JP2011150354A - Positive photosensitive resin composition and method of forming cured film using the same - Google Patents

Positive photosensitive resin composition and method of forming cured film using the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive resin composition that is superior in sensitivity, film retention and storage stability and from which a cured film superior in heat resistance, adhesion, transmittance or the like is obtained by curing thereof, and to provide a method of forming the cured film using the same. <P>SOLUTION: The positive photosensitive resin composition contains: a resin which contains a specific acrylic-acid-type structural unit generating a carboxyl group upon dissociation of a dissociable group and a structural unit having a functional group capable of forming a covalent bond by reaction with a carboxyl group, is alkali-insoluble or hardly alkali-soluble, and becomes alkali-soluble upon dissociation of the acid-dissociable group; a compound having two or more epoxy groups in the molecule; and a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays having a wavelength of ≥300 nm. There is also provided the method of forming the cured film using the same. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法に関する。さらに詳しくは、液晶表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、有機ELなどの電子部品の平坦化膜、保護膜や層間絶縁膜の形成に好適な、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法に関する。   The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a cured film forming method using the same. More specifically, a positive photosensitive resin composition suitable for forming a flattening film, protective film or interlayer insulating film of electronic components such as a liquid crystal display element, an integrated circuit element, a solid-state imaging element, and an organic EL, and its use The present invention relates to a method for forming a cured film.

従来、液晶表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、有機ELなどの電子部品においては、一般に、電子部品表面の平坦性を付与するための平坦化膜、電子部品の劣化や損傷を防ぐための保護膜や絶縁性を保つための層間絶縁膜を形成する際に感光性樹脂組成物が使用される。例えば、TFT型液晶表示素子は、ガラス基板上に偏光板を設け、ITO等の透明導電回路層及び薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、層間絶縁膜で被覆して背面板とする一方、ガラス基板上に偏光板を設け、必要に応じてブラックマトリックス層及びカラーフィルター層のパターンを形成し、さらに透明導電回路層、層間絶縁膜を順次形成して上面板とし、この背面板と上面板とをスペーサーを介して対向させて両板間に液晶を封入して製造されるが、この中で層間絶縁膜を形成する際に用いられる感光性樹脂組成物としては感度、残膜率、耐熱性、密着性、透明性に優れていることが求められる。また、更に当該感光性樹脂組成物は、保存時の経時安定性に優れることが求められる。   Conventionally, in electronic parts such as liquid crystal display elements, integrated circuit elements, solid-state imaging elements, organic EL, etc., in general, a flattening film for imparting flatness to the surface of electronic parts, to prevent deterioration and damage of electronic parts A photosensitive resin composition is used when forming a protective film or an interlayer insulating film for maintaining insulation. For example, a TFT type liquid crystal display element is provided with a polarizing plate on a glass substrate, a transparent conductive circuit layer such as ITO and a thin film transistor (TFT) are formed, and covered with an interlayer insulating film to form a back plate, while on a glass substrate A polarizing plate is provided, and a pattern of a black matrix layer and a color filter layer is formed as necessary. Further, a transparent conductive circuit layer and an interlayer insulating film are sequentially formed as a top plate, and the back plate and the top plate are separated by a spacer. It is manufactured by enclosing the liquid crystal between both plates facing each other, but the photosensitive resin composition used when forming the interlayer insulating film in this is sensitivity, residual film rate, heat resistance, adhesion Excellent in transparency and transparency. Furthermore, the photosensitive resin composition is required to have excellent temporal stability during storage.

感光性樹脂組成物として、例えば、特許文献1には、(A)(a)不飽和カルボン酸または不飽和カルボン酸無水物、(b)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物および(c)他のラジカル重合性化合物の重合体であるアルカリ水溶液に可溶な樹脂、(B)感放射線性酸生成化合物を含有する感光性樹脂組成物が、特許文献2には、アルカリ可溶性アクリル系高分子バインダー、キノンジアジド基含有化合物、架橋剤、および光酸発生剤を含有して成る感光性樹脂組成物が、それぞれ提案されている。しかし、これらは、何れも感度、未露光部残膜率、解像性、経時安定性が十分でなく高品質の液晶表示素子を製造するためには満足できるものではなかった。特許文献3には、架橋剤、酸発生剤、およびそれ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により解裂しうる保護基を有し、該保護基が解裂した後はアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト組成物が提案されている。しかし、密着性や透過率が十分でなく高品質の液晶表示素子を製造するためには満足できるものではなかった。特許文献4には、アセタール構造および/またはケタール構造並びにエポキシ基を含有する樹脂、酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物が提案されているが、感度が低く満足できるものではなかった。   As the photosensitive resin composition, for example, Patent Document 1 discloses (A) (a) an unsaturated carboxylic acid or unsaturated carboxylic acid anhydride, (b) a radical polymerizable compound having an epoxy group, and (c) other A resin soluble in an alkaline aqueous solution, which is a polymer of a radical polymerizable compound, and (B) a photosensitive resin composition containing a radiation-sensitive acid generating compound, Patent Document 2 discloses an alkali-soluble acrylic polymer binder, A photosensitive resin composition comprising a quinonediazide group-containing compound, a crosslinking agent, and a photoacid generator has been proposed. However, these methods are not satisfactory for producing a high-quality liquid crystal display element because the sensitivity, unexposed part residual film ratio, resolution, and temporal stability are not sufficient. Patent Document 3 discloses that a crosslinking agent, an acid generator, and itself is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, but has a protecting group that can be cleaved by the action of an acid, and the protecting group is cleaved. Has proposed a positive chemically amplified resist composition characterized by containing a resin that is soluble in an alkaline aqueous solution. However, adhesion and transmittance are not sufficient, and it is not satisfactory for producing a high-quality liquid crystal display element. Patent Document 4 proposes a radiation-sensitive resin composition characterized by containing an acetal structure and / or a ketal structure, a resin containing an epoxy group, and an acid generator. It was not a thing.

特開平5−165214号公報JP-A-5-165214 特開平10−153854号公報JP-A-10-153854 特開2004−4669号公報JP 2004-4669 A 特開2004−264623号公報JP 2004-264623 A

そこで、本発明の課題は、感度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供することである。   Accordingly, the object of the present invention is a positive photosensitive resin composition excellent in sensitivity, remaining film ratio, and storage stability, and a cured film forming method using the same, and is cured by heat resistance and adhesion. It is to provide a positive photosensitive resin composition and a cured film forming method using the same, from which a cured film having excellent transmittance and the like can be obtained.

本発明者は、上記課題を解決する鋭意検討した結果、本発明に到達した。
本発明は、下記の通りである。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor has reached the present invention.
The present invention is as follows.

(1) (A)下記一般式(1)で表される構成単位とエポキシ基を有する構成単位(但し、下記一般式(4)で表される単量体由来の単位を除く)を含有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、(B)分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物(但し、前記Aを除く)及び(C)波長300nm以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。

Figure 2011150354
(1) (A) Containing a structural unit represented by the following general formula (1) and a structural unit having an epoxy group (excluding a monomer-derived unit represented by the following general formula (4)) A resin that is insoluble or hardly soluble in alkali and becomes alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated, (B) a compound having two or more epoxy groups in the molecule (excluding A) And (C) a positive photosensitive resin composition comprising a compound that generates an acid upon irradiation with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more.
Figure 2011150354

一般式(1)に於いて、
は、水素原子、メチル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
In general formula (1),
R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a cyano group.

及びRは、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基を表す。但し、R及びRが同時に水素原子の場合を除く。 R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group. However, the case where R 2 and R 3 are hydrogen atoms at the same time is excluded.

は、置換されてもよい直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアラルキル基を表す。 R 4 represents an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, or an aralkyl group.

とRが連結して環状エーテルを形成しても良い。

Figure 2011150354
R 2 and R 4 may be linked to form a cyclic ether.
Figure 2011150354

式中、Xは2価の連結基を表す。   In the formula, X represents a divalent linking group.

は、水素原子、メチル基又はハロゲン原子を表す。 R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.

11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表す。 R 11 and R 12 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.

nは、1〜10の整数を表す。   n represents an integer of 1 to 10.

(2) (A)成分におけるエポキシ基を有する構成単位が、下記一般式(3)又は(5)で表される単量体由来の単位であることを特徴とする上記(1)に記載のポジ型感光性樹脂組成物。

Figure 2011150354
(2) The structural unit having an epoxy group in the component (A) is a monomer-derived unit represented by the following general formula (3) or (5), described in (1) above Positive photosensitive resin composition.
Figure 2011150354

一般式(3)及び(5)中、Xは2価の連結基を表す。   In general formulas (3) and (5), X represents a divalent linking group.

は、水素原子、メチル基又はハロゲン原子を表す。 R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.

〜R10及びR13〜R15は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表す。 R 8 to R 10 and R 13 to R 15 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.

nは、1〜10の整数を表す。   n represents an integer of 1 to 10.

(3) (C)成分が、下記一般式(2)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物を含有することを特徴とする上記(1)又は(2)に記載のポジ型感光性樹脂組成物。

Figure 2011150354
(3) The positive photosensitive resin composition as described in (1) or (2) above, wherein the component (C) contains a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following general formula (2): object.
Figure 2011150354

一般式(2)に於いて、
は、置換されてもよい直鎖状、分岐状、環状アルキル基、あるいは置換されてもよいアリール基を表す。
In general formula (2),
R 5 represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aryl group which may be substituted.

(4) (C)成分が、下記一般式(2A)で表される化合物を含有することを特徴とする上記(1)又は(2)に記載のポジ型感光性樹脂組成物。

Figure 2011150354
(4) The positive photosensitive resin composition as described in (1) or (2) above, wherein the component (C) contains a compound represented by the following general formula (2A).
Figure 2011150354

一般式(2A)に於いて、
は、置換されてもよい直鎖状、分岐状、環状アルキル基、あるいは置換されてもよいアリール基を表す
Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。
mは、0〜3の整数を表す。mが2又は3であるとき、複数のXは同一でも異なっていてもよい。
In general formula (2A),
R 5 represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aryl group which may be substituted.
X represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
m represents an integer of 0 to 3. When m is 2 or 3, the plurality of X may be the same or different.

(5) (D) 密着助剤を更に含有することを特徴とする上記(1)〜(4)のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
(6) 上記(1)〜(5)のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥し、塗膜を形成する工程、マスクを介して波長300nm以上の活性光線を用いて露光する工程、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程及び得られたパターンを加熱処理する工程を含むことを特徴とする硬化膜形成方法。
(5) The positive photosensitive resin composition as described in any one of (1) to (4) above, further comprising (D) an adhesion assistant.
(6) The step of applying the positive photosensitive resin composition according to any one of the above (1) to (5) on a substrate and drying to form a coating film, actinic rays having a wavelength of 300 nm or more through a mask A method of forming a cured film, comprising: a step of exposing the substrate using an alkali developer; a step of developing using an alkali developer to form a pattern; and a step of heat-treating the obtained pattern.

(7) 更に、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程後、得られたパターンを加熱処理する工程前に、全面露光する工程を含むことを特徴とする上記(6)に記載の硬化膜形成方法。   (7) The method according to (6), further comprising a step of exposing the entire surface after the step of developing with an alkali developer and forming the pattern and before the step of heat-treating the obtained pattern. Cured film forming method.

