JP2012045044A - Radiation image detection device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately detect a start of irradiation even when there is simultaneously occurring system noise in the whole FPD (flat panel detector).SOLUTION: A detecting element part 41 comprises a first detecting element 44 and a second detecting element 46, and is provided in an imaging area. The first detecting element 44 accumulates signal charges corresponding to an incident amount of X-rays. The second detecting element 46 has a shielding member shielding visible light, has a configuration wherein visible light converted from X-rays by a scintillator does not enter a photodiode 48, and accumulates only dark charges. Voltages Vx, Vr of the first and second detecting elements 44, 46 are inputted to an operational amplifier 43. The operational amplifier 43 amplifies and outputs a difference between the voltages Vx, Vr. A control part detects that the irradiation is started based on an output voltage Vout from the operational amplifier 43.

Description

本発明は、被写体を透過した放射線の照射を受けて放射線画像を検出する放射線画像検出装置に関する。   The present invention relates to a radiological image detection apparatus that detects a radiographic image by receiving radiation that has passed through a subject.

医療分野において、画像診断を行うために、放射線、例えば、X線を利用したX線撮影システムが知られている。X線撮影システムは、X線を発生するX線源と、X線源が発生し被写体を透過したX線の照射を受けて、X線画像を検出するX線画像検出装置とからなる。X線画像検出装置としては、X線の入射量に応じた信号電荷を蓄積する画素が配列されたTFT(Thin film transistor)アクティブマトリクス基板を用いて、信号電荷を画素毎に蓄積することで、被写体の画像情報を表すX線画像を検出し、これをデジタルな画像データとして出力するFPD(flat panel detector)を利用したものが実用化されている。   In the medical field, X-ray imaging systems using radiation, for example, X-rays, are known for performing image diagnosis. The X-ray imaging system includes an X-ray source that generates X-rays and an X-ray image detection device that receives an X-ray generated by the X-ray source and transmitted through a subject to detect an X-ray image. As an X-ray image detection apparatus, by using a TFT (Thin film transistor) active matrix substrate in which pixels that store signal charges according to the amount of incident X-rays are arranged, signal charges are stored for each pixel. An apparatus using an FPD (flat panel detector) that detects an X-ray image representing image information of a subject and outputs it as digital image data has been put into practical use.

X線画像検出装置には、立位姿勢の被検者(被写体)を撮影するための立位撮影台や臥位姿勢の被検者(被写体)を撮影するための臥位撮影台にFPDが内蔵された据え置き型のものの他、持ち運びが可能なカセッテタイプの筐体にFPDが内蔵された可搬型のX線画像検出装置(以下「電子カセッテ」ともいう)も開発されている。電子カセッテは、据え置き型では撮影しにくい部位の撮影に用いられる他、移動式のX線源と一緒に出先まで運び、撮影室までの移動が困難な被検者を、病室の寝台に寝かせた状態で撮影するために用いられる。また、電子カセッテの中には、フイルムカセッテやIP(イメージングプレート)カセッテに用いられる撮影台に取り付けて使用可能なものも知られている。   In the X-ray image detection apparatus, an FPD is provided on a standing imaging stand for photographing a subject (subject) in a standing posture and on a lying photographing stand for photographing a subject (subject) in a lying posture. In addition to the built-in stationary type, a portable X-ray image detection apparatus (hereinafter also referred to as “electronic cassette”) in which an FPD is built in a portable cassette type housing has been developed. The electronic cassette is used to image areas that are difficult to capture with the stationary type, and is carried along with a mobile X-ray source to the destination, and subjects who are difficult to move to the imaging room are laid on a bed in a hospital room Used to shoot in a state. Further, some electronic cassettes are known that can be used by being attached to an imaging stand used for a film cassette or an IP (imaging plate) cassette.

こうしたX線画像検出装置は、X線源に接続された照射スイッチの押下によってX線源の照射が開始されるタイミングと同期して、信号電荷の蓄積動作を開始する同期制御が行われる。X線画像検出装置を制御するコンソールなどの制御装置は、X線源が照射を開始するタイミングとX線画像検出装置が信号電荷の蓄積動作を開始するタイミングとを同期させるために、X線源の照射が開始されたときに、照射スイッチが発生する照射開始信号を受信し、これを同期信号としてX線画像検出装置に対して出力する。X線画像検出装置は、電荷の蓄積動作を開始する前に、照射の有無に関わらず画素に蓄積される暗電荷をリセットするリセット動作を周期的に行っており、同期信号を受信すると、リセット動作から信号電荷の蓄積動作へ移行して撮影を開始する。   In such an X-ray image detection apparatus, synchronous control for starting an accumulation operation of signal charges is performed in synchronization with a timing at which irradiation of the X-ray source is started by pressing an irradiation switch connected to the X-ray source. A control device such as a console for controlling the X-ray image detection apparatus is configured to synchronize the timing at which the X-ray source starts irradiation and the timing at which the X-ray image detection apparatus starts signal charge accumulation operation. When the irradiation is started, an irradiation start signal generated by the irradiation switch is received and output to the X-ray image detection apparatus as a synchronization signal. The X-ray image detection device periodically performs a reset operation for resetting the dark charges accumulated in the pixels regardless of whether or not irradiation is performed before starting the charge accumulation operation. The operation shifts from the operation to the signal charge accumulation operation to start photographing.

しかし、メーカが異なるX線画像検出装置とX線源で撮影システムを構成する場合には、X線画像検出装置やその制御装置に標準で装備されている同期制御用のインタフェース(ケーブルやコネクタの規格、同期信号の形式など)が、X線源のインタフェースと適合しない場合もある。このため、同期信号を用いずにX線画像検出装置で照射の開始を検出してX線源との同期を取る技術が提案されている(特許文献1〜特許文献3参照)。   However, when an X-ray image detection device and an X-ray source from different manufacturers constitute an imaging system, an interface for synchronization control (cable or connector interface) that is equipped as standard in the X-ray image detection device or its control device. Standards, synchronization signal formats, etc.) may not be compatible with the X-ray source interface. For this reason, a technique has been proposed in which the start of irradiation is detected by an X-ray image detection apparatus without using a synchronization signal to synchronize with an X-ray source (see Patent Documents 1 to 3).

特許文献1に記載のX線画像検出装置では、照射の開始を検出する前から、所定のフレームレートで画像の読み出し動作を周期的に行い、連続する2フレームの画像の画素値の差分を調べて、差分が閾値以上であるか否かを判定して、照射の開始を検出している。照射が開始されるとX線の入射により画素値が上昇するので、2フレーム間の画素値の差分に基づいて照射の開始を検出することができる。   In the X-ray image detection apparatus described in Patent Document 1, an image reading operation is periodically performed at a predetermined frame rate before the start of irradiation is detected, and a difference between pixel values of two consecutive frames is examined. Thus, it is determined whether or not the difference is greater than or equal to a threshold value, and the start of irradiation is detected. When the irradiation is started, the pixel value rises due to the incidence of X-rays, so that the start of irradiation can be detected based on the difference between the pixel values between the two frames.

特許文献2に記載のX線画像検出装置は、FPD内において、X線源から照射されたX線が被写体を透過することなく入射する領域(いわゆる素抜け領域)に照射の開始を検出するための照射検出用素子を配置し、照射検出用素子の出力の立ち上がりを判定して、照射の開始を検出している。   The X-ray image detection apparatus described in Patent Document 2 detects the start of irradiation in a region where an X-ray irradiated from an X-ray source is incident on the FPD without passing through the subject (so-called blank region). The irradiation detection element is arranged, the rising of the output of the irradiation detection element is determined, and the start of irradiation is detected.

特許文献3に記載のX線画像検出装置は、X線の照射が無い場合でもFPDの画素から出力される暗電流を想定した閾値を予め設定し、画素から出力される信号電荷と閾値とを比較して、信号電荷が閾値を超えたか否かを判定することにより、照射の開始を検出している。   The X-ray image detection apparatus described in Patent Document 3 sets a threshold value assuming a dark current output from an FPD pixel even when there is no X-ray irradiation, and sets a signal charge output from the pixel and the threshold value. In comparison, the start of irradiation is detected by determining whether or not the signal charge exceeds a threshold value.

特開2003−126072号公報JP 2003-126072 A 特表2002−543684号公報Special Table 2002-543684 Publication 特開2008−507796号公報JP 2008-507796 A

しかしながら、上記特許文献1〜3の検出方法では、FPD内の画素や信号線などFPD全体に同時に発生するシステムノイズがある場合には、誤検出のおそれがあり、照射の開始を正確に検出できないという問題があった。   However, in the detection methods of Patent Documents 1 to 3, if there is system noise that occurs simultaneously in the entire FPD, such as pixels and signal lines in the FPD, there is a risk of erroneous detection, and the start of irradiation cannot be detected accurately. There was a problem.

特許文献1の照射検出方法は、取得タイミングに時間差がある2フレーム間の画素値の差分によって照射の開始を検出する方法であるため、例えば、1フレーム目にはシステムノイズが無く、2フレーム目にのみにシステムノイズが発生するという場合が起こり得る。このような場合には、システムノイズに起因して画素値が増加したときに、照射開始と検出してしまうおそれがある。   The irradiation detection method of Patent Document 1 is a method of detecting the start of irradiation based on a difference in pixel values between two frames having a time difference in acquisition timing. For example, there is no system noise in the first frame and the second frame. In some cases, system noise occurs only in In such a case, when the pixel value increases due to system noise, it may be detected that irradiation is started.

特許文献2の照射検出方法は、素抜け領域に配置された照射検出用素子の出力の立ち上がりを判定する方法であるため、システムノイズが生じると、その立ち上がりを照射開始と検出してしまうおそれがある。   The irradiation detection method disclosed in Patent Document 2 is a method for determining the rising of the output of the irradiation detecting element arranged in the unexposed region. Therefore, when system noise occurs, the rising may be detected as the start of irradiation. is there.

特許文献3の照射検出方法は、暗電流を想定した閾値と画素が出力する信号電荷とを比較して照射の開始を検出するため、想定した閾値を超えるシステムノイズが生じたときに、照射開始と検出してしまうおそれがある。   The irradiation detection method of Patent Document 3 detects the start of irradiation by comparing the threshold assuming a dark current with the signal charge output from the pixel, so that irradiation starts when system noise exceeding the assumed threshold occurs. May be detected.

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、目的は、放射線源との同期信号によらずに照射の開始を検出する機能を備えた放射線画像検出装置において、FPD全体に同時に発生するシステムノイズがある場合でも、照射の開始を正確に検出することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to occur simultaneously in the entire FPD in a radiological image detection apparatus having a function of detecting the start of irradiation regardless of a synchronization signal with a radiation source. Even in the presence of system noise, it is possible to accurately detect the start of irradiation.

本発明の放射線画像検出装置は、放射線源から照射され被写体を透過した放射線を撮像して、被写体の放射線画像を検出するための撮像手段であり、前記放射線の入射量に応じた信号電荷を蓄積する複数の画素が二次元に配列された前記放射線の撮像領域を有する撮像手段と、前記画素を駆動する第1駆動手段であり、前記画素において前記放射線源の照射の有無に関わらず発生する暗電荷を、リセットするリセット動作と、前記画素に前記信号電荷を蓄積させる蓄積動作と、前記画素から前記信号電荷を読み出す読み出し動作の3つの動作を行わせるための第1駆動手段と、前記放射線源による照射の開始を検出する照射検出手段であり、前記画素と同様に前記信号電荷を蓄積する第1検出用素子と、前記第1検出用素子の近傍に配置され、前記暗電荷のみを蓄積する第2検出用素子とからなる少なくとも1組の検出用素子を有する検出用素子部と、前記第1検出用素子と第2検出用素子を駆動して、それぞれの蓄積電荷を同時に読み出すための第2駆動手段とを有し、前記第1検出用素子と第2検出用素子から同時に読み出される蓄積電荷量の差に基づいて、前記照射の開始を検出する照射検出手段と、前記照射検出手段によって前記照射の開始が検出されたときに、前記画素が前記リセット動作から前記蓄積動作へ移行するように前記第1駆動手段を制御する制御手段とを備えていることを特徴とする。   The radiological image detection apparatus of the present invention is an imaging unit for detecting a radiographic image of a subject by imaging radiation irradiated from a radiation source and transmitted through the subject, and accumulates signal charges corresponding to the incident amount of the radiation. An imaging unit having the radiation imaging region in which a plurality of pixels are arranged two-dimensionally, and a first driving unit that drives the pixel, and the darkness that occurs regardless of whether or not the radiation source is irradiated in the pixel A first drive means for performing three operations: a reset operation for resetting charge, an accumulation operation for accumulating the signal charge in the pixel, and a read operation for reading the signal charge from the pixel; and the radiation source Is an irradiation detection means for detecting the start of irradiation by the first detection element for accumulating the signal charge similarly to the pixel, and is arranged in the vicinity of the first detection element, A detection element unit having at least one set of detection elements composed of a second detection element that accumulates only the dark charge, and driving the first detection element and the second detection element to store each of them. Irradiation detecting means for detecting the start of the irradiation based on a difference in accumulated charge amount simultaneously read from the first detection element and the second detection element. And a control means for controlling the first drive means so that the pixel shifts from the reset operation to the accumulation operation when the irradiation detection means detects the start of the irradiation. Features.

前記照射検出手段は、前記第1検出用素子と第2検出用素子のそれぞれが出力するアナログ信号の差を出力する差動増幅器を有し、差動増幅器が出力する前記アナログ信号の差に基づいて照射の開始を検出することが好ましい。   The irradiation detection means includes a differential amplifier that outputs a difference between analog signals output from the first detection element and the second detection element, and is based on the difference between the analog signals output from the differential amplifier. It is preferable to detect the start of irradiation.

前記第1検出用素子及び第2検出用素子は、前記撮像領域内に配置されていることが好ましい。   It is preferable that the first detection element and the second detection element are arranged in the imaging region.

前記第1検出用素子と前記画素は、構造が同一であり、前記第2検出用素子は、放射線又は可視光を遮蔽する遮蔽部材を有しており、前記遮蔽部材を有する点を除いて前記第1検出用素子及び前記画素と構造が同一であることが好ましい。   The first detection element and the pixel have the same structure, and the second detection element has a shielding member that shields radiation or visible light, except that the first detection element and the pixel have the shielding member. The first detection element and the pixel preferably have the same structure.

前記撮像手段は、前記放射線を可視光に変換するシンチレータを有する間接変換型でもよい。この場合には、前記画素、前記第1及び第2の各検出用素子は、基板上に形成され可視光を電気信号に変換する光電変換素子で構成され、前記シンチレータは、前記光電変換素子の配列面の全面と対向するように配置される。   The imaging means may be an indirect conversion type having a scintillator that converts the radiation into visible light. In this case, the pixels and the first and second detection elements are formed of photoelectric conversion elements that are formed on a substrate and convert visible light into electrical signals, and the scintillator It arrange | positions so that the whole surface of an arrangement | positioning surface may be opposed.

