JP2001147427A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2001147427A
JP2001147427A JP33072099A JP33072099A JP2001147427A JP 2001147427 A JP2001147427 A JP 2001147427A JP 33072099 A JP33072099 A JP 33072099A JP 33072099 A JP33072099 A JP 33072099A JP 2001147427 A JP2001147427 A JP 2001147427A
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liquid crystal
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crystal display
film
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吉晴 平形
Shingo Eguchi
晋吾 江口
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a reflection type liquid crystal display device which has a wide selecting range for selecting the material of a reflection electrode and a structure difficult to exert an influence on alignment of liquid crystals and can be easily manufactured without need of a counter BM and consideration for reduction of a reflection area due to simplification of manufacturing stage and positioning accuracy to a counter substrate. SOLUTION: In the liquid crystal display device having the liquid crystal interposed between a pair of substrates, a pixel electrode consisting of a transparent conductive film disposed on one substrate in a matrix form and a semiconductor element connected to the pixel electrode, one substrate of the pair of substrates has transparency and an insulating property and the other substrate has a common electrode provided thereon and consisting of a reflection layer and a transparent conductive film. The present invention is characterized in that the reflection layer, the transparent conductive film and the common electrode are separated from one another and the reflection layer is provided on the side of the counter substrate. The reflection layer is specified to be a layer of a medium consisting of a single body or laminated structure of used material and having >=30% reflectivity in air.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型および半透
過型の液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type and a transflective type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子を利用したアクティブマトリ
クス液晶表示装置は、モバイルコンピュータ、ビデオカ
メラ、デジタルカメラ、携帯電話、ヘッドマウントディ
スプレイ等の直視形表示装置として、またフロントおよ
びリアプロジェクタの様なレンズ等の光学系により拡大
表示を目的とする投射形の表示装置として開発が活発に
行われている。
2. Description of the Related Art Active matrix liquid crystal display devices using semiconductor elements are used as direct-view display devices such as mobile computers, video cameras, digital cameras, mobile phones, head-mounted displays, and lenses such as front and rear projectors. Development is actively being conducted as a projection type display device for the purpose of enlarged display by the optical system described above.

【0003】これらは外光を反射させて表示する反射型
表示装置と、バックライトもしくはメタルハライド等の
光源光を透過させて表示する透過型表示装置の他、両者
の特徴を有する半透過型に分類される。
[0003] These are classified into a reflective display device that reflects external light for display, a transmissive display device that displays by transmitting light from a light source such as a backlight or a metal halide, and a transflective display device that has characteristics of both. Is done.

【0004】反射型表示装置は、バックライトが必要無
いことから低消費電力化が図れ携帯する装置に有利であ
る。さらに太陽光線の下で表示を見る場合はバックライ
トよりも見やすい。
[0004] The reflective display device is advantageous for a portable device because it does not require a backlight and can achieve low power consumption. Furthermore, when viewing the display under sunlight, it is easier to see than the backlight.

【0005】反面、暗いところでは見えず使えない、外
光を使用するため明るい表示が得難い、コントラストを
高くし難いという欠点がある。
On the other hand, there are drawbacks in that it cannot be used because it cannot be seen in a dark place, that it is difficult to obtain a bright display because of the use of external light, and that it is difficult to increase the contrast.

【0006】このため暗いところでもその使用が可能に
なるように考えられたものが半透過型の表示装置であ
る。しかし、この場合もコントラストおよび明るさに反
射型よりも劣り、表示的にはさらに厳しい状況である。
[0006] For this reason, a transflective display device has been designed so that it can be used even in a dark place. However, also in this case, the contrast and brightness are inferior to those of the reflection type, and the display is more severe.

【0007】以下に従来の反射型アクティブマトリクス
液晶表示装置について説明する。ここでは反射作用を有
しこの特性を利用する画素電極を反射画素電極と称す。
A conventional reflection type active matrix liquid crystal display device will be described below. Here, a pixel electrode that has a reflective action and utilizes this characteristic is referred to as a reflective pixel electrode.

【0008】図1(A)に反射画素電極を鏡面とした場
合における1枚偏光板方式直視形のアクティブマトリク
ス反射型液晶表示装置の従来例を示す。
FIG. 1A shows a conventional example of a single-polarizer type direct-view type active matrix reflective liquid crystal display device in which a reflective pixel electrode has a mirror surface.

【0009】カラーフィルタ層101、ブラックマトリ
クス(以下BM)102、共通電極103からなる対向
基板と、薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体素子1
04で形成されるアクティブマトリクス回路が形成され
た素子基板を有する。
A counter substrate comprising a color filter layer 101, a black matrix (BM) 102 and a common electrode 103, and a semiconductor element 1 such as a thin film transistor (TFT)
There is an element substrate on which the active matrix circuit formed by the element 04 is formed.

【0010】この両基板間に液晶105を注入し、共通
電極103と反射画素電極106の電界を制御すること
により電気光学変調を行う。この場合、液晶105を配
向させるため、両電極上103、106には配向膜10
7が成膜され、ラビング等による配向処理が行われる。
A liquid crystal 105 is injected between the two substrates, and the electric field of the common electrode 103 and the reflective pixel electrode 106 is controlled to perform electro-optic modulation. In this case, in order to align the liquid crystal 105, the alignment film 10 is provided on both electrodes 103 and 106.
7 is formed, and an alignment process such as rubbing is performed.

【0011】この後、液晶105との組み合わせで光の
透過量を制御する偏光板110や視野角改善、映り込み
対策を兼ねて位相差板109、散乱板108等を貼付す
る。
Thereafter, a polarizing plate 110 for controlling the amount of transmitted light in combination with the liquid crystal 105, a phase difference plate 109, a scattering plate 108 and the like are also attached to improve the viewing angle and prevent reflection.

【0012】本明細書では偏光板、散乱板、位相差板、
λ/4板というように語尾に板という表現を用いている
が、通常これらはフィルムの形態をしていることが多い
ために、慣習的に呼ばれるものである。しかし本明細書
では、これらは必ずしも板状のものでなければならな
い、ということはない。偏光板とは偏光機能を、散乱板
とは前方散乱機能を、そして位相差板およびλ/4板は
光の変調機能をそれぞれ有するものの総称としてここで
は定義する。
In this specification, a polarizing plate, a scattering plate, a retardation plate,
The expression "plate" is used at the end of the expression such as λ / 4 plate, but these are usually called conventionally because they often have the form of a film. However, in the present specification, these do not necessarily have to be plate-shaped. Here, the polarizing plate is defined as a polarizing function, the scattering plate is defined as a forward scattering function, and the retardation plate and the λ / 4 plate are defined as generic names of those having a function of modulating light.

【0013】鏡面反射画素電極106を採用した直視形
液晶表示装置では、白色をより白くするため、任意の視
野範囲内で隣接画素に影響を与えない範囲で光を散乱さ
せる必要があり、これを散乱板108等で実現してい
る。
In a direct-view type liquid crystal display device employing the specular reflection pixel electrode 106, it is necessary to scatter light within an arbitrary field of view so as not to affect adjacent pixels in order to make white more white. This is realized by the scattering plate 108 and the like.

【0014】外光を反射するための反射板は画素電極1
06を兼ねて素子基板上に形成される。データ線、ゲー
ト線、TFT部、容量形成部の上に構成されるため、画
素領域において90%前後の電極面積率が得られる。
A reflector for reflecting external light is a pixel electrode 1.
06 is formed on the element substrate. Since it is formed on the data line, the gate line, the TFT portion, and the capacitor forming portion, an electrode area ratio of about 90% can be obtained in the pixel region.

【0015】さらに半導体素子104上部に反射板10
7があるため直接的、間接的に、この半導体層への光の
照射量が減る。これによりオフ電流が増加する光リーク
が防止できるという効果がある。特に強力な光源からの
光を照射するプロジェクターでは有効である。
Further, a reflector 10 is provided on the semiconductor element 104.
7, the irradiation amount of light to this semiconductor layer is reduced directly or indirectly. Accordingly, there is an effect that light leakage in which the off current increases can be prevented. This is particularly effective for a projector that emits light from a strong light source.

【0016】上記のような構造において、反射型の液晶
表示モードとして、液晶105への電圧印加時に黒表
示、無印加に白表示となるノーマリホワイトモードを採
用することが多い。これはノーマリブラックモードと比
べて明るさを得やすいためである。
In the above-described structure, a normally white mode, in which a black display is applied when a voltage is applied to the liquid crystal 105 and a white display is applied when no voltage is applied, is often used as the reflective liquid crystal display mode. This is because it is easier to obtain brightness than in the normally black mode.

【0017】しかし、液晶表示装置にてノーマリホワイ
トモードを採用した場合、隣接する画素の境界部で光漏
れが生じ、コントラストを劣化させる原因となってい
る。
However, when a normally white mode is employed in a liquid crystal display device, light leakage occurs at a boundary between adjacent pixels, which causes deterioration in contrast.

【0018】これは各画素の電極間では対向基板との間
に印加される電界よりも、基板面に対して平行な横方向
電界の影響が顕著となり、この部分に存在する液晶分子
がこの横方向電界の影響を受け、異なる液晶配向状態の
ドメインを生じるためである。このドメインの境界部が
データ線、ゲート線上もしくは、この近傍にディスクリ
ネーションとして観察される。表示において、この部分
に強い光漏れが見られるだけでなく、その周辺にも光漏
れが観察される。
This is because the influence of the horizontal electric field parallel to the substrate surface becomes more remarkable than the electric field applied between the electrodes of each pixel and the opposing substrate, and the liquid crystal molecules existing in this portion are affected by the horizontal electric field. This is because domains of different liquid crystal alignment states are generated under the influence of the directional electric field. The boundary of the domain is observed as a disclination on or near the data line and the gate line. In the display, not only strong light leakage is observed in this portion, but also light leakage is observed in the vicinity thereof.

【0019】通常、液晶表示装置では液晶および配向膜
材料中の不純物イオン等の影響による残留直流電界の発
生を抑え、また表示におけるフリッカー(ちらつき)現
象を防止するため、フレーム周期ごと、および同一フレ
ーム内の隣接画素間において交流駆動を採用している。
このため、極性の異なる電界が隣接画素の境界部で存在
し、対向基板と(反射)画素電極間に印加される電界の
2倍の電界となっていることも、光漏れが広範囲におよ
ぶ要因になっている。
Normally, in a liquid crystal display device, in order to suppress the generation of a residual DC electric field due to the influence of impurity ions and the like in the liquid crystal and the alignment film material, and to prevent a flicker phenomenon in a display, the liquid crystal display device is used for every frame period and in the same frame. AC drive is used between adjacent pixels in the pixel.
For this reason, electric fields having different polarities exist at the boundary between adjacent pixels, and the electric field is twice as large as the electric field applied between the counter substrate and the (reflection) pixel electrode. It has become.

【0020】この対策としては、物理的にこの光漏れを
隠す方法がある。対向基板に光を遮光もしくは吸収する
BM102を形成して、光漏れ部を隠す手段がとられ
る。
As a countermeasure for this, there is a method of physically hiding this light leakage. The BM 102 that blocks or absorbs light is formed on the opposite substrate, and a means for hiding the light leakage portion is used.

【0021】この方法は簡単だが、対向基板にBM10
2を形成する工程が必要なこと、および対向基板と素子
基板の貼り合わせマージンを考慮してBMの領域を確保
しなければならないという欠点がある。このため、反射
画素電極106の有効な反射面積はかなり削減される。
Although this method is simple, the BM10
2 is required, and the BM region must be secured in consideration of the bonding margin between the counter substrate and the element substrate. For this reason, the effective reflection area of the reflection pixel electrode 106 is considerably reduced.

【0022】透過型液晶表示装置の場合は素子基板上に
BMを形成し、貼り合わせ精度をマスクの位置合わせ精
度に改善できる。しかし、対向基板側より観察する反射
型液晶表示装置においては、対向基板上にBMを形成せ
ざるをえないのが実状である。
In the case of a transmissive liquid crystal display device, the BM is formed on the element substrate, and the bonding accuracy can be improved to the mask positioning accuracy. However, in a reflection type liquid crystal display device which is observed from the counter substrate side, in reality, the BM has to be formed on the counter substrate.

【0023】ディスクリネーションによる光漏れ幅を2
μmに抑えた場合でも、データ線あるいはゲート線の線
幅を4μmとすると、対向基板と素子基板の貼り合わせ
精度はその他マージンを含めて±2μm程度見積もる必
要があり、BM幅としては6μm程度必要となる。
The light leakage width due to disclination is 2
If the line width of the data lines or gate lines is 4 μm even when the width is 4 μm, the bonding accuracy between the counter substrate and the element substrate needs to be estimated about ± 2 μm including other margins, and the BM width needs about 6 μm. Becomes

【0024】このため2μm画素領域を遮光することと
なり、結局、反射画素電極106の有効反射面積を活か
せない。
For this reason, the 2 μm pixel region is shielded from light, and as a result, the effective reflection area of the reflection pixel electrode 106 cannot be utilized.

【0025】他の対策としては、液晶表示装置のセルギ
ャップ(概略対向電極と画素電極の間隔)を従来の半分
程度に狭くし、画素電極106と対向基板間の垂直電界
を、画素に周辺においても強くする手段が考えられる。
As another countermeasure, the cell gap (approximately the distance between the counter electrode and the pixel electrode) of the liquid crystal display device is reduced to about half that of the related art, and the vertical electric field between the pixel electrode 106 and the counter substrate is reduced around the pixel. Can be considered as a means of strengthening.

【0026】セルギャップは、光を有効利用するための
液晶表示装置における光学パラメータの要因であるた
め、これにあった液晶の動作モードに制限される。
The cell gap is a factor of an optical parameter in a liquid crystal display device for effectively utilizing light, and is therefore limited to a liquid crystal operation mode suitable for this.

【0027】また、もう一つの光学パラメータである液
晶材料自体の屈折率異方性定数は従来の2倍前後のもの
が必要となるが、材料の信頼性等を含めて考慮すると、
この対応はかなり限定されたものになる。
The liquid crystal material itself, which is another optical parameter, needs to have a refractive index anisotropy constant of about twice as large as that of the conventional liquid crystal material.
This response is quite limited.

【0028】今後、高精細化が進みデータ線やゲート線
の線幅が狭くなると、対向基板と素子基板の貼り合わせ
マージンの占める割合が大きくなりBM102の占有領
域が増加する。このため反射画素電極106の有効領域
が減少する問題が予想される。
In the future, as the definition becomes higher and the line width of the data lines and gate lines becomes narrower, the ratio of the bonding margin between the opposing substrate and the element substrate becomes larger, and the occupied area of the BM 102 increases. For this reason, a problem that the effective area of the reflective pixel electrode 106 is reduced is expected.

【0029】図1(B)は、図1(A)の鏡面反射画素
電極と散乱板の組み合わせではなく、反射画素電極自体
に散乱効果を有する構成とした例を示す。
FIG. 1B shows an example in which the reflection pixel electrode itself has a scattering effect instead of the combination of the specular reflection pixel electrode and the scattering plate shown in FIG. 1A.

