JP2011166035A - Light emitting device and lighting apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device for suppressing the separation of a sealing resin layer without providing a special member such as a frame member, and to provide a lighting apparatus using the light emitting device. <P>SOLUTION: The light emitting device 1 includes a substrate 10 having an insulating property at least at a front surface side, a thermo-conductive pad 15a formed at the front surface side of the substrate 10, a light reflecting layer 45 that is formed on the thermo-conductive pad 15a at least except the element mounting part and laminated with the inclusion of a recess 45a extending in the front surface direction of the substrate 10 in a cross-sectional shape at a boundary with the element mounting part, a light emitting element 11 mounted to the element mounting part on the thermo-conductive pad 15a, and a sealing resin layer 12 covering the light emitting element 11 including the boundary of the light reflecting layer 45. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、LED等の発光素子を用いた発光装置及び照明装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a lighting device using a light emitting element such as an LED.

近時、光源としてLED等の発光素子を基板に複数実装して所定の光量を得るようにする照明装置が開発されている。この照明装置は、例えば、天井面等に直接的に取付けられる、いわゆる直付タイプのベース照明として用いられている。   Recently, a lighting device has been developed in which a plurality of light emitting elements such as LEDs are mounted on a substrate as a light source to obtain a predetermined light amount. This illuminating device is used, for example, as a so-called direct attachment type base illumination that is directly attached to a ceiling surface or the like.

ところで、このような照明装置においては、基板に実装された発光素子を覆って封止する封止部材(封止樹脂層)が設けられている。この封止部材は、一般的には、透明シリコーン樹脂等に蛍光体を混入した材料が用いられ、樹脂製の枠部材(例えば、リフレクタ)で囲まれた領域に注入されて固化される(例えば、特許文献1参照)。この場合、枠部材は、封止部材が不用意に流れ出してしまうのを防止する機能を有するが、発光素子から出射される光が枠部材の内面に反射し、さらに封止部材内で多重反射して、反射損失のために発光効率の低下を招くという問題が発生する。   By the way, in such an illuminating device, the sealing member (sealing resin layer) which covers and seals the light emitting element mounted in the board | substrate is provided. This sealing member is generally made of a material in which a phosphor is mixed into a transparent silicone resin or the like, and is injected into a region surrounded by a resin frame member (for example, a reflector) to be solidified (for example, , See Patent Document 1). In this case, the frame member has a function of preventing the sealing member from inadvertently flowing out, but the light emitted from the light emitting element is reflected on the inner surface of the frame member, and is further subjected to multiple reflection within the sealing member. Thus, there arises a problem that the light emission efficiency is lowered due to the reflection loss.

このため、封止部材の粘度を流れ出さない程度に調整し、枠部材を設けることなく封止部材で発光素子を封止する方法が考えられる。例えば、特許文献2には、枠部材がなく封止部材が形成されている点が開示されている。   For this reason, the viscosity of a sealing member is adjusted to the extent which does not flow out, and the method of sealing a light emitting element with a sealing member without providing a frame member can be considered. For example, Patent Document 2 discloses that a sealing member is formed without a frame member.

また、封止部材を未硬化の状態で発光素子ごとに滴下し、滴下後に半球状に盛り上がった形状で硬化させ、発光素子ごとに封止する技術が開示されている(例えば、特許文献3参照)。   In addition, a technique is disclosed in which a sealing member is dropped for each light emitting element in an uncured state, cured in a hemispherical shape after dropping, and sealed for each light emitting element (see, for example, Patent Document 3). ).

特開2008−85302号公報(段落[0066]、[0067])JP 2008-85302 A (paragraphs [0066] and [0067]) 特開2009−54989号公報(段落[0022]、図1〜図3)JP 2009-54989 A (paragraph [0022], FIGS. 1 to 3) 特開2008−166081号公報(段落[0050]))JP 2008-166081 A (paragraph [0050]))

しかしながら、上記のように枠部材を設けない場合には、封止部材は、基板上に接着されているので、例えば、横方向の力が作用すると基板上から剥離する虞がある。   However, when the frame member is not provided as described above, since the sealing member is bonded onto the substrate, for example, when a lateral force is applied, the sealing member may be peeled off from the substrate.

本発明は、このような課題に鑑みなされたもので、枠部材等の特別な部材を設けることなく封止樹脂層の剥離を抑制できる発光装置及び照明装置を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of such a subject, and it aims at providing the light-emitting device and illuminating device which can suppress peeling of a sealing resin layer, without providing special members, such as a frame member.

請求項1に記載の発光装置は、少なくとも表面側が絶縁性を有する基板と;この基板の表面側に形成された熱伝導パッドと;この熱伝導パッド上の少なくとも素子実装部を除いて形成され、その素子実装部との境界部において断面形状が基板の表面方向に広がる凹部を有して積層された光反射層と;前記熱伝導パッド上の素子実装部に実装された発光素子と;前記光反射層の境界部を含めて発光素子を被覆する封止樹脂層と;を具備することを特徴とする。
本発明及び以下の発明において、特に指定しない限り用語の技術的意味及び解釈は次による。
The light-emitting device according to claim 1 is formed by excluding at least an element mounting portion on the heat conductive pad; a substrate having insulating properties at least on the surface side; a heat conductive pad formed on the surface side of the substrate; A light-reflecting layer laminated with a recess whose cross-sectional shape extends in the surface direction of the substrate at a boundary with the element mounting portion; a light-emitting element mounted on the element mounting portion on the thermal conduction pad; And a sealing resin layer covering the light emitting element including the boundary portion of the reflective layer.
In the present invention and the following inventions, the technical meaning and interpretation of terms are as follows unless otherwise specified.

