JP2011163780A

JP2011163780A - Radiation sensor

Info

Publication number: JP2011163780A
Application number: JP2010023517A
Authority: JP
Inventors: Masataka Araogi; 正隆新荻; Takeshi Uchiyama; 武内山; Matsuo Kishi; 松雄岸
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 2010-02-04
Filing date: 2010-02-04
Publication date: 2011-08-25

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation sensor which enables miniaturization and cost reduction. <P>SOLUTION: In a sensor device 10 equipped with a film 22 having electric insulation and a plurality of temperature sensitive elements 21 arranged at least on one surface side of the film 22, the film 22 is formed of a material constituted mainly of resin and fixed on a non-planar circuit board 11. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、赤外線等の輻射を検出するための温感素子を搭載した輻射センサに関する。 The present invention relates to a radiation sensor equipped with a temperature sensing element for detecting radiation such as infrared rays.

赤外線等の輻射を検出する輻射センサは、焦電型や、ボロメータ型、サーモパイル型等に大別される。これら輻射センサの基本的なセンサ構造はほぼ同一であり、単結晶シリコン等からなる台座部と、台座部に支持されたシリコン化合物薄膜（例えば、酸化膜（ＳｉＯ_２）や窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）等）からなる熱絶縁膜と、熱絶縁膜上に配置されて赤外線の輻射を検出する温感素子とを備えている。そして、輻射センサは、熱絶縁膜上に配置された温感素子での検出原理の違いによって、上述した種類毎に大別されている。このような輻射センサは、人体等の被測定物から放射される赤外線を検出することで、自動照明や警備に用いられたり、被測定物の居場所や温度を検出することで、空調を制御することに用いられたりしている。 Radiation sensors that detect radiation such as infrared rays are roughly classified into pyroelectric types, bolometer types, thermopile types, and the like. The basic sensor structures of these radiation sensors are almost the same, and a pedestal portion made of single crystal silicon or the like and a silicon compound thin film (for example, an oxide film (SiO ₂ ) or a nitride film (Si ₃ N) supported on the pedestal portion. ₄ ) and the like, and a temperature sensing element that is disposed on the thermal insulation film and detects infrared radiation. And a radiation sensor is divided roughly according to the kind mentioned above by the difference in the detection principle in the thermal sensor arranged on the heat insulating film. Such a radiation sensor is used for automatic lighting or security by detecting infrared rays radiated from a measurement object such as a human body, or controls the air conditioning by detecting the location or temperature of the measurement object. It is used for things.

上述した輻射センサは、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されるのが主流になっている。具体的には、まずシリコン基板表面にシリコン化合物薄膜からなる熱絶縁膜を形成し、熱絶縁膜表面における中央部分に温感素子を形成する。その後、熱絶縁膜の中央部分におけるシリコン基板を裏面側からエッチングにより除去する。これにより、熱絶縁膜の外周部分がシリコンで支持されたメンブレン構造の輻射センサが製造される。このメンブレン構造のセンサでは、温感素子の形成領域での熱容量を小さくし、熱絶縁性を図ることができるとされている。 The radiation sensors described above are mainly manufactured using MEMS technology. Specifically, first, a thermal insulating film made of a silicon compound thin film is formed on the surface of the silicon substrate, and a temperature sensing element is formed in the central portion on the surface of the thermal insulating film. Thereafter, the silicon substrate in the central portion of the thermal insulating film is removed from the back surface side by etching. Thus, a radiation sensor having a membrane structure in which the outer peripheral portion of the thermal insulating film is supported by silicon is manufactured. In this membrane structure sensor, the heat capacity in the region where the temperature sensing element is formed can be reduced to achieve thermal insulation.

ところで、近時では、上述した輻射センサの検出範囲を拡大するための技術が開発されている。
このような技術としては、複数個の輻射センサをベース部材上に配列してセンサデバイスを構成することで、センサデバイス全体での検出範囲を拡大することも考えられる。この場合、非平面形状（例えば、曲面形状）のベース部材上に複数個の輻射センサを個別に配列することで、さらなる検出範囲の拡大を図ることも考えられる。
また、例えば特許文献１に示されるように、温感素子との間に間隔を空けた状態でレンズ部材を対向配置し、レンズ部材に入射する赤外線を温感素子に向けて集光させることで、輻射センサ自体の検出範囲の拡大を図るような技術が知られている。さらに、輻射センサにモータ等の駆動手段を取り付け、輻射センサを首振りさせる構成も検討されている。 Recently, techniques for expanding the detection range of the radiation sensor described above have been developed.
As such a technique, it is conceivable to expand the detection range of the entire sensor device by arranging a plurality of radiation sensors on the base member to form a sensor device. In this case, it may be possible to further expand the detection range by individually arranging a plurality of radiation sensors on a non-planar (for example, curved surface) base member.
Further, for example, as shown in Patent Document 1, a lens member is disposed oppositely with a space between the temperature sensing element, and infrared rays incident on the lens member are condensed toward the temperature sensing element. In addition, there is known a technique for expanding the detection range of the radiation sensor itself. Further, a configuration in which driving means such as a motor is attached to the radiation sensor and the radiation sensor is swung is also being studied.

特開平１１−２５８０３８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-258038

上述したシリコンを基本構造体とする輻射センサでは、シリコン化合物薄膜からなる熱絶縁膜をシリコン表面に形成するために、ＣＶＤ法とよばれる化学気相成長法を用いる。しかしながら、この方法では引火性や毒性が高い特殊なガスを使用すると同時に、非常に高価な装置を使用する。さらに、このシリコン化合物薄膜を自立したメンブレン構造とする工程は非常に複雑、且つ、高価な設備を使用する。そのため、上述したように複数個の輻射センサを用いる場合には、コストアップに繋がるという問題がある。 In the above-described radiation sensor having silicon as a basic structure, a chemical vapor deposition method called a CVD method is used to form a thermal insulating film made of a silicon compound thin film on the silicon surface. However, this method uses a special gas with high flammability and toxicity, and at the same time uses a very expensive device. Furthermore, the process of making this silicon compound thin film into a self-supporting membrane structure uses very complicated and expensive equipment. For this reason, as described above, when a plurality of radiation sensors are used, there is a problem that the cost is increased.

また、輻射センサに用いるシリコン化合物薄膜やシリコン基板は、脆性が比較的高いため湾曲させるのが困難である。そのため、上述したように非平面形状のベース部材上に複数個の輻射センサを配列する場合に、複数個の輻射センサを同一基板上に形成し、その輻射センサ及び基板を湾曲させてベース部材上に実装することはできず、実装自由度が低い。複数個の輻射センサをベース部材上に実装したい場合には、ベース部材の表面に倣って各輻射センサを１つずつ実装していく必要があり、製造効率が低下するという問題がある。 Also, silicon compound thin films and silicon substrates used for radiation sensors are difficult to bend because they are relatively brittle. Therefore, when a plurality of radiation sensors are arranged on a non-planar base member as described above, a plurality of radiation sensors are formed on the same substrate, and the radiation sensor and the substrate are bent to form the base member on the base member. It is not possible to mount it on, and the degree of mounting freedom is low. When it is desired to mount a plurality of radiation sensors on the base member, it is necessary to mount each radiation sensor one by one following the surface of the base member, and there is a problem that manufacturing efficiency is lowered.