【0030】この構成においては、散乱効果を表示部直
近で実現するため、透明基板の厚みを介して散乱させる
場合に比較して、映像の輪郭部でのボケが生じ難という
特徴がある。また散乱板等による光の吸収等もなく、反
射散乱光の指向性を制御することも可能であり、表示輝
度、コントラストにも有利となる。
In this configuration, since the scattering effect is realized in the immediate vicinity of the display section, blurring at the outline of the image is less likely to occur than in the case of scattering through the thickness of the transparent substrate. In addition, it is possible to control the directivity of the reflected scattered light without absorbing light by a scattering plate or the like, which is advantageous for display luminance and contrast.

【0031】しかし、上記構造では素子基板上の反射画
素電極もしくは、その下地膜に任意の凹凸111を形成
する必要があり、このための加工工程が追加されるた
め、この基板の歩留まりへの影響もあり製造コストを上
げる要因でもある。
However, in the above structure, it is necessary to form any irregularities 111 on the reflective pixel electrode on the element substrate or its underlying film, and a processing step for this is added. This is also a factor that increases manufacturing costs.

【0032】さらに、反射画素電極部に凹凸111があ
るため、液晶の配向が均一化し難く、この電極の形状
や、上部の膜構成によっては、焼き付きの原因となる電
荷の蓄積が生じる可能性がある。
Further, since the reflective pixel electrode has the irregularities 111, it is difficult to make the alignment of the liquid crystal uniform, and depending on the shape of the electrode and the structure of the upper film, there is a possibility that the accumulation of electric charges causing image sticking may occur. is there.

【0033】反射型液晶表示装置において、明るさを改
善することが、見易さやコントラスト、美しさ等の表示
品位を改善する上でも必須となる。このため反射率の高
い材料の採用が望まれている。
In a reflection type liquid crystal display device, it is essential to improve brightness in order to improve display quality such as visibility, contrast, and beauty. Therefore, the use of a material having a high reflectance is desired.

【0034】現在はアルミニウム、アルミニウム合金か
らなる材料が一般的である。これは実使用時の可視光に
おいて反射率が83〜88%で、エッチングの加工と材
料の安定性から選択されている。現状のアルミニウムを
主体とする材料より、10%からそれ以上のより高い反
射率を得るためには、銀や銀合金、誘電体多層膜等の採
用が考えられる。
At present, materials made of aluminum and aluminum alloy are generally used. This has a reflectivity of 83 to 88% for visible light in actual use, and is selected in consideration of etching processing and material stability. In order to obtain a higher reflectance of 10% or more than the current material mainly composed of aluminum, it is conceivable to employ silver, a silver alloy, a dielectric multilayer film, or the like.

【0035】しかし、これらの材料は酸化による腐食や
加工性の悪さが知られている。銀は酸化しやすく腐食し
やすい。さらに、加工時の膜の剥がれや、残渣物の液晶
への影響等の問題がある。
However, these materials are known to have corrosion due to oxidation and poor workability. Silver is easily oxidized and corroded. Further, there are problems such as peeling of the film at the time of processing and influence of the residue on the liquid crystal.

【0036】このため銀にこれを防止する不純物を添加
すること、表面をコートする等の工夫がされ一部実用化
されていが信頼性、生産性における問題が多い。
For this reason, some measures have been taken such as adding impurities to prevent this to silver and coating the surface, and some of them have been put to practical use, but there are many problems in reliability and productivity.

【0037】誘電体多層膜は屈折率の異なる膜を多層積
層することにより100%により近い反射率を得ること
が可能である。しかし、これに用いられる無機の誘電体
膜は、その加工性が著しく劣る。
The dielectric multilayer film can obtain a reflectance close to 100% by laminating films having different refractive indexes. However, the workability of the inorganic dielectric film used for this is extremely poor.

【0038】また、画素電極上にこの膜を積層すると、
その誘電率の影響により液晶に任意の電界をかけられな
くなってしまう。
When this film is laminated on the pixel electrode,
An arbitrary electric field cannot be applied to the liquid crystal due to the influence of the dielectric constant.

【0039】鏡面反射画素電極および凹凸等のテクスチ
ャを形成した反射画素電極においては、画素単位の加工
が必要である。このため上記の材料は採用し難かった。
In the case of a specular reflection pixel electrode and a reflection pixel electrode on which a texture such as unevenness is formed, it is necessary to process the pixel unit. For this reason, it was difficult to use the above materials.

【0040】[0040]

【発明が解決しようとする課題】ここでは、前記の問題
点を解決することを課題とし、対向BMが必要なく工程
の簡略化と、対向基板との位置合わせ精度からくる反射
面積の低減を考慮する必要が無く、反射電極材料の選択
範囲を広げ、液晶の配向に影響を与え難い構造をもち、
かつ生産しやすい反射型液晶表示装置を実現することを
目的とする。その結果、総合的に反射輝度、コントラス
ト等の表示品位の改善と信頼性の高い製品を低価格で提
供できる手段を提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems by considering the simplification of the process without the need for the counter BM and the reduction of the reflection area due to the positioning accuracy with the counter substrate. It is not necessary to expand the selection range of the reflective electrode material, and has a structure that does not affect the orientation of the liquid crystal easily.
Another object of the present invention is to realize a reflective liquid crystal display device which is easy to produce. As a result, it is possible to provide a means for improving the display quality such as the reflection luminance and the contrast and providing a highly reliable product at a low price.

【0041】[0041]

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板
にマトリクス状に配置された透明電導膜からなる画素電
極と、前記画素電極に接続された半導体素子とが形成さ
れてなる液晶表示装置において、前記一方の基板は透明
性および絶縁性を有する基板でなり、他方の基板上には
反射層と透明電導膜からなる共通電極を有することを特
徴とする。
According to the present invention, a liquid crystal is interposed between a pair of substrates, and a pixel electrode comprising a transparent conductive film arranged in a matrix on one of the pair of substrates; In a liquid crystal display device in which a semiconductor element connected to a pixel electrode is formed, the one substrate is a transparent and insulating substrate, and the other substrate is a common substrate including a reflective layer and a transparent conductive film. It is characterized by having an electrode.

【0042】上記構成としては、反射もしくは半透過の
液晶表示装置において、反射層と画素電極および共通電
極を分離し、反射層を対向基板側に設けることを特徴と
する。ここで反射層とは、使用される材料単体もしくは
積層構造からなる媒体の空気中での反射率が30%以上
の特性を有する層とする。
The above structure is characterized in that in a reflective or transflective liquid crystal display device, the reflective layer is separated from the pixel electrode and the common electrode, and the reflective layer is provided on the counter substrate side. Here, the reflection layer is a layer having a characteristic that the reflectance of a medium having a single material or a laminated structure to be used in the air is 30% or more.

【0043】対向基板側での反射層の加工は、画素電極
のような設計ルールでの加工の必要がなく非常にシンプ
ルになる。加工時の下地膜の制約も受け難い。このため
材料の選択範囲を広げることができる。画素電極はこれ
まで条件の確立しているITOを使用しているため、従来
のプロセスルールで加工すればよい。
The processing of the reflection layer on the counter substrate side is very simple because there is no need to perform processing according to design rules such as pixel electrodes. It is unlikely to be affected by the underlying film during processing. For this reason, the material selection range can be expanded. Since the pixel electrode uses ITO for which conditions have been established so far, it may be processed according to the conventional process rules.

【0044】これにより電極材料としては、従来アルミ
ニウムもしくはアルミニウムを主成分とする材料が一般
的であったが、光学的に、より高い反射率もしくは散乱
特性、指向性を得られる銀や銀の酸化を抑制する材料を
添加した材料、誘電体多層膜、ダイクロイックミラー、
ホログラム等の適用が容易になる。反射率の高い材料が
使えることで、反射輝度が高められ、より明るい表示が
得られる。
Thus, as the electrode material, aluminum or a material containing aluminum as a main component has conventionally been generally used. However, optically, silver or silver oxide capable of obtaining higher reflectance or scattering characteristics and directivity can be obtained. Material, a dielectric multilayer film, a dichroic mirror,
Application of a hologram or the like becomes easy. By using a material having a high reflectance, the reflection luminance is increased, and a brighter display can be obtained.

【0045】また、ダイクロイックミラー等で特定の可
視光波長領域のみ反射させカラーフィルタを用いない
で、カラー表示用の直視もしくは投射型の液晶表示装置
を実現することも可能である。
It is also possible to realize a direct-view or projection-type liquid crystal display device for color display without using a color filter by reflecting only a specific visible light wavelength region with a dichroic mirror or the like.

【0046】さらに反射層と電極を分離することで、反
射膜材料へのコートが可能となる。これにより例えば銀
のような反射膜材の酸化を防止する手段が容易となるだ
けでなく、液晶の保持率等に影響を与える加工時の残渣
等の影響を防ぐことか可能となる。
Further, by separating the reflective layer and the electrode, it is possible to coat the reflective film material. This facilitates not only means for preventing the reflection film material such as silver from being oxidized, but also the effect of processing residues that affect the liquid crystal retention and the like.

【0047】散乱性および指向性をもたせたテクスチャ
形状を有する反射膜を形成する場合でも、対向基板の反
射膜材への直接の加工や、下地膜への加工をすればよ
く、素子基板の歩留まりを劣化させることがない。
Even when a reflective film having a texture shape having scattering and directivity is formed, it is only necessary to process the counter substrate directly on the reflective film material or to process the underlying film, and the yield of the element substrate is increased. Does not deteriorate.

【0048】また、画素電極や共通電極自体にテクスチ
ャを形成しなくてもよいため、液晶でもっとも重要なセ
ルギャップを均一化でき、色むら等おき難い構造である
だけでなく、配向も表示領域全般に均一化しやすく、構
造的要因、例えば凹凸や段差に起因するディスクリネー
ションの元となる配向不良を防止できる。
Further, since it is not necessary to form a texture on the pixel electrode or the common electrode itself, the most important cell gap in the liquid crystal can be made uniform, and not only a structure in which color unevenness is hardly caused, but also the alignment is in the display region. It is easy to make the whole uniform, and it is possible to prevent poor alignment which causes disclination due to structural factors such as unevenness and steps.

【0049】画素の高精細化による、狭画素ピッチの構
造にもコンタクトホール等の加工スペースを考慮するこ
となく容易に適用できる。
The present invention can be easily applied to a structure with a narrow pixel pitch due to high definition of pixels without considering a processing space such as a contact hole.

【0050】また、明細書中で記述される半導体素子と
しては薄膜トランジスタ(TFT)が代表的であるが、
その他にもMIM(Metal−Insulator−Metal)、薄膜
ダイオード、バリスタ、絶縁ゲート型電界効果トランジ
スタ、バイポーラトランジスタ等により構成される素子
を用いても良い。
As a semiconductor element described in the specification, a thin film transistor (TFT) is typical.
In addition, an element including a metal-insulator-metal (MIM), a thin-film diode, a varistor, an insulated gate field-effect transistor, a bipolar transistor, or the like may be used.

【0051】また他の発明は、一対の基板間に液晶が挟
持されてなり、前記一対の基板の一方の基板にマトリク
ス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続され
た半導体素子とが形成されてなる液晶表示装置におい
て、前記一方の基板は透明性および絶縁性を有する基板
でなり、他方の基板上には反射層と透明電導膜からなる
共通電極を有し、前記反射層と前記共通電極は電気的に
接続されていることを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode disposed in a matrix on one of the pair of substrates, and a semiconductor element connected to the pixel electrode are provided. Is formed, the one substrate is a transparent and insulating substrate, the other substrate has a common electrode comprising a reflective layer and a transparent conductive film on the other substrate, the reflective layer and The common electrode is electrically connected.

【0052】反射層と共通電極を接続し電気的に同電位
とすることにより、静電気的な浮遊電荷や、反射層と共
通電極間にある物質中の不純物イオン等による残留DC
分の発生を防止する。
By connecting the reflective layer and the common electrode and electrically setting them at the same potential, residual DC due to electrostatic floating charges and impurity ions in a substance between the reflective layer and the common electrode can be obtained.
Prevent the occurrence of minutes.

【0053】また他の発明は、一対の基板間に液晶が挟
持されてなり、前記一対の基板の一方の基板にマトリク
ス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続され
た半導体素子とが形成されてなる液晶表示装置におい
て、前記一方の基板は透明性および絶縁性を有する基板
でなり、前記スイッチング素子が形成された基板面の裏
面にλ/4板を有し、他方の基板上には反射層と透明電
導膜からなる共通電極を有することを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode arranged in a matrix on one of the pair of substrates and a semiconductor element connected to the pixel electrode are provided. Is formed, the one substrate is a substrate having transparency and insulating properties, a λ / 4 plate is provided on the back surface of the substrate surface on which the switching element is formed, and the other substrate is provided with a λ / 4 plate. Has a common electrode comprising a reflective layer and a transparent conductive film.

【0054】上記構成としては、反射もしくは半透過の
液晶表示装置において、表示観察面を素子基板の裏面と
し、λ/4板をこの基板の観察面に配置したことを特徴
とする。
The above structure is characterized in that, in a reflective or transflective liquid crystal display device, the display observation surface is the back surface of the element substrate, and the λ / 4 plate is arranged on the observation surface of this substrate.

【0055】図2(A)、(B)にλ/4板に直線偏光
を入射した場合の出力光の偏光状態を示す。
FIGS. 2A and 2B show the polarization state of output light when linearly polarized light is incident on a λ / 4 plate.

【0056】まず、透過の場合について図2(A)の光
学系を用いて説明する。ここでは入射光201が第一の
偏光板202、第一のλ/4板203、第二のλ/4板
204、第二の偏光板205、の順に透過するときのこ
とを考える。本光学系において、第一の偏光板202の
透過軸と第一のλ/4板203の遅相軸とのなす角は4
5°であり、第一のλ/4板203と第二のλ/4板2
04のそれぞれの遅相軸方向は同じであり、第一の偏光
板202と第二の偏光板205のそれぞれの透過軸方向
は同じであるとする。
First, the case of transmission will be described with reference to the optical system of FIG. Here, it is assumed that the incident light 201 is transmitted through the first polarizing plate 202, the first λ / 4 plate 203, the second λ / 4 plate 204, and the second polarizing plate 205 in this order. In this optical system, the angle between the transmission axis of the first polarizing plate 202 and the slow axis of the first λ / 4 plate 203 is 4
5 °, the first λ / 4 plate 203 and the second λ / 4 plate 2
04 has the same slow axis direction, and the first polarizing plate 202 and the second polarizing plate 205 have the same transmission axis direction.

