JP2011155173A - Method for forming film, substrate for forming film, method for forming circuit wiring, and substrate for forming circuit wiring - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板上に膜を形成する膜形成方法、膜を形成する基材である膜形成用基板、回路基板に回路配線を形成する回路配線形成方法、及び回路配線を形成する基材である回路配線形成用基板に関する。 The present invention relates to a film forming method for forming a film on a substrate, a film forming substrate which is a base material for forming a film, a circuit wiring forming method for forming circuit wiring on a circuit board, and a base material for forming circuit wiring. The present invention relates to a circuit wiring forming substrate.
従来から、基材上に機能を有する機能膜が形成されており、当該機能膜が機能することで機能を果たす装置が用いられている。回路基板は、基材上に回路配線膜などが所定の形状に形成されて、所定の機能を有する回路基板が形成される。そのような回路基板に半導体装置を実装して使用することが行われている。近年、半導体装置の高性能化及び小型化がめざましく、半導体装置を実装する回路基板も小型化及び高性能化が求められている。小型化のため、例えばCSP(Chip Scale Package)といわれる超小型のパッケージングが提供されている。CSP技術を用いて製造された半導体ユニットは、実装面積を半導体チップの面積と同程度にできるため、高密度実装を実現するものとなっている。
半導体ユニットにおいて、半導体チップは配線パターンが形成された配線基板上に実装される。半導体チップの実装方法としては、半導体チップの能動面を基板側に向けて実装するフェースダウン実装や、半導体チップの能動面を表側にして実装するフェースアップ実装が知られている。フェースダウン実装では、半導体チップの電極構造に合わせた専用の基板を用意する必要があり、コストアップを招き易い。また、接続用のバンプ電極等を形成する等、余分な処理が必要になる。フェースアップ実装では、ワイヤーボンディングによって、半導体チップの電極端子と配線基板の配線パターンとを1本ずつ接続する必要があり、端子の数が増えた場合に対応できなくなる。また、ワイヤーボンディングでは、ワイヤーの長さに制限があるため、汎用基板を用いることができない。さらに、ワイヤーボンディングを行なうときの機械的なストレスによって不良が発生する場合がある。
Conventionally, a functional film having a function has been formed on a base material, and an apparatus that performs a function by using the functional film has been used. In the circuit board, a circuit wiring film or the like is formed in a predetermined shape on a base material to form a circuit board having a predetermined function. A semiconductor device is mounted and used on such a circuit board. 2. Description of the Related Art In recent years, high performance and miniaturization of semiconductor devices are remarkable, and miniaturization and high performance of circuit boards on which semiconductor devices are mounted are required. For miniaturization, for example, ultra-small packaging called CSP (Chip Scale Package) is provided. A semiconductor unit manufactured by using the CSP technology can realize a high-density mounting because the mounting area can be made the same as the area of the semiconductor chip.
In a semiconductor unit, a semiconductor chip is mounted on a wiring board on which a wiring pattern is formed. As a method for mounting a semiconductor chip, there are known face-down mounting in which the active surface of the semiconductor chip is mounted toward the substrate side, and face-up mounting in which the active surface of the semiconductor chip is mounted on the front side. In face-down mounting, it is necessary to prepare a dedicated substrate in accordance with the electrode structure of the semiconductor chip, which tends to increase costs. In addition, extra processing such as forming bump electrodes for connection is required. In face-up mounting, it is necessary to connect the electrode terminals of the semiconductor chip and the wiring patterns of the wiring board one by one by wire bonding, and it becomes impossible to cope with an increase in the number of terminals. In wire bonding, a general-purpose substrate cannot be used because the length of the wire is limited. Further, a defect may occur due to mechanical stress when performing wire bonding.
特許文献1には、フェースアップ実装で、半導体チップの能動面からチップが搭載された基板面にいたる斜面を設け、当該斜面上に能動面の電極端子から基板面に形成された回路配線にいたる有機絶縁層を設け、当該絶縁層の上に電極端子と回路配線とを接続する配線パターンを形成することによって、電子素子を配線基板に実装する際の機械的ストレスを低減し、接続信頼性の高い実装構造を低コストで実現することのできる電子素子の実装方法、電子装置の製造方法、回路基板、電子機器が開示されている。 Japanese Patent Laid-Open No. 2004-228688 provides a face-up mounting by providing a slope extending from an active surface of a semiconductor chip to a substrate surface on which the chip is mounted, and leading to circuit wiring formed on the substrate surface from an electrode terminal on the active surface. By providing an organic insulating layer and forming a wiring pattern that connects the electrode terminals and circuit wiring on the insulating layer, mechanical stress when mounting electronic elements on a wiring board is reduced, and connection reliability is improved. An electronic element mounting method, an electronic device manufacturing method, a circuit board, and an electronic device capable of realizing a high mounting structure at low cost are disclosed.
しかしながら、半導体装置は、その高速化や微細化が進むにつれて各部における発熱量を増大させる傾向にある。特許文献1に開示されたような方法を用いて半導体装置を実装した装置においては、金属配線や絶縁性のスロープにおいても、半導体装置の発熱量の増大に伴って、その変形量や変形頻度を増加させる傾向にある。発熱による熱変形が材料によって異なり一様でないことに起因して、接合部に、接合を剥がすような力が作用する場合がある。特許文献1に開示された方法や回路基板においては、金属配線と基材(有機絶縁層)との接続強度がこれらの力に対して必ずしも充分ではないという課題があった。金属配線と電極端子又は回路配線との接合部が剥離されると、いわゆる断線が発生する。金属配線が基材(有機絶縁層)から剥離されると、金属配線が単独では強度が小さいため、金属配線自体の断線などが起きる可能性が高くなる。 However, semiconductor devices tend to increase the amount of heat generated in each part as their speed and miniaturization progress. In a device in which a semiconductor device is mounted using the method disclosed in Patent Document 1, the amount of deformation and the frequency of deformation of a metal wiring and an insulating slope are increased as the amount of heat generated by the semiconductor device increases. It tends to increase. Due to the fact that the thermal deformation due to heat generation varies depending on the material and is not uniform, a force that peels off the joint may act on the joint. In the method and circuit board disclosed in Patent Document 1, there is a problem that the connection strength between the metal wiring and the base material (organic insulating layer) is not always sufficient for these forces. When the joint between the metal wiring and the electrode terminal or the circuit wiring is peeled off, so-called disconnection occurs. When the metal wiring is peeled off from the base material (organic insulating layer), the strength of the metal wiring alone is small, so that the possibility of disconnection of the metal wiring itself increases.
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例にかかる膜形成方法は、膜基板に膜を形成する膜形成方法であって、仮設突起を前記膜基板の膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記膜形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記膜を形成する膜形成工程と、を有することを特徴とする。 Application Example 1 A film forming method according to this application example is a film forming method for forming a film on a film substrate, and a temporary protrusion forming step for forming a temporary protrusion on a film forming surface of the film substrate. And a latching protrusion that has a latching portion that contacts the temporary projection from the side opposite to the film forming surface and covers a part of the temporary projection, and is erected on the film forming surface. Forming the film in a region including at least a part of a region where a portion of the temporary protrusion covered by the engaging portion is removed; a protrusion forming step; a temporary protrusion removing step of removing the temporary protrusion; And a film forming step.
本適用例にかかる膜形成方法によれば、膜は仮設突起における係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に形成される。これにより、膜には、膜形成面の反対側が係止部に覆われた部分が存在する。このため、膜が膜形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、膜が膜基板の膜形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。
仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に膜を形成することで、膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。
According to the film forming method according to this application example, the film is formed in a region including at least a part of the region from which the portion covered with the locking portion in the temporary protrusion is removed. As a result, the film has a portion where the opposite side of the film forming surface is covered with the locking portion. For this reason, since the movement of the film in the direction away from the film forming surface is restricted by the locking portion, the locking protrusion can prevent the film from peeling from the film forming surface of the film substrate.
A temporary protrusion is formed, a locking protrusion having a locking portion that contacts the temporary protrusion and covers a part of the temporary protrusion is formed, the temporary protrusion is removed, and a film is formed at the removed position. A locking projection having a locking portion that covers the portion can be easily formed.
[適用例2]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程に先んじて実施する下地層形成工程をさらに有し、前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記膜形成面に配置する材料液状体配置工程と、配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することが好ましい。 [Application Example 2] The film forming method according to the above application example further includes an underlayer forming step performed prior to the temporary protrusion forming step, and the underlayer forming step includes a material for forming the underlayer. It is preferable to have a material liquid material disposing step of disposing a base material liquid material on the film forming surface and a base layer semi-curing step of semi-curing the disposed base layer material liquid material.
