JP2011232278A - Radiation imaging apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放射線を可視光に変換して光を撮像する放射線撮像装置に関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus that captures light by converting radiation into visible light.
医療分野においては、放射線を人体に照射し、人体を透過した放射線の強度を検出することで人体内部の撮像を行う放射線撮像装置が用いられている。放射線撮像装置においては、放射線を直接電気信号に変換する直接変換型と、放射線を可視光に変換し、該変換した可視光を電気信号に変換する間接変換型とがある。 In the medical field, a radiation imaging apparatus is used that images a human body by irradiating the human body with radiation and detecting the intensity of the radiation transmitted through the human body. In the radiation imaging apparatus, there are a direct conversion type that converts radiation directly into an electric signal and an indirect conversion type that converts radiation into visible light and converts the converted visible light into an electric signal.
間接変換型の放射線撮像装置においては、太陽光や蛍光灯等の外部光が光電変換素子に入射することにより、放射線画像が劣化してしまうので、従来から、光電変換素子への外部光の入射を遮蔽する必要があり、下記に示す特許文献1には、光電変換部が設けられた基板の裏側に光吸収層を設けることが記載されている。 In an indirect conversion type radiation imaging apparatus, external light such as sunlight or fluorescent light is incident on the photoelectric conversion element, and the radiation image is deteriorated. Conventionally, external light is incident on the photoelectric conversion element. In Patent Document 1 shown below, it is described that a light absorption layer is provided on the back side of a substrate provided with a photoelectric conversion portion.
しかしながら、上記した特許文献1に記載にように、光電変換部やTFTを形成した基板に、別工程で外部光を遮蔽する光吸収層を設けると、製造工程が増えるのみならず、追加工程による不具合が発生する懸念があり、製造歩留まりの悪化の原因となる。また、基板の裏側に光吸収層を設けるので、基板の側面等、光吸収層が設けられていない領域から外部光が入射した場合は、該外部光は、基板を通過して光電変換素子に受光されてしまい、放射線画像が劣化してしまう。 However, as described in Patent Document 1 described above, when a light-absorbing layer that shields external light is provided in a separate process on a substrate on which a photoelectric conversion unit and a TFT are formed, not only the manufacturing process increases, but also due to an additional process. There is a concern that defects may occur, which causes a deterioration in manufacturing yield. In addition, since a light absorption layer is provided on the back side of the substrate, when external light is incident from a region where the light absorption layer is not provided, such as a side surface of the substrate, the external light passes through the substrate and enters the photoelectric conversion element. Light is received, and the radiographic image deteriorates.
そこで本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたものであり、外部光による画像劣化を抑制すると共に、製造工程における歩留まりの悪化を抑制する放射線撮像装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a radiation imaging apparatus that suppresses image deterioration due to external light and suppresses deterioration in yield in the manufacturing process.
上記目的を達成するために、本発明は、放射線撮像装置であって、基板と、前記基板上に形成された画素と、放射線を前記画素が感度を有する光に変換する光変換部と、を備える放射線撮像装置であって、前記基板は、前記画素が感度を有する波長帯域の光の透過を制限するフィルタ特性を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention provides a radiation imaging apparatus comprising: a substrate; a pixel formed on the substrate; and a light conversion unit that converts radiation into light having sensitivity to the pixel. In the radiation imaging apparatus, the substrate has a filter characteristic that restricts transmission of light in a wavelength band in which the pixel has sensitivity.
前記基板は、前記画素の感度がピークとなる波長の光の透過を最も制限するフィルタ特性を有してもよい。 The substrate may have a filter characteristic that most restricts transmission of light having a wavelength at which the sensitivity of the pixel reaches a peak.
前記基板は、前記光変換部が変換する光の波長帯域以外の光の透過を制限するフィルタ特性を有してもよい。 The substrate may have a filter characteristic that restricts transmission of light other than a wavelength band of light converted by the light conversion unit.
