JP2011154968A - Organic el display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Takuo Yamazaki
拓郎 山▲崎▼
Daisuke Yoshitoku
大介 由徳
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device excellent in easiness of manufacture and high resolution. <P>SOLUTION: In order to form an extraction electrode 6 that connects a TFT 3 with a reflective electrode 8, a second insulation layer 7 is formed on the extraction electrode 6 to cover a contact hole 16 that is formed on a first insulation layer 5 that is provided on the TFT 3, and an auxiliary electrode 8' is formed on the second insulation layer 7 by the same process as the reflective electrode 8 on the first insulation layer 5, and the auxiliary electrode 8' is connected with a transparent electrode 13 as a common electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明はフラットパネルディスプレイ、プロジェクションディスプレイ、照明等に応用される有機エレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下「EL」と略す)表示装置とその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) display device applied to flat panel displays, projection displays, lighting, and the like, and a method for manufacturing the same.

有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用した有機EL素子が現在盛んに研究開発されている。有機EL素子は、第1電極と第2電極との間に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を配置し、有機化合物層に通電することにより、それぞれの電極から注入された正孔と電子が発光層において再結合して発光を生じる。有機EL表示装置は、有機EL素子を複数配置してなり、一般的に、一方の電極を複数素子に共通する共通電極とし、他方の電極を薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子を用いて素子毎に駆動する形態をとる。この時、光取り出し側には、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜の他、Ag、Au、Alなどの金属を10nm乃至20nm程度形成した半透過膜が透明電極として用いられる。これらの透明導電膜は金属と比較して抵抗が高く、共通電極となる透明電極において、電圧勾配が発生し電圧降下が大きくなり易い。また、金属薄膜からなる半透過膜であっても、薄膜化によってシート抵抗が上昇するため、表示領域が大きい場合に、電圧勾配の大きさが無視できなくなる。そのため、表示領域において各画素に印加される電圧が不均一になり、表示領域の周囲に配置される透明電極用の電位配線から表示領域中央に向かって発光強度が低下するシェーディングが大きく、表示性能が著しく低下してしまう原因となっている。   Research and development of organic EL elements using electroluminescence of organic materials are currently being actively conducted. In an organic EL element, an organic compound layer having at least a light-emitting layer is disposed between a first electrode and a second electrode, and energization of the organic compound layer causes holes and electrons injected from the respective electrodes to flow. Recombination occurs in the light emitting layer to produce light emission. An organic EL display device is formed by arranging a plurality of organic EL elements. In general, one electrode is used as a common electrode common to a plurality of elements, and the other electrode is used for each element using an active element such as a thin film transistor (TFT). It takes the form which drives to. At this time, on the light extraction side, in addition to a transparent conductive film such as ITO, IZO, and ZnO, a semi-transmissive film in which a metal such as Ag, Au, and Al is formed to a thickness of about 10 nm to 20 nm is used as a transparent electrode. These transparent conductive films have higher resistance than metals, and a voltage gradient is likely to occur in the transparent electrode serving as a common electrode, so that the voltage drop tends to be large. Even in the case of a semi-transmissive film made of a metal thin film, the sheet resistance increases due to the thinning of the film. Therefore, when the display area is large, the magnitude of the voltage gradient cannot be ignored. Therefore, the voltage applied to each pixel in the display area becomes non-uniform, and the shading in which the emission intensity decreases from the transparent electrode potential wiring arranged around the display area toward the center of the display area is large. Is a cause of remarkably lowering.

上述の課題を解決する方法として、特許文献1の構成において、シェーディングを低減させるために補助電極が設けられており、反射電極と同じ工程で補助電極を形成することで、製造工程を低減することが記載されている。更に、補助電極とカソードとの接続箇所以外において、補助電極上に絶縁膜を形成する構成が開示されている。   As a method for solving the above-described problem, in the configuration of Patent Document 1, an auxiliary electrode is provided to reduce shading, and the auxiliary electrode is formed in the same process as the reflective electrode, thereby reducing the manufacturing process. Is described. Furthermore, a configuration is disclosed in which an insulating film is formed on the auxiliary electrode at a portion other than the connection portion between the auxiliary electrode and the cathode.

特開2004−207217号JP 2004-207217 A

しかしながら、補助電極を反射電極と同一工程で形成した場合、TFTと反射電極が接続するコンタクトホール上を避けて補助電極を配置することになるため、補助電極を設けない場合のレイアウトに比べ、画素開口を小さく配置しなければならない。このため、画素開口率の向上、表示性能の高精細化を進める上では、不利なレイアウトを取らざるを得なかった。また、開口率を大きくするために補助電極を反射電極とは別工程で形成した場合には、工程数が増加する上、補助電極が薄く、膜剥がれしやすく、有機EL表示装置の製造コストの増加、表示品位の低下に繋がってしまう問題があった。   However, when the auxiliary electrode is formed in the same process as the reflective electrode, the auxiliary electrode is arranged avoiding the contact hole where the TFT and the reflective electrode are connected. Therefore, compared with the layout in the case where the auxiliary electrode is not provided, The opening must be small. For this reason, in order to improve the pixel aperture ratio and increase the display performance, it has been necessary to take a disadvantageous layout. In addition, when the auxiliary electrode is formed in a separate process from the reflective electrode in order to increase the aperture ratio, the number of processes is increased, the auxiliary electrode is thin and the film is easily peeled off, and the manufacturing cost of the organic EL display device is reduced. There has been a problem that it leads to an increase and a decrease in display quality.

本発明の課題は、上述のような従来技術の問題点を解決し、製造容易性、高精細化に優れた有機EL表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to solve the above-described problems of the conventional technology and to provide an organic EL display device excellent in manufacturability and high definition and a method for manufacturing the same.

