JP2011184430A - Boron-containing compound and method for producing the same - Google Patents

Boron-containing compound and method for producing the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new boron-containing compound which is useful as a light emitting material etc., for organic EL elements or N-type semiconductors, a boron-containing polymer obtained using the compound, and a method for the producing the boron-containing compound, which enables low-cost production of the boron-containing compound and the boron-containing polymer. <P>SOLUTION: There is provided a light emitting material containing the boron-containing compound of formula (1), which has a boron atom and a double bond (in the formula, dotted arcs show that ring structures are formed together with part of a skeleton moiety connecting a boron atom and a nitrogen atom. The dotted line portion in the skeleton moiety connecting the boron atom and the nitrogen atom shows that at least a pair of atoms is bonded by a double bond, and the double bond may conjugate with the ring structure. The arrow from the nitrogen atom to the boron atom shows that the nitrogen atom coordinates to the boron atom. X<SP>1</SP>, X<SP>2</SP>, R<SP>1</SP>and R<SP>2</SP>each represents a hydrogen atom or a monovalent substitutent). <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ホウ素含有化合物及びその製造方法に関する。より詳しくは、有機EL素子等の発光デバイスや有機半導体の材料等の機能性電子素子素材として好適に用いることができるホウ素含有化合物及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a boron-containing compound and a method for producing the same. More specifically, the present invention relates to a boron-containing compound that can be suitably used as a functional electronic element material such as a light emitting device such as an organic EL element or a material of an organic semiconductor, and a method for producing the same.

ホウ素原子を構造中に有する有機ホウ素化合物は、ホウ素原子の分子軌道における電子状態に起因する電子的特性から機能性電子素子素材として注目されているものである。例えば、電子受容性などの特性が必要とされる有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子の材料やN型半導体の材料として期待されている。特に有機EL素子は、ディスプレイとしての種々の優れた特性を有することから、より一層の高性能化を実現できる材料の開発が盛んに進められている。また、ホール層、電子輸送層に無機材料を用いたHOILED(ハイブリッド有機−無機発光ダイオード)素子の実用化開発が進められており、それに適した材料の開発が待たれるところでもあった。HOILED素子は、ハイブリッド化することによって、有機EL素子に比べて酸素や水に対する耐性が高いという有利性を有する。これにより、素子内部の各層を厳重に密閉する必要性を軽減させて製造時の手間を少なくし、生産コストを低くすることができる他、ディスプレイとしての種々の優れた特性を有するものである。 An organoboron compound having a boron atom in its structure is attracting attention as a functional electronic device material because of electronic characteristics resulting from an electronic state in the molecular orbital of the boron atom. For example, it is expected as a material for an organic EL (electroluminescence) element and a material for an N-type semiconductor that require characteristics such as electron acceptability. In particular, since organic EL elements have various excellent characteristics as displays, development of materials capable of realizing further higher performance has been actively promoted. In addition, development of practical use of a HOILED (hybrid organic-inorganic light-emitting diode) element using an inorganic material for the hole layer and the electron transport layer has been underway, and development of a suitable material has been awaited. The HOILED element has an advantage that it has higher resistance to oxygen and water than the organic EL element by being hybridized. Thus, the necessity of strictly sealing each layer inside the element can be reduced, so that labor during manufacturing can be reduced, production cost can be reduced, and various excellent characteristics as a display can be obtained.

有機EL素子の用途に利用が検討された有機ホウ素化合物としては、これまで数例が知られているが、それらのほとんどは3つのアリール基がホウ素原子上に結合したものに限られていた。有機ホウ素化合物は、その電子的な特性に起因して安定な構造とすることが困難であり、そのために電子素材用途に実際に用いることができるものが限られているというのが現状である。このような有機ホウ素化合物を次世代の機能性電子素子素材として活用するためには、ホウ素原子に起因する優れた特有の性質を発揮させつつ、安定的に取り扱える新規な化合物を種々開発することが望まれるところであった。 Several examples of organoboron compounds that have been studied for use in organic EL devices have been known so far, but most of them have been limited to those in which three aryl groups are bonded on a boron atom. It is difficult for organoboron compounds to have a stable structure due to their electronic characteristics, and therefore there are currently only a limited number of organic boron compounds that can be used for electronic materials. In order to utilize such organoboron compounds as materials for next-generation functional electronic devices, various new compounds that can be handled stably are developed while exhibiting excellent unique properties derived from boron atoms. It was what I wanted.

従来の有機ホウ素含有化合物としては、ホウ素にビニル基が結合した構造を有する有機ホウ素化合物を有機EL素子用材料として用いることが開示されている(例えば、特許文献1参照。)。また、特定の構造を有する有機ホウ素π電子系化合物を電子輸送材料として用いることが開示され(例えば、特許文献2参照。)、有機ホウ素含有化合物であるジメシチルボリル置換チエニルトリアゾール等について、有機ホウ素π電子系化合物のLUMOのエネルギー準位が低いことが実際に示されている(例えば、非特許文献1参照。)。 As a conventional organic boron-containing compound, it is disclosed that an organic boron compound having a structure in which a vinyl group is bonded to boron is used as a material for an organic EL element (for example, see Patent Document 1). In addition, it is disclosed that an organic boron π-electron compound having a specific structure is used as an electron transport material (see, for example, Patent Document 2), and for organic compounds containing dimesitylboryl-substituted thienyltriazole, etc. It has actually been shown that the LUMO energy level of the compound is low (see Non-Patent Document 1, for example).

更には、有機EL素子用材料としての利用が検討されている有機ホウ素含有化合物としては、上述した構造のものの他に、分子内に配位結合を有するホウ素化合物が開発されており、例えば、不対電子を持ちホウ素と配位結合可能な元素を含み、特定の構造を有する有機ホウ素含有化合物である有機EL素子用材料が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。また、分子内においてホウ素原子に窒素原子が配位した構造を有する特定の構造の有機ホウ素含有化合物を含有する有機電界発光素子が開示されている(例えば、特許文献4参照。)。その他、分子内にホウ素原子を3〜15個有する特定の構造の有機ホウ素含有化合物である有機EL素子用材料(例えば、特許文献5参照。)や、特定の構造を有する有機ホウ素含有化合物である有機EL素子用材料(例えば、特許文献6参照。)が開示されている。 Furthermore, as an organic boron-containing compound that has been studied for use as a material for an organic EL device, a boron compound having a coordination bond in the molecule has been developed in addition to the above-described structure. An organic EL element material that is an organic boron-containing compound having a specific structure and containing an element having a counter electron and capable of coordinating with boron has been disclosed (for example, see Patent Document 3). In addition, an organic electroluminescent element containing an organic boron-containing compound having a specific structure having a structure in which a nitrogen atom is coordinated to a boron atom in the molecule is disclosed (for example, see Patent Document 4). In addition, it is an organic EL element material (for example, refer to Patent Document 5), which is an organic boron-containing compound having a specific structure having 3 to 15 boron atoms in the molecule, or an organic boron-containing compound having a specific structure. An organic EL element material (for example, see Patent Document 6) is disclosed.

ところで、HOILED素子については、これまで材料化学の分野において様々な誘導体が知られているフルオレン、ポリフルオレン誘導体が検討されている。例えば、発光層としてフルオレン誘導体を用いたHOILED素子や(例えば、非特許文献2参照。)、陽極および陰極と、陽極と陰極とに挟まれた1層または複数層の有機化合物層と、陽極と有機化合物層との間及び陰極と有機化合物層との間に、少なくとも1種類以上の金属酸化物薄膜を有し、その有機化合物層がポリフルオレン誘導体により構成される有機薄膜発光素子が開示されている(例えば、特許文献7参照。)。 By the way, as for the HOILED element, fluorene and polyfluorene derivatives in which various derivatives are known in the field of material chemistry have been studied. For example, a HOILED element using a fluorene derivative as a light emitting layer (see, for example, Non-Patent Document 2), an anode and a cathode, one or more organic compound layers sandwiched between the anode and the cathode, an anode, Disclosed is an organic thin film light emitting device having at least one metal oxide thin film between an organic compound layer and between a cathode and an organic compound layer, and the organic compound layer is composed of a polyfluorene derivative. (For example, refer to Patent Document 7).

特開2009−155325号公報(第1−2、218−220頁)JP 2009-155325 A (1-2, 218-220) 国際公開第2006/070817号公報(第1−2頁)International Publication No. 2006/070817 (Page 1-2) 国際公開第2005/062676号公報(第1−5頁)International Publication No. 2005/062676 (Page 1-5) 特開2007−35791号公報(第1−2頁)JP 2007-35791 A (page 1-2) 特開2000−290645号公報(第1−2頁)JP 2000-290645 A (page 1-2) 国際公開第2005/062675号公報(第36−37頁)International Publication No. 2005/062675 (pages 36-37) 特開2007−53286号公報(第1−2、13−14頁)JP 2007-53286 A (1-2, 13-14)

アツシ・ワカミヤ(Atsushi Wakamiya)、外2名、「アンゲヴァンテ ケミー インターナショナル エディション(Angewandte Chemie International Edition)」、2006年、第45巻、p.3170−3173Atsushi Wakamiya, two others, “Angewandte Chemie International Edition”, 2006, 45, p. 3170-3173 カツユキ・モリイ(Katsuyuki Morii)、外6名、「アプライド フィジックス レターズ(Applied Physics Letters)」、2006年、第89巻、p.183510−1〜183510−3Katsyuuki Morii, 6 others, “Applied Physics Letters”, 2006, Vol. 89, p. 183510-1 to 183510-3

有機ホウ素化合物は、ホウ素原子がその分子軌道に空軌道を有し、それによって最高被占軌道(HOMO)や最低空軌道(LUMO)のエネルギー準位が低いという、ホウ素原子の電子状態に由来する特性を有する。特にLUMOのエネルギー準位が低いことに起因して、上記のように有機EL素子の材料やN型半導体の材料としての用途が期待されている。例えば、低分子有機EL素子の一般的な構成、すなわち、透明電極から形成される陽極、ホール(正孔)輸送層、発光層、電子輸送層、Mg、Al、Ca等から形成される陰極といった構成において、電子輸送層や発光層にLUMOのエネルギー準位が低い材料を使用すれば、機能性電子素子としての性能が向上することになる。また、高分子有機ELの一般的な構成、すなわち、透明電極から形成される陽極、ホール(正孔)輸送層、発光兼電子輸送層、Ca、Ba等から形成される陰極といった構成において、発光兼電子輸送層にLUMOのエネルギー準位が低い材料を使用すれば、同様に機能性電子素子としての性能が向上することになる。HOILED素子については、従来検討されてきたフルオレン、ポリフルオレン誘導体のLUMOが高く、実際にはHOILED素子には不向きであり安定した発光を得ることは出来ていない。これらに代わる材料として、LUMOが低く、更には、発光材料として優れた材料の開発が期待されるところである。
一方で、有機ホウ素化合物における課題は、ホウ素原子が空軌道を有することに伴って、安定な化合物が少ないということである。安定な化合物でありながら、HOMO、LUMOのエネルギー準位を下げることができれば、機能性電子素子素材としての用途に有用である。そのような化合物のバリエーションを増やすことは、有機EL素子やN型半導体、HOILED素子等の分野で当該化合物自体を素子材料として用いる場合や当該化合物から調製した重合体を用いる場合において大きな技術的意義がある。
Organoboron compounds originate from the electronic state of the boron atom, where the boron atom has a vacant orbital in its molecular orbital, thereby lowering the energy levels of the highest occupied orbital (HOMO) and lowest vacant orbital (LUMO). Has characteristics. In particular, due to the low energy level of LUMO, applications as organic EL element materials and N-type semiconductor materials are expected as described above. For example, a general configuration of a low molecular organic EL element, that is, an anode formed from a transparent electrode, a hole (hole) transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, a cathode formed from Mg, Al, Ca, etc. In the structure, if a material having a low LUMO energy level is used for the electron transport layer and the light emitting layer, the performance as a functional electronic element is improved. In addition, light emission in the general configuration of the polymer organic EL, that is, the anode formed from the transparent electrode, the hole (hole) transport layer, the light emitting / electron transport layer, the cathode formed from Ca, Ba, etc. If a material having a low LUMO energy level is used for the cum-electron transport layer, the performance as a functional electronic device is improved. Regarding the HOILED element, the LUMO of fluorene and polyfluorene derivatives that have been studied in the past is high, and is actually unsuitable for the HOILED element, and stable light emission cannot be obtained. As an alternative material, LUMO has a low LUMO, and further development of an excellent material as a light emitting material is expected.
On the other hand, the problem with organic boron compounds is that there are few stable compounds as the boron atoms have vacant orbitals. If the energy level of HOMO and LUMO can be lowered while being a stable compound, it is useful for use as a functional electronic device material. Increasing the variation of such compounds has great technical significance when the compound itself is used as an element material in the field of organic EL elements, N-type semiconductors, HOILED elements, or when a polymer prepared from the compound is used. There is.

一般的に、有機ホウ素化合物において安定な構造とするためには、いわゆる嵩高いバルキーな基をホウ素原子に結合させた構造とすればよい。従来技術において、有機ホウ素化合物に、3つのアリール基がホウ素原子に結合した構造が多いのは、前駆体であるフルオロジメシチルボラン、5−ブロモジベンゾボロールのようなハロホウ素化合物自体が、安定性を得るためにホウ素上の置換基を嵩高い構造にしているためである。また、特許文献1には、ビニル基を置換基として有する有機ホウ素含有化合物が合成されているが、このようなホウ素含有化合物の製造方法では、高価なパラジウム触媒を使用する必要がある。これらの有機ホウ素化合物においては、製造できる化合物や該化合物を原料とする重合体の構造が限られることになる。特許文献3、4においてはいずれも、ホウ素原子と配位結合可能な元素が、ホウ素原子に分子内で配位し、特定の構造を有する有機ホウ素含有化合物が合成されているが、それらに記載のホウ素含有化合物の製造方法では、ごく限られた構造の化合物が製造できるに止まり、該化合物を原料として重合体を製造することが困難であったり、製造出来たとしても重合体の構造制御が困難であったりするものである。また、特許文献5に記載のホウ素含有化合物は、15量体までのものであり、それ以上の多量体について開示されていない。更に特許文献6についても、記載されたホウ素含有化合物の製造方法で製造することができるのは、限られた構造の化合物となる。
今後の有機EL素子やN型半導体、HOILED素子等の開発の中で、様々な特性が要求され、また、このような化合物から様々な重合体を調製することが求められることになる。ここで、上述した特許文献2〜6においては、それらに記載の有機ホウ素含有化合物を電子輸送材料や、正孔阻止材料、発光層中のホスト化合物として用いることが開示されているが、例えば、LUMOが低く、更には、発光収率の高い化合物を合成することが出来れば、有機EL素子やHOILED素子等の発光材料として好適に用いることが可能となる。
そしてこのような要求に応えることができる材料設計のためには、新規な有機ホウ素化合物を種々調製し、また、様々な構造の有機ホウ素化合物誘導体を安価で容易に得ることができることが好ましい。例えば、ホウ素原子における置換基等の種類を選択的にかつ自由度を高くして変えることができれば、新規な有機EL素子、新規な有機半導体の開発において極めて有益である。
また、HOILED素子材料として検討されてきたフルオレン、ポリフルオレンに代わるLUMOの低い疑似フルオレン化合物群の合成ができれば、HOILED素子の実用化検討が大いに進む可能性がある。
In general, in order to obtain a stable structure in an organic boron compound, a structure in which a so-called bulky bulky group is bonded to a boron atom may be used. In the prior art, organic boron compounds have many structures in which three aryl groups are bonded to a boron atom because haloboron compounds such as precursors such as fluorodimesitylborane and 5-bromodibenzoborol are stable. This is because the substituent on the boron has a bulky structure in order to obtain the properties. Moreover, although the organic boron containing compound which has a vinyl group as a substituent is synthesize | combined in patent document 1, it is necessary to use an expensive palladium catalyst in the manufacturing method of such a boron containing compound. In these organoboron compounds, the structure of the compound which can be manufactured and the polymer which uses this compound as a raw material will be restricted. In each of Patent Documents 3 and 4, an element capable of coordinating and bonding with a boron atom is coordinated to the boron atom in the molecule, and an organic boron-containing compound having a specific structure is synthesized. In this method for producing a boron-containing compound, it is only possible to produce a compound having a very limited structure, and it is difficult to produce a polymer using the compound as a raw material. It may be difficult. Moreover, the boron containing compound of patent document 5 is a thing to a 15-mer, and it is not disclosed about the multimer beyond it. Further, also in Patent Document 6, what can be produced by the described method for producing a boron-containing compound is a compound having a limited structure.
In the future development of organic EL elements, N-type semiconductors, HOILED elements, etc., various characteristics are required, and it is required to prepare various polymers from such compounds. Here, in Patent Documents 2 to 6 described above, it is disclosed that the organic boron-containing compounds described therein are used as an electron transport material, a hole blocking material, and a host compound in a light emitting layer. If a compound having a low LUMO and a high light emission yield can be synthesized, it can be suitably used as a light emitting material such as an organic EL device or a HOILED device.
In order to design a material that can meet such requirements, it is preferable that various novel organoboron compounds can be prepared and organoboron compound derivatives having various structures can be easily obtained at low cost. For example, if the type of a substituent in a boron atom can be changed selectively and with a high degree of freedom, it is extremely beneficial in the development of a new organic EL element and a new organic semiconductor.
Further, if a pseudo-fluorene compound group having a low LUMO can be synthesized in place of fluorene and polyfluorene which have been studied as materials for HOILED elements, the practical application of HOILED elements may greatly advance.

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、有機EL素子やN型半導体の発光材料等として有用で新規なホウ素含有化合物及び該化合物を用いて得られるホウ素含有重合体、並びに、ホウ素含有化合物やホウ素含有重合体を安価に製造することを可能とするホウ素含有化合物の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above situation, and is useful as an organic EL element, a light emitting material for an N-type semiconductor, and the like, a novel boron-containing compound, a boron-containing polymer obtained using the compound, and boron It aims at providing the manufacturing method of the boron containing compound which makes it possible to manufacture a containing compound and a boron containing polymer cheaply.

本発明者等は、新規なホウ素含有化合物、及び、種々のホウ素含有化合物の新たな製造方法について種々検討したところ、ホウ素含有化合物を安定的な化合物とするためには、ホウ素原子に対して窒素原子が配位した構造を有するようにすればよいことに着目した。そして、ホウ素原子に臭素原子又はヨウ素原子が結合し、ホウ素原子と窒素原子とを有する骨格中に二重結合を有し、その骨格が少なくとも2つの環構造の一部分を形成する特定構造のホウ素含有化合物が安定な化合物でありながら、HOMO、LUMOのエネルギー準位を下げることができる有用な化合物であることを見出し、上記課題を見事に解決することができることに想到した。また、構造中に窒素原子と2つの環構造とを有し、更に少なくとも1つの二重結合を有する特定の構造の化合物と、特定の構造の臭素化又はヨウ素化ホウ素含有化合物とを反応させることにより、高価なパラジウム触媒を使用することなく、ホウ素原子に臭素原子又はヨウ素原子が置換基として結合し、窒素原子がホウ素原子に配位した構造を有する種々のホウ素含有化合物を製造できることを見出した。更に、このようなホウ素含有化合物のホウ素原子に結合した臭素原子又はヨウ素原子を他の原子や原子団に変換することができ、それによって従来法では製造困難であった様々な構造のホウ素含有化合物を製造することができること、及び、このようにして得られるホウ素含有化合物を用いることで、種々の構造をもつホウ素含有重合体を製造することができることを見出し、本発明に到達したものである。
また、HOILED素子等の分野においては、これまで検討されてきたフルオレン、ポリフルオレンに代わって、LUMOを下げる手段として分子内にホウ素原子を導入することが考えられるが、本発明者等は、実際にホウ素原子を導入することによりフルオレンなどと等電子構造でLUMOの低い疑似フルオレン化合物群を合成できることも見出した。そして、それらの化合物の発光量子収率の値が機能性電子素子素材としての適性に関係することを見出し、その範囲を特定することによって、安定した発光特性を得ることができるようになり、有機EL素子等の発光層を構成する発光材料として、特にHOILED素子の発光層を構成する発光材料として特に好適に用いることのできるホウ素含有化合物となることに想到した。
このように、本発明の好ましい形態の1つは、特定の構造を有するホウ素含有化合物のうち、発光量子収率が特定の範囲である化合物であり、また、本発明の好ましい形態の1つは、特定の構造を有するホウ素含有化合物のうち、特定の官能基(置換基)として直鎖状若しくは分岐状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を有する化合物である。なお、これら2つの好ましい形態の両方の構成要素を持つ形態であることも好ましい。
The present inventors have made various studies on new boron-containing compounds and new methods for producing various boron-containing compounds. In order to make the boron-containing compounds stable, nitrogen is added to the boron atom. It was noticed that the atoms should have a coordinated structure. Further, a boron-containing specific structure in which a bromine atom or an iodine atom is bonded to a boron atom, a double bond is formed in a skeleton having a boron atom and a nitrogen atom, and the skeleton forms a part of at least two ring structures Although the compound is a stable compound, it has been found that the compound is a useful compound that can lower the energy levels of HOMO and LUMO, and the inventors have conceived that the above problems can be solved brilliantly. Also, a compound having a specific structure having a nitrogen atom and two ring structures in the structure and further having at least one double bond is reacted with a brominated or iodinated boron-containing compound having a specific structure. Thus, it was found that various boron-containing compounds having a structure in which a bromine atom or an iodine atom is bonded to a boron atom as a substituent and a nitrogen atom is coordinated to the boron atom can be produced without using an expensive palladium catalyst. . Furthermore, the bromine atom or iodine atom bonded to the boron atom of such a boron-containing compound can be converted into another atom or atomic group, and thereby boron-containing compounds having various structures that have been difficult to produce by conventional methods. It has been found that a boron-containing polymer having various structures can be produced by using a boron-containing compound obtained in this manner and that the boron-containing compound thus obtained has been achieved.
In addition, in the field of HOILED elements and the like, it is conceivable to introduce boron atoms into the molecule as means for lowering LUMO instead of fluorene and polyfluorene that have been studied so far. It was also found that by introducing a boron atom into the group, a pseudofluorene compound group having an isoelectronic structure such as fluorene or the like and having a low LUMO can be synthesized. Then, it was found that the value of the emission quantum yield of these compounds is related to the suitability as a functional electronic device material, and by specifying the range, stable emission characteristics can be obtained, and organic It has been conceived that it becomes a boron-containing compound that can be particularly suitably used as a light-emitting material constituting a light-emitting layer of an HOILED element as a light-emitting material constituting a light-emitting layer of an EL element or the like.
Thus, one of the preferable forms of the present invention is a compound in which the emission quantum yield is in a specific range among the boron-containing compounds having a specific structure, and one of the preferable forms of the present invention is Among the boron-containing compounds having a specific structure, a compound having a linear or branched hydrocarbon group or an alicyclic hydrocarbon group as a specific functional group (substituent). In addition, it is also preferable that it is a form which has the component of both of these two preferable forms.

すなわち本発明は、ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物を含む発光材料であって、上記ホウ素含有化合物は、下記式(1); That is, this invention is a luminescent material containing the boron-containing compound which has a boron atom and a double bond, Comprising: The said boron-containing compound is following formula (1);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表されることを特徴とする発光材料である。
以下に本発明を詳述する。
(In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.
The present invention is described in detail below.

本発明の発光材料は、下記式(1); The luminescent material of the present invention has the following formula (1):

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表される構造を有するホウ素含有化合物を含む。
なお、本発明の発光材料は、有機EL素子等の発光層を構成する発光材料等として好適に用いることができるものであり、発光体のホスト材料として用いられるものではなく、それ自体が発光体として用いられるものである。
(In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, and includes a boron-containing compound having a structure represented by:
The light emitting material of the present invention can be suitably used as a light emitting material constituting a light emitting layer of an organic EL element or the like, and is not used as a host material of a light emitter, and itself is a light emitter. It is used as

上記式(1)において、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。すなわち、上記式(1)で表されるホウ素含有化合物が構造中に少なくとも2つ環構造を有し、上記式(1)において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分が、該環構造の一部として含まれていることを表している。
上記式(1)において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよいことを表す。式(1)で表される化合物のうち、二重結合が環構造と共役するものとしては、例えば、下記式(2−1)〜(2−4)のような構造のものが挙げられる。
In the above formula (1), the dotted circular arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton portion that connects the boron atom and the nitrogen atom. That is, the boron-containing compound represented by the above formula (1) has at least two ring structures in the structure, and in the above formula (1), the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom is It is included as a part.
In the above formula (1), a dotted line part in a skeleton part connecting a boron atom and a nitrogen atom represents that at least one pair of atoms is connected by a double bond, and the double bond is conjugated with a ring structure. Represents a good thing. Among the compounds represented by the formula (1), examples in which the double bond is conjugated to the ring structure include structures having the following formulas (2-1) to (2-4).

Figure 2011184430
Figure 2011184430

上記式(1)において、窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。ここで、配位しているとは、窒素原子がホウ素原子に対して配位子と同様に作用して化学的に影響していることを意味し、配位結合(共有結合)となっていてもよく、配位結合を形成していなくてもよい。好ましくは、配位結合となっていることである。
上記式(1)において、X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。すなわち、X及びXが水素原子である場合には、式(1)で表されるホウ素含有化合物の構造中、X及びXを有する2つの環構造は置換基を有していないことを示し、X及び/又はXが1価の置換基である場合には、該2つの環構造のいずれか、又は、いずれも置換基を有することとなる。その場合には、1つの環構造の有する置換基の数は1つであってもよいし、2つ以上であってもよい。
なお、本明細書中において置換基とは、炭素を含む有機基と、ハロゲン原子、ヒドロキシ基等の炭素を含まない基とを含めた基を意味している。
In the above formula (1), the arrow from the nitrogen atom to the boron atom represents that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. Here, coordinating means that the nitrogen atom acts on the boron atom in the same manner as the ligand and has a chemical effect, and is a coordinate bond (covalent bond). Or a coordinate bond may not be formed. Preferably, it is a coordinate bond.
In the above formula (1), X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. You may do it. That is, when X 1 and X 2 are hydrogen atoms, in the structure of the boron-containing compound represented by the formula (1), two ring structures having X 1 and X 2 do not have a substituent. In the case where X 1 and / or X 2 is a monovalent substituent, either one of the two ring structures or both have a substituent. In that case, the number of substituents in one ring structure may be one, or two or more.
In the present specification, the substituent means a group including an organic group containing carbon and a group not containing carbon such as a halogen atom and a hydroxy group.

本発明におけるホウ素含有化合物は、LUMOのエネルギー準位が低いために、有機EL素子の材料やN型半導体の材料として好適に用いることができるものであるが、そのような用途として用いられるホウ素含有化合物のLUMOのエネルギー準位としては、例えば、3.0eV〜5.2eVであることが好ましい。そのような範囲であると、有機EL素子やN型半導体の材料として用いた場合に、充分に性能を発揮することができる。LUMOのエネルギー準位としてより好ましくは、3.2eV〜5.1eVであり、更に好ましくは、3.4eV〜5.0eVである。特に好ましくは、3.6eV〜5.0eVである。
なお、LUMOのエネルギー準位は、例えば、後述する本願明細書の実施例及び比較例において行っているようにして求めることが好適である。
Since the boron-containing compound in the present invention has a low LUMO energy level, it can be suitably used as a material for an organic EL device or a material for an N-type semiconductor. The LUMO energy level of the compound is preferably, for example, 3.0 eV to 5.2 eV. In such a range, when used as a material for an organic EL element or an N-type semiconductor, performance can be sufficiently exhibited. The energy level of LUMO is more preferably 3.2 eV to 5.1 eV, and still more preferably 3.4 eV to 5.0 eV. Particularly preferably, it is 3.6 eV to 5.0 eV.
Note that the LUMO energy level is preferably obtained, for example, as in the examples and comparative examples described later in this specification.

上記式(1)において、R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。該R及びRは、同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好適である。該R及びRとしては、特に制限されないが、例えば、水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、シリル基、ヒドロキシ基、ボリルオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子、RとRとが結合してなる2,2’−ビフェニル基、置換基を有していてもよいオリゴアリール基、1価のオリゴ複素環基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アゾ基、スタニル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基;メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基等のアルキルスルホネート基;ベンゼンスルホネート基、p−トルエンスルホネート基等のアリールスルホネート基;ベンジルスルホネート基等のアリールアルキルスルホネート基;下記式(3−1)〜(3−4)で表される基等のボリル基;下記式(3−5)〜(3−6)で表される基等のスルホニウムメチル基;下記式(3−7)で表される基等のホスホニウムメチル基;下記式(3−8)で表される基等のホスホネートメチル基;アリールスルホネート基;アルデヒド基;アセトニトリル基;下記式(3−9)で表されるハロゲン化マグネシウム等が挙げられる。
なお、式中、Meは、メチル基を表す。Etは、エチル基を表す。Xは、ハロゲン原子を表す。R´は、アルキル基、アリール基、又は、アリールアルキル基を表す。
In the above formula (1), R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 1 and R 2 may be the same or different, but are preferably the same. The R 1 and R 2 are not particularly limited, and for example, a hydrogen atom, an aryl group which may have a substituent, a heterocyclic group, an alkyl group, an alkoxy group, an arylalkoxy group, a silyl group, a hydroxy group , A boryloxy group, an amino group, a halogen atom, a 2,2′-biphenyl group formed by bonding R 1 and R 2 , an optionally substituted oligoaryl group, a monovalent oligoheterocyclic group, Alkylthio group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, azo group, stannyl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkylsulfonyloxy group; methanesulfonate group, ethanesulfonate group, trifluoromethane Alkyl sulfonate groups such as sulfonate groups; benzene sulfonate groups aryl sulfonate groups such as p-toluene sulfonate group; aryl alkyl sulfonate groups such as benzyl sulfonate group; boryl groups such as groups represented by the following formulas (3-1) to (3-4); ) To (3-6) a sulfonium methyl group such as a group; a phosphonium methyl group such as a group represented by the following formula (3-7); a group represented by the following formula (3-8) Examples thereof include phosphonate methyl group; aryl sulfonate group; aldehyde group; acetonitrile group; magnesium halide represented by the following formula (3-9).
In the formula, Me represents a methyl group. Et represents an ethyl group. X represents a halogen atom. R ′ represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

上記アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、テトラヒドロナフチル基、インデニル基、インダニル基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基が好ましい。
上記複素環基としては、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、ピペリジニル基、ピペリジノ基、フリル基、チエニル基等が挙げられる。これらの中でも、ピリジル基、チエニル基が好ましい。
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、これらの中でも臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。
Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tetrahydronaphthyl group, an indenyl group, and an indanyl group. Among these, a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group are preferable.
Examples of the heterocyclic group include pyrrolyl, pyridyl, quinolyl, piperidinyl, piperidino, furyl, and thienyl groups. Among these, a pyridyl group and a thienyl group are preferable.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned, Among these, a bromine atom and an iodine atom are preferable.

上記アルキル基としては、炭素数1〜30の直鎖状又は分岐状炭化水素基、炭素数3〜30の脂環式炭化水素基が挙げられる。すなわち、式(1)で表されるホウ素含有化合物を含む発光材料において、式(1)におけるR及びRが、同一若しくは異なって、炭素数1〜30の直鎖状若しくは分岐状炭化水素基、又は、炭素数3〜30の脂環式炭化水素基であることもまた、本発明の好適な実施形態の1つである。
上記炭素数1〜30の直鎖状炭化水素基としては具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基等が挙げられる。
上記炭素数1〜30の分岐状炭化水素基としては具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基等が挙げられる。
上記炭素数3〜30の脂環式炭化水素基としては具体的には、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル基等が挙げられる。
上記アルキル基としては、これらの中でもメチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、オクチル基が好ましい。より好ましくは、メチル基、エチル基、イソブチル基、オクチル基である。
As said alkyl group, a C1-C30 linear or branched hydrocarbon group and a C3-C30 alicyclic hydrocarbon group are mentioned. That is, in the luminescent material containing the boron-containing compound represented by the formula (1), R 1 and R 2 in the formula (1) are the same or different, and are linear or branched hydrocarbons having 1 to 30 carbon atoms. A group or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms is also one preferred embodiment of the present invention.
Specific examples of the linear hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, and a nonyl group. .
Specific examples of the branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and isopentyl group.
Specific examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms include cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and cycloheptyl groups.
Among these, the alkyl group is preferably a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, an isobutyl group, or an octyl group. More preferably, they are a methyl group, an ethyl group, an isobutyl group, and an octyl group.

