JP2011198958A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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尚宏 舟崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To assure an operator's safety by preventing a door of a transfer chamber from opening when an inside of the transfer chamber is in a high temperature state.SOLUTION: A substrate processing apparatus 1 equipped with the transfer chamber 13 connected to a treatment furnace 21 for processing the substrate 10 includes: a temperature measurement unit 34 measuring a temperature in the transfer chamber; a lock mechanism 20 locking and unlocking the door 19 of the transfer chamber; and a control unit controlling the lock mechanism 20 based on the temperature measured by the temperature measurement unit 34.

Description

本発明は、ウェーハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing such as oxidation processing, diffusion processing, and thin film generation on a substrate such as a wafer.

半導体装置の処理工程の1つとして、シリコンウェーハ等の基板に酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理工程があり、該基板処理工程を実行する装置として基板処理装置があり、又縦型処理炉を具備し、所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置として縦型基板処理装置がある。   As one of the processing steps of a semiconductor device, there is a substrate processing step for performing processing such as oxidation processing, diffusion processing, and thin film generation on a substrate such as a silicon wafer, and there is a substrate processing device as an apparatus for executing the substrate processing step. Further, there is a vertical substrate processing apparatus as a batch type substrate processing apparatus that includes a vertical processing furnace and processes a predetermined number of substrates at a time.

縦型基板処理装置に於ける基板処理は、基板搬送容器に収納された基板(ウェーハ)が、移載室内で基板移載機により移載され、1バッチ分(例えば50〜125枚)のウェーハが基板保持具(ボート)に装填される。該ボートは所定のピッチでウェーハを水平姿勢で保持し、昇降装置によりボートが上昇されることで処理炉に装入される。処理炉が気密に閉塞され、処理炉内が処理圧に維持され、処理炉内で基板を所定温度に加熱維持し、処理ガスを導入することでウェーハに所定の処理が行われる。   In the substrate processing in the vertical substrate processing apparatus, a substrate (wafer) stored in a substrate transfer container is transferred by a substrate transfer machine in a transfer chamber, and one batch (for example, 50 to 125) of wafers is transferred. Is loaded into a substrate holder (boat). The boat holds wafers in a horizontal posture at a predetermined pitch, and is loaded into the processing furnace when the boat is lifted by a lifting device. The processing furnace is hermetically closed, the processing furnace is maintained at a processing pressure, the substrate is heated and maintained at a predetermined temperature in the processing furnace, and a processing gas is introduced to perform a predetermined processing on the wafer.

上記処理中、或は処理後にウェーハ割れ等の異常が発生した場合には、処理炉内からボートを装脱した後、ウェーハの回収に基板移載機が使用できない為、作業者が移載室の扉を開き、手作業でボートからウェーハを回収してリカバリ処理を行う必要がある。   If an abnormality such as wafer breakage occurs during or after the above process, the substrate transfer machine cannot be used to recover the wafer after removing the boat from the processing furnace. It is necessary to recover the wafer by manually opening the door and collecting the wafer from the boat.

然し乍ら、従来の基板処理装置では、移載室内の温度をモニタしておらず、移載室内が高温である状態でリカバリ処理が行われる虞れがあり、又メンテナンス時に於いても同様の虞れがあった。   However, in the conventional substrate processing apparatus, the temperature in the transfer chamber is not monitored, and the recovery process may be performed in a state where the transfer chamber is at a high temperature. was there.

本発明は斯かる実情に鑑み、移載室内が高温状態である場合に該移載室の扉が開くことを抑止し、作業者の安全を確保する基板処理装置を提供するものである。   In view of such circumstances, the present invention provides a substrate processing apparatus that prevents the door of the transfer chamber from being opened when the transfer chamber is in a high temperature state, and ensures the safety of the operator.

本発明は、基板の処理を行う処理炉に連設される移載室を備えた基板処理装置であって、前記移載室内の温度を測定する温度測定手段と、前記移載室の扉の施錠及び解錠を行うロック機構と、前記温度測定手段で測定された温度に基づいて前記ロック機構を制御する制御手段とを具備する基板処理装置に係るものである。   The present invention is a substrate processing apparatus comprising a transfer chamber connected to a processing furnace for processing a substrate, wherein temperature measuring means for measuring the temperature in the transfer chamber, and a door of the transfer chamber The present invention relates to a substrate processing apparatus comprising a lock mechanism for locking and unlocking, and a control means for controlling the lock mechanism based on the temperature measured by the temperature measuring means.

