JP2011166568A - Adjustment reference chart for image reader and optical evaluation method employing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は画像読取装置を構成する部材を調整する際に用いられる画像読取装置用の調整基準チャート及びそれを用いた光学評価方法に関するものである。特にイメージスキャナ、複写機、そしてファクシミリ等の画像読取装置の各部材を組み立てるときに好適なものである。 The present invention relates to an adjustment reference chart for an image reading apparatus used when adjusting members constituting the image reading apparatus and an optical evaluation method using the same. Particularly, it is suitable when assembling each member of an image scanner, a copying machine, and an image reading apparatus such as a facsimile.
従来の画像読取装置では、原稿台面上に載置された原稿の画像情報を、照明系、複数の反射ミラー、結像光学系、そして読取手段等が一体的に収納されたキャリッジをモータなどの駆動機構により副走査方向へ走査して、2次元的に読み取っている。そして読み取られた原稿の画像情報はインターフェイスを通じて外部機器であるパーソナルコンピューターなどに送られている。 In a conventional image reading apparatus, image information of a document placed on a document table surface is converted into an illumination system, a plurality of reflecting mirrors, an imaging optical system, a carriage in which reading means and the like are integrally stored, such as a motor. Scanning in the sub-scanning direction by the drive mechanism and reading in two dimensions. The read image information of the document is sent to an external device such as a personal computer through an interface.
この種の画像読取装置は結像光学系で結像される画像情報の高画質化のために、設計性能の向上だけでなく各部材の組立調整を高精度化に行うことが強く求められている。各部材の組立調整方法としては、まずキャリッジに部材を仮組したのちに結像光学系と1次元光電変換素子(CCD)の位置を、それぞれ結像光学系の位置調整装置と1次元光電変換素子の位置調整装置を用いて調整する。調整項目としては、倍率合せ、主走査方向の中心合せ、副走査方向の中心合せ、光軸を基準軸とした回転合せ、ピント位置合せ等がある。これらの項目の調整のためには、原稿面にチャートを配置し、チャートの画像を結像光学系により1次元光電変換素子に投影し、その像を読み取った電気信号を確認しながら、所望の特性となるように結像光学系及び1次元光電変換素子の位置を調整する。所謂、幾何特性である倍率合せ、主走査方向の中心合せ、副走査方向の中心合せ、光軸を基準軸とした回転合せ等を効率良く行うために、例えば特許文献1では調整用チャート配置を用いた方法が知られている(特許文献1参照)。 In order to improve the image quality of the image information imaged by the imaging optical system, this type of image reading apparatus is strongly required not only to improve the design performance but also to adjust the assembly of each member with high accuracy. Yes. The assembly adjustment method of each member is as follows. First, the members are temporarily assembled on the carriage, and then the positions of the imaging optical system and the one-dimensional photoelectric conversion element (CCD) are changed. Adjustment is performed using an element position adjusting device. Adjustment items include magnification adjustment, centering in the main scanning direction, centering in the sub-scanning direction, rotational alignment with the optical axis as a reference axis, focus alignment, and the like. In order to adjust these items, a chart is arranged on the surface of the original, and an image of the chart is projected onto a one-dimensional photoelectric conversion element by an imaging optical system. The positions of the imaging optical system and the one-dimensional photoelectric conversion element are adjusted so as to obtain characteristics. In order to efficiently perform so-called geometric characteristics, such as magnification adjustment, centering in the main scanning direction, centering in the sub-scanning direction, rotation alignment using the optical axis as a reference axis, Patent Document 1 discloses an adjustment chart arrangement, for example. The method used is known (see Patent Document 1).
また、結像光学系のピント位置調整のためのチャートが知られている(特許文献2参照)。特許文献2では、主走査方向に対して垂直方向に伸びる格子(線)を複数並行配列した主走査用パターンと主走査方向に対して斜め方向に伸びる格子(線)を複数並行配列させた副走査用パターンを有したチャートを開示している。 A chart for adjusting the focus position of the imaging optical system is known (see Patent Document 2). In Patent Document 2, a main scanning pattern in which a plurality of grids (lines) extending in a direction perpendicular to the main scanning direction and a plurality of grids (lines) extending in an oblique direction with respect to the main scanning direction are arranged in parallel. A chart having a scanning pattern is disclosed.
特許文献1で開示されているチャートを図9(A)に示し、特許文献2で開示されているチャートを図9(B)に示す。図9(A)において、A〜Eは各々パターンである。また図9(B)において、32、34は各々パターンである。図9(A)から明らかなように符番B、Dで示す幾何特性調整用のパターンである斜め格子(線)は主走査方向の幅が広く、また図9(B)の符番34で示すピント位置合わせ用(解像力用)のパターンも同じく主走査方向の幅が広い。よって、これらのパターンを一枚のチャートとして配置するためには、各パターンを小型化する必要がある。 A chart disclosed in Patent Document 1 is shown in FIG. 9A, and a chart disclosed in Patent Document 2 is shown in FIG. 9B. In FIG. 9A, A to E are patterns. In FIG. 9B, 32 and 34 are patterns. As is clear from FIG. 9A, the diagonal lattice (line), which is a geometric characteristic adjustment pattern indicated by reference numerals B and D, has a wide width in the main scanning direction and is indicated by reference numeral 34 in FIG. 9B. The focus alignment (resolving power) pattern shown is also wide in the main scanning direction. Therefore, in order to arrange these patterns as one chart, it is necessary to reduce the size of each pattern.
画像読取装置としては、対象とする原稿サイズの種類に応じて主走査方向で305mm幅を読み取る所謂A3サイズ用と、主走査方向で216mm幅を読み取る所謂A4サイズ用が一般的である。とりわけ読取幅がA4サイズ用の画像読取装置の場合には調整しなければいけない項目がA3サイズ用と変わらないのに、パターンを配置することができる幅がA3サイズ用に比べて約2/3しかない。 As an image reading apparatus, a so-called A3 size for reading a 305 mm width in the main scanning direction and a so-called A4 size for reading a 216 mm width in the main scanning direction are generally used according to the type of the original document size. In particular, in the case of an image reading apparatus with an A4 size reading width, the items that must be adjusted are the same as those for the A3 size, but the width in which a pattern can be arranged is about 2/3 that of the A3 size. There is only.
