JP2011210322A - フラッシュメモリ用電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ブラウンアウトを解消できるフラッシュメモリ用電源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電流制限抵抗8が発生した電圧を変圧してフラッシュメモリ3へ出力する変圧部6と、フラッシュメモリへのアクセスを制御するとともに変圧部6の起動または停止を制御する制御部10とを備え、制御部10は、所定期間だけ変圧部6を停止後、変圧部6を起動させ、その後にフラッシュメモリ3へのアクセスを行うフラッシュメモリ用電源装置である。
【選択図】図1

Description

本発明は、フラッシュメモリに電源を供給するためのフラッシュメモリ用電源装置に関するものである。
従来技術としては、所定の電圧を発生する電圧発生装置とフラッシュメモリとをフラッシュメモリ用電源装置を介して接続するものがある。このフラッシュメモリ用電源装置は、電圧発生装置が出力する電圧を変圧する変圧部と、電圧発生装置側に接続されたコンデンサとを備える。このコンデンサは電圧発生装置が出力する電源電圧の変動を緩和するものである。なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特表2005−532620号公報
近年、フラッシュメモリの多値化等の要因でフラッシュメモリへのデータ書込、または、消去(以下、メモリアクセス)に要する時間(以下、メモリアクセス必要時間)が長くなりつつある。これに伴い、電源の遮断などの電圧発生装置が出力する電源電圧の変動が起こっても確実にメモリアクセスを完了するためにコンデンサが大容量化している。
このコンデンサが大容量化にともない従来のフラッシュメモリ用電源装置は以下のような問題がある。
フラッシュメモリは電源をオフした際に少なくとも1度、電源電圧が所定の電圧以下にしないと、電源電圧を再びオン状態に復帰させた際に誤作動を起こす。この現象は「ブラウンアウト」と呼ばれている。電源電圧がオフされると変圧部はコンデンサに蓄積された電荷に起因して電圧を出力する。このため、フラッシュメモリの電源電圧が所定の電圧以下ならない。コンデンサが小容量の場合は放電までの時間が短いため問題になりにくいが、近年のコンデンサ大容量化にともない、電源電圧が所定の電圧以下ならないためブラウンアウトが問題となっている。本発明は、従来の問題を解決するためになされたもので、ブラウンアウトを解消できるフラッシュメモリ用電源装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、所定期間だけ変圧部を停止後、変圧部を起動させ、その後にフラッシュメモリへのアクセスを行うものである。
本発明によれば、フラッシュメモリへのアクセスに先立って、変圧部を停止させるのでブラウンアウトを確実に防止することができるという効果を奏する。
本発明の一実施の形態におけるフラッシュメモリ用電源装置、および、その周辺装置を説明する図 同要部である変圧部の制御を説明するための図 同動作を説明する図 同装置の信号のレベルを説明するための図
以下、本発明の一実施の形態におけるフラッシュメモリ用電源装置について図1、図2を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施の形態におけるフラッシュメモリ用電源装置、および、その周辺装置を説明する図である。また、図2は変圧部の制御を説明するための図である。図1に示すように、電圧発生装置2の出力は、フラッシュメモリ用電源装置1を介してフラッシュメモリ3の電源端子と電気的に接続される。以下、各部について詳細に説明する。
電圧発生装置2は、フラッシュメモリ3への電力の供給源であり、例えば、コンセントの交流電圧を直流に変換する直流交流変換装置、または、電池で構成される。電圧発生装置2からフラッシュメモリ用電源装置1へ入力される電源電圧を、入力電源電圧Vinと呼ぶ。
フラッシュメモリ3は各種データを記憶する不揮発性メモリの一種である。フラッシュメモリ3はデータバス4から来るデータ記憶、または、記憶したデータをデータバス4へ出力する。
フラッシュメモリ用電源装置1は、後述する構成により電圧発生装置2が出力した電源電圧の変動を小さくする処理等を行う。その他、データバス4とフラッシュメモリ3のデータの送受信の制御も行う。
電圧発生装置2と変圧部6とはダイオード5を介して電気的に接続される。この電圧発生装置2から変圧部6への電気的な経路を給電路Hと呼ぶ。ダイオード5は、後述するコンデンサ7に蓄えられた電荷が、電圧発生装置2に逆流することなく、変圧部6へ供給されるようにするものである。
変圧部6は、入力電源電圧Vinをフラッシュメモリ3が必要とする電源電圧に変圧して出力(以下、フラッシュメモリ用電源電圧Vout)する。
コンデンサ7は、電圧発生装置2の出力電圧が低下した際にこの低下分を補い、予備電源として変圧部6へ電力供給するためのものである。
電流制限抵抗8とコンデンサ7とは直列に接続される。電流制限抵抗8のコンデンサ7との接続点と反対側が給電路Hと接続する。また、コンデンサ7の電流制限抵抗8との接続点と反対側は接地点Sに接続される。