本発明によれば、基板の処理を行う処理炉に連設される移載室を備えた基板処理装置であって、前記移載室内の温度を測定する温度測定手段と、前記移載室の扉の施錠及び解錠を行うロック機構と、前記温度測定手段で測定された温度に基づいて前記ロック機構を制御する制御手段とを具備するので、前記温度測定手段により測定された前記移載室内の温度が高温である場合には前記ロック機構が前記移載室の扉を解錠せず、常に安全な状態で該移載室の扉を開閉することができるという優れた効果を発揮する。   According to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a transfer chamber connected to a processing furnace for processing a substrate, the temperature measuring means for measuring the temperature in the transfer chamber, and the transfer chamber Since the lock mechanism for locking and unlocking the door and the control means for controlling the lock mechanism based on the temperature measured by the temperature measuring means, the transfer chamber measured by the temperature measuring means is provided. When the temperature of the transfer chamber is high, the lock mechanism does not unlock the door of the transfer chamber, and exhibits an excellent effect that the door of the transfer chamber can always be opened and closed in a safe state.

本発明に係る基板処理装置の概略を示す正断面図である。It is a front sectional view showing an outline of a substrate processing apparatus according to the present invention. 本発明に於ける基板処理装置の要部拡大斜視図である。It is a principal part expansion perspective view of the substrate processing apparatus in this invention. 本発明に於ける制御ブロック図である。It is a control block diagram in the present invention.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

先ず、図1、図2に於いて、本発明が実施される基板処理装置について概略を説明する。   First, an outline of a substrate processing apparatus in which the present invention is implemented will be described with reference to FIGS.

図1中、1は基板処理装置、2は筐体を示している。前記基板処理装置1へのウェーハ10の搬入搬出は、ウェーハ10が基板搬送容器に収納された状態で行われる。基板搬送容器として、例えばポッド3が用いられ、該ポッド3にはウェーハ10が所定枚数、例えば25枚が収納される。前記ポッド3は、開閉可能な蓋を具備する密閉容器であり、該ポッド3へのウェーハ10の装填、払出しは、前記蓋を開いて実行される。   In FIG. 1, 1 is a substrate processing apparatus, and 2 is a housing. The wafer 10 is carried into and out of the substrate processing apparatus 1 in a state where the wafer 10 is stored in a substrate transfer container. For example, a pod 3 is used as the substrate transfer container, and a predetermined number, for example, 25 sheets of wafers 10 are stored in the pod 3. The pod 3 is a hermetically sealed container having a lid that can be opened and closed, and the loading and unloading of the wafer 10 to and from the pod 3 is performed by opening the lid.

前記基板処理装置1の前面には基板授受装置4が設けられ、前記ポッド3は外部搬送装置(図示せず)により前記基板授受装置4に対して搬入搬出が行われる。   A substrate transfer device 4 is provided in front of the substrate processing apparatus 1, and the pod 3 is carried into and out of the substrate transfer device 4 by an external transfer device (not shown).

前記筐体2の前記基板授受装置4に対峙する部分にはポッド搬入出口5が設けられ、該ポッド搬入出口5を開閉するフロントシャッタ6が設けられており、前記ポッド3は前記フロントシャッタ6を通して前記筐体2内部に搬入搬出される様になっている。   A pod loading / unloading port 5 is provided at a portion of the housing 2 facing the substrate transfer device 4, and a front shutter 6 for opening and closing the pod loading / unloading port 5 is provided. The pod 3 passes through the front shutter 6. It is carried in and out of the housing 2.

前記筐体2内の前部にはポッド搬送装置7が設けられ、該ポッド搬送装置7は前記ポッド3を保持可能なポッド移載アーム8を具備している。又、該ポッド移載アーム8は昇降、横行(紙面に対して垂直な方向)、進退(紙面の左右方向)が可能であり、昇降、横行、進退の協働により前記ポッド3を任意な位置に搬送可能となっている。   A pod transfer device 7 is provided at the front of the housing 2, and the pod transfer device 7 includes a pod transfer arm 8 that can hold the pod 3. The pod transfer arm 8 can move up and down, traverse (direction perpendicular to the plane of the paper), and advance and retreat (left and right direction of the plane of the paper). Can be transported.

前記ポッド搬送装置7に対向し、前記筐体2内の上部にはポッド格納部9が設けられている。該ポッド格納部9は間欠回転可能な複数のポッド収納棚11を有し、各ポッド収納棚11毎に複数の前記ポッド3が格納可能となっている。   Opposite to the pod transfer device 7, a pod storage unit 9 is provided in the upper part of the housing 2. The pod storage unit 9 has a plurality of pod storage shelves 11 that can rotate intermittently, and a plurality of the pods 3 can be stored in each pod storage shelf 11.

前記筐体2内の後部下方には、サブ筐体12が設けられ、該サブ筐体12は移載室13を画成している。   A sub housing 12 is provided below the rear portion of the housing 2, and the sub housing 12 defines a transfer chamber 13.