(8) 上記(6)又は(7)に記載の方法により得られた硬化膜。   (8) A cured film obtained by the method according to (6) or (7) above.

以下、更に、本発明の好ましい実施の態様を挙げる。
(9) (A)成分の総量100質量部に対して、(B)成分を、1〜50質量部含有することを特徴とする上記(1)〜(5)のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
The preferred embodiments of the present invention will be further described below.
(9) The positive type according to any one of (1) to (5) above, wherein the component (B) is contained in an amount of 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A). Photosensitive resin composition.

(10) (A)成分の総量100質量部に対して、(C)成分を、0.1〜10質量部含有することを特徴とする上記(1)〜(5)及び(9)のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。   (10) Any of (1) to (5) and (9) above, wherein 0.1 to 10 parts by mass of component (C) is contained with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A). A positive photosensitive resin composition according to claim 1.

(11) (A)成分の総量100質量部に対して、(D)成分を、0.1〜20質量部含有することを特徴とする上記(5)、(9)及び(10)のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。   (11) The component (D) is contained in an amount of 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A). A positive photosensitive resin composition according to claim 1.

本発明により、感度、残膜率、保存安定性に優れた、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法であって、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜が得られる、ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法を提供することができる。   According to the present invention, a positive photosensitive resin composition excellent in sensitivity, remaining film ratio, and storage stability and a cured film forming method using the same, and by curing, heat resistance, adhesion, transmittance, etc. A positive photosensitive resin composition and a cured film forming method using the same can be provided.

以下、本発明を詳細に説明する。
尚、本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In addition, in the description of the group (atomic group) in this specification, the description which does not describe substitution and non-substitution includes what has a substituent with what does not have a substituent. For example, the “alkyl group” includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

(A)樹脂成分
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、下記一般式(1)で表される構成単位とカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位を含有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂(「(A)成分」ともいう)を含有するが、更にそれ以外の樹脂を含有してもよい。ここで、酸解離性基とは酸の存在下で解離することが可能な官能基を表す。

Figure 2011150354
(A) Resin Component The positive photosensitive resin composition of the present invention contains a structural unit represented by the following general formula (1) and a structural unit having a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond. In addition, it contains a resin (also referred to as “component (A)”) that is insoluble or hardly soluble in alkali and becomes alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated, but further contains other resins. May be. Here, the acid dissociable group represents a functional group capable of dissociating in the presence of an acid.
Figure 2011150354

一般式(1)に於いて、
は、水素原子、メチル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
及びRは、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基を表す。但し、R及びRが同時に水素原子の場合を除く。
は、置換されてもよい直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアラルキル基を表す。
In general formula (1),
R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a cyano group.
R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group. However, the case where R 2 and R 3 are hydrogen atoms at the same time is excluded.
R 4 represents an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, or an aralkyl group.

とRが連結して環状エーテルを形成しても良い。 R 2 and R 4 may be linked to form a cyclic ether.

一般式(1)に於ける、Rは水素原子若しくはメチル基が好ましい。
及びRは、炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
In the general formula (1), R 1 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R 2 and R 3 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

は、置換されてもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基が好ましい。ここで、置換基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基あるいはハロゲン原子が好ましい。
としてのアラルキル基は、炭素数7〜10のアラルキル基が好ましい。
とRが連結して環状エーテルを形成する際には、RとRが連結して炭素数2〜5のアルキレン鎖を形成することが好ましい。
R 4 is preferably a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted. Here, as a substituent, a C1-C5 alkoxy group or a halogen atom is preferable.
The aralkyl group as R 4 is preferably an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.
When R 2 and R 4 are linked to form a cyclic ether, it is preferable that R 2 and R 4 are linked to form an alkylene chain having 2 to 5 carbon atoms.

一般式(1)で表される構成単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体としては、例えば、1−アルコキシアルキルアクリレート、1−アルコキシアルキルメタクリレート、1−(ハロアルコキシ)アルキルアクリレート、1−(ハロアルコキシ)アルキルメタクリレート、1−(アラルキルオキシ)アルキルアクリレート、1−(アラルキルオキシ)アルキルメタクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレートなどが挙げられる。これらの中で、1−アルコキシアルキルアクリレート、1−アルコキシアルキルメタクリレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、テトラヒドロピラニルメタクリレートが好ましく、1−アルコキシアルキルアクリレート、1−アルコキシアルキルメタクリレートが特に好ましい。   Examples of the radical polymerizable monomer used to form the structural unit represented by the general formula (1) include 1-alkoxyalkyl acrylate, 1-alkoxyalkyl methacrylate, 1- (haloalkoxy) alkyl acrylate, Examples include 1- (haloalkoxy) alkyl methacrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl acrylate, 1- (aralkyloxy) alkyl methacrylate, tetrahydropyranyl acrylate, and tetrahydropyranyl methacrylate. Among these, 1-alkoxyalkyl acrylate, 1-alkoxyalkyl methacrylate, tetrahydropyranyl acrylate and tetrahydropyranyl methacrylate are preferable, and 1-alkoxyalkyl acrylate and 1-alkoxyalkyl methacrylate are particularly preferable.

一般式(1)で表される構成単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体の具体例としては、例えば、1−エトキシエチルメタクリレート、1−エトキシエチルアクリレート、1−メトキシエチルメタクリレート、1−メトキシエチルアクリレート、1−n−ブトキシエチルメタクリレート、1−n−ブトキシエチルアクリレート、1−イソブトキシエチルメタクリレート、1−(2−クロルエトキシ)エチルメタクリレート、1−(2−エチルヘキシルオキシ)エチルメタクリレート、1−n−プロポキシエチルメタクリレート、1−シクロヘキシルオキシエチルメタクリレート、1−(2−シクロヘキシルエトキシ)エチルメタクリレート、1−ベンジルオキシエチルメタクリレートなどを挙げることができ、単独又は2種類以上を組合わせて使用することができる。   Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit represented by the general formula (1) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1- (2-chloroethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl methacrylate, and the like. It can be used in combination the above.

一般式(1)で表される構成単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いることもできる。例えば、下記に示すように(メタ)アクリル酸を酸触媒の存在下でビニルエーテルと反応させることにより合成することができる。

Figure 2011150354
As the radical polymerizable monomer used for forming the structural unit represented by the general formula (1), a commercially available one may be used, or one synthesized by a known method may be used. For example, as shown below, it can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.
Figure 2011150354

ここで、R1、R3及びR4は、一般式(1)におけるR1、R3及びR4に対応し、R13及びR14は、−CH(R13)( R14)として、一般式(1)におけるR2に対応する。
本発明の感光性組成物は基板上に塗布、乾燥し塗膜を形成する工程、マスクを介して活性光線を用いて露光する工程、アルカリ現像液を用いて現像しパターンを形成する工程、必要に応じて全面露光する工程、及び得られたパターンを加熱処理する工程を含むプロセスを経て、硬化膜を形成するが、全面露光或いは加熱処理の工程で(A)成分における式(1)で表される構成単位から酸解離性基(−C(R)(R)OR)が解離し、(A)成分の側鎖にカルボキシル基が生成する。
Wherein, R 1, R 3 and R 4 correspond to R 1, R 3 and R 4 in the general formula (1), R 13 and R 14, -CH (R 13) as (R 14), This corresponds to R 2 in the general formula (1).
The photosensitive composition of the present invention is applied on a substrate and dried to form a coating film, exposed to light using an actinic ray through a mask, developed using an alkaline developer to form a pattern, necessary The cured film is formed through a process including a step of exposing the entire surface in accordance with the above and a step of heat-treating the obtained pattern, and is represented by the formula (1) in the component (A) in the step of the entire surface exposure or heat treatment. The acid dissociable group (—C (R 2 ) (R 3 ) OR 4 ) is dissociated from the structural unit to form a carboxyl group in the side chain of the component (A).

本発明の(A)成分中に含まれるカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構造単位における、「カルボキシルと反応して共有結合を形成し得る官能基」とは、上記のように(A)成分の側鎖に生成するカルボキシル基と加熱処理により、反応し、共有結合を形成する官能基を意味する。   In the structural unit having a functional group capable of reacting with a carboxyl group contained in the component (A) of the present invention to form a covalent bond, the “functional group capable of reacting with a carboxyl to form a covalent bond” The functional group which reacts with the carboxyl group produced | generated to the side chain of (A) component like this by heat processing, and forms a covalent bond is meant.

上記のように、(A)成分の側鎖に生成するカルボキシル基と(A)成分中の「カルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基」が加熱処理により共有結合を形成し、架橋することにより、良好な硬化膜を形成することになる。
このようなカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基としては、例えば、エポキシ基、オキセタン基などが挙げられ、特にエポキシ基が好ましい。
As described above, the carboxyl group generated in the side chain of the component (A) and the “functional group capable of forming a covalent bond by reacting with the carboxyl group” in the component (A) form a covalent bond by heat treatment, By crosslinking, a good cured film is formed.
Examples of such a functional group that can react with a carboxyl group to form a covalent bond include an epoxy group and an oxetane group, and an epoxy group is particularly preferable.

カルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位として、下記一般式(3)〜(5)のいずれかで表されるラジカル重合性単量体を用いて形成される、官能基としてエポキシ基を含有する構成単位が好ましい。一般式(3)〜(5)のいずれかで表されるラジカル重合性単量体の分子量は、好ましくは100〜500、より好ましくは120〜200である。

Figure 2011150354
As a structural unit having a functional group capable of forming a covalent bond by reacting with a carboxyl group, it is formed using a radical polymerizable monomer represented by any one of the following general formulas (3) to (5). A structural unit containing an epoxy group as a functional group is preferred. The molecular weight of the radical polymerizable monomer represented by any one of the general formulas (3) to (5) is preferably 100 to 500, and more preferably 120 to 200.
Figure 2011150354

一般式(3)〜(5)中、Xは2価の連結基を表し、例えば、−O−、−S−または、−COO−、−OCH2COO−などの有機基が挙げられる。
は、水素原子、メチル基又はハロゲン原子を表し、水素原子若しくはメチル基が好ましい。
〜R15は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基を表す。好ましくは水素原子又はメチル基を表す。
nは、1〜10の整数である。
In General Formulas (3) to (5), X represents a divalent linking group, and examples thereof include organic groups such as —O—, —S—, —COO—, and —OCH 2 COO—.
R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom, preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R 8 to R 15 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. Preferably it represents a hydrogen atom or a methyl group.
n is an integer of 1-10.

カルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基としてエポキシ基を含有する構成単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体を具体的に例示すると、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸3,4−エポキシブチル、メタクリル酸3,4−エポキシブチル、アクリル酸4,5−エポキシペンチル、メタクリル酸4,5−エポキシペンチル、アクリル酸6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸6,7−エポキシヘプチルなどの(メタ)アクリレート類;o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル、p-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル−o-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル−m-ビニルベンジルグリシジルエーテル、α-メチル−p-ビニルベンジルグリシジルエーテルなどのビニルベンジルグリシジルエーテル類;p−ビニルフェニルグリシジルエーテル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートが挙げられる。アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートが好ましく、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジルが特に好ましい。   Specific examples of radical polymerizable monomers used to form a structural unit containing an epoxy group as a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, 3,4-epoxybutyl methacrylate, 4,5-epoxypentyl acrylate, 4,5-epoxypentyl methacrylate, 6,7-epoxyheptyl acrylate, 6,7 methacrylate -(Meth) acrylates such as epoxy heptyl; o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, α-methyl-o-vinylbenzyl glycidyl ether, α-Methyl-m-vinylbenzylglycidyl Ether, vinylbenzyl glycidyl ethers such as α- methyl -p- vinylbenzyl glycidyl ether; p-vinylphenyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate. Glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, p-vinylphenyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, and 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate are preferable, and glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate are particularly preferable.