本発明の第1は、少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第1絶縁層と、前記第1絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第1絶縁層の開口部を覆う第2絶縁層と、前記第1絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第2絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記反射電極と補助電極とが同一工程で形成されたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, at least a thin film transistor on a substrate, a first insulating layer covering the thin film transistor, an extraction electrode connected to the thin film transistor through an opening of the first insulating layer, and at least the first insulating layer A second insulating layer covering the opening, a reflective electrode connected to the extraction electrode on the first insulating layer, an auxiliary electrode on the second insulating layer insulated from the reflective electrode, and the reflective electrode An organic electroluminescence display device comprising: an organic light emitting layer including a light emitting layer; and a transparent electrode that covers the organic light emitting layer and is connected to the auxiliary electrode,
The reflective electrode and the auxiliary electrode are formed in the same process.

本発明の第2は、少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第1絶縁層と、前記第1絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第1絶縁層の開口部を覆う第2絶縁層と、前記第1絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第2絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記反射電極と補助電極とを同一工程で形成することを特徴とする。
The second aspect of the present invention includes at least a thin film transistor on a substrate, a first insulating layer covering the thin film transistor, an extraction electrode connected to the thin film transistor through an opening of the first insulating layer, and at least the first insulating layer. A second insulating layer covering the opening, a reflective electrode connected to the extraction electrode on the first insulating layer, an auxiliary electrode on the second insulating layer insulated from the reflective electrode, and the reflective electrode An organic electroluminescence display device comprising: an organic light emitting layer including a light emitting layer; and a transparent electrode that covers the organic light emitting layer and is connected to the auxiliary electrode,
The reflective electrode and the auxiliary electrode are formed in the same process.

本発明の有機EL表示装置では、比較的抵抗の高い透明電極と接続する抵抗の低い補助電極が配置されることにより、表示領域内における透明電極の電圧勾配を小さく抑えることができる。   In the organic EL display device of the present invention, the auxiliary electrode having a low resistance connected to the transparent electrode having a relatively high resistance is disposed, so that the voltage gradient of the transparent electrode in the display region can be kept small.

また、本発明によれば、反射電極とTFTが接続するコンタクトホール上に補助電極を形成することができるため、コンタクトホールを避けた補助電極用のスペースを必要とせず、補助電極配置による開口率低下を防ぐことができる。また、補助電極を反射電極と同一工程で形成できるため、補助電極形成のためだけに新たな工程を増やす必要はない。   In addition, according to the present invention, since the auxiliary electrode can be formed on the contact hole connecting the reflective electrode and the TFT, the space for the auxiliary electrode avoiding the contact hole is not required, and the aperture ratio by the auxiliary electrode arrangement is reduced. Decline can be prevented. In addition, since the auxiliary electrode can be formed in the same process as the reflective electrode, it is not necessary to increase a new process only for forming the auxiliary electrode.

また、反射電極と補助電極は同一工程で形成するため、密着性の良い電極材料、形成手法を選択することにより、第1絶縁層上に形成される反射電極と同様に、第2絶縁層上に形成される補助電極においても、高い密着性が得られる。また、反射電極と別途密着層を形成する場合にも、補助電極のためだけに新たに工程数が増えることはなく、製造容易性に優れる。   In addition, since the reflective electrode and the auxiliary electrode are formed in the same process, by selecting an electrode material having good adhesion and a forming method, the reflective electrode and the auxiliary electrode are formed on the second insulating layer in the same manner as the reflective electrode formed on the first insulating layer. Even in the auxiliary electrode formed on the substrate, high adhesion can be obtained. In addition, when the adhesion layer is formed separately from the reflective electrode, the number of processes is not increased only for the auxiliary electrode, and the manufacturing is excellent.

よって、本発明によれば、工程数を増やすことなく、効率の良い製造方法によって、開口率が高く、シェーディングの問題を解決した、高精細な有機EL表示装置が提供される。   Therefore, according to the present invention, a high-definition organic EL display device that has a high aperture ratio and solves the problem of shading is provided by an efficient manufacturing method without increasing the number of steps.

本発明による有機EL表示装置の一例の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of an example of the organic electroluminescent display apparatus by this invention. 図1の有機EL表示装置の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the organic electroluminescent display apparatus of FIG. 図1の有機EL表示装置の製造工程を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing process of the organic electroluminescence display of FIG. 本発明による有機EL表示装置の他の例の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the other example of the organic electroluminescent display apparatus by this invention.

以下、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、本明細書において、特に図示または記載されない箇所に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of an organic electroluminescence display device according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification, well-known or publicly known techniques in the technical field are applied to portions that are not particularly illustrated or described. The present invention is not limited to the following embodiment.

図1は、本発明の有機EL表示装置の好ましい一実施形態の画素の断面構造を模式的に示す図である。図2は画素レイアウトの一例を示した上面図であり、図1の断面構造は、図2におけるA−A’の断面構造に対応する。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of a pixel according to a preferred embodiment of the organic EL display device of the present invention. FIG. 2 is a top view showing an example of the pixel layout, and the cross-sectional structure of FIG. 1 corresponds to the cross-sectional structure of A-A ′ in FIG. 2.

図中、1は基板、2は層間絶縁層、3は薄膜トランジスタ(TFT)、4はパッシベーション層、5は第1絶縁層、6は引き出し電極、7は第2絶縁層、8は反射電極、8’は補助電極、11は第3絶縁層、12は有機発光層、13は透明電極である。また、14は封止層、15は保護膜、16はコンタクトホール(開口部)である。   In the figure, 1 is a substrate, 2 is an interlayer insulating layer, 3 is a thin film transistor (TFT), 4 is a passivation layer, 5 is a first insulating layer, 6 is a lead electrode, 7 is a second insulating layer, 8 is a reflective electrode, 8 'Is an auxiliary electrode, 11 is a third insulating layer, 12 is an organic light emitting layer, and 13 is a transparent electrode. Further, 14 is a sealing layer, 15 is a protective film, and 16 is a contact hole (opening).

