JP2011198968A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.
特許文献１には、第１の基板を基板搬送装置の第１の基板保持部に保持する工程と、前記基板搬送装置の第２の基板保持部の高さよりも反応炉内の基板 載置部に載置された第２の基板の高さが高くなるように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との鉛直方向の相対位置を変える工程と、前記第２の基板保持部を 第２の基板の下方に挿入するように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との水平方向の相対位置を変える工程と、第２の基板が前記第２の基板保持部に保持さ れるように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との鉛直方向の相対位置を変える工程と、前記第２の保持部に保持された第２の基板を前記基板載置部から引き 出すように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との水平方向の相対位置を変える工程と、前記基板載置部の高さが前記第２の基板保持部に保持する第２の基板 の上面から前記第１の基板保持部に保持する第１の基板の下面までの範囲内になるように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との鉛直方向の相対位置を変える 工程と、第１の基板を保持した前記第１の基板保持部を前記基板載置部の上方に挿入するように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との水平方向の相対位置を 変える工程と、第１の基板が前記基板載置部に載置されるように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との鉛直方向の相対位置を変える工程と、前記第１の基板 保持部を前記基板載置部から引き出すように、前記基板搬送装置と前記基板載置部との水平方向の相対位置を変える工程と、前記基板載置部に載置された第１の 基板を前記反応炉内で処理する処理工程とを有する基板の処理方法が開示されている。
例えば、特許文献１に開示の技術では、基板を有無を検知するために透過型のセンサが用いられることがある。しかしながら、透過型のセンサを用いても、基板の保持状態を良好に検知することができないことがあった。
For example, in the technique disclosed in
本発明の目的は、基板の保持状態を良好に検知することができる基板処理装置を提供することにある。 The objective of this invention is providing the substrate processing apparatus which can detect the holding | maintenance state of a board | substrate favorably.
上記課題を達成するために、本発明は、搬送室を中心として第一のロードロック室、第二のロードロック室、及び少なくとも二つの処理室が配置され、前記搬送室は、前記第一のロードロック室及び前記第二のロードロック室と、前記少なくとも二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、前記基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられたアームを有し、前記第一のフィンガは、第一の貫通孔及び第二の貫通孔が形成されている基板処理装置にある。 In order to achieve the above object, the present invention provides a first load lock chamber, a second load lock chamber, and at least two processing chambers with a transfer chamber as a center, and the transfer chamber has the first load lock chamber. A substrate transfer unit configured to transfer a substrate between the load lock chamber, the second load lock chamber, and the at least two processing chambers, wherein the substrate transfer unit includes a first finger and a second finger; The first finger is in a substrate processing apparatus having a first through hole and a second through hole.
本発明によれば、基板の保持状態を良好に検知することができる基板処理装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the substrate processing apparatus which can detect the holding | maintenance state of a board | substrate favorably can be provided.
次に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の全体構成図であり、基板処理装置１０を上面から見た概念図である。また、図２は、基板処理装置１０の全体構成図であり、縦断面図である。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a
図１及び図２に示すように、基板処理装置１０は、例えば搬送室１２を中心として、二つのロードロック室１４ａ、１４ｂ及び二つの処理室１６ａ、１６ｂが配置されており、ロードロック室１４ａ、１４ｂの上流側にはフロントモジュールであるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＦｒｏｎｔＥｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１８が配置されている。ここで、ロードロック室１４ａは第一のロードロック室として用いられ、ロードロック室１４ｂは第二のロードロック室として用いられている。また、図１及び図２には、基板処理装置の一例として二つの処理室１６ａ、１６ｂを有する基板処理装置１０が示されているが、基板処理装置は、少なくとも二つが配置されれば良く、例えば、３つの処理室が配置されるようにしても良い。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
ＥＦＥＭ１８にはウエハ１をストックするフープ（２５枚）を３台搭載することができる構造になっている。
ＥＦＥＭ１８内には大気中にて同時に複数枚（５枚）を移載することが可能な大気ロボット（図示せず）が載置されており、二つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。また、本装置は、各構成を制御するコントローラ２００を有する。
The EFEM 18 has a structure in which three hoops (25 sheets) for stocking the
In the
ロードロック室１４ａ、１４ｂには、例えば２５枚の基板を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０が設けられている。基板支持体２０は、例えば炭化珪素やアルミで構成されており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。また、基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向に移動（上下方向に移動）するようにされているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされている。
The
搬送室１２は、ロードロック室１４ａ、１４ｂと処理室１６ａ、１６ｂとの間でウエハ１を搬送する基板搬送部として用いられる基板搬送部７０を有し、基板搬送部７０は、上アーム７４と、上アーム７４の下方に位置する下アーム７５とを有する。上アーム７４には上フィンガ７２ａ及び下フィンガ７２ｂが設けられ、下アーム７５には上フィンガ７２ｃ及び下フィンガ７２ｄが設けられている。上フィンガ７２ａは第一のフィンガとして用いられ、下フィンガ７２ｂは第二のフィンガとして用いられている。また、上フィンガ７２ｃは第三のフィンガとして用いられ、下フィンガ７２ｄは第四のフィンガとして用いられている。
The
上フィンガ７２ａ及び下フィンガ７２ｂは、上下方向に所定の間隔で離間され、上アーム７４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれウエハ１を支持することができるようにされている。同様に、上フィンガ７２ｃ及び下フィンガ７２ｄは、上下方向に所定の間隔で離間され、下アーム７５からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれウエハ１を支持することができるようにされている。
The
上アーム７４及び下アーム７５は積層されており、またそれぞれ独立して水平方向に移動することができる。上アーム７４及び下アーム７５は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するようにされているとともに、水平方向に移動するようにされている。さらに、鉛直方向に上下可能である。
ウエハ搬送時は、上アーム７４、もしくは下アーム７５のいずれか一方にウエハを搭載し、２枚ずつ搬送を行う。
The
At the time of wafer transfer, a wafer is mounted on either the
搬送室１２とロードロック室１４ａの間には第１基板通過口１３ａが、また搬送室１２とロードロック室１４ｂとの間には、第２基板通過口１３ｂが設けられている。さらに、搬送室１２と処理室１６ａとの間には、第３基板通過口１５ａが、搬送室１２と処理室１６ｂの間には、第４基板通過口１５ｂが設けられている。第１基板通過口１３ａ、第２基板通過口１３ｂ、第３基板通過口１５ａ、第４基板通過口１５ｂには、それぞれにゲートバルブ３５（図２０参照）が設けられていて、第１基板通過口１３ａ、第２基板通過口１３ｂ、第３基板通過口１５ａ、第４基板通過口１５ｂを介して、ロードロック室１４ａ、ロードロック室１４ｂ、処理室１６ａ、及び処理室１６ｂと、搬送室１２とが連通している。
尚、上フィンガ７２ａ、下フィンガ７２ｂ、上フィンガ７２ｃ、下フィンガ７２ｄの形状等、上フィンガ７２ａ、下フィンガ７２ｂ、上フィンガ７２ｃ、下フィンガ７２ｄの詳細は後述する。
A first
Details of the
