KR20110077706A - Cooling cathode - Google Patents
Cooling cathode Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110077706A KR20110077706A KR1020090134352A KR20090134352A KR20110077706A KR 20110077706 A KR20110077706 A KR 20110077706A KR 1020090134352 A KR1020090134352 A KR 1020090134352A KR 20090134352 A KR20090134352 A KR 20090134352A KR 20110077706 A KR20110077706 A KR 20110077706A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- anode shield
- plate
- cathode
- base plate
- anode
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 애노드실드의 냉각이 가능한 캐소드에 관한 것으로서, 더욱 상세히는 가열된 애노드실드를 순환하는 냉각수로 열교환되도록 구성하여, 금속 증착되는 피착재의 변형 내지는 손상을 방지할 수 있는, 애노드실드의 냉각이 가능한 캐소드에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode capable of cooling the anode shield, and more particularly, the cooling of the anode shield, which is configured to heat exchange with the cooling water circulating the heated anode shield, to prevent deformation or damage of the metal-deposited adherend. It is about possible cathodes.
일반적으로 캐소드(1)는 스퍼터링 장치에 사용되는 것으로서, 스퍼터링 장치에 구성되는 진공챔버 내에서 필름이나 유리판 내지는 합성수지판 등의 피착재(F)에 금속물질을 증착시키는 장치이다.In general, the
도 1은 종래의 기술에 의한 캐소드를 도시한 단면도로서 배경기술을 살펴보면 다음과 같다.1 is a cross-sectional view showing a cathode according to the prior art as follows.
하방에 형성되어 지지기능을 하는 베이스플레이트(10)가 구성되고, 상기 베이스플레이트(10)의 상면에 로딩되어 베이스플레이트(10)로 전기가 도통되는 것을 차단하는 판상의 절연재(20)가 구성된다. 그리고, 상기 절연재(20) 상면에 로딩되며 상방으로 개방된 홈(35)이 형성된 블록 형상으로서, 전기적으로 음극에 연결되어 접지되는 바디(30)가 부착되어 구성되고, 상기 바디(30)의 홈(35)에 수용되어 다음에 설명하는 자석(50)을 받치는 자석플레이트(40)가 구성된다. 그리고, 상기 자석플레이트(40)의 상면에 부착되어 자속을 발생시켜 플라즈마를 균일하게 하여 균일한 박막이 형성되도록 하는 자석(50)이 구성된다. 또한, 상기 바디(30)의 상단에 구성되어 증착 물질을 발생시키는 것으로서 금, 은, 구리, 알루미늄 등으로 구성되는 판상의 타겟(S)이 구성되고, 상기 베이스플레이트(10)의 상면에 부착되어 전기적으로 양극으로 연결되는 애노드실드(60)가 구성된다. 상기 애노드실드(60)는 판 형상으로서 상기 베이스플레이트(10)의 상면에 수직으로 부착되어 상기 절연재(20)와 바디(30) 그리고 타겟(S)을 둘러싸는 측방애노드실드(63)와 상기 측방애노드실드(63)의 상단에서 내측방으로 연장되어 상기 바디(3)와 측방애노드실드(63)와의 간극(T)이 금속증착물질로 폐색되는 현상을 방지하는 상부애노드실드(66)로 구성된다. 상기 절연재(20), 바디(30), 타겟(S)은 애노드실드(60)와 3∼5mm의 간극(S)이 형성되어 아크 발생을 억제하도록 구성된다.A
상기 종래 기술의 작동례를 살펴보면 다음과 같다.Looking at the operation example of the prior art as follows.