上記R及びRにおける置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子;塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等の炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数5〜7の環状アルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数1〜8の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基;ヒドロキシ基;チオール基;ニトロ基;シアノ基;アミノ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数1〜4のアルキル基を有するモノ又はジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基などのアミノ基;アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基;ビニル基、1−プロペニル基、アリル基、ブテニル基、スチリル基等の炭素数2〜8のアルケニル基;エチニル基、1−プロピニル基、プロパルギル基、フェニルアセチニル等の炭素数2〜8のアルキニル基;ビニルオキシ基、アリルオキシ基等のアルケニルオキシ基;エチニルオキシ基、フェニルアセチルオキシ基等のアルキニルオキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基、ピレニルオキシ基等のアリールオキシ基;トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基等のパーフルオロ基及び更に長鎖のパーフルオロ基;ジフェニルボリル基、ジメシチルボリル基、ビス(パーフルオロフェニル)ボリル基等のボリル基;アセチル基、ベンゾイル基等のカルボニル基;アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等のカルボニルオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基等のスルフィニル基;トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチル−tert−ブチルシリル基、トリメトキシシリル基、トリフェニルシリル基等のシリル基;ハロゲン原子やアルキル基、アルコキシ基等で置換されていてもよいフェニル基、2,6−キシリル基、メシチル基、デュリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フルオロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、フェナンスレニル基等のアリール基;チエニル基、フリル基、シラシクロペンタジエニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピロリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピリミジル基、イミダゾリル基等のヘテロ環基;;カルボキシル基;カルボン酸エステル;エポキシ基;イソシアノ基;シアネート基;イソシアネート基;チオシアネート基;イソチオシアネート基;カルバモイル基;N,N−ジメチルカルバモイル基、N,N−ジエチルカルバモイル基等のN,N−ジアルキルカルバモイル基;ホルミル基;ニトロソ基;ホルミルオキシ基;等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子や芳香族等で置換されていてもよく、更に、これらの基がお互いに任意の場所で結合して環を形成していてもよい。
これらの中でも、上記R及びRにおける1価の置換基の有する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基、炭素数1〜8の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基、アリール基、ハロアルキル基が好ましい。より好ましくは、エチル基、イソプロピル基、オクチル基、フッ素原子、臭素原子、ビニル基、エチニル基、ジフェニルアミノ基、ジフェニルアミノフェニル基、トリフルオロメチル基である。
Examples of the substituent in R 1 and R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a halogen atom of an iodine atom; a methyl chloride group, a methyl bromide group, a methyl iodide group, a fluoromethyl group, a difluoromethyl group, Haloalkyl group such as fluoromethyl group; straight chain or branched chain having 1 to 4 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group Alkyl group; cyclic alkyl group having 5 to 7 carbon atoms such as cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group; methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy Straight chain having 1 to 8 carbon atoms such as a group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, etc. Branched or branched alkoxy group; hydroxy group; thiol group; nitro group; cyano group; amino group; mono- or dialkyl having an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as methylamino group, ethylamino group, dimethylamino group, and diethylamino group Amino group; amino group such as diphenylamino group and carbazolyl group; acyl group such as acetyl group, propionyl group and butyryl group; 2 to 8 carbon atoms such as vinyl group, 1-propenyl group, allyl group, butenyl group and styryl group An alkynyl group having 2 to 8 carbon atoms such as ethynyl group, 1-propynyl group, propargyl group, phenylacetylinyl; alkenyloxy group such as vinyloxy group, allyloxy group; ethynyloxy group, phenylacetyloxy group, etc. Alkynyloxy group; phenoxy group, naphthoxy group, biphenyloxy group, Aryloxy groups such as pyrenyloxy group; perfluoro groups such as trifluoromethyl group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group and the like, and long-chain perfluoro groups; diphenylboryl group, dimesitylboryl group, bis (perfluorophenyl) boryl Boryl groups such as carbonyl groups; carbonyl groups such as acetyl groups and benzoyl groups; carbonyloxy groups such as acetoxy groups and benzoyloxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups, ethoxycarbonyl groups and phenoxycarbonyl groups; methylsulfinyl groups and phenyl A sulfinyl group such as a sulfinyl group; a silyl group such as a trimethylsilyl group, a triisopropylsilyl group, a dimethyl-tert-butylsilyl group, a trimethoxysilyl group, or a triphenylsilyl group; a halogen atom or an alkyl group; Phenyl group, 2,6-xylyl group, mesityl group, duryl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthryl group, pyrenyl group, toluyl group, anisyl group, fluorophenyl, which may be substituted with a ruxoxy group, etc. Aryl group such as diphenylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, phenanthrenyl group; thienyl group, furyl group, silacyclopentadienyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, thiazolyl group, thiadiazolyl group, acridinyl group A heterocyclic group such as quinolyl group, quinoxaloyl group, phenanthrolyl group, benzothienyl group, benzothiazolyl group, indolyl group, carbazolyl group, pyridyl group, pyrrolyl group, benzoxazolyl group, pyrimidyl group, imidazolyl group; Carboxylic acid ester; Epoxy group; Isocyano group; Cyanate group; Isocyanate group; Thiocyanate group; Isothiocyanate group; Carbamoyl group; N, N- such as N, N-dimethylcarbamoyl group, N, N-diethylcarbamoyl group A dialkylcarbamoyl group; a formyl group; a nitroso group; a formyloxy group; Note that these groups may be substituted with a halogen atom, an aromatic group, or the like, and these groups may be bonded to each other at an arbitrary position to form a ring.
Among these, as a substituent which the monovalent substituent in R 1 and R 2 has, a halogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and a linear chain having 1 to 8 carbon atoms. Or a branched alkoxy group, an aryl group, or a haloalkyl group is preferred. More preferred are an ethyl group, an isopropyl group, an octyl group, a fluorine atom, a bromine atom, a vinyl group, an ethynyl group, a diphenylamino group, a diphenylaminophenyl group, and a trifluoromethyl group.

上記R及びRとしては、上述したものの中でも、水素原子、臭素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、n−オクチル基、フェニル基、4−メトキシフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、4−ブロモフェニル基、2,2’−ビフェニル基、スチリル基、ジフェニルアミノフェニル基がより好ましい。更に好ましくは、臭素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、n−オクチル基、フェニル基、4−メトキシフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、4−ブロモフェニル基、2,2’−ビフェニル基、スチリル基、ジフェニルアミノフェニル基であり、特に好ましくは、臭素原子、イソプロピル基、イソブチル基、n−オクチル基、フェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、4−ブロモフェニル基、2,2’−ビフェニル基、スチリル基、ジフェニルアミノフェニル基である。 Among the above-mentioned R 1 and R 2 , hydrogen atom, bromine atom, methyl group, ethyl group, isopropyl group, isobutyl group, n-octyl group, phenyl group, 4-methoxyphenyl group, 4-trifluoro A methylphenyl group, a pentafluorophenyl group, a 4-bromophenyl group, a 2,2′-biphenyl group, a styryl group, and a diphenylaminophenyl group are more preferable. More preferably, bromine atom, methyl group, ethyl group, isopropyl group, isobutyl group, n-octyl group, phenyl group, 4-methoxyphenyl group, 4-trifluoromethylphenyl group, pentafluorophenyl group, 4-bromophenyl. Group, 2,2′-biphenyl group, styryl group, diphenylaminophenyl group, particularly preferably bromine atom, isopropyl group, isobutyl group, n-octyl group, phenyl group, 4-trifluoromethylphenyl group, penta A fluorophenyl group, a 4-bromophenyl group, a 2,2′-biphenyl group, a styryl group, and a diphenylaminophenyl group;

上記式(1)において、X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表す。該1価の置換基としては特に制限されないが、上記R及びRと同様のものが挙げられる。 In the above formula (1), X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of a ring structure. Is not particularly restricted but includes monovalent substituent said are the same as those for the R 1 and R 2.

これらの中でも、X及びXとしては、水素原子;ハロゲン原子、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、アゾ基、アシル基、アリル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等の反応性基;炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基又は該反応性基で置換された炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基;炭素数1〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基又は該反応性基で置換された炭素数1〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基;アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基;オリゴアリール基又は該反応性基で置換されたオリゴアリール基;1価の複素環基又は該反応性基で置換された1価の複素環基;1価のオリゴ複素環基又は該反応性基で置換された1価のオリゴ複素環基;アルキルチオ基;アリールオキシ基;アリールチオ基;アリールアルキル基;アリールアルコキシ基;アリールアルキルチオ基;アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基;アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基が好ましい。より好ましくは、水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ボリル基、アルキニル基、アルケニル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、ジフェニルアミノ基等のアミノ基、下記式(3−10)で表される基等の1価の複素環基又は該反応性基で置換された1価の複素環基、該反応性基で置換された1価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。 Among these, as X 1 and X 2 , hydrogen atom; halogen atom, carboxyl group, hydroxyl group, thiol group, epoxy group, isocyanate group, amino group, azo group, acyl group, allyl group, nitro group, alkoxycarbonyl Group, formyl group, cyano group, silyl group, stannyl group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkylsulfonyloxy group and the like; linear or branched chain having 1 to 4 carbon atoms A linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms substituted with a linear alkyl group or the reactive group; a linear or branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms or substituted with the reactive group A linear or branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms; an aryl group or an aryl group substituted with the reactive group; an oligoary Group or oligoaryl group substituted with the reactive group; monovalent heterocyclic group or monovalent heterocyclic group substituted with the reactive group; monovalent oligo heterocyclic group or substituted with the reactive group An alkylthio group; an aryloxy group; an arylalkyl group; an arylalkoxy group; an alkenyl group substituted with an alkenyl group or the reactive group; an alkynyl group or the alkylthio group; Alkynyl groups substituted with reactive groups are preferred. More preferably, a hydrogen atom, a bromine atom, an iodine atom, a boryl group, an alkynyl group, an alkenyl group, a formyl group, a stannyl group, a phosphino group, an aryl group, an aryl group substituted with the reactive group, or the reactive group A substituted oligoaryl group, an amino group such as a diphenylamino group, a monovalent heterocyclic group such as a group represented by the following formula (3-10), or a monovalent heterocyclic group substituted with the reactive group , A monovalent oligo heterocyclic group substituted with the reactive group, an alkenyl group, an alkenyl group substituted with the reactive group, an alkynyl group, or an alkynyl group substituted with the reactive group.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

また、本発明においては、上記式(1)におけるX及びXが、上述したもののうち、反応性基を有する置換基であることもまた本発明の好適な実施形態の1つである。該X及びXが、上述したもののうち、反応性基を有する置換基である場合には、そのような置換基としては、ハロゲン原子、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、アゾ基、アシル基、アリル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等の反応性基;該反応性基で置換された炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基;該反応性基で置換された炭素数1〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基;該反応性基で置換されたアリール基;該反応性基で置換されたオリゴアリール基;該反応性基で置換された1価の複素環基;該反応性基で置換された1価のオリゴ複素環基;アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基;アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基が好ましい。より好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子、ボリル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、該反応性基で置換された1価の複素環基、該反応性基で置換された1価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。更に好ましくは、臭素原子、ボリル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、該反応性基で置換された1価の複素環基、該反応性基で置換された1価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。
上記X及びXが反応性基を有する置換基である場合には、X及びXの有する反応性基を異なるものとし、1種のホウ素含有化合物が単独で重縮合し得る反応性基の組み合わせとなるようにするか、式(1)で表されるホウ素含有化合物を2種以上含み、これらのホウ素含有化合物が共重合し得るような反応性基の組み合わせを有するものとなるようにするか、又は、式(1)で表されるホウ素含有化合物を1種又は2種以上と反応性基を少なくとも1つ有する他の化合物とが共重合し得るような反応性基の組み合わせを有するものとなるようにすることにより、重合体の原料として好適に用いることができる。
In the present invention, X 1 and X 2 in the formula (1) is, among those mentioned above, it is also one of the preferred embodiments of the present invention is a substituent having a reactive group. When X 1 and X 2 are substituents having a reactive group among those described above, examples of such substituents include halogen atoms, carboxyl groups, hydroxyl groups, thiol groups, epoxy groups, isocyanate groups. Group, amino group, azo group, acyl group, allyl group, nitro group, alkoxycarbonyl group, formyl group, cyano group, silyl group, stannyl group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkylsulfonyloxy A reactive group such as a group; a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms substituted with the reactive group; a linear or branched chain having 1 to 8 carbon atoms substituted with the reactive group A chain alkoxy group; an aryl group substituted with the reactive group; an oligoaryl group substituted with the reactive group; a monovalent heterocyclic ring substituted with the reactive group ; Monovalent oligo heterocyclic group substituted by a reactive group; an alkenyl group, or an alkenyl group substituted with the reactive group; an alkynyl group substituted with an alkynyl group or the reactive group is preferable. More preferably, a bromine atom, an iodine atom, a boryl group, a formyl group, a stannyl group, a phosphino group, an aryl group substituted with the reactive group, an oligoaryl group substituted with the reactive group, or the reactive group Substituted with a substituted monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group substituted with the reactive group, alkenyl group or alkenyl group substituted with the reactive group, alkynyl group or reactive group An alkynyl group. More preferably, a bromine atom, a boryl group, a formyl group, a stannyl group, a phosphino group, an aryl group substituted with the reactive group, an oligoaryl group substituted with the reactive group, or a substituted with the reactive group A monovalent heterocyclic group, a monovalent oligoheterocyclic group substituted with the reactive group, an alkenyl group, an alkenyl group substituted with the reactive group, an alkynyl group, or an alkynyl group substituted with the reactive group It is.
When X 1 and X 2 are substituents having a reactive group, the reactive groups of X 1 and X 2 are different, and one boron-containing compound can be polycondensed alone. Either a combination of groups, or two or more boron-containing compounds represented by the formula (1) are included, and the boron-containing compounds have a combination of reactive groups that can be copolymerized. Or a combination of reactive groups such that one or more boron-containing compounds represented by the formula (1) can be copolymerized with another compound having at least one reactive group By having it, it can be suitably used as a raw material for the polymer.

上記式(1)において、点線の円弧と、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部とによって形成される環構造は、環状構造であれば特に制限されないが、式(1)においてXが結合している環としては、例えば、ベンゼン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、イソキノリン環が挙げられ、これらはそれぞれ、下記式(4−1)〜(4−17)で表される。これらの中でも、ベンゼン環、ナフタレン環、ベンゾチオフェン環が好ましい。 In the above formula (1), the ring structure formed by the dotted arc and a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is not particularly limited as long as it is a cyclic structure. Examples of the ring to which 1 is bonded include benzene ring, thiophene ring, benzothiophene ring, thiazole ring, oxazole ring, naphthalene ring, anthracene ring, tetracene ring, pentacene ring, imidazole ring, pyrazole ring, pyridine ring, pyridazine A ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a quinoline ring, and an isoquinoline ring, and these are represented by the following formulas (4-1) to (4-17), respectively. Among these, a benzene ring, a naphthalene ring, and a benzothiophene ring are preferable.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

また、式(1)においてXが結合している環としては、例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリミジン環、インドール環、イソインドール環、キノリン環、イソキノリン環、フェナントリジン環、チアゾール環、オキサゾール環が挙げられる。これらはそれぞれ、下記式(5−1)〜(5−14)で表される。これらの中でも、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、フェナントリジン環が好ましい。より好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環である。 Examples of the ring to which X 2 is bonded in Formula (1) include a pyrrole ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, an indole ring, an isoindole ring, and a quinoline ring. , Isoquinoline ring, phenanthridine ring, thiazole ring and oxazole ring. These are respectively represented by the following formulas (5-1) to (5-14). Among these, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a quinoline ring, and a phenanthridine ring are preferable. More preferred are a pyridine ring, a pyrimidine ring, and a quinoline ring.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

本発明におけるホウ素含有化合物が上記式(1)において、X及び/又はXが1価の置換基である場合、環構造に対するX及び/又はXの結合位置や結合する数は、特に制限されない。
また、Xとして環構造に少なくとも2つの1価の置換基が結合しており、該1価の置換基のうちの1つが置換基を有していてもよいボリル基であり、該1価の置換基のうちの他の1つが置換基を有していてもよいピリジル基であって、該ピリジル基の窒素原子が該ボリル基のホウ素原子に配位している形態もまた本発明の好適な実施形態の1つである。すなわち、本発明においてホウ素含有化合物が、窒素原子がホウ素原子に配位している部分を構造中に2つ以上有していることもまた、本発明の好適な実施形態の1つである。
When the boron-containing compound in the present invention is the above formula (1) and X 1 and / or X 2 is a monovalent substituent, the bonding position of X 1 and / or X 2 with respect to the ring structure and the number of bonds are as follows: There is no particular limitation.
In addition, as X 1 , at least two monovalent substituents are bonded to the ring structure, and one of the monovalent substituents is an optionally substituted boryl group, and the monovalent The form in which the other one of the substituents is a pyridyl group which may have a substituent and the nitrogen atom of the pyridyl group is coordinated to the boron atom of the boryl group is also in the present invention. This is one of the preferred embodiments. That is, in the present invention, the boron-containing compound also has one or more portions having a nitrogen atom coordinated to the boron atom in the structure, which is one of the preferred embodiments of the present invention.

本発明におけるホウ素含有化合物は、上記式(1)で表される構造を有するものであって、発光量子収率が、20〜100%であることもまた本発明の好適な実施形態の1つである。ホウ素含有化合物の発光量子収率がそのような範囲のものであると、有機EL素子やHOILED素子等における発光層を構成する発光材料として用いた場合に、充分に安定した発光を得ることが可能となる。発光量子収率としてより好ましくは、30〜100%であり、更に好ましくは、40〜100%である。特に好ましくは、50〜100%であり、最も好ましくは60〜100%である。
なお、発光量子収率は、例えば、後述する本願明細書の実施例及び比較例において行っているようにして求めることが好適である。
One of the preferred embodiments of the present invention is that the boron-containing compound in the present invention has a structure represented by the above formula (1) and has an emission quantum yield of 20 to 100%. It is. When the emission quantum yield of the boron-containing compound is in such a range, it is possible to obtain sufficiently stable light emission when used as a light-emitting material constituting a light-emitting layer in an organic EL device, a HOILED device, or the like. It becomes. More preferably, it is 30 to 100% as an emission quantum yield, More preferably, it is 40 to 100%. Particularly preferably, it is 50 to 100%, and most preferably 60 to 100%.
In addition, it is suitable to obtain | require the light emission quantum yield as it is performed in the Example and comparative example of this-application specification mentioned later, for example.

上記式(1)で表される構造を有するホウ素含有化合物のうち、発光量子収率が、20%以上を満たすためには、分子間でのπ−πスタッキング相互作用を防ぐような構造が望ましい。つまり、ホウ素上を嵩高くすることで分子同士の重なり合いが軽減され、発光量子収率が20%以上の値が得られることになる。 Among the boron-containing compounds having the structure represented by the above formula (1), in order to satisfy the emission quantum yield of 20% or more, a structure that prevents π-π stacking interaction between molecules is desirable. . That is, by making the boron bulky, the overlap between molecules is reduced, and a light emission quantum yield of 20% or more can be obtained.

本発明においては、上記式(1)において、X及びXの少なくとも一方が、末端部に2つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該2つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有するような置換基であることもまた、本発明の好適な実施形態の1つである。すなわち、ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物であって、該ホウ素含有化合物は、下記式(1); In the present invention, in the above formula (1), at least one of X 1 and X 2 has a structure in which two atoms are connected to the terminal portion by a double bond, and one of the two atoms is It is also a preferred embodiment of the present invention that the substituent has a structure bonded to a ring structure that forms a dotted arc portion with atoms. That is, a boron-containing compound having a boron atom and a double bond, the boron-containing compound is represented by the following formula (1);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一又は異なって、環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表され、上記X及びXの少なくとも一方は、末端部に2つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該2つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有することを特徴とするホウ素含有化合物もまた本発明の1つである。 (In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 may be the same or different and each represents a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 may be bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.) At least one of the above X 1 and X 2 has a double bond at the end. One of the two atoms having a structure connected by Boron-containing compounds characterized by having a cyclic structure and bonded structure to form a circular arc portion of the dotted line also constitutes the present invention.

上記末端部に2つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該2つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造とは、すなわち、X及び/又はXを構成する原子団において、それぞれ構造の末端部は少なくとも2つ存在するが、該末端部のうち、上記式(1)において点線の円弧部分を形成する環構造と結合する末端部が、点線の円弧部分を形成する環構造と結合する原子と、該原子の隣の原子とが二重結合で結ばれた構造を有していることを意味している。そのような置換基としては、下記式(6−1)〜(6−2)で表されるような構造が挙げられる。
なお、式(6−1)〜(6−2)中、*は、式(1)において点線の円弧部分を形成する環構造と結合している原子を表している。Z、Z、Z及びZは、同一又は異なって、ZとZとの間、及び、ZとZとの間で、それぞれ二重結合を形成することが出来る原子を表している。式(6−1)中、Yは、水素原子又は1価の有機基を表し、Zの原子価に応じてZに複数個結合していてもよいことを表している。式(6−2)中、点線の円弧は、Z及びZにより形成される二重結合部分と共に環構造が形成されていることを表している。Yは、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、式(6−2)における点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよいことを表している。
A structure in which two atoms are bonded to the terminal portion by a double bond, and a structure in which one of the two atoms is bonded to a ring structure that forms a dotted arc portion is, that is, X In the atomic group constituting 1 and / or X 2 , there are at least two terminal portions of the structure, but of these terminal portions, they are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion in the above formula (1). It means that the terminal portion has a structure in which an atom bonded to a ring structure forming a dotted arc portion and an atom adjacent to the atom are connected by a double bond. Examples of such substituents include structures represented by the following formulas (6-1) to (6-2).
In the formulas (6-1) to (6-2), * represents an atom bonded to the ring structure forming the dotted arc portion in the formula (1). Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 are the same or different and are atoms capable of forming double bonds between Z 1 and Z 2 and between Z 3 and Z 4 , respectively. Represents. Wherein (6-1), Y 1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and represents that may be a plurality bonded to Z 2 depending on the valence of Z 2. In the formula (6-2), the dotted arc represents that a ring structure is formed together with the double bond portion formed by Z 3 and Z 4 . Y 2 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent that serves as a substituent of the ring structure, and may represent that a plurality of Y 2 may be bonded to the ring structure forming the dotted arc portion in the formula (6-2). ing.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

上記式(6−1)〜(6−2)において、Z、Z、Z及びZは、同一又は異なって、ZとZとの間、及び、ZとZとの間で、それぞれ二重結合を形成することが出来る原子を表しているが、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子であることが好ましい。より好ましくは、炭素原子、窒素原子である。 In the above formulas (6-1) to (6-2), Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 are the same or different, and are between Z 1 and Z 2 and between Z 3 and Z 4 . Are atoms capable of forming a double bond, preferably a carbon atom, a nitrogen atom, a phosphorus atom, or a sulfur atom. More preferably, they are a carbon atom and a nitrogen atom.

上記式(6−1)において、Yは、水素原子又は1価の有機基を表し、Zの原子価に応じてZに複数個結合していてもよいことを表しているが、これは、例えば、Zが窒素原子である場合には、YはZに1つ結合することとなり、Zが炭素原子である場合には、YはZに2つ結合することとなる、ということを示している。Yが、Zに複数個結合している場合には、Yは、全て同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。上記1価の有機基としては特に制限されず、上記式(1)における、R及びRと同様のものが挙げられる。 In the above formula (6-1), Y 1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, but indicates that it may also be a plurality bonded to Z 2 depending on the valence of Z 2, This, for example, when Z 2 is a nitrogen atom, Y 1 becomes to bind one to Z 2, when Z 2 is a carbon atom, Y 1 binds two to Z 2 It shows that it will be. When a plurality of Y 1 are bonded to Z 2 , all of Y 1 may be the same or different. The monovalent organic group is not particularly limited, and examples thereof include those similar to R 1 and R 2 in the above formula (1).

これらの中でも、Yとしては、水素原子;ハロゲン原子、カルボキシル基、ヒドロキシル基、チオール基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、アゾ基、アシル基、アリル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等の反応性基;炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基又は該反応性基で置換された炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状アルキル基;炭素数1〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基又は該反応性基で置換された炭素数1〜8の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基;アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基;オリゴアリール基又は該反応性基で置換されたオリゴアリール基;1価の複素環基又は該反応性基で置換された1価の複素環基;1価のオリゴ複素環基又は該反応性基で置換された1価のオリゴ複素環基;アルキルチオ基;アリールオキシ基;アリールチオ基;アリールアルキル基;アリールアルコキシ基;アリールアルキルチオ基;アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基;アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基が好ましい。より好ましくは、水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ボリル基、アルキニル基、アルケニル基、ホルミル基、スタニル基、ホスフィノ基、アリール基又は該反応性基で置換されたアリール基、該反応性基で置換されたオリゴアリール基、該反応性基で置換された1価の複素環基、該反応性基で置換された1価のオリゴ複素環基、アルケニル基又は該反応性基で置換されたアルケニル基、アルキニル基又は該反応性基で置換されたアルキニル基である。 Among these, as Y 1 , hydrogen atom; halogen atom, carboxyl group, hydroxyl group, thiol group, epoxy group, isocyanate group, amino group, azo group, acyl group, allyl group, nitro group, alkoxycarbonyl group, formyl Groups, cyano groups, silyl groups, stannyl groups, boryl groups, phosphino groups, silyloxy groups, arylsulfonyloxy groups, alkylsulfonyloxy groups, etc .; straight-chain or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms Or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms substituted with the reactive group; a linear or branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms or carbon substituted with the reactive group A linear or branched alkoxy group of 1 to 8; an aryl group or an aryl group substituted with the reactive group; an oligoaryl group or the Oligoaryl group substituted with a reactive group; monovalent heterocyclic group or monovalent heterocyclic group substituted with the reactive group; monovalent oligo heterocyclic group or 1 substituted with the reactive group Alkyl heterocyclic group; alkylthio group; aryloxy group; arylthio group; arylalkyl group; arylalkoxy group; arylalkylthio group; alkenyl group or alkenyl group substituted with the reactive group; alkynyl group or reactive group Alkynyl groups substituted with are preferred. More preferably, a hydrogen atom, a bromine atom, an iodine atom, a boryl group, an alkynyl group, an alkenyl group, a formyl group, a stannyl group, a phosphino group, an aryl group or an aryl group substituted with the reactive group, or the reactive group A substituted oligoaryl group, a monovalent heterocyclic group substituted with the reactive group, a monovalent oligoheterocyclic group substituted with the reactive group, an alkenyl group, or an alkenyl substituted with the reactive group An alkynyl group substituted by a group, an alkynyl group or the reactive group.

上記式(6−2)において、Yは、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、式(6−2)における点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよいことを表している。
すなわち、Yが水素原子である場合には、式(6−2)で表される構造中、Yを有する環構造は置換基を有していないことを示し、Yが1価の置換基である場合には、該環構造は置換基を有することとなる。その場合には、該環構造の有する置換基の数は1つであってもよいし、2つ以上であってもよい。
上記1価の置換基としては上記式(1)における、X及びXと同様のものが挙げられるが、これらの中でも、上記式(3−10)で表される基、ナフチル基、フェニル基であることが特に好ましい。
In Formula (6-2) above, Y 2 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent that serves as a substituent of the ring structure, and a plurality of Y 2 are present in the ring structure forming the dotted arc portion in Formula (6-2). It represents that they may be combined.
That is, when Y 2 is a hydrogen atom, the ring structure having Y 2 in the structure represented by formula (6-2) has no substituent, and Y 2 is a monovalent group. In the case of a substituent, the ring structure has a substituent. In that case, the number of substituents of the ring structure may be one, or two or more.
Examples of the monovalent substituent include those similar to X 1 and X 2 in the above formula (1). Among these, a group represented by the above formula (3-10), a naphthyl group, phenyl Particularly preferred is a group.

本発明においては更には、上記式(1)におけるX及びXのいずれもが、末端部に2つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該2つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有するような置換基であることもまた、本発明の好適な実施形態の1つである。すなわち、ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物であって、該ホウ素含有化合物は、下記式(1); In the present invention, furthermore, both X 1 and X 2 in the above formula (1) have a structure in which two atoms are connected to the terminal portion by a double bond, and one of the two atoms It is also a preferred embodiment of the present invention that the substituent has a structure bonded to a ring structure that forms a dotted arc portion with the atoms. That is, a boron-containing compound having a boron atom and a double bond, the boron-containing compound is represented by the following formula (1);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一又は異なって、環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表され、上記X及びXはいずれも、末端部に2つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該2つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有することを特徴とするホウ素含有化合物もまた本発明の1つである。そのようなホウ素含有化合物は、特に発光量子収率が高いものであるために、有機EL素子やN型半導体の材料等として特に有用なものである。 (In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 may be the same or different and each represents a monovalent substituent that is a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 may be bonded to the ring structure forming the dotted arc portion And R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, and each of the above X 1 and X 2 is a double bond at the end. Has a connected structure, one of the two atoms is dotted Boron-containing compounds characterized by having a structure bonded with the ring structure forming an arc portion also constitutes the present invention. Such boron-containing compounds are particularly useful as materials for organic EL devices, N-type semiconductors, and the like because they have particularly high emission quantum yields.

上記式(1)においてX及びXがいずれも、末端部に2つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該2つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有するホウ素含有化合物としては、大きくは、上記式(1)において点線の円弧部分を形成する環構造と結合している原子が構成している上記二重結合部分が、環構造を構成しない形態と、環構造の一部分を構成する形態とが挙げられ、具体的には、下記式(1´−1)〜(1´−4)の形態が挙げられる。
なお、式(1´−1)〜(1´−4)中、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分、窒素原子からホウ素原子への矢印、及び、R及びRは、式(1)と同様である。式(1´−1)中、点線の円弧は、式(1)と同様である。式(1´−2)〜(1´−4)中、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と接している点線の円弧は、式(1)と同様にホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表し、また、Z及びZが形成する二重結合部分並びに/又はZ及びZが形成する二重結合部分と接している点線の円弧は、該当する二重結合部分と共に環構造が形成されていることを表す。Z〜Zは、同一又は異なって、上記式(6−1)〜(6−2)における、Z〜Zと同様である。Y及びYは、同一又は異なって、上記式(6−1)における、Yと同様である。Y及びYは、同一又は異なって、上記式(6−2)における、Yと同様である。
In the above formula (1), each of X 1 and X 2 has a structure in which two atoms are connected to each other by a double bond, and a dotted arc portion is formed by one of the two atoms. As the boron-containing compound having a structure bonded to the ring structure to be formed, the double bond portion composed of atoms bonded to the ring structure forming the dotted arc portion in the above formula (1) is largely. However, the form which does not comprise a ring structure and the form which comprises a part of ring structure are mentioned, Specifically, the form of following formula (1'-1)-(1'-4) is mentioned.
In the formulas (1′-1) to (1′-4), the dotted line portion in the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom, the arrow from the nitrogen atom to the boron atom, and R 1 and R 2 are It is the same as the formula (1). In the formula (1′-1), the dotted arc is the same as the formula (1). In the formulas (1′-2) to (1′-4), the dotted circular arc in contact with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is the boron atom and the nitrogen atom as in the formula (1). A ring structure is formed together with a part of the skeletal part that connects the two, and a double bond part formed by Z 5 and Z 6 and / or a double bond part formed by Z 7 and Z 8 The dotted arc in contact indicates that a ring structure is formed with the corresponding double bond portion. Z 5 to Z 8 are the same or different and are the same as Z 1 to Z 4 in the above formulas (6-1) to (6-2). Y 3 and Y 4 are the same or different and are the same as Y 1 in the above formula (6-1). Y 5 and Y 6 are the same or different and are the same as Y 2 in the above formula (6-2).

Figure 2011184430
Figure 2011184430

これらの形態の中でも、上記式(1)において点線の円弧部分を形成する環構造と結合している原子が構成している二重結合部分が共に、環構造を構成しない形態のものであるか、又は、環構造の一部分を構成する形態のものであるか、のいずれかであるものが好ましい。すなわち、上記式(1´−1)、(1´−4)の形態であることが好ましい。
このような、上記式(1´−1)で表されるホウ素含有化合物、又は、上記式(1´−4)で表されるホウ素含有化合物もまた本発明の1つである。
Among these forms, in the above formula (1), is the double bond part formed by the atoms bonded to the ring structure forming the dotted arc part together not having a ring structure? Or a part constituting a part of the ring structure is preferred. That is, it is preferable that it is a form of said Formula (1'-1) and (1'-4).
Such a boron-containing compound represented by the above formula (1′-1) or a boron-containing compound represented by the above formula (1′-4) is also one aspect of the present invention.

上記式(1´−1)において、点線の円弧は、式(1)と同様に、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表すが、上記式(1´−1)において、点線の円弧と、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部とによって形成される環構造は、環状構造であれば特に制限されず、式(1´−1)においてYを有する基が結合している環としては、式(1)におけるXが結合している環と同様のものが挙げられる。また、式(1´−1)においてYを有する基が結合している環としては、式(1)におけるXが結合している環と同様のものが挙げられる。 In the above formula (1′-1), the dotted circular arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom, as in the formula (1). In the formula (1′-1), the ring structure formed by the dotted arc and a part of the skeleton portion connecting the boron atom and the nitrogen atom is not particularly limited as long as it is a cyclic structure. Examples of the ring to which the group having Y 3 is bonded in -1) include the same rings as those in which X 1 in Formula (1) is bonded. In addition, examples of the ring to which the group having Y 4 is bonded in Formula (1′-1) include the same rings as the ring to which X 2 in Formula (1) is bonded.

上記式(1´−2)〜(1´−4)において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と接している点線の円弧は、式(1)と同様にホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表し、また、Z及びZが形成する二重結合部分並びに/又はZ及びZが形成する二重結合部分と接している点線の円弧は、該当する二重結合部分と共に環構造が形成されていることを表す。すなわち、上記式(1´−2)〜(1´−3)で表されるホウ素含有化合物は、構造中に少なくとも3つ環構造を有し、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分、及び、1つの二重結合部分が、該環構造の一部として含まれていることを表している。また、上記式(1´−4)で表されるホウ素含有化合物は、構造中に少なくとも4つ環構造を有し、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分、及び、2つの二重結合部分が、該環構造の一部として含まれていることを表している。 In the above formulas (1′-2) to (1′-4), the dotted circular arc in contact with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is the boron atom and nitrogen as in the formula (1). It represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the atom, and a double bond part formed by Z 5 and Z 6 and / or a double bond part formed by Z 7 and Z 8 A dotted circular arc in contact with represents that a ring structure is formed together with the corresponding double bond portion. That is, the boron-containing compounds represented by the above formulas (1′-2) to (1′-3) have at least three ring structures in the structure, and a skeleton portion that connects a boron atom and a nitrogen atom, and One double bond moiety is included as part of the ring structure. In addition, the boron-containing compound represented by the above formula (1′-4) has at least four ring structures in the structure, and a skeleton portion that connects a boron atom and a nitrogen atom, and two double bond portions Is included as part of the ring structure.

上記式(1´−2)〜(1´−4)において、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と接している点線の円弧と、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部とによって形成される環構造は、環状構造であれば特に制限されないが、Z及びZが形成する二重結合部分を含む基が結合している環としては、式(1)におけるXが結合している環と同様のものが挙げられる。また、Z及びZが形成する二重結合部分を含む基が結合している環としては、式(1)におけるXが結合している環と同様のものが挙げられる。 In the above formulas (1′-2) to (1′-4), the dotted arc that is in contact with a part of the skeleton part that connects the boron atom and the nitrogen atom, and the skeleton part that connects the boron atom and the nitrogen atom The ring structure formed by a part is not particularly limited as long as it is a cyclic structure, but the ring to which a group containing a double bond portion formed by Z 5 and Z 6 is bonded is represented by the formula (1). Examples are the same as the ring to which X 1 is bonded. In addition, examples of the ring to which a group containing a double bond portion formed by Z 7 and Z 8 is bonded include the same ring as the ring to which X 2 in Formula (1) is bonded.

また、上記式(1´−2)〜(1´−4)において、Z及びZが形成する二重結合部分並びに/又はZ及びZが形成する二重結合部分と接している点線の円弧と、該当する二重結合部分とによって形成される環構造としては、例えば、式(1)におけるXが結合している環、及び、式(1)におけるXが結合している環と同様のものが挙げられる。なお、上記式(1´−4)においては、Z及びZが形成する二重結合部分並びにZ及びZが形成する二重結合部分と接している点線の円弧と、該二重結合部分とによって形成される環構造が少なくとも2つ存在するが、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。 Further, in the above formulas (1′-2) to (1′-4), they are in contact with the double bond portion formed by Z 5 and Z 6 and / or the double bond portion formed by Z 7 and Z 8 . Examples of the ring structure formed by the dotted arc and the corresponding double bond portion include, for example, a ring to which X 1 in Formula (1) is bonded and X 2 in Formula (1) is bonded. The thing similar to the ring which is included is mentioned. In the above formula (1′-4), the double bond portion formed by Z 5 and Z 6, the dotted circular arc in contact with the double bond portion formed by Z 7 and Z 8 , and the double Although there are at least two ring structures formed by the linking moiety, they may be the same or different.

本発明はまた、上記式(1)で表される構造を有するホウ素含有化合物を製造する方法であって、該製造方法は、下記式(I); The present invention is also a method for producing a boron-containing compound having a structure represented by the above formula (1), wherein the production method comprises the following formula (I);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧は、表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。)で表される化合物と、下記式(II); (In the formula, a dotted arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part that connects the hydrogen atom and nitrogen atom. The dotted line in the skeleton part that connects the hydrogen atom and nitrogen atom) The moiety represents that at least one pair of atoms is bonded by a double bond, and the double bond may be conjugated to a ring structure, and X 1 and X 2 may be the same or different and represent a hydrogen atom or a ring And a compound represented by the following formula (II): a monovalent substituent serving as a substituent of the structure may be bonded to a ring structure forming a dotted arc part).