この膜形成方法によれば、係止突起は、下地層形成工程において形成された下地層の上に形成される。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の膜形成面への接続強度を向上させることができる。
下地層の半硬化は、下地層材料液状体が流動しない程度に硬化させる工程である。半硬化した下地層の上に形成された部材と下地層とは、接触する部分において接続されているが、半硬化状態の下地層を硬化(本硬化)させることで、部材と下地層との接続強度を向上させることができる。したがって、半硬化した下地層上に係止突起を形成し、下地層を硬化(本硬化)させることで、接続強度を向上させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
According to this film forming method, the locking protrusion is formed on the base layer formed in the base layer forming step. By appropriately selecting the material of the underlayer, the connection strength of the locking projection to the film forming surface can be improved.
The semi-curing of the underlayer is a step of curing to such an extent that the underlayer material liquid does not flow. The member formed on the semi-cured base layer and the base layer are connected at the contact portion, but by curing (main curing) the semi-cured base layer, the member and the base layer Connection strength can be improved. Therefore, by forming the locking protrusions on the semi-cured base layer and curing (main curing) the base layer, it is possible to improve the connection strength and improve the peeling resistance of the locking protrusions.
[適用例3]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起を前記下地層と共に硬化又は半硬化させる係止突起硬化工程をさらに有することが好ましい。 Application Example 3 It is preferable that the film forming method according to the application example further includes a locking protrusion curing step in which the locking protrusion is cured or semi-cured together with the base layer.
この膜形成方法によれば、係止突起を下地層と共に硬化させる。互いに接触する部分において接続されている部材は、接続された状態において硬化されると接続部の耐剥がれ強度が向上する。膜形成面上には下地層が形成されており、下地層が形成されている場合、膜形成面に立設された係止突起は、下地層に接続された状態で膜形成面の上に立設されている。係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで、係止突起と下地層との接続強度を向上させることができる。 According to this film forming method, the locking projection is cured together with the base layer. When the members connected at the portions that are in contact with each other are cured in the connected state, the peel resistance of the connection portion is improved. A base layer is formed on the film formation surface, and when the base layer is formed, the locking protrusions erected on the film formation surface are connected to the base layer on the film formation surface. It is erected. By hardening the locking protrusion and the base layer together, the connection strength between the locking protrusion and the base layer can be improved.
[適用例4]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記下地層を構成する材料と同じ材料からなる前記係止突起を形成することが好ましい。 Application Example 4 In the film forming method according to the application example, it is preferable that in the locking protrusion forming step, the locking protrusions made of the same material as the material constituting the base layer are formed.
この膜形成方法によれば、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成される。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。同じ材料から成る係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで略一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。 According to this film forming method, the locking projection and the base layer are formed using the same material. When the members made of the same material and not completely cured are cured in contact with each other, there is no clear boundary between the contact portions, and the components become substantially integrated. The locking protrusion and the underlayer made of the same material are cured together so as to be substantially integrated, and the peeling resistance strength of the locking protrusion can be improved.
[適用例5]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程が、前記仮設突起を形成する材料を含む仮設突起材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことが好ましい。 Application Example 5 In the film forming method according to the application example, in the temporary protrusion forming step, a temporary protrusion material functional liquid including a material for forming the temporary protrusion is disposed using an ink jet type droplet discharge device. It is preferable to contain.
この膜形成方法によれば、インクジェット方式の吐出装置を用いて、仮設突起材料機能液を配置する。インクジェット方式の吐出装置は、任意の量の液状体を任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜形成面上の適切な位置に高い位置精度で仮設突起材料機能液を配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の仮設突起材料機能液を、ほとんど過不足なく配置することで、適切な大きさの仮設突起を形成することができる。 According to this film forming method, the temporary protrusion material functional liquid is disposed using an ink jet type ejection device. An ink jet type ejection apparatus can accurately arrange an arbitrary amount of liquid at an arbitrary position. For this reason, the temporary protrusion material functional liquid can be disposed at an appropriate position on the film forming surface with high positional accuracy. Moreover, the temporary protrusion of an appropriate size can be formed by disposing an appropriate amount of the temporary protrusion material functional liquid to be disposed with almost no excess or shortage.
[適用例6]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程では、前記係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液に対して撥液性を有する前記仮設突起を形成することが好ましい。 Application Example 6 In the film forming method according to the application example described above, in the temporary protrusion forming step, the temporary protrusion having liquid repellency with respect to a locking protrusion material functional liquid including a material for forming the locking protrusion. It is preferable to form.
この膜形成方法によれば、係止突起材料機能液は係止部などを形成するために仮設突起に接触するように配置されるが、仮設突起は係止突起材料機能液に対して撥液性を有しており、仮設突起と係止突起材料機能液とはなじみ難いため、接触部分の接続強度を小さくすることができる。これにより、仮設突起除去工程において仮設突起を除去する際に、仮設突起と係止突起とを分離し易くすることができる。 According to this film forming method, the locking protrusion material functional liquid is disposed so as to contact the temporary protrusion in order to form a locking portion or the like, but the temporary protrusion is liquid repellent with respect to the locking protrusion material functional liquid. Therefore, the connection strength of the contact portion can be reduced because the temporary projection and the locking projection material functional liquid are not easily compatible. Thereby, when removing a temporary protrusion in a temporary protrusion removal process, a temporary protrusion and a latching protrusion can be made easy to isolate | separate.
[適用例7]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起形成工程が、前記係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことが好ましい。 Application Example 7 In the film forming method according to the application example described above, the locking protrusion forming step uses an ink jet droplet discharge device to apply a locking protrusion material functional liquid containing a material for forming the locking protrusion. It is preferable to include the step of arranging.
この膜形成方法によれば、インクジェット方式の吐出装置を用いて、係止突起材料機能液を配置する。インクジェット方式の吐出装置は、任意の量の液状体を任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜形成面上の適切な位置に高い位置精度で係止突起材料機能液を配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の係止突起材料機能液を、ほとんど過不足なく配置することで、適切な大きさの係止突起を形成することができる。 According to this film forming method, the locking protrusion material functional liquid is disposed using an ink jet type discharge device. An ink jet type ejection apparatus can accurately arrange an arbitrary amount of liquid at an arbitrary position. For this reason, the locking protrusion material functional liquid can be disposed at an appropriate position on the film forming surface with high positional accuracy. In addition, by appropriately disposing the proper amount of the locking protrusion material functional liquid to be disposed, the locking protrusion having an appropriate size can be formed.
[適用例8]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記仮設突起形成工程では、前記仮設突起を、前記膜の形状に応じて配設することが好ましい。 Application Example 8 In the film forming method according to the application example described above, it is preferable that the temporary protrusions are arranged according to the shape of the film in the temporary protrusion forming step.
この膜形成方法によれば、膜の形状に応じて仮設突起が配設され、仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起が形成され、膜の一部は当該係止部に覆われる位置に形成される。膜の一部が係止部に覆われる位置に形成されることで、係止突起は膜が剥離することを抑制する機能を有する。仮設突起を膜の形状に対応した位置に配置することで、係止突起の剥離抑制の機能を適切に発揮させることができる。 According to this film forming method, the temporary protrusion is disposed according to the shape of the film, the locking protrusion having the locking portion that covers a part of the temporary protrusion is formed, and a part of the film is formed on the locking portion. It is formed at the position to be covered. By forming a part of the film at a position where the film is covered with the locking part, the locking projection has a function of suppressing the peeling of the film. By disposing the temporary protrusion at a position corresponding to the shape of the film, the function of suppressing the peeling of the locking protrusion can be appropriately exhibited.
[適用例9]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記係止突起を、前記膜の形状に沿った位置に互い連接させて形成することが好ましい。 Application Example 9 In the film forming method according to the application example, it is preferable that in the locking protrusion forming step, the locking protrusions are connected to each other at positions along the shape of the film.
この膜形成方法によれば、係止突起が膜の形状に沿って連接して形成されることで、膜の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。膜形成工程において膜の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、膜の材料が膜を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。 According to this film forming method, the locking protrusions are formed in a continuous manner along the shape of the film, so that a region surrounded by the locking protrusions is formed in substantially the same shape as the film. When the film material is disposed in the film forming step, the locking projection functions like a bank, and the film material can be prevented from being wet and spread outside the region where the film is formed.
[適用例10]上記適用例にかかる膜形成方法は、前記膜形成工程が、前記膜を形成する材料を含む膜材料機能液をインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて配置する工程を含むことが好ましい。 Application Example 10 In the film forming method according to the application example, the film forming step includes a step of disposing a film material functional liquid including a material for forming the film by using an ink jet type droplet discharge device. Is preferred.
この膜形成方法によれば、インクジェット方式の吐出装置を用いて、膜材料機能液を配置する。インクジェット方式の吐出装置は、任意の量の液状体を任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜形成面上の適切な位置に高い位置精度で膜材料機能液を配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の膜材料機能液を、ほとんど過不足なく配置することができる。 According to this film forming method, the film material functional liquid is disposed by using an ink jet type ejection device. An ink jet type ejection apparatus can accurately arrange an arbitrary amount of liquid at an arbitrary position. For this reason, the film material functional liquid can be disposed at an appropriate position on the film forming surface with high positional accuracy. Further, an appropriate amount of the membrane material functional liquid to be arranged can be arranged almost without excess or deficiency.
