPなどを挙げることができる。   An optical element can be mounted on the wiring substrate with the optical waveguide. One or more optical elements are mounted on the wiring board. As the mounting method, for example, a method such as wire bonding or flip chip bonding, a method using an anisotropic conductive material, or the like can be employed. In addition, as an optical element (namely, light emitting element) which has a light emission part, for example, a light emitting diode (Light Emitting Diode; LED), a semiconductor laser diode (Laser Diode; LD), a surface emitting laser (Vertical Cavity Surface Emitting Laser; VCSEL) Etc. These light emitting elements have a function of converting an inputted electric signal into an optical signal and then emitting the optical signal from a light emitting portion toward a predetermined portion. On the other hand, examples of the optical element having a light receiving portion (that is, a light receiving element) include a pin photodiode (pin PD) and an avalanche photodiode (APD). These light receiving elements have a function of causing an optical signal to be incident on the light receiving unit, converting the incident optical signal into an electric signal, and outputting the electric signal. The optical element may be a light emitting / receiving element having both a light emitting unit and a light receiving unit. The light emitting / receiving element may have a plurality of light emitting / receiving units. Each light emitting / receiving unit may be arranged in a line, or may be arranged in a plurality of lines. Such a light emitting / receiving element is operated by an operation circuit. Specifically, the operation circuit for the light emitting element is called, for example, a driver IC, and the operation circuit for the light receiving element is called, for example, an amplifier or a transimpedance amplifier (TIA). The optical element and the operation circuit are electrically connected via, for example, a wiring layer (metal wiring layer) formed on the wiring board. In addition, as a suitable material used for an optical element, Si, Ge, InGaAs, GaAsP, GaAlAs, InP etc. can be mentioned, for example.

また、光導波路付き配線基板は光導波路を備えている。ここで、光導波路としては、配線基板を厚さ方向に貫通し、基板厚さ方向に沿って光信号が伝搬する光路を有する光ビアや、配線基板の主面上や配線基板の内部などに配置され、基板平面方向に沿って光信号が伝搬する光路を有するフィルムなどが考えられる。なお、上記手段1の光導波路とは、光信号が伝搬する光路となるコア及びコアを取り囲むクラッドを有し、孔内に形成されたいわゆる光ビアを指し、例えば、ポリマ材料等からなる有機系の光導波路、石英ガラスや化合物半導体等からなる無機系の光導波路等がある。ポリマ材料としては、感光性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを選択することができ、具体的には、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、UV硬化性エポキシ樹脂、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、重水素化PMMA、重水素フッ素化PMMA等のアクリル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが好適である。なお、クラッドは、孔内にクラッド材を塗布しかつ硬化させることにより形成されたものであり、コアは、クラッドの中心部にコア材を充填しかつ硬化させることにより形成されたものであってもよい。このようにすれば、クラッド材やコア材を上記した多くの種類の材料から選択可能であるため、安価な材料を用いて光導波路を形成することができる。   Moreover, the wiring board with an optical waveguide includes an optical waveguide. Here, as the optical waveguide, an optical via having an optical path that penetrates the wiring board in the thickness direction and an optical signal propagates along the thickness direction of the board, or on the main surface of the wiring board or inside the wiring board, etc. A film having an optical path that is disposed and through which an optical signal propagates along the plane direction of the substrate is conceivable. The optical waveguide of the means 1 refers to a so-called optical via formed in a hole having a core serving as an optical path through which an optical signal propagates and a cladding surrounding the core. For example, an organic system made of a polymer material or the like There are inorganic optical waveguides made of quartz glass, compound semiconductors, and the like. As the polymer material, a photosensitive resin, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be selected. Specifically, a polyimide resin such as a fluorinated polyimide, an epoxy resin, a silicone resin, a UV curable epoxy resin, PMMA (polymethyl methacrylate), deuterated PMMA, acrylic resin such as deuterated fluorinated PMMA, polyolefin resin, and the like are suitable. The clad is formed by applying and curing a clad material in the hole, and the core is formed by filling and curing the core material in the center of the clad. Also good. In this way, since the clad material and the core material can be selected from the many types of materials described above, the optical waveguide can be formed using an inexpensive material.

また、クラッドの屈折率はコアの屈折率よりも小さくなっている。なお、コア及びクラッドの屈折率を変更する方法としては、以下に述べる多くの方法が挙げられ、複数の方法を組み合わせることも可能である。その1つは、コアやクラッドの密度を変更することが挙げられる。また、コア及びクラッドの屈折率を変更する別の方法としては、ハロゲン(F,Cl,Br,I等)、酸素(O)、窒素(N)、硫黄(S)、珪素(Si)、ホウ素(B)の含有量を変更することや、不飽和結合(ベンゼン環、二重結合等)の存在比率を変更することなどが挙げられる。さらに、コア及びクラッドの屈折率を変更する別の方法としては、コアを形成するためのコア材やクラッドを形成するためのクラッド材において、硬化前の平均分子量や分子量分布を変更することなどが挙げられる。また、コア材及びクラッド材の組成が決定されている場合、コア及びクラッドの屈折率を変更する方法としては、コア材やクラッド材の硬化度(硬化温度、硬化時間、コア材及びクラッド材が感光性樹脂であれば露光量)を変更することなどが挙げられる。なお、コア及びクラッドがエポキシ樹脂からなる場合、エポキシ樹脂にはアンチモン(Sb)が硬化剤として含まれていることがある。この場合、アンチモンの含有量を変更することによっても、コア及びクラッドの屈折率を変更させることができる。   The refractive index of the cladding is smaller than the refractive index of the core. In addition, as a method of changing the refractive index of a core and a clad, many methods described below are mentioned, It is also possible to combine several methods. One of them is to change the density of the core and cladding. Other methods for changing the refractive index of the core and cladding include halogen (F, Cl, Br, I, etc.), oxygen (O), nitrogen (N), sulfur (S), silicon (Si), boron Examples thereof include changing the content of (B) and changing the abundance ratio of unsaturated bonds (benzene ring, double bond, etc.). Furthermore, another method for changing the refractive index of the core and the clad is to change the average molecular weight and molecular weight distribution before curing in the core material for forming the core and the clad material for forming the clad. Can be mentioned. In addition, when the composition of the core material and the clad material is determined, as a method of changing the refractive index of the core and the clad material, the degree of cure of the core material and the clad material (curing temperature, curing time, core material and clad material For a photosensitive resin, the exposure amount) may be changed. When the core and the clad are made of an epoxy resin, the epoxy resin may contain antimony (Sb) as a curing agent. In this case, the refractive index of the core and the clad can also be changed by changing the content of antimony.

なお、コア及びクラッドの比屈折率差は、例えば1.4%以上15.0%以下であることが好ましく、2.0%以上12.0%以下であることが特に好ましい。仮に、比屈折率差が15.0%よりも高くなると、好適なコア材及びクラッド材の組み合わせを見つけ出すことが困難になる。また、クラッド材の硬化物からなるシート上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角は、35°以上80°以下であることが好ましい。仮に、接触角が80°よりも大きくなると、好適なコア材及びクラッド材の組み合わせを見つけ出すことが困難になる。なお、比屈折率差が15.0%よりも高く、かつ接触角が80°よりも大きい場合には、コア材及びクラッド材の組み合わせを見つけ出せたとしても、硬化後のコア−クラッド間の接着強度が低くなるため、長期信頼性の点で問題が発生するおそれがある。   In addition, the relative refractive index difference between the core and the clad is preferably 1.4% or more and 15.0% or less, and particularly preferably 2.0% or more and 12.0% or less. If the relative refractive index difference is higher than 15.0%, it is difficult to find a suitable combination of the core material and the clad material. The contact angle when the core material is dropped in an uncured state on a sheet made of a cured clad material is preferably 35 ° or more and 80 ° or less. If the contact angle is larger than 80 °, it is difficult to find a suitable combination of the core material and the clad material. In addition, when the relative refractive index difference is higher than 15.0% and the contact angle is larger than 80 °, even if the combination of the core material and the clad material can be found, the adhesion between the core and the clad after curing is achieved. Since the strength is lowered, there is a possibility that a problem may occur in terms of long-term reliability.

また、孔は、配線基板を貫通するとともに内周面に凹凸を有し、内周面の算術平均粗さ(Ra)が0.1μm以上の加工孔であり、クラッドは、凹凸を被覆する厚さで形成されていることが好ましい。さらに、クラッドは、内周面の算術平均粗さ(Ra)が0.1μm以下であることが好ましい。以上の構成であれば、クラッドと孔(加工孔)との接着強度が向上し、かつクラッドが孔の内周面にある凹凸を被覆し、クラッドの内周面が平滑になる。その結果、コアを伝搬する光信号は、クラッドの内周面で散乱することなくコアを伝搬できるため、損失が小さくなり、光の伝送ロスが小さくなる。   The hole penetrates the wiring board and has irregularities on the inner peripheral surface, and the arithmetic average roughness (Ra) of the inner peripheral surface is 0.1 μm or more, and the cladding has a thickness that covers the irregularities. It is preferable to be formed. Further, the clad preferably has an arithmetic average roughness (Ra) of the inner peripheral surface of 0.1 μm or less. With the above configuration, the adhesive strength between the clad and the hole (processed hole) is improved, and the clad covers the unevenness on the inner peripheral surface of the hole, and the inner peripheral surface of the clad becomes smooth. As a result, since the optical signal propagating through the core can propagate through the core without being scattered on the inner peripheral surface of the cladding, the loss is reduced and the light transmission loss is reduced.

上記課題を解決するための別の手段(手段2)としては、上記手段1に記載の光導波路付き配線基板の製造方法であって、前記配線基板に孔を形成する孔形成工程と、前記孔内にクラッド材を塗布しかつ硬化させることで、中空状のクラッドを形成するクラッド形成工程と、前記クラッドの中心部にコア材を充填しかつ硬化させることで、コアを形成するコア形成工程とを含むことを特徴とする光導波路付き配線基板の製造方法がある。   As another means (means 2) for solving the above-mentioned problem, there is provided a method for manufacturing a wiring board with an optical waveguide according to the above means 1, wherein a hole forming step for forming a hole in the wiring board, and the hole A clad forming step of forming a hollow clad by applying and curing the clad material therein, and a core forming step of forming a core by filling and curing the core material in the center of the clad. There is a method for manufacturing a wiring board with an optical waveguide, characterized in that

従って、手段2の光導波路付き配線基板の製造方法によると、クラッドの屈折率がコアの屈折率よりも小さく、コア及びクラッドの比屈折率差が1.4%以上となるコア及びクラッドを用いて光導波路を形成するため、コアを伝搬する光信号が孔の内周面に到達しにくい光導波路を形成することができる。その結果、光信号の散乱や吸収が防止されるため、光の伝送ロスが小さくなる。また、クラッド材を例えば平板上で硬化させて作製したシートの上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角が35°以上となるような組み合わせとしたコア材及びクラッド材を用いてコア形成工程を行うため、コア形成工程時に、クラッドの中心部を貫通するコア用孔からコア材が流出しにくくなり、ひいては、コア材によって形成されるコアに凹みが発生しにくくなる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられるため、製造される光導波路付き配線基板の歩留まりが高くなる。   Therefore, according to the manufacturing method of the wiring board with an optical waveguide of means 2, the core and the clad in which the refractive index of the clad is smaller than the refractive index of the core and the relative refractive index difference between the core and the clad is 1.4% or more are used. Thus, the optical waveguide can be formed such that the optical signal propagating through the core hardly reaches the inner peripheral surface of the hole. As a result, scattering and absorption of the optical signal are prevented, so that light transmission loss is reduced. Also, using a core material and a clad material that are combined such that the contact angle is 35 ° or more when the core material is dropped in an uncured state on a sheet produced by curing the clad material on a flat plate, for example. Since the core forming step is performed, the core material is less likely to flow out of the core hole penetrating the center portion of the clad during the core forming step, and as a result, the core formed by the core material is less likely to be depressed. Therefore, since the defective product occurrence rate is suppressed to a low level, the yield of manufactured wiring boards with optical waveguides is increased.

以下、光導波路付き配線基板の製造方法を工程に沿って説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the wiring board with an optical waveguide will be described along the steps.