基板の材料には、ガラスエポキシ樹脂やセラミックス材料又は他の合成樹脂材料を適用できる。さらに、本発明は、各発光素子の放熱性を高めるうえで、アルミニウム等の熱伝導性が良好で放熱性に優れたべース板の一面に絶縁層が積層された金属製のべース基板を適用することを妨げるものではない。また、基板の形状は、長方形状、正方形状や円形状のものが適用できる。格別形状が限定されるものではない。   A glass epoxy resin, a ceramic material, or another synthetic resin material can be applied to the substrate material. Furthermore, the present invention provides a metal base substrate in which an insulating layer is laminated on one surface of a base plate having good thermal conductivity such as aluminum and excellent heat dissipation for improving the heat dissipation of each light emitting element. Does not preclude the application. In addition, a rectangular shape, a square shape, or a circular shape can be applied to the substrate. The special shape is not limited.

熱伝導パッドは、例えば、配線パターンとして用いられることが好ましいが、必ずしも配線パターンとして用いられる必要はない。発光素子から熱を伝導して拡散するヒートスプレッダとしての機能や光を反射する機能を有していれば足りる場合がある。   The heat conductive pad is preferably used as, for example, a wiring pattern, but is not necessarily used as a wiring pattern. A function as a heat spreader that conducts and diffuses heat from a light emitting element or a function that reflects light may be sufficient.

光反射層は、封止樹脂層の剥離が抑制できるような凹部が形成できれば、その材料、形成手段は特段限定されるものではない。また、好適には、光反射層として白色のレジスト層を用いることである。白色のレジスト層を用いることによって、封止樹脂層の剥離が抑制できることに加え、熱伝導パッドを覆う領域の場合には、この熱伝導パッドの劣化防止となるし、半田を用いる形態である場合にはソルダーレジストとして機能することができる。なお、レジスト層の形成には、フォトレジスト材料を用いるのが好ましいが、この材料に限定されるものではない。
発光素子とは、LED等の固体発光素子である。また、発光素子の実装個数は、特段制限はない。
封止樹脂層には、例えば、透明シリコーン樹脂に適量の蛍光体が含有されたものを用いることができる。
請求項2に記載の発光装置は、請求項1に記載の発光装置において、前記光反射層の表面は、発光素子の高さより低い位置に形成されていることを特徴とする。
この構成により、光反射層が発光素子から出射される光の障害となることを軽減できる。
請求項3に記載の照明装置は、装置本体と;装置本体に配設された請求項1又は請求項2に記載の発光装置と;を具備することを特徴とする。
照明装置には、光源や屋内又は屋外で使用される照明器具、ディスプレイ装置等が含まれる。
The light reflecting layer is not particularly limited in its material and forming means as long as a concave portion capable of suppressing the peeling of the sealing resin layer can be formed. Preferably, a white resist layer is used as the light reflecting layer. In addition to being able to suppress the peeling of the sealing resin layer by using a white resist layer, in the case of a region covering the heat conductive pad, the heat conductive pad is prevented from being deteriorated, and the solder is used. Can function as a solder resist. In addition, although it is preferable to use a photoresist material for formation of a resist layer, it is not limited to this material.
A light emitting element is a solid light emitting element such as an LED. Further, the number of mounted light emitting elements is not particularly limited.
As the sealing resin layer, for example, a transparent silicone resin containing an appropriate amount of phosphor can be used.
The light emitting device according to claim 2 is the light emitting device according to claim 1, wherein the surface of the light reflecting layer is formed at a position lower than the height of the light emitting element.
With this configuration, it can be reduced that the light reflecting layer becomes an obstacle to light emitted from the light emitting element.
According to a third aspect of the present invention, there is provided an illumination device comprising: a device main body; and the light emitting device according to the first or second aspect disposed in the device main body.
The lighting device includes a light source, a lighting fixture used indoors or outdoors, a display device, and the like.

請求項1に記載の発明によれば、枠部材等の特別な部材を設けることなく封止樹脂層の剥離を抑制できる発光装置を提供することができる。   According to invention of Claim 1, the light-emitting device which can suppress peeling of a sealing resin layer can be provided, without providing special members, such as a frame member.

請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明の効果に加え、光反射層が発光素子から出射される光の障害となることを軽減でき、発光効率を良好なものとすることができる。
請求項3に記載の発明によれば、上記請求項に記載の発明の効果を奏する照明装置を提供することができる。
According to the invention described in claim 2, in addition to the effect of the invention described in claim 1, it can be reduced that the light reflection layer becomes an obstacle to the light emitted from the light emitting element, and the light emission efficiency is improved. can do.
According to the invention described in claim 3, it is possible to provide an illuminating device that exhibits the effects of the invention described in the above-mentioned claim.

本発明の第1の実施形態の発光装置を表面側から見て示す平面図である。It is a top view which shows the light-emitting device of the 1st Embodiment of this invention seeing from the surface side. 同基板における配線パターン及び接続パターンを示す平面図である。It is a top view which shows the wiring pattern and connection pattern in the board | substrate. 基板における接続パターンを除去し、発光素子を実装した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which removed the connection pattern in a board | substrate and mounted the light emitting element. 図3に示す状態に蛍光体層を塗布した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which apply | coated the fluorescent substance layer to the state shown in FIG. 基板の裏面側を示す平面図である。It is a top view which shows the back surface side of a board | substrate. 図4におけるY−Y線に沿う模式的断面図である。It is typical sectional drawing which follows the YY line in FIG. 発光素子の接続状態を示す結線図である。It is a connection diagram which shows the connection state of a light emitting element. 発光装置を配設した天井直付タイプの照明装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the illuminating device of the ceiling direct attachment type which has arrange | positioned the light-emitting device. 本発明の第2の実施形態の発光装置を表面側から見て示す平面図である。It is a top view which shows the light-emitting device of the 2nd Embodiment of this invention seeing from the surface side.

以下、本発明の第1の実施形態について図1乃至図8を参照して説明する。図1乃至図7は、発光装置1を示しており、図8は、この発光装置1を用いた照明装置20を示している。なお、各図において同一部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。
発光装置1は、図1に示すように、基板10と、複数の発光素子11と、各発光素子11を覆う封止樹脂層としての蛍光体層12とを備えている。
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7 show the light emitting device 1, and FIG. 8 shows an illumination device 20 using the light emitting device 1. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part in each figure, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
As shown in FIG. 1, the light emitting device 1 includes a substrate 10, a plurality of light emitting elements 11, and a phosphor layer 12 as a sealing resin layer that covers each light emitting element 11.