以上の構成により、基板処理装置１０では、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを、搬送室１２に載置された基板搬送部７０が、同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して処理室１６ａ、１６ｂへ移載する。また、基板搬送部７０が、処理済ウエハを、処理室１６ａ、１６ｂから一度に２枚ずつロードロック室１４ａ、１４ｂに移載する。
With the above configuration, in the
図３には、処理室１６の概要が示されている。
図３及び図１に示すように、処理室１６ａには、搬送室１２側に位置する第１処理部３６と、搬送室１２と逆側に位置する第２処理部３８とが設けられている。また、第１処理部３６には第１基板載置台３７が、第２処理部３８には第２基板載置台４１が配置されている。第１処理部３６と第２処理部３８とは、おのおの独立した構造となっており、装置全体から見るとウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、第２処理部３８は、搬送室１２から第１処理部３６を挟んで遠方に配置されている。第１処理部３６と第２処理部３８では、同じプロセスによって基板処理がなされる。
FIG. 3 shows an outline of the
As shown in FIGS. 3 and 1, the
第１処理部３６と第２処理部３８とは連通し、処理室１６ａ内は、３００℃までの昇温が可能である。第１基板載置台３７及び第２基板載置台４１には、ヒータ６４、６４が内挿され（図２参照）、加熱されている。また、第１基板載置台３７と第２基板載置台４１は、例えばアルミニウム（Ａ５０５２、Ａ５０５６等）で形成される。省スペース、低コスト化の目的を達成するため、ロードロック室１４ａ、１４ｂ、搬送室１２及び処理室１６ａ、１６ｂを例えばアルミニウム（Ａ５０５２）の部品にて形成してもよい。
The
処理室１６ａ内の第１処理部３６と第２処理部３８の間の内側、すなわち境界壁４８側寄りには、第２基板搬送部材４０が設けられている。
第２基板搬送部材４０は、軸部４３ｅを中心として回転するものであり、軸部４３ｅは、境界壁４８側に配置されている。
処理室１６ｂにおける第２基板搬送部材４０は、境界壁４８を挟んで、処理室１６ａの第２基板搬送部材４０と対称的に配置されている。対称的に配置することで、処理室１６ａ、処理室１６ｂ、それぞれに設けられた第２基板搬送部材４０、４０を制御するための配線を、処理室１６ａ、１６ｂの下部であって、水平方向で装置中央、即ち境界壁４８近辺に、集中して配設することが可能となる。この結果、配線スペースにおいて、部品ごとに配線を集中して設けることが可能となり、配線スペースを効率化することができる。また、境界壁４８付近に配置した軸部４３ｅを中心として回転するので、処理室１６の外側を円形とすることができる。円形とすることで、装置本体１１の外郭１１ａを斜め状とすることが可能となり、その結果、保守者が入るメンテナンススペース１７をより大きく確保することができる。仮に、軸部４３ｅを処理室１６の外側に配置した場合、外郭１１ａを斜め状とすることはできず、保守者が入るメンテナンススペース１７を大きく確保することができない。
A second
The second
The second
第２基板搬送部材４０は、基板搬送部７０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を第２処理部３８の第２基板載置台４１に移載し、さらに第２基板載置台４１の処理済ウエハを基板搬送部７０のフィンガ上へ移載する。
The second
図４は上アーム７４（図２参照）の各フィンガを上から見た図である。 図４（ａ）は、上アーム７４の上フィンガ７２ａを示す。以下、上フィンガ７２ａを第１フィンガとする。
第１フィンガ７２ａは、支持部８０によって上アーム７４に支持固定されている。また、図４（ａ）に示されるように、第１フィンガ７２ａはウエハ載置部８２を有する。ウエハ載置部８２は座刳されており、ウエハを載置するために用いられる。また、第１フィンガ７２ａには、第１貫通孔８３、第２貫通孔８４、及び第３貫通孔８５が形成されている。
FIG. 4 is a view of each finger of the upper arm 74 (see FIG. 2) as viewed from above. FIG. 4A shows the
The
第１貫通孔８３は、第一のフィンガ（第１フィンガ７２ａ、上フィンガ７２ａ）に形成された第一の貫通孔として用いられている。第２貫通孔８４は、第一のフィンガ（第１フィンガ７２ａ、上フィンガ７２ａ）に形成された第二の貫通孔として用いられている。また、図４（ａ）に示されるように、第１貫通孔８３及び第２貫通孔８４は、ウエハ移載時の上フィンガ７２ａの移動方向である図４（ａ）における上下方向であって、上フィンガ７２ａのウエハを支持する位置の中心であり、フィンガ７２ａの延伸方向と平行した中心線Ｌに対して対称の位置にそれぞれが形成されている。
The first through
第１貫通孔８３、第２貫通孔８４、及び第３貫通孔８５を後述する反射型変位センサから照射される光が通過する。また、第１貫通孔８３、第２貫通孔８４、及び第３貫通孔８５は、ウエハが上フィンガ７２ａに載置された際に、一部分がウエハと重なるように形成されている。より具体的には、第３貫通孔８５においては、前方部８５ａがウエハと重なり、後方部８５ｂがウエハと重ならないようになっている。同様に、第１貫通孔８３においては、前方部８３ａがウエハと重なり、後方部８３ｂがウエハと重ならないようになっている。また、同様に、第２貫通孔８４においては、前方部８４ａがウエハと重なり、後方部８４ｂがウエハと重ならないようになっている。
Light irradiated from a reflective displacement sensor, which will be described later, passes through the first through
図４（ｂ）は、上アーム７４の下フィンガ７２ｂを示す。以下、下フィンガ７２ｂを第２フィンガとする。
第２フィンガ７２ｂは、支持部８０によって上アーム７４（図２参照）に固定されている。また、図４（ｂ）に示されるように、第２フィンガ７２ｂはウエハ載置部８８を有する。ウエハ載置部８８は座刳されており、ウエハを載置するために用いられる。また、第２フィンガ７２ｂには、切欠き９０が形成されている。切欠き９０は、下方に設けられた反射型変位センサから第２フィンガ７２ｂの下面に光が照射されたときに、その光が通過するように形成されている。ウエハ載置部８８にウエハが載置された際には、切欠き９０上にウエハが位置する状態となる。また、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂを重ねたとき、切欠き９０は、第１フィンガ７２ａと重なった状態となるように形成されている。
FIG. 4B shows the
The
切欠き９０を以上のように形成することで、ウエハ載置部８８にウエハが載置されていないときは、反射型変位センサから照射された光が切欠き９０を通過し、第１フィンガ７２ａの下面で反射される。このため、この反射光を検出することで、反射変位センサから第１フィンガ７２ａまでの距離を計測することが可能となる。第１フィンガ７２ａの距離が計測された場合、ウエハが第２フィンガ７２ｂに無いと判断する。第２フィンガ７２ｂの距離が計測された場合、ウエハが第２フィンガ７２ｂに有ると判断する。
By forming the
また、第２フィンガ７２ｂには、貫通孔９２が形成されている。貫通孔９２は、上方にある反射型変位センサから投光された光が通過するようになっている。また、貫通孔９２は、ウエハが第２フィンガ７２ｂに載置された際に、一部分がウエハと重なるように形成されている。より具体的には、貫通孔９２においては、前方部９２ａがウエハと重なり、後方部９２ｂがウエハと重ならないようになっている
A through
図５は下アーム７５（図２参照）の各フィンガを上から見た図である。図５（ａ）は下アーム７５の上フィンガ７２ｃを示す。以下、上フィンガ７２ｃを第３フィンガとする。
第３フィンガ７２ｃは、支持部８０によって下アーム７５に支持固定されている。また、図５（ａ）に示されるように、第３フィンガ７２ｃはウエハ載置部９４を有する。ウエハ載置部９４は座刳されており、ウエハを載置するために用いられる。また、ウエハ載置部９４の先端は、第１先端部９４ａ、第２先端部９４ｂ、第３先端部９４ｃから構成されている。第１先端部９４ａは、支持部８０から最も遠い位置に有する。第２先端部９４ｂは、第１先端部９４ａに隣接し、ウエハ載置部９４の内側に有する。第３先端部９４ｃは、第２先端部９４ｂに隣接し、かつウエハ載置部９４の外側に有する。また、第１先端部９４ａ及び第２先端部９４ｃそれぞれと隣り合う場所であって、ウエハ載置部９４の外側には、切欠き９６が設けられている。
FIG. 5 is a view of each finger of the lower arm 75 (see FIG. 2) as viewed from above. FIG. 5A shows the
The
図５（ｂ）は、下アーム７５の下フィンガ７２ｄを示す。以下、下フィンガ７２ｄを第４フィンガとする。
第４フィンガ７２ｄは、支持部８０によって下アーム７５に支持固定されている。また、図５（ｂ）に示されるように、第４フィンガ７２ｄはウエハ載置部９８を有する。ウエハ載置部９８は座刳されており、ウエハを載置するために用いられる。ウエハ載置部９８の先端は、第１先端部９８ａ、第２先端部９８ｂから構成される。第１先端部９８ａは、支持部８０から最も遠い位置に配置されている。第２先端部９８ｂは、第１先端部９８ａに隣接し、支持部８０に近い位置に配置されている。また、第１先端部９８ａ及び第２先端部９８ｂそれぞれと隣り合う場所であって、ウエハ載置部９８の外側には、切欠き１００が形成されている。
FIG. 5 (b) shows the
The
切欠き１００は、第１先端部９８ａに隣接する第１切欠き１００ａ及び第２先端部９８ｂと隣接する第２切欠き１００ｂを有する。切欠き１００は、反射型センサから照射される光や、第３フィンガ７２ｃから反射される反射型センサの光が通過するよう形成されている。また、切欠き１００ｂは、第３フィンガ７２ｃの第３先端部９４ｃと重なるように形成されている。
The notch 100 has a
次に、図６を用いて、本発明におけるウエハの検出部について説明する。
図６（ａ）は、基板処理装置１０を下側から見た図であり、図６（ｂ）は基板処理装置１０を上側から見た図である。
図６（ａ）に示されるように、搬送室１２の下面には、反射型変位センサ１０２ａ、１０２ｂ、透過型センサ受光部１０４ａ、１０４ｂ、反射型変位センサ１０６ａ、１０６ｂ、透過型センサ受光部１０８ａ、１０８ｂが設けられている。また、図６（ｂ）に示されるように、搬送室１２の上面には、透過型センサ投光部１１０ａ、１１０ｂ、反射型変位センサ１１２ａ、１１２ｂ、反射型変位センサ１１４ａ、１１４ｂ、透過型センサ投光部１１６ａ、１１６ｂが設けられている
Next, the wafer detection unit according to the present invention will be described with reference to FIG.
