JP2011215455A - Liquid crystal display device, method for manufacturing the same, and projection display device - Google Patents

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Naoki Tomikawa
直樹 富川
Koichi Terao
幸一 寺尾
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device capable of further improving a light resistance life, a method for manufacturing the liquid crystal display device and a projection display device.SOLUTION: The liquid crystal display device includes an element substrate 11 and an opposing substrate which sandwich a liquid crystal layer 13. The element substrate 11 has a first dielectric layer 33 containing SiOand a first inorganic alignment film 34 formed on the first dielectric layer 33 by oblique evaporation to regulate the alignment of liquid crystal molecules that constitute the liquid crystal layer 13. A silanol group on the surface of the first dielectric layer 33 is surface-treated with a silane compound.

Description

本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに投射表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, a method for manufacturing the liquid crystal display device, and a projection display device.

液晶表示装置では、液晶分子の配向を規制する液晶分子の配向モードとして、電圧を印加していない状態で液晶分子が基板面に対してほぼ垂直に配向した垂直配向モードがある。このように、負の誘電率異方性を有する液晶を備える液晶表示装置では、液晶分子を配向する場合、ポリイミドなどの有機材料で形成された有機配向膜だけではなく、SiOやSiOなどの無機材料を基板に斜方蒸着することによって形成された無機配向膜も用いられている。 In a liquid crystal display device, there is a vertical alignment mode in which liquid crystal molecules are aligned substantially perpendicularly to a substrate surface in a state where no voltage is applied, as an alignment mode of liquid crystal molecules that regulates alignment of liquid crystal molecules. Thus, in a liquid crystal display device including a liquid crystal having negative dielectric anisotropy, when aligning liquid crystal molecules, not only an organic alignment film formed of an organic material such as polyimide, but also SiO, SiO 2, etc. An inorganic alignment film formed by obliquely depositing an inorganic material on a substrate is also used.

近年、液晶プロジェクタの高精細化や高輝度化に伴って、液晶プロジェクタに用いられる液晶表示装置に入射する光の強度が高くなってきている。そのため、有機配向膜を使用した液晶表示装置では、光や熱によって配向膜が劣化し、その結果、配向膜による液晶分子の配向規制力が低下して液晶分子の配向状態が乱れてしまう。これにより、液晶表示装置のコントラスト費が低下するなど、表示不良が発生することがある。そこで、有機配向膜と比べて耐光性や耐熱性に優れた無機配向膜が注目されてきている。   In recent years, with the increase in definition and brightness of liquid crystal projectors, the intensity of light incident on liquid crystal display devices used in liquid crystal projectors has increased. Therefore, in a liquid crystal display device using an organic alignment film, the alignment film is deteriorated by light or heat, and as a result, the alignment regulating force of the liquid crystal molecules by the alignment film is reduced and the alignment state of the liquid crystal molecules is disturbed. This may cause display defects such as a reduction in the contrast cost of the liquid crystal display device. Therefore, an inorganic alignment film that is superior in light resistance and heat resistance as compared to an organic alignment film has been attracting attention.

しかし、無機配向膜には、例えば水分が反応することによってシラノール基が形成されることがある。このシラノール基は、液晶表示装置の動作時に発生する光によって液晶分子と光化学反応して液晶表示装置に光漏れなどを発生させることがある。そこで、無機配向膜に表面処理を施すことによってシラノール基と液晶分子との光化学反応を抑制する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)   However, silanol groups may be formed in the inorganic alignment film, for example, when moisture reacts. This silanol group may photochemically react with liquid crystal molecules by light generated during the operation of the liquid crystal display device and cause light leakage or the like in the liquid crystal display device. Therefore, a method for suppressing the photochemical reaction between the silanol group and the liquid crystal molecules by applying a surface treatment to the inorganic alignment film has been proposed (for example, see Patent Document 1).

特開2007−25529号公報JP 2007-25529 A 特開2007−25530号公報JP 2007-25530 A

しかしながら、上記従来の液晶表示装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、液晶層を駆動する画素電極上には、画素電極によって形成される凹凸を吸収し、凹凸によって液晶分子の配向が乱れることを防止するために、表面を平坦化する誘電体層が形成されており、この誘電体層上に無機配向膜が形成されているが、誘電体層を形成することによって誘電体層を形成しない場合と比較して耐光性寿命が低下することがあるという問題がある。   However, the following problems remain in the conventional liquid crystal display device. That is, a dielectric layer that flattens the surface is formed on the pixel electrode that drives the liquid crystal layer in order to absorb the irregularities formed by the pixel electrode and prevent the alignment of liquid crystal molecules from being disturbed by the irregularities. An inorganic alignment film is formed on the dielectric layer, but there is a problem in that the light-resistant life may be reduced by forming the dielectric layer as compared with the case where the dielectric layer is not formed. is there.

したがって、本発明は、耐光性寿命をさらに向上させることができる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに投射表示装置を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device, a method for manufacturing the liquid crystal display device, and a projection display device that can further improve the light fastness life.

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、一対の前記基板の少なくとも一方が、SiOを含む誘電体層と、前記誘電体層上に斜方蒸着によって形成され、前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜と、を有し、前記誘電体層の表面にあるシラノール基が、シラン化合物によって表面処理されていることを特徴とする。 The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device including a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer, wherein at least one of the pair of substrates includes a dielectric layer containing SiO 2 and the dielectric layer. And an inorganic alignment film that regulates the alignment of liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer, and the silanol group on the surface of the dielectric layer is surface-treated with a silane compound. It is characterized by being.

また、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置の製造方法であって、一対の前記基板の少なくとも一方を形成する工程が、基体上にSiOを含む誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、前記誘電体層上に前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜を斜方蒸着によって形成する配向膜形成工程と、前記誘電体層の表面にあるシラノール基をシラン化合物によって表面処理する表面処理工程と、を備えることを特徴とする。 The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention is a method for manufacturing a liquid crystal display device including a pair of substrates that sandwich a liquid crystal layer, and the step of forming at least one of the pair of substrates is performed on a substrate. Dielectric layer forming step for forming a dielectric layer containing SiO 2, and alignment film forming step for forming an inorganic alignment film for regulating the alignment of liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer on the dielectric layer by oblique deposition And a surface treatment step of surface-treating silanol groups on the surface of the dielectric layer with a silane compound.