孔形成工程では、配線基板に孔を形成する。ここで、孔の形成方法としては周知の技術を採用することができ、具体例としては、ドリル加工、パンチ加工、レーザー加工、放電加工などがある。ただし、低コストという観点からすると、ドリル加工やパンチ加工といった機械的加工が好ましい。また、ここで行われる機械的加工は、例えば精密ドリルなどを用いた精密孔あけ加工であることがより好ましい。このような加工法によって孔を形成しておけば、高い精度で光軸合わせを行うことができるからである。精密孔あけ加工は、配線基板に対して直接行ってもよい。また、あらかじめ別の方法で配線基板に形成した大型の孔に対して精密孔あけ加工を行いやすい材料を充填した後、その材料に対して精密孔あけ加工を行ってもよい。   In the hole forming step, holes are formed in the wiring board. Here, a well-known technique can be adopted as the hole forming method, and specific examples include drilling, punching, laser processing, and electric discharge machining. However, from the viewpoint of low cost, mechanical processing such as drilling or punching is preferable. Moreover, it is more preferable that the mechanical processing performed here is a precision drilling process using a precision drill etc., for example. This is because if the hole is formed by such a processing method, the optical axis can be aligned with high accuracy. Precision drilling may be performed directly on the wiring board. In addition, after filling a material that can be easily drilled into a large hole formed in the wiring board by another method in advance, the material may be drilled precisely.

続くクラッド形成工程では、孔内にクラッド材を塗布しかつ硬化させることで、中空状のクラッドを形成する。続くコア形成工程では、クラッドの中心部にコア材を充填しかつ硬化させることで、コアを形成する。この時点で、所望の光導波路付き配線基板を得ることができる。   In the subsequent clad forming step, a hollow clad is formed by applying and curing a clad material in the hole. In the subsequent core formation step, the core is formed by filling the core material in the center of the clad and curing. At this point, a desired wiring board with an optical waveguide can be obtained.

本発明を具体化した一実施形態の光電気混載モジュールを示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows the opto-electric hybrid module of one Embodiment which actualized this invention. 光電気混載モジュールを示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows an opto-electric hybrid module. 光電気混載モジュールを示す要部断面図。The principal part sectional drawing which shows a photoelectric mixed module. 光導波路付き配線基板及び光コネクタを示す要部断面図。The principal part sectional drawing which shows the wiring board with an optical waveguide, and an optical connector. 光電気混載モジュールの製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of an opto-electric hybrid module. 光電気混載モジュールの製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of an opto-electric hybrid module. 光電気混載モジュールの製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of an opto-electric hybrid module. 光電気混載モジュールの製造方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing method of an opto-electric hybrid module. クラッド材の硬化物からなるシート上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角を計測する方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the method of measuring a contact angle when a core material is dripped in the uncured state on the sheet | seat which consists of a hardened | cured material of a clad material. クラッド材の硬化物からなるシート上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角を計測する方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the method of measuring a contact angle when a core material is dripped in the uncured state on the sheet | seat which consists of a hardened | cured material of a clad material. 従来技術の問題点を説明するための断面図。Sectional drawing for demonstrating the problem of a prior art.

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。なお、寸法、材料、チャネル数などは本実施形態に限定される訳ではなく、適宜変更可能である。   Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The dimensions, material, number of channels, and the like are not limited to the present embodiment, and can be changed as appropriate.

図1〜図4に示されるように、本実施形態の光電気混載モジュール1は、マザーボード61(母基板)、マザーボード61上に設けられた3つのソケット71、各ソケット71上にそれぞれ接続された光導波路付き配線基板10(以下「配線基板10」という)、及び、複数の光コネクタ91等を備える。本実施形態では、配線基板10が、パッド48にピン49が取り付けられたピングリッドアレイ(PGA)タイプの半導体パッケージであり、ソケット71もピングリッドアレイ用のものとなっている。しかし、配線基板10が、ピン49が取り付けられないランドグリッドアレイ(LGA)タイプの半導体パッケージであったとしても、ソケット71を用いることができる。この場合、パッド48は、ピンアレイ(図示略)を介してソケット71の導体柱75に接続される。   As shown in FIGS. 1 to 4, the opto-electric hybrid module 1 of the present embodiment is connected to a mother board 61 (mother board), three sockets 71 provided on the mother board 61, and each socket 71. A wiring board 10 with an optical waveguide (hereinafter referred to as “wiring board 10”), a plurality of optical connectors 91, and the like are provided. In this embodiment, the wiring board 10 is a pin grid array (PGA) type semiconductor package in which pins 49 are attached to pads 48, and the socket 71 is also used for the pin grid array. However, even if the wiring substrate 10 is a land grid array (LGA) type semiconductor package to which the pins 49 are not attached, the socket 71 can be used. In this case, the pad 48 is connected to the conductor pillar 75 of the socket 71 via a pin array (not shown).

本実施形態のマザーボード61は、上面62及び下面63を有する平面視略矩形状の板状部材である。図3に示されるように、マザーボード61を構成する基板本体69は、樹脂絶縁層64と金属導体層65とによって構成されている。樹脂絶縁層64は、例えば、厚さ約30μmであって、連続多孔質PTFEにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料や、シリカ粒子などの充填材を含んだエポキシ樹脂などの各種絶縁シートからなる。   The mother board 61 of the present embodiment is a plate-like member that has a top surface 62 and a bottom surface 63 and has a substantially rectangular shape in plan view. As shown in FIG. 3, the substrate body 69 constituting the mother board 61 is constituted by a resin insulating layer 64 and a metal conductor layer 65. The resin insulating layer 64 is, for example, about 30 μm thick, and various insulating sheets such as a resin-resin composite material obtained by impregnating continuous porous PTFE with an epoxy resin, and an epoxy resin containing a filler such as silica particles. Consists of.

樹脂絶縁層64における複数箇所には、樹脂絶縁層64の厚さ方向に貫通する内部導通用のスルーホール部66が形成されている。そして、これらのスルーホール部66は、層の異なる金属導体層65を電気的に接続する役割を果たしている。また、マザーボード61の上面62において各々のスルーホール部66の上端面がある位置には、パッド67が配置されている。   Through holes 66 for internal conduction penetrating in the thickness direction of the resin insulation layer 64 are formed at a plurality of locations in the resin insulation layer 64. These through-hole portions 66 serve to electrically connect metal conductor layers 65 of different layers. A pad 67 is disposed at a position where the upper end surface of each through-hole portion 66 is located on the upper surface 62 of the mother board 61.

図2,図3に示されるように、ソケット71は、略矩形平板状をなし、上面73及び下面74を有している。ソケット71には、上面73及び下面74間を貫通する複数の導体柱75が形成されている。各導体柱75の下端面には、略半球状のはんだバンプ72が設けられている。これらのはんだバンプ72は、マザーボード61側のパッド67に接続されている。また、ソケット71の上面73側には、光コネクタ91を収容するためのコネクタ収容凹部76が設けられている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the socket 71 has a substantially rectangular flat plate shape and has an upper surface 73 and a lower surface 74. The socket 71 is formed with a plurality of conductor pillars 75 penetrating between the upper surface 73 and the lower surface 74. A substantially hemispherical solder bump 72 is provided on the lower end surface of each conductor column 75. These solder bumps 72 are connected to pads 67 on the mother board 61 side. Further, a connector housing recess 76 for housing the optical connector 91 is provided on the upper surface 73 side of the socket 71.

図1〜図4に示されるように、配線基板10は、主面12及びその反対側に位置する裏面13を有し、縦50.0mm×横50.0mm×厚さ0.4mm(400μm)の正方形板状をなしている。また、配線基板10は、ガラスエポキシからなる略矩形板状のコア基板14を有するとともに、コア主面15(図4では上面)上に第1ビルドアップ層31を有し、コア裏面16(図4では下面)上に第2ビルドアップ層32を有するビルドアップ多層配線基板である。   As shown in FIGS. 1 to 4, the wiring board 10 has a main surface 12 and a back surface 13 located on the opposite side, and is 50.0 mm long × 50.0 mm wide × 0.4 mm thick (400 μm). It has a square plate shape. Further, the wiring board 10 has a substantially rectangular plate-shaped core substrate 14 made of glass epoxy, and has a first buildup layer 31 on the core main surface 15 (upper surface in FIG. 4), and the core back surface 16 (FIG. 4 is a build-up multilayer wiring board having a second build-up layer 32 on its lower surface.

図4に示されるように、コア基板14における複数箇所には、コア主面15及びコア裏面16を貫通するスルーホール導体17が形成されている。これらのスルーホール導体17は、コア基板14のコア主面15側とコア裏面16側とを接続導通している。なお、スルーホール導体17の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体18で埋められている。そして、スルーホール導体17における開口部には銅めっき層からなる蓋状導体19が形成され、その結果スルーホール導体17が塞がれている。また、コア基板14のコア主面15及びコア裏面16においてスルーホール導体17が存在しない箇所には、銅めっき層からなる配線パターン(図示略)が形成されている。   As shown in FIG. 4, through-hole conductors 17 that penetrate the core main surface 15 and the core back surface 16 are formed at a plurality of locations on the core substrate 14. These through-hole conductors 17 connect and conduct the core main surface 15 side and the core back surface 16 side of the core substrate 14. Note that the inside of the through-hole conductor 17 is filled with a closing body 18 such as an epoxy resin. A lid-like conductor 19 made of a copper plating layer is formed in the opening of the through-hole conductor 17, and as a result, the through-hole conductor 17 is closed. A wiring pattern (not shown) made of a copper plating layer is formed at a location where the through-hole conductor 17 does not exist on the core main surface 15 and the core back surface 16 of the core substrate 14.

第2ビルドアップ層32は、銅からなる2層の金属配線層42と、熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層34とを交互に積層した構造を有している。また、各樹脂絶縁層34における複数箇所には、金属配線層42に接続される内層接続ビア導体47が銅めっきによって形成されている。また、第2層の樹脂絶縁層34の下面上における複数箇所には、金属配線層42に電気的に接続されるパッド48(PGA用パッド)が形成されている。さらに、第2層の樹脂絶縁層34の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、パッド48を露出させる開口部40が形成されている。パッド48の表面上には、ソケット実装用の複数のピン49がはんだ付けによって接合されている。そして、各ピン49により、配線基板10はソケット71上に接続される。   The second buildup layer 32 has a structure in which two metal wiring layers 42 made of copper and two resin insulation layers 34 made of a thermosetting resin (for example, epoxy resin) are alternately laminated. . In addition, inner layer connection via conductors 47 connected to the metal wiring layer 42 are formed at a plurality of locations in each resin insulating layer 34 by copper plating. Also, pads 48 (PGA pads) that are electrically connected to the metal wiring layer 42 are formed at a plurality of locations on the lower surface of the second resin insulating layer 34. Further, the lower surface of the second resin insulating layer 34 is almost entirely covered with a solder resist 38. An opening 40 for exposing the pad 48 is formed at a predetermined portion of the solder resist 38. On the surface of the pad 48, a plurality of pins 49 for socket mounting are joined by soldering. The wiring board 10 is connected to the socket 71 by each pin 49.

図4に示されるように、第1ビルドアップ層31は、上述した第2ビルドアップ層32とほぼ同じ構造を有している。即ち、第1ビルドアップ層31は、銅からなる2層の金属配線層42と、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層33とを交互に積層した構造を有している。また、各樹脂絶縁層33における複数箇所には、金属配線層42に接続される内層接続ビア導体43が銅めっきによって形成されている。   As shown in FIG. 4, the first buildup layer 31 has substantially the same structure as the second buildup layer 32 described above. That is, the first buildup layer 31 has a structure in which two metal wiring layers 42 made of copper and two resin insulating layers 33 made of a thermosetting resin (epoxy resin) are alternately laminated. Yes. In addition, inner layer connection via conductors 43 connected to the metal wiring layer 42 are formed by copper plating at a plurality of locations in each resin insulating layer 33.

また、第2層の樹脂絶縁層33の表面上には、複数のCPU接続用端子(図示略)と複数のドライバIC接続用端子57とが形成されている。各CPU接続用端子は、配線基板10の主面12側(具体的には、第2層の樹脂絶縁層33の表面上)において基板中央部となる領域に配置されている。各ドライバIC接続用端子57は、配線基板10の主面12側において各CPU接続用端子よりも基板外周側となる領域に配置されている。また、第2層の樹脂絶縁層33の表面上には、各CPU接続用端子と各ドライバIC接続用端子57とをつなぐ第1配線パターン58が形成されている。なお、配線基板10の主面12において各CPU接続用端子及び各ドライバIC接続用端子57が属する領域には、半導体集積回路素子搭載領域23が設定される。   A plurality of CPU connection terminals (not shown) and a plurality of driver IC connection terminals 57 are formed on the surface of the second resin insulation layer 33. Each CPU connection terminal is arranged in a region which becomes the central portion of the substrate on the main surface 12 side of the wiring substrate 10 (specifically, on the surface of the second resin insulating layer 33). Each driver IC connection terminal 57 is arranged on the main surface 12 side of the wiring board 10 in a region closer to the outer periphery of the board than each CPU connection terminal. Further, on the surface of the second resin insulating layer 33, a first wiring pattern 58 that connects each CPU connection terminal and each driver IC connection terminal 57 is formed. A semiconductor integrated circuit element mounting region 23 is set in a region to which each CPU connection terminal and each driver IC connection terminal 57 belong on the main surface 12 of the wiring board 10.