さらに調整精度の向上のためには、パターンの面積を広げたり、あるいはパターンを複数箇所に設けたり、などの方策が求められており、ますます、一枚のチャートに必要十分なパターンを収容することが困難となってきている。 In order to further improve the adjustment accuracy, measures such as increasing the area of the pattern or providing the pattern at multiple locations are required, and more and more patterns are accommodated on a single chart. It has become difficult.
以上のような目的のためには、チャートに用いるパターンを小型化する必要がある。このため画像読取装置を構成する各部材の位置の検出において、測定精度を高めることができ、複数の項目が測定可能なチャートパターンを用いて、測定精度の向上とパターン数の削減を行うことが必要となってくる。 For the above purpose, it is necessary to reduce the size of the pattern used for the chart. Therefore, in the detection of the position of each member constituting the image reading apparatus, the measurement accuracy can be increased, and the measurement accuracy can be improved and the number of patterns can be reduced by using the chart pattern capable of measuring a plurality of items. It becomes necessary.
従来における、主走査方向に対して垂直方向に伸びる格子を複数並行配列した主走査用パターンは、主走査方向への解像力は評価できるが、それ以上の機能は有していなかった。また、主走査用パターンは主走査方向に対して斜め方向に伸びる格子を複数並行配列させた副走査用パターンと配列方向が直交しておらず、2次元的な解像力を完全には切り分けることが困難であった。 A conventional main scanning pattern in which a plurality of grids extending in a direction perpendicular to the main scanning direction is arranged in parallel can evaluate the resolving power in the main scanning direction, but has no further function. Further, the main scanning pattern is not orthogonal to the sub-scanning pattern in which a plurality of lattices extending in an oblique direction with respect to the main scanning direction are arranged in parallel, and the two-dimensional resolution can be completely separated. It was difficult.
以上のように一枚のチャート内で幾何特性と解像力特性の双方を高精度に測定することができるパターンを配置したチャートを得るのが困難であった。より具体的には、第一に、解像力を評価するパターンと幾何特性を評価するパターンが、それぞれが単一機能しかなく、パターン数を削減することが困難であった。また、第二に、解像力を評価するパターンが2次元的な解像力を独立方向に完全に切り分けずに評価しているため、調整精度を高めることが困難であった。 As described above, it is difficult to obtain a chart in which patterns that can measure both geometric characteristics and resolving power characteristics with high accuracy are provided in one chart. More specifically, first, the pattern for evaluating the resolution and the pattern for evaluating the geometric characteristics each have only a single function, and it is difficult to reduce the number of patterns. Second, since the pattern for evaluating the resolution evaluates the two-dimensional resolution without completely separating the resolution in the independent direction, it is difficult to increase the adjustment accuracy.
本発明は幾何特性と解像力特性を測定する解像力評価部を1つの基板上に容易に配置することができる調整基準チャートの提供を目的とする。さらに、この調整基準チャートで調整された高画質の画像情報の読み取りができる画像読取装置の提供を目的とする。 An object of the present invention is to provide an adjustment reference chart in which a resolution evaluation unit that measures geometric characteristics and resolution characteristics can be easily arranged on a single substrate. It is another object of the present invention to provide an image reading apparatus capable of reading high-quality image information adjusted with the adjustment reference chart.
本発明の調整基準チャートは、結像光学系によって結像された画像情報を、複数の素子を1次元方向に配列した1次元光電変換素子によって読み取る画像読取装置を構成する部材の位置を調整する際に用いられる調整基準チャートであって、前記調整基準チャートは、前記結像光学系によって結像される画像情報を評価するための互いに平行な複数の格子の集合体より成る格子パターンを含む第1、第2の解像力評価部を有しており、前記第1の解像力評価部の格子パターンと、前記1次元光電変換素子の素子の配列方向とのなす小さい方の角度をα、前記第2の解像力評価部の格子パターンと、前記1次元光電変換素子の素子の配列方向とのなす小さい方の角度をβとするとき、
5°≦α≦45°
45°≦β≦85°
なる条件を満足することを特徴としている。
The adjustment reference chart of the present invention adjusts the position of a member constituting an image reading apparatus that reads image information imaged by an imaging optical system by a one-dimensional photoelectric conversion element in which a plurality of elements are arranged in a one-dimensional direction. The adjustment reference chart is used in the process, and the adjustment reference chart includes a lattice pattern including a collection of a plurality of parallel lattices for evaluating image information imaged by the imaging optical system. 1 and a second resolving power evaluation unit, and α represents the smaller angle formed by the lattice pattern of the first resolving power evaluation unit and the arrangement direction of the elements of the one-dimensional photoelectric conversion element. When the smaller angle between the lattice pattern of the resolving power evaluation unit and the arrangement direction of the elements of the one-dimensional photoelectric conversion element is β,
5 ° ≦ α ≦ 45 °
45 ° ≦ β ≦ 85 °
It is characterized by satisfying the following conditions.
本発明によれば一枚の基板上に幾何特性と解像力特性を測定する解像力評価部を容易に配置することができる調整基準チャートを達成することができる。さらに、この調整基準チャートで調整された高画質の画像情報の読み取りができる画像読取装置を達成することができる。 According to the present invention, it is possible to achieve an adjustment reference chart in which a resolution evaluation unit that measures geometric characteristics and resolution characteristics can be easily arranged on a single substrate. Further, it is possible to achieve an image reading apparatus capable of reading high-quality image information adjusted by the adjustment reference chart.