また、上記官能基としてエポキシ基を有する具体例において、エポキシ基をオキセタン基に置き換えた化合物を用いて、官能基としてオキセタン基を有する構成単位を形成することができる。   In the specific example having an epoxy group as the functional group, a structural unit having an oxetane group as a functional group can be formed using a compound in which the epoxy group is replaced with an oxetane group.

カルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体は、市販のものを用いても、公知の方法で合成したものを用いてもよい。   The radical polymerizable monomer used to form a structural unit having a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond may be a commercially available one or one synthesized by a known method. May be.

一般式(1)で表される構成単位の含有率は、(A)成分の樹脂を構成する全繰り返し単位中、10〜90モル%が好ましく、20〜50モル%がより好ましい。
カルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位の含有率は、(A)成分の樹脂を構成する全繰り返し単位中、5〜50モル%が好ましく、10〜40モル%がより好ましい。
The content of the structural unit represented by the general formula (1) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 20 to 50 mol%, in all repeating units constituting the resin of the component (A).
The content of the structural unit having a functional group capable of forming a covalent bond by reacting with a carboxyl group is preferably 5 to 50 mol%, and preferably 10 to 40 mol% in all repeating units constituting the resin of component (A). Is more preferable.

(A)成分において、必要に応じて、一般式(1)で表される構成単位及びカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位以外の構成単位を共重合することができる。   In the component (A), if necessary, the constituent unit other than the constituent unit represented by the general formula (1) and the constituent unit having a functional group capable of forming a covalent bond by reacting with the carboxyl group is copolymerized. Can do.

一般式(1)で表される構成単位及びカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位以外の構成単位としては、スチレン、tert−ブトキシスチレン、メチルスチレン、ヒドロキシスチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、α−メチル−アセトキシスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、クロルスチレン、ビニル安息香酸メチル、ビニル安息香酸エチル、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸n−プロピル、メタクリル酸n−プロピル、アクリル酸イソプロピル、メタクリル酸イソプロピル、アクリル酸tert−ブチル、メタクリル酸tert−ブチル、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸2−ヒドロキシプロピル、アクリル酸ベンジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸イソボルニル、メタクリル酸イソボルニル、グリシジルメタクリレート、アクリロニトリルなどによる構成単位を挙げることができ、単独又は2種類以上を組合わせて使用することができる。   Examples of the structural unit other than the structural unit represented by the general formula (1) and the structural unit having a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene, α-methylstyrene, acetoxystyrene, α-methyl-acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, ethyl vinylbenzoate, acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate, methyl methacrylate, acrylic acid Ethyl, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, tert-butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxy methacrylate Examples of the structural unit include ethyl, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, glycidyl methacrylate, acrylonitrile, and the like. The above can be used in combination.

これら構成単位の含有率は、総量として、(A)成分の樹脂を構成する全繰り返し単位中、90モル%以下が好ましく、より好ましくは60モル%以下である。
(A)成分の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量で、好ましくは、1,000〜200,000、より好ましくは2,000〜50,000の範囲である。
(A)成分は、異なる構成単位を含む樹脂を2種以上混合して使用することもできるし、また、同一の構成単位からなり組成の異なる2種以上の樹脂を混合して使用することもできる。
The total content of these structural units is preferably 90 mol% or less, more preferably 60 mol% or less in the total repeating units constituting the resin of component (A).
(A) The molecular weight of a component is a polystyrene conversion weight average molecular weight, Preferably it is 1,000-200,000, More preferably, it is the range of 2,000-50,000.
As the component (A), two or more kinds of resins containing different constitutional units can be mixed and used, or two or more kinds of resins comprising the same constitutional unit and having different compositions can be used in combination. it can.

また、(A)成分の合成法についても、様々な方法が知られているが、一例を挙げると、少なくとも一般式(1)で表される構成単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体とカルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基を有する構成単位を形成するために用いられるラジカル重合性単量体を含むラジカル重合性単量体混合物を有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を用いて重合することにより合成することができる。   Various methods for synthesizing the component (A) are known. To give an example, at least a radical polymerizable monomer used to form the structural unit represented by the general formula (1) is given. Radical polymerization of a radical polymerizable monomer mixture containing a radical polymerizable monomer used to form a structural unit having a functional group capable of forming a covalent bond by reacting with a carboxyl group in an organic solvent. It can synthesize | combine by superposing | polymerizing using an initiator.

(B)分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物
分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物(「(B)成分」ともいう)の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。
(B) Compound having two or more epoxy groups in the molecule Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule (also referred to as “component (B)”) include bisphenol A type epoxy resins and bisphenols. Examples thereof include an F-type epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a cresol novolac epoxy resin, and an aliphatic epoxy resin.

これらは市販品として入手できる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、JER827、JER828、JER834、JER1001、JER1002、JER1003、JER1055、JER1007、JER1009、JER1010(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)、EPICLON860、EPICLON1050、EPICLON1051、EPICLON1055(以上、大日本インキ化学工業(株)製)等を、ビスフェノールF型エポキシ樹脂としては、JER806、JER807、JER4004、JER4005、JER4007、JER4010(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)、EPICLON830、EPICLON835(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、LCE−21、RE−602S(以上、日本化薬(株)製)、等を、フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、JER152、JER154、JER157S70(以上、ジャパンエポキシレジン(株)製)、EPICLON N−740、EPICLON N−740、EPICLON N−770、EPICLON N−775(以上、大日本インキ化学工業(株)製)等を、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、EPICLON N−660、EPICLON N−665、EPICLON N−670、EPICLON N−673、EPICLON N−680、EPICLON N−690、EPICLON N−695(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、EOCN−1020(以上、日本化薬(株)製)等を、脂肪族エポキシ樹脂としては、ADEKA RESIN EP−4080S、同 EP−4085S、同 EP−4088S(以上、ADEKA(株)製)、セロキサイド2021P、セロキサイド2081、セロキサイド2083、セロキサイド2085、EHPE3150、EPOLEAD PB 3600、同 PB 4700(以上、ダイセル化学(株)製)等が挙げられる。その他にも、
ADEKA RESIN EP−4000S、同 EP−4003S、同 EP−4010S、同 EP−4011S(以上、ADEKA(株)製)、NC−2000、NC−3000、NC−7300、XD−1000、EPPN−501、EPPN−502(以上、ADEKA(株)製)等が挙げられ、単独又は2種以上を組合せて使用することができる。
These are available as commercial products. For example, as bisphenol A type epoxy resin, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (above, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1051, EPICLON1051 , Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), etc., as bisphenol F type epoxy resin, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON830, EPICLON835 (above) , Manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), LCE-21, RE-602S (above Nippon Kayaku Co., Ltd.), etc., as phenol novolak type epoxy resins, JER152, JER154, JER157S70 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N- 770, EPICLON N-775 (manufactured by Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), etc., as cresol novolak type epoxy resins, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), EOCN-1020 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), etc. as aliphatic epoxy resins ADEKA ESIN EP-4080S, EP-4085S, EP-4088S (manufactured by ADEKA), Celoxide 2021P, Celoxide 2081, Celoxide 2083, Celoxide 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, PB 4700 (above, Daicel Chemical Etc.). In addition,
ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S, EP-4011S (above, manufactured by ADEKA Corporation), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502 (above, ADEKA Co., Ltd.) etc. are mentioned, It can use individually or in combination of 2 or more types.

これらの中で好ましいものとしては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。特にビスフェノールA型エポキシ樹脂が好ましい。   Among these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and cresol novolac type epoxy resin. A bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

(B)成分の含有率は、(A)成分の総量100質量部に対して、1〜50質量部が好ましく、更に好ましくは5〜30質量部である。   As for the content rate of (B) component, 1-50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component, More preferably, it is 5-30 mass parts.

(B)成分はクロム、モリブデン、アルミ、タンタル、チタン、銅、コバルト、タングステン、ニッケルなどの金属層との密着性向上に有効である。これら金属層をスパッタリング法で作成した場合はその効果が顕著である。   The component (B) is effective for improving the adhesion with a metal layer such as chromium, molybdenum, aluminum, tantalum, titanium, copper, cobalt, tungsten, and nickel. When these metal layers are formed by a sputtering method, the effect is remarkable.

(C)波長300nm以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物
本発明で使用される波長300nm以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物(「(C)成分」ともいう)としては、波長300nm以上の活性光線に感光し、酸を発生する化合物を表し、構造により制限されるものではない。発生酸としてはpKaが3以下の酸を発生する化合物が好ましく、スルホン酸を発生する化合物が特に好ましい。これら(C)成分は単独又は2種類以上を組合わせて使用することができる。
(C)成分の具体例としては、一般式(2)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物が好ましい。

Figure 2011150354
(C) Compound that generates acid upon irradiation with actinic rays having a wavelength of 300 nm or longer As the compound that generates acid upon irradiation with actinic rays having a wavelength of 300 nm or longer, which is used in the present invention (also referred to as “component (C)”), It represents a compound that is sensitive to actinic rays having a wavelength of 300 nm or more and generates an acid, and is not limited by the structure. As the generated acid, a compound that generates an acid having a pKa of 3 or less is preferable, and a compound that generates a sulfonic acid is particularly preferable. These components (C) can be used alone or in combination of two or more.
(C) As a specific example of a component, the compound containing the oxime sulfonate group represented by General formula (2) is preferable.
Figure 2011150354

一般式(2)に於いて、
は、置換されてもよい直鎖状、分岐状、環状アルキル基、又は置換されてもよいアリール基を表す。
のアルキル基としては、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。Rのアルキル基は、炭素数1〜10のアルコキシ基あるいは脂環式基(7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基などの有橋式脂環基を含む、好ましくはビシクロアルキル基等)で置換されてもよい。
In general formula (2),
R 5 represents a linear, branched, or cyclic alkyl group that may be substituted, or an aryl group that may be substituted.
As the alkyl group for R 5, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R 5 is an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an alicyclic group (including a bridged alicyclic group such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group, preferably a bicycloalkyl group). Etc.).