【0057】入射光201は第一の偏光板202を通過
することにより、この偏光板202の透過軸に平行な直
線偏光206となり出力される。λ/4板203は屈折
率がX軸およびY軸にて異なる一軸性を有する光学媒体
であり、直線偏光206がこの光学媒体に入射すると、
常光成分と異常光成分に分離し、これらの間に位相差を
有する光となる。この光学媒体中を光が進む距離(膜
厚)でこの位相差をλ/4となるようにしたものがλ/
4板である。この結果、この媒体からの出力光は楕円偏
光となる。この時特に、本光学系に示すような、第一の
λ/4板203の軸と45°の角度で直線偏光206を
入射すると円偏光207となる。
The incident light 201 passes through the first polarizing plate 202, and is output as linearly polarized light 206 parallel to the transmission axis of the polarizing plate 202. The λ / 4 plate 203 is an optical medium having a uniaxial property whose refractive index is different in the X axis and the Y axis. When the linearly polarized light 206 enters this optical medium,
The light is separated into an ordinary light component and an extraordinary light component, and becomes light having a phase difference therebetween. When the phase difference is λ / 4 at the distance (film thickness) where light travels in the optical medium, λ /
There are four plates. As a result, the output light from this medium becomes elliptically polarized light. At this time, when the linearly polarized light 206 is incident at an angle of 45 ° with the axis of the first λ / 4 plate 203 as shown in the present optical system, it becomes circularly polarized light 207.

【0058】さらに、この円偏光207が第二のλ/4
板204を通過すると、この光学媒体中で常光成分と異
常光成分の位相差がさらにλ/4付加される。この結
果、円偏光207は直線偏光208となるが、この時の
直線偏光208は偏光板202通過直後の直線偏光20
6に対して90°方向が異なるものとなる。つまり第一
のλ/4板203および第二のλ/4板204を通過し
た光はλ/2板を通過した光と等価となる。直線偏光2
08の偏光軸は第二の偏光板205の透過軸と互いに垂
直であるため、直線偏光208は第二の偏光板に吸収さ
れる。これは観察者には黒色として認識されることを示
している。
Further, this circularly polarized light 207 is converted to the second λ / 4
After passing through the plate 204, the phase difference between the ordinary light component and the extraordinary light component is further added by λ / 4 in this optical medium. As a result, the circularly polarized light 207 becomes the linearly polarized light 208, and the linearly polarized light 208 at this time is the linearly polarized light 20 immediately after passing through the polarizing plate 202.
6 is different from the 90 ° direction. That is, light that has passed through the first λ / 4 plate 203 and the second λ / 4 plate 204 is equivalent to light that has passed through the λ / 2 plate. Linear polarized light 2
Since the polarization axis of 08 is perpendicular to the transmission axis of the second polarizing plate 205, the linearly polarized light 208 is absorbed by the second polarizing plate. This indicates that the image is recognized as black by the observer.

【0059】次に反射の場合について図2(B)の光学
系を用いて説明する。ここでは入射光209が偏光板2
10、λ/4板211の順に透過し、反射媒体212に
よって反射された後、λ/4板211、偏光板210の
順に透過するときのことを考える。本光学系において、
偏光板210の透過軸とλ/4板211の遅相軸とのな
す角は45°であるとする。
Next, the case of reflection will be described with reference to the optical system shown in FIG. Here, the incident light 209 is
10, a case where light is transmitted in the order of the λ / 4 plate 211, reflected by the reflection medium 212, and then transmitted in the order of the λ / 4 plate 211 and the polarizing plate 210 is considered. In this optical system,
It is assumed that the angle between the transmission axis of the polarizing plate 210 and the slow axis of the λ / 4 plate 211 is 45 °.

【0060】入射光209が偏光板210を通過して、
偏光板の透過軸と平行な直線偏光213が出力され、こ
れがさらにλ/4板211を通過して、円偏光214が
出力されるのは、透過の場合と同じである。
The incident light 209 passes through the polarizing plate 210,
Linear polarized light 213 parallel to the transmission axis of the polarizing plate is output, and further passes through the λ / 4 plate 211, and circularly polarized light 214 is output, as in the case of transmission.

【0061】この円偏光214は反射媒体212によっ
て反射し、反射光215となる。この反射光215の偏
光状態216は円偏光214と同一である。この光21
6が、こんどはλ/4板211によって直線偏光217
に変換されるが、直線偏光217の偏光軸は偏光板21
0の透過軸と互いに垂直であるため、直線偏光217は
偏光板に吸収される。これは観察者には黒色として認識
されることを示している。
The circularly polarized light 214 is reflected by the reflection medium 212 and becomes reflected light 215. The polarization state 216 of the reflected light 215 is the same as that of the circularly polarized light 214. This light 21
6, linearly polarized light 217 by the λ / 4 plate 211
The polarization axis of the linearly polarized light 217 is
Since it is perpendicular to the transmission axis of 0, the linearly polarized light 217 is absorbed by the polarizing plate. This indicates that the image is recognized as black by the observer.

【0062】ここでは、光は光学的に等方性を有する媒
体中を透過、もしくは所定の角度で反射してもその性質
を変えないことを利用している。ここで所定の角度とは
アルミニウムを材質とする反射層の反射面の法線方向と
なす角度で12°以下程度である。
Here, the fact is used that light does not change its properties even if it transmits through an optically isotropic medium or is reflected at a predetermined angle. Here, the predetermined angle is an angle formed by a normal direction of the reflection surface of the reflection layer made of aluminum and is about 12 ° or less.

【0063】これ以上の角度で反射する場合、入射光は
S波成分およびP波成分の2成分の光に所定の割合で分
離してしまいコントラスト低下の要因となる。
When the light is reflected at an angle larger than this, the incident light is separated into two components of the S-wave component and the P-wave component at a predetermined ratio, which causes a reduction in contrast.

【0064】P波、S波の定義を図3(A),(B)に
示す。ここで図3(A)のように入射光の変位ベクトル
が入射面内にある偏光がP波、図3(B)のように入射
面に垂直な偏光をS波である。
FIGS. 3A and 3B show the definitions of the P wave and the S wave. Here, as shown in FIG. 3A, the polarized light whose displacement vector of the incident light is in the incident plane is a P-wave, and the polarized light perpendicular to the incident plane is an S-wave as shown in FIG. 3B.

【0065】反射面と入射光の制限は特に強い入射光源
を使用する投射形の液晶表示装置で厳しいものとなる。
通常、光の入射角(反射面の法線となす角)は通常数度
以下で好ましくは2°以下で使用するため上記の問題は
無い。
The limitation on the reflection surface and the incident light becomes severe especially in a projection type liquid crystal display device using a strong incident light source.
Usually, the angle of incidence of light (the angle formed with the normal to the reflection surface) is usually several degrees or less, preferably 2 degrees or less, so that the above problem does not occur.

【0066】しかし、反射型液晶表示装置では広範囲の
光を入射光に利用する。このため上記の制限内で利用す
ることは不可能である。このため、実験的に反射板の上
にλ/4板を配置し、この軸と偏光軸を45°に合わせ
た偏光板を設けた実験基板を用意した。入射光の角度を
変えて観測した結果、通常の使用環境化において問題な
い黒レベルが得られることを確認した。
However, in a reflection type liquid crystal display device, a wide range of light is used as incident light. Therefore, it cannot be used within the above-mentioned restrictions. For this reason, an experimental substrate was prepared in which a λ / 4 plate was experimentally arranged on a reflection plate, and a polarizing plate having its axis and the polarization axis set at 45 ° was provided. As a result of observation by changing the angle of the incident light, it was confirmed that a black level without any problem was obtained in a normal use environment.

【0067】つまり、反射面と入射光の制限は、外光や
蛍光燈レベルの入射光で使用される反射型液晶表示装置
への利用時には顕著な問題とはならない。
That is, the limitation of the reflection surface and the incident light does not cause a remarkable problem when used in a reflection type liquid crystal display device used for external light or incident light at a fluorescent lamp level.

【0068】以上のことから素子基板裏面にλ/4板と
偏光板を配置すると、半導体層、データ線、ゲート線、
容量電極等に使用されている材料による反射光は、この
偏光板に吸収され、素子基板裏面からの観察者には黒と
認識される。
From the above, when the λ / 4 plate and the polarizing plate are arranged on the back surface of the element substrate, the semiconductor layer, the data line, the gate line,
Light reflected by the material used for the capacitor electrode and the like is absorbed by the polarizing plate, and is recognized as black by an observer from the back surface of the element substrate.

【0069】本発明は前述の特徴を活かし、これらをB
Mとして利用するものである。
The present invention makes use of the above-mentioned features, and
It is used as M.

【0070】液晶の配向状態の差異で出現するディスク
リネーションをプレチルト角および画素形状、構造、セ
ルギャップによりバスライン上にのみ存在するよう制御
することは可能であり、これらと組み合わせればデータ
線やゲート線等でディスクリネーションによる光漏れを
隠すことができる。そして、ここではλ/4板と偏光板
を用いることにより、これら遮蔽物自体の反射光を吸収
できBMとしての機能を果たす。
It is possible to control the disclination which appears due to the difference in the alignment state of the liquid crystal so that it exists only on the bus line by the pretilt angle, the pixel shape, the structure, and the cell gap. Light leakage due to disclination can be hidden by a gate line or the like. Here, by using a λ / 4 plate and a polarizing plate, the reflected light of these shields themselves can be absorbed, and the function as a BM can be achieved.

【0071】ここでは偏光板としたが、ランダムな成分
の入射光に対し、所定の軸方向成分の直線偏光を出力
し、他の成分を吸収もしくは反射する機能を有するもの
であれば、有機材料、無機材料のいずれか、あるいはそ
の両方で構成されるものであってもよい。
Although the polarizing plate is used here, any organic material may be used as long as it has a function of outputting linearly polarized light of a predetermined axial component to random incident light and absorbing or reflecting other components. , Inorganic materials, or both.

【0072】さらに、対向基板にBMを形成しなくても
良いため、貼り合わせマージンを従来ほど考慮しなくて
良い。反射電極の有効面積を高精細の液晶表示装置にも
適用できる。画素ピッチが数十μm以下の高精細化した
液晶表示装置では特に有効である。
Further, since it is not necessary to form the BM on the opposing substrate, it is not necessary to consider the bonding margin as in the related art. The present invention can be applied to a liquid crystal display device in which the effective area of the reflective electrode is high definition. This is particularly effective in a high-definition liquid crystal display device having a pixel pitch of several tens μm or less.

【0073】また他の発明は、一対の基板間に液晶が挟
持されてなり、前記一対の基板の一方の基板にマトリク
ス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続され
た半導体素子とが形成されてなる液晶表示装置におい
て、前記一方の基板は透明性および絶縁性を有する基板
でなり、他方の基板上には反射層とカラーフィルタ層お
よび透明電導膜からなる共通電極を有し、前記反射層と
前記共通電極の間にカラーフィルタ層を配置したことを
特徴とする。
According to another aspect of the present invention, a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode arranged in a matrix on one of the pair of substrates and a semiconductor element connected to the pixel electrode are provided. Is formed, the one substrate is a substrate having transparency and insulation, the other substrate has a common electrode consisting of a reflective layer and a color filter layer and a transparent conductive film, A color filter layer is disposed between the reflection layer and the common electrode.

【0074】上記構成としては、反射層の上にカラーフ
ィルタ層、その上に共通電極を設け、カラー表示を実現
するものである。
In the above configuration, a color filter layer is provided on the reflective layer, and a common electrode is provided thereon, thereby realizing a color display.

【0075】ここでカラーフィルタの材料はアクリルも
しくはポリイミドを主成分とする有機樹脂に顔料を充填
したものでもよいし、無機系材料を用いて特定帯域の可
視光波長成分のみ透過するものでもよい。
Here, the material of the color filter may be a material in which a pigment is filled in an organic resin containing acrylic or polyimide as a main component, or a material in which only a visible light wavelength component in a specific band is transmitted using an inorganic material.

【0076】また、カラーフィルタ層はカラーフィルタ
材料からなる層の上部にアクリルもしくはポリイミドを
主成分とする有機樹脂膜や、酸化珪素、窒化珪素等から
なる無機材料で、平坦化もしくは、あるいは同時に保
護、分離膜とすることを目的としたオーバーコート層を
形成してもよい。
The color filter layer is made of an organic resin film containing acrylic or polyimide as a main component or an inorganic material made of silicon oxide, silicon nitride, or the like, and is flattened or protected at the same time. Alternatively, an overcoat layer for the purpose of forming a separation membrane may be formed.

【0077】[0077]

【発明の実施の形態】[実施例1]本発明の実施例につい
て説明する。本実施例では直視型の反射型または半透過
型の液晶表示装置の一例で、素子基板作製プロセス中に
用いられるマスク枚数を従来構造よりも減らして、工程
時間短縮とコスト削減をねらった構成について述べる。
なお、液晶表示装置の構成要素のひとつである、素子基
板についての詳細は、特願平11−191093号公報
に記載された方法に従えばよい。まず素子基板の構造に
ついて、図4(a)〜(b)、および図6を用いて、簡
単に説明する。
[Embodiment 1] An embodiment of the present invention will be described. This embodiment is an example of a direct-view type reflective or transflective type liquid crystal display device, in which the number of masks used during an element substrate manufacturing process is reduced as compared with the conventional structure to reduce the processing time and cost. State.
Note that the details of the element substrate, which is one of the components of the liquid crystal display device, may follow the method described in Japanese Patent Application No. 11-191093. First, the structure of the element substrate will be briefly described with reference to FIGS. 4A and 4B and FIG.

【0078】基板401の上に、窒化酸化シリコン膜4
02を成膜して、基板401からの不純物拡散を防ぐ目
的の下地膜とした。その上の所望の位置には薄膜トラン
ジスタ(TFT)403が形成されている。TFT40
3は画素領域およびその周辺にある駆動回路領域に存在
し、結晶質シリコンからなる活性層404、導電性物質
からなるゲート配線409、ゲート配線409と活性層
404を絶縁するゲート絶縁膜408からなる。
On the substrate 401, a silicon nitride oxide film 4
02 was formed as a base film for the purpose of preventing impurity diffusion from the substrate 401. A thin film transistor (TFT) 403 is formed at a desired position thereon. TFT40
Reference numeral 3 denotes an active layer 404 made of crystalline silicon, a gate wiring 409 made of a conductive material, and a gate insulating film 408 for insulating the gate wiring 409 and the active layer 404, which are present in a pixel region and a driving circuit region around the pixel region. .

【0079】また、TFT403の活性層404には、
イオンドーピング法を用いることによって、n型または
P型の不純物元素を所望の活性層領域に、かつ所望の濃
度で添加されている。その結果、LDD領域405、ソ
ース領域406、ドレイン領域407、415およびP
チャネル型TFT(図示しない)が形成されている。
The active layer 404 of the TFT 403 has
By using the ion doping method, an n-type or P-type impurity element is added to a desired active layer region at a desired concentration. As a result, the LDD region 405, the source region 406, the drain regions 407,
A channel type TFT (not shown) is formed.

