JP2009186374A - Pyroelectric infrared sensor - Google Patents

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Tetsuhiro Kotani
哲浩 小谷
Meiten Ko
明天 高
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pyroelectric infrared sensor for improving the sensitivity by preventing escape of the heat accumulated in a pyroelectric element. <P>SOLUTION: In the pyroelectric infrared sensor, a vinylidene fluoride oligomer layer sandwiched between a lower electrode and an upper electrode is used as a light receiving element, a pyroelectric substrate where one or more light receiving elements are arranged on a substrate for the pyroelectric element is mounted on a support substrate, and a heat insulation region is disposed on the support substrate side of the pyroelectric substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、焦電体に蓄積された熱を逃げにくくし、感度を向上させた焦電型赤外線センサーに関する。   The present invention relates to a pyroelectric infrared sensor that makes it difficult for heat accumulated in a pyroelectric body to escape and improves sensitivity.

焦電型赤外線センサーは、物質内部の自発分極量が温度によって変化する性質を持つ焦電体を用いた赤外線センサーである。この焦電型赤外線センサーでは、焦電体が赤外線を吸収し温度が上昇することにより生じる自発分極量の変化を電気信号として取り出すことによって、赤外線の有無および強度を検出する。   The pyroelectric infrared sensor is an infrared sensor using a pyroelectric material having a property that the amount of spontaneous polarization inside a substance changes with temperature. In this pyroelectric infrared sensor, the presence / absence and intensity of infrared light are detected by taking out, as an electrical signal, a change in the amount of spontaneous polarization caused by the pyroelectric material absorbing infrared light and increasing its temperature.

従来、チタン酸ジルコン酸鉛やチタン酸バリウム等の無機強誘電体、あるいはポリフッ化ビニリデンやフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとのランダム共重合体等の強誘電ポリマーからなる焦電体を有する焦電型赤外線センサーが用いられていた。しかし、無機強誘電体は、焦電係数が大きいという利点を有するが、誘電率および熱容量が大きいためセンサーの感度の向上に限界があるうえ、膜を形成する際に数百℃以上の高温プロセスを用いる必要があるという欠点を有する。   Conventionally, a pyroelectric material having a pyroelectric material composed of an inorganic ferroelectric material such as lead zirconate titanate or barium titanate, or a ferroelectric polymer such as polyvinylidene fluoride or a random copolymer of vinylidene fluoride and ethylene trifluoride. An electric infrared sensor was used. However, inorganic ferroelectrics have the advantage of a high pyroelectric coefficient, but because of their large dielectric constant and heat capacity, there is a limit to improving the sensitivity of the sensor, and high-temperature processes of several hundred degrees C or higher when forming films Has the disadvantage of needing to be used.

それに対して、特許文献１では、焦電型赤外線センサーの焦電体にフッ化ビニリデンオリゴマーを用いることが提案されている。フッ化ビニリデンオリゴマーは前述の強誘電性ポリマーと同程度の誘電率および熱容量を有するうえ、それらの強誘電性ポリマーよりも焦電係数が大きいという点で焦電型赤外線センサーの焦電体として優れている。その焦電係数は重合数により異なるが、例えば重合度１７のフッ化ビニリデンオリゴマーの焦電係数Ｐ3は−７０μＣ／ｍ2Ｋであり、重合度が遙かに大きい（ｎ＝１０００〜２０００程度）フッ化ビニリデンポリマーの焦電係数Ｐ3＝−３０μＣ／ｍ2Ｋよりも大きな絶対値をもつ。また、フッ化ビニリデンオリゴマーは薄膜を形成する際に高温プロセスを用いる必要がないので、焦電体用基材に樹脂などの有機物を用いることができるという点で無機強誘電体よりも優れている。 On the other hand, Patent Document 1 proposes using a vinylidene fluoride oligomer as a pyroelectric body of a pyroelectric infrared sensor. Vinylidene fluoride oligomers are excellent as pyroelectric materials for pyroelectric infrared sensors in that they have the same dielectric constant and heat capacity as the above-mentioned ferroelectric polymers and have a larger pyroelectric coefficient than those ferroelectric polymers. ing. The pyroelectric coefficient varies depending on the number of polymerizations. For example, the pyroelectric coefficient P 3 of a vinylidene fluoride oligomer having a polymerization degree of 17 is −70 μC / m 2 K, and the polymerization degree is much larger (n = about 1000 to 2000). ) Pyroelectric coefficient of vinylidene fluoride polymer P 3 = having an absolute value greater than −30 μC / m 2 K. In addition, vinylidene fluoride oligomers are superior to inorganic ferroelectrics in that organic substances such as resins can be used for the pyroelectric substrate because there is no need to use a high-temperature process when forming a thin film. .

フッ化ビニリデンオリゴマーを用いたものを含めた従来の焦電型赤外線センサーでは、シリコン等の無機材料からなる焦電体基材により受光素子を支える構成を有している。この焦電体基材が大きい熱容量や熱伝導率を有すると、赤外線が照射されることにより焦電体に与えられる熱の多くが焦電体基材に吸収されたり、焦電体基材から外部に放出されたりしてしまい、赤外線照射による焦電体の温度変化が小さくなるため、センサーの感度が低下してしまう。   Conventional pyroelectric infrared sensors including those using vinylidene fluoride oligomers have a configuration in which a light receiving element is supported by a pyroelectric substrate made of an inorganic material such as silicon. When this pyroelectric substrate has a large heat capacity and thermal conductivity, much of the heat given to the pyroelectric body by being irradiated with infrared rays is absorbed by the pyroelectric substrate, or from the pyroelectric substrate. The sensitivity of the sensor is lowered because the temperature change of the pyroelectric material due to infrared irradiation is reduced.

そこで特許文献２では、焦電体の受光素子として強誘電ポリマーを有する焦電型赤外線センサーにおいて、熱伝導率が一般に小さいとされる樹脂製の焦電体基材を用いることが記載されている。これにより、赤外線照射により焦電体に与えられる熱が焦電体基材に奪われてセンサーの感度が低下することを抑制することができる。しかしながら樹脂製の焦電体基材の下には、さらにシリコン等からなる支持体が設けられており、この支持体により、樹脂製焦電体基材は平面状に固定され、曲がることがないように保持されている。   Therefore, Patent Document 2 describes that in a pyroelectric infrared sensor having a ferroelectric polymer as a light receiving element of a pyroelectric material, a resin pyroelectric material base material having a generally low thermal conductivity is described. . Thereby, it can suppress that the heat given to a pyroelectric body by infrared irradiation is taken away by the pyroelectric base material, and the sensitivity of a sensor falls. However, a support made of silicon or the like is further provided under the resin pyroelectric substrate, and the resin pyroelectric substrate is fixed in a flat shape by this support and does not bend. So that it is held.