상기 캐소드(1)를 스퍼터링 장치의 진공챔버 내에 장착한 후, 상기 스퍼터링의 타겟(S)에 이격되어 대향하도록 피착재(F)가 이송하도록 한다. 그리고, 불활성 가스(G)인 아르곤을 상기 진공챔버 내에 주입한 후, 상기 캐소드(1)에 전원을 인가하게 되면, 타겟(S) 주위에 플라즈마가 발생하게 된다. 이때, 아르곤 원자에서 전자가 방출되면서 형성된 아르곤 양이온(I)은 음극을 띠는 타겟(S)에 충돌함으로써 타겟(S)의 원자(A)가 튕겨져 상기 피착재(F)의 표면에 부착되어 박막을 형성하게 된다. 이때, 상기 피착재(F)에 증착되지 못한 금속증착물질이 상기 간극(T)으로 유 입되는 현상은 상기 상부애노드실드(66)에 의해 차단된다.After mounting the cathode (1) in the vacuum chamber of the sputtering apparatus, the adherent material (F) is transported so as to be spaced apart and facing the target (S) of the sputtering. Then, after argon, which is an inert gas G, is injected into the vacuum chamber and power is applied to the
상기 배경기술에 의한 캐소드는, 30분 이상 장시간 작동할 경우, 플라즈마의 온도에 의해, 상기 채널 내부의 온도를 상승시킬 뿐만 아니라, 상기 애노드실드의 온도도 상승시키게 된다. 특히, 상기 애노드실드는 전기의 저항열로 인해서 100℃ 이상의 고열인데다가 상기 채널 내부의 온도로 인해서 더욱 고온이 된다.When the cathode according to the background art is operated for a long time for more than 30 minutes, not only the temperature inside the channel is increased by the temperature of the plasma, but also the temperature of the anode shield is increased. In particular, the anode shield is a high heat of 100 ° C or more due to the heat of resistance of electricity, and the temperature becomes higher due to the temperature inside the channel.
따라서, 상기 상부애노드실드에 대향하는 피착재가 얇은 필름 내지는 합성수지판일 경우, 상기 상부애노드실드의 고온으로 인해서, 연화되어 늘어나거나 주름짐으로써 형상의 변형이 발생하고, 상기 피착재가 캐소드를 지나고 나서는 식으면서 경화되어 찢어지거나 깨어지는, 제품의 불량을 초래하는 문제점이 있었다.Therefore, when the adherend facing the upper anode shield is a thin film or a synthetic resin plate, due to the high temperature of the upper anode shield, the deformation of the shape occurs by being softened and stretched or wrinkled, and the coolant cools down after passing through the cathode. There was a problem that the cured, torn or broken, resulting in a defect of the product.
본 발명에 의한 애노드실드의 냉각이 가능한 캐소드는, 하방에 형성되어 지지기능을 하는 베이스플레이트와, 상기 베이스플레이트의 상면에 로딩되어 베이스플레이트로 전기가 도통되는 것을 차단하는 판상의 절연재와, 상기 절연재 상면에 로딩되며 상방으로 개방된 홈이 형성된 블록 형상으로서, 전기적으로 음극에 연결되어 접지되는 바디와, 상기 바디의 홈에 수용되어 자석을 받치는 자석플레이트와, The cathode capable of cooling the anode shield according to the present invention includes a base plate which is formed below and serves as a supporting function, a plate-shaped insulating material which is loaded on an upper surface of the base plate to block electric conduction to the base plate, and the insulating material A block shape having a groove loaded upwardly and open upward, the body electrically connected to the cathode and grounded, a magnet plate received in the groove of the body to support the magnet;
상기 자석플레이트의 상면에 부착되는 자석과, 상기 바디의 상단에 구성되어 증착 물질을 발생시키는 판상의 타겟과, 상기 베이스플레이트의 상면에 부착되어 전기적으로 양극으로 연결되는 애노드실드가 구성되고, 상기 애노드실드는 판 형상으로서 상기 베이스플레이트의 상면에 수직으로 부착되어 상기 절연재와 바디 그리 고 타겟을 둘러싸는 측방애노드실드와, 상기 측방부의 상단에서 내측방으로 연장되는 상부애노드실드로 구성되는 캐소드에 있어서; 상기 애노드 실드에 밀착되는 관 형상의 냉각수채널과, 상기 냉각수채널에는 냉각수가 유입되는 유입관과, 열교환된 냉각수가 배출되는 배수관이 연결되어 구성된다.A magnet attached to an upper surface of the magnet plate, a plate-shaped target formed on an upper end of the body to generate a deposition material, and an anode shield attached to an upper surface of the base plate and electrically connected to the anode, wherein the anode A cathode comprising a side anode shield attached vertically to an upper surface of the base plate and enclosing the insulating material, the body and the target, and an upper anode shield extending inward from an upper end of the side portion; A tubular cooling water channel closely attached to the anode shield, an inlet pipe through which cooling water is introduced, and a drain pipe through which heat exchanged cooling water is discharged are connected to the cooling water channel.
또한, 상기 상부애노드실드의 하방에 이격되어 내부로 연장되는 지지판이 구성되고, 상기 상부애노드실드와 지지판 사이에 상기 유입관과 배수관이 연결된 냉각수채널이 삽입되어 상기 상부애노드실드에 밀착되어 구성되고, 상기 지지판과 타겟 사이에 간극이 형성된다.In addition, the support plate which is spaced below the upper anode shield is extended to the inside is configured, the cooling water channel connected to the inlet pipe and the drain pipe is inserted between the upper anode shield and the support plate is formed in close contact with the upper anode shield, A gap is formed between the support plate and the target.