本例においては、基板上に、層間絶縁層2、TFT3、パッシベーション層4、第1絶縁層5が形成されている。そして、さらに、引き出し電極6、第2絶縁層7、反射電極8、第3絶縁層11、有機発光層12、透明電極13、封止層14、保護膜15、が形成されている。第2絶縁層上には補助電極8’が形成されている。   In this example, an interlayer insulating layer 2, a TFT 3, a passivation layer 4, and a first insulating layer 5 are formed on a substrate. Further, a lead electrode 6, a second insulating layer 7, a reflective electrode 8, a third insulating layer 11, an organic light emitting layer 12, a transparent electrode 13, a sealing layer 14, and a protective film 15 are formed. An auxiliary electrode 8 'is formed on the second insulating layer.

本発明において、TFT3は各画素に対応するように形成される。図1では、画素当り1つのTFTを記しているが、電流制御用TFT、駆動制御用TFTなど、有機発光素子を制御するために必要となる複数のTFTを各画素に設けることができる。   In the present invention, the TFT 3 is formed to correspond to each pixel. In FIG. 1, one TFT is shown for each pixel, but a plurality of TFTs necessary for controlling the organic light emitting element such as a current control TFT and a drive control TFT can be provided in each pixel.

TFT3と引き出し電極6は、コンタクトホール16を介して接続している。更に、引き出し電極6は、第1絶縁層上において各画素毎に設けた反射電極8と接続されており、反射電極8が制御電極となっている。各画素の発光制御は、反射電極8と透明電極13との間に狭持された有機発光層12に印加される電圧を制御することによって行われる。   The TFT 3 and the extraction electrode 6 are connected via a contact hole 16. Furthermore, the extraction electrode 6 is connected to the reflection electrode 8 provided for each pixel on the first insulating layer, and the reflection electrode 8 serves as a control electrode. The light emission control of each pixel is performed by controlling the voltage applied to the organic light emitting layer 12 sandwiched between the reflective electrode 8 and the transparent electrode 13.

画素間を分離するように、第2絶縁層7及び第3絶縁層11が形成されている。コンタクトホール16の直上は第2絶縁層7で覆われており、補助電極8’は第2絶縁層7上に形成されている。そして、反射電極8の端部を覆うように、第3絶縁層11が形成されている。本発明において、補助電極8’と反射電極8は同一工程で形成されている。補助電極8’は、例えば図2に示すように、コンタクトホール16の直上に配置され、画素間を横断するパターンで形成されており、共通電極となる透明電極13の電位線として機能する。補助電極8’の形成パターンは図2の構成に限定されるものではなく、全画素間に配置する、マトリックス状に配置する、のいずれでも良い。補助電極8’は表示領域を横断し、表示領域外に設けられたコンタクトラインに接続され、接続端子を介して供給される共通電位が与えられる。   A second insulating layer 7 and a third insulating layer 11 are formed so as to separate the pixels. The contact hole 16 is directly covered with the second insulating layer 7, and the auxiliary electrode 8 ′ is formed on the second insulating layer 7. And the 3rd insulating layer 11 is formed so that the edge part of the reflective electrode 8 may be covered. In the present invention, the auxiliary electrode 8 'and the reflective electrode 8 are formed in the same process. For example, as shown in FIG. 2, the auxiliary electrode 8 ′ is disposed immediately above the contact hole 16, is formed in a pattern crossing between the pixels, and functions as a potential line of the transparent electrode 13 serving as a common electrode. The formation pattern of the auxiliary electrode 8 ′ is not limited to the configuration shown in FIG. 2, and it may be arranged between all the pixels or arranged in a matrix. The auxiliary electrode 8 'traverses the display area, is connected to a contact line provided outside the display area, and is supplied with a common potential supplied via a connection terminal.

つまり、本発明の有機EL表示装置の特徴となる構成は、コンタクトホール16上において、第2絶縁層7を介して反射電極8と同一工程で形成された補助電極8’が積層されていることにある。コンタクトホール16以外においては、補助電極8’は第2絶縁層7を形成した上に配置しても良く、また、第2絶縁層7を形成せず、反射電極8のパターン間において、第1絶縁層5上に配置しても良い。   In other words, the characteristic structure of the organic EL display device of the present invention is that the auxiliary electrode 8 ′ formed in the same process as the reflective electrode 8 is laminated on the contact hole 16 via the second insulating layer 7. It is in. Other than the contact hole 16, the auxiliary electrode 8 ′ may be disposed on the second insulating layer 7. The second insulating layer 7 is not formed, and the first electrode 8 ′ is formed between the reflective electrode 8 patterns. You may arrange | position on the insulating layer 5. FIG.

本発明においては、補助電極8’は反射電極8と同一工程で形成されているため、補助電極8’形成のために新たに工程を追加する必要が無く、工程数増加による表示装置の製造コスト増加や、製造工程に特有の不具合による歩留まり低下を防ぐことができる。   In the present invention, since the auxiliary electrode 8 ′ is formed in the same process as the reflective electrode 8, there is no need to add a new process for forming the auxiliary electrode 8 ′, and the manufacturing cost of the display device due to an increase in the number of processes is increased. It is possible to prevent an increase and a decrease in yield due to defects peculiar to the manufacturing process.

透明電極13は補助電極8’と電気的に接続されている。図1では、コンタクトホール16の直上にて、透明電極13と補助電極8’が接続している構成を示しているが、接続位置は限定されるものではない。補助電極8’が全領域で透明電極と接続されていても良いし、透明電極13が各画素当たり、もしくは複数画素当たりにそれぞれ分割されており、各透明電極13がそれぞれ補助電極8’に接続されていても良い。   The transparent electrode 13 is electrically connected to the auxiliary electrode 8 '. Although FIG. 1 shows a configuration in which the transparent electrode 13 and the auxiliary electrode 8 ′ are connected immediately above the contact hole 16, the connection position is not limited. The auxiliary electrode 8 ′ may be connected to the transparent electrode in the entire region, or the transparent electrode 13 is divided for each pixel or for each of a plurality of pixels, and each transparent electrode 13 is connected to the auxiliary electrode 8 ′. May be.