可撓性の焦電型赤外線センサーを提供するべく、特許文献３では、焦電体基材の材料として高分子材料を用い、焦電体であるフッ化ビニリデンオリゴマー層を可撓性の上部電極と下部電極で挟んだ受光素子を高分子材料製の焦電体基材上に形成して焦電体基板を構成し、焦電体基板に可撓性を付与している。   In order to provide a flexible pyroelectric infrared sensor, in Patent Document 3, a polymer material is used as the material of the pyroelectric substrate, and the vinylidene fluoride oligomer layer, which is a pyroelectric material, is used as the flexible upper electrode. And a lower electrode are formed on a pyroelectric substrate made of a polymer material to form a pyroelectric substrate, and the pyroelectric substrate is provided with flexibility.

しかし、特許文献２および３では熱伝導に関する配慮は材料面を中心とし、また、構造的にも受光素子と焦電体基材からなる焦電体基板までである。   However, in Patent Documents 2 and 3, considerations regarding heat conduction are centered on the material surface, and are structurally up to a pyroelectric substrate composed of a light receiving element and a pyroelectric substrate.

特開２００４−０３７２９１号公報JP 2004-037291 A 特開２０００−１５５０５０号公報JP 2000-155050 A 国際公開第２００７／１０８４４１号パンフレットInternational Publication No. 2007/108441 Pamphlet

本発明は、焦電体基板とそれを支える支持基材との関係に着目し、さらに焦電体からの熱の放出を抑えて焦電型赤外線センサーの感度を向上させることを目的とする。   The present invention focuses on the relationship between the pyroelectric substrate and the supporting base material that supports the pyroelectric substrate, and further aims to improve the sensitivity of the pyroelectric infrared sensor by suppressing the release of heat from the pyroelectric body.

すなわち本発明は、下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサーに関する。   That is, the present invention provides a pyroelectric substrate in which a vinylidene fluoride oligomer layer sandwiched between a lower electrode and an upper electrode is used as a light-receiving element, and one or more light-receiving elements are disposed on a pyroelectric substrate. Relates to a pyroelectric infrared sensor in which a heat insulating region is provided on the support substrate side of the pyroelectric substrate.

本発明において、焦電体基板と支持基材との関係として、大きく分けてつぎの実施形態が好ましくあげられる。   In the present invention, the relationship between the pyroelectric substrate and the supporting base is roughly divided into the following embodiments.

実施形態１：
焦電体基板が支持基材上に、１個または２個以上のスペーサーを介して載置されている実施形態。 Embodiment 1:
An embodiment in which the pyroelectric substrate is placed on a support base via one or more spacers.

実施形態２：
焦電体基板が支持基材に直接載置されてなり、かつ該支持基材と焦電体基板とが焦電体基板の一部でのみ接触している実施形態。 Embodiment 2:
An embodiment in which the pyroelectric substrate is directly placed on the support base material, and the support base material and the pyroelectric substrate are in contact with only a part of the pyroelectric substrate.

実施形態３：
支持基材の少なくとも一部に厚さの薄い部分を含む実施形態。 Embodiment 3:
Embodiment which contains a thin part in at least one part of a support base material.

実施形態４：
支持基材の一部または全部が断熱材料で作製されている実施形態。 Embodiment 4:
An embodiment in which part or all of the support substrate is made of a heat insulating material.

実施形態５：
焦電体基板が、スペーサーを介して複数段設けられている実施形態。 Embodiment 5:
An embodiment in which the pyroelectric substrate is provided in a plurality of stages through spacers.

これらの実施形態は単独でも組み合わせてもよい。   These embodiments may be used alone or in combination.

本発明によれば、簡単な構造で焦電体からの熱の放出をさらに抑えて焦電型赤外線センサーの感度を向上させることができる。   According to the present invention, the sensitivity of the pyroelectric infrared sensor can be improved by further suppressing the release of heat from the pyroelectric body with a simple structure.

まず、本発明の焦電型赤外線センサーの基本構造を図１および図２に基づいて説明する。図１は本発明の焦電型赤外線センサーの一実施態様の概略縦断面図であり、図２は焦電体基板と支持基材を説明するための概略縦断面図である。なお、これらの実施態様は、実施形態１で構成されている。   First, the basic structure of the pyroelectric infrared sensor of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of an embodiment of the pyroelectric infrared sensor of the present invention, and FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a pyroelectric substrate and a supporting base. These embodiments are configured in the first embodiment.

図１において、焦電型赤外線センサーは、ケーシング１の中に、焦電体基板２がスペーサー１１を介して支持基材３に載置されている。４はセンサー回路（ＦＥＴ）であり、ケーシング１の開口部には赤外線フィルター５が張られている。   In FIG. 1, the pyroelectric infrared sensor has a pyroelectric substrate 2 placed on a support base 3 through a spacer 11 in a casing 1. Reference numeral 4 denotes a sensor circuit (FET), and an infrared filter 5 is stretched on the opening of the casing 1.

焦電体基板２は、図２に示すように、フッ化ビニリデンオリゴマー層７が上部電極６と下部電極８に挟まれて受光素子９を構成している。この受光素子９は焦電体基材１０上に１個または２個以上配置されており、受光素子９と焦電体基材１０とで焦電体基板２が構成されている。かかる焦電体基板２の大きさおよび厚さはセンサーの大きさや使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。厚さは、通常、１μｍ〜５ｍｍである。焦電体基板２の製造および構成は特許文献３と同じであり、本発明でも採用される。   As shown in FIG. 2, the pyroelectric substrate 2 includes a vinylidene fluoride oligomer layer 7 sandwiched between an upper electrode 6 and a lower electrode 8 to form a light receiving element 9. One or two or more light receiving elements 9 are arranged on the pyroelectric base material 10, and the pyroelectric substrate 2 is constituted by the light receiving elements 9 and the pyroelectric base material 10. The size and thickness of the pyroelectric substrate 2 vary depending on the size of the sensor and the place of use, and may be selected as appropriate. The thickness is usually 1 μm to 5 mm. The manufacture and configuration of the pyroelectric substrate 2 are the same as in Patent Document 3, and are also used in the present invention.