撮像手段が間接変換型の場合には、前記光電変換素子は、例えば、光電変換層である半導体層が、前記基板側に配置される下部電極と、前記シンチレータ側に配置される上部電極とによって挟まれる層構造で構成される。この場合、例えば、前記第1検出用素子と前記画素は、前記上部電極が透明な前記光電変換素子で構成され、前記第2検出用素子は、前記上部電極が不透明な前記光電変換素子で構成され、不透明な前記上部電極が、前記シンチレータから前記半導体層へ向かう可視光を遮蔽するための前記遮蔽部材として機能する。   When the imaging means is an indirect conversion type, the photoelectric conversion element includes, for example, a semiconductor layer, which is a photoelectric conversion layer, by a lower electrode disposed on the substrate side and an upper electrode disposed on the scintillator side. It is composed of a sandwiched layer structure. In this case, for example, the first detection element and the pixel are configured by the photoelectric conversion element in which the upper electrode is transparent, and the second detection element is configured by the photoelectric conversion element in which the upper electrode is opaque. The opaque upper electrode functions as the shielding member for shielding visible light from the scintillator toward the semiconductor layer.

前記検出用素子部は、前記撮像領域内に複数個配置されていてもよい。その場合、各検出用素子部は、前記撮像領域内の異なる位置に分散して配置されていることが好ましい。前記検出用素子部は、前記第1検出用素子と第2検出用素子を複数組有していてもよい。1つの前記検出用素子部の大きさは、1つの前記画素の大きさとほぼ同じにしてもよい。前記検出用素子部は、前記放射線源から被写体に照射される照射量の測定に用いてもよい。   A plurality of the detection element units may be arranged in the imaging region. In that case, it is preferable that the detection element portions are arranged in different positions in the imaging region. The detection element unit may include a plurality of sets of the first detection element and the second detection element. The size of one detection element unit may be substantially the same as the size of one pixel. The detection element unit may be used for measuring an irradiation amount irradiated to a subject from the radiation source.

前記照射検出手段は、前記蓄積電荷量の差に基づいて、前記照射の停止を検出してもよい。この場合、前記制御手段は、停止が検出された場合には、蓄積動作から読み出し動作へ移行させる。また、放射線画像検出装置は可搬型の電子カセッテでもよい。   The irradiation detection means may detect the stop of the irradiation based on the difference in the accumulated charge amount. In this case, when the stop is detected, the control unit shifts from the accumulation operation to the read operation. The radiographic image detection apparatus may be a portable electronic cassette.

本発明によれば、画素と同様にX線の入射量に応じた信号電荷を蓄積する第1検出用素子と、第1検出用素子の近傍に配置され、暗電荷のみを蓄積する第2検出用素子とからなる少なくとも1組の検出用素子を有する検出用素子部を用い、第1検出用素子と第2検出用素子から同時に読み出される蓄積電荷量の差に基づいて、照射の開始を検出するから、FPD全体に同時に発生するシステムノイズがある場合でも、照射の開始を正確に検出することができる。   According to the present invention, similarly to the pixel, the first detection element that accumulates signal charges according to the amount of incident X-rays and the second detection that is arranged in the vicinity of the first detection element and accumulates only dark charges. Detecting the start of irradiation based on the difference in the amount of accumulated charge simultaneously read from the first detection element and the second detection element, using a detection element unit having at least one set of detection elements consisting of the detection elements Therefore, even when there is system noise that occurs simultaneously in the entire FPD, the start of irradiation can be accurately detected.

X線撮影システムの構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of a X-ray imaging system. FPDの説明図である。It is explanatory drawing of FPD. 照射検出部の回路図である。It is a circuit diagram of an irradiation detection part. 撮影時のFPDの動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation | movement of FPD at the time of imaging | photography. 撮像パネルの画素部分の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the pixel part of an imaging panel. 撮像パネルの画素部分の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel part of an imaging panel. 撮像パネルの第1素子部分の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the 1st element part of an imaging panel. 撮像パネルの第2素子部分の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the 2nd element part of an imaging panel. 撮像パネルの第1素子部分の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the 1st element part of an imaging panel. 撮像パネルの第2素子部分の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the 2nd element part of an imaging panel. 撮影時の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation | movement at the time of imaging | photography. 比較例の照射検出部の回路図である。It is a circuit diagram of the irradiation detection part of a comparative example. 検出動作の詳細を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the detail of detection operation. 図13とは異なるケースのタイミングチャートである。14 is a timing chart for a case different from FIG. 図14とは異なるケースのタイミングチャートである。It is a timing chart of a case different from FIG. 検出用素子部が複数個あるFPDの説明図である。It is explanatory drawing of FPD with several element elements for a detection. 検出用素子部が複数個ある場合の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation in case there are a plurality of detection element parts. 図17とは別の例のタイミングチャートである。18 is a timing chart of another example different from FIG. 複数組の第1素子及び第2素子からなる検出用素子部の説明図である。It is explanatory drawing of the element part for a detection which consists of a several element 1st element and 2nd element. 1つの検出用素子部の大きさが1つの画素と同じFPDの説明図である。It is explanatory drawing of FPD with the magnitude | size of one detection element part same as one pixel. 照射量測定を行う場合の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure in the case of performing irradiation amount measurement. 線量管理を行う場合の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure in the case of performing dose management.

[第1実施形態]
図1において、X線撮影システム10は、被写体Hを載置する天板11を有する撮影台と、被写体Hに向けてX線焦点12aからX線を照射するX線源12と、被写体Hを透過したX線の照射を受けて、被写体HのX線画像を検出する電子カセッテ13(放射線画像検出装置)とを備える。X線源12は、X線を発生するX線管とX線の照射野を限定する照射野限定器(コリメータ)とからなる。
[First Embodiment]
In FIG. 1, an X-ray imaging system 10 includes an imaging table having a top plate 11 on which a subject H is placed, an X-ray source 12 that emits X-rays from an X-ray focal point 12 a toward the subject H, and a subject H. An electronic cassette 13 (radiation image detection device) that detects an X-ray image of the subject H upon receiving the transmitted X-rays is provided. The X-ray source 12 includes an X-ray tube that generates X-rays and an irradiation field limiter (collimator) that limits an X-ray irradiation field.

また、X線撮影システム10は、高電圧発生部14、X線源制御部15、コンソール16、モニタ17を備えている。X線源制御部15には、コンソール16や図示しない操作パネルなどから、管電圧、管電流、照射時間といった撮影条件が入力される。X線源制御部15は、入力された撮影条件を高電圧発生部14に送る。また、X線源制御部15には、照射開始信号を入力する照射スイッチ18が接続されており、X線源制御部15は、照射スイッチ18から入力された照射開始信号を、高電圧発生部14を通じてX線管12に与える。   The X-ray imaging system 10 includes a high voltage generation unit 14, an X-ray source control unit 15, a console 16, and a monitor 17. Imaging conditions such as tube voltage, tube current, and irradiation time are input to the X-ray source control unit 15 from the console 16 or an operation panel (not shown). The X-ray source control unit 15 sends the input imaging conditions to the high voltage generation unit 14. The X-ray source control unit 15 is connected to an irradiation switch 18 for inputting an irradiation start signal. The X-ray source control unit 15 outputs an irradiation start signal input from the irradiation switch 18 to a high voltage generation unit. 14 to the X-ray tube 12.

高電圧発生部14は、X線源制御部15から入力された撮影条件に応じた管電圧や管電流を発生し、発生した管電圧や管電流をX線源12に与える。X線源12は、照射開始信号を受けると、与えられた管電圧や管電流に応じたX線の照射を開始し、照射時間が経過した時点で照射を停止する。   The high voltage generator 14 generates a tube voltage and a tube current according to the imaging conditions input from the X-ray source controller 15, and gives the generated tube voltage and tube current to the X-ray source 12. When receiving the irradiation start signal, the X-ray source 12 starts X-ray irradiation according to a given tube voltage or tube current, and stops the irradiation when the irradiation time has elapsed.

コンソール16は、電子カセッテ13を制御する制御装置である。コンソール16に対しては、照射スイッチ18からの照射開始信号は入力されない。コンソール16は、通信部19を介して電子カセッテ13に対して制御信号を送信し、電子カセッテ13が検出したX線画像のデータを受信する。モニタ17は、コンソール16が受信したX線画像を表示する他、コンソール16を操作するための操作画面の表示を行う。   The console 16 is a control device that controls the electronic cassette 13. An irradiation start signal from the irradiation switch 18 is not input to the console 16. The console 16 transmits a control signal to the electronic cassette 13 via the communication unit 19 and receives X-ray image data detected by the electronic cassette 13. The monitor 17 displays an X-ray image received by the console 16 and displays an operation screen for operating the console 16.

電子カセッテ13は、偏平な略直方体形状の筐体内に、X線画像を検出するFPD21と、FPD21が出力するX線画像のデータを一時的に記憶するメモリ22と、コンソール16との間でメモリ22内のデータや制御信号の通信を行う通信部23とが内蔵されている。通信部23は、例えば、電波や赤外線などの光によって無線通信を行う無線通信部であり、電子カセッテ13は、FPD21などの各部に給電を行うバッテリ(図示せず)を内蔵したワイヤレスタイプである。もちろん、通信部23は、ケーブルを通じて通信を行う有線通信部であってもよいし、バッテリの代わりに商用電源から電源ケーブルを通じて給電を受けるものでもよい。   The electronic cassette 13 includes a FPD 21 that detects an X-ray image, a memory 22 that temporarily stores X-ray image data output from the FPD 21, and a console 16 in a flat, substantially rectangular parallelepiped housing. A communication unit 23 that performs communication of data and control signals in 22 is incorporated. For example, the communication unit 23 is a wireless communication unit that performs wireless communication using light such as radio waves and infrared rays. The electronic cassette 13 is a wireless type that incorporates a battery (not shown) that supplies power to each unit such as the FPD 21. . Of course, the communication unit 23 may be a wired communication unit that performs communication through a cable, or may receive power from a commercial power source through a power cable instead of a battery.

図2において、FPD21は、X線の入射量に応じた信号電荷を蓄積する複数の画素24が配列された撮像領域26が撮像パネル(撮像手段)61(図5参照)と、画素24を駆動して信号電荷の読み出しを制御する第1ゲートドライバ27と、画素24から読み出された信号電荷をデジタルデータに変換して出力する信号処理回路28と、FPD21の各部を制御する制御部29を備えている。複数の画素24は、画素ピッチpで二次元にn行(x方向)×m列(y方向)のマトリクスに配列されている。1つの画素24の大きさは、例えば、約150μmである。   2, the FPD 21 drives an imaging panel (imaging means) 61 (see FIG. 5) and a pixel 24 in which an imaging region 26 in which a plurality of pixels 24 that accumulate signal charges according to the amount of incident X-rays is arranged. A first gate driver 27 for controlling the reading of the signal charge, a signal processing circuit 28 for converting the signal charge read from the pixel 24 into digital data and outputting it, and a control unit 29 for controlling each part of the FPD 21. I have. The plurality of pixels 24 are two-dimensionally arranged in a matrix of n rows (x direction) × m columns (y direction) at a pixel pitch p. The size of one pixel 24 is, for example, about 150 μm.

FPD21は、X線を可視光に変換するシンチレータ84(図5参照)を有し、シンチレータ84によって変換された可視光を画素24で光電変換する間接変換型である。シンチレータ84は、画素24が配列された配列面の全面と対向するように撮像領域26の上方に配置されている。   The FPD 21 has a scintillator 84 (see FIG. 5) that converts X-rays into visible light. The FPD 21 is an indirect conversion type that photoelectrically converts visible light converted by the scintillator 84 at the pixels 24. The scintillator 84 is disposed above the imaging region 26 so as to face the entire arrangement surface on which the pixels 24 are arranged.

画素24は、可視光の入射によって電荷を発生する光電変換素子であるフォトダイオード31と、フォトダイオード31が発生した電荷を蓄積するキャパシタ(図示せず)と、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)32とを備える。TFT32は、ゲート電極63(図5参照)が走査線33に接続され、ソース電極66(図5参照)が信号線34に接続され、ドレイン電極69(図5参照)がフォトダイオード31に接続される。走査線33と信号線34は格子状に配線されており、走査線33は、撮像領域26内の画素24の行数分(n行分)、信号線34は画素24の列数分(m列分)それぞれ配線されている。走査線33は第1ゲートドライバ27に接続され、信号線34は信号処理回路28に接続される。   The pixel 24 includes a photodiode 31 that is a photoelectric conversion element that generates a charge upon incidence of visible light, a capacitor (not shown) that accumulates the charge generated by the photodiode 31, and a thin film transistor (TFT) 32 as a switching element. With. The TFT 32 has a gate electrode 63 (see FIG. 5) connected to the scanning line 33, a source electrode 66 (see FIG. 5) connected to the signal line 34, and a drain electrode 69 (see FIG. 5) connected to the photodiode 31. The The scanning lines 33 and the signal lines 34 are wired in a lattice pattern. The scanning lines 33 are the number of rows of the pixels 24 in the imaging region 26 (n rows), and the signal lines 34 are the number of columns of the pixels 24 (m Each column is wired. The scanning line 33 is connected to the first gate driver 27, and the signal line 34 is connected to the signal processing circuit 28.

第1ゲートドライバ27は、X線の入射の有無に関わらず画素24に発生する暗電荷を、リセットするリセット動作と、X線の入射量に応じた信号電荷を画素24に蓄積する蓄積動作と、画素24から信号電荷を読み出す読み出し動作の3つの動作を行わせる駆動手段である。   The first gate driver 27 resets dark charges generated in the pixels 24 regardless of whether X-rays are incident or not, and accumulates signal charges corresponding to the amount of incident X-rays in the pixels 24. , Driving means for performing three operations of reading out the signal charge from the pixel 24.

第1ゲートドライバ27がTFT32をオフ状態にしている間、FPD21は、画素24に信号電荷を蓄積する蓄積動作を行う。読み出し動作では、第1ゲートドライバ27が、TFT32を駆動する駆動用パルスであるゲートパルスG1〜Gnを順次発生して、走査線33を1行ずつ順に活性化し、1本の走査線33に接続されたTFT32を1行分ずつオン状態とする。画素24のキャパシタに蓄積された電荷は、TFT32がオン状態になると信号線34に読み出されて、信号処理回路28に入力される。   While the first gate driver 27 turns off the TFT 32, the FPD 21 performs an accumulation operation for accumulating signal charges in the pixels 24. In the read operation, the first gate driver 27 sequentially generates gate pulses G1 to Gn, which are driving pulses for driving the TFT 32, sequentially activates the scanning lines 33 row by row, and connects to one scanning line 33. The TFTs 32 thus turned on are turned on line by line. The electric charge accumulated in the capacitor of the pixel 24 is read out to the signal line 34 and input to the signal processing circuit 28 when the TFT 32 is turned on.