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Qは、同一若しくは異なって、臭素原子又はヨウ素原子を表す。)で表される化合物とを反応させる工程を必須とするホウ素含有化合物の製造方法でもある。
本発明のホウ素含有化合物の製造方法によると、パラジウム触媒のような高価な触媒を用いることなく、比較的短い反応時間で新規なホウ素含有化合物を製造することができる。
(In formula, Q is the same or different and represents a bromine atom or an iodine atom.) It is also a manufacturing method of the boron containing compound which makes the process with the compound represented by these essential.
According to the method for producing a boron-containing compound of the present invention, a novel boron-containing compound can be produced in a relatively short reaction time without using an expensive catalyst such as a palladium catalyst.

上記製造方法は、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程を含むものである限り、その他の工程を含むものであってもよい。また、上記式(I)で表される化合物、上記式(II)で表される化合物とも、それぞれ1種の化合物を用いてもよく、2種以上の化合物を用いてもよい。
上記式(I)における点線の円弧は、化合物が構造中に少なくとも2つの環構造を有していることを意味する。上記式(I)におけるX、X及び環構造として好ましいものは、上記式(1)におけるX、X及び環構造と同様である。
The production method may include other steps as long as it includes a step of reacting the compound represented by the formula (I) with the compound represented by the formula (II). In addition, each of the compound represented by the above formula (I) and the compound represented by the above formula (II) may be a single compound or two or more compounds.
The dotted arc in the above formula (I) means that the compound has at least two ring structures in the structure. Preferred examples X 1, X 2 and ring structures in the above formula (I) are the same as X 1, X 2 and ring structures in the above formula (1).

上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる場合、式(I)で表される化合物1モルに対して、式(II)で表される化合物を1モル〜10モル用いることが好ましい。より好ましくは、1モル〜7モルであり、工業的な面から考えても、特に1モル〜3モルを用いることが好ましい。 When the compound represented by the above formula (I) is reacted with the compound represented by the above formula (II), it is represented by the formula (II) with respect to 1 mol of the compound represented by the formula (I). It is preferable to use 1 mol to 10 mol of the compound. More preferably, it is 1 mol-7 mol, and it is preferable to use 1 mol-3 mol especially also from an industrial surface.

上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程に用いる溶媒としては、当該反応が進行するものである限り特に制限されず、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、1−ブタノール、2−ブタノール、イソブチルアルコール、イソペンチルアルコール等のアルコール類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル等のエステル類;ジエチルエーテル、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルフェニルエーテル(アニソール)等のエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類;エチレングリコールモノメチルエーテル(メチルセロソルブ)、エチレングリコールモノエチルエーテル(セロソルブ)、エチレングリコールモノブチルエーテル(ブチルセロソルブ)、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(セロソルブアセテート)等のグリコールエーテル(セロソルブ)類;ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタン、1,1,1−トリクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、1,2−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類;シクロヘキサン等の脂環式炭化水素類;n−ヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、1,2−ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の1種又は2種以上を用いることができる。これらの中でも、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類が好ましい。溶媒は、1種又は2種以上を用いることができる。 The solvent used in the step of reacting the compound represented by the above formula (I) and the compound represented by the above formula (II) is not particularly limited as long as the reaction proceeds, and methanol, ethanol, Alcohols such as isopropyl alcohol, 1-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, isopentyl alcohol; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, isopropyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate; Ethers such as diethyl ether, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran and methylphenyl ether (anisole); Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl butyl ketone and methyl isobutyl ketone; Ethylene glycol monomethyl ether (methyl celloso) ), Glycol ethers (cellosolves) such as ethylene glycol monoethyl ether (cellosolve), ethylene glycol monobutyl ether (butyl cellosolve), ethylene glycol monoethyl ether acetate (cellosolve acetate); dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, 1, 2 -Halogenated aliphatic hydrocarbons such as dichloroethane, 1,1,1-trichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, 1,2-dichloroethylene, trichloroethylene, tetrachloroethylene; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane Aliphatic hydrocarbons such as n-hexane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and mesitylene; 1 halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene and 1,2-dichlorobenzene; Or it may be used two or more kinds. Among these, halogenated aliphatic hydrocarbons such as dichloromethane and 1,2-dichloroethane, and aromatic hydrocarbons such as benzene and toluene are preferable. 1 type (s) or 2 or more types can be used for a solvent.

上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程においては、反応促進剤を用いてもよい。反応促進剤としては、エチルジイソプロピルアミン(DIPEA)、ピリジン、トリエチルアミン、DBU等のアミン系化合物が挙げられる。これらの反応促進剤は1種を用いてもよく、2種以上を用いてもよい。 In the step of reacting the compound represented by the above formula (I) with the compound represented by the above formula (II), a reaction accelerator may be used. Examples of the reaction accelerator include amine compounds such as ethyldiisopropylamine (DIPEA), pyridine, triethylamine, and DBU. These reaction accelerators may be used alone or in combination of two or more.

上記反応促進剤を用いる場合、反応促進剤の使用量としては、上記式(I)で表される化合物1モルに対して、1モル〜10モルであることが好ましい。さらに好ましくは1モル〜5モルであり、特に好ましくは、1モル〜3モルである。 When using the said reaction accelerator, it is preferable that the usage-amount of a reaction accelerator is 1 mol-10 mol with respect to 1 mol of compounds represented by the said formula (I). More preferably, it is 1 mol-5 mol, Most preferably, it is 1 mol-3 mol.

上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程は、不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。不活性ガスとしては、特に制限されず、窒素、アルゴン、ヘリウム等のいずれを用いてもよいが、窒素、アルゴンが好ましい。不活性ガスは、1種又は2種以上を用いることができる。 The step of reacting the compound represented by the formula (I) with the compound represented by the formula (II) is preferably performed in an inert gas atmosphere. The inert gas is not particularly limited, and any of nitrogen, argon, helium and the like may be used, but nitrogen and argon are preferable. 1 type (s) or 2 or more types can be used for an inert gas.

上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程の反応温度は、−78℃〜100℃であることが好ましい。より好ましくは、−30℃〜80℃であり、特に好ましくは溶媒にもよるが、0℃〜50℃である。
反応圧力は、加圧、常圧、減圧のいずれであってもよいが、常圧であることが好ましい。
また、反応時間は、10分間から48時間であることが好ましい。より好ましくは、30分間〜24時間であり、特に好ましくは、工業的、実用的な側面からみても1時間から12時間である。
The reaction temperature in the step of reacting the compound represented by the formula (I) with the compound represented by the formula (II) is preferably −78 ° C. to 100 ° C. More preferably, it is −30 ° C. to 80 ° C., and particularly preferably 0 ° C. to 50 ° C., although it depends on the solvent.
The reaction pressure may be any of pressurization, normal pressure, and reduced pressure, but is preferably normal pressure.
The reaction time is preferably 10 minutes to 48 hours. More preferably, it is 30 minutes to 24 hours, and particularly preferably 1 hour to 12 hours from the viewpoint of industrial and practical use.

上述した本発明のホウ素含有化合物の製造方法で製造されたホウ素含有化合物は、更に、下記式(III); The boron-containing compound produced by the above-described method for producing a boron-containing compound of the present invention further comprises the following formula (III):

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。Mは、同一若しくは異なって、金属元素を表す。nは、金属元素の価数に対応するR及び/又はRの結合数を表す。)で表される金属元素含有化合物を反応させることで、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物のホウ素原子に結合した臭素原子又はヨウ素原子を他の置換基と入れ換えることが可能であり、これにより、ホウ素原子に結合する置換基を様々に変えたホウ素含有化合物を製造することができる。
なお、以下においては、この反応工程を脱ハロゲン化工程と記載する。
(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. M is the same or different and represents a metal element. N corresponds to the valence of the metal element. The compound represented by the above formula (I) and the compound represented by the above formula (II) by reacting the metal element-containing compound represented by R 1 and / or R 2 It is possible to replace the bromine atom or iodine atom bonded to the boron atom of the boron-containing compound obtained by the step of reacting with other substituents, thereby changing the substituent bonded to the boron atom in various ways. Boron-containing compounds can be produced.
Hereinafter, this reaction step is referred to as a dehalogenation step.

上記脱ハロゲン化工程は、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物と、上記式(III)で表される金属元素含有化合物とを反応させる工程を含むものである限り、その他の工程を含むものであってもよい。また、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物、上記式(III)で表される金属元素含有化合物とも、それぞれ1種の化合物を用いてもよく、2種以上の化合物を用いてもよい。 The dehalogenation step is represented by the boron-containing compound obtained by reacting the compound represented by the formula (I) with the compound represented by the formula (II), and the formula (III). As long as it includes a step of reacting the metal element-containing compound, other steps may be included. Further, a boron-containing compound obtained by reacting a compound represented by the above formula (I) with a compound represented by the above formula (II), and a metal element containing compound represented by the above formula (III) , One kind of compound may be used, or two or more kinds of compounds may be used.

上記脱ハロゲン化工程においては、式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物1モルに対して、上記式(III)で表される金属元素含有化合物を金属元素の価数にもよるが、0.33モル〜5モル使用することが好ましい。より好ましくは、0.67モル〜4モルであり、特に好ましくは、工業的、実用的な側面からみても1モル〜3モルである。 In the dehalogenation step, the above formula (III) is used with respect to 1 mol of the boron-containing compound obtained by reacting the compound represented by the formula (I) with the compound represented by the formula (II). ) Is preferably used in an amount of 0.33 mol to 5 mol, although it depends on the valence of the metal element. More preferably, it is 0.67 mol-4 mol, Most preferably, it is 1 mol-3 mol also from an industrial and practical side.

上記式(III)で表される金属元素含有化合物における金属元素Mとしては、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、リチウム、銅等が挙げられる。
及びRとしては、上記式(1)で表されるホウ素含有化合物のR及びRと同様のものを表している。
上記金属元素Mがマグネシウムである場合、マグネシウムに結合したR、Rの少なくとも1つは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のいずれかであることが好ましい。すなわち、上記式(III)で表される金属元素含有化合物は、MgCl、MgBr、又は、MgIを構造中に含むことが好ましい。
また、上記金属元素Mがマグネシウムである場合、上記脱ハロゲン化工程においては、ハロゲン化金属を反応の際に添加してもよい。ハロゲン化金属を脱ハロゲン化工程における反応の際に添加することによって、金属元素Mがマグネシウムである上記式(III)で表される金属元素含有化合物を用いる場合の、脱ハロゲン化工程における反応収率を向上させることができる。
Examples of the metal element M in the metal element-containing compound represented by the above formula (III) include aluminum, zinc, magnesium, lithium, copper and the like.
The R 1 and R 2, represent the same as R 1 and R 2 of the boron-containing compound represented by the above formula (1).
When the metal element M is magnesium, it is preferable that at least one of R 1 and R 2 bonded to magnesium is a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom. That is, the metal element-containing compound represented by the above formula (III) preferably contains MgCl, MgBr, or MgI in the structure.
When the metal element M is magnesium, a metal halide may be added during the reaction in the dehalogenation step. By adding a metal halide during the reaction in the dehalogenation step, the reaction yield in the dehalogenation step when the metal element-containing compound represented by the above formula (III) in which the metal element M is magnesium is used. The rate can be improved.

上記ハロゲン化金属におけるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、上記ハロゲン化金属における金属元素としては、亜鉛、アルミニウムが挙げられる。これらの中でも、上記ハロゲン化金属としては、塩化亜鉛、臭化亜鉛が好適である。 Examples of the halogen atom in the metal halide include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and examples of the metal element in the metal halide include zinc and aluminum. Among these, zinc chloride and zinc bromide are preferable as the metal halide.

上記式(III)で表される金属元素含有化合物としては、具体的には例えば、リチウムアルミニウムヒドリド、フェニルリチウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジイソプロピル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジ(4−メトキシフェニル)亜鉛、ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)亜鉛、ビス(ペンタフルオロフェニル)亜鉛、トリオクチルアルミニウム、フェニルマグネシウムブロミド、4−プロピルフェニルマグネシウムブロミド、ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロミド等が挙げられる。これらの中でも、トリオクチルアルミニウム、ジフェニル亜鉛、フェニルマグネシウムブロミドが好ましい。 Specific examples of the metal element-containing compound represented by the above formula (III) include lithium aluminum hydride, phenyl lithium, trimethyl aluminum, triethyl aluminum, triisobutyl aluminum, diisopropyl zinc, diphenyl zinc, di (4-methoxy). Phenyl) zinc, bis (4-trifluoromethylphenyl) zinc, bis (pentafluorophenyl) zinc, trioctyl aluminum, phenyl magnesium bromide, 4-propylphenyl magnesium bromide, pentafluorophenyl magnesium bromide and the like. Among these, trioctyl aluminum, diphenyl zinc, and phenyl magnesium bromide are preferable.

上記脱ハロゲン化工程に用いる溶媒としては、当該反応が進行するものである限り特に制限されないが、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程に用いる溶媒と同様のものを用いることができる。これらの中でも、トルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテルが好ましい。溶媒は、1種又は2種以上を用いることができる。 The solvent used in the dehalogenation step is not particularly limited as long as the reaction proceeds, but the compound represented by the formula (I) is reacted with the compound represented by the formula (II). A solvent similar to the solvent used in the step can be used. Among these, toluene, dichloromethane, and diethyl ether are preferable. 1 type (s) or 2 or more types can be used for a solvent.

上記脱ハロゲン化工程は、不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。不活性ガスとしては、特に制限されず、窒素、アルゴン、ヘリウム等のいずれを用いてもよいが、窒素、アルゴンが好ましい。不活性ガスは、1種又は2種以上を用いることができる。 The dehalogenation step is preferably performed in an inert gas atmosphere. The inert gas is not particularly limited, and any of nitrogen, argon, helium and the like may be used, but nitrogen and argon are preferable. 1 type (s) or 2 or more types can be used for an inert gas.

上記脱ハロゲン化工程の反応温度は、−78℃〜120℃であることが好ましい。より好ましくは、−30℃〜100℃であり、特に好ましくは溶媒にもよるが、0℃〜80℃である。反応圧力は、加圧、常圧、減圧のいずれであってもよいが、常圧であることが好ましい。また、反応時間は、1分間〜24時間であることが好ましい。より好ましくは、3分間〜18時間であり、特に好ましくは、工業的、実用的な側面からみても5分間〜12時間である。
なお、本発明の式(1)で表されるホウ素含有化合物の製造方法においては、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程を行った後に、上記脱ハロゲン化工程を行う際、一旦上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程により得られるホウ素含有化合物を精製した後に、上記式(III)で表される金属元素含有化合物を投入し、脱ハロゲン化工程を行ってもよく、精製を行わずに、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程が終了した後に、そこに上記式(III)で表される金属元素含有化合物を投入し、脱ハロゲン化工程を行ってもよい。このように、本発明の式(1)で表されるホウ素含有化合物の製造方法は、目的に応じて精製工程を行うか否かを選択することができる点においても、有用な方法であるということができる。
The reaction temperature in the dehalogenation step is preferably −78 ° C. to 120 ° C. More preferably, it is −30 ° C. to 100 ° C., and particularly preferably 0 ° C. to 80 ° C., although it depends on the solvent. The reaction pressure may be any of pressurization, normal pressure, and reduced pressure, but is preferably normal pressure. The reaction time is preferably 1 minute to 24 hours. More preferably, it is 3 minutes to 18 hours, and particularly preferably 5 minutes to 12 hours from the viewpoint of industrial and practical use.
In the method for producing a boron-containing compound represented by the formula (1) of the present invention, a step of reacting the compound represented by the above formula (I) with the compound represented by the above formula (II) is performed. Then, when performing the dehalogenation step, after purifying the boron-containing compound obtained by the step of reacting the compound represented by the formula (I) and the compound represented by the formula (II), The metal element-containing compound represented by the above formula (III) may be added and a dehalogenation step may be performed, and without purification, the compound represented by the above formula (I) and the above formula (II) After the step of reacting with the compound represented, the metal element-containing compound represented by the above formula (III) may be added to the dehalogenation step. Thus, the method for producing a boron-containing compound represented by the formula (1) of the present invention is also a useful method in that it can be selected whether or not a purification step is performed according to the purpose. be able to.

上述した脱ハロゲン化工程を経て製造されたホウ素含有化合物、又は、上記式(I)で表される化合物と上記(II)で表される化合物とを反応させる工程により得られたホウ素含有化合物が、式(1)におけるX及びXとして上述したハロゲン原子等の反応性基を有する置換基を有している場合には、適当な化合物とカップリング反応させることにより、更に、該環構造に結合する置換基を様々に変えたホウ素含有化合物を製造することができる。上記カップリング反応としては、通常用いられるカップリング反応であれば特に制限されず、例えば、Suzukiカップリング、Stilleカップリング、根岸カップリング等が挙げられる。また、上記カップリング反応の反応条件としては、後述するような各カップリング反応が通常行われる反応条件を適宜採用することができる。 A boron-containing compound produced through the above-described dehalogenation step, or a boron-containing compound obtained by reacting the compound represented by the above formula (I) with the compound represented by the above (II) In the case of having a substituent having a reactive group such as the halogen atom described above as X 1 and X 2 in the formula (1), the ring structure is further reacted by a coupling reaction with an appropriate compound. Boron-containing compounds with various substituents bonded to can be produced. The coupling reaction is not particularly limited as long as it is a commonly used coupling reaction, and examples thereof include Suzuki coupling, Stille coupling, and Negishi coupling. As the reaction conditions for the coupling reaction, reaction conditions under which each coupling reaction is usually performed as described later can be appropriately employed.

上記式(1)で表されるホウ素含有化合物は、式(1)におけるX、X、R及びRのうち少なくとも1つが、反応性基を有する置換基であることが好ましい。
上記式(1)で表されるホウ素含有化合物が、X、X、R及びRの中に少なくとも1組の重縮合し得る反応性基の組み合わせを有するか、又は、X、X、R及びRの中に少なくとも1つ単独で重合し得る反応性基を有するものであると、重合体の原料として好適に用いることができる。このような本発明におけるホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合して得られるホウ素含有重合体もまた、本発明の1つである。本発明のホウ素含有重合体には、後述する式(7)で表される繰り返し単位を有するものと、式(11)で表される繰り返し単位を有するものとがある。以下においては、式(7)で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体、及び、式(11)で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体を総称して本発明のホウ素含有重合体という。
In the boron-containing compound represented by the formula (1), at least one of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the formula (1) is preferably a substituent having a reactive group.
The boron-containing compound represented by the above formula (1) has a combination of at least one reactive group capable of polycondensation in X 1 , X 2 , R 1 and R 2 , or X 1 , X 2 , R 1 and R 2 having a reactive group that can be polymerized alone can be suitably used as a raw material for the polymer. The boron-containing polymer obtained by polymerizing the monomer component containing the boron-containing compound in the present invention is also one aspect of the present invention. The boron-containing polymer of the present invention includes those having a repeating unit represented by the formula (7) described later and those having a repeating unit represented by the formula (11). Hereinafter, the boron-containing polymer having a repeating unit represented by the formula (7) and the boron-containing polymer having a repeating unit represented by the formula (11) are collectively referred to as the boron-containing polymer of the present invention. That's it.

ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合して得られるホウ素含有重合体であって、該ホウ素含有化合物は、下記式(1); A boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound having a boron atom and a double bond, wherein the boron-containing compound has the following formula (1);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表され、上記ホウ素含有化合物は、式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも1つが、反応性基を有する置換基であることを特徴とするホウ素含有重合体もまた、本発明の1つである。 (In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, and the boron-containing compound is represented by the formulas X 1 , X 2 , A position in which at least one of R 1 and R 2 has a reactive group A boron-containing polymer characterized by being a substituent is also one aspect of the present invention.

上記ホウ素含有重合体は、式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも2つの基が重縮合するか、又は、少なくとも1つの基が重合して形成される繰り返し単位を有するものである。すなわち、下記式(7); The boron-containing polymer is a repeating unit formed by polycondensation of at least two groups of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in formula (1), or polymerization of at least one group. It is what has. That is, the following formula (7);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分、窒素原子からホウ素原子への矢印は、式(1)と同様である。X´、X´、R´及びR´は、それぞれ、式(1)のX、X、R及びRと同様の基、2価の基、3価の基、又は、直接結合を表す。)で表される繰り返し単位の構造を有するホウ素含有重合体である。上記式(7)は、X´、X´、R´及びR´のうち、いずれか1つ以上が、重合体の主鎖の一部として結合を形成することを意味する。上記式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも2つの基が重縮合してホウ素含有重合体が形成された場合、上記式(7)におけるX´、X´、R´及びR´のうち少なくとも2つが2価の基、又は、直接結合である。上記式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも1つの基が単独で重合してホウ素含有重合体が形成された場合、上記式(7)におけるX´、X´、R´及びR´のうち少なくとも1つが3価の基、又は、直接結合である。
上記式(7)で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体は、上記式(7)で表される構造の1種からなるものであってもよく、上記式(7)で表される2種以上の構造を含むものであってもよい。上記式(7)で表される2種以上の構造を含むものである場合、当該2種以上の構造は、ランダム重合体であっても、ブロック重合体でも、グラフト重合体等であってもよい。また、高分子主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある場合やデンドリマーでも良い。
(In the formula, a dotted arc, a dotted line part in a skeleton part connecting a boron atom and a nitrogen atom, and an arrow from the nitrogen atom to the boron atom are the same as in the formula (1). X 1 ′, X 2 ′, R 1 ′ and R 2 ′ each represent the same group as X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in formula (1), a divalent group, a trivalent group, or a direct bond. It is a boron containing polymer which has the structure of the repeating unit represented. The above formula (7) means that any one or more of X 1 ′, X 2 ′, R 1 ′ and R 2 ′ form a bond as part of the main chain of the polymer. When at least two groups of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the formula (1) are polycondensed to form a boron-containing polymer, X 1 ′ and X 2 in the formula (7) are formed. At least two of ', R 1 ' and R 2 'are a divalent group or a direct bond. When at least one group of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1) is polymerized alone to form a boron-containing polymer, X 1 ′, X in the above formula (7) At least one of 2 ′, R 1 ′ and R 2 ′ is a trivalent group or a direct bond.
The boron-containing polymer having a repeating unit represented by the above formula (7) may be composed of one type of the structure represented by the above formula (7), and is represented by the above formula (7). Two or more structures may be included. When two or more types of structures represented by the above formula (7) are included, the two or more types of structures may be random polymers, block polymers, graft polymers, or the like. Further, when the polymer main chain is branched and there are three or more terminal portions, a dendrimer may be used.

上記式(7)で表される繰り返し単位の構造を有するホウ素含有重合体の中でも、上記式(7)中のR´及びR´が、それぞれ式(1)中のR及びRと同様の基であることが好ましい。そして、上記式(7)中のR´及びR´が、炭素数1〜30の直鎖状又は分岐状炭化水素基、炭素数3〜30の脂環式炭化水素基であることが更に好ましい。
すなわち、式(1)で表されるホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合して得られるホウ素含有重合体であって、式(1)におけるR及びRが、同一若しくは異なって、炭素数1〜30の直鎖状若しくは分岐状炭化水素基、又は、炭素数3〜30の脂環式炭化水素基であることもまた、本発明の好適な実施形態の1つである。
Among the boron-containing polymer having a structural repeating unit represented by the above formula (7), the formula (7) R 1 'and R 2' in the, R 1 and R 2, respectively formula (1) Are preferably the same groups. Then, the equation (7) R 1 'and R 2' in it, linear or branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, it is an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms Further preferred.
That is, a boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound represented by the formula (1), wherein R 1 and R 2 in the formula (1) are the same or different, A linear or branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms is also one preferred embodiment of the present invention.

上記式(7)で表される繰り返し単位の構造の具体例のうち、重縮合によって得られる構造としては、例えば、以下の式(8−1)〜(8−6)のような構造がある。これらの中でも、(8−1)、(8−6)の構造であることが好ましい。より好ましくは、(8−1)の構造である。すなわち、式(1)で表される構造を有し、式(1)におけるX及びXが、反応性基を有する置換基であるホウ素含有化合物から得られるホウ素含有重合体もまた、本発明の1つである。 Of the specific examples of the structure of the repeating unit represented by the above formula (7), examples of the structure obtained by polycondensation include structures such as the following formulas (8-1) to (8-6). . Among these, the structures of (8-1) and (8-6) are preferable. More preferably, it is the structure of (8-1). That is, a boron-containing polymer obtained from a boron-containing compound having a structure represented by the formula (1), wherein X 1 and X 2 in the formula (1) are substituents having a reactive group, is also present. It is one of the inventions.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

上記重縮合し得る反応性基の組み合わせとしては、重合し得るものであれば特に制限されないが、例えば、カルボキシル基とヒドロキシ基、カルボキシル基とチオール基、カルボキシル基とアミノ基、カルボン酸エステルとアミノ基、カルボキシル基とエポキシ基、ヒドロキシ基とエポキシ基、チオール基とエポキシ基、アミノ基とエポキシ基、イソシアネート基とヒドロキシ基、イソシアネート基とチオール基、イソシアネート基とアミノ基、ヒドロキシ基とハロゲン原子、チオール基とハロゲン原子、ボリル基とハロゲン原子、スタニル基とハロゲン原子、アルデヒド基とホスホニウムメチル基、ビニル基とハロゲン原子、アルデヒド基とホスホネートメチル基、ハロアルキル基とハロアルキル基、スルホニウムメチル基とスルホニウムメチル基、アルデヒド基とアセトニトリル基、アルデヒド基とアルデヒド基、ハロゲン原子とボリル基、ハロゲン原子とハロゲン化マグネシウム、ハロゲン原子とハロゲン原子等が挙げられる。
これらの中でも、ハロゲン原子とボリル基との組み合わせ、ハロゲン原子とハロゲン原子との組み合わせが好ましい。
The combination of the reactive groups capable of polycondensation is not particularly limited as long as it can be polymerized. For example, carboxyl group and hydroxy group, carboxyl group and thiol group, carboxyl group and amino group, carboxylate ester and amino group. Group, carboxyl group and epoxy group, hydroxy group and epoxy group, thiol group and epoxy group, amino group and epoxy group, isocyanate group and hydroxy group, isocyanate group and thiol group, isocyanate group and amino group, hydroxy group and halogen atom, Thiol group and halogen atom, boryl group and halogen atom, stannyl group and halogen atom, aldehyde group and phosphonium methyl group, vinyl group and halogen atom, aldehyde group and phosphonate methyl group, haloalkyl group and haloalkyl group, sulfonium methyl group and sulfonium Butyl group, an aldehyde group and acetonitrile group, an aldehyde group and an aldehyde group, a halogen atom and a boryl group, a halogen atom and a magnesium halide, and a halogen atom and a halogen atom.
Among these, a combination of a halogen atom and a boryl group and a combination of a halogen atom and a halogen atom are preferable.

上記式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも2つの基が重縮合してホウ素含有重合体が形成される場合、上記式(7)におけるX´、X´、R´及びR´のうち少なくとも2つが2価の基、又は、直接結合を表すが、該2価の基は、反応性基を有する置換基間の重縮合反応により脱離しない残基を表すこととなる。上記重縮合し得る反応性基の組み合わせとなるような反応性基を有する置換基が重縮合反応した場合には、残基が重合体中に残る場合と、残らない場合とがあり、前者の場合には、X´、X´、R´及びR´のうち少なくとも1つは、反応性基を有する置換基間の重縮合反応により脱離しない残基を表し、後者の場合には、X´、X´、R´及びR´のうち少なくとも1つは、直接結合を表すこととなる。
また、上記式(7)で表される繰り返し単位が2つ以上続く場合には、2つの繰り返し単位の間に、例えば、−X´−X´−のように、X´、X´、R´及びR´のうちの2つが連続する結合が形成されることになるが、この場合、当該2つのうちいずれか一方は、直接結合である。
When at least two groups of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1) are polycondensed to form a boron-containing polymer, X 1 ′ and X 2 in the above formula (7) At least two of ', R 1 ' and R 2 'represent a divalent group or a direct bond, but the divalent group is not eliminated by a polycondensation reaction between substituents having a reactive group. It will represent a residue. When a substituent having a reactive group that forms a combination of reactive groups capable of polycondensation undergoes a polycondensation reaction, the residue may or may not remain in the polymer. In this case, at least one of X 1 ′, X 2 ′, R 1 ′, and R 2 ′ represents a residue that is not eliminated by a polycondensation reaction between substituents having a reactive group, in the latter case , At least one of X 1 ′, X 2 ′, R 1 ′, and R 2 ′ represents a direct bond.
Furthermore, when the repeating unit represented by formula (7) are two or more continues, between two repeating units, for example, -X 1 '-X 2'- as in, X 1', X Two of 2 ′, R 1 ′ and R 2 ′ form a continuous bond. In this case, one of the two is a direct bond.

上記重縮合し得る反応性基の組み合わせとなるような反応性基を有する置換基が重縮合反応して残基が重合体中に残る場合の具体的としては、カルボキシル基を有する置換基とヒドロキシ基を有する置換基との組み合わせが挙げられる。例えば、−CHCOOH基と−CHCHOH基とが重縮合反応した場合、重合体中に残る残基は−CH(CO)−O−CHCH−基となる。また、例えば、−COOH基と−OH基との反応のように、反応性基を有する置換基が反応性基のみから構成される場合、重合体中に残る残基は−(CO)−O−基となる。
また、上記重縮合し得る反応性基の組み合わせが重縮合反応して残基が重合体中に残らない場合の具体例としては、ボリル基とハロゲン原子、ハロゲン原子とハロゲン原子との組み合わせが挙げられる。
Specific examples of the case where a substituent having a reactive group that forms a combination of reactive groups capable of polycondensation causes a polycondensation reaction to leave a residue in the polymer include a substituent having a carboxyl group and a hydroxy group. The combination with the substituent which has group is mentioned. For example, when a —CH 2 COOH group and a —CH 2 CH 2 OH group undergo a polycondensation reaction, the residue remaining in the polymer becomes a —CH 2 (CO) —O—CH 2 CH 2 — group. Further, for example, when a substituent having a reactive group is composed only of a reactive group, such as a reaction between a —COOH group and an —OH group, the residue remaining in the polymer is — (CO) —O. -The basis.
Further, specific examples of the case where the combination of reactive groups capable of polycondensation causes a polycondensation reaction and no residue remains in the polymer include a combination of a boryl group and a halogen atom, or a combination of a halogen atom and a halogen atom. It is done.

上記式(7)で表される繰り返し単位の構造の具体例のうち、上記式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも1つの基が単独で重合して得られる構造として、例えば、Xが重合して得られる構造は、下記式(9)のような構造である。このように、式(1)中のXが、構造中に単独で重合し得る反応性基を有する置換基である場合、X´が3価の基又は直接結合である構造の繰り返し単位となる。同様に、式(1)中のX、X、R又はRのいずれかが、構造中に単独で重合し得る反応性基を有する置換基である場合、それぞれ、X´、X´、R´、R´が3価の基又は直接結合である構造の繰り返し単位となる。 Among specific examples of the structure of the repeating unit represented by the above formula (7), it is obtained by polymerizing at least one group of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1) alone. As a structure, for example, a structure obtained by polymerizing X 2 is a structure represented by the following formula (9). Thus, when X 2 in formula (1) is a substituent having a reactive group that can be polymerized alone in the structure, X 2 ′ is a trivalent group or a repeating unit having a structure in which it is a direct bond. It becomes. Similarly, when any of X 1 , X 2 , R 1 or R 2 in formula (1) is a substituent having a reactive group capable of being polymerized alone in the structure, X 1 ′, X 2 ′, R 1 ′, and R 2 ′ are a repeating unit having a structure in which a trivalent group or a direct bond is formed.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

上記単独で重合し得る反応性基としては、3,5−ジブロモフェニル基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。上記式(1)のホウ素含有化合物がこれらの基のいずれかを少なくとも1つ有することで、上記式(1)のホウ素含有化合物は単独で重合することができる。これらの中でも、アルケニル基、エポキシ基、3,5−ジブロモフェニル基が好ましい。 Examples of the reactive group that can be polymerized alone include 3,5-dibromophenyl group, alkenyl group, alkynyl group, epoxy group, and halogen atom. When the boron-containing compound of the above formula (1) has at least one of these groups, the boron-containing compound of the above formula (1) can be polymerized alone. Among these, an alkenyl group, an epoxy group, and a 3,5-dibromophenyl group are preferable.

上記式(1)中のX、X、R及びRの中で、重縮合する基は、上記重縮合し得る反応性基を構造中に有する置換基であればよい。同様に、単独重合する基は、上記単独で重合し得る反応性基を構造中に有する置換基であればよい。このような置換基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状アルキル基、炭素数3〜7の環状アルキル基、炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状アルコキシ基、アリール基や複素環基等のいずれかの基の水素原子が上記重縮合し得る反応性基や単独で重合し得る反応性基で置換された基が挙げられる。これらの中でも、スチリル基、3,5−ジブロモフェニル基が好ましい。 Of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1), the polycondensable group may be a substituent having a reactive group capable of polycondensation in its structure. Similarly, the group that is homopolymerized may be any substituent that has a reactive group that can be polymerized alone in the structure. Examples of such a substituent include a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, and an aryl group. And a group in which a hydrogen atom of any group such as a heterocyclic group is substituted with a reactive group capable of polycondensation or a reactive group capable of being polymerized alone. Among these, a styryl group and a 3,5-dibromophenyl group are preferable.

本発明のホウ素含有重合体は、上記式(1)で表されるホウ素含有化合物を含む単量体成分から得られるものである限り、単量体成分にその他の単量体が含まれていてもよい。
すなわち、式(1)で表されるホウ素含有化合物と、下記式(10);
As long as the boron-containing polymer of the present invention is obtained from the monomer component containing the boron-containing compound represented by the above formula (1), the monomer component contains other monomers. Also good.
That is, the boron-containing compound represented by the formula (1) and the following formula (10);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Aは、2価の基を表す。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表し、X及びXの少なくとも1つの基は、反応性基を有する置換基である。)で表されるその他の単量体とを重合して形成されるホウ素含有重合体もまた、本発明のホウ素含有重合体に含まれる。 (In the formula, A represents a divalent group. X 3 and X 4 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, and at least one group of X 3 and X 4 represents a reaction) The boron-containing polymer formed by polymerizing with other monomers represented by the above-mentioned substituents having a functional group is also included in the boron-containing polymer of the present invention.