焦電体としてのフッ化ビニリデンオリゴマーはＣＦ3−（ＣＨ2ＣＦ2）n−ＣmＨ2m+1と表され、ｎが５〜５０の範囲内にあるものが優れた焦電効果を奏する。また、ＣmＨ2m+1基のｍは２〜１０が好ましく、さらに、ＣmＨ2m+1基がハロゲン原子で置換されたものも使用できる。 A vinylidene fluoride oligomer as a pyroelectric material is represented as CF 3 — (CH 2 CF 2 ) n —C m H 2m + 1, and those having n in the range of 5 to 50 exhibit excellent pyroelectric effects. . Further, m of the C m H 2m + 1 group is preferably 2 to 10, and those in which the C m H 2m + 1 group is substituted with a halogen atom can also be used.

なお、フッ化ビニリデンオリゴマーと、チタン酸ジルコン酸鉛やチタン酸バリウム等の無機焦電体、あるいはポリフッ化ビニリデンやフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとのランダム共重合体等の他の有機焦電体とを併用してもよい。また、実施形態によっては、無機焦電体の単独使用、他の有機焦電体の単独使用、さらには無機焦電体と他の有機焦電体との併用も可能である。   Other organic pyroelectrics such as vinylidene fluoride oligomers and inorganic pyroelectrics such as lead zirconate titanate and barium titanate, or polyvinylidene fluoride and random copolymers of vinylidene fluoride and ethylene trifluoride. You may use together with the body. Further, depending on the embodiment, an inorganic pyroelectric material can be used alone, another organic pyroelectric material can be used alone, or an inorganic pyroelectric material and another organic pyroelectric material can be used in combination.

焦電体基材１０としては、受光素子９を支持しかつ保持し、絶縁体材料であれば無機材料、有機材料、もしくは有機無機複合材料でもよいが、変形させる場合は可撓性や変形性を有する材料を用いることが好ましい。無機材料としては、たとえばガラスや石英、アルミナセラミック等のセラミックス、有機無機複合材料としてはガラス−エポキシ樹脂複合体などが例示できる。有機材料としては、たとえばポリイミド、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、エポキシ樹脂などを用いることができる。   The pyroelectric substrate 10 may be an inorganic material, an organic material, or an organic-inorganic composite material as long as it supports and holds the light receiving element 9 and is an insulator material. It is preferable to use a material having Examples of the inorganic material include glass, quartz, ceramics such as alumina ceramic, and examples of the organic-inorganic composite material include a glass-epoxy resin composite. As the organic material, for example, polyimide, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, polyparaphenylene sulfide, polyamideimide, polysulfone, epoxy resin and the like can be used.

上部電極６および下部電極８には、導電性材料であればよいが、たとえばＡｕ、金黒、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＮｉＣｒなどの金属または合金の蒸着膜、炭素蒸着膜、またはポリアニリン、ポリチオフェン、ＰＤＯＴ−ＰＳＳなどの有機電極などを用いることができる。   The upper electrode 6 and the lower electrode 8 may be made of a conductive material. For example, a vapor deposition film of a metal or alloy such as Au, gold black, Ag, Al, Cr, Ni, Pt, NiCr, a carbon vapor deposition film, or Organic electrodes such as polyaniline, polythiophene, and PDOT-PSS can be used.

支持基材３としては、焦電体基板２を支持しかつ保持できる機能を果たすものであれば特に限定されない。しかし、多くの場合、断熱性と強度に優れた材料が好ましい。また、支持基材にＦＥＴや抵抗を配置し電気回路を作製し、焦電体基板から支持基材上の回路に配線を行ってもよく、その場合には断熱性、絶縁性と強度に優れた材料が好ましい。具体的には、たとえばガラスや石英、アルミナセラミック等のセラミックスなどの無機材料；ガラス−エポキシ樹脂複合体などの有機無機複合材料；ポリイミド、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリパラフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、エポキシ樹脂などの有機材料が好ましく例示できる。   The supporting substrate 3 is not particularly limited as long as it has a function of supporting and holding the pyroelectric substrate 2. However, in many cases, a material excellent in heat insulation and strength is preferred. Also, an FET or resistor may be placed on the supporting base material to produce an electric circuit, and wiring from the pyroelectric substrate to the circuit on the supporting base material may be performed. In that case, heat insulation, insulation and strength are excellent. The material is preferred. Specifically, inorganic materials such as ceramics such as glass, quartz, and alumina ceramic; organic inorganic composite materials such as glass-epoxy resin composites; polyimide, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, polyparaphenylene sulfide Organic materials such as polyamide imide, polysulfone and epoxy resin can be preferably exemplified.

支持基材３の寸法としては、焦電体基板２との関係、さらにはセンサーの大きさや使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。厚さは、通常、１μｍ〜１０ｍｍである。焦電体基板２は、図２（実施形態１）においては、スペーサー１１により支持基材３に載置され、焦電体基板２の支持基材３側に断熱領域１２を形成している。   The size of the support base 3 varies depending on the relationship with the pyroelectric substrate 2, the size of the sensor, the place of use, and the like, and may be selected as appropriate. The thickness is usually 1 μm to 10 mm. In FIG. 2 (Embodiment 1), the pyroelectric substrate 2 is placed on the support base 3 by a spacer 11, and a heat insulating region 12 is formed on the support base 3 side of the pyroelectric substrate 2.

本発明は、焦電体基板２の支持基材３側に断熱領域を種々の形態で形成することで、焦電体基板からの支持基材への熱の伝導を抑え、センサーの感度をさらに高めるものである。   In the present invention, by forming a heat insulating region in various forms on the support base 3 side of the pyroelectric substrate 2, heat conduction from the pyroelectric substrate to the support base is suppressed, and the sensitivity of the sensor is further increased. It is something to enhance.

つぎに各種の実施形態について、図面を参照して説明するが、本発明の構成はかかる具体的な実施形態に限定されるものではない。なお、図面中の同じ符号は同じ部分を示す。   Next, various embodiments will be described with reference to the drawings, but the configuration of the present invention is not limited to such specific embodiments. In addition, the same code | symbol in drawing shows the same part.

実施形態１：図３〜図９参照
焦電体基板が支持基材上に、１個または２個以上のスペーサーを介して載置されている実施形態。 Embodiment 1: See FIG. 3 to FIG. 9 An embodiment in which the pyroelectric substrate is placed on a support base via one or more spacers.

この実施形態１によれば、スペーサー１１を介在させることにより容易に焦電体基板２と支持基材３の間に断熱領域を形成できる点で有利である。また、焦電体基板を固定しやすい点、変形させやすい点からも有利である。   The first embodiment is advantageous in that a heat insulating region can be easily formed between the pyroelectric substrate 2 and the support base 3 by interposing the spacer 11. Further, it is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and deformed easily.

図３の形態：
焦電体基板２を矩形のスペーサー１１を２個用いて支持基材３上に載置した形態であり、空気の断熱領域２０が形成される。
この形態の場合、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。 FIG. 3 form:
In this embodiment, the pyroelectric substrate 2 is placed on the support base 3 using two rectangular spacers 11, and an air insulation region 20 is formed.
In the case of this form, it is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and can be easily manufactured.

スペーサー１１の本数、配置、形状は、充分な断熱領域２０を形成できるものであれば特に制限されず、中央部に別のスペーサーを配置してもよい。また、断面形状が三角形、円または半円のスペーサーを用いてもよいし、また棒状のスペーサーであってもよい。さらに連続または不連続の環状のスペーサーであってもよい。さらにスペーサーの高さも要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。   The number, arrangement, and shape of the spacers 11 are not particularly limited as long as a sufficient heat insulating region 20 can be formed, and another spacer may be arranged at the center. Further, a spacer having a triangular, circular, or semicircular cross-sectional shape may be used, or a rod-shaped spacer may be used. Further, it may be a continuous or discontinuous annular spacer. Furthermore, the height of the spacer varies depending on the required heat insulation, the size of the sensor, the place of use, etc., and may be selected as appropriate.

焦電体基板２の平面形状も円、多角形（三角形、四角形など）のほか、任意の形状を取ることができる。この点は、支持基材３についても同様であり、焦電体基板２と支持基材３は同種の形状でも異なっていてもよい。   The planar shape of the pyroelectric substrate 2 can take any shape other than a circle and a polygon (triangle, square, etc.). This point is the same for the supporting base material 3, and the pyroelectric substrate 2 and the supporting base material 3 may be of the same type or different.

また、焦電体基板２の断面形状は、図３に示すような矩形であっても、つぎの図４、図５、図８、図９に示すような曲面であってもよいし、実施形態２で説明するような波型（図１５、図１６）などの異形であってもよい。   The cross-sectional shape of the pyroelectric substrate 2 may be a rectangle as shown in FIG. 3 or a curved surface as shown in FIGS. 4, 5, 8 and 9 below. It may be an irregular shape such as a waveform (FIGS. 15 and 16) described in the second embodiment.

曲面や異形の焦電体基板を作製するには、特許文献３に開示されている可撓性に優れた焦電体基板が有利である。   In order to produce a curved or irregularly shaped pyroelectric substrate, the pyroelectric substrate excellent in flexibility disclosed in Patent Document 3 is advantageous.

図４の形態：
焦電体基板２として凸曲面を有する半円筒状のものを用いた形態である。そのほかは、図３と同様である。断熱領域は２１で示されている。半円筒状の焦電体基板に代えて、ドーム型の焦電体基板としてもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点で有利である。 Form of FIG.
The pyroelectric substrate 2 has a semi-cylindrical shape having a convex curved surface. The rest is the same as FIG. The insulation area is indicated at 21. Instead of the semi-cylindrical pyroelectric substrate, a dome-shaped pyroelectric substrate may be used.
This form is advantageous in that infrared rays can be sensed at a wide angle.

図５の形態：
焦電体基板２として凹曲面を有する半円筒状のものを用いた形態である。そのほかは、図３と同様である。断熱領域は２２で示されている。半円筒状の焦電体基板に代えて、ドーム型の焦電体基板としてもよい。
この形態によれば、指向性をもった赤外線感知ができる点で有利である。 Form of FIG. 5:
The pyroelectric substrate 2 is a semi-cylindrical substrate having a concave curved surface. The rest is the same as FIG. The thermal insulation area is indicated at 22. Instead of the semi-cylindrical pyroelectric substrate, a dome-shaped pyroelectric substrate may be used.
This configuration is advantageous in that infrared sensing with directivity can be performed.

図６の形態：
スペーサー１１として、上向きの断面形状コ字型の部材を用いている形態である。断熱領域は２３で示されている。
この形態によれば、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。 Form of FIG. 6:
As the spacer 11, an upward cross-sectional U-shaped member is used. The adiabatic region is indicated at 23.
This configuration is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and can be easily manufactured.

図７の形態：
焦電体基板２の片方のみにスペーサー１１を設けた形態である。この形態の場合、焦電体基板２を前述の材料のうちで剛性の高いものを用いて作製すればよい。また、スペーサー１１とは反対側に支持基材３上に焦電体基板２を支えるために保持材１３を設けてもよい。断熱領域は２４で示されている。
この形態によれば、作製が容易な点で有利である。 Form of FIG. 7:
In this embodiment, the spacer 11 is provided only on one side of the pyroelectric substrate 2. In the case of this embodiment, the pyroelectric substrate 2 may be manufactured using a material having high rigidity among the aforementioned materials. Further, a holding member 13 may be provided on the side opposite to the spacer 11 in order to support the pyroelectric substrate 2 on the support base 3. The insulation area is indicated at 24.
This form is advantageous in that it can be easily manufactured.

図８および図９の形態：
図８は概略縦断面図、図９は概略斜視図である。この形態は、円筒状の支持基材３と同じく円筒状の焦電体基板２を同心円状に配置し、その間をスペーサー１１で固定した形態である。断熱領域は２５で示されている。
支持基材３および焦電体基板２は三角筒や、四角筒などの多角筒でもよいし、円筒も含めて、これらを組み合わせてもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点、両面で赤外線を感知できる点で有利である。 8 and 9:
8 is a schematic longitudinal sectional view, and FIG. 9 is a schematic perspective view. This form is a form in which the cylindrical pyroelectric substrate 2 is arranged concentrically in the same manner as the cylindrical support base 3, and the space between them is fixed by a spacer 11. The adiabatic area is indicated at 25.
The support base 3 and the pyroelectric substrate 2 may be a triangular cylinder, a polygonal cylinder such as a square cylinder, or a combination of these including a cylinder.
This form is advantageous in that infrared rays can be sensed at a wide angle and infrared rays can be sensed on both sides.

実施形態２：図１０〜図１９参照
焦電体基板が支持基材に直接載置されてなり、かつ該支持基材と焦電体基板とが焦電体基板の一部でのみ接触している実施形態。 Embodiment 2: See FIGS. 10 to 19 The pyroelectric substrate is placed directly on the support base material, and the support base material and the pyroelectric substrate are in contact with only a part of the pyroelectric substrate. Embodiment.

この実施形態２によれば、スペーサー１１を介在させることなく、焦電体基板２および／または支持基材３を加工または変形することにより、容易に焦電体基板２と支持基材３の間に断熱領域を形成できる点で有利である。   According to the second embodiment, the pyroelectric substrate 2 and / or the support base 3 are processed or deformed without interposing the spacer 11, so that the space between the pyroelectric substrate 2 and the support base 3 can be easily obtained. It is advantageous in that a heat insulating region can be formed.

図１０の形態：
焦電体基板２と接する支持基材３に貫通孔を設け、その空間で断熱領域３０を形成している。この貫通孔の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、貫通孔の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、貫通孔の数を増やすことによっても断熱領域３０を大きくすることができる。この場合、焦電体基板２に要求される強度はそれほど大きくなくてもよい。
この形態によれば、作製が容易である点、センサー全体の小型化が容易である点で有利である。 Form of FIG. 10:
A through hole is provided in the support base material 3 in contact with the pyroelectric substrate 2, and a heat insulating region 30 is formed in the space. The larger the size of the through hole, the greater the heat insulation effect. Therefore, the size of the through hole may be appropriately selected in consideration of the strength of the pyroelectric substrate 2 and the required sensitivity.
Moreover, the heat insulation area | region 30 can be enlarged also by increasing the number of through-holes. In this case, the strength required for the pyroelectric substrate 2 may not be so high.
This embodiment is advantageous in that it can be easily manufactured and the entire sensor can be easily downsized.

図１１の形態：
焦電体基板２と接する支持基材３に凹所を設け、その空間で断熱領域３１を形成している。この凹所の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、凹所の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、凹所の数を増やすことによっても断熱領域３１を大きくすることができる。この場合、焦電体基板２に要求される強度はそれほど大きくなくてもよい。
この形態によれば、センサー全体の小型化が容易である点、センサー全体の堅牢性が高い点で有利である。 Form of FIG. 11:
A recess is provided in the support base 3 in contact with the pyroelectric substrate 2, and a heat insulating region 31 is formed in the space. The larger the size of the recess, the greater the heat insulation effect. Therefore, the size of the recess may be appropriately selected in consideration of the strength of the pyroelectric substrate 2 and the required sensitivity.
Moreover, the heat insulation area | region 31 can be enlarged also by increasing the number of recesses. In this case, the strength required for the pyroelectric substrate 2 may not be so high.
This form is advantageous in that the entire sensor can be easily downsized and the robustness of the entire sensor is high.

図１２の形態：
焦電体基板２と接する支持基材３に凹所を設ける点は図１１の形態と同様であるが、この形態では凹所の形成を支持基材３を加工して変形させることにより形成している。凹所の空間で断熱領域３２を形成している。この凹所の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、凹所の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、凹所の数を増やすことによっても断熱領域３２を大きくすることができる。この場合、焦電体基板２に要求される強度はそれほど大きくなくてもよい。
この形態によれば、作製が容易である点で有利である。 Form of FIG. 12:
11 is the same as the embodiment shown in FIG. 11 in that the support base 3 in contact with the pyroelectric substrate 2 is provided with a recess. In this embodiment, the recess is formed by processing the support base 3 and deforming it. ing. The heat insulating area 32 is formed in the recessed space. The larger the size of the recess, the greater the heat insulation effect. Therefore, the size of the recess may be appropriately selected in consideration of the strength of the pyroelectric substrate 2 and the required sensitivity.
Moreover, the heat insulation area | region 32 can be enlarged also by increasing the number of recesses. In this case, the strength required for the pyroelectric substrate 2 may not be so high.
This form is advantageous in that it can be easily manufactured.

図１３の形態：
支持基材３の焦電体基板２側に突起１４を複数設け、焦電体基板２を載置して断熱領域３３を形成する形態である。実施形態１の図３の形態で、スペーサー１１を支持基材に一体に設けた態様ともいえる。突起１４の個数、配置、形状（波型など）、高さなどは、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。 Form of FIG. 13:
In this embodiment, a plurality of protrusions 14 are provided on the support base 3 on the pyroelectric substrate 2 side, and the pyroelectric substrate 2 is placed to form a heat insulating region 33. In the form of FIG. 3 of the first embodiment, it can be said that the spacer 11 is integrally provided on the support base material. The number, arrangement, shape (waveform, etc.), height, and the like of the protrusions 14 vary depending on the required heat insulation, the size of the sensor, the place of use, etc., and may be selected as appropriate.
This configuration is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and can be easily manufactured.

図１４の形態：
支持基材３自体を波板にし、平板状の焦電体基板２と線接触して断熱領域３４を形成した形態である。波板の波のうねりの大きさや数（振幅と周波数）は、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、焦電体基板を固定しやすい点、作製が容易な点で有利である。 Form of FIG. 14:
The support base 3 itself is a corrugated plate, and the heat insulating region 34 is formed by line contact with the flat pyroelectric substrate 2. The size and number of wave swells (amplitude and frequency) of the corrugated plate vary depending on the required heat insulation, the size of the sensor, the place of use, etc., and may be selected as appropriate.
This configuration is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and can be easily manufactured.

図１５の形態：
焦電体基板２の焦電体基材（図２の１０）の下面を波状に変形し、平板状の支持基材３と線接触して断熱領域３５を形成した形態である。波のうねりの大きさや数（振幅と周波数）は、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、焦電体基板の堅牢性が高い点で有利である。 Form of FIG. 15:
In this embodiment, the lower surface of the pyroelectric base material (10 in FIG. 2) of the pyroelectric substrate 2 is deformed into a wave shape and is in line contact with the flat support base material 3 to form a heat insulating region 35. The size and number of wave swells (amplitude and frequency) vary depending on the required heat insulation, the size of the sensor, the location of use, etc., and may be selected as appropriate.
This form is advantageous in that the pyroelectric substrate has high robustness.

図１６の形態：
焦電体基板２自体を波板にし、平板状の支持基材３と線接触して断熱領域３６を形成した形態である。波板の波のうねりの大きさや数（振幅と周波数）は、要求される断熱性や、センサーの大きさ、使用場所などによって異なり、適宜選定すればよい。
この形態によれば、赤外線を感知する焦点エリアを複数箇所に増やせる角度変化をつけやすい点で有利である。 Form of FIG. 16:
The pyroelectric substrate 2 itself is a corrugated plate, and the heat insulating region 36 is formed by line contact with the flat support base 3. The size and number of wave swells (amplitude and frequency) of the corrugated plate vary depending on the required heat insulation, the size of the sensor, the place of use, etc., and may be selected as appropriate.
According to this embodiment, it is advantageous in that it is easy to make an angle change that can increase the focal area for detecting infrared rays to a plurality of locations.