信号処理回路28は、積分アンプ36、マルチプレクサ(MUX)37、及びA/D変換器38を備える。積分アンプ36は、各信号線34に対して個別に接続される。積分アンプ36は、オペアンプとオペアンプの入出力端子間に接続されたキャパシタとからなり、信号線34はオペアンプの一方の入力端子に接続される。もう一方の入力端子はグランド(GND)に接続される。積分アンプ36は、信号線34から入力される電荷を積算し、電圧信号D1〜Dmに変換して出力する。すべての積分アンプ36の出力端子には、共通にMUX37が接続される。MUX37の出力側には、A/D変換器38が接続される。   The signal processing circuit 28 includes an integration amplifier 36, a multiplexer (MUX) 37, and an A / D converter 38. The integrating amplifier 36 is individually connected to each signal line 34. The integrating amplifier 36 includes an operational amplifier and a capacitor connected between the input and output terminals of the operational amplifier, and the signal line 34 is connected to one input terminal of the operational amplifier. The other input terminal is connected to the ground (GND). The integrating amplifier 36 integrates the charges input from the signal line 34, converts them into voltage signals D1 to Dm, and outputs them. A common MUX 37 is connected to the output terminals of all the integrating amplifiers 36. An A / D converter 38 is connected to the output side of the MUX 37.

MUX37は、パラレルに接続される複数の積分アンプ36から順に1つの積分アンプ36を選択し、選択した積分アンプ36から出力される電圧信号D1〜DmをシリアルにA/D変換器38に入力する。A/D変換器38は、入力された電圧信号D1〜Dmをデジタルデータに変換して、メモリ22に出力する。こうして被写体HのX線画像を表す画像データが検出される。   The MUX 37 selects one integration amplifier 36 in order from a plurality of integration amplifiers 36 connected in parallel, and serially inputs voltage signals D1 to Dm output from the selected integration amplifier 36 to the A / D converter 38. . The A / D converter 38 converts the input voltage signals D <b> 1 to Dm into digital data and outputs the digital data to the memory 22. Thus, image data representing the X-ray image of the subject H is detected.

また、積分アンプ36には、積分した電荷をリセットするリセットスイッチ36aが設けられている。リセットスイッチ36aは、制御部29から出力されるリセットパルス(リセット信号)RST1によってオンする。画素24に発生する暗電荷のリセット動作は、リセットスイッチ36aにより次のように行われる。第1ゲートドライバ27は、走査線33に対してゲートパルスG1〜Gnを順に発生して画素24のTFT32を1行ずつオン状態にする。TFT32がオン状態になっている間、画素24に蓄積された暗電荷が信号線34を通じて積分アンプ36に流れる。制御部29は、各ゲートパルスG1〜Gnと同期して、リセットパルスRST1を出力し、積分アンプ36とフォトダイオード31をリセットする。こうしたリセット動作がX線の照射が開始されるまでの間、周期的に繰り返される。   The integrating amplifier 36 is provided with a reset switch 36a for resetting the integrated charge. The reset switch 36a is turned on by a reset pulse (reset signal) RST1 output from the control unit 29. The reset operation of dark charges generated in the pixel 24 is performed by the reset switch 36a as follows. The first gate driver 27 sequentially generates gate pulses G1 to Gn for the scanning line 33 to turn on the TFTs 32 of the pixels 24 row by row. While the TFT 32 is in the ON state, the dark charge accumulated in the pixel 24 flows to the integrating amplifier 36 through the signal line 34. The controller 29 outputs a reset pulse RST1 in synchronization with the gate pulses G1 to Gn, and resets the integrating amplifier 36 and the photodiode 31. Such a reset operation is periodically repeated until X-ray irradiation is started.

また、FPD21には、X線源12の照射状態、具体的には、X線源12によるX線の照射が開始されたこと(照射開始)及び照射が停止されたこと(照射停止)を検出する照射検出部(照射検出手段)が設けられている。照射検出部は、撮像領域26内に設けられた検出用素子部41と、検出用素子部41を駆動する第2ゲートドライバ42と、検出用素子部41からの信号が入力されるオペアンプ43と、オペアンプ43からの出力信号に基づいて、X線の照射開始及び照射停止を判定する制御部29とからなる。   The FPD 21 detects the irradiation state of the X-ray source 12, specifically, the start of X-ray irradiation by the X-ray source 12 (irradiation start) and the stop of irradiation (irradiation stop). An irradiation detection unit (irradiation detection means) is provided. The irradiation detection unit includes a detection element unit 41 provided in the imaging region 26, a second gate driver 42 that drives the detection element unit 41, and an operational amplifier 43 to which a signal from the detection element unit 41 is input. The control unit 29 determines the start and stop of X-ray irradiation based on the output signal from the operational amplifier 43.

検出用素子部41は、第1検出用素子(以下、第1素子と呼ぶ)44と第2検出用素子(以下、第2素子と呼ぶ)46の1組の検出用素子からなる。第1素子44は、画素24と同様にX線の入射量に応じた信号電荷を蓄積する素子であり、第2素子46は、X線の入射の有無に関わらず発生する暗電荷のみを蓄積する素子である。第1素子44と第2素子46は、隣接して配置されている。第1素子44と第2素子46のサイズ(撮像領域26内において占有する面積)と配列ピッチpは、画素24と同じであり、第1素子44と第2素子46は、撮像領域26内において、画素24の一部を置換した形態で配置されている。   The detection element section 41 is composed of a set of detection elements including a first detection element (hereinafter referred to as a first element) 44 and a second detection element (hereinafter referred to as a second element) 46. The first element 44 is an element that accumulates signal charges corresponding to the amount of incident X-rays, like the pixel 24, and the second element 46 only accumulates dark charges that are generated regardless of whether or not X-rays are incident. It is an element to do. The first element 44 and the second element 46 are disposed adjacent to each other. The size (area occupied in the imaging region 26) and the arrangement pitch p of the first element 44 and the second element 46 are the same as those of the pixel 24, and the first element 44 and the second element 46 are within the imaging region 26. The pixel 24 is arranged in a partly replaced form.

検出用素子部41は、画素24として機能しないので、メモリ22に出力されるX線画像データにおいて、検出用素子部41の位置に対応するデータは欠落する。データの欠落部分は、隣接画素の画素値に基づいて補間されるが、データの欠落部分は目立たない位置にあることが好ましい。検出用素子部41は、被写体Hに向けて照射されたX線が入射する領域内にあればよいので、撮像領域26の中心領域を避けて外周付近に配置される。   Since the detection element unit 41 does not function as the pixel 24, data corresponding to the position of the detection element unit 41 is missing in the X-ray image data output to the memory 22. The missing portion of data is interpolated based on the pixel value of the adjacent pixel, but the missing portion of data is preferably in an inconspicuous position. Since the detection element unit 41 only needs to be in a region where X-rays irradiated toward the subject H are incident, the detection element unit 41 is disposed near the outer periphery, avoiding the central region of the imaging region 26.

図3に示すように、第1素子44と第2素子46は、画素24と同様に、それぞれフォトダイオード47、48と、キャパシタ50と、TFT49とから構成されている。フォトダイオード48は、シンチレータ84が発生する可視光を遮蔽する遮蔽膜を有しており、第2素子46は、遮蔽膜によって入射する可視光を遮蔽することによって暗電荷のみを蓄積する。   As shown in FIG. 3, the first element 44 and the second element 46 are composed of photodiodes 47 and 48, a capacitor 50, and a TFT 49, as in the pixel 24. The photodiode 48 has a shielding film that shields visible light generated by the scintillator 84, and the second element 46 accumulates only dark charges by shielding the visible light incident by the shielding film.

第2ゲートドライバ42は、走査線54によって、第1素子44及び第2素子46のそれぞれのTFT49のゲート電極63(図7、8参照)に接続されている。第2ゲートドライバ42は、走査線54を通じて第1素子44及び第2素子46に対して駆動用のゲートパルスXGを与えて、第1素子44及び第2素子46のTFT49を同時にオン状態にする。   The second gate driver 42 is connected to the gate electrode 63 (see FIGS. 7 and 8) of the TFT 49 of each of the first element 44 and the second element 46 by the scanning line 54. The second gate driver 42 applies a driving gate pulse XG to the first element 44 and the second element 46 through the scanning line 54 to simultaneously turn on the TFTs 49 of the first element 44 and the second element 46. .

第1素子44及び第2素子46の各TFT49のドレイン電極69(図7、8参照)は、それぞれフォトダイオード47、48に接続されており、ソース電極66(図7、8参照)は、それぞれ出力線51、52に接続されている。   The drain electrode 69 (see FIGS. 7 and 8) of each TFT 49 of the first element 44 and the second element 46 is connected to the photodiodes 47 and 48, respectively, and the source electrode 66 (see FIGS. 7 and 8) is respectively The output lines 51 and 52 are connected.

第1素子44と第2素子46のキャパシタ50には、フォトダイオード47、48が発生する電荷Cx、Crが蓄積される。TFT49がオン状態にされると、出力線51、52を通じて、第1素子44及び第2素子46の蓄積電荷Cx、Crに対応する電圧Vx、Vrがオペアンプ43の2つの入力端子に出力される。電圧Vxは、第1素子44の蓄積電荷Cxに応じて発生する電圧信号であり、X線の入射量に応じた電圧値を示す。電圧Vrは、第2素子46の蓄積電荷Crに応じて発生する電圧信号であり、第2素子46が蓄積する暗電荷に応じた電圧値を示す。暗電荷は、第1素子44においても発生するので、電圧Vxにも、暗電荷に応じた電圧値が含まれる。   Charges Cx and Cr generated by the photodiodes 47 and 48 are accumulated in the capacitors 50 of the first element 44 and the second element 46. When the TFT 49 is turned on, voltages Vx and Vr corresponding to the stored charges Cx and Cr of the first element 44 and the second element 46 are output to the two input terminals of the operational amplifier 43 through the output lines 51 and 52. . The voltage Vx is a voltage signal generated according to the accumulated charge Cx of the first element 44, and indicates a voltage value corresponding to the amount of incident X-rays. The voltage Vr is a voltage signal generated in accordance with the accumulated charge Cr of the second element 46, and indicates a voltage value corresponding to the dark charge accumulated in the second element 46. Since dark charges are also generated in the first element 44, the voltage Vx also includes a voltage value corresponding to the dark charges.

オペアンプ43は、入力された2つの電圧Vx、Vrの差分を増幅して、増幅した差分値を、アナログ信号である出力電圧Voutとして出力端子から出力する差動増幅器である。出力電圧Voutは、第1素子44と第2素子46の蓄積電荷量の差を表す。   The operational amplifier 43 is a differential amplifier that amplifies the difference between the two input voltages Vx and Vr and outputs the amplified difference value from the output terminal as an output voltage Vout that is an analog signal. The output voltage Vout represents the difference in the accumulated charge amount between the first element 44 and the second element 46.

オペアンプ43の出力端子は、制御部29に接続されている。制御部29は、出力電圧Voutに基づいて照射の開始及び停止を検出する。また、出力線51、52には、オペアンプ43の入力端子の手前に、第1素子44及び第2素子46の蓄積電荷をリセットするリセットスイッチ53が接続されている。制御部29は、リセットスイッチ53にリセットパルス(リセット信号)RST2を入力してリセットスイッチ53をオンする。リセットスイッチ53がオンされると、第1素子44及び第2素子46の蓄積電荷Cx、Crがグランド(GND)に放出される。   The output terminal of the operational amplifier 43 is connected to the control unit 29. The control unit 29 detects the start and stop of irradiation based on the output voltage Vout. The output lines 51 and 52 are connected to a reset switch 53 that resets the accumulated charges of the first element 44 and the second element 46 before the input terminal of the operational amplifier 43. The control unit 29 inputs a reset pulse (reset signal) RST <b> 2 to the reset switch 53 and turns on the reset switch 53. When the reset switch 53 is turned on, the accumulated charges Cx and Cr of the first element 44 and the second element 46 are discharged to the ground (GND).

図4のタイミングチャートに示すように、照射検出部によってX線の照射の開始が検出されるまでの間、第1ゲートドライバ27は、リセット動作を行う。リセット動作の間、第1ゲートドライバ27は、各走査線33に順にゲートパルスG1〜Gnを出力し、画素24のTFT32をオン状態にする。TFT32がオン状態にされると、積分アンプ36は、画素24から読み出された暗電荷を積分し、出力端子には、読み出した暗電荷に応じた電圧信号D1〜Dmが発生する。リセット動作の間は、MUX37は、積分アンプ36を選択しないので、積分アンプ36の出力端子に発生する電圧信号D1〜Dmは、MUX37から出力されない。   As shown in the timing chart of FIG. 4, the first gate driver 27 performs a reset operation until the irradiation detection unit detects the start of X-ray irradiation. During the reset operation, the first gate driver 27 sequentially outputs gate pulses G1 to Gn to the respective scanning lines 33 to turn on the TFTs 32 of the pixels 24. When the TFT 32 is turned on, the integrating amplifier 36 integrates the dark charge read from the pixel 24, and voltage signals D1 to Dm corresponding to the read dark charge are generated at the output terminal. During the reset operation, the MUX 37 does not select the integration amplifier 36, so that the voltage signals D 1 to Dm generated at the output terminal of the integration amplifier 36 are not output from the MUX 37.

制御部29は、各ゲートパルスG1〜Gnのそれぞれの立ち下がりとリセットパルスRST1の立ち下がりが一致するようにリセットパルスRST1を発生し、画素24のキャパシタと積分アンプ36のキャパシタ36aの暗電荷をリセットする。画素24の全ライン分の読み出し時間に相当する時間T1が経過すると、撮像領域26内の全画素24がリセットされる。こうしたリセット動作が周期的に繰り返される。   The control unit 29 generates the reset pulse RST1 so that the falling edges of the gate pulses G1 to Gn coincide with the falling edges of the reset pulse RST1, and the dark charges of the capacitor of the pixel 24 and the capacitor 36a of the integration amplifier 36 are generated. Reset. When a time T1 corresponding to the readout time for all the lines of the pixels 24 elapses, all the pixels 24 in the imaging region 26 are reset. Such a reset operation is repeated periodically.

リセット動作が行われている間、照射検出部は、X線源12によるX線の照射の開始を検出する検出動作を行う。照射開始の検出動作において、第2ゲートドライバ42は、時間T2の間隔でゲートパルスXGを発生してTFT49をオン状態にする。TFT49がオン状態にされると、蓄積電荷Cx、Crに応じた電圧Vx、Vrがオペアンプ43に入力される。制御部29は、オペアンプ43に電圧Vx、Vrが読み出される毎に、オペアンプ43の出力電圧Voutを読み出す。出力電圧Voutを読み出した後、制御部29は、ゲートパルスXGの立ち下がりとリセットパルスRST2の立ち下がりが一致するようにリセットパルスRST2を発生し、第1素子44と第2素子46の蓄積電荷Cx、Crをリセットする。   While the reset operation is being performed, the irradiation detection unit performs a detection operation for detecting the start of X-ray irradiation by the X-ray source 12. In the irradiation start detection operation, the second gate driver 42 generates a gate pulse XG at an interval of time T2 to turn on the TFT 49. When the TFT 49 is turned on, voltages Vx and Vr corresponding to the stored charges Cx and Cr are input to the operational amplifier 43. The control unit 29 reads the output voltage Vout of the operational amplifier 43 every time the voltages Vx and Vr are read to the operational amplifier 43. After reading the output voltage Vout, the control unit 29 generates the reset pulse RST2 so that the falling edge of the gate pulse XG coincides with the falling edge of the reset pulse RST2, and the accumulated charges of the first element 44 and the second element 46 are stored. Cx and Cr are reset.