のアリール基としては、炭素数6〜11のアリール基が好ましく、フェニル基あるいはナフチル基が更に好ましい。Rのアリール基は、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基あるいはハロゲン原子で置換されてもよい。
一般式(2)で表されるオキシムスルホネート基を含有する上記化合物は、下記一般式(2A)で表される化合物であることが更に好ましい。

Figure 2011150354
The aryl group for R 5 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, and more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group of R 5 may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, or a halogen atom.
The compound containing the oxime sulfonate group represented by the general formula (2) is more preferably a compound represented by the following general formula (2A).
Figure 2011150354

一般式(2A)に於いて、
は、式(2)におけるRと同じである。
Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。
mは、0〜3の整数を表す。mが2又は3であるとき、複数のXは同一でも異なっていてもよい。
Xとしてのアルキル基は、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基が好ましい。
In general formula (2A),
R 5 is the same as R 5 in formula (2).
X represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
m represents an integer of 0 to 3. When m is 2 or 3, the plurality of X may be the same or different.
The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

Xとしてのアルコキシ基は、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状アルコキシ基が好ましい。
Xとしてのハロゲン原子は、塩素原子若しくはフッ素原子が好ましい。
mは、0又は1が好ましい。
特に、一般式(2A)において、mが1、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。
The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.
m is preferably 0 or 1.
In particular, in the general formula (2A), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.

オキシムスルホネート化合物の具体例としては、例えば、下記化合物(i)、化合物(ii)、化合物(iii)、化合物(iv)、化合物(v)等が挙げられ、単独又は2種類以上を組合わせて使用することができる。また、他の種類の(C)成分と組み合わせて使用することもできる。

Figure 2011150354
Specific examples of the oxime sulfonate compound include, for example, the following compound (i), compound (ii), compound (iii), compound (iv), compound (v), etc., alone or in combination of two or more. Can be used. It can also be used in combination with other types of component (C).
Figure 2011150354

化合物(i)〜(v)は、市販品として、入手することができる。   Compounds (i) to (v) can be obtained as commercial products.

(D)密着助剤
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、更に、(D)密着助剤を含有し得る。
本発明に用い得る密着助剤(D)としては、基材となる無機物、たとえば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と絶縁膜との密着性を向上させる化合物である。具体的には、シランカップリング剤、チオール系化合物等が挙げられる。
本発明で使用される密着助剤としてのシランカップリング剤は、界面の改質を目的とするものであり、特に限定することなく、公知のものを使用することができる。
(D) Adhesion aid The positive photosensitive resin composition of the present invention may further contain (D) an adhesion aid.
As the adhesion assistant (D) that can be used in the present invention, the adhesion between an insulating material and an inorganic material serving as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, gold, copper, aluminum, or the like. It is a compound that improves. Specific examples include silane coupling agents and thiol compounds.
The silane coupling agent as the adhesion aid used in the present invention is intended to modify the interface, and any known silane coupling agent can be used without any particular limitation.

好ましいシランカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリアルコキシシラン、ビニルトリアルコキシシランが挙げられる。   Preferred silane coupling agents include, for example, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane, γ-methacryloxypropylalkyldialkoxysilane, Examples include γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane, and vinyltrialkoxysilane.

γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランやγ−メタクリロキシプロピルトリアルコキシシランがより好ましく、γ−グリシドキシプロピルトリアルコキシシランが更により好ましい。
これらは単独あるいは2種以上を組合わせて使用することができる。これらは基板との密着性向上に有効であるとともに、基板とのテーパー角の調整にも有効である。
γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane and γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane is even more preferable.
These can be used alone or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion to the substrate and also for adjusting the taper angle with the substrate.

本発明のポジ型感光性樹脂組成物における、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分の混合比は、(A)成分100質量部に対して、(B)成分は、1〜50質量部が好ましく、5〜30質量部がより好ましい。また、(C)成分は、0.1〜10質量部が好ましく、0.5〜10質量部がより好ましい。また、(D)成分は、20質量部以下が好ましく、10質量部以下がより好ましい。   In the positive photosensitive resin composition of the present invention, the mixing ratio of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) is (B) with respect to 100 parts by mass of the component (A). 1-50 mass parts is preferable, and, as for a component, 5-30 mass parts is more preferable. Moreover, 0.1-10 mass parts is preferable, and, as for (C) component, 0.5-10 mass parts is more preferable. Moreover, (D) component is 20 mass parts or less, and 10 mass parts or less are more preferable.

<その他の成分>
本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分に加え、必要に応じて、塩基性化合物、界面活性剤、紫外線吸収剤、増感剤、可塑剤、増粘剤、有機溶剤、密着促進剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤などを加えることができる。
<Other ingredients>
In addition to the components (A), (B), (C), and (D), the positive photosensitive resin composition of the present invention includes a basic compound, a surfactant, and an ultraviolet absorber as necessary. An agent, a sensitizer, a plasticizer, a thickener, an organic solvent, an adhesion promoter, an organic or inorganic precipitation inhibitor, and the like can be added.

<塩基性化合物>
塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものの中から任意に選択して使用することができる。例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。
<Basic compound>
The basic compound can be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists. Examples include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, carboxylic acid quaternary ammonium salts, and the like.

脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミンなどが挙げられる。   Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, and dicyclohexylamine. , Dicyclohexylmethylamine and the like.

芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。   Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5,3,0]−7ウンデセン
などが挙げられる。
Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7 Undesen.

4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。   Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, and tetra-n-hexylammonium hydroxide.

カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエートなどが挙げられる。   Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

塩基性化合物の配合率は、(A)成分100質量部当たり、0.001〜1質量部とすることが好ましく、0.005〜0.2質量部とすることがより好ましい。   The mixing ratio of the basic compound is preferably 0.001 to 1 part by mass and more preferably 0.005 to 0.2 part by mass per 100 parts by mass of the component (A).

<界面活性剤>
界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性の何れでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤を使用することができる。また、以下商品名で、KP(信越化学工業製)、ポリフロー(共栄社化学製)、エフトップ(JEMCO製)、メガファック(大日本インキ化学工業製)、フロラード(住友スリーエム製)、アサヒガード、サーフロン(旭硝子製)PolyFox(OMNOVA社製)等の各シリーズを挙げることができる。
<Surfactant>
As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric can be used, but a preferred surfactant is a nonionic surfactant. Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicone-based and fluorine-based surfactants. it can. The following trade names are KP (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F Top (manufactured by JEMCO), Mega Fuck (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Florard (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard, Each series such as Surflon (manufactured by Asahi Glass) PolyFox (manufactured by OMNOVA) can be listed.

界面活性剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の配合率は、(A)成分100質量部当たり、通常10質量部以下であり、好ましくは、0.01〜10質量部、より好ましくは、0.01〜1質量部である。
Surfactant can be used individually or in mixture of 2 or more types.
The compounding ratio of the surfactant is usually 10 parts by mass or less per 100 parts by mass of the component (A), preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.01 to 1 part by mass.

<可塑剤>
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジドデシルフタレート、ポリエチレングリコール、グリセリン、ジメチルグリセリンフタレート、酒石酸ジブチル、アジピン酸ジオクチル、トリアセチルグリセリンなどが挙げられる。
<Plasticizer>
Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerin phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate, and triacetyl glycerin.

可塑剤の配合率は、(A)成分100質量部当たり、20質量部以下とすることが好ましく、10質量部以下とすることがより好ましい。   The blending ratio of the plasticizer is preferably 20 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or less per 100 parts by mass of the component (A).

<溶剤>
本発明のポジ型感光性組成物は、上記成分を溶剤に溶解して溶液として使用される。本発明のポジ型感光性組成物に使用される溶剤としては、例えば、
(ア)エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;
(イ)エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル等のエチレングリコールジアルキルエーテル類;
(ウ)エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
(エ)プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
(オ)プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;
(カ)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
(キ)ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;
(ク)ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
(ケ)ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
(コ)ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル等のジプロピレングリコールジアルキルエーテル類;
(サ)ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
(シ)乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸n−ブチル、乳酸イソブチル、乳酸n−アミル、乳酸イソアミル等の乳酸エステル類;
(ス)酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸n−アミル、酢酸イソアミル、酢酸n−ヘキシル、酢酸2−エチルヘキシル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸エチル、酪酸n−プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸n−ブチル、酪酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;
(セ)ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸エチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3−メトキシプロピオンメチル、3−メトキシプロピオンエチル、3−エトキシプロピオンメチル、3−エトキシプロピオンエチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;
(ソ)メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;
(タ)N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド類;
(チ)γ−ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。
<Solvent>
The positive photosensitive composition of the present invention is used as a solution by dissolving the above components in a solvent. As the solvent used in the positive photosensitive composition of the present invention, for example,
(A) Ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether;
(A) Ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dipropyl ether;
(C) Ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate;
(D) Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether;
(E) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether;
(F) Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate;
(G) Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether;
(H) Diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate;
(G) Dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether;
(Co) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol ethyl methyl ether;
(Sa) Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate;
(L) Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, n-butyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, isoamyl lactate;
(S) n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, n-butyl propionate, propionate Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl acid, methyl butyrate, ethyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate, isobutyl butyrate;
(C) ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3- Ethoxypropion methyl, 3-ethoxypropion ethyl, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, aceto Other esters such as methyl acetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate;
(So) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, cyclohexanone;
(Ta) Amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone;
(H) Examples include lactones such as γ-butyrolactone.

また、これらの溶剤に更に必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナール、ベンジルアルコール、アニソール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の溶剤を添加することもできる。   In addition, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonal as necessary for these solvents. , Benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like can also be added.

溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
溶剤の配合率は、(A)成分100質量部当たり、通常、50〜3,000質量部、好ましくは100〜2,000質量部、さらに好ましくは100〜500質量部である。
A solvent can be used individually or in mixture of 2 or more types.
The blending ratio of the solvent is usually 50 to 3,000 parts by weight, preferably 100 to 2,000 parts by weight, and more preferably 100 to 500 parts by weight per 100 parts by weight of the component (A).

(A)成分、(B)成分を含有するポジ型感光性樹脂組成物を用いることで、感度、残膜率、および経時安定性に優れたポジ型感光性樹脂組成物であって、硬化させることによって、耐熱性、密着性、透明性などに優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物を提供することができる。   By using a positive photosensitive resin composition containing the component (A) and the component (B), a positive photosensitive resin composition excellent in sensitivity, remaining film ratio, and stability over time, and cured. By this, the positive photosensitive resin composition from which the cured film excellent in heat resistance, adhesiveness, transparency, etc. is obtained can be provided.

<硬化膜の形成方法>
次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法を説明する。
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し加熱することにより基板上に塗膜を形成させる。
<Method for forming cured film>
Next, a method for forming a cured film using the positive photosensitive resin composition of the present invention will be described.
The positive photosensitive resin composition according to the present invention is applied on a substrate and heated to form a coating film on the substrate.

得られた塗膜に波長300nm以上の活性光線を照射することにより、(C)成分が分解し酸が発生する。発生した酸の触媒作用により、(A)成分中に含まれる一般式(1)で表される構成単位中の酸解離性基が、加水分解反応により解離し、カルボキシル基が生成する。これをアルカリ現像液を用いて現像することにより、アルカリ現像液に溶解しやすいカルボキシル基を有する樹脂を含む露光部を除去し、ポジ画像が形成する。
この加水分解反応の反応式を以下に示す。

Figure 2011150354
By irradiating the obtained coating film with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, the component (C) is decomposed to generate an acid. Due to the catalytic action of the generated acid, the acid dissociable group in the structural unit represented by the general formula (1) contained in the component (A) is dissociated by a hydrolysis reaction, and a carboxyl group is generated. By developing this using an alkali developer, an exposed portion containing a resin having a carboxyl group that is easily dissolved in the alkali developer is removed, and a positive image is formed.
The reaction formula of this hydrolysis reaction is shown below.
Figure 2011150354

本加水分解反応を加速させるために、必要に応じて、露光後加熱処理:Post Exposure Bake(以後PEBという)を行うことができる。その加熱温度が高温になると、発生したカルボキシル基が、エポキシ基と架橋反応を起こすため、現像ができなくなる。
実際に、tert-ブチルメタクリレートを一般式(1)で表される繰り返し単位の代わり
に用いると酸解離反応の活性化エネルギーが高いため、酸解離性基を解離させるためには高温でPEBする必要があるが、同時に架橋反応が起こり画像が得られない。
In order to accelerate the hydrolysis reaction, post exposure bake (hereinafter referred to as PEB) can be performed as necessary. When the heating temperature becomes high, the generated carboxyl group causes a crosslinking reaction with the epoxy group, so that development cannot be performed.
Actually, when tert-butyl methacrylate is used in place of the repeating unit represented by the general formula (1), the activation energy of the acid dissociation reaction is high. Therefore, PEB at a high temperature is required to dissociate the acid dissociable group. There is a cross-linking reaction at the same time, and an image cannot be obtained.

一方、本発明の一般式(1)で表される酸解離性基は、酸分解の活性化エネルギーが低く、露光による酸発生剤由来の酸により容易に分解し、カルボキシル基を生じるため、PEBを行う必要がなく、現像によりポジ画像を形成することができる。
なお、比較的低温でPEBを行うことにより、架橋反応を起こすことなく、酸解離性基の分解を促進してもよい。
PEB温度は130℃以下であることが好ましく、110℃以下が更に好ましく、80℃以下が特に好ましい。
On the other hand, the acid dissociable group represented by the general formula (1) of the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to generate a carboxyl group. The positive image can be formed by development.
In addition, by performing PEB at a relatively low temperature, decomposition of the acid dissociable group may be promoted without causing a crosslinking reaction.
The PEB temperature is preferably 130 ° C. or lower, more preferably 110 ° C. or lower, and particularly preferably 80 ° C. or lower.

次に、得られたポジ画像を加熱することにより、一般式(1)中の酸解離性基を熱分解しカルボキシル基を生成させ、エポキシ基と架橋させることにより、硬化膜を形成することができる。この加熱は好ましくは150℃以上の高温で加熱され、より好ましくは180〜250℃、特に好ましくは200〜250℃で加熱される。
加熱時間は、加熱温度などにより適宜設定できるが、一般的には10〜90分である。
Next, by heating the obtained positive image, the acid-dissociable group in the general formula (1) is thermally decomposed to generate a carboxyl group, and a cured film can be formed by crosslinking with an epoxy group. it can. This heating is preferably performed at a high temperature of 150 ° C. or more, more preferably 180 to 250 ° C., particularly preferably 200 to 250 ° C.
The heating time can be appropriately set depending on the heating temperature or the like, but is generally 10 to 90 minutes.

加熱工程の前に活性光線を全面照射する工程を加えると、活性光線の照射により発生する酸により架橋反応を促進することができる。
次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いた硬化膜の形成方法を具体的に説明する。
If a step of irradiating the entire surface with actinic rays is added before the heating step, the crosslinking reaction can be promoted by an acid generated by the irradiation of actinic rays.
Next, a method for forming a cured film using the positive photosensitive resin composition of the present invention will be specifically described.

組成物溶液の調製方法:(A)成分、(B)成分、(C)成分およびその他の配合剤を所定の割合で且つ任意の方法で混合し、攪拌溶解して組成物溶液を調製する。例えば、各々の成分を予め溶剤に溶解させ溶液とした後、これらを所定の割合で混合して組成物溶液を調製することもできる。以上のように調製した組成物溶液は、孔径0.2μmのフィルター等を用いてろ過した後に、使用に供することもできる。   Preparation method of composition solution: (A) component, (B) component, (C) component and other compounding agents are mixed at a predetermined ratio and in an arbitrary method, and stirred and dissolved to prepare a composition solution. For example, each component can be dissolved in a solvent in advance to obtain a solution, and then mixed at a predetermined ratio to prepare a composition solution. The composition solution prepared as described above can be used after being filtered using a filter having a pore size of 0.2 μm or the like.

<塗膜の作成方法>
組成物溶液を、所定の基板に塗布し、加熱により溶媒を除去する(以後、プリベークという)ことにより所望の塗膜を形成することができる。前記基板としては、例えば液晶表示素子の製造においては、偏光板、さらに必要に応じてブラックマトリックス層、カラーフィルター層を設け、さらに透明導電回路層を設けたガラス板などが挙げられる。基板への塗布方法は特に限定されず、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法等の方法を用いることができる。
<Method for creating coating film>
A desired coating film can be formed by applying the composition solution to a predetermined substrate and removing the solvent by heating (hereinafter referred to as pre-baking). Examples of the substrate include a polarizing plate, a glass plate provided with a black matrix layer and a color filter layer as required, and a transparent conductive circuit layer in manufacturing a liquid crystal display element. The coating method on the substrate is not particularly limited, and for example, a spray method, a roll coating method, a spin coating method, or the like can be used.

また、プリベーク時の加熱条件は、未露光部における(A)成分中の式(1)で表される繰り返し単位などにおける酸解離性基が解離して、(A)成分をアルカリ現像液に可溶性としない範囲であり、各成分の種類や配合比によっても異なるが、好ましくは80〜130℃で30〜120秒間程度である。   The heating conditions during pre-baking are such that the acid dissociable group in the repeating unit represented by the formula (1) in the (A) component in the unexposed area is dissociated and the (A) component is soluble in the alkali developer. However, it is preferably about 80 to 130 [deg.] C. for about 30 to 120 seconds, although it varies depending on the type and mixing ratio of each component.

<パターン形成方法>
塗膜を設けた基板に所定のパターンのマスクを介し、活性光線を照射した後、必要に応じて加熱処理(PEB)を行った後、現像液を用いて露光部を除去して画像パターンを形成する。
<Pattern formation method>
After irradiating the substrate on which the coating film is provided with actinic rays through a mask having a predetermined pattern, heat treatment (PEB) is performed as necessary, and then the exposed portion is removed using a developer to form an image pattern. Form.

活性光線の放射には、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、エキシマレーザー発生装置などを用いることができるが、g線、i線、h線などの波長300nm以上の活性光線が好ましい。また、必要に応じて長波長カットフィルター、短波長カットフィルター、バンドパスフィルターのような分光フィルターを通して照射光を調整することもできる。   For the emission of actinic rays, low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, ultrahigh-pressure mercury lamps, chemical lamps, excimer laser generators, and the like can be used. . Moreover, irradiation light can also be adjusted through spectral filters, such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, and a band pass filter, as needed.

現像液としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物類;炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩類;重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウムなどのアルカリ金属重炭酸塩類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド等のアンモニウムヒドロキシド類;ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウムなどの水溶液を使用することができる。また、上記アルカリ類の水溶液にメタノールやエタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加した水溶液を現像液として使用することもできる。   Examples of the developer include alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, and potassium hydroxide; alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; alkali metals such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate Bicarbonates; ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline hydroxide; aqueous solutions such as sodium silicate and sodium metasilicate can be used. An aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant to the alkaline aqueous solution can also be used as a developer.

現像液のpHは、好ましくは10.0〜14.0である。
現像時間は通常30〜180秒間であり、また、現像の手法は液盛り法、ディップ法等の何れでも良い。現像後は、流水洗浄を30〜90秒間行い、所望のパターンを形成させることができる。
The pH of the developer is preferably 10.0 to 14.0.
The development time is usually 30 to 180 seconds, and the development method may be any of the liquid piling method, the dipping method, and the like. After the development, washing with running water is performed for 30 to 90 seconds, and a desired pattern can be formed.

<架橋工程>
現像により得られた未露光部を有するパターンについて、ホットプレートやオーブン等の加熱装置を用いて、所定の温度、例えば180〜250℃で所定の時間、例えばホットプレート上なら5〜30分間、オーブンならば30〜90分間、加熱処理をすることにより、(A)成分における酸解離性基を脱離、カルボキシル基を発生させ、カルボキシル基と反応して共有結合を形成し得る官能基と反応、架橋させ、耐熱性、硬度等に優れた保護膜や層間絶縁膜を形成することができる。また、加熱処理を行う際は窒素雰囲気下で行うことにより透明性を向上させることもできる。
なお、加熱処理に先立ち、パターン形成した基板に活性光線を照射することにより未露光部分に存在する(C)成分から酸を発生させることが好ましい。
<Crosslinking process>
For a pattern having an unexposed portion obtained by development, a heating device such as a hot plate or an oven is used to set the oven at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 ° C. for a predetermined time, for example, 5 to 30 minutes on the hot plate. Then, by heat treatment for 30 to 90 minutes, the acid dissociable group in component (A) is eliminated, the carboxyl group is generated, and reacted with a functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond. By crosslinking, a protective film and an interlayer insulating film having excellent heat resistance, hardness and the like can be formed. In addition, when heat treatment is performed, the transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.
Prior to the heat treatment, it is preferable to generate an acid from the component (C) present in the unexposed portion by irradiating the patterned substrate with actinic rays.

次に実施例により本発明を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。
〔合成例1:A−1の合成〕
メタクリル酸1−n-ブトキシエチル67.1g(0.36モル)、メタクリル酸グリ
シジル34.1g(0.24モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として、触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−1(メタクリル酸1−n-ブトキシエチル/メタクリル酸グリシジル)をプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート溶液として得た。
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
[Synthesis Example 1: Synthesis of A-1]
1-n-Butoxyethyl methacrylate 67.1 g (0.36 mol), glycidyl methacrylate 34.1 g (0.24 mol) and methyl isobutyl ketone 300 ml were charged into a 500 ml three-necked flask, and this was a radical polymerization initiator. Then, a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added and polymerized at 80 ° C. for 6 hours in a nitrogen stream. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A-1 (1-n-butoxyethyl methacrylate / methacrylic acid). Glycidyl) was obtained as a propylene glycol monomethyl ether acetate solution.

得られたポリマーのメタクリル酸1−n-ブトキシエチル単位とメタクリル酸グリシジル単位の構成モル比率はNMR測定から約60:40であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約8000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.8であった。   The constituent molar ratio of 1-n-butoxyethyl methacrylate units to glycidyl methacrylate units in the obtained polymer was about 60:40 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

〔合成例2:A−2の合成〕
メタクリル酸1−エトキシエチル47.5g(0.3モル)、メタクリル酸グリシジル25.6g(0.18モル)、メタクリル酸ベンジル21.2g(0.12モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、ジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−2(メタクリル酸1−エトキシエチル/メタクリル酸グリシジル/メタクリル酸ベンジル)をジエチレングリコールジメチルエーテル溶液として得た。
[Synthesis Example 2: Synthesis of A-2]
47.5 g (0.3 mol) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 25.6 g (0.18 mol) of glycidyl methacrylate, 21.2 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone A cervical flask was charged, a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator, and polymerization was performed at 80 ° C. for 6 hours in a nitrogen stream. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol dimethyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A-2 (1-ethoxyethyl methacrylate / glycidyl methacrylate / benzyl methacrylate). ) As a diethylene glycol dimethyl ether solution.