또한, 상기 냉각수채널이 상기 측방애노드실드의 외측면에 부착되면서 상기 상부애노드실드에도 걸쳐서 부착되도록 구성된다.In addition, the coolant channel is configured to be attached to the outer surface of the side anode shield while also being attached to the upper anode shield.
본 발명에 의한 애노드실드의 냉각이 가능한 캐소드는, 상부애노드실드에 냉각수채널가 접촉되어 구성되기 때문에, 상부애노드실드의 열이 냉각수로 열교환되어 방출된다. 따라서, 상기 상부애노드실드에 대응되는 피착재가 얇은 필름 내지는 합성수지판이더라도 열에 의해 연신되거나 주름지는 현상은 발생하지 않게 되고, 또한, 열에 의해서 연화되지 않기 때문에, 본 발명의 캐소드를 지난 후 경화되어 찢어지거나 깨어지는 현상이 발생하지 않게 된다.The cathode capable of cooling the anode shield according to the present invention is configured by contacting the upper anode shield with the cooling water channel, so that the heat of the upper anode shield is released by heat exchange with the cooling water. Therefore, even if the adherend corresponding to the upper anode shield is a thin film or a synthetic resin plate, the phenomenon of being stretched or wrinkled by heat does not occur, and since it is not softened by heat, it is hardened and torn after passing the cathode of the present invention. The cracking phenomenon does not occur.
이하, 첨부되는 도면과 관련하여 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예 및 작동례를 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings look at an embodiment and an operation example of the present invention for solving the above problems.
도 2는 본 발명의 기술에 의한 제1실시예의 캐소드를 도시한 단면도, 도 3은 도 2에서 도시한 냉각관을 도시한 사시도, 도 4는 본 발명의 기술에 의한 제2실시예의 캐소드를 도시한 단면도로서 함께 설명한다.2 is a sectional view showing a cathode of a first embodiment according to the technique of the present invention, FIG. 3 is a perspective view showing a cooling tube shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a cathode of a second embodiment according to the technique of the present invention. It demonstrates together as one cross section.
일반적으로 캐소드(100)는 스퍼터링 장치에 사용되는 것으로서, 스퍼터링 장치에 구성되는 진공챔버 내에서 필름이나 유리판 내지는 합성수지판 등의 피착재(F)에 금속물질을 증착시키는 장치로서, 하방에 형성되어 지지기능을 하는 베이스플레이트(110)가 구성되고, 상기 베이스플레이트(110)의 상면에 로딩되어 베이스플레이트(110)로 전기가 도통되는 것을 차단하는 판상의 절연재(120)가 구성된다. 그리고, 상기 절연재(120) 상면에 로딩되며 상방으로 개방된 홈(135)이 형성된 블록 형상으로서, 전기적으로 음극에 연결되어 접지되는 바디(130)가 부착되어 구성되고, 상기 바디(130)의 홈(135)에 수용되어 다음에 설명하는 자석(150)을 받치는 자석플레이트(140)가 구성된다. 그리고, 상기 자석플레이트(140)의 상면에 부착되어 자속을 발생시켜 플라즈마를 균일하게 하여 균일한 박막이 형성되도록 하는 자석(150)이 구성된다. 또한, 상기 바디(130)의 상단에 구성되어 증착 물질을 발생시키는 것으로서 금, 은, 구리, 알루미늄 등으로 구성되는 판상의 타겟(C)이 구성되고, 상기 베이스플레이트(110)의 상면에 부착되어 전기적으로 양극으로 연결되는 애노드실드(160)가 구성된다. 상기 애노드실드(160)는 판 형상으로서 상기 베이스플레이트(110)의 상면에 수직으로 부착되어 상기 절연재(120)와 바디(130) 그리고 타겟(S)을 둘러싸는 측방애노드실드(163)와 상기 측방애노드실드(163)의 상단에서 내측방으로 연장되어 상기 바디(130)와 측방애노드실드(163)와의 간극(T)이 금속증 착물질로 폐색되는 현상을 방지하는 상부애노드실드(166)로 구성된다. 상기 절연재(120), 바디(130), 타겟(S)은 애노드실드(160)와 간극(T)이 형성되어 아크 발생을 억제하도록 구성되는데, 3∼5mm가 적당하다.In general, the
본 발명에서는 상기 캐소드(100)의 상부애노드실드(166)를 냉각수로 냉각하여 피착재(F)의 변형 내지는 경화를 방지하도록 구성된 것을 특징으로 한다.In the present invention, the
이를 위하여 본 발명에서는 다음과 같이 구성한다.To this end, the present invention is configured as follows.