X線の照射が開始されない間は、第1素子44にもX線の入射量に応じた信号電荷は発生しないので、蓄積電荷Cx、Crは、どちらもリセットパルスRST2の出力間隔(T2)の間に蓄積された暗電荷を表す。そのため、リセット動作の期間中は、電圧Vx、Vrは同じ値であるので、オペアンプ43の出力電圧Voutは「0」である。   While the X-ray irradiation is not started, no signal charge corresponding to the amount of incident X-rays is generated in the first element 44. Therefore, the accumulated charges Cx and Cr are both at the output interval (T2) of the reset pulse RST2. It represents the dark charge accumulated between them. Therefore, during the reset operation, the voltages Vx and Vr have the same value, so that the output voltage Vout of the operational amplifier 43 is “0”.

時点t01において、X線源12によるX線の照射が開始されると、第1素子44にはX線の入射量に応じた信号電荷が発生する。蓄積電荷Cxには、暗電荷に信号電荷が加算されるので、X線の照射が開始されると、開始前と比べて、蓄積電荷Cxが増加する。TFT49がオン状態にされたときに、その蓄積電荷Cxに応じた電圧Vxがオペアンプ43に入力される。一方、第2素子46のフォトダイオード48は遮蔽されているので、X線がFPD21に入射しても信号電荷は発生しない。そのため、X線の照射が開始される前後において、蓄積電荷Crとそれに応じた電圧Vrは変化しない。   When irradiation of X-rays by the X-ray source 12 is started at time t01, signal charges corresponding to the amount of incident X-rays are generated in the first element 44. Since the signal charge is added to the dark charge to the accumulated charge Cx, the accumulated charge Cx increases when X-ray irradiation is started compared to before the start. When the TFT 49 is turned on, a voltage Vx corresponding to the accumulated charge Cx is input to the operational amplifier 43. On the other hand, since the photodiode 48 of the second element 46 is shielded, no signal charge is generated even if X-rays enter the FPD 21. Therefore, the accumulated charge Cr and the corresponding voltage Vr do not change before and after the start of X-ray irradiation.

電圧Vxが増加すると電圧Vrとの間に差が生じるので、オペアンプ43の出力電圧Voutは上昇する。制御部29は、ゲートパルスXGの発生タイミングと同期して、オペアンプ43の出力電圧Voutを読み出し、出力電圧Voutが「0」から上昇したかを監視する。そして、電圧Voutが上昇した場合に、X線の照射開始を検出する。制御部29は、X線の照射開始を検出すると、第1ゲートドライバ27に制御信号を送り、ゲートパルスG1〜Gnの出力を停止させる。これにより、全画素24のTFT32がオフ状態となり、画素24がリセット動作から蓄積動作へ移行する。   When the voltage Vx increases, a difference is generated between the voltage Vr and the output voltage Vout of the operational amplifier 43 increases. The control unit 29 reads the output voltage Vout of the operational amplifier 43 in synchronization with the generation timing of the gate pulse XG, and monitors whether the output voltage Vout has increased from “0”. When the voltage Vout increases, the start of X-ray irradiation is detected. When detecting the start of X-ray irradiation, the control unit 29 sends a control signal to the first gate driver 27 to stop the output of the gate pulses G1 to Gn. Thereby, the TFTs 32 of all the pixels 24 are turned off, and the pixels 24 shift from the reset operation to the accumulation operation.

蓄積動作においては、X線の入射量に応じて画素24に信号電荷が蓄積される。制御部29は、照射開始を検出した後は、照射停止の検出動作を行う。蓄積動作が行われている間も、第2ゲートドライバ42は、時間T2の間隔でゲートパルスXGを発生し、第1素子44及び第2素子46のTFT49を周期的にオン状態にして、第1素子44及び第2素子46の電圧Vx、Vrが周期的にオペアンプ43に入力される。制御部29は、電圧Vx、Vrが入力される毎にオペアンプ43の出力電圧Voutを読み出し、出力電圧Voutが「0」に下降したか否かを監視して、照射の停止を検出する検出動作を行う。制御部29は、出力電圧Voutを読み出した後、リセットパルスRST2を発生して蓄積電荷Cx、Crをリセットする。   In the accumulation operation, signal charges are accumulated in the pixels 24 in accordance with the amount of incident X-rays. After detecting the irradiation start, the control unit 29 performs an irradiation stop detection operation. Even during the accumulation operation, the second gate driver 42 generates the gate pulse XG at intervals of time T2, periodically turns on the TFTs 49 of the first element 44 and the second element 46, and The voltages Vx and Vr of the first element 44 and the second element 46 are periodically input to the operational amplifier 43. The control unit 29 reads out the output voltage Vout of the operational amplifier 43 every time the voltages Vx and Vr are input, monitors whether the output voltage Vout has dropped to “0”, and detects the stop of irradiation. I do. After reading the output voltage Vout, the control unit 29 generates a reset pulse RST2 to reset the accumulated charges Cx and Cr.

X線の照射が停止すると、第1素子44における信号電荷の発生が停止し、蓄積電荷Cxの上昇が停止する。本例において、X線の照射が停止した直後のゲートパルスXGの発生によって読み出される電圧Vxに対応する蓄積電荷Cxの蓄積期間は、X線の照射期間と一部オーバラップしているので、蓄積電荷CxにはX線の照射が停止される前に発生した信号電荷が含まれている。このため、照射停止後、第1素子44及び第2素子46から1回目にオペアンプ43に出力される電圧Vx、Vrには差があるので、オペアンプ43の出力電圧Voutも「0」にはならない。   When the X-ray irradiation is stopped, the generation of the signal charge in the first element 44 is stopped, and the increase of the accumulated charge Cx is stopped. In this example, the accumulation period of the accumulated charge Cx corresponding to the voltage Vx read by the generation of the gate pulse XG immediately after the X-ray irradiation is stopped partially overlaps with the X-ray irradiation period. The charge Cx includes a signal charge generated before the X-ray irradiation is stopped. For this reason, there is a difference between the voltages Vx and Vr output to the operational amplifier 43 for the first time from the first element 44 and the second element 46 after the irradiation is stopped, so that the output voltage Vout of the operational amplifier 43 does not become “0”. .

これに対して、次のゲートパルスXGによって読み出される蓄積電荷Cxの蓄積期間は、X線の照射期間とオーバラップしていないので、照射停止後、第1素子44及び第2素子46から2回目に読み出される電圧Vx、Vrの差は「0」になり、オペアンプ43の出力電圧Voutも「0」になる。制御部29は、出力電圧Voutが「0」になった時点t02において、照射停止を検出する。   On the other hand, since the accumulation period of the accumulated charge Cx read by the next gate pulse XG does not overlap with the X-ray irradiation period, the second time from the first element 44 and the second element 46 after the irradiation is stopped. The difference between the voltages Vx and Vr read out is “0”, and the output voltage Vout of the operational amplifier 43 is also “0”. The controller 29 detects the irradiation stop at time t02 when the output voltage Vout becomes “0”.

制御部29によって照射停止が検出されると、制御部29は、第1ゲートドライバ27を通じて画素24を蓄積動作から読み出し動作に移行させる。読み出し動作において、第1ゲートドライバ27は、ゲートパルスG1〜Gnを順次発生し、画素24に蓄積された信号電荷は、1行ずつ信号線34を通じて信号処理部28に読み出される。   When the stop of irradiation is detected by the control unit 29, the control unit 29 shifts the pixel 24 from the accumulation operation to the read operation through the first gate driver 27. In the read operation, the first gate driver 27 sequentially generates gate pulses G1 to Gn, and the signal charges accumulated in the pixels 24 are read to the signal processing unit 28 through the signal line 34 row by row.

読み出し動作に移行すると、第2ゲートドライバ42からのゲートパルスXGの出力と、制御部29からのリセットパルスRST2の出力が停止する。これにより、再びリセット動作が開始されるまでの間、照射の開始及び停止を検出する照射検出動作が停止される。   When the read operation is started, the output of the gate pulse XG from the second gate driver 42 and the output of the reset pulse RST2 from the control unit 29 are stopped. Thereby, the irradiation detection operation for detecting the start and stop of irradiation is stopped until the reset operation is started again.

図5及び図6に示すように、FPD21の撮像パネル61において、ガラス基板62上にフォトダイオード31とTFT32が形成されて画素24が形成される。図5に示す断面は、図6に示す平面図のA−A線で示す断面である。ガラス基板62上には、まず、ゲート電極63とブリッジ配線64が形成される。ブリッジ配線64は、信号線34、出力線51、52に対して直交して配置され、信号線34、出力線51、52のいずれかとTFT32のソース電極66とのコンタクトを得るための配線である。画素24の構成を示す図5においては、ブリッジ配線64は、コンタクトホール65を介して信号線34と接続されている。   As shown in FIGS. 5 and 6, in the imaging panel 61 of the FPD 21, the photodiode 31 and the TFT 32 are formed on the glass substrate 62 to form the pixel 24. The cross section shown in FIG. 5 is a cross section shown by the AA line of the plan view shown in FIG. On the glass substrate 62, first, a gate electrode 63 and a bridge wiring 64 are formed. The bridge wiring 64 is arranged to be orthogonal to the signal line 34 and the output lines 51 and 52, and is a wiring for obtaining a contact between one of the signal line 34 and the output lines 51 and 52 and the source electrode 66 of the TFT 32. . In FIG. 5 showing the configuration of the pixel 24, the bridge wiring 64 is connected to the signal line 34 through the contact hole 65.

ゲート電極63とブリッジ配線64の上には、ゲート絶縁層67が形成される。ゲート電極63の上方において、ゲート絶縁層67の上層に半導体活性層68が形成される。ゲート絶縁層67の上層には、半導体活性層68の一部とオーバラップするように、TFT32のソース電極66とドレイン電極69が形成される。ソース電極66とドレイン電極69の上層には、保護膜71が形成される。   A gate insulating layer 67 is formed on the gate electrode 63 and the bridge wiring 64. A semiconductor active layer 68 is formed on the gate insulating layer 67 above the gate electrode 63. A source electrode 66 and a drain electrode 69 of the TFT 32 are formed on the gate insulating layer 67 so as to overlap a part of the semiconductor active layer 68. A protective film 71 is formed on the source electrode 66 and the drain electrode 69.

保護膜71の上層には、信号線34、出力線51、52が形成され、これらと同層に、ドレイン電極69とフォトダイオード31の下部電極72を接続するための接続線73と、ブリッジ配線74(図6参照)と、接続線75が形成される。ブリッジ配線74は、ゲート電極63と、走査線33、47のいずれかとのコンタクトを得るための配線であり、画素24の平面構成を示す図6においては、コンタクトホール74aを介して、ゲート電極63と走査線33が接続されている。接続線75は、ソース電極66とブリッジ配線64を接続する。   A signal line 34 and output lines 51 and 52 are formed in the upper layer of the protective film 71. In the same layer as these, a connection line 73 for connecting the drain electrode 69 and the lower electrode 72 of the photodiode 31, and a bridge wiring 74 (see FIG. 6) and a connection line 75 are formed. The bridge wiring 74 is a wiring for obtaining a contact between the gate electrode 63 and one of the scanning lines 33 and 47. In FIG. 6 showing the planar configuration of the pixel 24, the gate electrode 63 is connected via the contact hole 74a. And the scanning line 33 are connected. The connection line 75 connects the source electrode 66 and the bridge wiring 64.

保護膜71の上層には、層間絶縁膜76が形成され、その上層にフォトダイオード31が形成される。フォトダイオード31は、下部電極72と上部電極77によって、半導体層を挟み込んだものであり、半導体層78は、下層から順に、P型半導体層78a、I層(真性半導体層)78b、N型半導体層78cが形成されたPIN型フォトダイオードである。フォトダイオード31の上部電極77は、可視光を透過する透明電極で形成される。   An interlayer insulating film 76 is formed on the protective film 71, and the photodiode 31 is formed on the interlayer insulating film 76. The photodiode 31 has a semiconductor layer sandwiched between a lower electrode 72 and an upper electrode 77, and the semiconductor layer 78 includes a P-type semiconductor layer 78a, an I layer (intrinsic semiconductor layer) 78b, and an N-type semiconductor in order from the lower layer. This is a PIN photodiode in which the layer 78c is formed. The upper electrode 77 of the photodiode 31 is formed of a transparent electrode that transmits visible light.

フォトダイオード31の下部電極72と、TFT32のドレイン電極69と、層間絶縁膜76によってキャパシタが構成される。上部電極77の上方には、絶縁膜81が形成され、絶縁膜81を介して、各フォトダイオード31の上部電極77にバイアス電圧を印加するための共通配線82が形成される。   The lower electrode 72 of the photodiode 31, the drain electrode 69 of the TFT 32, and the interlayer insulating film 76 constitute a capacitor. An insulating film 81 is formed above the upper electrode 77, and a common wiring 82 for applying a bias voltage to the upper electrode 77 of each photodiode 31 is formed via the insulating film 81.

フォトダイオード31が形成された後、その上方には保護層83を挟んでシンチレータ84が形成される。シンチレータ84は、ヨウ化セシウム(CSI)やガドリニウムオキシサルファイド(GOS)などからなる蛍光体であり、X線を可視光に変換する。シンチレータ84は、画素24が配列された撮像領域26の全面を覆う大きさを持っている。画素24のフォトダイオード31は、上部電極77が透明なので、シンチレータ84が発光する可視光が半導体層78に入射する。   After the photodiode 31 is formed, a scintillator 84 is formed above the protective layer 83 with the protective layer 83 interposed therebetween. The scintillator 84 is a phosphor made of cesium iodide (CSI), gadolinium oxysulfide (GOS), or the like, and converts X-rays into visible light. The scintillator 84 has a size that covers the entire surface of the imaging region 26 in which the pixels 24 are arranged. In the photodiode 31 of the pixel 24, since the upper electrode 77 is transparent, visible light emitted from the scintillator 84 enters the semiconductor layer 78.

図7〜図10に示すように、検出用素子部41を構成する第1素子44及び第2素子46も、画素24とほぼ同様の構成である。同一部分には同一符号を付して説明を省略し、相違点を中心に説明する。   As shown in FIGS. 7 to 10, the first element 44 and the second element 46 constituting the detection element unit 41 have substantially the same configuration as the pixel 24. The same parts are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and differences will be mainly described.