前記サブ筐体12の前壁14には上下2段にポッドオープナ15,15が設けられる。該ポッドオープナ15はそれぞれ載置台16、蓋着脱機構17を具備し、前記載置台16上に前記ポッド3が載置され、前記前壁14に密着され、前記蓋着脱機構17によって蓋が開閉される様になっている。前記ポッド3の蓋が開放された状態ではポッド3の内部と前記移載室13が連通状態となる。   Pod openers 15 and 15 are provided on the front wall 14 of the sub-housing 12 in two upper and lower stages. The pod opener 15 includes a mounting table 16 and a lid attaching / detaching mechanism 17. The pod 3 is placed on the mounting table 16 and is in close contact with the front wall 14. The lid attaching / detaching mechanism 17 opens and closes the lid. It has become like that. When the lid of the pod 3 is opened, the inside of the pod 3 and the transfer chamber 13 are in communication with each other.

又、前記サブ筐体12の後方には外部と連通したオペレーションBOX18が連設され、該オペレーションBOX18は前記サブ筐体12との連設面に前記移載室13を開閉する移載室扉19を有している。該移載室扉19は後述するロック機構20により施錠、解錠される様になっており、該ロック機構20により解錠し、前記移載室扉19を開放することで前記オペレーションBOX18と前記移載室13とが連通する様になっている。   In addition, an operation box 18 communicating with the outside is connected to the rear of the sub casing 12, and the operation box 18 is a transfer chamber door 19 that opens and closes the transfer chamber 13 on a connection surface with the sub casing 12. have. The transfer chamber door 19 is locked and unlocked by a lock mechanism 20 which will be described later, and is unlocked by the lock mechanism 20 and the transfer chamber door 19 is opened to open the operation box 18 and the operation box 18. The transfer chamber 13 communicates with the transfer chamber 13.

前記筐体2内の後部、前記サブ筐体12の上側には処理炉21が立設される。該処理炉21は処理室を気密に画成する反応管、該反応管の周囲に設けられたヒータを具備し、又、前記反応管にはガス供給ライン、排気ラインが連通されており、処理室を加熱すると共に所定の処理圧に維持して、処理ガスの給排を行う様になっている。   A processing furnace 21 is erected on the rear part of the casing 2 and on the upper side of the sub casing 12. The processing furnace 21 includes a reaction tube that hermetically defines a processing chamber, a heater provided around the reaction tube, and a gas supply line and an exhaust line that communicate with the reaction tube. The chamber is heated and maintained at a predetermined processing pressure to supply and discharge the processing gas.

前記処理室は下端に前記移載室13に連通する炉口部を有し、該炉口部は炉口シャッタ22によって開閉される。   The processing chamber has a furnace port portion communicating with the transfer chamber 13 at the lower end, and the furnace port portion is opened and closed by a furnace port shutter 22.

前記移載室13には前記処理炉21の下方に、ボートエレベータ24が設けられ、該ボートエレベータ24は前記炉口部を気密に閉塞可能なシールキャップ23を有し、該シールキャップ23にボート26が載置可能であり、前記ボートエレベータ24は前記シールキャップ23を昇降させることで、前記ボート26を前記処理室に装脱可能となっている。又、前記ボート26を前記処理室に装入した状態では、前記シールキャップ23が前記炉口部を気密に閉塞する。   The transfer chamber 13 is provided with a boat elevator 24 below the processing furnace 21, and the boat elevator 24 has a seal cap 23 that can close the furnace port in an airtight manner. The boat elevator 24 can move the seal cap 23 up and down, so that the boat 26 can be loaded into and removed from the processing chamber. Further, when the boat 26 is loaded in the processing chamber, the seal cap 23 airtightly closes the furnace port portion.

前記移載室13には前記ポッドオープナ15と前記ボートエレベータ24との間に基板移載機25が設けられ、該基板移載機25はウェーハ10を保持する複数の基板保持プレート(ツイーザ)27を具備している。該ツイーザ27は、例えば上下に等間隔で5枚配置され、上下の間隔(ピッチ)は前記ポッド3のウェーハ収納ピッチ、後述するボート26のウェーハ保持ピッチと同一となっている。   The transfer chamber 13 is provided with a substrate transfer machine 25 between the pod opener 15 and the boat elevator 24, and the substrate transfer machine 25 holds a plurality of substrate holding plates (tweezers) 27 for holding the wafers 10. It has. For example, five tweezers 27 are vertically arranged at equal intervals, and the vertical interval (pitch) is the same as the wafer storage pitch of the pod 3 and the wafer holding pitch of the boat 26 described later.

