JP2011221471A - Positive radiation-sensitive composition, interlayer dielectric eilm and method for forming the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive radiation-sensitive composition that has good radiation sensitivity, and from which high light transmittance, voltage retention, and good developability and pattern forming property capable of reacting on changes in cured film formation condition are provided to an interlayer dielectric film obtained, the interlayer dielectric film formed from the composition and a method for forming the interlayer dielectric film.SOLUTION: The present invention is a positive radiation-sensitive composition including: a polymer (A) having a structure unit containing a group expressed in the following formula (1) in the same or different polymer molecule and having a structure unit containing an epoxy group; a photo-acid generator (B); and a long-chain alkyl group-containing compound (C).

Description

本発明は、液晶表示素子(LCD)、有機EL表示素子(OLED)等の表示素子の層間絶縁膜を形成するための材料として好適なポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、及びその層間絶縁膜の形成方法に関する。   The present invention is formed from a positive radiation-sensitive composition suitable as a material for forming an interlayer insulating film of a display element such as a liquid crystal display element (LCD) or an organic EL display element (OLED), and the composition. The present invention relates to an interlayer insulating film and a method for forming the interlayer insulating film.

表示素子には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁する目的で層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜の形成材料としては、必要なパターン形状を得るための工程数が少なく、しかも十分な平坦性を有するものが好ましいことから、ポジ型感放射線性組成物が幅広く使用されている。このような層間絶縁膜形成に用いられるポジ型感放射線性組成物には良好な放射線感度等が、これから得られる層間絶縁膜には優れた耐熱性等が求められる。   The display element is generally provided with an interlayer insulating film for the purpose of insulating between wirings arranged in layers. As the material for forming the interlayer insulating film, positive radiation-sensitive compositions are widely used because the number of steps for obtaining a necessary pattern shape is small and a material having sufficient flatness is preferable. The positive radiation sensitive composition used for forming such an interlayer insulating film is required to have good radiation sensitivity and the like, and the interlayer insulating film obtained therefrom is required to have excellent heat resistance.

また、近年、液晶表示装置や有機EL表示装置等の表示装置は、大画面化、高輝度化、高精細化、高速応答化、薄型化等の傾向にある。そのため、表示装置の表示素子に用いられる層間絶縁膜形成用の感放射線性組成物は、放射線に対して高感度であること等とともに、形成される層間絶縁膜が高い電圧保持率や高い光線透過率を有すること等の従来にも増した優れた性能が要求されている。   In recent years, display devices such as a liquid crystal display device and an organic EL display device tend to have a large screen, high brightness, high definition, high speed response, thinning, and the like. Therefore, the radiation-sensitive composition for forming an interlayer insulating film used for the display element of the display device has high sensitivity to radiation and the like, and the formed interlayer insulating film has a high voltage holding ratio and high light transmission. There is a demand for superior performance such as having a high rate.

このような各種要求に対応するポジ型感放射線性組成物の成分として、アクリル系樹脂が広く採用されており、例えば特開2004−4669号公報には、架橋剤、酸発生剤、及びそれ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により解裂しうる保護基を有し、該保護基が解裂した後はアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト組成物が提案されている。また、特開2004−264623号公報には、アセタール構造及び/又はケタール構造並びにエポキシ基を含有する樹脂と、酸発生剤とを含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物が提案されている。   As a component of a positive radiation sensitive composition that meets such various requirements, acrylic resins are widely used. For example, JP 2004-4669 A discloses a crosslinking agent, an acid generator, and itself. Has a protective group that is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, but can be cleaved by the action of an acid, and contains a resin that becomes soluble in an alkaline aqueous solution after the protective group is cleaved. A positive chemically amplified resist composition has been proposed. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 proposes a radiation-sensitive resin composition comprising an acetal structure and / or a ketal structure and a resin containing an epoxy group and an acid generator. Yes.

しかしながら、上記のような従来の感放射線性樹脂組成物を用いて層間絶縁膜を形成する場合、例えば、塗布後に比較的低温でプレベークを行った場合や、現像工程において装置トラブルにより現像時間が延びた場合などに、現像性、ひいてはパターン形成性が低下する場合がある。すなわち、従来の感放射線性樹脂組成物は、実際の製造現場における硬化膜形成条件の多様な変化に対して十分に対応できるものではなく、この点で改善の余地がある。   However, when forming an interlayer insulating film using the conventional radiation-sensitive resin composition as described above, for example, when prebaking is performed at a relatively low temperature after coating, or due to apparatus trouble in the development process, the development time is extended. In some cases, the developability, and thus the pattern formability may deteriorate. That is, the conventional radiation-sensitive resin composition cannot sufficiently cope with various changes in the conditions for forming a cured film in an actual production site, and there is room for improvement in this respect.

特開2004−4669号公報JP 2004-4669 A 特開2004−264623号公報JP 2004-264623 A

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、優れた放射線感度を有し、得られる層間絶縁膜が高い光線透過率及び電圧保持率を備えつつ、硬化膜形成条件の変化にも対応できる優れた現像性及びパターン形成性を備えるポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。   The present invention has been made based on the circumstances as described above, and the object thereof is a cured film having excellent radiation sensitivity, and an interlayer insulating film to be obtained having high light transmittance and voltage holding ratio. By providing a positive-type radiation-sensitive composition having excellent developability and pattern-forming properties that can cope with changes in formation conditions, an interlayer insulating film formed from the composition, and a method for forming the interlayer insulating film is there.

上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式(1)で表される基を含む構造単位とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう。)、
[B]光酸発生体、及び
[C]下記式(2)で表される化合物
を含有するポジ型感放射線性組成物である。

Figure 2011221471
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい(但し、R及びRが共に水素原子である場合はない)。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(R3mで表される基(MはSi、Ge又はSnであり、R3mはアルキル基である。)であり、これらの水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。RとRとが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。)
Figure 2011221471
(式(2)中、Xは、炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基である。Y及びYは、それぞれ独立して、単結合、エステル結合、アミド結合又はウレタン結合である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、スルホ基、スルホフェニル基、又は下記式(i)〜(vi)のいずれかで表される基である。但し、Y又はYが単結合のとき、このY又はYと連結するR又はRが炭素数1〜6のアルキル基である場合はない。また、Y及びYが共に単結合であるとき、R及びRが共に水素原子である場合はない。)
Figure 2011221471
(式(i)〜(vi)中、Rは、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基である。Rは、水素原子又はメチル基である。mは、0〜6の整数である。但し、上記式(2)中のY又はYが単結合のとき、このY又はYと連結するR又はRにおけるmは0である。) The invention made to solve the above problems is
[A] A polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules (hereinafter also referred to as “[A] polymer”). ,
[B] A positive-type radiation-sensitive composition containing a photoacid generator and [C] a compound represented by the following formula (2).
Figure 2011221471
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and one of the hydrogen atoms of these alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group) Part or all may be substituted with a substituent (provided that R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms) R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or — A group represented by M (R 3m ) 3 (M is Si, Ge or Sn, R 3m is an alkyl group), and some or all of these hydrogen atoms are substituted with substituents; R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether structure.)
Figure 2011221471
(In the formula (2), X is .Y 1 and Y 2 is a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms are each independently a single bond, an ester bond, an amide bond R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a sulfo group, a sulfophenyl group, or any one of the following formulas (i) to (vi). However, when Y 1 or Y 2 is a single bond, R 4 or R 5 linked to Y 1 or Y 2 may not be an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. In addition, when Y 1 and Y 2 are both single bonds, R 4 and R 5 are not both hydrogen atoms.)
Figure 2011221471
(In the formulas (i) to (vi), R 6 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 7 is a hydrogen atom or a methyl group. M is an integer of 0 to 6. (However, when Y 1 or Y 2 in the formula (2) is a single bond, m in R 4 or R 5 linked to Y 1 or Y 2 is 0.)

当該ポジ型感放射線性組成物は、[A]重合体と[B]光酸発生体とを含むため、優れた放射線感度を有している。加えて、当該組成物は、[C]上記式(2)で表される化合物(以下、「[C]長鎖アルキル基含有化合物」ともいう。)を含むものである。この[C]長鎖アルキル基含有化合物によれば、長鎖アルキル基によって硬化部分のアルカリ現像液に対する疎水性を、及び官能基部分によって未硬化部分の親水性を共に向上させることができる。従って、当該組成物によれば、硬化膜形成条件が変化した場合においても、[C]長鎖アルキル基含有化合物が緩衝作用を発揮し、優れた現像性及びパターン形成性を安定して発揮することができる。また、当該組成物は、このような[A]〜[C]成分を含むことで得られる硬化膜の光線透過率及び電圧保持率を従来のポジ型感放射線性組成物と同様の高いレベルで発揮させることができる。   Since the positive radiation sensitive composition contains an [A] polymer and a [B] photoacid generator, it has excellent radiation sensitivity. In addition, the composition includes [C] a compound represented by the above formula (2) (hereinafter also referred to as “[C] long-chain alkyl group-containing compound”). According to the [C] long-chain alkyl group-containing compound, the long-chain alkyl group can improve the hydrophobicity of the cured portion with respect to the alkaline developer, and the functional group portion can improve the hydrophilicity of the uncured portion. Therefore, according to the composition, even when the cured film forming conditions are changed, the [C] long-chain alkyl group-containing compound exhibits a buffering action, and stably exhibits excellent developability and pattern formability. be able to. Moreover, the said composition has the high light transmittance and voltage holding rate of the cured film obtained by including such a [A]-[C] component at the same high level as the conventional positive radiation sensitive composition. It can be demonstrated.

[B]光酸発生体が、下記式(3)で表されるオキシムスルホネート基を有する化合物であるとよい。

Figure 2011221471
(式(3)中、RB1は、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。) [B] The photoacid generator may be a compound having an oxime sulfonate group represented by the following formula (3).
Figure 2011221471
(In Formula (3), R B1 is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted with a substituent. .)

当該組成物が、[B]光酸発生体として上記構造を有する化合物を用いることで、放射線感度がより向上し、優れた現像性及びパターン形成性を発揮することができる。   When the composition uses the compound having the above structure as the [B] photoacid generator, the radiation sensitivity is further improved, and excellent developability and pattern forming properties can be exhibited.

当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子の層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる。当該ポジ型感放射線性組成物を表示素子の層間絶縁膜を形成に用いることで、高い光線透過率や高い電圧保持率などの、近年の多様な性能への要求に対応できる層間絶縁膜を得ることができる。   The positive radiation sensitive composition is preferably used for forming an interlayer insulating film of a display element. By using the positive radiation sensitive composition for forming an interlayer insulating film of a display element, an interlayer insulating film capable of meeting various demands for recent performance such as high light transmittance and high voltage holding ratio is obtained. be able to.

また、本発明の表示素子の層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を有している。
Further, the method for forming the interlayer insulating film of the display element of the present invention,
(1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) a step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a step of heating the coating film developed in step (3).

当該方法においては、上記ポジ型感放射線性組成物を用いて感放射線性を利用した露光・現像・加熱によってパターンを形成することによって、硬化膜形成条件が変化した場合にも、微細かつ精巧なパターンを有する表示素子の層間絶縁膜を形成することができる。   In this method, even if the cured film forming conditions are changed by forming a pattern by exposure, development, and heating using radiation sensitivity using the positive radiation sensitive composition, the fine and delicate An interlayer insulating film of a display element having a pattern can be formed.

本明細書において、[A]成分の「重合体」は、一の重合体分子中に構造単位(1)を有し、かつその一の重合体分子とは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有する場合も含む概念である。   In the present specification, the “polymer” of the component [A] has the structural unit (1) in one polymer molecule and contains an epoxy group in a polymer molecule different from the one polymer molecule. It is a concept including the case of having a structural unit.

以上説明したように、本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記[A]、[B]及び[C]成分を含んでいることによって、優れた放射線感度を有し、得られる硬化膜が高い光線透過率及び電圧保持率を備え、かつ硬化膜形成条件の変化への対応性が高く、優れた現像性及びパターン形成性を発揮することができる。従って、本発明のポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜は、製造工程における形成条件が一定程度変化した場合も、微細かつ精巧なパターンを有しており、かつ高い光線透過率及び電圧保持率を備えているため層間絶縁膜等に好適に用いることができる。   As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention contains the above [A], [B] and [C] components, thereby having excellent radiation sensitivity, and a cured film obtained. Has a high light transmittance and voltage holding ratio, and is highly compatible with changes in the cured film forming conditions, and can exhibit excellent developability and pattern formability. Therefore, the cured film obtained from the positive radiation-sensitive composition of the present invention has a fine and elaborate pattern even when the formation conditions in the manufacturing process change to a certain extent, and has a high light transmittance and voltage. Since it has a retention rate, it can be suitably used for an interlayer insulating film or the like.

コンタクトホールを備える硬化膜を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows the cured film provided with a contact hole.

本発明のポジ型感放射線性組成物は、[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式(1)で表される基を含む構造単位(以下、単に「構造単位(1)」ともいう。)とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体、[B]光酸発生体、及び[C]長鎖アルキル基含有化合物を含有し、さらにその他の任意成分を含有してもよい。
<[A]重合体>
[A]重合体は、同一又は異なる重合体分子中に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位とを有しており、必要に応じてその他の構造単位を有していてもよい。構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位を有する[A]重合体の態様としては特に限定されず、(i)同一の重合体分子中に構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位の両方を有しており、[A]重合体中に1種の重合体分子が存在する場合、(ii)一の重合体分子中に構造単位(1)を有し、それとは異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有しており、[A]重合体中に2種の重合体分子が存在する場合、(iii)一の重合体分子中に構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位の両方を有し、それとは異なる重合体分子中に構造単位(1)を有し、これらとはさらに異なる重合体分子中にエポキシ基含有構造単位を有しており、[A]重合体中に3種の重合体分子が存在する場合、(iv)(i)〜(iii)に規定の重合体分子に加え、[A]重合体中にさらに別の1種又は2種以上の重合体分子を含む場合等が挙げられる。いずれの場合であっても本発明の効果を享受することができる。以下、構造単位(1)、エポキシ基含有構造単位及びその他の構造単位について順に説明する。
The positive-type radiation-sensitive composition of the present invention [A] is a structural unit containing a group represented by the following formula (1) in the same or different polymer molecule (hereinafter also simply referred to as “structural unit (1)”). .) And an epoxy group-containing structural unit, [B] a photoacid generator, and [C] a long-chain alkyl group-containing compound, and may further contain other optional components.
<[A] polymer>
[A] The polymer has the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules, and may have other structural units as necessary. The embodiment of the [A] polymer having the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit is not particularly limited. (I) Both the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit in the same polymer molecule [A] When one type of polymer molecule is present in the polymer, (ii) in one polymer molecule, the structural unit (1) is present in a different polymer molecule. In the case where [A] two polymer molecules are present in the polymer, (iii) the structural unit (1) and the epoxy group-containing structure are contained in one polymer molecule. Having both of the units, having the structural unit (1) in a different polymer molecule, and further having an epoxy group-containing structural unit in a different polymer molecule, [A] polymer When three polymer molecules are present in (iv) (i) to (iii), The addition to the polymer molecules, and the like may include a polymer molecule of one or more further alternative in the polymer [A]. In any case, the effects of the present invention can be enjoyed. Hereinafter, the structural unit (1), the epoxy group-containing structural unit, and other structural units will be described in order.

