JP2011155127A - Light-emitting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device capable of being manufactured at a low cost without lowering the luminance of the light-emitting device. <P>SOLUTION: The light-emitting device includes a light-emitting element mounting substrate 1 provided with an insulating substrate 11 composed of ceramic sintered body, a first connection pad 12 to which a light-emitting element 2 is electrically connected, a second connection pad 13 electrically connected to an external circuit, and a wiring conductor 14, the light-emitting element 2 mounted on one main surface of the light-emitting element mounting substrate 1 and electrically connected with the first connection pad 12, and a frame body 3 which has a bottom plate 31 and a sidewall 32 erected along the peripheral edge of the bottom plate 31 where the light-emitting element mounting substrate 1 is loaded on the bottom plate 31, a through-hole 311 is formed at the bottom plate 31, and the through-hole 311 is provided with a connection conductor 4 whose one end is electrically connected with the second connection pad 13 and the other end is electrically connected with the external circuit, and which comprises a ceramic porous body of the same kind as the ceramic sintered body. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ等のバックライトとして好適な発光装置に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device suitable as a backlight for a flat panel display or the like.

近年、照明器具、あるいはフラットパネルディスプレイのバックライトなどの発光装置として、発光素子（発光ダイオード）を用いたものが開発されている。この発光装置は、発光素子によって発生された光を蛍光材料などによって波長の異なる光に変換して、白色光などの出力光をつくり出すものである。   2. Description of the Related Art In recent years, a light emitting device (light emitting diode) using a light emitting element (light emitting diode) has been developed as a light emitting device such as a lighting fixture or a backlight of a flat panel display. This light-emitting device converts light generated by a light-emitting element into light having a different wavelength using a fluorescent material or the like, and produces output light such as white light.

このような発光装置を用いた照明器具は、従来よりも低消費電力化および長寿命化が期待できるが、今後さらなる発光効率の向上が要求され、特にフラットパネルディスプレイのバックライトに用いられる発光装置にあっては、低コスト化の要求が強くなると予想される。   Although the lighting fixture using such a light emitting device can be expected to have lower power consumption and longer life than conventional ones, further improvement in light emission efficiency will be required in the future, and in particular, a light emitting device used for a backlight of a flat panel display In that case, the demand for cost reduction is expected to increase.

発光装置としては、発光素子を搭載する搭載部（発光素子実装基板）上に、発光素子とこの発光素子の出射光を反射する反射部（枠体）とを備え、発光素子の周囲を取り囲むように反射部が配置された構造のものが知られている（例えば特許文献１を参照）。   The light emitting device includes a light emitting element and a reflection part (frame body) that reflects light emitted from the light emitting element on a mounting portion (light emitting element mounting substrate) on which the light emitting element is mounted, and surrounds the periphery of the light emitting element. There is known a structure in which a reflecting portion is disposed on the surface (see, for example, Patent Document 1).

そして、特許文献１に記載の発光装置においては、搭載部（発光素子実装基板）には発光素子を実装するための強度が求められるとともに配線を形成する必要があることから、この搭載部は緻密なセラミック焼結体で形成され、反射部（枠体）には高い反射率が求められることから、この反射部は緻密なセラミック焼結体よりも反射率の高い（光が透過しにくい）多孔質体で形成されている。なお、多孔質体は多数の孔の内部で光の反射が生じることから、反射率が高くなっているものである。   In the light-emitting device described in Patent Document 1, the mounting portion (light-emitting element mounting substrate) is required to have strength for mounting the light-emitting element, and it is necessary to form a wiring. Since the reflective part (frame body) is required to have a high reflectance, the reflective part has a higher reflectivity (difficult to transmit light) than a dense ceramic sintered body. It is formed of a solid body. The porous body has high reflectivity because light is reflected inside a large number of holes.

特開2008−270607号公報JP 2008-270607 A

ここで、特許文献１に記載された発光装置においては、反射体を基体上に載置するための載置場所の確保が必要となる。なぜなら、発光素子から発生する熱により基体と反射体とが膨張するが、このときの基体と反射体との熱膨張差によって反射体が基体から剥がれたりクラックが発生したりして光が漏れ、発光装置の輝度が低下してしまうおそれがあり、基体と反射体とを十分に接合させておく面積を確保する必要があるからである。   Here, in the light-emitting device described in Patent Document 1, it is necessary to secure a place for placing the reflector on the base. Because, the base and the reflector are expanded by the heat generated from the light emitting element, but due to the difference in thermal expansion between the base and the reflector at this time, the reflector is peeled off from the base or cracks are generated, and light leaks. This is because the luminance of the light emitting device may be lowered, and it is necessary to secure an area where the base and the reflector are sufficiently bonded.

また、基体にはある程度の厚みが必要となる。なぜなら、緻密なセラミック焼結体は多孔質体よりも光の反射率が低い（光が透過しやすい）ことから、基体の反射率を上げるためにある程度の厚みが必要となるからである。   Further, the substrate needs to have a certain thickness. This is because a dense ceramic sintered body has a light reflectance lower than that of a porous body (light is easily transmitted), and thus a certain thickness is required to increase the reflectance of the substrate.

このように、特許文献１に記載された発光装置では基体の大きさを小さくすることができなかった。今後の低コスト化の要求に応えるためには、できる限り緻密なセラミック焼結体からなる基体の大きさを小さくするのが望ましい。   Thus, in the light emitting device described in Patent Document 1, the size of the substrate cannot be reduced. In order to meet future demands for cost reduction, it is desirable to reduce the size of the base made of the ceramic sintered body as dense as possible.

本発明は、上記事情に鑑みて案出されたものであり、発光装置の輝度を低下させること
なく、低コストでの製造が可能な発光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been devised in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a light emitting device that can be manufactured at a low cost without reducing the luminance of the light emitting device.