この発明では、斜方蒸着によって形成された無機配向膜の下面において液晶層に露出する誘電体層の表面を表面処理しておくことにより、誘電体層表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することができる。すなわち、無機配向膜が斜方蒸着によって形成されているため、誘電体層の表面は、密度の低い無機配向膜によって完全に被覆されておらず、一部が液晶層に露出してしまい、この露出した部分に残存しているシラノール基が液晶分子と光化学反応することがある。そこで、誘電体層のうち少なくとも液晶層に対して露出する部分に表面処理を施すことにより、液晶層の劣化を防止して液晶表示装置の耐光寿命を増大させることができる。   In this invention, the surface of the dielectric layer exposed to the liquid crystal layer on the lower surface of the inorganic alignment film formed by oblique deposition is surface-treated, thereby reducing silanol groups that react with liquid crystal molecules on the surface of the dielectric layer. can do. That is, since the inorganic alignment film is formed by oblique deposition, the surface of the dielectric layer is not completely covered by the inorganic alignment film having a low density, and a part of the surface is exposed to the liquid crystal layer. Silanol groups remaining in the exposed portions may photochemically react with liquid crystal molecules. Therefore, by subjecting at least a portion of the dielectric layer exposed to the liquid crystal layer to surface treatment, it is possible to prevent deterioration of the liquid crystal layer and increase the light resistance life of the liquid crystal display.

また、本発明における液晶表示装置は、前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていないことが好ましい。
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の後に行われることが好ましい。
この発明では、無機配向膜と無機配向膜から露出している誘電体層の表面とに一括して表面処理を施すことができる。
In the liquid crystal display device according to the present invention, it is preferable that a surface treatment is not performed on a portion of the dielectric layer that is covered with a column that forms the inorganic alignment film.
In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the surface treatment step is preferably performed after the alignment film forming step.
In the present invention, the surface treatment can be performed collectively on the inorganic alignment film and the surface of the dielectric layer exposed from the inorganic alignment film.

また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記シラン化合物が、一般式(1)

Figure 2011215455
[式中nは1または2、mは6から18の整数である]で表されることが好ましい。
この発明では、長鎖アルキルを有するシラン化合物を用いることによって無機配向膜と液晶層との間に強い界面アンカリング効果を発生させることができ、液晶分子の配向規制を行うことができる。 In the method for producing a liquid crystal display device according to the present invention, the silane compound is represented by the general formula (1).
Figure 2011215455
[Wherein n is 1 or 2, and m is an integer of 6 to 18].
In the present invention, by using a silane compound having a long-chain alkyl, a strong interface anchoring effect can be generated between the inorganic alignment film and the liquid crystal layer, and the alignment of liquid crystal molecules can be regulated.

また、本発明における液晶表示装置は、前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていることが好ましい。
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の前に行われることが好ましい。
この発明では、表面処理を無機配向膜と一括ではなく誘電体層のみに対して行うことで、誘電体層表面に残存するシラノール基をより確実に低減できる。
In the liquid crystal display device according to the present invention, it is preferable that a surface treatment is performed on a portion of the dielectric layer that is covered with a column constituting the inorganic alignment film.
In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the surface treatment step is preferably performed before the alignment film forming step.
In the present invention, the silanol groups remaining on the surface of the dielectric layer can be more reliably reduced by performing the surface treatment only on the dielectric layer and not on the inorganic alignment film.

また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記シラン化合物が、一般式(2)

Figure 2011215455
[式中nは1または2、mは6から18の整数である]で表されることが好ましい。
この発明では、表面処理された部分が無機配向膜で覆われ、液晶層に対して露出する部分が少ないため、長鎖アルキルを有するシラン化合物に限らずさまざまなシラン化合物を用いることができる。 In the method for producing a liquid crystal display device according to the present invention, the silane compound is represented by the general formula (2).
Figure 2011215455
[Wherein n is 1 or 2, and m is an integer of 6 to 18].
In this invention, since the surface-treated portion is covered with the inorganic alignment film and the portion exposed to the liquid crystal layer is small, various silane compounds can be used in addition to the silane compound having a long-chain alkyl.

また、本発明における液晶表示装置は、前記カラムの表面には、表面処理が施されていることが好ましい。
また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記配向膜形成工程の後に、前記無機配向膜の表面をシラン化合物によって表面処理をすることが好ましい。
この発明では、無機配向膜を形成した後に再度表面処理を施すことで、無機配向膜表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することができる。
In the liquid crystal display device according to the present invention, the surface of the column is preferably subjected to surface treatment.
Moreover, it is preferable that the manufacturing method of the liquid crystal display device in this invention surface-treats the surface of the said inorganic alignment film with a silane compound after the said alignment film formation process.
In the present invention, silanol groups that react with liquid crystal molecules on the surface of the inorganic alignment film can be reduced by performing the surface treatment again after forming the inorganic alignment film.

また、本発明における液晶表示装置の製造方法は、前記誘電体層形成工程では、テトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマCVD法によって前記誘電体層を形成することが好ましい。
この発明では、誘電体層表面の残存シアノール基を予め低減させておくことができる。
In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, it is preferable that in the dielectric layer forming step, the dielectric layer is formed by a plasma CVD method using tetraethoxysilane as a source gas.
In the present invention, residual cyanol groups on the surface of the dielectric layer can be reduced in advance.

また、本発明における投射表示装置は、上記記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする。
この発明では、上述のように、誘電体層表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することにより、液晶層の劣化を防止して液晶表示装置の耐光寿命を増大させることができる。
A projection display device according to the present invention includes the above-described liquid crystal display device.
In the present invention, as described above, by reducing the silanol groups that react with the liquid crystal molecules on the surface of the dielectric layer, it is possible to prevent deterioration of the liquid crystal layer and increase the light resistance life of the liquid crystal display device.

本発明の第1の実施形態における液晶表示装置を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 図1の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of FIG. 1. 画素領域を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a pixel area. 図3の部分拡大図である。FIG. 4 is a partially enlarged view of FIG. 3. 図1の液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device of FIG. 表面処理を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows surface treatment. 図1の液晶表示装置を備える投射型表示装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows a projection type display apparatus provided with the liquid crystal display device of FIG. 第2の実施形態における液晶表示装置を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the liquid crystal display device in 2nd Embodiment. 図8の液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the liquid crystal display device of FIG. 第3の実施形態における液晶表示装置を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the liquid crystal display device in 3rd Embodiment.

[第1の実施形態]
以下、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第1の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。
[First Embodiment]
Hereinafter, a liquid crystal display device and a liquid crystal display device manufacturing method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used in the following description, the scale is appropriately changed to make each member a recognizable size.

〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置1は、例えば後述するプロジェクタ(投射型表示装置)100において光変調手段として用いられる液晶表示装置であって、図1に示すように、素子基板(第1基板)11及び対向基板(第2基板)12と、素子基板11及び対向基板12の間に挟持された液晶層13と、を備えている。また、液晶表示装置1は、素子基板11及び対向基板12が対向する対向領域の外周部に設けられた枠状のシール材14によって素子基板11と対向基板12とを貼り合わせている。そして、液晶表示装置1におけるシール材の内側に、画像表示領域が形成されている。
[Liquid Crystal Display]
The liquid crystal display device 1 according to the present embodiment is a liquid crystal display device used as a light modulation unit in a projector (projection type display device) 100 described later, for example, and as shown in FIG. 1, an element substrate (first substrate) 11 is used. And a counter substrate (second substrate) 12 and a liquid crystal layer 13 sandwiched between the element substrate 11 and the counter substrate 12. Further, in the liquid crystal display device 1, the element substrate 11 and the counter substrate 12 are bonded together by a frame-shaped sealing material 14 provided on the outer peripheral portion of the facing region where the element substrate 11 and the counter substrate 12 face each other. An image display region is formed inside the sealing material in the liquid crystal display device 1.

液晶表示装置1の画像表示領域には、図2に示すように、複数の画素領域がマトリクス状に配置されている。この画素領域それぞれには、画素電極21及び後述する共通電極43と、画素電極21をスイッチング制御するためのTFT素子22と、が形成されている。また、画像表示領域には、複数のデータ線23及び走査線24が格子状に配置されている。   In the image display area of the liquid crystal display device 1, a plurality of pixel areas are arranged in a matrix as shown in FIG. In each of the pixel regions, a pixel electrode 21, a common electrode 43 described later, and a TFT element 22 for controlling the switching of the pixel electrode 21 are formed. In the image display area, a plurality of data lines 23 and scanning lines 24 are arranged in a grid pattern.

TFT素子22は、ソースがデータ線23に接続され、ゲートが走査線24に接続されると共に、ドレインが画素電極21に接続されている。
データ線23は、図示しないデータ線駆動回路から画像信号S1〜Snが画素領域それぞれに供給される構成となっている。また、走査線24は、図示しない走査線駆動回路から走査信号G1〜Gmがサブ画素領域それぞれに供給される構成となっている。なお、画素電極21に書き込まれた画像信号S1〜Snのリークを防止するため、画素電極21と並列に保持容量25が設けられている。また、液晶表示装置1には、データ線駆動回路及び走査線駆動回路と液晶表示装置1の外部とを接続するための端子(図示略)が形成されている。
The TFT element 22 has a source connected to the data line 23, a gate connected to the scanning line 24, and a drain connected to the pixel electrode 21.
The data line 23 is configured such that image signals S1 to Sn are supplied to each pixel region from a data line driving circuit (not shown). Further, the scanning line 24 has a configuration in which scanning signals G1 to Gm are supplied to each of the sub-pixel regions from a scanning line driving circuit (not shown). Note that a storage capacitor 25 is provided in parallel with the pixel electrode 21 in order to prevent leakage of the image signals S <b> 1 to Sn written to the pixel electrode 21. Further, the liquid crystal display device 1 is formed with terminals (not shown) for connecting the data line driving circuit and the scanning line driving circuit to the outside of the liquid crystal display device 1.

次に、液晶表示装置1の詳細な構成について説明する。
素子基板11は、図3に示すように、基板本体31と、基板本体31の内側(液晶層13側)の表面に形成された素子形成層32と、素子形成層32上に形成された画素電極21と、画素電極21上に形成された第1誘電体層(誘電体層)33と、第1誘電体層33の液晶層13側に形成された第1無機配向膜(無機配向膜)34と、を備えている。
素子形成層32は、絶縁膜や半導体膜、導体膜を適宜積層した構成となっており、データ線23及び走査線24やTFT素子22を構成し、複数の画素領域それぞれに形成された画素電極21を個別に駆動可能となっている。これら基板本体31と素子形成層32とによって、基体35が構成されている。
画素電極21は、例えばAlなど反射膜を構成する導電性材料で形成されている。
Next, a detailed configuration of the liquid crystal display device 1 will be described.
As shown in FIG. 3, the element substrate 11 includes a substrate body 31, an element formation layer 32 formed on the inner surface (the liquid crystal layer 13 side) of the substrate body 31, and pixels formed on the element formation layer 32. The electrode 21, the first dielectric layer (dielectric layer) 33 formed on the pixel electrode 21, and the first inorganic alignment film (inorganic alignment film) formed on the liquid crystal layer 13 side of the first dielectric layer 33 34.
The element forming layer 32 has a structure in which an insulating film, a semiconductor film, and a conductor film are appropriately laminated, and constitutes the data line 23, the scanning line 24, and the TFT element 22, and pixel electrodes formed in each of a plurality of pixel regions. 21 can be driven individually. The substrate body 31 and the element forming layer 32 constitute a base body 35.
The pixel electrode 21 is formed of a conductive material constituting a reflective film such as Al.

第1誘電体層33は、例えばSiOなど、SiOを含む誘電体によって形成されており、例えばテトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマCVD法によって基体35上に形成されている。
第1無機配向膜34は、第1誘電体層33と同様に、例えばSiOなど、SiOを含む誘電体によって形成されており、図4に示すように、斜方蒸着によって第1誘電体層33の表面に対して傾斜するように形成された複数のカラム34aを有する。第1無機配向膜34が斜方蒸着によって形成されているため、カラム34aは、第1誘電体層33の表面において密度の低い状態で形成される。そのため、カラム34a間からは、第1誘電体層33の表面が露出している。
The first dielectric layer 33, such as SiO 2, is formed of a dielectric containing SiO 2, it is formed on the substrate 35 by the plasma CVD method using for example tetraethoxysilane as raw material gases.
Similar to the first dielectric layer 33, the first inorganic alignment film 34 is formed of a dielectric containing SiO 2 such as SiO 2 , and as shown in FIG. It has a plurality of columns 34 a formed so as to be inclined with respect to the surface of the layer 33. Since the first inorganic alignment film 34 is formed by oblique vapor deposition, the column 34 a is formed on the surface of the first dielectric layer 33 in a low density state. Therefore, the surface of the first dielectric layer 33 is exposed from between the columns 34a.

また、第1無機配向膜34の表面とカラム34a間から露出している第1誘電体層33の表面とには、下記式(3)で表されるトリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いた表面処理が施されている。このような表面処理を施すことにより、第1無機配向膜34の表面と第1誘電体層33の表面のうちカラム34a間から露出している部分とに表面処理膜36が形成され、この部分にあるアルキル基が低減される。   Also, triethoxydecylsilane represented by the following formula (3) was melted in a solvent on the surface of the first inorganic alignment film 34 and the surface of the first dielectric layer 33 exposed from between the columns 34a. Surface treatment using a silane compound solution is performed. By performing such surface treatment, a surface treatment film 36 is formed on the surface of the first inorganic alignment film 34 and the portion of the surface of the first dielectric layer 33 exposed from between the columns 34a. The alkyl group at is reduced.

