JP2011219824A - Film deposition apparatus and target device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition apparatus and a target device capable of enhancing the productivity of the film deposition on a substrate.SOLUTION: The film deposition apparatus 1 has a target 25 being a film deposition material and a plate-like cooling plate 22 which is brought into contact with the target 25 and cooled. The target 25 and the cooling plate 22 are clamped by a clamp 27. In the cooling plate 22, a second face 22b on the opposite side of a first face 22a opposite to the target 25 is exposed to a higher-pressure atmosphere than the first face 22a is, and a center part 22c in the first face 22b is displaced to the target 25 side to press the target 25.

Description

本発明は、成膜装置およびターゲット装置に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus and a target apparatus.

高速度の原子やイオンをターゲット表面に衝突させたときに、ターゲットを構成する原子が空間に放出される現象を利用して基板の表面に薄膜を形成するスパッタリング装置が広く開示されている。スパッタリング装置は、膜の原材料からなるターゲットを陰極、基板または真空容器壁を陽極として、これらの両電極間に電圧を印加して放電を発生させ、これにより発生するプラズマ中のイオンを当該ターゲットに向けて加速させる。そして、このイオンがターゲットに衝突することによって弾き出されたターゲット構成原子等を基板上に付着・堆積させることにより薄膜が形成される。   2. Description of the Related Art Sputtering apparatuses that form a thin film on the surface of a substrate using a phenomenon in which atoms constituting a target are released into space when high-speed atoms or ions collide with the target surface are widely disclosed. A sputtering apparatus uses a target made of a raw material of a film as a cathode, a substrate or a vacuum vessel wall as an anode, applies a voltage between these electrodes to generate a discharge, and ions in the plasma generated thereby are applied to the target. Accelerate towards. A thin film is formed by adhering and depositing target constituent atoms and the like ejected by the collision of the ions with the target on the substrate.

このような成膜装置においては、ターゲットが、スパッタリングの際にイオンから衝撃を受けて高温となるため、融解したり割れたりするおそれがある。また、スパッタリング装置では、高い生産性を得るために成膜速度を上げることが不可欠であり、このためターゲットに投入する電力を大きくする必要がある。しかし、投入電力を大きくするとターゲットは高温となってしまう。このため、ターゲットの背面にターゲットに接触させるように冷却板を配置して、ターゲットを冷却することが一般的に行われている。例えば特許文献１には、冷却板（ターゲットホルダ）の上面にターゲットが載置され、冷却板とターゲットとが弾性クリップ式の留め具により固定されている成膜装置に関する技術が開示されている。   In such a film forming apparatus, the target is subjected to impacts from ions during sputtering and becomes a high temperature, so that the target may be melted or cracked. Further, in the sputtering apparatus, it is indispensable to increase the deposition rate in order to obtain high productivity. For this reason, it is necessary to increase the electric power supplied to the target. However, when the input power is increased, the target becomes high temperature. For this reason, it is a common practice to cool the target by placing a cooling plate on the back surface of the target so as to contact the target. For example, Patent Document 1 discloses a technique related to a film forming apparatus in which a target is placed on the upper surface of a cooling plate (target holder), and the cooling plate and the target are fixed by elastic clip-type fasteners.

特開２００４−１９３０８３号公報JP 2004-193083 A

しかしながら、特許文献１に示すような、冷却板とターゲットとを留め具によって固定する方法では、留め具で固定する周縁部においては密着性を確保して効果的にターゲットを冷却することができるが、中央部においては密着性を確保することが難しく、効果的にターゲットを冷却することができない。このため、ターゲットに投入する電力が制限され、基板に成膜をする際の生産性を低下させてしまうおそれがある。   However, in the method of fixing the cooling plate and the target with a fastener as shown in Patent Document 1, it is possible to effectively cool the target while ensuring the adhesion at the peripheral portion fixed with the fastener. In the central part, it is difficult to ensure adhesion, and the target cannot be cooled effectively. For this reason, the electric power supplied to the target is limited, and there is a possibility that the productivity at the time of film formation on the substrate is lowered.

本発明は、基板に成膜をする際の生産性を向上させることが可能な成膜装置およびターゲット装置を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the film-forming apparatus and target apparatus which can improve the productivity at the time of film-forming on a board | substrate.

上記課題を解決するため、本発明の成膜装置は、成膜材料であるターゲットと当該ターゲットに接触して冷却する板状の冷却板とを備える成膜装置であって、ターゲットと冷却板とはクランプによって固定され、冷却板は、ターゲットと対向する面である第１の面とは反対側の面である第２の面が第１の面よりも高圧の雰囲気に曝されると共に、第１の面における中央部がターゲット側に変位してターゲットを押圧することを特徴としている。   In order to solve the above problems, a film forming apparatus of the present invention is a film forming apparatus including a target that is a film forming material and a plate-like cooling plate that cools in contact with the target. Is fixed by a clamp, and the second surface, which is the surface opposite to the first surface that is the surface facing the target, is exposed to a higher-pressure atmosphere than the first surface, and the cooling plate 1 is characterized in that the central portion of the surface of 1 is displaced toward the target side and presses the target.

このような成膜装置では、冷却板における第１の面および第２の面のそれぞれの面に作用する圧力に差を与えることにより、冷却板を低圧側である第１の面側に変位させる。さらに、第１の面における中央部をターゲット側に変位させることにより、冷却板をターゲットの中央部を押圧させる。これにより、ターゲットと冷却板とをクランプによって固定する場合に、ターゲットと冷却板との密着性を確保することが難しいターゲットの中央部においても、その密着性が確保されるようになるので、ターゲットに発生する熱を効率的に冷却板に伝熱することができる。この結果、ターゲットに投入する電力を高めることが可能となり、基板に成膜をする際の生産性を向上させることができる。   In such a film forming apparatus, the cooling plate is displaced to the first surface side which is the low pressure side by giving a difference in the pressure acting on each of the first surface and the second surface of the cooling plate. . Further, the central portion of the first surface is displaced toward the target, thereby pressing the cooling plate against the central portion of the target. As a result, when the target and the cooling plate are fixed by a clamp, even in the center of the target where it is difficult to ensure the adhesion between the target and the cooling plate, the adhesion is ensured. The heat generated in the heat can be efficiently transferred to the cooling plate. As a result, it is possible to increase the power input to the target, and the productivity when forming a film on the substrate can be improved.