さらに、検出範囲を拡大するために、レンズ部材や、駆動手段を追加することで、さらなるコストアップに繋がる。
また、上述したように、駆動手段によって輻射センサを移動させる構成にした場合には、装置の大型化にも繋がるという問題がある。 Furthermore, in order to expand the detection range, adding a lens member and driving means leads to further cost increase.
Further, as described above, when the radiation sensor is moved by the driving means, there is a problem that the apparatus is increased in size.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型化及び低コスト化を図ることが可能な輻射センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a radiation sensor that can be reduced in size and cost.

本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
本発明に係る輻射センサは、電気的に絶縁性を有するフィルムと、前記フィルムの少なくとも一方の面側に配列された複数の温感素子とを備えた輻射センサにおいて、前記フィルムは、樹脂を主成分とする材料で構成されるとともに、非平面形状のベース部材上に固定されていることを特徴とする。 The present invention employs the following means in order to solve the above problems.
A radiation sensor according to the present invention is a radiation sensor comprising an electrically insulating film and a plurality of temperature sensing elements arranged on at least one surface side of the film. It is made of a material as a component and is fixed on a non-planar base member.

この構成によれば、樹脂を主成分とする材料でフィルムを構成することで、スピンコート等の簡単な方法によりフィルムを形成することができる。また、従来のようにシリコン化合物薄膜からなる熱絶縁膜をＣＶＤ法により用いて構成する場合と異なり、高価な設備や特殊なガス等を用いることもないので、設備コストの低減も図ることができる。したがって、低コストの輻射センサを提供することができる。
しかも、本発明の構成によれば、樹脂を主成分とする材料によってフィルムを構成することで、従来のシリコン化合物薄膜よりも延性の高いフィルムを形成することができる。これにより、非平面形状のベース部材に輻射センサを実装する際に、ベース部材の表面形状に倣って輻射センサを容易に変形させた状態で実装することができる。その結果、複数の温感素子が埋設されたフィルムを、非平面形状のベース部材に対して一括して固定することができる。そのため、実装自由度の向上を図るとともに、輻射センサをベース部材に個別に取り付ける場合に比べて、製造効率の向上を図ることができる。
また、本発明の構成によれば、複数の温感素子によって所望の検出範囲を確保することができるとともに、コストアップを抑制した上で、輻射センサによる検出範囲を拡大させることができる。すなわち、従来のように輻射センサにレンズを追加する場合に比べて、レンズの径によって検出範囲が制限されることがない。さらに、輻射センサに駆動手段を追加する場合に比べて、配線等の引き回しによって移動範囲が制限されることもない。さらに、駆動手段を追加する必要がないので、装置の小型化も図ることができる。 According to this structure, a film can be formed by simple methods, such as a spin coat, by comprising a film with the material which has resin as a main component. Also, unlike the conventional case where a thermal insulating film made of a silicon compound thin film is used by the CVD method, expensive equipment and special gas are not used, so that the equipment cost can be reduced. . Therefore, a low-cost radiation sensor can be provided.
And according to the structure of this invention, a film with higher ductility than the conventional silicon compound thin film can be formed by comprising a film with the material which has resin as a main component. Accordingly, when mounting the radiation sensor on the non-planar base member, the radiation sensor can be mounted in a state of being easily deformed following the surface shape of the base member. As a result, the film in which a plurality of warming elements are embedded can be fixed together with respect to the non-planar base member. For this reason, it is possible to improve the mounting efficiency and improve the manufacturing efficiency as compared with the case where the radiation sensor is individually attached to the base member.
Moreover, according to the structure of this invention, while being able to ensure a desired detection range with a some thermal sensor, while suppressing a cost increase, the detection range by a radiation sensor can be expanded. That is, the detection range is not limited by the diameter of the lens as compared with the conventional case where a lens is added to the radiation sensor. Furthermore, the moving range is not limited by the routing of the wiring or the like as compared with the case where the driving means is added to the radiation sensor. Further, since it is not necessary to add a driving means, the apparatus can be reduced in size.

また、前記フィルムの他方の面側には、前記ベース部材から離間した状態で前記フィルムを支持しつつ前記ベース部材上に前記フィルムを固定する台座部が形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、輻射センサが台座部を介してベース部材に固定されることになるので、温感素子がベース部材に対して離間配置されることになる。そのため、温感素子の熱絶縁性を確保することができる。 Moreover, the base part which fixes the said film on the said base member is formed in the other surface side of the said film, supporting the said film in the state spaced apart from the said base member, It is characterized by the above-mentioned.
According to this configuration, since the radiation sensor is fixed to the base member via the pedestal portion, the temperature sensing element is spaced from the base member. Therefore, it is possible to ensure the thermal insulation of the temperature sensing element.

また、前記フィルムには、前記温感素子を外部に電気的接続する接続用端子部が埋設され、前記台座部は、導電性を有する金属材料により構成されるとともに、前記接続用端子部と外部とを電気的接続しうるように、前記接続用端子部から前記フィルムの前記他方の面側に引き出され、前記ベース部材には、前記温感素子に電気的接続される回路パターンが形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、台座部が接続用端子部を外部に接続するコンタクト電極として機能することになるので、フェースダウン実装が容易になり、実装自由度の向上を図ることができる。 In addition, a connection terminal portion that electrically connects the temperature sensing element to the outside is embedded in the film, and the pedestal portion is made of a conductive metal material, and is connected to the connection terminal portion and the outside. And a circuit pattern that is electrically connected to the temperature sensing element is formed on the base member from the connection terminal portion to the other surface of the film. It is characterized by being.
According to this configuration, since the pedestal portion functions as a contact electrode that connects the connection terminal portion to the outside, face-down mounting is facilitated, and mounting flexibility can be improved.

また、前記フィルムには、前記温感素子に光を集光させる集光レンズが配置されていることを特徴とする
この構成によれば、集光レンズに入射した赤外線を温感素子に向けて集光することができるため、より広範囲に亘って光を受光することができ、輻射センサの感度を向上させることができる。 Further, the film is provided with a condensing lens for condensing light on the temperature sensing element. According to this configuration, the infrared rays incident on the condenser lens are directed toward the temperature sensing element. Since the light can be collected, light can be received over a wider range, and the sensitivity of the radiation sensor can be improved.

本発明によれば、樹脂を主成分とする材料によってフィルムを構成することで、小型化及び低コスト化を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to reduce the size and cost by forming a film with a material mainly composed of a resin.

センサデバイスの斜視図である。It is a perspective view of a sensor device. センサデバイスの断面図である。It is sectional drawing of a sensor device. センサデバイスの拡大図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。FIG. 3A is an enlarged view of the sensor device, FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 図２に相当する断面を示しており、センサデバイスの製造方法を説明するための工程図である。FIG. 3 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 2 and a process diagram for explaining a method for manufacturing a sensor device. 図２に相当する断面を示しており、センサデバイスの製造方法を説明するための工程図である。FIG. 3 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 2 and a process diagram for explaining a method for manufacturing a sensor device. センサデバイスの他の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other structure of a sensor device. センサデバイスの他の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other structure of a sensor device. 第２実施形態におけるセンサデバイスを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sensor device in 2nd Embodiment. 第２実施形態のセンサデバイスの製造方法を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the sensor device of 2nd Embodiment. 第３実施形態のセンサデバイスを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sensor device of 3rd Embodiment. 第４実施形態のセンサデバイスを示す図であり、図１１（ａ）は斜視図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する断面図である。It is a figure which shows the sensor device of 4th Embodiment, Fig.11 (a) is a perspective view, FIG.11 (b) is sectional drawing equivalent to the BB line of Fig.11 (a). 自動水栓装置の斜視図である。It is a perspective view of an automatic faucet device.

（第１実施形態）
本発明に係る第１実施形態について、図面に基づいて説明する。図１はセンサデバイスの斜視図であり、図２はセンサデバイスの断面図である。
図１，図２に示すように、本実施形態のセンサデバイス（輻射センサ）１０は、非平面形状の回路基板（ベース部材）１１と、回路基板１１に実装されたセンサ本体１２とを有している。
回路基板１１は、フレキシブル基板等が円弧状に湾曲されたものであり、その表面（外周面）にはセンサ本体１２に電気的に接続される回路パターン１３が形成されている。 (First embodiment)
1st Embodiment which concerns on this invention is described based on drawing. FIG. 1 is a perspective view of the sensor device, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the sensor device.
As shown in FIGS. 1 and 2, the sensor device (radiation sensor) 10 of the present embodiment includes a non-planar circuit board (base member) 11 and a sensor body 12 mounted on the circuit board 11. ing.
The circuit board 11 is formed by bending a flexible board or the like in an arc shape, and a circuit pattern 13 electrically connected to the sensor body 12 is formed on the surface (outer peripheral surface).

図３は、センサデバイスの拡大図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１〜図３に示すように、センサ本体１２は、複数の温感素子２１がアレイ状に配列されたフィルム２２と、フィルム２２を支持する台座部２３とを備えている。
本実施形態の温感素子２１は、赤外線等の輻射を熱として検出するためのものであり、検出原理の違いによって種々の材料を採用することが可能である。具体的には、異なる２種類の導電性材料を交互に直列接続し、各導電性材料同士の第１の接点と第２の接点との間の温度差により起電力を発生させるサーモパイルや、物質の抵抗値が温度によって変化する性質を利用した酸化バナジウム等からなるボロメータ素子等を採用することができる。そして、このような温感素子２１は、フィルム２２の表面（一方の面）２２ａと温感素子２１の表面とが面一になるように、フィルム２２内に埋設されている。また、図示しないが、各温感素子２１の両端には、回路基板１１の回路パターン１３に電気的接続される一対の出力電極が形成されており、これら出力電極と回路パターン１３とが、半田等の導電性材料やワイヤボンディング等によって電気的に接続されている。 FIG. 3 is an enlarged view of the sensor device, FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
As shown in FIGS. 1 to 3, the sensor body 12 includes a film 22 in which a plurality of temperature sensing elements 21 are arranged in an array, and a pedestal portion 23 that supports the film 22.
The temperature sensing element 21 of the present embodiment is for detecting radiation such as infrared rays as heat, and various materials can be adopted depending on the detection principle. Specifically, a thermopile or a substance that generates electromotive force due to a temperature difference between the first contact and the second contact of each conductive material by alternately connecting two different types of conductive materials in series It is possible to employ a bolometer element made of vanadium oxide or the like utilizing the property that the resistance value of this changes with temperature. The temperature sensing element 21 is embedded in the film 22 so that the surface (one surface) 22a of the film 22 and the surface of the temperature sensing element 21 are flush with each other. Although not shown, a pair of output electrodes that are electrically connected to the circuit pattern 13 of the circuit board 11 are formed at both ends of each temperature sensing element 21, and these output electrodes and the circuit pattern 13 are connected to the solder. They are electrically connected by a conductive material such as wire bonding or the like.

フィルム２２は、電気的に絶縁性を有する樹脂を主成分とする材料（例えば、紫外線硬化型のエポキシ系フォトレジスト）で構成された平面視（厚さ方向から見て）矩形状のものである。そして、フィルム２２の表面２２ａ上において、一方向（図１中上下方向）及び一方向に直交する他方向（図１中左右方向）に沿って複数の温感素子２１が配列されている。 The film 22 has a rectangular shape in a plan view (viewed from the thickness direction) made of a material mainly composed of an electrically insulating resin (for example, an ultraviolet curable epoxy photoresist). . On the surface 22a of the film 22, a plurality of temperature sensing elements 21 are arranged along one direction (up and down direction in FIG. 1) and another direction (left and right direction in FIG. 1) orthogonal to the one direction.

台座部２３は、導電層４２上にニッケルめっき層４３が積層されたものであり（図３（ｂ）参照）、回路基板１１から離間した状態でフィルム２２を支持しつつ、回路基板１１上でフィルム２２を固定している。具体的に、台座部２３は、フィルム２２の裏面（他方の面）２２ｂ側から回路基板１１に向けて突出した状態で、フィルム２２の一方向に沿って延在したものであり、この台座部２３がフィルム２２の他方向に沿って等間隔に複数配列されている。すなわち、各台座部２３は、フィルム２２の他方向で隣接する温感素子２１間に配置されている。なお、本実施形態では、一方向に沿って延在する台座部２３を形成した場合について説明したが、これに限らず、他方向に沿って延在する台座部２３を形成してもよい。また、一方向及び他方向に延在する格子状の台座部２３を形成して温感素子２１を周囲で支持しても構わない。さらに、各温感素子２１毎に独立して台座部２３を形成する等、適宜設計変更が可能である。 The pedestal portion 23 is formed by laminating a nickel plating layer 43 on the conductive layer 42 (see FIG. 3B), and supports the film 22 in a state of being separated from the circuit substrate 11 while being on the circuit substrate 11. The film 22 is fixed. Specifically, the pedestal portion 23 extends along one direction of the film 22 in a state of projecting from the back surface (the other surface) 22b side of the film 22 toward the circuit board 11, and this pedestal portion A plurality of lines 23 are arranged at equal intervals along the other direction of the film 22. That is, each pedestal portion 23 is arranged between the temperature sensing elements 21 adjacent in the other direction of the film 22. In addition, although this embodiment demonstrated the case where the base part 23 extended along one direction was formed, not only this but the base part 23 extended along another direction may be formed. Moreover, the lattice-like pedestal portion 23 extending in one direction and the other direction may be formed to support the temperature sensing element 21 around. Furthermore, design changes can be made as appropriate, such as forming the pedestal 23 independently for each temperature sensing element 21.

このように、本実施形態では、１枚のフィルム２２上に複数の温感素子２１が連続的に形成されることでセンサ本体１２が構成されている。
ここで、本実施形態のセンサデバイス１０は、上述した回路基板１１の表面にセンサ本体１２が実装されている。具体的には、フィルム２２が回路基板１１の表面に倣って湾曲された状態で、台座部２３（ニッケルめっき層４３）の基端面が回路基板１１の表面に固着されるとともに、各温感素子２１の出力電極が回路パターン１３に電気的接続されている。 Thus, in the present embodiment, the sensor body 12 is configured by continuously forming the plurality of temperature sensing elements 21 on one film 22.
Here, in the sensor device 10 of the present embodiment, the sensor main body 12 is mounted on the surface of the circuit board 11 described above. Specifically, the base 22 of the pedestal portion 23 (nickel plating layer 43) is fixed to the surface of the circuit board 11 in a state where the film 22 is curved following the surface of the circuit board 11, and each temperature sensing element. 21 output electrodes are electrically connected to the circuit pattern 13.

（センサデバイスの製造方法）
次に、上述したセンサデバイスの製造方法について説明する。図４，図５は、上述した図２に相当する断面を示しており、センサデバイスの製造方法を説明するための工程図である。
図４（ａ）に示すように、シリコンウエハ等からなる基板３０を用意し、この基板３０上に銅箔膜等からなる剥離層３１を真空蒸着法等により形成する。
次に、図４（ｂ）に示すように、剥離層３１上にポジ型フォトレジスト等を塗布した後、フォトリソグラフィ技術により露光・現像することで、温感素子２１及び出力電極の形成領域に開口部３２ａを有するレジストパターン３２を形成する。その後、電気めっき法等を用いて開口部３２ａ内で露出する剥離層３１上に金等のめっき層３３を形成する。そして、レジストパターン３２を剥離することにより、温感素子２１及び出力電極が形成される。 (Method for manufacturing sensor device)
Next, a method for manufacturing the sensor device described above will be described. 4 and 5 are cross-sectional views corresponding to FIG. 2 described above, and are process diagrams for explaining a method for manufacturing a sensor device.
As shown in FIG. 4A, a substrate 30 made of a silicon wafer or the like is prepared, and a release layer 31 made of a copper foil film or the like is formed on the substrate 30 by a vacuum deposition method or the like.
Next, as shown in FIG. 4B, a positive photoresist or the like is applied on the release layer 31, and then exposed and developed by a photolithography technique, whereby the temperature sensing element 21 and the output electrode are formed. A resist pattern 32 having an opening 32a is formed. Thereafter, a plating layer 33 such as gold is formed on the release layer 31 exposed in the opening 32a using an electroplating method or the like. Then, by removing the resist pattern 32, the warming element 21 and the output electrode are formed.

続いて、図４（ｃ）に示すように、剥離層３１上に温感素子２１を覆うようにフィルム２２を形成する。具体的には、剥離層３１上に紫外線硬化型のエポキシ系フォトレジスト３５をスピンコート法により塗布し、このフォトレジスト３５に対してフォトリソグラフィ技術を用いて露光・現像を行なうことにより、センサ本体１２の平面視外形となるようにパターニングし、フィルム２２を形成する。これにより、温感素子２１や出力電極がフィルム２２内に埋設されることになる。なお、フィルム２２の構成材料として、ポリイミド等を用いても構わない。 Subsequently, as shown in FIG. 4C, a film 22 is formed on the release layer 31 so as to cover the warming element 21. Specifically, an ultraviolet curable epoxy-type photoresist 35 is applied onto the release layer 31 by spin coating, and the photoresist 35 is exposed and developed using a photolithography technique, whereby the sensor body. The film 22 is formed by patterning so as to have 12 plan view outlines. Thereby, the temperature sensing element 21 and the output electrode are embedded in the film 22. Note that polyimide or the like may be used as a constituent material of the film 22.

次に、図５（ａ）に示すように、スパッタリング等によりクロム、銅薄膜を順次積層することで、フィルム２２上（裏面２２ｂ側）に導電層４２を形成する。その後、ドライフィルムフォトレジスト等により、導電層４２上における台座部２３の形成領域に開口部４４ａを有するレジストパターン４４を形成する。
そして、図５（ｂ）に示すように、導電層４２を利用して、電気めっき法等によりニッケル等からなるめっき層４３を形成した後、レジストパターン４４を剥離する。 Next, as shown in FIG. 5A, a conductive layer 42 is formed on the film 22 (on the back surface 22b side) by sequentially laminating chromium and copper thin films by sputtering or the like. Thereafter, a resist pattern 44 having an opening 44 a in the formation region of the pedestal 23 on the conductive layer 42 is formed by dry film photoresist or the like.
Then, as shown in FIG. 5B, a plating layer 43 made of nickel or the like is formed by electroplating using the conductive layer 42, and then the resist pattern 44 is peeled off.

次いで、図５（ｃ）に示すように、めっき層４３をマスキング層として、導電層４２のうち不要な部分をエッチングにより除去することにより、台座部２３を形成する。続いて、フィルム２２の外側部分から露出した剥離層３１をエッチングにより除去した後、基板３０を剥離層３１との界面で引き剥がす。そして、フィルム２２の表面２２ａに付着している剥離層３１をエッチングにより除去する。これにより、フィルム２２上に複数の温感素子２１が配列されてなるセンサ本体１２が作製される。 Next, as shown in FIG. 5C, by using the plating layer 43 as a masking layer, unnecessary portions of the conductive layer 42 are removed by etching, whereby the pedestal portion 23 is formed. Subsequently, after removing the peeling layer 31 exposed from the outer portion of the film 22 by etching, the substrate 30 is peeled off at the interface with the peeling layer 31. And the peeling layer 31 adhering to the surface 22a of the film 22 is removed by etching. Thereby, the sensor main body 12 in which the plurality of warming elements 21 are arranged on the film 22 is produced.

そして、図５（ｄ）に示すように、センサ本体１２を回路基板１１に実装する。具体的には、接着剤等を用いて台座部２３（めっき層４３）の基端面を、回路基板１１の表面に固着するとともに、ワイヤボンディング等を用いて温感素子２１の出力電極を回路基板１１の回路パターン１３に電気的接続する。その後、回路基板１１及びセンサ本体１２を湾曲させる。
以上により、本実施形態のセンサデバイス１０を製造することができる。 Then, the sensor body 12 is mounted on the circuit board 11 as shown in FIG. Specifically, the base end surface of the pedestal portion 23 (plating layer 43) is fixed to the surface of the circuit board 11 using an adhesive or the like, and the output electrode of the temperature sensing element 21 is connected to the circuit board using wire bonding or the like. 11 are electrically connected to the circuit pattern 13. Thereafter, the circuit board 11 and the sensor body 12 are bent.
As described above, the sensor device 10 of the present embodiment can be manufactured.

本実施形態では、樹脂材料からなるフィルム２２上に複数の温感素子２１を配列し、このフィルム２２を非平面形状の回路基板１１上に実装する構成とした。
この構成によれば、樹脂を主成分とする材料でフィルム２２を構成することで、スピンコート等の簡単な方法によりフィルム２２を形成することができる。また、従来のようにシリコン化合物薄膜からなる熱絶縁膜をＣＶＤ法により用いて構成する場合と異なり、高価な設備や特殊なガス等を用いることもないので、設備コストの低減も図ることができる。したがって、低コストのセンサデバイス１０を提供することができる。 In the present embodiment, a plurality of temperature sensing elements 21 are arranged on a film 22 made of a resin material, and the film 22 is mounted on the non-planar circuit board 11.
According to this configuration, the film 22 can be formed by a simple method such as spin coating by configuring the film 22 with a material mainly composed of a resin. Also, unlike the conventional case where a thermal insulating film made of a silicon compound thin film is used by the CVD method, expensive equipment and special gas are not used, so that the equipment cost can be reduced. . Therefore, the low-cost sensor device 10 can be provided.

しかも、本実施形態によれば、樹脂を主成分とする材料によってフィルム２２を構成することで、従来のシリコン化合物薄膜よりも延性の高いフィルムを形成することができる。これにより、非平面形状の回路基板１１にセンサ本体１２を実装する際に、回路基板１１の表面形状に倣ってセンサ本体１２を容易に変形させた状態で実装することができる。その結果、複数の温感素子２１が埋設されたフィルム２２を、非平面形状の回路基板１１に対して一括して固定することができる。そのため、実装自由度の向上を図るとともに、センサ本体１２を回路基板１１に個別に取り付ける場合に比べて、製造効率の向上を図ることができる。 Moreover, according to this embodiment, a film having higher ductility than that of a conventional silicon compound thin film can be formed by forming the film 22 with a material mainly composed of a resin. As a result, when the sensor body 12 is mounted on the non-planar circuit board 11, the sensor body 12 can be mounted in a state of being easily deformed following the surface shape of the circuit board 11. As a result, the film 22 in which the plurality of temperature sensing elements 21 are embedded can be fixed together to the non-planar circuit board 11. Therefore, the degree of freedom in mounting can be improved, and the manufacturing efficiency can be improved as compared with the case where the sensor main body 12 is individually attached to the circuit board 11.

また、本実施形態によれば、複数の温感素子２１によって所望の検出範囲を確保することができるとともに、コストアップを抑制した上で、センサデバイス１０による検出範囲を拡大させることができる。すなわち、従来のように輻射センサにレンズを追加する場合に比べて、レンズの径によって検出範囲が制限されることがない。さらに、輻射センサに駆動手段を追加する場合に比べて、配線等の引き回しによって移動範囲が制限されることもない。さらに、駆動手段を追加する必要がないので、装置の小型化も図ることができる。 Moreover, according to this embodiment, while being able to ensure a desired detection range with the some thermal sensing element 21, while suppressing a cost increase, the detection range by the sensor device 10 can be expanded. That is, the detection range is not limited by the diameter of the lens as compared with the conventional case where a lens is added to the radiation sensor. Furthermore, the moving range is not limited by the routing of the wiring or the like as compared with the case where the driving means is added to the radiation sensor. Furthermore, since it is not necessary to add driving means, the apparatus can be downsized.

また、センサ本体１２が台座部２３を介して回路基板１１に実装されることになるので、温感素子２１が回路基板１１に対して離間配置されることになる。そのため、温感素子２１の熱絶縁性を確保することができる。 Further, since the sensor main body 12 is mounted on the circuit board 11 via the pedestal portion 23, the temperature sensing element 21 is disposed away from the circuit board 11. For this reason, it is possible to ensure the thermal insulation of the temperature sensing element 21.

なお、上述した実施形態では、フレキシブル基板等の回路基板１１を円弧状に湾曲させ、この回路基板１１上にセンサ本体１２を実装する場合について説明したが、センサ本体１２を実装するためのベース部材の表面形状は円弧状に限られない。例えば、図６に示すように、断面視角柱形状（例えば、六角柱）の回路基台５１の側面を包み込むようにセンサ本体１２を実装したり、図７に示すように円柱形状の回路基台５２の側面に倣ってセンサ本体１２を実装したりしても構わない。 In the above-described embodiment, the case where the circuit board 11 such as a flexible board is curved in an arc shape and the sensor body 12 is mounted on the circuit board 11 has been described. However, the base member for mounting the sensor body 12 is described. The surface shape is not limited to an arc shape. For example, as shown in FIG. 6, the sensor main body 12 is mounted so as to wrap the side surface of the circuit base 51 having a rectangular column shape (for example, a hexagonal column) in a sectional view, or a cylindrical circuit base as shown in FIG. 7. The sensor body 12 may be mounted along the side surface of 52.

また、上述した実施形態では、回路パターン１３が形成された回路基板１１及び回路基台５１，５２上にセンサ本体１２を実装する構成について説明したが、これに限られない。すなわち、絶縁性を有する非平面形状のベース部材（不図示）上にセンサ本体１２を固定し、温感素子２１と外部の電極パッドとを電気的接続したり、ベース部材を介して回路基板と温感素子とを電気的接続したりする構成でも構わない。本実施形態では、ベース部材となる回路基板１１に回路パターン１３を形成しているため、ベース部材を介して外部の回路パターンに温感素子２１を電気的接続する場合に比べて、配線を短縮することができる。そのため、電気抵抗を低減させ、高感度なセンサデバイスを提供することができる。 In the above-described embodiment, the configuration in which the sensor main body 12 is mounted on the circuit board 11 and the circuit bases 51 and 52 on which the circuit pattern 13 is formed has been described, but is not limited thereto. That is, the sensor body 12 is fixed on a non-planar base member (not shown) having an insulating property, and the temperature sensing element 21 and an external electrode pad are electrically connected, or the circuit board and the circuit board are connected via the base member. A configuration in which the temperature sensing element is electrically connected may be used. In the present embodiment, since the circuit pattern 13 is formed on the circuit board 11 serving as the base member, the wiring is shortened compared to the case where the temperature sensing element 21 is electrically connected to the external circuit pattern via the base member. can do. Therefore, the electrical resistance can be reduced, and a highly sensitive sensor device can be provided.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態におけるセンサデバイスを示す断面図である。本実施形態では、センサ本体がレンズ部材を備えている点で、上述した第１実施形態と相違している。なお、以下の説明では、上述した第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
図８に示すように、本実施形態のセンサデバイス１００のセンサ本体１１２は、フィルム２２を表面２２ａ側から覆うように、レンズシート１０１が設けられている。このレンズシート１０１は、フィルム２２上に配置された樹脂材料からなるシート部１０２と、シート部１０２の厚さ方向において各温感素子２１と重なる領域に配置された複数のレンズ本体１０３とを備えている。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a sensor device according to the second embodiment. The present embodiment is different from the first embodiment described above in that the sensor body includes a lens member. In the following description, the same components as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
As shown in FIG. 8, the lens body 101 is provided so that the sensor main body 112 of the sensor device 100 of this embodiment may cover the film 22 from the surface 22a side. The lens sheet 101 includes a sheet portion 102 made of a resin material disposed on the film 22, and a plurality of lens main bodies 103 disposed in a region overlapping each temperature sensing element 21 in the thickness direction of the sheet portion 102. ing.