本発明の発光装置は、セラミック焼結体からなる絶縁基板、該絶縁基板の一方主面に形成された、発光素子が電気的に接続される第１の接続パッド、前記絶縁基板の他方主面に形成された、外部回路に電気的に接続される第２の接続パッド、および前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとを電気的に接続した配線導体を備えた発光素子実装基板と、該発光素子実装基板の前記一方主面上に実装され、前記第１の接続パッドと電気的に接続された前記発光素子と、底板部および該底板部の周縁に沿って立設された側壁部を備え、前記底板部の上に前記発光素子実装基板を搭載しており、前記底板部に貫通孔が形成されるとともに該貫通孔に一端が前記第２の接続パッドと電気的に接続されて他端が前記外部回路と電気的に接続される接続導体が設けられた、前記セラミック焼結体と同種のセラミック多孔質体からなる枠体とを含むことを特徴とするものである。   The light emitting device of the present invention includes an insulating substrate made of a ceramic sintered body, a first connection pad formed on one main surface of the insulating substrate, to which a light emitting element is electrically connected, and the other main surface of the insulating substrate. A light-emitting element mounting board comprising: a second connection pad electrically connected to an external circuit, and a wiring conductor electrically connecting the first connection pad and the second connection pad And the light emitting element mounted on the one main surface of the light emitting element mounting substrate and electrically connected to the first connection pad, and a bottom plate portion and a peripheral edge of the bottom plate portion. A side wall portion is provided, and the light emitting element mounting substrate is mounted on the bottom plate portion. A through hole is formed in the bottom plate portion, and one end of the through hole is electrically connected to the second connection pad. And the other end is electrically connected to the external circuit. Conductor is provided and is characterized in that it comprises a frame body made of the ceramic sintered body of the same kind as the ceramic porous body.

本発明の発光装置によれば、底板部およびこの底板部の周縁に沿って立設された側壁部を備えたセラミック多孔質体からなる枠体を含み、底板部の上に発光素子実装基板を搭載していることから、発光素子実装基板の上に枠体を配置するスペースを確保する必要がなく、発光素子実装基板の大きさを小さくすることができる。また、発光素子実装基板を透過した光を底板部および側壁部で反射させることができるため、発光素子実装基板の薄型化も可能となる。したがって、発光装置の輝度を低下させることなく低コスト化が図れる。   According to the light emitting device of the present invention, the light emitting device mounting substrate includes a frame body made of a ceramic porous body having a bottom plate portion and a side wall portion erected along the periphery of the bottom plate portion. Since it is mounted, it is not necessary to secure a space for arranging the frame body on the light emitting element mounting substrate, and the size of the light emitting element mounting substrate can be reduced. Further, since the light transmitted through the light emitting element mounting substrate can be reflected by the bottom plate portion and the side wall portion, the light emitting element mounting substrate can be thinned. Therefore, cost reduction can be achieved without reducing the luminance of the light emitting device.

本発明の発光装置の実施の形態の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of embodiment of the light-emitting device of this invention.

以下に、添付の図面を参照して、本発明の発光装置の実施の形態について説明する。   Embodiments of a light emitting device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

本発明の発光装置は、セラミック焼結体からなる絶縁基板11、絶縁基板11の一方主面に形成された、発光素子２が電気的に接続される第１の接続パッド12、絶縁基板11の他方主面に形成された、外部回路に電気的に接続される第２の接続パッド13、および第１の接続パッド12と第２の接続パッド13とを電気的に接続した配線導体14を備えた発光素子実装基板１と、発光素子実装基板１の一方主面上に実装され、第１の接続パッド12と電気的に接続された発光素子２と、底板部31および底板部31の周縁に沿って立設された側壁部32を備え、底板部31の上に発光素子実装基板１を搭載しており、底板部31に貫通孔311が形成さ
れるとともに貫通孔311に一端が第２の接続パッド13と電気的に接続されて他端が外部回
路と電気的に接続される接続導体４が設けられた、セラミック焼結体と同種のセラミック多孔質体からなる枠体３と、を含むことを特徴とするものである。 The light emitting device of the present invention includes an insulating substrate 11 made of a ceramic sintered body, a first connection pad 12 formed on one main surface of the insulating substrate 11 to which the light emitting element 2 is electrically connected, and an insulating substrate 11. A second connection pad 13 formed on the other main surface and electrically connected to an external circuit, and a wiring conductor 14 electrically connected to the first connection pad 12 and the second connection pad 13 are provided. The light emitting element mounting substrate 1, the light emitting element 2 mounted on one main surface of the light emitting element mounting substrate 1 and electrically connected to the first connection pad 12, and the bottom plate portion 31 and the bottom plate portion 31 on the periphery The light emitting element mounting substrate 1 is mounted on the bottom plate portion 31, and a through hole 311 is formed in the bottom plate portion 31 and one end of the through hole 311 has a second end. A connection conductor 4 is provided which is electrically connected to the connection pad 13 and whose other end is electrically connected to an external circuit. And it is characterized in that it comprises a frame 3 made of a ceramic porous body of a ceramic sintered body and the same kind, the.

発光素子実装基板１を構成する絶縁基板11は、アルミナ質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体、酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム等のセラミック材料で形成される。そして、絶縁基板11の反射率を大きくするためには、白色のアルミナを使用し、シリカ等のガラス成分の比率を低減するとよい。例えば、アルミナとシリカを混合したアルミナ質焼結体であれば、反射率が大きくする点で、アルミナの比率を90％以上とするのが好ましい。また、発光素子２からの発熱量が大きく、この熱の外部への放散性を良好とするような場合には、窒化アルミニウム質焼結体等のような熱伝導率の大きな材料で形成することが好ましい。   The insulating substrate 11 constituting the light emitting element mounting substrate 1 is an alumina sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic sintered body. Body, made of ceramic material such as titanium oxide, zinc oxide, barium sulfate. In order to increase the reflectance of the insulating substrate 11, it is preferable to use white alumina and reduce the ratio of glass components such as silica. For example, in the case of an alumina sintered body in which alumina and silica are mixed, the alumina ratio is preferably 90% or more in terms of increasing the reflectance. Further, in the case where the amount of heat generated from the light emitting element 2 is large and the heat dissipating property is good, it is formed of a material having a high thermal conductivity such as an aluminum nitride sintered body. Is preferred.