また、冷却板は、第１の面および第２の面の少なくとも一方に溝部を有していてもよい。これにより、ターゲットに対する加圧力を向上させることができると共にターゲットに対する加圧力を均一化させることができる。   The cooling plate may have a groove on at least one of the first surface and the second surface. As a result, the pressure applied to the target can be improved and the pressure applied to the target can be made uniform.

また、冷却板は、第１の面における中央部および第２の面における中央部の少なくとも一方を取り囲む環状の溝部を有していてもよい。これにより、より効果的にターゲットに対する加圧力を向上させることができると共にターゲットに対する加圧力を均一化させることができる。   The cooling plate may have an annular groove that surrounds at least one of the central portion on the first surface and the central portion on the second surface. Thereby, it is possible to improve the pressure applied to the target more effectively and to equalize the pressure applied to the target.

また、冷却板は、第２の面が大気圧雰囲気に曝され、第１の面が真空雰囲気に曝されてもよい。これにより、冷却板は、真空雰囲気と大気圧雰囲気との気圧差によって気圧の低い第１の面側に変位するようになる。基板に薄膜を形成する際、ターゲットの一方の面は、一般的に真空雰囲気下に配置されるので、ターゲットと対向する面である第１の面とは反対側の面である第２の面を大気圧に曝すことで第１の面と第２の面との間に圧力差を発生させることができる。この結果、容易な構成で冷却板をターゲット側に変位させることが可能となる。   The cooling plate may have the second surface exposed to an atmospheric pressure atmosphere and the first surface exposed to a vacuum atmosphere. As a result, the cooling plate is displaced to the first surface side where the atmospheric pressure is low due to the atmospheric pressure difference between the vacuum atmosphere and the atmospheric pressure atmosphere. When forming a thin film on the substrate, one surface of the target is generally disposed in a vacuum atmosphere, so the second surface is the surface opposite to the first surface, which is the surface facing the target. Is exposed to atmospheric pressure, a pressure difference can be generated between the first surface and the second surface. As a result, it is possible to displace the cooling plate to the target side with an easy configuration.

また、ターゲットと冷却板との間には、ターゲットと冷却板との互いの対向面に接触する熱伝導性薄膜部材が配置されていてもよい。このターゲット装置では、ターゲットおよび冷却板が互いに対向する対向面に凹凸がある場合でも、導電性薄膜部材が、その凹凸によって形成される空隙を埋めるので、ターゲットと冷却板との接触面積が十分に確保される。この結果、ターゲットと冷却板との間の良好な熱伝導性を得ることが可能となる。   Moreover, between the target and the cooling plate, a thermally conductive thin film member that is in contact with the opposing surfaces of the target and the cooling plate may be disposed. In this target device, even when the target and the cooling plate are opposite to each other, the conductive thin film member fills the gap formed by the unevenness, so that the contact area between the target and the cooling plate is sufficient. Secured. As a result, it is possible to obtain good thermal conductivity between the target and the cooling plate.

本発明のターゲット装置は、成膜材料であるターゲットと当該ターゲットに接触して冷却する板状の冷却板とを備えるターゲット装置であって、ターゲットと冷却板とはクランプによって固定され、冷却板は、ターゲットと対向する面である第１の面および第１の面とは反対側の面である第２の面の少なくとも一方に溝部を有することを特徴としている。   The target device of the present invention is a target device comprising a target that is a film forming material and a plate-like cooling plate that contacts and cools the target, the target and the cooling plate being fixed by a clamp, The groove portion is provided on at least one of the first surface that is the surface facing the target and the second surface that is the surface opposite to the first surface.

このようなターゲット装置では、冷却板における第１の面および第２の面のそれぞれの面に作用する圧力に差を与えることにより、冷却板を低圧側である第１の面側に変位させる。さらに、第１の面における中央部をターゲット側に変位させることにより、冷却板をターゲットの中央部を押圧させる。これにより、ターゲットと冷却板とをクランプによって固定する場合に、ターゲットと冷却板との密着性を確保することが難しいターゲットの中央部においても、その密着性が確保されるようになるので、ターゲットに発生する熱を効率的に冷却板に伝熱することができる。この結果、ターゲットに投入する電力を高めることが可能となり、基板に成膜をする際の生産性を向上させることができる。さらに、本発明のターゲット装置では、第１の面および第２の面の少なくとも一方に溝部を有しているので、ターゲットに対する加圧力を向上させることができると共にターゲットに対する加圧力を均一化させることができる。   In such a target device, the cooling plate is displaced to the first surface side which is the low pressure side by giving a difference in the pressure acting on each of the first surface and the second surface of the cooling plate. Further, the central portion of the first surface is displaced toward the target, thereby pressing the cooling plate against the central portion of the target. As a result, when the target and the cooling plate are fixed by a clamp, even in the center of the target where it is difficult to ensure the adhesion between the target and the cooling plate, the adhesion is ensured. The heat generated in the heat can be efficiently transferred to the cooling plate. As a result, it is possible to increase the power input to the target, and the productivity when forming a film on the substrate can be improved. Furthermore, in the target device of the present invention, since the groove portion is provided on at least one of the first surface and the second surface, the pressure applied to the target can be improved and the pressure applied to the target can be made uniform. Can do.

また、冷却板は、第１の面における中央部および第２の面における中央部の少なくとも一方を取り囲む環状の溝部を有していてもよい。これにより、より効果的にターゲットに対する加圧力を向上させることができると共にターゲットに対する加圧力を均一化させることができる。   The cooling plate may have an annular groove that surrounds at least one of the central portion on the first surface and the central portion on the second surface. Thereby, it is possible to improve the pressure applied to the target more effectively and to equalize the pressure applied to the target.

本発明の成膜装置およびターゲット装置によれば、基板に成膜をする際の生産性を向上させることが可能となる。   According to the film forming apparatus and the target apparatus of the present invention, it is possible to improve productivity when forming a film on a substrate.