前記光変換部は、放射線が前記基板上に形成された前記画素に入射する側に設けられてもよい。 The light conversion unit may be provided on a side where radiation is incident on the pixel formed on the substrate.
前記光変換部は、放射線が前記基板上に形成された画素に入射する側とは反対側に設けられてもよい。 The light conversion unit may be provided on a side opposite to a side on which radiation is incident on a pixel formed on the substrate.
本発明によれば、画素が形成される基板に、画素が感度を有する波長帯域の光の透過を制限するフィルタとしての機能を持たせたので、製造工程が簡単になり、製造工程における歩留まりの悪化を抑制することができると共に、外部光の影響による放射線画像の劣化を抑制することができる。 According to the present invention, the substrate on which the pixel is formed has a function as a filter that restricts the transmission of light in a wavelength band in which the pixel has sensitivity, so that the manufacturing process is simplified and the yield in the manufacturing process is reduced. Deterioration can be suppressed and deterioration of the radiation image due to the influence of external light can be suppressed.
画素が形成される基板は、該画素の感度がピークとなる波長の光の透過を最も制限するので、さらに、外部光の影響による放射線画像の劣化を防止することができる。 Since the substrate on which the pixel is formed most restricts the transmission of light having a wavelength at which the sensitivity of the pixel reaches its peak, it is possible to further prevent deterioration of the radiation image due to the influence of external light.
画素が形成される基板は、光変換部が変換する光の波長帯域以外の光の透過を制限するので、光変換部が、基板の画素が形成されていない側に形成された場合であっても、外部光の影響による放射線画像の劣化を抑制することができる。 Since the substrate on which the pixels are formed restricts the transmission of light outside the wavelength band of the light converted by the light conversion unit, the light conversion unit is formed on the side of the substrate where the pixels are not formed. In addition, it is possible to suppress deterioration of the radiation image due to the influence of external light.
本発明に係る放射線撮像装置について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。 The radiation imaging apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings and preferred embodiments.
図1は、本実施の形態の放射線撮像システムの構成図である。放射線撮像システム10は、ベッド等の撮像台12に横臥した被写体14である患者に対して、撮像条件に従った線量からなる放射線16を照射する放射線源18と、被写体14を透過した放射線16を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ(放射線撮像装置)20と、放射線源18及び電子カセッテ20を制御するコンソール24と、放射線画像を表示する表示装置26とを備える。
FIG. 1 is a configuration diagram of the radiation imaging system of the present embodiment. The
コンソール24と、放射線源18と、電子カセッテ20と、表示装置26との間には、例えば、UWB(Ultra Wide Band)、IEEE802.11.a/g/n等の無線LAN、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよい。
Between the
コンソール24には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム(RIS)28が接続され、RIS28には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム(HIS)30が接続されている。
The
図2は、図1に示す電子カセッテの斜視図であり、電子カセッテ20は、パネル部32と、該パネル部32上に配置された制御部34とを備える。なお、パネル部32の厚みは、制御部34の厚みよりも薄く設定されている。
FIG. 2 is a perspective view of the electronic cassette shown in FIG. 1, and the