絶縁基板11の大きさは、後述する底板部31および底板部31の周縁に沿って立設された側壁部32で構成される枠体３に発光素子実装基板１を搭載できる程度の大きさであればよいが、発光素子実装基板１から枠体３へ熱が伝わりにくくなる点で、発光素子実装基板１と側壁部32との間に間隙があるのが好ましく、このようにすることでより信頼性に優れたものとなる。なお、絶縁基板11の外形形状は、底板部31の周縁に沿って立設された側壁部32の内面形状と同じであれば、枠体３へ均等に発光素子実装基板１から熱が伝わることになり、好ましい。同様に、後述する接続導体４を枠体３の底板部311から突出させるように
形成することで、発光素子実装基板１と枠体３の底板部31との間に間隙を設けるのが好ましい。 The size of the insulating substrate 11 is such that the light emitting element mounting substrate 1 can be mounted on the frame 3 constituted by a bottom plate portion 31 and a side wall portion 32 erected along the peripheral edge of the bottom plate portion 31 described later. However, it is preferable that there is a gap between the light emitting element mounting substrate 1 and the side wall portion 32 in that heat is not easily transmitted from the light emitting element mounting substrate 1 to the frame 3. It will be excellent in reliability. In addition, if the outer shape of the insulating substrate 11 is the same as the inner surface shape of the side wall portion 32 erected along the periphery of the bottom plate portion 31, heat is evenly transmitted from the light emitting element mounting substrate 1 to the frame 3. It is preferable. Similarly, it is preferable to provide a gap between the light emitting element mounting substrate 1 and the bottom plate portion 31 of the frame body 3 by forming a connection conductor 4 to be described later so as to protrude from the bottom plate portion 311 of the frame body 3.

絶縁基板11は、複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより作製することができる。セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、ガラス粉末、フィラー粉末、有機バインダー、溶剤等から作製したセラミックスラリーを支持体上に塗布し、作製することが可能である。   The insulating substrate 11 can be produced by laminating and firing a plurality of ceramic green sheets. The ceramic green sheet can be produced by applying a ceramic slurry produced from a ceramic powder, a glass powder, a filler powder, an organic binder, a solvent or the like on a support.

セラミックグリーンシートに用いられるセラミック粉末としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末，ガラスセラミック粉末（ガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物）等が挙げられる。 Examples of the ceramic powder used for the ceramic green sheet include alumina (Al 2 O 3 ) powder, aluminum nitride (AlN) powder, glass ceramic powder (a mixture of glass powder and ceramic filler powder), and the like.

ガラス粉末のガラス成分としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（ただし、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す），ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は同じまたは異なってＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は上記と同じである），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３ ２Ｏ系（ただし、Ｍ３はＬｉ，ＮａまたはＫを示す），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３ ２Ｏ系（ただし、Ｍ３は上記と同じである），Ｐｂ系ガラス，Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。 有機バインダーとしては、従来よりセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラール系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。焼成工程での分解、揮発性を考慮すると、アクリル系の有機バインダーがより好ましい。 Examples of the glass component of the glass powder include SiO 2 —B 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system, SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —MO system (however, M represents Ca, Sr, Mg, Ba or Zn), SiO 2 —Al 2 O 3 —M 1 O—M 2 O system (provided that M 1 and M 2 are the same or different, and Ca, Sr, Mg, Ba or Zn), SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —M 1 O—M 2 O system (where M 1 and M 2 are the same as above), SiO 2 —B 2 O 3- M 3 2 O system (where M 3 represents Li, Na or K), SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —M 3 2 O system (where M 3 is the same as above) And Pb-based glass, Bi-based glass, and the like. As the organic binder, those conventionally used for ceramic green sheets can be used. For example, acrylic (a homopolymer or copolymer of acrylic acid, methacrylic acid or esters thereof, specifically acrylic acid Ester copolymer, methacrylate ester copolymer, acrylic ester-methacrylic ester copolymer, etc.), polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, acrylic-styrene, polypropylene carbonate, cellulose, or other homopolymers or A copolymer is mentioned. Considering decomposition and volatility in the firing step, an acrylic organic binder is more preferable.

溶剤としては、上記のセラミック粉末と有機バインダーとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、トルエン，ケトン類，アルコール類の有機溶媒や水等が挙げられる。これらの中で、トルエン，メチルエチルケトン，イソプロピルアルコール等の蒸発係数の高い溶剤は、セラミックスラリー塗布後の乾燥工程が短時間で実施できるので好ましい。   The solvent is not particularly limited as long as the ceramic powder and the organic binder can be well dispersed and mixed, and examples thereof include organic solvents such as toluene, ketones, alcohols, and water. Among these, solvents having a high evaporation coefficient such as toluene, methyl ethyl ketone, isopropyl alcohol and the like are preferable because the drying step after applying the ceramic slurry can be performed in a short time.

セラミックスラリーを塗布してセラミックグリーンシートを形成する方法としては、ドクターブレード法，リップコーター法，ダイコーター法等が挙げられる。   Examples of a method for forming a ceramic green sheet by applying a ceramic slurry include a doctor blade method, a lip coater method, and a die coater method.

セラミックグリーンシートを積層する工程は、複数のセラミックグリーンシート同士を位置合わせして積み重ね、加熱および加圧（５〜５０ＭＰａ）して圧着することで作製する。   The step of laminating the ceramic green sheets is produced by aligning and stacking a plurality of ceramic green sheets, and heating and pressurizing (5 to 50 MPa) for pressure bonding.