[適用例11]本適用例にかかる膜形成用基板は、膜を形成するための膜形成用基板であって、前記膜が配設される膜形成面に立設されており、前記膜形成面に配設された前記膜の一部に、前記膜形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする。 Application Example 11 A film forming substrate according to this application example is a film forming substrate for forming a film, and is erected on a film forming surface on which the film is disposed. A part of the film disposed on the surface is provided with a locking projection having a locking part that comes into contact from the opposite side of the film forming surface.
本適用例にかかる膜形成用基板によれば、膜形成面に配設された膜には、係止突起の係止部が膜形成面の反対側から接触する。これにより、膜が膜形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、膜が膜形成用基板の膜形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。 According to the film forming substrate of this application example, the locking portion of the locking protrusion comes into contact with the film disposed on the film forming surface from the opposite side of the film forming surface. As a result, the movement of the film in the direction away from the film forming surface is restricted by the locking portion, and therefore the film can be prevented from peeling from the film forming surface of the film forming substrate by the locking protrusion. it can.
[適用例12]上記適用例にかかる膜形成用基板は、仮設突起を前記膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記膜形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う前記係止部を有する前記係止突起を、前記膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、を有する膜形成方法を用いて形成されたことが好ましい。 Application Example 12 A film forming substrate according to the above application example includes a temporary protrusion forming step in which a temporary protrusion is formed upright on the film forming surface, and a side opposite to the film forming surface with respect to the temporary protrusion. A locking protrusion forming step of forming the locking protrusion having the locking portion that contacts and covers a part of the temporary protrusion by standing on the film forming surface, and temporary protrusion removal that removes the temporary protrusion It is preferable that the film is formed using a film forming method.
この膜形成用基板によれば、仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に膜を形成することで、膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。 According to the film forming substrate, the temporary protrusion is formed, the locking protrusion having the locking portion that contacts the temporary protrusion and covers a part of the temporary protrusion is formed, the temporary protrusion is removed, and the film is formed at the removed position. By forming, a locking projection having a locking portion that covers a part of the film can be easily formed.
[適用例13]上記適用例にかかる膜形成用基板は、前記膜形成面に配設された下地層をさらに備え、前記係止突起は前記下地層を介して前記膜形成面上に立設されており、前記係止突起と前記下地層とは同じ材料で形成されていることが好ましい。 Application Example 13 The film formation substrate according to the application example further includes a base layer disposed on the film formation surface, and the locking protrusions are erected on the film formation surface through the base layer. It is preferable that the locking protrusion and the base layer are formed of the same material.
この膜形成用基板によれば、係止突起は下地層の上に形成されている。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の膜形成面への接続強度を向上させることができる。また、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成されている。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。下地層及び係止突起を形成する際に、同じ材料から成る下地層と係止突起とを一緒に硬化させることで一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。 According to this film forming substrate, the locking projection is formed on the base layer. By appropriately selecting the material of the underlayer, the connection strength of the locking projection to the film forming surface can be improved. Further, the locking projection and the base layer are formed using the same material. When the members made of the same material and not completely cured are cured in contact with each other, there is no clear boundary between the contact portions, and the components become substantially integrated. When the base layer and the locking projection are formed, the base layer made of the same material and the locking projection are cured together to be integrated, thereby improving the peeling strength of the locking projection.
[適用例14]上記適用例にかかる膜形成用基板は、前記係止突起が、前記膜の形状に沿った位置に互い連接して形成されていることが好ましい。 Application Example 14 In the film forming substrate according to the application example described above, it is preferable that the locking protrusions are formed to be connected to each other at positions along the shape of the film.
この膜形成用基板によれば、係止突起が膜の形状に沿って連接して形成されることで、膜の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。膜を形成する過程において膜の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、膜の材料が膜を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。 According to this film forming substrate, the locking protrusions are formed in a continuous manner along the shape of the film, so that a region surrounded by the locking protrusions is formed in substantially the same shape as the film. When the film material is disposed in the process of forming the film, the locking protrusion functions like a bank, and the film material can be prevented from spreading out of the region where the film is formed.
[適用例15]本適用例にかかる回路配線形成方法は、回路基板における回路配線を形成する回路配線形成方法であって、仮設突起を前記回路基板の回路形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記回路形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記回路形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記回路配線を構成する回路配線膜を形成する配線膜形成工程と、を有することを特徴とする。 Application Example 15 A circuit wiring forming method according to this application example is a circuit wiring forming method for forming a circuit wiring on a circuit board, and a temporary protrusion is formed by standing a temporary projection on a circuit forming surface of the circuit board. A protrusion forming step, and a locking protrusion having a locking portion that comes into contact with the temporary protrusion from the side opposite to the circuit forming surface and covers a part of the temporary protrusion is formed to stand on the circuit forming surface. An area including at least a part of a region where the portion of the temporary protrusion covered by the engaging portion is removed, the step of forming the locking protrusion, the temporary protrusion removing step of removing the temporary protrusion, and the circuit And a wiring film forming step of forming a circuit wiring film constituting the wiring.
本適用例にかかる回路配線形成方法によれば、回路配線膜は仮設突起における係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に形成される。これにより、回路配線膜には、回路形成面の反対側が係止部に覆われた部分が存在する。このため、回路配線膜が回路形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、回路配線膜が回路基板の回路形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。
仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に回路配線膜を形成することで、回路配線膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。
According to the circuit wiring forming method according to this application example, the circuit wiring film is formed in a region including at least a part of the region where the portion of the temporary protrusion covered by the locking portion is removed. As a result, the circuit wiring film has a portion where the opposite side of the circuit formation surface is covered with the locking portion. For this reason, since the movement of the circuit wiring film in the direction away from the circuit formation surface is restricted by the locking portion, the separation of the circuit wiring film from the circuit formation surface of the circuit board is suppressed by the locking protrusion. be able to.
A temporary protrusion is formed, a locking protrusion having a locking portion that contacts the temporary protrusion and covers a part of the temporary protrusion is formed, the temporary protrusion is removed, and a circuit wiring film is formed at the removed position. A locking projection having a locking portion that covers a part of the wiring film can be easily formed.
[適用例16]上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記仮設突起形成工程に先んじて実施する下地層形成工程をさらに有し、前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記回路形成面に配置する材料液状体配置工程と、配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することが好ましい。 Application Example 16 The circuit wiring forming method according to the application example further includes a base layer forming step that is performed prior to the temporary protrusion forming step, and the base layer forming step includes a material for forming the base layer. It is preferable to include a material liquid material arranging step for arranging the underlayer material liquid material on the circuit formation surface and a underlayer semi-curing step for semi-curing the arranged underlayer material liquid material.
この回路配線形成方法によれば、係止突起は、下地層形成工程において形成された下地層の上に形成される。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の回路形成面への接続強度を向上させることができる。
下地層の半硬化は、下地層材料液状体が流動しない程度に硬化させる工程である。半硬化した下地層上に形成された部材と下地層とは、接触する部分において接続されているが、半硬化状態の下地層を硬化(本硬化)させることで、部材と下地層との接続強度を向上させることができる。したがって、半硬化した下地層上に係止突起を形成し、下地層を硬化(本硬化)させることで、接続強度を向上させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。
According to this circuit wiring forming method, the locking protrusion is formed on the base layer formed in the base layer forming step. By appropriately selecting the material of the underlayer, it is possible to improve the connection strength of the locking protrusion to the circuit formation surface.
The semi-curing of the underlayer is a step of curing to such an extent that the underlayer material liquid does not flow. The member formed on the semi-cured base layer and the base layer are connected at the contact portion, but the semi-cured base layer is cured (main curing) to connect the member and the base layer. Strength can be improved. Therefore, by forming the locking protrusions on the semi-cured base layer and curing (main curing) the base layer, it is possible to improve the connection strength and improve the peeling resistance of the locking protrusions.
[適用例17]上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記係止突起を前記下地層と共に硬化又は半硬化させる係止突起硬化工程をさらに有することが好ましい。 Application Example 17 It is preferable that the circuit wiring forming method according to the application example further includes a locking protrusion curing step in which the locking protrusion is cured or semi-cured together with the base layer.
この回路配線形成方法によれば、係止突起を下地層と共に硬化させる。互いに接触する部分において接続されている部材は、接続された状態において硬化されると接続部の耐剥がれ強度が向上する。回路形成面上には下地層が形成されており、下地層が形成されている場合、回路形成面に立設された係止突起は、下地層に接続された状態で回路形成面の上に立設されている。係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで、係止突起と下地層との接続強度を向上させることができる。 According to this circuit wiring forming method, the locking projection is cured together with the base layer. When the members connected at the portions that are in contact with each other are cured in the connected state, the peel resistance of the connection portion is improved. A base layer is formed on the circuit forming surface, and when the base layer is formed, the locking protrusions erected on the circuit forming surface are connected to the base layer on the circuit forming surface. It is erected. By hardening the locking protrusion and the base layer together, the connection strength between the locking protrusion and the base layer can be improved.
[適用例18]上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記下地層を構成する材料と同じ材料からなる前記係止突起を形成することが好ましい。 Application Example 18 In the circuit wiring forming method according to the application example described above, it is preferable that in the locking protrusion forming step, the locking protrusion made of the same material as that constituting the base layer is formed.
この回路配線形成方法によれば、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成される。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。同じ材料から成る係止突起と下地層とを一緒に硬化させることで略一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。 According to this circuit wiring forming method, the locking protrusion and the base layer are formed using the same material. When the members made of the same material and not completely cured are cured in contact with each other, there is no clear boundary between the contact portions, and the components become substantially integrated. The locking protrusion and the underlayer made of the same material are cured together so as to be substantially integrated, and the peeling resistance strength of the locking protrusion can be improved.
[適用例19]上記適用例にかかる回路配線形成方法は、前記係止突起形成工程では、前記係止突起を、前記回路配線の形状に沿った位置に互い連接させて形成することが好ましい。 Application Example 19 In the circuit wiring forming method according to the application example, it is preferable that in the locking protrusion forming step, the locking protrusions are connected to each other at positions along the shape of the circuit wiring.
この回路配線形成方法によれば、係止突起が回路配線の形状に沿って連接して形成されることで、回路配線の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。配線膜形成工程において回路配線膜の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、回路配線膜の材料が回路配線膜を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。 According to this circuit wiring formation method, the locking projections are formed in a continuous manner along the shape of the circuit wiring, so that a region surrounded by the locking projections is formed in substantially the same shape as the circuit wiring. The When arranging the circuit wiring film material in the wiring film formation process, the locking projections function like a bank to prevent the circuit wiring film material from spreading out of the area where the circuit wiring film is formed. can do.
[適用例20]本適用例にかかる回路配線形成用基板は、回路配線を形成するための回路配線形成用基板であって、前記回路配線を構成する回路配線膜が配設される回路形成面に立設されており、前記回路形成面に配設された前記回路配線膜の一部に、前記回路形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする。 Application Example 20 A circuit wiring forming substrate according to this application example is a circuit wiring forming substrate for forming circuit wiring, and a circuit forming surface on which a circuit wiring film constituting the circuit wiring is disposed. And a locking protrusion having a locking portion that contacts from a side opposite to the circuit forming surface is provided on a part of the circuit wiring film disposed on the circuit forming surface. .
本適用例にかかる回路配線形成用基板によれば、回路形成面に配設された回路配線膜には、係止突起の係止部が回路形成面の反対側から接触する。これにより、回路配線膜が回路形成面から離れる方向に移動することは係止部によって規制されることから、回路配線膜が回路形成面から剥離することを、係止突起によって抑制することができる。 According to the circuit wiring forming substrate according to this application example, the locking portion of the locking protrusion comes into contact with the circuit wiring film disposed on the circuit forming surface from the opposite side of the circuit forming surface. Thereby, since the movement of the circuit wiring film in the direction away from the circuit formation surface is restricted by the locking portion, the separation of the circuit wiring film from the circuit formation surface can be suppressed by the locking protrusion. .
[適用例21]上記適用例にかかる回路配線形成用基板は、仮設突起を前記回路形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、前記仮設突起に対して前記回路形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う前記係止部を有する前記係止突起を、前記回路形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、を有する回路配線形成用基板の形成方法を用いて形成されたことが好ましい。 Application Example 21 A circuit wiring forming substrate according to the application example described above includes a temporary protrusion forming step in which a temporary protrusion is formed upright on the circuit forming surface, and a side opposite to the circuit forming surface with respect to the temporary protrusion. A latching projection forming step of forming the latching projection having the latching portion to be in contact with each other and covering a part of the temporary projection by standing on the circuit forming surface, and a temporary projection for removing the temporary projection It is preferable that the substrate is formed by using a method for forming a circuit wiring forming substrate having a removing step.
この回路配線形成用基板によれば、仮設突起を形成し、仮設突起に接触し仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を形成し、仮設突起を除去し、除去した位置に回路配線膜を形成することで、回路配線膜の一部を覆う係止部を有する係止突起を容易に形成することができる。 According to this circuit wiring forming substrate, the temporary protrusion is formed, the locking protrusion having the locking portion that contacts the temporary protrusion and covers a part of the temporary protrusion is formed, the temporary protrusion is removed, and the removed position is By forming the circuit wiring film, it is possible to easily form a locking protrusion having a locking portion that covers a part of the circuit wiring film.
[適用例22]上記適用例にかかる回路配線形成用基板は、前記回路形成面に配設された下地層をさらに備え、前記係止突起は前記下地層を介して前記回路形成面上に立設されており、前記係止突起と前記下地層とは同じ材料で形成されていることが好ましい。 Application Example 22 The circuit wiring formation substrate according to the application example further includes a base layer disposed on the circuit formation surface, and the locking protrusion stands on the circuit formation surface via the base layer. It is preferable that the locking projection and the base layer are made of the same material.
この回路配線形成用基板によれば、係止突起は下地層の上に形成されている。下地層の材料を適切に選ぶことによって、係止突起の回路形成面への接続強度を向上させることができる。また、係止突起と下地層とは同じ材料を用いて形成されている。同じ材料から成り、完全に硬化されていない状態の部材どうしが接触した状態で硬化されると、接触部の明確な境界がなくなり、略一体となる。下地層及び係止突起を形成する際に、同じ材料から成る下地層と係止突起とを一緒に硬化させることで略一体化させて、係止突起の耐剥がれ強度を向上させることができる。 According to this circuit wiring forming substrate, the locking projections are formed on the base layer. By appropriately selecting the material of the underlayer, it is possible to improve the connection strength of the locking protrusion to the circuit formation surface. Further, the locking projection and the base layer are formed using the same material. When the members made of the same material and not completely cured are cured in contact with each other, there is no clear boundary between the contact portions, and the components become substantially integrated. When the base layer and the locking projection are formed, the base layer and the locking projection made of the same material are cured together so that they are substantially integrated to improve the peeling resistance of the locking projection.
[適用例23]上記適用例にかかる回路配線形成用基板は、前記係止突起は、前記回路配線の形状に沿った位置に互い連接して形成されていることが好ましい。 Application Example 23 In the circuit wiring formation substrate according to the application example described above, it is preferable that the locking protrusions are formed to be connected to each other at positions along the shape of the circuit wiring.
この回路配線形成用基板によれば、係止突起が回路配線の形状に沿って連接して形成されることで、回路配線の形状と略同形状で、係止突起に囲まれた領域が形成される。回路配線を形成する過程において回路配線の材料を配設する際に、係止突起が堤防のように機能して、回路配線の材料が回路配線を形成する領域の外に濡れ広がることを抑制することができる。 According to this circuit wiring forming substrate, the locking projections are formed in a continuous manner along the shape of the circuit wiring, so that a region surrounded by the locking projections is formed in substantially the same shape as the circuit wiring. Is done. When the circuit wiring material is disposed in the process of forming the circuit wiring, the locking projection functions like a bank to prevent the circuit wiring material from spreading out of the area where the circuit wiring is formed. be able to.
以下、膜形成方法、膜形成用基板、回路配線形成方法、及び回路配線形成用基板について、図面を参照して説明する。本実施形態は、半導体装置をチップ実装して形成する電子装置を構成する回路形成用基板、及び半導体装置の電極端子と基板面に形成された回路配線とを接続する接続配線を形成する工程を例にして説明する。なお、以下の説明において参照する図面では、図示の便宜上、部材又は部分の縦横の縮尺を実際のものとは異なるように表す場合がある。 Hereinafter, a film forming method, a film forming substrate, a circuit wiring forming method, and a circuit wiring forming substrate will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a step of forming a circuit forming substrate constituting an electronic device formed by mounting a semiconductor device on a chip, and a connection wiring for connecting an electrode terminal of the semiconductor device and a circuit wiring formed on the substrate surface. An example will be described. In the drawings referred to in the following description, the vertical and horizontal scales of members or portions may be shown differently from actual ones for convenience of illustration.
<電子装置>
最初に、電子装置1について、図1を参照して説明する。図1は、電子装置の概略構成を示す説明図である。図1(a)は、電子装置全体の概略構成を示す平面図であり、図1(b)は、電子装置が備える接続配線及び係止突起の配置を示す平面図であり、図1(c)は、電子装置が備える接続配線及び係止突起の断面形状を示す断面図である。
<Electronic device>
First, the electronic device 1 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of an electronic device. FIG. 1A is a plan view illustrating a schematic configuration of the entire electronic device, and FIG. 1B is a plan view illustrating the arrangement of connection wirings and locking protrusions included in the electronic device. ) Is a cross-sectional view showing the cross-sectional shape of the connection wiring and the locking protrusion provided in the electronic device.