<構造単位(1)>
構造単位(1)では、上記式(1)で表される基が、酸の存在下で解離して極性基を生じる基(以下、単に「酸解離性基」ともいう。)として存在しているので、放射線の照射により光酸発生体から生じた酸により酸解離性基が解離し、その結果、アルカリ不溶性であった[A]重合体はアルカリ可溶性となる。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって解離することとなる。
<Structural unit (1)>
In the structural unit (1), the group represented by the above formula (1) exists as a group that dissociates in the presence of an acid to generate a polar group (hereinafter, also simply referred to as “acid-dissociable group”). Therefore, the acid-dissociable group is dissociated by the acid generated from the photoacid generator upon irradiation with radiation, and as a result, the [A] polymer that has been insoluble in alkali becomes alkali-soluble. The acid dissociable group has an acetal structure or a ketal structure that is relatively stable with respect to an alkali, and these are dissociated by the action of an acid.

上記式(1)においてR及びRで表されるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜30の直鎖及び分岐アルキル基であり、このアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。上記アルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−オクタデシル基等の直鎖状アルキル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基等の分岐状アルキル基を挙げることができる。 In the above formula (1), the alkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, and an oxygen atom, sulfur atom, nitrogen atom in the alkyl chain. You may have. Specific examples of the alkyl group include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-dodecyl group, and n-tetradecyl group. A branched alkyl group such as a straight-chain alkyl group such as n-octadecyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group Can do.

上記式(1)においてR及びRで表されるシクロアルキル基としては、好ましくは炭素数3〜20のシクロアルキル基であり、多環でもよく、環内に酸素原子を有していてもよい。上記シクロアルキル基の具体例としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル、シクロオクチル、ボルニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。 In the above formula (1), the cycloalkyl group represented by R 1 and R 2 is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, may be polycyclic, and has an oxygen atom in the ring. Also good. Specific examples of the cycloalkyl group include cyclopropyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl, cyclooctyl, bornyl group, norbornyl group, adamantyl group and the like.

上記式(1)においてR及びRで表されるアリール基としては、好ましくは炭素数6〜14のアリール基であり、単環でもよく、単環が連結した構造であってもよく、縮合環であってもよい。上記アリール基の具体例としては、例えばフェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。 In the above formula (1), the aryl group represented by R 1 and R 2 is preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, which may be a single ring or a structure in which single rings are connected, It may be a condensed ring. Specific examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group.

上記R及びRの水素原子の一部又は全部は置換基で置換されていてもよい。このような置換基としては、例えばハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、カルボニル基、シクロアルキル基(このシクロアルキル基としては、上記シクロアルキル基の説明を好適に適用することができる。)、アリール基(このアリール基としては、上記アリール基の説明を好適に適用することができる。)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜20のアルコキシ基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。)、アシル基(好ましくは炭素数2〜20のアシル基であり、例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、i−ブチリル基等が挙げられる。)、アシロキシ基(好ましくは炭素数2〜10のアシロキシ基であり、例えば、アセトキシ基、エチリルオキシ基、ブチリルオキシ基、t−ブチリルオキシ基、t−アミリルオキシ基等が挙げられる。)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜20のアルコキシカルボニル基であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等が挙げられる。)、ハロアルキル基(上記アルキル基又はシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、例えば、パーフロオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、フルオロシクロプロピル基、フルオロシクロブチル基等が挙げられる。)等が挙げられる。アリール基、シクロアルキル基等における環状構造については、さらなる置換基としては上記アルキル基を挙げることができる。 Some or all of the hydrogen atoms of R 1 and R 2 may be substituted with a substituent. As such a substituent, for example, a halogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a cyano group, a carboxyl group, a carbonyl group, a cycloalkyl group (for this cycloalkyl group, the description of the cycloalkyl group can be preferably applied. ), An aryl group (as the aryl group, the above description of the aryl group can be preferably applied), an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, such as a methoxy group, ethoxy Group, propoxy group, n-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, etc.), acyl group (preferably an acyl group having 2 to 20 carbon atoms, for example, acetyl Group, propionyl group, butyryl group, i-butyryl group, etc.), acyloxy group (preferably An acyloxy group having 2 to 10 carbon atoms, such as an acetoxy group, an ethylyloxy group, a butyryloxy group, a t-butyryloxy group, a t-amylyloxy group, etc.), an alkoxycarbonyl group (preferably having a carbon number of 2 to 20). An alkoxycarbonyl group, for example, a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, etc.), a haloalkyl group (a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or cycloalkyl group are substituted with halogen atoms). And examples thereof include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a fluorocyclopropyl group, and a fluorocyclobutyl group. As for the cyclic structure in the aryl group, cycloalkyl group and the like, examples of the further substituent include the above alkyl groups.

上記式(1)においてRで表されるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基はR及びRでの説明を適用することができる。上記式(1)においてRで表されるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7〜20のアラルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。上記式(1)においてRの−M(R3mで表される基としては、例えばトリメチルシラニル基、トリメチルゲルミル基等が挙げられる。このRで表されるアラルキル基又は−M(R3mで表される基の水素原子の一部又は全部を置換していてもよい置換基としては、上記置換基を好適に採用することができる。 In the above formula (1), the description of R 1 and R 2 can be applied to the alkyl group, cycloalkyl group and aryl group represented by R 3 . The aralkyl group represented by R 3 in the above formula (1) is preferably an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group. . The group represented by -M (R 3m) 3 of R 3 in the above formula (1), for example trimethylsilanyl group, trimethylgermyl group and the like. As the substituent which may substitute part or all of the hydrogen atoms of the aralkyl group represented by R 3 or the group represented by —M (R 3m ) 3 , the above substituents are preferably employed. be able to.

とRとが連結して環状エーテルを形成してもよい。このような環状エーテルとしては、例えば2−オキセタニル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒドロピラニル基、2−ジオキサニル基等が挙げられる。この環状エーテルの水素原子の一部又は全部は上記置換基で置換されていてもよい。 R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether. Examples of such cyclic ethers include 2-oxetanyl group, 2-tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl group, 2-dioxanyl group and the like. Some or all of the hydrogen atoms of the cyclic ether may be substituted with the above substituents.

構造単位(1)は、他の炭素原子に結合することによりアセタール構造又はケタール構造を有することとなるべき官能基を有することにより、そのアセタール構造又はケタール構造を持つことができる。   The structural unit (1) can have an acetal structure or a ketal structure by having a functional group that should have an acetal structure or a ketal structure by bonding to another carbon atom.

上記他の炭素原子に結合することによりアセタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば1−メトキシエトキシ基、1−エトキシエトキシ基、1−n−プロポキシエトキシ基、1−i−プロポキシエトキシ基、1−n−ブトキシエトキシ基、1−i−ブトキシエトキシ基、1−sec−ブトキシエトキシ基、1−t−ブトキシエトキシ基、1−シクロペンチルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−ノルボルニルオキシエトキシ基、1−ボルニルオキシエトキシ基、1−フェニルオキシエトキシ基、1−(1−ナフチルオキシ)エトキシ基、1−ベンジルオキシエトキシ基、1−フェネチルオキシエトキシ基、(シクロヘキシル)(メトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(エトキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(フェノキシ)メトキシ基、(シクロヘキシル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(メトキシ)メトキシ基、(フェニル)(エトキシ)メトキシ基、(フェニル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(フェニル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(フェニル)(フェノキシ)メトキシ基、(フェニル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(メトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(エトキシ)メトキシ基、(ベンジル)(n−プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(i−プロポキシ)メトキシ基、(ベンジル)(シクロヘキシルオキシ)メトキシ基、(ベンジル)(フェノキシ)メトキシ基、(ベンジル)(ベンジルオキシ)メトキシ基、2−テトラヒドロフラニルオキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基、1−トリメチルシラニルオキシエトキシ基、1−トリメチルゲルミルオキシエトキシ基等を挙げることができる。   Examples of the functional group that should have an acetal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methoxyethoxy group, 1-ethoxyethoxy group, 1-n-propoxyethoxy group, 1-i-propoxyethoxy. Group, 1-n-butoxyethoxy group, 1-i-butoxyethoxy group, 1-sec-butoxyethoxy group, 1-t-butoxyethoxy group, 1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 1- Norbornyloxyethoxy group, 1-bornyloxyethoxy group, 1-phenyloxyethoxy group, 1- (1-naphthyloxy) ethoxy group, 1-benzyloxyethoxy group, 1-phenethyloxyethoxy group, (cyclohexyl) (Methoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (ethoxy) methoxy group (Cyclohexyl) (n-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (i-propoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (cyclohexyl) (phenoxy) methoxy group, (cyclohexyl) (benzyloxy) methoxy group , (Phenyl) (methoxy) methoxy group, (phenyl) (ethoxy) methoxy group, (phenyl) (n-propoxy) methoxy group, (phenyl) (i-propoxy) methoxy group, (phenyl) (cyclohexyloxy) methoxy group , (Phenyl) (phenoxy) methoxy group, (phenyl) (benzyloxy) methoxy group, (benzyl) (methoxy) methoxy group, (benzyl) (ethoxy) methoxy group, (benzyl) (n-propoxy) methoxy group, Benzyl) (i-propo Ii) methoxy group, (benzyl) (cyclohexyloxy) methoxy group, (benzyl) (phenoxy) methoxy group, (benzyl) (benzyloxy) methoxy group, 2-tetrahydrofuranyloxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1 -A trimethylsilanyloxyethoxy group, a 1-trimethylgermyloxyethoxy group, etc. can be mentioned.

これらのうち、1−エトキシエトキシ基、1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基、1−n−プロポキシエトキシ基、2−テトラヒドロピラニルオキシ基を好ましいものとして挙げることができる。   Among these, 1-ethoxyethoxy group, 1-cyclohexyloxyethoxy group, 2-tetrahydropyranyloxy group, 1-n-propoxyethoxy group, and 2-tetrahydropyranyloxy group can be mentioned as preferable examples.

上記他の炭素原子に結合することにより、ケタール構造を有することとなるべき官能基としては、例えば、1−メチル−1−メトキシエトキシ基、1−メチル−1−エトキシエトキシ基、1−メチル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−メチル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−メチル−1−n−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−i−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−sec−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−t−ブトキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロペンチルオキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−メチル−1−ノルボルニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−ボルニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−メチル−1−(1−ナフチルオキシ)エトキシ基、1−メチル−1−ベンジルオオキシエトキシ基、1−メチル−1−フェネチルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−メトキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−エトキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−フェノキシエトキシ基、1−シクロヘキシル−1−ベンジルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−メトキシエトキシ基、1−フェニル−1−エトキシエトキシ基、1−フェニル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−フェニル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−フェニル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−フェニル−1−ベンジルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−メトキシエトキシ基、1−ベンジル−1−エトキシエトキシ基、1−ベンジル−1−n−プロポキシエトキシ基、1−ベンジル−1−i−プロポキシエトキシ基、1−ベンジル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−フェニルオキシエトキシ基、1−ベンジル−1−ベンジルオキシエトキシ基、2−(2−メチル−テトラヒドロフラニル)オキシ基、2−(2−メチル−テトラヒドロピラニル)オキシ基、1−メトキシ−シクロペンチルオキシ基、1−メトキシ−シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。   Examples of the functional group that should have a ketal structure by bonding to the other carbon atom include 1-methyl-1-methoxyethoxy group, 1-methyl-1-ethoxyethoxy group, 1-methyl- 1-n-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-methyl-1-n-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-i-butoxyethoxy group, 1-methyl-1- sec-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-t-butoxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclopentyloxyethoxy group, 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-methyl-1-norbornyloxy Ethoxy group, 1-methyl-1-bornyloxyethoxy group, 1-methyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-methyl-1- (1-na Tiloxy) ethoxy group, 1-methyl-1-benzyloxyoxyethoxy group, 1-methyl-1-phenethyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-methoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-ethoxyethoxy group, 1- Cyclohexyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-phenoxyethoxy group, 1-cyclohexyl-1-benzyl Oxyethoxy group, 1-phenyl-1-methoxyethoxy group, 1-phenyl-1-ethoxyethoxy group, 1-phenyl-1-n-propoxyethoxy group, 1-phenyl-1-i-propoxyethoxy group, Phenyl-1-cyclohexyloxyethoxy group 1-phenyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-phenyl-1-benzyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-methoxyethoxy group, 1-benzyl-1-ethoxyethoxy group, 1-benzyl-1-n- Propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-i-propoxyethoxy group, 1-benzyl-1-cyclohexyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-phenyloxyethoxy group, 1-benzyl-1-benzyloxyethoxy group, 2 -(2-Methyl-tetrahydrofuranyl) oxy group, 2- (2-methyl-tetrahydropyranyl) oxy group, 1-methoxy-cyclopentyloxy group, 1-methoxy-cyclohexyloxy group and the like can be mentioned.

これらのうち、1−メチル−1−メトキシエトキシ基、1−メチル−1−シクロヘキシルオキシエトキシ基を好ましいものとして挙げることができる。   Among these, 1-methyl-1-methoxyethoxy group and 1-methyl-1-cyclohexyloxyethoxy group can be mentioned as preferable ones.

上記アセタール構造又はケタール構造を有する構造単位(1)の具体例としては、例えば下記式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位が挙げられる。   Specific examples of the structural unit (1) having the acetal structure or ketal structure include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-3).

Figure 2011221471
Figure 2011221471

(式(1−1)及び(1−3)中、R´は水素原子又はメチル基である。R、R及びRは上記式(1)の説明と同義である。) (In formulas (1-1) and (1-3), R ′ is a hydrogen atom or a methyl group. R 1 , R 2, and R 3 have the same meanings as those in formula (1) above.)

上記式(1−1)〜(1−3)で表される構造単位(1)を与えるラジカル重合性を有する単量体(以下、単に「アセタール構造含有単量体」ともいう。)としては、例えば
1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、1−(シクロアルキルオキシ)アルキル(メタ)アクリレート、1−(ハロアルコキシ)アルキル(メタ)アクリレート、1−(アラルキルオキシ)アルキル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリレート系アセタール構造含有単量体;
2,3−ジ(1−(トリアルキルシラニルオキシ)アルコキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリアルキルゲルミルオキシ)アルコキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−アルコキシアルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロアルキルオキシ)アルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(アラルキルオキシ)アルコキシカルボニル)−5−ノルボルネン等のノルボルネン系アセタール構造含有単量体;
1−アルコキシアルコキシスチレン、1−(ハロアルコキシ)アルコキシスチレン、1−(アラルキルオキシ)アルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のスチレン系アセタール構造含有単量体
が挙げられる。
As a monomer having radical polymerizability that gives the structural unit (1) represented by the above formulas (1-1) to (1-3) (hereinafter also simply referred to as “acetal structure-containing monomer”). For example, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, 1- (cycloalkyloxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl (meth) acrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl (meth) acrylate, tetrahydropyrani (Meth) acrylate-based acetal structure-containing monomers such as ru (meth) acrylate;
2,3-di (1- (trialkylsilanyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trialkylgermyloxy) alkoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2, 3-di (1-alkoxyalkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cycloalkyloxy) alkoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (aralkyloxy) alkoxycarbonyl ) Norbornene-based acetal structure-containing monomers such as -5-norbornene;
Examples thereof include styrene acetal structure-containing monomers such as 1-alkoxyalkoxystyrene, 1- (haloalkoxy) alkoxystyrene, 1- (aralkyloxy) alkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene.

これらの中で、1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレート、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレート、1−アルコキシアルコキシスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレンが好ましく、1−アルコキシアルキル(メタ)アクリレートがより好ましい。   Among these, 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate, 1-alkoxyalkoxystyrene, and tetrahydropyranyloxystyrene are preferable, and 1-alkoxyalkyl (meth) acrylate is more preferable.