積層したセラミックグリーンシートを焼成する工程は、有機成分の除去工程（脱脂工程）とセラミック粉末の焼結工程とから成る。有機成分の除去工程は、100〜800℃の温度範
囲で積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解、揮発させるものである。また、焼結工程における焼結温度は、セラミックスの組成により異なり、約800〜1600℃の
範囲内で行なう。焼成雰囲気は、セラミック粉末および導体材料により異なり、大気中、還元雰囲気中、非酸化性雰囲気中等で行なわれ、有機成分の除去を効果的に行なうために水蒸気等を含ませてもよい。 The step of firing the laminated ceramic green sheets includes an organic component removal step (degreasing step) and a ceramic powder sintering step. The organic component removing step is performed by heating the laminate in a temperature range of 100 to 800 ° C. to decompose and volatilize the organic component. In addition, the sintering temperature in the sintering process varies depending on the ceramic composition, and is performed within a range of about 800 to 1600 ° C. The firing atmosphere varies depending on the ceramic powder and the conductor material, and is performed in the air, in a reducing atmosphere, in a non-oxidizing atmosphere or the like, and may contain water vapor or the like in order to effectively remove organic components.

絶縁基板11の一方主面には発光素子２が電気的に接続される第１の接続パッド12が形成され、絶縁基板11の他方主面には外部回路（図示せず）に電気的に接続される第２の接続パッド13が形成され、第１の接続パッド12と第２の接続パッド13とを電気的に接続した配線導体14が形成されている。   A first connection pad 12 to which the light emitting element 2 is electrically connected is formed on one main surface of the insulating substrate 11, and the other main surface of the insulating substrate 11 is electrically connected to an external circuit (not shown). The second connection pad 13 is formed, and the wiring conductor 14 is formed by electrically connecting the first connection pad 12 and the second connection pad 13.

第１の接続パッド12、第２の接続パッド13および配線導体14は、銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の金属材料により形成される。この形成方法としては、導体材料、有機バインダー、溶剤等を混合し作製した導電性ペーストを、セラミックグリーンシートまたは、絶縁基板11に塗布して焼成する方法が挙げられる。   The first connection pad 12, the second connection pad 13, and the wiring conductor 14 are made of copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), platinum (Pt) tungsten (W), molybdenum ( It is formed of a metal material such as Mo) or manganese (Mn). Examples of this forming method include a method in which a conductive paste prepared by mixing a conductor material, an organic binder, a solvent, and the like is applied to a ceramic green sheet or an insulating substrate 11 and fired.

導電性ペーストに含まれる導体材料としては、例えば銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等のうちの１種または２種以上が挙げられ、２種以上の場合はそれらを混合した導電性ペーストとする形態、２種以上のものの合金を含む導電性ペーストとする形態、個々の導電性ペーストから成るコーティングを積層させる形態等のいずれの形態であってもよい。その導体粉末はアトマイズ法、還元法等により製造されたものであり、必要により酸化防止、凝集防止等の処理を行なってもよい。また、分級等により微粉末または粗粉末を除去し粒度分布を調整したものであってもよい。導体粉末の粒度はマイクロトラック装置等の粒度測定器により測定することができる。   Examples of conductive materials contained in the conductive paste include copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), palladium (Pd), platinum (Pt) tungsten (W), molybdenum (Mo), and manganese (Mn). 1 type or 2 or more types are included, and in the case of 2 or more types, a form of conductive paste in which they are mixed, a form of conductive paste containing an alloy of 2 or more types, individual conductivity Any form such as a form in which coatings made of paste are laminated may be used. The conductor powder is manufactured by an atomization method, a reduction method, or the like, and may be subjected to treatments such as oxidation prevention and aggregation prevention as necessary. Moreover, fine powder or coarse powder may be removed by classification or the like to adjust the particle size distribution. The particle size of the conductor powder can be measured by a particle size measuring device such as a microtrack device.

有機バインダーとしては、従来導電性ペーストに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラール系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。焼成工程での分解、揮発性を考慮すると、アクリル系、アルキド系の有機バインダーがより好ましい。また、有機バインダーの添加量としては、導体粉末により異なるが、有機バインダーの分解性に問題なく、かつ導体粉末を分散できる量であればよい。   As the organic binder, those conventionally used for conductive pastes can be used. For example, acrylic (acrylic acid, methacrylic acid or homopolymers or copolymers thereof, specifically acrylic esters. Copolymer, methacrylic acid ester copolymer, acrylic acid ester-methacrylic acid ester copolymer, etc.), polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol, acrylic-styrene, polypropylene carbonate, cellulose and other homopolymers or copolymers A polymer is mentioned. In view of decomposition and volatility in the firing step, acrylic and alkyd organic binders are more preferable. The amount of the organic binder to be added varies depending on the conductor powder, but may be an amount that can disperse the conductor powder without any problem in the decomposability of the organic binder.

有機溶剤としては、上記の導体粉末と有機バインダーとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、テルピネオール，ブチルカルビトールアセテートおよびフタル酸等の可塑剤などが使用可能であるが、溶剤の乾燥性を考慮し、テルピネオール等の低沸点溶剤などが好ましい。   As the organic solvent, it is only necessary that the above-mentioned conductor powder and the organic binder can be dispersed and mixed well, and plasticizers such as terpineol, butyl carbitol acetate and phthalic acid can be used. Considering the drying property of the solvent, a low boiling point solvent such as terpineol is preferable.

また、導電性ペーストをセラミックグリーンシートや、絶縁基板11に塗布する方法としては、印刷用のマスクの開口部からペーストを塗布するスクリーン印刷法、インクジェットやディスペンサーなどのペーストを直接描画する方法等、いずれの方法も適用することができる。   In addition, as a method of applying the conductive paste to the ceramic green sheet or the insulating substrate 11, a screen printing method of applying the paste from the opening of the mask for printing, a method of directly drawing a paste such as an inkjet or a dispenser, etc. Either method can be applied.