図1に示すように、電子装置1は、半導体装置10と、回路形成用基板20と、接続配線30と、配線封止層40とを備えている。回路形成用基板20に半導体装置10が実装され、接続配線30によって回路形成用基板20と半導体装置10とが電気的に接続されており、接続配線30が配線封止層40によって覆われている。なお、配線封止層40に覆われた構成要素を判りやすくするために、図1(a)では、配線封止層40の外形形状のみを二点鎖線で示しており、図1(b)では、配線封止層40を省略している。
As shown in FIG. 1, the electronic device 1 includes a semiconductor device 10, a
半導体装置10は、能動面14に形成された電極端子12を備えており、半導体装置10は、電極端子12を介して他の素子などと電気的に接続される。半導体装置10は、略方形のチップであり、能動面14の各辺に沿って電極端子12が配設されている。
回路形成用基板20は、回路基板21と、斜面部材26と、配線係止突起32と、下地層33と、膜係止突起42と、下地層43と、を備えている。回路形成用基板20が、膜形成用基板又は回路配線形成用基板に相当する。配線係止突起32と膜係止突起42とが係止突起に相当する。
The semiconductor device 10 includes an
The
回路基板21は基板体22を備え、基板体22は略方形の多層基板であって、半導体実装面221に回路端子23及び回路配線24が形成されている。半導体装置10が、基板体22の半導体実装面221に設定された略方形の実装領域222に、能動面14の反対側の面を接して固定されている。回路端子23は、実装領域222の外側に実装領域222の辺に沿って配設されている。
固定された半導体装置10の周囲には端面に接して斜面部材26が形成されており、斜面部材26の斜面261の一端は能動面14に接しており、他の一端は半導体実装面221に接している。半導体装置10の能動面14の各辺に沿って配設された電極端子12の列と、実装領域222の辺に沿って配設された回路端子23の列とは、斜面部材26を挟んで位置している。
The
A
接続配線30は、一端が電極端子12に接続されており、他の一端が回路端子23に接続されており、電極端子12と回路端子23とを電気的に接続している。接続配線30は、能動面14、能動面14と斜面261の接続部、斜面261、斜面261と半導体実装面221の接続部、及び半導体実装面221の上を経由して引き回されて、電極端子12から回路端子23に至っている。能動面14や斜面261や半導体実装面221が、膜形成面又は回路形成面に相当する。接続配線30が、膜又は回路配線に相当する。
One end of the
接続配線30の傍らには、複数の配線係止突起32が配設されている。複数の配線係止突起32は、長い略長方形形状である接続配線30の形状に合わせて、略長方形形状の長辺に沿って、接続配線30の両側に配設されている。
配線係止突起32は、平面上に置かれた略半球形状を有し、図1(c)に示すように、球面と平面とが接する角部の一部を含む一部分が欠かれている。欠かれた部分を、係止空間323(図3(f)参照)と表記する。係止空間323は、配線係止突起32と同じ平面上に平面部が在る半球の一部の形状を有しており、係止空間323を構成する配線係止突起32の壁面は略球面である。配線係止突起32における係止空間323を形成する部分を係止部322と表記し、他の部分を基体部321と表記する。係止空間323には、接続配線30の一部分が入りこんでいる。配線係止突起32は、基体部321の平面部分が、下地層33を介して、能動面14や斜面261や半導体実装面221に固定されて、当該面上に立設されている。
A plurality of
The
配線封止層40は、接続配線30及び接続配線30の周辺を覆う状態で配設されている。膜係止突起42は、能動面14や斜面261や半導体実装面221などに配設されており、図1(c)に示すように、配線封止層40に覆われている。膜係止突起42は、略長方形形状を有する配線封止層40の各辺に沿って、配線封止層40の外周縁近くに配設されている。
膜係止突起42は、平面上に置かれた略半球形状を有し、球面と平面とが接する角部の一部を含む一部分が、2個所欠かれている。欠かれた部分を、係止空間423(図4(e)参照)と表記する。係止空間423は、膜係止突起42と同じ平面上に平面部が在る半球の一部の形状を有しており、係止空間423を構成する膜係止突起42の壁面は略球面である。膜係止突起42における係止空間423を形成する部分を係止部422と表記し、他の部分を基体部421と表記する。係止空間423には、配線封止層40の一部分が入りこんでいる。膜係止突起42は、基体部421の平面部分が、下地層43を介して、能動面14や斜面261や半導体実装面221に固定されて、当該面上に立設されている。配線封止層40が、膜に相当する。
The
The
<配線形成工程>
次に、接続配線30及び接続配線30を覆う配線封止層40を形成する配線形成工程について、図2、図3、及び図4を参照して説明する。図2は、配線形成工程の各工程を示すフローチャートである。図3は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの形状を示す説明図であり、図4は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの形状を示す説明図である。図3(a)、(b)、(d)、(f)、及び(h)は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの断面形状を示す説明図であり、図3(c)、(e)、(g)、及び(i)は、配線形成工程の各工程における配線係止突起などの平面形状を示す説明図である。図4(a)、(c)、(e)、及び(g)は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの断面形状を示す説明図であり、図4(b)、(d)、(f)、及び(h)は、配線形成工程の各工程における膜係止突起などの平面形状を示す説明図である。
なお、図3(c)、(e)、(g)、(i)、及び図4(b)、(d)、(f)、(h)は、平面形状を示す説明図であるが、構成部材を判りやすくするために、断面図である図3(a)、(b)、(d)、(f)、(h)、及び図4(a)、(c)、(e)、(g)において各構成部材に施したハッチングと同じハッチングを、下地層33及び下地層43以外の構成部材において、同じ構成部材に施してある。
<Wiring formation process>
Next, a wiring formation process for forming the
3 (c), (e), (g), (i) and FIGS. 4 (b), (d), (f), (h) are explanatory diagrams showing the planar shape. 3A, 3B, 3D, 3F, 3H, 4C, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, 4E, and 4E, The same hatching as the hatching applied to each constituent member in (g) is applied to the same constituent member in the constituent members other than the
最初に、図2のステップS21では、図3(a)に示すように、下地層33の材料を含む下地層機能液33aを配置することで、下地層33の材料を配置する。図3(a)には、斜面部材26の斜面261上に下地層33を形成する例を示している。
次に、図2のステップS22では、下地層33を半硬化させる。すなわち、配置した下地層機能液33aを半硬化させて、半硬化した下地層33を形成する。なお、下地層33は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、下地層33と表記する。
First, in step S21 of FIG. 2, as shown in FIG. 3A, the base layer
Next, in step S22 of FIG. 2, the
次に、図2のステップS23では、図3(b)及び(c)に示したように、下地層33の上に仮設突起35の材料を含む仮設突起機能液35aを配置することで、仮設突起35の材料を配置する。
仮設突起機能液35aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液35aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。下地層33の上に着弾した仮設突起機能液35aの液滴は、略半球形状となる。
一回に吐出する仮設突起機能液35aの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、着弾した液滴が形成する略半球形状の大きさを調整する。仮設突起機能液35aの粘度、及び仮設突起機能液35aの下地層33に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
Next, in step S23 of FIG. 2, as shown in FIGS. 3B and 3C, the temporary protrusion
The temporary protrusion
By adjusting the amount of the temporary protrusion
次に、図2のステップS24では、仮設突起35を半硬化させる。すなわち、仮設突起機能液35aを半硬化させて、半硬化した仮設突起35を形成する。仮設突起35は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、仮設突起35と表記する。
Next, in step S24 of FIG. 2, the
次に、図2のステップS25では、図3(d)及び(e)に示したように、配線係止突起32の材料を含む配線突起機能液32aを配置することで、配線係止突起32の材料を配置する。配線係止突起32と下地層33との接続強度を高くするために、配線係止突起32の材料は、下地層33の材料と共通であることが好ましい。
一方、配線係止突起32と仮設突起35との接続強度が高くなることを抑制するために、仮設突起35の材料は、配線突起機能液32aに対して撥液性を有する材料を選択する。
Next, in step S25 of FIG. 2, as shown in FIGS. 3D and 3E, the
On the other hand, in order to suppress an increase in the connection strength between the
配線突起機能液32aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、配線突起機能液32aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、下地層33の上であって、一部が仮設突起35に乗り上げる位置である。下地層33及び仮設突起35の上に着弾した配線突起機能液32aの液滴は、仮設突起35の一部が存在する部分が欠けた略半球形状となる。上述した仮設突起機能液35aと同様に、一回に吐出する配線突起機能液32aの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、着弾した液滴が形成する略半球形状の大きさを調整する。配線突起機能液32aの粘度、及び配線突起機能液32aの下地層33に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
The wiring protrusion
次に、図2のステップS26では、配線係止突起32を半硬化させる。すなわち、配線突起機能液32aを半硬化させて、半硬化した配線係止突起32を形成する。配線係止突起32は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、配線係止突起32と表記する。
上述したように、配線係止突起32の材料を下地層33の材料と共通にした場合、配線係止突起32を半硬化させることで、半硬化状態の下地層33を硬化させて、本硬化した状態にすることもできる。
Next, in step S26 of FIG. 2, the
As described above, when the material of the
次に、図2のステップS27では、仮設突起35を除去する。仮設突起35の除去は、仮設突起35を溶解可能な液体で洗浄することによって実施する。仮設突起35を除去することによって、図3(f)及び(g)に示したように、下地層33の面と係止部322に囲まれて形成された係止空間323に在った仮設突起35の一部分が取り除かれて、係止空間323が空間となる。
Next, in step S27 of FIG. 2, the
次に、図2のステップS28では、接続配線30を構成する金属配線膜の材料を含む金属配線機能液を配置することで、接続配線30を構成する材料を配置する。
金属配線機能液は、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、金属配線機能液の液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、金属配線機能液の液滴で、接続配線30の形状を描画する位置である。金属配線機能液は例えば銅などの金属微粒子を分散させた液状体であり、着弾した位置からわずかに濡れ広がることで、係止空間323にも浸入する。
Next, in step S <b> 28 of FIG. 2, the material constituting the
The metal wiring functional liquid is arranged by discharging droplets of the metal wiring functional liquid and landing on a predetermined position using, for example, an ink jet type liquid droplet discharge device. The predetermined position is a position where the shape of the
