JP2011204790A - Semiconductor light emitting device - Google Patents
Semiconductor light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011204790A JP2011204790A JP2010068753A JP2010068753A JP2011204790A JP 2011204790 A JP2011204790 A JP 2011204790A JP 2010068753 A JP2010068753 A JP 2010068753A JP 2010068753 A JP2010068753 A JP 2010068753A JP 2011204790 A JP2011204790 A JP 2011204790A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- lead frame
- emitting device
- light emitting
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体発光装置に関し、特に、リードフレーム上に発光素子を搭載した半導体発光装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device in which a light emitting element is mounted on a lead frame.
従来より、金属製のリードフレーム上にLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)チップ等の発光素子を搭載して透明樹脂で封止した半導体発光装置が開発されている。このような半導体発光装置においては、リードフレームを光反射板として利用し、LEDチップから下方に出射された光をリードフレームによって上方に向けて反射し、光の利用効率の向上を図っている。このため、リードフレームの表面には、光反射層として銀(Ag)めっき層が形成されている(例えば、特許文献1参照。)。光反射層として銀めっき層を用いている理由は、銀は金属のうち光の反射率が最も高く、可視光領域において95%程度の全反射率を示すからである。 Conventionally, a semiconductor light emitting device in which a light emitting element such as an LED (Light Emitting Diode) chip is mounted on a metal lead frame and sealed with a transparent resin has been developed. In such a semiconductor light emitting device, a lead frame is used as a light reflecting plate, and light emitted downward from the LED chip is reflected upward by the lead frame to improve light utilization efficiency. For this reason, a silver (Ag) plating layer is formed as a light reflection layer on the surface of the lead frame (see, for example, Patent Document 1). The reason why the silver plating layer is used as the light reflecting layer is that silver has the highest light reflectance among metals and exhibits a total reflectance of about 95% in the visible light region.
しかしながら、銀は耐食性が低いため、長期間使用すると、銀めっき層の表面が酸化又は硫化されて、変色してしまうという問題がある。これにより、リードフレームの光反射率が低下し、半導体発光装置の出力が低下してしまう。また、近年のLEDチップの高出力化に伴い、LEDチップから放射される光及び熱が増加し、銀めっき層の劣化が進みやすくなっている。 However, since silver has low corrosion resistance, there is a problem that when used for a long period of time, the surface of the silver plating layer is oxidized or sulfided and discolors. As a result, the light reflectivity of the lead frame decreases, and the output of the semiconductor light emitting device decreases. Further, with the recent increase in output of LED chips, the light and heat emitted from the LED chips are increased, and the deterioration of the silver plating layer is likely to proceed.
本発明の目的は、リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device in which a lead frame is not easily discolored.
本発明の一態様によれば、相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続された発光素子と、を備え、前記第1及び第2のリードフレームは、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが2μm以上である銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。 According to an aspect of the present invention, the first and second lead frames spaced apart from each other, the first lead frame provided above the first lead frame, and one terminal connected to the first lead frame. A light emitting element having the other terminal connected to the second lead frame, wherein the first and second lead frames are respectively formed on a base material and at least an upper surface of the base material. There is provided a semiconductor light emitting device comprising: a silver plating layer having a thickness of 2 μm or more; and a rhodium plating layer formed on the silver plating layer and thinner than the silver plating layer.
本発明の他の一態様によれば、同一平面上に配置され、相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続された発光素子と、前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記発光素子を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、を備え、前記第1及び第2のリードフレームは、それぞれ、基材と、前記基材の少なくとも上面上に形成された銀めっき層と、前記銀めっき層上に形成されたロジウムめっき層と、を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, the first and second lead frames arranged on the same plane and spaced apart from each other, and the one terminal provided above the first and second lead frames. Is connected to the first lead frame and the other terminal is connected to the second lead frame, and the entire upper surface, a part of the lower surface and the end surface of each of the first and second lead frames. And a resin body that covers the light emitting element and exposes the remaining portion of the lower surface and the remaining portion of the end surface, and the first and second lead frames each include a base material, There is provided a semiconductor light emitting device comprising: a silver plating layer formed on at least an upper surface of a substrate; and a rhodium plating layer formed on the silver plating layer.
本発明によれば、リードフレームが変色しにくい半導体発光装置を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a semiconductor light emitting device in which the lead frame is not easily discolored.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図2は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図であり、
図3は、本実施形態におけるリードフレームを例示する断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, a first embodiment of the present invention will be described.
FIG. 1 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a lead frame in this embodiment.
図1及び図2に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置1においては、リードフレーム11及び12が、相互に離隔して設けられている。リードフレーム11及び12は同一平面上に配置されており、擬似的な1枚の板状部材を構成している。リードフレーム11の上面の一部にはダイマウント材13が層状に設けられており、ダイマウント材13上には発光素子としてLEDチップ14が搭載されている。LEDチップ14は、例えば青色の光を出射するチップである。LEDチップ14の上面には2つの端子が設けられており、一方の端子はワイヤ15を介してリードフレーム11に接続されており、他方の端子はワイヤ16を介してリードフレーム12に接続されている。ワイヤ15及び16は、例えば金(Au)によって形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, in the semiconductor
リードフレーム11及び12の上方には、例えば白色の熱可塑性樹脂からなる枠状の外囲器20が設けられている。リードフレーム11及び12並びに外囲器20により、上方に開口した椀状の構造物が形成されており、LEDチップ14はこの椀状の構造物の底部に配置されている。そして、この椀状の構造物の内部には、透明樹脂体17が充填されている。従って、LEDチップ14は透明樹脂体17の内部に埋め込まれており、封止されている。透明樹脂体17は透明又は半透明の樹脂、例えばシリコーン樹脂からなり、粒状の蛍光体(図示せず)が分散されている。蛍光体は、例えば、青色の光を吸収して緑色の光を発光する緑色蛍光体、及び、青色の光を吸収して赤色の光を発光する赤色蛍光体である。リードフレーム11の一部及びリードフレーム12の一部は、外囲器20の外部に延出しており、それぞれ、外部電極11a及び12aとなっている。
Above the
そして、図3に示すように、リードフレーム11においては、導電性材料、例えば銅(Cu)からなる基材21が設けられており、基材21の上面上には、銀めっき層22が形成されている。銀めっき層22は銀(Ag)からなり、その厚さは2μm以上であり、例えば3〜8μmである。銀めっき層22上には、ロジウムめっき層23が形成されている。ロジウムめっき層23はロジウム(Rh)からなり、その厚さは例えば10〜75nmである。リードフレーム12においても同様に、基材21の表面上に銀めっき層22及びロジウムめっき層23が形成されている。リードフレーム11に設けられた基材21、銀めっき層22及びロジウムめっき層23の厚さは、それぞれ、リードフレーム12に設けられた基材21、銀めっき層22及びロジウムめっき層23の厚さと同じである。また、銀めっき層22及びロジウムめっき層23は、例えば、水溶液を用いた電解めっき法によって形成されている。
As shown in FIG. 3, the
次に、本実施形態の動作について説明する。
半導体発光装置1においては、リードフレーム11とリードフレーム12との間に電圧が印加されると、LEDチップ14が例えば青色の光を出射する。そして、透明樹脂体17中に分散された蛍光体が、この青色の光を吸収し、例えば緑色の光及び赤色の光を発光する。この結果、透明樹脂体17の上面からは、LEDチップ14から出射された青色の光、並びに蛍光体から発光された緑色の光及び赤色の光が出射し、半導体発光装置1から出射される光の色調は、全体として白色になる。このとき、概ね、LEDチップ14及び蛍光体から上方に向かって出射した光は、そのまま透明樹脂体17の上面から出射し、側方に向かって出射した光は、外囲器20の内側面で反射されて透明樹脂体17の上面から出射し、下方に向かって出射した光は、リードフレーム11及び12の上面で反射されて透明樹脂体17の上面から出射する。なお、外囲器20の内側面並びにリードフレーム11及び12の上面において複数回反射された後、透明樹脂体17の上面から出射する光もある。このため、リードフレーム11及び12の上面における光の反射率が、半導体発光装置1の出力に影響を及ぼす。
Next, the operation of this embodiment will be described.