図7及び図9に示す第1素子44は、層構造が画素24と同一であり、相違点は、TFT49のゲート電極63が、走査線33の代わりに、コンタクトホール74bを介して走査線54と接続されている点と、TFT49のソース電極66が、信号線34の代わりに、コンタクトホール65を介して出力線51と接続されている点である。第1素子44のフォトダイオード47の上部電極77も、画素24と同様に透明である。   The first element 44 shown in FIGS. 7 and 9 has the same layer structure as that of the pixel 24. The difference is that the gate electrode 63 of the TFT 49 is replaced with the scanning line 54 via the contact hole 74b instead of the scanning line 33. And the source electrode 66 of the TFT 49 is connected to the output line 51 via the contact hole 65 instead of the signal line 34. The upper electrode 77 of the photodiode 47 of the first element 44 is also transparent like the pixel 24.

図8及び図10に示す第2素子46についても、フォトダイオード48の上部電極86を除いて、画素24及び第1素子44と層構造は同一である。第1素子44との相違点は、TFT49のソース電極66が、出力線51の代わりに、コンタクトホール65を介して出力線52と接続されている点である。上部電極86は、可視光を透過しない不透明材料が使用されており、フォトダイオード48の半導体層78には、シンチレータ84からの可視光は入射しない。そのため、第2素子46は、暗電荷のみ出力する。   The second element 46 shown in FIGS. 8 and 10 also has the same layer structure as the pixel 24 and the first element 44 except for the upper electrode 86 of the photodiode 48. The difference from the first element 44 is that the source electrode 66 of the TFT 49 is connected to the output line 52 via the contact hole 65 instead of the output line 51. The upper electrode 86 is made of an opaque material that does not transmit visible light. Visible light from the scintillator 84 does not enter the semiconductor layer 78 of the photodiode 48. Therefore, the second element 46 outputs only dark charges.

このように、画素24と、第1素子44及び第2素子46は、ほぼ同一の構造をしているので、画素24の製造工程において、第1素子44及び第2素子46を同時に形成できるため製造効率がよい。また、第2素子46において、上部電極86と可視光を遮蔽する遮蔽部材とを兼用しているため、遮蔽部材を別に追加する場合と比べて、部品点数の増加もなく、製造効率もよい。   Thus, since the pixel 24 and the first element 44 and the second element 46 have substantially the same structure, the first element 44 and the second element 46 can be formed simultaneously in the manufacturing process of the pixel 24. Manufacturing efficiency is good. Further, in the second element 46, since the upper electrode 86 and the shielding member that shields visible light are used together, the number of parts is not increased and the manufacturing efficiency is good as compared with the case where the shielding member is added separately.

以下、上記構成による作用について、図11に示すフローチャートを用いて説明する。電子カセッテ13で被写体Hの撮影を行う場合、電子カセッテ13の位置と被写体Hの撮影部位のポジショニングを行う。X線源制御部15に対して、管電流、管電圧及び照射時間などの撮影条件を設定する。そして、電子カセッテ13を起動して、リセット動作を開始させる(ステップ(S)101)。図4に示すように、リセット動作では、第1ゲートドライバ27が走査線33を通じてゲートパルスG1〜Gnを順次出力して、画素24のTFT32を1ライン毎に駆動し、その駆動タイミングに合わせて制御部29がリセットパルスRST1を出力する。これにより、画素24に蓄積される暗電荷がリセットされる。   Hereinafter, the operation of the above configuration will be described with reference to the flowchart shown in FIG. When photographing the subject H with the electronic cassette 13, the position of the electronic cassette 13 and the photographing part of the subject H are positioned. Imaging conditions such as tube current, tube voltage, and irradiation time are set for the X-ray source control unit 15. Then, the electronic cassette 13 is activated to start a reset operation (step (S) 101). As shown in FIG. 4, in the reset operation, the first gate driver 27 sequentially outputs gate pulses G1 to Gn through the scanning line 33 to drive the TFTs 32 of the pixels 24 for each line, and according to the drive timing. The control unit 29 outputs a reset pulse RST1. As a result, the dark charge accumulated in the pixel 24 is reset.

また、リセット動作が開始されると、照射検出部も作動して、照射開始の検出動作が開始される(S102)。照射開始の検出動作では、第2ゲートドライバ42が走査線54を通じてゲートパルスXGを第1素子44及び第2素子46のTFT49に出力して、第1素子44及び第2素子46が出力する電圧Vx、Vrを読み出す。制御部29は、オペアンプ43の出力電圧Voutの上昇を監視する。照射開始を検出するまでの間、照射開始の検出動作を継続する(S102でN)。   When the reset operation is started, the irradiation detection unit is also activated to start the irradiation start detection operation (S102). In the irradiation start detection operation, the second gate driver 42 outputs the gate pulse XG to the TFT 49 of the first element 44 and the second element 46 through the scanning line 54, and the voltage output by the first element 44 and the second element 46. Read Vx and Vr. The control unit 29 monitors the increase in the output voltage Vout of the operational amplifier 43. Until the start of irradiation is detected, the detection operation for starting irradiation is continued (N in S102).

照射スイッチ18が押下されると、X線源12が撮影条件に応じた管電流及び管電圧でX線の照射が開始される。照射が開始されると、電圧Vxが上昇し、電圧Vrとの間に差が生じるため、オペアンプ43の出力電圧Voutが上昇する。制御部29は、出力電圧Voutの立ち上がりを検知して、照射開始を検出する(S102でY)。   When the irradiation switch 18 is pressed, the X-ray source 12 starts X-ray irradiation with a tube current and a tube voltage corresponding to the imaging conditions. When the irradiation is started, the voltage Vx rises and a difference from the voltage Vr occurs, so that the output voltage Vout of the operational amplifier 43 rises. The control unit 29 detects the rise of the output voltage Vout and detects the start of irradiation (Y in S102).

制御部29は、照射開始を検出すると、画素24のリセット動作を停止して(S103)、蓄積動作を開始させる(S104)。蓄積動作では、画素24にX線が入射し、それに応じた信号電荷が蓄積される。蓄積動作が開始された後、制御部29は、照射停止の検出動作を開始する(S105)。X線照射期間においては、時間T2の間隔で発生するリセットパルスRST2の間、第1素子44が出力する電圧Vxは増加する。照射停止の検出動作において、制御部29は、オペアンプ43の出力電圧Voutが「0」に下降するのを監視する。   When detecting the start of irradiation, the control unit 29 stops the reset operation of the pixel 24 (S103) and starts the accumulation operation (S104). In the accumulation operation, X-rays are incident on the pixels 24 and signal charges corresponding thereto are accumulated. After the accumulation operation is started, the control unit 29 starts an irradiation stop detection operation (S105). In the X-ray irradiation period, the voltage Vx output from the first element 44 increases during the reset pulse RST2 generated at the interval of time T2. In the irradiation stop detection operation, the control unit 29 monitors that the output voltage Vout of the operational amplifier 43 drops to “0”.

撮影条件で設定された照射時間が経過して、X線源12の照射が停止すると、第1素子44へのX線の入射も停止する。制御部29は、オペアンプ43の出力電圧Voutが「0」になったときに、照射停止を検出する(S105でY)。制御部29は、照射停止が検出されると、蓄積動作を停止して(S106)、読み出し動作(S107)を開始する。読み出し動作では、画素24の蓄積電荷が信号線34を通じて積分アンプ36に読み出される。MUX37を介して読み出された電圧信号D1〜Dmは、A/D変換器38でデジタルな画像データに変換され、画像データがメモリ22に書き込まれる。画素24の全ライン分の読み出しが終了すると(S108)、メモリ22に書き込まれた画像データは、通信部23によってコンソール16に送信される。   When the irradiation time set in the imaging conditions has elapsed and the irradiation of the X-ray source 12 is stopped, the incidence of X-rays on the first element 44 is also stopped. When the output voltage Vout of the operational amplifier 43 becomes “0”, the control unit 29 detects the irradiation stop (Y in S105). When the irradiation stop is detected, the control unit 29 stops the accumulation operation (S106) and starts the reading operation (S107). In the read operation, the accumulated charge in the pixel 24 is read to the integrating amplifier 36 through the signal line 34. The voltage signals D1 to Dm read through the MUX 37 are converted into digital image data by the A / D converter 38, and the image data is written into the memory 22. When reading of all the lines of the pixels 24 is completed (S108), the image data written in the memory 22 is transmitted to the console 16 by the communication unit 23.

読み出し動作が開始されると、照射停止の検出動作も停止される。次の撮影がある場合には(S109でY)、再びリセット動作が開始される。次の撮影が無い場合には(S109でN)、電子カセッテ13の電源を落として撮影を終了する。   When the reading operation is started, the irradiation stop detection operation is also stopped. If there is a next shooting (Y in S109), the reset operation is started again. If there is no next shooting (N in S109), the power of the electronic cassette 13 is turned off to end the shooting.

本発明のように、第1素子44と第2素子46の1組の素子からなる検出用素子部41を用い、第1素子44が出力する電圧Vxと、第2素子46が出力する暗電荷に対応する電圧Vrとの差に基づいて、照射検出動作を行うと、図12に示す比較例の照射検出部と比べて、FPD21に発生するシステムノイズがある場合でも、照射検出を正確に行うことができる。以下、その理由について、図13〜図15を参照しながらより詳細に説明する。   As in the present invention, the detection element unit 41 including a pair of the first element 44 and the second element 46 is used, and the voltage Vx output from the first element 44 and the dark charge output from the second element 46 are used. When the irradiation detection operation is performed based on the difference from the voltage Vr corresponding to, the irradiation detection is accurately performed even when there is a system noise generated in the FPD 21 as compared with the irradiation detection unit of the comparative example shown in FIG. be able to. Hereinafter, the reason will be described in more detail with reference to FIGS.

図12に示す比較例の照射検出部は、第2素子46を設けずに、オペアンプ43に電圧値が固定された基準電圧Vrfを入力し、第1素子44が出力する電圧Vxと、基準電圧Vrfとの差に基づいて照射検出を行う点で、図3に示す本発明の照射検出部と相違する。基準電圧Vrfは、第1素子44が発生する暗電荷を想定して設定された固定値の基準電圧である。その他の点については本発明と同様である。   The irradiation detection unit of the comparative example shown in FIG. 12 does not include the second element 46, inputs the reference voltage Vrf having a fixed voltage value to the operational amplifier 43, and outputs the voltage Vx output from the first element 44 and the reference voltage. 3 is different from the irradiation detection unit of the present invention shown in FIG. 3 in that irradiation detection is performed based on the difference from Vrf. The reference voltage Vrf is a fixed value reference voltage set assuming dark charges generated by the first element 44. Other points are the same as in the present invention.

図13に示すように、FPD21にシステムノイズが発生すると、FPD21の第1素子44及び第2素子46の蓄積電荷Cx、Cr、電圧Vx、Vrに対してシステムノイズが重畳される。システムノイズは、TFTの暗電流に起因するドリフト性ノイズ、ゲートドライバなどの駆動回路に大きな電流が流れたときの大電流変動や筐体に振動や衝撃が加わった場合のキャパシタの静電容量の変動などに起因するノイズなどからなり、これらは同相に発生するノイズが多い。システムノイズは、急峻に立ち上がる高周波ノイズや、比較的緩やかに変動する低周波ノイズとして、また、両者が混合された形態で現れる。   As shown in FIG. 13, when system noise occurs in the FPD 21, the system noise is superimposed on the accumulated charges Cx, Cr, voltages Vx, Vr of the first element 44 and the second element 46 of the FPD 21. System noise includes drift noise due to the dark current of TFT, large current fluctuation when a large current flows through a drive circuit such as a gate driver, and the capacitance of a capacitor when vibration or shock is applied to the case. It consists of noise caused by fluctuations, etc., and there are many noises generated in the same phase. System noise appears as high-frequency noise that rises steeply, low-frequency noise that fluctuates relatively slowly, or a mixture of both.

図13に示すケースでは、X線の照射開始のタイミングと、リセットパルスRST2が発生するタイミングがほぼ一致しており、第1素子44が信号電荷を蓄積する、次のリセットパルスRST2までの蓄積期間が最大になっているケースである。第1素子44が信号電荷を蓄積する蓄積期間が長い場合には、第1素子44の信号電荷の蓄積量が多くなるため、オペアンプ43に出力される電圧Vxも比較的大きな値となる。   In the case shown in FIG. 13, the X-ray irradiation start timing substantially coincides with the generation timing of the reset pulse RST2, and the accumulation period until the next reset pulse RST2 in which the first element 44 accumulates signal charges. Is the largest case. When the accumulation period in which the first element 44 accumulates signal charges is long, the amount of signal charges accumulated in the first element 44 increases, so that the voltage Vx output to the operational amplifier 43 also has a relatively large value.

そのため、図13(A)に示す本発明における出力電圧Voutに相当する、電圧Vxと電圧Vrの差Wも、図13(B)に示す比較例における出力電圧Voutに相当する、電圧Vxと基準電圧Vrfとの差Wも比較的大きな値となる。出力電圧Voutが大きければ、比較例の場合でも、基準電圧Vrfを上回る電圧Vrを得ることができる。また、システムノイズが発生した場合でも、S/N比が大きくなるので、比較的安定した検出が可能となる。図13に示すケースでは、本発明及び比較例のどちらの場合でも、X線の照射開始後、1回目の出力電圧Voutを読み出した時点t1において、照射開始を検出している。   Therefore, the difference W between the voltage Vx and the voltage Vr corresponding to the output voltage Vout in the present invention shown in FIG. 13A is also equivalent to the voltage Vx and the reference corresponding to the output voltage Vout in the comparative example shown in FIG. The difference W from the voltage Vrf is also a relatively large value. If the output voltage Vout is large, the voltage Vr exceeding the reference voltage Vrf can be obtained even in the comparative example. Even when system noise occurs, the S / N ratio becomes large, so that relatively stable detection is possible. In the case shown in FIG. 13, in both cases of the present invention and the comparative example, the irradiation start is detected at the time t1 when the first output voltage Vout is read after the X-ray irradiation starts.

また、図13に示すケースでは、X線の照射が停止するタイミングと、リセットパルスRST2が発生するタイミングもほぼ一致しており、X線の照射停止とほぼ同時に第1素子44における信号電荷の発生は停止される。このため、本発明と比較例のどちらも、1回目の出力電圧Voutは「0」になり、その出力電圧Voutを読み出す時点t2において、照射停止が検出されている。   In the case shown in FIG. 13, the timing at which X-ray irradiation stops and the timing at which the reset pulse RST2 is generated substantially coincide with each other, and signal charges are generated in the first element 44 almost simultaneously with the X-ray irradiation stop. Is stopped. For this reason, in both the present invention and the comparative example, the first output voltage Vout becomes “0”, and irradiation stop is detected at the time point t2 when the output voltage Vout is read.