上記式(10)におけるAは、2価の基であれば、特に制限されないが、その構造を相当する化合物名として挙げると例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ルブレン、ピレン、ペリレン、インデン、アズレン、アダマンタン、フルオレン、フルオレノン、ジベンゾフラン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、フラン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、チオフェン、ジオキソラン、ピラゾール、ピラゾリン、ピラゾリジン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チアジアゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、ジオキサン、モルホリン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、トリアジン、トリチアン、ノルボルネン、ベンゾフラン、インドール、ベンゾチオフェン、ベンズイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾオキサジアゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、クマリン、シノリン、キノキサリン、アクリジン、フェナントロリン、フェノチアジン、フラボン、トリフェニルアミン、アセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ピコリン酸、シロール、ポルフィリン、イリジウム等の金属配位化合物、又は、それらが置換基を有している誘導体、それら誘導体の構造を含むポリマー若しくはオリゴマー等が挙げられる。
なお、上記置換基としては、上記R及びRにおける置換基と同様のものを用いることができる。
A in the formula (10) is not particularly limited as long as it is a divalent group, and examples of the structure as a corresponding compound name include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, chrysene, rubrene, pyrene, perylene, Indene, azulene, adamantane, fluorene, fluorenone, dibenzofuran, carbazole, dibenzothiophene, furan, pyrrole, pyrroline, pyrrolidine, thiophene, dioxolane, pyrazole, pyrazoline, pyrazolidine, imidazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, triazole, thiadiazole, pyran , Pyridine, piperidine, dioxane, morpholine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, piperazine, triazine, trithiane, norbornene, benzofuran, indo , Benzothiophene, benzimidazole, benzoxazole, benzothiazole, benzothiadiazole, benzoxadiazole, purine, quinoline, isoquinoline, coumarin, sinoline, quinoxaline, acridine, phenanthroline, phenothiazine, flavone, triphenylamine, acetylacetone, dibenzoylmethane , Metal coordination compounds such as picolinic acid, silole, porphyrin, iridium, or derivatives having a substituent, polymers or oligomers containing the structures of these derivatives, and the like.
In addition, as said substituent, the thing similar to the substituent in said R < 1 > and R < 2 > can be used.

上記Aとしては、上述したものに加えて、例えば、下記式(11−1)〜(11−4)の構造が挙げられる。 As said A, in addition to what was mentioned above, the structure of following formula (11-1)-(11-4) is mentioned, for example.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Ar1、Ar2、Ar3は、同一若しくは異なって、アリーレン基、2価の複素環基又は金属錯体構造を有する2価の基を表す。Z1は、−C≡C−、−N(Q3)−、−(SiQ4Q5)b−、又は、直接結合を示す。Z2は、−CQ1=CQ2−、−C≡C−、−N(Q3)−、−(SiQ4Q5)b−、又は、直接結合を表す。Q1及びQ2は、同一若しくは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基、又は、シアノ基を表す。Q3、Q4及びQ5は、同一若しくは異なって、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、又は、アリールアルキル基を示す。aは0〜1の整数を表す。bは1〜12の整数を表す。) (In the formula, Ar 1, Ar 2 and Ar 3 are the same or different and each represents an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure. Z 1 represents —C≡C—, —N ( Q3)-,-(SiQ4Q5) b- or a direct bond Z2 represents -CQ1 = CQ2-, -C≡C-, -N (Q3)-,-(SiQ4Q5) b- or directly Q1 and Q2 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an arylalkyloxycarbonyl group, a hetero group Represents an aryloxycarbonyl group or a cyano group, Q3, Q4 and Q5 are the same or different and represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group or an aryl; .b .a represents an alkyl group represents an integer of 0 to 1 represents an integer of 1-12.)

上記アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子2個を除いた原子団であり、環を構成する炭素数は通常6〜60程度であり、好ましくは6〜20である。該芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。
上記アリーレン基としては、例えば、下記式(12−1)で表されるフェニレン基、下記式(12−2)〜(12−3)で表されるナフタレンジイル基、下記式(12−4)〜(12−7)で表されるアントラセンジイル基、下記式(12−8)で表されるビフェニル−ジイル基、下記式(12−9)で表されるフルオレン−ジイル基、下記式(12−10)で表されるターフェニル−ジイル基、下記式(12−11)〜(12−12)で表されるスチルベン−ジイル基,下記式(12−13)〜(12−14)で表されるジスチルベン−ジイル基、下記式(12−15)〜(12−20)で表される縮合環化合物基、下記式(12−21)〜(12−23)で表される基等が挙げられる。これらの中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
なお、式(12−1)〜(12−23)において、Rは、同一若しくは異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。式(12−1)中においてx−yで示した線のように、環構造に交差して付された線は、環構造が被結合部分における原子と直接結合していることを意味する。すなわち、式(12−1)においては、x−yで示される線が付された環を構成する炭素原子のいずれかと直接結合することを意味し、その環構造における結合位置は限定されない。式(12−10)中においてz−で示した線のように、環構造の頂点に付された線は、その位置において環構造が被結合部分における原子と直接結合していることを意味する。また、環構造に交差して付されたRの付いた線は、Rが、その環構造に対して1つ結合していてもよく、複数結合していてもよいことを意味し、その結合位置も限定されない。
また、式(12−1)〜(12−10)及び(12−15)〜(12−20)において、炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
The arylene group is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and the number of carbon atoms constituting the ring is usually about 6 to 60, preferably 6 to 20. The aromatic hydrocarbon includes those having a condensed ring and those having two or more independent benzene rings or condensed rings bonded directly or via a group such as vinylene.
Examples of the arylene group include a phenylene group represented by the following formula (12-1), a naphthalenediyl group represented by the following formulas (12-2) to (12-3), and the following formula (12-4). To an anthracenediyl group represented by (12-7), a biphenyl-diyl group represented by the following formula (12-8), a fluorene-diyl group represented by the following formula (12-9), a formula (12 -10), a terphenyl-diyl group represented by the following formulas (12-11) to (12-12), and a stilbene-diyl group represented by the following formulas (12-13) to (12-14). Distylben-diyl groups, condensed ring compound groups represented by the following formulas (12-15) to (12-20), groups represented by the following formulas (12-21) to (12-23), and the like. It is done. Among these, a phenylene group, a biphenylene group, a fluorene-diyl group, and a stilbene-diyl group are preferable.
In the formulas (12-1) to (12-23), R is the same or different and is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, Arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, acyl group, acyloxy group, amide group, imido group, imine residue, amino group, substituted amino group, substituted silyl group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted silylamino group Group, monovalent heterocyclic group, heteroaryloxy group, heteroarylthio group, arylalkenyl group, arylethynyl group, carboxyl group, alkyloxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, arylalkyloxycarbonyl group, heteroaryloxycarbonyl Group or Roh represents a group. In the formula (12-1), a line attached so as to cross the ring structure like the line indicated by xy means that the ring structure is directly bonded to an atom in the bonded portion. That is, in the formula (12-1), it means that it is directly bonded to any of the carbon atoms constituting the ring indicated by the line xy, and the bonding position in the ring structure is not limited. Like the line indicated by z- in formula (12-10), a line attached to the apex of the ring structure means that the ring structure is directly bonded to an atom in the bonded portion at that position. . Moreover, the line with R attached so as to intersect the ring structure means that R may be bonded to the ring structure one or plural, and the bond The position is not limited.
In the formulas (12-1) to (12-10) and (12-15) to (12-20), the carbon atom may be replaced with a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and a hydrogen atom May be substituted with a fluorine atom.

Figure 2011184430
Figure 2011184430
Figure 2011184430
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上記2価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子2個を除いた残りの原子団をいい、環を構成する炭素数は通常3〜60程度である。該複素環化合物としては、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものも含まれる。 The said bivalent heterocyclic group means the remaining atomic groups remove | excluding two hydrogen atoms from the heterocyclic compound, and carbon number which comprises a ring is about 3-60 normally. As the heterocyclic compound, among organic compounds having a cyclic structure, the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, arsenic in the ring. Is also included.

上記2価の複素環基としては、例えば、下記式(13−1)で表されるピリジン−ジイル基、下記式(13−2)〜(13−3)で表されるジアザフェニレン基、下記式(13−4)〜(13−6)で表されるキノリンジイル基、下記式(13−7)〜(13−9)で表されるキノキサリンジイル基、下記式(13−10)〜(13−12)で表されるアクリジンジイル基、下記式(13−13)で表されるビピリジルジイル基、下記式(13−14)で表されるフェナントロリンジイル基等のヘテロ原子として、窒素を含む2価の複素環基;
下記式(13−15)〜(13−17)で表されるヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基;
下記式(13−18)〜(13−20)で表されるヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基;
下記式(13−21)〜(13−26)で表されるヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環縮合複素基;
下記式(13−27)〜(13−29)で表される、ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマーになっている基;
下記式(13−30)〜(13−35)で表される、ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基;
下記式(13−36)〜(13−38)で表される、ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む5員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基;等が挙げられる。
なお、式(13−1)〜(13−38)において、Rは、上記アリーレン基の有するRと同様である。Yは、O、S、SO、SO、Se、又は、Teを表す。環構造に交差して付された線、環構造の頂点に付された線、環構造に交差して付されたRの付いた線については、式(12−1)〜(12−23)と同様である。
また、式(13−1)〜(13−38)において、炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Examples of the divalent heterocyclic group include a pyridine-diyl group represented by the following formula (13-1), a diazaphenylene group represented by the following formulas (13-2) to (13-3), Quinoline diyl groups represented by the following formulas (13-4) to (13-6), quinoxaline diyl groups represented by the following formulas (13-7) to (13-9), and the following formulas (13-10) to ( 13-12) includes acridinediyl group, bipyridyldiyl group represented by the following formula (13-13), and phenanthroline diyl group represented by the following formula (13-14) as a heteroatom. A divalent heterocyclic group;
Groups having a fluorene structure containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as heteroatoms represented by the following formulas (13-15) to (13-17);
A 5-membered heterocyclic group containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium or the like as a heteroatom represented by the following formulas (13-18) to (13-20);
A 5-membered condensed heterocyclic group containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium or the like as a heteroatom represented by the following formulas (13-21) to (13-26);
A 5-membered ring heterocyclic group represented by the following formulas (13-27) to (13-29) containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a heteroatom and bonded at the α-position of the heteroatom. Groups that are in the form of bodies or oligomers;
A 5-membered heterocyclic group represented by the following formulas (13-30) to (13-35) containing silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a heteroatom, and bonded to a phenyl group at the α-position of the heteroatom Group
Groups represented by the following formulas (13-36) to (13-38), wherein a 5-membered condensed heterocyclic group containing oxygen, nitrogen, sulfur, etc. as a hetero atom is substituted with a phenyl group, a furyl group, or a thienyl group And the like.
In formulas (13-1) to (13-38), R is the same as R in the arylene group. Y represents O, S, SO, SO 2 , Se, or Te. For the line attached to intersect the ring structure, the line attached to the apex of the ring structure, and the line with R attached to intersect the ring structure, the formulas (12-1) to (12-23) It is the same.
In formulas (13-1) to (13-38), the carbon atom may be replaced with a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and the hydrogen atom may be replaced with a fluorine atom.

Figure 2011184430
Figure 2011184430
Figure 2011184430
Figure 2011184430

上記金属錯体構造を有する2価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を2個除いた残りの2価の基である。該有機配位子の炭素数は、通常4〜60程度であり、例えば、8−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、2−フェニル−ピリジン及びその誘導体、2−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、2−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体等が挙げられる。 The divalent group having the metal complex structure is a remaining divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from an organic ligand of a metal complex having an organic ligand. The carbon number of the organic ligand is usually about 4 to 60. For example, 8-quinolinol and derivatives thereof, benzoquinolinol and derivatives thereof, 2-phenyl-pyridine and derivatives thereof, 2-phenyl-benzothiazole and derivatives thereof. Derivatives, 2-phenyl-benzoxazole and derivatives thereof, porphyrin and derivatives thereof, and the like.

上記金属錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられ、上記有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。 Examples of the central metal of the metal complex include aluminum, zinc, beryllium, iridium, platinum, gold, europium, and terbium. The metal complex having the organic ligand includes a low-molecular fluorescent material, phosphorescence, and the like. Examples of the material include known metal complexes and triplet luminescent complexes.

上記金属錯体構造を有する2価の基としては、具体的には、例えば下記式(14−1)〜(14−7)で表される基が挙げられる。
なお、式(14−1)〜(14−7)において、Rは、上記アリーレン基の有するRと同様である。環構造の頂点に付された線については、式(12−1)〜(12−23)と同様、直接結合を意味する。
また、式(14−1)〜(14−7)において、炭素原子は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Specific examples of the divalent group having the metal complex structure include groups represented by the following formulas (14-1) to (14-7).
In formulas (14-1) to (14-7), R is the same as R in the arylene group. About the line attached | subjected to the vertex of the ring structure, a direct coupling | bonding is meant like Formula (12-1)-(12-23).
In the formulas (14-1) to (14-7), the carbon atom may be replaced with a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and the hydrogen atom may be replaced with a fluorine atom.

Figure 2011184430
Figure 2011184430
Figure 2011184430
Figure 2011184430

また、Aの構造としては、下記式(11−5)のような構造も挙げられる。 Moreover, as a structure of A, a structure like following formula (11-5) is also mentioned.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Ar4、Ar5、Ar6及びAr7は、同一又は異なって、アリーレン基又は2価の複素環基を表す。Ar8、Ar9及びAr10は、同一又は異なって、アリール基又は1価の複素環基を表す。o及びpは、同一又は異なって、0又は1を表し、0≦o+p≦1である。) (In the formula, Ar 4, Ar 5, Ar 6 and Ar 7 are the same or different and represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar 8, Ar 9 and Ar 10 are the same or different and represent an aryl group or a monovalent heterocyclic ring. And o and p are the same or different and represent 0 or 1, and 0 ≦ o + p ≦ 1.

上記式(11−5)で表される構造の具体例としては、下記式(15−1)〜(15−8)で表される構造が挙げられる。 Specific examples of the structure represented by the above formula (11-5) include structures represented by the following formulas (15-1) to (15-8).

Figure 2011184430
Figure 2011184430
Figure 2011184430
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なお、式(15−1)〜(15−8)において、Rは、上記アリーレン基の有するRと同様である。環構造の頂点に付された線については、式(12−1)〜(12−23)と同様、直接結合を意味する。上記式(15−1)〜(15−8)において、1つの構造式中に複数のRを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なる基であってもよい。溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を1つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた構造の形状の対称性が少ないことが好ましい。更に、上記式(15−1)〜(15−8)において、Rがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらが更に1つ以上の置換基を有していてもよい。また、Rがアルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐若しくは環状のいずれか又はそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合としては、例えば、イソアミル基、2−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、4−C1〜C12アルキルシクロヘキシル基等が挙げられる。本発明のホウ素含有共重合体の溶媒への溶解性を高めるためには、1つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。
また、複数のRが連結して環を形成していてもよい。更に、Rがアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。該ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
In the formulas (15-1) to (15-8), R is the same as R in the arylene group. About the line attached | subjected to the vertex of the ring structure, a direct coupling | bonding is meant like Formula (12-1)-(12-23). In the above formulas (15-1) to (15-8), one structural formula has a plurality of Rs, but they may be the same or different groups. In order to increase the solubility in a solvent, it is preferable to have one or more other than hydrogen atoms, and it is preferable that the symmetry of the shape of the structure including the substituent is small. Furthermore, in the above formulas (15-1) to (15-8), when R contains an aryl group or a heterocyclic group as a part thereof, they may further have one or more substituents. . Moreover, in the substituent in which R contains an alkyl chain, they may be linear, branched or cyclic, or a combination thereof. Examples of the non-linear group include, for example, isoamyl group, 2-ethylhexyl group 3,7-dimethyloctyl group, cyclohexyl group, 4-C1-C12 alkylcyclohexyl group and the like. In order to improve the solubility of the boron-containing copolymer of the present invention in a solvent, it is preferable that at least one alkyl chain having a cyclic or branched chain is contained.
A plurality of R may be connected to form a ring. Further, when R is a group containing an alkyl chain, the alkyl chain may be interrupted by a group containing a hetero atom. Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.

上記Aの構造としては、上述したものの中でも、式(11−5)、式(12−9)、式(13−16)、式(13−28)であることが好ましい。 Among the structures described above, the structure of A is preferably Formula (11-5), Formula (12-9), Formula (13-16), or Formula (13-28).

上記ホウ素含有重合体は、式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも1つの基と式(10)中のX及びXの少なくとも1つの基とが重合して形成される繰り返し単位を有するものである。すなわち、下記式(16); In the boron-containing polymer, at least one group of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the formula (1) and at least one group of X 3 and X 4 in the formula (10) are polymerized. It has a repeating unit formed. That is, the following formula (16);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、点線の円弧、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分、窒素原子からホウ素原子への矢印は、式(1)と同様である。X´、X´、R´及びR´は、式(7)と同様である。Aは、同一若しくは異なって、2価の基を表す。X´及びX´は、それぞれ式(10)のX及びXと同様の基、2価の基、3価の基、又は、直接結合を表す。)で表される繰り返し単位の構造を有するホウ素含有重合体もまた本発明のホウ素含有重合体に含まれる。
上記式(16)は、X´、X´、R´及びR´のうち、いずれか1つ以上、かつ、X´及びX´のうち、いずれか1つ以上が、重合体の主鎖の一部として結合を形成することを意味する。
上記式(16)で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体において、上記式(1)由来の繰り返し単位、上記式(10)由来の繰り返し単位は、ランダム重合体であっても、ブロック重合体でも、グラフト重合体あってもよい。また、高分子主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある場合やデンドリマーでも良い
また、上記式(16)で表される繰り返し単位を有するホウ素含有重合体は、上記式(1)由来の繰り返し単位、上記式(10)由来の繰り返し単位をそれぞれ1種含むものであってもよく、2種以上含むものであってもよい。繰り返し単位を2種以上含むものである場合、当該2種以上の構造は、ランダム重合体であっても、ブロック重合体でも、グラフト重合体あってもよい。また、高分子主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある場合やデンドリマーでも良い
(In the formula, a dotted arc, a dotted line part in a skeleton part connecting a boron atom and a nitrogen atom, and an arrow from the nitrogen atom to the boron atom are the same as in the formula (1). X 1 ′, X 2 ′, R 1 'and R 2' is the same as equation (7) .A are the same or different, .X 3 'and X 4' represents a divalent group, X 3 and respectively formula (10) A boron-containing polymer having a repeating unit structure represented by the same group as X 4 , a divalent group, a trivalent group, or a direct bond) is also included in the boron-containing polymer of the present invention. It is.
In the above formula (16), any one or more of X 1 ′, X 2 ′, R 1 ′ and R 2 ′, and any one or more of X 3 ′ and X 4 ′, It means forming a bond as part of the main chain of the polymer.
In the boron-containing polymer having a repeating unit represented by the above formula (16), the repeating unit derived from the above formula (1) and the repeating unit derived from the above formula (10) may be a random polymer, Either a polymer or a graft polymer may be used. Further, when the polymer main chain is branched and there are 3 or more terminal portions, it may be a dendrimer. The boron-containing polymer having a repeating unit represented by the above formula (16) is derived from the above formula (1). One type of repeating unit and one type of repeating unit derived from the above formula (10) may be included, or two or more types may be included. When two or more types of repeating units are included, the two or more types of structures may be a random polymer, a block polymer, or a graft polymer. Further, when the polymer main chain is branched and there are three or more terminal portions, a dendrimer may be used.

上記式(16)で表されるホウ素含有重合体としては、(i)上記式(1)中のX、X、R及びRのうち、いずれか2つと、上記式(10)中のX及びXとが、重合体の主鎖の一部として結合を形成する場合、(ii)上記式(1)中のX、X、R及びRのうち、いずれか1つと、上記式(10)中のX及びXのいずれか1つの基とが、重合体の主鎖の一部として結合を形成する場合がある。これらの場合の繰り返し単位の構造の具体例として、例えば、下記式(17)、(18)のような構造がある。 As the boron-containing polymer represented by the above formula (16), (i) any two of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1) and the above formula (10) When X 3 and X 4 in the above form a bond as part of the main chain of the polymer, (ii) any of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1) Or one of X 3 and X 4 in the above formula (10) may form a bond as part of the main chain of the polymer. As specific examples of the structure of the repeating unit in these cases, there are structures such as the following formulas (17) and (18), for example.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

上記(i)の構造の場合、上記式(16)で表される繰り返し単位のうち、上記式(1)由来の構造部分の具体例としては、上記式(8−1)〜(8−6)のような構造がある。これらの中でも、(8−1)、(8−6)の構造であることが好ましい。より好ましくは、(8−1)の構造である。 In the case of the structure of (i) above, specific examples of the structural portion derived from the above formula (1) among the repeating units represented by the above formula (16) include the above formulas (8-1) to (8-6). ). Among these, the structures of (8-1) and (8-6) are preferable. More preferably, it is the structure of (8-1).

上記式(1)中のX、X、R及びRのいずれかの基と、上記式(10)中のX及びXのいずれかの基とが重縮合する場合の反応性基の組み合わせとしては、上述したものと同様のものが挙げられる。すなわち、上記式(1)中のX、X、R及びRのいずれかの基と、上記式(10)中のX及びXのいずれかの基とが重縮合する場合、上記式(10)中のX及びXのうち、当該重縮合する基としては、上述した重縮合し得る反応性基を構造中に有する置換基のいずれかであることが好ましい。
また、上記式(10)中のX及びXのいずれかが、単独で重合し得る反応性基を構造中に有する置換基である場合、当該置換基は、上述した単独で重合し得る反応性基を構造中に有する置換基のいずれかであることが好ましい。
Reaction when any group of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1) is polycondensed with any group of X 3 and X 4 in the above formula (10) Examples of the combination of the sex groups include the same ones as described above. That is, when any group of X 1 , X 2 , R 1 and R 2 in the above formula (1) and any group of X 3 and X 4 in the above formula (10) are polycondensed Of the X 3 and X 4 in the above formula (10), the polycondensation group is preferably any of the above-described substituents having a reactive group capable of polycondensation in its structure.
Further, when any of X 3 and X 4 in the formula (10) is a substituent having a reactive group capable of being polymerized alone in the structure, the substituent can be polymerized alone as described above. It is preferably any of substituents having a reactive group in the structure.

本発明のホウ素含有重合体の両末端に結合している基は、特に制限されず、また、同一であっても良く、異なっていてもよい。上記両末端に結合している基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、スタニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基等が挙げられる。 The groups bonded to both ends of the boron-containing polymer of the present invention are not particularly limited, and may be the same or different. Examples of the group bonded to both ends include a hydrogen atom, a halogen atom, an aryl group optionally having a substituent, an oligoaryl group, a monovalent heterocyclic group, and a monovalent oligoheterocyclic group. Alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, amino group, azo group, carboxyl group, acyl group, Examples include an alkoxycarbonyl group, a formyl group, a nitro group, a cyano group, a silyl group, a stannyl group, a boryl group, a phosphino group, a silyloxy group, an arylsulfonyloxy group, and an alkylsulfonyloxy group.

本発明のホウ素含有重合体は、重量平均分子量が10〜10であることが好ましい。重量平均分子量がこのような範囲であると、良好に薄膜化できる。より好ましくは、10〜10であり、更に好ましくは10〜10である。
上記重量平均分子量は、ポリスチレン換算によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC装置、展開溶媒;クロロホルム)によって以下の装置、及び、測定条件で測定することができる。
高速GPC装置:HLC−8220GPC(東ソー社製)
測定条件:
展開溶媒 クロロホルム
カラム TSK−gel GMHXL ×2本
溶離液流量 1ml/min
カラム温度 40℃
The boron-containing polymer of the present invention preferably has a weight average molecular weight of 10 3 to 10 8 . When the weight average molecular weight is in such a range, a thin film can be satisfactorily formed. More preferably, it is 10 < 3 > -10 < 7 >, More preferably, it is 10 < 4 > -10 < 6 >.
The weight average molecular weight can be measured by gel permeation chromatography (GPC apparatus, developing solvent: chloroform) in terms of polystyrene under the following apparatus and measurement conditions.
High-speed GPC device: HLC-8220GPC (manufactured by Tosoh Corporation)
Measurement condition:
Developing solvent Chloroform column TSK-gel GMHXL x 2 Eluent flow rate 1 ml / min
Column temperature 40 ° C

本発明のホウ素含有重合体においても、本発明におけるホウ素含有化合物と同様、上述した範囲のLUMOのエネルギー準位を有することが好ましい。ホウ素含有重合体のLUMOのエネルギー準位がそのような範囲であることにより、有機EL素子やN型半導体の材料として好適に用いることができる。 The boron-containing polymer of the present invention preferably has an LUMO energy level in the above-mentioned range, similarly to the boron-containing compound of the present invention. When the LUMO energy level of the boron-containing polymer is within such a range, it can be suitably used as a material for an organic EL device or an N-type semiconductor.

また本発明におけるホウ素含有化合物同様、上記ホウ素含有重合体についても、上述した範囲の発光量子収率を有することもまた本発明の好適な実施形態の1つである。ホウ素含有重合体の発光量子収率がそのような範囲のものであると、有機EL素子やHOILED素子等における発光層を構成する発光材料として用いた場合に、充分に安定した発光を得ることが可能となるため、有機EL素子やHOILED素子等に用いる発光デバイスとして、特に発光層を構成する発光材料として好適に用いることができる。 Further, like the boron-containing compound in the present invention, the boron-containing polymer also has a light emission quantum yield in the above-mentioned range, which is one of the preferred embodiments of the present invention. When the emission quantum yield of the boron-containing polymer is in such a range, sufficiently stable light emission can be obtained when used as a light-emitting material constituting a light-emitting layer in an organic EL device, a HOILED device, or the like. Therefore, it can be suitably used as a light-emitting material constituting a light-emitting layer, particularly as a light-emitting device used for an organic EL element, a HOILED element, or the like.

本発明のホウ素含有重合体を製造する場合、式(1)で表されるホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合する方法が挙げられる。該単量体成分は、式(1)で表されるホウ素含有化合物を含む限り、その他の単量体を含んでいてもよいが、単量体成分全体100質量%に対して、式(1)で表されるホウ素含有化合物を0.1〜99.9質量%含んでいることが好ましい。より好ましくは、10〜90質量%である。
また、重合反応の際には、単量体成分の固形分濃度は、0.01質量%〜溶解する最大濃度の範囲で適宜設定することができるが、希薄すぎると反応の効率が悪く、濃すぎると反応の制御が難しくなる恐れがあることから、好ましくは、0.1〜20質量%である。
When manufacturing the boron containing polymer of this invention, the method of superposing | polymerizing the monomer component containing the boron containing compound represented by Formula (1) is mentioned. The monomer component may contain other monomers as long as it contains the boron-containing compound represented by the formula (1), but the formula (1) It is preferable that 0.1-99.9 mass% of boron containing compounds represented by this are included. More preferably, it is 10-90 mass%.
Further, in the polymerization reaction, the solid content concentration of the monomer component can be appropriately set within a range of 0.01% by mass to the maximum concentration at which it is dissolved. If the amount is too high, it may be difficult to control the reaction, so the content is preferably 0.1 to 20% by mass.

上記その他の単量体としては、上記式(10)で表される構造を有するものであることが好ましい。なお、上記単量体成分は、式(1)で表されるホウ素含有化合物、式(10)で表される化合物とも、1種含んでいてもよく、2種以上含んでいてもよい。 The other monomer preferably has a structure represented by the above formula (10). In addition, the said monomer component may contain 1 type of the boron containing compound represented by Formula (1), and the compound represented by Formula (10), and may contain 2 or more types.

上記式(10)で表される化合物において、X及びXは、上述したX及びXにおける反応性基を有する置換基と同様のものを用いることができる。 In the compound represented by the above formula (10), X 3 and X 4 can be the same as the substituents having the reactive group in X 1 and X 2 described above.

本発明のホウ素含有重合体が重縮合反応により形成される場合、上記反応性基の組み合わせが、アルデヒド基とホスホニウムメチル基との組み合わせである場合にはWittig反応により、ビニル基とハロゲン原子との組み合わせである場合にはHeck反応により、アルデヒド基とホスホネートメチル基との組み合わせである場合にはHorner反応により、ハロアルキル基とハロアルキル基との組み合わせである場合には脱ハロゲン化水素法により、スルホニウムメチル基とスルホニウムメチル基との組み合わせである場合にはスルホニウム塩分解法により重合を行うことができる。また、上記反応性基の組み合わせが、アルデヒド基とアセトニトリル基との組み合わせである場合にはKnoevenagel反応により、アルデヒド基とアルデヒド基との組み合わせである場合にはMcMurry反応により、ハロゲン原子とボリル基との組み合わせである場合にはSuzukiカップリング反応により、ハロゲン原子とハロゲン化マグネシウムとの組み合わせである場合にはGrignard反応により、ハロゲン原子とハロゲン原子との組み合わせである場合には0価のニッケル触媒を用いた山本重合反応により重合することができる。その他、重合方法としては、塩化鉄(III)等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法等が挙げられる。
これらの重合方法のうちでも、Suzukiカップリング反応、山本重合反応により重合を行うことが好ましい。
When the boron-containing polymer of the present invention is formed by a polycondensation reaction, when the combination of the reactive groups is a combination of an aldehyde group and a phosphonium methyl group, a Wittig reaction causes a vinyl group and a halogen atom. In the case of a combination, by Heck reaction, in the case of a combination of aldehyde group and phosphonate methyl group, by Horner reaction, in the case of combination of haloalkyl group and haloalkyl group, by dehydrohalogenation method, sulfonium methyl In the case of a combination of a group and a sulfonium methyl group, the polymerization can be carried out by a sulfonium salt decomposition method. Further, when the combination of the reactive groups is a combination of an aldehyde group and an acetonitrile group, a halogen atom and a boryl group are obtained by a Knoevenagel reaction. In the case of a combination of the above, a Suzuki coupling reaction is performed. In the case of a combination of a halogen atom and a magnesium halide, a Grignard reaction is performed. In the case of a combination of a halogen atom and a halogen atom, a zero-valent nickel catalyst is formed. It can superpose | polymerize by the used Yamamoto polymerization reaction. In addition, examples of the polymerization method include a method of polymerizing with an oxidizing agent such as iron (III) chloride, a method of electrochemically oxidative polymerization, and the like.
Among these polymerization methods, the polymerization is preferably carried out by Suzuki coupling reaction or Yamamoto polymerization reaction.

上記重合工程において用いる溶媒としては、当該反応が進行するものである限り特に制限されないが、上記式(I)で表される化合物と上記式(II)で表される化合物とを反応させる工程に用いる溶媒に加え、水、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメトキシエタンを用いることができる。これらの中でも、トルエン、テトラヒドロフラン、キシレンが好ましい。溶媒は、1種又は2種以上を用いることができる。
中でも、上記Wittig反応、Horner反応、Knoevenagel反応の場合には、N、N−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエンが好適に用いられる。また、上記Heck反応の場合には、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等の比較的沸点の高い溶媒が好適に用いられる。上記Suzukiカップリング反応の場合には、N、N−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランが好適に用いられる。上記Grignard反応の場合には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒が好適に用いられ、該溶媒中でハロゲン化物と金属マグネシウムとを反応させてGrignard試薬溶液とし、該試薬溶液とは別に用意した単量体成分を含む溶液とを混合して後述する触媒を用いて重合反応を行うこととなる。なお、この際には、触媒を過剰反応に注意しながら添加した後、昇温して還流させながら反応させることが好ましい。
また、上記溶媒を用いる際には、副反応を抑制するために、充分に脱酸素処理を行い、不活性雰囲気下で反応が進行するようにすることが好ましい。また、同様の理由から、脱水処理を行うことが好ましい場合もある。ただし、Suzukiカップリング反応のように、水との二相系で反応を行う場合にはその限りではない。
The solvent used in the polymerization step is not particularly limited as long as the reaction proceeds. In the step of reacting the compound represented by the formula (I) with the compound represented by the formula (II). In addition to the solvent used, water, N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, and dimethoxyethane can be used. Among these, toluene, tetrahydrofuran, and xylene are preferable. 1 type (s) or 2 or more types can be used for a solvent.
Among these, in the case of the Wittig reaction, Horner reaction, and Knoevenagel reaction, N, N-dimethylformamide, tetrahydrofuran, dioxane, and toluene are preferably used. In the case of the Heck reaction, a solvent having a relatively high boiling point, such as N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, is preferably used. In the case of the Suzuki coupling reaction, N, N-dimethylformamide, toluene, dimethoxyethane, and tetrahydrofuran are preferably used. In the case of the above Grignard reaction, an ether solvent such as tetrahydrofuran, diethyl ether, dimethoxyethane or the like is preferably used, and a halide and metal magnesium are reacted in the solvent to form a Grignard reagent solution. A separately prepared solution containing a monomer component is mixed and a polymerization reaction is performed using a catalyst described later. In this case, it is preferable to add the catalyst while paying attention to excess reaction, and then carry out the reaction while raising the temperature and refluxing.
Moreover, when using the said solvent, in order to suppress a side reaction, it is preferable to fully deoxygenate so that reaction may advance in inert atmosphere. For the same reason, it may be preferable to perform a dehydration treatment. However, this is not the case when the reaction is carried out in a two-phase system with water, such as the Suzuki coupling reaction.

上記重合工程においては、触媒を用いてもよく、特に、上記Heck反応、Suzukiカップリング反応、上記重縮合し得る反応性基の組み合わせがスタニル基とハロゲン原子のようなStille重合反応、Grignard反応、山本重合反応により重合を行う場合には、触媒が用いられる。
Heck反応、Suzukiカップリング反応、Stille重合する際の触媒としては、0価のパラジウム触媒、2価のパラジウム塩触媒等が挙げられ、具体的には、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム、[1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)クロライド、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)、ビス(トリ−o−トリルホスフィン)パラジウム、ビス(1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン)パラジウム、ビス(1,1’−(ジフェニルホスフィノ)フェロセン)パラジウム、テトラキス(トリエチルホスファイト)パラジウム、パラジウム(II)アセテート類等を挙げることができる。これらの触媒は1種を用いてもよく、2種以上を用いてもよい。これらの中でも、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム,トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)が好ましい。
Grignard反応をする際の触媒としては、上記0価のパラジウム触媒、2価のパラジウム塩触媒やニッケル触媒が好適に挙げられる。
また、上記触媒を用いる際には、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフリルホスフィン等の配位子を添加剤として加えてもよい。
なお、触媒を反応液に混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながら、ゆっくりと触媒を含む溶液を添加する方法、触媒を含む溶液に反応液をゆっくりと添加する方法等が挙げられる。
In the polymerization step, a catalyst may be used. In particular, the Heck reaction, Suzuki coupling reaction, a combination of reactive groups capable of polycondensation is a Stille polymerization reaction such as a stannyl group and a halogen atom, a Grignard reaction, When the polymerization is performed by the Yamamoto polymerization reaction, a catalyst is used.
Examples of catalysts for Heck reaction, Suzuki coupling reaction, and Stille polymerization include zero-valent palladium catalyst, divalent palladium salt catalyst, and the like. Specifically, tetrakistriphenylphosphine palladium, bis (tri-tert. -Butylphosphine) palladium, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (tri-tert-butylphosphine) palladium, [1,1'-bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium (II) chloride, tris (dibenzylideneacetone) ) Dipalladium (0), bis (tri-o-tolylphosphine) palladium, bis (1,2-bis (diphenylphosphino) ethane) palladium, bis (1,1 ′-(diphenylphosphino) ferrocene) palladium, Tet It can be exemplified tetrakis (triethyl phosphite) palladium, palladium (II) acetate, and the like. These catalysts may use 1 type and may use 2 or more types. Among these, tetrakistriphenylphosphine palladium and tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) are preferable.
As the catalyst for performing the Grignard reaction, the above-mentioned zero-valent palladium catalyst, divalent palladium salt catalyst and nickel catalyst are preferably mentioned.
Moreover, when using the said catalyst, you may add ligands, such as a triphenylphosphine, a tricyclohexyl phosphine, and a trifuryl phosphine, as an additive.
In addition, as a method of mixing the catalyst with the reaction solution, the reaction solution is slowly added to the solution containing the catalyst while slowly adding the solution containing the catalyst while stirring the reaction solution in an inert atmosphere such as argon or nitrogen. And a method of adding them.