本実施形態に係る成膜装置の構成を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the structure of the film-forming apparatus which concerns on this embodiment. 図１に示すターゲット装置を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the target apparatus shown in FIG. 図２に示す冷却板を示す平面図である。It is a top view which shows the cooling plate shown in FIG. 図２に示す冷却板を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the cooling plate shown in FIG. 図１に示す真空容器内を減圧した際の冷却板の形状を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the shape of the cooling plate at the time of depressurizing the inside of the vacuum vessel shown in FIG. 試験片１および試験片２を示す側面断面図である。2 is a side sectional view showing a test piece 1 and a test piece 2. FIG. 試験片１に加圧をした際のＸ軸方向およびＹ軸方向におけるＺ軸方向の反り量を示す図である。It is a figure which shows the amount of curvature of the Z-axis direction in the X-axis direction and the Y-axis direction when the test piece 1 is pressurized. 試験片２に加圧をした際のＸ軸方向およびＹ軸方向におけるＺ軸方向の反り量を示す図である。It is a figure which shows the curvature amount of the Z-axis direction in the X-axis direction at the time of pressurizing the test piece 2, and a Y-axis direction. 他の実施形態に係る冷却板を示す平面図である。It is a top view which shows the cooling plate which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る冷却板を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the cooling plate which concerns on other embodiment.

本発明に係るターゲット装置および成膜装置の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。   Preferred embodiments of a target device and a film forming apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and a duplicate description is omitted.

図１は、本実施形態に係る成膜装置の構成を示す側面断面図である。図２は、図１に示すターゲット装置を示す側面断面図である。図１〜図５中には、ＸＹＺ直交座標系が示され、Ｚ軸方向が上下方向に対応する。   FIG. 1 is a side sectional view showing the configuration of the film forming apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a side sectional view showing the target device shown in FIG. 1 to 5, an XYZ orthogonal coordinate system is shown, and the Z-axis direction corresponds to the vertical direction.

本実施形態に係るターゲット装置２は、いわゆるスパッタリング法による成膜を行う装置に適用することができる。このような成膜装置１は、図１に示すように、真空容器１０、電源１１、排気機構１２、ガス導入機構１３、基板ホルダ３およびターゲット装置２を主に備えている。   The target apparatus 2 according to the present embodiment can be applied to an apparatus that performs film formation by a so-called sputtering method. As shown in FIG. 1, the film forming apparatus 1 mainly includes a vacuum vessel 10, a power source 11, an exhaust mechanism 12, a gas introduction mechanism 13, a substrate holder 3, and a target device 2.

真空容器１０は、導電性の材料から形成されており、後述する電源１１によりプラスの電圧が印加される。電源１１は、真空容器１０をプラスの電圧に印加し、ターゲット２５にマイナスの電圧を印加する。排気機構１２は、図示しない真空ポンプとバルブとを含んでおり、真空容器１０の外側に配置されている。排気機構１２は、真空容器１０内を成膜に必要な状態にまで減圧する。ガス導入機構１３は、真空容器１０の外側に配置されている。ガス導入機構１３は、スパッタリングに使用されるガス（例えばＡｒ）を真空容器１０内部へ導入する。基板ホルダ３は、真空容器１０の内壁に取り付けられており、上下方向（図１に示すＺ軸）おいて後述するターゲット装置２と対向する位置に配置されている。基板ホルダ３は、基板３１を固定する部材であって、基板ホルダ３の上面に基板３１を取り付ける。また、基板３１は、真空容器１０および基板ホルダ３を介して電源１１によりマイナスの電圧が印加される。   The vacuum vessel 10 is formed of a conductive material, and a positive voltage is applied by a power source 11 described later. The power source 11 applies the vacuum vessel 10 to a positive voltage and applies a negative voltage to the target 25. The exhaust mechanism 12 includes a vacuum pump and a valve (not shown), and is disposed outside the vacuum vessel 10. The exhaust mechanism 12 depressurizes the inside of the vacuum vessel 10 to a state necessary for film formation. The gas introduction mechanism 13 is disposed outside the vacuum vessel 10. The gas introduction mechanism 13 introduces a gas (for example, Ar) used for sputtering into the vacuum vessel 10. The substrate holder 3 is attached to the inner wall of the vacuum vessel 10 and is disposed at a position facing a target device 2 described later in the vertical direction (Z axis shown in FIG. 1). The substrate holder 3 is a member that fixes the substrate 31, and attaches the substrate 31 to the upper surface of the substrate holder 3. In addition, a negative voltage is applied to the substrate 31 by the power supply 11 via the vacuum vessel 10 and the substrate holder 3.

ターゲット装置２は、真空容器１０の内部に配置されており、図２に示すように、インシュレータ２１、フランジ２３、冷却板２２、グラファイトシート（熱伝導性薄膜部材）２４、ターゲット２５およびクランプ２７を備えている。以下、図３〜図５を用いてターゲット装置２について詳述する。図３は、図２に示す冷却板の平面図、図４は、図２に示す冷却板を示す断面図である。図５は、真空容器内を減圧した際の冷却板の形状を示す図である。   The target device 2 is disposed inside the vacuum vessel 10, and as shown in FIG. 2, an insulator 21, a flange 23, a cooling plate 22, a graphite sheet (thermally conductive thin film member) 24, a target 25, and a clamp 27 are provided. I have. Hereinafter, the target device 2 will be described in detail with reference to FIGS. 3 is a plan view of the cooling plate shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing the cooling plate shown in FIG. FIG. 5 is a diagram showing the shape of the cooling plate when the inside of the vacuum vessel is depressurized.

インシュレータ２１は、真空容器１０と後述するフランジ２３との間に配置されており、真空容器１０とターゲット２５を固定するためのフランジ２３とを絶縁している。これにより、真空容器１０とターゲット２５との電位差が確保される。   The insulator 21 is disposed between the vacuum vessel 10 and a flange 23 described later, and insulates the vacuum vessel 10 and the flange 23 for fixing the target 25. Thereby, a potential difference between the vacuum vessel 10 and the target 25 is ensured.

フランジ２３は、後述する冷却板２２を支えるための部材であって、真空容器１０にインシュレータ２１を介して取り付けられている。   The flange 23 is a member for supporting a cooling plate 22 to be described later, and is attached to the vacuum vessel 10 via an insulator 21.