6A is a diagram of the
As shown in FIG. 6A, on the lower surface of the
反射型変位センサ１０２ａは、ロードロック室１４ａにウエハを搬入出する際、上アーム７４の第２フィンガ７２ｂに、ウエハが存在するか否かを確認し、ウエハの有無を検知するために用いられている。反射型変位センサ１０２ｂも同様に、ロードロック室１４ｂに、ウエハを搬入出する際、上アーム７４の第２フィンガ７２ｂにウエハが存在するか否かを確認するために用いられている。
The
透過型センサ受光部１０４ａ及び透過型センサ投光部１１０ａは対の装置であり、透過型センサ投光部１１０ａが投光した光を透過型センサ受光部１０４ａで受光する。透過型センサ受光部１０４ａ及び透過型センサ投光部１１０ａは、ロードロック室１４ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するために用いられる。また、透過型センサ受光部１０４ｂ及び透過型センサ投光部１１０ｂは、ロードロック室１４ｂにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するために用いられている。
The transmissive sensor
反射型変位センサ１０６ａは、処理室１６ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５の第４フィンガ７２ｄに、ウエハが存在するか否かを確認し、ウエハの有無を検知するために用いられている。反射型変位センサ１０６ｂも同様に、処理室１６ｂに、ウエハを搬入出する際、下アーム７５の第４フィンガ７２ｄにウエハが存在するか否かを確認するために用いられている。
The
透過型センサ受光部１０８ａ及び透過型センサ投光部１１６ａは対の装置であり、透過型センサ投光部１１６ａが投光した光を透過型センサ受光部１０８ａで受光する。透過型センサ受光部１０８ａ及び透過型センサ投光部１１６ａは、処理室１６ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するために用いられる。また、透過型センサ受光部１０８ｂ及び透過型センサ投光部１１６ｂも同様に、処理室１６ｂにウエハを搬入出する際、下アーム７５にウエハが存在するか否かを確認するために用いられている。
The transmissive sensor
反射型変位センサ１１２ａは、ロードロック室１４ａにウエハを搬入出する際、上アーム７４の第１フィンガ７２ａに、ウエハが存在するか否かを確認し、ウエハの有無を検知するために用いられている。反射型変位センサ１１２ｂも同様に、ロードロック室１４ｂに、ウエハを搬入出する際、上アーム７４の第１フィンガ７２ａにウエハが存在するか否かを確認するために用いられている。
The
反射型変位センサ１１４ａは、処理室１６ａにウエハを搬入出する際、下アーム７５の第３フィンガ７２ｃに、ウエハが存在するか否かを確認し、ウエハの有無を検知するために用いられている。反射型変位センサ１１４ｂも同様に、処理室１６ｂに、ウエハを搬入出する際、下アーム７５の第３フィンガ７２ｃにウエハが存在するか否かを確認するために用いられている。
The
以上のように、反射型変位センサ１０２ａ、透過型センサ受光部１０４ａ、透過型センサ投光部１１０ａ、及び反射型変位センサ１１２ａは、搬送室１２の第１ロードロック室１４ａに対応する位置に設けられた第一の基板検出部として用いられている。また、反射型変位センサ１０２ｂ、透過型センサ受光部１０４ｂ、透過型センサ投光部１１０ｂ、及び反射型変位センサ１１２ｂは、搬送室１２の第１ロードロック室１４ｂに対応する位置に設けられた第二の基板検出部として用いられている。
As described above, the
続いて図７から図１９を用いて、ウエハがロードロック室から搬送室を経由し、処理室１６へ供給／排出されるフローを説明する。各図では次の説明を行う。尚、図７から図１９は、連続した処理である。また、
図７から図１０：ロードロック室から第１処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送する工程を示し、
図１１から図１２：ロードロック室から第２処理室１６ｂへ、未処理のウエハを搬送する工程を示し、
図１３から図１９：ロードロック室から第１処理室１６ａへ、未処理のウエハを搬送し、第１処理室１６ａの処理済みウエハと未処理ウエハを入れ替え、処理済みウエハをロードロック室へ搬送する工程を示している。
Next, a flow of supplying / discharging wafers from the load lock chamber to the
FIG. 7 to FIG. 10: shows a process of transferring an unprocessed wafer from the load lock chamber to the
FIG. 11 to FIG. 12: shows a process of transferring an unprocessed wafer from the load lock chamber to the
13 to 19: Unprocessed wafers are transferred from the load lock chamber to the
図７は、ロードロック室１４ａ（Ｌ／Ｌ１４ａ）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。図７では、ＥＦＥＭ１８から基板支持体２０に基板が搬送され、その後初めて基板処理装置１０へウエハ1を搬送する状態である。したがって、基板支持体
２０に搭載されているウエハ1は、全て未処理ウエハである。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the operation of unloading the
＜図７ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハが、第１基板搬送部７０の上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、一枚目のウエハであるＷ１の鉛直方向の位置を第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高く調整する。２枚目のウエハであるＷ２と第１フィンガ７２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
<FIG. 7 Step a>
First, the
Here, the vertical position of the first wafer W1 is adjusted to be higher than the vertical position of the
＜図７ ステップｂ＞
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。これにより、Ｗ１の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ２の直下に第１フィンガ７２ａが配置された状態となる。
<FIG. 7 Step b>
After adjusting the position in the vertical direction, the
＜図７ ステップｃ＞
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガにウエハが搭載される。即ち、Ｗ１は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ２は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
<FIG. 7 Step c>
After inserting the
Thereby, a wafer is mounted on each finger. That is, W1 is mounted on the
＜図７ ステップｄ＞
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
<FIG. 7 Step d>
After the wafer is mounted on the fingers, the
次に、図８を用いて、ロードロック室１４ａから搬送室１２へウエハを搬出する場合の、ウエハの検出方法について説明する。尚、図中において、×マークはセンサの光の道筋である光軸を表している。
図８（ａ−１）は、ロードロック室１４ａからウエハを搬出するために、第１基板搬送部７０が、搬送室中で待機している状態を表す図である。この時、ロードロック室１４ａで待機されているウエハが移載される第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂに、ウエハが載置されていないことを確認するために、センサを用いてウエハの有無を確認する。
図８（ａ−２）は、（ａ−１）の状態のときの、フィンガとセンサから受ける光の関連を示す図である。
Next, with reference to FIG. 8, a method for detecting a wafer when a wafer is unloaded from the
FIG. 8A-1 is a diagram illustrating a state in which the first
FIG. 8A-2 is a diagram illustrating a relationship between light received from the finger and the sensor in the state of (a-1).
以下に具体的に説明する。
反射型変位センサ１０２ａは、第２フィンガ７２ｂの裏面（ウエハを載置しない面）方向から、第２フィンガ切欠き９０に向けて光を投光する。ウエハは第２フィンガ７２ｂに載置されていないので、光は第２フィンガ切欠き９０を通過し、第１フィンガ７２ａ先端の裏面に当たる。そこで反射された光は、再び第２フィンガ切欠き９０を通過し、反射型変位センサ１０２ａが受光する。このようにして、距離を計測する。
This will be specifically described below.