パネル部32は、放射線16を透過可能な材料からなる略矩形状の筐体40を有し、パネル部32の撮像面42には放射線16が照射される。撮像面42の略中央部には、被写体14の撮像領域及び撮像位置を示すガイド線44が形成されている。ガイド線44の外枠が、放射線16の照射野を示す撮像可能領域36になる。また、ガイド線44の中心位置(ガイド線44が十字状に交差する交点)は、撮像可能領域36の中心位置であるとともに、電子カセッテ20の幾何学的な中心位置とされる。
The
制御部34は、放射線16に対して非透過性の材料からなる略矩形状の筐体50を有する。該筐体50は、撮像面42の一端に沿って延在しており、撮像面42における撮像可能領域36の外に制御部34が配設される。この場合、筐体50の内部には、後述するパネル部32を制御するカセッテ制御部80と、バッテリ等の電源部108と、コンソール24との間で無線による信号の送受信が可能な通信部110等が配置されている(図3、図4参照)。電源部108は、パネル部32に電力供給を行う一方で、カセッテ制御部80及び通信部110に対しても電力供給を行う。
The
制御部34の短手方向の側面52には、外部の電源から電源部108に対して充電を行うためのACアダプタの入力端子54と、外部機器との間で情報を送受信可能なインターフェース手段としてのUSB端子56と、PCカード等のメモリカードを装填するためのカードスロット58とが設けられている。
On the
パネル部32は、後述する放射線変換パネル及び駆動回路部を有する。放射線変換パネルは、被写体14を透過した放射線16をシンチレータ(光変換部)により可視光領域に含まれる蛍光に一端変換し、変換した前記蛍光をアモルファスシリコン(a−Si)等の物質からなる光電変換素子により電気信号に変換する間接変換型の放射線変換パネルである。
The
図3は、放射線変換パネルにおける画素の配列と、画素とカセッテ制御部との間の電気的接続を模式的に示す図である。放射線変換パネル70では、多数の画素72が図示しない基板上に配列され、これらの画素72に対して駆動回路部74から制御信号を供給するための複数のゲート線76と、複数の画素72から出力される電気信号を読み出して駆動回路部74に出力する複数の信号線78とが配列されている。画素72は、光電変換素子を有する。制御部34のカセッテ制御部80は、駆動回路部74に制御信号を供給することで駆動回路部74を制御する。
FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an arrangement of pixels in the radiation conversion panel and an electrical connection between the pixels and the cassette control unit. In the
図4は、電子カセッテの回路構成を示す図である。放射線変換パネル70は、可視光を電気信号に変換するa−Si等の物質からなる光電変換素子を有する各画素72が形成された光電変換層を、行列状のTFT82のアレイの上に配置した構造を有する。この場合、駆動回路部74を構成するバイアス回路84からバイアス電圧が供給される各画素72では、可視光を電気信号(アナログ信号)に変換することにより発生した電荷が蓄積され、各列毎にTFT82を順次オンにすることにより前記電荷を画像信号として読み出すことができる。
FIG. 4 is a diagram illustrating a circuit configuration of the electronic cassette. In the
各画素72に接続されるTFT82には、列方向と平行に延びるゲート線76と、行方向に平行に延びる信号線78とが接続される。各ゲート線76は、ゲート駆動回路86に接続され、各信号線78は、駆動回路部74を構成するマルチプレクサ92に接続される。ゲート線76には、列方向に配列されたTFT82をオンオフ制御する制御信号がゲート駆動回路86から供給される。この場合、ゲート駆動回路86には、カセッテ制御部80からアドレス信号が供給され、ゲート駆動回路86は、該アドレス信号に応じてTFT82をオンオフ制御する。
A
信号線78には、行方向に配列されたTFT82を介して各画素72に保持されている電流が流出する。この電荷は、増幅器88によって増幅される。増幅器88には、サンプルホールド回路90を介してマルチプレクサ92が接続される。マルチプレクサ92は、信号を出力する信号線78を切り替えるFETスイッチ94と、1つのFETスイッチ94をオンにして選択信号を出力させるマルチプレクサ駆動回路96とを有する。マルチプレクサ駆動回路96には、カセッテ制御部80からアドレス信号が供給され、該アドレス信号に応じて1つのFETスイッチ94をオンにする。FETスイッチ94には、A/D変換器98が接続されA/D変換器98によってデジタル信号に変換された放射線画像が、フレキシブル基板112を介してカセッテ制御部80に供給される。フレキシブル基板112は、カセッテ制御部80と駆動回路部74とを電気的に接続するものである。
The current held in each
なお、スイッチング素子として機能するTFT82は、CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)イメージセンサ等の、他の撮像素子と組み合わせて実現してもよい。さらに、TFTで言うところのゲート信号に相当するシフトパルスにより電荷をシフトしながら転送するCCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサに置き換えることも可能である。 The TFT 82 functioning as a switching element may be realized in combination with another imaging element such as a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) image sensor. Furthermore, it can be replaced with a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor that transfers charges while shifting them with a shift pulse corresponding to a gate signal referred to as a TFT.