上記触媒を用いる場合、触媒の使用量としては、上記式(1)で表されるホウ素含有化合物1モルに対して、0.001〜0.2モルであることが好ましい。触媒の使用量が0.001モルより少ないと、触媒の機能が充分に発揮されず、0.2モルより多くしても、それ以上の効果の向上は期待できないため、製造コストの点から好ましくない。より好ましくは、0.005〜0.15モルであり、更に好ましくは、0.01〜0.1モルである。 When using the said catalyst, it is preferable that it is 0.001-0.2 mol with respect to 1 mol of boron containing compounds represented by the said Formula (1) as the usage-amount of a catalyst. When the amount of the catalyst used is less than 0.001 mol, the function of the catalyst is not sufficiently exerted, and even when the amount is more than 0.2 mol, further improvement in the effect cannot be expected. Absent. More preferably, it is 0.005-0.15 mol, More preferably, it is 0.01-0.1 mol.

上記重合工程においては、重合開始剤を用いてもよい。重合開始剤としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩;過酸化水素;アゾビス−2メチルプロピオンアミジン塩酸塩、アゾイソブチロニトリル等のアゾ化合物;ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、クメンハイドロパーオキシド等のパーオキシド等を用いることができる。
また、促進剤として、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、モール塩、ピロ重亜硫酸ナトリウム、ホルムアルデヒドナトリウムスルホキシレート、アスコルビン酸等の還元剤;エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、グリシン等のアミン化合物を併用することもできる。
これらの重合開始剤や促進剤は、それぞれ1種を用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
In the polymerization step, a polymerization initiator may be used. Polymerization initiators include persulfates such as ammonium persulfate, sodium persulfate, and potassium persulfate; hydrogen peroxide; azo compounds such as azobis-2methylpropionamidine hydrochloride and azoisobutyronitrile; benzoyl peroxide, lauroyl Peroxides such as peroxide and cumene hydroperoxide can be used.
In addition, as a promoter, reducing agents such as sodium bisulfite, sodium sulfite, Mole salt, sodium pyrobisulfite, formaldehyde sodium sulfoxylate, ascorbic acid; and amine compounds such as ethylenediamine, sodium ethylenediaminetetraacetate, glycine, etc. You can also.
These polymerization initiators and accelerators may be used alone or in combination of two or more.

上記重合開始剤を用いる場合、重合開始剤の使用量としては、単量体成分100質量%に対して、0.05質量%以上であることが好ましく、5質量%以下であることが好ましい。0.1質量%以上であることがより好ましく、1質量%以下であることがより好ましい。
上記促進剤を使用する場合の使用量としては、単量体成分100質量%に対して、例えば0.05質量%以上であることが好ましく、5質量%以下であることが好ましい。0.1質量%以上であることがより好ましく、1質量%以下であることがより好ましい。
When using the said polymerization initiator, it is preferable that it is 0.05 mass% or more as a usage-amount of a polymerization initiator with respect to 100 mass% of monomer components, and it is preferable that it is 5 mass% or less. The content is more preferably 0.1% by mass or more, and more preferably 1% by mass or less.
When using the said accelerator, it is preferable that it is 0.05 mass% or more, for example with respect to 100 mass% of monomer components, and it is preferable that it is 5 mass% or less. The content is more preferably 0.1% by mass or more, and more preferably 1% by mass or less.

重合に際し、安定した分子量の制御には連鎖移動剤の使用が好ましく、モノマーとの相溶性、溶媒への溶解性から、必要に応じて1種又は2種以上の連鎖移動剤を使用することができる。このような連鎖移動剤としては、炭素数3以上の炭化水素基をもつチオール化合物又は25℃の水に対する溶解度が10%以下の化合物が好適であり、上述した連鎖移動剤や、ブタンチオール、オクタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、チオフェノール、チオグリコール酸オクチル、2−メルカプトプロピオン酸オクチル、3−メルカプトプロピオン酸オクチル、ドデシルメルカプタン、メルカプトエタノール、チオグリセロール、チオグリコール酸、メルカプトプロピオン酸、2−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトプロピオン酸、チオリンゴ酸、2−メルカプトエタンスルホン酸等のチオール系連鎖移動剤;イソプロパノール等の2級アルコール;亜リン酸、次亜リン酸及びその塩(次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウムなど)や亜硫酸が好適である。 In the polymerization, a chain transfer agent is preferably used for stable molecular weight control. One or more chain transfer agents may be used as necessary from the viewpoint of compatibility with monomers and solubility in a solvent. it can. As such a chain transfer agent, a thiol compound having a hydrocarbon group having 3 or more carbon atoms or a compound having a solubility in water at 25 ° C. of 10% or less is preferable. The chain transfer agent, butanethiol, octane described above Thiol, decanethiol, dodecanethiol, thiophenol, octyl thioglycolate, octyl 2-mercaptopropionate, octyl 3-mercaptopropionate, dodecyl mercaptan, mercaptoethanol, thioglycerol, thioglycolic acid, mercaptopropionic acid, 2-mercapto Thiol chain transfer agents such as propionic acid, 3-mercaptopropionic acid, thiomalic acid and 2-mercaptoethanesulfonic acid; secondary alcohols such as isopropanol; phosphorous acid, hypophosphorous acid and salts thereof (sodium hypophosphite) , Hya Etc. potassium) and sulfite are preferred.

上記連鎖移動剤の使用量は、単量体成分100質量%に対して、0.1質量%以上であることが好ましく、10質量%以下であることが好ましい。0.5質量%以上であることがより好ましく、5質量%以下であることがより好ましい。 The amount of the chain transfer agent used is preferably 0.1% by mass or more and preferably 10% by mass or less with respect to 100% by mass of the monomer component. The content is more preferably 0.5% by mass or more, and more preferably 5% by mass or less.

上記重合工程においては、アルカリ成分を添加し、アルカリ存在下に反応を行ってもよい。特に、上記Wittig反応、Heck反応、Horner反応、脱ハロゲン化水素法、Knoevenagel反応、Suzukiカップリング反応の場合には、アルカリ存在下に反応を行うことが好ましい。上記アルカリ成分としては、特に制限されないが、例えば、Wittig反応、Horner反応、Knoevenagel反応の場合には、カリウム−t−ブトキシド、ナトリウム−t−ブトキシド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラート等の金属アルコラート;水素化ナトリウム等のハイドライド試薬;ナトリウムアミド等のアミド類等を用いることができる。Heck反応の場合には、トリエチルアミン等を用いることができる。Suzukiカップリング反応の場合には、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、水酸化バリウム等の無機塩基;炭酸テトラエチルアンモニウム等の炭酸アンモニウム塩、トリエチルアミン、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の有機塩基;フッ化セシウム等の無機塩等を用いることができ、無機塩を用いる場合には、無機塩を水溶液として、二相系で反応させてもよい。
なお、アルカリ成分を反応液に混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながら、ゆっくりとアルカリ成分を含む溶液を添加する方法、アルカリ成分を含む溶液に反応液をゆっくりと添加する方法等が挙げられる。
In the polymerization step, an alkali component may be added and the reaction may be performed in the presence of an alkali. In particular, in the case of the Wittig reaction, Heck reaction, Horner reaction, dehydrohalogenation method, Knoevenagel reaction, and Suzuki coupling reaction, the reaction is preferably performed in the presence of an alkali. Although it does not restrict | limit especially as said alkali component, For example, in Wittig reaction, Horner reaction, Knoevenagel reaction, metal alcoholates, such as potassium tert-butoxide, sodium tert-butoxide, sodium ethylate, lithium methylate; Hydride reagents such as sodium hydride; amides such as sodium amide can be used. In the case of the Heck reaction, triethylamine or the like can be used. In the case of the Suzuki coupling reaction, inorganic bases such as potassium carbonate, sodium carbonate, cesium carbonate, and barium hydroxide; ammonium carbonates such as tetraethylammonium carbonate; organics such as triethylamine, trioctylmethylammonium chloride, and tetraethylammonium hydroxide Base: An inorganic salt such as cesium fluoride can be used. When the inorganic salt is used, the inorganic salt may be reacted in an aqueous solution in a two-phase system.
In addition, as a method of mixing the alkali component with the reaction solution, a method of slowly adding a solution containing an alkali component while stirring the reaction solution in an inert atmosphere such as argon or nitrogen, or reacting with a solution containing an alkali component. For example, a method of slowly adding the liquid.

上記アルカリ成分の使用量としては、単量体成分の有する官能基に対して当量以上であることが好ましい。特に、Wittig反応、Horner反応、Knoevenagel反応の場合には、1〜3当量であることがより好ましく、Suzukiカップリング反応の場合には、1〜10当量であることがより好ましい。 The amount of the alkali component used is preferably equal to or greater than the functional group of the monomer component. In particular, in the case of Wittig reaction, Horner reaction, and Knoevenagel reaction, it is more preferably 1 to 3 equivalents, and in the case of Suzuki coupling reaction, it is more preferably 1 to 10 equivalents.

上記重合工程は、不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。不活性ガスとしては、特に制限されず、窒素、アルゴン、ヘリウム等のいずれを用いてもよいが、窒素、アルゴンが好ましい。不活性ガスは、1種又は2種以上を用いることができる。 The polymerization step is preferably performed in an inert gas atmosphere. The inert gas is not particularly limited, and any of nitrogen, argon, helium and the like may be used, but nitrogen and argon are preferable. 1 type (s) or 2 or more types can be used for an inert gas.

上記重合工程の反応温度は、50℃〜200℃であることが好ましい。特に、上記Wittig反応、Horner反応、Knoevenagel反応の場合には、通常室温から150℃程度で反応を進行させることができる。Heck反応の場合には、80℃から160℃程度で反応を進行させることができる。また、Suzukiカップリング反応の場合には、溶媒に応じて設定することができるが、50〜160℃で反応を行うことが好適である。
反応圧力は、加圧、常圧、減圧のいずれであってもよいが、常圧であることが好ましい。
また、反応時間は、5時間以上であることが好ましい。
特に、上記Wittig反応、Horner反応、Knoevenagel反応の場合には、通常5分〜40時間であればよいが、好ましくは、10分〜24時間である。Heck反応の場合には、1〜100時間程度であればよい。また、Suzukiカップリング反応の場合には、1〜200時間程度であればよい。
上記重合反応は、回分式でも連続式でも行うことができる。
The reaction temperature in the polymerization step is preferably 50 ° C to 200 ° C. In particular, in the case of the Wittig reaction, Horner reaction, and Knoevenagel reaction, the reaction can be allowed to proceed usually from about room temperature to about 150 ° C. In the case of the Heck reaction, the reaction can proceed at about 80 to 160 ° C. Moreover, in the case of a Suzuki coupling reaction, it can set according to a solvent, However, It is suitable to react at 50-160 degreeC.
The reaction pressure may be any of pressurization, normal pressure, and reduced pressure, but is preferably normal pressure.
The reaction time is preferably 5 hours or longer.
In particular, in the case of the Wittig reaction, Horner reaction, and Knoevenagel reaction, it is usually 5 minutes to 40 hours, preferably 10 minutes to 24 hours. In the case of the Heck reaction, it may be about 1 to 100 hours. In the case of the Suzuki coupling reaction, it may be about 1 to 200 hours.
The polymerization reaction can be carried out either batchwise or continuously.

上記Grignard反応の場合における、上記Grignard試薬の使用量としては、単量体成分に対して当量以上であることが好ましい。より好ましくは、1〜1.5当量であり、更に好ましくは、1〜1.2当量である。 In the case of the Grignard reaction, the amount of the Grignard reagent used is preferably equal to or greater than the monomer component. More preferably, it is 1-1.5 equivalent, More preferably, it is 1-1.2 equivalent.

本発明におけるホウ素含有化合物及び本発明のホウ素含有重合体は、有機EL素子やN型半導体の材料として好適に用いることができるものである。有機EL素子は、陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を順に積層させた構造のもの、又は、更にホール注入層、電子注入層を有する構造のもの等がある。これらの素子においては、陰極から注入された電子が電子輸送層を通過して発光層に到達することになるが、エネルギー効率の点から、発光層や電子輸送層の材料の最低空軌道(LUMO)のエネルギー準位は、電子注入層の材料の有するLUMOのエネルギー準位及び陰極の価電子帯との間でエネルギーギャップが小さいことが好ましい。陰極としては、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム等の金属やこれらの合金等が用いられるが、これらのうち価電子帯のエネルギーが高いものは、酸化されやすい性質を有するため、エネルギーの低いものを用いることが好ましい。最低空軌道(LUMO)のエネルギー準位の低いホウ素含有化合物を用いることで、陰極として価電子帯のエネルギーが低く、酸化されにくい物質を陰極に用いることが可能となるため、陰極の選択の自由度を広げることができる。
したがって、このような点から、本発明におけるホウ素含有化合物及び/又は本発明のホウ素含有重合体は、有機EL素子やN型半導体の材料として好適に用いることができるものである。このように、上記式(1)で表されるホウ素含有化合物を含む本発明の発光材料及び/又は本発明のホウ素含有重合体が発光デバイス形成に用いられることもまた、本発明の1つである。このような、上記式(1)で表されるホウ素含有化合物を含む本発明の発光材料又は本発明のホウ素含有重合体を用いて形成される発光デバイスもまた、本発明の1つである。
更に本発明におけるホウ素含有化合物及び本発明のホウ素含有重合体のうち、発光量子収率が20〜100%であるものは、その発光量子収率の高さから、安定した発光を得ることができるため、発光デバイスの中でも特に、有機EL素子やHOILED素子の発光層形成に用いられることが好ましい。
The boron-containing compound of the present invention and the boron-containing polymer of the present invention can be suitably used as materials for organic EL devices and N-type semiconductors. Organic EL elements include those having a structure in which an anode, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are sequentially laminated, or those having a hole injection layer and an electron injection layer. In these devices, electrons injected from the cathode pass through the electron transport layer and reach the light emitting layer. From the viewpoint of energy efficiency, the minimum empty orbit (LUMO) of the material of the light emitting layer and the electron transport layer is used. ) Preferably has a small energy gap between the LUMO energy level of the electron injection layer material and the valence band of the cathode. As the cathode, metals such as aluminum, magnesium, calcium, and alloys thereof are used. Of these, those having a high valence band energy are easily oxidized, so use a low energy one. Is preferred. By using a boron-containing compound with a low energy level of the lowest unoccupied orbital (LUMO), it is possible to use a material with a low valence band energy and a low oxidation potential as the cathode, so the cathode can be freely selected. Can expand the degree.
Therefore, from such a point, the boron-containing compound in the present invention and / or the boron-containing polymer in the present invention can be suitably used as a material for an organic EL device or an N-type semiconductor. Thus, it is also one aspect of the present invention that the light-emitting material of the present invention and / or the boron-containing polymer of the present invention containing the boron-containing compound represented by the above formula (1) is used for forming a light-emitting device. is there. Such a light-emitting device formed using the light-emitting material of the present invention containing the boron-containing compound represented by the above formula (1) or the boron-containing polymer of the present invention is also one aspect of the present invention.
Furthermore, among the boron-containing compound in the present invention and the boron-containing polymer of the present invention, those having an emission quantum yield of 20 to 100% can obtain stable light emission from the high emission quantum yield. Therefore, it is preferable to be used for forming a light emitting layer of an organic EL element or a HOILED element among light emitting devices.

本発明におけるホウ素含有化合物は、上述の構成よりなり、LUMOのエネルギー準位が低く、発光量子収率が高い化合物であるために、有機EL素子、N型半導体やHOILED素子の発光材料として好適に用いることができるものである。 The boron-containing compound in the present invention has the above-described configuration, has a low LUMO energy level, and has a high emission quantum yield. Therefore, the boron-containing compound is suitable as a light-emitting material for organic EL elements, N-type semiconductors, and HOILED elements. It can be used.

実施例1−1の反応を表した反応式である。It is a reaction formula showing reaction of Example 1-1. 実施例2−1の反応を表した反応式である。It is a reaction formula showing reaction of Example 2-1. 実施例2−34の反応を表した反応式である。It is a reaction formula showing reaction of Example 2-34. 実施例3の反応を表した反応式である。4 is a reaction formula showing the reaction of Example 3.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は「重量部」を、「%」は「質量%」を意味するものとする。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples. Unless otherwise specified, “part” means “part by weight” and “%” means “mass%”.

以下の実施例及び比較例において、各種物性は以下のようにして測定した。
H−NMR>
得られたホウ素含有化合物を、重水素化クロロホルムの溶液とし、高分解能核磁気共鳴装置(製品名「Gemini 2000」;300MHz、Varian,Inc.社製)を用いて測定した。化学シフトは、テトラメチルシランから低磁場側における100万分の1(ppm;δスケール)として記録し、テトラメチルシランの水素核(δ0.00)を参照とした。
13C−NMR>
得られたホウ素含有化合物を、重水素化クロロホルムの溶液とし、高分解能核磁気共鳴装置(製品名「Gemini 2000」;75MHz、Varian,Inc.社製)を用いて測定した。化学シフトは、テトラメチルシランから低磁場側における100万分の1(ppm;δスケール)として記録し、NMR溶媒中の炭素核(CDCl:δ=77.0、CDCl:δ=53.1、CDCN:δ=1.32、DMSO−d:δ=39.52)を参照とした。
11B−NMR>
得られたホウ素含有化合物を、重水素化クロロホルムの溶液とし、高分解能核磁気共鳴装置(製品名「Mercury−400」;128MHz、Varian,Inc.社製)を用いて測定した。化学シフトは、三フッ化ホウ素・ジエチルエーテル錯体のホウ素核(δ=0.00)を基準とする100万分の1(ppm;δスケール)として記録した。
<高分解能質量分析スペクトル>
高分解能質量分析計(製品名「JMS−SX101A」、「JMS−MS700」、「JMS−BU250」、日本電子社製)を用いて、電子イオン化法(EI)又は高速電子衝撃法(FAB)により測定した。
In the following examples and comparative examples, various physical properties were measured as follows.
<1 H-NMR>
The obtained boron-containing compound was measured as a deuterated chloroform solution using a high-resolution nuclear magnetic resonance apparatus (product name “Gemini 2000”; 300 MHz, manufactured by Varian, Inc.). The chemical shift was recorded as 1 / 1,000,000 (ppm; δ scale) on the low magnetic field side from tetramethylsilane, and the hydrogen nucleus (δ0.00) of tetramethylsilane was referred to.
< 13C -NMR>
The obtained boron-containing compound was measured as a deuterated chloroform solution using a high-resolution nuclear magnetic resonance apparatus (product name “Gemini 2000”; 75 MHz, manufactured by Varian, Inc.). Chemical shifts are recorded from tetramethylsilane as parts per million (ppm; δ scale) on the low magnetic field side, and carbon nuclei (CDCl 3 : δ = 77.0, CD 2 Cl 2 : δ = 53 in the NMR solvent). .1, CD 3 CN: δ = 1.32, DMSO-d 6 : δ = 39.52).
<11 B-NMR>
The obtained boron-containing compound was measured as a deuterated chloroform solution using a high-resolution nuclear magnetic resonance apparatus (product name “Mercury-400”; 128 MHz, manufactured by Varian, Inc.). Chemical shifts were recorded as parts per million (ppm; δ scale) based on the boron nucleus (δ = 0.00) of the boron trifluoride-diethyl ether complex.
<High resolution mass spectrometry spectrum>
Using a high-resolution mass spectrometer (product names “JMS-SX101A”, “JMS-MS700”, “JMS-BU250”, manufactured by JEOL Ltd.), electron ionization (EI) or fast electron impact (FAB) It was measured.

<重量平均分子量>
重量平均分子量は、ポリスチレン換算によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC装置、展開溶媒;クロロホルム)によって以下の装置、及び、測定条件で測定した。
高速GPC装置:HLC−8220GPC(東ソー社製)
測定条件:
展開溶媒 クロロホルム
カラム TSK−gel GMHXL ×2本
溶離液流量 1ml/min
カラム温度 40℃
<Weight average molecular weight>
The weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (GPC apparatus, developing solvent: chloroform) in terms of polystyrene under the following apparatus and measurement conditions.
High-speed GPC device: HLC-8220GPC (manufactured by Tosoh Corporation)
Measurement condition:
Developing solvent Chloroform column TSK-gel GMHXL x 2 Eluent flow rate 1 ml / min
Column temperature 40 ° C

<LUMOのエネルギー準位>
pドープシリコン基板(フルウチ化学社製)を25mm角に切断し、アセトン中、及び、イソプロピルアルコール中でそれぞれ10分間超音波洗浄した後、UVオゾン処理を20分間施した。試料が低分子化合物の場合は、この基板をアルゴン雰囲気のグローブボックスに連結された真空蒸着装置(アルバック社製)の基板ホルダーに固定した。測定する試料を石英製のルツボに入れ、約1×10−3Paまで減圧し、膜厚10nmになるように蒸着し、測定サンプルとした。試料が高分子化合物の場合は、この基板に0.5〜2重量%の濃度に調整した試料溶液を垂らし、毎分1000〜3000回転の速度でスピンコートして測定サンプルとした。作成した測定サンプルについて、紫外光電子分光装置(コベルコ科研社製)を用いて、イオン化ポテンシャルを測定した。測定値を試料の最高被占軌道(HOMO)のエネルギー準位とした。
同時に、上記同様に作成した別の試料薄膜について、紫外可視分光光度計(製品名「Agilent 8453」、アジレント・テクノロジー社製)を用いて、吸収スペクトルを測定した。得られたスペクトルから吸収ピークの長波長側吸収端λ(単位:nm)を読み取り、下記数式(1)により、HOMO−LUMOギャップ(B.G.)を求めた。
<LUMO energy levels>
A p-doped silicon substrate (manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) was cut into 25 mm squares, ultrasonically cleaned in acetone and isopropyl alcohol for 10 minutes, respectively, and then subjected to UV ozone treatment for 20 minutes. When the sample was a low molecular compound, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus (manufactured by ULVAC) connected to a glove box in an argon atmosphere. A sample to be measured was put in a quartz crucible, decompressed to about 1 × 10 −3 Pa, and evaporated to a thickness of 10 nm to obtain a measurement sample. When the sample was a polymer compound, a sample solution adjusted to a concentration of 0.5 to 2% by weight was dropped on this substrate and spin-coated at a speed of 1000 to 3000 revolutions per minute to obtain a measurement sample. About the created measurement sample, the ionization potential was measured using the ultraviolet photoelectron spectrometer (made by Kobelco Research Institute). The measured value was defined as the energy level of the highest occupied orbit (HOMO) of the sample.
At the same time, an absorption spectrum of another sample thin film prepared in the same manner as described above was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (product name “Agilent 8453”, manufactured by Agilent Technologies). From the obtained spectrum, the long wavelength side absorption edge λ (unit: nm) of the absorption peak was read, and the HOMO-LUMO gap (BG) was determined by the following mathematical formula (1).

Figure 2011184430
Figure 2011184430

更に、上記のように複合電子分光分析装置を用いて求めたHOMOのエネルギー準位と、上記数式(1)から求めたHOMO−LUMOギャップ(B.G.)とから、下記数式(2)により、LUMOのエネルギー準位を求めた。 Furthermore, from the HOMO energy level obtained using the composite electron spectrometer as described above and the HOMO-LUMO gap (BG) obtained from the above equation (1), the following equation (2) is obtained. The energy level of LUMO was obtained.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

<蛍光スペクトル>
ホウ素含有化合物のジクロロメタン希薄溶液を調製し、蛍光分光光度計(製品名「FP−777」、日本分光社製)を用いて、以下の測定条件により蛍光スペクトルを測定した。
測定条件
測定温度:常温
励起光の波長:320nm又は370nm(ただし、サンプルの吸収スペクトルの吸収ピーク位置によって適切な波長を選択するものとする。)
測定波長の範囲:330〜600nm
<発光量子収率>
ホウ素含有化合物について、濃度の異なる数種類のジクロロメタン溶液を調製し、紫外可視分光光度計(製品名「Agilent 8453」、アジレント・テクノロジー社製)を用いて、各溶液の吸光度を測定した。また、各溶液の蛍光スペクトルを測定し、蛍光強度(波数積分値)を求めた。得られた吸光度及び蛍光強度から、横軸が吸光度、縦軸が蛍光強度のグラフを作成した。また、標準物質として、キニーネ硫酸塩の0.1M硫酸溶液について、同様に測定を行い、それぞれのグラフを同様に作成した。ホウ素含有化合物についてのグラフ(正の相関を有する直線となる)の傾きをG、キニーネ硫酸塩についてのグラフの傾きをG、ジクロロメタンの屈折率をn、0.1M硫酸の屈折率をn、キニーネ硫酸塩(文献値)をYとして、ホウ素含有化合物の発光量子収率Yを下記数式(3)により求めた。なお、n、n、Yについては、文献値として、n=1.4242、n=1.333、Y=0.54の各値を用いた。
<Fluorescence spectrum>
A dilute dichloromethane solution of a boron-containing compound was prepared, and a fluorescence spectrum was measured using a fluorescence spectrophotometer (product name “FP-777”, manufactured by JASCO Corporation) under the following measurement conditions.
Measurement conditions Measurement temperature: Wavelength of room temperature excitation light: 320 nm or 370 nm (however, an appropriate wavelength is selected according to the absorption peak position of the absorption spectrum of the sample)
Measurement wavelength range: 330 to 600 nm
<Luminescent quantum yield>
For the boron-containing compound, several types of dichloromethane solutions having different concentrations were prepared, and the absorbance of each solution was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (product name “Agilent 8453”, manufactured by Agilent Technologies). Moreover, the fluorescence spectrum of each solution was measured and the fluorescence intensity (wave number integral value) was determined. From the obtained absorbance and fluorescence intensity, a graph was prepared with the horizontal axis representing the absorbance and the vertical axis representing the fluorescence intensity. Further, as a standard substance, a 0.1M sulfuric acid solution of quinine sulfate was similarly measured, and each graph was similarly prepared. Inclination G S graphs for boron-containing compound (a straight line with a positive correlation), the slope of the graph for quinine sulfate G R, the n S refractive index of dichloromethane, the refractive index of 0.1M sulfuric acid The emission quantum yield Y S of the boron-containing compound was determined by the following mathematical formula (3), where n R and quinine sulfate (document values) were Y R. Incidentally, n S, n R, the Y R as literature values, n S = 1.4242, n R = 1.333, using each value of Y R = 0.54.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(実施例1−1)
アルゴン雰囲気下、三ヨウ化ホウ素(215.34mg、0.5mmol)にジクロロメタン 0・5mlを加え、0℃に冷却し2−フェニルピリジン(77.6mg、0.5mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。0℃に冷却してから水でクエンチし、クロロホルムで抽出し、有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過した後に溶媒を減圧留去し、得られた固体をヘキサンで洗浄することによりホウ素錯体1を160mg、48%の収率で得た。
この反応の反応式を図1に示す。
(Example 1-1)
Under an argon atmosphere, 0.5 ml of dichloromethane was added to boron triiodide (215.34 mg, 0.5 mmol), cooled to 0 ° C., 2-phenylpyridine (77.6 mg, 0.5 mmol) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. Stir. After cooling to 0 ° C., it was quenched with water, extracted with chloroform, the organic layer was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. After filtration, the solvent was distilled off under reduced pressure, and the resulting solid was washed with hexane to obtain 160 mg of boron complex 1 in a yield of 48%.
The reaction formula of this reaction is shown in FIG.

(実施例1−2)
実施例1−1の三ヨウ素化ホウ素を三臭素化ホウ素に変更した以外は、実施例1−1と同様に反応を行い、ホウ素錯体2を73%の収率で得た。
(Example 1-2)
A reaction was carried out in the same manner as in Example 1-1 except that the boron triiodide in Example 1-1 was changed to boron tribromide, and boron complex 2 was obtained in a yield of 73%.

(参考例1−1〜1−4)
実施例1−1の三ヨウ素化ホウ素を表1に記載のルイス酸に変更した以外は、実施例1−1と同様に反応を行った。反応条件及び反応結果を表1に示す。なお、表1中において、「no reaction」は、反応が進行しなかったことを表している。
(Reference Examples 1-1 to 1-4)
The reaction was carried out in the same manner as in Example 1-1 except that the boron triiodide in Example 1-1 was changed to the Lewis acid shown in Table 1. Reaction conditions and reaction results are shown in Table 1. In Table 1, “no reaction” indicates that the reaction did not proceed.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(実施例1−3)
アルゴン雰囲気下、2−フェニルピリジン(78mg、0.50mmol)を含むジクロロメタン溶液(0.5ml)に、エチルジイソプロピルアミン(65mg、0.50mmol)を加えた後、0℃で三臭化ホウ素(1.0M、1.5ml、1.5mmol)を加え、室温で9時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式(19);
(Example 1-3)
Under an argon atmosphere, ethyldiisopropylamine (65 mg, 0.50 mmol) was added to a dichloromethane solution (0.5 ml) containing 2-phenylpyridine (78 mg, 0.50 mmol), and then boron tribromide (1 0.0M, 1.5 ml, 1.5 mmol) was added and stirred at room temperature for 9 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., saturated aqueous potassium carbonate solution was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (19);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体3(145mg、0.45mmol)を収率89%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.42(t, J=7.5Hz, 1H), 7.55−7.60(m, 2H), 7.75(d, J=7.8Hz, 1H), 7.87(d, J=7.5Hz, 1H), 7.93(d, J=7.8Hz, 1H), 8.16(t, J=7.8Hz, 1H), 8.95(d, J=5.4Hz, 1H) ; 11B−NMR(CDCl) : δ−1.1 ;
A boron complex 3 represented by the formula (145 mg, 0.45 mmol) was obtained in a yield of 89%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.42 (t, J = 7.5 Hz, 1H), 7.55-7.60 (m, 2H), 7.75 (d, J = 7.8 Hz, 1H) ), 7.87 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.93 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 8.16 (t, J = 7.8 Hz, 1H), 8.95. (D, J = 5.4 Hz, 1H); 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ-1.1;

(実施例1−4)
アルゴン雰囲気下、2−(4−メチルフェニル)ピリジン(85mg、0.50mmol)を含むジクロロメタン溶液(0.5ml)に、エチルジイソプロピルアミン(65mg、0.50mmol)を加えた後、0℃で三臭化ホウ素(1.0M、1.5ml、1.5mmol)を加え、室温で9時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式(20);
(Example 1-4)
In an argon atmosphere, ethyldiisopropylamine (65 mg, 0.50 mmol) was added to a dichloromethane solution (0.5 ml) containing 2- (4-methylphenyl) pyridine (85 mg, 0.50 mmol), and then at 0 ° C. Boron bromide (1.0 M, 1.5 ml, 1.5 mmol) was added and stirred at room temperature for 9 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., saturated aqueous potassium carbonate solution was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (20);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体4(150mg、0.44mmol)を収率89%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ2.47(s, 3H), 7.20−7.27(m, 1H), 7.48−7.53(m, 1H), 7.63(d, J=8.1Hz, 1H), 7.68(s, 1H), 7.84−7.87(m, 1H), 8.09−8.15(m, 1H), 8.90(d, J=6.0Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ22.1, 118.1, 121.9, 123.1, 129.7, 130.8, 131.2, 143.6, 144.0, 144.1, 156.0 ; 11B−NMR(CDCl) : δ−1.1 ;
The boron complex 4 represented by (150 mg, 0.44 mmol) was obtained with a yield of 89%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.47 (s, 3H), 7.20-7.27 (m, 1H), 7.48-7.53 (m, 1H), 7.63 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.68 (s, 1H), 7.84-7.87 (m, 1H), 8.09-8.15 (m, 1H), 8.90 (d, 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ22.1, 118.1, 121.9, 123.1, 129.7, 130.8, 131.2, 143.6, J = 6.0 Hz, 1H); 144.0, 144.1, 156.0; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ-1.1;

(実施例1−5)
アルゴン雰囲気下、5−ブロモ−2−(4−ブロモフェニル)ピリジン(94mg、0.30mmol)を含むジクロロメタン溶液(0.3ml)に、エチルジイソプロピルアミン(39mg、0.30mmol)を加えた後、0℃で三臭化ホウ素(1.0M、0.9ml、0.9mmol)を加え、室温で9時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式(21);
(Example 1-5)
After adding ethyldiisopropylamine (39 mg, 0.30 mmol) to a dichloromethane solution (0.3 ml) containing 5-bromo-2- (4-bromophenyl) pyridine (94 mg, 0.30 mmol) under an argon atmosphere, Boron tribromide (1.0 M, 0.9 ml, 0.9 mmol) was added at 0 ° C., and the mixture was stirred at room temperature for 9 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., saturated aqueous potassium carbonate solution was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (21);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体5(40mg、0.082mmol)を収率28%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : 7.57−7.59(m, 2H), 7.80(dd, J=8.4, 0.6Hz, 1H), 7.99(s, 1H), 8.27(dd, J=8.4, 2.1Hz, 1H), 9.01(d, J=1.5Hz, 1H) ;
The boron complex 5 represented by (40 mg, 0.082 mmol) was obtained in a yield of 28%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): 7.57-7.59 (m, 2H), 7.80 (dd, J = 8.4, 0.6 Hz, 1H), 7.99 (s, 1H), 8.27 (dd, J = 8.4, 2.1 Hz, 1H), 9.01 (d, J = 1.5 Hz, 1H);

(実施例1−6)
アルゴン雰囲気下、2−フェニルキノリン(62mg、0.30mmol)を含むジクロロメタン溶液(0.3ml)に、エチルジイソプロピルアミン(39mg、0.30mmol)を加えた後、0℃で三臭化ホウ素(1.0M、0.9ml、0.9mmol)を加え、室温で9時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式(22);
(Example 1-6)
Ethyldiisopropylamine (39 mg, 0.30 mmol) was added to a dichloromethane solution (0.3 ml) containing 2-phenylquinoline (62 mg, 0.30 mmol) under an argon atmosphere, and then boron tribromide (1 0.0 M, 0.9 ml, 0.9 mmol) was added, and the mixture was stirred at room temperature for 9 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., saturated aqueous potassium carbonate solution was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (22);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体6(85mg、0.23mmol)を収率75%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.44(td, J=7.5, 1.0Hz, 1H), 7.65(td, J=7.5, 0.9Hz, 1H), 7.73(ddd, J=8.1, 7.2, 1.1Hz, 1H), 7.87(d, J=7.5Hz, 1H), 7.96−8.09(m, 4H), 8.60(d, J=9.0Hz, 1H), 9.29(d, J=8.7Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ115.1, 122.6, 124.5, 128.1, 128.5, 128.6, 128.9, 130.5, 132.9, 133.4, 133.8, 140.6, 145.0, 157.6 ; 11B−NMR(CDCl) : δ−1.8 ;
The boron complex 6 represented by (85 mg, 0.23 mmol) was obtained with a yield of 75%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.44 (td, J = 7.5, 1.0 Hz, 1H), 7.65 (td, J = 7.5, 0.9 Hz, 1H), 7.73 (Ddd, J = 8.1, 7.2, 1.1 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.96-8.09 (m, 4H), 8. 60 (d, J = 9.0 Hz, 1H), 9.29 (d, J = 8.7 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 115.1, 122.6, 124.5, 128 , 118.5, 128.6, 128.9, 130.5, 132.9, 133.4, 133.8, 140.6, 145.0, 157.6; 11 B-NMR (CDCl 3 ): Δ-1.8;

(実施例1−7)
アルゴン雰囲気下、2−フェニルピリミジン(78mg、0.50mmol)を含むジクロロメタン溶液(0.5ml)に、0℃で三臭化ホウ素(1.0M、2.0ml、2.0mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、飽和炭酸ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式(23);
(Example 1-7)
Under an argon atmosphere, boron tribromide (1.0 M, 2.0 ml, 2.0 mmol) was added at 0 ° C. to a dichloromethane solution (0.5 ml) containing 2-phenylpyrimidine (78 mg, 0.50 mmol) at room temperature. For 1 hour. The reaction solution was cooled to 0 ° C., a saturated aqueous sodium carbonate solution was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (23);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体7(148mg、0.45mmol)を収率91%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.49(td, J=7.6, 1.1Hz, 1H), 7.56(dd, J=5.7, 4.8Hz, 1H), 7.67(td, J=7.4, 1.1Hz, 1H), 7.89(d, J=7.5Hz, 1H), 8.10(dt, J=7.5, 0.9Hz, 1H), 9.10−9.14(m, 2H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ119.1, 124.3, 129.1, 130.3, 132.4, 134.9, 151.2, 163.6, 164.1; 11B−NMR(CDCl) : δ−2.4 ; HRMS(FAB)C10BBr(M) : 理論値 323.9069、実測値 323.9073
The boron complex 7 represented by the formula (148 mg, 0.45 mmol) was obtained in a yield of 91%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.49 (td, J = 7.6, 1.1 Hz, 1H), 7.56 (dd, J = 5.7, 4.8 Hz, 1H), 7.67 (Td, J = 7.4, 1.1 Hz, 1H), 7.89 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.10 (dt, J = 7.5, 0.9 Hz, 1H), 9.10-9.14 (m, 2H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 119.1, 124.3, 129.1, 130.3, 132.4, 134.9, 151.2, 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ-2.4; HRMS (FAB) C 10 H 7 BBr 2 N 2 (M + ): Theoretical value 323.9069, measured value 323. 9073

(実施例1−8)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ピリジル)ベンゾチオフェン(105mg、0.50mmol)を含むジクロロメタン溶液(0.5ml)に、0℃で三臭化ホウ素(1.0M、0.60ml、0.60mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、飽和炭酸ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式(24);
(Example 1-8)
Under argon atmosphere, boron tribromide (1.0 M, 0.60 ml, 0.60 mmol) was added to a dichloromethane solution (0.5 ml) containing 2- (2-pyridyl) benzothiophene (105 mg, 0.50 mmol) at 0 ° C. ) And stirred at room temperature for 1 hour. The reaction solution was cooled to 0 ° C., a saturated aqueous sodium carbonate solution was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (24);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体8(93mg、0.24mmol)を収率49%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.41−7.52(m, 3H), 7.59(d, J=8.1Hz, 1H), 7.89(dd, J=7.4, 1.4Hz, 1H), 8.09(td, J=7.8, 1.5Hz, 1H), 8.20−8.22(m, 1H), 8.90(d, J=5.7Hz, 1H) ; 11B−NMR(CDCl) : δ−3.9 ; HRMS(FAB)C13BBrNS(M) : 理論値 378.8837、実測値 378.8838
The boron complex 8 represented by (93 mg, 0.24 mmol) was obtained with a yield of 49%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.41-7.52 (m, 3H), 7.59 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.89 (dd, J = 7.4, 1 .4 Hz, 1H), 8.09 (td, J = 7.8, 1.5 Hz, 1H), 8.20-8.22 (m, 1H), 8.90 (d, J = 5.7 Hz, 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ-3.9; HRMS (FAB) C 13 H 8 BBr 2 NS (M + ): Theoretical value 378.8837, Actual value 378.8838

(実施例1−9)
アルゴン雰囲気下、1,4−ジ(2−ピリジニル)ベンゼン(116mg、0.50mmol)を含むジクロロメタン溶液(0.5ml)に、エチルジイソプロピルアミン(129mg, 1.0mmol)0℃で三臭化ホウ素(1.0M、3.0ml、3.0mmol)を加え、室温で48時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、飽和炭酸カリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、水とクロロホルムで洗浄することにより、下記式(25);
(Example 1-9)
Boron tribromide in a dichloromethane solution (0.5 ml) containing 1,4-di (2-pyridinyl) benzene (116 mg, 0.50 mmol) at 0 ° C. in an argon atmosphere at 0 ° C. (1.0 M, 3.0 ml, 3.0 mmol) was added and stirred at room temperature for 48 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., saturated aqueous potassium carbonate solution was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with water and chloroform to obtain the following formula (25);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体9(210mg、0.37mmol)を収率73%で得た。 The boron complex 9 represented by the formula (210 mg, 0.37 mmol) was obtained in a yield of 73%.