冷却板２２は、板状に形成された部材であって、フランジ２３によって真空容器１０に固定されている。冷却板２２におけるフランジ２３と接触する側の第２の面２２ｂは、真空容器１０の外部に面しており大気圧に曝されている。また、冷却板２２における第２の面２２ｂと反対側の面であり、後述するターゲット２５と対向する側の第１の面２２ａは、真空容器１０の内部に面している。また、真空容器１０内が排気機構１２によって排気され、成膜に必要な状態にまで減圧された場合には、第１の面２２ａは、真空雰囲気に曝される。このため、大気圧に曝される第２の面２２ｂおよび成膜に必要な状態にまで減圧された雰囲気に曝される第１の面２２ａに作用するそれぞれの圧力に差が発生するようになる。   The cooling plate 22 is a member formed in a plate shape, and is fixed to the vacuum vessel 10 by a flange 23. The second surface 22b of the cooling plate 22 on the side in contact with the flange 23 faces the outside of the vacuum vessel 10 and is exposed to atmospheric pressure. Further, the first surface 22 a of the cooling plate 22 opposite to the second surface 22 b and facing the target 25 described later faces the inside of the vacuum vessel 10. Further, when the inside of the vacuum vessel 10 is exhausted by the exhaust mechanism 12 and the pressure is reduced to a state necessary for film formation, the first surface 22a is exposed to a vacuum atmosphere. For this reason, a difference occurs between the pressures acting on the second surface 22b exposed to the atmospheric pressure and the first surface 22a exposed to the atmosphere reduced to a state necessary for film formation. .

冷却板２２は、図３および図４に示すように、第２の面２２ｂ側の周縁部２２ｅ近傍に環状の溝部２２ｆが形成されている。この溝部２２ｆは、冷却板２２に薄肉部を形成するための手段であって、上述したスパッタリング時における第１の面２２ａと第２の面２２ｂとに作用する圧力差によって、第１の面２２ａがターゲット２５側に変形（図５参照）するような寸法に形成されていることが好ましい。これにより、第１の面２２ａの中央部２２ｃを含む一部の面２２ｄ、すなわち、溝部２２ｆの内側の面２２ｄ（以下、押圧面２２ｄと示す）をターゲット２５側に均一に変位させ、ターゲット２５における中央部とその周辺領域を押圧させることが可能となる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the cooling plate 22 has an annular groove 22 f formed in the vicinity of the peripheral portion 22 e on the second surface 22 b side. The groove 22f is a means for forming a thin portion on the cooling plate 22, and the first surface 22a is caused by a pressure difference acting on the first surface 22a and the second surface 22b during the sputtering described above. Is preferably sized to deform toward the target 25 (see FIG. 5). Accordingly, a part of the surface 22d including the central portion 22c of the first surface 22a, that is, the inner surface 22d of the groove 22f (hereinafter, referred to as a pressing surface 22d) is uniformly displaced toward the target 25, and the target 25 It becomes possible to press the center part and its peripheral area.

なお、ここでいう変位とは、図４に示すように、第１の面２２ａと第２の面２２ｂとに作用する圧力に差がなく第１の面２２ａが直線状の維持された状態から、図５に示すように、第１の面２２ａと第２の面２２ｂとに作用する圧力差によって第１の面２２ａが変形したときのＺ軸方向の変位をいう。また、均一な変位とは、押圧面２２ｄにおける任意の位置における図５に示すＺ軸方向の変位量ｄ１〜ｄｎが、プラスマイナス２０％の範囲に収まっているような変位をいう。 As shown in FIG. 4, the displacement referred to here refers to a state in which there is no difference in pressure acting on the first surface 22a and the second surface 22b and the first surface 22a is maintained linear. As shown in FIG. 5, the displacement in the Z-axis direction when the first surface 22a is deformed by a pressure difference acting on the first surface 22a and the second surface 22b. In addition, the uniform displacement, Z axis direction displacement amount d 1 to d n shown in FIG. 5 at an arbitrary position in the pressing surface 22d is referred to the displacement, such as those within the range of plus or minus 20%.

また、冷却板２２の内部には、配管２２ｇが、図２に示すＸＹ平面に対して２次元状に配置されている。配管２２ｇは、図２に示すＺ軸方向において、第２の面２２ｂおよび第１の面２２ａのそれぞれからの距離がほぼ等しくなる位置に配置されている。これにより、配管２２ｇから冷却板２２の外部に冷却液が漏れ出るおそれを低減している。配管２２ｇの内部に冷却液が流れることで、冷却板２２自体を冷却する。なお、冷却板２２は、例えば、銅やアルミニウムといった熱伝導性に優れた金属材料であると、冷却効率を向上させることができる。また、冷却板２２がアルミニウムからなる場合には、その表面にアルマイト処理がなされていればより好適である。また、冷却板２２に用いられる冷却液としては、水よりも凝固点が低い液体（例えば、フロリナートやガルデンなど）であると、冷却効率を更に向上させることができる。また、配管２２ｇは、例えば、銅やアルミニウムといった熱伝導性に優れた金属材料であると、冷却効率を更に向上させることができる。   Further, inside the cooling plate 22, a pipe 22g is two-dimensionally arranged with respect to the XY plane shown in FIG. The piping 22g is disposed at a position where the distances from the second surface 22b and the first surface 22a are substantially equal in the Z-axis direction shown in FIG. Thereby, the possibility that the coolant leaks out of the cooling plate 22 from the pipe 22g is reduced. The cooling liquid flows inside the pipe 22g, thereby cooling the cooling plate 22 itself. In addition, the cooling efficiency can be improved when the cooling plate 22 is a metal material having excellent thermal conductivity such as copper or aluminum. Further, when the cooling plate 22 is made of aluminum, it is more preferable that the surface thereof is anodized. Further, the cooling liquid used for the cooling plate 22 is a liquid having a lower freezing point than water (for example, Fluorinert or Galden), whereby the cooling efficiency can be further improved. Moreover, the cooling efficiency can be further improved when the pipe 22g is a metal material having excellent thermal conductivity such as copper or aluminum.