상기 애노드실드(160)에 밀착되는 관 형상의 냉각수채널(180)을 구성하고, 상기 냉각수채널(180)에는 냉각수가 유입되는 유입관(185)과, 열교환된 냉각수가 배출되는 배수관(187)이 연결되어 구성된다.Comprising a
상기 구성이 가능하도록 하는 본 발명의 제1실시예를 도 2 및 도 3을 통해서 살펴보면 다음과 같다. 상기 상부애노드실드(166)의 하방에 이격되어 내부로 연장되는 지지판(170)이 형성된다. 상기 지지판(170)은 상기 냉각수채널(180)을 지지할 수 있도록 내측방으로 연장되어 형성된다. 상기 지지판(170)이 타겟(S)과 갭(T)이 유지되도록 상기 측방애노드실드(163)의 높이가 형성됨은 물론이다. 일례로 상기 지지판(170)과 타겟(S)과의 갭(T)도 아크 발생을 억제하도록 구성되는데, 3∼5mm가 적당하다. 상기 상부애노드실드(166)와 지지판(170) 사이에 상기 유입관(185)과 배수관(187)이 연결된 냉각수채널(180)이 삽입되어 상기 상부애노드실드(166)에 밀착되어 구성된다.Looking at the first embodiment of the present invention to enable the above configuration through 2 and 3 as follows. A
상기 구성이 가능하도로 하는 본 발명의 제2실시예를 도 4를 통해서 살펴보면 다음과 같다. 상기 냉각수채널(180)이 상기 측방애노드실드(163)의 외측면에 부 착되면서 상기 상부애노드실드(166)에도 걸쳐서 부착되도록 구성된다.Looking at the second embodiment of the present invention to enable the above configuration through Figure 4 as follows. The
상기 냉각수채널(180)이 부착되는 일례로서는 상기 상부애노드실드(166)의 상면에 부착되어 외측방으로 연장된 후, 하방으로 연장되고, 다시 내측방으로 연장되어, 대략 단면이 ㄷ으로 형성되며, 길게 연장되어 형성된, 앵글(190)이 구성되고, 상기 앵글(190)의 내부로 냉각수채널(180)이 수용됨으로써 가능한다. 상기 냉각수채널(180)은 상기 ㄷ형의 앵글(190) 내부로 수용됨으로써 상기 상부애노드실드(166)와 측방애노드실드(163)에 밀착되어 구성된다.상기 앵글(190)은 냉각수채널(180)이 상기 상부애노드실드(166)와 측방애노드실드(163)에 밀착되도록 치수가 조정되어 형성됨은 물론이다. As an example in which the
상기 구성에 의한 본 발명의 작동례를 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the present invention will be described.
상기 본 발명의 애노드실드의 냉각이 가능한 캐소드(100)를 스퍼터링 장치의 진공챔버 내에 장착한 후, 상기 스퍼터링의 타겟(S)에 이격되어 대향하도록 피착재(F)가 이송하도록 한다. 그리고, 불활성 가스(G)인 아르곤을 상기 진공챔버 내에 주입한 후, 상기 캐소드(100)에 전원을 인가하게 되면, 타겟(S) 주위에 플라즈마가 발생하게 된다. 이때, 아르곤 원자에서 전자가 방출되면서 형성된 아르곤 양이온(I)은 음극을 띠는 타겟(S)에 충돌함으로써 타겟(S)의 원자가 튕겨져 상기 피착재(F)의 표면에 부착되어 박막을 형성하게 된다. 이때, 상기 피착재(F)에 증착되지 못한 금속증착물질이 상기 간극(T)으로 유입되는 현상은 상기 상부애노드실드(166)에 의해 차단된다.After mounting the
이때, 상기 플라즈마로 인해서 상기 진공챔버 내부는 고온이 되고, 전기 저 항열로 인해서 고온이 된 상기 애노드실드(160)는 상기 진공챔버 내부의 온도로 인해서, 더욱 온도가 상승하게 된다.At this time, the inside of the vacuum chamber becomes high temperature due to the plasma, and the
그러나, 상기 유입관(185)으로 냉각수를 공급하게 되면, 냉각수는 냉각수채널(180) 내부를 통해서 순환하면서, 상기 상부애노드실드(166)와 열교환된 후, 상기 배수관(187)을 통해 배출된다. 따라서, 상기 상부애노드실드(166)의 온도 상승을 저지하게 된다.However, when the coolant is supplied to the
따라서, 상부애노드실드(166)에 대향하면서 이송되는 피착재(F)가 고열로 연신되거나 주름이지는 형상의 변형 및 연화되고 나서 본 발명을 지나면서 경화되는 현상을 방지하게 된다.Therefore, the adherend F conveyed while facing the
특히, 상기 제2실시예의 경우에는 냉각수채널(180)이 상부애노드실드(166)와 측방애노드실드(163)에 모두 접촉되기 때문에, 전기저항열로 고온이 된 측방애노드실드(163)도 연교환시킴으로써, 상기 측방애노드실드(163)에서 상부애노드실드(166)로 열전달되는 현상을 차단하 수 있는 이점을 가지게 된다.In particular, in the second embodiment, since the cooling
도 1은 종래의 기술에 의한 캐소드를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a cathode according to the prior art.