一方、図14及び図15に示すケースは、X線の照射開始及び照射停止のタイミングと、リセットパルスRST2が発生するタイミングが一致しないケースである。X線の照射開始のタイミングと、リセットパルスRST2が発生するタイミングが一致しないと、第1素子44が信号電荷を蓄積する、次のリセットパルスRST2までの蓄積期間が短くなる。蓄積期間が短いと、出力電圧Voutに相当する、電圧Vxと基準電圧Vrfの差Wが小さくなり、S/N比が低下する。S/N比が低下すると、検出が不安定になる他、システムノイズが重畳することによって誤検出が発生する可能性も大きくなる。また、基準電圧Vrfの設定値が高すぎると、信号電荷が発生しているにも関わらず、基準電圧Vrf以下の小さな電圧Vxしか発生せず、検出が不能になるといった事態も生じる。   On the other hand, the cases shown in FIGS. 14 and 15 are cases in which the timing of starting and stopping the irradiation of X-rays does not coincide with the timing of generating the reset pulse RST2. If the X-ray irradiation start timing does not coincide with the timing at which the reset pulse RST2 is generated, the accumulation period until the next reset pulse RST2 in which the first element 44 accumulates signal charges is shortened. When the accumulation period is short, the difference W between the voltage Vx and the reference voltage Vrf, which corresponds to the output voltage Vout, decreases, and the S / N ratio decreases. When the S / N ratio decreases, detection becomes unstable and the possibility of erroneous detection due to system noise superposition increases. In addition, if the set value of the reference voltage Vrf is too high, there is a situation in which only a small voltage Vx below the reference voltage Vrf is generated despite the occurrence of signal charges, and detection becomes impossible.

図14のケースでは、X線の照射が開始された時点における第1素子44の電圧Vxが、図13のケースと比べて小さい。しかも、X線の照射開始後、1回目のゲートパルスXGが出力された直後に低周波と高周波が混合したシステムノイズが発生しており、その影響により、図13のケースと比べると、第1素子44の電圧Vxの上昇が遅れている。このため、図14(B)に示す比較例では、電圧Vxが基準電圧Vrfを超えるまでに時間が掛かっており、時点t4において照射開始を検出している。   In the case of FIG. 14, the voltage Vx of the first element 44 at the time when the X-ray irradiation is started is smaller than that in the case of FIG. In addition, a system noise in which a low frequency and a high frequency are mixed immediately after the first gate pulse XG is output after the start of the X-ray irradiation. The increase in the voltage Vx of the element 44 is delayed. For this reason, in the comparative example shown in FIG. 14B, it takes time until the voltage Vx exceeds the reference voltage Vrf, and the start of irradiation is detected at time t4.

また、比較例において、X線の照射停止は、図14(A)に示す本発明と同様の時点t6において検出されているものの、X線の照射が停止された後、1回目のゲートパルスXGが出力された時点t5において、電圧Vxが小さいため、小刻みに出力電圧Voutが立ち上がり、出力電圧Voutが不安定になっている。出力電圧Voutが不安定だと誤検出が生じるおそれもある。   In the comparative example, the stop of X-ray irradiation is detected at the same time t6 as in the present invention shown in FIG. 14A, but after the X-ray irradiation is stopped, the first gate pulse XG Since the voltage Vx is small at the time point t5 when is output, the output voltage Vout rises in small increments, and the output voltage Vout becomes unstable. If the output voltage Vout is unstable, erroneous detection may occur.

これに対して、図14(A)に示す本発明においては、電圧Vxが小さくても、電圧Vrとの差を出力電圧Voutとしているため、ゲートパルスXGが出力された直後に電圧Voutは立ち上がり、時点t4よりも早い時点t3において照射開始を検出している。また、本発明の場合には、第1素子44と第2素子46の差を出力することで、両者に発生する同相のシステムノイズが相殺されるので、システムノイズによる影響もない。また、X線の照射が停止された直後も、比較例のように出力電圧Voutが不安定になることもない。   On the other hand, in the present invention shown in FIG. 14A, even if the voltage Vx is small, the difference from the voltage Vr is used as the output voltage Vout, so that the voltage Vout rises immediately after the gate pulse XG is output. The irradiation start is detected at time t3 earlier than time t4. In the case of the present invention, since the difference between the first element 44 and the second element 46 is output, the in-phase system noise generated in the both elements is canceled out, so that there is no influence by the system noise. Also, immediately after the X-ray irradiation is stopped, the output voltage Vout does not become unstable as in the comparative example.

図15に示すケースでは、電圧Vxが小さいため、図15(B)に示す比較例では、X線の照射開始直後の時点t7において、電圧Vxは立ち上がっているものの、基準電圧Vrfを超えないため、照射開始を検出できず、次のゲートパルスXGが出力される時点t8で照射開始を検出している。これに対して、図15(A)に示す本発明では、電圧Vxが小さくても、時点t7において、照射開始を検出している。図15に示すケースでは、照射停止の検出については、本発明も比較例も同じ時点t8において検出している。   In the case shown in FIG. 15, since the voltage Vx is small, in the comparative example shown in FIG. 15B, the voltage Vx rises at the time t7 immediately after the start of X-ray irradiation, but does not exceed the reference voltage Vrf. The irradiation start cannot be detected, and the irradiation start is detected at time t8 when the next gate pulse XG is output. On the other hand, in the present invention shown in FIG. 15A, the irradiation start is detected at time t7 even if the voltage Vx is small. In the case shown in FIG. 15, the detection of the irradiation stop is detected at the same time t8 in the present invention and the comparative example.

このように、本発明は、固定値である基準電圧Vrfを基準として照射を検出する比較例と比較して、電圧Vrが小さかったり、システムノイズがある場合でも、正確でかつ安定した検出を行うことができる。   As described above, the present invention performs accurate and stable detection even when the voltage Vr is small or there is system noise, as compared with the comparative example in which irradiation is detected based on the reference voltage Vrf that is a fixed value. be able to.

また、暗電荷はTFTの特性によって変化し、TFTの特性は、FPD21の周囲の温度や駆動時間の長短による温度変動による影響を受けやすい。そのため、固定値の基準電圧Vrfで照射を検出する場合には、暗電荷の変動に追従することができないため、誤検出のおそれが高い。これに対して、本発明は、暗電荷に対応する電圧Vrと、電圧Vxの差をとるため、暗電荷の変動分を吸収することが可能となり、正確な照射検出ができる。   Also, the dark charge changes depending on the TFT characteristics, and the TFT characteristics are easily affected by temperature fluctuations due to the temperature around the FPD 21 and the length of the driving time. For this reason, in the case of detecting irradiation with a fixed reference voltage Vrf, it is not possible to follow the fluctuation of dark charge, so there is a high risk of erroneous detection. On the other hand, the present invention takes the difference between the voltage Vr corresponding to the dark charge and the voltage Vx, so that the fluctuation of the dark charge can be absorbed, and accurate irradiation detection can be performed.

また、アナログ信号である、オペアンプ43の出力電圧Voutに基づいて照射検出を行うため、A/D変換後のデータに基づいて照射検出を行う場合と比べて、照射検出を短時間で行うことができる。具体的には、照射が開始されてから照射開始を検出するまでの時間が短時間で済む。このため、照射開始後、蓄積動作へ移行するまでの時間が短くなるため、信号電荷の蓄積に寄与しない無駄な被曝を低減することができる。また、照射が停止されてから照射停止を検出するまでの時間も短時間で済むため、照射停止後の余分な蓄積動作時間を短くすることができる。蓄積動作を行っている間も暗電流は発生するので、蓄積動作時間が長いと、暗電流に起因するノイズ(いわゆるオフセットノイズ)が増加して画質が低下する。余分な蓄積動作時間を短くすることで、暗電流が画質に与える影響を最小限に抑えることができる。   In addition, since irradiation detection is performed based on the output voltage Vout of the operational amplifier 43, which is an analog signal, irradiation detection can be performed in a shorter time than when irradiation detection is performed based on data after A / D conversion. it can. Specifically, it takes a short time from the start of irradiation until the start of irradiation is detected. For this reason, since the time from the start of irradiation until the transition to the accumulation operation is shortened, useless exposure that does not contribute to accumulation of signal charges can be reduced. In addition, since the time from when the irradiation is stopped to when the irradiation is stopped is short, an extra accumulation operation time after the irradiation is stopped can be shortened. Since dark current is generated even during the accumulation operation, if the accumulation operation time is long, noise (so-called offset noise) due to the dark current increases and image quality deteriorates. By shortening the extra storage operation time, the influence of dark current on image quality can be minimized.

なお、本例において、第1素子44と第2素子46を隣接して配置する例で説明したが、第1素子44と第2素子46は、近傍位置に配置されていればよい。第2素子46は、第1素子44の蓄積電荷Cxに含まれる、システムノイズに起因する暗電荷を取り除き、第1素子44が蓄積した信号電荷に対応する出力Voutに基づいて照射検出を行うためのものである。システムノイズは、撮像領域26の全域に同時に発生するノイズであり、撮像領域26の全域において、波形や大きさに大きな変化はないと考えられるが、第2素子46と第1素子44との間隔が大きすぎると、両方に発生するシステムノイズ間に、波形や大きさの点で違いが生じることも考えられるので、同程度のシステムノイズが発生すると考えられる近傍位置に配置されることが好ましい。   In this example, the first element 44 and the second element 46 are described as being adjacent to each other. However, the first element 44 and the second element 46 may be disposed in the vicinity. The second element 46 removes dark charges caused by system noise included in the accumulated charge Cx of the first element 44, and performs irradiation detection based on the output Vout corresponding to the signal charge accumulated by the first element 44. belongs to. System noise is noise that is generated simultaneously throughout the entire imaging area 26, and it is considered that there is no significant change in waveform or size throughout the entire imaging area 26, but the interval between the second element 46 and the first element 44. If is too large, there may be a difference in waveform and size between the system noises generated in both. Therefore, it is preferable that the system noises are arranged in the vicinity where the same level of system noise is expected to occur.

近傍位置の具体的な範囲としては、1つの画素の大きさが、約50μm〜約200μmである場合には、数画素〜数百画素程度の間隔の範囲であり、より好ましくは、数画素〜数十画素程度であることが好ましい。もちろん、本例のように隣接していることが最も好ましい。隣接していれば、第1素子44と第2素子46の両方に蓄積される暗電荷はほぼ等しいと考えられるからである。   As a specific range of the vicinity position, when the size of one pixel is about 50 μm to about 200 μm, it is a range of an interval of several pixels to several hundred pixels, more preferably several pixels to It is preferably about several tens of pixels. Of course, it is most preferable that they are adjacent as in this example. This is because the dark charges accumulated in both the first element 44 and the second element 46 are considered to be approximately equal if they are adjacent to each other.

[第2実施形態]
図16に示すFPD91は、撮像領域26内に、複数個の検出用素子部41を設けたものである。検出用素子部41が複数個ある点を除いて、第1実施形態のFPD21と同様である。FPD91において、複数個の検出用素子部41は、撮像領域26の外周付近ばかりでなく、撮像領域26の中心領域など、撮像領域26内の全域に分散して配置されている。FPD91では、検出用素子部41の数に応じて、第1素子44及び第2素子46を駆動するための走査線54や、電圧Vx、Vrを読み出すための出力線51、52が追加されている。第2ゲートドライバ42は、各走査線54に対して、ゲートパルスXG1〜XG3を出力して、複数個の検出用素子部41を選択的に駆動する。
[Second Embodiment]
The FPD 91 shown in FIG. 16 is provided with a plurality of detection element units 41 in the imaging region 26. The FPD 21 is the same as the FPD 21 of the first embodiment except that there are a plurality of detection element portions 41. In the FPD 91, the plurality of detection element units 41 are arranged not only near the outer periphery of the imaging region 26 but also distributed throughout the imaging region 26, such as the central region of the imaging region 26. In the FPD 91, scanning lines 54 for driving the first element 44 and the second element 46 and output lines 51 and 52 for reading out the voltages Vx and Vr are added according to the number of the detection element units 41. Yes. The second gate driver 42 outputs gate pulses XG <b> 1 to XG <b> 3 to each scanning line 54 to selectively drive the plurality of detection element units 41.

図17に示すように、制御部29は、各検出用素子部41のいずれかの電圧Vx、Vrを読み出したときのオペアンプ43の出力電圧Voutが上昇したときに、照射開始を検出する。そして、照射停止の検出動作は、順次出力されるゲートパルスXG1〜XG3によって、複数個の検出用素子部41の電圧Vx、Vrを順次読み出し、すべての検出用素子部41の電圧Vx、Vrに対応するオペアンプ43の出力電圧Voutが「0」になったときに、照射停止を検出する。   As shown in FIG. 17, the control unit 29 detects the start of irradiation when the output voltage Vout of the operational amplifier 43 rises when the voltages Vx and Vr of each detection element unit 41 are read. The irradiation stop detection operation is performed by sequentially reading out the voltages Vx and Vr of the plurality of detection element units 41 by the gate pulses XG1 to XG3 that are sequentially output to the voltages Vx and Vr of all the detection element units 41. When the output voltage Vout of the corresponding operational amplifier 43 becomes “0”, the irradiation stop is detected.

また、照射停止の検出動作については、図18に示すように、照射開始を検出した後、ゲートパルスXG1〜XG3の出力を順次出力から同時出力に切り替えて、複数個の検出用素子部41の電圧Vx、Vrを、同時に読み出してもよい。同時読み出しを行った場合には、FPD91のように、複数個の検出用素子部41で出力線51、52及びオペアンプ43が共用されている場合には、複数個の検出用素子部41の電圧Vx、Vrを加算した電圧がオペアンプ43に入力される。こうしても、X線の照射が停止された場合には、すべての検出用素子部41の第1素子44への信号電荷の蓄積はなくなり、暗電荷に対応する電圧Vxが出力されるので、出力電圧Voutが「0」になるのを監視すればよい。図18のように複数個の検出用素子部41の同時読み出しを行って、照射停止を検出することで、図17の例と比べて、照射停止後、照射停止の検出タイミングまでの時間を短くすることができる。   As for the irradiation stop detection operation, as shown in FIG. 18, after the start of irradiation is detected, the outputs of the gate pulses XG1 to XG3 are switched from sequential output to simultaneous output. The voltages Vx and Vr may be read simultaneously. When the simultaneous reading is performed, as in the FPD 91, when the output lines 51 and 52 and the operational amplifier 43 are shared by the plurality of detection element units 41, the voltages of the plurality of detection element units 41 are used. A voltage obtained by adding Vx and Vr is input to the operational amplifier 43. Even in this case, when the X-ray irradiation is stopped, the signal charges are not accumulated in the first elements 44 of all the detection element portions 41, and the voltage Vx corresponding to the dark charges is output. It may be monitored that the voltage Vout becomes “0”. As shown in FIG. 18, by simultaneously reading a plurality of detection element units 41 and detecting the irradiation stop, the time from the irradiation stop to the irradiation stop detection timing is shortened compared to the example of FIG. 17. can do.