In the semiconductor
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
半導体発光装置1を長期間使用すると、透明樹脂体17内に元々存在する酸素及び硫黄等、並びに外部から透明樹脂内に侵入した酸素及び硫黄等が、拡散によってリードフレーム11及び12の上面に到達する。このため、仮に、リードフレーム11及び12の最表面が銀めっき層によって形成されていると、銀は耐食性が低いため、銀めっき層の表面が酸化又は硫化されて、変色してしまう。この結果、半導体発光装置の出力が低下してしまう。
Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
When the semiconductor
これに対して、本実施形態においては、リードフレーム11及び12の最表面にロジウムめっき層23が設けられている。ロジウムは白金族元素であるため、化学的に安定であり、通常の環境下で酸化及び硫化等の反応が生じることがない。このため、半導体発光装置1を長期間使用しても、ロジウムめっき層23が変色することがなく、従ってリードフレーム11及び12の上面における光の反射率が低下することがなく、半導体発光装置1の出力が低下することがない。また、ロジウムは銀に次いで可視光領域の反射率が高く、80%程度の反射率を示すため、LEDチップ14から出射された光、及び蛍光体から発光された光を、効率よく反射することができる。
In contrast, in the present embodiment, the
また、本実施形態においては、リードフレーム11及び12において、基材21とロジウムめっき層23との間に、銀めっき層22が設けられている。銀めっき層22はロジウムめっき層23よりも軟らかいため、銀めっき層22を設けることにより、ワイヤ15及び16のボンディング性を良好にすることができる。また、銀はロジウムよりも光の反射率が高いため、ロジウムめっき層23の下地として銀めっき層22を設けることにより、リードフレーム全体として、光の反射率を向上させることができる。すなわち、可視光領域の反射率は、ロジウムは80%であるが、銀は95%であるため、ロジウムめっき層23の下地として銀めっき層22を設けることにより、80%から95%の間の反射率を実現することができる。更に、銀めっき層22を設けることにより、ロジウムめっき層23を薄くすることができる。これにより、ワイヤ15及び16のボンディング性を向上させることができると共に、高価なロジウムの使用量を減らすことができるため、半導体発光装置1のコストを低減することができる。
In the present embodiment, a
更に、本実施形態においては、リードフレーム11及び12の下面にはロジウムめっき層が形成されていないため、リードフレーム11及び12の下面に半田を接合して半導体発光装置1をプリント基板等に実装する際に、リードフレーム11及び12の下面における半田の濡れ性が良好である。このため、本実施形態に係る半導体発光装置1は実装性が優れている。
Furthermore, in this embodiment, since the rhodium plating layer is not formed on the lower surfaces of the lead frames 11 and 12, the semiconductor
以下、本実施形態における数値限定理由について説明する。
ロジウムめっき層の厚さの好適範囲:10〜75nm
ロジウムめっき層23の厚さが10nm未満であると、ロジウムめっき層23のめっき条件によっては、銀めっき層22を確実に覆うことが困難になり、耐食性が低下する場合がある。この場合、長期間の使用によってリードフレーム11及び12が変色し、光の反射率が低下する。また、ロジウムめっき層23の厚さが10μm未満であると、めっき層の厚さ及びその均一性を測定できる測定機器が存在しないため、ロジウムめっき層の厚さ及び均一性の管理が困難になり、半導体発光装置の安定的な生産が困難になる。一方、ロジウムめっき層23の厚さが75nmよりも厚いと、ロジウムはHv硬度が800〜1000と極めて高く、硬質であるため、ワイヤボンディング性が低下する。また、ロジウムめっき層23の厚さが75nmよりも厚いと、ロジウムめっき層23における光の透過率が低下するため、銀めっき層22の高い反射率を利用できなくなり、リードフレーム全体としての光の反射率が低下する。更に、ロジウムは稀少元素であり極めて高価であるため、ロジウムめっき層23が厚くなると、半導体発光装置のコストが増加する。以上より、ロジウムめっき層23の厚さは、10nm以上、75nm以下であることが好ましい。
Hereinafter, the reason for the numerical limitation in this embodiment will be described.
Preferred range of the thickness of the rhodium plating layer: 10 to 75 nm
When the thickness of the
銀めっき層の厚さの好適範囲:2μm以上
銀めっき層22の厚さが2μm未満であると、ワイヤを接合する際の緩衝材としての機能が低下し、リードフレームのワイヤボンディング性が低下する。また、銀めっき層22の厚さが2μm未満であると、銀めっき層22の形成条件によっては、基材21から銀めっき層22の上面へのパイルアップが発生する場合がある。これにより、銀めっき層22の表面が汚染され、反射率が低下する場合がある。一方、銀めっき層22の厚さが2μm以上であれば、厚さをそれよりも厚くしても、ワイヤボンディング性を向上させる効果及びパイルアップ現象を抑制する効果に大きな優位性はなく、また、厚膜化は材料コストを増加させる。このため、銀めっき層22の厚さは、2μm以上であることが好ましい。銀めっき層22の厚さは、3〜8μmであることがより好ましい。
Preferred range of the thickness of the silver plating layer: 2 μm or more When the thickness of the
また、リードフレームの表面の反射率を高くするためには、相対的に反射率が低いロジウムめっき層は可視光の一部が透過する程度に薄く、相対的に反射率が高い銀めっき層は可視光が透過しない程度に厚いことが好ましい。更に、ワイヤボンディング性を確保するためには、相対的に硬質なロジウムめっき層よりも、相対的に軟質な銀めっき層の方が厚いことが好ましい。このため、ロジウムめっき層は、銀めっき層よりも薄いことが好ましい。 In order to increase the reflectivity of the lead frame surface, the rhodium plating layer having a relatively low reflectance is thin enough to transmit a part of visible light, and the silver plating layer having a relatively high reflectance is It is preferable that the layer is thick enough not to transmit visible light. Furthermore, in order to ensure wire bonding properties, it is preferable that the relatively soft silver plating layer is thicker than the relatively hard rhodium plating layer. For this reason, it is preferable that a rhodium plating layer is thinner than a silver plating layer.
なお、本実施形態においては、基材21の上面上のみに銀めっき層22及びロジウムめっき層23が形成されている例を示したが、本発明はこれに限定されず、銀めっき層22及びロジウムめっき層23は、少なくとも基材21の上面上、すなわち、リードフレームにおけるLEDチップ14側の面に形成されていればよい。例えば、銀めっき層22は基材21の上面上及び下面上に形成されており、ロジウムめっき層23は基材21の上面上のみに形成されていてもよい。又は、銀めっき層22及びロジウムめっき層23は、基材21の上面上及び下面上の双方に形成されていてもよく、端面も含めた全表面上に形成されていてもよい。これは、後述する他の実施形態においても同様である。
In addition, in this embodiment, although the example in which the
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図4は、本実施形態におけるリードフレームを例示する断面図である。
本実施形態は、前述の第1の実施形態と比較して、リードフレームのめっき構造が異なっている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a lead frame in the present embodiment.
The present embodiment is different from the first embodiment in the lead frame plating structure.
すなわち、図4に示すように、本実施形態においては、リードフレーム11及び12において、基材21と銀めっき層22との間に、中間めっき層24が設けられている。中間めっき層24は、銀及びロジウム以外の金属によって形成されている。また、中間めっき層24は、単層構造であってもよく、複数の層からなる積層構造であってもよい。例えば、中間めっき層24は、単層のニッケル(Ni)層であってもよく、基材21側から順に、銅層及びニッケル層が積層された(Cu/Ni)層であってもよく、基材21側から順に、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び金層が積層された(Cu/Ni/Pd/Au)層であってもよい。本実施形態における上記以外の構成及び動作は、前述の第1の実施形態と同様である。
That is, as shown in FIG. 4, in the present embodiment, an
本実施形態においては、リードフレーム11及び12に中間めっき層24が設けられているため、基材21と銀めっき層22との間の密着性を向上させることができる。これにより、半導体発光装置の信頼性が向上する。また、中間めっき層24によって基材21の表面の平坦性を補い、ロジウムめっき層23の表面の平坦性を向上させることができる。これにより、リードフレームの上面における光の反射率が向上し、光の利用効率が向上する。更に、基材21と銀めっき層22との間に中間めっき層24を介在させることにより、基材21からのパイルアップをより効果的に抑制することができる。これにより、長期間にわたって光の反射率を高く維持することができる。このパイルアップを抑制する効果は、中間めっき層24をニッケルにより形成した場合に特に顕著である。このため、中間めっき層24をニッケルにより形成した場合は、銀めっき層22の厚さを1μmまで薄くしてもよい。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
In the present embodiment, since the
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図5は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図6は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図である。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
図5及び図6に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置3は、前述の第1の実施形態に係る半導体発光装置1(図1参照)と比較して、パッケージ構造が異なっている。すなわち、半導体発光装置3においては、リードフレーム31及び32が設けられている。リードフレーム31及び32の形状は、それぞれ、短冊状の板材が2回屈曲してS字形とされた形状である。すなわち、リードフレーム31においては、略正方形の板状のチップ搭載部31aと、チップ搭載部31aと同じ幅であり、チップ搭載部31aから斜め下方に延出した連結部31bと、連結部31bよりも幅が狭く、連結部31bから水平方向に引き出された外部電極部31cとが、一体的に形成されている。チップ搭載部31aには、円形の貫通孔31dが形成されている。一方、リードフレーム32においては、長方形の板状のワイヤ接続部32aと、ワイヤ接続部32aよりも幅が狭く、ワイヤ接続部32aから斜め下方に延出した連結部32bと、連結部32bと同じ幅であり、連結部32bから水平方向に引き出された外部電極部31cとが、一体的に形成されている。リードフレーム31及び32のめっき構造は、前述の第1の実施形態におけるリードフレーム11及び12のめっき構造(図3参照)と同じである。すなわち、図3に示すように、基材21の上面上に銀めっき層22が設けられており、その上にロジウムめっき層23が設けられている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor
また、リードフレーム31のチップ搭載部31a上にはダイマウント材33が設けられており、その上にはLEDチップ34が搭載されている。LEDチップ34の上面及び下面にはそれぞれ端子が設けられており、下面の端子はダイマウント材33を介してチップ搭載部31aに接続されており、上面の端子はワイヤ36を介してリードフレーム32のワイヤ接続部32aに接続されている。
A
更に、半導体発光装置3には、直方体形状の透明樹脂体37が設けられている。透明樹脂体37内には、多数の粒状の蛍光体(図示せず)が分散されている。透明樹脂体37内には、リードフレーム31の一部、リードフレーム32の一部、ダイマウント材33の全体、LEDチップ34の全体及びワイヤ35の全体が埋め込まれている。より具体的には、リードフレーム31については、チップ搭載部31aの全体、連結部31bの全体、及び外部電極部31cの連結部31b側の部分は透明樹脂体37内に埋め込まれており、外部電極部31cの残部は透明樹脂体37の外部に引き出されている。リードフレーム32については、ワイヤ接続部32aの全体、連結部32bの全体、及び外部電極部32cの連結部32b側の部分は透明樹脂体37内に埋め込まれており、外部電極部32cの残部は透明樹脂体37の外部に引き出されている。
Further, the semiconductor
そして、半導体発光装置3には、外囲器は設けられておらず、透明樹脂体37並びにそこから引き出された外部電極部31c及び32cの先端部が、半導体発光装置3の外形を構成している。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。なお、リードフレーム31及び32のめっき構造は、前述の第2の実施形態と同じであってもよい。
The semiconductor
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図7は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図8(a)は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する断面図であり、(b)は、リードフレームを例示する平面図である。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 8A is a cross-sectional view illustrating the semiconductor light emitting device according to this embodiment, and FIG. 8B is a plan view illustrating the lead frame.
図7及び図8に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置4においては、一対のリードフレーム41及び42が設けられている。リードフレーム41及び42の形状は平板状であり、同一平面上に配置されており、相互に離隔している。リードフレーム41及び42の上面には、めっき処理が施されているが、そのめっき構造は、前述の第1の実施形態と同様である。すなわち、図3に示すように、銅からなる基材21の上面上及び下面上に、銀めっき層22が形成されており、基材21の上面上に形成された銀めっき層22の上面上には、ロジウムめっき層23が形成されている。なお、基材21の下面上に形成された銀めっき層22上にはロジウムめっき層23は形成されていない。また、リードフレーム11及び12の端面上には銀めっき層22及びロジウムめっき層23は形成されておらず、基材21が露出している。
As shown in FIGS. 7 and 8, in the semiconductor
以下、本実施形態においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。リードフレーム41及び42の上面に対して平行な方向のうち、リードフレーム41からリードフレーム42に向かう方向を+X方向とし、リードフレーム41及び42の上面に対して垂直な方向のうち、上方、すなわち、リードフレームから見てLEDチップ44が搭載されている方向を+Z方向とし、+X方向及び+Z方向の双方に対して直交する方向のうち一方を+Y方向とする。なお、+X方向、+Y方向及び+Z方向の反対方向を、それぞれ、−X方向、−Y方向及び−Z方向とする。また、例えば、「+X方向」及び「−X方向」を総称して、単に「X方向」ともいう。
Hereinafter, in this embodiment, for convenience of explanation, an XYZ orthogonal coordinate system is introduced. Of the directions parallel to the upper surfaces of the lead frames 41 and 42, the direction from the
リードフレーム41においては、Z方向から見て矩形のベース部41aが1つ設けられており、このベース部41aから4本の吊ピン41b、41c、41d、41eが延出している。吊ピン41bは、ベース部41aの+Y方向に向いた端縁のX方向中央部から+Y方向に向けて延出している。吊ピン41cは、ベース部41aの−Y方向に向いた端縁のX方向中央部から−Y方向に向けて延出している。このように、吊ピン41b〜41eは、ベース部41aの相互に異なる3辺からそれぞれ延出している。X方向における吊ピン41b及び41cの位置は相互に同一である。吊ピン41d及び41eは、ベース部41aの−X方向に向いた端縁の両端部から−X方向に向けて延出している。
In the
リードフレーム42は、リードフレーム41と比較して、X方向の長さが短く、Y方向の長さは同じである。リードフレーム42においては、Z方向から見て矩形のベース部42aが1つ設けられており、このベース部42aから4本の吊ピン42b、42c、42d、42eが延出している。吊ピン42bは、ベース部42aの+Y方向に向いた端縁の−X方向側の端部から+Y方向に向けて延出している。吊ピン42cは、ベース部42aの−Y方向に向いた端縁の−X方向側の端部から−Y方向に向けて延出している。吊ピン42d及び42eは、ベース部42aの+X方向に向いた端縁の両端部から+X方向に向けて延出している。このように、吊ピン42b〜42eは、ベース部42aの相互に異なる3辺からそれぞれ延出している。リードフレーム41の吊ピン41d及び41eの幅は、リードフレーム42における吊ピン42d及び42eの幅と同一でもよく、異なっていてもよい。但し、吊ピン41d及び41eの幅と吊ピン42d及び42eの幅とを異ならせれば、アノードとカソードの判別が容易になる。
The
リードフレーム41の下面41fにおけるベース部41aのX方向中央部には、凸部41gが形成されている。このため、リードフレーム41の厚さは2水準の値をとり、ベース部41aのX方向中央部、すなわち、凸部41gが形成されている部分は相対的に厚く、ベース部41aのX方向両端部及び吊ピン41b〜41eは相対的に薄い。図8(b)においては、ベース部41aにおける凸部41gが形成されていない部分を、薄板部41tとして示す。同様に、リードフレーム42の下面42fにおけるベース部42aのX方向中央部には、凸部42gが形成されている。これにより、リードフレーム42の厚さも2水準の値をとり、ベース部42aのX方向中央部は凸部42gが形成されているため相対的に厚く、ベース部42aのX方向両端部及び吊ピン42b〜42eは相対的に薄い。図8(b)においては、ベース部42aにおける凸部42gが形成されていない部分を、薄板部42tとして示す。換言すれば、ベース部41a及び42aのX方向両端部の下面には、それぞれ、ベース部41a及び42aの端縁に沿ってY方向に延びる切欠が形成されている。なお、図8(b)においては、リードフレーム41及び42における相対的に薄い部分、すなわち、各薄板部及び各吊りピンは、破線のハッチングを付して示している。
A
凸部41g及び42gは、リードフレーム41及び42における相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されており、これらの端縁を含む領域は、薄板部41t及び42tとなっている。リードフレーム41の上面41hとリードフレーム42の上面42hは同一平面上にあり、リードフレーム41の凸部41gの下面とリードフレーム42の凸部42gの下面は同一平面上にある。Z方向における各吊ピンの上面の位置は、リードフレーム41及び42の上面の位置と一致している。従って、各吊ピンは同一のXY平面上に配置されている。
The
リードフレーム41の上面41hのうち、ベース部41aに相当する領域の一部には、ダイマウント材43が被着されている。本実施形態においては、ダイマウント材43は導電性であっても絶縁性であってもよい。ダイマウント材43が導電性である場合は、ダイマウント材43は例えば、銀ペースト、半田又は共晶半田等により形成されている。ダイマウント材43が絶縁性である場合は、ダイマウント材43は例えば、透明樹脂ペーストにより形成されている。
A
ダイマウント材43上には、LEDチップ44が設けられている。すなわち、ダイマウント材がLEDチップ44をリードフレーム41に固着させることにより、LEDチップ44がリードフレーム41に搭載されている。LEDチップ44は、例えば、サファイア基板上に窒化ガリウム(GaN)等からなる半導体層が積層されたものであり、その形状は例えば直方体であり、その上面に端子44a及び44bが設けられている。LEDチップ44は、端子44aと端子44bとの間に電圧が供給されることによって、例えば青色の光を出射する。
An
LEDチップ44の端子44aにはワイヤ45の一端が接合されている。ワイヤ45は端子44aから+Z方向(直上方向)に引き出され、−X方向と−Z方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ45の他端はリードフレーム41の上面41hに接合されている。これにより、端子44aはワイヤ45を介してリードフレーム41に接続されている。一方、端子44bにはワイヤ46の一端が接合されている。ワイヤ46は端子44bから+Z方向に引き出され、+X方向と−Z方向との間の方向に向けて湾曲し、ワイヤ46の他端はリードフレーム42の上面42hに接合されている。これにより、端子44bはワイヤ46を介してリードフレーム42に接続されている。ワイヤ45及び46は金属、例えば、金又はアルミニウムによって形成されている。
One end of a
また、半導体発光装置4には、透明樹脂体47が設けられている。透明樹脂体47は透明な樹脂、例えば、シリコーン樹脂によって形成されている。透明樹脂体47の外形は直方体であり、リードフレーム41及び42、ダイマウント材43、LEDチップ44、ワイヤ45及び46を埋め込んでおり、透明樹脂体47の外形が半導体発光装置4の外形となっている。リードフレーム41の一部及びリードフレーム42の一部は、透明樹脂体47の下面及び側面において露出している。
The semiconductor
より詳細には、リードフレーム41の下面41fのうち、凸部41gの下面は透明樹脂体47の下面において露出しており、吊ピン41b〜41eの先端面は透明樹脂体47の側面において露出している。一方、リードフレーム41の上面41hの全体、下面41fのうち凸部41g以外の領域、凸部41gの側面、ベース部41aの端面は、透明樹脂体47によって覆われている。同様に、リードフレーム42の凸部42gの下面は透明樹脂体47の下面において露出しており、吊ピン42b〜42eの先端面は透明樹脂体47の側面において露出しており、上面42hの全体、下面42fのうち凸部42g以外の領域、凸部42gの側面、ベース部42aの端面は、透明樹脂体47によって覆われている。半導体発光装置4においては、透明樹脂体47の下面において露出した凸部41g及び42gの下面が、外部電極パッドとなる。
More specifically, of the
透明樹脂体47の内部には、多数の蛍光体48が分散されている。各蛍光体48は粒状であり、LEDチップ44から出射された光を吸収して、より波長が長い光を発光する。例えば、蛍光体48は、LEDチップ44から出射された青色の光の一部を吸収し、黄色の光を発光する。これにより、半導体発光装置4からは、LEDチップ44が出射し、蛍光体48に吸収されなかった青色の光と、蛍光体48から発光された黄色の光とが出射され、出射光は全体として白色となる。なお、図示の便宜上、図8(a)以外の図においては、蛍光体48を示していない。また、図8(a)においては、蛍光体48を実際よりも大きく且つ少なく示している。
A large number of
このような蛍光体48としては、例えば、黄緑色、黄色又はオレンジ色の光を発光するシリケート系の蛍光体を使用することができる。シリケート系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
(2−x−y)SrO・x(Bau,Cav)O・(1−a−b−c−d)SiO2・aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+
但し、0<x、0.005<y<0.5、x+y≦1.6、0≦a、b、c、d<0.5、0<u、0<v、u+v=1である。
As such a
(2-x-y) SrO · x (Ba u, Ca v) O · (1-a-b-c-d)
However, 0 <x, 0.005 <y <0.5, x + y ≦ 1.6, 0 ≦ a, b, c, d <0.5, 0 <u, 0 <v, u + v = 1.