得られたポリマーのメタクリル酸1−エトキシエチル単位、メタクリル酸グリシジル単位及びメタクリル酸ベンジル単位の構成比率はNMR測定から約50:30:20であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約7000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。   The composition ratio of 1-ethoxyethyl methacrylate unit, glycidyl methacrylate unit and benzyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 50:30:20 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔合成例3:A−3の合成〕
メタクリル酸1−ベンジルオキシエチル79.3g(0.36モル)、アクリル酸グリシジル23.1g(0.18モル)、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル7.8g(0.06モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−3(メタクリル酸1−ベンジルオキシエチル/アクリル酸グリシジル/メタクリル酸2−ヒドロキシエチル)をジエチレングリコールエチルメチルエーテル溶液として得た。
[Synthesis Example 3: Synthesis of A-3]
79.3 g (0.36 mol) of 1-benzyloxyethyl methacrylate, 23.1 g (0.18 mol) of glycidyl acrylate, 7.8 g (0.06 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone Was added to a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator, followed by polymerization at 80 ° C. for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A-3 (1-benzyloxyethyl methacrylate / glycidyl acrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate) was obtained as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

得られたポリマーのメタクリル酸1−ベンジルオキシエチル単位、アクリル酸グリシジル単位及びメタクリル酸2−ヒドロキシエチル単位の構成比率はNMR測定から約60:30:10であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約10000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.8であった。   The composition ratio of 1-benzyloxyethyl methacrylate unit, glycidyl acrylate unit and 2-hydroxyethyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 60:30:10 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 10,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

〔合成例4:A−4の合成〕
アクリル酸1−エトキシエチル43.3g(0.3モル)、メタクリル酸グリシジル25.6g(0.18モル)、メタクリル酸ベンジル21.2g(0.12モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−4(アクリル酸1−エトキシエチル/メタクリル酸グリシジル/メタクリル酸ベンジル)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液として得た。
[Synthesis Example 4: Synthesis of A-4]
33.3 g (0.3 mol) of 1-ethoxyethyl acrylate, 25.6 g (0.18 mol) of glycidyl methacrylate, 21.2 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone A cervical flask was charged, a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator, and polymerization was performed at 80 ° C. for 6 hours in a nitrogen stream. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A-4 (1-ethoxyethyl acrylate / glycidyl methacrylate / Benzyl methacrylate) was obtained as a propylene glycol monomethyl ether acetate solution.

得られたポリマーのアクリル酸1−エトキシエチル単位とメタクリル酸グリシジル単位とメタクリル酸ベンジル単位の構成比率はNMR測定から約50:30:20であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約8000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。   The composition ratio of 1-ethoxyethyl acrylate unit, glycidyl methacrylate unit and benzyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 50:30:20 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔合成例5:A−5の合成〕
メタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル76.4g(0.36モル)、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート(ダイセル化学社製サイクロマーM100)35.3g(0.18モル)、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル7.8g(0.06モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、ジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−5(メタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル/3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート/メタクリル酸2−ヒドロキシエチル)をジエチレングリコールジメチルエーテル溶液として得た。
[Synthesis Example 5: Synthesis of A-5]
76.4 g (0.36 mol) of 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 35.3 g (0.18 mol) of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (Daicel Chemicals Cyclomer M100), 2-hydroxyethyl methacrylate 7.8 g (0.06 mol) and 300 ml of methyl isobutyl ketone were charged into a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator. Polymerization was performed at 80 ° C. for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol dimethyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A-5 (1-cyclohexyloxyethyl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexyl). Methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate) was obtained as a diethylene glycol dimethyl ether solution.

得られたポリマーのメタクリル酸1−シクロヘキシルオキシエチル単位、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレート単位及びメタクリル酸2−ヒドロキシエチル単位の構成比率はNMR測定から約60:30:10であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約6000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.8であった。   The composition ratio of the obtained polymer 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate unit, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate unit and 2-hydroxyethyl methacrylate unit was about 60:30:10 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 6000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

〔合成例6:A−6の合成〕
メタクリル酸2−テトラヒドロピラニル57.0g(0.36モル)、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル31.7g(0.18モル)、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル7.8g(0.06モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−6(メタクリル酸2−テトラヒドロピラニル/p−ビニルフェニルグリシジルエーテル/メタクリル酸2−ヒドロキシエチル)をジエチレングリコールエチルメチルエーテル溶液として得た。
[Synthesis Example 6: Synthesis of A-6]
27.0 g (0.36 mol) of 2-tetrahydropyranyl methacrylate, 31.7 g (0.18 mol) of p-vinylphenylglycidyl ether, 7.8 g (0.06 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate and methyl Charge 300 ml of isobutyl ketone to a 500 ml three-necked flask, add a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator, and polymerize at 80 ° C. for 6 hours under a nitrogen stream. I let you. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A-6 (2-tetrahydropyranyl methacrylate / p-vinylphenyl methacrylate). Glycidyl ether / 2-hydroxyethyl methacrylate) was obtained as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

得られたポリマーのメタクリル酸2−テトラヒドロピラニル単位、p−ビニルフェニルグリシジルエーテル単位及びメタクリル酸2−ヒドロキシエチル単位の構成比率はNMR測定から約60:30:10であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約7000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.8であった。   The constituent ratio of the 2-tetrahydropyranyl methacrylate unit, the p-vinylphenylglycidyl ether unit and the 2-hydroxyethyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 60:30:10 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

〔合成例7:A−7の合成〕
メタクリル酸1−エトキシエチル38.0g(0.24モル)、メタクリル酸グリシジル21.3g(0.15モル)、メタクリル酸ベンジル26.4g(0.15モル)、メタクリル酸5.2g(0.06モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとジエチレングリコールエチルメチルエーテルの混合溶媒に溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−7(メタクリル酸1−エトキシエチル/メタクリル酸グリシジル/メタクリル酸ベンジル/メタクリル酸)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとジエチレングリコールエチルメチルエーテルの混合溶媒の溶液として得た。
[Synthesis Example 7: Synthesis of A-7]
1-Ethoxyethyl methacrylate 38.0 g (0.24 mol), glycidyl methacrylate 21.3 g (0.15 mol), benzyl methacrylate 26.4 g (0.15 mol), methacrylic acid 5.2 g (0. 06 mol) and 300 ml of methyl isobutyl ketone were charged into a 500 ml three-necked flask, to which a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator, Polymerization was carried out at 6 ° C. for 6 hours. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, then dissolved in a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate and diethylene glycol ethyl methyl ether, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A-7 (methacrylic acid 1 -Ethoxyethyl / glycidyl methacrylate / benzyl methacrylate / methacrylic acid) was obtained as a mixed solvent solution of propylene glycol monomethyl ether acetate and diethylene glycol ethyl methyl ether.

得られたポリマーのメタクリル酸1−エトキシエチル単位、メタクリル酸グリシジル単位、メタクリル酸ベンジル単位及びメタクリル酸の構成比率はNMR測定から約40:25:25:10であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約7000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。   The constituent ratio of 1-ethoxyethyl methacrylate unit, glycidyl methacrylate unit, benzyl methacrylate unit and methacrylic acid in the obtained polymer was about 40: 25: 25: 10 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔合成例8:A−8の合成〕
メタクリル酸1−エトキシエチル47.5g(0.3モル)、メタクリル酸2−(3−オキサシクロブチル)ブチル33.2g(0.18モル)、メタクリル酸ベンジル21.2g(0.12モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA−8(メタクリル酸1−エトキシエチル/メタクリル酸2−(3−オキサシクロブチル)ブチル/メタクリル酸ベンジル)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液として得た。
[Synthesis Example 8: Synthesis of A-8]
47.5 g (0.3 mol) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 33.2 g (0.18 mol) of 2- (3-oxacyclobutyl) butyl methacrylate, 21.2 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate Then, 300 ml of methyl isobutyl ketone was charged into a 500 ml three-necked flask, to which a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator, and the mixture was heated at 80 ° C. under nitrogen flow. Polymerized for hours. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A-8 (1-ethoxyethyl methacrylate / methacrylic acid 2- (3-Oxacyclobutyl) butyl / benzyl methacrylate) was obtained as a propylene glycol monomethyl ether acetate solution.

得られたポリマーのメタクリル酸1−エトキシエチル単位、メタクリル酸2−(3−オキサシクロブチル)ブチル単位及びメタクリル酸ベンジル単位の構成比率はNMR測定から約50:30:20であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約8000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。   The composition ratio of 1-ethoxyethyl methacrylate unit, 2- (3-oxacyclobutyl) butyl methacrylate unit and benzyl methacrylate unit in the obtained polymer was about 50:30:20 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 8,000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔合成比較例1:A‘−9の合成〕
メタクリル酸tert−ブチル42.7g(0.3モル)、メタクリル酸グリシジル21.3g(0.15モル)、メタクリル酸ベンジル26.4g(0.15モル)およびメチルイソブチルケトン300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これにラジカル重合開始剤として触媒量の2,2‘−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)を添加し、窒素気流下、80℃で6時間重合させた。反応液を冷却後、大量のヘプタンに注いでポリマーを析出させた。結晶を濾取した後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、溶液中に含まれるヘプタンとメチルイソブチルケトンを減圧留去することにより、ポリマーA’−9(メタクリル酸tert−ブチル/メタクリル酸グリシジル/メタクリル酸ベンジル)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液として得た。
[Synthesis Comparative Example 1: Synthesis of A′-9]
Three necks of 500 ml of 42.7 g (0.3 mol) of tert-butyl methacrylate, 21.3 g (0.15 mol) of glycidyl methacrylate, 26.4 g (0.15 mol) of benzyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone A flask was charged with a catalytic amount of 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator, and polymerized at 80 ° C. for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling the reaction solution, it was poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to give polymer A′-9 (tert-butyl methacrylate / glycidyl methacrylate / Benzyl methacrylate) was obtained as a propylene glycol monomethyl ether acetate solution.

得られたポリマーのメタクリル酸tert−ブチル単位、メタクリル酸グリシジル単位及びメタクリル酸ベンジル単位の構成比率はNMR測定から約50:25:25であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約7000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.7であった。   The composition ratio of the tert-butyl methacrylate unit, the glycidyl methacrylate unit and the benzyl methacrylate unit of the obtained polymer was about 50:25:25 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 7000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔合成比較例2:A‘−10の合成〕
ポリ4−ヒドロキシスチレン(日本曹達株式会社製VP−8000) 72.1gとエチルビニルエーテル16.4gおよび酢酸エチル300mlを500mlの3頚フラスコに仕込み、これに触媒量のパラトルエンスルホン酸を添加し、窒素気流下、室温下で3時間反応させた。少量のトリエチルアミンを添加した後、純水で水洗する。酢酸エチル層にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを添加し、酢酸エチルを減圧留去することにより、ポリマーA‘−11(p−1−エトキシエトキシスチレン/p−ヒドロキシスチレン)をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液として得た。
[Synthesis Comparative Example 2: Synthesis of A′-10]
72.1 g of poly-4-hydroxystyrene (Nippon Soda Co., Ltd. VP-8000), 16.4 g of ethyl vinyl ether and 300 ml of ethyl acetate were charged into a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of para-toluenesulfonic acid was added thereto. The reaction was performed for 3 hours at room temperature under a nitrogen stream. After adding a small amount of triethylamine, wash with pure water. Propylene glycol monomethyl ether acetate is added to the ethyl acetate layer, and the ethyl acetate is distilled off under reduced pressure, whereby the polymer A′-11 (p-1-ethoxyethoxystyrene / p-hydroxystyrene) is converted into a propylene glycol monomethyl ether acetate solution. Obtained.