透明電極13と補助電極8’の接続方法は、公知技術を適用することができる。例えば、有機発光層12の形成時にマスク塗り分けし、透明電極13と接続する箇所については、補助電極8’上に有機発光層12を形成しないようにすることで、図1の構成が得られる。或いは、有機発光層12を基板全面に形成した後に、透明電極13との接続部分のみ、レーザー加工により補助電極8’上の有機発光層12を除去し、続いて透明電極13を形成することでも図1の構成が得られる。   A known technique can be applied as a method of connecting the transparent electrode 13 and the auxiliary electrode 8 ′. For example, when the organic light emitting layer 12 is formed, the mask is separately applied and the organic light emitting layer 12 is not formed on the auxiliary electrode 8 ′ at the portion connected to the transparent electrode 13, thereby obtaining the configuration of FIG. 1. . Alternatively, after the organic light emitting layer 12 is formed on the entire surface of the substrate, the organic light emitting layer 12 on the auxiliary electrode 8 ′ is removed by laser processing only at the connection portion with the transparent electrode 13, and then the transparent electrode 13 is formed. The configuration of FIG. 1 is obtained.

本発明の構成において、第2絶縁層7の端部は反射電極8で覆われていることが望ましい。これにより、反射電極8及び補助電極8’形成時における第2絶縁層7端部へのパターン形成ダメージを抑えることができる。第2絶縁層7へのダメージが大きい場合、第2絶縁層7の端部が剥がれる場合があり、表示装置の歩留まり低下に繋がる可能性がある。   In the configuration of the present invention, it is desirable that the end portion of the second insulating layer 7 is covered with the reflective electrode 8. Thereby, the pattern formation damage to the edge part of the 2nd insulating layer 7 at the time of reflection electrode 8 and auxiliary electrode 8 'formation can be suppressed. When the damage to the second insulating layer 7 is large, the end portion of the second insulating layer 7 may be peeled off, which may lead to a decrease in the yield of the display device.

また、第2絶縁層7の端部が、第3絶縁層11で覆われていることが望ましい。仮に、第2絶縁層7の端部において剥がれが発生した場合であっても、第3絶縁層11で覆うことにより、端部剥がれを覆うことができる。   Further, it is desirable that the end portion of the second insulating layer 7 is covered with the third insulating layer 11. Even if peeling occurs at the end portion of the second insulating layer 7, the end peeling can be covered by covering with the third insulating layer 11.

更には、反射電極8の端部は、第3絶縁層11によって覆われていることが望ましい。反射電極8の厚さ50nm乃至300nmに対して有機発光層12の厚さも50nm乃至300nmで同程度である。そのため、反射電極8上に形成した有機発光層12が反射電極8の端部を十分に覆うことができずに、次に形成される透明電極13と反射電極8が接触ショートする場合がある。この場合、反射電極8と透明電極13の間に電圧を印加できなくなるため、非発光画素となる問題が発生する。特に、有機発光層12を直進性の高い、例えば加熱蒸着や転写で形成し、透明電極13を回り込みの大きいスパッタで形成する場合には、より反射電極8端部での透明電極13とのショートが問題となる。   Furthermore, it is desirable that the end portion of the reflective electrode 8 is covered with the third insulating layer 11. The thickness of the organic light emitting layer 12 is about the same at 50 nm to 300 nm with respect to the thickness of the reflective electrode 8 of 50 nm to 300 nm. For this reason, the organic light emitting layer 12 formed on the reflective electrode 8 cannot sufficiently cover the end of the reflective electrode 8, and the transparent electrode 13 and the reflective electrode 8 to be formed next may be short-circuited. In this case, a voltage cannot be applied between the reflective electrode 8 and the transparent electrode 13, which causes a problem of non-light emitting pixels. In particular, when the organic light-emitting layer 12 is formed with high rectilinearity, for example, by heat deposition or transfer, and the transparent electrode 13 is formed by sputtering with a large wraparound, a short circuit with the transparent electrode 13 at the end of the reflective electrode 8 is performed. Is a problem.

引き出し電極6は導電性材料から形成される。引き出し電極6は、TFT3と反射電極8を電気的に接続する役割を担っており、双方に対してコンタクト抵抗が低く、密着性が高い材料、形成プロセスから選択される。引き出し電極6は、反射電極8と電気的に接続が維持されていれば形成パターンは制限されない。反射電極8の一部で接続していても、反射電極8よりも大きなパターンの引き出し電極6を形成しても良い。   The extraction electrode 6 is made of a conductive material. The extraction electrode 6 plays a role of electrically connecting the TFT 3 and the reflection electrode 8, and is selected from a material and a formation process with low contact resistance and high adhesion to both. The formation pattern of the extraction electrode 6 is not limited as long as the extraction electrode 6 is electrically connected to the reflection electrode 8. The lead electrode 6 having a pattern larger than that of the reflective electrode 8 may be formed even if the reflective electrode 8 is partially connected.

反射電極8、補助電極8’は高反射率材料からなり、導電性を有する材料から構成される。図4に示すように、反射電極8や補助電極8’の下に、第1絶縁層5や第2絶縁層7との密着性を改善する密着層9、9’を形成しても良い。また、反射電極8や補助電極8’上に有機発光層12への電子もしくは正孔注入性を改善する電位制御層10、10’を形成したりしても良い。   The reflective electrode 8 and the auxiliary electrode 8 'are made of a highly reflective material and are made of a conductive material. As shown in FIG. 4, adhesion layers 9 and 9 ′ that improve adhesion to the first insulating layer 5 and the second insulating layer 7 may be formed under the reflective electrode 8 and the auxiliary electrode 8 ′. Further, the potential control layers 10 and 10 ′ for improving the electron or hole injection property to the organic light emitting layer 12 may be formed on the reflective electrode 8 and the auxiliary electrode 8 ′.

電位制御層10の形成においては、TFT3と接続する引き出し電極6と電位制御層10を部分的に、反射電極8を介さずに直接接続させ、コンタクト抵抗を小さくすることもできる。引き出し電極6を反射電極8で覆わない箇所を画素内に設け、電位制御層10を形成することで形成できる。引き出し電極6と電位制御層10のコンタクト部は、第3絶縁層11の下に配置することが好ましい。電子もしくは正孔注入面となる電位制御層10に大きな凹凸がある場合、電位むらにより発光輝度が変化するためであり、反射電極8の厚みによるコンタクト部凹凸での輝度むら発生を避けるために第3絶縁層11で覆い、発光しないようにする。   In the formation of the potential control layer 10, the lead electrode 6 connected to the TFT 3 and the potential control layer 10 can be partially connected directly without using the reflective electrode 8 to reduce the contact resistance. A portion where the extraction electrode 6 is not covered with the reflection electrode 8 is provided in the pixel, and the potential control layer 10 is formed. The contact portion between the extraction electrode 6 and the potential control layer 10 is preferably disposed below the third insulating layer 11. This is because when the potential control layer 10 serving as the electron or hole injection surface has large unevenness, the emission luminance changes due to the unevenness of the potential, and in order to avoid the unevenness of brightness due to the unevenness of the contact portion due to the thickness of the reflective electrode 8. 3 Cover with an insulating layer 11 to prevent light emission.

本例の構成では、1画素を単色発光させることが可能であり、3個の画素にてR(赤)、G(緑)、B(青)を発光制御することでカラー表示の1ピクセルとしてカラー表示させることができる。   In the configuration of this example, it is possible to emit one pixel in a single color, and by controlling light emission of R (red), G (green), and B (blue) with three pixels, one pixel for color display is obtained. Color display is possible.

以上に述べたように、本発明においては、透明電極13と接続する補助電極8’が配置されることにより、表示領域内における透明電極13の電圧勾配を小さく抑えることができる。また、反射電極8とTFTが接続するコンタクトホール16上に、第2絶縁層7を介して、補助電極8’を反射電極8と同一工程で形成するため、補助電極8’のためだけに新たな工程を設けることなく、更には補助電極8’配置による開口率低下を防ぐことができる。よって、製造容易性、高精細化に優れた有機EL表示装置を提供することができる。   As described above, in the present invention, the voltage gradient of the transparent electrode 13 in the display region can be suppressed small by arranging the auxiliary electrode 8 ′ connected to the transparent electrode 13. Further, since the auxiliary electrode 8 ′ is formed in the same process as the reflective electrode 8 through the second insulating layer 7 on the contact hole 16 where the reflective electrode 8 and the TFT are connected, it is newly added only for the auxiliary electrode 8 ′. In addition, it is possible to prevent a decrease in the aperture ratio due to the arrangement of the auxiliary electrode 8 ′ without providing a simple process. Therefore, it is possible to provide an organic EL display device excellent in manufacturability and high definition.

各部材について更に詳細に説明する。引き出し電極6は導電性材料であり、テーパー形状を有するコンタクトホール16に形成されるため、外光反射抑制の観点からは低反射率の材料が好ましいが、限定されるものではない。材料としては、例えばITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜、Cr、Al、Ag、Au、Pt等の金属を50乃至150nm程度形成した膜などが挙げられる。   Each member will be described in more detail. Since the extraction electrode 6 is a conductive material and is formed in the contact hole 16 having a tapered shape, a material having a low reflectance is preferable from the viewpoint of suppressing reflection of external light, but is not limited thereto. Examples of the material include a transparent conductive film such as ITO, IZO and ZnO, and a film in which a metal such as Cr, Al, Ag, Au and Pt is formed to a thickness of about 50 to 150 nm.

反射電極8は高反射率の導電性材料である。例えばCr、Al、Ag、Au、Pt等の金属を50乃至300nm程度形成した膜からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。また、これらの金属膜は導電性が高く、電極材料として優れている。   The reflective electrode 8 is a highly reflective conductive material. For example, it is preferably made of a film in which a metal such as Cr, Al, Ag, Au, or Pt is formed to a thickness of about 50 to 300 nm. This is because the higher the reflectance, the higher the light extraction efficiency. Further, these metal films have high conductivity and are excellent as electrode materials.

透明電極13は透過率の高い導電性材料であり、光取り出し電極となる。各画素から発せられた光は、透明電極13を介して取り出される。図1の有機EL表示装置はトップエミッション型の有機EL表示装置である。透明電極13の電極材料としては、透過率の高い材料が好ましい。例えば、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜、Ag、Au、Alなどの金属を10nm乃至30nm程度形成した半透過膜でもよい。   The transparent electrode 13 is a conductive material having a high transmittance and serves as a light extraction electrode. Light emitted from each pixel is extracted through the transparent electrode 13. The organic EL display device of FIG. 1 is a top emission type organic EL display device. As the electrode material of the transparent electrode 13, a material having a high transmittance is preferable. For example, a transparent conductive film such as ITO, IZO, or ZnO, or a semi-transmissive film in which a metal such as Ag, Au, or Al is formed to a thickness of about 10 nm to 30 nm may be used.

第1絶縁層5、第2絶縁層7、第3絶縁層11は平坦性に優れる絶縁性材料が好ましく、例えば、パターンを塗布形成できる感光性アクリルやポリイミド等が好適に用いられる。   The first insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 11 are preferably made of an insulating material that is excellent in flatness. For example, photosensitive acrylic or polyimide that can be formed by applying a pattern is preferably used.

有機発光層12は、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも1種を用いることができる。正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、または電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機発光層9は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。   The organic light emitting layer 12 can use at least one selected from an organic light emitting material, a hole injection material, an electron injection material, a hole transport material, and an electron transport material. The range of color selection can be expanded by doping the hole injection material or the hole transport material with an organic light emitting material, or doping the electron injection material or the electron transport material with an organic light emitting material. Furthermore, the organic light emitting layer 9 is preferably an amorphous film from the viewpoint of light emission efficiency.