以下に図面を参照しながら本発明に係る画像読取装置用の調整基準チャート及びそれを用いた光学評価方法及びそれによって用いて調整された画像読取装置等の実施の形態について説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments of an adjustment reference chart for an image reading apparatus according to the present invention, an optical evaluation method using the same, and an image reading apparatus adjusted using the same will be described below with reference to the drawings.
[実施例1]
図1は本発明の実施例1の調整基準チャートの説明図である。本実施例の調整基準チャートは結像光学系によって結像された画像情報を、複数の素子を1次元方向に配列した1次元光電変換素子によって読み取る画像読取装置を構成する部材の位置を調整する際に用いられる。
[Example 1]
FIG. 1 is an explanatory diagram of an adjustment reference chart according to the first embodiment of the present invention. The adjustment reference chart of this embodiment adjusts the position of a member constituting an image reading apparatus that reads image information imaged by an imaging optical system by a one-dimensional photoelectric conversion element in which a plurality of elements are arranged in a one-dimensional direction. Used when.
図中、1は調整基準チャートであり、少なくとも互いに平行な複数の格子の集合体より成る格子パターンを含む第1、第2の解像力評価部(パターン)S、Mを有している。以下、第1の解像力評価部をパターンS、第2の解像力評価部をパターンMとも称す。 In the figure, reference numeral 1 denotes an adjustment reference chart, which has first and second resolving power evaluation units (patterns) S and M including at least a lattice pattern composed of a collection of a plurality of lattices parallel to each other. Hereinafter, the first resolving power evaluation unit is also referred to as a pattern S, and the second resolving power evaluation unit is also referred to as a pattern M.
本実施例においては、1次元光電変換素子(CCD)の素子の配列方向を主走査方向とする。格子と1次元光電変換素子の素子の配列方向とのなす角度のうち、小さい方の角度を採用する。そのとき、パターンSは、角度α傾いた互いに並行な複数の格子(白線と黒線)の集合体(集合部)より成る格子パターンs1を有している。パターンMは、角度β傾いた互いに並行な複数の格子(白線と黒線)の集合体(集合部)より成る格子パターンm1を有している。ここで角度α、βは正である。 In this embodiment, the arrangement direction of the elements of the one-dimensional photoelectric conversion element (CCD) is the main scanning direction. Of the angles formed by the lattice and the arrangement direction of the one-dimensional photoelectric conversion elements, the smaller angle is employed. At this time, the pattern S has a lattice pattern s1 made up of an assembly (aggregation part) of a plurality of lattices (white lines and black lines) parallel to each other inclined at an angle α. The pattern M has a lattice pattern m1 composed of an aggregate (aggregate portion) of a plurality of lattices (white lines and black lines) parallel to each other inclined at an angle β. Here, the angles α and β are positive.
本実施例の2つのパターンS、Mを構成する格子パターンs1、m1のそれぞれの白線、黒線の幅が0.085mmで5.9lppmの周波数でCTF測定が行えるように構成されている。 The grid patterns s1 and m1 constituting the two patterns S and M of the present embodiment are configured such that the white line and the black line have a width of 0.085 mm and CTF measurement can be performed at a frequency of 5.9 lppm.
本実施例では、上記角度α、βが、それぞれ
5°≦α≦45°‥‥(1)
45°≦β≦85°‥‥(2)
なる条件を満足するようにしている。
In this embodiment, the angles α and β are 5 ° ≦ α ≦ 45 °, respectively (1)
45 ° ≦ β ≦ 85 ° (2)
To satisfy the following conditions.
本実施例では、上記条件式(1)を満たすようにパターンSの格子パターンs1の角度(傾斜角)αを8°としている。また上記条件式(2)を満たすようにパターンMの格子パターンm1の角度(傾斜角)βを82°としている。これによって、本実施例では、2つのパターンS、Mを用いて結像光学系の互いに異なる方向の解像力特性(解像力性能)の測定(評価)が行なえるようにしている。 In this embodiment, the angle (tilt angle) α of the lattice pattern s1 of the pattern S is set to 8 ° so as to satisfy the conditional expression (1). Further, the angle (tilt angle) β of the lattice pattern m1 of the pattern M is set to 82 ° so as to satisfy the conditional expression (2). Thus, in this embodiment, the two patterns S and M can be used to measure (evaluate) the resolving power characteristics (resolving power performance) in different directions of the imaging optical system.
また、本実施例において調整基準チャートは、上述した如く格子パターンが主走査方向に対して、それぞれ傾斜した2つのパターンS、Mを有している。これにより、調整基準チャートをCCDに投影した際の位相を測定することで、CCDの主走査方向(素子の配列方向)と直交する方向(副走査方向)の位置情報を得ることができる。これにより、本実施例では、幾何特性の測定(評価)が行なえるようにしている。 Further, in the present embodiment, the adjustment reference chart has two patterns S and M in which the lattice pattern is inclined with respect to the main scanning direction as described above. Thus, by measuring the phase when the adjustment reference chart is projected onto the CCD, position information in a direction (sub-scanning direction) orthogonal to the main scanning direction (element arrangement direction) of the CCD can be obtained. Thus, in this embodiment, the measurement (evaluation) of the geometric characteristics can be performed.
なお、本実施例において、更に望ましくは上記条件式(1),(2)の数値範囲を次の如く設定するのが良い。 In the present embodiment, it is more desirable to set the numerical ranges of the conditional expressions (1) and (2) as follows.
8°≦α≦45°‥‥(1a)
45°≦β≦82°‥‥(2a)
また、本実施例では、パターンSの格子パターンs1とパターンMの格子パターンm1との配列方向の成す角度(相対角)をγとするとき、
85°<γ≦90°‥‥(3)
なる条件を満足するようにしている。角度γは正の値である。
8 ° ≦ α ≦ 45 ° (1a)
45 ° ≦ β ≦ 82 ° (2a)
In this embodiment, when the angle (relative angle) formed by the arrangement direction of the lattice pattern s1 of the pattern S and the lattice pattern m1 of the pattern M is γ,
85 ° <γ ≦ 90 ° (3)
To satisfy the following conditions. The angle γ is a positive value.
本実施例においては、上記条件式(3)を満たすように角度γを90°として互いに2つの格子パターンs1、m1が直交するようにしている。これにより、本実施例では、互いに直交する方向の解像力特性を適正に評価することができ、2次元的な解像力特性の測定を容易としている。 In this embodiment, the angle γ is 90 ° so that the conditional expression (3) is satisfied, and the two lattice patterns s1 and m1 are orthogonal to each other. Thus, in this embodiment, the resolution characteristics in the directions orthogonal to each other can be properly evaluated, and the measurement of the two-dimensional resolution characteristics is facilitated.
また、2つのパターンS、Mの格子パターンs1、m1を互いに直交させたことにより、チャート製作上の原版を両パターンで共通化でき、外周部が四角形である1種類の原版を90°回転させて容易に2種のパターンを作成することを容易としている。 In addition, by making the lattice patterns s1 and m1 of the two patterns S and M orthogonal to each other, the original plate for chart production can be shared by both patterns, and one type of original plate whose outer periphery is a square is rotated by 90 °. Thus, it is easy to create two types of patterns.
なお、更に望ましくは上記条件式(3)の数値範囲を次の如く設定するのが良い。 More preferably, the numerical range of the conditional expression (3) should be set as follows.
87°<γ≦90°‥‥(3a)
次に本実施例の調整装置について説明する。図10(A)は本実施例の調整基準チャートを用いて結像光学系の解像力特性および幾何特性を調整する調整装置の要部概略図である。
87 ° <γ ≦ 90 ° (3a)
Next, the adjusting device of the present embodiment will be described. FIG. 10A is a schematic diagram of a main part of an adjusting device that adjusts the resolving power characteristics and the geometric characteristics of the imaging optical system using the adjustment reference chart of this embodiment.
本実施例において、画像読取装置の組み立てに際しては、まずキャリッジ58に必要な部材(部品)を仮組する。そして結像光学系56と1次元光電変換素子57の位置をそれぞれ結像光学系位置調整装置66と1次元光電変換素子位置調整装置67を用いて調整する。調整項目としては、倍率合せ、主走査方向の中心合せ、副走査方向の中心合せ、光軸を基準軸とした回転合せ、ピント位置合せが少なくとも必要である。これらの各項目の調整のためには、原稿面に配置された上述した調整基準チャート1の画像を結像光学系56を経て1次元光電変換素子57に投影する。そして、その像を読み取った電気信号を確認しながら、所望の特性となるように結像光学系56および1次元光電変換素子57の位置を調整する。例えば、光軸方向、光軸に対して直交方向、光軸に対する回転方向、傾き方向等の位置を調整する。 In this embodiment, when assembling the image reading apparatus, necessary members (parts) are first temporarily assembled on the carriage 58. Then, the positions of the imaging optical system 56 and the one-dimensional photoelectric conversion element 57 are adjusted by using the imaging optical system position adjustment device 66 and the one-dimensional photoelectric conversion element position adjustment device 67, respectively. As adjustment items, at least magnification alignment, center alignment in the main scanning direction, center alignment in the sub-scanning direction, rotation alignment using the optical axis as a reference axis, and focus alignment are required. In order to adjust these items, the image of the above-described adjustment reference chart 1 arranged on the document surface is projected onto the one-dimensional photoelectric conversion element 57 through the imaging optical system 56. Then, the positions of the imaging optical system 56 and the one-dimensional photoelectric conversion element 57 are adjusted so as to obtain desired characteristics while confirming the electric signal obtained by reading the image. For example, the optical axis direction, the direction orthogonal to the optical axis, the rotation direction with respect to the optical axis, the tilt direction, and the like are adjusted.
次に本実施例の画像読取装置について説明する。図10(B)は図10(A)の調整装置によって製作される画像読取装置の要部概略図である。 Next, the image reading apparatus of this embodiment will be described. FIG. 10B is a schematic diagram of a main part of an image reading apparatus manufactured by the adjustment apparatus of FIG.
同図において、原稿台ガラス52面上に載置された原稿51を、照明装置53からの光束で照射する。原稿51の画像情報をスリット54、複数の反射ミラー55a〜55dを介して結像光学系56によって読取手段(CCD)57に結像する。そして、これらの各部材53〜57を一体的に収納されたキャリッジ58をモータなどの駆動機構59により副走査方向へ走査する。これにより原稿51の画像情報を読み取っている。そして読み取られた原稿51の画像情報はインターフェイスを通じて不図示の外部機器であるパーソナルコンピューターなどに送られる。 In the figure, a document 51 placed on the surface of the document table glass 52 is irradiated with a light beam from an illumination device 53. Image information of the original 51 is imaged on a reading means (CCD) 57 by an imaging optical system 56 through a slit 54 and a plurality of reflecting mirrors 55a to 55d. A carriage 58 in which these members 53 to 57 are integrally stored is scanned in the sub-scanning direction by a drive mechanism 59 such as a motor. As a result, the image information of the document 51 is read. Then, the read image information of the document 51 is sent to an external device (not shown) such as a personal computer through an interface.
本実施例においては、結像光学系56にアナモフィック面を含む光学素子を用いて光路長を短縮しつつ、結像性能の向上を図っている。 In this embodiment, an optical element including an anamorphic surface is used for the imaging optical system 56, and the imaging performance is improved while shortening the optical path length.
表1に結像光学系(画像読取用レンズ)56の設計数値を示す。表1において、fは結像光学系の焦点距離、FnoはFナンバー、mは結像倍率、Yは最高像高、ωは半画角を示す。また表1に示す結像光学系において、面番号iは原稿面側からの面の順番を示し、Riは各面の曲率半径、Diは第i面と第i+1面との間の部材肉厚又は空気間隔、Ndiとνdiはそれぞれd線を基準とした材料の屈折率、アッベ数を示す。 Table 1 shows design numerical values of the imaging optical system (image reading lens) 56. In Table 1, f is the focal length of the imaging optical system, Fno is the F number, m is the imaging magnification, Y is the maximum image height, and ω is the half field angle. In the imaging optical system shown in Table 1, the surface number i indicates the order of the surfaces from the document surface side, Ri is the radius of curvature of each surface, Di is a member between the i-th surface and the i + 1-th surface. Thickness or air spacing, Ndi and νdi indicate the refractive index and Abbe number of the material with respect to the d-line, respectively.
G1、G2、G3、G4はそれぞれ順に結像光学系56を構成する第1、第2、第3、第4レンズである。第4レンズG4の入出射面がアナモフィック面である。C1は原稿台ガラス、C2はカバーガラスである。アナモフィック面の形状は、表2で示す係数を用いて、次に説明する非球面形状になっている。なお、表2において「E−x」は「10−x」を示している。 G1, G2, G3, and G4 are first, second, third, and fourth lenses, respectively, that form the imaging optical system 56 in order. The incident / exit surface of the fourth lens G4 is an anamorphic surface. C1 is a platen glass and C2 is a cover glass. The shape of the anamorphic surface is an aspherical shape described below using the coefficients shown in Table 2. In Table 2, “E−x” indicates “10 −x ”.
光軸に対して回転非対称な屈折力を有する非球面の形状はレンズ面と光軸との交点を原点とし、光軸方向をx軸、主走査断面内において光軸と直交する軸をy軸、副走査断面内において光軸と直交する軸をz軸とする。このとき、母線形状Xが、 The aspherical shape having a refractive power that is rotationally asymmetric with respect to the optical axis has the intersection point between the lens surface and the optical axis as the origin, the optical axis direction is the x axis, and the axis orthogonal to the optical axis in the main scanning section is the y axis. The axis orthogonal to the optical axis in the sub-scan section is taken as the z-axis. At this time, the bus shape X is
但し、Rは曲率半径
ky ,B4,B6 ,B8 ,B10は非球面係数
なる式で表わされる。
However, R is a radius of curvature k y , B 4 , B 6 , B 8 , B 10 is expressed by an aspheric coefficient.
子線形状Sは母線上において母線と垂直な平面を断面とし、 The child wire shape S has a cross section on a plane perpendicular to the bus bar on the bus bar,
但し、r0 は光軸上の副走査方向の曲率半径(子線曲率半径)でR=r0
D2 ,D4,D6 ,D8 ,D10,E2 ,E4 ,E6,E8 ,E10は非球面係数
なる式で表わされる。
[表1]
f= 32.9 Fno= 6.5 m= 0.189
Y= 108 ω= 27.5
面番号 R D Nd νd
C1 C1 ∞ 3.000 1.516 64.140
C2 ∞
G1 1 10.798 3.367 1.697 55.530
2 22.980 1.140
S 3 ∞(絞り) 0.417
G2 4 -33.062 0.844 1.689 31.070
5 12.104 0.406
G3 6 21.425 4.755 1.786 44.200
7 -21.425 3.600
G4
(アナモ)8* -13.051 1.855 1.530 55.800
9* -15.217
C2 C1 ∞ 0.700 1.516 64.140
C2 ∞
[表2]
0 8面 9面
R -1.305E+01 -1.522E+01
ky -6.556E+00 -3.950E+00
B4 -3.964E-04 -1.469E-04
B6 1.011E-06 -1.644E-06
B8 -6.217E-08 3.185E-09
B10 7.351E-10 -3.429E-11
Kz -6.556E+00 -3.950E+00
D4 -3.964E-04 -1.469E-04
D6 1.011E-06 -1.644E-06
D8 -6.217E-08 3.185E-09
D10 7.351E-10 -3.429E-11
r -1.305E+01 -1.522E+01
E2 4.790E-03 6.799E-03
E4 -6.606E-04 -4.661E-04
E6 1.638E-05 6.402E-06
E8 -3.672E-07 -1.093E-07
E10 6.724E-09 1.808E-09
一般に調整基準チャートを用いて結像光学系の主走査方向と副走査方向の2次元的な解像力を求める際に、2つの格子パターンs1、m1が直交していないと2次元的な解像力を切り分けて求めることができない。
However, r 0 is the radius of curvature in the sub-scanning direction on the optical axis (sub-wire curvature radius), and R = r 0
D 2 , D 4 , D 6 , D 8 , D 10 , E 2 , E 4 , E 6 , E 8 , and E 10 are expressed by an expression that is an aspheric coefficient.
[Table 1]
f = 32.9 Fno = 6.5 m = 0.189
Y = 108 ω = 27.5
Surface number RD Nd νd
C1 C1 ∞ 3.000 1.516 64.140
C2 ∞
G1 1 10.798 3.367 1.697 55.530
2 22.980 1.140
S 3 ∞ (Aperture) 0.417
G2 4 -33.062 0.844 1.689 31.070
5 12.104 0.406
G3 6 21.425 4.755 1.786 44.200
7 -21.425 3.600
G4
(Anamo) 8 * -13.051 1.855 1.530 55.800
9 * -15.217
C2 C1 ∞ 0.700 1.516 64.140
C2 ∞
[Table 2]
0 8 side 9 side
R -1.305E + 01 -1.522E + 01
ky -6.556E + 00 -3.950E + 00
B4 -3.964E-04 -1.469E-04
B6 1.011E-06 -1.644E-06
B8 -6.217E-08 3.185E-09
B10 7.351E-10 -3.429E-11
Kz -6.556E + 00 -3.950E + 00
D4 -3.964E-04 -1.469E-04
D6 1.011E-06 -1.644E-06
D8 -6.217E-08 3.185E-09
D10 7.351E-10 -3.429E-11
r -1.305E + 01 -1.522E + 01
E2 4.790E-03 6.799E-03
E4 -6.606E-04 -4.661E-04
E6 1.638E-05 6.402E-06
E8 -3.672E-07 -1.093E-07
E10 6.724E-09 1.808E-09
Generally, when the two-dimensional resolving power in the main scanning direction and the sub-scanning direction of the imaging optical system is obtained using the adjustment reference chart, the two-dimensional resolving power is separated if the two lattice patterns s1 and m1 are not orthogonal to each other. Cannot be determined.