得られたポリマーのp−1−エトキシエトキシスチレン単位とp−ヒドロキシスチレン単位の構成比率はNMR測定から約35:65であった。また、ポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約9000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.2であった。   The composition ratio of the p-1-ethoxyethoxystyrene unit and the p-hydroxystyrene unit of the obtained polymer was about 35:65 from NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 9000, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.2.

[合成比較例3:A‘−11の合成]
特開2004−264623号公報の合成例1に従って、A‘−12の合成を行なった。
[Synthesis Comparative Example 3: Synthesis of A′-11]
A′-12 was synthesized according to Synthesis Example 1 of JP-A No. 2004-264623.

3頚フラスコに2,2‘−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7重量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200重量部を仕込み、引き続き1−(シクロヘキシルオキシ)エチルメタクリレート40重量部、スチレン5重量部、メタクリル酸グリシジル45重量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート10重量部およびα−メチルスチレンダイマー3重量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに攪拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し共重合体(A’−12)を含む重合体溶液を得た。得られたポリマーの分子量はポリスチレンを標準としたGPC測定の結果、重量平均分子量は約11000であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.9であった。   A 3-neck flask was charged with 7 parts by weight of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether, followed by 40 parts by weight of 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate and 5 parts by weight of styrene. Then, 45 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate and 3 parts by weight of α-methylstyrene dimer were charged and purged with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A′-12). As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the polymer obtained had a weight average molecular weight of about 11,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.9.

〔実施例1〜9および比較例1〜4〕
(1)ポジ型感光性樹脂組成物溶液の調製
下記表1に示す各成分を混合して均一な溶液とした後、0.2μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを用いてろ過して、ポジ型感光性樹脂組成物溶液を調製した。
[Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4]
(1) Preparation of Positive Type Photosensitive Resin Composition Solution After mixing the components shown in Table 1 below to make a uniform solution, the solution was filtered using a 0.2 μm polytetrafluoroethylene filter, and positive type A photosensitive resin composition solution was prepared.

(2)保存安定性の評価
ポジ型感光性樹脂組成物溶液の23℃における粘度を、東機産業株式会社製E型粘度計を使用して測定した。該組成物を23℃の恒温層に1ヶ月間保存した後の粘度を測定した。調製後の粘度に対して、室温1ヶ月間保存後の粘度上昇が5%未満の場合を○、5%以上の場合を×とした。その結果を下記表2に示した。
(2) Evaluation of storage stability The viscosity of the positive photosensitive resin composition solution at 23 ° C. was measured using an E-type viscometer manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. The viscosity after storing the composition in a thermostatic layer at 23 ° C. for 1 month was measured. When the viscosity increase after storage for 1 month at room temperature is less than 5% with respect to the viscosity after preparation, the case of ◯ and 5% or more was evaluated as x. The results are shown in Table 2 below.

(3)感度及び現像時の残膜率の評価
シリコン酸化膜を有するシリコンウエハー上にポジ型感光性樹脂組成物溶液を回転塗布した後、100℃で60秒間ホットプレート上でプリベークして膜厚3μmの塗膜を形成した。
次に、i−線ステッパー(キャノン社製 FPA−3000i5+)を用いて、所定の
マスクを介して露光した。そして、50℃で60秒間ベークした後、表2に記載のアルカリ現像液(2.38質量%あるいは0.4%質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)で23℃で60秒間現像した後、超純水で1分間リンスした。これらの操作により5μmのラインアンドスペースを1:1で解像する時の最適露光量(Eopt)を感度とした。
(3) Evaluation of sensitivity and remaining film ratio during development After a positive photosensitive resin composition solution is spin-coated on a silicon wafer having a silicon oxide film, the film thickness is pre-baked on a hot plate at 100 ° C. for 60 seconds. A 3 μm coating film was formed.
Next, using an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.), exposure was performed through a predetermined mask. Then, after baking at 50 ° C. for 60 seconds, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds with an alkali developer (2.38 mass% or 0.4% mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) shown in Table 2. Rinse with ultrapure water for 1 minute. By these operations, the optimum exposure dose (Eopt) when resolving 5 μm line and space at 1: 1 was defined as sensitivity.

現像後の未露光部の膜厚を測定し、塗布後の膜厚に対する比率(現像後の未露光部膜厚÷塗布後の膜厚×100(%))を求めることにより、現像時の残膜率を評価した。   The film thickness of the unexposed area after development is measured, and the ratio to the film thickness after coating (the film thickness of the unexposed area after development ÷ film thickness after coating × 100 (%)) is obtained to determine the remaining film thickness during development. The film rate was evaluated.

感度及び現像時の残膜率の評価結果を表2に示した。   Table 2 shows the evaluation results of the sensitivity and the remaining film ratio during development.

(4)耐熱性
上記(3)において、シリコン酸化膜を有するシリコンウエハーの代わりに透明基板(コーニング社製コーニング1737)を用いた以外は上記(3)と同様に塗膜を形成し、プロキシミティー露光装置(ウシオ電気社製 UX−1000SM)を用いて、所定のマスクを密着させて、365nmでの光強度が18mW/cmである紫外線を用いて露光
した。次に、表2に記載のアルカリ現像液(2.38質量%あるいは0.4質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)を用いて23℃で60秒間現像した後、超純水で10秒間リンスした。これらの操作により10mのラインアンドスペースが1:1となるパターンを作成した。得られたパターンを、さらに100秒間全面露光し、オーブン中で220℃で1時間加熱し、加熱硬化膜をガラス基板上に形成した。
(4) Heat resistance In the above (3), except that a transparent substrate (Corning 1737 manufactured by Corning) was used instead of the silicon wafer having a silicon oxide film, a coating film was formed in the same manner as in the above (3). Using an exposure apparatus (UX-1000SM manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.), a predetermined mask was brought into close contact, and exposure was performed using ultraviolet rays having a light intensity at 365 nm of 18 mW / cm 2 . Next, development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an alkaline developer (2.38 mass% or 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) described in Table 2, followed by rinsing with ultrapure water for 10 seconds. did. By these operations, a pattern with a 10 m line and space of 1: 1 was created. The entire surface of the obtained pattern was further exposed for 100 seconds and heated in an oven at 220 ° C. for 1 hour to form a heat-cured film on the glass substrate.

加熱硬化前後のボトム寸法の変化率(1−加熱硬化膜のボトム寸法÷現像後のボトム寸法)×100(%)を測定することにより耐熱性の評価を行なった。この変化率が5%未満の場合を○、5%以上の場合を×として評価した。
耐熱性の評価結果を表2に示した。
The heat resistance was evaluated by measuring the rate of change in the bottom dimension before and after heat curing (1—bottom dimension of heat-cured film ÷ bottom dimension after development) × 100 (%). The case where this change rate was less than 5% was evaluated as ◯, and the case where it was 5% or more was evaluated as x.
The evaluation results of heat resistance are shown in Table 2.

(5)透過率及び密着性
上記(4)と同様に塗膜を形成し、露光することなく、表2に記載のアルカリ現像液(2.38質量%、あるいは0.4質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液)を用いて23℃で60秒間現像した後、超純粋で10秒間リンスした。次にプロキシミティ露光装置(ウシオ電気社製 UX−1000SM)を用いて、365nmでの光強度が18mW/cmである紫外線を用いて100秒間全面露光した。次いで、オーブン中で220℃で1時間加熱することにより、加熱硬化膜をガラス基板上に形成した。
(5) Transmittance and Adhesiveness A coating film was formed in the same manner as in (4) above, and the alkaline developer described in Table 2 (2.38% by mass or 0.4% by mass of tetramethyl) was not exposed. Development was performed at 23 ° C. for 60 seconds using an aqueous ammonium hydroxide solution, followed by ultrapure rinsing for 10 seconds. Next, using a proximity exposure apparatus (UX-1000SM manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.), the entire surface was exposed for 100 seconds using ultraviolet rays having a light intensity at 365 nm of 18 mW / cm 2 . Subsequently, the thermosetting film was formed on the glass substrate by heating at 220 degreeC for 1 hour in oven.

得られた加熱硬化膜の透過率を、分光光度計(U−3000:日立製作所製)を用いて、波長400〜800nmで測定した。最低透過率が95%を超えた場合を○、90〜95%の場合を△、90%未満の場合を×とした。   The transmittance of the obtained heat cured film was measured at a wavelength of 400 to 800 nm using a spectrophotometer (U-3000: manufactured by Hitachi, Ltd.). The case where the minimum transmittance exceeded 95% was evaluated as ◯, the case where it was 90 to 95% was evaluated as Δ, and the case where it was less than 90% was evaluated as ×.

加熱硬化膜にカッターを用いて、縦横に1mmの間隔で切り込みを入れ、スコッチテープを用いてテープ剥離試験を行なった。テープ裏面に転写された硬化膜の面積から硬化膜と基板間の密着性を評価した。その面積が1%未満の場合を○、1〜5%未満の場合を△、5%以上の場合を×とした。
透過率及び密着性の評価結果を表2に示した。

Figure 2011150354
表1中に記載されている(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、塩基性化合物、溶剤及び界面活性剤は、下記の通りである。 Using a cutter on the heat-cured film, cuts were made at intervals of 1 mm vertically and horizontally, and a tape peeling test was performed using a scotch tape. The adhesion between the cured film and the substrate was evaluated from the area of the cured film transferred to the back surface of the tape. The case where the area was less than 1% was evaluated as ◯, the case where the area was less than 1 to 5%, and the case where the area was 5% or more as x.
The evaluation results of transmittance and adhesion are shown in Table 2.
Figure 2011150354
The components (A), (B), (C), (D), basic compound, solvent and surfactant described in Table 1 are as follows.

(A)成分
構成単位の右側の数値は、構成単位のモル比を表す。

Figure 2011150354
(A) Component The numerical value on the right side of the structural unit represents the molar ratio of the structural unit.
Figure 2011150354

Figure 2011150354
Figure 2011150354

Figure 2011150354
Figure 2011150354

(B)成分
B1:JER1001(ジャパンエポキシレジン(株)製)
B2:JER834(ジャパンエポキシレジン(株)製)
B3:JER157S70(ジャパンエポキシレジン(株)製)
B4:JER154(ジャパンエポキシレジン(株)製)。
(B) Component B1: JER1001 (made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)
B2: JER834 (made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)
B3: JER157S70 (Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)
B4: JER154 (made by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.).

(C)成分

Figure 2011150354
(C) component
Figure 2011150354

(D)成分
D1:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
D2:β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
D3:γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン。
Component (D) D1: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane D2: β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane D3: γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane.

〔塩基性化合物〕
E1:4−ジメチルアミノピリジン
E2:1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン。
[Basic compounds]
E1: 4-dimethylaminopyridine E2: 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene.