次に、図2のステップS29では、接続配線30を硬化させる。すなわち、金属配線機能液を硬化させて、硬化した接続配線30を形成する。接続配線30は、ここでは半硬化させて、後工程で本硬化させてもよい。接続配線30は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、接続配線30と表記する。
接続配線30を硬化させる工程を実施することで、図3(h)及び(i)に示したように、接続配線30が形成される。係止空間323に浸入した金属配線機能液が硬化した部分も接続配線30の一部を構成しており、当該部分を被係止部303と表記する。被係止部303は、下地層33の面と係止部322とに挟まれた位置に在り、係止部322によって、下地層33から離れる方向への移動を規制されている。
Next, in step S29 of FIG. 2, the
By performing the step of curing the
次に、図2のステップS30では、膜係止突起42を形成する位置を含む領域に、下地層43の材料を含む下地層機能液43aを配置することで、下地層43の材料を配置する。
次に、ステップS31では、下地層43を半硬化させる。すなわち、配置した下地層機能液43aを半硬化させて、半硬化した下地層43を形成する。なお、下地層43は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、下地層43と表記する。
Next, in step S30 of FIG. 2, the material of the
Next, in step S31, the
次に、ステップS32では、図4(a)及び(b)に示したように、下地層43の上に仮設突起45の材料を含む仮設突起機能液45aを配置することで、仮設突起45の材料を配置する。
仮設突起機能液45aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液45aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。下地層43の上に着弾した仮設突起機能液45aの液滴は、略半球形状となる。
一回に吐出する仮設突起機能液45aの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、略半球形状の大きさを調整する。仮設突起機能液45aの粘度、及び仮設突起機能液45aの下地層43に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
図1を参照して説明したように、膜係止突起42は係止空間423を形成する係止部422を2個備えている。1個の膜係止突起42に2個の係止部422を形成するために、1個の膜係止突起42に対応して、略半球形状の仮設突起機能液45aを、2個配設する。仮設突起機能液45aの2個の略半球は、膜係止突起42の大きさに対応した間隔を隔てて配置する。
Next, in step S32, as shown in FIGS. 4A and 4B, the temporary protrusion
The temporary protrusion
The size of the substantially hemispherical shape is adjusted by adjusting the amount of the temporary protrusion
As described with reference to FIG. 1, the
次に、図2のステップS33では、仮設突起45を半硬化させる。すなわち、仮設突起機能液45aを半硬化させて、半硬化した仮設突起45を形成する。仮設突起45は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、仮設突起45と表記する。
Next, in step S33 of FIG. 2, the
次に、ステップS34では、図4(c)及び(d)に示したように、膜係止突起42の材料を含む膜突起機能液42aを配置することで、膜係止突起42の材料を配置する。膜係止突起42と下地層43との接続強度を高くするために、膜係止突起42の材料は、下地層43の材料と共通であることが好ましい。
一方、膜係止突起42と仮設突起45との接続強度が高くなることを抑制するために、仮設突起45の材料は、膜突起機能液42aに対して撥液性を有する材料を選択する。
Next, in step S34, as shown in FIGS. 4C and 4D, the film protrusion
On the other hand, in order to suppress an increase in the connection strength between the
膜突起機能液42aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、膜突起機能液42aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、下地層43の上における、2個の仮設突起45の略半球の間であって、膜突起機能液42aの半球の両側の一部がそれぞれ仮設突起45に乗り上げる位置である。下地層43及び仮設突起45の上に着弾した膜突起機能液42aの液滴は、2個所の仮設突起45の一部が存在する部分が欠けた略半球形状となる。上述した仮設突起機能液45aと同様に、一回に吐出する膜突起機能液42aの量、すなわち液滴の大きさを調整することで、着弾した液滴が形成する略半球形状の大きさを調整する。膜突起機能液42aの粘度、及び膜突起機能液42aの下地層43に対する濡れ性の程度を調整することによって、略半球形状の形状を調整する。
The film protrusion
次に、図2のステップS35では、膜係止突起42を半硬化させる。すなわち、膜突起機能液42aを半硬化させて、半硬化した膜係止突起42を形成する。膜係止突起42は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、膜係止突起42と表記する。
上述したように、膜係止突起42の材料を下地層43の材料と共通にした場合、膜係止突起42を半硬化させることで、半硬化状態の下地層43を硬化させて、本硬化した状態にすることもできる。
Next, in step S35 of FIG. 2, the
As described above, when the material of the
次に、ステップS36では、仮設突起45を除去する。仮設突起45の除去は、仮設突起45を溶解可能な液体で洗浄することによって実施する。仮設突起45を除去することによって、図4(e)及び(f)に示したように、下地層43の面と係止部422に囲まれて形成された係止空間423に在った仮設突起45の一部分が取り除かれて、係止空間423が空間となる。
Next, in step S36, the
次に、図2のステップS37では、配線封止層40を構成する材料を含む封止層機能液を配置することで、配線封止層40を構成する材料を配置する。
封止層機能液は、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、封止層機能液の液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。所定の位置は、封止層機能液の液滴で、配線封止層40の形状を描画する位置である。封止層機能液は例えばエポキシ樹脂などの溶液であり、着弾した位置からわずかに濡れ広がることで、係止空間423にも浸入する。
Next, in step S <b> 37 of FIG. 2, the material constituting the
The sealing layer functional liquid is disposed by discharging droplets of the sealing layer functional liquid using, for example, an ink jet type liquid droplet discharging apparatus and landing the liquid on a predetermined position. The predetermined position is a position where the shape of the
次に、ステップS38では、配線封止層40を硬化させる。すなわち、封止層機能液を硬化させて、硬化した配線封止層40を形成する。配線封止層40は、ここでは半硬化させて、後工程で本硬化させてもよい。配線封止層40は、半硬化した状態も、本硬化した状態も、配線封止層40と表記する。
配線封止層40を硬化させる工程を実施することで、図4(g)及び(h)に示したように、配線封止層40が形成される。係止空間423に浸入した封止層機能液が硬化した部分も配線封止層40の一部を構成しており、当該部分を被係止部403と表記する。被係止部403は、下地層43の面と係止部422とに挟まれた位置に在り、係止部422によって、下地層43から離れる方向への移動を規制されている。
ステップS38を実施して、接続配線30及び接続配線30を覆う配線封止層40を形成する配線形成工程を終了する。
Next, in step S38, the
By performing the step of curing the
Step S38 is performed, and the wiring forming process for forming the
以下、実施形態による効果を記載する。本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
(1)接続配線30の一部である被係止部303は、下地層33の面と係止部322とに挟まれた位置に在り、係止部322によって、下地層33から離れる方向への移動を規制されている。これにより、接続配線30が下地層33から剥離することを抑制することができる。
下地層33は接続配線30のような導通機能などの特性を有することは不要であり、能動面14や斜面261や半導体実装面221に対する耐剥離強度が高い材料を選ぶ自由度が接続配線30より高いため、能動面14や斜面261や半導体実装面221に対する耐剥離強度が接続配線30より高い膜を形成することができる。これにより、接続配線30が、能動面14、斜面261、又は半導体実装面221から剥離することを抑制することができる。
Hereinafter, the effect by embodiment is described. According to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The locked
The
(2)仮設突起35を形成し、一部が仮設突起35の一部を覆うように配線突起機能液32aを配設し、仮設突起35を除去して配線係止突起32を形成する。仮設突起35を除去することで、配線係止突起32の係止空間323が形成され、接続配線30の被係止部303の下地層33から離れる方向への移動を規制する係止部322を容易に形成することができる。
(2) The
(3)仮設突起機能液35aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液35aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。仮設突起機能液35aを液滴として吐出することで、略半球形状を容易に形成することができる。
(3) The temporary protrusion
(4)仮設突起機能液35aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液35aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の仮設突起機能液35aを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、仮設突起35を形成するべき適切な位置に高い位置精度で仮設突起機能液35aを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の仮設突起機能液35aを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの仮設突起35を形成することができる。
(4) The temporary protrusion
(5)仮設突起35の材料は、配線突起機能液32aに対して撥液性を有する材料が選択されている。このため、配線突起機能液32aと仮設突起35とはなじみ難いことから、配線突起機能液32aは仮設突起35と接触するように配設されるが、接触部分の接続強度を小さくすることができる。これにより、仮設突起35を除去する工程において、仮設突起35と配線係止突起32とを分離し易くすることができる。
(5) As the material of the
(6)配線係止突起32の材料は、下地層33の材料と共通にすることができる。配線係止突起32の材料と下地層33の材料とを共通にすることで、配線係止突起32と下地層33とを略同時に硬化させることが可能となり、略同時に硬化させることによって、配線係止突起32と下地層33とを略一体にして配線係止突起32と下地層33との接続強度を高くすることができる。
(6) The material of the
(7)配線係止突起32の材料を含む配線突起機能液32aは、半硬化状態の下地層33の上に配設される。配線突起機能液32aが配置された後に下地層33を本硬化させることで、本硬化した下地層33上に配線突起機能液32aを配設する場合にくらべて、配線係止突起32と下地層33との接続強度を向上させることができる。
(7) The wiring protrusion functional liquid 32 a containing the material of the