配線導体14は、セラミックグリーンシートや、絶縁基板11に貫通孔を形成し、導電性ペーストを充填し、焼成することにより形成することができる。セラミックグリーンシートや、絶縁基板11に貫通孔を形成する方法としては、レーザ光を照射する方法が適用できる
。レーザ光の波長としては、形成する貫通孔の径、セラミックグリーンシートの材質等により、適宜選択することができる。例えば、貫通孔の径が50μｍ以上の場合、波長10000
ｎｍ程度のＣＯ２レーザ装置等を用い、50μｍ以下の場合、波長355ｎｍ程度のＵＶ−Ｙ
ＡＧレーザ装置等を使用することができる。また、セラミックグリーンシートや絶縁基板11の少なくとも一方主面に、有機フィルム等の支持体（以下、キャリアともいう）を貼り合せて使用してもよい。このようにすることで、貫通孔を形成する際に発生する熱影響による、セラミックグリーンシートや絶縁基板11の変形を抑制することができ、また、レーザ光を照射する面に支持体を貼りあわせておいて、加工した後に支持体を取り除くようにすると、レーザ光照射中に発生した、セラミックグリーンシートや絶縁基板11の加工屑がセラミックグリーンシート上に堆積するのを防止することができる。貫通孔の位置精度は、絶縁基板11に形成する方が、焼成時のセラミックグリーンシートの収縮による寸法精度の低下を除外することができるため、好ましい。 The wiring conductor 14 can be formed by forming a through hole in the ceramic green sheet or the insulating substrate 11, filling with a conductive paste, and firing. As a method of forming a through hole in the ceramic green sheet or the insulating substrate 11, a method of irradiating laser light can be applied. The wavelength of the laser beam can be appropriately selected depending on the diameter of the through hole to be formed, the material of the ceramic green sheet, and the like. For example, when the diameter of the through hole is 50 μm or more, the wavelength is 10000
UV-Y with a wavelength of about 355 nm when using a CO 2 laser device of about nm, etc.
An AG laser device or the like can be used. In addition, a support such as an organic film (hereinafter also referred to as a carrier) may be bonded to at least one main surface of the ceramic green sheet or the insulating substrate 11 for use. By doing so, it is possible to suppress the deformation of the ceramic green sheet and the insulating substrate 11 due to the thermal effect generated when forming the through-hole, and the support body is bonded to the surface irradiated with the laser beam. If the support is removed after processing, it is possible to prevent the ceramic green sheet and the processing waste of the insulating substrate 11 generated during laser light irradiation from being deposited on the ceramic green sheet. The position accuracy of the through hole is preferably formed in the insulating substrate 11 because a reduction in dimensional accuracy due to shrinkage of the ceramic green sheet during firing can be excluded.

なお、第１の接続パッド12、第２の接続パッド13および配線導体14の表面には、腐食防止、または半田および金属ワイヤ等の外部回路基板や電子部品との接続手段との良好な接続のために、Ｎｉ，Ａｕのめっき層を施すとよい（図示せず）。   The surfaces of the first connection pads 12, the second connection pads 13, and the wiring conductors 14 have corrosion prevention or good connection with external circuit boards such as solder and metal wires and connection means with electronic components. Therefore, it is preferable to apply a Ni or Au plating layer (not shown).

発光素子実装基板１の一方主面上には、発光素子２が第１の接続パッド12と電気的に接続されて実装されている。発光素子２を発光素子実装基板１に接合する方法としては、例えばＡｇ−エポキシ樹脂（Ａｇ含有エポキシ樹脂）等の接合材が用いられる。また、発光素子２と第１の導体パッド12とを電気的に接合する方法としては、ボンディングワイヤや、金等の金属、錫−銀系及び錫−銀−銅系等の半田、金−錫ろう等の低融点ろう材、銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材、導電性有機樹脂による接合を可能とするような金属材料等を用いることができる。   On one main surface of the light emitting element mounting substrate 1, the light emitting element 2 is mounted in electrical connection with the first connection pads 12. As a method of bonding the light emitting element 2 to the light emitting element mounting substrate 1, for example, a bonding material such as Ag-epoxy resin (Ag-containing epoxy resin) is used. In addition, as a method of electrically bonding the light emitting element 2 and the first conductor pad 12, a bonding wire, a metal such as gold, a solder such as tin-silver or tin-silver-copper, gold-tin A low-melting-point brazing material such as brazing, a high-melting-point brazing material such as silver-germanium, a metal material that enables bonding with a conductive organic resin, or the like can be used.

発光素子２は、発光する光のエネルギーのピーク波長が紫外線域から赤外線域までのいずれのものでもよいが、白色光や種々の色の光を視感性よく放出させるという観点から300乃至500nmの近紫外系から青色系で発光する素子であるのがよい。例えば、サファイア基板上にバッファ層，ｎ型層，発光層およびｐ型層を順次積層した、ＧａＮ，ＧａＡｌＮ，ＩｎＧａＮまたはＩｎＧａＡｌＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体、あるいはシリコンカーバイド系化合物半導体やＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）等で発光層が形成されたものが挙げられる。   The light-emitting element 2 may have any peak wavelength of energy of emitted light from the ultraviolet region to the infrared region, but from the viewpoint of emitting white light and light of various colors with good visibility, the light emitting element 2 has a peak wavelength of about 300 to 500 nm. It is preferable that the element emits light from ultraviolet to blue. For example, a gallium nitride-based compound semiconductor such as GaN, GaAlN, InGaN, or InGaAlN, or a silicon carbide-based compound semiconductor or ZnSe (selenide) in which a buffer layer, an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer are sequentially stacked on a sapphire substrate. Zinc) or the like in which the light emitting layer is formed.

枠体３は、底板部31および底板部31の周縁に沿って立設された側壁部32を備えている。また、枠体３の底板部31の上に発光素子実装基板１を搭載している。また、底板部31に貫通孔311が形成されるとともに貫通孔311に一端が第２の接続パッド13と電気的に接続されて他端が外部回路と電気的に接続される接続導体４が設けられている。   The frame 3 includes a bottom plate portion 31 and a side wall portion 32 erected along the periphery of the bottom plate portion 31. Further, the light emitting element mounting substrate 1 is mounted on the bottom plate portion 31 of the frame 3. Further, a through hole 311 is formed in the bottom plate portion 31 and a connection conductor 4 is provided in the through hole 311 so that one end is electrically connected to the second connection pad 13 and the other end is electrically connected to an external circuit. It has been.