また、黄色蛍光体として、YAG系の蛍光体を使用することもできる。YAG系の蛍光体は、以下の一般式で表すことができる。
(RE1−xSmx)3(AlyGa1−y)5O12:Ce
但し、0≦x<1、0≦y≦1、REはY及びGdから選択される少なくとも1種の元素である。
In addition, a YAG phosphor can be used as the yellow phosphor. A YAG-based phosphor can be represented by the following general formula.
(RE 1-x Sm x) 3 (Al y Ga 1-y) 5 O 12: Ce
However, 0 ≦ x <1, 0 ≦ y ≦ 1, and RE is at least one element selected from Y and Gd.
又は、蛍光体48として、サイアロン系の赤色蛍光体及び緑色蛍光体を混合して使用することもできる。
サイアロン系の赤色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
(M1−x,Rx)a1AlSib1Oc1Nd1
但し、MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca及びSrの少なくとも一方であることが望ましい。Rは発光中心元素であり、特にEuが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7である。
このようなサイアロン系の赤色蛍光体の具体例を以下に示す。
Sr2Si7Al7ON13:Eu2+
Alternatively, a sialon red phosphor and a green phosphor can be mixed and used as the
The sialon-based red phosphor can be represented by the following general formula, for example.
(M 1-x , R x ) a1 AlSi b1 O c1 N d1
However, M is at least one kind of metal element excluding Si and Al, and is particularly preferably at least one of Ca and Sr. R is a luminescent center element, and Eu is particularly desirable. x, a1, b1, c1, and d1 are 0 <x ≦ 1, 0.6 <a1 <0.95, 2 <b1 <3.9, 0.25 <c1 <0.45, 4 <d1 <5. .7.
Specific examples of such sialon-based red phosphors are shown below.
Sr 2 Si 7 Al 7 ON 13 : Eu 2+
サイアロン系の緑色蛍光体は、例えば下記一般式で表すことができる。
(M1−x,Rx)a2AlSib2Oc2Nd2
但し、MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特にCa及びSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特にEuが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11である。
このようなサイアロン系の緑色蛍光体の具体例を以下に示す。
Sr3Si13Al3O2N21:Eu2+
The sialon-based green phosphor can be represented by the following general formula, for example.
(M 1-x , R x ) a2 AlSi b2 O c2 N d2
However, M is at least one metal element excluding Si and Al, and at least one of Ca and Sr is particularly desirable. R is a luminescent center element, and Eu is particularly desirable. x, a2, b2, c2, and d2 are 0 <x ≦ 1, 0.93 <a2 <1.3, 4.0 <b2 <5.8, 0.6 <c2 <1, 6 <d2 <11 It is.
Specific examples of such sialon-based green phosphors are shown below.
Sr 3 Si 13 Al 3 O 2 N 21 : Eu 2+
次に、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図9は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示するフローチャート図であり、
図10(a)〜(d)、図11(a)〜(c)、図12(a)及び(b)は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図であり、
図13(a)は、本実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、(b)は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。
Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment will be described.
FIG. 9 is a flowchart illustrating the method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIGS. 10A to 10D, 11 </ b> A to 11 </ b> C, 12 </ b> A and 12 </ b> B are process cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment. ,
FIG. 13A is a plan view illustrating a lead frame sheet in the present embodiment, and FIG. 13B is a partially enlarged plan view illustrating an element region of the lead frame sheet.
先ず、図10(a)に示すように、導電性材料からなる導電シート51を用意する。この導電シート51は、例えば、短冊状の銅板51aの上下面に銀めっき層51bが形成されており、銅板51aの上面上に形成された銀めっき層51b上にロジウムめっき層51cが形成されたものである。次に、この導電シート51の上下面上に、マスク52a及び52bを形成する。マスク52a及び52bには、選択的に開口部52cが形成されている。マスク52a及び52bは、例えば印刷法によって形成することができる。
First, as shown in FIG. 10A, a
次に、マスク52a及び52bが被着された導電シート51をエッチング液に浸漬することにより、導電シート51をウェットエッチングする。これにより、導電シート51のうち、開口部52c内に位置する部分がエッチングされて選択的に除去される。このとき、例えば浸漬時間を調整することによってエッチング量を制御し、導電シート51の上面側及び下面側からのエッチングがそれぞれ単独で導電シート51を貫通する前に、エッチングを停止させる。これにより、上下面側からハーフエッチングを施す。但し、上面側及び下面側の双方からエッチングされた部分は、導電シート51を貫通するようにする。その後、マスク52a及び52bを除去する。
Next, the
これにより、図9及び図10(b)に示すように、導電シート51から銅板51a、銀めっき層51b及びロジウムめっき層51cが選択的に除去されて、リードフレームシート53が形成される。なお、図示の便宜上、図10(b)以降の図においては、銅板51a、銀めっき層51b及びロジウムめっき層51cを区別せずに、リードフレームシート53として一体的に図示する。図13(a)に示すように、リードフレームシート53においては、例えば3つのブロックBが設定されており、各ブロックBには例えば1000個程度の素子領域Pが設定されている。図13(b)に示すように、素子領域Pはマトリクス状に配列されており、素子領域P間は格子状のダイシング領域Dとなっている。各素子領域Pにおいては、相互に離隔したリードフレーム41及び42を含む基本パターンが形成されている。ダイシング領域Dにおいては、導電シート51を形成していた導電性材料が、隣り合う素子領域P間をつなぐように残留している。
As a result, as shown in FIGS. 9 and 10B, the
すなわち、素子領域P内においては、リードフレーム41とリードフレーム42とは相互に離隔しているが、ある素子領域Pに属するリードフレーム41は、この素子領域Pから見て−X方向に位置する隣の素子領域Pに属するリードフレーム42に連結されており、両フレームの間には、+X方向に向いた凸字状の開口部53aが形成されている。また、Y方向において隣り合う素子領域Pに属するリードフレーム41同士は、ブリッジ53bを介して連結されている。同様に、Y方向において隣り合う素子領域Pに属するリードフレーム42同士は、ブリッジ53cを介して連結されている。これにより、リードフレーム41及び42のベース部41a及び42aから、3方向に向けて4本の導電部材が延出している。更に、リードフレームシート53の下面側からのエッチングをハーフエッチングとすることにより、リードフレーム41及び42の下面にそれぞれ凸部41g及び42g(図8参照)が形成される。
That is, in the element region P, the
次に、図9及び図10(c)に示すように、リードフレームシート53の下面に、例えばポリイミドからなる補強テープ54を貼付する。そして、リードフレームシート53の各素子領域Pに属するリードフレーム41上に、ダイマウント材43を被着させる。例えば、ペースト状のダイマウント材43を、吐出器からリードフレーム41上に吐出させるか、機械的な手段によりリードフレーム41上に転写する。次に、ダイマウント材43上にLEDチップ44をマウントする。次に、ダイマウント材43を焼結するための熱処理(マウントキュア)を行う。これにより、リードフレームシート53の各素子領域Pにおいて、リードフレーム41上にダイマウント材43を介してLEDチップ44が搭載される。
Next, as shown in FIGS. 9 and 10C, a reinforcing
次に、図9及び図10(d)に示すように、例えば超音波接合により、ワイヤ45の一端をLEDチップ44の端子44aに接合し、他端をリードフレーム41の上面に接合する。また、ワイヤ46の一端をLEDチップ44の端子44bに接合し、他端をリードフレーム42の上面42hに接合する。これにより、端子44aがワイヤ45を介してリードフレーム41に接続され、端子44bがワイヤ46を介してリードフレーム42に接続される。
Next, as shown in FIGS. 9 and 10D, one end of the
次に、図9及び図11(a)に示すように、下金型101を用意する。下金型101は後述する上金型102と共に一組の金型を構成するものであり、下金型101の上面には、直方体形状の凹部101aが形成されている。一方、シリコーン樹脂等の透明樹脂に蛍光体48(図8(a)参照)を混合し、撹拌することにより、液状又は半液状の蛍光体含有樹脂材料56を調製する。そして、ディスペンサ103により、下金型101の凹部101a内に、蛍光体含有樹脂材料56を供給する。
Next, as shown in FIGS. 9 and 11A, a
次に、図9及び図11(b)に示すように、上述のLEDチップ44を搭載したリードフレームシート53を、LEDチップ44が下方に向くように、上金型102の下面に装着する。そして、上金型102を下金型101に押し付け、金型を型締めする。これにより、リードフレームシート53が蛍光体含有樹脂材料56に押し付けられる。このとき、蛍光体含有樹脂材料56はLEDチップ44、ワイヤ45及び46を覆い、リードフレームシート53におけるエッチングによって除去された部分内にも侵入する。このようにして、蛍光体含有樹脂材料56がモールドされる。
Next, as shown in FIG. 9 and FIG. 11B, the
次に、図9及び図11(c)に示すように、蛍光体含有樹脂材料56にリードフレームシート53の上面を押し付けた状態で熱処理(モールドキュア)を行い、蛍光体含有樹脂材料56を硬化させる。その後、図12(a)に示すように、上金型102を下金型101から引き離す。これにより、リードフレームシート53上に、リードフレームシート53の上面全体及び下面の一部を覆い、LEDチップ44等を埋め込む透明樹脂板59が形成される。透明樹脂板59には、蛍光体48(図8(a)参照)が分散されている。
Next, as shown in FIG. 9 and FIG. 11C, heat treatment (mold cure) is performed with the upper surface of the
次に、図9及び図12(b)に示すように、リードフレームシート53から補強テープ54を引き剥がす。これにより、透明樹脂板59の表面においてリードフレーム41及び42の凸部41g及び42g(図8参照)の下面が露出する。次に、ブレード104により、リードフレームシート53及び透明樹脂板59からなる結合体を、リードフレームシート53側からダイシングする。すなわち、−Z方向側から+Z方向に向けてダイシングする。これにより、リードフレームシート53及び透明樹脂板59におけるダイシング領域Dに配置された部分が除去される。この結果、リードフレームシート53及び透明樹脂板59における素子領域Pに配置された部分が個片化され、図7及び図8に示す半導体発光装置4が製造される。
Next, as shown in FIGS. 9 and 12B, the reinforcing
ダイシング後の各半導体発光装置4においては、リードフレームシート53からリードフレーム41及び42が分離される。また、透明樹脂板59が分断されて、透明樹脂体47となる。そして、ダイシング領域DにおけるY方向に延びる部分が、リードフレームシート53の開口部53aを通過することにより、リードフレーム41及び42にそれぞれ吊ピン41d、41e、42d、42eが形成される。また、ブリッジ53bが分断されることにより、リードフレーム41に吊ピン41b及び41cが形成され、ブリッジ53cが分断されることにより、リードフレーム42に吊ピン42b及び42cが形成される。吊ピン41b〜41e及び42b〜42eの先端面は、透明樹脂体47の側面において露出する。更に、導電シート51のうち、銅板51aがリードフレーム41及び42の基材21となり、銀めっき層51bが銀めっき層22となり、ロジウムめっき層51cがロジウムめっき層23となる。
In each semiconductor
次に、図9に示すように、半導体発光装置4について、各種のテストを行う。このとき、吊ピン41b〜41e及び42b〜42eの先端面をテスト用の端子として使用することも可能である。
Next, as shown in FIG. 9, various tests are performed on the semiconductor
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態に係る半導体発光装置4においては、白色樹脂からなる外囲器が設けられていないため、外囲器がLEDチップ44から生じる光及び熱を吸収して劣化することがない。特に、外囲器がポリアミド系の熱可塑性樹脂によって形成されている場合は劣化が進行しやすいが、本実施形態においてはその虞がない。このため、本実施形態に係る半導体発光装置4は、耐久性が高い。従って、本実施形態に係る半導体発光装置4は寿命が長く、信頼性が高く、幅広い用途に適用可能である。
Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
In the semiconductor
また、本実施形態に係る半導体発光装置4においては、透明樹脂体47をシリコーン樹脂によって形成している。シリコーン樹脂は光及び熱に対する耐久性が高いため、これによっても、半導体発光装置4の耐久性が向上する。
In the semiconductor
更に、本実施形態に係る半導体発光装置4においては、透明樹脂体47の側面を覆う外囲器が設けられていないため、広い角度に向けて光が出射される。このため、本実施形態に係る半導体発光装置4は、広い角度で光を出射する必要がある用途、例えば、照明及び液晶テレビのバックライトとして使用する際に有利である。
Furthermore, in the semiconductor
更にまた、本実施形態に係る半導体発光装置4においては、透明樹脂体47がリードフレーム41及び42の下面の一部及び端面の大部分を覆うことにより、リードフレーム41及び42の周辺部を保持している。このため、リードフレーム41及び42の凸部41g及び42gの下面を透明樹脂体47から露出させて外部電極パッドを実現しつつ、リードフレーム41及び42の保持性を高めることができる。すなわち、ベース部41a及び42aのX方向中央部に凸部41g及び42gを形成することによって、ベース部41a及び42aの下面のX方向の両端部に切欠を実現する。そして、この切欠内に透明樹脂体47が回り込むことによって、リードフレーム41及び42を強固に保持することができる。これにより、ダイシングの際に、リードフレーム41及び42が透明樹脂体47から剥離しにくくなり、半導体発光装置4の歩留まりを向上させることができる。
Furthermore, in the semiconductor
更にまた、本実施形態に係る半導体発光装置4においては、リードフレーム41及び42の上面及び下面に銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されている。これにより、前述の第1の実施形態と同様な効果を得ることができる。すなわち、コストを抑え、ワイヤボンディング性を確保しつつ、リードフレームの変色を防止し、長期間にわたって高い反射率を維持することができる。なお、各リードフレームのめっき構造は、前述の第2の実施形態と同じとしてもよい。
Furthermore, in the semiconductor
更にまた、本実施形態においては、1枚の導電性シート51から、多数、例えば、数千個程度の半導体発光装置4を一括して製造することができる。これにより、半導体発光装置1個当たりの製造コストを低減することができる。また、外囲器が設けられていないため、部品点数及び工程数が少なく、コストが低い。
Furthermore, in the present embodiment, a large number, for example, about several thousand semiconductor
更にまた、本実施形態においては、リードフレームシート53をウェットエッチングによって形成している。このため、新たなレイアウトの半導体発光装置を製造する際には、マスクの原版のみを用意すればよく、金型によるプレス等の方法によってリードフレームシート53を形成する場合と比較して、初期コストを低く抑えることができる。
Furthermore, in the present embodiment, the
更にまた、本実施形態に係る半導体発光装置4においては、リードフレーム41及び42のベース部41a及び42aから、それぞれ吊ピンが延出している。これにより、ベース部自体が透明樹脂体47の側面において露出することを防止し、リードフレーム41及び42の露出面積を低減することができる。この結果、リードフレーム41及び42が透明樹脂体47から剥離することを防止できる。また、リードフレーム41及び42の腐食も抑制できる。
Furthermore, in the semiconductor
この効果を製造方法の点から見ると、図10(b)に示すように、リードフレームシート53において、ダイシング領域Dに介在するように、開口部53a、ブリッジ53b及び53cを設けることにより、ダイシング領域Dに介在する金属部分を減らしている。これにより、ダイシングが容易になり、ダイシングブレードの磨耗を抑えることができる。また、本実施形態においては、リードフレーム41及び42のそれぞれから、3方向に4本の吊ピンが延出している。これにより、図10(c)に示すLEDチップ44のマウント工程において、リードフレーム41が隣の素子領域Pのリードフレーム41及び42によって3方向から確実に支持されるため、マウント性が高い。同様に、図10(d)に示すワイヤボンディング工程においても、ワイヤの接合位置が3方向から確実に支持されるため、例えば超音波接合の際に印加した超音波が逃げることが少なく、ワイヤをリードフレーム及びLEDチップに良好に接合することができる。
In view of the manufacturing method, as shown in FIG. 10B, the
更にまた、本実施形態においては、図12(b)に示すダイシング工程において、リードフレームシート53側からダイシングを行っている。これにより、リードフレーム41及び42の切断端部を形成する金属材料が、透明樹脂体47の側面上を+Z方向に延伸する。このため、この金属材料が透明樹脂体47の側面上を−Z方向に延伸して半導体発光装置4の下面から突出し、バリが発生することがない。従って、半導体発光装置4を実装する際に、バリに起因して実装不良となることがない。
Furthermore, in this embodiment, dicing is performed from the
次に、本実施形態の変形例について説明する。
本変形例は、リードフレームシートの形成方法の変形例である。
すなわち、本変形例においては、図10(a)に示すリードフレームシートの形成方法が、前述の第4の実施形態と異なっている。
図14(a)〜(h)は、本変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。
Next, a modification of this embodiment will be described.
This modification is a modification of the lead frame sheet forming method.
That is, in this modification, the lead frame sheet forming method shown in FIG. 10A is different from the above-described fourth embodiment.