도 2는 본 발명의 기술에 의한 제1실시예의 캐소드를 도시한 단면도.Fig. 2 is a sectional view showing the cathode of the first embodiment according to the technique of the present invention.
도 3은 도 2에서 도시한 냉각관을 도시한 사시도.3 is a perspective view showing the cooling tube shown in FIG.
도 4는 본 발명의 기술에 의한 제2실시예의 캐소드를 도시한 단면도.4 is a sectional view showing a cathode of a second embodiment according to the technique of the present invention;
*도면의 주요 부분에 사용된 부호의 설명** Description of the symbols used in the main parts of the drawings *
110: 베이스플레이트 120: 절연재110: base plate 120: insulating material
130: 바디 135: 홈130: body 135: home
140: 자석플레이트 150: 자석140: magnetic plate 150: magnet
160: 애노드실드 163: 측방애노드실드160: anode shield 163: side anode shield
166: 상부애노드실드 170: 지지판166: upper anode shield 170: support plate
180: 냉각수채널 185: 유입관180: cooling water channel 185: inlet pipe
187: 배수관 190: 앵글187: drain pipe 190: angle
T: 간극 S: 타겟T: gap S: target
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090134352A KR20110077706A (en) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Cooling cathode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090134352A KR20110077706A (en) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Cooling cathode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110077706A true KR20110077706A (en) | 2011-07-07 |
Family
ID=44917264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090134352A KR20110077706A (en) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Cooling cathode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20110077706A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114086127A (en) * | 2021-11-29 | 2022-02-25 | 青岛科技大学 | Magnetic field auxiliary cathode arc ion plating evaporation source |
-
2009
- 2009-12-30 KR KR1020090134352A patent/KR20110077706A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114086127A (en) * | 2021-11-29 | 2022-02-25 | 青岛科技大学 | Magnetic field auxiliary cathode arc ion plating evaporation source |
CN114086127B (en) * | 2021-11-29 | 2023-10-27 | 青岛科技大学 | Magnetic field auxiliary cathode arc ion plating evaporation source |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5274918B2 (en) | Method for controlling temperature of chamber inner member of plasma processing apparatus, chamber inner member and substrate mounting table, and plasma processing apparatus including the same | |
JP5766495B2 (en) | Heat treatment equipment | |
JP2015216390A (en) | Substrate support with gas introduction opening | |
CN1308771A (en) | Method and apparatus for ionized physical vapor deposition | |
JP2011179120A (en) | Apparatus and method of physical vapor deposition with multi-point clamp | |
US8973526B2 (en) | Plasma deposition apparatus and method | |
US9209001B2 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
JP2012238629A (en) | Heat treatment apparatus | |
JP5607760B2 (en) | CVD apparatus and CVD method | |
JP6140539B2 (en) | Vacuum processing equipment | |
KR20200041331A (en) | Coating device for performing high-efficiency low-temperature coating | |
KR20110077706A (en) | Cooling cathode | |
KR101073834B1 (en) | Apparatus and method for plasma processing | |
JP5465585B2 (en) | Deposition equipment | |
KR101224529B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
JP6515253B1 (en) | Ion source, ion implanter, and method of operating ion source | |
US20110039414A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
KR101073833B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4890313B2 (en) | Plasma CVD equipment | |
JP4698055B2 (en) | High frequency magnetron sputtering equipment | |
KR100951007B1 (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
JP4955357B2 (en) | Rear electron impact heating device | |
KR20090005445U (en) | Cooling cathode | |
CN111584338B (en) | Etching device | |
JP2019176017A (en) | Placement table and plasma processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |