JP2011171349A - 配線基板およびそれを用いた電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 実装基板にねじで固定される配線基板のクラックの発生を防止して、長期信頼性を向上させた配線基板およびそれを用いた電子装置を提供することにある。
【解決手段】 電子部品が搭載される側の第１の面２Ａ、実装基板に対向する側の第２の面２Ｂおよび第１の面２Ａから第２の面２Ｂへ貫通した、ねじを通すための基板貫通孔２ａを有する絶縁基板２に対して、第１貫通孔３ａを有する第１金属板３を第１の面２Ａに、第２貫通孔４ａを有する第２金属板４を第２の面２Ｂにそれぞれ接着層５を介して接着固定した配線基板１において、第１貫通孔３ａの径は、基板貫通孔２ａの径よりも大きく、接着層５は、絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂのそれぞれにおいて基板貫通孔２ａの開口周縁を被覆している配線基板１である。ねじにより配線基板１を実装基板に固定する際に配線基板１にクラックが発生するのを有効に防止することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、配線基板およびそれを用いた電子装置に関するものである。

近年、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの半導体素子を搭載した
パワーモジュール用基板やスイッチングモジュール用基板等の配線基板をヒートシンクなどの実装基板に接合した電子装置が多く用いられるようになってきている。このような半導体素子は大きな電流を流すことができるが、発生した熱が半導体素子を劣化させる場合がある。このため、半導体素子を搭載する配線基板として、電気絶縁性と熱伝導性に優れた窒化アルミニウムや窒化珪素等からなるセラミック絶縁基板を用い、その両面に銅やアルミニウム等の金属板を接合したセラミック配線基板が用いられている。また、このセラミック配線基板に用いられる絶縁基板は、電子装置の小型化および低背化の要求から、例えば0.2〜１ｍｍ程度の厚みの薄いものが用いられるようになってきている。

従来の電子装置における配線基板と実装基板との接合は、配線基板の裏面に位置する金属板と実装基板間をろう材で接合することで行なわれており、最近では、さらに接合の信頼性を高めるために、配線基板に貫通孔を形成し、この貫通孔を利用してねじで固定する方法が用いられるようになってきている（例えば、特許文献１を参照。）。

特開2003−197824号公報

従来の配線基板は、図８に断面図で示す例のように、絶縁基板12の外周部にねじ止め用の貫通孔12ａを形成しておき、絶縁基板12を実装基板17上に載置させるとともに絶縁基板12の上面側より貫通孔12ａ内にねじ16を挿入し、そのねじ16の先端を実装基板17に設けたねじ溝（図示せず）に螺着させることによって実装基板17上に固定されるようになっている。

この固定方法では、ねじ16を締め付ける力が絶縁基板12の貫通孔12ａ周縁部に集中して加わるため、電子装置の小型化および低背化の要求により、絶縁基板12の厚みを薄くしたことによって絶縁基板12の機械的強度が低くなっていることから、絶縁基板12にクラックや割れが発生するという問題があった。

この問題を回避すべく、図９に断面図で示す例のように、ねじ16を締め付ける力を受ける金属板13に形成する貫通孔13ａの径を絶縁基板12に形成する貫通孔12ａの径より大きくし、ねじ16を締め付ける力が絶縁基板12の貫通孔12ａ周縁部より外の領域に加わるようにして、絶縁基板12に発生するクラックや割れを防止する方法が考えられる。

しかしながら、この方法では、ねじ16を締め付ける力は絶縁基板12の貫通孔12ａ周縁部より外の領域に加わることになり、絶縁基板12の貫通孔12ａ周縁部に直接力が加わることはなくなるが、絶縁基板12が、その厚みを薄くして機械的強度が低くなった場合には、絶縁基板12に形成された貫通孔12ａに存在する微小クラックや傷、特に絶縁基板12の貫通孔12ａ開口周縁部に多く存在している微小クラックや傷が起点となって絶縁基板12にクラックや割れが発生するという問題が残る。

本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、実装基板にねじで固定される配線基板のクラックの発生を防止して、長期信頼性を向上させた配線基板およびそれを用いた電子装置を提供することにある。

本発明の配線基板は、電子部品が搭載される側の第１の面、実装基板に対向する側の第２の面および前記第１の面から前記第２の面へ貫通した、ねじを通すための基板貫通孔を有する絶縁基板に対して、前記基板貫通孔に対応した第１貫通孔を有する第１金属板を前記第１の面に、前記基板貫通孔に対応した第２貫通孔を有する第２金属板を前記第２の面にそれぞれ接着層を介して接着固定した配線基板において、前記第１貫通孔の径は、前記基板貫通孔の径よりも大きく、前記接着層は、前記絶縁基板の前記第１の面および前記第２の面のそれぞれにおいて前記基板貫通孔の開口周縁を被覆していることを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板は、好ましくは、前記接着層は、前記絶縁基板の前記基板貫通孔の前記開口周縁から前記基板貫通孔の内壁面まで連続して被覆していることを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板は、好ましくは、前記接着層は、前記絶縁基板の表面に形成されたメタライズ層および該メタライズ層の表面に形成されたろう材層からなり、前記メタライズ層は、前記基板貫通孔と前記第１貫通孔との間に位置する領域にろう材流れ止め部が形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板は、好ましくは、前記第２貫通孔の径は、前記基板貫通孔の径よりも大きく、かつ前記第１貫通孔の径以下であることを特徴とするものである。

また、本発明の電子装置は、本発明の配線基板を、前記第１の面側に電子部品を搭載して、前記第１貫通孔、前記基板貫通孔および前記第２貫通孔に通されたねじの頭部で前記第１金属板を押さえて実装基板に固定していることを特徴とするものである。

本発明の配線基板によれば、電子部品が搭載される側の第１の面、実装基板に対向する側の第２の面および第１の面から第２の面へ貫通した、ねじを通すための基板貫通孔を有する絶縁基板に対して、基板貫通孔に対応した第１貫通孔を有する第１金属板を第１の面に、基板貫通孔に対応した第２貫通孔を有する第２金属板を第２の面にそれぞれ接着層を介して接着固定した配線基板において、第１貫通孔の径は、基板貫通孔の径よりも大きく、接着層は、絶縁基板の第１の面および第２の面のそれぞれにおいて基板貫通孔の開口周縁を被覆していることから、配線基板を実装基板に固定するために絶縁基板の上面側から第１貫通孔，基板貫通孔および第２貫通孔内にねじを挿入し、そのねじの先端を実装基板に設けたねじ溝に螺着させる際に、第１貫通孔の径は基板貫通孔の径より大きいことから、ねじを締め付ける力が絶縁基板の基板貫通孔の開口周縁より外の領域に加わることになり、絶縁基板の基板貫通孔の開口周縁に直接力が加わることはなくなる。また、接着層が絶縁基板の第１の面および第２の面のそれぞれにおいて基板貫通孔の開口周縁を被覆していることから、絶縁基板の基板貫通孔の開口周縁に多く存在している微小クラックや傷が接着層により覆われているため、基板貫通孔の開口周縁に存在する微小クラックや傷が起点となって絶縁基板にクラックや割れが発生することが有効に防止され、配線基板の長期信頼性を向上させることが可能となる。

また、本発明の配線基板によれば、上記構成において、接着層は、絶縁基板の基板貫通
孔の開口周縁から基板貫通孔の内壁面まで連続して被覆しているときには、絶縁基板に基板貫通孔を形成する際に生じる微小クラックや傷のうち基板貫通孔の開口周縁に存在している微小クラックや傷だけでなく、絶縁基板の基板貫通孔の内壁面に存在している微小クラックや傷も絶縁基板の基板貫通孔の開口周縁から基板貫通孔の内壁面まで連続して被覆している接着層により覆われているため、絶縁基板の基板貫通孔の内壁面に存在する微小クラックや傷が起点となって絶縁基板にクラックや割れが発生することもより有効に防止され、配線基板の長期信頼性をより向上させることが可能となる。

また、本発明の配線基板によれば、上記構成において、接着層は、絶縁基板の表面に形成されたメタライズ層およびこのメタライズ層の表面に形成されたろう材層からなり、メタライズ層は、基板貫通孔と第１貫通孔との間に位置する領域にろう材流れ止め部が形成されているときには、絶縁基板に第１金属板を接着層を介して接着固定する際、配線基板を加熱してろう材層を溶融させても、メタライズ層に形成されたろう材流れ止め部により第１金属板を接着固定するろう材層が第１貫通孔内のメタライズ層の表面にまで濡れ広がって薄くなることがなく、第１金属板を接着固定するろう材層の厚みが薄くなって絶縁基板と第１金属板との接合強度が劣化することがより有効に防止され、配線基板の長期信頼性をより向上させることが可能となる。

また、本発明の配線基板によれば、上記構成において、第２貫通孔の径は、基板貫通孔の径よりも大きく、かつ第１貫通孔の径以下であるときには、配線基板を実装基板に固定するために絶縁基板の上面側から第１貫通孔，基板貫通孔および第２貫通孔内にねじを挿入し、そのねじの先端を実装基板に設けたねじ溝に螺着させる際に、第１貫通孔の径を基板貫通孔の径よりも大きくしたことから、ねじを締め付ける力が、絶縁基板の第１の面の基板貫通孔の開口周縁に直接加わることがなくなり、また、第２貫通孔の径を基板貫通孔の径よりも大きくしたことから、ねじを締め付ける力が、絶縁基板の第２の面の基板貫通孔の開口周縁にも直接加わることがなくなるので、絶縁基板の基板貫通孔の開口周縁に存在する微小クラックや傷が起点となって絶縁基板にクラックや割れが発生することがより有効に防止される。それとともに、例えば、第２貫通孔の径を第１貫通孔の径よりも大きくした場合には、第１金属板の面積に比べ第２金属板の面積が小さくなることから、絶縁基板の第１の面にかかる単位面積当たりのねじを締め付ける力に比べて絶縁基板の第２の面にかかる単位面積当たりのねじを締め付ける力が大きくなり、絶縁基板の第２の面に過剰な力が加わることから、絶縁基板にクラックや割れが発生する場合があるのに対して、第２貫通孔の径を第１貫通孔の径以下としたことから、絶縁基板の第２の面にかかる単位面積当たりのねじを締め付ける力が大きくなることはなく、絶縁基板にクラックや割れが発生することがより有効に防止され、配線基板の長期信頼性をより向上させることが可能となる。

また、本発明の電子装置によれば、本発明の配線基板を、第１の面側に電子部品を搭載して、第１貫通孔、基板貫通孔および第２貫通孔に通されたねじの頭部で第１金属板を押さえて実装基板に固定していることから、ねじによって配線基板を実装基板に固定する際に、配線基板にクラックが発生することが有効に防止され、長期信頼性を向上させた電子装置とすることができる。

本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。 （ａ）は図１のＡ部の一例を示す要部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の一例を示す断面図である。 （ａ）は図１のＡ部の他の例を示す要部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の他の例を示す断面図である。 （ａ）は図１のＡ部の他の例を示す要部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の他の例を示す断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図４（ｂ）のＢ部を拡大して示す要部拡大断面図である。 （ａ）は図１のＡ部の他の例を示す要部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の他の例を示す断面図である。 本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。 従来の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。 従来の電子装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。

本発明の配線基板および電子装置について添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図２（ａ）は図１のＡ部の一例を示す要部拡大平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の一例を示す断面図である。図１ならびに図２（ａ）および（ｂ）において、１は配線基板、２は絶縁基板、２Ａは絶縁基板２の電子部品搭載側である第１の面、２Ｂは絶縁基板２の実装基板７側である第２の面、２ａは絶縁基板２に設けられた基板貫通孔、３は第１金属板、３ａは第１金属板３に設けられた第１貫通孔、４は第２金属板、４ａは第２金属板４に設けられた第２貫通孔、５は接着層、８は第３金属板である。図１ならびに図２（ａ）および（ｂ）は、基板貫通孔２ａが設けられた絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂに、それぞれ基板貫通孔２ａに対応した第１貫通孔３ａが形成された第１金属板３および基板貫通孔２ａに対応した第２貫通孔４ａが形成された第２金属板４が接着層５を介して接着固定された状態を示している。

次に、図３（ａ）は図１のＡ部の他の例を示す要部拡大平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の他の例を示す断面図である。図３（ａ）および（ｂ）において、２ｂは基板貫通孔２ａの内壁面である。図３（ａ）および（ｂ）は、接着層５が絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂまで連続して被覆した例を示している。

次に、図４（ａ）は図１のＡ部の他の例を示す要部拡大平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の他の例を示す断面図である。図４（ａ）および（ｂ）において、５ａはメタライズ層、５ｂはろう材層、５ｃはろう材流れ止め部である。図４（ａ）および（ｂ）は、接着層５が絶縁基板２の表面に形成されたメタライズ層５ａおよびこのメタライズ層５ａの表面に形成されたろう材層５ｂからなり、メタライズ層５ａには基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ａとの間に位置する領域にろう材流れ止め部５ｃが形成された例を示している。

次に、図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図４（ｂ）のＢ部を拡大して示す要部拡大断面図である。図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれろう材流れ止め部５ｃの断面形状の種々の形状の例を示している。

次に、図６（ａ）は図１のＡ部の他の例を示す要部拡大平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ−Ｘ線で切断した断面の他の例を示す断面図である。図６（ａ）および（ｂ）は、第２貫通孔４ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも大きく、かつ第１貫通孔３ａの径以下とした例を示している。

次に、図７は本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。図７において、６はねじ、７は実装基板である。図７は、本発明の配線基板１を、第１の面２Ａ側に電子部品を搭載して、第１貫通孔３ａ、基板貫通孔２ａおよび第２貫通孔４ａに通されたね
じ６の頭部で第１金属板３を押さえて実装基板７に固定した電子装置の例を示している。

本発明の配線基板１は、図１ならびに図２（ａ）および（ｂ）に示す例のように、電子部品が搭載される側の第１の面２Ａ、実装基板７に対向する側の第２の面２Ｂおよび第１の面２Ａから第２の面２Ｂへ貫通した、ねじ６を通すための基板貫通孔２ａを有する絶縁基板２に対して、基板貫通孔２ａに対応した第１貫通孔３ａを有する第１金属板３を第１の面２Ａに、基板貫通孔２ａに対応した第２貫通孔４ａを有する第２金属板４を第２の面２Ｂにそれぞれ接着層５を介して接着固定した配線基板１において、第１貫通孔３ａの径は、基板貫通孔２ａの径よりも大きく、接着層５は、絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂのそれぞれにおいて基板貫通孔２ａの開口周縁を被覆していることを特徴とするものである。このような構成としたことから、配線基板１を実装基板７に固定するために絶縁基板２の上面側から第１貫通孔３ａ，基板貫通孔２ａおよび第２貫通孔４ａ内にねじ６を挿入し、そのねじ６の先端を実装基板７に設けたねじ溝に螺着させる際に、第１貫通孔３ａの径は基板貫通孔２ａの径より大きいことから、ねじ６を締め付ける力が絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁より外の領域に加わることになり、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁に直接力が加わることはなくなる。また、接着層５が絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂのそれぞれにおいて基板貫通孔２ａの開口周縁を被覆していることから、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁に多く存在している微小クラックや傷が接着層５により覆われているため、基板貫通孔２ａの開口周縁に存在する微小クラックや傷が起点となって絶縁基板２にクラックや割れが発生することが有効に防止され、配線基板１の長期信頼性を向上させることが可能となる。

また、本発明の配線基板１は、上記構成において、図３（ａ）および（ｂ）に示す例のように、接着層５は、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂまで連続して被覆していることが好ましい。このような構成としたときには、絶縁基板２に基板貫通孔２ａを形成する際に生じる微小クラックや傷のうち基板貫通孔２ａの開口周縁に存在している微小クラックや傷だけでなく、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの内壁面２ｂに存在している微小クラックや傷も絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂまで連続して被覆している接着層５により覆われているため、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの内壁面２ｂに存在する微小クラックや傷が起点となって絶縁基板２にクラックや割れが発生することもより有効に防止され、配線基板１の長期信頼性をより向上させることが可能となる。

また、本発明の配線基板１は、上記構成において、図４（ａ）および（ｂ）に示す例のように、接着層５は、絶縁基板２の表面に形成されたメタライズ層５ａおよびこのメタライズ層５ａの表面に形成されたろう材層５ｂからなり、メタライズ層５ａは、基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ａとの間に位置する領域にろう材流れ止め部５ｃが形成されていることが好ましい。このような構成としたときには、絶縁基板２に第１金属板３を接着層５を介して接着固定する際に、配線基板１を加熱してろう材層５ｂを溶融させても、メタライズ層５ａに形成されたろう材流れ止め部５ｃによって第１金属板３を接着固定するろう材層５ｂが第１貫通孔３ａ内のメタライズ層５ａ表面にまで濡れ広がって薄くなることがなく、第１金属板３を接着固定するろう材層５ｂの厚みが薄くなって絶縁基板２と第１金属板３との接合強度が劣化することがより有効に防止され、配線基板１の長期信頼性をより向上させることが可能となる。

また、本発明の配線基板１は、上記構成において、図６（ａ）および（ｂ）に示す例のように、第２貫通孔４ａの径は、基板貫通孔２ａの径よりも大きく、かつ第１貫通孔３ａの径以下であることが好ましい。このような構成としたときには、配線基板１を実装基板７に固定するために絶縁基板２の上面側から第１貫通孔３ａ，基板貫通孔２ａおよび第２貫通孔４ａ内にねじ６を挿入し、そのねじ６の先端を実装基板７に設けたねじ溝に螺着さ
せる際に、第１貫通孔３ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも大きくしたことから、ねじ６を締め付ける力が絶縁基板２の第１の面２Ａの基板貫通孔２ａの開口周縁に直接加わることがなくなり、また、第２貫通孔４ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも大きくしたことから、ねじ６を締め付ける力が絶縁基板２の第２の面２Ｂの基板貫通孔２ａの開口周縁にも直接加わることがなくなるので、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁に存在する微小クラックや傷が起点となって絶縁基板２にクラックや割れが発生することがより有効に防止される。それとともに、例えば、第２貫通孔４ａの径を第１貫通孔３ａの径よりも大きくした場合には、第１金属板３の面積に比べて第２金属板４の面積が小さくなることから、絶縁基板２の第１の面２Ａにかかる単位面積当たりのねじ６を締め付ける力に比べて絶縁基板２の第２の面２Ｂにかかる単位面積当たりのねじ６を締め付ける力が大きくなり、絶縁基板２の第２の面２Ｂに過剰な力が加わることから、絶縁基板２にクラックや割れが発生する場合があるが、第２貫通孔４ａの径を第１貫通孔３ａの径以下としたことから、絶縁基板２の第２の面２Ｂにかかる単位面積当たりのねじ６を締め付ける力が大きくなることはなく、絶縁基板２にクラックや割れが発生することがより有効に防止され、配線基板１の長期信頼性をより向上させることが可能となる。

また、本発明の電子装置は、図７に示す例のように、本発明の配線基板１を、第１の面２Ａ側に電子部品を搭載して、第１貫通孔３ａ、基板貫通孔２ａおよび第２貫通孔４ａに通されたねじ６の頭部で第１金属板３を押さえて実装基板７に固定していることを特徴とするものである。このような構成としたことから、ねじ６によって配線基板１を実装基板７に固定する際に、配線基板１にクラックが発生することが有効に防止され、長期信頼性を向上させた電子装置とすることができる。

配線基板１は、絶縁基板２と第１金属板３と第２金属層４とを有するものである。図１ならびに図２（ａ）および（ｂ）に示す例のように、絶縁基板２には電子部品が搭載される側の第１の面２Ａ側に第１金属板３が、実装基板７に対向する側の第２の面２Ｂ側に第２金属層４がそれぞれ接着層５を介して接着固定されている。なお、第１金属板３，絶縁基板２および第２金属層４には、それぞれ連通するように第１貫通孔３ａ，基板貫通孔２ａ，第２貫通孔４ａが形成されている。第１貫通孔３ａ，基板貫通孔２ａおよび第２貫通孔４ａは配線基板１を実装基板７に固定するためのねじ６を挿通する挿通孔となるものであり、実装基板７上に載置された配線基板１を第１貫通孔３ａ，基板貫通孔２ａおよび第２貫通孔４ａを挿通させたねじ６で実装基板７に設けられたねじ溝に螺着させてねじ締めし固定することによって、図７に示す例のような電子装置となる。

絶縁基板２は、略四角形状であり、第１の金属板３および第２の金属板４を支持する支持部材として機能する。絶縁基板２は電気絶縁材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体等のセラミックスからなる。これらの中では熱伝導性（放熱性）の点からは炭化珪素質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体が好ましく、強度の点からは窒化珪素質焼結体が好ましい。厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよいが、配線基板１の大きさや用いる材料の熱伝導率や強度に応じて選択すればよく、0.3ｍｍ〜３ｍｍ程度
である。絶縁基板２が例えば、窒化珪素質焼結体から成る場合は、窒化珪素，酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，溶剤を添加混合して得た泥漿物にドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状にするとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体とし、しかる後、これを窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600〜2000℃の温度で焼成することによって製作される。

絶縁基板２のねじ６を通すための基板貫通孔２ａの径は、用いるねじ６の軸径よりも大
きく、ねじ６の頭部の径よりも小さく製作される。その平面視の形状は、特に制限はなく、三角形や四角形またはそれ以上の多角形、あるいは円形や楕円形でもよい。基板貫通孔２ａを起点としたクラックの発生を防止するためには応力の集中しにくい形状が好ましい。例えば、応力の集中しにくい角の角度が直角より大きくなる六角形以上の多角形が好ましく、より好ましくは応力の集中しにくい角部を有さない楕円形や円形がよく、曲率半径が一定で応力の集中しやすい部分のない円形が最適である。例えば、ねじ６の軸径が４〜4.5ｍｍで、ねじ６の頭部の径が８〜10ｍｍの場合であれば、ねじ６を通すための基板貫
通孔２ａの径は、用いるねじ６の軸径よりも大きく、ねじ６の頭部の径よりも小さく製作して、基板貫通孔２ａの径を4.7〜５ｍｍとすればよい。

絶縁基板２の基板貫通孔２ａは、絶縁基板２を作製する際にセラミックグリーンシートに打ち抜き加工やレーザー加工等によって貫通孔を形成しておき、焼成することによって形成してもよいし、基板貫通孔２ａを有さない絶縁基板２を作製した後、例えば、二酸化炭素レーザーを用いたレーザー加工や研削加工等の機械加工によって形成してもよい。絶縁基板２を作製する際に複数のセラミックグリーンシートを積層して作製する場合は、貫通孔を形成したセラミックグリーンシートを位置合わせして積層してもよいし、複数のセラミックグリーンシートを積層した成形体を貫通するような貫通孔を金型等の打ち抜き加工法を用いて形成してもよい。積層位置ずれにより基板貫通孔２ａの縦断面において角部が形成されると、そこに応力が集中しやすくなるので、成形体に貫通孔を形成する方が好ましい。また、同様の理由で、基板貫通孔２ａを有さない絶縁基板２を作製した後に基板貫通孔２ａを形成するのが好ましく、この場合は焼成収縮ばらつきによる基板貫通孔２ａの絶縁基板２内での位置ずれもないのでより好ましい。

絶縁基板２の基板貫通孔２ａの配置（数および位置）は、配線基板１の大きさや絶縁基板２の中央部に固定される第３金属板８の形状等により適宜設定すればよいが、四角形の配線基板１であれば、絶縁基板２の外周部の少なくとも４隅に設けられる。

第１金属板３および第２金属板４は、銅やアルミニウム等の金属から成り、例えば銅のインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等の機械的加工やエッチング等の化学的加工のような従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば厚さが0.05〜１ｍｍの平板状で、所定パターンに形成される。絶第１金属板３および第２金属板４をエッチング等の化学的加工を施すことによって形成する場合は、絶縁基板２と同じ外形寸法の厚みが0.05〜１ｍｍの金属板を絶縁基板２の表面に接合した後にエッチングで所定のパターン形状に加工することで製作することができる。具体的には、絶縁基板２上に接着固定された金属板の表面にエッチングレジストインクをスクリーン印刷法等の技術を採用して第１金属板３および第２金属板４のパターン形状に印刷塗布してレジスト膜を形成した後、塩化第２鉄や塩化第２銅溶液等のエッチング液に浸漬したり、エッチング液を吹き付けたりして第１金属板３および第２金属板４のパターン以外の部分を除去し、レジスト膜を除去すればよい。

絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂの中央部には、図１および図７に示す例のように、第３金属板８が接着層５を介して固定される。絶縁基板２の第１の面２Ａ上の第３金属板８は、配線パターン形状であり、配線基板１の配線として機能する。絶縁基板２の第２の面２Ｂ上の第３金属板８は、必ずしも必要ではないが、例えば、第２の面２Ｂの中央部のほぼ全面に形成して、図７に示す例のように、配線基板１を実装基板７に固定する際に第２の面２Ｂに固定された第３金属板８を実装基板７に密着させて、配線基板１から実装基板７へ熱を伝えるための伝熱板として機能するようにして、配線基板１に搭載された電子部品の放熱性を高めるようにするのが好ましい。

第３金属板８は、上述した第１金属板３および第２金属板４と同じ材料の銅やアルミニ
ウム等の金属から成り、第１金属板３および第２金属板４の形成方法と同様の方法で所定の形状に形成され、後述する第１金属板３および第２金属板４の接着層５による絶縁基板２への固定方法と同様の方法で所定の形状に形成される。絶縁基板２の第１の面２Ａ上の第１金属板３と第３金属板８、第２の面２Ｂ上の第２金属板４と第３金属板８とは同時に形成すればよい。例えば、第１金属板３および第３金属板８をエッチングで所定のパターン形状に加工する場合であれば、絶縁基板２の大きさと同程度の大きさの金属板を絶縁基板２の第１の面２Ａに接合し、第１金属板３および第３金属板８のパターン形状にレジスト膜を形成してエッチングすることで、第１金属板３と第３金属板８とを同時に形成することができる。

第１金属板３，第２金属板４および第３金属板８は、その表面にニッケルからなる良導電性で、かつ耐蝕性およびろう材との濡れ性が良好な金属をめっき法により被着させておくと、第１金属板３に半導体素子等の電子部品を半田を介して強固に接着させることができるとともに、第２金属板４と外部電気回路との電気的接続を良好なものとすることができる。この場合は、内部に燐を８〜15質量％含有させてニッケル−燐のアモルファス合金としておくと、ニッケルからなるめっき層の表面酸化を良好に防止してろう材との濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。ニッケルに対する燐の含有量が８質量％未満となると、あるいは15質量％を超えると、ニッケル−燐のアモルファス合金を形成するのが困難となってめっき層に半田を強固に接着させることが困難となりやすい。このニッケルからなるめっき層は、その厚みが1.5〜３μｍであることが好ましい。ニッケルから
なるめっき層の厚みが1.5μｍ未満の場合には、第１金属板３，第２金属板４および第３
金属板８の表面を完全に被覆することができず、第１金属板３，第２金属板４および第３金属板８の酸化腐蝕を有効に防止することができなくなる傾向がある。また、ニッケルからなるめっき層の厚みが３μｍを超えると、絶縁基板２の厚さが700μｍ以下の薄いもの
になった場合には、めっき層の内部に内在する内在応力が大きくなって絶縁基板２に反りや割れ等が発生しやすくなってしまう。

図１ならびに図２（ａ）および（ｂ）に示す例のように、配線基板１は、絶縁基板２に対して、第１金属板３を絶縁基板２の第１の面２Ａに、第２金属板４を絶縁基板２の第２の面２Ｂにそれぞれ接着層５を介して接着固定したものであり、第１貫通孔３ａの径は、基板貫通孔２ａの径よりも大きく、接着層５は、絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂのそれぞれにおいて基板貫通孔２ａの開口周縁を被覆している。例えば、基板貫通孔２ａの径が５ｍｍの場合であれば、第１貫通孔３ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも0.5ｍｍ以上大きい5.5ｍｍ以上の径とするのがよく、また、絶縁基板２と第１金属板３との接合時のずれを考慮すると、第１貫通孔３ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも0.8ｍｍ以
上大きい5.8ｍｍ以上の径とするのがよい。より好適には、第１貫通孔３ａを形成する際
のエッチング条件のばらつきによる第１貫通孔３ａの径の寸法ばらつきも考慮すると、第１貫通孔３ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも１ｍｍ以上大きい６ｍｍ以上の径とすることによって、絶縁基板２と第１金属板３との接合時のずれや第１貫通孔３ａの径の寸法ばらつきが発生したとしても、基板貫通孔２ａの開口周縁に直接力が加わることがなくなる。また、接着層５は、その厚みが30〜50μｍであり、絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂのそれぞれにおいて基板貫通孔２ａの開口周縁を被覆していることから、基板貫通孔２ａの径が５ｍｍの場合の上述した第１貫通孔３ａの径の寸法を考慮して、接着層５が被覆している基板貫通孔２ａの開口周縁の寸法は、0.25〜0.5ｍｍとするのが好まし
い。