ターゲット２５は、薄膜の１種の材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）により形成されている。なお、ターゲット２５は、ＩＴＯターゲット以外に、金属酸化物材料で形成されているターゲットを用いることもできるし、亜酸化物材料を含んで形成されているターゲットを用いることもできる。ターゲット２５は、成膜装置１において陰極に設定される。そして、成膜装置１において陽極として設定された真空容器１０とターゲット２５との間に電圧が印加されると、発生するプラズマ中のイオンがターゲット２５に向けて加速し、このイオンがターゲット２５に衝突するようになる。そして、この衝突により弾き出されたＩＴＯ構成原子等を基板３１上に付着・堆積させることにより薄膜が形成される。   The target 25 is made of ITO (Indium Tin Oxide), which is a kind of thin film material. In addition to the ITO target, the target 25 can be a target formed of a metal oxide material, or can be a target formed of a suboxide material. The target 25 is set as a cathode in the film forming apparatus 1. Then, when a voltage is applied between the vacuum vessel 10 set as an anode in the film forming apparatus 1 and the target 25, ions in the generated plasma are accelerated toward the target 25, and these ions reach the target 25. It becomes a collision. A thin film is formed by depositing and depositing ITO constituent atoms and the like ejected by this collision on the substrate 31.

グラファイトシート２４は、熱伝導性薄膜部材の１種であり、グラファイトシート２４は、冷却板２２とターゲット２５との間に配置されている。グラファイトシート２４は、ターゲット２５と冷却板２２との対向面に直接挟まれている。ここで、冷却板２２およびターゲット２５の対向面には凹凸がある場合があり、この対向面どうしが互いに接する部分には、その凹凸によって空隙が形成される場合がある。グラファイトシート２４は、互いの対向面に接触することによりこのような空隙を埋めている。これにより、ターゲット２５と冷却板２２との接触面積が十分に確保されるようになり、ターゲット２５から冷却板２２への伝熱効率が高まる。   The graphite sheet 24 is a kind of thermally conductive thin film member, and the graphite sheet 24 is disposed between the cooling plate 22 and the target 25. The graphite sheet 24 is directly sandwiched between opposing surfaces of the target 25 and the cooling plate 22. Here, the opposing surfaces of the cooling plate 22 and the target 25 may have irregularities, and voids may be formed by the irregularities in portions where the opposing surfaces contact each other. The graphite sheet 24 fills such voids by contacting the opposing surfaces. Thereby, a sufficient contact area between the target 25 and the cooling plate 22 is ensured, and the heat transfer efficiency from the target 25 to the cooling plate 22 is increased.

クランプ２７は、ボルト等（図示せず）によって冷却板２２に固定されている。クランプ２７は、ターゲット２５を冷却板２２に押し付けて、ターゲット２５を冷却板２２に固定している。また、クランプ２７は、ターゲット２５の周縁部２２ｅと当接して、ターゲット２５を冷却板２２に押し付けている。   The clamp 27 is fixed to the cooling plate 22 with a bolt or the like (not shown). The clamp 27 presses the target 25 against the cooling plate 22 and fixes the target 25 to the cooling plate 22. The clamp 27 is in contact with the peripheral edge portion 22 e of the target 25 and presses the target 25 against the cooling plate 22.

次に、本実施形態の成膜装置１による成膜方法について説明する。まず、排気機構１２は、真空容器１０内を減圧する。続いて、ガス導入機構１３は、真空容器１０内に不活性ガス（主にＡｒ）を導入する。次に、電源１１を作動させて、真空容器１０にプラスの電圧、ターゲット２５にマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させる。これにより、不活性ガスがプラズマ化され、イオン原子がマイナス電位のターゲット２５の表面に高速で衝突するようになる。   Next, a film forming method by the film forming apparatus 1 of the present embodiment will be described. First, the exhaust mechanism 12 depressurizes the inside of the vacuum container 10. Subsequently, the gas introduction mechanism 13 introduces an inert gas (mainly Ar) into the vacuum vessel 10. Next, the power supply 11 is operated to apply a positive voltage to the vacuum vessel 10 and a negative voltage to the target 25 to generate glow discharge. As a result, the inert gas is turned into plasma, and ion atoms collide with the surface of the target 25 having a negative potential at a high speed.

ターゲット２５が、イオン原子から衝突を受けると、ターゲット２５の表面からターゲット材料の粒子（原子・分子）が飛び出すようになる。そして、ターゲット２５と対向する位置に配置された基板３１の被成膜面に、ターゲット２５から飛び出した成膜材料の粒子が膜状に付着する。基板３１は、このような成膜材料の粒子に所定時間曝されることにより、基板３１の表面に所定の厚さの膜が形成される。   When the target 25 receives a collision from an ion atom, particles (atoms / molecules) of the target material come out from the surface of the target 25. Then, particles of the film-forming material that protrudes from the target 25 adhere to the film-forming surface of the substrate 31 disposed at a position facing the target 25 in the form of a film. The substrate 31 is exposed to the particles of the film forming material for a predetermined time, whereby a film having a predetermined thickness is formed on the surface of the substrate 31.

次に、図４、図５を参照しながら、真空容器１０内を減圧した際の冷却板２２の動作について説明する。   Next, the operation of the cooling plate 22 when the inside of the vacuum vessel 10 is depressurized will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

冷却板２２は、真空容器１０内を減圧する前、すなわち、第２の面２２ｂおよび第１の面２２ａの両方が大気圧に接触している状態のとき、図４に示すようにＸ軸方向に直線状に保たれている。   The cooling plate 22 is in the X-axis direction as shown in FIG. 4 before decompressing the inside of the vacuum vessel 10, that is, when both the second surface 22b and the first surface 22a are in contact with the atmospheric pressure. It is kept in a straight line.