14A to 14H are process cross-sectional views illustrating a method for forming a lead frame sheet in this variation.
先ず、図14(a)に示すように、銅板51aを用意し、これを洗浄する。次に、図14(b)に示すように、銅板51aの両面に対してレジストコーティングを施し、その後乾燥させて、レジスト膜111を形成する。次に、図14(c)に示すように、レジスト膜111上にマスクパターン112を配置し、紫外線を照射して露光する。これにより、レジスト膜111の露光部分が硬化し、レジストマスク111aが形成される。次に、図14(d)に示すように、現像を行い、レジスト膜111における硬化していない部分を洗い流す。これにより、銅板51aの上下面上にレジストパターン111aが残留する。次に、図14(e)に示すように、レジストパターン111aをマスクとしてエッチングを施し、銅板51aにおける露出部分を両面から除去する。このとき、エッチング深さは、銅板51aの板厚の半分程度とする。これにより、片面側からのみエッチングされた領域はハーフエッチングされ、両面側からエッチングされた領域は貫通する。次に、図14(f)に示すように、レジストパターン111aを除去する。
First, as shown to Fig.14 (a), the
次に、図14(g)に示すように、銅板51aの端部をマスク113によって覆う。そして、電解めっき法により、銀めっきを施し、その後、銅板51aの下面をマスク(図示せず)によって覆い、電解めっき法により、ロジウムめっきを施す。これにより、銅板51の端部以外の部分の表面上に、銀めっき層51b及びロジウムめっき層51cが形成される。このとき、ロジウムめっき層51cは銅板51cの下面上には形成されない。次に、図14(h)に示すように、洗浄してマスク113を除去する。その後、検査を行う。このようにして、リードフレームシート53が作製される。本変形例における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第4の実施形態と同様である。
Next, as shown in FIG. 14G, the end of the
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。
図15は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する斜視図であり、
図16は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する側面図である。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
FIG. 16 is a side view illustrating the semiconductor light emitting device according to this embodiment.
図15及び図16に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置5においては、前述の第4の実施形態に係る半導体発光装置4(図7参照)と比較して、リードフレーム41(図7参照)がX方向において2枚のリードフレーム61及び62に分割されている点が異なっている。リードフレーム61及び62の上下面には、銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されている。リードフレーム62はリードフレーム61とリードフレーム42との間に配置されている。そして、リードフレーム61には、リードフレーム41の吊ピン41d及び41e(図7参照)に相当する吊ピン61d及び61eが形成されており、また、ベース部61aから+Y方向及び−Y方向にそれぞれ延出した吊ピン61b及び61cが形成されている。吊ピン61b及び61cのX方向における位置は、相互に同一である。更に、リードフレーム61にはワイヤ45が接合されている。一方、リードフレーム62には、リードフレーム41の吊ピン41b及び41c(図7参照)に相当する吊ピン62b及び62cが形成されており、ダイマウント材43を介してLEDチップ44が搭載されている。また、リードフレーム41の凸部41gに相当する凸部は、凸部61g及び62gとしてリードフレーム61及び62に分割して形成されている。
As shown in FIGS. 15 and 16, in the semiconductor
本実施形態においては、リードフレーム61及び42は外部から電位が印加されることにより、外部電極として機能する。一方、リードフレーム62には電位を印加する必要はなく、ヒートシンク専用のリードフレームとして使用することができる。これにより、1つのモジュールに複数個の半導体発光装置5を搭載する場合に、リードフレーム62を共通のヒートシンクに接続することができる。なお、リードフレーム62には、接地電位を印加してもよく、浮遊状態としてもよい。また、半導体発光装置5をマザーボードに実装する際に、リードフレーム61、62及び42にそれぞれ半田ボールを接合することにより、所謂マンハッタン現象を抑制することができる。マンハッタン現象とは、複数個の半田ボール等を介して基板にデバイス等を実装するときに、リフロー炉における半田ボールの融解のタイミングのずれ及び半田の表面張力に起因して、デバイスが起立してしまう現象をいい、実装不良の原因となる現象である。本実施形態によれば、リードフレームのレイアウトをX方向において対称とし、半田ボールをX方向において密に配置することにより、マンハッタン現象が生じにくくなる。
In the present embodiment, the lead frames 61 and 42 function as external electrodes when a potential is applied from the outside. On the other hand, it is not necessary to apply a potential to the
また、本実施形態においては、リードフレーム61が吊ピン61b〜61eによって3方向から支持されているため、ワイヤ45のボンディング性が良好である。同様に、リードフレーム42が吊ピン42b〜42eによって3方向から支持されているため、ワイヤ46のボンディング性が良好である。
Moreover, in this embodiment, since the
このような半導体発光装置5は、前述の図10(a)に示す工程において、リードフレームシート53の各素子領域Pの基本パターンを変更することにより、前述の第4の実施形態と同様な方法で製造することができる。すなわち、前述の第4の実施形態において説明した製造方法によれば、マスク52a及び52bのパターンを変更するだけで、種々のレイアウトの半導体発光装置を製造することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び作用効果は、前述の第4の実施形態と同様である。
Such a semiconductor
なお、本実施形態においては、リードフレーム62のみに、銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されていてもよい。すなわち、リードフレーム61及び42には、銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されていなくても、リードフレーム62の上面に銀めっき層及びロジウムめっき層が形成されていれば、半導体発光装置5の出力を長期間にわたってある程度向上させることができる。また、各リードフレームのめっき構造は、前述の第2の実施形態と同じであってもよい。
In the present embodiment, a silver plating layer and a rhodium plating layer may be formed only on the
次に、前述の各実施形態の効果を示す試験例について説明する。
先ず、第1の試験例について説明する。
第1の試験例においては、ピールテストを行い、リードフレームに対するワイヤのボンディング性を評価した。
Next, test examples showing the effects of the above-described embodiments will be described.
First, the first test example will be described.
In the first test example, a peel test was performed to evaluate the bondability of the wire to the lead frame.
前述の第4の実施形態において説明した方法により、ロジウムめっき層の厚さが25nm、50nm、75nmであるリードフレームシートを作製した。また、銀めっき層のみを形成し、ロジウムめっき層を形成していないリードフレームも作製した。このとき、基材には銅板を使用し、銀めっき層の厚さは3〜8μmとした。次に、これらのリードフレームに対して、金からなるワイヤを接合した。ワイヤの接合は超音波接合によって行った。すなわち、リードフレームシートとワイヤとの接触部分に対して、熱、加重及び超音波を印加して、ワイヤの先端を溶融させてリードフレームに接合した。このようなボンディング接合部を、各リードフレームシートにおいて10個形成した。 A lead frame sheet having a rhodium plating layer thickness of 25 nm, 50 nm, and 75 nm was produced by the method described in the fourth embodiment. Further, a lead frame in which only a silver plating layer was formed and no rhodium plating layer was formed was also produced. At this time, a copper plate was used as the base material, and the thickness of the silver plating layer was 3 to 8 μm. Next, a gold wire was bonded to these lead frames. Wire bonding was performed by ultrasonic bonding. That is, heat, weight, and ultrasonic waves were applied to the contact portion between the lead frame sheet and the wire to melt the tip of the wire and bonded to the lead frame. Ten such bonding joints were formed in each lead frame sheet.
次に、これらのボンディング接合部に対してピールテストを行った。すなわち、ピンセットを使用してワイヤを引き剥がす方向に引っ張り、ワイヤをリードフレームシートから引き剥がした。そして、引き剥がした跡を顕微鏡によって上方から観察し、ステッチ部に占める残留しているワイヤ材料の面積率を計測し、ワイヤ材料が多く残留していれば、良好と判定した。 Next, a peel test was performed on these bonding joints. That is, using a tweezers, the wire was pulled in the direction of peeling, and the wire was peeled off from the lead frame sheet. And the trace which peeled off was observed from the upper direction with the microscope, the area ratio of the wire material which occupies for a stitch part was measured, and if many wire materials remained, it was determined that it was favorable.
その結果、ロジウムめっき層の厚さが25nm、50nm、75nmのリードフレームシートにおいては、全てのボンディング接合部が良好であった。また、ロジウムめっき層を形成していないリードフレームにおいても、全てのボンディング接合部が良好であった。この試験の結果から、ロジウムめっき層の厚さが25〜75nmであれば、ボンディング性が良好であり、ロジウムめっき層を形成していない場合と同等であることがわかる。 As a result, in the lead frame sheet having a rhodium plating layer thickness of 25 nm, 50 nm, and 75 nm, all the bonding joints were good. In addition, all the bonding joints were good even in the lead frame in which the rhodium plating layer was not formed. From the results of this test, it can be seen that when the thickness of the rhodium plating layer is 25 to 75 nm, the bonding property is good and is equivalent to the case where the rhodium plating layer is not formed.
次に、第2の試験例について説明する。
第2の試験例においては、THO(Temperature Humidity Operating:高温高湿動作)試験及びHTO(High Temperature Operating:高温連続動作)試験を行い、半導体発光装置の信頼性を評価した。
図17は、横軸にタイミングをとり、縦軸に光束値の変動率をとって、THO試験の結果を示すグラフ図であり、
図18は、横軸にタイミングをとり、縦軸に光束値の変動率をとって、HTO試験の結果を示すグラフ図である。
Next, a second test example will be described.