シート部１０２は、フィルム２２と同等の外形に形成されており、シート部１０２における温感素子２１との対向面には、シート部１０２の裏面からレンズ本体１０３に向けて刳り貫かれたキャビティ１０４が形成されている。すなわち、レンズ本体１０３は、温感素子２１との間にキャビティ１０４を挟んで対向配置されている。これにより、シート部１０２と温感素子２１とが離間配置されることになるので、温感素子２１の熱絶縁性を向上させることができる。
レンズ本体１０３は、凸レンズ状やフレネルレンズ状に形成され、平面視（フィルム２２を厚さ方向から見て）で温感素子２１の外形よりも大きく形成されている。なお、レンズ本体１０３は、温感素子２１上に焦点が配置されるように設定されている。この場合、レンズ本体１０３の焦点距離の調整は、シート部１０２の等の厚さを適宜変更することで調整することができる。 The sheet portion 102 is formed in an outer shape equivalent to that of the film 22, and a cavity 104 is provided on the surface of the sheet portion 102 that faces the temperature sensing element 21 so as to penetrate from the back surface of the sheet portion 102 toward the lens body 103. Is formed. That is, the lens body 103 is disposed opposite to the temperature sensing element 21 with the cavity 104 interposed therebetween. Thereby, since the sheet | seat part 102 and the temperature sensing element 21 will be spaced apart, the thermal insulation of the temperature sensing element 21 can be improved.
The lens body 103 is formed in a convex lens shape or a Fresnel lens shape, and is larger than the outer shape of the temperature sensing element 21 in a plan view (when the film 22 is viewed from the thickness direction). The lens body 103 is set so that the focal point is disposed on the temperature sensing element 21. In this case, the focal length of the lens body 103 can be adjusted by appropriately changing the thickness of the sheet portion 102 and the like.

図９は、第２実施形態のセンサデバイスの製造方法を説明するための工程図である。
本実施形態のセンサデバイス１００を製造する場合、まず上述した第１実施形態と同様の製造方法により形成されたフィルム２２上に、レンズシート１０１を固定する。具体的には、図９（ａ）に示すレンズシート１０１を用意して、このレンズシート１０１を図９（ｂ）に示すように、レンズ本体１０３を温感素子２１に重なるように配置する。その後、シート部１０２とフィルム２２とを、温感素子２１の外側で熱融着させる。そして、センサ本体１１２を回路基板１１に実装し、両者を湾曲させる。
以上により、本実施形態のセンサデバイス１００を製造することができる。 FIG. 9 is a process diagram for explaining the method for manufacturing the sensor device of the second embodiment.
When manufacturing the sensor device 100 of this embodiment, the lens sheet 101 is first fixed on the film 22 formed by the same manufacturing method as in the first embodiment described above. Specifically, the lens sheet 101 shown in FIG. 9A is prepared, and the lens sheet 103 is arranged so as to overlap the temperature sensing element 21 as shown in FIG. 9B. Thereafter, the sheet portion 102 and the film 22 are heat-sealed outside the warming element 21. And the sensor main body 112 is mounted in the circuit board 11, and both are curved.
As described above, the sensor device 100 of the present embodiment can be manufactured.

本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、レンズ本体１０３に入射した赤外線を各温感素子２１に向けて集光することができるため、赤外線をより広範囲に亘って受光することができ、センサデバイス１００の感度を向上させることができる。 According to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the infrared rays incident on the lens body 103 can be condensed toward each temperature sensing element 21. Therefore, the infrared rays are spread over a wider range. Light can be received, and the sensitivity of the sensor device 100 can be improved.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１０は、第３実施形態のセンサデバイスを示す断面図である。上述した台座部が回路基板とのコンタクト電極として機能している点で、上述した各実施形態と相違している。
図１０に示すように、本実施形態のセンサデバイス２００のセンサ本体２１２は、上述した第１実施形態とほぼ同一の構成からなり、フィルム２２上に複数の温感素子２１が埋設されるとともに、各温感素子２１の両端には、回路基板１１の回路パターン１３に電気的接続される一対の出力電極２１０が接続されている。そして、フィルム２２における出力電極２１０の形成領域には、厚さ方向に貫通するスルーホール２０１が形成されている。このスルーホール２０１は、フィルム２２の裏面２２ｂ側から出力電極２１０の裏側に到達するように形成されている。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 10 is a cross-sectional view showing the sensor device of the third embodiment. It differs from the above-described embodiments in that the above-described pedestal portion functions as a contact electrode with the circuit board.
As shown in FIG. 10, the sensor main body 212 of the sensor device 200 of the present embodiment has substantially the same configuration as that of the first embodiment described above, and a plurality of temperature sensing elements 21 are embedded on the film 22. A pair of output electrodes 210 that are electrically connected to the circuit pattern 13 of the circuit board 11 are connected to both ends of each temperature sensing element 21. A through hole 201 penetrating in the thickness direction is formed in the region of the film 22 where the output electrode 210 is formed. The through hole 201 is formed so as to reach the back side of the output electrode 210 from the back surface 22 b side of the film 22.

スルーホール２０１内には、出力電極２１０と回路基板１１の回路パターン１３とを電気的接続するコンタクト電極（台座部）２０２が形成されている。このコンタクト電極２０２は、一端側が各出力電極２１０における裏面側に接続される一方、他端側がスルーホール２０１を通ってフィルム２２の裏面２２ｂ側から引き出されており、回路基板１１の回路パターン１３に接続されている。これにより、コンタクト電極２０２が出力電極２１０と、回路基板１１の回路パターン１３とを電気的接続するとともに、温感素子２１と回路基板１１とを離間配置させる台座部として機能することになる。すなわち、本実施形態のセンサ本体２１２は、コンタクト電極２０２を介して回路基板１１に実装されている。なお、コンタクト電極２０２は、各温感素子２１の出力電極２１０毎に分離して形成されている。 In the through hole 201, a contact electrode (pedestal portion) 202 that electrically connects the output electrode 210 and the circuit pattern 13 of the circuit board 11 is formed. One end side of the contact electrode 202 is connected to the back surface side of each output electrode 210, and the other end side is drawn out from the back surface 22 b side of the film 22 through the through hole 201, and is connected to the circuit pattern 13 of the circuit board 11. It is connected. As a result, the contact electrode 202 functions as a pedestal portion that electrically connects the output electrode 210 and the circuit pattern 13 of the circuit board 11 and separates the temperature sensing element 21 and the circuit board 11. That is, the sensor main body 212 of this embodiment is mounted on the circuit board 11 via the contact electrode 202. The contact electrode 202 is formed separately for each output electrode 210 of each temperature sensing element 21.

本実施形態によれば、フィルム２２にスルーホール２０１を形成するとともに、このスルーホール２０１内に出力電極２１０と回路パターン１３とを接続するコンタクト電極２０２を形成することで、センサ本体２１２と回路基板１１とをフェースダウン実装することが可能となり、実装自由度の向上を図ることができる。なお、コンタクト電極２０２と台座部とを別体で形成しても構わない。 According to the present embodiment, the sensor body 212 and the circuit board are formed by forming the through hole 201 in the film 22 and forming the contact electrode 202 for connecting the output electrode 210 and the circuit pattern 13 in the through hole 201. 11 can be mounted face-down, and the degree of freedom in mounting can be improved. Note that the contact electrode 202 and the pedestal may be formed separately.

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態のセンサデバイスは、上述したセンサ本体を有機ＥＬ基板に実装する点で、上述した実施形態と相違している。図１１は、本実施形態のセンサデバイスを示す図であり、図１１（ａ）は斜視図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ線に相当する断面図である。
図１１に示すように、本実施形態のセンサデバイス３００は、センサ本体３１２と、センサ本体３１２が実装される有機ＥＬ基板３０１と、有機ＥＬ基板（ベース部材）３０１とフィルム２２との間に挟持された有機ＥＬ素子３０２とを備えている。
有機ＥＬ基板３０１は、円弧状に湾曲されており（図１１（ｂ）参照）、その表面には一対の電極層間に発光層である有機ＥＬ層が挟まれてなる有機ＥＬ素子３０２が形成されている。また、有機ＥＬ基板３０１上には電極層に印加する電圧を制御する制御部等も形成されている。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. The sensor device of this embodiment is different from the above-described embodiment in that the above-described sensor body is mounted on an organic EL substrate. 11A and 11B are diagrams showing the sensor device of the present embodiment. FIG. 11A is a perspective view, and FIG. 11B is a cross-sectional view corresponding to the line BB in FIG. 11A.
As shown in FIG. 11, the sensor device 300 of this embodiment is sandwiched between a sensor main body 312, an organic EL substrate 301 on which the sensor main body 312 is mounted, an organic EL substrate (base member) 301 and the film 22. The organic EL element 302 is provided.
The organic EL substrate 301 is curved in an arc shape (see FIG. 11B), and an organic EL element 302 is formed on the surface of which an organic EL layer as a light emitting layer is sandwiched between a pair of electrode layers. ing. Further, a control unit for controlling the voltage applied to the electrode layer is formed on the organic EL substrate 301.

一方、センサ本体３１２は、フィルム２２の表面２２ａにおける一端側に温感素子２１が配列され、フィルム２２の裏面２２ｂ側には台座部２３が形成されている。そして、この台座部２３を介してフィルム２２が有機ＥＬ基板３０１上に固定されている。この場合、有機ＥＬ素子３０２は、フィルム２２の他端側において、フィルム２２及び有機ＥＬ基板３０１との間に密着した状態で挟持されている。なお、本実施形態のフィルム２２は、上述した樹脂材料のうち、透明材料が用いられるとともに、一対の電極層のうち、フィルム２２側の電極層はＩＴＯ（インジウム酸化物）からなる透明な電極層となっている。これにより、有機ＥＬ素子３０２で発光した光は、フィルム２２を透過して外部に出射されるようになっている。 On the other hand, in the sensor main body 312, the temperature sensing elements 21 are arranged on one end side of the front surface 22 a of the film 22, and a pedestal portion 23 is formed on the back surface 22 b side of the film 22. The film 22 is fixed on the organic EL substrate 301 via the pedestal portion 23. In this case, the organic EL element 302 is sandwiched between the film 22 and the organic EL substrate 301 on the other end side of the film 22. The film 22 of the present embodiment uses a transparent material among the resin materials described above, and the electrode layer on the film 22 side of the pair of electrode layers is a transparent electrode layer made of ITO (indium oxide). It has become. Thereby, the light emitted from the organic EL element 302 is transmitted through the film 22 and emitted to the outside.

そして、上述したセンサデバイス３００は、例えば洗面所やシンク等に設置された自動水栓装置の照明装置に応用することができる。
具体的に、図１２に示す自動水栓装置４０１は、図示しない給水源から供給される水が流通するとともに、流通した水をシンク（不図示）内に向けて吐出する蛇口４０２を備えている。蛇口４０２は、シンクを臨むように延出する延出部４０３と、延出部４０３の先端が下方に向けて屈曲された吐出部４０４とを備え、延出部４０３内を流通した水が吐出部４０４の先端から吐出されるようになっている。 And the sensor device 300 mentioned above is applicable to the illuminating device of the automatic faucet apparatus installed, for example in the washroom or the sink.
Specifically, the automatic faucet device 401 shown in FIG. 12 includes a faucet 402 through which water supplied from a water supply source (not shown) circulates and discharges the circulated water toward a sink (not shown). . The faucet 402 includes an extension part 403 that extends so as to face the sink, and a discharge part 404 in which the tip of the extension part 403 is bent downward. The ink is discharged from the tip of the portion 404.

ここで、蛇口４０２の延出部４０３の外周面には、上述したセンサデバイス３００が取り付けられている。具体的に、延出部４０３における上流側に有機ＥＬ素子３０２が、下流側に温感素子２１が配置された状態で、延出部４０３の下部周面を覆うように取り付けられている。そして、センサデバイス３００の温感素子２１は、蛇口４０２の開閉制御を行う制御弁（不図示）に電気的接続されている。 Here, the sensor device 300 described above is attached to the outer peripheral surface of the extending portion 403 of the faucet 402. Specifically, the organic EL element 302 is attached on the upstream side of the extension part 403 and is attached so as to cover the lower peripheral surface of the extension part 403 in a state where the temperature sensing element 21 is arranged on the downstream side. The temperature sensing element 21 of the sensor device 300 is electrically connected to a control valve (not shown) that performs opening / closing control of the faucet 402.