〔溶剤〕
F1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
F2:ジエチレングリコールジメチルエーテル
F3:ジエチレングリコールエチルメチルエーテル。
〔solvent〕
F1: Propylene glycol monomethyl ether acetate F2: Diethylene glycol dimethyl ether F3: Diethylene glycol ethyl methyl ether.

〔界面活性剤〕
G1:フロラード F−430(スリーエム社製)
G2:メガファック R−08(大日本インキ化学工業製)
G3:PolyFox PF−6320(OMNOVA社製)。

Figure 2011150354
[Surfactant]
G1: Fluorard F-430 (manufactured by 3M)
G2: Megafuck R-08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.)
G3: PolyFox PF-6320 (manufactured by OMNOVA).
Figure 2011150354

表2から、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感度、残膜率、保存安定性に優れ、且つ、硬化させることにより耐熱性、密着性、透過率などに優れる硬化膜を形成し得ることが明らかである。   From Table 2, the positive photosensitive resin composition of the present invention is excellent in sensitivity, remaining film rate, storage stability, and cured to form a cured film having excellent heat resistance, adhesion, transmittance, and the like. It is clear to get.

Claims (8)

(A)下記一般式(1)で表される構成単位とエポキシ基を有する構成単位(但し、下記一般式(4)で表される単量体由来の構成単位を除く)を含有し、アルカリ不溶性若しくはアルカリ難溶性であり、且つ、酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂、(B)分子内に2個以上のエポキシ基を有する化合物(但し、前記Aを除く)及び(C)波長300nm以上の活性光線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2011150354
一般式(1)に於いて、
は、水素原子、メチル基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。
及びRは、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状又は分岐状アルキル基を表す。但し、R及びRが同時に水素原子の場合を除く。
は、置換されてもよい直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、又はアラルキル基を表す。
とRが連結して環状エーテルを形成してもよい。
Figure 2011150354
式中、Xは2価の連結基を表す。
は、水素原子、メチル基又はハロゲン原子を表す。
11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表す。
nは、1〜10の整数を表す。
(A) Containing a structural unit represented by the following general formula (1) and a structural unit having an epoxy group (excluding a structural unit derived from a monomer represented by the following general formula (4)), an alkali A resin that is insoluble or hardly soluble in alkali and becomes alkali-soluble when an acid-dissociable group is dissociated, (B) a compound having two or more epoxy groups in the molecule (excluding A) and ( C) A positive photosensitive resin composition comprising a compound that generates an acid upon irradiation with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more.
Figure 2011150354
In general formula (1),
R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a cyano group.
R 2 and R 3 each independently represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group. However, the case where R 2 and R 3 are hydrogen atoms at the same time is excluded.
R 4 represents an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, or an aralkyl group.
R 2 and R 4 may be linked to form a cyclic ether.
Figure 2011150354
In the formula, X represents a divalent linking group.
R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.
R 11 and R 12 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
n represents an integer of 1 to 10.
(A)成分におけるエポキシ基を有する構成単位が、下記一般式(3)又は(5)で表される単量体由来の単位であることを特徴とする請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2011150354
一般式(3)及び(5)中、Xは2価の連結基を表す。
は、水素原子、メチル基又はハロゲン原子を表す。
〜R10及びR13〜R15は、それぞれ独立して、水素原子又はアルキル基を表す。
nは、1〜10の整数を表す。
The positive photosensitive resin according to claim 1, wherein the structural unit having an epoxy group in the component (A) is a unit derived from a monomer represented by the following general formula (3) or (5). Resin composition.
Figure 2011150354
In general formulas (3) and (5), X represents a divalent linking group.
R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.
R 8 to R 10 and R 13 to R 15 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.
n represents an integer of 1 to 10.
(C)成分が、下記一般式(2)で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2011150354
一般式(2)に於いて、
は、置換されてもよい直鎖状、分岐状、環状アルキル基、あるいは置換されてもよいアリール基を表す。
The positive photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the component (C) contains a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following general formula (2).
Figure 2011150354
In general formula (2),
R 5 represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aryl group which may be substituted.
(C)成分が、下記一般式(2A)で表される化合物を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
Figure 2011150354
一般式(2A)に於いて、
は、置換されてもよい直鎖状、分岐状、環状アルキル基、あるいは置換されてもよいアリール基を表す。
Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。
mは、0〜3の整数を表す。mが2又は3であるとき、複数のXは同一でも異なっていてもよい。
(C) A component contains the compound represented by the following general formula (2A), The positive type photosensitive resin composition of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 2011150354
In general formula (2A),
R 5 represents a linear, branched or cyclic alkyl group which may be substituted, or an aryl group which may be substituted.
X represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom.
m represents an integer of 0 to 3. When m is 2 or 3, the plurality of X may be the same or different.
(D)密着助剤を更に含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。   The positive photosensitive resin composition according to claim 1, further comprising (D) an adhesion assistant. 請求項1〜5のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥し、塗膜を形成する工程、マスクを介して波長300nm以上の活性光線を用いて露光する工程、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程及び得られたパターンを加熱処理する工程を含むことを特徴とする硬化膜形成方法。   The process of apply | coating and drying the positive photosensitive resin composition in any one of Claims 1-5 on a board | substrate, forming a coating film, and the process of exposing using an active ray with a wavelength of 300 nm or more through a mask A cured film forming method comprising: a step of developing using an alkali developer to form a pattern; and a step of heat-treating the obtained pattern. 更に、アルカリ現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程後、得られたパターンを加熱処理する工程前に、全面露光する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の硬化膜形成方法。   The cured film formation according to claim 6, further comprising a step of exposing the entire surface after the step of developing with an alkali developer and forming the pattern and before the step of heat-treating the obtained pattern. Method. 請求項6又は7に記載の方法により得られた硬化膜。   A cured film obtained by the method according to claim 6.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015031842A (en) * 2013-08-02 2015-02-16 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same and display element

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5623896B2 (en) * 2010-01-15 2014-11-12 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
JP5396315B2 (en) * 2010-01-19 2014-01-22 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
JP5623897B2 (en) * 2010-01-22 2014-11-12 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
JP5524036B2 (en) * 2010-01-25 2014-06-18 富士フイルム株式会社 Positive photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic EL display device
JP5393543B2 (en) * 2010-03-11 2014-01-22 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, and liquid crystal display device
CN102859439B (en) * 2010-04-27 2017-06-30 Jsr株式会社 Positive radiation-sensitive composition, display element interlayer dielectric and forming method thereof
JP4844695B2 (en) * 2010-04-28 2011-12-28 Jsr株式会社 Positive-type radiation-sensitive composition for discharge nozzle type coating method, interlayer insulating film for display element and method for forming the same
JP5771905B2 (en) * 2010-05-12 2015-09-02 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition for immersion exposure, cured pattern forming method and cured pattern
JP5495991B2 (en) * 2010-07-12 2014-05-21 富士フイルム株式会社 Colored photosensitive resin composition, cured film and method for producing the same, color filter, and display device
KR101290057B1 (en) * 2010-07-19 2013-07-26 주식회사 엘지화학 Thermally curable resin composition with good coating and recoating property
JP2012042837A (en) * 2010-08-20 2012-03-01 Fujifilm Corp Positive photosensitive composition, method for forming cured film, cured film, liquid crystal display device and organic el display device
JP5771377B2 (en) * 2010-10-05 2015-08-26 株式会社ジャパンディスプレイ Manufacturing method of display device
US20120122031A1 (en) * 2010-11-15 2012-05-17 International Business Machines Corporation Photoresist composition for negative development and pattern forming method using thereof
JP5676222B2 (en) * 2010-11-19 2015-02-25 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for forming cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device
JP5548604B2 (en) * 2010-12-21 2014-07-16 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition
JP5814012B2 (en) * 2011-01-19 2015-11-17 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition and pattern manufacturing method
JP5642578B2 (en) * 2011-01-28 2014-12-17 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic EL display device and liquid crystal display device
CN102955361B (en) * 2011-08-19 2018-04-06 富士胶片株式会社 Positive-type photosensitive resin composition, the forming method of cured film, cured film, liquid crystal display device and organic EL display
JP5621755B2 (en) * 2011-11-17 2014-11-12 信越化学工業株式会社 Chemically amplified positive resist material and pattern forming method
US9063421B2 (en) 2011-11-17 2015-06-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and pattern forming process
JP2013174660A (en) * 2012-02-23 2013-09-05 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition, production method of cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device
JP5889704B2 (en) 2012-04-18 2016-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ Manufacturing method of liquid crystal display device
TW201418888A (en) * 2012-09-28 2014-05-16 Fujifilm Corp Photo-sensitive resin composition, method for manufacturing cured film using the same, cured film, liquid crystal display device, and organic EL display device
KR101364229B1 (en) * 2012-12-20 2014-02-17 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition and insulating layer prepared from the same
JP6079289B2 (en) * 2013-02-15 2017-02-15 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, and display element
JP6404757B2 (en) * 2015-03-27 2018-10-17 信越化学工業株式会社 Polymer for resist underlayer film material, resist underlayer film material, and pattern forming method

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0242446A (en) * 1988-08-02 1990-02-13 Nippon Paint Co Ltd Image forming method
JPH0659444A (en) * 1992-08-06 1994-03-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Radiation sensitive resin composition
JP2004264623A (en) * 2003-03-03 2004-09-24 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film, microlens and method for forming these
JP2005017321A (en) * 2003-06-23 2005-01-20 Jsr Corp Curing resin composition, protective film and method for forming protective film
JP2006251296A (en) * 2005-03-10 2006-09-21 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd Color filter
JP2007108761A (en) * 2001-05-30 2007-04-26 Kaneka Corp Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist and photosensitive coverlay film using the same
JP2007333933A (en) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Photoacid generator for chemically amplified resist material, resist material containing the photoacid generator and pattern forming method using the same
WO2008149947A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Fujifilm Corporation Positive photosensitive resin composition and method of forming cured film therefrom
WO2009041619A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation Positive-type photosensitive resin composition, and method for formation of cured film using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5120633A (en) * 1990-04-10 1992-06-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resist material for use in thick film resists

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0242446A (en) * 1988-08-02 1990-02-13 Nippon Paint Co Ltd Image forming method
JPH0659444A (en) * 1992-08-06 1994-03-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Radiation sensitive resin composition
JP2007108761A (en) * 2001-05-30 2007-04-26 Kaneka Corp Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist and photosensitive coverlay film using the same
JP2004264623A (en) * 2003-03-03 2004-09-24 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film, microlens and method for forming these
JP2005017321A (en) * 2003-06-23 2005-01-20 Jsr Corp Curing resin composition, protective film and method for forming protective film
JP2006251296A (en) * 2005-03-10 2006-09-21 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd Color filter
JP2007333933A (en) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd Photoacid generator for chemically amplified resist material, resist material containing the photoacid generator and pattern forming method using the same
WO2008149947A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Fujifilm Corporation Positive photosensitive resin composition and method of forming cured film therefrom
WO2009041619A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation Positive-type photosensitive resin composition, and method for formation of cured film using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015031842A (en) * 2013-08-02 2015-02-16 Jsr株式会社 Radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same and display element

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