The
この場合、計測された距離は、予めコントローラ２００に記憶されている反射型変位センサ１０２ａの基準値（第１フィンガ７２ａと反射型変位センサ１０２ａとの距離）と比較され、それが誤差内であれば、第２フィンガ７２ｂにはウエハが存在しないことがわかる。
このとき、反射型変位センサ１０２ａと第１フィンガ７２ａの距離が基準値の誤差の範囲であった場合、基板が存在するか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
In this case, the measured distance is compared with the reference value (the distance between the
At this time, if the distance between the
反射型変位センサ１０２ａは、第１フィンガ７２ａの第１貫通孔８３に向けて光を投光する。投光された光は、第１貫通孔８３を通過し、第２フィンガ７２ｂの支持部に当たる。そこで反射された光は、第１貫通孔８３を通過し、反射型変位センサ１１２ａによって受光される。このようにして、距離を計測する。この場合、反射型変位センサ１１２ａと第２フィンガ７２ｂとの距離が計測される。計測された距離は、予めコントローラ２００に記憶されている反射型変位センサ１１２ａの基準値（第２フィンガ７２ｂと反射型変位センサ１１２ａとの距離）と比較され、結果誤差内であれば第１フィンガ７２ａにはウエハが存在しないことがわかる。
このとき、基準値が誤差内で無かった場合、基板が存在するか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The
At this time, if the reference value is not within the error, it is determined that the substrate exists or an abnormality has occurred. After such a determination, the operation of the
以上のように、基板処理装置１０は、搬送室１２からロードロック室１４ａに第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂを挿入する前に、反射型変位センサ１１２ａから第１貫通孔８３に向けて光を照射するように制御されており、基板処理装置１０を用いての基板処理方法は、搬送室１２から第１ロードロック室１４ａに第１フィンガ７２ａ及び第２のフィンガ７２ｂを挿入する前に、反射型変位センサ１１２ａから第１貫通孔８３に向けて光を照射する工程を有している。
As described above, the
また、以上のように基板処理装置１０においては、搬送室１２からロードロック室１４ａに第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂを挿入する前には、反射型変位センサ１１２ａから第１貫通孔８３に向けて光が照射されるのに対して、搬送室１２からロードロック室１４ｂに第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂを挿入する前には、反射型変位センサ１１２ｂから第２貫通孔８４に向けて光が照射される。すなわち、基板処理装置１０は、搬送室１２からロードロック室１４ｂに第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂを挿入する前に、反射型変位センサ１１２ｂから第２貫通孔８４に向けて光を照射するように制御されており、基板処理装置１０を用いての基板処理方法は、搬送室１２から第１ロードロック室１４ｂに第１フィンガ７２ａ及び第２のフィンガ７２ｂを挿入する前に、反射型変位センサ１１２ｂから第２貫通孔８４に向けて光を照射する工程を有している。
Further, as described above, in the
各フィンガに基板が無いと判断されたら、基板通過口１３ａのゲートバルブ３５が開く。その後、図８（ｂ）に示すように、上アーム７４が、ロードロック室１４ａの方向へ移動する。このとき、基板支持体２０が相対的に移動することで、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂに、基板が移載される。
If it is determined that there is no substrate in each finger, the
上アーム７４にウエハが保持されたら、上アーム７４は搬送室１２に移動し、ゲートバルブ３５が閉じられる。
When the wafer is held by the
搬送室１２に上アーム７４が戻ると、上アーム７４にウエハが移載されているのか否かを確認する。図８（ｃ−１）はその説明図であり、図８（ｃ−２）は、図８（ｃ−１）の状態のときの、フィンガと、センサから受ける光との関連を示す図である。
反射型変位センサ１０２ａは、第２フィンガ７２ｂの裏面（ウエハを載置しない面）方向から、第２フィンガ切欠き９０に向けて光を投光する。ウエハは第２フィンガ７２ｂに載置されており、また切欠き９０上に載置されているので、光軸はウエハによって遮断され、その結果、光はウエハ裏面によって反射される。ウエハ裏面で反射された光は、反射型変位センサ１０２ａによって受光される。このようにして、距離を計測する。
When the
The
この場合、反射型変位センサ１０２ａと第２フィンガ７２ｂの距離が計測される。計測された距離は、前述の反射型変位センサ１０２ａ基準値（反射型変位センサ１０２ａと第１フィンガ７２ａとの距離）と異なるので、第２フィンガ７２ｂにはウエハが存在することがわかる。
このとき、基準値と異なり、かつ反射型変位センサと第２フィンガ７２ｂとの距離と大幅に異なる場合は、ウエハが存在しないか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
In this case, the distance between the
At this time, if it is different from the reference value and greatly different from the distance between the reflective displacement sensor and the
反射型変位センサ１１２ａは、第１フィンガ７２ａの第１貫通孔８３の前方部８３ａに向けて光を投光する。投光された光は、第１フィンガ７２ａに載置された基板に当たって反射する。そこで反射された光は、反射型変位センサ１１２ａによって受光される。このようにして、距離を計測する。この場合、計測された距離は、前述の反射型変位センサ１１２ａの基準値（反射型変位センサ１１２ａと第２フィンガ７２ｂとの距離）と異なるので、第１フィンガ７２ａにウエハが存在することがわかる。
このとき、基準値と異なり、かつ反射型変位センサと第１フィンガ７２ａのとの距離と大幅に異なる場合は、ウエハが存在しないか、もしくは異常が起きたと判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The
At this time, if it is different from the reference value and greatly different from the distance between the reflective displacement sensor and the
続いて、図９を用いて、図７に示すようにして搬出されたウエハが、処理室１６ａ（ＰＣ１６ａ）に搬入される動作を説明する。図９の搬入動作は、図７の搬出動作と連続する。
＜図９ ステップａ＞
ウエハを搭載した上アーム７４は、第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ａの方向に向くよう、下アーム７５と共に回転する。
Next, the operation of loading the wafer unloaded as shown in FIG. 7 into the
<FIG. 9 Step a>
The
＜図９ ステップｂ＞
処理室１６ａでは、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０が待機されている。
回転された上アーム７４は、処理室１６ａの第１基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ１が第１基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ２が第２基板搬送部材４０の直上に位置する。
<FIG. 9 Step b>
In the
The rotated
That is, the wafer W1 mounted on the
＜図９ ステップｃ＞
各ウエハが第１基板載置台３７上方に配置された後、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ１が第１基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ２が第２基板搬送部材４０に搭載される。
<FIG. 9 Step c>
After each wafer is placed above the first substrate mounting table 37, the first
That is, the wafer W1 mounted on the
＜図９ ステップｄ＞
各フィンガから、第１基板保持ピン３９ａ又は第２基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ａから退避する。
<FIG. 9 Step d>
After the wafer is transferred from each finger to the first
続いて、図１０を用いて、ロードロック室１４ａから搬出した基板を、処理室１６ａへ搬入する場合の、ウエハの検出方法について説明する。
図７（ｃ）にてロードロック室からウエハを搬出した上アーム７４は、下アームと共に、フィンガ先端が基板通過口１５ａの方向となるよう、回転される。結果、図１０（ａ）の状態で、搬送室１２に待機されている。
Next, a wafer detection method in the case where the substrate unloaded from the
In FIG. 7C, the
次に、ゲートバルブ３５が開けられ、上アーム７４が処理室１６ａ方向に移動され、図１０（ｂ）の状態となる。
このとき、処理室内の第１基板保持ピン３９ａ及び上アーム７４の協働作業により、処理室１６ａ内に基板が載置される。
Next, the
At this time, the substrate is placed in the
ウエハが処理室１６内に移載された後、上アーム７４が搬送室１２方向へ移動する。移
動後、ゲートバルブ３５が閉じられ、図１０（ｃ−１）のようになる。
図１０（ｃ−１）の状態において、上アーム７４のウエハの有無を次のように確認する。即ち、透過型センサ投光部１１６ａから、透過型センサ受光部１０８ａに向けて光が投光される。光は、図１０（ｃ−２）のように、各フィンガの両先端の間を通過するよう投光される。透過型センサ受光部１０８ａが光を受光すれば各アームに、ウエハが無いことが確認される。
After the wafer is transferred into the
In the state of FIG. 10C-1, the presence / absence of a wafer in the
ここで、透過型センサ受光部１０８ａが光を受光しなかった場合、ウエハが各アームの少なくともいずれかに載置されているか、もしくは装置の異常と判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
Here, when the transmissive sensor
図１１は、ロードロック室１４ａ（Ｌ／Ｌ１４ａ）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。
＜図１１ ステップａ＞
初めに、これから処理する２枚のウエハと、上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２
フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、三枚目のウエハであるＷ３の鉛直方向の位置が第２フィンガ７２ｂの鉛直方
向の位置より高くなるように調整する。四枚目のウエハであるＷ４と第１フィンガ７２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
FIG. 11 is an explanatory diagram for explaining the operation of unloading the
<FIG. 11 Step a>
First, two wafers to be processed, the
The vertical position of the
Here, the vertical position of the third wafer W3 is adjusted to be higher than the vertical position of the
＜図１１ ステップｂ＞
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ３の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ４の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
<FIG. 11 Step b>
After adjusting the position in the vertical direction, the
＜図１１ ステップｃ＞
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ３は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ４は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
<FIG. 11 Step c>
After inserting the
Thereby, a board | substrate is mounted in each finger.