カセッテ制御部80は、ゲート駆動回路86及びマルチプレクサ駆動回路96に対して供給するアドレス信号を発生するアドレス信号発生部100と、放射線変換パネル70によって検出された放射線画像を記憶する画像メモリ102とを備える。画像メモリ102に記憶された放射線画像は、通信部110によりコンソール24等に送信される。
The
図5は、図3及び図4に示す放射線変換パネルの概略断面及び放射線変換パネルの基板に外部光が入射したときの状態の一例を示す図である。図5に示す放射線変換パネル70は、基板120と、基板120上に形成された光を電気信号に変換する画素72と、画素72の上に形成された、放射線を画素72が感度を有する光に変換するシンチレータ122とを有する。シンチレータ122は、入射した放射線を吸収して蛍光を発光する発光体を有する。発光体としては、例えば、ヨウ化セシウム(CsI)、又は、ガドリニウム硫酸化物(GOS)を用いてもよい。CsIを用いた発光体の放射線照射時の発光スペクトルは、例えば、420nm〜600nmである。また、GOSを用いた発光体の放射線照射時の発光スペクトルは、550nm付近に急峻なピークを有する。シンチレータが発光する蛍光は、画素72が感度を有する波長帯域(可視光の波長帯域)の範囲内である。なお、図示しないがTFTも基板120上に形成されている。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a schematic cross section of the radiation conversion panel shown in FIGS. 3 and 4 and a state when external light is incident on the substrate of the radiation conversion panel. The
基板120は、画素72が感度を有する波長帯域の光(可視光)の透過を制限するフィルタ特性を有する。基板120がガラス系の材質からなる場合は、金属、顔料等を該ガラス系の材質に練り込むことで、基板120がプラスチック系からなる場合は、金属、顔料、染料等をプラスチック系の材質に練り込むことで、基板120を、画素72が感度を有する波長帯域の光の透過を制限するフィルタとして機能させることができる。
The
例えば、汎用品である一般の光学フィルタ(例えば、バンドパスフィルタ)で使用されている材料をプラスチックに練り込むことで、基板120を構成してもよい。なお、アモルファスシリコン(a−Si)に比べ可視光にシャープな吸収スペクトルを持つ有機光電変換材料を用いて光電変換素子を成形し、フィルタとして機能する基板120と併用すると、より一層フィルタとしての効果が高くなる。また、基板120は、画素72が感度を有しない波長帯域の光の透過も制限するフィルタ特性であってもよい。
For example, the
図6は、画素の感度特性、及び、基板のフィルタ特性を示す図である。図6に示す実線は、画素72の感度特性を示しており、点線は、基板120のフィルタ特性を示している。画素72は、波長aで最も感度が高くなり(ピーク感度となり)、波長aより小さく、及び大きくなると感度が低下していく。感度が高い波長とは、同じ強度の光が画素72に入射した場合に、出力される電気信号が大きくなる波長のことをいう。
FIG. 6 is a diagram showing the sensitivity characteristics of the pixels and the filter characteristics of the substrate. 6 indicates the sensitivity characteristic of the
また、基板120は、画素72が感度を有する波長帯域の光の透過を少なくとも制限しており、画素72がピーク感度となる波長aの光の透過を最も制限することが好ましい。なお、基板120は、画素72が感度を有する波長帯域の光、又は、波長aの光を完全に透過させないような構造を有していてもよい。
Further, it is preferable that the
図7は、図5に示す放射線変換パネルの基板に、画素が感度を有する波長帯域の光の透過を制限するフィルタとしての機能を持たせない場合に、該基板に入射した外部光の状態を示す図である。放射線がシンチレータ122に入射すると、該シンチレータ122は、入射した放射線を吸収して、蛍光を発光する。つまり、放射線を蛍光に変換する。画素72は、該変換された蛍光を受光する。一方で、外部光が基板120に入射すると、基板120は、ガイドライトとして機能し、基板120に入射された外部光は、基板120を介して画素72で受光されてしまう。これにより、撮像された放射線画像が劣化してしまう。
FIG. 7 shows the state of external light incident on the substrate when the substrate of the radiation conversion panel shown in FIG. FIG. When radiation enters the
しかしながら、本実施の形態では、基板120は、画素72が感度を有する波長帯域の光の透過を制限する基板として機能させることで、図5に示すように、基板120に入射した外部光の殆どは、基板120で吸収されてしまい、画素72に入射する外部光を大幅に抑制することができる。これにより、放射線画像の劣化を防止することができる。