前記基板移載機25は、前記ツイーザ27を水平方向に進退可能であり、又昇降可能、垂直軸心中心に回転可能とする構成を具備し、進退、回転、昇降の協働によって前記ツイーザ27にウェーハ10を保持し、所望の位置に移載可能となっている。   The substrate transfer machine 25 has a configuration in which the tweezers 27 can be moved back and forth in the horizontal direction, can be moved up and down, and can be rotated about the vertical axis. The wafer 10 can be held and transferred to a desired position.

又、前記ボート26と対向する位置にある前記筐体2の側壁には、図示しないクリーンユニットが設けられ、該クリーンユニットから吹出されたクリーンエアは、前記基板移載機25及び前記ボート26を流通した後に、図示しない排気装置に吸込まれて前記筐体2の外部に排気される様になっている。   Also, a clean unit (not shown) is provided on the side wall of the housing 2 at a position facing the boat 26, and clean air blown from the clean unit passes the substrate transfer machine 25 and the boat 26. After circulation, the air is sucked into an exhaust device (not shown) and exhausted to the outside of the housing 2.

前記基板処理装置1は制御装置28を具備しており、該制御装置28は、例えば前記基板処理装置1の前面に配置される。   The substrate processing apparatus 1 includes a control device 28, and the control device 28 is disposed on the front surface of the substrate processing apparatus 1, for example.

次に、図2に於いて、前記サブ筐体12と前記オペレーションBOX18との連設部の詳細について説明する。   Next, with reference to FIG. 2, the details of the connecting portion between the sub casing 12 and the operation BOX 18 will be described.

前記サブ筐体12と前記オペレーションBOX18は連設面に開口部を有し、又前記移載室扉19は1側端部の上面及び下面に設けられたヒンジピン29を介して開閉可能となっており、前記開口部は前記移載室扉19によって開閉される様になっている。該移載室扉19は石英ガラス等で形成された窓31を有し、該窓31を介して作業者が前記オペレーションBOX18から前記移載室13の内部を覗ける様になっている。   The sub-housing 12 and the operation box 18 have an opening on the connecting surface, and the transfer chamber door 19 can be opened and closed via hinge pins 29 provided on the upper and lower surfaces of one side end. The opening is opened and closed by the transfer chamber door 19. The transfer chamber door 19 has a window 31 formed of quartz glass or the like, and an operator can look inside the transfer chamber 13 from the operation box 18 through the window 31.

前記オペレーションBOX18の開口端部には前記ロック機構20が設けられ、該ロック機構20は前記移載室扉19に対して進退可能なロックロッド32を有している。該ロックロッド32が進状態では前記移載室扉19の側面に形成された図示しないロックロッド嵌合穴に嵌合し、前記移載室扉19が施錠されることで動きが拘束され、前記ロックロッド32が退状態では該ロックロッド32がロックロッド嵌合穴から抜出され、前記移載室13のロックが解除されることで該移載室扉19の開放が可能となる。   The lock mechanism 20 is provided at the opening end of the operation box 18, and the lock mechanism 20 has a lock rod 32 that can move forward and backward with respect to the transfer chamber door 19. When the lock rod 32 is in the advanced state, the lock rod 32 is fitted into a lock rod fitting hole (not shown) formed on the side surface of the transfer chamber door 19 and the transfer chamber door 19 is locked to restrict the movement. When the lock rod 32 is in the retracted state, the lock rod 32 is extracted from the lock rod fitting hole, and the transfer chamber 13 is unlocked, so that the transfer chamber door 19 can be opened.

前記ロック機構20の近傍にはロック解除スイッチ33が設けられ、該ロック解除スイッチ33を押下することで、前記ロックロッド32が後退し、前記移載室扉19のロックが解除される様になっている。   A lock release switch 33 is provided in the vicinity of the lock mechanism 20, and when the lock release switch 33 is pressed, the lock rod 32 moves backward and the transfer chamber door 19 is unlocked. ing.

又、前記移載室13内部の所要位置、例えば前記移載室13の壁面には、温度測定手段である移載室内温度モニタ用熱電対34が設けられている。該移載室内温度モニタ用熱電対34は前記移載室13内の温度を常時測定しており、測定結果を後述するロック機構制御部42へとフィードバックしている。   Further, a required position inside the transfer chamber 13, for example, a wall surface of the transfer chamber 13, is provided with a transfer chamber temperature monitor thermocouple 34 as temperature measuring means. The transfer chamber temperature monitoring thermocouple 34 constantly measures the temperature in the transfer chamber 13 and feeds back the measurement result to a lock mechanism control unit 42 described later.

図3は、前記制御装置28の概略を示している。   FIG. 3 shows an outline of the control device 28.