各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等が使用できる。また、これらの単独オリゴ体或いは複合オリゴ体が使用できる。但し、本発明の構成として例示の材料に限定されるものではない。   As the organic light-emitting material of each color, a triarylamine derivative, a stilbene derivative, a polyarylene, an aromatic condensed polycyclic compound, an aromatic heterocyclic compound, an aromatic heterocyclic condensed compound, a metal complex compound, or the like can be used. Moreover, these single oligo bodies or composite oligo bodies can be used. However, the configuration of the present invention is not limited to the exemplified materials.

有機発光層は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各単機能を持つ層であってもよいし、複合機能を持つ層であってもよい。有機発光層の膜厚は50nm乃至300nm程度が良く、好ましくは50nm乃至150nm程度である。正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Eu錯体等が使用できるが、本発明の構成として限定されるものではない。電子注入及び輸送材料の例としては、アルミに8−ヒドロキシキノリンの3量体が配位したAlq3、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できる。   The organic light emitting layer may be a layer having a single function of hole injection, hole transport, electron injection, or electron transport, or a layer having a composite function. The thickness of the organic light emitting layer is preferably about 50 nm to 300 nm, and preferably about 50 nm to 150 nm. As the hole injection and transport material, a phthalocyanine compound, a triarylamine compound, a conductive polymer, a perylene compound, an Eu complex, or the like can be used, but the structure of the present invention is not limited. As an example of the electron injection and transport material, Alq3 in which a trimer of 8-hydroxyquinoline is coordinated to aluminum, an azomethine zinc complex, a distyrylbiphenyl derivative system, or the like can be used.

封止層14は、水分や酸素に弱い有機発光素子を、大気中の水分や酸素から保護できるものであれば、特に材質、形態は限定されない。例えば、SiN、SiO、SiONなどの無機パッシベーション膜、防湿性の高い樹脂膜、吸湿材を供えた掘り込みガラス基板、などを好適に用いることができる。保護膜15は、封止層14を保護するためのものであり、外光反射によるコントラスト低下を防ぐ目的で、偏光板、反射防止膜の機能を備えていても良い。例えば、アクリル板、PET樹脂板などを用いることができる。   The material and form of the sealing layer 14 are not particularly limited as long as the organic light-emitting element that is sensitive to moisture and oxygen can be protected from moisture and oxygen in the atmosphere. For example, an inorganic passivation film such as SiN, SiO, or SiON, a highly moisture-proof resin film, a dug glass substrate provided with a hygroscopic material, and the like can be preferably used. The protective film 15 is for protecting the sealing layer 14, and may have functions of a polarizing plate and an antireflection film for the purpose of preventing a decrease in contrast due to external light reflection. For example, an acrylic plate or a PET resin plate can be used.

図3に本発明の有機EL表示装置の製造工程の一例を示す。先ず、基板1上に層間絶縁膜2、TFT3、パッシベーション層4を形成し、コンタクトホール16となる位置において、第1絶縁層5をパターン除去し形成する。続いて、コンタクトホール16となる位置において、パッシベーション層4をパターン除去する。パッシベーション層4と第1絶縁層5のパターン除去は同時に行っても良い(図3(a))。   FIG. 3 shows an example of the manufacturing process of the organic EL display device of the present invention. First, the interlayer insulating film 2, the TFT 3, and the passivation layer 4 are formed on the substrate 1, and the first insulating layer 5 is formed by removing the pattern at a position to be the contact hole 16. Subsequently, the passivation layer 4 is pattern-removed at a position to be the contact hole 16. The pattern removal of the passivation layer 4 and the first insulating layer 5 may be performed simultaneously (FIG. 3A).

続いて、コンタクトホール16の位置に引き出し電極6をパターン形成し、コンタクトホール16を覆うように第2絶縁層7を形成する(図3(b))。次に、反射電極8、8’の材料を全面に形成した後、フォトプロセスにより反射電極8と補助電極8’をパターン形成する(図3(c))。この時、反射電極8が第2絶縁層7のパターン端部を覆うようにするとよい。そして、反射電極8の端部、第2絶縁層7の端部を覆うように、第3絶縁層11をパターン形成する(図3(d))。この時、第3絶縁層11で補助電極8’の端部を覆うことも、露出させることもでき、透明電極13との接続手法、補助電極8’の保護の観点から選択することができる。   Subsequently, the extraction electrode 6 is patterned at the position of the contact hole 16, and the second insulating layer 7 is formed so as to cover the contact hole 16 (FIG. 3B). Next, after the material of the reflective electrodes 8 and 8 'is formed on the entire surface, the reflective electrode 8 and the auxiliary electrode 8' are patterned by a photo process (FIG. 3C). At this time, the reflective electrode 8 may cover the pattern end of the second insulating layer 7. And the 3rd insulating layer 11 is pattern-formed so that the edge part of the reflective electrode 8 and the edge part of the 2nd insulating layer 7 may be covered (FIG.3 (d)). At this time, the end portion of the auxiliary electrode 8 ′ can be covered or exposed with the third insulating layer 11, which can be selected from the viewpoint of the connection method with the transparent electrode 13 and the protection of the auxiliary electrode 8 ′.

本例では、例えば、第1絶縁層5、第2絶縁層7、第3絶縁層11に感光性ポリイミド樹脂(膜厚2μm)、引き出し電極6にITO(膜厚50nm)、反射電極8、補助電極8’にAg(膜厚150nm)を用いる。補助電極8’の配線幅は10μmである。   In this example, for example, the first insulating layer 5, the second insulating layer 7, and the third insulating layer 11 are made of photosensitive polyimide resin (film thickness 2 μm), the extraction electrode 6 is made of ITO (film thickness 50 nm), the reflective electrode 8, and the auxiliary electrode. Ag (film thickness 150 nm) is used for the electrode 8 ′. The wiring width of the auxiliary electrode 8 ′ is 10 μm.

以上の方法により、コンタクトホール16上において、第2絶縁層7上に反射電極8と同一工程からなる補助電極8’が積層された基板が作製できる。   By the above method, a substrate in which the auxiliary electrode 8 ′ having the same process as the reflective electrode 8 is laminated on the second insulating layer 7 on the contact hole 16 can be manufactured.