基板10は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料で細長の長方形状に形成されている。したがって、基板の表面は絶縁性を有していて、その長さ寸法は、230mmであり、幅寸法は、35mmである。基板10の厚さ寸法は、0.5mm以上1.8mm以下が好ましく、本実施形態では、1mmのものを適用している。   The substrate 10 is formed in an elongated rectangular shape using an insulating material such as glass epoxy resin. Therefore, the surface of the substrate has insulating properties, the length dimension is 230 mm, and the width dimension is 35 mm. The thickness dimension of the substrate 10 is preferably 0.5 mm or more and 1.8 mm or less, and in this embodiment, a thickness of 1 mm is applied.

基板10の形状は、長方形状に限らない。正方形状や円形状のものが適用できる。また、基板10の材料には、セラミックス材料又は他の合成樹脂材料を適用できる。さらに、本発明は、各発光素子11の放熱性を高めるうえで、アルミニウム等の熱伝導性が良好で放熱性に優れたべース板の一面に絶縁層が積層された金属製のべース基板を適用することを妨げるものではない。   The shape of the substrate 10 is not limited to a rectangular shape. A square or circular shape can be applied. Moreover, a ceramic material or another synthetic resin material can be applied to the material of the substrate 10. Furthermore, the present invention is a metal base in which an insulating layer is laminated on one surface of a base plate having good thermal conductivity such as aluminum and excellent heat dissipation in order to enhance the heat dissipation of each light emitting element 11. It does not prevent the application of the substrate.

基板10の対向する長辺の外縁部には、基板10取付用の複数の表裏貫通部40が形成されている。この表裏貫通部40は、外側に開放する円弧状の切欠き部であり、発光装置1を照明装置の本体に取付ける場合に用いられる。具体的には、固定手段である取付ねじ41の軸部が切欠き部を貫通して、照明装置の本体側にねじ込まれ、頭部が切欠き部の上縁に引っ掛かって固定され、発光装置1が取付けられる。また、基板10の表面側には、詳細を後述する接続パターン14を除去した後の溝部141が形成されている。   A plurality of front and back through portions 40 for mounting the substrate 10 are formed on the outer edge portions of the opposing long sides of the substrate 10. The front and back through-holes 40 are arc-shaped cutouts that open to the outside, and are used when the light-emitting device 1 is attached to the main body of the lighting device. Specifically, the shaft portion of the mounting screw 41, which is a fixing means, passes through the notch portion and is screwed into the main body side of the lighting device, and the head portion is hooked on the upper edge of the notch portion and fixed. 1 is attached. Further, on the surface side of the substrate 10, a groove portion 141 is formed after removing a connection pattern 14 to be described in detail later.

さらに、基板10の表面側には、電源側と接続される電源コネクタ42、この発光装置1を複数接続して照明装置を構成する場合に用いられる接続コネクタ43、点灯回路にノイズが重畳されることによる発光素子11の誤点灯を防止するためのコンデンサCが実装されている。   Furthermore, noise is superimposed on the power supply connector 42 connected to the power supply side, the connection connector 43 used when a plurality of the light emitting devices 1 are connected to form the lighting device, and the lighting circuit on the surface side of the substrate 10. A capacitor C for preventing erroneous lighting of the light emitting element 11 is mounted.

図2乃至図4、図6に示すように、基板10上には、配線パターン15が形成されている。配線パターン15は、複数の発光素子11が配設され複数長手方向に並べられた熱伝導パッド15aと、これら熱伝導パッド15aを電気的に接続する給電導体15bと、給電端子15cとから構成されている。   As shown in FIGS. 2 to 4 and 6, a wiring pattern 15 is formed on the substrate 10. The wiring pattern 15 includes a heat conductive pad 15a in which a plurality of light emitting elements 11 are arranged and arranged in a plurality of longitudinal directions, a power supply conductor 15b that electrically connects the heat conductive pads 15a, and a power supply terminal 15c. ing.

一つの熱伝導パッド15aは、基本的には、略長方形状をなしていて、一側辺から長手方向に2本の細幅の給電導体15b1が延出している。この給電導体15b1には、その延出方向と直交する方向に複数、具体的には、6個の凸状の給電子15b2が形成されている。   One heat conductive pad 15a basically has a substantially rectangular shape, and two narrow feed conductors 15b1 extend in the longitudinal direction from one side. The feeding conductor 15b1 is formed with a plurality of, specifically six, convex feeding electrons 15b2 in a direction orthogonal to the extending direction.

一方、熱伝導パッド15aの長辺及び中央部には、隣接する熱伝導パッド15aの給電導体15b1が絶縁間隔を空けて挿入され、さらに、前記給電子15b2が挿入される挿入凹部15b3が形成されている。このような熱伝導パッド15aが順次反転された形態で組み合わされ長手方向に9個並べられてパターンが形成されている。   On the other hand, the feeding conductor 15b1 of the adjacent thermal conductive pad 15a is inserted with an insulating interval in the long side and the central part of the thermal conductive pad 15a, and further, an insertion recess 15b3 into which the power supply 15b2 is inserted is formed. ing. Nine such heat conductive pads 15a are combined in a reversed order and arranged in the longitudinal direction to form a pattern.

図6に示すように、配線パターン15及び接続パターン14は、三層構成であり、基板10の表面上に第一層151として銅(Cu)、第二層152としてニッケル(Ni)が電解めっき処理されており、第三層153には、反射率の高い銀(Ag)が電解めっき処理されている。配線パターン15の第三層153、すなわち、表層は、いずれも銀(Ag)めっきが施されて反射層が形成されており、全光線反射率は、90%と高いものとなっている。   As shown in FIG. 6, the wiring pattern 15 and the connection pattern 14 have a three-layer structure. On the surface of the substrate 10, copper (Cu) as the first layer 151 and nickel (Ni) as the second layer 152 are electroplated. The third layer 153 is subjected to electrolytic plating with silver (Ag) having high reflectivity. The third layer 153 of the wiring pattern 15, that is, the surface layer, is all subjected to silver (Ag) plating to form a reflective layer, and the total light reflectance is as high as 90%.