(実施例2−1)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(32mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)に、トリメチルアルミニウム(1.1M、0.20ml、0.22mmol)を加え、室温で5分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=2:1)で精製することにより、下記式(26);
(Example 2-1)
Under an argon atmosphere, trimethylaluminum (1.1 M, 0.20 ml, 0.22 mmol) was added to a toluene solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (32 mg, 0.10 mmol), Stir at room temperature for 5 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and then purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 2: 1) to obtain the following formula (26);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体10(18mg、0.091mmol)を収率91%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.05(s, 6H), 7.26−7.38(m, 2H), 7.43(td, J=7.5, 0.9Hz, 1H), 7.65(d, J=7.2Hz, 1H), 7.84(d, J=7.5Hz, 1H), 7.93−7.99(m, 2H), 8.44(dt, J=5.7, 1.2Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ8.8, 117.7, 121.3, 121.5, 125.1, 129.1, 130.2, 135.0, 139.2, 142.1, 156.8 ; 11B−NMR(CDCl) : δ1.1 ; HRMS(EI)C1313BN([M−H]) : 理論値 194.1141、実測値 194.1136
この反応の反応式を図2に示す。
Boron complex 10 (18 mg, 0.091 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 91%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.05 (s, 6H), 7.26-7.38 (m, 2H), 7.43 (td, J = 7.5, 0.9 Hz, 1H), 7.65 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 7.84 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.93-7.99 (m, 2H), 8.44 (dt, J = 5.7, 1.2 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ8.8, 117.7, 121.3, 121.5, 125.1, 129.1, 130.2, 135 , 139.2, 142.1, 156.8; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ1.1; HRMS (EI) C 13 H 13 BN ([M−H] + ): Theoretical value 194. 1141, actually measured value 194.1136
The reaction formula of this reaction is shown in FIG.

(実施例2−2〜2−9)
表2に記載のように、有機金属試薬、溶媒、反応条件を変更した以外は、実施例2−1と同様に反応を行い、ホウ素錯体11〜18を得た。反応条件及び反応結果を表2に示す。
なお、表2中、有機金属試薬使用量は、基質として用いた2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジンの量を1モルとした時のモル数を表している。「full conversion」は、反応自体は完全に終了していることを表している。「s.m.remained」は、原料基質が残存していることを表している。「complex mixture」は、目的物は生成しているが、精製不可能な複雑な混合系となっていることを表している。
(Examples 2-2 to 2-9)
As shown in Table 2, the reaction was performed in the same manner as in Example 2-1 except that the organometallic reagent, the solvent, and the reaction conditions were changed, and boron complexes 11 to 18 were obtained. Reaction conditions and reaction results are shown in Table 2.
In Table 2, the amount of organometallic reagent used represents the number of moles when the amount of 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine used as a substrate is 1 mole. “Full conversion” indicates that the reaction itself is completely completed. “Sm.remained” indicates that the raw material substrate remains. “Complex mixture” indicates that the target product is generated, but is a complex mixed system that cannot be purified.

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(実施例2−10)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(32mg、0.10mmol)を含むジエチルエーテル溶液(1.0ml)に、リチウムアルミニウムヒドリド(8.0mg、0.21mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(27);
(Example 2-10)
Under an argon atmosphere, lithium aluminum hydride (8.0 mg, 0.21 mmol) was added to a diethyl ether solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (32 mg, 0.10 mmol), and at room temperature. Stir for 1 hour. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and then purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (27);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体19(13mg、0.080mmol)を収率80%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、35%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ2.8−4.0(br, 2H), 7.30−7.35(m, 2H), 7.46(t, J=7.4Hz, 1H), 7.80(d, J=7.2Hz, 1H), 7.87(d, J=7.8Hz, 1H), 7.93−8.00(m, 2H), 8.64(d, J=5.7Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ117.9, 120.7, 121.5, 125.2, 130.1, 130.2, 136.6, 139.1, 143.8, 158.4 ; 11B−NMR(CDCl) : δ−8.1 ; HRMS(EI)C10BN([M−H]) : 理論値 166.0828、実測値 166.0827
The boron complex 19 represented by (13 mg, 0.080 mmol) was obtained with a yield of 80%. The luminescence quantum yield in the solution was 35%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 2.8-4.0 (br, 2H), 7.30-7.35 (m, 2H), 7.46 (t, J = 7.4 Hz, 1H), 7.80 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 7.93-8.00 (m, 2H), 8.64 (d, J = 5.7 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 117.9, 120.7, 121.5, 125.2, 130.1, 130.2, 136.6, 139.1, 143 , 158.4; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ-8.1; HRMS (EI) C 10 H 9 BN ([M−H] + ): Theoretical value 166.0828, measured value 166. 0827

(実施例2−11)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(32mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)に、トリエチルアルミニウム(0.94M、0.22ml、0.20mmol)を加え、室温で5分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=3:2)で精製することにより、下記式(28);
(Example 2-11)
Triethylaluminum (0.94M, 0.22 ml, 0.20 mmol) was added to a toluene solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (32 mg, 0.10 mmol) under an argon atmosphere, Stir at room temperature for 5 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and then purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 3: 2) to obtain the following formula (28);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Etは、エチル基を表す。)で表されるホウ素錯体20(18mg、0.082mmol)を収率82%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.41−0.61(m, 8H), 0.69−0.85(m, 2H), 7.27−7.37(m, 2H), 7.42(td, J=7.3, 0.7Hz, 1H), 7.65(d, J=7.2Hz, 1H), 7.84(d, J=7.5Hz, 1H), 7.93−7.99(m, 2H), 8.36(dt, J=6.0, 1.2Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ9.9, 16.7, 117.5, 121.1, 121.2, 125.0, 129.6, 129.8, 136.1, 139.0, 141.9, 157.7; 11B−NMR(CDCl) : δ3.6 ; HRMS(EI)C1517BN([M−H]) : 理論値 222.1454、実測値 222.1450
Boron complex 20 (18 mg, 0.082 mmol) represented by the formula (wherein Et represents an ethyl group) was obtained in a yield of 82%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.41-0.61 (m, 8H), 0.69-0.85 (m, 2H), 7.27-7.37 (m, 2H), 7. 42 (td, J = 7.3, 0.7 Hz, 1H), 7.65 (d, J = 7.2 Hz, 1H), 7.84 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.93. −7.99 (m, 2H), 8.36 (dt, J = 6.0, 1.2 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ9.9, 16.7, 117.5, 121.1, 121.2, 125.0, 129.6, 129.8, 136.1, 139.0, 141.9, 157.7; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ3.6; HRMS (EI) C 15 H 17 BN ([M-H] +): theory 222.1454, found 222 1450

(実施例2−12)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(32mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)に、ジイソプロピル亜鉛(1.0M、0.11ml、0.11mmol)を加え、70℃で12時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(29);
(Example 2-12)
Under an argon atmosphere, diisopropyl zinc (1.0 M, 0.11 ml, 0.11 mmol) was added to a toluene solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (32 mg, 0.10 mmol), The mixture was stirred at 70 ° C. for 12 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (29);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Prは、イソプロピル基を表す。)で表されるホウ素錯体21(19mg、0.077mmol)を収率77%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.51(d, J=7.5Hz, 6H), 0.62(d, J=7.2Hz, 6H), 1.18(sept, J=7.2Hz, 2H), 7.25−7.41(m, 3H), 7.63(dt, J=7.2, 0.9Hz, 1H), 7.82(dt, J=7.8, 0.9Hz, 1H), 7.94−8.00(m, 2H), 8.36(dt, J=5.7, 1.6Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ19.3, 19.8, 117.4, 120.7, 121.0, 124.9, 129.7, 129.9, 136.6, 138.9, 142.3, 158.0 ; 11B−NMR(CDCl) : δ4.6 ; HRMS(FAB)C1723BN([M+H]) : 理論値 252.1924、実測値 252.1933
Boron complex 21 (19 mg, 0.077 mmol) represented by (wherein i Pr represents an isopropyl group) was obtained in a yield of 77%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.51 (d, J = 7.5 Hz, 6H), 0.62 (d, J = 7.2 Hz, 6H), 1.18 (sept, J = 7.2 Hz) , 2H), 7.25-7.41 (m, 3H), 7.63 (dt, J = 7.2, 0.9 Hz, 1H), 7.82 (dt, J = 7.8, 0.8). 9 Hz, 1H), 7.94-8.00 (m, 2H), 8.36 (dt, J = 5.7, 1.6 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 19.3. 19.8, 117.4, 120.7, 121.0, 124.9, 129.7, 129.9, 136.6, 138.9, 142.3, 158.0; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ 4.6; HRMS (FAB) C 17 H 23 BN ([M + H] + ): Theory Value 252.1924, measured value 252.1933

(実施例2−13)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(32mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)に、ジフェニル亜鉛(0.28M、0.75ml、0.21mmol)を加え、室温で12時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(30);
(Example 2-13)
Under an argon atmosphere, diphenylzinc (0.28M, 0.75 ml, 0.21 mmol) was added to a toluene solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (32 mg, 0.10 mmol), Stir at room temperature for 12 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and then purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (30);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Phは、フェニル基を表す。)で表されるホウ素錯体22(31mg、0.098mmol)を収率98%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、28%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.14−7.24(m, 10H), 7.31−7.38(m, 2H), 7.44(t, J=7.4Hz, 1H), 7.74(d, J=6.9Hz, 1H), 7.87(d, J=7.5Hz, 1H), 8.02−8.04(m, 2H), 8.51(d, J=5.7Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ118.1, 121.6, 121.8, 125.6, 125.9, 127.4, 130.7, 131.2, 133.0, 135.8, 140.4, 144.0, 158.3 ; 11B−NMR(CDCl) : δ3.4 ; HRMS(EI)C2318BN(M) : 理論値 319.1532、実測値 319.1532
Boron complex 22 (31 mg, 0.098 mmol) represented by (wherein Ph represents a phenyl group) was obtained in a yield of 98%. Moreover, the light emission quantum yield in the solution was 28%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.14-7.24 (m, 10H), 7.31-7.38 (m, 2H), 7.44 (t, J = 7.4 Hz, 1H), 7.74 (d, J = 6.9 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.02-8.04 (m, 2H), 8.51 (d, J = 5.7 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 118.1, 121.6, 121.8, 125.6, 125.9, 127.4, 130.7, 131.2, 133 , 135.8, 140.4, 144.0, 158.3; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ3.4; HRMS (EI) C 23 H 18 BN (M + ): Theoretical value 319. 1532, measured value 319.1532

(実施例2−14)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(32mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)に、ジ(4−メトキシフェニル)亜鉛(0.13M、1.6ml、0.21mmol)を加え、70℃で12時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:2)で精製することにより、下記式(31);
(Example 2-14)
Under an argon atmosphere, di (4-methoxyphenyl) zinc (0.13M, 1.6 ml, 0 ml) was added to a toluene solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (32 mg, 0.10 mmol). .21 mmol) was added and stirred at 70 ° C. for 12 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and then purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 2) to obtain the following formula (31);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体23(34mg、0.090mmol)を収率90%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ3.76(s, 6H), 6.76−6.80(m, 4H), 7.13−7.17(m, 4H), 7.30−7.36(m, 2H), 7.44(td, J=7.2, 0.9Hz, 1H), 7.71(d, J=7.5Hz, 1H), 7.87(d, J=7.5Hz, 1H), 8.00−8.02(m, 2H), 8.47−8.50(m, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ54.9, 113.0, 118.0, 121.6, 121.8, 125.8, 130.7, 131.2, 134.1, 135.7, 140.3, 144.0, 157.9, 158.2 ; 11B−NMR(CDCl) : δ3.8 ; HRMS(EI)C2522BNO(M) : 理論値 379.1744、実測値 379.1734
Boron complex 23 (34 mg, 0.090 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 90%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 3.76 (s, 6H), 6.76-6.80 (m, 4H), 7.13-7.17 (m, 4H), 7.30-7. 36 (m, 2H), 7.44 (td, J = 7.2, 0.9 Hz, 1H), 7.71 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 7 .5 Hz, 1H), 8.00-8.02 (m, 2H), 8.47-8.50 (m, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 54.9, 113.0, 118 0.0, 121.6, 121.8, 125.8, 130.7, 131.2, 134.1, 135.7, 140.3, 144.0, 157.9, 158.2; 11 B- NMR (CDCl 3): δ3.8; HRMS (EI) C 25 H 22 BNO 2 (M +): theory 379.1744, found 379.1734

(実施例2−15)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(32mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)に、ビス(4−トリフルオロメチルフェニル)亜鉛(0.26M、0.80ml、0.21mmol)を加え、室温で30分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(32);
(Example 2-15)
Under an argon atmosphere, bis (4-trifluoromethylphenyl) zinc (0.26M, 0.80 ml) was added to a toluene solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (32 mg, 0.10 mmol). 0.21 mmol) and stirred at room temperature for 30 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and then purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (32);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体24(41mg、0.090mmol)を収率90%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、36%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.26−7.29(m, 4H), 7.36−7.50(m, 7H), 7.68(d, J=6.6Hz, 1H), 7.91(d, J=7.8Hz, 1H), 8.08−8.16(m, 2H), 8.43(d, J=6.0Hz, 1H) ; 11B−NMR(CDCl) : δ2.7 ; HRMS(EI)C2516BFN([M−H]) : 理論値 454.1202、実測値 454.1205
The boron complex 24 represented by the formula (41 mg, 0.090 mmol) was obtained with a yield of 90%. The luminescence quantum yield in the solution was 36%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.26-7.29 (m, 4H), 7.36-7.50 (m, 7H), 7.68 (d, J = 6.6 Hz, 1H), 7.91 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 8.08-8.16 (m, 2H), 8.43 (d, J = 6.0 Hz, 1H); 11 B-NMR (CDCl 3 ): Δ2.7; HRMS (EI) C 25 H 16 BF 6 N ([M−H] + ): Theoretical value 454.1202, measured value 454.1205

(実施例2−16)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(65mg、0.20mmol)を含むトルエン溶液(1.5ml)に、ビス(ペンタフルオロフェニル)亜鉛(88mg、0.22mmol)を加え、70℃で15時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(33);
(Example 2-16)
Under an argon atmosphere, bis (pentafluorophenyl) zinc (88 mg, 0.22 mmol) was added to a toluene solution (1.5 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyridine (65 mg, 0.20 mmol), and 70 Stir at 15 ° C. for 15 hours. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (33);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体25(89mg、0.089mmol)を収率89%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、58%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.37−7.49(m, 3H), 7.76(d, J=7.5Hz, 1H), 7.87(d, J=7.5Hz, 1H), 8.05(d, J=8.1Hz, 1H), 8.15(td, J=7.7, 1.3Hz, 1H), 8.59(d, J=5.7Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ118.5, 121.8, 122.4, 127.2, 130.3, 132.0, 135.1, 135.2−149.5(m), 142.3, 144.6, 159.0 ; 11B−NMR(CDCl) : δ−2.3 ; HRMS(EI)C23BF10N(M) : 理論値 499.0590、実測値 499.0583
A boron complex 25 represented by the formula (89 mg, 0.089 mmol) was obtained in a yield of 89%. The luminescence quantum yield in the solution was 58%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.37-7.49 (m, 3H), 7.76 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 7.5 Hz, 1H ), 8.05 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 8.15 (td, J = 7.7, 1.3 Hz, 1H), 8.59 (d, J = 5.7 Hz, 1H) 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 118.5, 121.8, 122.4, 127.2, 130.3, 132.0, 135.1, 135.2-149.5 (m), 142 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ-2.3; HRMS (EI) C 23 H 8 BF 10 N (M + ): Theoretical value 499.590, measured value 499.0583

(実施例2−17)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリル−4−メチルフェニル)ピリジン(136mg、0.40mmol)を含むトルエン溶液(4.0ml)に、トリメチルアルミニウム(1.4M、0.59ml、0.82mmol)を加え、室温で10分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(34);
(Example 2-17)
Under an argon atmosphere, trimethylaluminum (1.4 M, 0.59 ml, 0.82 mmol) was added to a toluene solution (4.0 ml) containing 2- (2-dibromoboryl-4-methylphenyl) pyridine (136 mg, 0.40 mmol). And stirred at room temperature for 10 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and then purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (34);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体26(83mg、0.40mmol)を収率99%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、49%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.04(s, 6H), 2.45(s, 3H), 7.10−7.12(m, 1H), 7.28−7.33(m, 1H), 7.46(s, 1H), 7.73(d, J=7.5Hz, 1H), 7.87−7.95(m, 2H), 8.40(d, J=5.7Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ9.0, 22.1, 117.4, 120.8, 121.4, 126.3, 129.8, 132.7, 139.1, 140.5, 142.1, 157.0 ; 11B−NMR(CDCl) : δ1.0 ; HRMS(EI)C1415BN([M−H]) : 理論値 208.1298、実測値 208.1290
Boron complex 26 (83 mg, 0.40 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 99%. The luminescence quantum yield in the solution was 49%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.04 (s, 6H), 2.45 (s, 3H), 7.10-7.12 (m, 1H), 7.28-7.33 (m, 1H), 7.46 (s, 1H), 7.73 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 7.87-7.95 (m, 2H), 8.40 (d, J = 5. 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 9.0, 22.1, 117.4, 120.8, 121.4, 126.3, 129.8, 132.7, 139.1, 7Hz, 1H); 140.5, 142.1, 157.0; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ1.0; HRMS (EI) C 14 H 15 BN ([M−H] + ): Theoretical value 208.1298, measured. Value 208.1290

(実施例2−18)
アルゴン雰囲気下、5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(170mg、0.35mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)とジクロロメタン(1.0ml)の混合溶媒に、トリメチルアルミニウム(1.4M, 0.53ml、0.74mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(35);
(Example 2-18)
In a mixed solvent of a toluene solution (1.0 ml) containing 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (170 mg, 0.35 mmol) and dichloromethane (1.0 ml) under an argon atmosphere, Trimethylaluminum (1.4M, 0.53 ml, 0.74 mmol) was added and stirred at room temperature for 1 hour. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (35);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体27(112mg、0.32mmol)を収率91%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.03(s, 6H), 7.41(dd, J=8.1, 1.5Hz, 1H), 7.66(d, J=8.4Hz, 1H), 7.73(d, J=2.1Hz, 1H), 7.80(d, J=8.4Hz, 1H), 8.08(dd, J=8.7, 2.1Hz, 1H), 8.49(d, J=2.1Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ8.7, 116.9, 118.7, 123.0, 126.7, 128.6, 132.3, 132.9, 142.4, 143.8, 154.9 ; 11B−NMR(CDCl) : δ1.9 ; HRMS(EI)C1311BBrN([M−H]) : 理論値 349.9351、実測値 349.9334
Boron complex 27 (112 mg, 0.32 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 91%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.03 (s, 6H), 7.41 (dd, J = 8.1, 1.5 Hz, 1H), 7.66 (d, J = 8.4 Hz, 1H) ), 7.73 (d, J = 2.1 Hz, 1H), 7.80 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 8.08 (dd, J = 8.7, 2.1 Hz, 1H) , 8.49 (d, J = 2.1 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ8.7, 116.9, 118.7, 123.0, 126.7, 128.6, 132 , 132.9, 142.4, 143.8, 154.9; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ1.9; HRMS (EI) C 13 H 11 BBr 2 N ([M−H] + ): Theoretical value 3499.9351, measured value 3499.9334

(実施例2−19)
アルゴン雰囲気下、5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(400mg、0.83mmol)を含むトルエン溶液(5.0ml)とジクロロメタン(5.0ml)の混合溶媒に、トリオクチルアルミニウム(1.4M、3.6ml、1.7mmol)を加え、室温で10分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=10:1)で精製することにより、下記式(36);
(Example 2-19)
Under a mixed atmosphere of a toluene solution (5.0 ml) containing 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (400 mg, 0.83 mmol) and dichloromethane (5.0 ml) under an argon atmosphere, Trioctylaluminum (1.4M, 3.6 ml, 1.7 mmol) was added and stirred at room temperature for 10 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by preparative thin layer chromatography (hexane: ethyl acetate = 10: 1) to obtain the following formula (36);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Octは、オクチル基を表す。)で表されるホウ素錯体28(400mg、0.73mmol)を収率88%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.45−1.24(m, 34H), 7.41(dd, J=8.4, 1.8Hz, 1H), 7.65(d, J=8.1Hz, 1H), 7.73(d, J=1.8Hz, 1H), 7.80(d, J=8.7Hz, 1H), 8.07(dd, J=8.7, 2.1Hz, 1H), 8.43(d, J=1.8Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ14.2, 22.7, 25.3, 26.2, 29.4, 29.6, 31.9, 33.6, 116.7, 118.5, 122.9, 126.4, 128.4, 132.6, 133.7, 142.1, 143.4, 155.5 ; 11B−NMR(CDCl) : δ3.8 ; HRMS(FAB)C2741BBrN([M+H]) : 理論値 548.1699、実測値 548.1694
Boron complex 28 (400 mg, 0.73 mmol) represented by the formula ( where n Oct represents an octyl group) was obtained in a yield of 88%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.45-1.24 (m, 34H), 7.41 (dd, J = 8.4, 1.8 Hz, 1H), 7.65 (d, J = 8 .1 Hz, 1H), 7.73 (d, J = 1.8 Hz, 1H), 7.80 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 8.07 (dd, J = 8.7, 1 Hz, 1H), 8.43 (d, J = 1.8 Hz, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ14.2, 22.7, 25.3, 26.2, 29.4, 29 .6, 31.9, 33.6, 116.7, 118.5, 122.9, 126.4, 128.4, 132.6, 133.7, 142.1, 143.4, 155.5 ; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ3.8; HRMS (FAB) C 27 H 41 BBr 2 N [M + H] +): theory 548.1699, found 548.1694

(実施例2−20)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)キノリン(120mg、0.32mmol)を含むトルエン溶液(2.0ml)に、トリメチルアルミニウム(1.4M、0.48ml、0.67mmol)を加え、室温で5分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(37);
(Example 2-20)
Under an argon atmosphere, trimethylaluminum (1.4 M, 0.48 ml, 0.67 mmol) was added to a toluene solution (2.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) quinoline (120 mg, 0.32 mmol), Stir at room temperature for 5 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (37);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体29(64mg、0.26mmol)を収率82%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.32(s, 6H), 7.35(td, J=7.2, 0.9Hz, 1H), 7.51(td, J=7.2, 0.9Hz, 1H), 7.61(t, J=7.4Hz, 1H), 7.74(dd, J=7.2, 0.9Hz, 1H), 7.86(ddd, J=8.4, 6.9, 1.5Hz, 1H), 7.92−7.98(m, 2H), 8.06(d, J=8.7Hz, 1H), 8.38(d, J=8.7Hz, 1H), 8.66(d, J=9.0Hz, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ9.3, 115.6, 122.3, 123.4, 125.2, 126.3, 127.6, 128.7, 128.8, 130.8, 131.3, 135.3, 140.3, 142.0, 157.7 ; 11B−NMR(CDCl) : δ2.5 ; HRMS(EI)C1715BN([M−H]) : 理論値 244.1298、実測値 244.1289
Boron complex 29 (64 mg, 0.26 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 82%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.32 (s, 6H), 7.35 (td, J = 7.2, 0.9 Hz, 1H), 7.51 (td, J = 7.2, 0 .9 Hz, 1H), 7.61 (t, J = 7.4 Hz, 1H), 7.74 (dd, J = 7.2, 0.9 Hz, 1H), 7.86 (ddd, J = 8. 4, 6.9, 1.5 Hz, 1H), 7.92-7.98 (m, 2H), 8.06 (d, J = 8.7 Hz, 1H), 8.38 (d, J = 8 .7 Hz, 1 H), 8.66 (d, J = 9.0 Hz, 1 H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 9.3, 115.6, 122.3, 123.4, 125.2 126.3, 127.6, 128.7, 128.8, 130.8, 131.3, 135.3, 140.3, 142. 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ2.5; HRMS (EI) C 17 H 15 BN ([M−H] + ): Theoretical value 244.1298, measured value 244.1289

(実施例2−21)
アルゴン雰囲気下、2−(2−ジブロモボリルフェニル)ピリミジン(33mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)に、トリメチルアルミニウム(1.1M、0.20ml、0.21mmol)を加え、室温で10分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(38);
(Example 2-21)
Under an argon atmosphere, trimethylaluminum (1.1 M, 0.20 ml, 0.21 mmol) was added to a toluene solution (1.0 ml) containing 2- (2-dibromoborylphenyl) pyrimidine (33 mg, 0.10 mmol), Stir at room temperature for 10 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (38);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体30(17mg、0.085mmol)を収率85%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.06(s, 6H), 7.31−7.38(m, 2H), 7.52(td, J=7.2, 1.2Hz, 1H), 7.65(d, J=7.5Hz, 1H), 8.17(dt, J=7.8, 0.9Hz, 1H), 8.63(dd, J=5.7, 2.1Hz, 1H), 8.98−9.00(m, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ8.2, 117.0, 123.8, 125.7, 129.0, 132.1, 134.1, 149.5, 160.3, 165.1 ; 11B−NMR(CDCl) : δ0.8 ; HRMS(EI)C1212BN([M−H]) : 理論値 195.1094、実測値 195.1103
Boron complex 30 (17 mg, 0.085 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 85%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.06 (s, 6H), 7.31-7.38 (m, 2H), 7.52 (td, J = 7.2, 1.2 Hz, 1H), 7.65 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.17 (dt, J = 7.8, 0.9 Hz, 1H), 8.63 (dd, J = 5.7, 2.1 Hz, 1H), 8.98-9.00 (m, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ8.2, 117.0, 123.8, 125.7, 129.0, 132.1, 134 , 149.5, 160.3, 165.1; 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ0.8; HRMS (EI) C 12 H 12 BN 2 ([M−H] + ): Theoretical value 195 1094, measured value 195.1103

(実施例2−22)
アルゴン雰囲気下、2−(3−ジブロモボリルベンゾチオフェニル)ピリジン(200mg、0.53mmol)を含むトルエン溶液(2.0ml)に、トリメチルアルミニウム(1.4M、0.79ml、0.21mmol)を加え、室温で5分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(39);
(Example 2-22)
Under an argon atmosphere, trimethylaluminum (1.4 M, 0.79 ml, 0.21 mmol) was added to a toluene solution (2.0 ml) containing 2- (3-dibromoborylbenzothiophenyl) pyridine (200 mg, 0.53 mmol). In addition, the mixture was stirred at room temperature for 5 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and purified by preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (39);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体31(99mg、0.47mmol)を収率89%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、57%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.15(s, 6H), 7.23−7.27(m, 1H), 7.34−7.43(m, 2H), 7.58−7.61(m, 1H), 7.88−7.94(m, 2H), 7.99−8.02(m, 1H), 8.40−8.42(m, 1H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ8.2, 117.6, 119.3, 123.3, 124.3, 125.6, 126.2, 132.7, 139.5, 140.5, 142.4, 146.0, 153.5 ; 11B−NMR(CDCl) : δ1.0 ; HRMS(EI)C1514BNS(M) : 理論値 251.0940、実測値 251.0936
Boron complex 31 (99 mg, 0.47 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 89%. Moreover, the light emission quantum yield in the solution was 57%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.15 (s, 6H), 7.23-7.27 (m, 1H), 7.34-7.43 (m, 2H), 7.58-7. 61 (m, 1H), 7.88-7.94 (m, 2H), 7.99-8.02 (m, 1H), 8.40-8.42 (m, 1H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ8.2, 117.6, 119.3, 123.3, 124.3, 125.6, 126.2, 132.7, 139.5, 140.5, 142.4, 146 11 B-NMR (CDCl 3 ): δ1.0; HRMS (EI) C 15 H 14 BNS (M + ): Theoretical value 251.0940, Found value 251.0936

(実施例2−23)
アルゴン雰囲気下、2,2’−(2,5−ビスジブロモボリル−1,4−フェニレン)ジピリジン(57mg、0.10mmol)を含むトルエン溶液(1.0ml)とジクロロメタン(1.0ml)の混合溶液に、トリメチルアルミニウム(1.4M、0.29ml、0.42mmol)を加え、室温で5分間攪拌した。反応溶液を0℃まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、生成した白色固体を濾取し、ヘキサンで洗浄することにより、下記式(40);
(Example 2-23)
Mixing a toluene solution (1.0 ml) containing 2,2 ′-(2,5-bisdibromoboryl-1,4-phenylene) dipyridine (57 mg, 0.10 mmol) and dichloromethane (1.0 ml) under an argon atmosphere To the solution was added trimethylaluminum (1.4M, 0.29 ml, 0.42 mmol) and stirred at room temperature for 5 minutes. The reaction solution was cooled to 0 ° C., water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. After concentrating the filtrate with a rotary evaporator, the produced white solid was collected by filtration and washed with hexane to obtain the following formula (40);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体32(22mg、0.71mmol)を収率71%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、46%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.09(s, 12H), 7.36(ddd, J=7.8, 6.0, 1.2Hz, 2H), 7.95−8.00(m, 2H), 8.09−8.11(m, 4H), 8.45(d, J=5.7Hz, 2H) ; 13C−NMR(CDCl) : δ9.4, 118.4, 121.3, 121.9, 137.7, 139.1, 142.2, 157.3 ; HRMS(EI)C2021([M−H]) : 理論値 311.1891、実測値 311.1881
Boron complex 32 (22 mg, 0.71 mmol) represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 71%. The luminescence quantum yield in the solution was 46%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.09 (s, 12H), 7.36 (ddd, J = 7.8, 6.0, 1.2 Hz, 2H), 7.95-8.00 (m , 2H), 8.09-8.11 (m, 4H), 8.45 (d, J = 5.7 Hz, 2H); 13 C-NMR (CDCl 3 ): δ 9.4, 118.4, 121 .3, 121.9, 137.7, 139.1, 142.2, 157.3; HRMS (EI) C 20 H 21 B 2 N 2 ([M−H] + ): Theoretical value 311.1891, Actual value 311.1881

(実施例2−24)
窒素雰囲気下、5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(5.8g、12mmol)を含むトルエン溶液(25ml)とジクロロメタン(25ml)の混合溶媒に、トリエチルアルミニウムのヘキサン溶液(1M、25ml、25.2mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(41);
(Example 2-24)
Under a nitrogen atmosphere, a mixed solvent of 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (5.8 g, 12 mmol) in toluene (25 ml) and dichloromethane (25 ml) was mixed with triethylaluminum in hexane. The solution (1M, 25 ml, 25.2 mmol) was added and stirred at room temperature for 1 hour. The reaction solution was added to ice water and extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over sodium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by silica gel chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (41);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体33(3.2g、8.4mmol)を収率70%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.42(t, 6H), 0.49−0.56(m, 2H), 0.72−0.80(m, 2H), 7.40−7.43(m, 1H), 7.66(d, J=8.0Hz, 1H), 7.74−7.75(m, 1H), 7.81(d, J=8.0Hz, 1H), 8.06−8.09(m, 1H), 8.41−8.42(m, 1H)
The boron complex 33 represented by (3.2 g, 8.4 mmol) was obtained with a yield of 70%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.42 (t, 6H), 0.49-0.56 (m, 2H), 0.72-0.80 (m, 2H), 7.40-7. 43 (m, 1H), 7.66 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.74-7.75 (m, 1H), 7.81 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.06-8.09 (m, 1H), 8.41-8.42 (m, 1H)