35はCPUに代表される制御演算部、36はモニタ等の表示部、37は半導体メモリ、HDD等の記憶部、38は圧力制御部、39は流量制御部、41は加熱制御部、42はロック機構制御部、43は搬送制御部を示しており、前記制御演算部35、前記記憶部37、前記ロック機構制御部42とでロック機構制御手段を構成している。   Reference numeral 35 denotes a control calculation unit represented by a CPU, 36 denotes a display unit such as a monitor, 37 denotes a semiconductor memory, a storage unit such as an HDD, 38 denotes a pressure control unit, 39 denotes a flow rate control unit, 41 denotes a heating control unit, and 42 denotes A lock mechanism control unit 43 indicates a transport control unit, and the control calculation unit 35, the storage unit 37, and the lock mechanism control unit 42 constitute a lock mechanism control unit.

前記圧力制御部38によって、前記処理炉21の処理室の圧力が制御され、前記流量制御部39によって前記処理室に供給する処理ガス、パージガスのガスの流量、或は前記移載室13に供給するパージガスの流量が制御され、前記加熱制御部41によって処理室の温度が所定温度となる様に前記処理炉21の加熱状態が制御される。   The pressure control unit 38 controls the pressure of the processing chamber of the processing furnace 21, and the flow rate control unit 39 supplies the processing gas supplied to the processing chamber, the flow rate of purge gas, or the transfer chamber 13. The flow rate of the purge gas to be controlled is controlled, and the heating state of the processing furnace 21 is controlled by the heating control unit 41 so that the temperature of the processing chamber becomes a predetermined temperature.

前記ロック機構制御部42は、前記ロック機構20を制御して前記移載室扉19に対する施錠を行うと共に、前記移載室内温度モニタ用熱電対34の測定結果に基いて前記移載室扉19のロック解除を行う機能を有している。前記表示部36には、基板の処理条件、進行状態が表示されると共に、前記移載室内温度モニタ用熱電対34により測定された前記移載室13内の温度やロック解除条件、即ち前記移載室扉19は前記移載室13内の温度が設定値(例えば30℃)未満であればロックが解除されるという閾値を示すロック解除条件温度が表示される。   The lock mechanism control unit 42 controls the lock mechanism 20 to lock the transfer chamber door 19, and based on the measurement result of the transfer chamber temperature monitor thermocouple 34, the transfer chamber door 19. Has the function of unlocking. The display unit 36 displays the processing conditions and progress of the substrate, and the temperature in the transfer chamber 13 measured by the transfer chamber temperature monitoring thermocouple 34 and the unlocking condition, that is, the transfer condition. The loading door 19 displays an unlocking condition temperature indicating a threshold value that unlocks if the temperature in the transfer chamber 13 is lower than a set value (for example, 30 ° C.).

又、前記搬送制御部43は、前記ポッド搬送装置7、前記ポッドオープナ15、前記ボートエレベータ24、前記基板移載機25等の搬送機構部の駆動を制御する。尚、図では省略しているが、前記フロントシャッタ6、前記ポッド格納部9も同様に制御される。   The transfer control unit 43 controls driving of transfer mechanism units such as the pod transfer device 7, the pod opener 15, the boat elevator 24, and the substrate transfer machine 25. Although not shown in the figure, the front shutter 6 and the pod storage unit 9 are similarly controlled.

前記記憶部37には、基板を処理する為のデータ(レシピ)、圧力、ガス流量、温度を制御する為の制御プログラム、各搬送機構部を制御する為のシーケンスプログラム、予め設定された前記移載室扉19を施錠する前記ロック機構20のロック解除条件温度、及び前記移載室13内の温度がロック解除条件を満たしたかどうかを判断する判断プログラムが格納されている。尚、シーケンスプログラムは、基板の装填、払出しについて複数の作動パターンが設定され、又選択可能となっており、選択された作動パターンに従って基板の装填、払出しを行う様になっている。   The storage unit 37 includes data (recipe) for processing a substrate, a control program for controlling pressure, gas flow rate, and temperature, a sequence program for controlling each transport mechanism unit, and the preset transfer. A determination program for determining whether the unlocking condition temperature of the lock mechanism 20 that locks the loading chamber door 19 and whether the temperature in the transfer chamber 13 satisfies the unlocking condition is stored. In the sequence program, a plurality of operation patterns are set and selectable for loading and unloading of the substrate, and loading and unloading of the substrate are performed according to the selected operation pattern.

次に、前記基板処理装置の作動について説明する。   Next, the operation of the substrate processing apparatus will be described.