この電解めっき処理においては、第二層152のニッケル(Ni)の膜厚は、5μm以上、第三層153の銀(Ag)の膜厚は、1μm以上に形成するのが好ましく、このような膜厚寸法にすることにより、均一な膜厚形成が実現され反射率の均一化が可能となる。   In this electrolytic plating treatment, the nickel (Ni) film thickness of the second layer 152 is preferably 5 μm or more, and the silver (Ag) film thickness of the third layer 153 is preferably 1 μm or more. By setting the film thickness, a uniform film thickness can be formed and the reflectance can be made uniform.

図1及び図6に示すように、基板10の表層には、発光素子11の実装領域や部品の実装部分を除いて、ほとんど全面に光反射層として反射率の高い白色のレジスト層45が積層されている。したがって、図2乃至図4においては、説明上、配線パターン15等を表わしているが、白色のレジスト層45が形成されている場合は、実際には、配線パターン15等は視覚的には見えにくくなっている。   As shown in FIGS. 1 and 6, a white resist layer 45 having a high reflectance is laminated on the entire surface of the substrate 10 as a light reflection layer on almost the entire surface except for the mounting region of the light emitting element 11 and the mounting portion of the components. Has been. Therefore, in FIGS. 2 to 4, the wiring pattern 15 and the like are shown for the sake of explanation. However, when the white resist layer 45 is formed, the wiring pattern 15 and the like are actually visually visible. It has become difficult.

図3において、レジスト層45が形成されていない領域を分かりやすく説明するため、図示上、右から2番目の熱伝導パッド15aにおいて、レジスト層45が形成されていない領域Sを代表して示している。したがって、他の8個の熱伝導パッド15aについても同様に、レジスト層45が形成されていない領域Sが存在している。少なくとも発光素子11(LEDのベアチップ)が接着される部分、すなわち、発光素子11実装部は、このレジスト層45が形成されていない領域Sとなる。   In FIG. 3, in order to easily explain the region where the resist layer 45 is not formed, the region S where the resist layer 45 is not formed is shown as a representative in the second thermal conduction pad 15a from the right in the drawing. Yes. Accordingly, the other eight heat conductive pads 15a similarly have regions S where the resist layer 45 is not formed. At least a portion to which the light emitting element 11 (LED bare chip) is bonded, that is, a mounting portion of the light emitting element 11 is a region S where the resist layer 45 is not formed.

図6に示すように、基板10の表面上には熱伝導パッド15aが形成され、その上にレジスト層45が積層されている。このレジスト層45は、レジスト層45が形成されていない領域Sとの境界部において、その断面形状が基板10の表面方向へ広がる凹部45aを有して形成されている。つまり、熱伝導パッド15a上に積層されたレジスト層45の厚み寸法の範囲において、図示上、下方に広がるように傾斜面をなして横方向に凹部45aが形成されている。   As shown in FIG. 6, a heat conductive pad 15a is formed on the surface of the substrate 10, and a resist layer 45 is laminated thereon. The resist layer 45 is formed having a recess 45 a whose cross-sectional shape extends in the surface direction of the substrate 10 at the boundary with the region S where the resist layer 45 is not formed. That is, in the range of the thickness dimension of the resist layer 45 laminated on the heat conductive pad 15a, the concave portion 45a is formed in the lateral direction with an inclined surface so as to spread downward in the drawing.

このレジスト層は、白色のフォトレジスト材料から形成されており、発光素子11から基板10の表面側に向かう光を前面側に反射する機能や熱伝導パッド15a及び給電導体15b等の金属層の腐食等を防止する機能を有している。   This resist layer is made of a white photoresist material, and has a function of reflecting light traveling from the light emitting element 11 toward the front surface side of the substrate 10 to the front surface side, and corrosion of metal layers such as the heat conductive pad 15a and the power supply conductor 15b. It has a function to prevent the above.

複数の発光素子11は、LEDのベアチップからなる。LEDのベアチップには、例えば、白色系の光を発光部で発光させるために、青色の光を発するものが用いられている。図5に示すように、このLEDのベアチップは、シリコーン樹脂系の絶縁性接着剤16を用いて、熱伝導パッド15a上に接着されている。この場合、LEDのベアチップの上面の高さは、前記レジスト層45の表面の高さより高くなっている。換言すれば、レジスト層45の表面は、発光素子11の高さより低い位置に形成されている。   The plurality of light emitting elements 11 are LED bare chips. For example, an LED bare chip that emits blue light in order to cause white light to be emitted from the light emitting unit is used. As shown in FIG. 5, the bare chip of this LED is bonded onto the heat conductive pad 15 a using a silicone resin-based insulating adhesive 16. In this case, the height of the upper surface of the bare chip of the LED is higher than the height of the surface of the resist layer 45. In other words, the surface of the resist layer 45 is formed at a position lower than the height of the light emitting element 11.

因みに、熱伝導パッド15aの厚さ寸法は、35μmであり、レジスト層45の厚さ寸法は、30〜40μmであり、発光素子11の高さ寸法は、80μmとなっている。   Incidentally, the thickness dimension of the heat conductive pad 15a is 35 μm, the thickness dimension of the resist layer 45 is 30 to 40 μm, and the height dimension of the light emitting element 11 is 80 μm.

LEDのベアチップは、例えば、InGaN系の素子であり、透光性のサファイア素子基板に発光層が積層されており、発光層は、n型窒化物半導体層と、InGaN発光層と、p型窒化物半導体層とが順次積層されて形成されている。そして、発光層に電流を流すための電極は、p型窒化物半導体層上にp型電極パッドで形成されたプラス側電極と、n型窒化物半導体層上にn型電極パッドで形成されたマイナス側電極とで構成されている。これら、電極は、ボンディングワイヤ17によって配線パターン15上に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ17は、金(Au)の細線からなっており、実装強度の向上とLEDのベアチップの損傷低減のため金(Au)を主成分とするバンプを介して接続されている。   An LED bare chip is, for example, an InGaN-based element, in which a light-emitting layer is stacked on a light-transmitting sapphire element substrate, and the light-emitting layer includes an n-type nitride semiconductor layer, an InGaN light-emitting layer, and a p-type nitride layer. A physical semiconductor layer is sequentially stacked. And the electrode for sending an electric current through a light emitting layer was formed with the p-type electrode pad on the p-type nitride semiconductor layer, and the n-type electrode pad on the n-type nitride semiconductor layer. It consists of a negative electrode. These electrodes are electrically connected on the wiring pattern 15 by bonding wires 17. The bonding wires 17 are made of gold (Au) fine wires, and are connected via bumps mainly composed of gold (Au) in order to improve mounting strength and reduce damage to bare LED chips.

図3に代表して示すように、複数の発光素子11は、熱伝導パッド15aの給電子15b2に対応して熱伝導パッド15a上に接着されている。一つの熱伝導パッド15aには、発光素子11は、図示上、上下に6個ずつ設けられて合計12個設けられている。これら発光素子11は、長手方向に並べられた複数の熱伝導パッド15aに設けられていて、複数の列を形成するように並べられて発光素子列を形成している。具体的には、長手方向に2列の発光素子列を形成している。   As representatively shown in FIG. 3, the plurality of light emitting elements 11 are bonded onto the heat conductive pad 15a corresponding to the power supply 15b2 of the heat conductive pad 15a. In one thermal conductive pad 15a, six light emitting elements 11 are provided on the upper and lower sides in the drawing, and a total of twelve light emitting elements 11 are provided. These light emitting elements 11 are provided on a plurality of heat conductive pads 15a arranged in the longitudinal direction, and are arranged so as to form a plurality of rows to form a light emitting element row. Specifically, two light emitting element rows are formed in the longitudinal direction.

また、熱伝導パッド15aの給電子15b2は、隣接する熱伝導パッド15aの挿入凹部15b3に挿入されるようになっているので、発光素子11を熱伝導パッド15aの中央部に配置することができ、発光素子11から発生する熱を熱伝導パッド15aを通じて効果的に放熱させることができる。   Further, since the power supply 15b2 of the heat conductive pad 15a is inserted into the insertion recess 15b3 of the adjacent heat conductive pad 15a, the light emitting element 11 can be disposed at the center of the heat conductive pad 15a. The heat generated from the light emitting element 11 can be effectively dissipated through the heat conductive pad 15a.

このように配設された各発光素子11は、例えば、プラス側電源から熱伝導パッド15a、ボンディングワイヤ17を介して発光素子11のプラス側電極、発光素子11のプマイナス側電極からボンディングワイヤ17を介して隣接する熱伝導パッド15aの給電子15b2へと順次接続され、各発光素子11に給電されるようになっている。   Each of the light emitting elements 11 arranged in this manner has, for example, a positive side power supply through a heat conduction pad 15a and a bonding wire 17 through a plus side electrode of the light emitting element 11 and a bonding wire 17 from the plus side electrode of the light emitting element 11. Are sequentially connected to the power supply 15b2 of the adjacent heat conduction pad 15a through which power is supplied to each light emitting element 11.

以上のように接続された発光素子11は、図7に示すような接続状態となっている。つまり、発光素子11が12個並列に接続された9個の並列回路が直列に接続されている。また、誤点灯を防止するためのコンデンサCが各並列回路及び前記直列接続回路の両端に接続されている。   The light emitting elements 11 connected as described above are connected as shown in FIG. That is, nine parallel circuits in which 12 light emitting elements 11 are connected in parallel are connected in series. A capacitor C for preventing erroneous lighting is connected to both ends of each parallel circuit and the series connection circuit.

蛍光体層12は、透光性合成樹脂、例えば、透明シリコーン樹脂製であり、YAG:Ce等の蛍光体を適量含有している。蛍光体層12は、側面形状が山形で扁平円弧状をなして、図1、図4及び図6に示すように、前記発光素子列に沿って複数の列を形成して、すなわち、2列に形成されており、各発光素子11、ボンディングワイヤ17を被覆し封止している。また、図6に示すように、蛍光体層12は、前記レジスト層45の境界部における凹部45aに入り込んで形成されている。   The phosphor layer 12 is made of a translucent synthetic resin, for example, a transparent silicone resin, and contains an appropriate amount of a phosphor such as YAG: Ce. The phosphor layer 12 has a chevron shape and a flat circular arc shape, and forms a plurality of rows along the light emitting element row as shown in FIGS. 1, 4 and 6, that is, two rows. Each light emitting element 11 and the bonding wire 17 are covered and sealed. As shown in FIG. 6, the phosphor layer 12 is formed so as to enter the recess 45 a at the boundary portion of the resist layer 45.

蛍光体は、発光素子11が発する光で励起されて、発光素子11が発する光の色とは異なる色の光を放射する。発光素子11が青色光を発する本実施形態では、白色光を出射できるようにするために、蛍光体には青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。   The phosphor is excited by light emitted from the light emitting element 11 and emits light of a color different from the color of light emitted from the light emitting element 11. In the present embodiment in which the light emitting element 11 emits blue light, a yellow phosphor that emits yellow light having a complementary color relationship with blue light is used for the phosphor so that white light can be emitted. Has been.

そして、蛍光体層12は、所定の粘度に調整され、不用意に流れ出すことなく、扁平円弧状の形状を保持して未硬化の状態で各発光素子11、ボンディングワイヤ17に対応して塗布され、レジスト層45の境界部における凹部45aに入り込んで、その後に加熱硬化又は所定時間放置して硬化されて設けられている。   The phosphor layer 12 is adjusted to a predetermined viscosity and applied in correspondence with each light emitting element 11 and the bonding wire 17 in an uncured state while maintaining a flat arc shape without inadvertently flowing out. Into the recess 45a at the boundary portion of the resist layer 45, it is then heated and cured or left for a predetermined time to be cured.

図5及び図6に示すように、基板10の裏面側には、放熱用の銅箔46のパターンが全面に亘って形成されている。このパターンは、表面側の熱伝導パッド15aと対応するように縦横18個のブロックに分断されて配設されている。   As shown in FIGS. 5 and 6, a pattern of a heat-dissipating copper foil 46 is formed on the entire back surface of the substrate 10. This pattern is divided into 18 blocks vertically and horizontally so as to correspond to the heat conductive pads 15a on the front side.

このような構成によって、基板10全体の均熱化を図ることができ放熱性能を向上できるとともに、特に、基板10の長手方向と直交するライン状分断部46aによって基板10の熱による反りや変形を抑制できる。なお、銅箔46には、レジスト層が積層されている(図6参照)。   With such a configuration, the temperature uniformity of the entire substrate 10 can be achieved and the heat dissipation performance can be improved, and in particular, the warpage and deformation due to the heat of the substrate 10 can be caused by the line-shaped dividing portion 46a orthogonal to the longitudinal direction of the substrate 10. Can be suppressed. Note that a resist layer is laminated on the copper foil 46 (see FIG. 6).

次に、上記のように構成された発光装置1について製造工程の概略を図2乃至図4を参照して説明する。図2に示すように、基板10の表面側には配線パターン15及び接続パターン14が形成されている。配線パターン15及び接続パターン14は、三層構成であり、配線パターン15は、各発光素子11に電力を供給するための給電路として機能し、接続パターン14は、第一層151の銅(Cu)パターンに、第二層152のニッケル(Ni)、第三層153の銀(Ag)を電解めっきする際に、各熱伝導パッド15aの部分を同電位にするための接続路として機能する。   Next, an outline of the manufacturing process of the light emitting device 1 configured as described above will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2, a wiring pattern 15 and a connection pattern 14 are formed on the surface side of the substrate 10. The wiring pattern 15 and the connection pattern 14 have a three-layer configuration. The wiring pattern 15 functions as a power supply path for supplying power to each light emitting element 11. The connection pattern 14 is made of copper (Cu ) When electrolytically plating nickel (Ni) of the second layer 152 and silver (Ag) of the third layer 153 on the pattern, it functions as a connection path for making the portions of the respective heat conductive pads 15a have the same potential.

配線パターン15及び接続パターン14の形成工程においては、基板10の表面上に第一層151として銅(Cu)パターンが形成される。次いで、第二層152としてニッケル(Ni)、第三層153として銀(Ag)が電解めっき処理される。   In the process of forming the wiring pattern 15 and the connection pattern 14, a copper (Cu) pattern is formed on the surface of the substrate 10 as the first layer 151. Next, nickel (Ni) as the second layer 152 and silver (Ag) as the third layer 153 are subjected to electrolytic plating.

次いで、図6に代表して示すように、配線パターン15及び接続パターン14が形成された上に、レジスト層45のパターンを形成する。前述したように、このレジスト層45のパターンは、発光素子11の実装領域や部品の実装部分を除いた範囲に形成される。本実施形態では、白色のフォトレジスト材料を用いており、紫外線を照射して露光しパターンを形成する。この場合、紫外線をレジスト層に照射するとレジスト層45の境界部において一部の照射光は、レジスト層を透過し熱伝導パッド15aの表面に反射され側方や斜め上方に向かい、レジスト層45の厚み寸法の範囲において、窪み状に露光する。これによって、後に続く現像工程等により前記レジスト層45の境界部における凹部45aは形成される。このような露光による形成は、紫外線の照射強度や時間を調整し設定することにより行うことができる。
なお、このレジスト層45のパターンを形成する工程は、次の接続パターン14を除去する工程の後に行うこともできる。
Next, as representatively shown in FIG. 6, the pattern of the resist layer 45 is formed on the wiring pattern 15 and the connection pattern 14. As described above, the pattern of the resist layer 45 is formed in a range excluding the mounting region of the light emitting element 11 and the mounting portion of the component. In this embodiment, a white photoresist material is used, and exposure is performed by irradiating ultraviolet rays to form a pattern. In this case, when the resist layer is irradiated with ultraviolet rays, a part of the irradiated light at the boundary portion of the resist layer 45 is transmitted through the resist layer and reflected by the surface of the heat conductive pad 15a and directed sideways or obliquely upward. In the range of the thickness dimension, exposure is performed in a hollow shape. As a result, a recess 45a at the boundary portion of the resist layer 45 is formed by a subsequent development process or the like. Formation by such exposure can be performed by adjusting and setting the irradiation intensity and time of ultraviolet rays.
The step of forming the pattern of the resist layer 45 can also be performed after the next step of removing the connection pattern 14.

このように配線パターン15及び接続パターン14、レジスト層45が形成された基板10において、図3に示すように、接続パターン14を除去する。例えば、ルーターやトリマー等を用いて基板10表面上の接続パターン14を削り取る。したがって、各熱伝導パッド15aと接続パターン14との電気的接続は遮断されるようになる。接続パターン14を削り取った後には、痕跡として長手方向に直線状で断面凹状の溝部141が形成される。   As shown in FIG. 3, the connection pattern 14 is removed from the substrate 10 on which the wiring pattern 15, the connection pattern 14, and the resist layer 45 are formed. For example, the connection pattern 14 on the surface of the substrate 10 is scraped off using a router, a trimmer, or the like. Therefore, the electrical connection between each heat conductive pad 15a and the connection pattern 14 is cut off. After the connection pattern 14 is scraped off, a groove 141 that is linear in the longitudinal direction and concave in cross section is formed as a trace.

続いて、配線パターン15の熱伝導パッド15a上に、複数の発光素子11を発光素子列を形成するように実装し、その上を図4に示すように、蛍光体層12で列を形成するように覆って封止する。この場合、蛍光体層12は、所定の粘度に調整されているので、側面が扁平円弧状の形状に保持され、また、レジスト層45の境界部における凹部45aに入り込んで硬化される。   Subsequently, a plurality of light emitting elements 11 are mounted on the heat conductive pad 15a of the wiring pattern 15 so as to form a light emitting element row, and a row is formed on the phosphor layer 12 as shown in FIG. Cover and seal. In this case, since the phosphor layer 12 is adjusted to have a predetermined viscosity, the side surface is held in a flat arc shape, and enters the concave portion 45 a at the boundary portion of the resist layer 45 and is cured.

次に、図8を参照して上述の発光装置1を配設した照明装置20について説明する。図においては、天井面に設置して使用される天井直付タイプの照明装置20を示している。照明装置20は、細長で略直方体形状の本体ケース21を備えており、この本体ケース21内には、前記発光装置1が複数個、具体的には2個直線状に接続されて配設されている。また、電源回路を備えた電源ユニットは、本体ケース21に内蔵されている。なお、本体ケース21の下方開口部には、拡散性を有する前面カバー22が取付けられている。   Next, with reference to FIG. 8, the illuminating device 20 which has arrange | positioned the said light-emitting device 1 is demonstrated. In the figure, a direct ceiling-mounted illumination device 20 used by being installed on a ceiling surface is shown. The illuminating device 20 includes an elongated and substantially rectangular parallelepiped main body case 21. In the main body case 21, a plurality of the light emitting devices 1, specifically two, are connected in a straight line. ing. The power supply unit including the power supply circuit is built in the main body case 21. A diffusive front cover 22 is attached to the lower opening of the main body case 21.

上述した構成の発光装置1の作用を説明する。電源回路により通電されると、各発光素子11が一斉に点灯されて、発光素子11から出射される光は、蛍光体層12を透過して放射され、発光装置1は白色の光を出射する面状光源として使用される。   The operation of the light emitting device 1 having the above-described configuration will be described. When energized by the power supply circuit, the light emitting elements 11 are turned on all at once, the light emitted from the light emitting elements 11 is emitted through the phosphor layer 12, and the light emitting device 1 emits white light. Used as a planar light source.

この点灯中において、熱伝導パッド15aは、各発光素子11が発した熱を拡散するヒートスプレッダとして機能する。さらに、発光装置1の発光中、発光素子11が放射した光のうちで基板10側に向かった光は、熱伝導パッド15aの表層の反射層で主として光の利用方向に反射される。そのため、光の取出し効率を良好なものとすることができる。   During the lighting, the heat conductive pad 15a functions as a heat spreader that diffuses the heat generated by each light emitting element 11. Further, during the light emission of the light emitting device 1, the light emitted from the light emitting element 11 toward the substrate 10 is reflected mainly in the light utilization direction by the reflection layer on the surface layer of the heat conductive pad 15a. Therefore, the light extraction efficiency can be improved.

また、蛍光体層12は、レジスト層45の境界部における凹部45aに入り込んで硬化されているので、蛍光体層12が基板10面から剥離するのを抑制できる。   Moreover, since the phosphor layer 12 enters the concave portion 45a at the boundary portion of the resist layer 45 and is cured, the phosphor layer 12 can be prevented from peeling from the surface of the substrate 10.

さらに、レジスト層45の表面は、発光素子11の高さより低い位置に形成されているので、レジスト層45が発光素子11から出射される光の障害となることを軽減できる。   Furthermore, since the surface of the resist layer 45 is formed at a position lower than the height of the light emitting element 11, it can be reduced that the resist layer 45 becomes an obstacle to light emitted from the light emitting element 11.

以上のように本実施形態によれば、枠部材等の特別な部材を設けることなく蛍光体層12の剥離を抑制することができる。また、レジスト層45が発光素子11から出射される光の障害となることを軽減でき、発光効率を良好なものとすることができる。
次に、本発明の第2の実施形態について図9を参照して説明する。なお、第1の実施形態と同一又は相当部分には、同一符号を付し重複した説明は省略する。
本実施形態では、蛍光体層12は、発光素子11を発光素子11ごとに個々に被覆して封止し、列を形成するものである。
As described above, according to this embodiment, peeling of the phosphor layer 12 can be suppressed without providing a special member such as a frame member. Moreover, it can reduce that the resist layer 45 becomes an obstacle of the light radiate | emitted from the light emitting element 11, and can make luminous efficiency favorable.
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the part which is the same as that of 1st Embodiment, or an equivalent, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
In this embodiment, the phosphor layer 12 covers the light emitting elements 11 individually for each light emitting element 11 and seals them to form a row.

このような構成によれば、蛍光体層12の量を減少できるとともに、第1の実施形態と同様に、蛍光体層12の剥離を抑制することができ、また、レジスト層45が発光素子11から出射される光の障害となることを軽減でき、発光効率を良好なものとすることができる。   According to such a configuration, the amount of the phosphor layer 12 can be reduced, and similarly to the first embodiment, the peeling of the phosphor layer 12 can be suppressed, and the resist layer 45 is made of the light emitting element 11. It is possible to reduce the obstacle to the light emitted from the light source, and to improve the light emission efficiency.

なお、本発明は、上記各実施形態の構成に限定されることなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、光反射層としてのレジスト層の形成には、フォトレジスト材料を用いるのが好ましいが、この材料に限定されるものではない。封止樹脂層の剥離が抑制できるような凹部が形成できれば、他の材料、他の手段を適用してもよい。
また、レジスト層の境界部に形成される凹部は、境界部の全範囲に形成されていなくてもよい。部分的に形成されていても所期の効果を得られる場合がある。
The present invention is not limited to the configuration of each of the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. For example, a photoresist material is preferably used for forming the resist layer as the light reflecting layer, but is not limited to this material. Other materials and other means may be applied as long as a concave portion capable of suppressing the peeling of the sealing resin layer can be formed.
Moreover, the recessed part formed in the boundary part of a resist layer does not need to be formed in the whole range of a boundary part. Even if it is partially formed, the desired effect may be obtained.

熱伝導パッドは、配線パターンとして用いられることが好ましいが、必ずしも配線パターンとして用いられる必要はない。発光素子から熱を伝導して拡散するヒートスプレッダとしての機能や光を反射する機能を有していれば足りる場合がある。
封止樹脂層には、例えば、蛍光体を用いることなく、発光素子から直接赤色光、緑色光、青色光を放射させるように構成してもよい。
照明装置としては、光源や屋内又は屋外で使用される照明器具、ディスプレイ装置等に適用が可能である。
The thermal conductive pad is preferably used as a wiring pattern, but is not necessarily used as a wiring pattern. A function as a heat spreader that conducts and diffuses heat from a light emitting element or a function that reflects light may be sufficient.
For example, the sealing resin layer may be configured to emit red light, green light, and blue light directly from the light emitting element without using a phosphor.
The lighting device can be applied to a light source, a lighting fixture used indoors or outdoors, a display device, and the like.

1・・・発光装置、10・・・基板、11・・・発光素子(LEDチップ)、
12・・・封止樹脂層(蛍光体層)、14・・・接続パターン、
141・・・溝部、15・・・配線パターン、15a・・・熱伝導パッド、
17・・・ボンディングワイヤ、20・・・照明装置、
45・・・光反射層(レジスト層)、45a・・・凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-emitting device, 10 ... Board | substrate, 11 ... Light emitting element (LED chip),
12 ... Sealing resin layer (phosphor layer), 14 ... Connection pattern,
141 ... groove, 15 ... wiring pattern, 15a ... heat conduction pad,
17 ... bonding wire, 20 ... lighting device,
45... Light reflecting layer (resist layer), 45 a.

Claims (3)

少なくとも表面側が絶縁性を有する基板と;
この基板の表面側に形成された熱伝導パッドと;
この熱伝導パッド上の少なくとも素子実装部を除いて形成され、その素子実装部との境界部において断面形状が基板の表面方向に広がる凹部を有して積層された光反射層と;
前記熱伝導パッド上の素子実装部に実装された発光素子と;
前記光反射層の境界部を含めて発光素子を被覆する封止樹脂層と;
を具備することを特徴とする発光装置。
A substrate having at least an insulating surface;
A thermally conductive pad formed on the surface side of the substrate;
A light reflecting layer which is formed excluding at least the element mounting portion on the heat conduction pad and is laminated with a concave portion whose cross-sectional shape extends in the surface direction of the substrate at the boundary with the element mounting portion;
A light emitting device mounted on a device mounting portion on the thermal conductive pad;
A sealing resin layer covering a light emitting element including a boundary portion of the light reflecting layer;
A light-emitting device comprising:
前記光反射層の表面は、発光素子の高さより低い位置に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein a surface of the light reflecting layer is formed at a position lower than a height of the light emitting element. 装置本体と;
装置本体に配設された請求項1又は請求項2に記載の発光装置と;
を具備することを特徴とする照明装置。
The device body;
The light-emitting device according to claim 1 or 2 disposed in the device main body;
An illumination device comprising:
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013098389A (en) * 2011-11-01 2013-05-20 Toshiba Lighting & Technology Corp Light emitting module and lighting device
JP2013115005A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting apparatus
KR101300138B1 (en) * 2012-05-04 2013-08-26 재단법인 한국조명연구원 Led chip package
JP2014135431A (en) * 2013-01-11 2014-07-24 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board for mounting light-emitting element, method of manufacturing the same, and light-emitting element mounting wiring board
JP2018060962A (en) * 2016-10-07 2018-04-12 岩崎電気株式会社 Light-emitting module
CN111192896A (en) * 2018-11-15 2020-05-22 日亚化学工业株式会社 Method for manufacturing light emitting device, and light source device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154769A (en) * 1997-07-30 1999-02-26 Toshiba Corp Optical packaging component and its manufacture
JP2008047604A (en) * 2006-08-11 2008-02-28 Tokuyama Corp Metallized substrate, and semiconductor device
JP2008166611A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Kyocera Corp Light emitting element array, optical print head using the same and image forming apparatus
JP2008258296A (en) * 2007-04-03 2008-10-23 Sony Corp Light-emitting device and light source device
JP2009040884A (en) * 2007-08-09 2009-02-26 Hitachi Ltd Resin composition for forming light reflecting part, wiring board having film of composition thereof and its manufacturing method, optical semiconductor package, and lighting system
JP2009090867A (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Calsonic Kansei Corp Vehicular scavenging system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154769A (en) * 1997-07-30 1999-02-26 Toshiba Corp Optical packaging component and its manufacture
JP2008047604A (en) * 2006-08-11 2008-02-28 Tokuyama Corp Metallized substrate, and semiconductor device
JP2008166611A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Kyocera Corp Light emitting element array, optical print head using the same and image forming apparatus
JP2008258296A (en) * 2007-04-03 2008-10-23 Sony Corp Light-emitting device and light source device
JP2009040884A (en) * 2007-08-09 2009-02-26 Hitachi Ltd Resin composition for forming light reflecting part, wiring board having film of composition thereof and its manufacturing method, optical semiconductor package, and lighting system
JP2009090867A (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Calsonic Kansei Corp Vehicular scavenging system

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013098389A (en) * 2011-11-01 2013-05-20 Toshiba Lighting & Technology Corp Light emitting module and lighting device
JP2013115005A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Toshiba Lighting & Technology Corp Lighting apparatus
KR101300138B1 (en) * 2012-05-04 2013-08-26 재단법인 한국조명연구원 Led chip package
JP2014135431A (en) * 2013-01-11 2014-07-24 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board for mounting light-emitting element, method of manufacturing the same, and light-emitting element mounting wiring board
JP2018060962A (en) * 2016-10-07 2018-04-12 岩崎電気株式会社 Light-emitting module
CN111192896A (en) * 2018-11-15 2020-05-22 日亚化学工业株式会社 Method for manufacturing light emitting device, and light source device

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