However, in the present embodiment, the
なお、図5では、表面撮像を例にしているが、裏面撮像の場合でも同様である。裏面撮像とは、基板120の画素72が設けられていない側(図5に示す放射線変換パネル70のシンチレータ122が設けられていない側)から、放射線を放射線変換パネル70に入射させて撮像を行う方法のことをいう。この場合は、入射された放射線は、基板120を透過してシンチレータ122に入射し、シンチレータ122は、入射した放射線を蛍光に変換する。画素72は、シンチレータ122によって変換された蛍光を受光する。
In FIG. 5, front surface imaging is taken as an example, but the same applies to backside imaging. Backside imaging refers to imaging by making radiation incident on the
図8は、基板の画素が設けられていない側にシンチレータを形成した場合の図3及び図4に示す放射線変換パネルの概略断面及び放射線変換パネルの基板に外部光が入射したときの状態の一例を示す図である。図8に示す放射線変換パネル70は、シンチレータ122が、画素72の上ではなく、基板120の画素72が形成されていない側に形成されている点が、図5に示す放射線変換パネル70と異なる。また、図8に示す基板120は、シンチレータ122が発光する蛍光の波長帯域の光を透過し、該蛍光の波長帯域の光の透過を制限するフィルタ特性を有する。シンチレータ122に、例えば、GOSを用いる場合は、基板120は、550nmを含む近傍数十nmの透過率が高く、それ以外の波長帯域をカット、または、透過率が低いフィルタ(バンドパスフィルタ)であることが好ましい。なお、図8に示す基板に、画素72が感度を有する波長帯域の光のうち、シンチレータ122が発光する蛍光の波長帯域の光を透過し、該蛍光の波長帯域以外の光の透過を制限するフィルタ特性を有していてもよい。
FIG. 8 shows an example of a schematic cross section of the radiation conversion panel shown in FIGS. 3 and 4 when the scintillator is formed on the side of the substrate where no pixels are provided, and a state when external light is incident on the substrate of the radiation conversion panel. FIG. The
図8に示す画素72及び基板120に入射した放射線は、画素72及び基板120を透過して、シンチレータ122に入射する。シンチレータ122は、入射した放射線を蛍光に変換する。画素72は、シンチレータ122によって変換され、基板120を透過した蛍光を受光する。一方で、シンチレータ122を介して基板120に入射した外部光及び直接基板120に入射した外部光のうち、シンチレータ122が発光する蛍光の波長帯域に含まれる外部光は、基板120を通過して画素72に入射するが、シンチレータ122が発光する蛍光の波長帯域に含まれない外部光の殆どは、基板120に吸収される。これにより、基板120は、入射した外部光のうち、一部の外部光のみしか透過しないので、外部光の影響による放射線画像の劣化を抑制することができる。
The radiation incident on the
なお、図8では、表面撮像を例にしているが、裏面撮像であってもよい。裏面撮像とは、上述したように基板120の画素が設けられていない側(図8に示すシンチレータ122が設けられた側)から、放射線を放射線変換パネル70に入射させて撮像を行う方法である。この場合は、入射された放射線は、シンチレータ122によって蛍光に変換され、該変換された蛍光は基板120を透過して画素72に入射する。
In FIG. 8, front surface imaging is taken as an example, but back surface imaging may be used. The back side imaging is a method of performing imaging by making radiation incident on the
このように、画素72が形成される基板120に、画素72が感度を有する波長帯域の光を透過するフィルタとしての機能を持たせたので、製造工程が簡単になり、製造工程における歩留まりの悪化を抑制することができるとともに、外部光による放射線画像の劣化を抑制することができる。
As described above, since the
また、画素72が形成される基板120に、画素72の感度がピークとなる波長の光の透過を最も制限するフィルタとしての機能を持たせることで、さらに外部光の影響による放射線画像の劣化を防止することができる。
Further, the
また、画素72が形成される基板120に、シンチレータ122が変換する光の波長帯域以外の光の透過を制限するフィルタとしての機能を持たせることで、基板120の画素72が形成されていない側に(放射線が画素72に入射する側とは反対側に)シンチレータ122が形成された場合であっても、外部光の影響による放射線画像の劣化を抑制することができる。
Further, the