前記ポッド3が前記基板授受装置4に供給されると、前記ポッド搬入出口5が前記フロントシャッタ6によって開放される。前記基板授受装置4の上の前記ポッド3は前記ポッド搬送装置7によって前記筐体2の内部へ前記ポッド搬入出口5を通して搬送され、前記ポッド格納部9の指定された前記ポッド収納棚11へ載置される。前記ポッド3は前記ポッド収納部9で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置7により前記ポッド収納棚11からいずれか一方の前記ポッドオープナ15に搬送されて前記載置台16に移載されるか、若しくは前記基板授受装置4から直接前記載置台16に移載される。   When the pod 3 is supplied to the substrate transfer device 4, the pod loading / unloading port 5 is opened by the front shutter 6. The pod 3 on the substrate transfer device 4 is transported to the inside of the housing 2 by the pod transport device 7 through the pod loading / unloading port 5 and mounted on the designated pod storage shelf 11 in the pod storage unit 9. Placed. After the pod 3 is temporarily stored in the pod storage unit 9, the pod 3 is transferred from the pod storage shelf 11 to one of the pod openers 15 by the pod transfer device 7 and transferred to the mounting table 16. Alternatively, it is directly transferred from the substrate transfer device 4 to the mounting table 16.

該載置台16に載置された前記ポッド3は、蓋が前記蓋着脱機構17によって取外され、ウェーハ出入り口が開放される。   The lid of the pod 3 placed on the mounting table 16 is removed by the lid attaching / detaching mechanism 17 and the wafer entrance / exit is opened.

前記ポッド3が前記ポッドオープナ15によって開放されると、ウェーハ10は前記ポッド3から前記基板移載機構25によって取出され、ノッチ合せ装置(図示せず)に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ10を整合した後、前記基板移載機構25はウェーハ10を前記移載室13後方にある前記ボート26に装填(チャージング)する。   When the pod 3 is opened by the pod opener 15, the wafer 10 is taken out from the pod 3 by the substrate transfer mechanism 25 and transferred to a notch aligning device (not shown). After aligning 10, the substrate transfer mechanism 25 loads (charges) the wafer 10 into the boat 26 located behind the transfer chamber 13.

該ボート26にウェーハ10を受渡した前記基板移載機構25はポッド3に戻り、次のウェーハ10を前記ボート26に装填する。   The substrate transfer mechanism 25 that has transferred the wafer 10 to the boat 26 returns to the pod 3 to load the next wafer 10 into the boat 26.

一方(上段又は下段)のポッドオープナ15に於ける前記基板移載機構25によるウェーハ10の前記ボート26への装填作業中に、他方(下段又は上段)のポッドオープナ15には前記ポッド格納部9から別のポッド3が前記ポッド搬送装置7によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ15によるポッド3の開放作業が同時進行される。   During the loading operation of the wafer 10 to the boat 26 by the substrate transfer mechanism 25 in one (upper or lower) pod opener 15, the other (lower or upper) pod opener 15 has the pod storage portion 9. The other pod 3 is transferred and transferred by the pod transfer device 7, and the opening operation of the pod 3 by the other pod opener 15 is simultaneously performed.

予め指定された枚数のウェーハ10が前記ボート26に装填されると、前記炉口シャッタ22によって閉じられていた前記処理炉21の炉口部が、前記炉口シャッタ22によって開放される。続いて、前記ボート26は前記ボートエレベータ24によって上昇され前記処理炉21内(処理室)へ装入(ローディング)される。尚、装填されるウェーハ10には、モニタウェーハも含まれる。   When a predetermined number of wafers 10 are loaded into the boat 26, the furnace port portion of the processing furnace 21 closed by the furnace port shutter 22 is opened by the furnace port shutter 22. Subsequently, the boat 26 is lifted by the boat elevator 24 and loaded into the processing furnace 21 (processing chamber). The loaded wafer 10 includes a monitor wafer.

ローディング後は、前記シールキャップ23によって炉口部が気密に閉塞され、前記ボート26はウェーハ10を保持した状態で、処理室に気密に収納される。前記ウェーハ10が前記加熱制御部41に制御されて加熱され、又処理室に前記流量制御部39により流量制御された処理ガスが導入されつつ、前記圧力制御部38により所定圧力に維持される様に排気され、前記処理炉21にてウェーハ10に所要の処理が実行される。   After loading, the furnace port is hermetically closed by the seal cap 23, and the boat 26 is hermetically stored in the processing chamber while holding the wafer 10. The wafer 10 is heated by being controlled by the heating control unit 41, and a processing gas whose flow rate is controlled by the flow rate control unit 39 is introduced into the processing chamber while being maintained at a predetermined pressure by the pressure control unit 38. The processing furnace 21 performs a required process on the wafer 10.

処理後は、ノッチ合せ装置(図示せず)でのウェーハ10の整合工程を除き、上記とは逆の手順で、ウェーハ10及びポッド3が前記筐体2の外部へ払出される。   After the processing, the wafer 10 and the pod 3 are discharged to the outside of the housing 2 in the reverse procedure to the above except for the alignment process of the wafer 10 by a notch aligning device (not shown).