上記構成単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体の具体例としては、例えば、
1−エトキシエチルメタクリレート、1−メトキシエチルメタクリレート、1−n−ブトキシエチルメタクリレート、1−イソブトキシエチルメタクリレート、1−t−ブトキシエチルメタクリレート、1−(2−クロルエトキシ)エチルメタクリレート、1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチルメタクリレート、1−n−プロポキシエチルメタクリレート、1−シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレート、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート、
1−エトキシエチルアクリレート、1−メトキシエチルアクリレート、1−n−ブトキシエチルアクリレート、1−イソブトキシエチルアクリレート、1−t−ブトキシエチルアクリレート、1−(2−クロルエトキシ)エチルアクリレート、1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチルアクリレート、1−n−プロポキシエチルアクリレート、1−シクロヘキシルオキシエチルアクリレート、1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチルアクリレート、1−ベンジルオキシエチルアクリレート、2−テトラヒドロピラニルアクリレート、
2,3−ジ(1−(トリメチルシラニルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(トリメチルゲルミルオキシ)エトキシ)カルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−メトキシエトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(シクロヘキシルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、2,3−ジ(1−(ベンジルオキシ)エトキシカルボニル)−5−ノルボルネン、
p又はm−1−エトキシエトキシスチレン、p又はm−1−メトキシエトキシスチレン、p又はm−1−n−ブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−イソブトキシエトキシスチレン、p又はm−1−(1,1−ジメチルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−クロルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−(2−エチルヘキシルオキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−n−プロポキシエトキシスチレン、p又はm−1−シクロヘキシルオキシエトキシスチレン、p又はm−1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エトキシスチレン、p又はm−1−ベンジルオキシエトキシスチレン
等を挙げることができる。上記構造単位(1)は、1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。
Specific examples of the acetal structure-containing monomer that gives the structural unit (1) include, for example,
1-ethoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-t-butoxyethyl methacrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2 -Ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate,
1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-t-butoxyethyl acrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl acrylate, 1- (2 -Ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, 2-tetrahydropyranyl acrylate,
2,3-di (1- (trimethylsilanyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (trimethylgermyloxy) ethoxy) carbonyl) -5-norbornene, 2,3- Di (1-methoxyethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (cyclohexyloxy) ethoxycarbonyl) -5-norbornene, 2,3-di (1- (benzyloxy) ethoxycarbonyl) -5 -Norbornene,
p or m-1-ethoxyethoxystyrene, p or m-1-methoxyethoxystyrene, p or m-1-n-butoxyethoxystyrene, p or m-1-isobutoxyethoxystyrene, p or m-1- ( 1,1-dimethylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-chloroethoxy) ethoxystyrene, p or m-1- (2-ethylhexyloxy) ethoxystyrene, p or m-1-n-propoxyethoxy Examples include styrene, p or m-1-cyclohexyloxyethoxystyrene, p or m-1- (2-cyclohexylethoxy) ethoxystyrene, p or m-1-benzyloxyethoxystyrene. The said structural unit (1) can be used 1 type or in combination of 2 or more types.

上記構成単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体の中でも、1−エトキシエチルメタクリレート、1−n−ブトキシエチルメタクリレート、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレートが好ましい。   Among the acetal structure-containing monomers that give the structural unit (1), 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 2-tetrahydropyranyl methacrylate, and 1-benzyloxyethyl methacrylate are preferable.

構造単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、上記式(1−1)で表される構造単位(1)を与えるアセタール構造含有単量体は、下記に示すように(メタ)アクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。   A commercially available thing may be used for the acetal structure containing monomer which gives structural unit (1), and what was synthesize | combined by the well-known method can also be used. For example, the acetal structure-containing monomer that gives the structural unit (1) represented by the above formula (1-1) reacts (meth) acrylic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst as shown below. Can be synthesized.

Figure 2011221471
Figure 2011221471

(式中、R´、R及びRは、それぞれ上記式(1−1)におけるR´、R及びRに対応し、R21及びR22は、−CH(R21)(R22)として、上記式(1−1)におけるRに対応する。) (In the formula, R ′, R 1 and R 3 respectively correspond to R ′, R 1 and R 3 in the above formula (1-1), and R 21 and R 22 represent —CH (R 21 ) (R 22 ) corresponds to R 2 in the above formula (1-1).)

[A]重合体における構造単位(1)の含有量としては、[A]重合体が酸によりアルカリ可溶性を示し、硬化膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位とを両方含む場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、5質量%以上70質量%以下が好ましく、10質量%以上60質量%以下がより好ましく、20質量%以上50質量%以下が特に好ましい。   [A] The content of the structural unit (1) in the polymer is not particularly limited as long as the polymer [A] is alkali-soluble by acid and exhibits the desired heat resistance of the cured film. When both the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit are included in the polymer molecule, the monomer charge ratio is 5% by mass or more and 70% by mass or less with respect to all the structural units contained in the [A] polymer. Is preferable, 10 mass% or more and 60 mass% or less are more preferable, and 20 mass% or more and 50 mass% or less are especially preferable.

一方、単一の重合体分子に構造単位(1)を有し、かつ別の単一の重合体分子にエポキシ基含有構造単位を有する場合、構造単位(1)を有する単一の重合体分子における構造単位(1)の含有量としては、その重合体分子に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、40質量%以上99質量%以下が好ましく、50質量%以上98質量%以下がより好ましく、55質量%以上95質量%以下が特に好ましい。   On the other hand, when having a structural unit (1) in a single polymer molecule and having an epoxy group-containing structural unit in another single polymer molecule, a single polymer molecule having a structural unit (1) The content of the structural unit (1) is preferably 40% by mass or more and 99% by mass or less, more preferably 50% by mass or more and 98% by mass with respect to the total structural units contained in the polymer molecule. % Or less is more preferable, and 55 mass% or more and 95 mass% or less are especially preferable.

<エポキシ基含有構造単位>
[A]重合体は、上記構造単位(1)と共に、エポキシ基含有構造単位を有する。エポキシ基含有構造単位は、ラジカル重合性を有するエポキシ基含有単量体に由来する構造単位である。このエポキシ基としては、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)が挙げられる。[A]重合体が分子中にオキシラニル基又はオキセタニル基等を含む構造単位を有することで、当該ポジ型感放射線性組成物から得られる硬化膜の硬度を向上させて耐熱性をさらに高めることができる。
<Epoxy group-containing structural unit>
[A] The polymer has an epoxy group-containing structural unit together with the structural unit (1). The epoxy group-containing structural unit is a structural unit derived from an epoxy group-containing monomer having radical polymerizability. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). [A] When the polymer has a structural unit containing an oxiranyl group or an oxetanyl group in the molecule, the hardness of the cured film obtained from the positive radiation-sensitive composition can be improved to further improve heat resistance. it can.

上記エポキシ基含有構造単位を与えるエポキシ基含有単量体の具体例としては、例えば
アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−3−メチル−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3−エチル−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5−メチル−5,6−エポキシヘキシル、メタクリル酸−5−エチル−5,6−エポキシヘキシル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、
3,4−エポキシシクロへキシルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルメチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルエチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルプロピルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルブチルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルヘキシルメタクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルエチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルプロピルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルブチルアクリレート、3,4−エポキシシクロへキシルヘキシルアクリレート等のオキシラニル基含有(メタ)アクリル系化合物;
Specific examples of the epoxy group-containing monomer that gives the epoxy group-containing structural unit include, for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, and acrylic. Acid-3-methyl-3,4-epoxybutyl, methacrylate-3-ethyl-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid 5-methyl-5,6-epoxyhexyl, methacrylic acid-5-ethyl-5,6-epoxyhexyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl,
3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylpropyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohex Xylbutyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylethyl acrylate, 3,4 -Oxylanyl group-containing (meth) acrylic compounds such as epoxycyclohexylpropyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylbutyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylhexyl acrylate;

o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−p−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のビニルベンジルグリシジルエーテル類;
o−ビニルフェニルグリシジルエーテル、m−ビニルフェニルグリシジルエーテル、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル等のビニルフェニルグリシジルエーテル類;
3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、
3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−フェニルオキセタン、
2−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(アクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、
2−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−エチルオキセタン、2−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、2−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等のオキセタニル基含有(メタ)アクリル系化合物等を挙げることができる。上記エポキシ基含有構造単位は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
o-vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-m-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-p-vinyl Vinyl benzyl glycidyl ethers such as benzyl glycidyl ether;
vinyl phenyl glycidyl ethers such as o-vinyl phenyl glycidyl ether, m-vinyl phenyl glycidyl ether, p-vinyl phenyl glycidyl ether;
3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3 -Phenyloxetane,
3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3 -Phenyloxetane,
2- (acryloyloxymethyl) oxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (acryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-acryloyloxyethyl) -2 -Phenyloxetane,
2- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-ethyloxetane, 2- (methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 2- (2-methacryloyloxyethyl) -2 An oxetanyl group-containing (meth) acrylic compound such as phenyl oxetane can be used. The said epoxy group containing structural unit can be used individually or in combination of 2 or more types.

上記エポキシ基含有単量体の中でも、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−2−メチルグリシジル、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシル、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタンが他のラジカル重合性単量体との共重合反応性、及びポジ型感放射線性組成物の現像性の観点から好ましい。   Among the above epoxy group-containing monomers, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-Methyloxetane and 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and developability of the positive radiation sensitive composition.

[A]重合体におけるエポキシ基含有構造単位の含有量としては、層間絶縁膜の所望の耐熱性が発揮される限り特に限定されず、一の重合体分子に構造単位(1)とエポキシ基含有構造単位とを含む場合、[A]重合体に含まれる全構造単位に対して、単量体仕込み比で、10質量%以上60質量%以下が好ましく、15質量%以上55質量%以下がより好ましく、20質量%以上50質量%以下が特に好ましい。   [A] The content of the epoxy group-containing structural unit in the polymer is not particularly limited as long as the desired heat resistance of the interlayer insulating film is exhibited, and the structural unit (1) and the epoxy group are contained in one polymer molecule. When the structural unit is included, the monomer charge ratio is preferably 10% by mass or more and 60% by mass or less, and more preferably 15% by mass or more and 55% by mass or less with respect to all the structural units contained in the [A] polymer. It is preferably 20% by mass or more and 50% by mass or less.

一方、一の重合体分子に構造単位(1)を有し、かつ他の重合体分子にエポキシ基含有構造単位を有する場合、エポキシ基含有構造単位を有する他の重合体分子に含まれる全構造単位に対するエポキシ基含有構造単位の含有量としては、単量体仕込み比で、20質量%以上80質量%以下が好ましく、30質量%以上70質量%以下がより好ましく、35質量%以上65質量%以下が特に好ましい。   On the other hand, when one polymer molecule has the structural unit (1) and the other polymer molecule has an epoxy group-containing structural unit, the entire structure contained in the other polymer molecule having the epoxy group-containing structural unit The content of the epoxy group-containing structural unit relative to the unit is preferably 20% by mass to 80% by mass, more preferably 30% by mass to 70% by mass, and more preferably 35% by mass to 65% by mass in terms of monomer charge. The following are particularly preferred:

<その他の構造単位>
その他の構造単位を与えるラジカル重合性単量体としては、カルボキシル基又はその誘導体、水酸基を有するラジカル重合性単量体等が挙げられる。
<Other structural units>
Examples of the radical polymerizable monomer that gives other structural units include a carboxyl group or a derivative thereof, a radical polymerizable monomer having a hydroxyl group, and the like.

上記カルボキシル基又はその誘導体を有するラジカル重合体単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、2−メタクリロイルオキシエチルコハク酸、2−アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸等のモノカルボン酸;
マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸;
上記ジカルボン酸の酸無水物等を挙げることができる。
Examples of the radical polymer monomer having a carboxyl group or a derivative thereof include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, 2-acryloyloxyethyl succinic acid, 2-methacryloyloxyethyl succinic acid, 2-acryloyloxyethyl hexahydrophthal Acids, monocarboxylic acids such as 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid;
Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid;
The acid anhydride of the said dicarboxylic acid etc. can be mentioned.

上記水酸基を有するラジカル重合性単量体の例としては、
アクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルエステル等のアクリル酸ヒドロキシアルキルエステル;
メタクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−5−ヒドロキシペンチルエステル、メタクリル酸−6−ヒドロキシヘキシルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル等のメタクリル酸ヒドロキシアルキルエステル等を挙げることができる。
Examples of the radical polymerizable monomer having a hydroxyl group include
Acrylic acid hydroxyalkyl esters such as acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethylcyclohexylmethyl ester;
Methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-3-hydroxypropyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-5-hydroxypentyl ester, methacrylic acid-6-hydroxyhexyl ester, methacrylic acid-4- Mention may be made of methacrylic acid hydroxyalkyl esters such as hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester.

これらの水酸基を有するラジカル重合性単量体のうち、その他のラジカル重合性単量体との共重合反応性及び得られる層間絶縁膜の耐熱性の観点から、アクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、アクリル酸−3−ヒドロキシプロピルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、メタクリル酸−2−ヒドロキシエチルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシブチルエステル、アクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステル、メタクリル酸−4−ヒドロキシメチル−シクロヘキシルメチルエステルが好ましい。   Among these radical polymerizable monomers having a hydroxyl group, acrylic acid-2-hydroxyethyl ester, from the viewpoint of copolymerization reactivity with other radical polymerizable monomers and heat resistance of the resulting interlayer insulating film, Acrylic acid-3-hydroxypropyl ester, acrylic acid-4-hydroxybutyl ester, methacrylic acid-2-hydroxyethyl ester, methacrylic acid-4-hydroxybutyl ester, acrylic acid-4-hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester, methacrylic acid -4-Hydroxymethyl-cyclohexylmethyl ester is preferred.