第１貫通孔３ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも大きくなるように形成する方法としては、上述した第１貫通孔３ａを形成する方法で、第１貫通孔３ａの径が基板貫通孔２ａの径よりも大きくなるように形成する。例えば、第１貫通孔３ａの径が基板貫通孔２ａの径よりも大きくなるように形成する方法として、絶縁基板２と同じ外形寸法の厚みが0.05〜
１ｍｍの金属板を絶縁基板２の第１の面２Ａに接合した後にエッチングで所定のパターン形状に加工する場合には、以下のようにすればよい。まず、絶縁基板２と金属板とを、間に接着層５を介して真空中で約800℃まで加熱することで、絶縁基板２の第１の面２Ａに
接着層５を介して金属板を接合する。その後、金属板の表面にエッチングレジストインクをスクリーン印刷法等の技術を採用して所定の配線パターン形状および第１貫通孔３ａの形状に印刷塗布してレジスト膜を形成した後、塩化第２鉄や塩化第２銅溶液等のエッチング液に浸漬し、またはエッチング液を吹き付けて第１金属板３の所定の配線パターン以外の部分および第１貫通孔３ａに相当する部分を除去し、さらに、絶縁基板２の基板貫通孔２ａに相当する部分を除去して、レジスト膜を除去すればよい。このとき、第１貫通孔３ａの径を６ｍｍとし、基板貫通孔２ａの径を５ｍｍとする場合であれば、レジスト膜の第１貫通孔３ａに相当する部分の内径を６ｍｍとして、第１金属板３の第１貫通孔３ａに相当する部分を除去してからレジスト膜を除去することによって、径が６ｍｍの第１貫通孔３ａを形成することができる。さらに、第１貫通孔３ａを形成した後に、再度エッチングレジストインクを印刷塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜の基板貫通孔２ａに相当する部分の内径を５ｍｍとして、絶縁基板２の基板貫通孔２ａに相当する部分を除去してからレジスト膜を除去することによって、径が５ｍｍの基板貫通孔２ａを形成することができる。

また、接着層５は、以下に詳述する方法で形成する。

絶縁基板２と第１金属板３，第２金属板４との接着層５を介した接合は、後述する図４（ａ）および（ｂ）に示す例のように、絶縁基板２の表面にメタライズ層５ａを形成し、このメタライズ層５ａの表面にろう材層５ｂを形成して接着層５となし、この接着層５を介して絶縁基板２と第１金属板３，第２金属板４とを接着固定することができる。また、接着層５として活性金属ろう材を用いて接合してもよい。

絶縁基板２に対して、第１金属板３を絶縁基板２の第１の面２Ａに、第２金属板４を絶縁基板２の第２の面２Ｂにそれぞれ接着層５を介して接着固定する際に、例えば第１金属板３および第２金属板４として銅を用い、接着層５として活性金属ろう材を用いて絶縁基板２上に第１金属板３および第２金属板４を接合する場合は、例えば、絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂにそれぞれ活性金属ろう材ペーストをスクリーン印刷法を用いて、例えば30〜50μｍの厚さで所定パターンに印刷塗布するとともに、第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂ上に所定パターンに印刷塗布された活性金属ろう材ペーストをそれぞれ第１金属板３および第２金属板４で挟んで載置した後、金属板に５〜10ｋＰａの荷重をかけながら真空中または水素ガス雰囲気や水素・窒素ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気中で780〜900℃、10〜120分間加熱し、金属ろう材ペーストの有機溶剤や溶媒・分散剤を気体に
変えて発散させるとともに活性金属ろう材を溶融させることによって行なわれる。接着層５となる活性金属ろう材ペーストは、銀および銅粉末，銀−銅合金粉末，またはこれらの混合粉末から成る銀ろう材（例えば、銀：72質量％−銅：28質量％）粉末に対してチタン，ハフニウム，ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を２〜５質量％加えてなる活性金属ろう材粉末と、適当な有機溶剤・溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。

第１金属板３および第２金属板４としてアルミニウムを用いる場合は、上記銀ろう材に換えてアルミニウムろう材（例えば、アルミニウム：88質量％−シリコン：12質量％）を用い、約600℃で加熱する。

また、絶縁基板２に対して、第１金属板３を絶縁基板２の第１の面２Ａに、第２金属板４を絶縁基板２の第２の面２Ｂにそれぞれ接着層５を介して接着固定する際に、第１金属板３および第２金属板４として銅を用い、第１金属板３および第２金属板４と絶縁基板２
との接合を活性金属ろう材を用いて行なう場合は、これを無酸素銅で形成しておくことが好ましい。無酸素銅は、活性金属ろう材を介して絶縁基板２に取着する際に銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることがなく、活性金属ろう材との濡れ性が良好となるので、第１金属板３および第２金属板４の絶縁基板２への活性金属ろう材を介しての接合が強固となる。

図３（ａ）および（ｂ）に示す例のように、接着層５は、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂまで連続して被覆していることが好ましい。接着層５を、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂまで連続して被覆させるには、絶縁基板２の第１の面２Ａおよび第２の面２Ｂから絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁にかけて接着層５を所定パターンに印刷塗布する際に、従来周知のスクリーン垂れ込み印刷法を用いて印刷塗布することによって、活性金属ろう材ペーストを基板貫通孔２ａの内壁面２ｂに被覆させることができる。絶縁基板２に発生するクラックや割れを防ぐためには、接着層５は、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの開口部付近の領域にまで連続して被覆していることが好ましく、図３（ｂ）に示す例のように、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの全面にわたって連続して被覆していることがより好ましい。このように、接着層５が絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの全面にわたって連続して被覆している場合は、基板貫通孔２ａの開口周縁および基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの開口部付近の領域に存在している微小クラックや傷だけでなく、基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの全面に存在する微小クラックや傷も接着層５によって被覆されることとなり、微小クラックや傷が起点となって絶縁基板２にクラックや割れが発生することがより有効に防止されるので、配線基板１の長期信頼性をより向上させることが可能となる。なお、接着層５が、絶縁基板２の基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの開口部付近の領域にまで連続して被覆している場合は、接着層５を基板貫通孔２ａの開口周縁から基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの上部の１／４〜１／３の領域まで被覆させておくことが好ましい。絶縁基板２に基板貫通孔２ａを形成する際に発生する微小クラックや傷は、基板貫通孔２ａの内壁面２ｂの上部の１／４〜１／３の領域に多く存在するので、この領域を接着層５で被覆することにより、微小クラックや傷が起点となって絶縁基板２にクラックや割れが発生することをより有効に防止し、配線基板１の長期信頼性をより向上させることが可能となる。

