JP2011216854A5 - 熱処理装置及び半導体の製造方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室に収容された基板を基板の外周側から加熱する加熱装置と、
   前記加熱装置と処理室との間に設けられた冷却ガス流路と、
   前記冷却ガス流路に冷却ガスを流す冷却装置と、
   前記加熱装置を分割した領域で前記冷却ガス流路とそれぞれ接続された複数の冷却ガス吸気路と、
   前記複数の冷却ガス吸気路にそれぞれ設けられた第１の圧力検出器と、
   前記第１の圧力検出器が検出する各々の圧力値に基づいて、前記冷却装置を制御する制御部と、
   を有する熱処理装置。
2. 前記冷却ガス流路の下流側で、前記冷却ガス流路と連通する冷却ガス排気路をさらに有し、前記冷却ガス排気路には、第２の圧力検出器が設けられ、前記圧力検出器が検出する圧力値に基づいて、前記加熱装置又は前記冷却装置の少なくとも一方が制御される請求項１記載の熱処理装置。
3. 前記制御部は、基板の周縁の状態を検出する第１検出部の測定値と、基板の中心部の状
   態を検出する第２検出部の測定値とを取得して、前記第１検出部の測定値と前記第２検出
   部の測定値との第1の偏差を求め、予め記憶された前記第1検出部の測定値と前記第２検出
   部の測定値との第２の偏差と、前記第１検出部の測定値と前記第２検出部の測定値との前
   記第１の偏差とを比較し、前記第２の偏差と、前記第１の偏差が異なる場合には、前記第
   １の偏差に基づいて、前記冷却ガス流路における圧力値の圧力補正値を算出し、該圧力補
   正値により前記圧力値を補正する請求項１又は２記載の熱処理装置。
4. 前記複数の冷却ガス吸気路にそれぞれ設けられた制御弁をさらに有し、
   前記第１の圧力検出器が検出する各々の圧力値に基づいて、前記制御弁をそれぞれ制御する請求項１から３に記載の熱処理装置。
5. 基板を処理室内に収容する工程と、
   前記収容された基板を加熱装置により基板の外周側から加熱するとともに、両端が前記加熱装置を分割した領域と冷却装置のそれぞれに接続された複数の冷却ガス吸気路から、前記加熱装置と前記処理室との間に設けられた冷却ガス流路に冷却ガスを流し、前記基板の外周側を冷却して前記処理室内の温度を制御する工程と、
   前記複数の冷却ガス吸気路内の圧力値を第１の圧力検出器により検出する工程と、を有し、
   前記第１の圧力検出器が検出した圧力値に基づいて前記加熱装置と前記冷却装置の少なくとも一方、または両方を制御する半導体の製造方法。
6. 基板の周縁の状態を検出する第１検出部の測定値と、基板の中心部の状態を検出する第２検出部の測定値とを取得して、前記第１検出部の測定値と前記第２検出部の測定値との第1の偏差を求める工程と、
   予め記憶された前記第１検出部の測定値と前記第２検出部の測定値との第２の偏差と、前記第１の偏差とを比較する工程と、
   前記第１の偏差と前記第２の偏差を比較する工程において、前記第２の偏差と前記第１の偏差が異なる場合には、前記第１の偏差に基づいて前記冷却ガス流路における圧力値の圧力補正値を算出し、該圧力補正値により前記圧力値を補正する工程と、をさらに有し、
   前記補正後の圧力値に基づいて前記加熱装置と前記冷却装置の少なくとも一方、または両方を制御する請求項５記載の半導体の製造方法。