JP2011151642A - 弾性表面波デバイス、発振器、モジュール装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弾性表面波デバイス1は、C面を主面とするサファイア基板10と、サファイア基板10の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極21,22と、櫛歯電極21,22及び主面11を覆う窒化アルミニウム膜30と、窒化アルミニウム膜30の表面に形成される二酸化シリコン膜40と、を有し、櫛歯電極21,22にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚KH−AlNと、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚KH−SiO2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数K2、高い音速を有する弾性表面波デバイス1が実現できる。
【選択図】図2
Description
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、2.33)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、1.04)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.78、1.04)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.15、1.38)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.80、2.54)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.85、2.83)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.80、3.08)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.30、5.17)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、5.96)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.28、6.50)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、7.25)
座標14(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標15(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標15の順に結ぶとともに、座標15と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、0.50)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.33、0.50)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.00、1.50)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.80、2.67)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.70、4.00)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.75、10.00)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標7の順に結ぶとともに、座標7と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、2.33)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、1.04)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.15、1.04)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.00、1.50)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.80、2.67)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.70、4.00)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.72、5.88)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.28、6.50)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、7.25)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標13の順に結ぶとともに、座標13と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、2.33)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.25、1.12)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.98、1.67)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.28、3.42)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.85、4.79)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.15、7.83)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標10の順に結ぶとともに、座標10と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、3.29)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.70、1.42)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.86、1.17)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.58、1.46)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、2.67)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、5.38)
これらの座標を、座標1〜座標6の順に結ぶとともに、座標6と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、3.75)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.00、2.91)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.65、2.00)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、1.33)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.60、1.25)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、1.46)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、2.21)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.28、3.38)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、4.75)
これらの座標を、座標1〜座標9の順に結ぶとともに、座標9と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることが望ましい。
(実施形態1)
その後、アルミニウム(またはアルミニウム合金)を蒸着法により成膜し、フォトリソグラフィ技術により電極パッド21a,22aを形成する。
しかし、C面サファイア基板の音速と窒化アルミニウムの音速とは近いため、酸化亜鉛(ZnO)膜を用いる場合よりも音速差に起因する周波数変動を抑制することができる。
(実施例1)
図4は、実施例1に係るKH‐AlNとKH‐SiO2と、電気機械結合係数K2との関係を示すグラフである。図4の等高線上に記載されている数字は電気機械結合係数K2(%)である。例えば、KH‐SiO2=6且つKH‐AlN=3.5の場合、電気機械結合係数K2は0.5%以上となる。ここで、窒化アルミニウム膜30の厚さta、二酸化シリコン膜40の厚さts、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚は、KH‐AlN=(2π/λ)・ta、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚は、KH‐SiO2=(2π/λ)・ts、で与えられる。なお、本願の数式における「・」の記号は乗算を、「/」の記号は除算を表す。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図4では、座標1、座標2、座標3・・・をZ1、Z2、Z3・・・と表している。
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、1.04)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.78、1.04)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.15、1.38)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.80、2.54)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.85、2.83)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.80、3.08)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.30、5.17)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、5.96)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.28、6.50)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、7.25)
座標14(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標15(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標15の順に結ぶとともに、座標15と座標1とを結んだ領域内に含まれるKH‐AlN及びKH‐SiO2を用いる。
また、図3と図4の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、音速4800m/s以上が得られることが分かる。
(実施例2)
図5は、実施例2に係るKH‐AlNとKH‐SiO2と、遅延時間温度係数(TCD)との関係を示すグラフである。図5の等高線上に記載されている数字は遅延時間温度係数(ppm/℃)である。例えば、KH‐SiO2=6且つKH‐AlN=3の場合、遅延時間温度係数は−15〜−10ppm/℃となる。ここで、窒化アルミニウム膜30の厚さta、二酸化シリコン膜40の厚さts、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚は、KH‐AlN=(2π/λ)・ta、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚は、KH‐SiO2=(2π/λ)・ts、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図5では、座標1、座標2、座標3・・・をZ1、Z2、Z3・・・と表している。
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.33、0.50)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.00、1.50)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.80、2.67)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.70、4.00)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.75、10.00)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標7の順に結ぶとともに、座標7と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いる。
また、図3と図5の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、音速5100m/s以上が得られることが分かる。
(実施例3)
図6は、実施例3に係るKH‐AlNとKH‐SiO2と、遅延時間温度係数(TCD)との関係を示すグラフ、図7は電気機械結合係数K2との関係を示すグラフである。図7の等高線上に記載されている数字は電気機械結合係数K2(%)である。例えば、KH‐SiO2=6且つKH‐AlN=3.5の場合、電気機械結合係数K2は0.5%以上となる。ここで、窒化アルミニウム膜30の厚さta、二酸化シリコン膜40の厚さts、弾性表面波の波長λ、としたとき、窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚は、KH‐AlN=(2π/λ)・ta、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚は、KH‐SiO2=(2π/λ)・ts、で与えられる。これら各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、適切な領域を以下の座標で表すことができる。なお、図6、図7では、座標1、座標2、座標3・・・をZ1、Z2、Z3・・・と表している。