That is, W3 is mounted on the
＜図１１ ステップｄ＞
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
<FIG. 11 Step d>
After the wafer is mounted on the fingers, the
続いて、図１２を用いて、図１１にて搬出したウエハが、処理室１６ｂ（ＰＣ１６ｂ）
に搬入される動作を説明する。図１２の搬入動作は、図１１の搬出動作と連続する。
＜図１２ ステップａ＞
ウエハを搭載した上アーム７４は、第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂそれぞれの先端が、処理室１６ｂの方向に向くよう、下アーム７５と共に回転する。
Subsequently, referring to FIG. 12, the wafer unloaded in FIG. 11 is processed into the
The operation carried in is described. The carry-in operation of FIG. 12 is continuous with the carry-out operation of FIG.
<FIG. 12 Step a>
The
＜図１２ ステップｂ＞
処理室１６ｂでは、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０が待機されている。
回転された上アーム７４は、処理室１６ｂの第１基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ｂへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ３が第１基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ４が第２基板搬送部材４０の直上に位置する。
<FIG. 12 Step b>
In the
The rotated
That is, the wafer W3 mounted on the
＜図１２ ステップｃ＞
各ウエハが第１基板載置台３７上方に配置された後、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ３が第１基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ４が第２基板搬送部材４０に搭載される。
<FIG. 12 Step c>
After each wafer is placed above the first substrate mounting table 37, the first
That is, the wafer W3 mounted on the
＜図１２ ステップｄ＞
各フィンガから、第１基板保持ピン３９ａ又は第２基板搬送部材４０に、ウエハが移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ｂから退避する。
処理室１６ａ、１６ｂに基板を搬入した後の動作については、後述する。
<FIG. 12 Step d>
After the wafer is transferred from each finger to the first
The operation after the substrate is loaded into the
図１３は、処理室１６ａにウエハがある状態で、ロードロック室１４ａ（Ｌ／Ｌ１４ａ
）から、ウエハ1を搬出する動作を説明する説明図である。
＜図１３ ステップａ＞
これから処理する２枚のウエハを、上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、第２フィンガ７２ｂの高さから若干高い位置に設定されるように、基板支持体２０の鉛直方向の位置が調整される。
ここでは、五枚目のウエハであるＷ５の鉛直方向の位置が第２フィンガ７２ｂの鉛直方向の位置より高くなるように調整する。六枚目のウエハであるＷ６と第１フィンガ７２ａの鉛直方向の位置に関しても、同様の関係とする。
FIG. 13 shows the
FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining the operation of unloading the
<FIG. 13 Step a>
The vertical position of the
Here, the vertical position of the fifth wafer W5 is adjusted to be higher than the vertical position of the
＜図１３ ステップｂ＞
鉛直方向の位置を調整後、上アーム７４が基板支持体２０へ挿入される。即ち、Ｗ５の直下に第２フィンガ７２ｂが、またＷ６の直下に第１フィンガ７２ａが配置される。
<FIG. 13 Step b>
After adjusting the position in the vertical direction, the
＜図１３ ステップｃ＞
上アーム７４を挿入後、基板支持体２０が下降する。
これにより、各フィンガに基板が搭載される。
即ち、Ｗ５は第２フィンガ７２ｂに搭載され、Ｗ６は第１フィンガ７２ａへ搭載される。
<FIG. 13 Step c>
After inserting the
Thereby, a board | substrate is mounted in each finger.
That is, W5 is mounted on the
＜図１３ ステップｄ＞
フィンガ上にウエハが搭載された後、上アーム７４は、フィンガ向きを維持したまま、処理室方向へ移動する。このようにして、未処理ウエハは、基板支持体２０から搬出される。
<FIG. 13 Step d>
After the wafer is mounted on the fingers, the
続いて、図１４を用いて、未処理基板と処理済み基板を入れ替える動作を説明する。前
述のように、未処理基板は上アーム７４の第１フィンガ７２ａ、及び第２フィンガ７２ｂに搭載されたＷ５，Ｗ６である。処理済み基板は、第２基板搬送部材４０に搭載されているＷ２、及び第１基板保持ピン３９ａに搭載されているＷ１である。
＜図１４ ステップａ＞
処理室１６ａの第１処理部で処理されたウエハＷ１は、基板搬出時、第１基板保持ピン３９ａに搭載される。また、第２処理部で処理されたＷ２は、第２基板搬送部材４０上に搭載される。これらのウエハは、第１基板載置台３７上方に保持されている。
一方、ロードロック室１４ａから基板を搬出した上アーム７４は、下アーム７５と共に、処理室１６ａに各フィンガの先端が向くよう、回転する。また回転と同時に、上アーム７４及び下アーム７５が一体となって上昇する。処理済みウエハを受け取る下アーム７５及び下アーム７５の各フィンガが素早く基板通過口１５ａを通過できるよう、アームの鉛直方向高さと、基板通過口１５ａの高さを合わせるためである。
Subsequently, an operation of replacing an unprocessed substrate and a processed substrate will be described with reference to FIG. As described above, the unprocessed substrates are W5 and W6 mounted on the
<FIG. 14 Step a>
The wafer W1 processed in the first processing unit of the
On the other hand, the
このように、回転時にアームと基板通過口の高さを合わせることで、後の鉛直方向の位置調整が不要となり、結果素早く基板の搬出が可能となる。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第２基板搬送部材４０に搭載されたウエハを下アーム７５の第３フィンガ７２ｃより高い位置とし、また第１基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハを、第４フィンガ７２ｄより高い位置とする。
Thus, by adjusting the heights of the arm and the substrate passage opening during rotation, it is not necessary to adjust the position in the vertical direction later, and as a result, the substrate can be carried out quickly.