そして、枠体３は、発光素子実装基板１の絶縁基板１１を形成するセラミック焼結体と同種のセラミック多孔質体からなることが重要である。絶縁基板１１を形成するセラミック焼結体は緻密体であるのに対し、枠体３は同種のセラミックスで形成された多孔質体である。   And it is important that the frame 3 consists of a ceramic porous body of the same kind as the ceramic sintered body that forms the insulating substrate 11 of the light emitting element mounting substrate 1. The ceramic sintered body forming the insulating substrate 11 is a dense body, while the frame 3 is a porous body formed of the same kind of ceramics.

具体的には、アルミナ質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、ガラスセラミック焼結体、酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム等のセラミック材料で形成される。そして、枠体３の反射率を大きくするためには、白色のアルミナを使用し、シリカ等のガラス成分の比率を低減するとよい。例えば、アルミナとシリカを混合したアルミナ質焼結体であれば、反射率が大きくする点で、アルミナの比率を90％以上とするのが好ましい。   Specifically, alumina sintered body, aluminum nitride sintered body, mullite sintered body, silicon carbide sintered body, silicon nitride sintered body, glass ceramic sintered body, titanium oxide, zinc oxide, It is made of a ceramic material such as barium sulfate. And in order to enlarge the reflectance of the frame 3, it is good to use white alumina and to reduce the ratio of glass components such as silica. For example, in the case of an alumina sintered body in which alumina and silica are mixed, the alumina ratio is preferably 90% or more in terms of increasing the reflectance.

そして、多孔質体であることが重要である。具体的には、絶縁基板11を形成するセラミック焼結体のかさ密度が3.6〜3.8ｇ／ｃｍ３程度であるのに対し、枠体３を形成するセラミック多孔質体のかさ密度は2.4〜2.8ｇ／ｃｍ３程度である。また、絶縁基板11を形成するセラミック焼結体の見かけ気孔率が10％以下であるのに対し、枠体３を形成するセラミック多孔質体の見かけ気孔率は20〜50％程度である。また、絶縁基板11を形成するセラミック焼結体の磁器強度が300〜600ＭＰａ程度であるのに対し、枠体３を形成するセラミック多孔質体の磁器強度は50〜150ＭＰａ程度である。 And it is important that it is a porous body. Specifically, the bulk density of the ceramic sintered body forming the insulating substrate 11 is about 3.6 to 3.8 g / cm 3 , whereas the bulk density of the ceramic porous body forming the frame 3 is 2.4 to 2.8. It is about g / cm 3 . The apparent porosity of the ceramic sintered body forming the insulating substrate 11 is 10% or less, whereas the apparent porosity of the ceramic porous body forming the frame 3 is about 20 to 50%. Further, the ceramic strength of the ceramic sintered body forming the insulating substrate 11 is about 300 to 600 MPa, whereas the ceramic strength of the ceramic porous body forming the frame 3 is about 50 to 150 MPa.

また、底板部31および底板部31の周縁に沿って立設された側壁部32の内面の算術平均粗さＲａは、0.004〜４μｍであるのが良く、これにより、底板部31および底板部31の周縁
に沿って立設された側壁部32の内面が発光素子２の光を良好に反射し得る。Ｒａが４μｍを超えると、発光素子２の光を均一に反射させ得ず、発光装置の内部で乱反射する傾向にある。一方、0.004μｍ未満では、そのような面を安定かつ効率良く形成することが困難
となる傾向にある。 In addition, the arithmetic average roughness Ra of the inner surface of the bottom plate portion 31 and the side wall portion 32 erected along the peripheral edge of the bottom plate portion 31 may be 0.004 to 4 μm, whereby the bottom plate portion 31 and the bottom plate portion 31 are arranged. The inner surface of the side wall portion 32 erected along the periphery of the light can reflect light of the light emitting element 2 satisfactorily. When Ra exceeds 4 μm, the light of the light emitting element 2 cannot be reflected uniformly and tends to be irregularly reflected inside the light emitting device. On the other hand, if it is less than 0.004 μm, it tends to be difficult to form such a surface stably and efficiently.

枠体３の上記内面は、発光素子実装基板１の上面に対して40〜55度の角度で上方に向かって外側に広がるように形成されているのがよい。これにより、発光素子２が発光する光を枠体３の内面で良好に反射させて、発光装置の外部へ効率よく出射させることができ、発光装置の発光効率を極めて高いものとすることができる。上記角度が40度未満の場合、出射光が分散し、高出力、高輝度の光が得られ難い。55度を超える場合、発光装置１外部に反射される光束が平行光よりも収束して遠方にいくにつれて逆に拡散してしまい、発光装置の外部に放射されずに発光装置内で再度反射される光の成分が多くなる。   The inner surface of the frame 3 is preferably formed so as to spread outward at an angle of 40 to 55 degrees with respect to the upper surface of the light emitting element mounting substrate 1. Thereby, the light emitted from the light emitting element 2 can be favorably reflected by the inner surface of the frame 3 and can be efficiently emitted to the outside of the light emitting device, and the light emitting efficiency of the light emitting device can be made extremely high. . When the angle is less than 40 degrees, the emitted light is dispersed, and it is difficult to obtain light with high output and high luminance. When the angle exceeds 55 degrees, the light beam reflected to the outside of the light emitting device 1 converges more than the parallel light and diffuses in the opposite direction, and is reflected again within the light emitting device without being emitted outside the light emitting device. The amount of light component increases.

なお、底板部31および側壁部32の反射率を改善するため、銀やアルミニウムなどの金属等を蒸着することも可能である。   In order to improve the reflectance of the bottom plate portion 31 and the side wall portion 32, it is possible to deposit a metal such as silver or aluminum.