(実施例2−25)
窒素雰囲気下、5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(5.8g、12mmol)を含むトルエン溶液(25ml)とジクロロメタン(25ml)の混合溶媒に、トリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液(1M、25ml、25.2mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(42);
(Example 2-25)
Under a nitrogen atmosphere, a mixed solvent of a toluene solution (25 ml) containing 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (5.8 g, 12 mmol) and dichloromethane (25 ml) was mixed with triisobutylaluminum. Hexane solution (1M, 25 ml, 25.2 mmol) was added and stirred at room temperature for 1 hour. The reaction solution was added to ice water and extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over sodium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by silica gel chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (42);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体34(3.5g、8.0mmol)を収率67%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.34−0.36(m, 6H), 0.50−0.54(m, 8H), 0.54−0.97(m, 4H), 7.41−7.43(m, 1H), 7.66(d, J=8.0Hz, 1H), 7.76−7.81(m, 2H), 8.06−8.09(m, 1H), 8.48−8.49(m, 1H)
The boron complex 34 represented by (3.5 g, 8.0 mmol) was obtained in a yield of 67%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.34-0.36 (m, 6H), 0.50-0.54 (m, 8H), 0.54-0.97 (m, 4H), 41-7.43 (m, 1H), 7.66 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 7.76-7.81 (m, 2H), 8.06-8.09 (m, 1H) ), 8.48-8.49 (m, 1H)

(実施例2−26)
窒素雰囲気下、フェニルリチウムのジエチルエーテル溶液(1M、31ml、35.2mmol)を0℃まで冷却し、ここへ塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液(1M、17ml、17mmol)を攪拌しながら滴下していく。滴下終了後、室温で1時間攪拌する。そこへ5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(3.8g、8mmol)を含むトルエン溶液(80ml)を加え、80℃で15時間加熱攪拌した。室温まで冷却し、反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(43);
(Example 2-26)
Under a nitrogen atmosphere, a solution of phenyllithium in diethyl ether (1M, 31 ml, 35.2 mmol) is cooled to 0 ° C., and a solution of zinc chloride in diethyl ether (1M, 17 ml, 17 mmol) is added dropwise with stirring. After completion of dropping, the mixture is stirred at room temperature for 1 hour. Thereto was added a toluene solution (80 ml) containing 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (3.8 g, 8 mmol), and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 15 hours. After cooling to room temperature, the reaction solution was added to ice water and extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over sodium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by silica gel chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (43);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体35(2.2g、4.61mmol)を収率58%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.16−7.26(m, 10H), 7.45−7.48(m, 1H), 7.69−7.71(m, 1H), 7.81(d, J=2.0Hz, 1H), 7.90(d, J=8.0Hz, 1H), 8.15−8.18(m, 1H), 8.56(d, J=2.0Hz, 1H)
A boron complex 35 represented by the formula (2.2 g, 4.61 mmol) was obtained in a yield of 58%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.16-7.26 (m, 10H), 7.45-7.48 (m, 1H), 7.69-7.71 (m, 1H), 7. 81 (d, J = 2.0 Hz, 1H), 7.90 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.15-8.18 (m, 1H), 8.56 (d, J = 2 .0Hz, 1H)

(実施例2−27)
窒素雰囲気下、ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液(1M、61.2ml、70.4mmol)を0℃まで冷却し、ここへ塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液(1M、17ml、17mmol)を攪拌しながら滴下していく。滴下終了後、室温で1時間攪拌する。そこへ5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(3.8g、8mmol)を含むトルエン溶液(80ml)を加え、80℃で15時間加熱攪拌した。室温まで冷却し、反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(44);
(Example 2-27)
Under a nitrogen atmosphere, a solution of pentafluorophenyl magnesium bromide in diethyl ether (1M, 61.2 ml, 70.4 mmol) was cooled to 0 ° C., and a solution of zinc chloride in diethyl ether (1 M, 17 ml, 17 mmol) was stirred. Dripping. After completion of dropping, the mixture is stirred at room temperature for 1 hour. Thereto was added a toluene solution (80 ml) containing 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (3.8 g, 8 mmol), and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 15 hours. After cooling to room temperature, the reaction solution was added to ice water and extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over sodium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by silica gel chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (44);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体36(2.2g、4.61mmol)を収率58%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.16−7.26(m, 10H), 7.45−7.48(m, 1H), 7.69−7.71(m, 1H), 7.81(d, J=2.0Hz, 1H), 7.90(d, J=8.0Hz, 1H), 8.15−8.18(m, 1H), 8.56(d, J=2.0Hz, 1H)
The boron complex 36 represented by (2.2 g, 4.61 mmol) was obtained with a yield of 58%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.16-7.26 (m, 10H), 7.45-7.48 (m, 1H), 7.69-7.71 (m, 1H), 7. 81 (d, J = 2.0 Hz, 1H), 7.90 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.15-8.18 (m, 1H), 8.56 (d, J = 2 .0Hz, 1H)

(実施例2−28)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(159mg、0.3mmol)、trans−2−フェニルビニルボロン酸(945mg、6.4mmol)、ホウ素錯体27(1.1g、3.1mmol)にテトラヒドロフランを50ml加え、さらに水酸化ナトリウム750mgを13mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(45);
(Example 2-28)
Under nitrogen atmosphere, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (159 mg, 0.3 mmol), trans-2-phenylvinylboronic acid (945 mg, 6.4 mmol), boron complex 27 (1.1 g, 3.1 mmol) To the mixture, 50 ml of tetrahydrofuran was added, and an aqueous solution in which 750 mg of sodium hydroxide was dissolved in 13 ml of distilled water was added, and the mixture was stirred with heating at 70 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (45);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体37(1.1g、2.8mmol)を収率88%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、90%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.10−7.76(m, 15H), 7.78−7.82(m, 2H), 7.90(d, J=8.0Hz, 1H), 8.09−8.12(m, 1H), 8.47−8.48(m, 1H)
A boron complex 37 represented by the formula (1.1 g, 2.8 mmol) was obtained in a yield of 88%. Moreover, the light emission quantum yield in the solution was 90%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.10-7.76 (m, 15H), 7.78-7.82 (m, 2H), 7.90 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.09-8.12 (m, 1H), 8.47-8.48 (m, 1H)

(実施例2−29)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(204mg、0.4mmol)、trans−2−フェニルビニルボロン酸(1213mg、8.2mmol)、ホウ素錯体33(1.1g、4mmol)にテトラヒドロフランを60ml加え、さらに水酸化ナトリウム960mgを18mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(46);
(Example 2-29)
Under nitrogen atmosphere, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (204 mg, 0.4 mmol), trans-2-phenylvinylboronic acid (1213 mg, 8.2 mmol), boron complex 33 (1.1 g, 4 mmol) and tetrahydrofuran Was added, and an aqueous solution in which 960 mg of sodium hydroxide was dissolved in 18 ml of distilled water was added, and the mixture was heated and stirred at 70 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (46);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体38(1.5g、3.5mmol)を収率88%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、90%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.50(t, J=8.0Hz, 6H), 0.59−0.64(m, 2H), 0.82−0.88(m, 2H), 7.10−7.58(m, 15H), 7.78−7.82(m, 2H), 7.91(d, J=8.0Hz, 1H), 8.10−8.13(m, 1H), 8.38−8.39(m, 1H)
A boron complex 38 represented by the formula (1.5 g, 3.5 mmol) was obtained in a yield of 88%. Moreover, the light emission quantum yield in the solution was 90%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.50 (t, J = 8.0 Hz, 6H), 0.59-0.64 (m, 2H), 0.82-0.88 (m, 2H), 7.10-7.58 (m, 15H), 7.78-7.82 (m, 2H), 7.91 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.10-8.13 (m , 1H), 8.38-8.39 (m, 1H)

(実施例2−30)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(163mg、0.32mmol)、trans−2−フェニルビニルボロン酸(970mg、6.56mmol)、ホウ素錯体34(1.4g、3.2mmol)にテトラヒドロフランを50ml加え、さらに水酸化ナトリウム770mgを15mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(47);
(Example 2-30)
Under nitrogen atmosphere, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (163 mg, 0.32 mmol), trans-2-phenylvinylboronic acid (970 mg, 6.56 mmol), boron complex 34 (1.4 g, 3.2 mmol) To the mixture, 50 ml of tetrahydrofuran was added, and an aqueous solution in which 770 mg of sodium hydroxide was dissolved in 15 ml of distilled water was added, and the mixture was stirred with heating at 70 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (47);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体39(1.3g、2.7mmol)を収率84%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、89%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.38(d, J=8.0Hz, 6H), 0.56−0.64(m, 8H), 0.90−0.95(m, 2H), 1.04−1.55(m, 2H), 7.16−7.59(m, 15H), 7.77−7.82(m, 2H), 7.90(d, J=8.0Hz, 1H), 8.10−8.11(m, 1H), 8.44−8.45(m, 1H)
A boron complex 39 represented by the formula (1.3 g, 2.7 mmol) was obtained in a yield of 84%. The luminescence quantum yield in the solution was 89%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.38 (d, J = 8.0 Hz, 6H), 0.56-0.64 (m, 8H), 0.90-0.95 (m, 2H), 1.04-1.55 (m, 2H), 7.16-7.59 (m, 15H), 7.77-7.82 (m, 2H), 7.90 (d, J = 8.0 Hz) , 1H), 8.10-8.11 (m, 1H), 8.44-8.45 (m, 1H)

(実施例2−31)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(102mg、0.2mmol)、trans−2−フェニルビニルボロン酸(607mg、4.1mmol)、ホウ素錯体35(954mg、2mmol)にテトラヒドロフランを30ml加え、さらに水酸化ナトリウム480mgを8mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(48);
(Example 2-31)
Under a nitrogen atmosphere, 30 ml of tetrahydrofuran was added to bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (102 mg, 0.2 mmol), trans-2-phenylvinylboronic acid (607 mg, 4.1 mmol), boron complex 35 (954 mg, 2 mmol). Furthermore, an aqueous solution in which 480 mg of sodium hydroxide was dissolved in 8 ml of distilled water was added, and the mixture was heated and stirred at 70 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (48);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体40(800mg、1.53mmol)を収率77%で得た。
また、その溶液中での発光量子収率は、79%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ6.99−7.52(m, 20H), 7.83−7.85(m, 2H), 7.98(d, J=8.0Hz, 1H), 8.18−8.20(m, 1H), 8.50−8.51(m, 1H)
The boron complex 40 represented by (800 mg, 1.53 mmol) was obtained with a yield of 77%.
The luminescence quantum yield in the solution was 79%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 6.9-7.52 (m, 20H), 7.83-7.85 (m, 2H), 7.98 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.18-8.20 (m, 1H), 8.50-8.51 (m, 1H)

(実施例2−32)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(204mg、0.4mmol)、下記式(49);
(Example 2-32)
Under a nitrogen atmosphere, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (204 mg, 0.4 mmol), the following formula (49);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるボロン酸エステル(3g、8.2mmol)、ホウ素錯体27(1.4g、4mmol)にテトラヒドロフランを60ml加え、さらに水酸化ナトリウム960mgを16mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(50); 60 ml of tetrahydrofuran was added to boronic acid ester (3 g, 8.2 mmol) and boron complex 27 (1.4 g, 4 mmol), and an aqueous solution obtained by dissolving 960 mg of sodium hydroxide in 16 ml of distilled water was added. The mixture was heated and stirred at 3 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (50);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体41(2.3g、3.4mmol)を収率85%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、92%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.30−7.36(m, 4H), 7.43−7.53(m, 8H), 7.66−7.69(m, 3H), 7.78−7.80(m, 2H), 7.90−7.92(m, 2H), 7.96−8.03(m, 4H), 8.11−8.20(m, 5H), 8.28−8.31(m, 1H), 8.77−8.78(m, 1H)
The boron complex 41 represented by (2.3 g, 3.4 mmol) was obtained with a yield of 85%. The luminescence quantum yield in the solution was 92%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.30-7.36 (m, 4H), 7.43-7.53 (m, 8H), 7.66-7.69 (m, 3H), 7. 78-7.80 (m, 2H), 7.90-7.92 (m, 2H), 7.96-8.03 (m, 4H), 8.11-8.20 (m, 5H), 8.28-8.31 (m, 1H), 8.77-8.78 (m, 1H)

(実施例2−33)
窒素雰囲気下、塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液(1M、11.9ml、11.9mmol)を0℃まで冷却し、ここへ4−プロピルフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン(THF)溶液(0.5M、49.9ml、24.9mmol)を攪拌しながら滴下していく。室温で1時間攪拌後、トルエン(30ml)で希釈し、そこへ5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(3.3g、6.9mmol)を一度に加えた。80℃で15時間加熱攪拌後、室温まで冷却し、水を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(51);
(Example 2-33)
In a nitrogen atmosphere, a solution of zinc chloride in diethyl ether (1M, 11.9 ml, 11.9 mmol) was cooled to 0 ° C., and 4-propylphenylmagnesium bromide in tetrahydrofuran (THF) (0.5 M, 49.9 ml) was added thereto. , 24.9 mmol) is added dropwise with stirring. After stirring at room temperature for 1 hour, it was diluted with toluene (30 ml), and 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (3.3 g, 6.9 mmol) was added thereto in one portion. After stirring with heating at 80 ° C. for 15 hours, the mixture was cooled to room temperature, water was added, and the mixture was extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by silica gel chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1) to obtain the following formula (51);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体42(350mg、0.62mmol)を収率9%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.94(t, J=7.2Hz, 6H),1.62(sec, J=7.6Hz, 4H),2.53(t、 J=7.8Hz, 4H),7.03−7.09(m, 8H),7.45(dd, J=8.2, 1.8Hz, 1H),7.69(d、 J=7.8Hz, 1H),7.86(d, J=2.0Hz, 1H),7.87(dd, J=8.8, 0.8Hz),8.13(dd, J=8.8, 2.0Hz, 1H)
The boron complex 42 represented by (350 mg, 0.62 mmol) was obtained in a yield of 9%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.94 (t, J = 7.2 Hz, 6H), 1.62 (sec, J = 7.6 Hz, 4H), 2.53 (t, J = 7.8 Hz) 4H), 7.03-7.09 (m, 8H), 7.45 (dd, J = 8.2, 1.8 Hz, 1H), 7.69 (d, J = 7.8 Hz, 1H) , 7.86 (d, J = 2.0 Hz, 1H), 7.87 (dd, J = 8.8, 0.8 Hz), 8.13 (dd, J = 8.8, 2.0 Hz, 1H) )

(実施例2−34)
4−ヨード−2−フルオロブロモベンゼン(8.0g、26.6mmol)、ビスピナコラトジボロン(5.1g、39.9mmol)、ヨウ化銅(0.51g、2.7mmol)を含むTHF(106ml)溶液に窒素をフローしながら水素化ナトリウム(0.96g、39.9mmol)を室温で一度に加えた。この反応溶液を窒素雰囲気下、室温で12時間攪拌した後、氷冷しながら飽和塩化アンモニウム水溶液で反応を停止させた。酢酸エチルで抽出、有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥したものを濾過しロータリーエバポレーターで濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル:ヘキサン=1:10)で精製し、5.1gの2−フルオロ−4−ブロモフェニルピナコラトボランを得た。これと、2−ブロモピリジン(5.1g、21.4mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(740mg、0.64mmol)をトルエン(93ml)、エタノール(23ml)に溶解させ、炭酸ナトリウム(4.8g、44.9mmol)をHO(23ml)に溶解させた水溶液を加えて100℃で24時間加熱しながら攪拌した。反応溶液を酢酸エチルで希釈し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥、濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー精製することにより2−(2−フルオロ−4−ブロモフェニル)−5−ブロモピリジン(4.3g、12.8mmol)を収率85%で得た。
次に2−(2−フルオロ−4−ブロモフェニル)−5−ブロモピリジン(1.0g、4.3mmol)、ジイソプロピルエチルアミン(0.74ml、4.3mmol)を1,2−ジクロロエタン(43ml)に溶解させ、−20℃に冷却しながら三臭化ホウ素のジクロロメタン溶液(1.0M、12.8ml、12.8mmol)をゆっくり滴下した。この反応溶液を1時間室温で攪拌した後、70℃で12時間加熱攪拌した。水を加えて反応を停止させた後、ジクロロメタンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥し濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮し、得られた固体をヘキサンで洗浄することにより1.1gの2−(2−ジブロモボリル−4−ブロモ−6−フルオロフェニル)−5−ブロモピリジン(2.2mmol)を得た。これをトルエンに溶解させ、25質量%トリオクチルアルミニウムのヘキサン溶液(10.1ml、4.8mmol)を室温で加え3時間攪拌した。水を加えて反応を停止させた後、ジクロロメタンで抽出、飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過した。濾液を濃縮し得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:クロロホルム=2:1)で精製することにより、下記式(52);
(Example 2-34)
THF containing 4-iodo-2-fluorobromobenzene (8.0 g, 26.6 mmol), bispinacolatodiboron (5.1 g, 39.9 mmol), copper iodide (0.51 g, 2.7 mmol) ( 106 ml) Sodium hydride (0.96 g, 39.9 mmol) was added in one portion at room temperature with nitrogen flowing through the solution. The reaction solution was stirred at room temperature for 12 hours under a nitrogen atmosphere, and then the reaction was stopped with a saturated aqueous ammonium chloride solution while cooling with ice. The mixture was extracted with ethyl acetate, the organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate, filtered, and concentrated on a rotary evaporator. The residue was purified by column chromatography (ethyl acetate: hexane = 1: 10) to obtain 5.1 g of 2-fluoro-4-bromophenylpinacolatoborane. This, 2-bromopyridine (5.1 g, 21.4 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (740 mg, 0.64 mmol) were dissolved in toluene (93 ml) and ethanol (23 ml), and sodium carbonate (4.8 g, An aqueous solution in which 44.9 mmol) was dissolved in H 2 O (23 ml) was added and stirred while heating at 100 ° C. for 24 hours. The reaction solution was diluted with ethyl acetate, washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate, and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator, and the residue was purified by silica gel column chromatography to give 2- (2-fluoro-4-bromophenyl) -5-bromopyridine (4.3 g, 12.8 mmol) in a yield of 85%. Obtained.
Next, 2- (2-fluoro-4-bromophenyl) -5-bromopyridine (1.0 g, 4.3 mmol) and diisopropylethylamine (0.74 ml, 4.3 mmol) were added to 1,2-dichloroethane (43 ml). Dissolve and slowly add dropwise a solution of boron tribromide in dichloromethane (1.0 M, 12.8 ml, 12.8 mmol) while cooling to −20 ° C. The reaction solution was stirred for 1 hour at room temperature and then heated and stirred at 70 ° C. for 12 hours. The reaction was stopped by adding water, followed by extraction with dichloromethane. The organic layer was washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator, and the resulting solid was washed with hexane to obtain 1.1 g of 2- (2-dibromoboryl-4-bromo-6-fluorophenyl) -5-bromopyridine (2.2 mmol). Obtained. This was dissolved in toluene, a hexane solution of 25% by mass trioctylaluminum (10.1 ml, 4.8 mmol) was added at room temperature, and the mixture was stirred for 3 hours. Water was added to stop the reaction, followed by extraction with dichloromethane, washing with saturated brine, drying over magnesium sulfate, and filtration. The residue obtained by concentrating the filtrate was purified by silica gel column chromatography (hexane: chloroform = 2: 1) to obtain the following formula (52);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、17は、n−オクチル基を表す。)で表される2−(2−オクチルボリル−4−ブロモ−6−フルオロフェニル)−5−ブロモピリジン(ホウ素錯体43;0.50g、8.8mmol)を収率40%で得た。
この反応の反応式を図3に示す。
また、得られたホウ素錯体43の物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.47−0.62(m, 4H),0.71−0.77(m, 4H),0.84(t、 J=7.0Hz, 6H),1.10−1.25(m, 20H),7.12(dd、 J=10.2, 0.9Hz, 1H),7.49(d, J=1.2Hz, 1H),8.04(d, J=8.4Hz),8.10(dd, J=8.8, 2.0Hz, 1H),8.44(d, J=2.0Hz, 1H)
(Wherein n C 8 H 17 represents an n-octyl group) 2- (2-octylboryl-4-bromo-6-fluorophenyl) -5-bromopyridine (boron complex 43; 0 .50 g, 8.8 mmol) was obtained with a yield of 40%.
The reaction formula of this reaction is shown in FIG.
Moreover, the physical property value of the obtained boron complex 43 was as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.47-0.62 (m, 4H), 0.71-0.77 (m, 4H), 0.84 (t, J = 7.0 Hz, 6H), 1.10-1.25 (m, 20H), 7.12 (dd, J = 10.2, 0.9 Hz, 1H), 7.49 (d, J = 1.2 Hz, 1H), 8.04 (D, J = 8.4 Hz), 8.10 (dd, J = 8.8, 2.0 Hz, 1H), 8.44 (d, J = 2.0 Hz, 1H)

(実施例2−35)
窒素雰囲気下、ホウ素錯体28(54.9mg、0.10mmol)、フェニルボロン酸(24.4mg、0.20mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)(5.8mg、0.005mmol)、炭酸ナトリウム(21.2mg、0.20mmol)、トルエン1.0ml、水0.2mlの混合物を90℃で24時間加熱攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより2度抽出した。有機層を合わせて、水で1度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で1度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、シリカゲルクロマトグラフィーを用い単離精製し、下記式(53);
(Example 2-35)
Under a nitrogen atmosphere, boron complex 28 (54.9 mg, 0.10 mmol), phenylboronic acid (24.4 mg, 0.20 mmol), tetrakistriphenylphosphine palladium (0) (5.8 mg, 0.005 mmol), sodium carbonate (21.2 mg, 0.20 mmol), toluene 1.0 ml and water 0.2 ml were stirred at 90 ° C. for 24 hours. Water was added, the organic layer was separated using a separatory funnel, and the aqueous layer was extracted twice with ethyl acetate. The organic layers were combined and washed once with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution. The organic layer was dried with magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The crude product was isolated and purified using silica gel chromatography, and the following formula (53);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Octは、オクチル基を表す。)で表されるホウ素錯体44(44.8mg、0.082mmol)を収率82%で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.58−1.22(m, 34H),7.35−7.40(m, 1H),7.46−7.58(m, 6H),7.63−7.67(m, 2H),7.72−7.75(m,2H),7.87−7.93(m, 2H),8.01(d, J=8.4Hz, 1H),8.16(dd, J=8.3, 2.0Hz, 1H),8.59(d, J=2.1Hz, 1H)
A boron complex 44 (44.8 mg, 0.082 mmol) represented by the formula ( where n Oct represents an octyl group) was obtained in a yield of 82%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.58-1.22 (m, 34H), 7.35-7.40 (m, 1H), 7.46-7.58 (m, 6H), 7. 63-7.67 (m, 2H), 7.72-7.75 (m, 2H), 7.87-7.93 (m, 2H), 8.01 (d, J = 8.4 Hz, 1H ), 8.16 (dd, J = 8.3, 2.0 Hz, 1H), 8.59 (d, J = 2.1 Hz, 1H)

(実施例2−36)
窒素雰囲気下、ホウ素錯体28(27.5mg、0.050mmol)、ジフェニルアミン(25.4mg、0.15mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)−クロロホルム付加体(2.6mg、0.0025mmol)、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(4.1mg、0.02mmol)、ナトリウムtert−ブトキシド(48.1mg、0.50mmol)、トルエン1.5mlの混合物を100℃で24時間加熱攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより2度抽出した。有機層を合わせて、水で1度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で1度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、シリカゲルクロマトグラフィーを用い単離精製し、下記式(54);
(Example 2-36)
Under a nitrogen atmosphere, boron complex 28 (27.5 mg, 0.050 mmol), diphenylamine (25.4 mg, 0.15 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) -chloroform adduct (2.6 mg, 0.25 mmol). 0025 mmol), bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (4.1 mg, 0.02 mmol), sodium tert-butoxide (48.1 mg, 0.50 mmol), and 1.5 ml of toluene heated at 100 ° C. for 24 hours. Stir. Water was added, the organic layer was separated using a separatory funnel, and the aqueous layer was extracted twice with ethyl acetate. The organic layers were combined and washed once with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution. The organic layer was dried with magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The crude product was isolated and purified using silica gel chromatography, and the following formula (54);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Octは、オクチル基を表す。)で表されるホウ素錯体45(27.0mg、0.037mmol)を収率74%で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.31−1.32(m, 34H),6.91(dd, J=8.1, 2.1Hz, 1H),7.01−7.06(m, 2H),7.12−7.20(m, 11H),7.25−7.37(m, 10Hz),7.56−7.64(m, 1H),8.05(d, J=1.5Hz, 1H)
A boron complex 45 (27.0 mg, 0.037 mmol) represented by the formula ( where n Oct represents an octyl group) was obtained in a yield of 74%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.31-1.32 (m, 34H), 6.91 (dd, J = 8.1, 2.1 Hz, 1H), 7.01-7.06 (m , 2H), 7.12-7.20 (m, 11H), 7.25-7.37 (m, 10 Hz), 7.56-7.64 (m, 1H), 8.05 (d, J = 1.5Hz, 1H)

(実施例2−37)
窒素雰囲気下、ホウ素錯体28(54.9mg、0.1mmol)をテトラヒドロフラン0.5mlへ溶解させ−78℃に冷却する。ここへノルマルブチルリチウムヘキサン溶液(1.6M、135μl、0.21mmol)を滴下し1時間攪拌した。イソプロポキシピナコールボラン(74.4mg、0.40mmol)を加え、室温で12時間攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより2度抽出した。有機層を合わせて、水で1度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で1度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、リサイクル分取GPCを用い単離精製し、下記式(55);
(Example 2-37)
Under a nitrogen atmosphere, boron complex 28 (54.9 mg, 0.1 mmol) is dissolved in 0.5 ml of tetrahydrofuran and cooled to −78 ° C. A normal butyl lithium hexane solution (1.6 M, 135 μl, 0.21 mmol) was added dropwise thereto and stirred for 1 hour. Isopropoxy pinacol borane (74.4 mg, 0.40 mmol) was added and stirred at room temperature for 12 hours. Water was added, the organic layer was separated using a separatory funnel, and the aqueous layer was extracted twice with ethyl acetate. The organic layers were combined and washed once with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution. The organic layer was dried with magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The crude product is isolated and purified using recycled preparative GPC, and the following formula (55):

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Octは、オクチル基を表す。)で表されるホウ素錯体46(35.0mg、0.054mmol)を収率54%で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.54−1.22(m, 34H),1.38−1.39(m, 24H),7.74(dd, J=7.5, 1.2Hz, 1H),7.84(d, J=8.1Hz, 1H),7.94(d, J=8.1Hz, 1H),8.09(s, 1H),8.28(dd, J=7.8, 1.2Hz, 1H),8.67(s, 1H)
A boron complex 46 (35.0 mg, 0.054 mmol) represented by the formula ( where n Oct represents an octyl group) was obtained in a yield of 54%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.54-1.22 (m, 34H), 1.38-1.39 (m, 24H), 7.74 (dd, J = 7.5, 1.2 Hz) , 1H), 7.84 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.94 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 8.09 (s, 1H), 8.28 (dd, J = 7.8, 1.2 Hz, 1H), 8.67 (s, 1H)

(実施例2−38)
窒素雰囲気下、ホウ素錯体28(54.9mg、0.1mmol)をジエチルエーテル0.5mlへ溶解させ−78℃に冷却する。ここへノルマルブチルリチウムヘキサン溶液(1.6M、71μl、0.11mmol)を滴下し1時間攪拌した。イソプロポキシピナコールボラン(37.2mg、0.20mmol)を加え、室温で12時間攪拌した。水を加え、分液漏斗を用い有機層を分け、水層も酢酸エチルにより2度抽出した。有機層を合わせて、水で1度洗浄し、飽和塩化ナトリウム水溶液で1度洗浄した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥させ、溶媒を減圧留去した。粗生成物を、リサイクル分取GPCを用い単離精製し、下記式(56);
(Example 2-38)
Under nitrogen atmosphere, boron complex 28 (54.9 mg, 0.1 mmol) is dissolved in 0.5 ml of diethyl ether and cooled to −78 ° C. A normal butyl lithium hexane solution (1.6 M, 71 μl, 0.11 mmol) was added dropwise thereto and stirred for 1 hour. Isopropoxy pinacol borane (37.2 mg, 0.20 mmol) was added and stirred at room temperature for 12 hours. Water was added, the organic layer was separated using a separatory funnel, and the aqueous layer was extracted twice with ethyl acetate. The organic layers were combined and washed once with water and once with a saturated aqueous sodium chloride solution. The organic layer was dried with magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure. The crude product is isolated and purified using recycle preparative GPC, and the following formula (56):

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Octは、オクチル基を表す。)で表されるホウ素錯体47(38.4mg、0.064mmol)を収率64%で得た。
その物性値は以下のとおりであった。
H−NMR(CDCl) : δ0.48−1.33(m, 34H),1.39(s, 12H),7.40(dd, J=8.4, 1.5Hz, 1H),7.69(d, J=8.1Hz, 1H),7.76(d, J=1.5Hz, 1H),7.87(d, J=7.8Hz, 1H),8.29(d, J=7.8Hz, 1H),8.64(s, 1H)
Boron complex 47 (38.4 mg, 0.064 mmol) represented by the formula ( where n Oct represents an octyl group) was obtained in a yield of 64%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 0.48-1.33 (m, 34H), 1.39 (s, 12H), 7.40 (dd, J = 8.4, 1.5 Hz, 1H), 7.69 (d, J = 8.1 Hz, 1H), 7.76 (d, J = 1.5 Hz, 1H), 7.87 (d, J = 7.8 Hz, 1H), 8.29 (d , J = 7.8 Hz, 1H), 8.64 (s, 1H)

(実施例2−39)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(46.0mg、0.09mmol)、フェニルボロン酸(225mg、1.85mmol)、ホウ素錯体36(591.2mg、0.9mmol)にテトラヒドロフランを15ml加え、さらに水酸化ナトリウム216mgを4mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(57);
(Example 2-39)
Tetrahydrofuran was added to bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (46.0 mg, 0.09 mmol), phenylboronic acid (225 mg, 1.85 mmol), boron complex 36 (591.2 mg, 0.9 mmol) under a nitrogen atmosphere. 15 ml was added, and an aqueous solution in which 216 mg of sodium hydroxide was dissolved in 4 ml of distilled water was added, and the mixture was heated and stirred at 70 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (57);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体48(470mg、0.72mmol)を収率80%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、96%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.36−7.55(m, 8H), 7.63−7.66(m, 3H), 7.94−7.96(m, 2H), 8.10−8.13(m, 1H), 8.32−8.35(m, 1H), 8.73(s, 1H)
The boron complex 48 represented by (470 mg, 0.72 mmol) was obtained with a yield of 80%. The luminescence quantum yield in the solution was 96%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.36-7.55 (m, 8H), 7.63-7.66 (m, 3H), 7.94-7.96 (m, 2H), 8. 10-8.13 (m, 1H), 8.32-8.35 (m, 1H), 8.73 (s, 1H)

(実施例2−40)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(46.0mg、0.09mmol)、trans−2−フェニルビニルボロン酸(273mg、1.85mmol)、ホウ素錯体36(591.2mg、0.9mmol)にテトラヒドロフランを15ml加え、さらに水酸化ナトリウム216mgを4mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(58);
(Example 2-40)
Under a nitrogen atmosphere, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (46.0 mg, 0.09 mmol), trans-2-phenylvinylboronic acid (273 mg, 1.85 mmol), boron complex 36 (591.2 mg, 0.0. 9 mmol), 15 ml of tetrahydrofuran was added, an aqueous solution in which 216 mg of sodium hydroxide was dissolved in 4 ml of distilled water was added, and the mixture was stirred with heating at 70 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (58);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体49(552mg、0.78mmol)を収率87%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、70%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ7.03−7.29(m, 5H), 7.34−7.43(m, 5H), 7.53−7.59(m, 5H), 7.82(s, 1H), 7.84(s, 1H), 8.00(d,J=8.0 Hz, 1H), 8.29−8.31(m, 1H), 8.51(s, 1H)
A boron complex 49 represented by the formula (552 mg, 0.78 mmol) was obtained in a yield of 87%. Moreover, the light emission quantum yield in the solution was 70%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 7.03-7.29 (m, 5H), 7.34-7.43 (m, 5H), 7.53-7.59 (m, 5H), 7. 82 (s, 1H), 7.84 (s, 1H), 8.00 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 8.29-8.31 (m, 1H), 8.51 (s) , 1H)

(実施例2−41)
窒素雰囲気下、2−ブロモビフェニル(12.1g、52.2mmol)にジエチルエーテル250mlを加え、−78℃まで冷却する。ここへ、ノルマルブチルリチウムのヘキサン溶液(1.65M、32ml、52.8mmol)を滴下し1時間攪拌する。ここへ塩化亜鉛のジエチルエーテル溶液(1M、25.2ml、25.2mmol)を攪拌しながら滴下していく。ここへトルエン200mlを加え85℃に加熱し、ジエチルエーテルを完全に留去する。110℃に加熱し2時間攪拌し、そこへ5−ブロモ−2−(4−ブロモ−2−ジブロモボリルフェニル)ピリジン(5.8g、12mmol)を加え、110℃で96時間加熱攪拌した。室温まで冷却し、反応溶液を氷水に加え、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させ濾過した。濾液をロータリーエバポレーターで濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、下記式(59);
(Example 2-41)
Under a nitrogen atmosphere, 250 ml of diethyl ether is added to 2-bromobiphenyl (12.1 g, 52.2 mmol) and cooled to -78 ° C. A hexane solution of normal butyl lithium (1.65 M, 32 ml, 52.8 mmol) is added dropwise thereto and stirred for 1 hour. A solution of zinc chloride in diethyl ether (1M, 25.2 ml, 25.2 mmol) is added dropwise with stirring. 200 ml of toluene is added here and heated to 85 ° C., and diethyl ether is completely distilled off. The mixture was heated to 110 ° C. and stirred for 2 hours, 5-bromo-2- (4-bromo-2-dibromoborylphenyl) pyridine (5.8 g, 12 mmol) was added thereto, and the mixture was heated and stirred at 110 ° C. for 96 hours. After cooling to room temperature, the reaction solution was added to ice water and extracted with chloroform. The organic layer was washed with saturated brine, dried over sodium sulfate and filtered. The filtrate was concentrated with a rotary evaporator and purified by silica gel chromatography to obtain the following formula (59);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体50(2.5g、3.97mmol)を収率33%で得た。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ6.41(br, 4H),6.81−6.91(m, 8H), 7.16−7.24(m, 4H), 7.26−7.30(m, 3H), 7.44(d, J=1.2Hz, 1H), 7.55−7.57(m, 1H), 7.61−7.62(m, 1H), 7.65−7.68(m, 1H)
The boron complex 50 represented by the formula (2.5 g, 3.97 mmol) was obtained in a yield of 33%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 6.41 (br, 4H), 6.81-6.91 (m, 8H), 7.16-7.24 (m, 4H), 7.26-7. 30 (m, 3H), 7.44 (d, J = 1.2 Hz, 1H), 7.55-7.57 (m, 1H), 7.61-7.62 (m, 1H), 7. 65-7.68 (m, 1H)

(実施例2−42)
窒素雰囲気下、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(46.0mg、0.09mmol)、trans−2−フェニルビニルボロン酸(273.0mg、1.85mmol)、ホウ素錯体50(566.3mg、0.9mmol)にテトラヒドロフランを15ml加え、さらに水酸化ナトリウム216mgを4mlの蒸留水に溶解させた水溶液を加え、70℃で3時間加熱攪拌した。室温まで冷却してから溶媒を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、トルエンで再結晶することにより、下記式(60);
(Example 2-42)
Under a nitrogen atmosphere, bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (46.0 mg, 0.09 mmol), trans-2-phenylvinylboronic acid (273.0 mg, 1.85 mmol), boron complex 50 (566.3 mg, 0.9 mmol), 15 ml of tetrahydrofuran was added, and an aqueous solution in which 216 mg of sodium hydroxide was dissolved in 4 ml of distilled water was added, followed by heating and stirring at 70 ° C. for 3 hours. After cooling to room temperature, the solvent is concentrated, purified by silica gel chromatography (toluene), and recrystallized from toluene to give the following formula (60);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素錯体51(500mg、0.74mmol)を収率82%で得た。また、その溶液中での発光量子収率は、78%であった。
その物性値は以下の通りであった。
H−NMR(CDCl) : δ6.44−6.54(m, 4H), 6.74−6.93(m, 8H), 7.07(s, 2H), 7.16−7.20(m, 2H), 7.26−7.50(m, 17H), 7.54−7.56(m, 2H), 7.65−7.67(m, 2H), 7.74−7.77(m, 1H)
The boron complex 51 represented by (500 mg, 0.74 mmol) was obtained with a yield of 82%. Moreover, the light emission quantum yield in the solution was 78%.
The physical property values were as follows.
1 H-NMR (CDCl 3 ): δ 6.44-6.54 (m, 4H), 6.74-6.93 (m, 8H), 7.07 (s, 2H), 7.16-7. 20 (m, 2H), 7.26-7.50 (m, 17H), 7.54-7.56 (m, 2H), 7.65-7.67 (m, 2H), 7.74- 7.77 (m, 1H)

(実施例3)
アルゴン雰囲気下、2−フェニルピリジン(77.6mg,0.5mmol)にジクロロメタン0.5mlを加え溶解させ、ここへ0℃で三臭化ホウ素の1.0Mジクロロメタン溶液を0.5ml加え、室温で1時間攪拌した。ここへ1.07Mトリメチルアルミニウム溶液を935μl加えさらに室温で1時間攪拌した。0℃で水を加えクエンチし、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過した後に溶媒を減圧留去し、得られた混合物を分取薄層クロマトグラフィー(ヘキサン:ジクロロメタン=1:1)で精製することにより、下記式(61);
(Example 3)
Under an argon atmosphere, 0.5 ml of dichloromethane was dissolved in 2-phenylpyridine (77.6 mg, 0.5 mmol), and 0.5 ml of a 1.0 M solution of boron tribromide in dichloromethane was added thereto at 0 ° C. Stir for 1 hour. To this was added 935 μl of 1.07M trimethylaluminum solution, and the mixture was further stirred at room temperature for 1 hour. Quenched by adding water at 0 ° C., extracted with ethyl acetate. The organic layer was washed with a saturated aqueous sodium chloride solution, the organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The resulting mixture was subjected to preparative thin layer chromatography (hexane: dichloromethane = 1: 1). The following formula (61):

Figure 2011184430
Figure 2011184430

(式中、Meは、メチル基を表す。)で表されるホウ素錯体52を収率65%で得た。
この反応の反応式を図4に示す。
A boron complex 52 represented by the formula (wherein Me represents a methyl group) was obtained in a yield of 65%.
The reaction formula of this reaction is shown in FIG.