Figure 2011215455
Figure 2011215455

一方、対向基板12は、例えばガラスや石英などの透光性材料からなる基板本体(基体)41と、基板本体41の内側の表面に形成された遮光膜42と、遮光膜42上に形成された共通電極43と、共通電極43上に形成された第2誘電体層(誘電体層)44と、第2誘電体層44の液晶層13側に形成された第2無機配向膜(無機配向膜)45と、を備えている。
遮光膜42は、例えば黒色樹脂で構成され、基板本体41の表面において平面視で画素領域の縁部と重なる領域に形成されており、画素領域を縁取っている。
On the other hand, the counter substrate 12 is formed on the light shielding film 42, a substrate body (base body) 41 made of a translucent material such as glass or quartz, a light shielding film 42 formed on the inner surface of the substrate body 41, and the like. Common electrode 43, second dielectric layer (dielectric layer) 44 formed on common electrode 43, and second inorganic alignment film (inorganic alignment) formed on liquid crystal layer 13 side of second dielectric layer 44. Film) 45.
The light shielding film 42 is made of, for example, black resin, and is formed in a region overlapping the edge of the pixel region in plan view on the surface of the substrate body 41, and borders the pixel region.

共通電極43は、例えばITOやIZOなど透光性の導電材料で形成されている。この共通電極43は、複数の画素領域全体にわたって共通する電極となっている。
第2誘電体層44は、第1誘電体層33と同様に例えばSiOなど、SiOを含む誘電体によって形成されている。また、第2誘電体層44は、例えばテトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマCVD法によって基板本体41上に形成されている。
The common electrode 43 is made of a light-transmitting conductive material such as ITO or IZO. The common electrode 43 is an electrode that is common throughout the plurality of pixel regions.
The second dielectric layer 44, such as well such as SiO 2 and the first dielectric layer 33 is formed of a dielectric containing SiO 2. The second dielectric layer 44 is formed on the substrate body 41 by a plasma CVD method using, for example, tetraethoxysilane as a source gas.

第2無機配向膜45は、第1無機配向膜34と同様に、例えばSiOなど、SiOを含む誘電体によって形成されており、斜方蒸着法によって第2誘電体層44の表面に対して傾斜するように形成されている。そして、第2無機配向膜45を構成するカラム間からは、第2誘電体層44の表面が露出している。
さらに、第2無機配向膜45には、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて表面処理が施されており、第2無機配向膜45の表面と第2誘電体層44の表面のうちカラム間から露出している部分とにあるアルキル基が低減される。
Similar to the first inorganic alignment film 34, the second inorganic alignment film 45 is formed of a dielectric containing SiO 2 such as SiO 2 and is applied to the surface of the second dielectric layer 44 by oblique vapor deposition. It is formed so as to be inclined. The surface of the second dielectric layer 44 is exposed from between the columns constituting the second inorganic alignment film 45.
Further, the second inorganic alignment film 45 is subjected to a surface treatment using a silane compound solution obtained by melting triethoxydecylsilane in a solvent, and the surface of the second inorganic alignment film 45 and the second dielectric layer 44 are treated. Alkyl groups on the exposed surface of the surface of the column are reduced.

液晶層13は、屈折率異方性Δnが例えば0.1である負の誘電率異方性を有する液晶によって形成されている。ここで、素子基板11及び対向基板12のそれぞれに設けられた第1及び第2無機配向膜34、45には、斜方蒸着によって形成されることで、素子基板11及び対向基板12それぞれの法線方向から液晶分子を所定角度傾斜させるプレチルトが付与されている。本実施形態では、素子基板11と対向基板12との間でプレチルトの方位角方向は反平行(アンチパラレル)状態となるよう設定されている。そのため、この液晶分子は、電圧を印加していない初期配向状態においてツイスト角がほぼ0度に設定されている。   The liquid crystal layer 13 is formed of a liquid crystal having negative dielectric anisotropy whose refractive index anisotropy Δn is, for example, 0.1. Here, the first and second inorganic alignment films 34 and 45 provided on the element substrate 11 and the counter substrate 12, respectively, are formed by oblique deposition, so that the respective methods of the element substrate 11 and the counter substrate 12 are performed. A pretilt for tilting liquid crystal molecules by a predetermined angle from the line direction is given. In this embodiment, the azimuth direction of the pretilt between the element substrate 11 and the counter substrate 12 is set to be in an antiparallel (antiparallel) state. Therefore, the twist angle of the liquid crystal molecules is set to approximately 0 degrees in the initial alignment state where no voltage is applied.

〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、上述した液晶表示装置1の製造方法について説明する。
最初に、素子基板11の形成方法について説明する。まず、基板本体31上に絶縁膜や半導体膜、導体膜を適宜積層して素子形成層32を形成し、さらに素子形成層32上に画素電極21を形成する(図5(a)参照)。
[Manufacturing method of liquid crystal display device]
Next, a method for manufacturing the above-described liquid crystal display device 1 will be described.
First, a method for forming the element substrate 11 will be described. First, an element formation layer 32 is formed by appropriately stacking an insulating film, a semiconductor film, and a conductor film on the substrate body 31, and the pixel electrode 21 is formed on the element formation layer 32 (see FIG. 5A).

そして、テトラエトキシシランを原料ガスとしたプラズマCVD法を用いて、素子形成層32上にSiOを含む誘電体からなる第1誘電体層33を形成する(誘電体層形成工程、図5(b)参照)。このとき、素子形成層32上に形成されている画素電極21によって第1誘電体層33の表面に凹凸が形成されているが、表面を化学機械研磨(CMP)やエッチバックによって平坦化する。 Then, a first dielectric layer 33 made of a dielectric containing SiO 2 is formed on the element forming layer 32 by using a plasma CVD method using tetraethoxysilane as a source gas (dielectric layer forming step, FIG. b)). At this time, irregularities are formed on the surface of the first dielectric layer 33 by the pixel electrode 21 formed on the element forming layer 32, but the surface is planarized by chemical mechanical polishing (CMP) or etch back.