図４（ａ）および（ｂ）に示す例のように、絶縁基板２に対して、第１金属板３を絶縁基板２の第１の面２Ａに、第２金属板４を絶縁基板２の第２の面２Ｂにそれぞれ接着層５を介して接着固定する際に、接着層５が絶縁基板２の表面に形成されたメタライズ層５ａおよびこのメタライズ層５ａの表面に形成されたろう材層５ｂからなり、メタライズ層５ａは、基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ａとの間に位置する領域にろう材流れ止め部５ｃが形成されていることが好ましい。接着層５が絶縁基板２の表面に形成されたメタライズ層５ａおよびこのメタライズ層５ａの表面に形成されたろう材層５ｂからなる場合は、第１金属板３および第２金属板４として銅を用い、上記活性金属ろう材ペーストに換えて金属ろう材ペーストを用いて同様に行なえばよい。金属ろう材ペーストは、活性金属を含まない銀ろう材を用いればよい。絶縁基板２上のメタライズ層５ａは、絶縁基板２を作製する際にセラミックグリーンシート上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布しておき、焼成することによって形成してもよいし、絶縁基板２を作製した後、絶縁基板２上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布しておき、焼き付けることによって形成してもよい。メタライズペーストは、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）またはこれらの混合粉末から成る金属粉末と、適当な有機溶剤・溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。また、第１金属板３および第２金属板４としてアルミニウムを用いる場合は、上記銀ろう材に代えてアルミニウムろう材（例えば、アルミニウム：88質量％−シリコン：12質量％）を用い、約600℃で加熱する。

ろう材流れ止め部５ｃは、絶縁基板２に第１金属板３と第２金属板４とを接着層５を介して接着固定する際、第１金属板３を接着固定するろう材層５ｂが加熱して溶融し、この溶融したろう材が第１貫通孔３ａ内のメタライズ層５ａの表面にまで濡れ広がることを防止する機能を有する。

ろう材流れ止め部５ｃは、例えば図５（ａ）〜（ｃ）に示す例のような形状が用いられる。図５（ａ）および（ｂ）は、メタライズ層５ａの一部を部分的に隆起させ、ろう材流れ止め部５ｃとしたものであり、この隆起したろう材流れ止め部５ｃは、例えば高さが30〜50μｍで幅が0.1〜0.5ｍｍで、基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ｂとの間に位置する領域に形成されている。図５（ｃ）は、メタライズ層５ａの一部に凹部を形成してこの凹部をろう材流れ止め部５ｃとしたものであり、例えば深さが30〜50μｍで幅が0.1〜0.5ｍｍに形成されている。

図５（ａ）および（ｂ）に示す例のように、ろう材流れ止め部５ｃを、メタライズ層５ａの基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ｂとの間に位置する領域において、底面から頂面にかけて暫時細くなるように部分的にメタライズ層５ａが隆起した形状とした場合には、この隆起した部分で溶融したろう材が止まることによって、溶融したろう材が第１貫通孔３ａ内のメタライズ層５ａの表面にまで濡れ広がって薄くなることを有効に防止することができる。このとき、図５（ａ）に示す例のように、ろう材流れ止め部５ｃを、基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ｂとの間に位置する領域において、基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ｂとの間から基板貫通孔２ａの開口周縁にかけて、高さが30〜50μｍ，幅が0.1〜0.5ｍｍで、断面形状で見て頂部が平坦になった形状に形成してもよく、また、図５（ｂ）に示す例のように、基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ｂとの間に位置する領域の内側に、高さが30〜50μｍ，幅が0.1〜0.5ｍｍで、断面形状で見てドーム状に形成してもよい。ろう材流れ止め部５ｃの高さは、第１金属板３の下面よりも高く形成されていると、溶融したろう材が第１貫通孔３ａ内のメタライズ層５ａの表面にまで濡れ広がって薄くなることをより有効に防止することができるので好ましい。

また、図５（ｃ）に示す例のように、ろう材流れ止め部５ｃを、断面形状で見てメタライズ層５ａの基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ｂとの間に位置する領域の一部に凹部が形成された形状とした場合には、溶融したろう材が凹部に溜まることによって、溶融したろう材が第１貫通孔３ａ内のメタライズ層５ａの表面にまで濡れ広がって薄くなることを有効に防止することができる。図５（ｃ）に示す例のように、ろう材流れ止め部５ｃを、メタライズ層５ａの基板貫通孔２ａと第１貫通孔３ｂとの間に位置する領域の内側の一部に、例えば深さが15〜25μｍで幅が0.1〜0.5ｍｍの溝状の凹部が形成された形状とした場合には、溶融したろう材が、ろう材流れ止め部５ｃとしての凹部に溜まり、この凹部に溜まったろう材は、その表面に表面張力が作用することによって、凹部の外側に漏れ出すことが抑制されるので、溶融したろう材が第１貫通孔３ａ内のメタライズ層５ａの表面にまで濡れ広がって薄くなることを有効に防止することができる。