上記処理に於いて、例えば前記処理炉21内から前記ボート26を装脱(アンローディング)する工程で該ボート26に装填されたウェーハ10に割れ等が発生した場合、前記基板移載機構25は処理済のウェーハ10を前記ボート26から前記ポッド3に移載することができず、処理が中断される。   In the above process, for example, when a crack or the like occurs in the wafer 10 loaded in the boat 26 in the process of loading / unloading the boat 26 from the processing furnace 21, the substrate transfer mechanism 25 The processed wafer 10 cannot be transferred from the boat 26 to the pod 3, and the processing is interrupted.

処理が中断されると、前記移載室13内の前記ボート26からウェーハ10を回収する為、作業者により前記オペレーションBOX18内の前記ロック解除スイッチ33が押下される。   When the process is interrupted, the lock release switch 33 in the operation BOX 18 is pressed by an operator in order to recover the wafer 10 from the boat 26 in the transfer chamber 13.

該ロック解除スイッチ33が押下されると、前記ロック機構制御部42を介して前記制御演算部35にロック解除要求信号が送信され、該制御演算部35は受信したロック解除要求信号に従って前記記憶部37より判断プログラムを立上げる。   When the lock release switch 33 is pressed, an unlock request signal is transmitted to the control calculation unit 35 via the lock mechanism control unit 42, and the control calculation unit 35 transmits the storage unit according to the received lock release request signal. From 37, a judgment program is launched.

該判断プログラムは、前記移載室内温度モニタ用熱電対34からフィードバックされている前記移載室13内の温度と、予め設定されたロック解除条件温度、例えば30℃とを比較し、前記移載室13内の温度が30℃未満であれば、前記ロック機構制御部42に対してロック解除信号を送信し、該ロック機構制御部42は前記制御演算部35からのロック解除信号に従って前記ロック機構20を制御して前記ロックロッド32を後退させ、前記移載室扉19のロックを解除する。   The determination program compares the temperature in the transfer chamber 13 fed back from the transfer chamber temperature monitoring thermocouple 34 with a preset unlocking condition temperature, for example, 30 ° C., and transfers the transfer chamber. If the temperature in the chamber 13 is less than 30 ° C., a lock release signal is transmitted to the lock mechanism control unit 42, and the lock mechanism control unit 42 follows the lock release signal from the control calculation unit 35. 20 is controlled to retract the lock rod 32 to unlock the transfer chamber door 19.

又、前記移載室13内の温度が30℃以上であれば、前記制御演算部35から前記ロック機構制御部42に対してロック解除信号が送信されず、前記ロック機構20が施錠状態を保持したままとなり、前記移載室扉19が開放されることがない。   If the temperature in the transfer chamber 13 is 30 ° C. or higher, a lock release signal is not transmitted from the control calculation unit 35 to the lock mechanism control unit 42, and the lock mechanism 20 maintains the locked state. The transfer chamber door 19 is not opened.

尚、本実施例では、該移載室扉19のロック解除条件温度を30℃としたが、ロック解除条件温度は一般常識で室温とされる温度帯で任意の温度に設定可能である。   In this embodiment, the unlocking condition temperature of the transfer chamber door 19 is set to 30 ° C., but the unlocking condition temperature can be set to an arbitrary temperature in a temperature range that is room temperature in general sense.

又、本実施例では、前記移載室13内の温度は前記移載室内温度モニタ用熱電対34により常時前記ロック機構制御部42にフィードバックされているとしたが、前記ロック解除スイッチ33の押下に連動して前記移載室13内の温度を前記ロック機構制御部42にフィードバックし、フィードバックされた温度と予め設定されたロック解除条件温度を比較してもよい。   In this embodiment, the temperature in the transfer chamber 13 is constantly fed back to the lock mechanism control unit 42 by the thermocouple 34 for monitoring the transfer chamber temperature. In conjunction with this, the temperature in the transfer chamber 13 may be fed back to the lock mechanism control unit 42, and the fed back temperature may be compared with a preset unlocking condition temperature.

又、本実施例では、処理を中断した際のリカバリ時について説明したが、前記基板処理装置1のメンテナンス時にも適用可能であることは言う迄もない。   In the present embodiment, the recovery time when the processing is interrupted has been described. Needless to say, the present invention can also be applied to the maintenance of the substrate processing apparatus 1.