The vertical position at this time is such that the wafer mounted on the second
＜図１４ ステップｂ＞
下アーム７５が処理室１６ａへ挿入される。
このとき、第２基板搬送部材４０に搭載されたウエハの直下に第３フィンガ７２ｃを、また第１基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハの直下に、第４フィンガ７２ｄを配置する。
<FIG. 14 Step b>
The
At this time, the
＜図１４ ステップｃ＞
第２基板搬送部材４０及び第１基板保持ピン３９ａが下降する。これにより、各ウエハがフィンガに搭載される。
即ち、第２基板搬送部材４０に搭載されたウエハは第３フィンガ７２ｃに移載され、また第１基板保持ピン３９ａに搭載されたウエハは、第４フィンガ７２ｄに移載される。
<FIG. 14 Step c>
The second
That is, the wafer mounted on the second
＜図１４ ステップｄ＞
各フィンガに、ウエハが移し変えられた後、アーム７５は処理室１６ａから退避する。
<FIG. 14 Step d>
After the wafer is transferred to each finger, the
続いて、図１５を用いて、処理室１６ａに格納されている処理済みウエハを、搬送室１２へ移動する場合の、ウエハの検出方法について説明する。
図１５（ａ−１）は、上アーム７４に搭載されている未処理基板が搬送室１２にて待機している状態を表す図である。下アーム７５に処理済みウエハを搭載するため、下アーム７５は、基板通過口１５ａと同じ高さに設定される。また、図１５(ａ−２)は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
Next, a wafer detection method when a processed wafer stored in the
FIG. 15A is a diagram illustrating a state in which an unprocessed substrate mounted on the
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、切欠き１００ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃの裏面に当たる。これにより反射された光は、再度切欠き１００ｂを通過し、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６ａとの距離）と比較し、誤差の範囲であれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The
The distance thus measured is compared with a preset reference value (a preset distance between the
If it is significantly different from the reference value, it is determined that the wafer is held by the
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第１フィンガ７２ａの第３貫通孔８５に向けて、光を投光する。投光された光は、図１５（ａ−１）に示すように、第１フィンガ７２ａの第３貫通孔８５の後方部８５ｂ、及び第２フィンガ７２ｂの貫通孔９２の後方部９２ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃの支持部８０に当たり、反射する。支持部８０で反射された光は、第３貫通孔８５、及び貫通孔９２を通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
The
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、誤差の範囲であれば、第３フィンガ７２ｃにウエハが無いと判断する。基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The distance measured in this manner is compared with a preset reference value (a preset distance between the
第３及び第４フィンガにウエハが無いと判断された後、ゲートバルブ３５が開かれ、図１５（ｂ）のように、下アーム７５が処理室１６ａ方向へ移動する。移動後、第１基板保持ピン３９ａとの協働作業により、処理室１６ａ内の処理済みウエハを、下アーム７５の各フィンガに移載する。
After it is determined that there are no wafers in the third and fourth fingers, the
下アーム７５の各フィンガに移載された後、図１５（ｃ−１）のように、下アーム７５は搬送室１２へ移動する。移動後、下アーム７５の各フィンガにウエハが搭載されているか否かを、センサによって確認する。図１５（ｃ−２）は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
After being transferred to each finger of the
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、第４フィンガ７２ｄに保持されているウエハの裏面に当たる。ウエハ裏面から反射された光は、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、基準値と異なれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、かつ第４フィンガ７２ｄと反射型変位センサ１０６ａとの距離が異なる場合には、ウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The
The distance thus measured is compared with a preset reference value (a preset distance between the
When it is significantly different from the reference value and when the distance between the
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第１フィンガ７２ａの第３貫通孔８５の後方部８５ｂに向けて、光を投光する。投光された光は、図１５（ｃ−２）に示すように、第１フィンガ７２ａの第３貫通孔８５の後方部８５ｂ、及び第２フィンガ７２ｂの支持部貫通孔９２の後方部９２ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃに保持されているウエハに当たり、反射する。ウエハで反射された光は、同様に第３貫通孔８５、及び支持部貫通孔９２を通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
The
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、距離の差が誤差の範囲を超えた場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていると判断する。基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The distance thus measured is compared with a preset reference value (a preset distance between the
続いて、図１６を用いて、図１４にて搬出したウエハが、処理室１６ａ（ＰＣ１６ａ）
に搬入される動作を説明する。図１６の搬入動作は、図１４の搬出動作に引き続いて行う。
＜図１６ ステップａ＞
処理済みウエハを搭載した下アーム７５が退避したとき、上アーム及び下アームは共に下降する。
未処理ウエハを搬入する上アーム７４及び上アームの各フィンガが基板通過口１５ａを
通過できるよう、上アーム７４の鉛直方向高さと、基板通過口１５ａの高さを合わせるためである。
下降した後、未処理ウエハを搭載した上アーム７４は、処理室１６に挿入される。
尚、このときの鉛直方向の位置は、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハを第２基板搬送部材４０より高い位置とし、また第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハを第１基板保持ピン３９ａより高い位置とする。
Subsequently, referring to FIG. 16, the wafer unloaded in FIG. 14 is processed into the
The operation carried in is described. The carry-in operation of FIG. 16 is performed following the carry-out operation of FIG.
<FIG. 16 Step a>
When the
This is because the vertical direction height of the
After the lowering, the
The vertical position at this time is such that the wafer mounted on the
＜図１６ ステップｂ＞
上アーム７４は、処理室１６ｂの第１基板載置台３７上方にウエハが配置されるよう、且つ各ウエハの鉛直方向の位置が、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０の直上に位置するよう、水平方向に処理室１６ａへ挿入される。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ５が第１基板保持ピン３９ａの直上に、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ６が第２基板搬送部材４０の直上に位置する。
<FIG. 16 Step b>
The
That is, the wafer W5 mounted on the
＜図１６ ステップｃ＞
各ウエハが第１基板載置台３７上方に配置された後、第１基板保持ピン３９ａ及び第２基板搬送部材４０が上昇し、各ウエハを掬い上げる。
即ち、第２フィンガ７２ｂに搭載されたウエハＷ５が第１基板保持ピン３９ａに搭載され、また、第１フィンガ７２ａに搭載されたウエハＷ６が第２基板搬送部材４０に搭載される。
<FIG. 16 Step c>
After each wafer is placed above the first substrate mounting table 37, the first
That is, the wafer W5 mounted on the
＜図１６ ステップｄ＞
各フィンガから、第１基板保持ピン３９ａ又は第２基板搬送部材４０に、ウエハ
が移し変えられた後、上アーム７４は処理室１６ａから退避する。
<FIG. 16 Step d>
After the wafer is transferred from each finger to the first
続いて、図１７を用いて、処理室１６ａから搬出された処理済みウエハをロードロック室１４ａへ搬入する動作を説明する。
＜図１７ ステップａ＞
処理室１６ａから退避した上アーム７４及び下アーム７５は、フィンガ先端がロードロック室１４ａへ向くよう、回転する。
また、このとき基板支持体２０は次の位置になるよう位置を変更する。
即ち、搬入される処理済みウエハが、元の載置部２８（未処理状態のとき、ＥＦＥＭ１８から基板支持体へ搭載されたときに載置されていた載置部）に搭載されるよう、元の載置部が、各ウエハの鉛直方向の位置より低い位置であり、且つウエハの鉛直方向の位置が、元の載置部の一つ上の載置部より低い位置となるよう、設定される。
具体的には、処理済みウエハＷ１より低い位置にＷ１の載置部２８ａの位置が設定され、且つ処理済みウエハＷ１が、Ｗ１の載置部２８ａの一つ上の載置部２８ｂより低い位置に設定されるよう、基板支持体の位置を調整する。
尚、基板支持体２０は、この前の動作（図７のようなＷ３、Ｗ４を搬出する動作。）で
下降しているため、Ｗ１、Ｗ２を供給するときは、上記のような位置に設定するため上昇している。
また、処理済みウエハを保持している下アーム７５が、ロードロック室１４ａと搬送室
１２間の基板通過口１３ａの鉛直方向の位置に合わせるために、上アーム７４と共に下アーム７５が上昇する。
ここではＷ１、Ｗ２を例で説明したが、他のウエハの搬入においても、上記のような位置が設定されることは言うまでも無い。
Next, an operation of loading a processed wafer unloaded from the
<FIG. 17 Step a>
The
At this time, the position of the
That is, the processed wafer to be loaded is loaded on the original placement unit 28 (the placement unit that was placed when the
Specifically, the position of the mounting
Since the
Further, the
Here, W1 and W2 have been described by way of example, but it goes without saying that the positions as described above are also set when other wafers are loaded.
＜図１７ ステップｂ＞
基板支持体２０の位置が設定されたら、下アーム７５は基板支持体２０の方向に移動する。
即ち、第４フィンガ７２ｄに搭載されたウエハＷ１が載置部２８ａの上端と、載置部２８ｂの下端の間の位置に保持され、また第３フィンガ７２ｃに搭載されたＷ２が、載置部２８ｂの上端と、載置部２８ｃの下端の間の位置に保持される。
<FIG. 17 Step b>
When the position of the
That is, the wafer W1 mounted on the
＜図１７ ステップｃ＞
各構成の位置が確定後、基板支持体２０は上昇する。これにより、各載置部が処理済みウエハを掬い上げ、載置部上にウエハが載置される。
<FIG. 17 Step c>
After the position of each component is determined, the
＜図１７ ステップｄ＞
ウエハをフィンガから基板支持体へ移載した後、下アーム７５はロードロック室１４ａから退避する。
<FIG. 17 Step d>
After the wafer is transferred from the finger to the substrate support, the
図１７の動作の後、次に処理するウエハを、図１３のように搬出し、図１４及び図１６のように処理済みウエハと未処理ウエハの入れ替えを行う。
このように、基板支持体２０、第１基板搬送部７０（上アーム７４、下アーム７５）、第２基板搬送部材４０及び第１基板保持ピン３９ａ等の協働作業を繰り返してウエハ搬送作業を行う。
After the operation shown in FIG. 17, the next wafer to be processed is unloaded as shown in FIG. 13, and the processed wafer and the unprocessed wafer are exchanged as shown in FIGS.