この場合、例えばユーザーが蛇口４０２の下に手Ｈを差し入れると、センサデバイス３００の温感素子２１によって手Ｈの存在を検出する。すると、温感素子２１による検出結果が、自動水栓装置４０１の制御弁に出力されることで制御弁が開放され、蛇口４０２の吐出部４０４から水が吐出される。同時に、温感素子２１による検出結果が有機ＥＬ基板３０１に実装された制御部に出力されることで、有機ＥＬ素子３０２の電極層に電圧が印加され、有機ＥＬ素子３０２が発光する。そして、有機ＥＬ素子３０２で発光した光は、フィルム２２を透過して蛇口４０２の下方を照射するようになっている。
一方、ユーザーが蛇口４０２の下から手Ｈを退避させると、センサデバイス３００の温感素子２１によって手Ｈが蛇口４０２の下に存在しないことを検出し、この検出結果を自動水栓装置４０１の制御弁に出力することで、制御弁が閉じて給水が停止する。同時に、温感素子２１による検出結果が有機ＥＬ基板３０１に実装された制御部に出力されることで、有機ＥＬ素子３０２の電極層への電圧印加が停止され、有機ＥＬ素子３０２が消灯する。 In this case, for example, when the user inserts the hand H under the faucet 402, the presence of the hand H is detected by the temperature sensing element 21 of the sensor device 300. Then, the detection result by the temperature sensing element 21 is output to the control valve of the automatic water faucet device 401 so that the control valve is opened and water is discharged from the discharge portion 404 of the faucet 402. At the same time, the detection result by the temperature sensing element 21 is output to the control unit mounted on the organic EL substrate 301, whereby a voltage is applied to the electrode layer of the organic EL element 302, and the organic EL element 302 emits light. The light emitted from the organic EL element 302 passes through the film 22 and irradiates below the faucet 402.
On the other hand, when the user retreats the hand H from under the faucet 402, the temperature sensing element 21 of the sensor device 300 detects that the hand H does not exist under the faucet 402, and the detection result of the automatic faucet device 401 is detected. By outputting to the control valve, the control valve is closed and the water supply is stopped. At the same time, the detection result by the temperature sensing element 21 is output to the control unit mounted on the organic EL substrate 301, whereby the voltage application to the electrode layer of the organic EL element 302 is stopped and the organic EL element 302 is turned off.

このように、本実施形態によれば、センサデバイス３００に有機ＥＬの有機ＥＬ素子３０２を搭載することで、温感素子２１の検出結果に基づいて有機ＥＬ素子３０２を発光させることができる。この場合、フィルム２２が透明材料により構成されているため、有機ＥＬ基板３０１とフィルム２２との間に有機ＥＬ素子３０２を挟持するだけで、有機ＥＬ素子３０２を備えたセンサデバイス３００を構成することができる。
さらに、本実施形態のセンサデバイス３００は、上述した各実施形態と同様に、小型化及び低コスト化を図った上で、検出範囲を拡大することが可能である。また、蛇口４０２の周面に倣って容易に湾曲させることができるため、取り付けが容易であり、レイアウト性も向上させることができる。 As described above, according to the present embodiment, by mounting the organic EL element 302 of the organic EL in the sensor device 300, the organic EL element 302 can emit light based on the detection result of the temperature sensing element 21. In this case, since the film 22 is made of a transparent material, the sensor device 300 including the organic EL element 302 is configured simply by sandwiching the organic EL element 302 between the organic EL substrate 301 and the film 22. Can do.
Furthermore, the sensor device 300 of the present embodiment can expand the detection range while reducing the size and cost as in the above-described embodiments. Moreover, since it can be easily curved following the peripheral surface of the faucet 402, attachment is easy and layout can be improved.

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述した第２，３実施形態と第４実施形態とを適宜組み合わせることも可能である。
また、実施形態では、本発明の輻射センサを赤外線センサに採用する場合について説明したが、これに限らず、熱輻射を検出するための輻射センサ全般に採用することができる。
さらに、上述した実施形態では、フィルム２２内に温感素子２１を埋設する構成について説明したが、これに限らずフィルム２２上に温感素子２１を形成しても構わない。
また、上述した実施形態では、温感素子２１が埋設されるフィルム２２を矩形状に形成した場合について説明したが、これに限らず、円形や細長いテープ状等、適宜変更可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
For example, the second and third embodiments described above and the fourth embodiment can be appropriately combined.
Moreover, although embodiment demonstrated the case where the radiation sensor of this invention was employ | adopted for an infrared sensor, it can employ | adopt not only to this but the radiation sensor for detecting thermal radiation in general.
Furthermore, although the structure which embeds the warming element 21 in the film 22 was demonstrated in embodiment mentioned above, you may form the warming element 21 on the film 22 not only in this.
In the above-described embodiment, the case where the film 22 in which the temperature sensing element 21 is embedded is formed in a rectangular shape has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be changed as appropriate, such as a circular shape or a long and narrow tape shape.

さらに、上述した温感素子等は、電気めっき法に限らず、無電解めっき法を用いて形成することもできる。
また、上述した第４実施形態では、センサデバイス３００を自動水栓装置４０１に取り付ける場合について説明したが、これに限られない。
また、上述した実施形態では、各温感素子２１毎に一対の出力電極を備えている構成について説明したが、これに限らず、全ての温感素子２１をまとめて一対の出力電極に接続したり、複数の温感素子２１毎に一対の出力電極に接続したりする構成等、適宜設計変更が可能である。 Furthermore, the above-described warming element or the like can be formed not only by the electroplating method but also by using an electroless plating method.
In the above-described fourth embodiment, the case where the sensor device 300 is attached to the automatic faucet device 401 has been described, but the present invention is not limited to this.
Further, in the above-described embodiment, the configuration in which each temperature sensing element 21 includes a pair of output electrodes has been described. However, the configuration is not limited thereto, and all the temperature sensing elements 21 are collectively connected to the pair of output electrodes. The design can be changed as appropriate, such as a configuration in which a plurality of temperature sensing elements 21 are connected to a pair of output electrodes.

１０，１００，２００，３００センサデバイス（輻射センサ）
１１回路基板（ベース部材）
１３回路パターン
２１温感素子
２２フィルム
２３台座部
５１，５２回路基台（ベース部材）
１０３レンズ本体
２０２コンタクト電極（台座部） 10, 100, 200, 300 Sensor device (radiation sensor)
11 Circuit board (base member)
13 Circuit pattern 21 Thermal element 22 Film 23 Base part 51, 52 Circuit base (base member)
103 Lens body 202 Contact electrode (pedestal)

Claims

An electrically insulating film;
In a radiation sensor comprising a plurality of temperature sensing elements arranged on at least one surface side of the film,
The film is made of a material whose main component is resin, and is fixed on a non-planar base member.

2. A pedestal for fixing the film on the base member while supporting the film in a state of being separated from the base member is formed on the other surface side of the film. Radiation sensor.

In the film, a connection terminal portion for electrically connecting the temperature sensing element to the outside is embedded,
The pedestal portion is made of a conductive metal material, and is drawn out from the connection terminal portion to the other surface side of the film so that the connection terminal portion and the outside can be electrically connected. And
The radiation sensor according to claim 2, wherein a circuit pattern that is electrically connected to the temperature sensing element is formed on the base member.

The radiation sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein a condensing lens for condensing light on the temperature sensing element is disposed on the film.