その他のラジカル重合性単量体の例としては、
アクリル酸メチル、アクリル酸i−プロピル等のアクリル酸アルキルエステル;
メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル等のメタクリル酸アルキルエステル;
アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、アクリル酸−2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、アクリル酸イソボルニル等のアクリル酸脂環式アルキルエステル;
メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸−2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸−2−(トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシ)エチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸脂環式アルキルエステル;
アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等のアクリル酸のアリールエステル及びアクリル酸のアラルキルエステル;
メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル等のメタクリル酸のアリールエステル及びメタクリル酸のアラルキルエステル;
マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等のジカルボン酸ジアルキルエステル;
メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、メタクリル酸テトラヒドロフリル、メタクリル酸テトラヒドロピラン−2−メチル等の酸素1原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル及び不飽和複素六員環メタクリル酸エステル;
Examples of other radical polymerizable monomers include
Alkyl acrylates such as methyl acrylate and i-propyl acrylate;
Alkyl methacrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate;
Cyclohexyl acrylate, acrylate-2-methylcyclohexyl, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, acrylate-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] Acrylic alicyclic alkyl ester such as decan-8-yloxy) ethyl, isobornyl acrylate;
Cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, methacrylic acid-2- (tricyclo [5.2.1.0 2, 6 ] decano-8-yloxy) ethyl, methacrylic acid alicyclic alkyl esters such as isobornyl methacrylate;
Aryl esters of acrylic acid such as phenyl acrylate and benzyl acrylate and aralkyl esters of acrylic acid;
Aryl esters of methacrylic acid such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate and aralkyl esters of methacrylic acid;
Dicarboxylic acid dialkyl esters such as diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate;
Unsaturated 5-membered ring methacrylates and unsaturated 6-membered ring methacrylates containing 1 atom of oxygen such as tetrahydrofurfuryl methacrylate, tetrahydrofuryl methacrylate, tetrahydropyran-2-methyl methacrylate;

4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−メタクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環メタクリル酸エステル;
4−アクリロイルオキシメチル−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2、2−ジエチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−イソブチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロペンチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシメチル−2−シクロヘキシル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシエチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシプロピル−2−メチル
−2−エチル−1,3−ジオキソラン、4−アクリロイルオキシブチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン等の酸素2原子を含む不飽和複素五員環アクリル酸エステル;
4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-cyclohexyl- 2 oxygen atoms such as 1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-methacryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane Unsaturated heterocyclic 5-membered methacrylates containing:
4-acryloyloxymethyl-2,2-dimethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2, 2-diethyl- 1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-isobutyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2-cyclopentyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxymethyl-2- Cyclohexyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxyethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4-acryloyloxypropyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, 4- Acryloyloxybutyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxola Unsaturated five-membered heterocyclic acrylic acid esters containing oxygen 2 atoms and the like;

スチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、4−イソプロペニルフェノール等のビニル芳香族化合物;
N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミド等のN位置換マレイミド;
1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等の共役ジエン系化合物;
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、塩化ビニル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル等のその他の不飽和化合物を挙げることができる。
Vinyl aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, 4-isopropenylphenol;
N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl-4-maleimidobutyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3 -N-substituted maleimides such as maleimide propionate, N- (9-acridinyl) maleimide;
Conjugated diene compounds such as 1,3-butadiene, isoprene and 2,3-dimethyl-1,3-butadiene;
Other unsaturated compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, methacrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride and vinyl acetate can be mentioned.

これらのその他のラジカル重合性単量体のうち、スチレン、4−イソプロペニルフェノール、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸テトラヒドロフルフリル、1,3−ブタジエン、4−アクリロイルオキシメチル−2−メチル−2−エチル−1,3−ジオキソラン、N−シクロヘキシルマレイミド、N−フェニルマレイミド、メタクリル酸ベンジル等が、上記の反応官能基を有するラジカル重合性単量体との共重合反応性、及び当該ポジ型感放射線性組成物の現像性の点で好ましい。 Among these other radical polymerizable monomers, styrene, 4-isopropenylphenol, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, 1, Radical polymerizability in which 3-butadiene, 4-acryloyloxymethyl-2-methyl-2-ethyl-1,3-dioxolane, N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide, benzyl methacrylate, etc. have the above reactive functional groups It is preferable in terms of copolymerization reactivity with the monomer and developability of the positive radiation sensitive composition.

[A]重合体のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算質量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。[A]重合体のMwを上記範囲とすることによって、当該ポジ型感放射線性組成物の放射線感度及びアルカリ現像性を高めることができる。 [A] The polystyrene-reduced mass average molecular weight (hereinafter referred to as “Mw”) by GPC (gel permeation chromatography) of the polymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 , more preferably. It is 5.0 * 10 < 3 > -5.0 * 10 < 4 >. [A] By making Mw of a polymer into the said range, the radiation sensitivity and alkali developability of the said positive type radiation sensitive composition can be improved.

また、[A]重合体のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」という。)は、好ましくは2.0×10〜1.0×10、より好ましくは5.0×10〜5.0×10である。共重合体のMnを上記範囲とすることによって、当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 Moreover, the number average molecular weight (hereinafter referred to as “Mn”) in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) of the [A] polymer is preferably 2.0 × 10 3 to 1.0 × 10 5 . Preferably it is 5.0 * 10 < 3 > -5.0 * 10 < 4 >. By setting the Mn of the copolymer within the above range, the curing reactivity at the time of curing the coating film of the positive radiation sensitive composition can be improved.

さらに、[A]重合体の分子量分布「Mw/Mn」は、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.6以下である。[A]重合体のMw/Mnを3.0以下とすることにより、得られる層間絶縁膜の現像性を高めることができる。[A]重合体を含む当該ポジ型感放射線性組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。   Furthermore, the molecular weight distribution “Mw / Mn” of the [A] polymer is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. [A] By setting Mw / Mn of the polymer to 3.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film can be improved. [A] The positive-type radiation-sensitive composition containing a polymer can easily form a desired pattern shape without causing a development residue during development.

<[A]重合体の製造方法>
[A]重合体は、アセタール構造含有単量体、エポキシ基含有単量体、その他の構造単位を与える単量体のラジカル共重合により製造することができる。同一の重合体分子に構造単位(1)及びエポキシ基含有構造単位の両方を含む[A]重合体を製造する場合は、少なくともアセタール構造含有単量体とエポキシ基含有単量体とを含む混合物を用いて共重合させればよい。一方、一の重合体分子に構造単位(1)を有し、かつそれとは異なる重合体分子にエポキシ基含有構造単位を有する[A]重合体を製造する場合は、少なくともアセタール構造含有単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させて構造単位(1)を有する重合体分子を得ておき、別途少なくともエポキシ基含有単量体を含む重合性溶液をラジカル重合させてエポキシ基含有構造単位を有する重合体分子を得て、最後に両者を混合して[A]重合体とすればよい。
<[A] Production method of polymer>
[A] The polymer can be produced by radical copolymerization of an acetal structure-containing monomer, an epoxy group-containing monomer, and other monomers that give structural units. In the case of producing the [A] polymer containing both the structural unit (1) and the epoxy group-containing structural unit in the same polymer molecule, a mixture containing at least an acetal structure-containing monomer and an epoxy group-containing monomer May be used for copolymerization. On the other hand, when the [A] polymer having the structural unit (1) in one polymer molecule and the epoxy group-containing structural unit in a different polymer molecule is produced, at least an acetal structure-containing monomer A polymer solution containing the structural unit (1) is obtained by radical polymerization of a polymerizable solution containing, and a polymer solution containing at least an epoxy group-containing monomer is radically polymerized to have an epoxy group-containing structural unit. What is necessary is just to obtain a polymer molecule | numerator and finally mix both to make [A] polymer.

[A]重合体を製造するための重合反応に用いられる溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等を挙げることができる。   [A] Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the polymer include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, and propylene glycol monoalkyls. Examples include ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.

これらの溶媒としては、
アルコール類として、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等;
エーテル類として、例えばテトラヒドロフラン等;
グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等;
エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとして、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等;
ジエチレングリコールアルキルエーテルとして、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとして、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等;
These solvents include
Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like;
Ethers such as tetrahydrofuran;
Examples of glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether;
Examples of ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like;
Examples of propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like;
Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate;
As propylene glycol monoalkyl ether propionate, for example, propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like;

芳香族炭化水素類として、例えばトルエン、キシレン等;
ケトン類として、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等;
他のエステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類をそれぞれ挙げることができる。
Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene;
Examples of ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, and the like;
Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, Methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxypropionic acid Butyl, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate Methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate Propyl acid, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropionic acid Ethyl, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, 3- Butyl toxipropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Examples include esters such as propyl propionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.

これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、特に、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましい。   Among these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate, and butyl methoxyacetate are preferable, particularly diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferred.

[A]重合体を製造するための重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できる。ラジカル重合開始剤としては、例えば、
2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;
ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物;及び
過酸化水素が挙げられる。
[A] As the polymerization initiator used in the polymerization reaction for producing the polymer, those generally known as radical polymerization initiators can be used. Examples of radical polymerization initiators include:
2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), Azo compounds such as 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate);
And organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; and hydrogen peroxide.

ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよい。   When a peroxide is used as the radical polymerization initiator, the peroxide may be used together with a reducing agent to form a redox initiator.

[A]重合体を製造するための重合反応において、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用することができる。分子量調整剤の具体例としては、
クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;
n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;
ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;
ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。
[A] In the polymerization reaction for producing the polymer, a molecular weight modifier can be used to adjust the molecular weight. Specific examples of molecular weight regulators include
Halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide;
mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, thioglycolic acid;
Xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide;
Examples include terpinolene and α-methylstyrene dimer.

<[B]光酸発生体>
[B]光酸発生体は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。ここで、放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線等を使用できる。当該組成物が[B]光酸発生体と酸解離性基を有する[A]重合体を含むことで、ポジ型の感放射線特性を発揮できる。[B]光酸発生体は、放射線の照射によって酸(例えば、カルボン酸、スルホン酸等)を発生させる化合物である限り、特に限定されない。[B]光酸発生体の当該組成物における含有形態としては、後述するような化合物である光酸発生剤(以下、「[B]光酸発生剤」と称することがある。)の形態でも、[A]重合体又は他の重合体の一部として組み込まれた光酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
<[B] Photoacid generator>
[B] The photoacid generator is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. Here, for example, visible light, ultraviolet light, or far ultraviolet light can be used as the radiation. By including the [B] photoacid generator and the [A] polymer having an acid dissociable group, the composition can exhibit positive radiation sensitive characteristics. [B] The photoacid generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid (for example, carboxylic acid, sulfonic acid, etc.) by irradiation with radiation. [B] The content of the photoacid generator in the composition is also a form of a photoacid generator (hereinafter, also referred to as “[B] photoacid generator”) which is a compound as described later. [A] The form of the photoacid generator incorporated as part of the polymer or other polymer, or both forms.

[B]光酸発生剤としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。   [B] Examples of the photoacid generator include oxime sulfonate compounds, onium salts, sulfonimide compounds, halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, carboxylic acid ester compounds, and the like.

(オキシムスルホネート化合物)
上記オキシムスルホネート化合物としては、上記式(3)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物が好ましい。
(Oxime sulfonate compound)
As said oxime sulfonate compound, the compound containing the oxime sulfonate group represented by the said Formula (3) is preferable.

B1の直鎖状又は分岐状アルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましい。また、RB1の直鎖状若しくは分岐状アルキル基又はシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部は、炭素数1〜10のアルコキシ基又は脂環式基(7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環式基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)等で置換されていてもよい。RB1のアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がさらに好ましい。RB1のアリール基は、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子等で置換されてもよい。 As the linear or branched alkyl group for R B1, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. In addition, part or all of the hydrogen atoms of the linear or branched alkyl group or cycloalkyl group represented by R B1 may be an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an alicyclic group (7,7-dimethyl-2-oxo). It may be substituted with a bridged alicyclic group such as a norbornyl group, preferably a bicycloalkyl group. The aryl group for R B1 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group of R B1 may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, a halogen atom, or the like.

上記式(3)で表されるオキシムスルホネート基を含有する上記化合物は、下記式(3−1)で表されるオキシムスルホネート化合物であることがさらに好ましい。   The compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (3) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the following formula (3-1).

Figure 2011221471
Figure 2011221471

上記式(3−1)において、RB1は、上記式(3)におけるRB1の説明と同義である。Zは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは0〜3の整数である。mが2又は3であるとき、複数のZは同一でも異なっていてもよい。Zとしてのアルキル基は、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。 In the above formula (3-1), R B1 has the same meaning as the description of R B1 in the above formula (3). Z is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0-3. When m is 2 or 3, a plurality of Z may be the same or different. The alkyl group as Z is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

Zとしてのアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状アルコキシ基が好ましい。Zとしてのハロゲン原子は、塩素原子又はフッ素原子が好ましい。mは0又は1が好ましい。特に、上記式(3−1)において、mが1、Zがメチル基であり、Zの置換位置がオルトである化合物が好ましい。   The alkoxy group as Z is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom as Z is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. m is preferably 0 or 1. In particular, in the above formula (3-1), a compound in which m is 1, Z is a methyl group, and the substitution position of Z is ortho is preferable.

オキシムスルホネート化合物の具体例としては、例えば下記式(3−i)〜(3−5v)でそれぞれ表される化合物(3−i)、化合物(3−ii)、化合物(3−iii)、化合物(3−iv)及び化合物(3−v)等が挙げられる。   Specific examples of the oxime sulfonate compound include compounds (3-i), (3-ii), (3-iii), and compounds represented by the following formulas (3-i) to (3-5v), for example. (3-iv) and compound (3-v).

Figure 2011221471
Figure 2011221471

これらの酸発生剤は単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができ、[B]成分としての他の光酸発生剤と組み合わせて使用することもできる。上記化合物(3−i)[(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]、化合物(3−ii)[(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]、化合物(3−iii)[(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]、化合物(3−iv)[(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]及び化合物(3−v)[(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル]は、市販品として入手できる。   These acid generators can be used alone or in combination of two or more kinds, and can also be used in combination with other photoacid generators as the [B] component. Compound (3-i) [(5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile], compound (3-ii) [(5-octylsulfonyloxyimino-5H -Thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile], compound (3-iii) [(camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile], compound ( 3-iv) [(5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile] and compound (3-v) [(5-octylsulfonyloxyimino)-( 4-methoxyphenyl) acetonitrile] is commercially available That.

(オニウム塩)
オニウム塩としては、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、スルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。
(Onium salt)
Examples of the onium salt include diphenyliodonium salt, triphenylsulfonium salt, sulfonium salt, benzothiazonium salt, and tetrahydrothiophenium salt.

ジフェニルヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス(2,6−ジフルオロフェニル)ボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム−p−トルエンスルホナート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。   Examples of the diphenyliodonium salt include diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfonate, diphenyl Iodonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroarce Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoro Tansulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium camphorsulfonic acid, etc. Can be mentioned.

トリフェニルスルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス(2、6−ジフルオロフェニル)ボレート等が挙げられる。   Examples of the triphenylsulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonic acid, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, and triphenyl. Examples include sulfonium butyl tris (2,6-difluorophenyl) borate.

スルホニウム塩としては、例えばアルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩等が挙げられる。   Examples of the sulfonium salt include alkylsulfonium salts, benzylsulfonium salts, dibenzylsulfonium salts, substituted benzylsulfonium salts and the like.

アルキルスルホニウム塩としては、例えば4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of the alkylsulfonium salt include 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-acetoxyphenyldimethylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-4- (benzyloxycarbonyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (Benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroantimonate, dimethyl-4- (benzoyloxy) phenylsulfonium hexafluoroarsenate, dimethyl-3-chloro-4-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate and the like can be mentioned.

ベンジルスルホニウム塩としては、例えばベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。   Examples of the benzylsulfonium salt include benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenylbenzylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxyphenyl. Methylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-2-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxybenzyl-4-hydroxyphenyl Examples include methylsulfonium hexafluorophosphate.

ジベンジルスルホニウム塩としては、例えばジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。   Examples of the dibenzylsulfonium salt include dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, dibenzyl-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-acetoxyphenyldibenzylsulfonium hexafluoroantimonate, and dibenzyl-4-methoxyphenylsulfonium. Hexafluoroantimonate, dibenzyl-3-chloro-4-hydroxyphenylsulfonium hexafluoroarsenate, dibenzyl-3-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl-4-methoxybenzyl- Examples include 4-hydroxyphenylsulfonium hexafluorophosphate.

置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えばp−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of substituted benzylsulfonium salts include p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, p-nitrobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, and p-chlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethyl. Sulfonium hexafluorophosphate, p-nitrobenzyl-3-methyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, 3,5-dichlorobenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate, o-chlorobenzyl-3- Examples include chloro-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluoroantimonate.

ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジル)ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。   Examples of the benzothiazonium salt include 3-benzylbenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzylbenzothiazonium hexafluorophosphate, 3-benzylbenzothiazonium tetrafluoroborate, 3- (p-methoxy). Benzyl) benzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-2-methylthiobenzothiazonium hexafluoroantimonate, 3-benzyl-5-chlorobenzothiazonium hexafluoroantimonate, and the like.

テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−1,1,2,2−テトラフルオロ−2−(ノルボルナン−2−イル)エタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(5−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム−2−(6−t−ブトキシカルボニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2−イル)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。   Examples of tetrahydrothiophenium salts include 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethane. Sulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-1,1 , 2,2-Tetrafluoro-2- (norbornan-2-yl) ethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (5-t-butoxycarbonyloxybicyclo) [2.2.1] Heptan-2-yl) -1,1, , 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium-2- (6-t-butoxycarbonyloxybicyclo [2.2.1] heptan-2-yl ) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate and the like.

(スルホンイミド化合物)
スルホンイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド等が挙げられる
(Sulfonimide compound)
Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy). ) Succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide, N -(2-fluorophenylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (camphorsulfonyloxy) diphenyl monomer Imido, 4-methylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) Diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (nonafluorobutane Sulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Pto-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-en-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5 -Ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenyl) Sulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyl) Ruoxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluoro Phenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 , 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-di Ruboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] Heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2 , 3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (Phenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- 2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (butylsulfonyl) Oxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dicarbo Xylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, and the like.

(ハロゲン含有化合物)
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。
(Halogen-containing compounds)
Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds.

(ジアゾメタン化合物)
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタン等が挙げられる。
(Diazomethane compound)
Examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, and bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane. Bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane Etc.

(スルホン化合物)
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。
(Sulfone compound)
Examples of the sulfone compound include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, diaryl disulfone compounds, and the like.

(スルホン酸エステル化合物)
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。
(Sulfonate compound)
Examples of the sulfonate compound include alkyl sulfonate, haloalkyl sulfonate, aryl sulfonate, and imino sulfonate.

(カルボン酸エステル化合物)
カルボン酸エステル化合物としては、例えば、カルボン酸o−ニトロベンジルエステルが挙げられる。
(Carboxylic acid ester compound)
Examples of the carboxylic acid ester compound include carboxylic acid o-nitrobenzyl ester.

これらの[B]光酸発生剤の中でも、放射線感度、溶媒等への溶解性の観点から、オキシムスルホネート化合物が好ましく、上記式(3)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物がより好ましく、上記式(3−1)で表されるオキシムスルホネート化合物がさらに好ましく、なかでも市販品として入手可能な、[(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]、[(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]、[(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]、[(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル]、[(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル]が特に好ましい。
また、オニウム塩も好ましく、テトラヒドロチオフェニウム塩及びベンジルスルホニウム塩がより好ましく、4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート及びベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートが特に好ましい。
Among these [B] photoacid generators, an oxime sulfonate compound is preferable from the viewpoint of radiation sensitivity and solubility in a solvent, and a compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (3) is more preferable. Further, an oxime sulfonate compound represented by the above formula (3-1) is more preferable, and among them, [(5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methyl), which is commercially available. Phenyl) acetonitrile], [(5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile], [(5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) )-(2-methylphenyl) acetonitrile], [(camphorsulfonyl) Oxyimino -5H- thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile], [(5-octyl sulfonyloxy imino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile] are particularly preferred.
Also preferred are onium salts, more preferred are tetrahydrothiophenium salts and benzylsulfonium salts, 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate and benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexa Fluorophosphate is particularly preferred.

[B]光酸発生剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。当該組成物における[B]光酸発生剤としての含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.1質量部〜10質量部、より好ましくは1質量部〜5質量部である。[B]光酸発生剤の含有量が上記範囲にあると、当該組成物の放射線感度を最適化し、透明性を維持しつつ電圧保持率が高い層間絶縁膜を形成できる。   [B] One photoacid generator may be used alone, or two or more photoacid generators may be mixed and used. The content of [B] photoacid generator in the composition is preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, and more preferably 1 part by mass to 5 parts with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. Part by mass. [B] When the content of the photoacid generator is within the above range, the radiation sensitivity of the composition can be optimized, and an interlayer insulating film having a high voltage holding ratio can be formed while maintaining transparency.

<[C]長鎖アルキル基含有化合物>
[C]長鎖アルキル基含有化合物は、上記式(2)で表される化合物であり、具体的には、1分子中に疎水性を示すX(炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基)と、両末端又は一方の末端に官能基とを有している。
<[C] long-chain alkyl group-containing compound>
[C] The long-chain alkyl group-containing compound is a compound represented by the above formula (2), and specifically, X (having 6 to 20 carbon atoms, bivalent linear chain) having hydrophobicity in one molecule. And a functional group at both ends or one end.

このような[C]長鎖アルキル基含有化合物は、加熱又は現像液中のアルカリ成分を触媒として[A]成分の一部と反応するため、硬化膜の硬度及び密度を向上させることができる。この硬化膜の硬度及び密度の向上により、各種の耐性、例えば、酸、アルカリ水溶液、有機溶剤やエッチングガス等に対する耐性が向上し、パターン欠損の抑制に顕著な効果を発揮することができる。   Such a [C] long-chain alkyl group-containing compound reacts with a part of the [A] component by using an alkali component in heating or developing solution as a catalyst, so that the hardness and density of the cured film can be improved. By improving the hardness and density of the cured film, various resistances, for example, resistance to acids, aqueous alkali solutions, organic solvents, etching gases, and the like are improved, and a remarkable effect can be exhibited in suppressing pattern defects.

さらには、[A]成分の一部と反応した[C]成分は疎水性を示す長鎖アルキル基を有するため、硬化部分のアルカリ現像液に対する疎水性が向上する。一方、未反応の[C]成分は官能基が親水性であるため、未硬化部分の親水性を発揮することができる。従って当該組成物によれば、低温でのプレベークや、現像時間の増加等、硬化膜形成条件が変化した場合においても、[C]長鎖アルキル基含有化合物が緩衝作用を発揮することで、優れた現像性及びパターン形成性を安定して発揮することができる。   Furthermore, since the [C] component reacted with a part of the [A] component has a long-chain alkyl group exhibiting hydrophobicity, the hydrophobicity of the cured portion with respect to the alkaline developer is improved. On the other hand, since the functional group of the unreacted [C] component is hydrophilic, the hydrophilicity of the uncured portion can be exhibited. Therefore, according to the composition, the [C] long-chain alkyl group-containing compound exhibits a buffering action even when the cured film forming conditions such as pre-baking at a low temperature and an increase in development time are changed. The developability and pattern formability can be exhibited stably.

また、この[C]成分の含有によっても、得られる硬化膜の光線透過率及び電圧保持率に影響を与える影響は小さく、当該組成物から得られる硬化膜は高い光線透過率及び電圧保持率を発揮することができる。   Further, the inclusion of this [C] component has little effect on the light transmittance and voltage holding ratio of the cured film obtained, and the cured film obtained from the composition has a high light transmittance and voltage holding ratio. It can be demonstrated.

なお、Xの炭素数が5以下の場合は、両末端又は一方の末端の親水性が強く発現されるため、現像能を過剰に促進する傾向にあり、逆にXの炭素数が21以上の場合は、現像性を低下させる傾向にあり、現像残渣発生等の原因となる。   In addition, when the carbon number of X is 5 or less, the hydrophilicity of both ends or one end is strongly expressed, so that the developing ability tends to be excessively promoted. Conversely, the carbon number of X is 21 or more. In such a case, the developability tends to be lowered, which may cause development residue.

Xは、炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基であるが、不飽和結合を含まない炭素数6〜20の2価のアルキレン基が好ましい。なお、この直鎖状脂肪族炭化水素基は、水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。   X is a C 6-20 divalent linear aliphatic hydrocarbon group, preferably a C 6-20 divalent alkylene group containing no unsaturated bond. In this linear aliphatic hydrocarbon group, part or all of the hydrogen atoms may be substituted.

このような[C]成分の具体例としては、例えば、以下に示す脂肪酸、アルコール、エステル類、スルホン酸、エポキシ化合物等の化合物を挙げることができる。   Specific examples of such a [C] component include compounds such as the following fatty acids, alcohols, esters, sulfonic acids, and epoxy compounds.

炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基を有する脂肪酸としては、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、パルミトレイン酸、マルガリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、ステアリン酸、リノレン酸、エレオステアリン酸、ツベルクロスステアリン酸、アラキジン酸、アラキドン酸、デカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、ノナデカン二酸、オクタデカン二酸、ペンタデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、cis−9−ヘキサデセン酸、エライジン酸等を挙げることができる。   Examples of the fatty acid having a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include caprylic acid, pelargonic acid, capric acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, palmitoleic acid, margaric acid, Oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, stearic acid, linolenic acid, eleostearic acid, tuberculostearic acid, arachidic acid, arachidonic acid, decanedioic acid, hexadecanedioic acid, heptadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, octadecanedioic acid , Pentadecanedioic acid, tridecanedioic acid, tetradecanedioic acid, cis-9-hexadecenoic acid, elaidic acid and the like.

炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基としては、n−ヘキシルアルコール、n−ヘプチルアルコール、n−オクチルアルコール、n−ノニルアルコール、n−デシルアルコール、n−ウンデシルアルコール、n−ドデシルアルコール、n−ヘプタデカノール、n−オクタデカノール、1,8−オクタンジオール、1,9−ノナンジオール、1,10−デカンジオール、1,11−ウンデカンジオール、1,12−ドデカンジオール、trans−9−オクタデセノール、オレイルアルコール、trans−2−ドデセノール等を挙げることができる。   Examples of the divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include n-hexyl alcohol, n-heptyl alcohol, n-octyl alcohol, n-nonyl alcohol, n-decyl alcohol, and n-undecyl alcohol. N-dodecyl alcohol, n-heptadecanol, n-octadecanol, 1,8-octanediol, 1,9-nonanediol, 1,10-decanediol, 1,11-undecanediol, 1,12- Examples include dodecanediol, trans-9-octadecenol, oleyl alcohol, trans-2-dodecenol and the like.

炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基を有するエステル類としては、カプリル酸メチル、カプリル酸エチル、ペラルゴン酸メチル、ペラルゴン酸エチル、カプリン酸メチル、カプリン酸エチル、ラウリン酸メチル、ラウリン酸エチル、ミリスチン酸メチル、ペンタデシル酸メチル、パルミチン酸メチル、パルミトレイン酸メチル、マルガリン酸メチル、ステアリン酸メチル、オレイン酸メチル、バクセン酸メチル、リノール酸メチル、リノレン酸メチル、エレオステアリン酸メチル、ツベルクロスステアリン酸メチル、アラキジン酸メチル、アラキドン酸メチル等を挙げることができる。   Examples of esters having a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include methyl caprylate, ethyl caprylate, methyl pelargonate, ethyl pelargonate, methyl caprate, ethyl caprate, lauric acid Methyl, ethyl laurate, methyl myristate, methyl pentadecylate, methyl palmitate, methyl palmitate, methyl margarate, methyl stearate, methyl oleate, methyl vaccenate, methyl linoleate, methyl linolenate, eleostearic acid Examples thereof include methyl, methyl tuberculostearate, methyl arachidate, and methyl arachidonate.

炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基を有するスルホン酸としては、1−ドデカンスルホン酸、1−ウンデカンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、1−ノナンスルホン酸等を挙げることができる。   Examples of the sulfonic acid having a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include 1-dodecanesulfonic acid, 1-undecanesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, 1-nonanesulfonic acid, and the like. Can do.

炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基を有するエポキシ化合物(R及び/又はRが、上記式(i)〜(iii)の何れかで表される化合物)としては、
1,2−エポキシテトラデカン、1,2−エポキシヘキサデカン、1,2−エポキシデカン、1,2−エポキシヘプタデカン、1,2−エポキシノナデカン、1,2−エポキシオクタデカン、1,2−エポキシペンタデカン、ステアリン酸グリシジル、パルミチン酸グリシジル等のR及び/又はRが、上記式(i)で表される化合物、
1−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−デカン、1−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−ドデカン、1−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−テトラデカン、1−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−ヘキサデカン等のR及び/又はRが、上記式(ii)で表される化合物、
3−オクチルオキセタン、3−エチル−3−オクチルオキセタン、3−ノニルオキセタン、3−エチル−3−ノニルオキセタン等のR及び/又はRが、上記式(iii)で表される化合物
を挙げることができる。
As an epoxy compound having a divalent linear aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms (a compound in which R 4 and / or R 5 is represented by any one of the above formulas (i) to (iii)) Is
1,2-epoxytetradecane, 1,2-epoxyhexadecane, 1,2-epoxydecane, 1,2-epoxyheptadecane, 1,2-epoxynonadecane, 1,2-epoxyoctadecane, 1,2-epoxypentadecane R 4 and / or R 5 such as glycidyl stearate and glycidyl palmitate are compounds represented by the above formula (i),
1- (3,4-epoxycyclohexyl) -decane, 1- (3,4-epoxycyclohexyl) -dodecane, 1- (3,4-epoxycyclohexyl) -tetradecane, 1- (3,4-epoxycyclohexyl)- A compound wherein R 4 and / or R 5 such as hexadecane is represented by the above formula (ii);
R 4 and / or R 5 such as 3-octyl oxetane, 3-ethyl-3-octyl oxetane, 3-nonyl oxetane, 3-ethyl-3-nonyl oxetane and the like are represented by the above formula (iii). be able to.

なお、[C]成分が、エポキシ化合物(R及び/又はRが、上記式(i)〜(iii)の何れかで表される化合物)である場合は、加熱等により[A]重合体と、この[C]成分とが特に強固に結合することができるため、硬化膜の密度及び疎水性の上昇効果が顕著に現れる。従って、[C]成分としてエポキシ化合物を用いた場合、当該組成物の硬化膜形成条件の変化対応性がさらに高まり、より優れた現像性及びパターン形成性を発揮することができる。 In addition, when the [C] component is an epoxy compound (R 4 and / or R 5 is a compound represented by any one of the above formulas (i) to (iii)), the [A] Since the coalesced and this [C] component can be particularly strongly bonded, the effect of increasing the density and hydrophobicity of the cured film appears significantly. Therefore, when an epoxy compound is used as the [C] component, the changeability of the cured film forming condition of the composition is further improved, and more excellent developability and pattern formability can be exhibited.

また、[C]長鎖アルキル基含有化合物としては、イソシアネート基を有する化合物と水酸基を有する化合物との反応で得られるウレタン基を有する化合物、アミノ基を有する化合物とカルボキシル基を有する化合物との反応で得られるアミド基を有する化合物、カルボキシル基を有する化合物と水酸基を有する化合物との反応で得られるエステル基を有する化合物等が挙げられ、このような化合物としては、具体的には下記式(2−1)〜(2−4)に示す化合物等が挙げられる。   [C] As long-chain alkyl group-containing compounds, a compound having a urethane group obtained by a reaction between a compound having an isocyanate group and a compound having a hydroxyl group, a reaction between a compound having an amino group and a compound having a carboxyl group And compounds having an amide group, compounds having an ester group obtained by the reaction of a compound having a carboxyl group and a compound having a hydroxyl group, and the like. -1) to (2-4), and the like.