本例では、第3絶縁層11を形成するために工程が1つ増えているが、補助電極8’形成のためには新たな工程は発生していない。本発明において、更なる工程数抑制の効果が得られるのは、補助電極8’を複数層で形成する場合であり、反射電極8の構成層と兼用することにより、画素開口率は維持したまま、工程数の増加を抑制することが可能となる。   In this example, the number of steps is increased by one to form the third insulating layer 11, but no new step has been generated for forming the auxiliary electrode 8 '. In the present invention, the effect of further suppressing the number of steps is obtained when the auxiliary electrode 8 ′ is formed of a plurality of layers, and the pixel aperture ratio is maintained by using the auxiliary electrode 8 ′ as a constituent layer. It is possible to suppress an increase in the number of processes.

以上の工程により作製された基板に対して、透明電極13との接続位置となる補助電極8’の表面が露出するようにマスク塗り分けにより少なくとも反射電極上に有機発光層12を形成する。次いで、有機発光層12全体を覆うように透明電極13を形成して、補助電極8’との接続も行う。更に、封止層14、保護膜15を形成することにより、図1の有機EL表示装置が得られる。   The organic light emitting layer 12 is formed on at least the reflective electrode by mask coating so that the surface of the auxiliary electrode 8 ′, which is a connection position with the transparent electrode 13, is exposed on the substrate manufactured by the above steps. Next, a transparent electrode 13 is formed so as to cover the entire organic light emitting layer 12, and the auxiliary electrode 8 'is also connected. Furthermore, by forming the sealing layer 14 and the protective film 15, the organic EL display device of FIG. 1 is obtained.

本発明の構成では、透明電極13に接続する補助電極8’により、表示領域18における透明電極13’の電位勾配は小さく抑えることが可能となる。つまり、シェーディングは小さく抑えられ、表示品位を高められる。   In the configuration of the present invention, the potential gradient of the transparent electrode 13 ′ in the display region 18 can be suppressed small by the auxiliary electrode 8 ′ connected to the transparent electrode 13. That is, shading can be kept small and display quality can be improved.

図5は本発明の有機EL表示装置の他の実施形態を示す断面模式図である。本例においては、引き出し電極6が反射電極8よりも大きく形成され、密着層9を介して積層される。反射電極8上には電位制御層10が形成されており、反射電極8を覆っている。電位制御層10は第2絶縁層7の端部を覆っており、電位制御層10の端部を第3絶縁層11が覆っている。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the organic EL display device of the present invention. In this example, the extraction electrode 6 is formed larger than the reflection electrode 8 and is laminated via the adhesion layer 9. A potential control layer 10 is formed on the reflective electrode 8 and covers the reflective electrode 8. The potential control layer 10 covers the end portion of the second insulating layer 7, and the end portion of the potential control layer 10 is covered by the third insulating layer 11.

補助電極8’は密着層9、反射電極8、電位制御層10と同一の積層構造から構成されており、補助電極8’、密着層9’の端部を電位制御層10’で覆っている。電位制御層10’の端部は第3絶縁層11で覆われてはおらず、補助電極8’、9’の膜厚を伴って剥き出しの状態となっている。   The auxiliary electrode 8 ′ has the same laminated structure as the adhesion layer 9, the reflective electrode 8, and the potential control layer 10, and the ends of the auxiliary electrode 8 ′ and adhesion layer 9 ′ are covered with the potential control layer 10 ′. . The end portion of the potential control layer 10 ′ is not covered with the third insulating layer 11, and is exposed with the thickness of the auxiliary electrodes 8 ′ and 9 ′.

密着層9は、下地となる第1絶縁層5もしくは引き出し電極6と、積層される反射電極8と密着性の高いものから選ばれるが、例えば、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜、Al、Cr、W、Mo、Ti、Cu及びその合金などを用いることができる。電位制御層10は、電位制御層10上に形成される有機発光層12への電子もしくは正孔注入性を改善するために形成され、例えば、ITO、IZO、ZnOなどの透明導電膜、アルカリ金属を含む金属合金などを用いることができる。本例では、例えば、密着層9としてITO(膜厚50nm)、電位制御層10としてITO(膜厚15nm)を形成する。その他の構成については、先の図1の例と同様のレイアウト、画素構造を有する。   The adhesion layer 9 is selected from those having high adhesion to the first insulating layer 5 or the extraction electrode 6 as a base and the reflective electrode 8 to be laminated. For example, a transparent conductive film such as ITO, IZO and ZnO, Al , Cr, W, Mo, Ti, Cu and alloys thereof can be used. The potential control layer 10 is formed in order to improve the electron or hole injection property to the organic light emitting layer 12 formed on the potential control layer 10, for example, a transparent conductive film such as ITO, IZO, ZnO or the like, an alkali metal A metal alloy containing can be used. In this example, for example, ITO (film thickness 50 nm) is formed as the adhesion layer 9 and ITO (film thickness 15 nm) is formed as the potential control layer 10. Other configurations have the same layout and pixel structure as in the example of FIG.

本例では、第3絶縁層11を形成するために工程が1つ増えているが、補助電極8’、密着層9’、電位制御層10’形成のためには新たな工程は発生していない。即ち、補助電極8’、密着層9’、電位制御層10’形成を、反射電極8、密着層9、電位制御層10の構成層と兼用することにより、画素開口率は維持したまま、工程数の増加を抑制することが可能となる。   In this example, the number of steps is increased by one to form the third insulating layer 11, but new steps have been generated to form the auxiliary electrode 8 ′, the adhesion layer 9 ′, and the potential control layer 10 ′. Absent. That is, by forming the auxiliary electrode 8 ′, the adhesion layer 9 ′, and the potential control layer 10 ′ together with the constituent layers of the reflective electrode 8, the adhesion layer 9, and the potential control layer 10, the pixel aperture ratio is maintained while maintaining the pixel aperture ratio. An increase in the number can be suppressed.