上述の様に、前記移載室内温度モニタ用熱電対34により前記移載室13内の温度を測定し、前記ロック解除スイッチ33が押下されてもロック解除条件温度を満たさなければ前記移載室扉19のロックが解除されない様にしたので、前記ロック機構20は、前記移載室13内が高温となる基板処理工程だけでなく、ボートアンロード時(基板保持具を炉内から取出す工程)でも前記移載室13内の温度が50℃程度になっているので、前記移載室扉19のロックを解除しない。又、リカバリ時或はメンテナンス時に於いて前記移載室13内の温度がロック解除条件温度以上である場合、前記ロック機構20は、前記移載室扉19を開放しない様にするので、常に安全な状態で前記移載室扉19の開閉を行うことができ、作業者の安全が確保される。   As described above, the temperature in the transfer chamber 13 is measured by the thermocouple 34 for monitoring the transfer chamber temperature, and if the unlocking condition temperature is not satisfied even when the lock release switch 33 is pressed, the transfer chamber is not transferred. Since the door 19 is not unlocked, the lock mechanism 20 is used not only in the substrate processing step in which the inside of the transfer chamber 13 becomes high temperature, but also when the boat is unloaded (step of taking out the substrate holder from the furnace) However, since the temperature in the transfer chamber 13 is about 50 ° C., the transfer chamber door 19 is not unlocked. Further, when the temperature in the transfer chamber 13 is equal to or higher than the unlocking condition temperature during recovery or maintenance, the lock mechanism 20 prevents the transfer chamber door 19 from being opened, so that it is always safe. In this state, the transfer chamber door 19 can be opened and closed, and worker safety is ensured.

尚、本発明の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなく、LCD装置の様なガラス基板を処理する装置にも適用可能であるのは言う迄もない。   Needless to say, the substrate processing apparatus of the present invention can be applied not only to a semiconductor manufacturing apparatus but also to an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD device.

(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(Appendix)
The present invention includes the following embodiments.

(付記1)基板の処理を行う処理炉に連設される移載室を備えた基板処理装置であって、前記移載室内の温度を測定する温度測定手段と、前記移載室の扉の施錠及び解錠を行うロック機構と、前記温度測定手段で測定された温度に基づいて前記ロック機構を制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。   (Supplementary note 1) A substrate processing apparatus including a transfer chamber connected to a processing furnace for processing a substrate, the temperature measuring means for measuring the temperature in the transfer chamber, and the door of the transfer chamber A substrate processing apparatus comprising: a lock mechanism that performs locking and unlocking; and a control unit that controls the lock mechanism based on a temperature measured by the temperature measurement unit.

(付記2)前記ロック機構は、ロック解除スイッチが押下されることで前記移載室の扉を解錠する付記1の基板処理装置。   (Supplementary note 2) The substrate processing apparatus according to supplementary note 1, wherein the lock mechanism unlocks the door of the transfer chamber when a lock release switch is pressed.

(付記3)移載室にて基板を基板保持具に装填する工程と、前記基板保持具を処理炉内に装入する工程と、該処理炉内にて基板を処理する工程と、基板処理後に前記基板保持具を前記処理炉内から搬出する工程とを具備し、前記基板保持具を炉内から搬出する工程では前記移載室を開放しない様制御することを特徴とする半導体素子の製造方法。   (Appendix 3) A step of loading a substrate into a substrate holder in a transfer chamber, a step of loading the substrate holder into a processing furnace, a step of processing a substrate in the processing furnace, and a substrate processing A step of unloading the substrate holder from the inside of the processing furnace, and controlling the opening of the transfer chamber not to open in the step of unloading the substrate holder from the furnace. Method.

1 基板処理装置
12 サブ筐体
13 移載室
18 オペレーションBOX
19 移載室扉
20 ロック機構
28 制御装置
33 ロック解除スイッチ
34 移載室内温度モニタ用熱電対
35 制御演算部
37 記憶部
42 ロック機構制御部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 12 Sub-casing 13 Transfer chamber 18 Operation BOX
DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Transfer chamber door 20 Lock mechanism 28 Control apparatus 33 Lock release switch 34 Transfer room temperature monitor thermocouple 35 Control calculation part 37 Storage part 42 Lock mechanism control part

Claims (1)

基板の処理を行う処理炉に連設される移載室を備えた基板処理装置であって、前記移載室内の温度を測定する温度測定手段と、前記移載室の扉の施錠及び解錠を行うロック機構と、前記温度測定手段で測定された温度に基づいて前記ロック機構を制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。   A substrate processing apparatus having a transfer chamber connected to a processing furnace for processing a substrate, the temperature measuring means for measuring the temperature in the transfer chamber, and the locking and unlocking of the door of the transfer chamber A substrate processing apparatus comprising: a lock mechanism that performs the above-described operation; and a control unit that controls the lock mechanism based on the temperature measured by the temperature measurement unit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015103621A (en) * 2013-11-22 2015-06-04 株式会社ディスコ Total closing prevention mechanism of opening and closing door
WO2024100701A1 (en) * 2022-11-07 2024-05-16 株式会社日立ハイテク Wafer transfer device

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015103621A (en) * 2013-11-22 2015-06-04 株式会社ディスコ Total closing prevention mechanism of opening and closing door
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