図１７の形態：
焦電体基板２を円筒状とし、支持基材３と接する部分１５には受光素子を設けない形態である。この形態の断熱領域３７は円筒の内部で形成される。なお、円筒状の焦電体基板２が移動しないように保持具（図示されていない）で固定してもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点で有利である。 FIG. 17 form:
In this embodiment, the pyroelectric substrate 2 is cylindrical, and no light receiving element is provided in the portion 15 in contact with the support base 3. This form of heat insulating region 37 is formed inside a cylinder. The cylindrical pyroelectric substrate 2 may be fixed with a holder (not shown) so that it does not move.
This form is advantageous in that infrared rays can be sensed at a wide angle.

図１８の形態：
焦電体基板２を半円筒状とし、その端部で支持基材３に固定し、断熱領域３８を形成した形態である。この形態では剛性に富む焦電体基板２が好適である。また、半円筒状の焦電体基板２を保持するため、または移動しないように保持具（図示されていない）を断熱領域３８の内部や端面の外部に配設してもよい。焦電体基板２としては、ドーム型でもよい。
この形態によれば、広角で赤外線を感知できる点で有利である。 Form of FIG. 18:
The pyroelectric substrate 2 has a semi-cylindrical shape, and is fixed to the support base 3 at its end to form a heat insulating region 38. In this embodiment, the pyroelectric substrate 2 having high rigidity is suitable. Further, a holder (not shown) may be provided inside the heat insulating region 38 or outside the end face so as to hold the semi-cylindrical pyroelectric substrate 2 or not to move. The pyroelectric substrate 2 may be a dome shape.
This form is advantageous in that infrared rays can be sensed at a wide angle.

図１９の形態：
焦電体基板２における焦電体基材１０の端部を延長し、その延長部分１６を折り曲げて支持基材３と接合し、断熱領域３９を形成する形態である。延長部分１６には受光素子９を設けても設けなくてもよい。
この形態では剛性に富む焦電体基材１０が好適である。また、焦電体基板２を保持するために保持具（図示されていない）を断熱領域３９の内部に配設してもよい。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点で有利である。 Form of FIG. 19:
In this embodiment, the end portion of the pyroelectric substrate 10 in the pyroelectric substrate 2 is extended, and the extended portion 16 is bent and joined to the support substrate 3 to form the heat insulating region 39. The extension portion 16 may or may not be provided with the light receiving element 9.
In this embodiment, the pyroelectric base material 10 having high rigidity is suitable. Further, a holder (not shown) may be disposed inside the heat insulating region 39 in order to hold the pyroelectric substrate 2.
This form is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed.

実施形態３：図２０〜図２１参照
支持基材の少なくとも一部に厚さの薄い部分を含む実施形態。 Embodiment 3: See FIG. 20 to FIG. 21 An embodiment in which at least a part of the support substrate includes a thin portion.

この実施形態３は、焦電体基板２から放出される熱を受けた支持基材３の熱の貯蔵量を小さくする（支持基材３の一部または全部の厚さを薄くする）ことにより、焦電体基板２から支持基材３を介して固定具１７へ流れる熱の移動を抑制し、焦電体基板２からの熱の放出を抑える形態である。この実施形態はこれまでの他の実施形態のように空間としての断熱領域は形成されないが、支持基材３の一部または全部の厚さを薄くすることで支持基材３自体が断熱領域を形成しているものである。   In the third embodiment, the amount of heat stored in the support base 3 that has received heat released from the pyroelectric substrate 2 is reduced (the thickness of a part or all of the support base 3 is reduced). In this mode, movement of heat flowing from the pyroelectric substrate 2 to the fixture 17 through the support base 3 is suppressed, and release of heat from the pyroelectric substrate 2 is suppressed. In this embodiment, a heat insulating region as a space is not formed as in the other embodiments so far, but the supporting base material 3 itself has a heat insulating region by reducing the thickness of a part or all of the supporting base material 3. It is what is formed.

この実施形態３によれば、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点で有利である。   According to the third embodiment, it is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and the entire sensor can be reduced in size.

図２０の形態：
支持基材３の焦電体基板２と反対側の面に凹所１８を形成する形態である。この凹所の大きさを大きくするほど断熱効果（固定具への熱の移動量の抑制効果）が大きくなる。したがって、凹所の大きさは焦電体基板２の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。また、凹所の数を増やすことによっても断熱効果を大きくすることができる。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点で有利である。 Form of FIG. 20:
In this embodiment, the recess 18 is formed on the surface of the support base 3 opposite to the pyroelectric substrate 2. The larger the size of the recess, the greater the heat insulating effect (the effect of suppressing the amount of heat transferred to the fixture). Therefore, the size of the recess may be appropriately selected in consideration of the strength of the pyroelectric substrate 2 and the required sensitivity. Moreover, the heat insulation effect can be increased by increasing the number of recesses.
This form is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed.

図２１の形態：
支持基材３全体を薄くした形態である。薄くすればするほど断熱効果（固定具への熱の移動量の抑制効果）が大きくなる。したがって、支持基材３の厚さは強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点で有利である。 Form of FIG. 21:
It is the form which made the support base material 3 whole thin. The thinner the thickness, the greater the heat insulation effect (the effect of suppressing the amount of heat transferred to the fixture). Therefore, the thickness of the support base 3 may be appropriately selected in consideration of the strength and the required sensitivity.
This form is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and the entire sensor can be miniaturized.

実施形態４：図２２参照
支持基材の一部または全部が断熱材料で作製されている実施形態。 Embodiment 4: See FIG. 22 An embodiment in which a part or all of the support base material is made of a heat insulating material.

この実施形態４は、断熱領域として空間（隙間）を設けるのではなく、断熱性の高い材料で支持基材３の一部または全部を作製する形態である。   In the fourth embodiment, a space (gap) is not provided as a heat insulating region, but a part or the whole of the support base material 3 is made of a highly heat insulating material.

断熱材料としては、たとえば発泡スチロール等の多くの空孔を内部に構成している無機材料、有機無機複合材料、有機材料などが例示できる。   Examples of the heat insulating material include an inorganic material, an organic-inorganic composite material, an organic material, and the like that have a large number of pores inside such as foamed polystyrene.