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、1.04)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.15、1.04)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.00、1.50)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.80、2.67)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.70、4.00)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.72、5.88)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.28、6.50)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、7.25)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標13の順に結ぶとともに、座標13と座標1とを結んだ領域内に含まれるKH‐AlN及びKH‐SiO2を用いる。
また、図3と図6の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、音速5200m/s以上が得られることが分かる。
(実施例4)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.25、1.12)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.98、1.67)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.28、3.42)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.85、4.79)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.15、7.83)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標10の順に結ぶとともに、座標10と座標1とを結んだ領域内に含まれるKH‐AlN及びKH‐SiO2を用いる。
また、図3と図8の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、5400m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適な弾性表面波デバイスを実現できることが分かる。
(実施例5)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.70、1.42)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.86、1.17)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.58、1.46)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、2.67)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、5.38)
これらの座標を、座標1〜座標6の順に結ぶとともに、座標6と座標1とを結んだ領域内に含まれるKH‐AlN及びKH‐SiO2を用いる。
また、図3と図10の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、5400m/s以上の高い音速が実現でき、高周波帯域発振器に好適な弾性表面波デバイスを実現できることが分かる。
(実施例6)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.00、2.91)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.65、2.00)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、1.33)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.60、1.25)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、1.46)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、2.21)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.28、3.38)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、4.75)
これらの座標を、座標1〜座標9の順に結ぶとともに、座標9と座標1とを結んだ領域内に含まれるKH‐AlN及びKH‐SiO2を用いる。
また、図3と図12の各座標系で結ばれる領域とを合成して判断すると、この領域内では、5500m/s以上の高い音速が実現できることが分かる。
Claims (9)
- C面を主面とするサファイア基板と、
前記サファイア基板の主面に形成される弾性表面波を励振させる櫛歯電極と、
前記櫛歯電極及び前記主面を覆う窒化アルミニウム膜と、
前記窒化アルミニウム膜の表面に形成される二酸化シリコン膜と、を有し、
前記弾性表面波がセザワ波の2次モードであることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、2.33)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、1.04)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.78、1.04)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.15、1.38)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.80、2.54)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.85、2.83)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(9.80、3.08)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.30、5.17)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、5.96)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.28、6.50)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、7.25)
座標14(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標15(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標15の順に結ぶとともに、座標15と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、0.50)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.33、0.50)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.00、1.50)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.80、2.67)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.70、4.00)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.75、10.00)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、10.00)
これらの座標を、座標1〜座標7の順に結ぶとともに、座標7と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、2.33)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.65、1.04)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.15、1.04)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(8.00、1.50)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.80、2.67)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.70、4.00)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.72、5.88)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.28、6.50)
座標11(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、7.25)
座標12(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標13(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標13の順に結ぶとともに、座標13と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、2.33)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.93、1.88)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.83、1.33)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(7.25、1.12)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.98、1.67)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.28、3.42)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.85、4.79)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.15、7.83)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.85、7.96)
座標10(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、8.25)
これらの座標を、座標1〜座標10の順に結ぶとともに、座標10と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、3.29)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.70、1.42)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.86、1.17)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.58、1.46)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、2.67)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、5.38)
これらの座標を、座標1〜座標6の順に結ぶとともに、座標6と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記窒化アルミニウム膜の厚さta、前記二酸化シリコン膜の厚さts、前記弾性表面波の波長λとし、
前記窒化アルミニウム膜の規格化膜厚をKH‐AlN=(2π/λ)・ta、
前記二酸化シリコン膜の規格化膜厚をKH‐SiO2=(2π/λ)・ts、
で与えられる各規格化膜厚の関係を座標表示したとき、
座標1(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、3.75)
座標2(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.00、2.91)
座標3(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.65、2.00)
座標4(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、1.33)
座標5(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.60、1.25)
座標6(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.40、1.46)
座標7(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(6.00、2.21)
座標8(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(5.28、3.38)
座標9(KH‐SiO2、KH‐AlN)=(4.50、4.75)
これらの座標を、座標1〜座標9の順に結ぶとともに、座標9と座標1とを結んだ領域内に含まれる前記KH‐AlN及び前記KH‐SiO2を用いることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波デバイス。 - 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とする発振器。
- 請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とするモジュール装置。
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-
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