In the second test example, the THO (Temperature Humidity Operating) test and the HTO (High Temperature Operating) test were performed to evaluate the reliability of the semiconductor light emitting device.
FIG. 17 is a graph showing the result of the THO test, with the horizontal axis representing timing and the vertical axis representing the variation rate of the luminous flux value.
FIG. 18 is a graph showing the results of the HTO test with the horizontal axis representing timing and the vertical axis representing the variation rate of the luminous flux value.
先ず、評価用のサンプルとして、前述の第1の実施形態に係る半導体発光装置を複数個作製した。このとき、装置間でリードフレームのめっき構造を相互に異ならせた。すなわち、第1のサンプルについては、銅製の基材上に銀めっき層のみを形成して、リードフレームを作製した。第2〜第4のサンプルについては、銅製の基材上に銀めっき層を形成し、その上にロジウムめっき層を形成して、リードフレームを作製した。このとき、第2、第3、第4のサンプルについて、ロジウムめっき層の厚さをそれぞれ25nm、50nm、75nmとした。そして、これらのサンプルについて、光束値を測定した。このときの測定値をイニシャルの光束値とした。 First, a plurality of semiconductor light emitting devices according to the first embodiment described above were manufactured as evaluation samples. At this time, the lead frame plating structures were different from each other. That is, for the first sample, only a silver plating layer was formed on a copper base material to produce a lead frame. About the 2nd-4th sample, the silver plating layer was formed on the copper-made base material, the rhodium plating layer was formed on it, and the lead frame was produced. At this time, the thickness of the rhodium plating layer was set to 25 nm, 50 nm, and 75 nm for the second, third, and fourth samples, respectively. And about these samples, the light beam value was measured. The measured value at this time was set as the initial luminous flux value.
次に、これらのサンプルに対して、前処理を施した。前処理は、温度が85℃、湿度が85%の吸湿雰囲気中において、最高到達温度を265℃とするリフロー処理を施す動作を、2回繰り返した。そして、前処理後のサンプルについて光束値を測定し、イニシャルの光束値に対する変動率(Δlv)を算出した。 Next, pretreatment was performed on these samples. In the pretreatment, an operation of performing a reflow treatment for setting the maximum temperature to 265 ° C. in a hygroscopic atmosphere having a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85% was repeated twice. Then, the light flux value was measured for the sample after the pretreatment, and the rate of change (Δlv) with respect to the initial light flux value was calculated.
次に、前処理後のサンプルに対して、THO試験及びHTO試験を行った。THO試験においては、温度が85℃、湿度が85%の雰囲気中で、50mAの電流をサンプルに通電した。一方、HTO試験においては、温度が110℃の雰囲気中で、40mAの電流をサンプルに通電した。そして、168時間経過後及び336時間経過後に、各サンプルの光束値を測定し、イニシャルの光束値に対する変動率(Δlv)を算出した。THO試験の結果を表1及び図17に示す。また、HTO試験の結果を表2及び図18に示す。なお、表2及び表3においては、上述の第1〜第4のサンプルを、それぞれ、記号「Ag」、「Rh25」、「Rh50」、「Rh75」で示す。 Next, the THO test and the HTO test were performed on the sample after the pretreatment. In the THO test, a current of 50 mA was applied to the sample in an atmosphere having a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%. On the other hand, in the HTO test, a current of 40 mA was passed through the sample in an atmosphere having a temperature of 110 ° C. After 168 hours and 336 hours, the luminous flux value of each sample was measured, and the variation rate (Δlv) with respect to the initial luminous flux value was calculated. The results of the THO test are shown in Table 1 and FIG. The results of the HTO test are shown in Table 2 and FIG. In Tables 2 and 3, the first to fourth samples described above are indicated by symbols “Ag”, “Rh25”, “Rh50”, and “Rh75”, respectively.
表1及び図17に示すように、THO試験においては、リードフレームにロジウムめっき層を形成していないサンプル(Ag)に対して、ロジウムめっき層を形成したサンプル(Rh25、Rh50、Rh75)は、336時間経過後に3〜7%の特性劣化の改善効果が認められた。
また、表2及び図18に示すように、HTO試験においては、リードフレームにロジウムめっき層を形成していないサンプル(Ag)に対して、ロジウムめっき層を形成したサンプル(Rh25、Rh50、Rh75)は、336時間経過後に13〜17%の特性劣化の改善効果が認められた。
As shown in Table 1 and FIG. 17, in the THO test, the sample (Rh25, Rh50, Rh75) in which the rhodium plating layer was formed with respect to the sample (Ag) in which the rhodium plating layer was not formed on the lead frame, After 336 hours, an effect of improving characteristic deterioration of 3 to 7% was recognized.
Moreover, as shown in Table 2 and FIG. 18, in the HTO test, the sample (Rh25, Rh50, Rh75) in which the rhodium plating layer was formed with respect to the sample (Ag) in which the rhodium plating layer was not formed on the lead frame. After 336 hours, an effect of improving characteristic deterioration of 13 to 17% was recognized.
以上、実施形態及びその変形例を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態及び変形例に限定されるものではない。前述の各実施形態及びその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。 Although the present invention has been described above with reference to the embodiments and the modifications thereof, the present invention is not limited to these embodiments and modifications. Those in which those skilled in the art have appropriately added, deleted, or changed the design of the above-described embodiments and modifications thereof, or those in which processes have been added, omitted, or changed conditions are also included in the present invention. As long as it has the gist of the above, it is included in the scope of the present invention.
例えば、半導体発光装置におけるパッケージ構成は、前述の各実施形態の例には限定されない。例えば、前述の各実施形態においては、リードフレームの基材21を銅によって形成する例を示したが、本発明はこれに限定されず、銅以外の導電性材料によって形成してもよい。また、基材は、例えば、ガラスエポキシ基板上に形成された金属配線であってもよく、セラミック基板上に形成された金属配線であってもよい。更に、前述の第4の実施形態及びその変形例においては、リードフレームシート23をウェットエッチングによって形成する例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えばプレス等の機械的な手段によって形成してもよい。
For example, the package configuration in the semiconductor light emitting device is not limited to the above-described embodiments. For example, in each of the above-described embodiments, the example in which the
更にまた、リードフレームの上面におけるダイマウント材を形成する予定の領域とワイヤを接合する予定の領域との間に、溝を形成してもよい。又は、リードフレームの上面におけるダイマウント材を形成する予定の領域に凹部を形成してもよい。これにより、ダイマウント材の供給量又は供給位置がばらついても、ダイマウント材がワイヤの接合予定領域まで流出することを防止でき、ワイヤの接合が阻害されることを防止できる。 Furthermore, a groove may be formed between a region where the die mount material is to be formed on the upper surface of the lead frame and a region where the wire is to be bonded. Or you may form a recessed part in the area | region which will form the die mount material in the upper surface of a lead frame. Thereby, even if the supply amount or supply position of the die mount material varies, it is possible to prevent the die mount material from flowing out to the region where the wire is scheduled to be bonded, and to prevent the wire bonding from being hindered.
更にまた、前述の各実施形態及びその変形例においては、LEDチップを青色の光を出射するチップとし、蛍光体を青色に光を吸収して赤色の光及び緑色の光を発光する蛍光体、又は、黄色の光を発光する蛍光体とする例を示したが、本発明はこれに限定されない。LEDチップは青色以外の色の可視光を出射するものであってもよく、紫外線又は赤外線を出射するものであってもよい。また、半導体発光装置には、蛍光体が設けられていなくてもよい。この場合は、LEDチップから出射された光が、そのまま半導体発光装置から出射される。 Furthermore, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, the LED chip is a chip that emits blue light, and the phosphor absorbs light in blue and emits red light and green light, Or although the example made into the fluorescent substance which light-emits yellow light was shown, this invention is not limited to this. The LED chip may emit visible light of a color other than blue, or may emit ultraviolet light or infrared light. Further, the phosphor may not be provided in the semiconductor light emitting device. In this case, the light emitted from the LED chip is emitted from the semiconductor light emitting device as it is.
更にまた、前述の各実施形態及びその変形例においては、半導体発光装置に1個のLEDチップが搭載されている例を示したが、半導体発光装置には複数個のLEDチップを搭載してもよい。更にまた、LEDチップに対して並列に、ツェナーダイオードチップを接続してもよい。更にまた、前述の各実施形態及びその変形例においては、発光素子はLEDチップである例を示したが、本発明はこれに限定されない。更にまた、透明樹脂体上にはレンズが設けられていてもよい。 Furthermore, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, an example in which one LED chip is mounted on the semiconductor light emitting device has been described. However, a plurality of LED chips may be mounted on the semiconductor light emitting device. Good. Furthermore, a Zener diode chip may be connected in parallel to the LED chip. Furthermore, in each of the above-described embodiments and modifications thereof, an example in which the light emitting element is an LED chip is shown, but the present invention is not limited to this. Furthermore, a lens may be provided on the transparent resin body.