撮影部位によっては、撮像領域26の全域を使わずに、撮像領域26の一部を使う場合もある。例えば、肘や膝を撮影する場合には、撮影部位の大きさが撮像領域26に比べて小さいので、X線の照射野は、その範囲に設定すれば足りる。しかし、FPD21のように撮像領域26の外周付近にのみ検出用素子部41が設けられていると、検出用素子部41にX線を照射するために、撮影部位に対して広い領域をX線の照射野として設定しなければならない。このようにX線の照射野を撮影に必要な範囲以上に広げることは、無駄な被曝を生じさせるおそれがあるため、好ましくない。   Depending on the imaging region, a part of the imaging region 26 may be used without using the entire imaging region 26. For example, when imaging an elbow or knee, the size of the imaging region is smaller than that of the imaging region 26, so it is sufficient to set the X-ray irradiation field within that range. However, when the detection element unit 41 is provided only in the vicinity of the outer periphery of the imaging region 26 as in the FPD 21, in order to irradiate the detection element unit 41 with X-rays, a wide region with respect to the imaging region is X-rayed. It must be set as the irradiation field. Thus, it is not preferable to expand the X-ray irradiation field beyond the range necessary for imaging because it may cause unnecessary exposure.

FPD91のように、撮像領域26の全域に渡って検出用素子部41を分散して配置しておけば、撮像領域26内において、照射野の大きさや位置が変わっても、いずれかの検出用素子部41が照射野内に入る可能性が高いので、照射野を撮影に必要な範囲以上に広げる必要がなく、無駄な被曝が低減される。電子カセッテ13は、据え置き型のX線画像検出装置と比べて、肘や膝の撮影など、撮像領域26の一部を使用する撮影に用いられることが多い。そのため、撮像領域26内において、複数個の検出用素子部41を分散配置する構成は、電子カセッテ13に特に有効である。   As in the FPD 91, if the detection element units 41 are distributed over the entire imaging area 26, even if the size or position of the irradiation field changes in the imaging area 26, any one of the detection elements 41 is used. Since there is a high possibility that the element unit 41 enters the irradiation field, it is not necessary to expand the irradiation field beyond the range necessary for imaging, and unnecessary exposure is reduced. The electronic cassette 13 is often used for imaging using a part of the imaging region 26, such as imaging of an elbow or knee, as compared to a stationary X-ray image detection apparatus. Therefore, the configuration in which the plurality of detection element portions 41 are distributed in the imaging region 26 is particularly effective for the electronic cassette 13.

また、複数の検出用素子部41を分散配置する構成は、散乱X線除去用のグリッド板を使用してX線撮影を行った場合にも有効である。散乱X線除去用のグリッド板は、周知のように、鉛などのX線を遮蔽する遮蔽材料とアルミニウムなどのX線を透過する透過材料の2種類の材料を縞状に交互に配置して形成したものであり、X線が被写体Hを透過することによって生じる散乱X線を除去する。撮影時には、グリッド板は、被写体HとFPDの間に配置される。   Further, the configuration in which the plurality of detection element portions 41 are arranged in a distributed manner is also effective when X-ray imaging is performed using a scattered X-ray removal grid plate. As is well known, the grid plate for removing scattered X-rays is formed by alternately arranging two kinds of materials such as a shielding material for shielding X-rays such as lead and a transmitting material for transmitting X-rays such as aluminum in a stripe pattern. The scattered X-rays formed by the transmission of the X-rays through the subject H are removed. At the time of shooting, the grid plate is disposed between the subject H and the FPD.

グリッド板を使用した場合には、透過材料を透過したX線のみがFPDの撮像領域26に入射するので、撮像領域26内においては、遮蔽材料によってX線が遮蔽されることによって、X線が入射しないあるいはX線のエネルギーが減少する遮蔽領域が生じる。検出用素子部41が1つだけの場合には、その検出用素子部41が、遮蔽領域にあると、その検出用素子部41が機能しないため、照射検出を行えないという事態も起こりうる。撮像領域26内において複数の検出用素子部41を分散配置しておけば、すべての検出用素子部41が遮蔽領域に位置する可能性は低いので、そうした事態を回避することができる。   When the grid plate is used, only the X-rays that have passed through the transmissive material are incident on the FPD imaging region 26. Therefore, in the imaging region 26, the X-rays are shielded by the shielding material, so that the X-rays are A shielded area is formed in which no incident or X-ray energy is reduced. In the case where there is only one detection element unit 41, if the detection element unit 41 is in the shielding region, the detection element unit 41 does not function, so that it may be impossible to perform irradiation detection. If a plurality of detection element units 41 are distributed in the imaging region 26, it is unlikely that all the detection element units 41 are located in the shielding region, and such a situation can be avoided.

また、X線の吸収率が低い軟部組織とX線の吸収率が高い骨部というように体内のX線吸収率は部位によって異なる。そのため、例えば、骨部が多い部分を撮影する場合には、撮像領域26内において、骨部によって、グリッド板の場合と同様に遮蔽領域が生じる場合も考えられる。複数の検出用素子部41を撮像領域26内に分散配置する構成は、このような場合にも有効である。   The X-ray absorption rate in the body varies depending on the site, such as a soft tissue having a low X-ray absorption rate and a bone portion having a high X-ray absorption rate. Therefore, for example, when imaging a portion having many bone parts, a shielding area may be generated in the imaging area 26 by the bone parts as in the case of the grid plate. A configuration in which a plurality of detection element units 41 are distributed in the imaging region 26 is also effective in such a case.

第1実施形態のFPD21においては、画素の欠落は少ない方がよいという理由から、検出用素子部41を撮像領域26の外周付近に配置する構成としたが、照射野を必要以上に広げずに被曝を低減するという観点や、グリッド板を使用した撮影等による遮蔽領域の発生による不都合を回避するという観点を考慮すると、本実施形態のFPD91のように、複数の検出用素子部41を撮像領域26の全域に渡って分散配置することが好ましい。複数の検出用素子部41を分散配置した場合でも、検出用素子部41によって欠落する画素については、第1実施形態で述べたとおり、周辺の画素24の画素値を用いて補間処理が施されるので、補間処理により、画素の欠落が画質に与える影響を低減することが可能である。   In the FPD 21 according to the first embodiment, the detection element unit 41 is arranged near the outer periphery of the imaging region 26 because it is preferable that the number of missing pixels is small, but the irradiation field is not unnecessarily widened. Considering the viewpoint of reducing exposure and the viewpoint of avoiding inconvenience due to the generation of a shielding area due to photographing using a grid plate, a plurality of detection element units 41 are arranged in an imaging area like the FPD 91 of this embodiment. 26 is preferably distributed over the entire area. Even when a plurality of detection element units 41 are arranged in a distributed manner, the pixels lost by the detection element units 41 are subjected to interpolation processing using the pixel values of the surrounding pixels 24 as described in the first embodiment. Therefore, it is possible to reduce the influence of pixel loss on image quality by interpolation processing.

このように、複数の検出用素子部41を分散配置する構成は、撮影部位、グリッド板の有無といった使用条件の変動がある場合でも安定した照射検出を可能にする。この構成は、FPDが置かれる使用環境の温度が一因となって発生するシステムノイズがある場合でも正確かつ安定した照射検出を可能にする検出用素子部41の構成(第1素子44と第2素子46の組)と相俟って、FPDが実際に使用される環境や条件の変動に対する高い耐性力を持つ照射検出機能の実現に寄与する。   As described above, the configuration in which the plurality of detection element units 41 are arranged in a distributed manner enables stable irradiation detection even when there are variations in use conditions such as the imaging region and the presence or absence of a grid plate. This configuration is the configuration of the detection element unit 41 (the first element 44 and the first element 44) that enable accurate and stable irradiation detection even when there is system noise that is caused by the temperature of the usage environment where the FPD is placed. Together with the combination of the two elements 46, it contributes to the realization of an irradiation detection function having a high resistance to fluctuations in the environment and conditions in which the FPD is actually used.

また、図5〜図10で説明したように、画素24と、第1素子44及び第2素子46をほぼ同一の構造にする構成は、FPD91のように、検出用素子部41の数が増えるほど効果が大きい。また、同一構造であると、検出用素子部41の位置を変えたり、数を増やすなどの設計変更の場合でも、走査線や出力線の数や位置の変更など、比較的小変更で対応が可能である。   Also, as described with reference to FIGS. 5 to 10, the configuration in which the pixel 24 and the first element 44 and the second element 46 have substantially the same structure increases the number of detection element portions 41 as in the FPD 91. The effect is greater. In addition, if the structure is the same, even in the case of a design change such as changing the position of the detection element unit 41 or increasing the number, it is possible to cope with relatively small changes such as changes in the number and position of scanning lines and output lines. Is possible.

[第3実施形態]
図19に示すFPD96のように、1つの検出用素子部97を、複数組(本例では2組)の第1素子44、第2素子46で構成してもよい。複数組の第1素子44、第2素子46で構成すれば、1つの組が、故障や、第2実施形態で述べた遮蔽領域に位置しているなどの理由により機能しない場合でも、残りの組が機能して照射検出を行うことができるので、安全性が高い。
[Third Embodiment]
As in the FPD 96 shown in FIG. 19, one detection element unit 97 may be composed of a plurality of sets (two sets in this example) of the first element 44 and the second element 46. If the first element 44 and the second element 46 are composed of a plurality of sets, even if one set does not function due to a failure or being located in the shielding region described in the second embodiment, the remaining Since the set can function to detect irradiation, the safety is high.

[第4実施形態]
図20に示すFPD101のように、1つの検出用素子部97の大きさを、1つの画素24の大きさとほぼ同じ、具体的には、撮像領域26内において1つの検出用素子部97が占有する面積と1つの画素24が占有する面積をほぼ同じにしてもよい。検出用素子部97は、第1素子44、第2素子46と同様に機能する、第1素子103、第2素子104の1組の検出用素子からなる。検出用素子部97は、画像データにおいては欠落部分になるので、その数は少ない方がよい。1つの検出用素子部97の大きさを、画素24と同じ大きさにすることで、2画素分の大きさを持つ上記実施形態のFPDと比較して、画像データの欠落部分を少なくすることができる。
[Fourth Embodiment]
As in the FPD 101 shown in FIG. 20, the size of one detection element unit 97 is substantially the same as the size of one pixel 24, specifically, one detection element unit 97 occupies the imaging region 26. The area occupied by one pixel 24 may be substantially the same. The detection element unit 97 is composed of a set of detection elements of the first element 103 and the second element 104 that function in the same manner as the first element 44 and the second element 46. Since the detection element unit 97 is a missing part in the image data, the number of the detection element units 97 is preferably small. By making the size of one detection element unit 97 the same as that of the pixel 24, the missing portion of the image data can be reduced as compared with the FPD of the above embodiment having the size of two pixels. Can do.

なお、上記第1〜第4の各実施形態ではいずれも、1つの検出用素子部41を、同数の第1素子44と第2素子46の組(1つずつあるいは2つずつの組)で構成しているが、例えば、1つの第2素子46と2つの第1素子44で1つの検出用素子部41を構成するというように、1つの第2素子46と複数の第1素子44で1つの検出用素子部41を構成してもよい。この場合には、1つの検出用素子部41において、1つの第2素子46が複数の第1素子44で共用される。具体的には、複数の第1素子44のそれぞれの電圧Vxがオペアンプ43に読み出される際に、共用される1つの第2素子46の電圧Vrがオペアンプ43に読み出される。そして、各第1素子44の電圧Vxと、1つの第2素子46の電圧Vrとの差分が出力電圧Voutとして読み出される。こうした構成によれば、分散配置した複数の第1素子44に対して、1つの第2素子46を配置すれば済むので、それぞれに第2素子46を設ける場合と比べて、第2素子46の数を減らすことができ、画像データの欠落部分を少なくすることができる。   In each of the first to fourth embodiments, one detection element unit 41 is composed of the same number of first elements 44 and second elements 46 (one or two). However, for example, one second element 46 and a plurality of first elements 44 are configured such that one detection element unit 41 is constituted by one second element 46 and two first elements 44. One detection element unit 41 may be configured. In this case, one second element 46 is shared by a plurality of first elements 44 in one detection element unit 41. Specifically, when the voltage Vx of each of the plurality of first elements 44 is read to the operational amplifier 43, the voltage Vr of one shared second element 46 is read to the operational amplifier 43. Then, the difference between the voltage Vx of each first element 44 and the voltage Vr of one second element 46 is read as the output voltage Vout. According to such a configuration, since one second element 46 may be disposed for the plurality of first elements 44 that are dispersedly arranged, the second element 46 is compared with the case where the second element 46 is provided for each. The number can be reduced, and the missing portion of the image data can be reduced.

[第5実施形態]
上記実施形態では、検出用素子部を用いて照射検出を行う例で説明したが、検出用素子部を用いて被写体Hに照射される照射量の測定を行ってもよい。照射量を測定することで、例えば、自動露出制御を行うことができる。この場合には、図21に示すように、制御部29に照射量演算部106と判定部107を設ける。照射量演算部106は、ゲートパルスXGが出力される毎に読み出されるオペアンプ43からの出力電圧Voutを積算して、照射量を測定する。判定部107は、撮影前に設定された露出値を記憶しており、測定した照射量と設定された露出値を比較して、照射量が露出値に達したか否かを判定する。制御部29は、判定部107によって照射量が露出値に達したと判定された場合には、第1ゲートドライバ27にゲートパルスG1〜Gnを出力させて、蓄積動作から読み出し動作へ移行させる。これにより、X線源12の照射時間に関わらず、適正な露出値のX線画像が得られる。
[Fifth Embodiment]
In the above-described embodiment, the example of performing the irradiation detection using the detection element unit has been described. However, the irradiation amount irradiated to the subject H may be measured using the detection element unit. For example, automatic exposure control can be performed by measuring the irradiation amount. In this case, as shown in FIG. 21, a dose calculation unit 106 and a determination unit 107 are provided in the control unit 29. The dose calculator 106 integrates the output voltage Vout from the operational amplifier 43 that is read each time the gate pulse XG is output, and measures the dose. The determination unit 107 stores an exposure value set before photographing, and compares the measured irradiation amount with the set exposure value to determine whether or not the irradiation amount has reached the exposure value. When the determination unit 107 determines that the irradiation amount has reached the exposure value, the control unit 29 causes the first gate driver 27 to output the gate pulses G1 to Gn and shifts from the accumulation operation to the read operation. Thereby, an X-ray image having an appropriate exposure value can be obtained regardless of the irradiation time of the X-ray source 12.

このような自動露出制御を行う場合には、図16に示すFPD91のように、撮像領域26内に複数個の検出用素子部41を配置し、各検出用素子部41の中から露出制御に使用する検出用素子部41を、撮影部位によって選択できるようにしておくとよい。なぜならば、自動露出制御する場合には、撮影部位によって、照射量を測定する領域が異なるからである。   When performing such automatic exposure control, a plurality of detection element portions 41 are arranged in the imaging region 26 as in the FPD 91 shown in FIG. It is preferable that the detection element unit 41 to be used can be selected depending on the imaging region. This is because, in the case of automatic exposure control, the area for measuring the dose varies depending on the imaging region.