図4に示されるように、第2層の樹脂絶縁層33の表面上には、複数の光素子接続用端子55が形成されている。各光素子接続用端子55は、配線基板10の主面12側において各ドライバIC接続用端子57よりも基板外周側となる領域、即ち、半導体集積回路素子搭載領域23よりも基板外周側となる領域に配置されている。また、第2層の樹脂絶縁層33の表面上には、各ドライバIC接続用端子57と各光素子接続用端子55とをつなぐ第2配線パターン59が形成されている。   As shown in FIG. 4, a plurality of optical element connection terminals 55 are formed on the surface of the second resin insulating layer 33. Each optical element connection terminal 55 is located on the main surface 12 side of the wiring substrate 10 on the outer peripheral side of the substrate with respect to each driver IC connection terminal 57, that is, on the outer peripheral side of the substrate with respect to the semiconductor integrated circuit element mounting region 23. Arranged in the area. A second wiring pattern 59 is formed on the surface of the second resin insulating layer 33 to connect each driver IC connection terminal 57 and each optical element connection terminal 55.

さらに、第2層の樹脂絶縁層33の表面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト37の所定箇所には、CPU接続用端子、ドライバIC接続用端子57及び光素子接続用端子55を露出させる開口部46が形成されている。そして、CPU接続用端子、ドライバIC接続用端子57及び光素子接続用端子55の表面上には、それぞれ表面側はんだバンプ45が配設されている。   Further, the surface of the second resin insulating layer 33 is almost entirely covered with a solder resist 37. An opening 46 for exposing the CPU connection terminal, the driver IC connection terminal 57 and the optical element connection terminal 55 is formed at a predetermined location of the solder resist 37. On the surfaces of the CPU connection terminal, the driver IC connection terminal 57, and the optical element connection terminal 55, the surface-side solder bumps 45 are respectively disposed.

図1〜図3に示されるように、CPU接続用端子の表面上に配設された各表面側はんだバンプ45には、半導体集積回路素子であるICチップ21(CPU)が接合されている。MPUとしての機能を有するICチップ21は、縦10.0mm×横7.5mm×厚さ0.7mmの矩形板状をなしている。ICチップ21の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ICチップ21の下面側には、複数の素子側端子(図示略)が格子状に設けられている。   As shown in FIGS. 1 to 3, an IC chip 21 (CPU), which is a semiconductor integrated circuit element, is bonded to each surface side solder bump 45 disposed on the surface of the CPU connection terminal. The IC chip 21 having a function as an MPU has a rectangular plate shape of 10.0 mm long × 7.5 mm wide × 0.7 mm thick. Circuit elements (not shown) are formed on the lower surface layer of the IC chip 21. A plurality of element-side terminals (not shown) are provided in a grid pattern on the lower surface side of the IC chip 21.

図4に示されるように、光素子接続用端子55の表面上に配設された各表面側はんだバンプ45には、光素子(発光素子)の一種であるVCSEL24が、発光面を下方(配線基板10側)に向けた状態で接合されている。本実施形態のVCSEL24は、縦3.0mm×横0.25mmの略矩形平板状をなしている。このVCSEL24は、同VCSEL24の長手方向に沿って一列に並べられた複数(ここでは12個)の発光部25を発光面内に有している。これらの発光部25は、配線基板10の主面12に対して直交する方向(即ち、図4において下方向)に、所定波長のレーザー光(光信号)を出射するようになっている。また、VCSEL24の有する複数の端子29は、各表面側はんだバンプ45にそれぞれ接合されている。   As shown in FIG. 4, each surface-side solder bump 45 disposed on the surface of the optical element connection terminal 55 has a VCSEL 24, which is a kind of optical element (light emitting element), with a light emitting surface below (wiring). Bonded in a state directed toward the substrate 10 side). The VCSEL 24 of the present embodiment has a substantially rectangular flat plate shape of 3.0 mm long × 0.25 mm wide. The VCSEL 24 has a plurality of (here, 12) light emitting units 25 arranged in a line along the longitudinal direction of the VCSEL 24 in the light emitting surface. These light emitting sections 25 emit laser light (optical signals) having a predetermined wavelength in a direction orthogonal to the main surface 12 of the wiring board 10 (that is, a downward direction in FIG. 4). Further, the plurality of terminals 29 included in the VCSEL 24 are respectively joined to the front surface side solder bumps 45.

さらに、ドライバIC接続用端子57の表面上に配設された各表面側はんだバンプ45には、VCSEL24を駆動するための半導体集積回路素子であるドライバIC22が接合されている。このドライバIC22は、配線基板10の主面12においてVCSEL24の近傍に配置されている。本実施形態のドライバIC22は、縦3.5mm×横2.5mmの略矩形平板状をなしている。このドライバIC22の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ドライバIC22の有する複数の端子28は、各表面側はんだバンプ45にそれぞれ接合されている。従って、ドライバIC22とVCSEL24とが、第2配線パターン59などを介して電気的に接続される。   Furthermore, a driver IC 22, which is a semiconductor integrated circuit element for driving the VCSEL 24, is joined to each surface-side solder bump 45 disposed on the surface of the driver IC connection terminal 57. The driver IC 22 is disposed in the vicinity of the VCSEL 24 on the main surface 12 of the wiring board 10. The driver IC 22 of the present embodiment has a substantially rectangular flat plate shape of 3.5 mm long × 2.5 mm wide. Circuit elements (not shown) are formed on the lower surface layer of the driver IC 22. Further, the plurality of terminals 28 of the driver IC 22 are respectively joined to the front surface side solder bumps 45. Accordingly, the driver IC 22 and the VCSEL 24 are electrically connected via the second wiring pattern 59 and the like.

なお、図2において右側にある配線基板10の主面12にも、複数の表面側はんだバンプ45が形成されている。各表面側はんだバンプ45には、光素子(受光素子)の一種であるフォトダイオード27が、受光面を下方(配線基板10側)に向けた状態で接合されている。本実施形態のフォトダイオード27は、縦3.0mm×横0.25mmの略矩形平板状をなしている。このフォトダイオード27は、同フォトダイオード27の長手方向に沿って一列に並べられた複数(ここでは12個)の受光部(図示略)を受光面内に有している。従って、これらの受光部は、図2の下側から上側に向かうレーザー光(光信号)を受けやすい構成となっている。   A plurality of surface-side solder bumps 45 are also formed on the main surface 12 of the wiring board 10 on the right side in FIG. A photodiode 27, which is a kind of optical element (light receiving element), is bonded to each surface-side solder bump 45 with the light receiving surface facing downward (wiring board 10 side). The photodiode 27 of the present embodiment has a substantially rectangular flat plate shape of 3.0 mm length × 0.25 mm width. The photodiode 27 has a plurality of (here, 12) light receiving portions (not shown) arranged in a line along the longitudinal direction of the photodiode 27 in the light receiving surface. Therefore, these light receiving sections are configured to easily receive laser light (optical signal) from the lower side to the upper side in FIG.

また、配線基板10の主面12においてフォトダイオード27の近傍には、フォトダイオード27から出力される光電流を増幅する半導体集積回路素子であるレシーバIC26が配置されている。本実施形態のレシーバIC26は、縦3.5mm×横2.5mmの略矩形平板状をなしている。このレシーバIC26の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、レシーバIC26の有する複数の端子(図示略)は、各表面側はんだバンプ45にそれぞれ接合されている。従って、フォトダイオード27とレシーバIC26とが、配線パターン(図示略)などを介して電気的に接続される。   A receiver IC 26 that is a semiconductor integrated circuit element that amplifies the photocurrent output from the photodiode 27 is disposed in the vicinity of the photodiode 27 on the main surface 12 of the wiring board 10. The receiver IC 26 of the present embodiment has a substantially rectangular flat plate shape of 3.5 mm long × 2.5 mm wide. Circuit elements (not shown) are formed on the lower surface layer of the receiver IC 26. In addition, a plurality of terminals (not shown) of the receiver IC 26 are respectively joined to the front surface side solder bumps 45. Therefore, the photodiode 27 and the receiver IC 26 are electrically connected via a wiring pattern (not shown).

図3,図4に示されるように、配線基板10における複数の箇所(1つの配線基板10につき8箇所)には、2つで1組となる位置決め用ガイド孔51が形成されている。各位置決め用ガイド孔51は、断面円形状かつ等断面形状であって、配線基板10の主面12及び裏面13を貫通している。本実施形態の場合、各位置決め用ガイド孔51の直径は約0.7mmに設定されている。各位置決め用ガイド孔51には、断面円形状のガイドピン52の上端部が嵌入可能になっている。位置決め用ガイド孔51にガイドピン52が嵌入された場合、ガイドピン52の両端部は、配線基板10の主面12側及び裏面13側にそれぞれ突出するようになっている。なお、これらのガイドピン52は、ステンレス鋼からなり、軸線方向に対して垂直な平坦面を両端部に備えている。本実施形態において具体的には、JIS C 5981に規定するガイドピン「CNF125A−21」(直径0.699mm)を使用している。即ち、ガイドピン52の直径は、位置決め用ガイド孔51とほぼ同径に設定されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of positioning guide holes 51 are formed at a plurality of locations (eight locations per wiring substrate 10) in the wiring substrate 10. Each positioning guide hole 51 has a circular cross section and an equal cross section, and penetrates the main surface 12 and the back surface 13 of the wiring substrate 10. In the case of this embodiment, the diameter of each positioning guide hole 51 is set to about 0.7 mm. An upper end portion of a guide pin 52 having a circular cross section can be fitted into each positioning guide hole 51. When the guide pins 52 are inserted into the positioning guide holes 51, both end portions of the guide pins 52 protrude toward the main surface 12 side and the back surface 13 side of the wiring substrate 10, respectively. These guide pins 52 are made of stainless steel and have flat surfaces at both ends perpendicular to the axial direction. Specifically, in this embodiment, a guide pin “CNF125A-21” (diameter 0.699 mm) defined in JIS C 5981 is used. That is, the diameter of the guide pin 52 is set to be substantially the same as that of the positioning guide hole 51.

図3,図4に示されるように、配線基板10の主面12側は金属製リッド11で覆われている。なお、ガイドピン52の主面側端部は、配線基板10の主面12側にてVCSEL24よりも高く突出し、金属製リッド11の内面に当接している。   As shown in FIGS. 3 and 4, the main surface 12 side of the wiring board 10 is covered with a metal lid 11. Note that the main surface side end portion of the guide pin 52 protrudes higher than the VCSEL 24 on the main surface 12 side of the wiring substrate 10 and is in contact with the inner surface of the metal lid 11.

また、配線基板10において半導体集積回路素子搭載領域23よりも基板外周側となる領域には、複数の光導波路用孔80が形成されている。各光導波路用孔80は、基板厚さ方向に沿って延びており、配線基板10の主面12及び裏面13を貫通している。本実施形態の場合、光導波路用孔80は、断面円形状かつ等断面形状をなし、発光素子用のものでは直径が50μm、受光素子用のものでは直径が80μmに設定されている。また、各光導波路用孔80は、内周面に凹凸81(図6,図7参照)を有し、内周面の算術平均粗さ(Ra)が0.13μmの加工孔である。   In the wiring substrate 10, a plurality of optical waveguide holes 80 are formed in a region closer to the outer periphery of the substrate than the semiconductor integrated circuit element mounting region 23. Each optical waveguide hole 80 extends along the substrate thickness direction, and penetrates the main surface 12 and the back surface 13 of the wiring substrate 10. In the present embodiment, the optical waveguide hole 80 has a circular cross section and an equal cross section, and the diameter is set to 50 μm for the light emitting element and the diameter is set to 80 μm for the light receiving element. Each of the optical waveguide holes 80 is a processed hole having irregularities 81 (see FIGS. 6 and 7) on the inner peripheral surface and an arithmetic average roughness (Ra) of the inner peripheral surface of 0.13 μm.

図3,図4に示されるように、各光導波路用孔80内には、光導波路82がそれぞれ形成されている。各光導波路82は、コア83及びそれを取り囲むクラッド84を有している。なお、実質的にコア83は光信号が伝搬する光路となる。光路となるコア83の本数は、VCSEL24の発光部25の数、及び、フォトダイオード27の受光部の数と同じく12であって、それらは直線的にかつ互いに平行に延びるように形成されている。   As shown in FIGS. 3 and 4, an optical waveguide 82 is formed in each optical waveguide hole 80. Each optical waveguide 82 has a core 83 and a clad 84 surrounding it. It should be noted that the core 83 substantially becomes an optical path through which the optical signal propagates. The number of cores 83 serving as an optical path is twelve, the same as the number of light emitting portions 25 of the VCSEL 24 and the number of light receiving portions of the photodiode 27, and they are formed so as to extend linearly and in parallel to each other. .