上記実施の形態では、図5に示す放射線変換パネル70の基板120には、図6に示すようなフィルタ特性を持たせるようにしたが、シンチレータ122が発光する蛍光の波長帯域の光を透過し、該蛍光の波長帯域の透過を制限するフィルタ特性、又は、画素72が感度を有する波長帯域の光のうち、シンチレータ122が発光する蛍光の波長帯域を透過し、該蛍光の波長帯域以外の光の透過を制限するフィルタ特性を持たせるようにしてもよい。この場合であっても、外部光の影響による放射線画像の劣化を抑制することができる。
In the above embodiment, the
また、上記実施の形態では、画素72が感度を有する波長帯域は、可視光の波長帯域としたが、画素72が感度を有する波長帯域は、可視光の波長帯域以外に波長帯域(例えば、赤外線や紫外線)に対しても感度を有してもよい。
In the above embodiment, the wavelength band in which the
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
10…放射線撮像システム 12…撮像台
14…被写体 16…放射線
18…放射線源 20…電子カセッテ
24…コンソール 26…表示装置
28…放射線科情報システム 30…医事情報システム
32…パネル部 34…制御部
70…放射線変換パネル 72…画素
82…TFT 120…基板
122…シンチレータ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記基板上に形成された画素と、
放射線を前記画素が感度を有する光に変換する光変換部と、
を備える放射線撮像装置であって、
前記基板は、前記画素が感度を有する波長帯域の光の透過を制限するフィルタ特性を有する
ことを特徴とする放射線撮像装置。 A substrate,
Pixels formed on the substrate;
A light conversion unit that converts radiation into light having sensitivity to the pixels;
A radiation imaging apparatus comprising:
The radiation imaging apparatus, wherein the substrate has a filter characteristic that restricts transmission of light in a wavelength band in which the pixel has sensitivity.
前記基板は、前記画素の感度がピークとなる波長の光の透過を最も制限するフィルタ特性を有する
ことを特徴とする放射線撮像装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 1,
The radiation imaging apparatus, wherein the substrate has a filter characteristic that most restricts transmission of light having a wavelength at which the sensitivity of the pixel reaches a peak.
前記基板は、前記光変換部が変換する光の波長帯域以外の光の透過を制限するフィルタ特性を有する
ことを特徴とする放射線撮像装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 1,
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the substrate has a filter characteristic that restricts transmission of light other than a wavelength band of light converted by the light conversion unit.
前記光変換部は、放射線が前記基板上に形成された前記画素に入射する側に設けられている
ことを特徴とする放射線撮像装置。 The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The radiation conversion device, wherein the light conversion unit is provided on a side where radiation is incident on the pixel formed on the substrate.
前記光変換部は、放射線が前記基板上に形成された画素に入射する側とは反対側に設けられている
ことを特徴とする放射線撮像装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 1,
The radiation conversion device, wherein the light conversion unit is provided on a side opposite to a side on which radiation is incident on a pixel formed on the substrate.
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