(8)配線突起機能液32aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、配線突起機能液32aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の配線突起機能液32aを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、配線係止突起32を形成するべき適切な位置に高い位置精度で配線突起機能液32aを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の配線突起機能液32aを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの配線係止突起32を形成することができる。
(8) The wiring protrusion
(9)配線封止層40の一部を構成する被係止部403は、下地層43の面と係止部422とに挟まれた位置に在り、係止部422によって、下地層43から離れる方向への移動を規制されている。これにより、配線封止層40が下地層43から剥離することを抑制することができる。
下地層43は配線封止層40のような耐擦性などの特性を有することは不要であり、能動面14や斜面261や半導体実装面221に対する耐剥離強度が高い材料を選ぶ自由度が配線封止層40より高いため、能動面14や斜面261や半導体実装面221に対する耐剥離強度が配線封止層40より高い膜を形成することができる。これにより、配線封止層40が、能動面14、斜面261、又は半導体実装面221から剥離することを抑制することができる。
(9) The locked
The
(10)仮設突起45を形成し、一部が仮設突起45の一部を覆うように膜突起機能液42aを配設し、仮設突起45を除去して膜係止突起42を形成する。仮設突起45を除去することで、膜係止突起42の係止空間423が形成され、配線封止層40の被係止部403の下地層43から離れる方向への移動を規制する係止部422を容易に形成することができる。
(10) The
(11)仮設突起機能液45aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液45aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。仮設突起機能液45aを液滴として吐出することで、略半球形状を容易に形成することができる。
(11) The temporary protrusion
(12)仮設突起機能液45aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液45aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の仮設突起機能液45aを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、仮設突起45を形成するべき適切な位置に高い位置精度で仮設突起機能液45aを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の仮設突起機能液45aを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの仮設突起45を形成することができる。
(12) The temporary protrusion
(13)仮設突起45の材料は、膜突起機能液42aに対して撥液性を有する材料が選択されている。このため、膜突起機能液42aと仮設突起45とはなじみ難いことから、膜突起機能液42aは仮設突起45と接触するように配設されるが、接触部分の接続強度を小さくすることができる。これにより、仮設突起45を除去する工程において、仮設突起45と膜係止突起42とを分離し易くすることができる。
(13) As the material of the
(14)膜係止突起42の材料は、下地層43の材料と共通にすることができる。膜係止突起42の材料と下地層43の材料とを共通にすることで、膜係止突起42と下地層43とを略同時に硬化させることが可能となり、略同時に硬化させることによって、膜係止突起42と下地層43とを略一体にして膜係止突起42と下地層43との接続強度を高くすることができる。
(14) The material of the
(15)膜係止突起42の材料を含む膜突起機能液42aは、半硬化状態の下地層43の上に配設される。膜突起機能液42aが配置された後に下地層43を本硬化させることで、本硬化した下地層43上に膜突起機能液42aを配設する場合にくらべて、膜係止突起42と下地層43との接続強度を向上させることができる。
(15) The film protrusion functional liquid 42 a containing the material of the
(16)膜突起機能液42aは、例えばインクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、膜突起機能液42aの液滴を吐出し、所定の位置に着弾させることで、配置する。インクジェット方式の液滴吐出装置は、任意の量の膜突起機能液42aを任意の位置に、精度よく配置することができる。このため、膜係止突起42を形成するべき適切な位置に高い位置精度で膜突起機能液42aを配置することができる。また、配置するべき適切な配置量の膜突起機能液42aを、ほとんど過不足なく配置して、適切な大きさの膜係止突起42を形成することができる。
(16) The film protrusion
(17)膜係止突起42は、略長方形形状を有する配線封止層40の各辺に沿って、配線封止層40の外周縁近くに配設されている。膜係止突起42によって、配線封止層40の各辺の外周縁における耐剥離強度を向上させることで、配線封止層40の耐剥離強度を効率よく向上させることができる。
(17) The
以上、添付図面を参照しながら好適な実施形態について説明したが、好適な実施形態は、前記実施形態に限らない。実施形態は、要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。 As mentioned above, although preferred embodiment was described referring an accompanying drawing, suitable embodiment is not restricted to the said embodiment. The embodiment can of course be modified in various ways without departing from the scope, and can also be implemented as follows.
(変形例1)前記実施形態においては、配線係止突起32は、間隔を隔てて配設されていたが、配線係止突起32のように、接続配線30のような膜の外周に配設する係止突起は、互いに連接させて配設してもよい。膜を形成する前に形成する係止突起を連接させて配設することで、膜を形成するために膜を形成する材料を含む膜材料機能液を配置する際に、膜材料機能液の流出を抑制することができる。流出を抑制することができることで、濡れ広がり易い膜材料機能液や、粘度が低い膜材料機能液であっても、適切な形状の膜を形成することが容易になるため、濡れ広がり易い膜材料機能液や粘度が低い膜材料機能液を膜材料機能液として、採用することができる。
(Modification 1) In the above-described embodiment, the
(変形例2)前記実施形態においては、インクジェット方式の液滴吐出装置を用いて、仮設突起機能液35a、配線突起機能液32a、金属配線機能液、仮設突起機能液45a、膜突起機能液42a、及び封止層機能液をそれぞれ配設していたが、これらの機能液を配設するためにインクジェット方式の液滴吐出装置を用いることは必須ではない。インクジェット方式とは異なる方式の液滴吐出装置を用いてもよいし、液滴吐出装置とは異なる装置を用いて機能液を配置してもよい。
(Modification 2) In the above-described embodiment, the temporary protrusion
(変形例3)前記実施形態においては、配線係止突起32は接続配線30の脇に沿って並ぶ状態で配設されており、膜係止突起42は配線封止層40に覆われる状態に形成されていた。しかし、配線係止突起32のように回路配線膜に対応する係止突起が回路配線膜に並んで配設されることも、膜係止突起42のように導通性を有しない膜に対応する係止突起が膜に覆われる状態に形成されことも必須ではない。係止突起は、膜に並んで配設されてもよいし、膜に覆われる状態に配設されてもよい。
(Modification 3) In the above-described embodiment, the
(変形例4)前記実施形態においては、配線係止突起32は1個の係止部322を備えており、膜係止突起42は2個の係止部422を備えていたが、係止突起が備える係止部の数は、1個又は2個に限らない、係止突起が備える係止部の数はいくつであってもよい。
(Modification 4) In the above-described embodiment, the
(変形例5)前記実施形態においては、係止空間323や係止空間423は、壁面が1個の球面からなる空間であったが、係止部によって形成される空間の壁面が単独の球面であることは必須ではない。係止部によって形成される空間の壁面は、例えば複数の球面が連なった形状など、係止突起が立設された面との間に膜の一部を存在させる空間を形成できる形状であれば、どのような形状であってもよい。
(Modification 5) In the embodiment described above, the locking
(変形例6)前記実施形態においては、ステップS26は配線係止突起32を半硬化させる工程であり、ステップS35は膜係止突起42を半硬化させる工程であったが、膜を形成する工程や回路配線を形成する工程において係止突起を硬化させる工程が、係止突起を半硬化させる工程であることは必須ではない。係止突起を本硬化してもよい。膜を形成する工程において本硬化させることで、本硬化させるための別工程が不要であり、工程数の増加を抑制することができる。なお、膜を形成する工程において半硬化させて、別途本硬化させることで、膜を形成する工程の工程時間を短縮することができる。
(Modification 6) In the above-described embodiment, step S26 is a step of semi-curing the
(変形例7)前記実施形態においては、接続配線30は、金属材料からなる金属配線であったが、回路配線が金属膜であることは必須ではない。回路配線は、良好な導電性が得られればどのような材料で構成してもよい。
(Modification 7) In the embodiment, the
(変形例8)前記実施形態においては、半導体装置10をチップ実装して形成する電子装置1を構成する回路形成用基板20、及び半導体装置10の電極端子12と回路基板21に形成された回路端子23とを接続する接続配線30及び接続配線30を覆う配線封止層40を形成する配線形成工程を例に説明した。しかし、形成する回路配線は、半導体装置と回路基板とを接続する接続配線に限らない。回路配線は、回路基板上に形成されるどのような回路配線であってもよいし、回路配線に接続された端子などであってもよい。回路配線形成用基板は、半導体実装用基板以外の回路基板であってもよい。膜は、回路配線や配線封止層以外の膜であってもよい。膜形成用基板は、回路基板とは異なり、回路配線とは異なる膜を形成するための基板であってもよい。
(Modification 8) In the embodiment described above, the
(変形例9)前記実施形態においては、仮設突起35の材料は、配線突起機能液32aに対して撥液性を有する材料を選択しており、仮設突起45の材料は、膜突起機能液42aに対して撥液性を有する材料を選択していたが、係止突起を形成する材料を含む係止突起材料機能液に対して撥液性を有する仮設突起を形成するために、仮設突起の材料として、係止突起材料機能液に対して撥液性を有する材料を用いることは必須ではない。形成された仮設突起に対して、係止突起材料機能液に対して撥液性となるように処理する工程を実施することによって、仮設突起を係止突起材料機能液に対して撥液性にしてもよい。
形成された仮設突起に対して、係止突起材料機能液に対して撥液性となるように処理する工程を実施することによって、仮設突起35の材料として配線突起機能液32aに対して撥液性を有する材料を選択する場合と同様に、仮設突起35を除去する工程において、仮設突起35と配線係止突起32とを分離し易くすることができる。
さらに、仮設突起が係止突起材料機能液に対して撥液性を有することも必須ではない。係止突起が形成された後で、仮設突起の除去が容易に実施できれば、仮設突起は、係止突起材料機能液に対して撥液性でなくてもよい。
(Modification 9) In the above embodiment, the material of the
By performing the process of treating the formed temporary protrusion so as to be liquid repellent with respect to the locking protrusion material functional liquid, the liquid protrusion with respect to the wiring protrusion
Furthermore, it is not essential that the temporary protrusion has liquid repellency with respect to the locking protrusion material functional liquid. If the temporary protrusion can be easily removed after the locking protrusion is formed, the temporary protrusion may not be liquid repellent with respect to the locking protrusion material functional liquid.