本実施形態の場合、コア83及びクラッド84は、屈折率が異なる透明樹脂により形成されている。具体的に言うと、コア83は、屈折率が1.570のエポキシ樹脂(ヘンケル社製 ロックタイト3335)によって形成され、クラッド84は、屈折率が1.410のシリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング株式会社製 EG−6301)によって形成されている。即ち、クラッド84の屈折率は、コア83の屈折率よりも小さくなっている。そして、コア83及びクラッド84の比屈折率差は、{(コア83の屈折率)−(クラッド84の屈折率)}/(コア83の屈折率)から算出され、本実施形態では10.2%となっている。   In the case of this embodiment, the core 83 and the clad 84 are formed of transparent resins having different refractive indexes. Specifically, the core 83 is formed of an epoxy resin having a refractive index of 1.570 (Loctite 3335 manufactured by Henkel), and the clad 84 is a silicone resin having a refractive index of 1.410 (Toray Dow Corning Co., Ltd.). EG-6301). That is, the refractive index of the clad 84 is smaller than the refractive index of the core 83. The relative refractive index difference between the core 83 and the clad 84 is calculated from {(refractive index of the core 83) − (refractive index of the clad 84)} / (refractive index of the core 83). %.

なお、コア83及びクラッド84の屈折率は以下のように測定される。まず、ガラス板(図示略)の表面に対してクロム(Cr)のスパッタリングを行うことにより、クロムミラーを作成する。次に、スピンコートやスクリーン印刷などの従来周知の成膜方法を用いて、コア83を形成するための透明樹脂やクラッド84を形成するための透明樹脂をクロムミラー上に塗布し、硬化させる。なお、透明樹脂を硬化させる方法としては、紫外線の照射や加熱処理などが挙げられるが、実際の配線基板10を製造する際の硬化条件と透明樹脂の材料とに合わせた方法で適宜硬化させることが好ましい。そして、透明樹脂の硬化後、クロムミラーを複数個の測定用サンプル(縦25mm、横8mm)に分割する。その後、多波長アッベ屈折計(株式会社アタゴ製 DR−M2)を用いて波長850nmにおける測定用サンプルの屈折率を測定すれば、コア83やクラッド84の屈折率が測定される。   Note that the refractive indexes of the core 83 and the clad 84 are measured as follows. First, a chromium mirror is created by sputtering chromium (Cr) on the surface of a glass plate (not shown). Next, using a conventionally known film forming method such as spin coating or screen printing, a transparent resin for forming the core 83 or a transparent resin for forming the clad 84 is applied onto the chromium mirror and cured. In addition, as a method for curing the transparent resin, ultraviolet irradiation, heat treatment, and the like can be mentioned, but curing is appropriately performed by a method that matches the curing conditions and the material of the transparent resin when manufacturing the actual wiring board 10. Is preferred. Then, after the transparent resin is cured, the chrome mirror is divided into a plurality of measurement samples (vertical 25 mm, horizontal 8 mm). Then, if the refractive index of the measurement sample at a wavelength of 850 nm is measured using a multiwavelength Abbe refractometer (DR-M2 manufactured by Atago Co., Ltd.), the refractive index of the core 83 and the clad 84 is measured.

図4に示されるように、クラッド84は、光導波路用孔80にペースト状のクラッド材85(図6参照)を充填しかつ硬化させることにより形成されたものである。クラッド84は、凹凸81を被覆する厚さ(約5μm)で形成されている。そして、クラッド84の中心部は、クラッド84の上端面(配線基板10の主面12側端面)及び下端面(配線基板10の裏面13側端面)を貫通するコア用孔86(図6参照)となっている。なお、クラッド84は、外径が50μm、(コア用孔86の)内径が40μm、内周面の算術平均粗さ(Ra)が0.06μmに設定されている。即ち、クラッド84の内周面の算術平均粗さ(Ra)は、光導波路用孔80の内周面の算術平均粗さ(Ra)よりも小さくなっている。また、コア83は、コア用孔86内にペースト状のコア材87(図7参照)を充填しかつ硬化させることにより形成されたものである。コア83は、直径が40μmに設定されている。なお、コア材87及びクラッド材85は、クラッド材85の硬化物からなるシート88上にコア材87を未硬化状態で滴下したときの接触角θ1(図10参照)が69°となるような組み合わせとなっている。   As shown in FIG. 4, the clad 84 is formed by filling the optical waveguide hole 80 with a paste clad material 85 (see FIG. 6) and curing it. The clad 84 is formed with a thickness (about 5 μm) covering the irregularities 81. The central portion of the clad 84 is a core hole 86 (see FIG. 6) that penetrates the upper end surface (the end surface on the main surface 12 side of the wiring substrate 10) and the lower end surface (the end surface on the back surface 13 side of the wiring substrate 10). It has become. The clad 84 has an outer diameter of 50 μm, an inner diameter (of the core hole 86) of 40 μm, and an arithmetic average roughness (Ra) of the inner peripheral surface of 0.06 μm. That is, the arithmetic average roughness (Ra) of the inner peripheral surface of the clad 84 is smaller than the arithmetic average roughness (Ra) of the inner peripheral surface of the optical waveguide hole 80. The core 83 is formed by filling the core hole 86 with a pasty core material 87 (see FIG. 7) and curing it. The core 83 has a diameter of 40 μm. The core material 87 and the clad material 85 have a contact angle θ1 (see FIG. 10) of 69 ° when the core material 87 is dropped in an uncured state on a sheet 88 made of a cured product of the clad material 85. It is a combination.

図1〜図4に示されるように、各光コネクタ91は、ソケット71のコネクタ収容凹部76内に収容されている。本実施形態の光コネクタ91は、上側ハウジング96及び下側ハウジング97によって構成されており、縦8mm×横15mm×厚さ2.5mmの略矩形平板状をなしている。上側ハウジング96には、光導波路82のコア83を伝搬する光信号を通過させるためのスリット98が形成されている。一方、下側ハウジング97には、光ファイバ嵌合溝99が形成されている。光ファイバ嵌合溝99内には、光信号が伝搬する光路となる光ファイバ92の先端部が嵌合されている。また、光コネクタ91は、光路内を伝搬する光の進路を変換する光路変換部93を有している。光路変換部93は、光ファイバ嵌合溝99の内底面である光ファイバ設置面94に対して約45°の角度を有する傾斜面となっていて、その傾斜面には光を全反射可能な金属からなる薄膜が蒸着されている。その結果、光を90°の角度で反射する光路変換部93が構成される。なお、本実施形態の光コネクタ91には、例えばJPCA(社団法人 日本電子回路工業会)規格のPTコネクタを使用することができる。また、光ファイバ92を光ファイバ嵌合溝99に嵌合する代わりに、45°の傾斜面を有するマルチチャネルの光導波路を使用してもよい。この場合、傾斜面の他方が空気であれば、金属薄膜を蒸着しなくても光を90°の角度で反射できるため、薄膜の有無を適宜選択することができる。   As shown in FIGS. 1 to 4, each optical connector 91 is housed in a connector housing recess 76 of the socket 71. The optical connector 91 of this embodiment is constituted by an upper housing 96 and a lower housing 97, and has a substantially rectangular flat plate shape of 8 mm long × 15 mm wide × 2.5 mm thick. The upper housing 96 is formed with a slit 98 for allowing an optical signal propagating through the core 83 of the optical waveguide 82 to pass therethrough. On the other hand, an optical fiber fitting groove 99 is formed in the lower housing 97. In the optical fiber fitting groove 99, a tip end portion of an optical fiber 92 serving as an optical path through which an optical signal propagates is fitted. The optical connector 91 includes an optical path conversion unit 93 that converts the path of light propagating in the optical path. The optical path conversion section 93 is an inclined surface having an angle of about 45 ° with respect to the optical fiber installation surface 94 which is the inner bottom surface of the optical fiber fitting groove 99, and the light can be totally reflected on the inclined surface. A thin film made of metal is deposited. As a result, an optical path changing unit 93 that reflects light at an angle of 90 ° is configured. In addition, for example, a JPCA (Japan Electronics Circuit Association) standard PT connector can be used for the optical connector 91 of the present embodiment. Further, instead of fitting the optical fiber 92 into the optical fiber fitting groove 99, a multi-channel optical waveguide having a 45 ° inclined surface may be used. In this case, if the other of the inclined surfaces is air, light can be reflected at an angle of 90 ° without depositing a metal thin film, and therefore the presence or absence of the thin film can be selected as appropriate.

図3,図4に示されるように、光コネクタ91には、円形状をなすガイド孔95が2箇所に貫通形成されている。これらのガイド孔95は、ガイドピン52の大きさに対応して直径約0.7mmに設定されている。そして、各ガイド孔95には、配線基板10の裏面13側から突出する各ガイドピン52が嵌入可能になっている。なお、ガイド孔95に対してガイドピン52が嵌入された場合、光コネクタ91と光導波路82とが位置合わせされた状態で固定される。ここで「位置合わせされた状態で固定」とは、具体的には、各光ファイバ92の光軸と光導波路82の各コア83の光軸とが合った状態で、光コネクタ91が支持固定されていることをいう。   As shown in FIGS. 3 and 4, a circular guide hole 95 is formed in the optical connector 91 at two locations. These guide holes 95 are set to have a diameter of about 0.7 mm corresponding to the size of the guide pins 52. Each guide pin 52 protruding from the back surface 13 side of the wiring board 10 can be fitted into each guide hole 95. When the guide pin 52 is inserted into the guide hole 95, the optical connector 91 and the optical waveguide 82 are fixed in a state of being aligned. Here, “fixed in an aligned state” specifically means that the optical connector 91 is supported and fixed when the optical axis of each optical fiber 92 and the optical axis of each core 83 of the optical waveguide 82 are aligned. It means being done.

このように構成された光電気混載モジュール1の一般的な動作について簡単に述べる。   A general operation of the opto-electric hybrid module 1 configured as described above will be briefly described.

VCSEL24及びフォトダイオード27は、マザーボード61の金属導体層65や配線基板10の金属配線層42などを介した電力供給により、動作可能な状態となる。配線基板10上のドライバIC22からVCSEL24に電気信号が出力されると、VCSEL24は入力した電気信号を光信号(レーザー光)に変換した後、その光信号を光コネクタ91内にある光路変換部93に向けて、発光部25から出射する。発光部25から出射したレーザー光は、光導波路82のコア83内を進行し、光コネクタ91のスリット98を通過して光路変換部93に入射する。光路変換部93に入射したレーザー光は、そこで進行方向を90°変更する。このため、レーザー光は、光ファイバ92を通過して別の配線基板10の光導波路82の上面側から出射し、さらにフォトダイオード27の受光部に入射する。フォトダイオード27は、受光したレーザー光を電気信号に変換し、変換した電気信号をレシーバIC26に出力する。   The VCSEL 24 and the photodiode 27 become operable by supplying power via the metal conductor layer 65 of the mother board 61, the metal wiring layer 42 of the wiring board 10, and the like. When an electrical signal is output from the driver IC 22 on the wiring board 10 to the VCSEL 24, the VCSEL 24 converts the input electrical signal into an optical signal (laser light), and then converts the optical signal into an optical path conversion unit 93 in the optical connector 91. The light is emitted from the light emitting unit 25 toward. The laser light emitted from the light emitting unit 25 travels in the core 83 of the optical waveguide 82, passes through the slit 98 of the optical connector 91, and enters the optical path changing unit 93. The laser light incident on the optical path changing unit 93 changes its traveling direction by 90 °. For this reason, the laser light passes through the optical fiber 92 and is emitted from the upper surface side of the optical waveguide 82 of another wiring substrate 10, and further enters the light receiving portion of the photodiode 27. The photodiode 27 converts the received laser light into an electrical signal and outputs the converted electrical signal to the receiver IC 26.

次に、上記構成の光電気混載モジュール1の製造方法を説明する。   Next, a manufacturing method of the opto-electric hybrid module 1 having the above configuration will be described.