真空容器１０内が排気機構１２によって減圧され真空状態に維持されると、冷却板２２は、第２の面２２ｂが大気圧雰囲気に曝され、第１の面２２ａが真空雰囲気に曝されるようになる。これにより、第１の面２２ａよりも第２の面２２ｂの方が高圧の雰囲気に曝されるようになるので、第２の面２２ｂに作用する圧力と第１の面２２ａに作用する圧力とに差が発生する。冷却板２２における溝部２２ｆは、上述した第２の面２２ｂと第１の面２２ａとの圧力差によって、ターゲット２５側に変形するような寸法（厚み、幅）に形成されている。このため、冷却板２２は、図５に示すように、溝部２２ｆよりも内側の面２２ｄがターゲット２５側に均一に変位する。この結果、溝部２２ｆの内側の面２２ｄは、ターゲット２５を押圧するようになり、冷却板２２とターゲット２５との密着性が高まる。   When the inside of the vacuum vessel 10 is depressurized and maintained in a vacuum state by the exhaust mechanism 12, the second surface 22b of the cooling plate 22 is exposed to the atmospheric pressure atmosphere, and the first surface 22a is exposed to the vacuum atmosphere. become. As a result, the second surface 22b is exposed to a higher pressure atmosphere than the first surface 22a, so that the pressure acting on the second surface 22b and the pressure acting on the first surface 22a are There will be a difference. The groove 22f in the cooling plate 22 is formed to have dimensions (thickness and width) that can be deformed to the target 25 side due to the pressure difference between the second surface 22b and the first surface 22a. For this reason, as shown in FIG. 5, the surface 22d inside the groove 22f of the cooling plate 22 is uniformly displaced toward the target 25. As a result, the inner surface 22d of the groove 22f comes to press the target 25, and the adhesion between the cooling plate 22 and the target 25 is enhanced.

〔実施例〕
ここでは、大気圧雰囲気下において、図６（ａ）に示すような形状を有する冷却板（試験片１）および図６（ｂ）に示すような形状を有する冷却板（試験片２）について、一方の面を真空雰囲気（１Ｐａ）、他方の面を大気圧雰囲気（１０５Ｐａ）に曝した場合の形状の変化についてシミュレーションを行った。図６（ａ）、（ｂ）は、試験片１および試験片２を示す側面断面図である。図６には、ＸＹＺ直交座標系が示され、Ｚ軸方向が上下方向に対応する。 〔Example〕
Here, in an atmospheric pressure atmosphere, a cooling plate (test piece 1) having a shape as shown in FIG. 6 (a) and a cooling plate (test piece 2) having a shape as shown in FIG. 6 (b), A simulation was performed on a change in shape when one surface was exposed to a vacuum atmosphere (1 Pa) and the other surface was exposed to an atmospheric pressure atmosphere (10 5 Pa). 6A and 6B are side cross-sectional views showing the test piece 1 and the test piece 2. FIG. 6 shows an XYZ orthogonal coordinate system, and the Z-axis direction corresponds to the vertical direction.

試験片１および試験片２の条件は、以下のとおりである。
（試験片１）
外形寸法：３００ｍｍ×１６００ｍｍ×１５ｍｍ（厚さ）
材質：無酸素銅
外周溝寸法：外周溝は形成されていない The conditions of the test piece 1 and the test piece 2 are as follows.
(Test piece 1)
External dimensions: 300mm x 1600mm x 15mm (thickness)
Material: Oxygen-free copper Peripheral groove Dimensions: No peripheral groove is formed

（試験片２）
外形寸法：３００ｍｍ×１６００ｍｍ×１５ｍｍ（厚さ）
材質：無酸素銅
外周溝寸法：２０ｍｍ（幅）×１２ｍｍ（深さ）
外周溝位置：外周端から溝中心までの距離が３０ｍｍ (Test piece 2)
External dimensions: 300mm x 1600mm x 15mm (thickness)
Material: Oxygen-free copper Peripheral groove dimensions: 20 mm (width) x 12 mm (depth)
Peripheral groove position: The distance from the outer peripheral edge to the groove center is 30 mm

このシミュレーションを行った結果、試験片１および試験片２のＺ軸方向への反り量について、図７および図８に示すような結果を得た。図７（ａ）は、試験片１に上記加圧をした際のＹ軸方向におけるＺ軸方向の反り量、図７（ｂ）は、試験片１に上記加圧をした際のＸ軸方向におけるＺ軸方向の反り量を示す図である。図８（ａ）は、試験片２に上記加圧をした際のＹ軸方向におけるＺ軸方向の反り量、図８（ｂ）は、試験片２に上記加圧をした際のＸ軸方向におけるＺ軸方向の反り量を示す図である。   As a result of this simulation, the results shown in FIGS. 7 and 8 were obtained for the amounts of warpage of the test piece 1 and the test piece 2 in the Z-axis direction. 7A shows the amount of warpage in the Z-axis direction in the Y-axis direction when the test piece 1 is pressurized, and FIG. 7B shows the X-axis direction when the test piece 1 is pressurized. It is a figure which shows the amount of curvature of the Z-axis direction. 8A shows the amount of warpage in the Z-axis direction in the Y-axis direction when the test piece 2 is pressurized, and FIG. 8B shows the X-axis direction when the test piece 2 is pressurized. It is a figure which shows the amount of curvature of the Z-axis direction.

これによれば、試験片１の中央部における反り量は、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように０．２ｍｍであり、Ｘ軸方向およびＹ軸方向におけるそれぞれのＺ軸方向の反り量の変化は、いずれも外周端から７５ｍｍの位置までほぼ直線状に反り量が大きくなっていくことが分かった。   According to this, the amount of warping at the center of the test piece 1 is 0.2 mm as shown in FIGS. 7A and 7B, and the respective Z-axis directions in the X-axis direction and the Y-axis direction are as follows. It has been found that the amount of warpage increases substantially linearly from the outer peripheral edge to the position of 75 mm.

一方、試験片２の中央部における反り量は、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように０．４ｍｍであり、Ｘ軸方向およびＹ軸方向におけるそれぞれのＺ軸方向の反り量の変化は、外周端から外周溝の中心位置（外周端から３０ｍｍ）まで急激に大きくなり、外周溝の中心位置から中央部にかけてほぼ直線的に反り量が大きくなっていくことが分かった。   On the other hand, the amount of warpage at the center of the test piece 2 is 0.4 mm as shown in FIGS. 8A and 8B, and the amounts of warpage in the respective Z-axis directions in the X-axis direction and the Y-axis direction are as follows. It has been found that the change increases rapidly from the outer peripheral end to the center position of the outer peripheral groove (30 mm from the outer peripheral end), and the amount of warpage increases substantially linearly from the center position of the outer peripheral groove to the central portion.