1、3、4、5 半導体発光装置、11 リードフレーム、11a 外部電極、12 リードフレーム、12a 外部電極、13 ダイマウント材、14 LEDチップ、15、16 ワイヤ、17 透明樹脂体、20 外囲器、21 基材、22 銀めっき層、23 ロジウムめっき層、24 中間めっき層、31 リードフレーム、31a チップ搭載部、31b 連結部、31c 外部電極部、31d 貫通孔、32 リードフレーム、32a ワイヤ接続部、32b 連結部、32c 外部電極部、33 ダイマウント材、34 LEDチップ、36 ワイヤ、37 透明樹脂体、41 リードフレーム、41a ベース部、41b〜41e 吊ピン、41f 下面、41g 凸部、41h 上面、41t 薄板部、42 リードフレーム、42a ベース部、42b〜42e 吊ピン、42f 下面、42g 凸部、42h 上面、42t 薄板部、43 ダイマウント材、44 LEDチップ、44a、44b 端子、45、46 ワイヤ、47 透明樹脂体、47a〜47d 側面、48 蛍光体、51 導電シート、51a 銅板、51b 銀めっき層、52a、52b マスク、52c 開口部、53 リードフレームシート、53a 開口部、53b、53c ブリッジ、54 補強テープ、56 蛍光体含有樹脂材料、59 透明樹脂板、61 リードフレーム、61d、61e 吊ピン、61g 凸部、62 リードフレーム、62b、62c 吊ピン、62g 凸部、101 下金型、101a 凹部、102 上金型、103 ディスペンサ、104 ブレード、111 レジスト膜、111a レジストマスク、112 マスクパターン、113 マスク、B ブロック、D ダイシング領域、P 素子領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 3, 4, 5 Semiconductor light-emitting device, 11 Lead frame, 11a External electrode, 12 Lead frame, 12a External electrode, 13 Die mount material, 14 LED chip, 15, 16 Wire, 17 Transparent resin body, 20 Envelope , 21 base material, 22 silver plating layer, 23 rhodium plating layer, 24 intermediate plating layer, 31 lead frame, 31a chip mounting portion, 31b connection portion, 31c external electrode portion, 31d through hole, 32 lead frame, 32a wire connection portion , 32b connecting part, 32c external electrode part, 33 die mount material, 34 LED chip, 36 wire, 37 transparent resin body, 41 lead frame, 41a base part, 41b to 41e hanging pin, 41f lower surface, 41g convex part, 41h upper surface , 41t Thin plate part, 42 Lead frame, 42a Base part 42b-42e Hanging pin, 42f Lower surface, 42g Convex portion, 42h Upper surface, 42t Thin plate portion, 43 Die mount material, 44 LED chip, 44a, 44b Terminal, 45, 46 Wire, 47 Transparent resin body, 47a-47d Side surface, 48 Phosphor, 51 conductive sheet, 51a copper plate, 51b silver plating layer, 52a, 52b mask, 52c opening, 53 lead frame sheet, 53a opening, 53b, 53c bridge, 54 reinforcing tape, 56 phosphor-containing resin material, 59 Transparent resin plate, 61 Lead frame, 61d, 61e Suspension pin, 61g Protrusion, 62 Lead frame, 62b, 62c Suspension pin, 62g Convex, 101 Lower mold, 101a Concavity, 102 Upper mold, 103 Dispenser, 104 Blade 111 resist film, 111a resist Mask, 112 mask pattern, 113 mask, B block, D dicing region, P element region
Claims (9)
前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続された発光素子と、
を備え、
前記第1及び第2のリードフレームは、それぞれ、
基材と、
前記基材の少なくとも上面上に形成され、厚さが2μm以上である銀めっき層と、
前記銀めっき層上に形成され、前記銀めっき層よりも薄いロジウムめっき層と、
を有することを特徴とする半導体発光装置。 First and second lead frames spaced apart from each other;
A light emitting device provided above the first and second lead frames, one terminal connected to the first lead frame, and the other terminal connected to the second lead frame;
With
The first and second lead frames are respectively
A substrate;
A silver plating layer formed on at least the upper surface of the substrate and having a thickness of 2 μm or more;
A rhodium plating layer formed on the silver plating layer and thinner than the silver plating layer;
A semiconductor light emitting device comprising:
前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続された発光素子と、
前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記発光素子を覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、
を備え、
前記第1及び第2のリードフレームは、それぞれ、
基材と、
前記基材の少なくとも上面上に形成された銀めっき層と、
前記銀めっき層上に形成されたロジウムめっき層と、
を有することを特徴とする半導体発光装置。 First and second lead frames disposed on the same plane and spaced apart from each other;
A light emitting device provided above the first and second lead frames, one terminal connected to the first lead frame, and the other terminal connected to the second lead frame;
A resin body that covers the entire upper surface, part of the lower surface and part of the end surface of each of the first and second lead frames, covers the light emitting element, and exposes the remaining part of the lower surface and the remaining part of the end surface;
With
The first and second lead frames are respectively
A substrate;
A silver plating layer formed on at least the upper surface of the substrate;
A rhodium plating layer formed on the silver plating layer;
A semiconductor light emitting device comprising:
前記凸部の下面は前記樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 Convex portions are formed on the lower surface of the first lead frame and the lower surface of the second lead frame,
The semiconductor light emitting device according to claim 5, wherein a lower surface of the convex portion is exposed on a lower surface of the resin body, and a side surface of the convex portion is covered with the resin body. .
前記第1のリードフレーム及び前記第2のリードフレームのうちの少なくとも一方は、
端面が前記樹脂体によって覆われたベース部と、
前記ベース部から延出し、その下面が前記樹脂体によって覆われ、その先端面が前記樹脂体の相互に異なる3つの側面に露出した複数本の吊ピンと、
を有することを特徴とする請求項5〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 When viewed from above, the shape of the resin body is rectangular,
At least one of the first lead frame and the second lead frame is:
A base portion whose end face is covered with the resin body;
A plurality of suspension pins extending from the base portion, the lower surface of which is covered with the resin body, and the tip surface of which is exposed on three different side surfaces of the resin body;
The semiconductor light-emitting device according to claim 5, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010068753A JP2011204790A (en) | 2010-03-24 | 2010-03-24 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010068753A JP2011204790A (en) | 2010-03-24 | 2010-03-24 | Semiconductor light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011204790A true JP2011204790A (en) | 2011-10-13 |
Family
ID=44881166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010068753A Pending JP2011204790A (en) | 2010-03-24 | 2010-03-24 | Semiconductor light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011204790A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102709267A (en) * | 2012-05-23 | 2012-10-03 | 顺德工业(江苏)有限公司 | Lead frame in semiconductor |
JP2013161962A (en) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame and semiconductor device |
JP2013183067A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Hitachi Cable Ltd | Semiconductor light emitting device, manufacturing method of semiconductor light emitting device, lead frame, and manufacturing method of lead frame |
JP2016174156A (en) * | 2016-04-05 | 2016-09-29 | 大日本印刷株式会社 | Lead frame and semiconductor device |
EP3223322A1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
KR20170111177A (en) * | 2016-03-25 | 2017-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting package and lighting device having thereof |
JP2019121703A (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | スタンレー電気株式会社 | Light emitting device |
WO2024108369A1 (en) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor packaged device and method for manufacturing the same |
-
2010
- 2010-03-24 JP JP2010068753A patent/JP2011204790A/en active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161962A (en) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame and semiconductor device |
JP2013183067A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Hitachi Cable Ltd | Semiconductor light emitting device, manufacturing method of semiconductor light emitting device, lead frame, and manufacturing method of lead frame |
CN102709267A (en) * | 2012-05-23 | 2012-10-03 | 顺德工业(江苏)有限公司 | Lead frame in semiconductor |
EP3223322A1 (en) * | 2016-03-25 | 2017-09-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
KR20170111177A (en) * | 2016-03-25 | 2017-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting package and lighting device having thereof |
US9997683B2 (en) | 2016-03-25 | 2018-06-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting device having the same |
KR102522590B1 (en) | 2016-03-25 | 2023-04-17 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emitting package and lighting device having thereof |
JP2016174156A (en) * | 2016-04-05 | 2016-09-29 | 大日本印刷株式会社 | Lead frame and semiconductor device |
JP2019121703A (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-22 | スタンレー電気株式会社 | Light emitting device |
JP7092506B2 (en) | 2018-01-09 | 2022-06-28 | スタンレー電気株式会社 | Light emitting device |
WO2024108369A1 (en) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor packaged device and method for manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4886902B2 (en) | LED package | |
JP4764519B1 (en) | LED package | |
JP5010693B2 (en) | LED package | |
JP4951090B2 (en) | LED package | |
JP5383611B2 (en) | LED package | |
US8319320B2 (en) | LED module | |
JP2011204790A (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2011159767A (en) | Led package and method for manufacturing the same | |
JP2012142426A (en) | Led package and method for manufacturing the same | |
US20120061703A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method of light emitting device | |
JP2012114311A (en) | Led module | |
JP2012114284A (en) | Led module and illuminating device | |
JP2012114286A (en) | Led package | |
JP2012113919A (en) | Lighting device | |
JP2012080026A (en) | Led package | |
JP5390644B2 (en) | LED package | |
US20120126256A1 (en) | Led package | |
JP2012134295A (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2011181603A (en) | Led package | |
JP2012004596A (en) | Led package and method of manufacturing the same | |
JP2011171769A (en) | Packing member for led-package | |
JP5039242B2 (en) | LED package | |
JP2016119464A (en) | Light emitting device | |
JP2013008979A (en) | Semiconductor package |