(変形例10)前記実施形態においては、下地層33を形成する工程と、下地層43を形成する工程とをそれぞれ実施していたが、下地層33を形成する際に同時に下地層43を形成してもよい。前記実施形態のように下地層を形成する工程が複数あるような場合には、同時に形成できる下地層は同一の工程で形成することによって、工程に要する時間を低減することができる。
(Modification 10) In the embodiment described above, the step of forming the
(変形例11)前記実施形態においては、仮設突起35を形成し配線係止突起32を形成する工程と、仮設突起45を形成し膜係止突起42を形成する工程とをそれぞれ実施していたが、仮設突起35を形成する際に同時に仮設突起45を形成し、配線係止突起32を形成する際に同時に膜係止突起42を形成してもよい。前記実施形態のように係止突起を形成する工程が複数あるような場合には、同時に形成できる仮設突起や係止突起は同一の工程で形成することによって、工程に要する時間を低減することができる。
(Modification 11) In the above-described embodiment, the step of forming the
1…電子装置、10…半導体装置、12…電極端子、14…能動面、20…回路形成用基板、21…回路基板、23…回路端子、24…回路配線、26…斜面部材、30…接続配線、32…配線係止突起、32a…配線突起機能液、33…下地層、33a…下地層機能液、35…仮設突起、35a…仮設突起機能液、40…配線封止層、42…膜係止突起、42a…膜突起機能液、43…下地層、43a…下地層機能液、45…仮設突起、45a…仮設突起機能液、221…半導体実装面、261…斜面、303…被係止部、321…基体部、322…係止部、323…係止空間、403…被係止部、421…基体部、422…係止部、423…係止空間。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device, 10 ... Semiconductor device, 12 ... Electrode terminal, 14 ... Active surface, 20 ... Circuit board | substrate, 21 ... Circuit board, 23 ... Circuit terminal, 24 ... Circuit wiring, 26 ... Slope member, 30 ... Connection Wiring, 32 ... wiring locking protrusion, 32a ... wiring protrusion functional liquid, 33 ... base layer, 33a ... base layer functional liquid, 35 ... temporary protrusion, 35a ... temporary protrusion functional liquid, 40 ... wiring sealing layer, 42 ... film Locking protrusion, 42a ... membrane protrusion functional liquid, 43 ... base layer, 43a ... base layer functional liquid, 45 ... temporary protrusion, 45a ... temporary protrusion functional liquid, 221 ... semiconductor mounting surface, 261 ... slope, 303 ... locked 321 ... Base part, 322 ... Locking part, 323 ... Locking space, 403 ... Locked part, 421 ... Base part, 422 ... Locking part, 423 ... Locking space.
Claims (23)
仮設突起を前記膜基板の膜形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、
前記仮設突起に対して前記膜形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記膜形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、
前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、
前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記膜を形成する膜形成工程と、を有することを特徴とする膜形成方法。 A film forming method for forming a film on a film substrate,
A temporary protrusion forming step of standing and forming the temporary protrusion on the film forming surface of the film substrate; and
Locking protrusion formation in which a locking protrusion having a locking portion that contacts the temporary protrusion from the side opposite to the film forming surface and covers a part of the temporary protrusion is formed upright on the film forming surface Process,
A temporary protrusion removing step of removing the temporary protrusion;
A film forming step of forming the film in a region including at least a part of a region from which the portion covered with the locking portion in the temporary protrusion is removed.
前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記膜形成面に配置する材料液状体配置工程と、
配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することを特徴とする、請求項1に記載の膜形成方法。 It further has a base layer forming step to be performed prior to the temporary projection forming step,
The underlayer forming step includes a material liquid material arranging step in which an underlayer material liquid containing a material for forming the underlayer is arranged on the film forming surface,
The film forming method according to claim 1, further comprising: an underlayer semi-curing step of semi-curing the disposed underlayer material liquid.
前記膜が配設される膜形成面に立設されており、前記膜形成面に配設された前記膜の一部に、前記膜形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする膜形成用基板。 A film forming substrate for forming a film,
A latch that is erected on a film formation surface on which the film is disposed and has a latch portion that contacts a part of the film disposed on the film formation surface from the opposite side of the film formation surface A film-forming substrate comprising a protrusion.
仮設突起を前記回路基板の回路形成面に立設させて形成する仮設突起形成工程と、
前記仮設突起に対して前記回路形成面と反対側から接触すると共に前記仮設突起の一部を覆う係止部を有する係止突起を、前記回路形成面に立設させて形成する係止突起形成工程と、
前記仮設突起を除去する仮設突起除去工程と、
前記仮設突起における前記係止部に覆われていた部分が除去された領域の少なくとも一部を含む領域に、前記回路配線を構成する回路配線膜を形成する配線膜形成工程と、を有することを特徴とする回路配線形成方法。 A circuit wiring forming method for forming circuit wiring on a circuit board,
A temporary protrusion forming step of standing and forming the temporary protrusion on the circuit forming surface of the circuit board; and
Locking protrusion formation in which a locking protrusion having a locking portion that comes into contact with the temporary protrusion from the side opposite to the circuit forming surface and covers a part of the temporary protrusion is formed on the circuit forming surface. Process,
A temporary protrusion removing step of removing the temporary protrusion;
A wiring film forming step of forming a circuit wiring film constituting the circuit wiring in a region including at least a part of a region where the portion covered with the locking portion in the temporary protrusion is removed. A method of forming a circuit wiring.
前記下地層形成工程は、下地層を形成する材料を含む下地層材料液状体を前記回路形成面に配置する材料液状体配置工程と、
配置された前記下地層材料液状体を半硬化させる下地層半硬化工程と、を有することを特徴とする、請求項15に記載の回路配線形成方法。 It further has a base layer forming step to be performed prior to the temporary projection forming step,
The underlayer forming step includes a material liquid body arranging step in which an underlayer material liquid containing a material for forming the underlayer is arranged on the circuit forming surface,
The method for forming a circuit wiring according to claim 15, further comprising: a base layer semi-curing step of semi-curing the disposed base layer material liquid.
前記回路配線を構成する回路配線膜が配設される回路形成面に立設されており、前記回路形成面に配設された前記回路配線膜の一部に、前記回路形成面の反対側から接触する係止部を有する係止突起を備えることを特徴とする回路配線形成用基板。 A circuit wiring forming substrate for forming circuit wiring,
The circuit wiring film constituting the circuit wiring is erected on a circuit forming surface on which the circuit wiring film is disposed, and a part of the circuit wiring film disposed on the circuit forming surface is formed on the side opposite to the circuit forming surface. A circuit wiring forming board comprising a locking projection having a locking portion in contact therewith.
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