また、外周溝によって取り囲まれた中央部を含む押圧面のＺ軸方向への反り量（中央部を含む押圧面のターゲット側への変位ｄ）の平均は０．３４ｍｍ、最小の変位は０．２８ｍｍ、最大の変位は０．４０ｍｍであり、そのばらつきは、プラスマイナス１８％であった。このため、試験片２における押圧面のＺ軸方向への変位は、上述した均一の変位の範囲の目安であるプラスマイナス２０％の範囲に収まっており、押圧面の変位は均一な変位と言えることが分かった。   The average amount of warpage in the Z-axis direction of the pressing surface including the central portion surrounded by the outer peripheral groove (displacement d toward the target side of the pressing surface including the central portion) is 0.34 mm, and the minimum displacement is 0. The maximum displacement was 28 mm, 0.40 mm, and the variation was plus or minus 18%. For this reason, the displacement of the pressing surface in the test piece 2 in the Z-axis direction is within a range of plus or minus 20%, which is the standard of the above-described uniform displacement range, and the displacement of the pressing surface can be said to be a uniform displacement. I understood that.

以上のシミュレーションの結果により、外周溝のない冷却板（試験片１）よりも、外周溝が設けられた冷却板（試験片２）の方が、冷却板の中央部における変位を大きくすることができるので、ターゲットに対する加圧力を高められることが分かった。また、外周溝のない冷却板（試験片１）よりも、外周溝が設けられた冷却板（試験片２）の方が、外周端に近い部分での反り量、すなわちターゲット側への変位を大きくすることができるので、外周端に近い部分においてもターゲットに対する加圧力を高められることが分かった。この結果、冷却板に溝部を設けることにより、ターゲットに対する加圧力を向上させることができると共にターゲットに対する加圧力を均一化させることができることが証明された。   As a result of the above simulation, the cooling plate (test piece 2) provided with the outer peripheral groove may have a larger displacement at the central portion of the cooling plate than the cooling plate without the outer peripheral groove (test piece 1). It was found that the pressure applied to the target can be increased. In addition, the cooling plate (test piece 2) provided with the outer peripheral groove is more warped at the portion closer to the outer peripheral end, that is, the displacement toward the target side than the cooling plate without the outer peripheral groove (test piece 1). Since it can be increased, it was found that the pressure applied to the target can be increased even in the portion near the outer peripheral edge. As a result, it was proved that by providing the groove on the cooling plate, the pressure applied to the target can be improved and the pressure applied to the target can be made uniform.

以上に説明した上記実施形態の成膜装置１では、第１の面２２ａを真空雰囲気に曝し、第２の面２２ｂを大気圧雰囲気に曝すことにより、冷却板２２を低圧側である第１の面２２ａ側に変位させている。さらに、第１の面２２ａの中央部２２ｃを含む押圧面２２ｄをターゲット２５側に均一に変位させることにより、冷却板２２にターゲット２５の中央部を含む領域を押圧させている。これにより、ターゲット２５と冷却板２２とをクランプ２７によって固定する場合に、ターゲット２５と冷却板２２との密着性を確保することが難しいターゲット２５の中央部においても、その密着性が確保されるようになるので、ターゲット２５に発生する熱を効率的に冷却板２２に伝熱することができる。この結果、ターゲット２５に投入する電力を高めることが可能となり、基板３１に対する成膜の生産性を向上させることができる。   In the film forming apparatus 1 of the above-described embodiment described above, the first surface 22a is exposed to a vacuum atmosphere, and the second surface 22b is exposed to an atmospheric pressure atmosphere, whereby the cooling plate 22 is on the low pressure side. It is displaced to the surface 22a side. Furthermore, the region including the central portion of the target 25 is pressed by the cooling plate 22 by uniformly displacing the pressing surface 22d including the central portion 22c of the first surface 22a toward the target 25 side. Thereby, when fixing the target 25 and the cooling plate 22 with the clamp 27, the adhesiveness is ensured also in the center part of the target 25 where it is difficult to ensure the adhesiveness between the target 25 and the cooling plate 22. As a result, the heat generated in the target 25 can be efficiently transferred to the cooling plate 22. As a result, it is possible to increase the power input to the target 25 and improve the productivity of film formation on the substrate 31.

以上、本発明を上記実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で以下のような様々な変形が可能である。   The present invention has been described in detail above based on the above embodiment. However, the present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be modified in various ways as described below without departing from the scope of the invention.

上記実施形態の成膜装置１においては、図５に示すような、冷却板２２の中央部２２ｃを取り囲む溝部２２ｆを設け、溝部２２ｆに取り囲まれた押圧面２２ｄをターゲット２５側に均一に変位させる例を挙げて説明したがこれに限定されるものではない。例えば、図９に示すように、第２の面２２ｂに長手方向に沿って２つの溝部４１を形成してもよい。また、溝部４１は、第１の面２２ｂおよび第２の面２２ｃの少なくとも一方に形成されていてもよい。この場合であっても、第１の面２２ｂにおける中央部２２ｃをターゲット２５側に変位させてターゲット２５を押圧させることができる。   In the film forming apparatus 1 of the above embodiment, as shown in FIG. 5, a groove portion 22f surrounding the central portion 22c of the cooling plate 22 is provided, and the pressing surface 22d surrounded by the groove portion 22f is uniformly displaced toward the target 25 side. Although an example was given and demonstrated, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 9, two grooves 41 may be formed in the second surface 22b along the longitudinal direction. Moreover, the groove part 41 may be formed in at least one of the 1st surface 22b and the 2nd surface 22c. Even in this case, the center 25c of the first surface 22b can be displaced toward the target 25 to press the target 25.

上記実施形態においては、冷却板２２に形成された溝部２２ｆが矩形に形成されている例を挙げて説明したがこれに限定されるものではない。例えば図１０に示すように、溝部４２は円弧状に形成されていてもよい。   In the said embodiment, although the groove part 22f formed in the cooling plate 22 demonstrated and demonstrated the example formed in the rectangle, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 10, the groove part 42 may be formed in circular arc shape.