【0080】このうち、ソース領域406、ドレイン領
域の一部407にはそれぞれデータ配線412、画素電
極413がコンタクトホールと通して接続されている。
さらに、ドレイン領域の他の領域415と容量配線41
4との間では、ゲート絶縁膜408を誘電体膜として、
保持容量が形成されている。
The data line 412 and the pixel electrode 413 are connected to the source region 406 and a part 407 of the drain region through contact holes, respectively.
Further, the other region 415 of the drain region and the capacitance wiring 41
4, the gate insulating film 408 is used as a dielectric film,
A storage capacitor is formed.

【0081】TFT403の上には無機材料からなる保
護絶縁膜410、有機膜からなる層間絶縁膜411が形
成されている。
On the TFT 403, a protective insulating film 410 made of an inorganic material and an interlayer insulating film 411 made of an organic film are formed.

【0082】層間絶縁膜411の上には、チタン(T
i)やアルミニウム(Al)合金からなるデータ配線4
12と、酸化インジウム・酸化錫(ITO)からなる画
素電極413がある。なお、データ配線412と画素電
極413とは互いに電気的に接続しない位置に配置され
ている。
On the interlayer insulating film 411, titanium (T
i) or data wiring 4 made of aluminum (Al) alloy
12 and a pixel electrode 413 made of indium oxide / tin oxide (ITO). Note that the data wiring 412 and the pixel electrode 413 are arranged at positions where they are not electrically connected to each other.

【0083】この構成は、比較的少ないマスク枚数で素
子基板を作製することができるように、TFTおよび配
線類の構造を最適化している。事実、この構成による素
子基板はマスク枚数が7枚で作製でき、成膜工程、パタ
ーニング工程、エッチング工程、レジスト剥離工程や、
これに付随して発生する洗浄工程、乾燥工程などを減ら
している。これにより、歩留まりの向上と工程時間の短
縮及びコストの削減などの効果が期待できる。
In this configuration, the structures of the TFTs and wirings are optimized so that the element substrate can be manufactured with a relatively small number of masks. In fact, an element substrate having this configuration can be manufactured with seven masks, and a film forming step, a patterning step, an etching step, a resist peeling step,
A cleaning step, a drying step, and the like that occur accompanying this are reduced. As a result, effects such as an improvement in yield, a reduction in process time, and a reduction in cost can be expected.

【0084】次に、対向基板502を作製する工程につ
いて図5を用いて説明する。この基板は、前述の素子基
板501と対になって液晶表示装置を形成するものであ
る。
Next, a process for manufacturing the counter substrate 502 will be described with reference to FIG. This substrate forms a liquid crystal display device in combination with the element substrate 501 described above.

【0085】図5において、基板503には素子基板作
製プロセスの項で述べた基板401で示したような無ア
ルカリガラスを使用した。
In FIG. 5, an alkali-free glass such as the substrate 401 described in the section of the element substrate manufacturing process was used for the substrate 503.

【0086】基板503の上に反射層504を真空蒸着
法で成膜する。反射層504は主たる反射材料となる銀
を1000Å、銀を保護するSiO2を2500Å積層
した。
[0086] A reflective layer 504 is formed on the substrate 503 by a vacuum evaporation method. The reflective layer 504 was formed by laminating silver as a main reflective material at 1000 ° and SiO 2 for protecting silver at 2500 °.

【0087】ここで銀の蒸着時はシャドウマスクを用
い、表示部に対応する領域に成膜して、位置合わせマー
カー等隠れないようにした。銀の成膜後、SiO2は基
板全領域に成膜して、反射層504を形成した。
At the time of silver deposition, a shadow mask was used to form a film in a region corresponding to the display portion so that a positioning marker and the like were not hidden. After silver deposition, SiO 2 was deposited over the entire substrate to form a reflective layer 504.

【0088】反射層形成後、カラーフィルタ505をス
ピンコート法により塗布する。その後、ホットプレート
にて80℃で5分間の予備硬化を行う。そして、フォト
マスクを用いて、フォトリソグラフィー法に従い、露光
を行う。この処理が終わった基板は、現像液に浸し、揺
動させることによって現像を行う。現像液は水酸化テト
ラメチルアンモニウムの0.2%水溶液を用いる。1分
ほど現像液に浸したら、流水中で洗浄する。
After the formation of the reflection layer, a color filter 505 is applied by spin coating. Thereafter, preliminary curing is performed at 80 ° C. for 5 minutes on a hot plate. Then, exposure is performed using a photomask according to a photolithography method. The substrate on which this processing has been completed is immersed in a developing solution and shaken to perform development. As the developing solution, a 0.2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide is used. After immersion in the developer for about 1 minute, wash in running water.

【0089】なお、カラーフィルタ505は顔料が混入
されているため、流水だけではきれいに顔料がとれない
場合がある。そのため、水を高圧の圧縮空気に乗せて噴
射させることによって洗浄している。
Since the color filter 505 contains a pigment, it may not be possible to remove the pigment with running water alone. Therefore, washing is performed by injecting water onto high-pressure compressed air.

【0090】カラーフィルタ505のパターンがきれい
に形成されていることを確認できたら、クリーンオーブ
ンにて250℃で1時間の本焼成を行う。以上の工程を
赤、青、緑の3種のカラーフィルタについて行う。ま
た、カラーフィルタ505の形成の順序は、どの色から
始めて、どの色で終わっても問題はない。
When it is confirmed that the pattern of the color filter 505 is cleanly formed, the main firing is performed at 250 ° C. for one hour in a clean oven. The above steps are performed for three types of color filters, red, blue, and green. Also, the order of forming the color filters 505 can be any color, starting from any color and ending with any color.

【0091】3色のカラーフィルタが形成された後は、
その上からオーバーコート材506を塗布する。本実施
例では、アクリル系のオーバーコート材を用いた。スピ
ンコートによって基板に塗布し、ホットプレートにて8
0℃で3分間の仮硬化を行う。その後、クリーンオーブ
ンにて220℃で1時間の本焼成を行う。
After the three color filters are formed,
An overcoat material 506 is applied thereon. In this example, an acrylic overcoat material was used. Apply to the substrate by spin coating, 8 on hot plate
Preliminary curing is performed at 0 ° C. for 3 minutes. Thereafter, main firing is performed in a clean oven at 220 ° C. for one hour.

【0092】次に、この基板の上に透明導電膜による共
通電極507を成膜する。共通電極507にはITOを
スパッタ法により1000Å成膜した。成膜後、透過率
の改善のためクリーンオーブンにて250℃ 1時間ベ
ークを行った。
Next, a common electrode 507 made of a transparent conductive film is formed on the substrate. On the common electrode 507, an ITO film was formed to a thickness of 1000 ° by a sputtering method. After film formation, baking was performed at 250 ° C. for 1 hour in a clean oven to improve transmittance.

【0093】本実施例では、カラーフィルタ505とオ
ーバーコート506からなる層がカラーフィルタ層とな
る。
In this embodiment, a layer composed of the color filter 505 and the overcoat 506 is a color filter layer.

【0094】次に、素子基板501と、対向基板502
から、アクティブマトリクス型液晶パネルを作製する工
程について図5を用いて説明する。
Next, the element substrate 501 and the opposing substrate 502
The process of manufacturing an active matrix liquid crystal panel will be described with reference to FIG.

【0095】まず、素子基板501および対向基板50
2に対して配向膜508を形成する。通常液晶表示素子
の配向膜にはポリイミド樹脂またはポリアミック酸系樹
脂を用いるが、本実施例では日産化学製の配向膜SE7
792を用いた。配向膜形成には、オフセット印刷法を
用いた。配向膜508を形成した後は、速やかに80℃
で90秒の仮硬化を行い、さらにクリーンオーブンで2
00℃で90分の本焼成を行った。配向膜508の膜厚
は,本焼成後に500Å程度としている。
First, the element substrate 501 and the counter substrate 50
An alignment film 508 is formed for No. 2. Usually, a polyimide resin or a polyamic acid-based resin is used for the alignment film of the liquid crystal display element. In this embodiment, the alignment film SE7 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. is used.
792 was used. An offset printing method was used for forming the alignment film. After the alignment film 508 is formed,
Pre-curing for 90 seconds in the oven
The main baking was performed at 00 ° C. for 90 minutes. The thickness of the alignment film 508 is about 500 ° after the main firing.

【0096】このような処理が終わった両基板501お
よび502に対してラビング処理を施して液晶分子があ
る一定のプレチルト角を持って配向するようにする。そ
のラビング角度は、後述する液晶物質510がパネル内
に導入されたときに55度のツイストをなすように設定
した。なお、ツイスト角は55度に限ることはなく、5
0〜60度程度に設定して、コントラストの向上を狙っ
てもよい。
A rubbing process is performed on both of the substrates 501 and 502 that have been subjected to such a process so that the liquid crystal molecules are aligned with a certain pretilt angle. The rubbing angle was set so as to form a twist of 55 degrees when a liquid crystal material 510 described later was introduced into the panel. Note that the twist angle is not limited to 55 degrees, but may be 5 degrees.
The angle may be set to about 0 to 60 degrees to improve the contrast.

【0097】ラビングによって発生したゴミやラビング
布の抜け毛を洗浄によって除去したあと、対向基板50
0に対してシール材(図示しない)を塗布する。シール
材の仮硬化はクリーンオーブンにて90℃で30分の条
件で行う。
After removing the dust generated by the rubbing and the loose hair of the rubbing cloth by washing, the counter substrate 50 is removed.
0 is coated with a sealing material (not shown). Temporary curing of the sealing material is performed in a clean oven at 90 ° C. for 30 minutes.

【0098】仮硬化後、さらに球状のスペーサ509を
散布する。本実施例で用いたスペーサ509は、4μm
の直径をもつプラスチック球である。
After the temporary curing, a spherical spacer 509 is further dispersed. The spacer 509 used in this embodiment is 4 μm
Is a plastic sphere with a diameter of

【0099】そして、画素部と駆動回路が形成された素
子基板501と対向基板502とを精度よく貼り合わせ
る。シール材の中には4.2μmの径をもつ円柱状のフ
ィラー(図示しない)が混入されていて、このフィラー
と、スペーサ509によって均一な間隔を持って両基板
501で502が位置の精度よく貼り合わせられる。
Then, the element substrate 501 on which the pixel portion and the driving circuit are formed and the counter substrate 502 are accurately bonded. A columnar filler (not shown) having a diameter of 4.2 μm is mixed in the sealing material. Can be attached.

【0100】精度のよいギャップ制御を達成するため
に、0.3〜0.8kgf/cm2の圧力を、貼りあわ
せた基板の面に対して垂直な方向にかつ、基板全面に均
一に加え、同時にクリーンオーブンにて160℃で12
0分の焼成を行った。
In order to achieve accurate gap control, a pressure of 0.3 to 0.8 kgf / cm 2 is applied uniformly in a direction perpendicular to the surface of the bonded substrates and over the entire surface of the substrates. 12 at 160 ° C in a clean oven
Baking for 0 minutes was performed.

【0101】そして基板が冷却するのを待ってから、所
望のパネルサイズになるように貼りあわせた基板を分断
し、パネルの形にしあげた。
Then, after waiting for the substrate to cool, the bonded substrate was cut into a desired panel size and formed into a panel shape.

【0102】その後、パネルの内部に液晶材料510を
注入した。液晶には屈折率異方性Δnが0.124の材
料中に、カイラル材S−811を混入し、ヘリカルピッ
チ長が60〜80μmになるように調製したものを用い
た。パネル内部全体が液晶510で満たされたことを確
認したら、封止剤(図示しない)によって完全に封止す
る。ここで作製した液晶表示装置の構成仕様を表1に示
す。
Thereafter, a liquid crystal material 510 was injected into the inside of the panel. The liquid crystal was prepared by mixing a chiral material S-811 into a material having a refractive index anisotropy Δn of 0.124 and adjusting the helical pitch length to 60 to 80 μm. After confirming that the entire inside of the panel is filled with the liquid crystal 510, the panel is completely sealed with a sealing agent (not shown). Table 1 shows the structural specifications of the liquid crystal display device manufactured here.

【0103】[0103]

【表1】 [Table 1]

【0104】図7は素子基板700の上面図を示し、画
素部701および駆動回路部702、703、704と
シール材711の位置関係を示す上面図である。画素部
701の周辺に駆動回路として走査信号駆動回路702
と画像信号駆動回路703が設けられている。
FIG. 7 is a top view of the element substrate 700, showing a positional relationship between the pixel portion 701, the driving circuit portions 702, 703, and 704 and the sealing material 711. A scanning signal driving circuit 702 as a driving circuit around the pixel portion 701
And an image signal driving circuit 703.

【0105】さらに、その他CPUやメモリなどの信号
処理回路704も付加されていても良い。これら、画素
部の周辺に設けられる駆動回路はCMOS回路を基本と
して構成されている。そして、これらの駆動回路は接続
配線群705によって外部入出力端子群706と接続さ
れている。画素部701では走査信号駆動回路702か
ら延在するゲート配線群707と画像信号駆動回路70
3から延在するデータ配線群708がマトリクス状に交
差して画素を形成し、各画素にはそれぞれ画素TFT7
09と保持容量710が設けられている。
Further, a signal processing circuit 704 such as a CPU or a memory may be additionally provided. The driving circuits provided around the pixel section are configured based on a CMOS circuit. These drive circuits are connected to an external input / output terminal group 706 by a connection wiring group 705. In the pixel portion 701, the gate wiring group 707 extending from the scanning signal driving circuit 702 and the image signal driving circuit 70
3 form a pixel by intersecting in a matrix form a data line group 708 extending from
09 and a storage capacitor 710 are provided.

【0106】シール剤711は、基板700上の画素部
701および走査信号制御回路702、画像信号制御回
路703、その他の信号処理回路704の外側であっ
て、外部入出力端子706よりも内側に形成する。
The sealant 711 is formed outside the pixel portion 701, the scanning signal control circuit 702, the image signal control circuit 703, and other signal processing circuits 704 on the substrate 700 and inside the external input / output terminal 706. I do.

【0107】また、パネルの外側では、フレキシブルプ
リント配線板(Flexible PprintedCircuit:FPC)
712が外部入力端子706に接続していて画像信号な
どを入力するのに用いる。そして接続配線705でそれ
ぞれの駆動回路に接続している。
On the outside of the panel, a flexible printed circuit (FPC) is used.
Reference numeral 712 is connected to the external input terminal 706 and used to input an image signal or the like. The connection wiring 705 is connected to each drive circuit.

【0108】外部入出力端子706はデータ配線708
またはドレイン配線713と同じ構成で導電性金属膜か
ら形成される。FPC712はポリイミドなどの有機樹
脂フィルムに銅配線が形成されている構造であり、異方
性導電性接着剤で外部入出力端子706と接続する。
The external input / output terminal 706 is connected to the data line 708
Alternatively, it is formed of a conductive metal film in the same configuration as the drain wiring 713. The FPC 712 has a structure in which copper wiring is formed on an organic resin film such as polyimide, and is connected to the external input / output terminal 706 with an anisotropic conductive adhesive.