また、検出用素子部41を、照射検出や自動露出制御以外に、例えば、X線の線量管理に用いてもよい。近年、病院などの医療施設において、どの患者に対していつどの程度の線量を照射したかといった被曝履歴を管理することが求められている。線量は、管電流と照射時間の積(いわゆるmAs値)によって求められる。撮影においては、照射時間を含む撮影条件が設定されるので、その場合には、おおよその線量は把握できるものの、実際の撮影では、自動露出制御が行われる場合など、撮影条件で設定される照射時間と、実際の照射時間が相違する場合が多く、実際に照射された線量を正確に把握することは難しかった。   Moreover, you may use the element part 41 for a detection other than irradiation detection or automatic exposure control, for example for X-ray dose management. In recent years, in medical facilities such as hospitals, it has been required to manage an exposure history such as when and how much dose has been irradiated to which patient. The dose is determined by the product of the tube current and the irradiation time (so-called mAs value). In shooting, the shooting conditions including the irradiation time are set. In this case, the approximate dose can be grasped, but in actual shooting, the exposure set in the shooting conditions such as when automatic exposure control is performed. In many cases, the actual irradiation time is different from the time, and it is difficult to accurately grasp the dose actually irradiated.

検出用素子部41を用いれば、照射開始と照射停止を正確に検出できるので、その検出信号に基づいて撮影に使用された正確な線量を把握することができる。例えば、図22に示すように、電子カセッテ13が照射開始と照射停止を検出したときに、通信部23を通じて、リアルタイムでコンソール16に対して検出信号を送る。コンソール16は、通信部19を通じてCPU16aが照射開始の検出信号を受信すると、CPU16aはタイマ16bを作動させる。そして、照射停止の検出信号を受信したときにタイマ16bを止めて、照射時間を測定する。   If the detection element unit 41 is used, the irradiation start and the irradiation stop can be accurately detected, so that the accurate dose used for imaging can be grasped based on the detection signal. For example, as shown in FIG. 22, when the electronic cassette 13 detects the start and stop of irradiation, a detection signal is sent to the console 16 through the communication unit 23 in real time. When the CPU 16a receives the irradiation start detection signal through the communication unit 19, the CPU 16a activates the timer 16b. Then, the timer 16b is stopped when the irradiation stop detection signal is received, and the irradiation time is measured.

上述したとおり、検出用素子部41は、第1素子44と第2素子46からなるので、正確な照射検出が可能であり、また、オペアンプ43のアナログ信号の出力電圧Voutに基づいて照射の検出が行われるため、照射開始及び照射停止と、それらの検出タイミングまでの時間差も少ない。そのため、タイマ16bによって測定された照射時間は、実際の照射時間に非常に近い値となる。CPU16aは、測定された照射時間に管電流を掛けて線量を求めて、その線量データを被写体Hである患者の名前や日付などと関連付けてHDDやメモリなどのデータストレージ16cに格納する。このように検出用素子部41を用いることで、照射時間を正確に測定することができるので、正確な線量管理も可能となる。   As described above, since the detection element unit 41 includes the first element 44 and the second element 46, accurate irradiation detection is possible, and irradiation detection is performed based on the output voltage Vout of the analog signal of the operational amplifier 43. Therefore, the time difference between the start and stop of irradiation and the detection timing thereof is small. For this reason, the irradiation time measured by the timer 16b is very close to the actual irradiation time. The CPU 16a obtains a dose by multiplying the measured irradiation time by a tube current and stores the dose data in a data storage 16c such as an HDD or a memory in association with the name or date of the patient who is the subject H. By using the detection element unit 41 in this way, the irradiation time can be accurately measured, so that accurate dose management is also possible.

上記実施形態では、検出用素子部41を撮像領域26に配置した例で説明したが、撮像領域26の周辺など、撮像領域26外のX線が入射する領域に配置されていてもよい。しかし、上述したとおり、撮像領域26外に配置すると、検出用素子部41にX線が入射するように、撮影に必要な範囲以上にX線の照射野を大きく取らなければならないので、無駄な被曝を低減する観点からは、上記実施形態で示したとおり、検出用素子部41は撮像領域26内に配置されていることが好ましい。   In the above embodiment, the example in which the detection element unit 41 is disposed in the imaging region 26 has been described. However, the detection element unit 41 may be disposed in a region where X-rays outside the imaging region 26 enter, such as the periphery of the imaging region 26. However, as described above, when arranged outside the imaging region 26, the X-ray irradiation field must be larger than the range necessary for imaging so that the X-rays are incident on the detection element unit 41. From the viewpoint of reducing exposure, it is preferable that the detection element unit 41 is disposed in the imaging region 26 as described in the above embodiment.

上記実施形態では、照射開始と照射停止の両方を検出する例で説明したが、照射停止の検出を行わず、照射開始だけを検出してもよい。自動露出制御を行う場合のように、照射が停止されたか否かに関わらず、蓄積動作から読み出し動作へ移行する場合もあるからである。   In the above-described embodiment, the example in which both the irradiation start and the irradiation stop are detected has been described. However, the irradiation stop may not be detected, and only the irradiation start may be detected. This is because, as in the case of performing automatic exposure control, the storage operation may be shifted to the reading operation regardless of whether or not the irradiation is stopped.

上記実施形態では、可搬型のX線画像検出装置である電子カセッテを例に説明したが、据え置き型のX線画像検出装置に本発明を適用してもよい。   In the above embodiment, the electronic cassette which is a portable X-ray image detection apparatus has been described as an example. However, the present invention may be applied to a stationary X-ray image detection apparatus.

上記実施形態では、FPDとして間接変換型を例に説明したが、X線を直接電荷に変換する変換層(アモルファスセレンなど)を用いた直接変換型のFPDに本発明を適用してもよい。この場合には、第2素子46の遮蔽部材としては、X線を遮蔽する鉛などの材料が使用される。遮蔽用の鉛は、変換層の上面において、第2素子46の対応する位置に配置される。   In the above embodiment, the indirect conversion type has been described as an example of the FPD. However, the present invention may be applied to a direct conversion type FPD using a conversion layer (such as amorphous selenium) that directly converts X-rays into electric charges. In this case, a material such as lead that shields X-rays is used as the shielding member of the second element 46. The shielding lead is disposed at a position corresponding to the second element 46 on the upper surface of the conversion layer.

また、上記各実施形態を組み合わせてもよい。また、上記各実施形態では、放射線としてX線を例に説明したが、本発明は、γ線など、X線以外の放射線を使用するものでもよい。本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが可能である。   Moreover, you may combine said each embodiment. In each of the above embodiments, X-rays have been described as an example of radiation. However, the present invention may use radiation other than X-rays, such as γ-rays. The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

10 X線撮影システム
13 電子カセッテ(放射線画像検出装置)
21、91、96、101 FPD
24 画素
26 撮像領域
27 第1ゲートドライバ(第1駆動手段)
29 制御部(制御手段)
31、47、48 フォトダイオード
32、49 TFT
41 検出用素子部
42 第2ゲートドライバ(第2駆動手段)
43 オペアンプ
44 第1素子(第1検出用素子)
46 第2素子(第2検出用素子)
53 リセットスイッチ
61 撮像パネル(撮像手段)
10 X-ray imaging system 13 Electronic cassette (radiation image detector)
21, 91, 96, 101 FPD
24 pixels 26 imaging area 27 first gate driver (first driving means)
29 Control unit (control means)
31, 47, 48 Photodiode 32, 49 TFT
41 element part for detection 42 second gate driver (second driving means)
43 operational amplifier 44 first element (first detection element)
46 Second element (second detection element)
53 Reset switch 61 Imaging panel (imaging means)

Claims (13)

放射線源から照射され被写体を透過した放射線を撮像して、被写体の放射線画像を検出するための撮像手段であり、前記放射線の入射量に応じた信号電荷を蓄積する複数の画素が二次元に配列された前記放射線の撮像領域を有する撮像手段と、
前記画素を駆動する第1駆動手段であり、前記画素において前記放射線源の照射の有無に関わらず発生する暗電荷を、リセットするリセット動作と、前記画素に前記信号電荷を蓄積させる蓄積動作と、前記画素から前記信号電荷を読み出す読み出し動作の3つの動作を行わせるための第1駆動手段と、
前記放射線源による照射の開始を検出する照射検出手段であり、
前記画素と同様に前記信号電荷を蓄積する第1検出用素子と、前記第1検出用素子の近傍に配置され、前記暗電荷のみを蓄積する第2検出用素子とからなる少なくとも1組の検出用素子を有する検出用素子部と、
前記第1検出用素子と第2検出用素子を駆動して、それぞれの蓄積電荷を同時に読み出すための第2駆動手段とを有し、
前記第1検出用素子と第2検出用素子から同時に読み出される蓄積電荷量の差に基づいて、前記照射の開始を検出する照射検出手段と、
前記照射検出手段によって前記照射の開始が検出されたときに、前記画素が前記リセット動作から前記蓄積動作へ移行するように前記第1駆動手段を制御する制御手段とを備えていることを特徴とする放射線画像検出装置。
An imaging means for detecting a radiation image of a subject by imaging radiation emitted from a radiation source and passing through the subject, and a plurality of pixels that accumulate signal charges according to the amount of incident radiation are arranged in two dimensions An imaging means having an imaging region of the emitted radiation;
A first driving means for driving the pixel, a reset operation for resetting a dark charge generated in the pixel regardless of the presence or absence of irradiation of the radiation source, an accumulation operation for accumulating the signal charge in the pixel, First driving means for performing three operations of a reading operation of reading out the signal charge from the pixel;
Irradiation detection means for detecting the start of irradiation by the radiation source;
Similar to the pixel, at least one set of detection elements including a first detection element that accumulates the signal charge and a second detection element that is disposed in the vicinity of the first detection element and accumulates only the dark charge. A detecting element portion having an element,
Second driving means for driving the first detection element and the second detection element to simultaneously read out the respective accumulated charges;
An irradiation detection means for detecting the start of the irradiation based on a difference in the amount of accumulated charge simultaneously read from the first detection element and the second detection element;
Control means for controlling the first driving means so that the pixel shifts from the reset operation to the accumulation operation when the irradiation detection means detects the start of the irradiation. Radiation image detection device.
前記照射検出手段は、前記第1検出用素子と第2検出用素子のそれぞれが出力するアナログ信号の差を出力する差動増幅器を有し、差動増幅器が出力する前記アナログ信号の差に基づいて照射の開始を検出することを特徴とする請求項1記載の放射線画像検出装置。   The irradiation detection means includes a differential amplifier that outputs a difference between analog signals output from the first detection element and the second detection element, and is based on the difference between the analog signals output from the differential amplifier. The radiation image detection apparatus according to claim 1, wherein the start of irradiation is detected. 前記第1検出用素子及び第2検出用素子は、前記撮像領域内に配置されていることを特徴とする請求項1又は2記載の放射線画像検出装置。   The radiological image detection apparatus according to claim 1, wherein the first detection element and the second detection element are arranged in the imaging region. 前記第1検出用素子と前記画素は、構造が同一であり、
前記第2検出用素子は、放射線又は可視光を遮蔽する遮蔽部材を有しており、前記遮蔽部材を有する点を除いて前記第1検出用素子及び前記画素と構造が同一であることを特徴とする請求項3記載の放射線画像検出装置。
The first detection element and the pixel have the same structure,
The second detection element has a shielding member that shields radiation or visible light, and has the same structure as the first detection element and the pixel except that the second detection element has the shielding member. The radiographic image detection apparatus according to claim 3.
前記撮像手段は、前記放射線を可視光に変換するシンチレータを有しており、前記画素、前記第1及び第2の各検出用素子は、基板上に形成され可視光を電気信号に変換する光電変換素子で構成されており、
前記シンチレータは、前記光電変換素子の配列面の全面と対向するように配置されていることを特徴とする請求項4記載の放射線画像検出装置。
The imaging means includes a scintillator that converts the radiation into visible light, and the pixels and the first and second detection elements are photoelectric elements that are formed on a substrate and convert visible light into an electrical signal. It consists of conversion elements,
The radiographic image detection apparatus according to claim 4, wherein the scintillator is disposed so as to face the entire array surface of the photoelectric conversion elements.
前記光電変換素子は、光電変換層である半導体層が、前記基板側に配置される下部電極と、前記シンチレータ側に配置される上部電極とによって挟まれる層構造を有しており、
前記第1検出用素子と前記画素は、前記上部電極が透明な前記光電変換素子で構成されており、前記第2検出用素子は、前記上部電極が不透明な前記光電変換素子で構成されており、不透明な前記上部電極が、前記シンチレータから前記半導体層へ向かう可視光を遮蔽するための前記遮蔽部材として機能することを特徴とする請求項5記載の放射線画像検出装置。
The photoelectric conversion element has a layer structure in which a semiconductor layer which is a photoelectric conversion layer is sandwiched between a lower electrode disposed on the substrate side and an upper electrode disposed on the scintillator side,
The first detection element and the pixel are configured by the photoelectric conversion element in which the upper electrode is transparent, and the second detection element is configured by the photoelectric conversion element in which the upper electrode is opaque. The radiographic image detection apparatus according to claim 5, wherein the opaque upper electrode functions as the shielding member for shielding visible light from the scintillator toward the semiconductor layer.
前記検出用素子部は、前記撮像領域内に複数個配置されていることを特徴とする請求項3〜6のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。   The radiographic image detection apparatus according to claim 3, wherein a plurality of the detection element units are arranged in the imaging region. 前記検出用素子部は、前記撮像領域内の異なる位置に分散して配置されていることを特徴とする請求項7記載の放射線画像検出装置。   The radiological image detection apparatus according to claim 7, wherein the detection element units are distributed at different positions in the imaging region. 前記検出用素子部は、前記第1検出用素子と第2検出用素子を複数組有することを特徴とする請求項3〜8いずれか1項に記載の放射線画像検出装置。   The radiological image detection apparatus according to claim 3, wherein the detection element unit includes a plurality of sets of the first detection element and the second detection element. 1つの前記検出用素子部の大きさは、1つの前記画素の大きさとほぼ同じであることを特徴とする請求項3〜9のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。   10. The radiological image detection apparatus according to claim 3, wherein the size of one detection element unit is substantially the same as the size of one pixel. 11. 前記検出用素子部は、前記放射線源から被写体に照射される照射量の測定にも用いられることを特徴とする請求項3〜10のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。   11. The radiological image detection apparatus according to claim 3, wherein the detection element unit is also used for measuring an irradiation amount irradiated to a subject from the radiation source. 前記照射検出手段は、前記蓄積電荷量の差に基づいて、前記照射の停止を検出し、前記制御手段は、停止が検出された場合には、蓄積動作から読み出し動作へ移行させることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。   The irradiation detection unit detects the stop of the irradiation based on the difference in the accumulated charge amount, and the control unit shifts from the accumulation operation to the read operation when the stop is detected. The radiographic image detection apparatus of any one of Claims 1-11 to do. 前記撮像手段、前記第1駆動手段、前記第2駆動手段、前記照射検出手段、及び前記制御手段が可搬型の筐体に収容された電子カセッテであることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の放射線画像検出装置。   The image pickup unit, the first drive unit, the second drive unit, the irradiation detection unit, and the control unit are electronic cassettes housed in a portable housing. The radiographic image detection apparatus of any one of Claims.
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