As described above, the wafer transfer operation is repeated by repeating the cooperative operation of the
続いて、図１８を用いて、処理済みウエハを処理室１６ａから搬出する工程のウエハ検出方法を説明する。処理室１６ａに格納されている処理済みウエハは、ロードロック室１４ａの基板支持体２０の最後に格納されるウエハである。そのため、上アーム７４に未処理ウエハを搭載していない。
Next, a wafer detection method in a process of unloading a processed wafer from the
図１８（ａ−１）は、これから処理済みウエハが保持される下アーム７５が、搬送室１２で待機されている状態である。下アーム７５に処理済みウエハを移載するため、下アーム７５は、基板通過口１５ａと同じ高さに設定される。また、図１８（ａ−２）は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
FIG. 18A-1 shows a state in which the
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き根本部１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、切欠き１００ｂを通過し、第３フィンガ７２ｃの裏面に当たる。これにより反射された光は、再度切欠き１００ｂを通過し、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、誤差の範囲であれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The
The distance measured in this way is compared with a preset reference value (a preset distance between the
If it is significantly different from the reference value, it is determined that the wafer is held by the
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第１フィンガの第３貫通孔８５に向けて、光を投光する。投光された光は、図１８（ａ−２）に示すように、第１フィンガ７２ａの第３貫通孔８５及び第２フィンガ７２ｂの支持部貫通孔９２を通過し、第３フィンガ７２ｃの支持部８０に当たる。該支持部８０で反射された光は、同様に第３貫通孔８５及び支持部貫通孔９２を通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
The
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、誤差の範囲であれば、第３フィンガ７２ｃにウエハが無いと判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されているか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The distance measured in this manner is compared with a preset reference value (a preset distance between the
If it is significantly different from the reference value, it is determined that the wafer is held by the
第３及び第４フィンガにウエハが無いと判断された後、ゲートバルブ３５が開かれ、（
ｂ）のように、下アーム７５が処理室１６ａ方向へ移動する。移動後、第１基板保持ピン３９ａとの協働作業により、処理室１６ａ内の処理済みウエハを、下アーム７５の各フィンガに移載する。
After it is determined that there are no wafers in the third and fourth fingers, the
As shown in b), the
下アーム７５の各フィンガに移載された後、図１８（ｃ−１）のように、下アーム７５は搬送室１２へ移動する。移動後、下アーム７５の各フィンガにウエハが搭載されているか否かを、センサによって確認する。図１８(ｃ−２)は、そのときのセンサから投光される光（光軸）とフィンガの関係を表した図である。
After being transferred to each finger of the
反射型変位センサ１０６ａは、第４フィンガ７２ｄの裏面方向から、第４フィンガ７２ｄの切欠き根本部１００ｂに向かって、光を投光する。投光された光は、第４フィンガ７２ｄに保持されているウエハの裏面に当たる。ウエハ裏面から反射された光は、反射型変位センサ１０６ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１０６との距離）と比較し、基準値と異なれば、第４フィンガ７２ｄにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、かつ第４フィンガ７２ｄと反射型変位センサ１０６ａとの距離が異なる場合には、ウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The
The distance thus measured is compared with a preset reference value (a preset distance between the
When it is significantly different from the reference value and when the distance between the
反射型変位センサ１１４ａは、第１フィンガ７２ａの表面方向から、第３貫通孔８５に向けて、光を投光する。投光された光は、図１８（ｃ−２）に示すように、第１フィンガ７２ａの第３貫通孔及び第２フィンガ７２ｂの支持部貫通孔９２を通過し、第３フィンガ７２ｃに保持されているウエハに当たる。ウエハで反射された光は、同様に第３貫通孔８５及び支持部貫通孔９２を通過し、反射型変位センサ１１４ａによって受光される。
これによって計測された距離を、予め設定されている基準値（予め設定された処理済みウエハを搬出するときの第３フィンガ７２ｃと反射型変位センサ１１４ａとの距離）とを比較し、距離の差が誤差の範囲を超えた場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていると判断する。
基準値と大幅に異なる場合、第３フィンガ７２ｃにウエハが保持されていないか、もしくは異常が起きたと判断する。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
The
The distance thus measured is compared with a preset reference value (a preset distance between the
If it is significantly different from the reference value, it is determined that the wafer is not held by the
続いて、図１９を用いて、図１８で下アーム７５に移載された処理済みウエハをロードロック室へ移載する方法を説明する。
図１９（ｃ−１）の各フィンガの先端が処理室１６ａに向かっている状態から、ロードロック室１４ａに各フィンガの先端が向くよう、上アーム７４及び下アーム７５と共に第１基板搬送部７０が回転し、図１９（ａ）の状態となる。
Next, a method for transferring the processed wafer transferred to the
The first
次にゲートバルブ３５が開き、処理済みウエハが保持されている下アーム７５がロードロック室１４ａに向けて移動し、図１９（ｂ）の状態となる。基板支持体２０との協働作業により、基板支持体２０に処理済みウエハが移載される。
このようにして、ＥＦＥＭ１８からロードロック室１４ａへ移載された全てのウエハが、処理室にて処理され、ロードロック室１４ａへ戻される。
Next, the
In this way, all the wafers transferred from the
基板支持体２０にウエハが移載された後、図１９（ｃ−１）のように、下アーム７５が搬送室１２へ移動する。
このとき、全てのアーム（フィンガ）にウエハが無いことを確認する。即ち、透過型センサ投光部１１０ａから、第４フィンガ７２ｄのフィンガ先端の間に向けて光を投光し、各アーム（フィンガ）にウエハが存在しなければ、透過型センサ受光部１０４ａが、光を受光する。
このようにして、ウエハが各アームに無いことを確認する。
After the wafer is transferred to the
At this time, it is confirmed that all arms (finger) have no wafer. That is, light is projected from the transmissive sensor
In this way, it is confirmed that there is no wafer on each arm.
ここで、透過型センサ受光部１０４ａが光を受光しなかった場合、ウエハが各アームの少なくともいずれかに載置されているか、もしくは装置の異常と判断される。このような判断の後、搬送室１２の動作を停止したり、保守者に対してアラームを出力したりしても良い。
Here, when the transmissive sensor
次に、処理室１６内へ供給されたウエハの移載フローを、図２０及び図２１を用いて説明する。
図２０（ａ）〜（ｄ）及び図２１(ｅ)〜（ｈ）において、上図は処理室１６の上面図である。下図は上図の断面をイメージした図で、説明用図面である。
下図では、基板保持ピン３９ａの一つが、第１処理部３６の内、ゲートバルブ３５に近い箇所に設けられている。これは説明の便宜上のものである。実際には上図のように、第１処理部３６の内、ゲートバルブ３５に近い箇所、即ち基板搬送部７０が図２０（ｃ）上図のように待機する箇所には、基板保持ピン３９ａは設けられていない。
まず、処理室１６内は、搬送室１２と同圧に真空化される。尚、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２００により制御される。
Next, a transfer flow of the wafer supplied into the
20A to 20D and FIGS. 21E to 21H, the upper diagram is a top view of the
In the figure below, one of the
First, the inside of the
＜ステップ１ 図２０（ａ）＞
ゲートバルブ３５が開き、第１処理部３６の第１基板保持ピン３９ａと第２処理部３８の第２基板保持ピン３９ｂが上昇する。第２基板搬送部材４０は第２処理部３８側に待機し、第１基板保持ピン３９ａ、第２基板保持ピン３９ｂと共に上昇する。
<
The
＜ステップ２ 図２０（ｂ）＞
第２基板搬送部材４０は、軸部４３ｅが回転することで略水平に第１処理部３６側へ移動する。この際、第２基板搬送部材４０の切欠き部４３ｂは、ゲートバルブ３５と向かい合っている。
<
The second
＜ステップ３ 図２０（ｃ）＞
基板搬送部７０が上フィンガ７２ａと下フィンガ７２ｂに載置された２枚のウエハを同時搬送しながら、搬送室１２からゲートバルブ３５を介して処理室１６に移動し、第１処理部３６上方にて停止する。その際、第２基板搬送部材４０はフィンガ対３２の上フィンガ７２ａと下フィンガ７２ｂの間に収まる高さ位置にて待機する。
<Step 3 FIG. 20 (c)>
The
＜ステップ４ 図２０（ｄ）＞
基板搬送部７０はそのまま動作しない状態にて、第１処理部３６の第１基板保持ピン３９ａが上昇し、下フィンガ７２ｂに載置されたウエハを第１基板保持ピン３９ａ上に載置する。さらに、第２基板搬送部材４０が上昇することで、上フィンガ７２ａに載置されたウエハを第２基板搬送部材４０の爪部４３ｃ上に載置する。
<Step 4 (d) in FIG. 20>
In a state where the
＜ステップ５ 図２１（ｅ）＞
基板搬送部７０は、搬送室１２内に戻る。
<Step 5 FIG. 21 (e)>
The
＜ステップ６ 図２１（ｆ）＞
第２基板搬送部材４０は、ウエハ１を載置した状態で、軸部４３ｅが回転することで略水平に第２処理部３８側へ移動する。
ゲートバルブ３５が閉まる。
<Step 6 FIG. 21 (f)>
The second
The
＜ステップ７ 図２１（ｇ）＞
軸部４３ｅが下降して、第２基板搬送部材４０は、第２処理部３８の外周下方に移動する。
第２基板搬送部材４０はウエハ処理中も処理室１６内に待機することになるため、第２処理部３８上方から供給される処理ガス（例えばＯ2ラジカル等）のガスの流れを阻
害し、ウエハ面内の均一性を悪化させる恐れがある。そのため、第２処理部３８の外周のガス流れを阻害しない高さへと移動する。
<Step 7 FIG. 21 (g)>
The
Since the second
＜ステップ８ 図２１（ｈ）＞
第１処理部３６の第１基板保持ピン３９ａ及び第２処理部３８の第２基板保持ピン３９ｂがウエハ１を略水平に保持した状態でほぼ同時に下降し、ウエハ１を第１基板載置台３７及び第２基板載置台４１にそれぞれ載置する。即ち、それぞれのウエハと、それらのウエハに対応した基板載置台との距離が互いに等しくなるよう、ウエハを下降させる。
第１処理部３６及び第２処理部３８それぞれのウエハへの熱影響を同じにするためである。熱影響を同じにすることにより、例えばそれぞれのウエハのアッシングレートを均一にすることができる。基板処理がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の場合、それぞれの膜厚を略同じ厚みとすることができる。
尚、まったく同じ熱影響とする必要は無く、アッシングレートや膜厚が均一にさえなれば、誤差があってもよい。誤差は、例えば２秒程度である。
第１基板保持ピン３９ａと第２基板保持ピン３９ｂをほぼ同時に下降して、熱影響を同じとする代わりに、ヒータを個別に制御してもよい。
また、本装置では、基板保持ピン３９が下がるが、基板載置台が上下する構成にしてもよい。
<Step 8 FIG. 21 (h)>
The first
This is to make the thermal effects on the wafers of the
Note that it is not necessary to have the same thermal effect, and there may be an error as long as the ashing rate and the film thickness are uniform. The error is, for example, about 2 seconds.