枠体３を形成する方法としては、セラミックグリーンシートを積層したものを、金型等で打ち抜く、またはアルミナ粉末、樹脂等を混合した粉末をプレス成型したものを、焼成することにより形成することができる。プレス成型では、プレス成型に使用する金型の種類を変更することにより、枠体３の底板部31、側面部32および貫通孔311を一括で形成す
ることができ、好ましい。ここで、底板部31の貫通孔311の大きさは、発光素子実装基板
１の第２の導体パッド13の位置がばらついても接続導体４が第２の導体パッド13と電気的に接続できる程度の大きさであればよい。 As a method of forming the frame body 3, it is possible to form by laminating ceramic green sheets laminated with a die or the like, or by pressing a powder obtained by mixing alumina powder, resin, etc., and firing it. it can. In press molding, it is preferable that the bottom plate portion 31, the side surface portion 32, and the through hole 311 of the frame 3 can be collectively formed by changing the type of mold used for press molding. Here, the size of the through hole 311 of the bottom plate portion 31 is such that the connection conductor 4 can be electrically connected to the second conductor pad 13 even if the position of the second conductor pad 13 of the light emitting element mounting substrate 1 varies. Any size is acceptable.

枠体３となる成型体を焼成する工程は、有機成分の除去工程（脱脂工程）とセラミック粉末の焼結工程とから成る。有機成分の除去工程は、100〜800℃の温度範囲で加熱することによって行ない、有機成分を分解、揮発させるものである。また、焼結工程における焼結温度は、セラミックスの組成により異なり、約800〜1600℃の範囲内で行なう。なお、
成型体の焼成温度は絶縁基板11の焼成温度と比較して100〜300℃下回る範囲で焼成を行うと、多孔質化でき、かつハンドリングや信頼性等上必要な強度を保つことができる。焼成雰囲気は、セラミック粉末により異なり、大気中、還元雰囲気中、非酸化性雰囲気中等で行なわれ、有機成分の除去を効果的に行なうために水蒸気等を含ませてもよい。 The step of firing the molded body to be the frame 3 includes an organic component removal step (degreasing step) and a ceramic powder sintering step. The organic component removing step is performed by heating in a temperature range of 100 to 800 ° C. to decompose and volatilize the organic component. In addition, the sintering temperature in the sintering process varies depending on the ceramic composition, and is performed within a range of about 800 to 1600 ° C. In addition,
When firing is performed in a range where the firing temperature of the molded body is 100 to 300 ° C. lower than the firing temperature of the insulating substrate 11, the molded body can be made porous, and the strength necessary for handling, reliability, and the like can be maintained. The firing atmosphere varies depending on the ceramic powder, and is performed in the air, in a reducing atmosphere, in a non-oxidizing atmosphere, or the like, and may contain water vapor or the like in order to effectively remove organic components.

また、接続導体４の材料としては、金等の金属、錫−銀系及び錫−銀−銅系等の半田、金−錫ろう等の低融点ろう材、銀−ゲルマニウム系等の高融点ろう材、導電性有機樹脂による接合を可能とするような金属材料等を用いることができる。   The connecting conductor 4 may be made of metal such as gold, solder such as tin-silver and tin-silver-copper, low melting point solder such as gold-tin, and high melting point solder such as silver-germanium. A metal material or the like that enables bonding with a material or a conductive organic resin can be used.

この接続導体４は、例えば、錫−銀系、錫−銀−銅系等の半田等の原料粉末を、有機樹脂・バインダーとともに混練してペーストにしたものを、スクリーン印刷法等により、塗布することにより製作することが可能である。   The connection conductor 4 is, for example, a paste obtained by kneading a raw material powder such as tin-silver or tin-silver-copper solder together with an organic resin / binder by a screen printing method or the like. It is possible to make it.

第２の導体パッド13と外部回路との接続導体４を介しての接合は、リフロー法等により行なうことができる。例えば、接続導体４が錫−銀系半田からなる場合であれば、接続導体４を形成した第２の導体パッド13、貫通孔311、外部回路を順に載置し、約250℃〜300
℃程度の温度のリフロー炉中で熱処理すること等により行なわれる。ここで、接続導体４が溶融することにより、発光素子実装基板１が自重により高さが低くなり、貫通孔311の
内部を充填することができる。 The joining of the second conductor pad 13 and the external circuit via the connection conductor 4 can be performed by a reflow method or the like. For example, if the connection conductor 4 is made of tin-silver solder, the second conductor pad 13, the through-hole 311, and the external circuit on which the connection conductor 4 is formed are placed in order, and about 250 ° C. to 300 ° C.
For example, the heat treatment is performed in a reflow furnace at a temperature of about ° C. Here, when the connection conductor 4 is melted, the height of the light emitting element mounting substrate 1 is reduced by its own weight, and the inside of the through hole 311 can be filled.

なお、枠体３には、底板部31に貫通孔311が形成されるとともに貫通孔311に第２の接続パッド13と外部回路とを電気的に接続するための接続導体４を備えていることから、発光素子２から発生した熱を外部回路へ効率よく伝達することができ、枠体３に熱が伝わりにくくなるため、枠体３の熱による特性劣化を防止することができることから、信頼性に優れたものとなる。   The frame 3 has a through hole 311 formed in the bottom plate portion 31 and a connection conductor 4 for electrically connecting the second connection pad 13 and an external circuit to the through hole 311. Therefore, the heat generated from the light emitting element 2 can be efficiently transmitted to the external circuit, and the heat is hardly transmitted to the frame 3, so that the deterioration of characteristics due to the heat of the frame 3 can be prevented. It will be excellent.

なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば、種々の変形は可能である。   In addition, this invention is not limited to the example of above-mentioned embodiment, A various deformation | transformation is possible if it is in the range of the summary of this invention.

例えば、上述の実施の形態の例では一つの発光装置内に一つの発光素子２を載置したが、一つの発光装置内に複数の発光素子２を載置してもよい。   For example, in the example of the above-described embodiment, one light emitting element 2 is placed in one light emitting device, but a plurality of light emitting elements 2 may be placed in one light emitting device.

また、発光素子実装基板１の一方主面に、発光素子２を内側に収めるような凹部を形成して内部に載置することを妨げるものではない。凹部内に発光素子２を収めるようにしておくと、発光素子２を取り囲むための枠体３の高さを低く抑えることができ、発光素子２の低背化に有利なものとなる。また、発光素子実装基板１の凹部の壁面や底面で光が反射されるため、より発光装置の輝度が向上する。   Further, it does not hinder the formation of a concave portion on the one main surface of the light-emitting element mounting substrate 1 so that the light-emitting element 2 can be accommodated on the inside, and placing the concave portion inside. If the light emitting element 2 is accommodated in the recess, the height of the frame 3 for surrounding the light emitting element 2 can be kept low, which is advantageous for reducing the height of the light emitting element 2. Moreover, since light is reflected on the wall surface and bottom surface of the recess of the light emitting element mounting substrate 1, the luminance of the light emitting device is further improved.