本例において、補助電極8’、密着層9’、電位制御層10’と透明電極13との接続は、次のようにして行われる。電位制御層10’の端部の側面が有機発光層12の膜厚と同等の段差を持って剥き出しの状態となっている。よって、電位制御層10’の端部側面が覆われないように有機発光層12を形成し、続いて回り込みのよい方法で透明電極13を形成することによって、透明電極13と電位制御層10’の端部側面とを接続する。これにより、透明電極13は補助電極8’との電気的接続がとられる。当該方法によれば、有機発光層12を塗り分けたり、除去したりして透明電極13との接続部を露出させる必要はない。   In this example, the connection between the auxiliary electrode 8 ′, the adhesion layer 9 ′, the potential control layer 10 ′, and the transparent electrode 13 is performed as follows. The side surface at the end of the potential control layer 10 ′ is exposed with a step equivalent to the film thickness of the organic light emitting layer 12. Therefore, the organic light emitting layer 12 is formed so as not to cover the end side surface of the potential control layer 10 ′, and then the transparent electrode 13 is formed by a method that is easy to wrap around. Connect the side of the end. Thereby, the transparent electrode 13 is electrically connected to the auxiliary electrode 8 '. According to this method, it is not necessary to separate or remove the organic light emitting layer 12 to expose the connection portion with the transparent electrode 13.

有機発光層12の形成方法としては、真空蒸着法、転写法などを、透明電極13の形成方法としては、真空スパッタ法などを用いることができる。   As a method for forming the organic light emitting layer 12, a vacuum deposition method, a transfer method, or the like can be used. As a method for forming the transparent electrode 13, a vacuum sputtering method or the like can be used.

以上、本発明の有機EL表示装置においては、透明電極13と接続する補助電極8’が配置されることにより、表示領域内における透明電極13の電圧勾配を小さく抑えることができる。また、反射電極8とTFT3が接続するコンタクトホール16上に、第2絶縁層7を介して、補助電極8’を反射電極8と同一工程で形成するため、補助電極8’のためだけに新たな工程を設ける必要がない。更には補助電極8’配置による開口率低下を防ぐことができる。よって、製造容易性、高精細化に優れた有機EL表示装置を提供することができる。   As described above, in the organic EL display device of the present invention, by arranging the auxiliary electrode 8 ′ connected to the transparent electrode 13, the voltage gradient of the transparent electrode 13 in the display region can be suppressed small. Further, since the auxiliary electrode 8 ′ is formed in the same process as the reflective electrode 8 through the second insulating layer 7 on the contact hole 16 where the reflective electrode 8 and the TFT 3 are connected, it is newly added only for the auxiliary electrode 8 ′. It is not necessary to provide a simple process. Furthermore, it is possible to prevent the aperture ratio from being lowered due to the arrangement of the auxiliary electrode 8 '. Therefore, it is possible to provide an organic EL display device excellent in manufacturability and high definition.

1:基板、3:TFT、5:第1絶縁層、6:引き出し電極、7:第2絶縁層、8:反射電極、8’:補助電極、10:電位制御層、11:第3絶縁層、12:有機発光層、13:透明電極   1: substrate, 3: TFT, 5: first insulating layer, 6: extraction electrode, 7: second insulating layer, 8: reflective electrode, 8 ′: auxiliary electrode, 10: potential control layer, 11: third insulating layer , 12: organic light emitting layer, 13: transparent electrode

Claims (8)

少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第1絶縁層と、前記第1絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第1絶縁層の開口部を覆う第2絶縁層と、前記第1絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第2絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記反射電極と補助電極とが同一工程で形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
At least a thin film transistor on a substrate, a first insulating layer covering the thin film transistor, an extraction electrode connected to the thin film transistor at an opening of the first insulating layer, and a second covering at least the opening of the first insulating layer An insulating layer; a reflective electrode connected to the extraction electrode on the first insulating layer; an auxiliary electrode on a second insulating layer insulated from the reflective electrode; and a light emitting layer on the reflective electrode An organic electroluminescence display device comprising an organic light emitting layer and a transparent electrode that covers the organic light emitting layer and is connected to the auxiliary electrode,
An organic electroluminescence display device, wherein the reflective electrode and the auxiliary electrode are formed in the same process.
前記第2絶縁層の端部が、前記反射電極にて覆われていることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein an end portion of the second insulating layer is covered with the reflective electrode. 前記第2絶縁層の端部が、第3絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein an end portion of the second insulating layer is covered with a third insulating layer. 前記反射電極の端部が、第3絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   4. The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein an end portion of the reflective electrode is covered with a third insulating layer. 5. 前記補助電極の端部が、第3絶縁層により覆われていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein an end portion of the auxiliary electrode is covered with a third insulating layer. 前記反射電極上に、電位制御層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein a potential control layer is formed on the reflective electrode. 前記引き出し電極と電位制御層が部分的に接続されていることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 6, wherein the extraction electrode and the potential control layer are partially connected. 少なくとも、基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う第1絶縁層と、前記第1絶縁層の開口部にて前記薄膜トランジスタと接続する引き出し電極と、少なくとも前記第1絶縁層の開口部を覆う第2絶縁層と、前記第1絶縁層上において前記引き出し電極に接続された反射電極と、前記反射電極とは絶縁された第2絶縁層上の補助電極と、前記反射電極上の、発光層を含む有機発光層と、前記有機発光層を覆い、前記補助電極に接続された透明電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記反射電極と補助電極とを同一工程で形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
At least a thin film transistor on a substrate, a first insulating layer covering the thin film transistor, an extraction electrode connected to the thin film transistor at an opening of the first insulating layer, and a second covering at least the opening of the first insulating layer An insulating layer; a reflective electrode connected to the extraction electrode on the first insulating layer; an auxiliary electrode on a second insulating layer insulated from the reflective electrode; and a light emitting layer on the reflective electrode An organic electroluminescent display device comprising an organic light emitting layer and a transparent electrode that covers the organic light emitting layer and is connected to the auxiliary electrode,
The reflective electrode and the auxiliary electrode are formed in the same process, and the method for manufacturing an organic electroluminescence display device.
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