Instead of lowering the first
In the present apparatus, the substrate holding pins 39 are lowered, but the substrate mounting table may be moved up and down.
その後、処理室１６内にガスを供給し、プラズマ生成（アッシング処理）がなされ、基板処理後は、逆のシーケンスを実行し、基板を搬出する。
Thereafter, gas is supplied into the
本発明は、特許請求の範囲に記載された通りであるが、さらに次に付記する事項も含まれる。 The present invention is as described in the claims, but further includes the following items.
〔付記１〕
搬送室を中心として第一のロードロック室、第二のロードロック室、及び少なくとも二つの処理室が配置され、
前記搬送室は、前記第一のロードロック室及び前記第二のロードロック室と、前記少なくとも二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、
前記基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられたアームを有し、
前記第一のフィンガは、第一の貫通孔及び第二の貫通孔が形成されている基板処理装置。
[Appendix 1]
A first load lock chamber, a second load lock chamber, and at least two processing chambers are arranged around the transfer chamber,
The transfer chamber has a substrate transfer section for transferring a substrate between the first load lock chamber and the second load lock chamber, and the at least two processing chambers,
The substrate transport unit has an arm provided with a first finger and a second finger,
The first finger is a substrate processing apparatus in which a first through hole and a second through hole are formed.
〔付記２〕
前記第一の貫通孔及び前記第二の貫通孔は、基板移載時の前記第一のフィンガの移動方向であって、前記第一のフィンガの基板支持位置を中心とした中心線に対して対称の位置にそれぞれが形成されている付記１記載の基板処理装置。
[Appendix 2]
The first through hole and the second through hole are moving directions of the first finger at the time of substrate transfer, and with respect to a center line centered on the substrate support position of the first finger. The substrate processing apparatus according to
〔付記３〕
前記搬送室には、前記第一のロードロック室に対応する位置に第一の基板検出部が設けられ、前記第二のロードロック室に対応する位置に第二の基板検出部が設けられている付記１又は２記載の基板処理装置。
[Appendix 3]
In the transfer chamber, a first substrate detector is provided at a position corresponding to the first load lock chamber, and a second substrate detector is provided at a position corresponding to the second load lock chamber. The substrate processing apparatus according to
〔付記４〕
前記搬送室から前記第一のロードロック室に前記第一のフィンガ及び前記第二のフィンガを挿入する前に、前記第一の基板検出部から前記第一の貫通孔に向けて光を照射し、前記搬送室から前記第二のロードロック室に前記第一のフィンガ及び前記第二のフィンガを挿入する前に、前記第二の基板検出部から前記第二の貫通孔に向けて光を照射するように制御される付記１乃至３いずれか記載の基板処理装置。
[Appendix 4]
Before inserting the first finger and the second finger from the transfer chamber into the first load lock chamber, light is irradiated from the first substrate detection unit toward the first through hole. Irradiating light from the second substrate detector toward the second through-hole before inserting the first finger and the second finger from the transfer chamber into the second load lock chamber 4. The substrate processing apparatus according to any one of
〔付記５〕
搬送室を中心として第一のロードロック室、第二のロードロック室、及び少なくとも二つの処理室が配置され、前記搬送室は、前記第一のロードロック室、前記第二のロードロック室、及び前記少なくとも二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、前記基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられたアームを有し、前記第一のフィンガは、第一の貫通孔及び第二の貫通孔が形成されている基板処理装置を用い、
前記搬送室から前記第一のロードロック室に前記第一のフィンガ及び前記第二のフィンガを挿入する前に、前記第一の基板検出部から前記第一の貫通孔に向けて光を照射する工程と、
前記搬送室から前記第二のロードロック室に前記第一のフィンガ及び前記第二のフィンガを挿入する前に、前記第二の基板検出部から前記第二の貫通孔に向けて光を照射する工程と、
を有する基板処理方法。
[Appendix 5]
A first load lock chamber, a second load lock chamber, and at least two processing chambers are arranged around the transfer chamber, and the transfer chamber includes the first load lock chamber, the second load lock chamber, And a substrate transfer unit for transferring a substrate between the at least two processing chambers, the substrate transfer unit having an arm provided with a first finger and a second finger, The finger uses a substrate processing apparatus in which a first through hole and a second through hole are formed,
Before inserting the first finger and the second finger from the transfer chamber into the first load lock chamber, light is emitted from the first substrate detection portion toward the first through hole. Process,
Before inserting the first finger and the second finger from the transfer chamber into the second load lock chamber, light is irradiated from the second substrate detection unit toward the second through hole. Process,
A substrate processing method.
以上で説明したように、例え半導体製造等に用いられる本発明は基板処理装置及び基板処理方向に適用することができ、より具体的には、例えば、半導体集積回路装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハに酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール及び熱ＣＶＤ反応による成膜処理などに使用される基板処理装置等に適用することができる。 As described above, the present invention used for semiconductor manufacturing or the like can be applied to a substrate processing apparatus and a substrate processing direction. More specifically, for example, a semiconductor integrated circuit device (semiconductor device) is built in. The present invention can be applied to a substrate processing apparatus or the like used for film processing by oxidation processing, diffusion processing, carrier activation after ion implantation, planarization reflow, annealing, and thermal CVD reaction.
１ ウエハ
１０ 基板処理装置
１２ 搬送室
１４ａ ロードロック室
１４ｂ ロードロック室
１６ａ 処理室
１６ｂ 処理室
７２ａ 第１フィンガ
７２ｂ 第２フィンガ
７４ アーム
８３ 第１貫通孔
８４ 第２貫通孔
１１２ａ 反射型センサ
１１２ｂ 反射型センサ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記搬送室は、前記第一のロードロック室及び前記第二のロードロック室と、前記少なくとも二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、
前記基板搬送部は、第一のフィンガ及び第二のフィンガが設けられたアームを有し、
前記第一のフィンガは、第一の貫通孔及び第二の貫通孔が形成されている基板処理装置。 A first load lock chamber, a second load lock chamber, and at least two processing chambers are arranged around the transfer chamber,
The transfer chamber has a substrate transfer section for transferring a substrate between the first load lock chamber and the second load lock chamber, and the at least two processing chambers,
The substrate transport unit has an arm provided with a first finger and a second finger,
The first finger is a substrate processing apparatus in which a first through hole and a second through hole are formed.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012086164A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 川崎重工業株式会社 | Transportation robot, substrate transportation method therefor, and substrate transportation relay apparatus |
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