まず、配線基板10を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。配線基板10は以下のように作製される。まず、縦50mm×横50mm×厚み0.3mmの基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板(図示略)を準備する。そして、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール導体17を形成した後、そのスルーホール導体17内に閉塞体18を充填形成する。さらに、銅めっきを行って蓋状導体19を形成し、さらに銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って配線パターン(図示略)をパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、コア基板14を得る。   First, the wiring board 10 is prepared by a conventionally known method and prepared in advance. The wiring board 10 is manufactured as follows. First, a copper clad laminate (not shown) in which a copper foil is pasted on both sides of a base 50 mm long × 50 mm wide × 0.3 mm thick is prepared. Then, laser drilling is performed using a YAG laser or a carbon dioxide gas laser, and a through hole penetrating the copper-clad laminate is formed in advance at a predetermined position. Next, after the through-hole conductor 17 is formed by performing electroless copper plating and electrolytic copper plating according to a conventionally known method, the closing body 18 is filled in the through-hole conductor 17. Further, the copper conductor is formed to form the lid-like conductor 19, and the copper foil on both sides of the copper-clad laminate is etched to pattern a wiring pattern (not shown). Specifically, after electroless copper plating, exposure and development are performed to form a predetermined pattern of plating resist. In this state, after electrolytic copper plating is performed using the electroless copper plating layer as a common electrode, first, the resist is dissolved and removed, and further unnecessary electroless copper plating layer is removed by etching. As a result, the core substrate 14 is obtained.

次に、コア基板14のコア主面15及びコア裏面16に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第1層の樹脂絶縁層33,34を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着し、レーザー加工を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第1層の樹脂絶縁層33,34を形成してもよい。さらに、従来公知の手法(例えばセミアディティブ法)に従って電解銅めっきを行い、盲孔の内部に内層接続ビア導体43,47を形成するとともに、樹脂絶縁層33,34上に金属配線層42を形成する。   Next, a photosensitive epoxy resin is applied to the core main surface 15 and the core back surface 16 of the core substrate 14, and exposure and development are performed, so that blind holes are formed at positions where the inner layer connection via conductors 43 and 47 are to be formed. The first resin insulation layers 33 and 34 are formed. The first resin insulation layers 33 and 34 having blind holes are formed at positions where the inner layer connection via conductors 43 and 47 are to be formed by applying a thermosetting epoxy resin and performing laser processing. May be. Further, electrolytic copper plating is performed in accordance with a conventionally known method (for example, a semi-additive method) to form inner layer connection via conductors 43 and 47 in the blind holes and to form a metal wiring layer 42 on the resin insulating layers 33 and 34. To do.

次に、第1層の樹脂絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第2層の樹脂絶縁層33,34を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着し、レーザー加工を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第2層の樹脂絶縁層33,34を形成してもよい。さらに、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、盲孔の内部に内層接続ビア導体43,47を形成する。さらに、第2層の樹脂絶縁層34上にパッド48を形成するとともに、第2層の樹脂絶縁層33上に、CPU接続用端子、光素子接続用端子55、ドライバIC接続用端子57及び配線パターン58,59を形成する。   Next, a photosensitive epoxy resin is deposited on the first resin insulation layers 33 and 34, and exposure and development are performed, whereby blind holes are formed at positions where the inner layer connection via conductors 43 and 47 are to be formed. Second resin insulation layers 33 and 34 are formed. The second resin insulation layers 33 and 34 having blind holes are formed at positions where the inner layer connection via conductors 43 and 47 are to be formed by applying a thermosetting epoxy resin and performing laser processing. May be. Further, electrolytic copper plating is performed according to a conventionally known method to form inner layer connection via conductors 43 and 47 inside the blind holes. Further, a pad 48 is formed on the second resin insulation layer 34, and a CPU connection terminal, an optical element connection terminal 55, a driver IC connection terminal 57 and a wiring are formed on the second resin insulation layer 33. Patterns 58 and 59 are formed.

この後、第2層の樹脂絶縁層33,34上にソルダーレジスト37,38を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト37,38に開口部40,46をパターニングする。以上の結果、両面にビルドアップ層31,32を備える所望の配線基板10が完成する。なお、配線基板10の最終的な厚さは約0.4mmとなる。   Thereafter, solder resists 37 and 38 are formed on the second resin insulation layers 33 and 34. Next, exposure and development are performed with a predetermined mask placed, and the openings 40 and 46 are patterned in the solder resists 37 and 38. As a result, the desired wiring board 10 having the build-up layers 31 and 32 on both sides is completed. The final thickness of the wiring board 10 is about 0.4 mm.

また、マザーボード61を構成する基板本体69を従来公知の手法により作製し、準備しておく。その具体例を挙げると、銅張積層板を出発材料として銅箔のエッチングや無電解銅めっき等を行い、金属導体層65及びスルーホール部66を有する樹脂絶縁層64を形成する。次に、樹脂絶縁層64の表層にさらに樹脂絶縁層64を積層形成し、最上層の樹脂絶縁層64の上面62にパッド67を形成する。   Further, a substrate body 69 constituting the mother board 61 is prepared and prepared by a conventionally known method. As a specific example, a copper-clad laminate is used as a starting material, and copper foil etching, electroless copper plating, or the like is performed to form a resin insulating layer 64 having a metal conductor layer 65 and a through-hole portion 66. Next, a resin insulating layer 64 is further laminated on the surface layer of the resin insulating layer 64, and a pad 67 is formed on the upper surface 62 of the uppermost resin insulating layer 64.

さらに、ソケット71を従来公知の手法により作製し、準備しておく。その具体例を挙げると、まず、矩形状のエポキシ系樹脂板を用意し、このエポキシ系樹脂板に対して、例えば炭酸ガスレーザーを用いたレーザー加工等により、表裏を貫通する多数のビアを形成する。勿論、レーザー加工以外の穴あけ方法、例えばドリル加工等により、ビアの形成を行っても構わない。次に、ビアが形成されたエポキシ系樹脂板を図示しないペースト印刷装置に移してはんだペースト印刷を行う。この工程を経るとはんだペーストが各ビア内に充填される。次に、所定温度かつ所定温度でリフローを行って、導体柱75を形成する。さらに、導体柱75が形成されたエポキシ系樹脂板をスクリーン印刷装置にセットし、導体柱75のある位置に対応して開口部が設けられた所定のマスクをエポキシ系樹脂板の下面上に配置する。この状態で、エポキシ系樹脂板に対するはんだペーストの印刷を行い、マスクの開口部を介して導体柱75の下端面上にはんだペースト印刷層を形成する。次に、上記エポキシ系樹脂板をリフロー炉に移送し、そこで所定温度に加熱することにより、はんだペースト印刷層をリフローさせる。その結果、各導体柱75の下端面上に略半球状のはんだバンプ72が直接形成され、図2に示すソケット71が完成する。   Further, the socket 71 is prepared and prepared by a conventionally known method. To give a specific example, first, a rectangular epoxy resin plate is prepared, and a number of vias penetrating the front and back are formed on the epoxy resin plate by, for example, laser processing using a carbon dioxide laser. To do. Of course, vias may be formed by a drilling method other than laser processing, such as drilling. Next, the epoxy resin plate with vias is transferred to a paste printing device (not shown) to perform solder paste printing. After this step, the solder paste is filled in each via. Next, reflow is performed at a predetermined temperature and a predetermined temperature to form the conductive pillar 75. Further, the epoxy resin plate on which the conductive pillars 75 are formed is set in a screen printing apparatus, and a predetermined mask having an opening corresponding to a position where the conductive pillars 75 are provided is disposed on the lower surface of the epoxy resin board. To do. In this state, the solder paste is printed on the epoxy resin plate, and a solder paste print layer is formed on the lower end surface of the conductor pillar 75 through the opening of the mask. Next, the epoxy resin plate is transferred to a reflow furnace where it is heated to a predetermined temperature to reflow the solder paste printed layer. As a result, a substantially hemispherical solder bump 72 is directly formed on the lower end surface of each conductor column 75, and the socket 71 shown in FIG. 2 is completed.

続く孔形成工程では、精密ドリルを用いた精密孔あけ加工を行い、配線基板10に位置決め用ガイド孔51を形成する。次に、配線基板10を表面研磨装置にセットして、主面12及び裏面13を研磨する。この研磨により、位置決め用ガイド孔51の開口部から突出して盛り上がっている余剰の樹脂や、基板表面に付着している樹脂を除去する。この研磨工程を行うと、配線基板10の主面12及び裏面13における凹凸が解消されて平坦化する。さらに、周知の手法により仕上げ加工を行って、位置決め用ガイド孔51の穴径を0.700mmとなるように微調整する。このときの加工に要求される精度は、具体的には±0.001mmである。   In the subsequent hole forming step, a precision drilling process using a precision drill is performed to form a positioning guide hole 51 in the wiring board 10. Next, the wiring board 10 is set in a surface polishing apparatus, and the main surface 12 and the back surface 13 are polished. By this polishing, the excess resin protruding from the opening of the positioning guide hole 51 and the resin adhering to the substrate surface are removed. When this polishing process is performed, unevenness on the main surface 12 and the back surface 13 of the wiring substrate 10 is eliminated and the wiring substrate 10 is flattened. Further, finishing is performed by a known method, and the hole diameter of the positioning guide hole 51 is finely adjusted to be 0.700 mm. Specifically, the accuracy required for processing at this time is ± 0.001 mm.

また、孔形成工程では、精密ドリル101を用いた精密孔あけ加工を行い、配線基板10に光導波路用孔80を形成する(図5参照)。次に、必要に応じて、配線基板10を表面研磨装置にセットし、主面12及び裏面13を研磨してもよい。この研磨により、光導波路用孔80の開口部から突出して盛り上がっている余剰の樹脂や、基板表面に付着している樹脂が除去される。この研磨工程を行うと、配線基板10の主面12及び裏面13における凹凸が解消されて平坦化する。   In the hole forming step, a precision drilling process using the precision drill 101 is performed to form the optical waveguide hole 80 in the wiring board 10 (see FIG. 5). Next, if necessary, the wiring board 10 may be set in a surface polishing apparatus and the main surface 12 and the back surface 13 may be polished. By this polishing, surplus resin protruding from the opening of the optical waveguide hole 80 and the resin adhering to the substrate surface are removed. When this polishing process is performed, unevenness on the main surface 12 and the back surface 13 of the wiring substrate 10 is eliminated and the wiring substrate 10 is flattened.

続くクラッド形成工程では、光導波路用孔80内にクラッド材85を塗布しかつ硬化させることにより、中空状のクラッド84を形成する(図6参照)。本実施形態では、従来周知のキャスタレーション印刷を行って、光導波路用孔80の内周面にクラッド材85を付着させる。具体的に言うと、配線基板10の裏面13側をステージ102に載置するとともに、配線基板10の主面12側にメタルマスク103を載置する。次に、メタルマスク103の開口部を介して、ペースト状のクラッド材85を光導波路用孔80内に充填する。この状態において、配線基板10の裏面13側を減圧させれば、クラッド材85が光導波路用孔80の内周面に沿って配線基板10の裏面13側(図6の矢印F1方向)に流れ、光導波路用孔80の内周面全体にクラッド材85が付着する。その後、加熱処理や紫外線の照射などを行うことで、クラッド材85が硬化し、中心部にコア用孔86が設けられたクラッド84となる。   In the subsequent clad formation step, a clad material 85 is applied and cured in the optical waveguide hole 80 to form a hollow clad 84 (see FIG. 6). In the present embodiment, conventionally known castellation printing is performed, and the clad material 85 is attached to the inner peripheral surface of the optical waveguide hole 80. Specifically, the back surface 13 side of the wiring substrate 10 is placed on the stage 102 and the metal mask 103 is placed on the main surface 12 side of the wiring substrate 10. Next, the paste clad material 85 is filled into the optical waveguide hole 80 through the opening of the metal mask 103. In this state, if the pressure on the back surface 13 side of the wiring substrate 10 is reduced, the clad material 85 flows along the inner peripheral surface of the optical waveguide hole 80 toward the back surface 13 side of the wiring substrate 10 (in the direction of arrow F1 in FIG. 6). The clad material 85 adheres to the entire inner peripheral surface of the optical waveguide hole 80. Thereafter, the clad material 85 is cured by heat treatment, ultraviolet irradiation, or the like, so that the clad 84 having the core hole 86 provided at the center is obtained.