また、発光素子２上に光を波長変換することのできる蛍光体を含む透光性部材や、枠体３の上面に光学レンズや平板状の透光性の蓋体を形成することもできる。発光素子２より出射される光を任意に集光したり拡散させる光学レンズや平板状の透光性の蓋体を半田や接着剤等で接合することにより、所望とする放射角度で光を取り出すことができるとともに発光装置の内部への耐浸水性が改善され長期信頼性が向上する。   In addition, a translucent member including a phosphor capable of converting the wavelength of light on the light emitting element 2, or an optical lens or a flat translucent lid can be formed on the upper surface of the frame 3. Light is extracted at a desired radiation angle by joining an optical lens for arbitrarily condensing or diffusing the light emitted from the light emitting element 2 or a flat light-transmitting lid with solder or adhesive. In addition, the water resistance to the inside of the light emitting device is improved and the long-term reliability is improved.

透光性部材は、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、ゾルゲルガラス等のガラス部材等の発光素子２や蛍光体から発生される光を透過するものが挙げられる。透光性部材は、ディスペンサー等の注入機で発光素子２を覆うように充填され、オーブン等で熱硬化されることで、発光素子２からの光を蛍光体により波長変換し所望の波長スペクトルを有する光を取り出すことができる。ここで、本発明の発光装置では、貫通孔311の内部が接続
導体４で充填されていることから、上記透光性部材を充填する際に貫通孔311から透光性
部材が漏れ出すことがないため、好ましい。 Examples of the translucent member include those that transmit light generated from the light emitting element 2 and the phosphor such as a glass member such as an epoxy resin, a silicone resin, and sol-gel glass. The translucent member is filled so as to cover the light emitting element 2 with an injection machine such as a dispenser, and is thermally cured in an oven or the like, so that the wavelength of light from the light emitting element 2 is converted by a phosphor to obtain a desired wavelength spectrum. The light it has can be extracted. Here, in the light emitting device of the present invention, since the inside of the through hole 311 is filled with the connection conductor 4, the translucent member may leak from the through hole 311 when filling the translucent member. This is preferable because it is not present.

透光性の蓋体としては、ガラス、サファイア、石英、またはエポキシ樹脂，シリコーン樹脂，アクリル樹脂等の樹脂（プラスチック）などの透光性材料から成り、枠体３の内側に設置された、発光素子２、ボンディングワイヤ、発光素子２を覆う透明樹脂等を保護するとともに、発光装置の内部を気密に封止することもできる。   The translucent lid is made of a translucent material such as glass, sapphire, quartz, or a resin (plastic) such as epoxy resin, silicone resin, acrylic resin, etc., and is installed on the inner side of the frame 3 The element 2, the bonding wire, the transparent resin covering the light emitting element 2, and the like can be protected, and the inside of the light emitting device can be hermetically sealed.

１：発光素子実装基板
11：絶縁基板
12：第１の接続パッド
13：第２の接続パッド
２：発光素子
３：枠体
31：底板部
32：側壁部
311：貫通孔
４：接続導体 1: Light emitting device mounting board
11: Insulating substrate
12: First connection pad
13: Second connection pad 2: Light emitting element 3: Frame
31: Bottom plate
32: Side wall
311: Through hole 4: Connection conductor

Claims (1)

セラミック焼結体からなる絶縁基板、該絶縁基板の一方主面に形成された、発光素子が電気的に接続される第１の接続パッド、前記絶縁基板の他方主面に形成された、外部回路に電気的に接続される第２の接続パッド、および前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとを電気的に接続した配線導体を備えた発光素子実装基板と、
該発光素子実装基板の前記一方主面上に実装され、前記第１の接続パッドと電気的に接続された前記発光素子と、
底板部および該底板部の周縁に沿って立設された側壁部を備え、前記底板部の上に前記発光素子実装基板を搭載しており、前記底板部に貫通孔が形成されるとともに該貫通孔に一端が前記第２の接続パッドと電気的に接続されて他端が前記外部回路と電気的に接続される接続導体が設けられた、前記セラミック焼結体と同種のセラミック多孔質体からなる枠体と
を含むことを特徴とする発光装置。 An insulating substrate made of a ceramic sintered body, a first connection pad formed on one main surface of the insulating substrate, to which a light emitting element is electrically connected, and an external circuit formed on the other main surface of the insulating substrate A second connection pad electrically connected to the light emitting device, and a light emitting element mounting substrate provided with a wiring conductor electrically connecting the first connection pad and the second connection pad;
The light emitting element mounted on the one main surface of the light emitting element mounting substrate and electrically connected to the first connection pad;
A bottom plate portion and a side wall portion erected along the periphery of the bottom plate portion, the light emitting element mounting substrate is mounted on the bottom plate portion, and a through hole is formed in the bottom plate portion and the through hole is formed From the ceramic porous body of the same kind as the ceramic sintered body, wherein the hole is provided with a connection conductor having one end electrically connected to the second connection pad and the other end electrically connected to the external circuit. A light emitting device comprising: a frame body.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2015087812A1 (en) * 2013-12-11 2017-03-16 旭硝子株式会社 Cover glass for light emitting diode package, sealing structure, and light emitting device
CN109683396A (en) * 2019-01-30 2019-04-26 厦门天马微电子有限公司 The production method of backlight module, display panel, display device and backlight module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015087812A1 (en) * 2013-12-11 2017-03-16 旭硝子株式会社 Cover glass for light emitting diode package, sealing structure, and light emitting device
CN109683396A (en) * 2019-01-30 2019-04-26 厦门天马微电子有限公司 The production method of backlight module, display panel, display device and backlight module

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