この実施形態４によれば、支持基材３の強度を維持できる点、厚さを薄くできる点、センサー全体を容易に小型化できる点で有利である。   The fourth embodiment is advantageous in that the strength of the support base 3 can be maintained, the thickness can be reduced, and the entire sensor can be easily downsized.

図２２の形態：
実施形態２の図１０に示す貫通孔に代えて断熱材料で作製された断熱領域４０を設けた形態である。この断熱領域４０の大きさを大きくするほど断熱効果が大きくなる。したがって、貫通孔の大きさは支持基材３の強度などと要求される感度を考慮して適宜選択すればよい。
また、断熱領域４０の数を増やすことによっても断熱効果を大きくすることができる。
この形態によれば、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点、センサー全体の堅牢性を高くすることができる点で有利である。 Form of FIG. 22:
It is the form which replaced with the through-hole shown in FIG. 10 of Embodiment 2, and provided the heat insulation area | region 40 produced with the heat insulation material. As the size of the heat insulating region 40 is increased, the heat insulating effect is increased. Therefore, the size of the through hole may be appropriately selected in consideration of the strength of the support base 3 and the required sensitivity.
Further, the heat insulating effect can be increased by increasing the number of heat insulating regions 40.
This form is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed, the entire sensor can be miniaturized, and the robustness of the entire sensor can be increased.

なお、図面には記載していないが、支持基材３の全体を断熱材料で作製してもよい。この場合、焦電体基材を固定しやすい点、センサー全体を小型化できる点で有利である。   Although not shown in the drawings, the entire support base 3 may be made of a heat insulating material. In this case, it is advantageous in that the pyroelectric substrate can be easily fixed and the entire sensor can be miniaturized.

実施形態５：図２３〜図２４参照
焦電体基板が、スペーサーを介して複数段設けられている実施形態。 Embodiment 5: See FIGS. 23 to 24 An embodiment in which the pyroelectric substrate is provided in a plurality of stages with spacers interposed therebetween.

この実施形態５は、実施形態１における焦電体基板２とスペーサー１１のセットを垂直または水平方向に複数段組み合わせた形態である。   In the fifth embodiment, the pyroelectric substrate 2 and the spacer 11 in the first embodiment are combined in a plurality of stages in the vertical or horizontal direction.

この実施形態５によれば、高さ方向への多素子化の容易性、センサー形状の自由度向上の点で有利である。   According to the fifth embodiment, it is advantageous in terms of the ease of increasing the number of elements in the height direction and improving the degree of freedom of the sensor shape.

図２３の形態：
焦電体基板２とスペーサー１１のセットを垂直方向に２段組み合わせて２段構造とし、断熱領域５０および５１を形成した形態である。
垂直に組み合わせる焦電体基板２とスペーサー１１のセットは実施形態１で説明した形態のうち重ねることができる形態であれば特に限定されず、また、重ねるセット同士も同じであっても異なっていてもよい。
また、実施形態２〜４に記載した支持基材３に直接載置する形態の上に焦電体基板２とスペーサー１１のセットを重ねてもよい。
この形態によれば、センサー全体の小型化、センサー全体に対する受光部の高さ方向の集積化の点で有利である。 Form of FIG. 23:
In this embodiment, the pyroelectric substrate 2 and the spacer 11 are combined in two stages in the vertical direction to form a two-stage structure, and the heat insulating regions 50 and 51 are formed.
The set of the pyroelectric substrate 2 and the spacer 11 to be combined vertically is not particularly limited as long as it can be stacked among the forms described in the first embodiment, and the sets to be stacked are different even if they are the same. Also good.
Moreover, the set of the pyroelectric substrate 2 and the spacer 11 may be stacked on the form directly placed on the support base 3 described in the second to fourth embodiments.
This configuration is advantageous in terms of downsizing the entire sensor and integrating the light receiving unit in the height direction with respect to the entire sensor.

図２４の形態：
焦電体基板２とスペーサー１１のセットを水平方向に２段組み合わせて、断熱領域５２および５３を形成した形態である。図２４に示す形態では段差を設けているが、必ずしも段差を設けなくてもよい。 Form of FIG. 24:
The heat insulating regions 52 and 53 are formed by combining two sets of the pyroelectric substrate 2 and the spacer 11 in the horizontal direction. Although the step shown in FIG. 24 is provided with a step, the step is not necessarily provided.

水平に組み合わせる焦電体基板２とスペーサー１１のセットは実施形態１で説明した形態のうち水平に配置できる形態であれば特に限定されず、また、配置するセット同士も同じであっても異なっていてもよい。
この形態によれば、センサー形状の自由度向上の点で有利である。 The set of the pyroelectric substrate 2 and the spacer 11 to be combined horizontally is not particularly limited as long as it can be arranged horizontally among the forms described in the first embodiment, and the arranged sets are different even if they are the same. May be.
This form is advantageous in improving the degree of freedom of the sensor shape.

本発明の焦電型赤外線センサーの一実施態様の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of one embodiment of the pyroelectric infrared sensor of this invention. 本発明における焦電体基板と支持基材の関係の一実施態様を説明するための概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view for demonstrating one embodiment of the relationship between the pyroelectric substrate and support base material in this invention. 本発明の実施形態１のうち、焦電体基板を矩形のスペーサーを２個用いて支持基材上に載置した形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which mounted the pyroelectric body board | substrate on the support base material using two rectangular spacers among Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１のうち、焦電体基板として凸曲面を有する半円筒状のものを用いた形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form using the semi-cylindrical thing which has a convex curved surface as the pyroelectric substrate among Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１のうち、焦電体基板２として凹曲面を有する半円筒状のものを用いた形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form using the semicylindrical thing which has a concave curved surface as the pyroelectric substrate 2 among Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１のうち、スペーサーとして上向きの断面形状コ字型の部材を用いている形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which uses the upward cross-sectional U-shaped member as a spacer among Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１のうち、焦電体基板の片方のみにスペーサーを設けた形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which provided the spacer only in one side of the pyroelectric substrate among Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１のうち、円筒状の支持基材と同じく円筒状の焦電体基板を同心円状に配置し、その間をスペーサーで固定した形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which arrange | positioned the cylindrical pyroelectric substrate concentrically similarly to the cylindrical support base material among Embodiment 1 of this invention, and was fixed with the spacer between them. 図８の形態の概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the form of FIG. 本発明の実施形態２のうち、焦電体基板と接する支持基材に貫通孔を設け、その空間で断熱領域を形成している形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which provided the through-hole in the support base material which contact | connects a pyroelectric substrate among Embodiment 2 of this invention, and has formed the heat insulation area | region in the space. 本発明の実施形態２のうち、焦電体基板と接する支持基材に凹所を設け、その空間で断熱領域を形成している形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which provided the recess in the support base material which contact | connects a pyroelectric substrate among Embodiment 2 of this invention, and has formed the heat insulation area | region in the space. 本発明の実施形態２のうち、支持基材を加工し焦電体基板と接する支持基材に凹所を設ける形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which provides a recess in the support base material which processes a support base material and contacts a pyroelectric substrate among Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態２のうち、支持基材の焦電体基板側に突起を複数設け、焦電体基板を載置して断熱領域を形成する形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which provides multiple protrusions in the pyroelectric board | substrate side of a support base material and forms a heat insulation area | region by mounting a pyroelectric board | substrate among Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態２のうち、支持基材自体を波板にし、平板状の焦電体基板と線接触して断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which used the support base material itself as the corrugated plate among Embodiment 2 of this invention, and formed the heat insulation area | region by carrying out line contact with the flat plate-shaped pyroelectric substrate. 本発明の実施形態２のうち、焦電体基板の焦電体基材の下面を波状に変形し、平板状の支持基材と線接触して断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。The schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which deform | transformed the lower surface of the pyroelectric base material of the pyroelectric substrate of the second embodiment of the present invention into a wave shape, and line-contacted with the flat support base material to form a heat insulating region. It is. 本発明の実施形態２のうち、焦電体基板自体を波板にし、平板状の支持基材と線接触して断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which made the pyroelectric board itself into the corrugated plate among Embodiment 2 of this invention, and formed the heat insulation area | region by carrying out line contact with the flat support base material. 本発明の実施形態２のうち、焦電体基板を円筒状とし、支持基材と接する部分には受光素子を設けない形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which makes a pyroelectric board cylindrical shape among Embodiment 2 of this invention, and does not provide a light receiving element in the part which touches a support base material. 本発明の実施形態２のうち、焦電体基板を半円筒状とし、その端部で支持基材に固定し、断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which made the pyroelectric substrate semi-cylindrical among Embodiment 2 of this invention, was fixed to the support base material at the edge part, and formed the heat insulation area | region. 本発明の実施形態２のうち、焦電体基板における焦電体基材の端部を延長し、その延長部分を折り曲げて支持基材と接合し、断熱領域を形成する形態を示す概略縦断面図である。The schematic longitudinal cross-section which shows the form which extends the edge part of the pyroelectric base material in a pyroelectric substrate among Embodiment 2 of this invention, bends the extension part, joins with a support base material, and forms a heat insulation area | region. FIG. 本発明の実施形態３のうち、支持基材の焦電体基板と反対側の面に凹所を形成する形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which forms a recess in the surface on the opposite side to the pyroelectric substrate of the support base material among Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態３のうち、支持基材全体を薄くした形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which made the whole support base material thin among Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態４のうち、支持基材に断熱材料で作製された断熱領域を設けた形態を示す概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which provided the heat insulation area | region produced with the heat insulation material in the support base material among Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施形態５のうち、焦電体基板とスペーサーのセットを垂直方向に２段組み合わせて２段構造とし、２つの断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。In Embodiment 5 of this invention, it is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which set the pyroelectric board | substrate and the set of the spacer 2 steps | paragraphs to 2 steps | paragraphs, and set it as the 2 step | paragraph structure, and formed two heat insulation areas. 本発明の実施形態５のうち、焦電体基板とスペーサーのセットを水平方向に２段組み合わせて、２つの断熱領域を形成した形態を示す概略縦断面図である。In Embodiment 5 of this invention, it is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the form which formed the pyroelectric board | substrate and the set of the spacer 2 steps | paragraphs in the horizontal direction, and formed two heat insulation area | regions.

符号の説明Explanation of symbols

１ ケーシング
２ 焦電体基板
３ 支持基材
４ ＦＥＴ
５ 赤外線フィルター
６ 上部電極
７ フッ化ビニリデンオリゴマー層
８ 下部電極
９ 受光素子
１０ 焦電体基材
１１ スペーサー
１２ 断熱領域
１３ 保持材
１４ 突起
１５ 支持基材と接する部分
１６ 延長部分
１７ 固定具
１８ 凹所
２０〜２５ 断熱領域
３０〜３９ 断熱領域
４０ 断熱領域
５０〜５３ 断熱領域 1 Casing 2 Pyroelectric substrate 3 Support base 4 FET
5 Infrared filter 6 Upper electrode 7 Vinylidene fluoride oligomer layer 8 Lower electrode 9 Light receiving element 10 Pyroelectric base material 11 Spacer 12 Thermal insulation region 13 Holding material 14 Protrusion 15 Part 16 in contact with support base material Extension part 17 Fixing tool 18 Recess 20-25 Heat insulation area 30-39 Heat insulation area 40 Heat insulation area 50-53 Heat insulation area

Claims (6)

下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサー。 A vinylidene fluoride oligomer layer sandwiched between the lower electrode and the upper electrode is used as a light receiving element, and a pyroelectric substrate in which one or more light receiving elements are arranged on the pyroelectric base material is provided on the supporting base material. A pyroelectric infrared sensor that is mounted on the pyroelectric substrate and is provided with a heat insulating region on the support base side of the pyroelectric substrate. 焦電体基板が支持基材上に、１個または２個以上のスペーサーを介して載置されてなる請求項１記載の焦電型赤外線センサー。 The pyroelectric infrared sensor according to claim 1, wherein the pyroelectric substrate is placed on a support base via one or more spacers. 焦電体基板が支持基材に直接載置されてなり、かつ該支持基材と焦電体基板とが焦電体基板の一部でのみ接触している請求項１記載の焦電型赤外線センサー。 2. The pyroelectric infrared according to claim 1, wherein the pyroelectric substrate is placed directly on the supporting base material, and the supporting base material and the pyroelectric substrate are in contact with only a part of the pyroelectric substrate. sensor. 支持基材の少なくとも一部に厚さの薄い部分を含む請求項１記載の焦電型赤外線センサー。 The pyroelectric infrared sensor according to claim 1, wherein a thin portion is included in at least a part of the support substrate. 支持基材の一部または全部が断熱材料で作製されている請求項１記載の焦電型赤外線センサー。 The pyroelectric infrared sensor according to claim 1, wherein a part or all of the support substrate is made of a heat insulating material. 焦電体基板が、スペーサーを介して複数段設けられている請求項１記載の焦電型赤外線センサー。 The pyroelectric infrared sensor according to claim 1, wherein the pyroelectric substrate is provided in a plurality of stages via a spacer.
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