Figure 2011221471
Figure 2011221471

上記[C]長鎖アルキル基含有化合物の中でも、特に現像性及びパターン形成性の観点から、パルミチン酸、ステアリン酸、テトラデカン二酸等の脂肪酸、1−ドデカノール、1,12−ドデカンジオール等のアルコール、1,2−エポキシテトラデカン、1,2−エポキシヘキサデカン、ステアリン酸グリシジル、1,3−エポキシ−2−エチル−2−ドデカン等のエポキシ化合物、1−ドデカンスルホン酸のスルホン酸等が好ましい。   Among the above-mentioned [C] long chain alkyl group-containing compounds, fatty acids such as palmitic acid, stearic acid and tetradecanedioic acid, and alcohols such as 1-dodecanol and 1,12-dodecanediol, particularly from the viewpoints of developability and pattern formation 1,2-epoxytetradecane, 1,2-epoxyhexadecane, glycidyl stearate, epoxy compounds such as 1,3-epoxy-2-ethyl-2-dodecane, sulfonic acid of 1-dodecanesulfonic acid, and the like are preferable.

[C]長鎖アルキル基含有化合物は、単独で、又は2種以上を組み合わせて使用することができる。当該感放射線性樹脂組成物において[C]長鎖アルキル基含有化合物の使用量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.01〜20質量部、さらに好ましくは0.05〜15質量部である。[C]長鎖アルキル基含有化合物の使用量を上記範囲とすることによって、硬化膜形成条件が変化した場合も、現像性やパターン形成性を効果的に発揮することができる。   [C] The long chain alkyl group-containing compound can be used alone or in combination of two or more. In the radiation sensitive resin composition, the amount of the [C] long-chain alkyl group-containing compound used is preferably 0.01 to 20 parts by weight, more preferably 0.8 parts per 100 parts by weight of the [A] polymer. It is 05-15 mass parts. [C] By making the usage-amount of a long-chain alkyl group containing compound into the said range, even when cured film formation conditions change, developability and pattern formability can be exhibited effectively.

<その他の任意成分>
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記の[A]〜[C]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて[D]界面活性剤、[E]密着助剤、[F]塩基性化合物、キノンジアジド化合物等の他の任意成分を含有することができる。
<Other optional components>
In addition to the above components [A] to [C], the positive radiation-sensitive composition of the present invention includes [D] a surfactant and [E] adhesion as long as the effects of the present invention are not impaired. Other optional components such as auxiliary agents, [F] basic compounds, and quinonediazide compounds can be contained.

<[D]界面活性剤>
界面活性剤は、当該組成物の被膜形成性をより向上させるために使用できる。このような界面活性剤としては、例えばフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤及びその他の界面活性剤が挙げられる。当該組成物が、[D]界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上することができ、その結果、形成される層間絶縁膜の膜厚均一性をさらに向上できる。
<[D] Surfactant>
A surfactant can be used to further improve the film-forming property of the composition. Examples of such surfactants include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and other surfactants. When the composition contains the [D] surfactant, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the film thickness uniformity of the formed interlayer insulating film can be further improved.

フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましい。フッ素系界面活性剤としては、例えば、1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(1,1,2,2−テトラフルオロn−プロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロn−オクチル(n−ヘキシル)エーテル、ヘキサエチレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−ペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロn−ブチル)エーテル、パーフルオロn−ドデカンスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロn−デカン、1,1,2,2,3,3,9,9,10,10−デカフルオロn−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス(フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル)、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。   As the fluorosurfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of the terminal, main chain and side chain is preferable. Examples of the fluorosurfactant include 1,1,2,2-tetrafluoro n-octyl (1,1,2,2-tetrafluoro n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro. n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoro n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro) n-butyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoron-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoron-butyl) Ether, sodium perfluoron-dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoron-decane, 1,1,2,2,3,3 , 9,10,10-decafluoro n-dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis (fluoroalkylpolyoxyethylene ether), fluoroalkylammonium iodide, fluoro Examples include alkyl betaines, fluoroalkyl polyoxyethylene ethers, perfluoroalkyl polyoxyethanols, perfluoroalkyl alkoxylates, and carboxylic acid fluoroalkyl esters.

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、BM−1000、BM−1100(以上、BM CHEMIE社)、メガファックF142D、メガファックF172、メガファックF173、メガファックF183、メガファックF178、メガファックF191、メガファックF471、メガファックF476(以上、大日本インキ化学工業社)、フロラードFC−170C、フロラードFC−171、フロラードFC−430、フロラードFC−431(以上、住友スリーエム社)、サーフロンS−112、サーフロンS−113、サーフロンS−131、サーフロンS−141、サーフロンS−145、サーフロンS−382、サーフロンSC−101、サーフロンSC−102、サーフロンSC−103、サーフロンSC−104、サーフロンSC−105、サーフロンSC−106(以上、旭硝子社)、エフトップEF301、エフトップEF303、エフトップEF352(以上、新秋田化成社)、フタージェントFT−100、フタージェントFT−110、フタージェントFT−140A、フタージェントFT−150、フタージェントFT−250、フタージェントFT−251、フタージェントFT−300、フタージェントFT−310、フタージェントFT−400S、フタージェントFTX−218、フタージェントFT−251(以上、ネオス社)等が挙げられる。   Commercially available fluorosurfactants include, for example, BM-1000, BM-1100 (above, BM CHEMIE), Megafuck F142D, Megafuck F172, Megafuck F173, Megafuck F183, Megafuck F178, Megafuck. F191, Megafuck F471, Megafuck F476 (above, Dainippon Ink and Chemicals), Fluorard FC-170C, Fluorard FC-171, Fluorard FC-430, Fluorard FC-431 (above, Sumitomo 3M), Surflon S- 112, Surflon S-113, Surflon S-131, Surflon S-141, Surflon S-145, Surflon S-382, Surflon SC-101, Surflon SC-102, Surflon SC-103, Surflon SC-104 Surflon SC-105, Surflon SC-106 (above, Asahi Glass Co., Ltd.), Ftop EF301, Ftop EF303, Ftop EF352 (above, Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Aftergent FT-100, Aftergent FT-110, Aftergent FT-140A, Aftergent FT-150, Aftergent FT-250, Aftergent FT-251, Aftergent FT-300, Aftergent FT-310, Aftergent FT-400S, Aftergent FT-218, Aftergent FT- 251 (above, Neos).

シリコーン系界面活性剤としては、例えばトーレシリコーンDC3PA、トーレシリコーンDC7PA、トーレシリコーンSH11PA、トーレシリコーンSH21PA、トーレシリコーンSH28PA、トーレシリコーンSH29PA、トーレシリコーンSH30PA、トーレシリコーンSH−190、トーレシリコーンSH−193、トーレシリコーンSZ−6032、トーレシリコーンSF−8428、トーレシリコーンDC−57、トーレシリコーンDC−190、SH 8400 FLUID(以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン社)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン社)、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業社)等が挙げられる。   Examples of the silicone surfactant include Torre Silicone DC3PA, Torre Silicone DC7PA, Torre Silicone SH11PA, Torre Silicone SH21PA, Torree Silicone SH28PA, Torree Silicone SH29PA, Torree Silicone SH30PA, Torree Silicone SH-190, Torree Silicone SH-193, Torrey Silicone SZ-6032, Torre Silicone SF-8428, Torre Silicone DC-57, Torre Silicone DC-190, SH 8400 FLUID (above, Toray Dow Corning Silicone), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4442 (GE Toshiba Silicone), organosiloxane polymer KP3 41 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

これらの[D]界面活性剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。当該組成物における[D]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.01質量部以上2質量部以下であり、より好ましくは0.05質量部以上1質量部以下である。[D]界面活性剤の含有量を上記範囲とすることで塗膜の表面平滑性をより向上することができる。   These [D] surfactants may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for them. The content of [D] surfactant in the composition is preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. Part to 1 part by mass. [D] The surface smoothness of a coating film can be improved more by making content of surfactant into the said range.

<[E]密着助剤>
当該ポジ型感放射線性樹脂組成物においては、基板となる無機物、例えばシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との接着性を向上させるために[E]成分である密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
<[E] Adhesion aid>
In the positive-type radiation-sensitive resin composition, in order to improve the adhesion between an inorganic material serving as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, and silicon nitride, a metal such as gold, copper, and aluminum and an insulating film [E] Adhesion aids that are components can be used. As such an adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferably used. Examples of functional silane coupling agents include silane coupling agents having reactive substituents such as carboxyl groups, methacryloyl groups, isocyanate groups, epoxy groups (preferably oxiranyl groups), thiol groups, and the like.

官能性シランカップリング剤の具体例としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中でも、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。   Specific examples of functional silane coupling agents include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxy Examples include propyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like. . Among these, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane are preferable.

ポジ型感放射線性樹脂組成物において、このような密着助剤は、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.5質量部以上20質量部以下、より好ましくは1質量部以上10質量部以下の量で用いられる。密着助剤の量を上記範囲とすることによって、形成される層間絶縁膜と基板との密着性が改善される。   In the positive radiation sensitive resin composition, such an adhesion assistant is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. It is used in an amount of 10 parts by mass or less. By setting the amount of the adhesion assistant in the above range, the adhesion between the formed interlayer insulating film and the substrate is improved.

<[F]塩基性化合物>
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。塩基性化合物としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。当該ポジ型感放射線性組成物に塩基性化合物を含有させることにより、露光により光酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができ、パターン現像性を良好なものとすることができる。
<[F] Basic compound>
The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists. Examples of the basic compound include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, carboxylic acid quaternary ammonium salts, and the like. By including a basic compound in the positive radiation-sensitive composition, the diffusion length of the acid generated from the photoacid generator by exposure can be appropriately controlled, and the pattern developability should be good. Can do.

脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。   Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, and dicyclohexylamine. , Dicyclohexylmethylamine and the like.

芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。   Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5,3,0]−7−ウンデセン等が挙げられる。   Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7 -Undecene and the like.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, and the like.

カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

当該ポジ型感放射線性組成物における塩基性化合物の含有量は、[A]重合体100質量部に対して、0.001〜1質量部とすることが好ましく、0.005〜0.2質量部とすることがより好ましい。塩基性化合物の含有量を上記範囲とすることで、パターン現像性が良好となる。   It is preferable that content of the basic compound in the said positive radiation sensitive composition shall be 0.001-1 mass part with respect to 100 mass parts of [A] polymers, and 0.005-0.2 mass. More preferably, it is a part. Pattern developability becomes favorable by making content of a basic compound into the said range.

<キノンジアジド化合物>
キノンジアジド化合物は、放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物である。キノンジアジド化合物として、フェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下、「母核」という。)と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
<Quinonediazide compound>
A quinonediazide compound is a compound that generates a carboxylic acid upon irradiation with radiation. As the quinonediazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as “mother nucleus”) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

上記母核としては、例えば、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン、その他の母核が挙げられる。   Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.

トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。   Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone.

テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。   Examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3 , 4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone, and the like.

ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。   Examples of pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone.

ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、例えば2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。   Examples of hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone and 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone.

(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとしては、例えばビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン等が挙げられる。   Examples of (polyhydroxyphenyl) alkanes include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxy). Phenyl) ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-) 4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl) -4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobiy Den -5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl -7,2 ', 4'-trihydroxy flavan like.

その他の母核としては、例えば2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1−[1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−3−(1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)ベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼン等が挙げられる。   Examples of other mother nuclei include 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4 -Hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4 , 6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene, and the like.

これらの母核のうち、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。   Among these mother nuclei, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

また、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、例えば、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド及び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドが挙げられる。これらの中でも、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドが好ましい。   The 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide is preferably 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride. Examples of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride. Among these, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferable.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物としては、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタンと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドとの縮合物が好ましい。   As a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound and 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid Condensate with chloride, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride A condensate with is preferred.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物(母核)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応では、フェノール性化合物又はアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30モル%〜85モル%、より好ましくは50モル%〜70モル%に相当する1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施できる。   In the condensation reaction of a phenolic compound or alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, preferably 30 mol% to 85 mol based on the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide corresponding to mol%, more preferably 50 mol% to 70 mol% can be used. The condensation reaction can be carried out by a known method.

また、キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4−トリアミノベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミド等も好適に使用される。   Examples of the quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, such as 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used.

<ポジ型感放射線性組成物>
本発明のポジ型感放射線性組成物は、上記[A]重合体、[B]光酸発生体、[C]長鎖アルキル基含有化合物、及び、必要に応じて任意成分を混合することによって調製される。ポジ型感放射線性組成物は、好ましくは適当な溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され、使用されてもよい。例えば溶媒中で、[A]、[B]及び[C]成分、並びに任意成分を所定の割合で混合することにより、ポジ型感放射線性組成物を調製することができる。
<Positive radiation sensitive composition>
The positive radiation-sensitive composition of the present invention is obtained by mixing the above-mentioned [A] polymer, [B] photoacid generator, [C] long-chain alkyl group-containing compound, and optional components as necessary. Prepared. The positive radiation-sensitive composition is preferably prepared and used in a state dissolved or dispersed in an appropriate solvent. For example, a positive radiation-sensitive composition can be prepared by mixing the [A], [B] and [C] components and optional components in a solvent in a predetermined ratio.

<溶媒>
当該ポジ型感放射線性組成物の調製に用いることができる溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。このような溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類等を挙げることができる。
<Solvent>
As the solvent that can be used for the preparation of the positive radiation sensitive composition, a solvent that uniformly dissolves or disperses each component and does not react with each component is preferably used. Examples of such solvents include alcohols, ethers, diethylene glycol alkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionate. , Aromatic hydrocarbons, ketones, esters and the like.

これらの溶媒としては、
アルコール類として、例えば、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等;
エーテル類として、例えば、テトラヒドロフランや、ジイソプロピルエーテル、ジn−ブチルエーテル、ジn−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn−ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等;
ジエチレングリコールアルキルエーテル類として、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等;
エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類として、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート類として、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等;
芳香族炭化水素類として、例えばトルエン、キシレン等;
ケトン類として、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等;
エステル類として、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロチル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル等をそれぞれ挙げることができる。
These solvents include
Examples of alcohols include benzyl alcohol and diacetone alcohol;
Examples of ethers include dialkyl ethers such as tetrahydrofuran, diisopropyl ether, di n-butyl ether, di n-pentyl ether, diisopentyl ether, and di n-hexyl ether;
Examples of diethylene glycol alkyl ethers include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether;
Examples of ethylene glycol alkyl ether acetates include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Examples of propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether;
Examples of propylene glycol monoalkyl ether acetates include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate;
Examples of propylene glycol monoalkyl ether propionates include propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate and the like;
Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene;
Examples of ketones include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, etc.
Examples of esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-2-methylpropionic acid Ethyl, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, protyl 3-hydroxypropionate, 3-hydroxy Butyl propionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, ethoxy Butyl acetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2 Examples thereof include propyl methoxypropionate, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate and the like.

これらの溶媒の中でも、溶解性あるいは分散性が優れていること、各成分と非反応性であること、及び塗膜形成の容易性の観点から、ジアルキルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコールアルキルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ケトン類及びエステル類が好ましく、特に、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチルが好ましい。これらの溶媒は、単独で又は混合して用いることができる。   Among these solvents, from the viewpoint of excellent solubility or dispersibility, non-reactivity with each component, and ease of coating film formation, ethers such as dialkyl ethers, diethylene glycol alkyl ethers, Ethylene glycol alkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ketones and esters are preferred, especially diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene Glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol Noethyl ether acetate, cyclohexanone, propyl acetate, i-propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl lactate, Ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 2-methoxypropionate and ethyl 2-methoxypropionate are preferred. These solvents can be used alone or in combination.