上記実施形態においては、第１の面２２ａを真空雰囲気に曝し、第２の面２２ｂを大気圧雰囲気に曝すことにより、冷却板２２を低圧側である第１の面２２ａ側に変位させる例を挙げて説明したがこれに限定されるものではない。例えば第１の面２２ａおよび第２の面２２ｂのそれぞれが曝される雰囲気を制御できるような構成とし、第２の面２２ｂが第１の面２２ａよりも高圧の雰囲気に曝されるようにしてもよい。   In the above embodiment, the first surface 22a is exposed to a vacuum atmosphere, and the second surface 22b is exposed to an atmospheric pressure atmosphere, whereby the cooling plate 22 is displaced to the first surface 22a side which is the low pressure side. Although described above, the present invention is not limited to this. For example, the configuration is such that the atmosphere to which each of the first surface 22a and the second surface 22b is exposed can be controlled, and the second surface 22b is exposed to an atmosphere at a higher pressure than the first surface 22a. Also good.

上記実施形態においては、冷却板２２は、図３に示すような矩形に形成された例を挙げて説明したがこれに限定されるものではなく、例えば円形や楕円形や多角形等に形成されていてもよい。   In the above embodiment, the cooling plate 22 has been described with reference to an example in which the cooling plate 22 is formed in a rectangular shape as shown in FIG. 3, but is not limited thereto. For example, the cooling plate 22 is formed in a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, or the like. It may be.

上記実施形態においては、グロー放電によって発生させたプラズマを利用する成膜装置１にターゲット装置２を適用した例を挙げて説明したがこれに限定されるものではない。例えば、高周波によって発生させたプラズマを利用する成膜装置や、ターゲットの裏面にマグネットを配置するマグネトロンスパッタリング成膜装置等、各種成膜装置に適用することができる。   In the said embodiment, although the example which applied the target apparatus 2 to the film-forming apparatus 1 using the plasma generated by glow discharge was given and demonstrated, it is not limited to this. For example, the present invention can be applied to various film forming apparatuses such as a film forming apparatus using plasma generated by high frequency and a magnetron sputtering film forming apparatus in which a magnet is disposed on the back surface of a target.

１…成膜装置、２…ターゲット装置、３…基板ホルダ、１０…真空容器、１１…電源、１２…排気機構、１３…ガス導入機構、２１…インシュレータ、２２…冷却板、２２ｂ…第２の面、２２ａ…第１の面、２２ｃ…中央部、２２ｄ…押圧面、２２ｅ…周縁部、２２ｆ，４１，４２…溝部、２２ｇ…配管、２３…フランジ、２４…グラファイトシート、２５…ターゲット、２７…クランプ、３１…基板、ｄ…変位量。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus, 2 ... Target apparatus, 3 ... Substrate holder, 10 ... Vacuum container, 11 ... Power supply, 12 ... Exhaust mechanism, 13 ... Gas introduction mechanism, 21 ... Insulator, 22 ... Cooling plate, 22b ... Second Surface, 22a ... first surface, 22c ... center, 22d ... pressing surface, 22e ... periphery, 22f, 41, 42 ... groove, 22g ... piping, 23 ... flange, 24 ... graphite sheet, 25 ... target, 27 ... Clamp, 31 ... Substrate, d ... Displacement amount.

Claims (7)

成膜材料であるターゲットと当該ターゲットに接触して冷却する板状の冷却板とを備える成膜装置であって、
前記ターゲットと前記冷却板とはクランプによって固定され、
前記冷却板は、前記ターゲットと対向する面である第１の面とは反対側の面である第２の面が前記第１の面よりも高圧の雰囲気に曝されると共に、前記第１の面における中央部が前記ターゲット側に変位して前記ターゲットを押圧することを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus comprising a target that is a film forming material and a plate-shaped cooling plate that contacts and cools the target,
The target and the cooling plate are fixed by a clamp,
In the cooling plate, a second surface, which is a surface opposite to the first surface, which is a surface facing the target, is exposed to an atmosphere of higher pressure than the first surface, and the first surface A film forming apparatus, wherein a center portion of a surface is displaced toward the target side to press the target. 前記冷却板は、前記第１の面および第２の面の少なくとも一方に溝部を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the cooling plate has a groove on at least one of the first surface and the second surface. 前記冷却板は、前記第１の面における中央部および前記第２の面における中央部の少なくとも一方を取り囲む環状の溝部を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。   2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the cooling plate has an annular groove that surrounds at least one of a central portion of the first surface and a central portion of the second surface. 前記冷却板は、前記第２の面が大気圧雰囲気に曝され、前記第１の面が真空雰囲気に曝されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置。   The film formation according to any one of claims 1 to 3, wherein the second surface of the cooling plate is exposed to an atmospheric pressure atmosphere, and the first surface is exposed to a vacuum atmosphere. apparatus. 前記ターゲットと前記冷却板との間には、前記ターゲットと前記冷却板との互いの対向面に接触する熱伝導性薄膜部材が配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の成膜装置。   The heat conductive thin film member which contacts the mutually opposing surface of the said target and the said cooling plate is arrange | positioned between the said target and the said cooling plate, The any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 2. The film forming apparatus according to item 1. 成膜材料であるターゲットと当該ターゲットに接触して冷却する板状の冷却板とを備えるターゲット装置であって、
前記ターゲットと前記冷却板とはクランプによって固定され、
前記冷却板は、前記ターゲットと対向する面である第１の面および前記第１の面とは反対側の面である第２の面の少なくとも一方に溝部を有することを特徴とするターゲット装置。 A target device comprising a target that is a film forming material and a plate-like cooling plate that cools in contact with the target,
The target and the cooling plate are fixed by a clamp,
The cooling plate has a groove on at least one of a first surface that is a surface facing the target and a second surface that is a surface opposite to the first surface. 前記冷却板は、前記第１の面における中央部および前記第２の面における中央部の少なくとも一方を取り囲む環状の溝部を有することを特徴とする請求項６に記載のターゲット装置。   The target device according to claim 6, wherein the cooling plate has an annular groove that surrounds at least one of a central portion of the first surface and a central portion of the second surface.
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