続いて、斜方蒸着法を用いて、第1誘電体層33の表面にSiOからなる第1無機配向膜34を形成する(配向膜形成工程、図5(c)参照)。このとき、第1無機配向膜34を構成する複数のカラム34aは、斜方蒸着で形成されていることから、第1誘電体層33上において密度の低い状態で形成されている。そのため、第1誘電体層33の表面は、第1無機配向膜34を構成するカラム34aによって完全には覆われておらず、一部が露出している(図5(d)参照)。ここで、図6(a)に示すように、第1誘電体層33の表面のうちカラム34aの間から露出している部分には、アルキル基が残存している。 Subsequently, a first inorganic alignment film 34 made of SiO 2 is formed on the surface of the first dielectric layer 33 by using oblique vapor deposition (alignment film forming step, see FIG. 5C). At this time, since the plurality of columns 34 a constituting the first inorganic alignment film 34 are formed by oblique deposition, the plurality of columns 34 a are formed on the first dielectric layer 33 in a low density state. Therefore, the surface of the first dielectric layer 33 is not completely covered by the column 34a constituting the first inorganic alignment film 34, and a part thereof is exposed (see FIG. 5D). Here, as shown in FIG. 6A, an alkyl group remains on a portion of the surface of the first dielectric layer 33 exposed from between the columns 34a.

そして、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第1無機配向膜34と第1誘電体層33の表面のうち露出している一部分とに表面処理を施す(表面処理工程、図5(e)参照)。これにより、第1無機配向膜34の表面と第1誘電体層33の表面のうちカラム34aの間から露出している部分とが表面処理膜36で被覆され、図6(b)に示すように、残存しているアルキル基が低減される。
このようにして、素子基板11を形成する。
Then, using a silane compound solution in which triethoxydecylsilane is melted in a solvent, surface treatment is performed on the exposed portion of the surface of the first inorganic alignment film 34 and the first dielectric layer 33 (surface treatment). Step, see FIG. 5 (e)). As a result, the surface of the first inorganic alignment film 34 and the surface of the first dielectric layer 33 exposed from between the columns 34a are covered with the surface treatment film 36, as shown in FIG. 6B. In addition, the remaining alkyl groups are reduced.
In this way, the element substrate 11 is formed.

続いて、対向基板12の形成方法について説明する。まず、基板本体41上に遮光膜42及び共通電極43を形成し、さらにテトラエトキシシランを原料ガスとしたプラズマCVD法を用いて、共通電極43上にSiOを含む誘電体からなる第2誘電体層44を形成する(誘電体層形成工程)。
そして、上述と同様に、斜方蒸着を用いて、共通電極43の表面にSiOからなる第2無機配向膜45を形成する(配向膜形成工程)。その後、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第2無機配向膜45に表面処理を施す(表面処理工程)。これにより、第2無機配向膜45の表面において残存しているアルキル基が低減される。
このようにして、対向基板12を形成する。
Next, a method for forming the counter substrate 12 will be described. First, the light shielding film 42 and the common electrode 43 are formed on the substrate body 41, and the second dielectric made of a dielectric containing SiO 2 is used on the common electrode 43 by plasma CVD using tetraethoxysilane as a source gas. The body layer 44 is formed (dielectric layer forming step).
In the same manner as described above, the second inorganic alignment film 45 made of SiO 2 is formed on the surface of the common electrode 43 by using oblique deposition (alignment film forming step). Thereafter, a surface treatment is performed on the second inorganic alignment film 45 using a silane compound solution obtained by melting triethoxydecylsilane in a solvent (surface treatment step). Thereby, the alkyl group remaining on the surface of the second inorganic alignment film 45 is reduced.
In this way, the counter substrate 12 is formed.

その後、素子基板11と対向基板12との間に液晶層13を挟持した状態でシール材により素子基板11と対向基板12とを貼り合せる。ここで、長鎖アルキルを有するトリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて第1及び第2無機配向膜34、43に表面処理を施しているため、第1及び第2無機配向膜34、43と液晶層13との間に強い界面アンカリング効果を発生し、液晶分子の配向規制が行われる。以上のようにして、液晶表示装置1を製造する。   Thereafter, the element substrate 11 and the counter substrate 12 are bonded together with a sealing material in a state where the liquid crystal layer 13 is sandwiched between the element substrate 11 and the counter substrate 12. Here, since the surface treatment is performed on the first and second inorganic alignment films 34 and 43 using a silane compound solution in which triethoxydecylsilane having a long-chain alkyl is melted in a solvent, the first and second inorganic alignment films are provided. A strong interface anchoring effect is generated between the alignment films 34 and 43 and the liquid crystal layer 13 to regulate the alignment of liquid crystal molecules. The liquid crystal display device 1 is manufactured as described above.

〔投射型表示装置〕
そして、上述した液晶表示装置1は、例えば図7に示すようなプロジェクタ100の光変調手段として用いられる。このプロジェクタ100は、図7に示すように、光源101と、ダイクロイックミラー102、103と、本発明の液晶表示装置1からなる赤色光用光変調手段104、緑色光用光変調手段105及び青色光用光変調手段106と、導光手段107と、反射ミラー110〜112と、クロスダイクロイックプリズム113と、投射レンズ114と、を備えている。そして、プロジェクタ100から出射したカラー画像光は、スクリーン115上に投影される。
[Projection type display device]
The liquid crystal display device 1 described above is used as a light modulation unit of the projector 100 as shown in FIG. As shown in FIG. 7, the projector 100 includes a light source 101, dichroic mirrors 102 and 103, a light modulating unit for red light 104, a light modulating unit for green light 105, and a blue light, each including the liquid crystal display device 1 of the present invention. A light modulator 106, a light guide 107, reflection mirrors 110 to 112, a cross dichroic prism 113, and a projection lens 114. The color image light emitted from the projector 100 is projected on the screen 115.

光源101は、メタルハライドなどのランプ101aと、ランプ101aの光を反射するリフレクタ101bとを備えている。
ダイクロイックミラー102は、光源101からの白色光に含まれる赤色光を透過させると共に、緑色光と青色光とを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー103は、ダイクロイックミラー102で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。
The light source 101 includes a lamp 101a such as a metal halide, and a reflector 101b that reflects light from the lamp 101a.
The dichroic mirror 102 is configured to transmit red light included in white light from the light source 101 and reflect green light and blue light. The dichroic mirror 103 is configured to transmit blue light and reflect green light among green light and blue light reflected by the dichroic mirror 102.

赤色光用光変調手段104は、ダイクロイックミラー102を透過した赤色光が入射され、入射した赤色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。また、緑色光用光変調手段105は、ダイクロイックミラー103で反射された緑色光が入射され、入射した緑色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。そして、青色光用光変調手段106は、ダイクロイックミラー103を透過した青色光が入射され、入射した青色光を所定の画像信号に基づいて変調する構成となっている。   The light modulation means 104 for red light is configured to receive red light transmitted through the dichroic mirror 102 and modulate the incident red light based on a predetermined image signal. Further, the green light light modulating means 105 is configured to receive the green light reflected by the dichroic mirror 103 and modulate the incident green light based on a predetermined image signal. The blue light light modulating means 106 is configured to receive the blue light transmitted through the dichroic mirror 103 and modulate the incident blue light based on a predetermined image signal.