また、これらの溶媒の中でも、ジイソプロピルエーテル、ジn−ブチルエーテル、ジn−ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジn−ヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル等のエーテル類が好ましく、ジイソペンチルエーテルが最も好ましい。このような溶媒を用いることによって、感放射線性組成物をスリット塗布法で大型ガラス基板に塗布する際に、乾燥工程時間を短縮すると同時に、塗布性をより一層向上(塗布ムラを抑制)することが可能となる。   Among these solvents, ethers such as diisopropyl ether such as diisopropyl ether, di n-butyl ether, di n-pentyl ether, diisopentyl ether, and di n-hexyl ether are preferable, and diisopentyl ether is most preferable. . By using such a solvent, when applying the radiation-sensitive composition to a large glass substrate by the slit coating method, the drying process time is shortened, and at the same time, the coating property is further improved (coating unevenness is suppressed). Is possible.

上記した好ましい溶媒に加え、さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用することもできる。   In addition to the preferred solvents described above, benzyl ethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, if necessary High-boiling solvents such as benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate, carbitol acetate and the like can also be used in combination.

ポジ型感放射線性組成物を溶液又は分散液状態として調製する場合、液中に占める溶媒以外の成分(すなわち[A]、[B]及び[C]成分並びにその他の任意成分の合計量)の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは0〜50質量%、より好ましくは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜35質量%である。   When preparing a positive radiation sensitive composition in the form of a solution or dispersion, components other than the solvent in the liquid (that is, the total amount of the components [A], [B] and [C] and other optional components) The ratio can be arbitrarily set according to the purpose of use and the desired film thickness, but is preferably 0 to 50% by mass, more preferably 10 to 40% by mass, and further preferably 15 to 35% by mass. .

<層間絶縁膜等の硬化膜の形成>
次に、上記のポジ型感放射線性組成物を用いて、基板上に層間絶縁膜等の硬化膜を形成する方法について説明する。
<Formation of cured film such as interlayer insulation film>
Next, a method for forming a cured film such as an interlayer insulating film on the substrate using the positive radiation sensitive composition will be described.

当該方法は、
(1)当該ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method is
(1) The process of forming the coating film of the said positive type radiation sensitive composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) a step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a step of heating the coating film developed in step (3).

<(1)ポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程>
上記(1)の工程において、基板上に当該ポジ型感放射線性組成物又はこの溶液若しくは分散液を塗布した後、好ましくは塗布面を加熱(プレベーク)することによって溶媒を除去して、塗膜を形成する。使用できる基板の例としては、ガラス、石英、シリコン、樹脂等を挙げることができる。樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等を挙げることができる。
<(1) Step of forming a coating film of positive radiation sensitive composition on substrate>
In the step (1), after coating the positive radiation sensitive composition or the solution or dispersion on the substrate, the solvent is preferably removed by heating (prebaking) the coated surface, Form. Examples of the substrate that can be used include glass, quartz, silicon, and resin. Specific examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and hydrogenated products thereof.

組成物溶液又は分散液の塗布方法としては、特に限定されず、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法又はスリットダイ塗布法が好ましい。   The coating method of the composition solution or dispersion is not particularly limited, and an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, or the like is employed. be able to. Among these coating methods, a spin coating method or a slit die coating method is preferable.

プレベークの条件は、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、好ましくは60〜120℃で1〜10分間程度とすることができる。本発明のポジ型感放射線性組成物によれば、例えば、60〜80℃と比較的低いプレベーク条件とした場合も、優れたパターン形成性を発揮することができる。   The prebaking conditions vary depending on the type of each component, the blending ratio, and the like, but can be preferably about 60 to 120 ° C. for about 1 to 10 minutes. According to the positive radiation sensitive composition of the present invention, for example, excellent pattern forming properties can be exhibited even when the prebaking conditions are relatively low, such as 60 to 80 ° C.

<(2)塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程>
上記(2)の工程では、形成された塗膜の少なくとも一部に露光する。この場合、塗膜の一部に露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、光酸発生体に対して用いる放射線が好適である。これらの放射線の中でも、波長が190〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、特に365nmの紫外線を含む放射線が好ましい。
<(2) Step of irradiating at least part of the coating film>
In the step (2), at least a part of the formed coating film is exposed. In this case, when a part of the coating film is exposed, it is usually exposed through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, the radiation used for the photoacid generator is suitable. Among these radiations, radiation having a wavelength in the range of 190 to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is particularly preferable.

当該工程における露光量は、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates Inc.製)により測定した値として、好ましくは500〜6,000J/m、より好ましくは1,500〜1,800J/mである。 The exposure dose in this step is preferably 500 to 6,000 J / m 2 , more preferably 1, as a value obtained by measuring the intensity of radiation at a wavelength of 365 nm with an illuminometer (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates Inc.). it is a 500~1,800J / m 2.

<(3)現像工程>
上記(3)の工程では、露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性水溶液が好ましい。アルカリの例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩等を挙げることができる。
<(3) Development process>
In the step (3), by developing the exposed coating film, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern. As the developer used in the development step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of alkalis include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. be able to.

また、このようなアルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度は、適当な現像性を得る観点から、好ましくは0.1質量%以上5質量%以下とすることができる。現像方法としては、例えば液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、ポジ型感放射線性組成物の組成によって異なるが、好ましくは10〜180秒間程度である。なお、当該組成物によれば、この現像時間に多少の長短があった場合も、この影響を受けることなく、安定したパターンを形成することができる。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成することができる。   In addition, an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant can be added to such an alkaline aqueous solution. The concentration of the alkali in the alkaline aqueous solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. As a developing method, for example, an appropriate method such as a liquid filling method, a dipping method, a rocking dipping method, a shower method, or the like can be used. The development time varies depending on the composition of the positive radiation-sensitive composition, but is preferably about 10 to 180 seconds. According to the composition, a stable pattern can be formed without being affected by this development time even if the development time is somewhat long or short. Following such development processing, for example, after washing with running water for 30 to 90 seconds, a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.

<(4)加熱工程>
上記(4)の工程では、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、上記[A]成分の硬化反応を促進して、硬化物を得ることができる。本工程における加熱温度は、例えば120〜250℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱工程を行う場合には5〜30分間、オーブン中で加熱工程を行う場合には30〜90分間とすることができる。2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして目的とする層間絶縁膜等に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成することができる。
<(4) Heating process>
In the step (4), by heating a patterned thin film using a heating device such as a hot plate or oven, the curing reaction of the component [A] can be promoted to obtain a cured product. The heating temperature in this step is, for example, 120 to 250 ° C. Although heating time changes with kinds of heating apparatus, for example, when performing a heating process on a hotplate, it can be set to 30 to 90 minutes when performing a heating process in an oven. The step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this manner, a patterned thin film corresponding to the target interlayer insulating film or the like can be formed on the surface of the substrate.

<層間絶縁膜等の硬化膜>
このように形成された層間絶縁膜等の硬化膜の膜厚は、好ましくは0.1〜8μm、より好ましくは0.1〜6μm、さらに好ましくは0.1〜4μmである。
<Hardened film such as interlayer insulation film>
The thickness of the cured film such as an interlayer insulating film formed in this way is preferably 0.1 to 8 μm, more preferably 0.1 to 6 μm, and still more preferably 0.1 to 4 μm.

本発明のポジ型感放射線性組成物から形成された硬化膜は、下記の実施例からも明らかにされるように、高い光線透過率及び電圧保持率を備えつつ、優れたパターン形成性を有している。そのため、当該硬化膜は、表示素子の層間絶縁膜、スペーサー、保護膜等に用いることができ、特に、表示素子の層間絶縁膜として好適に用いられる。   The cured film formed from the positive radiation-sensitive composition of the present invention has an excellent pattern forming property while having a high light transmittance and a voltage holding ratio, as will be apparent from the following examples. is doing. Therefore, the cured film can be used as an interlayer insulating film, a spacer, a protective film, or the like of a display element, and is particularly preferably used as an interlayer insulating film of a display element.

以下に、実施例を示して、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

以下において、重合体の質量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、下記の条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。   Hereinafter, the mass average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the polymer were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

装置:GPC−101(昭和電工(株)製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
<[A]重合体の合成例>
[合成例1]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸5質量部、1−エトキシエチルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−1)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度(重合体溶液に含まれる重合体の質量が重合体溶液の全質量に占める割合をいう。以下同じ。)は、32.1質量%であった。
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko KK)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene <Synthesis example of [A] polymer>
[Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 5 parts by mass of styrene, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 3 parts by mass of α-methylstyrene dimer were charged. After that, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The polymer (A-1) had a polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of 9,000. Further, the solid content concentration of the polymer solution obtained here (referring to the ratio of the mass of the polymer contained in the polymer solution to the total mass of the polymer solution; the same shall apply hereinafter) is 32.1% by mass. there were.

[合成例2]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸5質量部、テトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルメタクリレート40質量部、スチレン5質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部及びα−メチルスチレンダイマー3質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−2)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.3質量%であった。
[Synthesis Example 2]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 5 parts by weight of methacrylic acid, 40 parts by weight of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 5 parts by weight of styrene, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer Was added, and the mixture was purged with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The polymer (A-2) had a polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.3 mass%.

[合成例3]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸1−n−ブトキシエチル67質量部、メタクリル酸ベンジル23質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−1)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、30.3質量%であった。
[Synthesis Example 3]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 67 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 23 parts by mass of benzyl methacrylate and 10 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of the polymer (a-1) was 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.3% by mass.

[合成例4]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸1−ベンジルオキシエチル90質量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル6質量部、メタクリル酸4質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−2)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量%であった。
[Synthesis Example 4]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 90 parts by mass of 1-benzyloxyethyl methacrylate, 6 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 4 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-2). The polymer (a-2) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.

[合成例5]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きテトラヒドロ−2H−ピラン−2−イルメタクリレート85質量部、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル7質量部、メタクリル酸8質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(a−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−3)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、29.2質量%であった。
[Synthesis Example 5]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 85 parts by mass of tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, 7 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 8 parts by mass of methacrylic acid were charged and replaced with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-3). The polymer (a-3) had a polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 29.2 mass%.

[合成例6]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル52質量部、メタクリル酸ベンジル48質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−1)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量%であった。
[Synthesis Example 6]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, after 52 parts by mass of glycidyl methacrylate and 48 parts by mass of benzyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-1). The polymer (aa-1) had a polystyrene-reduced mass average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

[合成例7]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート45質量部、メタクリル酸ベンジル45質量部、メタクリル酸10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−2)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、33.2質量%であった。
[Synthesis Example 7]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 45 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 45 parts by mass of benzyl methacrylate, and 10 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently agitated. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-2). The polymer (aa-2) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 33.2 mass%.

[合成例8]
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き、メタクリル酸1−n−ブトキシエチル35質量部、メタクリル酸ベンジル35質量部、メタクリル酸グリシジル30質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度を6時間保持し重合体(aa−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(aa−3)のポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.3質量%であった。
[Synthesis Example 8]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 35 parts by mass of 1-n-butoxyethyl methacrylate, 35 parts by mass of benzyl methacrylate, and 30 parts by mass of glycidyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 80 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (aa-3). The polymer (aa-3) had a polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.3 mass%.

[ポジ型感放射線性組成物の調製]
実施例及び比較例で用いた表1中の各成分は、以下の通りである。
(B)成分 光酸発生剤
B−1:4,7−ジ−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウム トリフルオロメタンスルホネート
B−2:ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
B−3:上記化合物(3−i)で表される(5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 103」)
B−4:上記化合物(3−ii)で表される(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 108」)
B−5:上記化合物(3−iv)で表される(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 121」)
B−6:上記化合物(3−iii)で表される(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「CGI1380」)
B−7:上記化合物(3−v)で表される(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「CGI725」)
(C)成分 長鎖アルキル基含有化合物
C−1:パルミチン酸
C−2:ステアリン酸
C−3:テトラデカン二酸
C−4:1−ドデカノール
C−5:1,12−ドデカンジオール
C−6:1,2−エポキシテトラデカン
C−7:1,2−エポキシヘキサデカン
C−8:ステアリン酸グリシジル
C−9:3−エチル−3−ノニルオキセタン
C−10:1−ドデカンスルホン酸
C’−1:吉草酸(CH(CHCOOH)
C’−2:リグノセリン酸(CH(CH22COOH)
C’−3:リグノセリルアルコール(CH(CH23OH)
(D)成分 界面活性剤
D−1:シリコーン系界面活性剤((株)東レ・ダウコーニング製の「SH 8400 FLUID」)
D−2:フッ素系界面活性剤((株)ネオス社製の「フタージェントFTX−218」)
(E)成分 密着助剤
E−1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
E−2:β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
E−3:γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
(F)成分 塩基性化合物
F−1:4−ジメチルアミノピリジン
F−2:1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン
[Preparation of positive-type radiation-sensitive composition]
Each component in Table 1 used in Examples and Comparative Examples is as follows.
Component (B) Photoacid generator B-1: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate B-2: benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate B-3 : (5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile represented by the above compound (3-i) “IRGACURE PAG 103 manufactured by Ciba Specialty Chemicals ")
B-4: (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile represented by the above compound (3-ii) “Ciba Specialty Chemicals” IRGACURE PAG 108 ")
B-5: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (Ciba Specialty Chemicals) represented by the above compound (3-iv) "IRGACURE PAG 121")
B-6: (Camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile represented by the above compound (3-iii) (“CGI1380” manufactured by Ciba Specialty Chemicals) )
B-7: (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile represented by the above compound (3-v) (“CGI725” manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
Component (C) Long chain alkyl group-containing compound C-1: Palmitic acid C-2: Stearic acid C-3: Tetradecanedioic acid C-4: 1-dodecanol C-5: 1,12-dodecanediol C-6: 1,2-epoxytetradecane C-7: 1,2-epoxyhexadecane C-8: glycidyl stearate C-9: 3-ethyl-3-nonyloxetane C-10: 1-dodecanesulfonic acid C′-1: Yoshi Herbic acid (CH 3 (CH 2 ) 3 COOH)
C′-2: lignoceric acid (CH 3 (CH 2 ) 22 COOH)
C′-3: Lignoceryl alcohol (CH 3 (CH 2 ) 23 OH)
Component (D) Surfactant D-1: Silicone surfactant ("SH 8400 FLUID" manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)
D-2: Fluorosurfactant ("Fergent FTX-218" manufactured by Neos Co., Ltd.)
(E) Component Adhesion aid
E-1: γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilane E-2: β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane E-3: γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane (F) component Basic compound
F-1: 4-Dimethylaminopyridine F-2: 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene

[実施例1]
合成例1で得られた重合体(A−1)を含む溶液(重合体(A−1)100質量部(固形分)に相当する量)に、[B]成分として(B−4)上記化合物(3−ii)で表される(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製の「IRGACURE PAG 108」)3質量部、[C]成分として(C−1)パルミチン酸4質量部、[D]成分として、(D−1)シリコーン系界面活性剤((株)東レ・ダウコーニング製の「SH 8400 FLUID」0.20質量部、[E]成分として、(E−1)γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン3.0質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、ポジ型感放射線性組成物を調製した。
[Example 1]
(B-4) above as a component [B] in a solution containing the polymer (A-1) obtained in Synthesis Example 1 (amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the polymer (A-1)) (5-octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile ("IRGACURE PAG 108" manufactured by Ciba Specialty Chemicals) represented by the compound (3-ii) 3 parts by weight, (C-1) 4 parts by weight of palmitic acid as [C] component, and [D] component as (D-1) silicone surfactant (“SH 8400 FLUID manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) 0.20 parts by mass, [E] component (E-1) 3.0 parts by mass of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane are mixed and filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm. And a, to prepare a positive type radiation-sensitive composition.