続くコア形成工程では、コア用孔86内にコア材87を充填しかつ硬化させることにより、コア83を形成する(図7参照)。具体的に言うと、まず、配線基板10の主面12側に、メタルマスク104を主面12から離間させた状態で載置する。次に、ディスペンサ105を用いて、ペースト状のコア材87をメタルマスク104の開口部を介してコア用孔86内に充填する。本実施形態では、穴埋め印刷によってコア材87を充填する。その後、加熱処理や紫外線の照射などを行うことで、コア材87が硬化してコア83となり、光導波路82が形成される(図8参照)。コア形成工程では、コア材87が流出して凹み不良にならないようにコア83を作製することが必要である。   In the subsequent core forming step, the core 83 is filled in the core hole 86 and cured to form the core 83 (see FIG. 7). Specifically, first, the metal mask 104 is placed on the side of the main surface 12 of the wiring substrate 10 in a state of being separated from the main surface 12. Next, using the dispenser 105, the core material 87 in a paste form is filled into the core hole 86 through the opening of the metal mask 104. In the present embodiment, the core material 87 is filled by hole filling printing. Thereafter, the core material 87 is cured to form the core 83 by performing heat treatment or ultraviolet irradiation, and the optical waveguide 82 is formed (see FIG. 8). In the core formation process, it is necessary to manufacture the core 83 so that the core material 87 does not flow out and cause a dent defect.

続くはんだバンプ形成工程では、CPU接続用端子、ドライバIC接続用端子57及び光素子接続用端子55上に、それぞれ表面側はんだバンプ45を形成する。次に、パッド48上にはんだ付けによってピン49を取り付ける。さらに、この配線基板10の半導体集積回路素子搭載領域23にICチップ21を搭載する。このとき、CPU接続用端子と、ICチップ21の素子側端子とを位置合わせしてリフローを行う。その結果、CPU接続用端子及び素子側端子同士が接合され、配線基板10とICチップ21とが電気的に接続される。   In the subsequent solder bump forming step, the surface-side solder bumps 45 are respectively formed on the CPU connection terminal, the driver IC connection terminal 57 and the optical element connection terminal 55. Next, the pins 49 are attached onto the pads 48 by soldering. Further, the IC chip 21 is mounted on the semiconductor integrated circuit element mounting region 23 of the wiring board 10. At this time, the CPU connection terminal and the element side terminal of the IC chip 21 are aligned to perform reflow. As a result, the CPU connection terminal and the element side terminal are joined together, and the wiring substrate 10 and the IC chip 21 are electrically connected.

続く光素子搭載工程では、図2において左側にある配線基板10の主面12側に、ドライバIC22及びVCSEL24を実装する。また、図2において右側にある配線基板10の主面12側に、レシーバIC26及びフォトダイオード27を実装する。詳述すると、ドライバIC22及びVCSEL24の位置が決定したら、これらを下降させて表面側はんだバンプ45に押し付け、仮固定する。この状態ではんだリフローを行い、ドライバIC22の端子28、及び、VCSEL24の端子29を表面側はんだバンプ45にはんだ付けする。また、レシーバIC26及びフォトダイオード27も、ドライバIC22及びVCSEL24と同様の工程を経て、配線基板10の主面12側に実装される。   In the subsequent optical element mounting step, the driver IC 22 and the VCSEL 24 are mounted on the main surface 12 side of the wiring board 10 on the left side in FIG. In addition, a receiver IC 26 and a photodiode 27 are mounted on the main surface 12 side of the wiring board 10 on the right side in FIG. More specifically, when the positions of the driver IC 22 and the VCSEL 24 are determined, they are lowered and pressed against the surface-side solder bump 45 to be temporarily fixed. In this state, solder reflow is performed, and the terminal 28 of the driver IC 22 and the terminal 29 of the VCSEL 24 are soldered to the surface-side solder bump 45. The receiver IC 26 and the photodiode 27 are also mounted on the main surface 12 side of the wiring substrate 10 through the same process as the driver IC 22 and the VCSEL 24.

次に、位置決め用ガイド孔51にガイドピン52の一端側を嵌合支持させる。その結果、ガイドピン52の一部が、配線基板10の主面12側及び裏面13側にて突出した状態となる。さらに、配線基板10の裏面13から突出する各ガイドピン52を、光コネクタ91の有する各ガイド孔95に対して嵌入させるようにする。その結果、光コネクタ91及び光導波路82の光軸合わせを行いつつ、併せて光コネクタ91を配線基板10に支持固定させることができる。   Next, one end of the guide pin 52 is fitted and supported in the positioning guide hole 51. As a result, a part of the guide pin 52 protrudes on the main surface 12 side and the back surface 13 side of the wiring substrate 10. Further, the guide pins 52 protruding from the back surface 13 of the wiring board 10 are fitted into the guide holes 95 of the optical connector 91. As a result, it is possible to support and fix the optical connector 91 to the wiring substrate 10 while aligning the optical axes of the optical connector 91 and the optical waveguide 82.

また、ソケット71のはんだバンプ72をマザーボード61の上面62に密着させた状態で、各はんだバンプ72のリフローを行う。その結果、はんだバンプ72とマザーボード61のパッド67とが接合され、ソケット71がマザーボード61にはんだ付けされる。   The solder bumps 72 are reflowed in a state where the solder bumps 72 of the socket 71 are in close contact with the upper surface 62 of the mother board 61. As a result, the solder bump 72 and the pad 67 of the mother board 61 are joined, and the socket 71 is soldered to the mother board 61.

そして、配線基板10側のピン49をソケット71の上面73側から導体柱75内に挿入し、配線基板10をソケット71上に設置する。その結果、パッド48とマザーボード61のパッド67とがピン49及びソケット71を介して電気的に接続され、配線基板10がマザーボード61に取り付けられる。以上のようにして図1,図2に示す本実施形態の光電気混載モジュール1が完成する。   Then, the pins 49 on the wiring board 10 side are inserted into the conductor pillars 75 from the upper surface 73 side of the socket 71, and the wiring board 10 is placed on the socket 71. As a result, the pad 48 and the pad 67 of the mother board 61 are electrically connected via the pin 49 and the socket 71, and the wiring board 10 is attached to the mother board 61. As described above, the opto-electric hybrid module 1 of this embodiment shown in FIGS. 1 and 2 is completed.

次に、光導波路の評価方法及びその結果を説明する。   Next, an optical waveguide evaluation method and the results will be described.

まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態と同じ配線基板10を準備し、これを実施例1とした。実施例1のコア83を形成するコア材87を屈折率が1.600のアクリル樹脂Aからなるコア材に変更した配線基板を準備し、これを実施例2とした。実施例1のコア材87を屈折率が1.580のアクリル樹脂Bからなるコア材に変更した配線基板を準備し、これを実施例3とした。実施例1のコア材87を屈折率が1.565のアクリル樹脂Cからなるコア材に変更するとともに、実施例1のクラッド材85を屈折率が1.502のアクリル樹脂Fからなるクラッド材に変更した配線基板を準備し、これを実施例4とした。   First, a measurement sample was prepared as follows. The same wiring substrate 10 as that of the present embodiment was prepared, and this was taken as Example 1. A wiring board was prepared in which the core material 87 forming the core 83 of Example 1 was changed to a core material made of acrylic resin A having a refractive index of 1.600. A wiring board in which the core material 87 of Example 1 was changed to a core material made of acrylic resin B having a refractive index of 1.580 was prepared. The core material 87 of Example 1 is changed to a core material made of acrylic resin C having a refractive index of 1.565, and the clad material 85 of Example 1 is changed to clad material made of acrylic resin F having a refractive index of 1.502. A modified wiring board was prepared, and this was designated as Example 4.

また、実施例2のクラッド材を、アクリル樹脂Fからなるクラッド材に変更した配線基板を準備し、これを比較例1とした。実施例3のクラッド材を屈折率が1.524のアクリル樹脂Eからなるクラッド材に変更した配線基板を準備し、これを比較例2とした。実施例3のクラッド材を屈折率が1.559のアクリル樹脂Dからなるクラッド材に変更した配線基板を準備し、これを比較例3とした。実施例3のクラッド材をアクリル樹脂Fからなるクラッド材に変更した配線基板を準備し、これを比較例4とした。実施例3のクラッド材を屈折率が1.487のアクリル樹脂Gからなるクラッド材に変更した配線基板を準備し、これを比較例5とした。   Further, a wiring board in which the clad material of Example 2 was changed to a clad material made of acrylic resin F was prepared, and this was designated as Comparative Example 1. A wiring board in which the clad material of Example 3 was changed to a clad material made of acrylic resin E having a refractive index of 1.524 was prepared, and this was designated as Comparative Example 2. A wiring board in which the clad material of Example 3 was changed to a clad material made of acrylic resin D having a refractive index of 1.559 was prepared, and this was designated as Comparative Example 3. A wiring board in which the cladding material of Example 3 was changed to a cladding material made of acrylic resin F was prepared, and this was designated as Comparative Example 4. A wiring board in which the clad material of Example 3 was changed to a clad material made of acrylic resin G having a refractive index of 1.487 was prepared, and this was designated as Comparative Example 5.

次に、各測定用サンプル(実施例1〜4,比較例1〜5)において、コア及びクラッドの比屈折率差を算出した。その結果を表1の「比屈折率差」の欄に併せて示す。

Figure 2011237504
Next, in each measurement sample (Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5), the relative refractive index difference between the core and the clad was calculated. The results are also shown in the “relative refractive index difference” column of Table 1.
Figure 2011237504

その結果、比較例1では比屈折率差が6.1%となり、比較例2では比屈折率差が3.5%となり、比較例3では比屈折率差が1.3%となり、比較例4では比屈折率差が4.9%となり、比較例5では比屈折率差が5.9%となった。一方、実施例1では比屈折率差が10.2%となり、実施例2では比屈折率差が11.8%となり、実施例3では比屈折率差が10.8%となり、実施例4では比屈折率差が4.0%となった。   As a result, the relative refractive index difference is 6.1% in Comparative Example 1, the relative refractive index difference is 3.5% in Comparative Example 2, and the relative refractive index difference is 1.3% in Comparative Example 3. 4, the relative refractive index difference was 4.9%, and in Comparative Example 5, the relative refractive index difference was 5.9%. On the other hand, the relative refractive index difference is 10.2% in Example 1, the relative refractive index difference is 11.8% in Example 2, and the relative refractive index difference is 10.8% in Example 3. Then, the relative refractive index difference was 4.0%.

また、以下の方法で、各測定用サンプルの光損失の測定を行った。詳述すると、測定用サンプルとなる配線基板の主面側に、光導波路のコアに向けて光信号を出射する光源(図示略)を配置した。具体的には、LED光源(アドバンテスト社製)を配置するとともに、LED光源からの光信号を配線基板の主面側にある光導波路のコアに向けて照射できるように、コア径50μmのマルチモード光ファイバを配置した(図示略)。また、配線基板の裏面側に、コアを伝搬してきた光信号の光強度(dB)を測定する光強度測定装置を配置した。そして、光源からコアに対して光信号を入射させるとともに、コアを伝搬してきた光信号を光強度測定装置に入射させ、光導波路の出口(下端部)における光強度を測定した。なお、光強度測定装置の受光面は10mm角の大きさを有しているため、コアを伝搬してきた光信号を結合損失が生じないように受光することができる。さらに、コアを伝搬する前の光信号の光強度と、コアを伝搬した後の光信号の光強度とに基づいて、光強度の低下量を算出した。   Moreover, the optical loss of each measurement sample was measured by the following method. More specifically, a light source (not shown) that emits an optical signal toward the core of the optical waveguide is disposed on the main surface side of the wiring board that is a measurement sample. Specifically, an LED light source (manufactured by Advantest) is arranged, and a multimode with a core diameter of 50 μm is provided so that an optical signal from the LED light source can be irradiated toward the core of the optical waveguide on the main surface side of the wiring board. An optical fiber was disposed (not shown). Further, a light intensity measuring device for measuring the light intensity (dB) of the optical signal propagating through the core is disposed on the back side of the wiring board. Then, an optical signal was incident on the core from the light source, and an optical signal propagated through the core was incident on the optical intensity measurement device, and the optical intensity at the exit (lower end) of the optical waveguide was measured. Since the light receiving surface of the light intensity measuring device has a size of 10 mm square, it is possible to receive an optical signal propagating through the core so that no coupling loss occurs. Furthermore, the amount of decrease in light intensity was calculated based on the light intensity of the optical signal before propagating through the core and the light intensity of the optical signal after propagating through the core.

その結果、比屈折率差が1.4%未満となる比較例3では、光強度の低下量が2(dB)よりも大きくなること、即ち、光損失が大きくなることが確認された。一方、比屈折率差が1.4%以上となる実施例1〜4,比較例1,2,4,5では、光強度の低下量が2(dB)未満になること、即ち、光損失が小さくなることが確認された。以上のことから、比屈折率差を1.4%以上にすれば、光損失を小さくできることが確認された。   As a result, it was confirmed that in Comparative Example 3 where the relative refractive index difference is less than 1.4%, the amount of decrease in light intensity is greater than 2 (dB), that is, the light loss is increased. On the other hand, in Examples 1-4 and Comparative Examples 1, 2, 4 and 5 in which the relative refractive index difference is 1.4% or more, the amount of decrease in light intensity is less than 2 (dB), that is, optical loss. Was confirmed to be small. From the above, it was confirmed that the optical loss can be reduced by setting the relative refractive index difference to 1.4% or more.