電流制限抵抗8は突入電流を低減するためのものである。ここで、突入電流とはフラッシュメモリ3が搭載される電子装置の電源起動時におこる電流の急激な増加をいう。突入電流の増大はコンデンサ7の劣化を早める。このため、電流制限抵抗8を直列に挿入することで突入電流を低減する必要がある。
ダイオード9は、そのアノード側を電流制限抵抗8とコンデンサ7との接続点に接続し、カソード側を給電路Hに接続している。ダイオード9は、電圧発生装置2の出力電圧が低下した際に、コンデンサ7はから変圧部6へ電力供給するための電流経路となる。ダイオード9がなければコンデンサ7から変圧部6への電力供給は電流制限抵抗8を経路となる。コンデンサ7の電荷が電流制限抵抗8を経由して放電されると電力を損失してしまう。そこでダイオード9を備えることで電力損失なく放電できる。
制御部10は、データバス4から送信されたデータをフラッシュメモリ3へ書き込む動作、または、フラッシュメモリ3からデータを読み出しデータバス4か出力する動作(以下、メモリアクセス)を行う。この動作はメモリアクセス信号により行う。書込動作、読出動作には所定の時間(以下、メモリアクセス必要時間)を要する。
また、制御部10は変圧部6と選択部11を介して接続される。制御部10は停止信号を出力することで変圧部6を停止させることができる。
選択部11は給電路Hの電圧レベルと制御部10が出力する停止信号とに基づき変圧部6の起動または停止を制御する変圧部制御信号を出力するものである。変圧部制御信号がLOWなら変圧部6が停止、HIGHなら変圧部6が起動する。選択部11は例えば、給電路Hの電圧レベルと停止信号との論理積を演算する回路である。
給電路Hの電圧レベルと停止信号に対する変圧部制御信号の関係を図3に示す。図3において、停止信号がLOWの場合は、必ず変圧部6がオフ(変圧部制御信号がLOW)となる。制御部10がマスタとなり変圧部6をオフできるようにするためである。停止信号がHIGHの場合は、給電路Hの電圧レベルにより変圧部6の状態が変わる。給電路Hの電圧レベルがLOW(Vin≦Vt)なら変圧部6がオフ(変圧部制御信号がLOW)、給電路Hの電圧レベルがHIGH(Vin>Vt)なら変圧部6がオン((変圧部制御信号がHIGH)する。このようにすることで、給電路Hの電圧レベルが低い場合は自動的に変圧部6をオフでき制御部10の制御が簡易になる。なおVtはLOWまたはHIGHを識別する閾値である。
以上のように構成された本発明の一実施の形態におけるフラッシュメモリ用電源装置について、図3、図4を用いて動作を説明する。図2はフラッシュメモリ用電源装置1の動作を説明する図である。また、図3は各部の信号のレベルを説明するための図である。
まず、制御部10は、フラッシュメモリ3が搭載される電子装置のシステムがオンされたとき(S01)、制御部10はスリープ状態から復帰し、所定時間Tkの間だけ停止信号をLOWにする(S01)しその後、停止信号をHIGHにする。これが図4のT1〜T3に相当する。次に制御部10はコンデンサ7が十分に電荷を蓄積できる時間充電時間Tc(図4のT3〜T4)が経過後にメモリアクセスを開始(図4のT4)する(S03)。
制御部10は、電子装置のシステムがオフされていない間は必要に応じてメモリアクセスを行う(S04でNO)。一方、制御部10は、電子装置のシステムがオフされたとき(S04でYES)、退避時間Td以内に退避処理を行う(S05)。これが図4のT5〜T7に相当する。この退避処理は処理を中断するためのデータ退避を行う動作である。
以上のように本発明の一実施の形態におけるフラッシュメモリ用電源装置は、所定期間Tkだけ変圧部6を停止後、変圧部6を起動させ、その後にメモリへアクセスを行うものである。メモリへアクセス前に変圧部6を停止するのでブラウンアウトを確実に防止することができるという効果を奏する。
なお、以上のように構成された本実施の形態におけるフラッシュメモリ用電源装置は、さまざまな電子装置に組込むことができる。ここでいう電子装置とは、例えば、車両に搭載されるカーオーディオ、または、カーナビゲーション装置である。
本発明のフラッシュメモリ用電源装置は、フラッシュメモリへ電源電圧を供給する装置、または、フラッシュメモリが組込まれた電子装置等として有用である。
1 フラッシュメモリ用電源装置
2 電圧発生装置
3 フラッシュメモリ
4 データバス
5 ダイオード
6 変圧部
7 コンデンサ
8 電流制限抵抗
9 ダイオード
10 制御部
11 選択部

Claims (1)

  1. 電圧発生装置が発生した電圧を変圧してフラッシュメモリへ出力する変圧部と、
    フラッシュメモリへのアクセスを制御するとともに前記変圧部の起動または停止を制御する制御部とを備え、
    前記制御部は、所定期間だけ前記変圧部を停止後、前記変圧部を起動させ、その後にフラッシュメモリへのアクセスを行うことを特徴とするフラッシュメモリ用電源装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003162453A (ja) * 2001-11-22 2003-06-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
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