[実施例2〜10及び比較例1〜7]
各成分の種類及び量を表1に記載の通りとした以外は、実施例1と同様にして実施例2〜10及び比較例1〜7のポジ型感放射線性組成物を調製した。
[Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 to 7]
Except having changed the kind and quantity of each component as having described in Table 1, it carried out similarly to Example 1, and prepared the positive radiation sensitive composition of Examples 2-10 and Comparative Examples 1-7.

<物性評価>
上記のように調製した各々のポジ型感放射線性組成物を使用し、以下のように当該組成物、及びその塗膜あるいは層間絶縁膜としての各種の特性を評価した。
<Physical property evaluation>
Each positive radiation sensitive composition prepared as described above was used, and the composition and various properties as a coating film or an interlayer insulating film were evaluated as follows.

(1)放射線感度
550×650mmのクロム成膜ガラス上に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、60℃にて1分間加熱した(HMDS処理)。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス上に、上記のように調製した感放射線性組成物をスリットダイコーター「TR632105−CL」を用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90℃において2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、キヤノン(株)製のMPA−600FA露光機を用い、60μmのライン・アンド・スペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した後、表1に記載した濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において液盛り法で現像した。ここで現像時間は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド濃度が0.40質量%の現像液を用いた場合は80秒、2.38質量%の現像液を用いた場合は50秒間とした。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この値を放射線感度として表1に示した。この値が500J/m以下の場合に感度が良好であると言える。
(1) Radiation sensitivity Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied onto a 550 × 650 mm chromium film and heated at 60 ° C. for 1 minute (HMDS treatment). The radiation-sensitive composition prepared as described above is applied onto the chromium-deposited glass after the HMDS treatment using a slit die coater “TR6321055-CL”, the ultimate pressure is set to 100 Pa, and the solvent is removed under vacuum. Then, the film was further pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an MPA-600FA exposure machine manufactured by Canon Inc., the coating film was irradiated with radiation through the mask having a 60 μm line and space (10 to 1) pattern with the exposure amount as a variable. After that, the film was developed by a puddle method at 25 ° C. with an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution having the concentration shown in Table 1. Here, the development time was 80 seconds when a developer having a tetramethylammonium hydroxide concentration of 0.40% by mass was used, and 50 seconds when a 2.38% by mass developer was used. Next, washing with running ultrapure water for 1 minute was performed, followed by drying to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the amount of exposure necessary to completely dissolve the 6 μm space pattern was examined. This value is shown in Table 1 as radiation sensitivity. It can be said that the sensitivity is good when this value is 500 J / m 2 or less.

(2)コンタクトホールの形状安定性
スピンナーを用いてシリコン基板上に塗布した後、プレベーク温度を70℃で3分間、90℃で3分間の二つの条件により、ホットプレート上でプレベークし膜厚3.0μmの膜厚になるように塗膜を形成した。キヤノン(株)製PLA−501F露光機(超高圧水銀ランプ)を用い、(1)放射線感度の評価において評価された必要露光量で、10μm×10μmのコンタクトホールパターンのマスクを介して塗膜の露光を行った。次いで、濃度0.4質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(現像液)を用い、液盛り法によって25℃で現像処理を行った。現像処理の時間は、100秒とした。現像処理後、超純水で1分間、塗膜の流水洗浄を行い、乾燥させてウエハー上にコンタクトホールパターンを形成した。その形成したパターンをSEM(走査電子顕微鏡)で形状を観察した。
プレベーク温度を70℃で3分間とプレベーク温度を90℃で3分間との二つの条件で作成したコンタクトホールパターンに差がない場合、プレベークの温度変化に対するコンタクトホールの形状安定性が高く、現像性及びパターン形成性は良好と言える。一方、プレベーク温度の変化に対し、コンタクトホールの大きさが多く変化したり、基板からの剥れが発生したりする場合は、プレベークの温度変化に対するコンタクトホールの形状安定性が低く、現像性及びパターン形成性は不良と言える。
(評価基準)
図1で示す基板1上に設けられたコンタクトホール3を備える硬化膜2の模式的断面図を参照に以下の評価基準で判断した。
・コンタクトホール形状が図1(a)の場合は、良好と判断した。
・コンタクトホール形状が図1(b)の場合のように、大きく拡大した場合は、不良と判断した。
・コンタクトホール形状が図1(c)の場合のように、パターンの下部に切り込みが生じた形状は、不良と判断した。結果を表1に示す。
(2) Contact hole shape stability After coating on a silicon substrate using a spinner, the film was prebaked on a hot plate under two conditions of a prebaking temperature of 70 ° C. for 3 minutes and 90 ° C. for 3 minutes. A coating film was formed to a thickness of 0.0 μm. Using a PLA-501F exposure machine (extra-high-pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc., (1) The required exposure dose evaluated in the evaluation of radiation sensitivity was applied through a contact hole pattern mask of 10 μm × 10 μm. Exposure was performed. Next, development processing was performed at 25 ° C. by a liquid piling method using a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (developer) having a concentration of 0.4% by mass. The development processing time was 100 seconds. After the development processing, the coating film was washed with running ultrapure water for 1 minute and dried to form a contact hole pattern on the wafer. The shape of the formed pattern was observed with an SEM (scanning electron microscope).
When there is no difference in the contact hole pattern created under the two conditions of prebaking temperature of 70 ° C for 3 minutes and prebaking temperature of 90 ° C for 3 minutes, the shape stability of the contact hole against the temperature change of prebaking is high and developability And it can be said that the pattern formability is good. On the other hand, when the size of the contact hole changes greatly with respect to the change in the pre-bake temperature, or peeling from the substrate occurs, the shape stability of the contact hole with respect to the temperature change in the pre-bake is low, and developability and It can be said that the pattern formability is poor.
(Evaluation criteria)
The determination was made according to the following evaluation criteria with reference to a schematic cross-sectional view of the cured film 2 provided with the contact hole 3 provided on the substrate 1 shown in FIG.
・ If the contact hole shape is as shown in FIG.
When the contact hole shape was greatly enlarged as in FIG. 1B, it was judged as defective.
The shape in which the contact hole shape was cut at the bottom of the pattern as in the case of FIG. 1 (c) was determined to be defective. The results are shown in Table 1.

(3)光線透過率
シリコン基板上に、上記放射線感度の評価と同様に塗膜を形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。波長400nmにおける光線透過率を、分光光度計(150−20型ダブルビーム(日立製作所(株)製))を用いて測定して評価した。このとき、90%未満の場合に透明性が不良、90%以上の場合に透明性が良好といえる。評価結果を表1に示す。
(3) Light transmittance A coating film was formed on a silicon substrate in the same manner as in the evaluation of radiation sensitivity. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. The light transmittance at a wavelength of 400 nm was measured and evaluated using a spectrophotometer (150-20 type double beam (manufactured by Hitachi, Ltd.)). At this time, transparency is poor when it is less than 90%, and transparency is good when it is 90% or more. The evaluation results are shown in Table 1.

(4)電圧保持率
調製した液状組成物を、表面にナトリウムイオンの溶出を防止するSiO膜が形成され、さらにITO(インジウム−酸化錫合金)電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、スピンコートしたのち、90℃のクリーンオーブン内で10分間プレベークを行って、膜厚2.0μmの塗膜を形成した。
(4) Voltage holding ratio On the soda glass substrate on which the SiO 2 film that prevents elution of sodium ions is formed on the surface of the prepared liquid composition and ITO (indium-tin oxide alloy) electrodes are further deposited in a predetermined shape After spin coating, prebaking was performed in a clean oven at 90 ° C. for 10 minutes to form a coating film having a thickness of 2.0 μm.

次いで、フォトマスクを介さずに塗膜に500J/mの露光量で露光した。その後、230℃で30分間ポストベークを行い塗膜を硬化させて、硬化膜を形成した。 Subsequently, the coating film was exposed at an exposure amount of 500 J / m 2 without using a photomask. Thereafter, the coating film was cured by post-baking at 230 ° C. for 30 minutes to form a cured film.

次いで、この画素を形成した基板とITO電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、0.8mmのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせたのち、メルク製の液晶「MLC6608」を注入して、液晶セルを作製した。   Next, the substrate on which this pixel is formed and the substrate on which the ITO electrode is simply deposited in a predetermined shape are bonded together with a sealing agent mixed with 0.8 mm glass beads, and then Merck liquid crystal “MLC6608” is injected. Thus, a liquid crystal cell was produced.

次いで、液晶セルを60℃の恒温層に入れて、液晶セルの電圧保持率を、(株)東陽テクニカ製の液晶電圧保持率測定システム「VHR−1A型」により測定した。このときの印加電圧は5.5Vの方形波、測定周波数は60Hzである。ここで電圧保持率とは、(16.7ミリ秒後の液晶セル電位差/0ミリ秒で印加した電圧)の値である。液晶セルの電圧保持率が90%以下であると、液晶セルは16.7ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、十分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像などの「焼き付き」を起こすおそれが高い。   Next, the liquid crystal cell was placed in a constant temperature layer of 60 ° C., and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage holding ratio measuring system “VHR-1A type” manufactured by Toyo Corporation. The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. Here, the voltage holding ratio is a value of (liquid crystal cell potential difference after 16.7 milliseconds / voltage applied at 0 milliseconds). If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell cannot hold the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds, and the liquid crystal cannot be sufficiently aligned. There is a high risk of causing "burn-in".

Figure 2011221471
Figure 2011221471

表1の結果から明らかなように、[A]、[B]及び[C]成分を含む実施例1〜10のポジ型感放射線性組成物は、[C]成分を含まない比較例1〜7のポジ型感放射線性組成物と比べて、コンタクトホールの形状安定性に優れ、高い現像性及びパターン形成性を有していることが分かった。また、実施例の各ポジ型感放射線性組成物は、放射線感度、光線透過率及び電圧保持率という一般的な要求特性を十分に満足する層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。   As is clear from the results in Table 1, the positive radiation sensitive compositions of Examples 1 to 10 containing the components [A], [B] and [C] were compared to Comparative Examples 1 to 1 containing no [C] component. Compared with No. 7 positive radiation sensitive composition, it was found that the contact hole had excellent shape stability and high developability and pattern formability. Moreover, it turned out that each positive type radiation sensitive composition of an Example can form the interlayer insulation film which fully satisfies the general required characteristics, such as a radiation sensitivity, a light transmittance, and a voltage holding ratio.

本発明のポジ型感放射線性組成物は、上述のように、優れた放射線感度を有し、得られる層間絶縁膜が高い光線透過率及び電圧保持率を備えつつ、硬化膜の形成条件の変化にも対応できる優れた現像性及びパターン形成性を備える。従って、当該ポジ型感放射線性組成物は、表示素子の層間絶縁膜等を形成するために好適に用いられる。   As described above, the positive radiation-sensitive composition of the present invention has excellent radiation sensitivity, and the resulting interlayer insulating film has high light transmittance and voltage holding ratio, while changing the conditions for forming the cured film. It has excellent developability and pattern formability that can cope with the above. Therefore, the positive radiation sensitive composition is suitably used for forming an interlayer insulating film or the like of a display element.

1 基板
2 硬化膜
3 コンタクトホール
1 Substrate 2 Cured film 3 Contact hole

Claims (5)

[A]同一又は異なる重合体分子中に下記式(1)で表される基を含む構造単位とエポキシ基含有構造単位とを有する重合体、
[B]光酸発生体、及び
[C]下記式(2)で表される化合物
を含有するポジ型感放射線性組成物。
Figure 2011221471
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらのアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい(但し、R及びRが共に水素原子である場合はない)。Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基又は−M(R3mで表される基(MはSi、Ge又はSnであり、R3mはアルキル基である。)であり、これらの水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。RとRとが連結して環状エーテル構造を形成してもよい。)
Figure 2011221471
(式(2)中、Xは、炭素数6〜20の2価の直鎖状脂肪族炭化水素基である。Y及びYは、それぞれ独立して、単結合、エステル結合、アミド結合又はウレタン結合である。R及びRは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、スルホ基、スルホフェニル基、又は下記式(i)〜(vi)のいずれかで表される基である。但し、Y又はYが単結合のとき、このY又はYと連結するR又はRが炭素数1〜6のアルキル基である場合はない。また、Y及びYが共に単結合であるとき、R及びRが共に水素原子である場合はない。)
Figure 2011221471
(式(i)〜(vi)中、Rは、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基である。Rは、水素原子又はメチル基である。mは、0〜6の整数である。但し、上記式(2)中のY又はYが単結合のとき、このY又はYと連結するR又はRにおけるmは0である。)
[A] a polymer having a structural unit containing a group represented by the following formula (1) and an epoxy group-containing structural unit in the same or different polymer molecules;
[B] A positive radiation sensitive composition containing a photoacid generator, and [C] a compound represented by the following formula (2).
Figure 2011221471
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and one of the hydrogen atoms of these alkyl group, cycloalkyl group, or aryl group) Part or all may be substituted with a substituent (provided that R 1 and R 2 are not both hydrogen atoms) R 3 represents an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryl group, or — A group represented by M (R 3m ) 3 (M is Si, Ge or Sn, R 3m is an alkyl group), and some or all of these hydrogen atoms are substituted with substituents; R 1 and R 3 may be linked to form a cyclic ether structure.)
Figure 2011221471
(In the formula (2), X is .Y 1 and Y 2 is a divalent straight-chain aliphatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms are each independently a single bond, an ester bond, an amide bond R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a sulfo group, a sulfophenyl group, or any one of the following formulas (i) to (vi). However, when Y 1 or Y 2 is a single bond, R 4 or R 5 linked to Y 1 or Y 2 may not be an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. In addition, when Y 1 and Y 2 are both single bonds, R 4 and R 5 are not both hydrogen atoms.)
Figure 2011221471
(In the formulas (i) to (vi), R 6 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 7 is a hydrogen atom or a methyl group. M is an integer of 0 to 6. (However, when Y 1 or Y 2 in the formula (2) is a single bond, m in R 4 or R 5 linked to Y 1 or Y 2 is 0.)
[B]光酸発生体が、下記式(3)で表されるオキシムスルホネート基を有する請求項1に記載のポジ型感放射線性組成物。
Figure 2011221471
(式(3)中、RB1は、直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよい。)
[B] The positive radiation sensitive composition according to claim 1, wherein the photoacid generator has an oxime sulfonate group represented by the following formula (3).
Figure 2011221471
(In Formula (3), R B1 is a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or an aryl group, and part or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted with a substituent. .)
表示素子の層間絶縁膜を形成するために用いられる請求項1又は請求項2に記載のポジ型感放射線性組成物。   The positive radiation-sensitive composition according to claim 1 or 2, which is used for forming an interlayer insulating film of a display element. (1)請求項3に記載のポジ型感放射線性組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱する工程
を有する表示素子の層間絶縁膜の形成方法。
(1) The process of forming the coating film of the positive radiation sensitive composition of Claim 3 on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A method of forming an interlayer insulating film of a display element, comprising: a step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2); and (4) a step of heating the coating film developed in step (3).
請求項3に記載のポジ型感放射線性組成物から形成される表示素子の層間絶縁膜。   The interlayer insulation film of the display element formed from the positive radiation sensitive composition of Claim 3.
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