(実施例4−1)
下記式(62);
(Example 4-1)
Following formula (62);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるB8ジブロミド(137.3mg、0.25mmol)、下記式(63); B8 dibromide represented by (137.3 mg, 0.25 mmol), the following formula (63);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるF8ボロン酸ジエステル(140.3mg、0.251mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間撹拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(240.4mg、0.8mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間撹拌し、脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱撹拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(39.3mg、0.25mmol)を加え1時間撹拌し、さらにフェニルボロン酸(30.5mg、0.25mmol)を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分撹拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(64); F8 boronic acid diester (140.3 mg, 0.251 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) were dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under a nitrogen flow. To this was added an aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (240.4 mg, 0.8 mmol) in 0.75 ml of distilled water, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete deaeration. This was heated under reflux at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (39.3 mg, 0.25 mmol) was added for end-capping, and the mixture was stirred for 1 hour. Further, phenylboronic acid (30.5 mg, 0.25 mmol) was added. added. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (64);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8B8を得た。ホウ素含有重合体F8B8の重量平均分子量は、80000であった。また、溶液中での発光量子収率は、87%であった。 The boron containing polymer F8B8 represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8B8 was 80000. Moreover, the light emission quantum yield in a solution was 87%.

(実施例4−2)
式(62)で表されるB8ジブロミド(137.3mg、0.25mmol)、下記式(65);
(Example 4-2)
B8 dibromide represented by the formula (62) (137.3 mg, 0.25 mmol), the following formula (65);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるビチオフェンボロン酸ジエステル(147.4mg、0.251mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(240.4mg、0.8mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(39.3mg、0.25mmol)を加え1時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(30.5mg、0.25mmol)を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(66); Bithiophene boronic acid diester (147.4 mg, 0.251 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) represented by the formula (1) were dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under nitrogen flow. . An aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (240.4 mg, 0.8 mmol) in 0.75 ml of distilled water was added thereto, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete deaeration. This was heated and refluxed at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (39.3 mg, 0.25 mmol) was added for end-capping, and the mixture was stirred for 1 hour. Further, phenylboronic acid (30.5 mg, 0.25 mmol) was added. added. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (66):

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体B8T2を得た。ホウ素含有重合体B8T2の重量平均分子量は、40000であった。また、溶液中での発光量子収率は、29%であった。 The boron containing polymer B8T2 represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer B8T2 was 40000. Moreover, the light emission quantum yield in a solution was 29%.

(実施例4−3)
式(62)で表されるB8ジブロミド(137.3mg、0.25mmol)、下記式(67);
(Example 4-3)
B8 dibromide represented by the formula (62) (137.3 mg, 0.25 mmol), the following formula (67);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるボロン酸ジエステル(112.1mg、0.251mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(240.4mg、0.8mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(39.3mg、0.25mmol)を加え1時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(30.5mg、0.25mmol)を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(68); The boronic acid diester (112.1 mg, 0.251 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) represented by the formula (1) were dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under a nitrogen flow. An aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (240.4 mg, 0.8 mmol) in 0.75 ml of distilled water was added thereto, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete deaeration. This was heated and refluxed at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (39.3 mg, 0.25 mmol) was added for end-capping, and the mixture was stirred for 1 hour. Further, phenylboronic acid (30.5 mg, 0.25 mmol) was added. added. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (68);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体B8P6を得た。ホウ素含有重合体B8P6の重量平均分子量は、60000であった。また、溶液中での発光量子収率は、66%であった。 The boron containing polymer B8P6 represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer B8P6 was 60000. Moreover, the light emission quantum yield in a solution was 66%.

(実施例4−4)
式(62)で表されるB8ジブロミド(137.3mg、0.25mmol)、下記式(69);
(Example 4-4)
B8 dibromide (137.3 mg, 0.25 mmol) represented by the formula (62), the following formula (69);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるボロン酸ジエステル(124.4mg、0.251mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(240.4mg、0.8mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(39.3mg、0.25mmol)を加え1時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(30.5mg、0.25mmol)を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(70); The boronic acid diester (124.4 mg, 0.251 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) represented by formula (1) were dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under a nitrogen flow. An aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (240.4 mg, 0.8 mmol) in 0.75 ml of distilled water was added thereto, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete deaeration. This was heated and refluxed at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (39.3 mg, 0.25 mmol) was added for end-capping, and the mixture was stirred for 1 hour. Further, phenylboronic acid (30.5 mg, 0.25 mmol) was added. added. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (70);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体B8Czを得た。ホウ素含有重合体B8Czの重量平均分子量は、22000であった。また、溶液中での発光量子収率は、74%であった。 The boron containing polymer B8Cz represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer B8Cz was 22,000. Moreover, the light emission quantum yield in a solution was 74%.

(実施例4−5)
式(62)で表されるB8ジブロミド(137.3mg、0.25mmol)、下記式(71);
(Example 4-5)
B8 dibromide represented by the formula (62) (137.3 mg, 0.25 mmol), the following formula (71);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるボロン酸ジエステル(139.0mg、0.251mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(240.4mg、0.8mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(39.3mg、0.25mmol)を加え1時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(30.5mg、0.25mmol)を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(72); The boronic acid diester (139.0 mg, 0.251 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) represented by the formula (1) were dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under a nitrogen flow. An aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (240.4 mg, 0.8 mmol) in 0.75 ml of distilled water was added thereto, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete deaeration. This was heated and refluxed at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (39.3 mg, 0.25 mmol) was added for end-capping, and the mixture was stirred for 1 hour. Further, phenylboronic acid (30.5 mg, 0.25 mmol) was added. added. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (72);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体B8TPAを得た。ホウ素含有重合体B8TPAの重量平均分子量は、18000であった。また、溶液中での発光量子収率は、60%であった。 The boron containing polymer B8TPA represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer B8TPA was 18000. Moreover, the light emission quantum yield in a solution was 60%.

(実施例4−6)
式(62)で表されるB8ジブロミド(137.3mg、0.25mmol)、下記式(73);
(Example 4-6)
B8 dibromide represented by the formula (62) (137.3 mg, 0.25 mmol), the following formula (73);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるボロン酸ジエステル(227.3mg、0.251mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(240.4mg、0.8mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱攪拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(39.3mg、0.25mmol)を加え1時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(30.5mg、0.25mmol)を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(74); The boronic acid diester (227.3 mg, 0.251 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) represented by the formula were dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under a nitrogen flow. An aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (240.4 mg, 0.8 mmol) in 0.75 ml of distilled water was added thereto, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete deaeration. This was heated and refluxed at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (39.3 mg, 0.25 mmol) was added for end-capping, and the mixture was stirred for 1 hour. Further, phenylboronic acid (30.5 mg, 0.25 mmol) was added. added. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (74);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体B8FspiroTPAを得た。ホウ素含有重合体B8FspiroTPAの重量平均分子量は、5500であった。 A boron-containing polymer B8FspiroTPA represented by The weight average molecular weight of the boron-containing polymer B8FspiroTPA was 5500.

(実施例4−7)
式(62)で表されるB8ジブロミド(137.3mg、0.25mmol)、下記式(75);
(Example 4-7)
B8 dibromide represented by the formula (62) (137.3 mg, 0.25 mmol), the following formula (75);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるB8ジエステル(140.5mg、0.251mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間撹拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(240.4mg、0.8mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間撹拌し、脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱撹拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(39.3mg、0.25mmol)を加え1時間撹拌し、さらにフェニルボロン酸(30.5mg、0.25mmol)を加えた。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分撹拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(76); B8 diester (140.5 mg, 0.251 mmol) and tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) were dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under a nitrogen flow. To this was added an aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (240.4 mg, 0.8 mmol) in 0.75 ml of distilled water, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete deaeration. This was heated under reflux at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (39.3 mg, 0.25 mmol) was added for end-capping, and the mixture was stirred for 1 hour. Further, phenylboronic acid (30.5 mg, 0.25 mmol) was added. added. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (76);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体PB8を得た。ホウ素含有重合体PB8の重量平均分子量は、11000であった。また、溶液中での発光量子収率は、49%であった。 The boron containing polymer PB8 represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer PB8 was 11,000. Moreover, the light emission quantum yield in a solution was 49%.

(実施例4−8)
下記式(77);
(Example 4-8)
Following formula (77);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるBPhPrジブロミド(350mg、0.62mmol)、式(63)で表されるF8ボロン酸ジエステル(348mg、0.62mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(Pddba;14.3mg、0.016mmol)、トリシクロヘキシルホスフィン(17.5mg、0.062mmol)、炭酸セシウム(1.22g、3.74mmol)、純水(0.09ml)をTHF(9.3ml)に溶解させ、窒素雰囲気下65℃で48時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン(127mg、0.81mmol)を加え5時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(357mg、2.93mmol)を加え5時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(78); BPhPr dibromide (350 mg, 0.62 mmol), F8 boronic acid diester (348 mg, 0.62 mmol) represented by formula (63), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (Pd 2 dba 3 14.3 mg, 0.016 mmol), tricyclohexylphosphine (17.5 mg, 0.062 mmol), cesium carbonate (1.22 g, 3.74 mmol), pure water (0.09 ml) in THF (9.3 ml); The mixture was dissolved and heated and stirred at 65 ° C. for 48 hours under a nitrogen atmosphere. To end-clamp, bromobenzene (127 mg, 0.81 mmol) was added and stirred for 5 hours, and phenylboronic acid (357 mg, 2.93 mmol) was further added and stirred for 5 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, diluted with toluene, washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (78);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8BPhPrを得た。ホウ素含有重合体F8BPhPrの重量平均分子量は、10700であった。 The boron containing polymer F8BPhPr represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8BPhPr was 10700.

(実施例4−9)
下記式(79);
(Example 4-9)
Following formula (79);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるB8Fジブロミド(280mg、0.49mmol)、式(63)で表されるF8ボロン酸ジエステル(281mg、0.50mmol)をトルエン(3ml)とTHF(3ml)に溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で10分間攪拌した。ここへ、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド(商品名:Aliquat336、Aldrich社製;20mg)、25質量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(EtNOH)水溶液(0.83ml)と蒸留水(0.75ml)との混合水溶液を加え、アルゴン雰囲気下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(8.6mg、0.007mmol)を加えた後、115℃で還流させながら48時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン(101mg、0.64mmol)を加え5時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(283mg、2.32mmol)を加え5時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(80); B8F dibromide represented by formula (280 mg, 0.49 mmol) and F8 boronic acid diester represented by formula (63) (281 mg, 0.50 mmol) were dissolved in toluene (3 ml) and THF (3 ml), And stirred for 10 minutes at room temperature. Here, mixing of trioctylmethylammonium chloride (trade name: Aliquat 336, manufactured by Aldrich; 20 mg), 25% by mass tetraethylammonium hydroxide (Et 4 NOH) aqueous solution (0.83 ml) and distilled water (0.75 ml) An aqueous solution was added, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under an argon atmosphere to complete deaeration. Tetrakistriphenylphosphine palladium (8.6 mg, 0.007 mmol) was added thereto, followed by stirring with heating for 48 hours while refluxing at 115 ° C. To end-clamp, bromobenzene (101 mg, 0.64 mmol) was added and stirred for 5 hours, and phenylboronic acid (283 mg, 2.32 mmol) was further added and stirred for 5 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, diluted with toluene, washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (80);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8B8Fを得た。ホウ素含有重合体F8B8Fの重量平均分子量は、126000であった。 The boron containing polymer F8B8F represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8B8F was 126000.

(実施例4−10)
下記式(81);
(Example 4-10)
Following formula (81);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるBC6F5ジブロミド(337mg、0.51mmol)、式(63)で表されるF8ボロン酸ジエステル(292mg、0.52mmol)をトルエン(3ml)とTHF(3ml)に溶解させ、アルゴン雰囲気下、室温で10分間攪拌した。ここへ、Aliquat336(21mg)、25質量%EtNOH水溶液(0.86ml)と蒸留水(0.75ml)との混合水溶液を加え、アルゴン雰囲気下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(8.9mg、0.007mmol)を加えた後、115℃で還流させながら48時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン(105mg、0.67mmol)を加え5時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(294mg、2.41mmol)を加え5時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(82); BC6F5 dibromide represented by the formula (337 mg, 0.51 mmol) and F8 boronic acid diester represented by the formula (63) (292 mg, 0.52 mmol) were dissolved in toluene (3 ml) and THF (3 ml), And stirred for 10 minutes at room temperature. To this, a mixed aqueous solution of Aliquat 336 (21 mg), 25 mass% Et 4 NOH aqueous solution (0.86 ml) and distilled water (0.75 ml) was added, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes in an argon atmosphere to complete deaeration. I let you. Tetrakistriphenylphosphine palladium (8.9 mg, 0.007 mmol) was added thereto, and the mixture was heated and stirred for 48 hours while refluxing at 115 ° C. To end-clamp, bromobenzene (105 mg, 0.67 mmol) was added and stirred for 5 hours, and phenylboronic acid (294 mg, 2.41 mmol) was further added and stirred for 5 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, diluted with toluene, washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (82);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8BC6F5を得た。ホウ素含有重合体F8BC6F5の重量平均分子量は、126000であった。 The boron containing polymer F8BC6F5 represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8BC6F5 was 126000.

(実施例4−11)
式(62)で表されるB8ジブロミド(241mg、0.44mmol)、式(63)で表されるF8ボロン酸ジエステル(500mg、0.90mmol)、下記式(83);
(Example 4-11)
B8 dibromide represented by formula (62) (241 mg, 0.44 mmol), F8 boronic acid diester represented by formula (63) (500 mg, 0.90 mmol), the following formula (83);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表される4,7−ジブロモベンゾチアジアゾール(129mg、0.44mmol)をトルエン11mlに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム(1.02g、5.37mmol)を蒸留水3mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(10.3mg、0.009mmol)を加えた後、115℃で還流させながら48時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン(183mg、1.16mmol)を加え5時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(513mg、4.21mmol)を加え5時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(84); 4,7-dibromobenzothiadiazole (129 mg, 0.44 mmol) was dissolved in 11 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. To this was added an aqueous solution prepared by dissolving tetraethylammonium carbonate (1.02 g, 5.37 mmol) in 3 ml of distilled water, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes in a nitrogen atmosphere to complete deaeration. Tetrakistriphenylphosphine palladium (10.3 mg, 0.009 mmol) was added thereto, and then the mixture was heated and stirred for 48 hours while refluxing at 115 ° C. To end-capping, bromobenzene (183 mg, 1.16 mmol) was added and stirred for 5 hours, and phenylboronic acid (513 mg, 4.21 mmol) was further added and stirred for 5 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, diluted with toluene, washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (84);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8B8BTを得た。ホウ素含有重合体F8B8BTの重量平均分子量は、10800であった。 The boron containing polymer F8B8BT represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8B8BT was 10800.

(実施例4−12)
式(62)で表されるB8ジブロミド(290mg、0.71mmol)、式(63)で表されるF8ボロン酸ジエステル(500mg、0.90mmol)、下記式(85);
(Example 4-12)
B8 dibromide represented by formula (62) (290 mg, 0.71 mmol), F8 boronic acid diester represented by formula (63) (500 mg, 0.90 mmol), the following formula (85);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表される2,7−ジブロモジベンゾチオフェンジオキシド(131mg、0.35mmol)をトルエン11mlに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム(1.02g、5.37mmol)を蒸留水3mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(15.5mg、0.013mmol)を加えた後、115℃で還流させながら48時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン(183mg、1.16mmol)を加え5時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(513mg、4.21mmol)を加え5時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(86); 2,7-dibromodibenzothiophene dioxide (131 mg, 0.35 mmol) was dissolved in 11 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. To this was added an aqueous solution prepared by dissolving tetraethylammonium carbonate (1.02 g, 5.37 mmol) in 3 ml of distilled water, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes in a nitrogen atmosphere to complete deaeration. Tetrakistriphenylphosphine palladium (15.5 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 48 hours while refluxing at 115 ° C. To end-capping, bromobenzene (183 mg, 1.16 mmol) was added and stirred for 5 hours, and phenylboronic acid (513 mg, 4.21 mmol) was further added and stirred for 5 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, diluted with toluene, washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (86);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8B8DBThO2を得た。ホウ素含有重合体F8B8DBThO2の重量平均分子量は、8900であった。 The boron containing polymer F8B8DBThO2 represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8B8DBThO2 was 8900.

(実施例4−13)
式(62)で表されるB8ジブロミド(389mg、0.71mmol)、式(63)で表されるF8ボロン酸ジエステル(500mg、0.90mmol)、下記式(87);
(Example 4-13)
B8 dibromide represented by formula (62) (389 mg, 0.71 mmol), F8 boronic acid diester represented by formula (63) (500 mg, 0.90 mmol), the following formula (87);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるN,N−ビス(4−ジブロモフェニル)−4−イソブチルアニリン(65mg、0.14mmol)をトルエン11mlに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム(1.02g、5.37mmol)を蒸留水3mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(15.5mg、0.013mmol)を加えた後、115℃で還流させながら48時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン(183mg、1.16mmol)を加え5時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(513mg、4.21mmol)を加え5時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(88); N, N-bis (4-dibromophenyl) -4-isobutylaniline (65 mg, 0.14 mmol) was dissolved in 11 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. To this was added an aqueous solution prepared by dissolving tetraethylammonium carbonate (1.02 g, 5.37 mmol) in 3 ml of distilled water, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes in a nitrogen atmosphere to complete deaeration. Tetrakistriphenylphosphine palladium (15.5 mg, 0.013 mmol) was added thereto, followed by heating and stirring for 48 hours while refluxing at 115 ° C. To end-capping, bromobenzene (183 mg, 1.16 mmol) was added and stirred for 5 hours, and phenylboronic acid (513 mg, 4.21 mmol) was further added and stirred for 5 hours. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, diluted with toluene, washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (88);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8B8BTを得た。ホウ素含有重合体F8B8BTの重量平均分子量は、25400であった。 The boron containing polymer F8B8BT represented by these was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8B8BT was 25400.

(実施例4−14)
下記式(89);
(Example 4-14)
Following formula (89);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるB8ボロン酸ジエステル(161.6mg、0.251mmol)、下記式(90); B8 boronic acid diester (161.6 mg, 0.251 mmol) represented by the following formula (90);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるBTジブロミド(73.5mg、0.25mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で10分間攪拌した。ここへ、炭酸テトラエチルアンモニウム(240.4mg、0.75mmol)を蒸留水0.75mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素雰囲気下、室温でさらに20分間攪拌し脱気を完了させた。ここにテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(2.9mg、0.0025mmol)を加えた後、115℃で還流させながら18時間加熱攪拌した。末端封止のため、ブロモベンゼン(92mg、0.58mmol)を加え1時間攪拌し、さらにフェニルボロン酸(256mg、2.11mmol)を加え1時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエンで希釈した反応溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分攪拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(91); BT dibromide represented by (73.5 mg, 0.25 mmol) was dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. To this was added an aqueous solution prepared by dissolving tetraethylammonium carbonate (240.4 mg, 0.75 mmol) in 0.75 ml of distilled water, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes in a nitrogen atmosphere to complete deaeration. Tetrakistriphenylphosphine palladium (2.9 mg, 0.0025 mmol) was added thereto, followed by stirring with heating for 18 hours while refluxing at 115 ° C. To end-clamp, bromobenzene (92 mg, 0.58 mmol) was added and stirred for 1 hour, and further phenylboronic acid (256 mg, 2.11 mmol) was added and stirred for 1 hour. The reaction solution was allowed to cool to room temperature, diluted with toluene, washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (91);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体B8BTを得た。ホウ素含有重合体B8BTの重量平均分子量は、118000であった。 The boron-containing polymer B8BT represented by this was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer B8BT was 118000.

(実施例4−15)
式(59)で表されるホウ素錯体50(440.4mg、0.7mmol)、式(63)で表されるF8ボロン酸ジエステル(392.8mg、0.704mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(8.1mg、0.007mmol)をトルエン3mlに溶解させ、窒素フロー下、室温で10分間撹拌した。ここへ、炭酸アンモニウム塩(673.1mg、2.1mmol)を蒸留水2.1mlに溶解させて調製した水溶液を加え、窒素フロー下、室温でさらに20分間撹拌し、脱気を完了させた。これを115℃で17時間還流加熱撹拌し、末端封止のため、ブロモベンゼン(117.9mg、0.75mmol)を加え4時間撹拌し、さらにフェニルボロン酸(91.5mg、0.75mmol)を加え4時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエン溶液を塩酸で1回、純水で2回分液洗浄し、有機層を数ml程度まで濃縮した。濃縮液を300mlのメタノール中へ滴下させそのまま10分撹拌し、得られた沈殿を濾取した。同様の精製過程を合計3回繰り返し、固体を減圧乾燥させることで、下記式(92);
(Example 4-15)
Boron complex 50 represented by formula (59) (440.4 mg, 0.7 mmol), F8 boronic acid diester represented by formula (63) (392.8 mg, 0.704 mmol), tetrakistriphenylphosphine palladium (8 0.1 mg, 0.007 mmol) was dissolved in 3 ml of toluene and stirred at room temperature for 10 minutes under a nitrogen flow. To this was added an aqueous solution prepared by dissolving ammonium carbonate (673.1 mg, 2.1 mmol) in 2.1 ml of distilled water, and the mixture was further stirred at room temperature for 20 minutes under a nitrogen flow to complete degassing. This was heated under reflux at 115 ° C. for 17 hours, and bromobenzene (117.9 mg, 0.75 mmol) was added for end-capping, followed by stirring for 4 hours. Further, phenylboronic acid (91.5 mg, 0.75 mmol) was added. The mixture was further stirred for 4 hours. The solution was allowed to cool to room temperature, and the toluene solution was separated and washed once with hydrochloric acid and twice with pure water, and the organic layer was concentrated to about several ml. The concentrated solution was dropped into 300 ml of methanol and stirred for 10 minutes as it was, and the resulting precipitate was collected by filtration. By repeating the same purification process three times in total and drying the solid under reduced pressure, the following formula (92);

Figure 2011184430
Figure 2011184430

で表されるホウ素含有重合体F8BBPhを得た。ホウ素含有重合体F8BBPhの重量平均分子量は、120000であった。 The boron containing polymer F8BBPh represented by this was obtained. The weight average molecular weight of the boron-containing polymer F8BBPh was 120,000.

(実施例5)
[1] まず、市販されている平均厚さ2.3mmのFTO付き透明ガラス基板を用意した。
[2] 次に、FTO電極(陰極)を亜鉛粉末と4N塩酸によりエッチングし、パターン形成を行った。
[3] 次に、該FTO電極上に、スプレイ熱分解法により、平均厚さ100nmの酸化チタン(TiO)層(電子注入性金属酸化物層)を形成した。具体的には、ジャーナル・オブ・ヨーロピアン・セラミック・ソサイエティ(Journal of European Ceramic Society)、1999年、第19巻、p.903又はセラミック・トランスアクションズ(Ceramic Transactions)、2000年、第109巻、p.473等を参照して、ジイソプロポキシ・ビスアセチルアセトナトチタニウム溶液とエタノールを質量比1:10で混合し、450℃で加熱された上記[2]記載のFTO基板上にスプレイ塗布した。
[4] 次に、実施例4−1で得られたホウ素含有重合体F8B8を0.5質量%でキシレンに溶解させ、上記TiO層(電子注入性金属酸化物層)上に、スピンコート法(2000rpm)により塗布した後、乾燥させた。なお、液状材料の乾燥条件は、大気下、室温とした。これにより発光層が得られた。
[5] 上記発光層上に、真空蒸着装置を用いて、平均厚さ10nmで酸化モリブテン(MoO)を蒸着し、正孔注入性金属酸化物層を作製した。
[6] 上記[5]の連続工程で、平均厚さ30nmで金(Au)(陽極)を蒸着し、素子を得た。該素子は、10V付近から青白い発光を確認することができた。
(Example 5)
[1] First, a commercially available transparent glass substrate with FTO having an average thickness of 2.3 mm was prepared.
[2] Next, the FTO electrode (cathode) was etched with zinc powder and 4N hydrochloric acid to form a pattern.
[3] Next, a titanium oxide (TiO 2 ) layer (electron-injecting metal oxide layer) having an average thickness of 100 nm was formed on the FTO electrode by spray pyrolysis. Specifically, Journal of European Ceramic Society, 1999, Vol. 19, p. 903 or Ceramic Transactions, 2000, 109, p. 473 etc., diisopropoxy / bisacetylacetonato titanium solution and ethanol were mixed at a mass ratio of 1:10 and spray-coated on the FTO substrate described in the above [2] heated at 450 ° C.
[4] Next, the boron-containing polymer F8B8 obtained in Example 4-1 was dissolved in xylene at 0.5% by mass, and spin-coated on the TiO 2 layer (electron-injecting metal oxide layer). After applying by the method (2000 rpm), it was dried. The drying condition of the liquid material was room temperature in the atmosphere. As a result, a light emitting layer was obtained.
[5] Molybdenum oxide (MoO 3 ) was vapor-deposited with an average thickness of 10 nm on the light-emitting layer using a vacuum vapor deposition apparatus to produce a hole-injecting metal oxide layer.
[6] In the continuous process of [5] above, gold (Au) (anode) was vapor-deposited with an average thickness of 30 nm to obtain an element. The device was able to confirm light emission from around 10V.

Claims (10)

ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物を含む発光材料であって、
該ホウ素含有化合物は、下記式(1);
Figure 2011184430
(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子、又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表されることを特徴とする発光材料。
A luminescent material comprising a boron-containing compound having a boron atom and a double bond,
The boron-containing compound has the following formula (1);
Figure 2011184430
(In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.
前記ホウ素含有化合物は、発光量子収率が、20〜100%であることを特徴とする請求項1に記載の発光材料。 The luminescent material according to claim 1, wherein the boron-containing compound has an emission quantum yield of 20 to 100%. 前記ホウ素含有化合物は、式(1)におけるR及びRが、同一若しくは異なって、炭素数1〜30の直鎖状若しくは分岐状炭化水素基、又は、炭素数3〜30の脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光材料。 In the boron-containing compound, R 1 and R 2 in the formula (1) are the same or different and are a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an alicyclic group having 3 to 30 carbon atoms. The luminescent material according to claim 1, wherein the luminescent material is a hydrocarbon group. 請求項1〜3のいずれかに記載の発光材料を用いて形成されることを特徴とする発光デバイス。 A light-emitting device formed using the light-emitting material according to claim 1. ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物であって、
該ホウ素含有化合物は、下記式(1);
Figure 2011184430
(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一又は異なって、環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表され、上記X及びXの少なくとも一方は、末端部に2つの原子が二重結合で結ばれた構造を有し、該2つの原子のうちの一方の原子で点線の円弧部分を形成する環構造と結合した構造を有することを特徴とするホウ素含有化合物。
A boron-containing compound having a boron atom and a double bond,
The boron-containing compound has the following formula (1);
Figure 2011184430
(In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 may be the same or different and each represents a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 may be bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.) At least one of the above X 1 and X 2 has a double bond at the end. One of the two atoms having a structure connected by Boron-containing compound, characterized by having a structure bonded with the ring structure forming a circular arc portion of the dotted line.
ホウ素原子及び二重結合を有するホウ素含有化合物を含む単量体成分を重合して得られるホウ素含有重合体であって、
該ホウ素含有化合物は、下記式(1);
Figure 2011184430
(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子、又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表され、該ホウ素含有化合物は、式(1)中のX、X、R及びRの少なくとも1つが、反応性基を有する置換基であることを特徴とするホウ素含有重合体。
A boron-containing polymer obtained by polymerizing a monomer component containing a boron-containing compound having a boron atom and a double bond,
The boron-containing compound has the following formula (1);
Figure 2011184430
(In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, and the boron-containing compound is represented by X 1 , X 2 in the formula (1). , At least one of R 1 and R 2 has a reactive group A boron-containing polymer, which is a substituent.
前記ホウ素含有重合体は、式(1)におけるR及びRが、同一若しくは異なって、炭素数1〜30の直鎖状若しくは分岐状炭化水素基、又は、炭素数3〜30の脂環式炭化水素基であることを特徴とする請求項6に記載のホウ素含有重合体。 In the boron-containing polymer, R 1 and R 2 in the formula (1) are the same or different, and a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an alicyclic group having 3 to 30 carbon atoms. The boron-containing polymer according to claim 6, which is a hydrocarbon group of formula. 前記ホウ素含有重合体は、発光デバイス形成に用いられることを特徴とする請求項6又は7に記載のホウ素含有重合体。 The boron-containing polymer according to claim 6 or 7, wherein the boron-containing polymer is used for forming a light emitting device. 請求項6〜8のいずれかに記載のホウ素含有重合体を用いて形成されることを特徴とする発光デバイス。 A light-emitting device formed using the boron-containing polymer according to claim 6. 下記式(1);
Figure 2011184430
(式中、点線の円弧は、ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。ホウ素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。窒素原子からホウ素原子への矢印は、窒素原子がホウ素原子へ配位していることを表す。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。R及びRは、同一若しくは異なって、水素原子又は1価の置換基を表す。)で表されるホウ素含有化合物の製造方法であって、
該製造方法は、下記式(I);
Figure 2011184430
(式中、点線の円弧は、表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分の一部と共に環構造が形成されていることを表す。表記の水素原子と窒素原子とを繋ぐ骨格部分における点線部分は、少なくとも1対の原子が二重結合で結ばれることを表し、該二重結合が環構造と共役していてもよい。X及びXは、同一若しくは異なって、水素原子又は環構造の置換基となる1価の置換基を表し、点線の円弧部分を形成する環構造に複数個結合していてもよい。)で表される化合物と、下記式(II);
Figure 2011184430
(式中、Qは、同一若しくは異なって、臭素原子又はヨウ素原子を表す。)で表される化合物とを反応させる工程を必須とすることを特徴とするホウ素含有化合物の製造方法。
Following formula (1);
Figure 2011184430
(In the formula, a dotted arc represents that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom. The dotted line part in the skeleton part connecting the boron atom and the nitrogen atom is at least It represents that a pair of atoms are connected by a double bond, and the double bond may be conjugated with a ring structure.The arrow from the nitrogen atom to the boron atom indicates that the nitrogen atom is coordinated to the boron atom. X 1 and X 2 are the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent serving as a substituent of the ring structure, and a plurality of X 1 and X 2 are bonded to the ring structure forming the dotted arc portion. R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a monovalent substituent.)
The production method comprises the following formula (I):
Figure 2011184430
(In the formula, a dotted arc indicates that a ring structure is formed together with a part of the skeleton part that connects the hydrogen atom and nitrogen atom. The dotted line in the skeleton part that connects the hydrogen atom and nitrogen atom) The moiety represents that at least one pair of atoms is bonded by a double bond, and the double bond may be conjugated to a ring structure, and X 1 and X 2 may be the same or different and represent a hydrogen atom or a ring And a compound represented by the following formula (II): a monovalent substituent serving as a substituent of the structure may be bonded to a ring structure forming a dotted arc part).
Figure 2011184430
(In formula, Q is the same or different and represents a bromine atom or an iodine atom.) The manufacturing method of the boron containing compound characterized by making the process with the compound represented by essential is essential.
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