【0109】異方性導電性接着剤は接着剤と、その中に
混入され金などがメッキされた数十〜数百μm径の導電
性表面を有する粒子により構成され、この粒子が外部入
出力端子706と銅配線とに接触することによりこの部
分で電気的な接触が形成される。
The anisotropic conductive adhesive is composed of an adhesive and particles having a conductive surface with a diameter of several tens to several hundreds μm mixed with the adhesive and plated with gold or the like. By contacting the terminal 706 and the copper wiring, an electrical contact is formed at this portion.

【0110】FPC712は基板700との接着強度を
高めるために、外部入出力端子706の外側にはみだし
て接着されると共に、端部には樹脂層が設けられこの部
分における機械的強度を高めている。
The FPC 712 protrudes outside the external input / output terminal 706 and is bonded to the substrate 700 in order to increase the bonding strength with the substrate 700, and a resin layer is provided at the end to increase the mechanical strength in this portion. .

【0111】次に、パネルの表示観察面、すなわちここ
では素子基板の素子形成面の裏面に形成する偏光機能や
視野角改善機能を備えた光学フィルム類の配置方法につ
いて図5を用いて説明する。
Next, a method of arranging optical films having a polarizing function and a viewing angle improving function formed on the display observation surface of the panel, that is, the back surface of the element forming surface of the element substrate in this case, will be described with reference to FIG. .

【0112】まず、パネルの表示面側に前方散乱板51
1を貼付する。この前方散乱板511はヘイズ値が50
〜75%のものを使用すれば良好な光学特性が得られ
た。
First, a forward scattering plate 51 is provided on the display surface side of the panel.
Attach 1. This forward scattering plate 511 has a haze value of 50.
Good optical characteristics were obtained by using those having a content of ~ 75%.

【0113】偏光板512は白レベルでの反射率をかせ
ぐために、高透過高偏光タイプのものを用いる。本実施
例で用いたものは、単体透過率44%、偏光度99.9
5%のものである。
As the polarizing plate 512, a high-transmission high-polarization type is used in order to increase the reflectance at the white level. The one used in this example has a single transmittance of 44% and a polarization degree of 99.9.
5%.

【0114】さらに液晶表示装置の表示状況に応じて
は、偏光板512における外光の映り込みを抑える役目
を有する処理、たとえばアンチリフレクタ処理またはア
ンチグレア処理を偏光板512に対して行ってもよい。
Further, depending on the display condition of the liquid crystal display device, a process having a function of suppressing reflection of external light on the polarizing plate 512, for example, an anti-reflector process or an anti-glare process may be performed on the polarizing plate 512.

【0115】以上のようなプロセスにより、反射型の液
晶表示装置を作製することができる。
Through the above process, a reflection type liquid crystal display device can be manufactured.

【0116】本実施例では、図8(A)に示すように、
対向基板の反射層の表面を平坦な状態にして、いわゆる
鏡面性の反射層801を形成し、その上にカラーフィル
タ802、オーバーコート803および共通電極804
を形成した構造のものが述べられているが、この方式に
限ることなく図8(B)に示すように、反射層の表面に
散乱性および指向性をもたせたテクスチャ形状805を
有する構造にしてもよい。この場合は、パネルの表示面
側に配置される光学フィルムのうち、前方散乱板が不要
になる。
In this embodiment, as shown in FIG.
The surface of the reflection layer of the counter substrate is made flat to form a so-called specular reflection layer 801, on which a color filter 802, an overcoat 803, and a common electrode 804 are formed.
However, the structure having the texture shape 805 having scattering and directivity on the surface of the reflective layer is not limited to this method, as shown in FIG. 8B. Is also good. In this case, among the optical films disposed on the display surface side of the panel, the forward scattering plate is not required.

【0117】あるいは図8(C)に示すように、銀、銀
合金、アルミニウム、アルミニウム合金、誘電体多層膜
または、これらの組み合わせからなる導電性の金属膜8
06の上に、回折格子の構造を基本とするホログラム8
07を形成して、ホログラム構造により選択的に特定の
波長の光を反射させるような構造にしてもよい
Alternatively, as shown in FIG. 8C, a conductive metal film 8 made of silver, a silver alloy, aluminum, an aluminum alloy, a dielectric multilayer film, or a combination thereof.
06, a hologram 8 based on the structure of a diffraction grating
07 may be formed so that the hologram structure selectively reflects light of a specific wavelength.

【0118】または、基板800の上に形成する反射層
801の代わりに、反射特性と透過特性を併せ持つよう
な層、たとえばハーフミラ−や半透過特性を有する誘電
体多層膜808を形成すると、反射モードおよび透過モ
ードのいずれにも使える、いわゆる半透過型の液晶表示
装置にも応用できる。
Alternatively, instead of the reflective layer 801 formed on the substrate 800, a layer having both reflective and transmissive properties, for example, a dielectric multilayer film 808 having a half mirror or semi-transmissive property is formed. The present invention can also be applied to a so-called semi-transmissive liquid crystal display device that can be used in any of the transmission modes.

【0119】より高いコントラストが確保できる液晶仕
様を有する実施例を次に述べる。
An embodiment having a liquid crystal specification capable of ensuring a higher contrast will be described below.

【0120】[実施例2]素子基板および対向基板の作製
に関しては実施例1に準じる。
Example 2 The production of the element substrate and the counter substrate is in accordance with Example 1.

【0121】図10において、素子基板1001と、対
向基板1002から、アクティブマトリクス型液晶パネ
ルを作製する工程を説明する。
Referring to FIG. 10, a process for manufacturing an active matrix liquid crystal panel from the element substrate 1001 and the counter substrate 1002 will be described.

【0122】まず、素子基板1001および対向基板1
002に対して配向膜1003を形成する。通常液晶表
示素子の配向膜にはポリイミド樹脂またはポリアミック
酸系樹脂を用いるが、本実施例では日産化学製の配向膜
SE7792を用いた。配向膜形成には、オフセット印
刷法を用いた。配向膜1003を形成した後は、速やか
に80℃で90秒の仮硬化を行い、さらにクリーンオー
ブンで200℃で90分の本焼成を行った。配向膜10
03の膜厚は,本焼成後に500Å程度としている。
First, the element substrate 1001 and the opposing substrate 1
002 is formed. Usually, a polyimide resin or a polyamic acid-based resin is used for the alignment film of the liquid crystal display element. In this embodiment, an alignment film SE7792 manufactured by Nissan Chemical Industries is used. An offset printing method was used for forming the alignment film. After forming the alignment film 1003, temporary curing was immediately performed at 80 ° C. for 90 seconds, and further, main firing was performed at 200 ° C. for 90 minutes in a clean oven. Alignment film 10
The film thickness of 03 is about 500 ° after the main firing.

【0123】このような処理が終わった両基板1001
および1002に対してラビング処理を施して液晶分子
がある一定のプレチルト角を持って配向するようにす
る。そのラビング角度は、後述する液晶物質1005が
パネル内に導入されたときに90度のツイストをなすよ
うに設定した。なお、ツイスト角は90度に限ることは
なく、75〜90度程度に設定して、白レベルにおける
反射率の向上を狙ってもよい。
Both substrates 1001 that have been subjected to such processing
And 1002 are subjected to a rubbing treatment so that the liquid crystal molecules are aligned with a certain pretilt angle. The rubbing angle was set so as to form a 90-degree twist when a liquid crystal material 1005 described later was introduced into the panel. The twist angle is not limited to 90 degrees, but may be set to about 75 to 90 degrees to improve the reflectance at the white level.

【0124】ラビングによって発生したゴミやラビング
布の抜け毛を洗浄によって除去したあと、対向基板10
02に対してシール材(図示しない)を塗布する。シー
ル材の仮硬化はクリーンオーブンにて90℃で30分の
条件で行う。
After removing the dust generated by the rubbing and the loose hair of the rubbing cloth by washing, the counter substrate 10 is removed.
02 is coated with a sealing material (not shown). Temporary curing of the sealing material is performed in a clean oven at 90 ° C. for 30 minutes.

【0125】仮硬化後、さらに球状のスペーサ1004
を散布する。本実施例で用いたスペーサ1004は、
2.5μmの直径をもつプラスチック球である。
After the temporary curing, the spherical spacer 1004
Spray. The spacer 1004 used in this embodiment is
Plastic sphere with a diameter of 2.5 μm.

【0126】そして、画素部と駆動回路が形成された素
子基板1001と対向基板1002とを精度よく貼り合
わせる。シール材の中には2.7μmの径をもつ円柱状
のフィラー(図示しない)が混入されていて、このフィ
ラーと、スペーサ1004によって均一な間隔を持って
両基板1001および1002が位置の精度よく貼り合
わせられる。
Then, the element substrate 1001 on which the pixel portion and the driver circuit are formed and the counter substrate 1002 are accurately bonded. A columnar filler (not shown) having a diameter of 2.7 μm is mixed in the sealing material, and the two substrates 1001 and 1002 are accurately positioned with a uniform interval by the filler and the spacer 1004. Can be attached.

【0127】精度のよいギャップ制御を達成するため
に、0.3〜0.8kgf/cm2の圧力を、貼りあわ
せた基板の面に対して垂直な方向にかつ、基板全面に均
一に加え、同時にクリーンオーブンにて160℃で12
0分の焼成を行った。
In order to achieve accurate gap control, a pressure of 0.3 to 0.8 kgf / cm 2 is applied uniformly in a direction perpendicular to the surface of the bonded substrates and over the entire surface of the substrates. 12 at 160 ° C in a clean oven
Baking for 0 minutes was performed.

【0128】そして基板が冷却するのを待ってから、所
望のパネルサイズになるように貼りあわせた基板を分断
し、パネルの形にしあげた。
Then, after waiting for the substrate to cool, the bonded substrate was cut into a desired panel size to form a panel.

【0129】その後、パネルの内部に液晶材料1005
を注入した。液晶材料にはメルク社製のZLI4792
に、同社のカイラル材S−811を混入し、ヘリカルピ
ッチ長が60〜80μmになるように調製したものを用
いた。パネル内部全体が液晶1005で満たされたこと
を確認したら、封止剤(図示しない)によって完全に封
止する。
Thereafter, a liquid crystal material 1005 is provided inside the panel.
Was injected. The liquid crystal material is ZLI4792 manufactured by Merck.
And a mixture prepared by mixing the company's chiral material S-811 and adjusting the helical pitch length to 60 to 80 µm. After confirming that the entire inside of the panel is filled with the liquid crystal 1005, the panel is completely sealed with a sealing agent (not shown).

【0130】ここで作製した液晶表示装置の構成仕様を
表2に示す。
Table 2 shows the structural specifications of the liquid crystal display device manufactured here.

【0131】[0131]

【表2】 [Table 2]

【0132】次に、パネルの表示観察面、すなわちここ
では素子基板の素子形成面の裏面に形成する偏光機能や
視野角改善機能を備えた光学フィルム類の配置方法につ
いて図10を用いて説明する。
Next, a method of arranging optical films having a polarizing function and a viewing angle improving function formed on the display observation surface of the panel, that is, the back surface of the element forming surface of the element substrate in this case, will be described with reference to FIG. .

【0133】まず、図10に示すように、パネルの表示
面側に前方散乱板1006を貼付する。この前方散乱板
1006はヘイズ値が50〜75%のものを使用すれば
良好な光学特性が得られた。
First, as shown in FIG. 10, a forward scattering plate 1006 is attached to the display surface side of the panel. If the haze value of this forward scattering plate 1006 is 50-75%, good optical characteristics can be obtained.

【0134】この上に偏光板1008とλ/4板100
7を貼付する。ここで、偏光板1008とλ/4板10
07のそれぞれの光学軸については、λ/4板1007
の遅相軸と、偏光板1008の偏光軸が互いに45度の
角度をなすように配置する。ここでλ/4板1007は
可視光波長で使用可能な広帯域のフィルムを使用した。
The polarizing plate 1008 and the λ / 4 plate 100
7 is attached. Here, the polarizing plate 1008 and the λ / 4 plate 10
07, the λ / 4 plate 1007
And the polarizing axis of the polarizing plate 1008 are arranged so as to form an angle of 45 degrees with each other. Here, the λ / 4 plate 1007 used a broadband film usable at a visible light wavelength.

【0135】広帯域λ/4板1007は、ポリカーボネ
イト系材質の標準λ/4板と標準λ/2板とを組み合わ
せて作製してもよいし、市販の広帯域λ/4板を用いて
もよい。但し、良好な黒を実現する為には、380−8
00nmの波長領域において、各波長に対して、4/2
0〜6/20の複屈折位相差をもつように、広帯域性を
持たせるのがよい。
The broadband λ / 4 plate 1007 may be manufactured by combining a standard λ / 4 plate and a standard λ / 2 plate made of a polycarbonate-based material, or a commercially available wideband λ / 4 plate may be used. However, in order to realize good black, 380-8
In the wavelength region of 00 nm, 4/2
It is preferable to have a broadband property so as to have a birefringence phase difference of 0 to 6/20.

【0136】偏光板1008は白レベルでの反射率をか
せぐために、高透過高偏光タイプのものを用いる。本実
施例で用いたものは、単体透過率44%、偏光度99.
95%のものである。
As the polarizing plate 1008, a high-transmission high-polarization type is used in order to increase the reflectance at the white level. The one used in this example had a single transmittance of 44% and a degree of polarization of 99.
95%.

【0137】また、図10において、偏光板1008お
よびλ/4板1007の光学軸の方向も重要であり、そ
れは、液晶1005のツイスト角と密接な関係がある。
たとえば、ツイスト角を90度に設定した場合は、偏光
板1008の偏光軸を、素子基板1002に対して施さ
れたラビング方向に対して90度の角度をなすように、
貼付すればよい。
In FIG. 10, the directions of the optical axes of the polarizing plate 1008 and the λ / 4 plate 1007 are also important, and have a close relationship with the twist angle of the liquid crystal 1005.
For example, when the twist angle is set to 90 degrees, the polarization axis of the polarizing plate 1008 forms an angle of 90 degrees with the rubbing direction applied to the element substrate 1002.
It should just be stuck.

【0138】さらに液晶表示装置の表示状況に応じて
は、偏光板1008における外光の映り込みを抑える役
目を有する処理、たとえばアンチリフレクタ処理または
アンチグレア処理を偏光板1008に対して行ってもよ
い。
Further, depending on the display condition of the liquid crystal display device, a process having a function of suppressing reflection of external light on the polarizing plate 1008, for example, an anti-reflector process or an anti-glare process may be performed on the polarizing plate 1008.

【0139】以上のようなプロセスにより、反射型の液
晶表示装置を作製することができる。
Through the above process, a reflection type liquid crystal display device can be manufactured.

【0140】上記のような光学フィルムの構成にするこ
とは、次のメリットを有する。図11(A)〜(C)に
示すように、液晶表示装置へと入射した外光は、偏光板
1101およびλ/4板1102によって円偏光に変換
されてパネルへと導入されるが、その円偏光のうち、素
子基板1103の基板の裏面(表示面側)や、素子基板
1103中にある反射性を有する膜などにおいて反射し
てきた光、すなわち液晶層を通過せずに戻ってきた光
は、λ/4板1102によって、偏光板1101の偏光
軸とは垂直な偏光に再変換される。このため、このよう
な光は偏光板1101に吸収されて、観察者の目には入
ってこない。
The construction of the optical film as described above has the following merits. As shown in FIGS. 11A to 11C, external light incident on the liquid crystal display device is converted into circularly polarized light by the polarizing plate 1101 and the λ / 4 plate 1102 and introduced into the panel. Of the circularly polarized light, light reflected on the back surface (display surface side) of the substrate of the element substrate 1103 or a reflective film in the element substrate 1103, that is, light returned without passing through the liquid crystal layer is , Λ / 4 plate 1102 reconverts the light into polarized light perpendicular to the polarization axis of the polarizing plate 1101. Therefore, such light is absorbed by the polarizing plate 1101 and does not enter the eyes of the observer.

【0141】一方、図12(A)〜(C)に示すとお
り、液晶層1203を通過して、偏光状態が変化した光
は、その変化状態に応じて偏光板1201を通過するよ
うになり、観察者の目に入ることになる。つまり、不必
要な光は偏光板1101、1201によって吸収され、
必要な光のみが透過するので、コントラストの向上につ
ながることになる。
On the other hand, as shown in FIGS. 12A to 12C, the light whose polarization state has changed after passing through the liquid crystal layer 1203 passes through the polarizing plate 1201 according to the change state. It will be in the observer's eyes. That is, unnecessary light is absorbed by the polarizing plates 1101 and 1201,
Since only necessary light is transmitted, the contrast is improved.

【0142】素子基板1103中にある反射性を有する
膜は、見方を変えれば、BMとなる。なぜなら、前述し
たように、素子基板1103中にある反射性を有する膜
などにおいて反射してきた光は、結局観察者の目には入
らないからである。
The film having reflectivity in the element substrate 1103 becomes BM from a different viewpoint. This is because, as described above, light reflected by a reflective film or the like in the element substrate 1103 does not eventually enter the eyes of the observer.

【0143】遮光性を示す膜がBMの役目を兼ねるから
には、液晶表示装置を駆動したときに各画素の辺縁部な
どに発生する液晶の配向乱れに起因する光漏れ、いわゆ
るディスクリネーションを隠すように配置するべきであ
る。また、開口率をできるだけ確保するためには、遮光
性を示す膜の面積の占める割合ができるだけ小さいこと
が望ましい。
Since the light-shielding film also functions as a BM, it hides light leakage, that is, so-called disclination, which is caused by disturbance of the alignment of the liquid crystal at the periphery of each pixel when the liquid crystal display device is driven. Should be arranged as follows. In order to secure the aperture ratio as much as possible, it is desirable that the area occupied by the light-shielding film is as small as possible.

【0144】実施例1(図4と図5)または、本実施例
(図10)において、素子基板501、1001の画素
領域において、遮光性を示す主な膜は、薄膜トランジス
タを形成する活性層404、ゲート線(ゲート電極)4
09、データ線412および容量配線414である。
In the first embodiment (FIGS. 4 and 5) or the present embodiment (FIG. 10), in the pixel regions of the element substrates 501 and 1001, the main film exhibiting the light shielding property is the active layer 404 for forming the thin film transistor. , Gate line (gate electrode) 4
09, a data line 412, and a capacitor wiring 414.

【0145】このうち、まず容量配線414について述
べる。本実施例における保持容量は、容量配線414と
TFTのドレイン領域415とを容量の両電極とし、ゲ
ート絶縁膜408の一部を電極間の誘電体膜として構成
されている。
First, the capacitance wiring 414 will be described. The storage capacitor in this embodiment is configured such that the capacitor wiring 414 and the drain region 415 of the TFT are both electrodes of the capacitor, and a part of the gate insulating film 408 is a dielectric film between the electrodes.

【0146】保持容量の誘電体膜は、ゲート絶縁膜40
8と同一の材質であり、SiO2またはSiONなどで
ある。SiO2またはSiONなどを誘電体膜として保
持容量を形成するときは、これらの比誘電率は3.8程
度であるため、誘電体膜厚750Åとすると、単位面積
あたりの電気容量は0.75fF/μm2程度となる。
一方、各画素において、それらの画素に必要とされる電
気容量は(0.06〜0.07[fF/μm2])×(画
素面積[μm2])[fF]以上である。
The dielectric film of the storage capacitor is the gate insulating film 40.
The same material as that of No. 8 is used, such as SiO2 or SiON. When a storage capacitor is formed using SiO2, SiON, or the like as a dielectric film, the relative dielectric constant of the dielectric film is about 3.8. Therefore, when the dielectric film thickness is 750 °, the electric capacitance per unit area is 0.75 fF / It is about μm 2 .
On the other hand, in each pixel, the electric capacitance required for those pixels is (0.06 to 0.07 [fF / μm 2 ]) × (pixel area [μm 2 ]) [fF] or more.

【0147】つまり本実施例のように、SiO2または
SiONを誘電体とする場合、画素電極413による開
口部の全面積の10%前後を容量配線414で占められ
る必要があり、結果として画素電極413の開口率を落
とす原因にもなりうる。
That is, when SiO 2 or SiON is used as the dielectric as in the present embodiment, the capacitance wiring 414 needs to occupy about 10% of the entire area of the opening formed by the pixel electrode 413. Can also cause a decrease in the aperture ratio.

【0148】より高い開口率を達成するための改善策に
ついては、実施例3にて述べる。
An improvement measure for achieving a higher aperture ratio will be described in a third embodiment.

【0149】[実施例3]本実施例では直視型の反射型ま
たは半透過型の液晶表示装置のもう一つの例において、
実施例1および実施例2の構成よりもさらに高開口率化
を目指すことのできる構成について述べる。
[Embodiment 3] In this embodiment, in another example of a direct-view type reflective or transflective liquid crystal display device,
A configuration that can achieve a higher aperture ratio than the configurations of the first and second embodiments will be described.

【0150】なお、液晶表示装置の構成要素のひとつで
ある、素子基板についての詳細は、特願平11−053
424(半導体エネルギー研究所)に記載された方法に
従えばよい。
The details of the element substrate, which is one of the components of the liquid crystal display device, are described in Japanese Patent Application No. 11-053.
424 (Semiconductor Energy Laboratory).

【0151】まず素子基板の構造について、図13
(a)、(b)を用いて、簡単に説明する。
First, the structure of the element substrate will be described with reference to FIG.
A brief description will be given using (a) and (b).

【0152】基板1301の上に、窒化酸化シリコン膜
1302を成膜して、基板1301からの不純物拡散を
防ぐ目的の下地膜とした。その上の所望の位置には薄膜
トランジスタ(TFT)1303が形成されている。
[0152] A silicon nitride oxide film 1302 was formed over the substrate 1301 to serve as a base film for preventing impurity diffusion from the substrate 1301. A thin film transistor (TFT) 1303 is formed at a desired position thereon.

【0153】TFT1303は画素領域およびその周辺
にある駆動回路領域に存在し、結晶質シリコンからなる
活性層1304、導電性物質からなるゲート配線130
9、ゲート配線1309と活性層1304を絶縁するゲ
ート絶縁膜1308からなる。
The TFT 1303 exists in the pixel region and the driving circuit region around the pixel region, and includes an active layer 1304 made of crystalline silicon and a gate wiring 130 made of a conductive material.
9, a gate insulating film 1308 that insulates the gate wiring 1309 from the active layer 1304.

【0154】また、TFT1303の活性層1304に
は、イオンドーピング法を用いることによって、n型ま
たはP型の不純物元素を所望の活性層領域に、かつ所望
の濃度で添加されている。その結果、LDD領域130
5、ソース領域1306、ドレイン領域1307および
Pチャネル型TFT(図示しない)が形成されている。
このうち、ソース領域1306、ドレイン領域1307
にはそれぞれデータ配線1312、ドレイン配線131
3がコンタクトホールと通して接続されている。
In the active layer 1304 of the TFT 1303, an n-type or P-type impurity element is added to a desired active layer region at a desired concentration by using an ion doping method. As a result, the LDD region 130
5, a source region 1306, a drain region 1307, and a P-channel TFT (not shown) are formed.
Among them, the source region 1306 and the drain region 1307
Are the data wiring 1312 and the drain wiring 131, respectively.
3 is connected through a contact hole.

【0155】TFT1303の上には無機材料からなる
保護絶縁膜1310、第一の層間絶縁膜1311が形成
されている。
On the TFT 1303, a protective insulating film 1310 made of an inorganic material and a first interlayer insulating film 1311 are formed.

【0156】データ配線1312、ドレイン配線131
3、および第一の層間絶縁膜1311の上には、第二の
層間絶縁膜1314が形成されている。この上におい
て、画素マトリクス回路となる領域に、アルミニウムか
らなる容量配線1315が形成されている。この容量配
線1315は陽極酸化されていて、そのために表面に酸
化アルミニウムからなる酸化膜1316が形成されてい
る。酸化膜1316の膜厚は50nm程度である。
Data wiring 1312, drain wiring 131
3 and a second interlayer insulating film 1314 is formed on the first interlayer insulating film 1311. On this, a capacitor wiring 1315 made of aluminum is formed in a region to be a pixel matrix circuit. This capacitance wiring 1315 is anodized, and an oxide film 1316 made of aluminum oxide is formed on the surface thereof. The thickness of the oxide film 1316 is about 50 nm.

【0157】この上には画素電極1317が形成されて
いる。画素電極1317は酸化インジウム・酸化錫(I
TO)からなり、コンタクトホールを通じてドレイン配
線1313と接続されていて、データ配線1312、ゲ
ート配線1309、容量配線1315とは部分的にオー
バーラップしている。特に容量配線1315とは、酸化
膜1316を誘電体膜として、保持容量を形成してい
る。
On this, a pixel electrode 1317 is formed. The pixel electrode 1317 is made of indium oxide / tin oxide (I
TO), is connected to the drain wiring 1313 through the contact hole, and partially overlaps with the data wiring 1312, the gate wiring 1309, and the capacitor wiring 1315. In particular, the capacitor wiring 1315 forms a storage capacitor using the oxide film 1316 as a dielectric film.

【0158】対向基板1402の構造、工程、および素
子基板1401と対向基板1402から液晶表示装置を
作製する工程については、実施例1または実施例2に述
べた事柄と同様な方法である。このようにして図14に
示すような液晶表示装置を作製することができる。
The structure and steps of the counter substrate 1402 and the steps of manufacturing a liquid crystal display device from the element substrate 1401 and the counter substrate 1402 are the same as those described in Embodiment 1 or 2. Thus, a liquid crystal display device as shown in FIG. 14 can be manufactured.

【0159】また、図15に示すように反射膜をテクス
チャ構造1501にして、散乱性を実現してもよい。こ
の場合前方散乱板が不用となる。
Further, as shown in FIG. 15, the reflecting film may have a texture structure 1501 to realize scattering. In this case, the forward scattering plate becomes unnecessary.

【0160】図20に本実施例で述べた液晶表示装置の
意義を、断面図を用いて示している。
FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating the significance of the liquid crystal display device described in this embodiment.

【0161】光源2001より液晶表示装置2000に
導入される外光2002は、偏光板2003、λ/4板
2004、および前方散乱板2005を通して、素子基
板2006に至る。
External light 2002 introduced from the light source 2001 into the liquid crystal display device 2000 reaches the element substrate 2006 through the polarizing plate 2003, the λ / 4 plate 2004, and the forward scattering plate 2005.

【0162】入射光2002の一部(図示しない)は、
素子基板2006の表面(前方散乱板2005と素子基
板2006の界面)で反射され、また一部2002aは
素子基板にある反射性を有する膜の表面で反射される。
このような光2002aは、その偏光状態になんら変調
を受けていないので、帰路のλ/4板2004と偏光板
2003の作用により、ここで吸収され、観察者の目2
010には入ってこない。つまり、素子基板にある反射
性を有する膜はすべて、換言するとBMである。
A part (not shown) of the incident light 2002 is
The light is reflected on the surface of the element substrate 2006 (the interface between the forward scattering plate 2005 and the element substrate 2006), and a part 2002a is reflected on the surface of the reflective film on the element substrate.
Such light 2002a is not modulated in its polarization state at all, and is absorbed here by the action of the λ / 4 plate 2004 and the polarizing plate 2003 on the return path, so that the observer's eyes 2a
It does not enter 010. That is, all the reflective films on the element substrate are BM in other words.

【0163】その他の大部分の光2002bは、素子基
板通過後、液晶層2007、カラーフィルタ層2008
を透過し、反射層2009で反射される。そのあと光2
002bは、入射とは逆の経路をたどることになる。こ
のような光2002bのうち、液晶によってその偏光状
態に何らかの変調を受けたものは、その受け方に応じ
て、液晶表示装置2000を出る直前の偏光板2001
の透過軸と平行な偏光成分が残ることになり、その偏光
成分が偏光板を通過してはじめて観察者の目2010に
入ることになる。一方液晶を通過してもその偏光状態に
何ら変調を受けなかった光は丁度、光2002aと同じ
運命をたどり、観察者の目2010には入らない。
Most of the other light 2002b passes through the liquid crystal layer 2007 and the color filter layer 2008 after passing through the element substrate.
And reflected by the reflective layer 2009. Then light 2
002b follows the reverse path to the incidence. Of such light 2002b, the light whose polarization state has been modulated by the liquid crystal in some way depends on the way of receiving the light.
The polarized light component parallel to the transmission axis of the polarized light remains, and the polarized light component enters the observer's eye 2010 only after passing through the polarizing plate. On the other hand, light that has not undergone any modulation in its polarization state even after passing through the liquid crystal follows exactly the same fate as the light 2002a and does not enter the observer's eye 2010.

【0164】このように、液晶表示装置2000に導入
された光2002のうち、表示には関係しない不必要な
光2002aを遮断し、一方、表示に関与する光200
2bに対しては、液晶の変調作用により選択的に液晶表
示装置外へと出力することで、コントラストの高い表示
を得ることができる。
As described above, of the light 2002 introduced into the liquid crystal display device 2000, unnecessary light 2002a not related to display is cut off, while light 200 related to display is cut off.
For 2b, a high contrast display can be obtained by selectively outputting to the outside of the liquid crystal display device by the modulation action of the liquid crystal.

【0165】ところで、実施例1および実施例2におい
て低開口率になる要因は、容量配線面積の、画素電極面
積に占める割合が大きくせざるを得ないことにあること
は前述した。
As described above, the reason why the aperture ratio is reduced in the first and second embodiments is that the ratio of the area of the capacitor wiring to the area of the pixel electrode must be increased.

【0166】そこで本実施例では、図13〜15に示す
ように、アルミニウムからなる容量電極1315を第二
の層間絶縁膜1314の上に形成し、この表面を陽極酸
化することによって、酸化アルミニウムからなる絶縁膜
1316を得て、この上に直接画素電極1317を形成
する。このような構造にすることで容量配線1315と
画素電極1317をその容量の両電極とし、その間に形
成される絶縁膜1316を誘電体膜とする保持容量が形
成される。
Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 13 to 15, a capacitor electrode 1315 made of aluminum is formed on the second interlayer insulating film 1314, and this surface is anodized to convert the aluminum oxide from aluminum oxide. A pixel electrode 1317 is formed directly on the insulating film 1316. With such a structure, a storage capacitor is formed in which the capacitor wiring 1315 and the pixel electrode 1317 serve as both electrodes of the capacitor, and the insulating film 1316 formed therebetween is a dielectric film.

【0167】酸化アルミニウムの比誘電率は8と大きい
うえに、その膜厚を500Åにすることができるため、
従来の保持容量の4〜5倍もの大きな容量を形成でき
る。
Since the relative dielectric constant of aluminum oxide is as large as 8 and its film thickness can be made 500 °,
A capacity as large as 4 to 5 times the conventional storage capacity can be formed.

【0168】つまり、必要とする保持容量が実施例1お
よび実施例2のものと本実施例に採用している構造のも
のとで同じ場合、本願の実施例に採用している構造のも
のにおいては、その容量配線1315の面積を数分の1
以下と小さくすることができ、高開口率化に有効であ
る。
In other words, when the required storage capacity is the same in the first and second embodiments and that of the structure employed in this embodiment, in the case of the structure employed in the embodiment of the present invention, Reduces the area of the capacitor wiring 1315 by a fraction.
This can be reduced to the following, which is effective for increasing the aperture ratio.

【0169】さらには、ゲート線1309およびデータ
線1312の構造および容量配線1315の配置は、パ
ネルの画素サイズに従って次のように使い分ければよ
い。
Furthermore, the structure of the gate line 1309 and the data line 1312 and the arrangement of the capacitor wiring 1315 may be properly used as follows according to the pixel size of the panel.

【0170】図16(A)に示すように、画素サイズが
50μm×150μm程度かそれよりも大きい場合は、
ゲート線1601およびデータ線1602をそれぞれ各
画素電極1603の辺縁部に対応する領域に配置し、か
つゲート線1601またはデータ線1602のどちらか
一方の幅を3〜6μm程度に太くすることで、液晶表示
装置を駆動したときに現れる液晶の配向乱れに起因する
光漏れ(ディスクリネーション)の大部分を隠すように
する、いわゆるブラックマトリクスの役割を兼ねるよう
にするとよい。
As shown in FIG. 16A, when the pixel size is about 50 μm × 150 μm or larger,
By arranging the gate line 1601 and the data line 1602 in the region corresponding to the edge of each pixel electrode 1603, and increasing the width of either the gate line 1601 or the data line 1602 to about 3 to 6 μm, The liquid crystal display device may also serve as a so-called black matrix that hides most of the light leakage (disclination) due to the disorder in the alignment of the liquid crystal that appears when the liquid crystal display device is driven.

【0171】容量配線1604は、ゲート線1601ま
たはデータ線1602のどちらか一方にオーバーラップ
するように配置し、かつ、各画素領域内において、ゲー
ト線1601またはデータ線1602を太くすることで
は隠しきれない部分にディスクリネーションが存在する
なら、その部分に優先的に配置すればよい。
The capacitor wiring 1604 is arranged so as to overlap either the gate line 1601 or the data line 1602, and is hidden by making the gate line 1601 or the data line 1602 thicker in each pixel region. If a disclination exists in a portion where no disclination exists, the portion may be preferentially arranged in that portion.

【0172】他方、図16(B)に示すように、画素サ
イズが50μm×150μm程度よりも小さい場合は、
ゲート線1605およびデータ線1606をそれぞれ各
画素電極1607の辺縁部に対応する領域に配置し、か
つ両配線の幅を2μm以下と細くし、開口率をかせぐの
がよい。容量配線1608は、ゲート線1605または
データ線1606の両方にオーバーラップするように配
置して、ここで必要な保持容量をかせぎ、さらには各画
素電極1607の辺縁部にもかかるように配置する(す
なわち、ほとんど容量配線1608のみでディスクリネ
ーションを隠す)のがよい。
On the other hand, as shown in FIG. 16B, when the pixel size is smaller than about 50 μm × 150 μm,
The gate line 1605 and the data line 1606 are preferably arranged in regions corresponding to the edge of each pixel electrode 1607, and the width of both wirings is preferably reduced to 2 μm or less to increase the aperture ratio. The capacitor wiring 1608 is disposed so as to overlap with both the gate line 1605 and the data line 1606, so that a necessary storage capacitor is used here, and furthermore, the capacitor wiring 1608 is also disposed so as to cover the periphery of each pixel electrode 1607. (That is, the disclination is almost hidden only by the capacitance wiring 1608).

【0173】[実施例4]本実施例は投射形仕様の反射型
液晶表示装置について、図17を用いて述べる。
[Embodiment 4] In this embodiment, a reflection type liquid crystal display device of a projection type will be described with reference to FIG.

【0174】なお、液晶表示装置の構成要素のひとつで
ある、素子基板についての詳細のほとんどは、実施例1
〜実施例3に記載された方法に準じる。
Most of the details of the element substrate, which is one of the components of the liquid crystal display device, are described in Example 1.
-According to the method described in Example 3.

【0175】ただし、実施例1〜実施例3に示された素
子基板構造と異なる点は、図17に示したように、TF
T素子にオーバーラップして、金属膜よりなるライトシ
ールド1701が存在することである。
However, the difference from the element substrate structures shown in Examples 1 to 3 is that, as shown in FIG.
That is, a light shield 1701 made of a metal film exists so as to overlap with the T element.

【0176】このライトシールド1701は、投射装置
の光源より液晶表示装置へと導入される光が直接もしく
は間接的にTFT素子1702に照射されるのを防ぐた
めに設けられるものである。これによりTFT1702
の光によるオフ電流の増加を防止し、これを原因とする
表示映像のクロストークや色むら対策としている。
The light shield 1701 is provided to prevent light introduced from the light source of the projection device into the liquid crystal display device from being directly or indirectly applied to the TFT element 1702. Thereby, the TFT 1702
To prevent an increase in off-state current due to light of the light source, and take measures against crosstalk and color unevenness of a displayed image due to the increase.

【0177】次に液晶表示装置のもうひとつの構成要素
である対向基板1703について述べる。本実施例では
主として、反射層1707としてアルミニウム合金と誘
電体多層膜からなるものを使用している。基板としては
無アルカリガラス基板や石英基板を用いる。ここでは、
素子基板1700と同種の材質をもつ無アルカリガラス
基板を用いた。詳細は図9を用いて説明する。
Next, a counter substrate 1703 which is another component of the liquid crystal display device will be described. In the present embodiment, a reflection layer 1707 mainly made of an aluminum alloy and a dielectric multilayer film is used. A non-alkali glass substrate or a quartz substrate is used as the substrate. here,
An alkali-free glass substrate having the same material as the element substrate 1700 was used. Details will be described with reference to FIG.

【0178】図9(A)に示すように、基板901の上
に反射層902としてアルミニウム合金903と誘電体
多層膜904を成膜する。アルミニウム合金903はア
ルミニウム中にチタンを1%含む材料を使用した。誘電
体多層膜904は真空蒸着法により屈折率1.4および
2.1の材料を8層積層し(図は4層までを記載)、反
射率を高めた。当然これらは可視光領域に広帯域の光を
反射するよう膜厚を調整して成膜した。
As shown in FIG. 9A, an aluminum alloy 903 and a dielectric multilayer film 904 are formed as a reflection layer 902 on a substrate 901. As the aluminum alloy 903, a material containing 1% of titanium in aluminum was used. The dielectric multilayer film 904 was formed by laminating eight layers of materials having refractive indices of 1.4 and 2.1 by a vacuum evaporation method (up to four layers are shown in the figure) to increase the reflectance. Naturally, these films were formed by adjusting the film thickness so as to reflect a broadband light in the visible light region.

【0179】反射層形成後、この基板の上に透明導電膜
による共通電極905を成膜する。共通電極905には
ITOをスパッタ法により1000Å成膜した。成膜
後、透過率の改善のためクリーンオーブンにて250℃
1時間ベークを行った。
After forming the reflective layer, a common electrode 905 made of a transparent conductive film is formed on the substrate. An ITO film was formed on the common electrode 905 at a thickness of 1000 ° by a sputtering method. After film formation, 250 ° C in a clean oven to improve transmittance
Baking was performed for 1 hour.

【0180】ここでは誘電体多層膜による高反射率化を
目的としたが、図9(B)のように単層の膜906を用
いて構成してもよいし、さらに図9(C)のように反射
膜をダイクロイックミラー908とし、電気光学装置自
体に色を付けてもよい。この構造をもちいれば周辺光学
系を小型化可能となる。
Although the purpose here is to increase the reflectivity by using a dielectric multilayer film, it may be constituted by using a single-layer film 906 as shown in FIG. As described above, the reflection film may be a dichroic mirror 908, and the electro-optical device itself may be colored. With this structure, the size of the peripheral optical system can be reduced.

【0181】次に、素子基板1700と、対向基板17
03を使用した液晶表示装置の作製工程を、図17を用
いて説明する。
Next, the element substrate 1700 and the opposing substrate 17
A manufacturing process of a liquid crystal display device using No. 03 will be described with reference to FIGS.

【0182】通常液晶表示素子の配向膜1704にはポ
リイミド樹脂またはポリアミック酸系樹脂を用いるが、
本実施例では日産化学製の配向膜SE7792を用い
た。
Usually, a polyimide resin or a polyamic acid-based resin is used for the alignment film 1704 of the liquid crystal display element.
In this example, an alignment film SE7792 manufactured by Nissan Chemical was used.

【0183】配向膜形成はオフセット印刷法を用いた。
配向膜1704を形成した後は、速やかに80℃で90
秒の仮硬化を行い、さらにクリーンオーブンで200℃
で90分の本焼成を行った。本焼成後の配向膜1704
の膜厚は502Å程度である。
For forming the alignment film, an offset printing method was used.
After forming the alignment film 1704, immediately 90 °
Pre-curing for 2 seconds, then 200 ° C in a clean oven
For 90 minutes. Alignment film 1704 after main baking
Is about 502 °.

【0184】このような処理が終わった両基板1700
および1703に対してラビング処理を施して液晶分子
がある一定のプレチルト角を持って配向するようにす
る。そのラビング角度は、後述する液晶物質1706が
パネル内に導入されたときに45度のツイストをなすよ
うに設定した。なお、ツイスト角は45度に限ることは
なく、所望の光学特性が得られるように設定すればよ
い。
Both substrates 1700 that have been subjected to such processing
And 1703 are subjected to a rubbing treatment so that liquid crystal molecules are aligned with a certain pretilt angle. The rubbing angle was set so as to form a 45 degree twist when a liquid crystal substance 1706 described later was introduced into the panel. The twist angle is not limited to 45 degrees and may be set so as to obtain desired optical characteristics.

【0185】ラビングによって発生したゴミやラビング
布の抜け毛を洗浄によって除去したあと、対向基板17
03に対してシール材(図示しない)を塗布する。シー
ル材の仮硬化はクリーンオーブンにて90℃で30分の
条件で行う。
After removing the dust generated by the rubbing and the hair loss of the rubbing cloth by washing, the counter substrate 17 is removed.
03 is coated with a sealing material (not shown). Temporary curing of the sealing material is performed in a clean oven at 90 ° C. for 30 minutes.

【0186】仮硬化後、さらに球状のスペーサ1705
を散布する。本実施例で用いたスペーサ1705は、
5.0μmの直径をもつプラスチック球である。
After the temporary curing, the spherical spacer 1705
Spray. The spacer 1705 used in this embodiment is
It is a plastic sphere having a diameter of 5.0 μm.

【0187】画素部と駆動回路が形成された素子基板1
700と対向基板1703とを貼り合わせる。シール材
の中には5.2μmの径をもつ円柱状のフィラー(図示
しない)が混入されていて、このフィラーと、スペーサ
1705によって均一な間隔を持って両基板1700お
よび1703が位置の精度よく貼り合わせられる。
Element substrate 1 on which a pixel portion and a drive circuit are formed
700 and the opposite substrate 1703 are attached to each other. A columnar filler (not shown) having a diameter of 5.2 μm is mixed in the sealing material, and the two substrates 1700 and 1703 are precisely positioned at a uniform interval by the filler and the spacer 1705. Can be attached.

【0188】さらに精度のよいギャップ制御を達成する
ために、0.3〜0.8kgf/cm2の圧力を、貼り
あわせた基板の面に対して垂直な方向にかつ、基板全面
に均一に加え、同時にクリーンオーブンにて160℃で
120分の焼成を行った。そして基板が冷却するのを待
ってから、所望のパネルサイズになるように貼りあわせ
た基板を分断し、パネルの形にしあげた。
In order to achieve more accurate gap control, a pressure of 0.3 to 0.8 kgf / cm 2 is uniformly applied in a direction perpendicular to the surface of the bonded substrates and over the entire surface of the substrate. Simultaneously, baking was performed at 160 ° C. for 120 minutes in a clean oven. Then, after waiting for the substrate to cool, the bonded substrate was cut into a desired panel size to form a panel.

【0189】その後、パネルの内部に液晶材料1706
を注入した。液晶材料にはメルク社製のZLI4792
に、同社のカイラル材S−811を混入し、ヘリカルピ
ッチ長が60〜80μmになるように調製したものを用
いた。
Thereafter, the liquid crystal material 1706 is provided inside the panel.
Was injected. The liquid crystal material is ZLI4792 manufactured by Merck.
And a mixture prepared by mixing the company's chiral material S-811 and adjusting the helical pitch length to 60 to 80 µm.

【0190】パネル内部全体が液晶1706で満たされ
たことを確認したら、封止剤(図示しない)によって完
全に封止する。
After confirming that the entire inside of the panel is filled with the liquid crystal 1706, the panel is completely sealed with a sealant (not shown).

【0191】表3に液晶表示装置の構成仕様を示す。Table 3 shows the structural specifications of the liquid crystal display device.

【0192】[0192]

【表3】 [Table 3]

【0193】以下、液晶パネルの外部入出力端子にFP
Cを取り付けて、外部から液晶パネルに必要な信号を送
ることができるようにする事柄については、実施例1で
述べた内容と同様である。
Hereinafter, the FP is connected to the external input / output terminal of the liquid crystal panel.
The fact that a necessary signal can be sent from the outside to the liquid crystal panel by attaching C is the same as that described in the first embodiment.

【0194】反射型液晶パネルを投映する装置の一例に
ついて図18を用いて述べる。投射装置の光源1801
から出射された光1809は、光学系の中へと導入され
るが、この光はまず、プリズム型の偏光ビームスプリッ
タ(PBS)1802によってS波成分1810とP波
成分1811とに分解される。
An example of an apparatus for projecting a reflection type liquid crystal panel will be described with reference to FIG. Light source 1801 of projection device
Is emitted into the optical system. First, the light is decomposed into an S-wave component 1810 and a P-wave component 1811 by a prism-type polarizing beam splitter (PBS) 1802.

【0195】このPBS1802は、プリズム内にある
反射面において、光のS波成分1810のみを反射さ
せ、P波成分1811は透過させる性質を有している。
そのため、光のS波成分1810のみがダイクロイック
プリズム1803へと進むことになる。
The PBS 1802 has the property of reflecting only the S-wave component 1810 of light and transmitting the P-wave component 1811 on the reflecting surface inside the prism.
Therefore, only the S-wave component 1810 of the light travels to the dichroic prism 1803.

【0196】ダイクロイックプリズム1803はこの入
射してきた光1810をその偏光状態を変えることな
く、赤、緑、青の成分1812〜1814に分解し、そ
れぞれ赤色担当のパネル1804、緑色担当のパネル1
805、青色担当のパネル1806へと光を供給する。
The dichroic prism 1803 decomposes the incident light 1810 into red, green, and blue components 1812 to 1814 without changing the polarization state thereof, and a panel 1804 for red and a panel 1 for green, respectively.
805, light is supplied to the panel 1806 for blue color.

【0197】それぞれ3枚のパネル1804〜1806
に入射した偏光1812〜1814は、それぞれのパネ
ル内において、液晶のダイレクタ配列に応じて適宜変調
を受ける。その結果それぞれの光1812〜1814
は、それぞれのパネル1804〜1806においてS波
成分とP波成分として、パネル外へと出射され、ダイク
ロイックプリズム1803へ戻される。
Each of the three panels 1804 to 1806
The polarized light 1812 to 1814 incident on the panel is appropriately modulated in each panel according to the director arrangement of the liquid crystal. As a result, each light 1812 to 1814
Are emitted out of the panels as S-wave components and P-wave components in the respective panels 1804 to 1806, and returned to the dichroic prism 1803.

【0198】ダイクロイックプリズム1803によって
赤、緑、青の光1815〜1817が再合成され、PB
S1802へ至る。PBS1802では、今度は光のP
波成分1818のみがプリズムの反射面を透過し、この
光が光学レンズ1807を通してスクリーン1808へ
と投射される。このようにして、カラーの投射表示が達
成される。
The red, green and blue lights 1815 to 1817 are recombined by the dichroic prism 1803,
The process proceeds to S1802. In PBS1802, this time the light P
Only the wave component 1818 passes through the reflecting surface of the prism, and this light is projected on the screen 1808 through the optical lens 1807. In this way, a color projection display is achieved.

【0199】このような光学系は図19(A)に示すよ
うなフロントプロジェクタ、および(B)に示すような
リアプロジェクタの本体に組み込むことが可能である。
このようにして、投射型の反射型液晶表示装置が完成す
る。
Such an optical system can be incorporated in a main body of a front projector as shown in FIG. 19A and a rear projector as shown in FIG.
Thus, a projection type reflection type liquid crystal display device is completed.

【0200】[0200]

【発明の効果】本明細書で述べられた液晶表示装置に
は、次の3点の利点がある。第一に、対向基板にBMを
形成しなくても良いため、貼り合わせマージンを考慮し
なくて良いため、高開口率化が望める。それに、その反
射電極の有効面積を高精細の液晶表示装置にも適用でき
る。このことは、直視形の反射型液晶表示装置だけでな
く、特に投射形液晶表示装置に使用される小型の反射型
液晶表示装置に対しても有利であることを示している。
The liquid crystal display device described in this specification has the following three advantages. First, since the BM does not need to be formed on the opposing substrate, the bonding margin does not need to be considered, and a higher aperture ratio can be expected. In addition, the effective area of the reflective electrode can be applied to a high-definition liquid crystal display device. This shows that the present invention is advantageous not only for a direct-view reflective liquid crystal display device but also for a small reflective liquid crystal display device particularly used for a projection liquid crystal display device.

【0201】第二に、反射電極を対向基板側に作製する
ため、加工が容易となり、さらに反射層の材料や構成の
選択範囲が広がる(銀電極、誘電体多層膜、ホログラ
ム)ことが期待される。これにより従来のアルミニウム
を主成分とする反射電極と比して高い反射率が得られ
る。そのうえ、対向基板上の反射層と対向電極を分離す
るため、反射層の材料にオーバーコート等が可能とな
り、酸化により反射率が劣化する材料(銀電極等)への
適用が可能である。
Second, since the reflective electrode is formed on the counter substrate side, processing is facilitated, and the range of selection of the material and configuration of the reflective layer is expected to be widened (silver electrode, dielectric multilayer film, hologram). You. As a result, a higher reflectivity can be obtained as compared with a conventional reflective electrode mainly containing aluminum. In addition, since the reflection layer and the counter electrode on the counter substrate are separated from each other, the material of the reflection layer can be overcoated or the like, and can be applied to a material whose reflectance is deteriorated by oxidation (such as a silver electrode).

【0202】第三に、反射電極自体に散乱効果をもつ構
造とする場合、対向基板側に作製するため、この加工が
素子基板に不要となり、この工程による素子基板の歩留
まり低下が無い。このためコスト上昇が抑えられる。ま
た、その反射層や、他の上層に幾層かの有機層を形成し
た場合は、対向基板側の共通電極および素子基板側の画
素電極はいずれも平坦な構造となり、セルギャップを均
一化できる。このため、液晶の配向も均一かつ容易であ
る。
Third, in the case where the reflective electrode itself has a scattering effect, since it is manufactured on the counter substrate side, this processing is not required for the element substrate, and the yield of the element substrate does not decrease in this step. For this reason, cost increase is suppressed. In the case where the reflective layer or several organic layers are formed on another upper layer, the common electrode on the counter substrate side and the pixel electrode on the element substrate side have a flat structure, and the cell gap can be made uniform. . For this reason, the orientation of the liquid crystal is uniform and easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の技術において用いられる反射型液晶表示
装置を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a reflection type liquid crystal display device used in a conventional technique.

【図2】入射光が偏光板およびλ/4板を通過する様子
を示す図および、その各々の点での偏光状態を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram illustrating a state where incident light passes through a polarizing plate and a λ / 4 plate, and a diagram illustrating a polarization state at each point thereof.

【図3】P波およびS波について説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a P wave and an S wave.

【図4】実施例1または実施例2において用いられる素
子基板の構造を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing the structure of an element substrate used in Example 1 or Example 2.

【図5】実施例1において用いられる液晶表示装置の構
造を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device used in Example 1.

【図6】実施例1または実施例2において用いられる素
子基板の、各配線および電極の配置を示した平面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of wirings and electrodes on an element substrate used in Example 1 or Example 2.

【図7】実施例1から実施例4までにおいて、液晶表示
装置の駆動回路および接続配線の配置を示した平面図で
ある。
FIG. 7 is a plan view showing an arrangement of a driving circuit and connection wiring of a liquid crystal display device in Examples 1 to 4.

【図8】実施例1から実施例3までにおいて、液晶表示
装置の構成要素のひとつである対向基板として用いるこ
とのできる構造の例を示した断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of a structure which can be used as a counter substrate which is one of the components of the liquid crystal display device in Examples 1 to 3.

【図9】実施例4において、液晶表示装置の構成要素の
ひとつである対向基板として用いることのできる構造の
例を示した断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of a structure which can be used as a counter substrate which is one of the components of the liquid crystal display device in Embodiment 4.

【図10】実施例2において用いられる液晶表示装置の
構造を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device used in Example 2.

【図11】実施例2および実施例3において、入射光が
液晶表示装置に導入されたときに、その光が受ける影響
について示した模式図である。
FIG. 11 is a schematic diagram showing the influence of incident light when the light is introduced into a liquid crystal display device in Examples 2 and 3.

【図12】実施例2および実施例3において、入射光が
液晶表示装置に導入されたときに、その光が受ける影響
について示した模式図である。
FIG. 12 is a schematic diagram showing the effect of incident light when the light is introduced into a liquid crystal display device in Examples 2 and 3.

【図13】実施例3または実施例4において用いられる
素子基板の構造を示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a structure of an element substrate used in Example 3 or Example 4.

【図14】実施例3において用いられる液晶表示装置の
構造を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device used in Embodiment 3.

【図15】実施例3において用いられる液晶表示装置の
構造を示す断面図である。
FIG. 15 is a sectional view showing a structure of a liquid crystal display device used in Example 3.

【図16】実施例3において用いられる素子基板の、各
配線および電極の配置を示した平面図である。
FIG. 16 is a plan view showing an arrangement of wirings and electrodes of an element substrate used in Example 3.

【図17】実施例4において用いられる液晶表示装置の
構造を示す断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a structure of a liquid crystal display device used in Example 4.

【図18】実施例4において用いられる液晶表示装置の
光学系の構造と、それに用いられる光の挙動について示
した模式図である。
FIG. 18 is a schematic diagram illustrating a structure of an optical system of a liquid crystal display device used in Example 4 and a behavior of light used therein.

【図19】投射型液晶表示装置の全体図を示した図であ
る。
FIG. 19 is a diagram showing an overall view of a projection type liquid crystal display device.

【図20】本明細書における発明の概要をあらわす断面
図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view showing an outline of the invention in this specification.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H048 BA02 BA45 BB02 BB10 BB14 BB28 BB37 BB44 2H091 FA02Y FA14Y FB08 FC02 FD06 GA03 GA13 GA16 LA12 LA30 2H092 GA17 HA04 JA24 JB13 NA07 PA08 PA12 5C094 AA05 AA06 AA10 AA25 AA42 AA43 AA44 AA48 BA03 BA16 BA43 CA19 CA24 DA12 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 EB04 EC03 ED03 ED11 ED13 ED14 ED15 ED20 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 FB16 GA10 GB10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H048 BA02 BA45 BB02 BB10 BB14 BB28 BB37 BB44 2H091 FA02Y FA14Y FB08 FC02 FD06 GA03 GA13 GA16 LA12 LA30 2H092 GA17 HA04 JA24 JB13 NA07 PA08 PA12 5C094 AA05 AAA A42A BA16 BA43 CA19 CA24 DA12 DA13 DB01 DB04 DB10 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 EB04 EC03 ED03 ED11 ED13 ED14 ED15 ED20 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 FB16 GA10 GB10

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前
記一対の基板の一方の基板にマトリクス状に配置された
透明電導膜からなる画素電極と、前記画素電極に接続さ
れた半導体素子とが形成されてなる表示装置において、
前記一方の基板は透明性および絶縁性を有する基板でな
り、他方の基板上には反射層と透明電導膜からなる共通
電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and a pixel electrode made of a transparent conductive film arranged in a matrix on one of the pair of substrates, and a semiconductor element connected to the pixel electrode And a display device formed with
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the one substrate is a substrate having transparency and insulating properties, and the other substrate has a common electrode composed of a reflective layer and a transparent conductive film.
【請求項2】一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前
記一対の基板の一方の基板にマトリクス状に配置された
透明電導膜からなる画素電極と、前記画素電極に接続さ
れた半導体素子とが形成されてなる表示装置において、
前記一方の基板は透明性および絶縁性を有する基板でな
り、他方の基板上には反射層とカラーフィルタ層および
透明電導膜からなる共通電極を有することを特徴とする
液晶表示装置。
2. A pixel electrode comprising a transparent conductive film arranged in a matrix on one of the pair of substrates, wherein a liquid crystal is sandwiched between the pair of substrates, and a semiconductor element connected to the pixel electrode. And a display device formed with
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the one substrate is a substrate having transparency and insulation, and the other substrate has a common electrode including a reflective layer, a color filter layer, and a transparent conductive film.
【請求項3】請求項2において前記他方の基板上の前記
カラーフィルタ層は、前記反射層の上層、かつ前記共通
電極の下層に形成されることを特徴とする液晶表示装
置。
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the color filter layer on the other substrate is formed above the reflective layer and below the common electrode.
【請求項4】請求項2乃至請求項3のいずれか一項にお
いて、前記カラーフィルタ層は、カラーフィルタ形成後
に有機樹脂材料からなるオーバーコート膜を有すること
を特徴とする液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the color filter layer has an overcoat film made of an organic resin material after the color filter is formed.
【請求項5】請求項1乃至請求項4のいずれか一項にお
いて、前記反射層は、銀、銀合金、アルミニウム、アル
ミニウム合金から選ばれた一つ、またはこれらの組み合
わせからなることを特徴とする液晶表示装置。
5. The reflective layer according to claim 1, wherein the reflective layer is made of one selected from silver, a silver alloy, aluminum, and an aluminum alloy, or a combination thereof. Liquid crystal display device.
【請求項6】請求項1乃至請求項5のいずれか一項にお
いて、前記他方の基板上の反射層と透明電導膜とは電気
的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the reflective layer on the other substrate and the transparent conductive film are electrically connected.
【請求項7】請求項1乃至請求項5のいずれか一項にお
いて、前記反射層は誘電体多層膜からなることを特徴と
する液晶表示装置。
7. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein said reflection layer is made of a dielectric multilayer film.
【請求項8】請求項1乃至請求項5のいずれか一項にお
いて、前記反射層はホログラム(回折格子)、銀、銀合
金、アルミニウム、アルミニウム合金、誘電体多層膜、
ダイクロイックミラーから選ばれた一つ、またはこれら
を組み合わせたことを特徴とする液晶表示装置。
8. The method according to claim 1, wherein the reflection layer is a hologram (diffraction grating), silver, a silver alloy, aluminum, an aluminum alloy, a dielectric multilayer film,
A liquid crystal display device comprising one selected from dichroic mirrors or a combination thereof.
【請求項9】請求項7乃至請求項8のいずれか一項にお
いて、前記反射層の誘電体多層膜は半透過特性を有する
ことを特徴とする液晶表示装置。
9. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein the dielectric multilayer film of the reflection layer has a semi-transmission characteristic.
【請求項10】請求項1乃至請求項9のいずれか一項に
おいて、前記反射層は、反射膜と、オーバーコート膜、
アンカーコート膜のいずれか、もしくはその両方からな
ることを特徴とする液晶表示装置。
10. The reflective layer according to claim 1, wherein the reflective layer comprises a reflective film, an overcoat film,
A liquid crystal display device comprising one or both of an anchor coat film.
【請求項11】請求項1乃至請求項10のいずれか一項
において、前記一方の基板の光入射面にλ/4板と偏光
板を配置したことを特徴とする液晶表示装置。
11. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein a λ / 4 plate and a polarizing plate are arranged on the light incident surface of said one substrate.
【請求項12】請求項1乃至請求項10のいずれか一項
において、前記一方の基板の光入射面にλ/4板と散乱
板と偏光板とを配置したことを特徴とする液晶表示装
置。
12. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein a λ / 4 plate, a scattering plate and a polarizing plate are arranged on the light incident surface of said one substrate. .
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