導光手段107は、入射レンズ107aとリレーレンズ107bと出射レンズ107cとによって構成されており、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。
反射ミラー110は、ダイクロイックミラー102を透過した赤色光を赤色光用光変調手段104に向けて反射する構成となっている。また、反射ミラー111は、ダイクロイックミラー103及び入射レンズ107aを透過した青色光をリレーレンズ107bに向けて反射する構成となっている。また、反射ミラー112は、リレーレンズ107bを出射した青色光を出射レンズ107cに向けて反射する構成となっている。
The light guide unit 107 includes an incident lens 107a, a relay lens 107b, and an output lens 107c, and is provided to prevent light loss due to a long optical path of blue light.
The reflection mirror 110 is configured to reflect the red light transmitted through the dichroic mirror 102 toward the light modulation means 104 for red light. The reflection mirror 111 is configured to reflect the blue light transmitted through the dichroic mirror 103 and the incident lens 107a toward the relay lens 107b. The reflection mirror 112 is configured to reflect the blue light emitted from the relay lens 107b toward the emission lens 107c.

クロスダイクロイックプリズム113は、4つの直角プリズムを貼り合わせることによって構成されており、その界面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とがX字状に形成されている。これら誘電体多層膜により3つの色の光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。
投射レンズ114は、クロスダイクロイックプリズム113によって合成されたカラー画像を拡大してスクリーン115上に投影する構成となっている。
The cross dichroic prism 113 is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film reflecting red light and a dielectric multilayer film reflecting blue light are formed in an X shape at the interface. Has been. These dielectric multilayer films combine light of three colors to form light representing a color image.
The projection lens 114 is configured to enlarge and project the color image synthesized by the cross dichroic prism 113 onto the screen 115.

以上のような構成の液晶表示装置1及び液晶表示装置1の製造方法ならびにプロジェクタ100によれば、第1及び第2誘電体層33、43の表面のうち第1及び第2無機配向膜34、43から液晶層13に対して露出する部分に表面処理を施すことで、第1及び第2誘電体層33、43の表面において液晶分子と反応するシラノール基を低減することができる。したがって、液晶層13の劣化をより確実に防止して液晶表示装置1の耐光寿命を増大させることができる。
ここで、第1無機配向膜34の形成後に表面処理を施すことで、第1無機配向膜34及び第1誘電体層33それぞれに対して一括して表面処理を施すことができる。これは、第2無機配向膜45及び第2誘電体層44についても同様である。このとき、長鎖アルキルを有するトリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて第1及び第2無機配向膜34、43に表面処理を施しているため、第1及び第2誘電体層33、43と液晶層13との間に強い界面アンカリング効果を発生し、液晶分子の配向規制が行える。
According to the liquid crystal display device 1 and the manufacturing method of the liquid crystal display device 1 and the projector 100 configured as described above, the first and second inorganic alignment films 34, among the surfaces of the first and second dielectric layers 33 and 43, By applying a surface treatment to the portion exposed from 43 to the liquid crystal layer 13, silanol groups that react with liquid crystal molecules on the surfaces of the first and second dielectric layers 33 and 43 can be reduced. Therefore, the deterioration of the liquid crystal layer 13 can be prevented more reliably, and the light resistance life of the liquid crystal display device 1 can be increased.
Here, by performing a surface treatment after the formation of the first inorganic alignment film 34, it is possible to collectively perform the surface treatment on each of the first inorganic alignment film 34 and the first dielectric layer 33. The same applies to the second inorganic alignment film 45 and the second dielectric layer 44. At this time, since the first and second inorganic alignment films 34 and 43 are subjected to surface treatment using a silane compound solution obtained by melting triethoxydecylsilane having a long chain alkyl in a solvent, the first and second dielectrics A strong interface anchoring effect is generated between the body layers 33 and 43 and the liquid crystal layer 13, and the alignment of liquid crystal molecules can be regulated.

なお、本実施形態では、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて表面処理を行っているが、下記式(4)で表されるトリメトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて表面処理を行ってもよい。   In this embodiment, surface treatment is performed using a silane compound solution in which triethoxydecylsilane is melted in a solvent, but trimethoxydecylsilane represented by the following formula (4) is melted in the solvent. Surface treatment may be performed using a silane compound solution.

Figure 2011215455
Figure 2011215455

[第2の実施形態]
以下、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第2の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、本実施形態では、第1の実施形態と素子基板及び対向基板の製造方法が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention and a method for manufacturing the liquid crystal display device will be described with reference to the drawings. In this embodiment, since the manufacturing method of the element substrate and the counter substrate is different from that of the first embodiment, this point will be mainly described, and the constituent elements described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, The description is omitted.

〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置200の素子基板201は、図8に示すように、第1誘電体層33に表面処理を行うことによって形成された表面処理膜202が形成されている。この表面処理では、下記式(5)で表されるトリエトキシメチルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液が用いられている。なお、本実施形態では、第1無機配向膜34を構成するカラム34aの表面には、表面処理が行われておらず、表面処理膜202が形成されていない。
[Liquid Crystal Display]
As shown in FIG. 8, the element substrate 201 of the liquid crystal display device 200 according to the present embodiment has a surface treatment film 202 formed by subjecting the first dielectric layer 33 to surface treatment. In this surface treatment, a silane compound solution obtained by melting triethoxymethylsilane represented by the following formula (5) in a solvent is used. In the present embodiment, the surface of the column 34a constituting the first inorganic alignment film 34 is not subjected to surface treatment, and the surface treatment film 202 is not formed.

Figure 2011215455
Figure 2011215455

なお、図示していないが、液晶表示装置200の対向基板にも同様の表面処理が施されている。   Although not shown, the same surface treatment is also applied to the counter substrate of the liquid crystal display device 200.

〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、液晶表示装置200の製造方法について説明する。まず、上述した第1の実施形態と同様に、基板本体31上に素子形成層32及び画素電極21を形成し、さらに第1誘電体層33を形成する(誘電体層形成工程、図9(a)参照)。
そして、トリエトキシメチルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第1誘電体層33の表面に表面処理を施す(表面処理工程、図9(b)参照)。これにより、第1誘電体層33の表面が表面処理膜202で被覆され、残存しているアルキル基が低減される。
[Manufacturing method of liquid crystal display device]
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 200 will be described. First, similarly to the above-described first embodiment, the element formation layer 32 and the pixel electrode 21 are formed on the substrate body 31, and the first dielectric layer 33 is further formed (dielectric layer formation step, FIG. a)).
Then, a surface treatment is performed on the surface of the first dielectric layer 33 using a silane compound solution obtained by melting triethoxymethylsilane in a solvent (a surface treatment step, see FIG. 9B). Thereby, the surface of the first dielectric layer 33 is covered with the surface treatment film 202, and the remaining alkyl groups are reduced.

続いて、斜方蒸着法を用いて、第1誘電体層33の表面にSiOからなる第1無機配向膜34を形成する(無機配向膜、図9(c)参照)。このとき、第1無機配向膜34を構成する複数のカラム34aは、表面処理膜202によって被覆されていない。
このようにして、素子基板201を形成する。
その後、素子基板201と同様に対向基板を形成し、上述した第1の実施形態と同様に液晶表示装置200を製造する。
Subsequently, a first inorganic alignment film 34 made of SiO 2 is formed on the surface of the first dielectric layer 33 by using an oblique vapor deposition method (inorganic alignment film, see FIG. 9C). At this time, the plurality of columns 34 a constituting the first inorganic alignment film 34 are not covered with the surface treatment film 202.
In this way, the element substrate 201 is formed.
Thereafter, a counter substrate is formed in the same manner as the element substrate 201, and the liquid crystal display device 200 is manufactured in the same manner as in the first embodiment.

以上のような構成の液晶表示装置200及び液晶表示装置200の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏するが、第1誘電体層33のみに表面処理を行うことで、第1誘電体層33の表面に残存するシラノール基をより確実に低減できる。また、表面処理層202が第1無機配向膜34で覆われ、表面処理層202が液晶の配向規制に直接関与しないため、長鎖アルキルを有するシラン化合物に限らずさまざまなシラン化合物を用いることができる。   The liquid crystal display device 200 configured as described above and the method for manufacturing the liquid crystal display device 200 also have the same operations and effects as described above. Silanol groups remaining on the surface of the body layer 33 can be more reliably reduced. In addition, since the surface treatment layer 202 is covered with the first inorganic alignment film 34 and the surface treatment layer 202 is not directly involved in the alignment regulation of liquid crystal, various silane compounds are used in addition to silane compounds having long-chain alkyl. it can.

[第3の実施形態]
以下、本発明における液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法の第3の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、本実施形態では、第1の実施形態と使用されるシラン化合物が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
[Third Embodiment]
Hereinafter, a third embodiment of a liquid crystal display device and a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, since the silane compound used is different from that in the first embodiment, this point will be mainly described, and the same reference numerals are given to the components described in the above embodiment, and the description will be given. Omitted.

〔液晶表示装置〕
本実施形態における液晶表示装置250の素子基板251では、図10に示すように、第1無機配向膜34を構成するカラム34aの表面に表面処理膜252が形成されている。第1無機配向膜34の表面処理では、上述した第1の実施形態と同様に、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液が用いられている。
なお、図示していないが、液晶表示装置250の対向基板にも同様の表面処理が施されている。
[Liquid Crystal Display]
In the element substrate 251 of the liquid crystal display device 250 according to the present embodiment, as shown in FIG. 10, a surface treatment film 252 is formed on the surface of the column 34 a constituting the first inorganic alignment film 34. In the surface treatment of the first inorganic alignment film 34, as in the first embodiment described above, a silane compound solution in which triethoxydecylsilane is melted in a solvent is used.
Although not shown, the same surface treatment is also applied to the counter substrate of the liquid crystal display device 250.

〔液晶表示装置の製造方法〕
次に、液晶表示装置250の製造方法について説明する。まず、上述した第2の実施形態と同様に、第1誘電体層33の表面にトリエトキシメチルシランを溶剤に溶解させたシラン化合物を用いて表面処理を施した後に、第1無機配向膜34を形成する。そして、トリエトキシデシルシランを溶剤に溶融させたシラン化合物溶液を用いて、第1無機配向膜34に表面処理を施す。このようにして、素子基板251を形成する。
その後、素子基板251と同様に対向基板を形成し、上述した実施形態と同様に液晶表示装置250を製造する。
[Manufacturing method of liquid crystal display device]
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 250 will be described. First, as in the second embodiment described above, the surface of the first dielectric layer 33 is subjected to a surface treatment using a silane compound in which triethoxymethylsilane is dissolved in a solvent, and then the first inorganic alignment film 34. Form. Then, the first inorganic alignment film 34 is subjected to a surface treatment using a silane compound solution in which triethoxydecylsilane is melted in a solvent. In this way, the element substrate 251 is formed.
Thereafter, a counter substrate is formed in the same manner as the element substrate 251, and the liquid crystal display device 250 is manufactured in the same manner as in the above-described embodiment.

以上のような構成の液晶表示装置250及び液晶表示装置250の製造方法においても、上述と同様の作用、効果を奏するが、第1無機配向膜34を形成した後に再度表面処理を施すことで、第1無機配向膜34の表面におけるシラノール基を低減することができる。   The liquid crystal display device 250 having the above configuration and the manufacturing method of the liquid crystal display device 250 also have the same operations and effects as described above. However, by performing the surface treatment again after forming the first inorganic alignment film 34, Silanol groups on the surface of the first inorganic alignment film 34 can be reduced.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、表面処理に用いられるシラン化合物は、アルコキシ基としてエトキシ(OC)を挙げているが、メトキシ(OC)など他のアルコキシ基であってもよく、また、アルキル基としてメチル(C)、ヘキシル(C13)及びデシル(C1021)を挙げているが、他のアルキル基であってもよい。さらに、表面処理に用いられるシラン化合物は、上記一般式(1)及び一般式(2)に挙げられたものに限らず、他のシラン化合物であってもよい。
液晶表示装置は、反射型の液晶表示装置に限らず、透過型や半透過反射型の液晶表示装置であってもよい。
素子基板及び対向基板の双方にある誘電体層に表面処理を施しているが、素子基板及び対向基板の少なくとも一方において表面処理が施されていればよい。
誘電体層は、テトラエトキシシラン以外の他のガスを原料ガスとして用いてもよい。
液晶層は、VA方式で駆動する液晶分子によって構成されているが、例えばNT(Twisted Nematic)方式で駆動する液晶分子など、他の方式で駆動する液晶分子によって構成されてもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, although the silane compound used for the surface treatment mentions ethoxy (OC 2 H 5 ) as an alkoxy group, it may be another alkoxy group such as methoxy (OC 1 H 3 ) or as an alkyl group. Although methyl (C 1 H 3 ), hexyl (C 6 H 13 ) and decyl (C 10 H 21 ) are mentioned, other alkyl groups may be used. Furthermore, the silane compound used for the surface treatment is not limited to those listed in the general formula (1) and the general formula (2), but may be other silane compounds.
The liquid crystal display device is not limited to a reflective liquid crystal display device, and may be a transmissive or transflective liquid crystal display device.
Although the surface treatment is performed on the dielectric layers on both the element substrate and the counter substrate, it is sufficient that the surface treatment is performed on at least one of the element substrate and the counter substrate.
The dielectric layer may use a gas other than tetraethoxysilane as a source gas.
The liquid crystal layer is composed of liquid crystal molecules driven by the VA method, but may be composed of liquid crystal molecules driven by other methods such as a liquid crystal molecule driven by the NT (Twisted Nematic) method.

液晶表示装置は、プロジェクタのような投射型の表示装置に限らず、例えば携帯電話機など直視型の表示装置に用いられてもよい。したがって、液晶表示装置を備える電子機器としては、プロジェクタなどの投射型表示装置に限らず、携帯電話機やPDA(携帯情報端末機)、ハンディターミナル、電子ブック、ノート型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末など、種々の電子機器であってもよい。   The liquid crystal display device is not limited to a projection type display device such as a projector, and may be used for a direct-view type display device such as a mobile phone. Accordingly, the electronic apparatus including the liquid crystal display device is not limited to a projection display device such as a projector, but is a mobile phone, a PDA (personal digital assistant), a handy terminal, an electronic book, a notebook personal computer, a personal computer, a digital still Various electronic devices such as a camera, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation, a videophone, and a POS terminal may be used.

1,200,250 液晶表示装置、11,201,251 素子基板(基板)、12 対向基板(基板)、13 液晶層、33 第1誘電体層(誘電体層)、34 第1無機配向膜(無機配向膜)、34a カラム、41 基板本体(基体)、44 第2誘電体層(誘電体層)、45 第2無機配向膜(無機配向膜)、100 プロジェクタ(投射型表示装置)、104 赤色光用光変調手段(液晶表示装置)、105 緑色光用光変調手段(液晶表示装置)、106 青色光用光変調手段(液晶表示装置) 1,200,250 Liquid crystal display device, 11,201,251 Element substrate (substrate), 12 Counter substrate (substrate), 13 Liquid crystal layer, 33 First dielectric layer (dielectric layer), 34 First inorganic alignment film ( Inorganic alignment film), 34a column, 41 substrate body (base), 44 second dielectric layer (dielectric layer), 45 second inorganic alignment film (inorganic alignment film), 100 projector (projection display), 104 red Light modulation means for light (liquid crystal display device), 105 Light modulation means for green light (liquid crystal display device), 106 Light modulation means for blue light (liquid crystal display device)

Claims (12)

液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置であって、
一対の前記基板の少なくとも一方が、SiOを含む誘電体層と、前記誘電体層上に斜方蒸着によって形成され、前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜と、を有し、
前記誘電体層の表面にあるシラノール基が、シラン化合物によって表面処理されていることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display device comprising a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer,
At least one of the pair of substrates includes a dielectric layer containing SiO 2 and an inorganic alignment film that is formed on the dielectric layer by oblique vapor deposition and regulates the alignment of liquid crystal molecules that constitute the liquid crystal layer. Have
A liquid crystal display device, wherein a silanol group on the surface of the dielectric layer is surface-treated with a silane compound.
前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていないことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a surface treatment is not performed on a portion of the dielectric layer that is covered with a column constituting the inorganic alignment film. 前記誘電体層において前記無機配向膜を構成するカラムによって被覆されている部分には、表面処理が施されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a surface treatment is performed on a portion of the dielectric layer that is covered with a column constituting the inorganic alignment film. 前記カラムの表面には、表面処理が施されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 3, wherein a surface treatment is performed on a surface of the column. 液晶層を挟持する一対の基板を備える液晶表示装置の製造方法であって、
一対の前記基板の少なくとも一方を形成する工程が、
基体上にSiOを含む誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
前記誘電体層上に前記液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する無機配向膜を斜方蒸着によって形成する配向膜形成工程と、
前記誘電体層の表面をシラン化合物によって表面処理する表面処理工程と、
を備えることを特徴とする製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a pair of substrates that sandwich a liquid crystal layer,
Forming at least one of the pair of substrates,
A dielectric layer forming step of forming a dielectric layer containing SiO 2 on the substrate;
An alignment film forming step of forming an inorganic alignment film for controlling the alignment of liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer on the dielectric layer by oblique deposition;
A surface treatment step of treating the surface of the dielectric layer with a silane compound;
A manufacturing method comprising:
前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の後に行われることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 5, wherein the surface treatment step is performed after the alignment film forming step. 前記シラン化合物が、一般式(1)
Figure 2011215455
[式中nは1または2、mは6から18の整数である]
で表されることを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
The silane compound has the general formula (1)
Figure 2011215455
[Wherein n is 1 or 2, and m is an integer of 6 to 18]
It is represented by these, The manufacturing method of Claim 6 characterized by the above-mentioned.
前記表面処理工程が、前記配向膜形成工程の前に行われることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 5, wherein the surface treatment step is performed before the alignment film forming step. 前記シラン化合物が、一般式(2)
Figure 2011215455
[式中nは1または2、mは6から18の整数である]
で表されることを特徴とする請求項8に記載の製造方法。
The silane compound has the general formula (2)
Figure 2011215455
[Wherein n is 1 or 2, and m is an integer of 6 to 18]
It is represented by these, The manufacturing method of Claim 8 characterized by the above-mentioned.
前記配向膜形成工程の後に、前記無機配向膜の表面をシラン化合物によって表面処理をすることを特徴とする請求項8または9に記載の製造方法。   The method according to claim 8 or 9, wherein the surface of the inorganic alignment film is surface-treated with a silane compound after the alignment film forming step. 前記誘電体層形成工程では、テトラエトキシシランを原料ガスとして用いるプラズマCVD法によって前記誘電体層を形成することを特徴とする請求項5から10のいずれか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 5, wherein in the dielectric layer forming step, the dielectric layer is formed by a plasma CVD method using tetraethoxysilane as a source gas. 請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする投射表示装置。   A projection display device comprising the liquid crystal display device according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014202887A (en) * 2013-04-04 2014-10-27 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic equipment
JP2014211592A (en) * 2013-04-22 2014-11-13 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device, manufacturing method of liquid crystal device, and electronic apparatus
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