なお、比屈折率差を1.4%以上にするために、コア及びクラッドの屈折率を変更する方法としては、コアやクラッドの密度を変更することなどが挙げられる。また、コア及びクラッドの屈折率を変更する別の方法としては、ハロゲン(F,Cl,Br,I等)、酸素(O)、窒素(N)、硫黄(S)、珪素(Si)、ホウ素(B)の含有量を変更することや、不飽和結合(ベンゼン環、二重結合等)の存在比率を変更することなどが挙げられる。例えば、フッ素(F)の含有量を増加させた場合、コアやクラッドの屈折率を小さくすることができる。また、臭素(Br)や硫黄(S)の含有量を増加させた場合、コアやクラッドの屈折率を大きくすることができる。さらに、コア及びクラッドの屈折率を変更する別の方法としては、コアを形成するためのコア材やクラッドを形成するためのクラッド材において、硬化前の平均分子量や分子量分布を変更することなどが挙げられる。また、コア材及びクラッド材の組成が決定されている場合、コア及びクラッドの屈折率を変更する方法としては、コア材やクラッド材の硬化度(硬化温度、硬化時間、コア材及びクラッド材が感光性樹脂であれば露光量)を変更することなどが挙げられる。なお、コア及びクラッドがエポキシ樹脂からなる場合、エポキシ樹脂にはアンチモン(Sb)が硬化剤として含まれていることがある。この場合、アンチモンの含有量を変更することによっても、コア及びクラッドの屈折率を変更させることができる。   In addition, in order to make the relative refractive index difference 1.4% or more, as a method of changing the refractive index of the core and the clad, changing the density of the core and the clad can be mentioned. Other methods for changing the refractive index of the core and cladding include halogen (F, Cl, Br, I, etc.), oxygen (O), nitrogen (N), sulfur (S), silicon (Si), boron Examples thereof include changing the content of (B) and changing the abundance ratio of unsaturated bonds (benzene ring, double bond, etc.). For example, when the content of fluorine (F) is increased, the refractive index of the core or cladding can be reduced. Further, when the content of bromine (Br) or sulfur (S) is increased, the refractive index of the core or cladding can be increased. Furthermore, another method for changing the refractive index of the core and the clad is to change the average molecular weight and molecular weight distribution before curing in the core material for forming the core and the clad material for forming the clad. Can be mentioned. In addition, when the composition of the core material and the clad material is determined, as a method of changing the refractive index of the core and the clad material, the degree of cure of the core material and the clad material (curing temperature, curing time, core material and clad material For a photosensitive resin, the exposure amount) may be changed. When the core and the clad are made of an epoxy resin, the epoxy resin may contain antimony (Sb) as a curing agent. In this case, the refractive index of the core and the clad can also be changed by changing the content of antimony.

さらに、各測定用サンプルにおいて、クラッド材の硬化物からなるシート上にコア材を未硬化状態で滴下したときの接触角θ1を測定した。その結果を表1の「接触角」の欄に併せて示す。なお、接触角θ1は以下の方法で測定される。まず、スピンコートやスクリーン印刷などの従来周知の成膜方法を用いて、相対的に低い屈折率を有する透明樹脂(クラッド材85)を白色のアルミナ製の基板89上に塗布し、硬化させることにより、平板状のシート88を形成する(図9参照)。なお、透明樹脂を硬化させる方法としては、紫外線の照射や加熱処理などが挙げられるが、実際の製造方法や透明樹脂の材料に合わせた方法で適宜硬化させることが好ましい。また、基板89は、シート88を形成できるものであれば、特にアルミナ製に限定される訳ではない。次に、形成したシート88を接触角計(協和界面科学株式会社製 DM−501)に設置し、相対的に高い屈折率を有する透明樹脂(コア材87)をシリンジ(図示略)を用いてシート88上に滴下する。なお、コア材87は、シート88上に着滴した直後から流動を開始するため、安定した形状の液滴となるまで3分間放置する。その後、接触角計により、シート88の表面と液滴(コア材87)の球面とがなす角度(接触角θ1)が測定される(図10参照)。   Furthermore, in each measurement sample, the contact angle θ1 when the core material was dropped in an uncured state on a sheet made of a cured clad material was measured. The results are also shown in the “contact angle” column of Table 1. The contact angle θ1 is measured by the following method. First, a transparent resin (cladding material 85) having a relatively low refractive index is applied onto a white alumina substrate 89 by using a conventionally known film formation method such as spin coating or screen printing, and then cured. Thus, a flat sheet 88 is formed (see FIG. 9). Examples of the method for curing the transparent resin include ultraviolet irradiation and heat treatment, but it is preferable that the transparent resin is appropriately cured by an actual production method or a method suited to the material of the transparent resin. Further, the substrate 89 is not particularly limited to being made of alumina as long as the sheet 88 can be formed. Next, the formed sheet 88 is installed in a contact angle meter (DM-501 manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.), and a transparent resin (core material 87) having a relatively high refractive index is used with a syringe (not shown). It is dropped on the sheet 88. Since the core material 87 starts to flow immediately after landing on the sheet 88, the core material 87 is left for 3 minutes until it becomes a droplet having a stable shape. Thereafter, an angle (contact angle θ1) formed by the surface of the sheet 88 and the spherical surface of the droplet (core material 87) is measured by a contact angle meter (see FIG. 10).

その結果、比較例1,2では接触角θ1が33°となり、比較例3では接触角θ1が23°となり、比較例4では接触角θ1が22°となり、比較例5では接触角θ1が7°となった。一方、実施例1では接触角θ1が69°となり、実施例2では接触角θ1が72°となり、実施例3では接触角θ1が57°となり、実施例4では接触角θ1が45°となった。   As a result, in Comparative Examples 1 and 2, the contact angle θ1 is 33 °, in Comparative Example 3 the contact angle θ1 is 23 °, in Comparative Example 4 the contact angle θ1 is 22 °, and in Comparative Example 5 the contact angle θ1 is 7 °. It became °. On the other hand, in Example 1, the contact angle θ1 is 69 °, in Example 2, the contact angle θ1 is 72 °, in Example 3, the contact angle θ1 is 57 °, and in Example 4, the contact angle θ1 is 45 °. It was.

また、各測定用サンプルの光導波路を観察した。その結果、接触角θ1が35°未満となる比較例1〜5では、コアの上端部や下端部に凹み(図11の凹み114を参照)が発生していることが確認された(表1の「凹み」欄の「有」)。一方、接触角θ1が35°以上となる実施例1〜4では、コアの上端部や下端部に凹みの発生は確認されなかった。以上のことから、接触角θ1を35°以上にすれば、凹みの発生を防止できることが確認された。   Moreover, the optical waveguide of each measurement sample was observed. As a result, in Comparative Examples 1 to 5 in which the contact angle θ1 is less than 35 °, it was confirmed that dents (see the dents 114 in FIG. 11) were generated in the upper end portion and the lower end portion of the core (Table 1). "Yes" in the "Dent" column). On the other hand, in Examples 1 to 4 in which the contact angle θ1 is 35 ° or more, generation of dents in the upper end portion and the lower end portion of the core was not confirmed. From the above, it was confirmed that the formation of dents can be prevented by setting the contact angle θ1 to 35 ° or more.

ゆえに、比屈折率差を1.4%以上にするとともに接触角θ1を35°以上にした実施例1〜4であれば、光損失を小さくすることができ、かつ、凹みの発生を防止できることが確認された。   Therefore, in Examples 1 to 4 in which the relative refractive index difference is set to 1.4% or more and the contact angle θ1 is set to 35 ° or more, the optical loss can be reduced and the generation of the dent can be prevented. Was confirmed.

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の光導波路付き配線基板10によれば、クラッド84の屈折率がコア83の屈折率よりも小さく、コア83及びクラッド84の比屈折率差が10.2%であるため、光信号は、コア83内のみを伝搬し、クラッド84に進入したり、光導波路用孔80の内周面に到達したりしにくくなる。即ち、光信号の散乱や吸収が防止されるため、損失(光強度が低下する度合)が小さくなり、光の伝送ロスが小さくなる。また、コア材87及びクラッド材85は、シート88上にコア材87を未硬化状態で滴下したときの接触角θ1が69°となるような組み合わせとされている。即ち、コア材87が、クラッド84となる樹脂に対する濡れ性が低く流れにくい材料からなるため、コア用孔86にコア材87を充填しかつ硬化させる際に、クラッド材85によって形成されたコア用孔86からコア材87が流出しにくくなり、ひいては、コア材87によって形成されるコア83に凹み114(図11参照)が発生しにくくなる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられるため、製造される配線基板10の歩留まりが高くなる。   (1) According to the wiring substrate with an optical waveguide 10 of the present embodiment, the refractive index of the clad 84 is smaller than the refractive index of the core 83, and the relative refractive index difference between the core 83 and the clad 84 is 10.2%. The optical signal propagates only in the core 83 and does not easily enter the clad 84 or reach the inner peripheral surface of the optical waveguide hole 80. That is, since scattering and absorption of the optical signal are prevented, the loss (the degree to which the light intensity decreases) is reduced and the light transmission loss is reduced. The core material 87 and the clad material 85 are combined such that the contact angle θ1 when the core material 87 is dropped on the sheet 88 in an uncured state is 69 °. That is, since the core material 87 is made of a material that has low wettability with respect to the resin that becomes the clad 84 and does not flow easily, the core material 87 formed by the clad material 85 is filled when the core material 87 is filled and cured. The core material 87 is less likely to flow out of the hole 86, and as a result, the recess 114 (see FIG. 11) is less likely to occur in the core 83 formed by the core material 87. Therefore, since the defective product occurrence rate is kept low, the yield of the manufactured wiring board 10 is increased.

(2)本実施形態のVCSEL24は、発光部25から配線基板10の主面12に対して直交する方向(即ち、図3,図4において下方向)に、光信号を出射するように構成され、配線基板10の主面12に搭載されている。また、本実施形態のフォトダイオード27は、受光部が図2の下側から上側に向かう光信号を受けやすい構成となっており、同じく配線基板10の主面12に搭載されている。よって、VCSEL24及びフォトダイオード27を、従来のフリップチップボンディング等の手法で実装することができるため、光電気混載モジュール1を低コストで製造できる。   (2) The VCSEL 24 of the present embodiment is configured to emit an optical signal in a direction orthogonal to the main surface 12 of the wiring board 10 from the light emitting unit 25 (that is, downward in FIGS. 3 and 4). The main surface 12 of the wiring board 10 is mounted. In addition, the photodiode 27 of the present embodiment has a configuration in which the light receiving portion easily receives an optical signal from the lower side to the upper side in FIG. 2, and is similarly mounted on the main surface 12 of the wiring board 10. Therefore, since the VCSEL 24 and the photodiode 27 can be mounted by a conventional technique such as flip chip bonding, the opto-electric hybrid module 1 can be manufactured at low cost.

(3)例えば、光導波路82が外部に露出していると、光が散乱しやすいため、光信号の品質が劣化してしまう。一方、本実施形態の光導波路82は、配線基板10を貫通する光導波路用孔80内に形成されている。よって、光信号の一部がクラッド84に進入して光導波路用孔80の内周面に到達したとしても、到達した光信号は、光導波路用孔80の内周面で反射しながら光導波路82内を伝搬するため、損失や散乱を最小限に抑えることができる。ゆえに、光信号の品質劣化を防止することができる。   (3) For example, if the optical waveguide 82 is exposed to the outside, the light is easily scattered, so that the quality of the optical signal is deteriorated. On the other hand, the optical waveguide 82 of the present embodiment is formed in an optical waveguide hole 80 that penetrates the wiring substrate 10. Therefore, even if a part of the optical signal enters the clad 84 and reaches the inner peripheral surface of the optical waveguide hole 80, the optical signal that has reached the optical waveguide is reflected on the inner peripheral surface of the optical waveguide hole 80. Since it propagates in the 82, loss and scattering can be minimized. Therefore, it is possible to prevent the quality deterioration of the optical signal.

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。   In addition, you may change this embodiment as follows.

・上記実施形態の光導波路用孔80は、内周面に凹凸81を有していたが、内周面に凹凸81を有しないものであってもよい。この場合、孔形成工程後に周知の手法により仕上げ加工を行って、光導波路用孔80の穴径を0.050mmとなるように微調整することにより、光導波路用孔80が凹凸81を有しないものとなる。なお、このときの加工に要求される精度は、具体的には±0.005mmである。   The optical waveguide hole 80 of the above embodiment has the unevenness 81 on the inner peripheral surface, but may not have the unevenness 81 on the inner peripheral surface. In this case, finishing is performed by a well-known method after the hole forming step, and the hole diameter of the optical waveguide hole 80 is finely adjusted to be 0.050 mm so that the optical waveguide hole 80 does not have the unevenness 81. It will be a thing. Note that the accuracy required for the processing at this time is specifically ± 0.005 mm.

・上記実施形態のクラッド形成工程を変更してもよい。例えば、クラッド形成工程において、光導波路用孔80内に液状のクラッド材を充填(塗布)しかつ硬化させた後、精密ドリルを用いた精密ドリル加工を行ってクラッド材の中心部を貫通させてコア用孔86を形成することにより、中空状のクラッド84を形成するようにしてもよい。なお、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いたレーザー加工を行ってクラッド材の中心部を貫通させることにより、コア用孔86を形成してもよい。   -You may change the clad formation process of the said embodiment. For example, in the clad forming process, after filling (coating) and hardening a liquid clad material in the optical waveguide hole 80, precision drilling using a precision drill is performed to penetrate the center of the clad material. A hollow clad 84 may be formed by forming the core hole 86. The core hole 86 may be formed by performing laser processing using a YAG laser or a carbon dioxide laser to penetrate the center of the clad material.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)上記手段1において、前記配線基板の主面側に、前記コアに向けて光信号を出射する光源を配置するとともに、前記配線基板の裏面側に、前記コアを伝搬してきた光信号の光強度を測定する光強度測定装置を配置した状態で、前記光源から前記コアに対して光信号を入射させるとともに、前記コアを伝搬してきた光信号を前記光強度測定装置に入射させて前記光導波路の前記裏面側の端部における光強度を測定し、前記コアを伝搬する前の光信号の光強度と、前記コアを伝搬した後の光信号の光強度とに基づいて算出される光強度の低下量が、2(dB)未満であることを特徴とする光導波路付き配線基板。   (1) In the above means 1, a light source that emits an optical signal toward the core is disposed on the main surface side of the wiring board, and the optical signal propagated through the core on the back surface side of the wiring board. In a state where a light intensity measuring device for measuring light intensity is arranged, an optical signal is made incident on the core from the light source, and an optical signal propagated through the core is made incident on the optical intensity measuring device. Measure the light intensity at the end of the back surface of the waveguide, and calculate the light intensity based on the light intensity of the optical signal before propagating through the core and the optical intensity of the optical signal after propagating through the core The wiring board with an optical waveguide, wherein the amount of decrease is less than 2 (dB).

(2)上記手段2において、前記コア形成工程では、前記主面側の端部及び前記裏面側の端部に凹みを有しない前記コアを形成することを特徴とする光導波路付き配線基板の製造方法。   (2) In the said means 2, in the said core formation process, the said core which does not have a dent in the edge part of the said main surface side and the edge part of the said back surface side is formed, The manufacturing of the wiring board with an optical waveguide characterized by the above-mentioned. Method.

(3)母基板と、母基板上に設けられたソケットと、前記ソケット上に接続された上記手段1に記載の光導波路付き配線基板と、光信号が伝搬する光路となる光ファイバの先端に接続され、前記光路内を伝搬する光の進路を変換する光路変換部を有する光コネクタとを備えたことを特徴とする光電気混載モジュール。   (3) A mother board, a socket provided on the mother board, a wiring board with an optical waveguide according to the above-described means 1 connected to the socket, and an optical fiber tip serving as an optical path through which an optical signal propagates An opto-electric hybrid module, comprising: an optical connector having an optical path conversion unit that is connected and converts a path of light propagating in the optical path.

10…光導波路付き配線基板(配線基板)
33,34…絶縁層としての樹脂絶縁層
42…配線層としての金属配線層
80…孔としての光導波路用孔
81…凹凸
82…光導波路
83…コア
84…クラッド
85…クラッド材
87…コア材
88…シート
θ1…接触角
10: Wiring board with optical waveguide (wiring board)
33, 34 ... Resin insulating layer 42 as an insulating layer ... Metal wiring layer 80 as a wiring layer ... Optical waveguide hole 81 as a hole ... Unevenness 82 ... Optical waveguide 83 ... Core 84 ... Cladding 85 ... Cladding material 87 ... Core material 88 ... sheet θ1 ... contact angle

Claims (4)

複数の配線層と絶縁層とを積層してなり、基板厚さ方向に沿って延びる孔内に光導波路を備える光導波路付き配線基板において、
前記光導波路は、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記クラッドの屈折率が前記コアの屈折率よりも小さく、前記コア及び前記クラッドの比屈折率差が1.4%以上であり、
前記コアを形成するためのコア材及び前記クラッドを形成するためのクラッド材は、前記クラッド材の硬化物からなるシート上に前記コア材を未硬化状態で滴下したときの接触角が35°以上となるような組み合わせとされている
ことを特徴とする光導波路付き配線基板。
In a wiring substrate with an optical waveguide comprising a plurality of wiring layers and an insulating layer, and having an optical waveguide in a hole extending along the thickness direction of the substrate,
The optical waveguide has a core serving as an optical path through which an optical signal propagates and a clad surrounding the core, the refractive index of the clad is smaller than the refractive index of the core, and the relative refractive index difference between the core and the clad is 1.4% or more,
The core material for forming the core and the clad material for forming the clad have a contact angle of 35 ° or more when the core material is dropped in an uncured state on a sheet made of a cured product of the clad material. A wiring board with an optical waveguide, characterized in that the combination is as follows.
前記孔は、前記配線基板を貫通するとともに内周面に凹凸を有し、前記内周面の算術平均粗さ(Ra)が0.1μm以上の加工孔であり、前記クラッドは、前記凹凸を被覆する厚さで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光導波路付き配線基板。   The hole penetrates the wiring board and has irregularities on the inner peripheral surface, and the arithmetic average roughness (Ra) of the inner peripheral surface is a processed hole of 0.1 μm or more, and the cladding has the irregularities The wiring board with an optical waveguide according to claim 1, wherein the wiring board is formed to have a covering thickness. 前記クラッドは、内周面の算術平均粗さ(Ra)が0.1μm以下であることを特徴とする請求項2に記載の光導波路付き配線基板。   The wiring substrate with an optical waveguide according to claim 2, wherein the clad has an arithmetic average roughness (Ra) of an inner peripheral surface of 0.1 μm or less. 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光導波路付き配線基板の製造方法であって、
前記配線基板に孔を形成する孔形成工程と、
前記孔内にクラッド材を塗布しかつ硬化させることで、中空状のクラッドを形成するクラッド形成工程と、
前記クラッドの中心部にコア材を充填しかつ硬化させることで、コアを形成するコア形成工程と
を含むことを特徴とする光導波路付き配線基板の製造方法。
A method for manufacturing a wiring board with an optical waveguide according to any one of claims 1 to 3,
Forming a hole in the wiring board; and
A clad forming step of forming a hollow clad by applying and curing a clad material in the hole;
A method of manufacturing a wiring board with an optical waveguide, comprising: a core forming step of forming a core by filling a core material in a central portion of the clad and curing the core material.
JP2010106961A 2010-05-07 2010-05-07 Manufacturing method of wiring board with optical waveguide Expired - Fee Related JP5367635B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010106961A JP5367635B2 (en) 2010-05-07 2010-05-07 Manufacturing method of wiring board with optical waveguide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010106961A JP5367635B2 (en) 2010-05-07 2010-05-07 Manufacturing method of wiring board with optical waveguide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011237504A true JP2011237504A (en) 2011-11-24
JP5367635B2 JP5367635B2 (en) 2013-12-11

Family

ID=45325571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010106961A Expired - Fee Related JP5367635B2 (en) 2010-05-07 2010-05-07 Manufacturing method of wiring board with optical waveguide

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5367635B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013156534A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Kyocera Corp Optical wiring board and optical wiring module
JP2014006490A (en) * 2012-05-31 2014-01-16 Kyocera Corp Optical element mount and optical wiring module
CN114641153A (en) * 2022-03-25 2022-06-17 江苏普诺威电子股份有限公司 Embedded precise line packaging carrier plate based on photosensitive insulating medium and processing technology thereof
WO2024262629A1 (en) * 2023-06-23 2024-12-26 株式会社レゾナック Method for manufacturing photoelectric composite wiring board, photoelectric composite wiring board, and semiconductor package

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120955A (en) * 2004-10-22 2006-05-11 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2009204791A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Fujifilm Corp Optical waveguide and composition for optical material
JP2010085825A (en) * 2008-10-01 2010-04-15 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board with optical waveguide and method of manufacturing the same
JP2010096941A (en) * 2008-10-16 2010-04-30 Kyocera Corp Optical transmission substrate, optical module, and method for manufacturing optical transmission substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006120955A (en) * 2004-10-22 2006-05-11 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2009204791A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Fujifilm Corp Optical waveguide and composition for optical material
JP2010085825A (en) * 2008-10-01 2010-04-15 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board with optical waveguide and method of manufacturing the same
JP2010096941A (en) * 2008-10-16 2010-04-30 Kyocera Corp Optical transmission substrate, optical module, and method for manufacturing optical transmission substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013156534A (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Kyocera Corp Optical wiring board and optical wiring module
JP2014006490A (en) * 2012-05-31 2014-01-16 Kyocera Corp Optical element mount and optical wiring module
CN114641153A (en) * 2022-03-25 2022-06-17 江苏普诺威电子股份有限公司 Embedded precise line packaging carrier plate based on photosensitive insulating medium and processing technology thereof
WO2024262629A1 (en) * 2023-06-23 2024-12-26 株式会社レゾナック Method for manufacturing photoelectric composite wiring board, photoelectric composite wiring board, and semiconductor package
WO2024262630A1 (en) * 2023-06-23 2024-12-26 株式会社レゾナック Method for manufacturing photoelectric composite wiring board, photoelectric composite wiring board, and semiconductor package
WO2024262042A1 (en) * 2023-06-23 2024-12-26 株式会社レゾナック Method for manufacturing photoelectric composite wiring board, photoelectric composite wiring board, semiconductor package, and laminated film

Also Published As

Publication number Publication date
JP5367635B2 (en) 2013-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5384819B2 (en) Opto-electric hybrid package, opto-electric hybrid module
CN102692685B (en) Optoelectronic module
JP4260650B2 (en) Photoelectric composite substrate and manufacturing method thereof
US7221829B2 (en) Substrate assembly for supporting optical component and method of producing the same
US7150569B2 (en) Optical device mounted substrate assembly
JP5248795B2 (en) Opto-electric hybrid package and manufacturing method thereof, opto-electric hybrid package with optical element, opto-electric hybrid module
US20130236138A1 (en) Photoelectric composite substrate and method of manufacturing the same
JP4246563B2 (en) Optical component support substrate and manufacturing method thereof, optical component support substrate with optical component and manufacturing method thereof
JP5367635B2 (en) Manufacturing method of wiring board with optical waveguide
JP4202216B2 (en) Photoelectric composite wiring structure, optical element mounting substrate, optical waveguide layer, and optical path conversion component
JP4456354B2 (en) Optical component support substrate with optical components and method for manufacturing the same
JP4639101B2 (en) Component supporting substrate, manufacturing method thereof, and optical device
JP5318978B2 (en) Opto-electric hybrid package and manufacturing method thereof, opto-electric hybrid package with optical element, opto-electric hybrid module
JP4476743B2 (en) Optical component support substrate and manufacturing method thereof
JP2008158388A (en) Opto-electric circuit board, optical module and opto-electric circuit system
JP4764669B2 (en) Optical package, optical package with optical element, and optical waveguide module
JP2005070158A (en) Optical waveguide substrate and manufacturing method therefor
JP5341047B2 (en) Component support substrate and manufacturing method thereof
JP4234061B2 (en) Manufacturing method of optical waveguide device
JP2004258065A (en) Optical waveguide substrate and method of manufacturing the same, opto-electric composite mounted wiring board and method of manufacturing the same
JP2005115190A (en) Photoelectric composite wiring board, laminated optical waveguide structure
JP2005037870A (en) Optical element mounting substrate and manufacturing method thereof, optical element mounting substrate with optical waveguide and manufacturing method thereof, optical element mounting substrate with optical fiber connector and manufacturing method thereof, optical element mounting substrate with optical component
JP5149759B2 (en) Manufacturing method of wiring board with optical waveguide
JP4307902B2 (en) Optical element mounting package, opto-electric composite mounting wiring board
JP2005099761A (en) Optical component support substrate and manufacturing method thereof, optical component support substrate with optical component and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130130

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130820

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130911

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees