JP2011210743A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ラテラル・バイポーラトランジスタとCMOSトランジスタが混載された半導体装置で、ラテラル・バイポーラトランジスタは、素子分離領域20に開口したオープン領域と、オープン領域19上のポリシリコン膜32と、ポリシリコン膜32から活性領域12側面へ不純物拡散したエミッタ拡散層39と、素子分離領域20上のダミー・ゲート・ポリシリコン膜50と、活性領域12上のコレクタ拡散層領域37、ベース拡散層領域27と、コレクタ電極101、ベース電極102、エミッタ電極103と、活性領域12及び前記ポリシリコン膜32上のシリサイド領域42とを備え、活性領域12上の非シリサイド領域が、ベース拡散層領域27とコレクタ拡散層領域37の間の境界領域と、活性領域12と素子分離領域20の間の境界領域を含むことを特徴とする。
【選択図】図4−4
Description
特許文献1に、水平電流バイポーラトランジスタ(HCBT)という名前の、新しいタイプのラテラル・バイポーラトランジスタが記載されている。
ベース−エミッタ電流の主成分を、図9のHCBT拡大断面図に示す。矢印は電荷キャリアの流れを示すので、実際の電流の流れは負に帯電する電子(成分InE、IR、IR,top)の場合のキャリアの流れとは反対向きとなるが、実際の電流の流れは正に帯電する正孔(成分IpE)の場合にはキャリアの流れと同じである。共通のエミッタ電流利得(beta)は、コレクタ−ベース電流の比率として定義される:beta=IC/IB。コレクタ電流ICは、主に、npnトランジスタのエミッタ電子の流れに依存している:IC=InE。ベース再結合電流IRを無視しているが、ベース電流IBは3つの電流成分から成る。すなわち、ベースからエミッタに注入される正孔電流IpE、内部ベース領域のIR再結合電流、エミッタの頂部でエミッタからベース・シリサイド接触方向に注入される電子IR,topである。ここで、IB=IpE+IR+IR,topである。betaを大きくするためには、ICを大きくしてIBを小さくする必要があるが、縦方向電流およびラテラル・バイポーラトランジスタの既存の設計ですでに最適化されている。縦方向電流のバイポーラトランジスタでは、ベース・コンタクト領域とエミッタとの間の距離が十分にあり、接触部の下部の外部ベース領域は高ドーピングされるので、IR,topは、通常は他のベース電流成分と比べると無視できる。ベース・コンタクト領域とエミッタn+領域との間の距離を大きくすることによって、および/またはIR,top電流経路上のドーピング濃度を増加することによって、ベース電流成分IR,topを減少させることができる。両者の技術は、エミッタから注入される電子によって、ベース・コンタクトへの拡散の可能性を低くする。
これを解決するために、以下の考えが特許文献1にも記載されている。図10に示すように、ベース・コンタクト・シリサイド114を、シリサイド・ブロッキング酸化膜118によって活性n−ヒル105の端部から離すことができる。このようにして、ベース・コンタクト・シリサイド114とエミッタ拡散領域110との間の距離が増加し、電流経路上の総ドーピング濃度が増加する。これを、図10のIR、topに相当する長い方の矢印で示す。
加えて、エミッタ・コンタクト・シリサイド115を、潜在的にIpE成分の減少と、さらなるIBの減少とに寄与するベース−エミッタ接合から離す。この構造は、マスク分離型HCBTと呼ばれているが、前者はスペーサ分離型HCBTと呼ばれる。
本発明は、上述の点を考慮してなされたものであり、従来のバイポーラトランジスタと比べると、fmaxおよびBVCEOは同様であるが、betaの高いラテラル・バイポーラトランジスタを有する半導体装置を提供する目的を有する。
スペーサ分離型HCBTの活性側面に沿った断面図を図13に示す。図11においてこの断面図をA−A’と示し、これは図8および図9に示す断面図と垂直になる。エミッタ・ポリシリコン109とベース・シリサイド114との間の一定の距離が図13に示すように、IR,topに対応する一定の矢印の濃度であると仮定すると、IBのIR,top成分は、エミッタに沿ってほぼ均一である。一方、エミッタ・ポリシリコン109は絶縁酸化膜の丸い形状のためトランジスタ周辺部に向かってより薄くなっていて、このことはトランジスタ120(図13)の中央部と比較すると、エミッタ領域が減少していることから、ICがトランジスタの周辺領域119(図13)で減少していることを意味する。IR,topが一定であるためIBはICに比例して減少しないので、トランジスタの周辺領域119の局所的なbetaが減少し、トランジスタ全体のbetaを減少させることになる。加えて、図14に示すように、エミッタ・ポリシリコン109の上面は用いられるウェット・エッチング・プロセスの特質によりベース・シリサイド114により近づくことがあり、高い密度の矢印によって表すように、トランジスタの周辺領域119でIR,topを増加させる。この効果は、全体のbetaの減少と同様に周辺領域119の局所的なbetaの減少を高めることになる。
非シリサイド領域410のドメインが、活性化領域の、図2に示されるシリサイド・ブロッキング・マスク401のドメインと一致することに注意されたい。
非シリサイド面積410の領域が活性化領域の図2に示されるマスク401のドメインと一致することに注意されたい。
図3は、本発明の1つの実施例を示す。シリサイド・ブロッキング・マスク501は、絶縁酸化膜エッチング・マスク406の全体を囲んでいる。マスク分離型および縮小したベース・シリサイドの混成の効果は、この構造で予想することができる。この構造は、以下で「サラウンド・タイプ」と呼ぶ。非シリサイド領域510のドメインが活性化領域の図3に示されるマスク501のドメインと一致することに注意されたい。
通常、次のCMOSプロセス・モジュールは、ゲート・スペーサを形成することである。SiO2層は、例えば、テトラ・エチル・オキシ・シラン(TEOS)ソースから堆積し、異方性プロセスによりエッチ・バックされる。SiO2スペーサは、CMOSゲートの側面上に残される。このプロセスの性質から、類似のスペーサ35が、図4−3(i)に示すように、ポリシリコン領域より上部のn−ヒル側面上に形成される。その後、ソース/ドレイン注入がCMOS構造に実行される。nMOSトランジスタのn+ソース/ドレイン36領域の注入が、図4−3(j)に示すように、HCBT構造のコレクタ領域37に用いられる。注入に用いられるマスク403によって画定されるフォトレジスト38の端部の位置は、n+コレクタと外部ベース領域との間の距離を画定し、コレクタ−ベースおよびコレクタ−エミッタの絶縁破壊電圧等、目標とするトランジスタ特性によって異なる。コレクタn+領域の他の端部は、n−ヒルの側面により画定される。CMOSのソース/ドレイン注入を活性化するためのアニーリングは、HCBTの注入領域の活性化、および(図4−3(k)に示す)高ドーピングされたポリシリコン領域からn−ヒルの側面へのドーパントの、通常ドライブイン拡散と呼ばれる拡散領域39のためにも用いられる。この工程によって形成されるn+拡散領域39は、エミッタ拡散領域である。内部トランジスタ領域のドーピング・プロファイルは、このプロセスによって形成される。アニーリング後のベース−エミッタpn接合の深度は、ポリシリコンの粒構造を変えるのと同様に、堆積したポリシリコンのドーピングレベルを変えることによって調整することができ、両方とも堆積状況により定められる。
コレクタ−エミッタブレークダウン電圧(BVCEO)は、通常、betaとトレードオフの関係にある。この理由はこれらがベース幅の影響を受けるからである。しかしながら、シリサイド保護パターンの修正が、内部ベースに影響を及ぼすことはない。従って、表1に示すように、すべてのトランジスタは、類似のBVCEOを示す。
fmaxに関して、活性領域の非シリサイド化領域は、バイポーラトランジスタの高周波特性(特にfmax)に影響を及ぼす。
この領域が拡大しすぎると、fmaxは悪化する。換言すれば、betaおよびfmaxには、それぞれトレードオフの関係がある。このため、本発明の非シリサイド化領域は、従来のものと比較すると、十分なfmaxおよび高いbetaを得るのに最も適するように最適化される。
また、fmaxおよびBVCEOは、本発明のラテラル・バイポーラトランジスタの場合には減少しない。betaだけは、最大で200に達成することができる。さらに、本発明のラテラル・バイポーラトランジスタは、従来のラテラル・バイポーラトランジスタのマスクレイアウトを変えるだけで実現することができる。このため、製造プロセスの数は、従来のラテラル・バイポーラトランジスタと比較しても増加しない。
11 基板
12 n−ヒル(コレクタ領域)
13 コレクタ注入
14、17、18、25、38、41 フォトレジスト
15a、b、c、d 外部ベース注入
16 外部ベース領域
19 エミッタ・ウィンドウ
20 絶縁SiO2
21 n−ヒル側面
22 SiO2薄層
26 内部ベース注入
27 内部ベース領域
28 活性トランジスタ側面
29 ポリシリコン層
31 窪み
32、34 エミッタ・ポリシリコン
33 ポリシリコンの厚み
35 スぺーサ
36 ソース/ドレイン注入
37 コレクタ領域
39 エミッタ拡散領域
40、43 SiO2層
42 シリサイド
44 コンタクト・ホール
50 ダミー・ゲート・ポリシリコン
101 コレクタ電極
102 ベース電極
103 エミッタ電極
104、304 p型基板
105 n−ヒル(活性領域)
106 シャロウ・トレンチ・アイソレーション(STI)
107 内部ベース
108、308 外部ベース
109、309、409 エミッタ・ポリシリコン
110 エミッタ拡散領域
111 ダミー・ゲート・ポリシリコン
112 n+拡散領域
113 コレクタ・シリサイド
114、314 ベース・シリサイド
115 エミッタ・シリサイド
116、118 シリサイド・ブロッキング酸化膜
117 スペーサ
119、319 トランジスタの周辺領域
120、320 トランジスタの中央部
201、201b、401、501 シリサイド・ブロッキング・マスク
202、402 n−ヒル・マスク
203、403 コレクタn+注入マスク
204、404 コンタクト・ホール・マスク
205、405 ダミー・ポリシリコン・マスク
206、406 絶縁酸化膜エッチング・マスク
207、407 エミッタ・ウィンドウ(ウェット・エッチング後)
410、510 非シリサイド領域
Claims (2)
- ラテラル・バイポーラトランジスタと、CMOSトランジスタとが混載された半導体装置であって、
前記ラテラル・バイポーラトランジスタは、
活性領域を囲む素子分離領域に開口されたオープン領域と、
前記オープン領域上に形成されたポリシリコン膜と、
前記ポリシリコン膜から前記活性領域側面への不純物拡散によって形成されたエミッタ拡散層と、
前記素子分離領域上に形成されたダミー・ゲート・ポリシリコン膜と、
前記活性領域上に形成されたコレクタ拡散層領域及びベース拡散層領域と、
前記コレクタ拡散層領域及びベース拡散層領域に直接つながるコレクタ電極及びベース電極と、
前記ポリシリコン膜に直接つながるエミッタ電極と、
前記活性領域及び前記ポリシリコン膜上に形成されるシリサイド領域と、を備え、
前記活性領域上においてシリサイドが形成されない非シリサイド領域が、前記ベース拡散層領域と前記コレクタ拡散層領域との間の境界領域と、前記ベース拡散層を流れる電流の流れ方向に沿って延びる前記活性領域と前記素子分離領域との間の他の境界領域と、を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記非シリサイド領域は、さらに、前記ベース拡散層領域と前記エミッタ拡散層領域との間の他の境界領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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