次に2次元的な解像力を直交する方向に分離できていない場合の不具合について図2及び図3を用いて説明する。図2は画像読取装置に用いられる結像光学系の光軸上でのスポットダイアグラム特性を示す図である。結像光学系は、画像読取装置として組み立てられた際には、図10(B)で示したように複数の平面ミラー(反射ミラー)と組み合わせて使用されることが多い。 Next, a problem when the two-dimensional resolving power cannot be separated in the orthogonal direction will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram showing spot diagram characteristics on the optical axis of an imaging optical system used in the image reading apparatus. When the imaging optical system is assembled as an image reading apparatus, it is often used in combination with a plurality of plane mirrors (reflection mirrors) as shown in FIG.
結像光学系の左側(原稿面側)で距離34.1mmに配置された平面ミラーが、例えば変異して主走査方向に曲率半径10000mmのトーリック反射面(凹面)となった場合のスポットダイアグラムを図3に示す。平面ミラーの変異によって、スポットダイアグラムは反りがない状態と比較して主走査方向に肥大する。平面ミラーは主走査方向に長い矩形形状をしており、その両端部で保持される。保持間隔が長いために、主走査方向の反りは発生し易い。組立工程においては、反りが発生しないように保持構造や組付け作業方法に注意が払われるが、完全に防ぐことはできない。したがって、組立工程で発生してしまった反りによる影響をなるべく低減できる光学評価方法が必要である。 Figure shows a spot diagram when a flat mirror placed at a distance of 34.1 mm on the left side (document side) of the imaging optical system changes to a toric reflection surface (concave surface) with a radius of curvature of 10,000 mm in the main scanning direction, for example. 3 shows. Due to the variation of the plane mirror, the spot diagram is enlarged in the main scanning direction as compared with the state without warping. The flat mirror has a rectangular shape that is long in the main scanning direction, and is held at both ends thereof. Since the holding interval is long, warping in the main scanning direction is likely to occur. In the assembling process, attention is paid to the holding structure and the assembling work method so that warpage does not occur, but it cannot be completely prevented. Therefore, there is a need for an optical evaluation method that can reduce as much as possible the influence of warpage that has occurred in the assembly process.
図3に示すようなスポットダイアグラム特性を有する結像光学系を、前記特許文献2で例示されたパターンを用いてCTF評価を行った場合の比較例を図4、図5に示す。 FIGS. 4 and 5 show comparative examples in which the imaging optical system having the spot diagram characteristics as shown in FIG. 3 is subjected to CTF evaluation using the pattern exemplified in Patent Document 2. FIG.
図4は比較例における調整基準チャートを示す図、図5は比較例におけるCTF特性を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing an adjustment reference chart in the comparative example, and FIG. 5 is a diagram showing CTF characteristics in the comparative example.
図4において、パターンMの格子(白線、黒線)より成る格子パターンm1は主走査方向に垂直であり、パターンSの格子(白線、黒線)より成る格子パターンs1は主走査方向に対して45°傾いて配置される。両パターンS、Mを構成する格子パターンs1、m1の格子は白線、黒線ともに幅が0.085mmで5.9lppmの周波数でCTF測定を行う。尚、CTF値は解像力評価パターン内の画像信号の最大値MAXと最小値MINを用いて、次の式で算出される。 In FIG. 4, a lattice pattern m1 composed of a pattern M lattice (white line, black line) is perpendicular to the main scanning direction, and a lattice pattern s1 composed of a pattern S lattice (white line, black line) is relative to the main scanning direction. It is inclined at 45 °. The gratings of the grating patterns s1 and m1 constituting both patterns S and M have a white line and black line width of 0.085 mm and CTF measurement at a frequency of 5.9 lppm. The CTF value is calculated by the following equation using the maximum value MAX and the minimum value MIN of the image signal in the resolution evaluation pattern.
図5に示すように、特許文献2に例示されるパターンSとパターンMを用いたときには、互いに最良結像状態になる位置が異なり、どちらに合せるべきか判断できない。これは、図4に示すように、主走査方向に対して垂直な格子パターンm1に対して、格子パターンs1が格子パターンm1の成分を含んでいるからである。 As shown in FIG. 5, when the pattern S and the pattern M exemplified in Patent Document 2 are used, the positions where the best image formation state is different from each other, and it cannot be determined which one should be adjusted. This is because the lattice pattern s1 includes a component of the lattice pattern m1 with respect to the lattice pattern m1 perpendicular to the main scanning direction, as shown in FIG.
これに対して本実施例においては、上記図3で説明した特性のCTF値を計算した場合、CTF特性が図6に示すようになり、パターンSとパターンMを用いたときにそれぞれで最良となるピント位置は異なる。これは格子パターンm1の配列方向が例示したスポットダイアグラム特性の肥大方向に近い方向であるからである。それぞれのパターンS、Mを用いたときに示す最良ピント位置は異なる。しかしながら、前述したように本実施例では2つのパターンS、Mの格子パターンs1、m1の配列方向を直交させており、2次元的な解像力特性を独立した2方向で評価できるから、パターンSとパターンMの解像力特性は互いに独立である。 On the other hand, in this embodiment, when the CTF value of the characteristic described in FIG. 3 is calculated, the CTF characteristic becomes as shown in FIG. 6, and the best when the pattern S and the pattern M are used. The focus position is different. This is because the arrangement direction of the lattice pattern m1 is close to the enlarged direction of the spot diagram characteristics exemplified. The best focus position shown when the patterns S and M are used is different. However, as described above, in this embodiment, the arrangement directions of the lattice patterns s1 and m1 of the two patterns S and M are orthogonal, and the two-dimensional resolution characteristics can be evaluated in two independent directions. The resolution characteristics of the pattern M are independent from each other.
よって、スポットダイアグラムの最も小さい、つまり2次元的に最も結像状態の良好なピント位置に調整するためには、図6に示すパターンSとパターンMを用いたときのそれぞれの最良ピント位置の中間地点に調整されれば良い。この中間地点は、パターンSとパターンMのCTF値の平均値(2点鎖線)の最良位置と同一地点であることを利用して容易に最良調整位置を判定することができる。 Therefore, in order to adjust the focus position to the smallest spot diagram, that is, the best two-dimensional focus state, an intermediate position between the best focus positions when the patterns S and M shown in FIG. 6 are used. It only has to be adjusted to the point. It is possible to easily determine the best adjustment position by utilizing that the intermediate point is the same point as the best position of the average value (two-dot chain line) of the CTF values of the pattern S and the pattern M.
また、パターンSとパターンMの格子パターンs1、m1が主走査方向に対して、それぞれ傾斜しているために、幾何特性の測定(調整)も同じパターンを使って行うことができる。格子の傾斜角が大きいパターンMはCCDが主走査方向と直交する方向に位置ズレした場合の位相変化は小さいため、移動量が大きい調整に好適であり、パターンSは逆に位相変化が大きいため、微小移動での高精度の調整に好適である。 Further, since the lattice patterns s1 and m1 of the pattern S and the pattern M are inclined with respect to the main scanning direction, the geometric characteristics can be measured (adjusted) using the same pattern. The pattern M having a large grating inclination angle has a small phase change when the CCD is displaced in the direction orthogonal to the main scanning direction, and is therefore suitable for adjustment with a large amount of movement. On the contrary, the pattern S has a large phase change. It is suitable for high-precision adjustment with minute movement.
本実施例では上述した如く2つのパターンS、Mを有する調整基準チャートを用いることで、高精度な幾何特性の調整が可能となり、前述した特許文献1で例示された45°斜線パターンを調整基準チャート内に配置する必要がなくなる。 In this embodiment, by using the adjustment reference chart having the two patterns S and M as described above, it is possible to adjust the geometric characteristics with high accuracy, and the 45 ° oblique line pattern exemplified in Patent Document 1 described above is used as the adjustment reference. There is no need to place it in the chart.
[実施例2]
図7は本発明の実施例2の調整基準チャートの説明図である。同図において図1に示した要素と同一要素には同符番を付している。本実施例において前述の実施例1と異なる点は、2つのパターンS、Mを構成する格子パターンs1、m1の配列方向が異なっていることである。即ち、CCDの素子の配列方向に対しての角度α、βを異ならせたことである。その他の構成及び光学的作用は実施例1と同様であり、これにより同様な効果を得ている。
[Example 2]
FIG. 7 is an explanatory diagram of an adjustment reference chart according to the second embodiment of the present invention. In the figure, the same elements as those shown in FIG. The present embodiment is different from the first embodiment in that the arrangement directions of the lattice patterns s1 and m1 constituting the two patterns S and M are different. That is, the angles α and β with respect to the arrangement direction of the CCD elements are made different. Other configurations and optical functions are the same as those in the first embodiment, and the same effects are obtained.
なお、本実施例の2つのパターンS、Mを構成する格子パターンs1、m1の格子は前述の実施例1と同様、白線、黒線ともに幅が0.085mmで5.9lppmの周波数でCTF測定が行なえる。 In addition, the gratings of the grating patterns s1 and m1 constituting the two patterns S and M of the present embodiment can perform CTF measurement at a frequency of 5.9 lppm with a white line and a black line having a width of 0.085 mm, as in the first embodiment. The
つまり、本実施例において、パターンSを構成する格子パターンs1はα=45°、パターンMを構成する格子パターンm1はβ=45°の傾斜角を持って配置されている。そして双方の格子パターンs1、m1の配列方向の相対角γは、90°で互いに直交させている。これは前述した条件式(1),(2),(3)を全て満足している。 That is, in this embodiment, the lattice pattern s1 constituting the pattern S is arranged with an inclination angle of α = 45 °, and the lattice pattern m1 constituting the pattern M is arranged with an inclination angle of β = 45 °. The relative angle γ in the arrangement direction of both lattice patterns s1, m1 is 90 ° and orthogonal to each other. This satisfies all the conditional expressions (1), (2), and (3) described above.
前述の実施例1と同じく図3で説明した特性のCTF値を計算した場合、CTF特性は図8に示すようになり、パターンSとパターンMを用いたときにそれぞれで最良となるピント位置は一致する。本実施例では、図8に示す肥大方向がパターンSとパターンMの格子パターンs1、m1の配列方向のほぼ中間方向であるために、最良となるピント位置が一致している。もちろん、前述したように、本実施例の2つのパターンS、Mの格子パターンs1、m1の配列方向も直交させている。これにより、2次元的な解像力特性を独立した2方向で評価できているから、パターンSとパターンMの解像力特性は互いに独立である。 When the CTF value of the characteristic described in FIG. 3 is calculated as in the first embodiment, the CTF characteristic is as shown in FIG. 8, and the best focus position for each of the patterns S and M is as follows. Match. In the present embodiment, since the enlargement direction shown in FIG. 8 is a substantially intermediate direction between the arrangement directions of the lattice patterns s1 and m1 of the pattern S and the pattern M, the best focus position matches. Of course, as described above, the arrangement directions of the two patterns S and M of the lattice patterns s1 and m1 of the present embodiment are also orthogonal. Thereby, since the two-dimensional resolution characteristics can be evaluated in two independent directions, the resolution characteristics of the pattern S and the pattern M are independent of each other.
本実施例での2次元的に最も結像状態の良好なピント位置は明らかであるが、その位置は実施例1で説明した、パターンSとパターンMのCTF値の平均値(2点鎖線)の最良位置としても判定を誤ることはない。また、パターンSの格子パターンs1とパターンMの格子パターンm1が主走査方向に対して、それぞれ傾斜しているために、幾何特性の測定(調整)も同じパターンを使って行うことができる。 Although the focus position in the best two-dimensional imaging state in this embodiment is clear, the position is the average value (two-dot chain line) of the CTF values of the patterns S and M described in the first embodiment. Even if it is the best position, there is no misjudgment. Further, since the lattice pattern s1 of the pattern S and the lattice pattern m1 of the pattern M are inclined with respect to the main scanning direction, measurement (adjustment) of the geometric characteristics can be performed using the same pattern.
パターンSの格子パターンs1とパターンMの格子パターンm1は主走査方向に対して、ともに45°の傾斜角であるが、傾斜方向は反対向きなので、CCDが主走査方向と直交する方向に位置ズレした場合の位相変化の方向は互いに逆になる。よって、両位相ズレ量を演算することで、主走査方向と直交する方向の位置ズレを高精度に測定でき、それ以外の影響も算出可能となる。これにより、高精度な幾何特性の調整が容易となり、前述した特許文献1で例示された45°斜線パターンを調整基準チャート内に配置する必要がなくなる。 The lattice pattern s1 of the pattern S and the lattice pattern m1 of the pattern M are both at an inclination angle of 45 ° with respect to the main scanning direction, but since the inclination directions are opposite, the CCD is misaligned in a direction perpendicular to the main scanning direction. In this case, the directions of phase change are opposite to each other. Therefore, by calculating both phase shift amounts, the positional shift in the direction orthogonal to the main scanning direction can be measured with high accuracy, and other effects can be calculated. This facilitates highly accurate adjustment of geometric characteristics and eliminates the need to arrange the 45 ° oblique line pattern exemplified in Patent Document 1 described above in the adjustment reference chart.
尚、各実施例では、2つのパターンS、Mの格子パターンを傾斜させ、さらに直交させることで、解像力特性と幾何特性を高精度に測定(調整)したが、これに限定されることはない。それぞれ一方の測定でも本発明の目的である画像読取装置で読み取りを行う画像情報の高画質化に貢献できる。また、格子パターンの格子の傾斜角や線幅は各実施例で設定した値に限らず、特に傾斜角α、βはそれぞれ条件式(1),(2)を満足する範囲であれば他の形態であっても効果を発揮する。 In each embodiment, the resolution characteristics and the geometric characteristics are measured (adjusted) with high accuracy by inclining and orthogonalizing the lattice patterns of the two patterns S and M. However, the present invention is not limited to this. . Either one of the measurements can contribute to improving the image quality of the image information read by the image reading apparatus, which is the object of the present invention. In addition, the inclination angle and line width of the lattice of the lattice pattern are not limited to the values set in each embodiment, and in particular, the inclination angles α and β are other ranges as long as they satisfy the conditional expressions (1) and (2), respectively. Even in the form, it is effective.
このように本実施例では上述した如く一枚の調整基準チャート内に幾何特性と解像力特性を測定するパターンを容易に配置している。また、この調整基準チャートを用いることにより、解像力特性および幾何特性を精度良く調整可能な調整装置を実現することができる。さらに、その調整装置によって、高画質の画像読み取りができる画像読取装置を製作することができる。 As described above, in this embodiment, patterns for measuring geometric characteristics and resolving power characteristics are easily arranged in one adjustment reference chart as described above. Further, by using this adjustment reference chart, it is possible to realize an adjustment device that can adjust the resolution characteristic and the geometric characteristic with high accuracy. Further, an image reading apparatus capable of reading a high-quality image can be manufactured by the adjusting device.
1 調整基準チャート、S 第1の解像力評価部、M 第2の解像力評価部、s1、m1 格子パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adjustment reference | standard chart, S 1st resolving power evaluation part, M 2nd resolving power evaluation part, s1, m1 Grid pattern
Claims (6)
前記調整基準チャートは、前記結像光学系によって結像される画像情報を評価するための互いに平行な複数の格子の集合体より成る格子パターンを含む第1、第2の解像力評価部を有しており、
前記第1の解像力評価部の格子パターンと、前記1次元光電変換素子の素子の配列方向とのなす小さい方の角度をα、前記第2の解像力評価部の格子パターンと、前記1次元光電変換素子の素子の配列方向とのなす小さい方の角度をβとするとき、
5°≦α≦45°
45°≦β≦85°
なる条件を満足することを特徴とする調整基準チャート。 An adjustment reference chart used to adjust the position of a member constituting an image reading apparatus that reads image information formed by an image forming optical system by a one-dimensional photoelectric conversion element in which a plurality of elements are arranged in a one-dimensional direction. There,
The adjustment reference chart includes first and second resolving power evaluation units including a lattice pattern composed of a collection of a plurality of parallel lattices for evaluating image information imaged by the imaging optical system. And
The smaller angle formed by the lattice pattern of the first resolving power evaluation unit and the arrangement direction of the elements of the one-dimensional photoelectric conversion element is α, the lattice pattern of the second resolving power evaluation unit, and the one-dimensional photoelectric conversion When the smaller angle formed by the arrangement direction of the elements is β,
5 ° ≦ α ≦ 45 °
45 ° ≦ β ≦ 85 °
An adjustment reference chart characterized by satisfying the following condition.
85°<γ≦90°
なる条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の調整基準チャート。 When the smaller angle formed by the arrangement direction of the lattice pattern of the first and second resolving power evaluation units is γ,
85 ° <γ ≦ 90 °
The adjustment reference chart according to claim 1, wherein the following condition is satisfied.
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