ろう材流れ止め部５ｃを、図５（ａ）および（ｂ）に示す例のように、部分的に隆起した形状とする場合は、上記メタライズ層５ａを作製するときに、メタライズペーストを所定のパターン形状に印刷塗布した後、そのパターン上にろう材流れ止め部５ｃとなるように所望のパターン形状に印刷塗布することによって、部分的に隆起した形状のろう材流れ止め部５ｃが作製される。また、ろう材流れ止め部５ｃを、図５（ｃ）に示す例のように、凹部が形成された形状とする場合は、メタライズペーストを所定のパターン形状に印刷塗布する際、例えばメタライズパターンにろう材流れ止め部５ｃのパターンを非形成パターンとしてパターン形成した印刷製版を最後の印刷製版としてメタライズペーストを所定のパターン形状に印刷塗布することによって作製される。

さらに、ろう材流れ止め部５ｃは、ろう材の濡れ広がりを防止するという観点から、ろう材流れ止め部５ｃの表面に、ろう材との濡れ性の悪い金属層を被着させることが好ましい。ろう材との濡れ性の悪い金属層としては、例えばクロム（Ｃｒ），白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ）等が用いられる。ろう材流れ止め部５ｃの表面に、ろう材との濡れ性の悪い金属層を被着させる方法としては、上述した方法でろう材流れ止め部５ｃを形成した後、スパッタリング法や蒸着法等の薄膜形成法により0.1〜２μｍの
厚みで形成することが好ましい。また、ろう材流れ止め部５ｃの表面には、ろう材との濡れ性の悪い金属層に代えて、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の耐熱性を有した、ろう材と濡れない有機樹脂を用いることもできる。この有機樹脂は、ろう材流れ止め部５ｃの表面にスクリーン印刷法等の従来周知の印刷法で形成することができる。

図６（ａ）および（ｂ）に示す例のように、第２貫通孔４ａの径は、基板貫通孔２ａの径よりも大きく、かつ第１貫通孔３ａの径以下であることが好ましい。例えば、基板貫通孔２ａの径が５ｍｍで、第１貫通孔３ａの径が７ｍｍの場合であれば、第２貫通孔４ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも0.1ｍｍ以上大きい5.1ｍｍ以上とするのがよく、絶縁基板２と第２金属板４との接合時のずれを考慮すると、第２貫通孔４ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも0.4ｍｍ以上大きい5.4ｍｍ以上とするのがよい。より好適には、第２貫通孔４ａを形成する際のエッチング条件のばらつきによる第２貫通孔４ａの径の寸法ばらつきも考慮すると、第２貫通孔４ａの径を基板貫通孔２ａの径よりも0.6ｍｍ以上大きい5.6ｍｍ以上とし、第１貫通孔３ａの径である７ｍｍを超えない範囲で形成することが好ましい。このように、第２貫通孔４ａの径が、基板貫通孔２ａの径よりも大きく、かつ第１貫通孔３ａの径以下であるときには、ねじ６を締め付ける力が絶縁基板２の第２の面２Ｂの基板貫通孔２ａの開口周縁にも直接加わることがなくなり、絶縁基板２にクラックや割れが発生することをより有効に防止することができる。
第２貫通孔４ａの形成方法としては、第２貫通孔４ａの径が基板貫通孔２ａの径よりも大きく、かつ第１貫通孔３ａの径以下となるように、上述した第１金属板３に第１貫通孔３ａを形成する方法と同様の方法で、第２金属板４に第２貫通孔４ａを形成することができる。

図７に示す例のように、上記のようにして作製した配線基板１に電子部品を搭載し、第１貫通孔３ａ、基板貫通孔２ａおよび第２貫通孔４ａに通されたねじ６の頭部で第１金属板３を押さえて実装基板７に固定することで電子装置となる。電子部品としては、トランジスタ，ＣＰＵ（Central Processing Unit）用のＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit），ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor）等の半導体素子が挙げられる。電子部品
は、半田やＡｕ−Ｓｉ合金等の金属接合材あるいは導電性樹脂で固定されて配線基板１に搭載され、電子部品の端子と配線基板１の配線（第１の面２Ａ上の第３金属板８）とがワイヤボンディング等の接続手段により電気的に接続される。

本発明の配線基板１をヒートシンク等の実装基板７に固定するためのねじ６としては、第１金属板３および第２金属板４を押えるための頭部を有するねじ６であれば特に制限はない。

１・・・配線基板
２・・・絶縁基板
２Ａ・・第１の面
２Ｂ・・第２の面
２ａ・・基板貫通孔
２ｂ・・内壁面
３・・・第１金属板
３ａ・・第１貫通孔
４・・・第２金属板
４ａ・・第２貫通孔
５・・・接着層
５ａ・・メタライズ層
５ｂ・・ろう材層
５ｃ・・ろう材流れ止め部
６・・・ねじ
７・・・実装基板
８・・・第３金属板

Claims (5)

1. 電子部品が搭載される側の第１の面、実装基板に対向する側の第２の面および前記第１の面から前記第２の面へ貫通した、ねじを通すための基板貫通孔を有する絶縁基板に対して、前記基板貫通孔に対応した第１貫通孔を有する第１金属板を前記第１の面に、前記基板貫通孔に対応した第２貫通孔を有する第２金属板を前記第２の面にそれぞれ接着層を介して接着固定した配線基板において、前記第１貫通孔の径は、前記基板貫通孔の径よりも大きく、前記接着層は、前記絶縁基板の前記第１の面および前記第２の面のそれぞれにおいて前記基板貫通孔の開口周縁を被覆していることを特徴とする配線基板。
2. 前記接着層は、前記絶縁基板の前記基板貫通孔の前記開口周縁から前記基板貫通孔の内壁面まで連続して被覆していることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 前記接着層は、前記絶縁基板の表面に形成されたメタライズ層および該メタライズ層の表面に形成されたろう材層からなり、前記メタライズ層は、前記基板貫通孔と前記第１貫通孔との間に位置する領域にろう材流れ止め部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板。
4. 前記第２貫通孔の径は、前記基板貫通孔の径よりも大きく、かつ前記第１貫通孔の径以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の配線基板。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板を、前記第１の面側に電子部品を搭載して、前記第１貫通孔、前記基板貫通孔および前記第２貫通孔に通されたねじの頭部で前記第１金属板を押さえて実装基板に固定していることを特徴とする電子装置。

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