KR101754841B1 - Positive-type photosensitive resin composition, and method for formation of cured film using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감도, 잔막률, 보존 안정성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법으로서, 경화시킴으로써 내열성, 밀착성, 투과율 등이 우수한 경화막이 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
(해결 수단) 해리성기가 해리됨으로써 카르복실기를 발생시키는 특정의 스티렌계 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이며, 또한 산해리성기가 해리되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 함유하는 수지, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(단, 에폭시기 함유 라디칼 중합성 화합물로 이루어지는 구성 단위를 함유하는 상기 수지를 제외함.), 파장 300㎚ 이상의 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법.
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition excellent in sensitivity, residual film ratio and storage stability and a cured film forming method using the positive photosensitive resin composition and a positive photosensitive resin composition capable of obtaining a cured film excellent in heat resistance, adhesiveness and transmittance by curing, The present invention also provides a method for providing a method of controlling a display device.
(Solution) A resin that contains a specific styrenic constituent unit that generates a carboxyl group upon dissociation of a dissociable group and is alkali-insoluble or alkali-insoluble and becomes alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated, an epoxy- , A compound having two or more epoxy groups in the molecule (excluding the above-mentioned resin containing a constitutional unit comprising an epoxy group-containing radically polymerizable compound), a resin containing a structural unit derived from an active ray having a wavelength of 300 nm or more A positive photosensitive resin composition comprising a compound capable of generating an acid upon irradiation, and a method for forming a cured film using the positive photosensitive resin composition.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법{POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMATION OF CURED FILM USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a method for forming a cured film using the positive photosensitive resin composition.

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 액정 표시 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자, 유기 EL 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a cured film forming method using the positive photosensitive resin composition. More specifically, the present invention relates to a positive-type photosensitive resin composition suitable for forming a planarizing film, a protective film or an interlayer insulating film of an electronic component such as a liquid crystal display element, an integrated circuit element, a solid- .

종래, 액정 표시 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자, 유기 EL 등의 전자 부품에 있어서는 일반적으로 전자 부품 표면의 평탄성을 부여하기 위한 평탄화막, 전자 부품의 열화나 손상을 방지하기 위한 보호막이나 절연성을 유지하기 위한 층간 절연막을 형성할 때에 감광성 수지 조성물이 사용된다. 예를 들면, TFT형 액정 표시 소자는 유리 기판 상에 편광판을 설치하고, ITO 등의 투명 도전 회로층 및 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하고, 층간 절연막에 의해 피복하여 배면판으로 하는 한편, 유리 기판 상에 편광판을 설치하고, 필요에 따라 블랙 매트릭스층 및 컬러 필터층의 패턴을 형성하고, 투명 도전 회로층, 층간 절연막을 순차적으로 더 형성하여 상면판으로 하고, 이 배면판과 상면판을 스페이서를 통해 대향시켜 양판 사이에 액정을 봉입하여 제조되지만 이 중에서 층간 절연막을 형성할 때에 사용되는 감광성 수지 조성물로서는 감도, 잔막률, 내열성, 밀착성, 투명성이 우수한 것이 요구된다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물은 보존시의 경시 안정성이 우수한 것이 더 요구된다.Description of the Related Art Conventionally, in electronic parts such as liquid crystal display elements, integrated circuit elements, solid-state image pickup elements, and organic EL elements, a planarizing film for imparting flatness to the surface of electronic components, a protective film for preventing deterioration or damage of electronic components, A photosensitive resin composition is used to form an interlayer insulating film for maintaining the interlayer insulating film. For example, in a TFT type liquid crystal display element, a polarizing plate is provided on a glass substrate, a transparent conductive circuit layer such as ITO and a thin film transistor (TFT) are formed and covered with an interlayer insulating film to form a back plate, A pattern of a black matrix layer and a color filter layer is formed as necessary, and a transparent conductive circuit layer and an interlayer insulating film are sequentially formed in this order to form a top plate, and the back plate and the top plate are connected via a spacer And the liquid crystal is sealed between the positive and negative plates. Among them, the photosensitive resin composition used for forming the interlayer insulating film is required to have excellent sensitivity, residual film ratio, heat resistance, adhesion, and transparency. Further, the above photosensitive resin composition is further required to have excellent stability over time at the time of storage.

감광성 수지 조성물로서 예를 들면, 특허 문헌 1에는 (A) (a) 불포화 카르복실산 또는 불포화 카르복실산 무수물, (b) 에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물 및 (c) 다른 라디칼 중합성 화합물의 중합체인 알칼리 수용액에 가용인 수지, (B) 감방사선성 산생성 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물이, 특허문헌 2에는 알칼리 가용성 아크릴계 고분자 바인더, 퀴논디아지드기 함유 화합물, 가교제 및 광산 발생제를 함유하여 이루어지는 감광성 수지 조성물이 각각 제안되어 있다. 그러나, 이들은 모두 감도, 미노광부 잔막률, 해상성, 경시 안정성이 충분하지 않아 고품질의 액정 표시 소자를 제조하기 위해서는 만족할 수 있는 것은 아니었다. 특허문헌 3에는 가교제, 산 발생제 및 그 자체는 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이지만 산의 작용에 의해 해열(解裂)될 수 있는 보호기를 갖고, 그 보호기가 해열된 후에는 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 화학 증폭 레지스트 조성물이 제안되어 있다. 그러나, 밀착성이나 투과율이 충분하지 않아 고품질의 액정 표시 소자를 제조하기 위해서는 만족할 수 있는 것은 아니었다. 특허문헌 4에는 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조 및 에폭시기를 함유하는 수지, 산 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있지만 감도나 투과율이 낮아 만족할 수 있는 것은 아니었다. 특허문헌 5에는 아세탈 또는 케탈에 의해 보호된 히드록시스티렌 수지와, 파장 300㎚ 이상의 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물 및 가교제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있지만 투과율이 낮아 만족할 수 있는 것은 아니었다.As a photosensitive resin composition, for example, Patent Document 1 discloses a composition comprising (A) an unsaturated carboxylic acid or unsaturated carboxylic acid anhydride, (b) a radically polymerizable compound having an epoxy group and (c) a polymer of another radically polymerizable compound A photosensitive resin composition containing (B) a radiation-sensitive acid-generating compound and a resin soluble in a phosphorus-containing aqueous alkali solution, Patent Document 2 discloses a photosensitive resin composition containing an alkali- soluble acrylic polymer binder, a quinone diazide group- Based on the total weight of the photosensitive resin composition. However, all of them are unsatisfactory in sensitivity, unfiltered film remaining ratio, resolution and stability over time, so that they are not satisfactory for producing high quality liquid crystal display devices. In Patent Document 3, the crosslinking agent, the acid generator and the compound itself are insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution but have a protecting group that can be cleaved by the action of an acid, and after the protecting group is cleared, A positive type chemically amplified resist composition characterized by containing a resin is proposed. However, the adhesion and the transmittance are not sufficient, so that it is not satisfactory for producing a liquid crystal display element of high quality. Patent Document 4 proposes a radiation-sensitive resin composition comprising a resin containing an acetal structure and / or a ketal structure and an epoxy group, and an acid generator, but the sensitivity and the transmittance are low and can not be satisfied. Patent Document 5 proposes a radiation-sensitive resin composition which comprises a hydroxystyrene resin protected by acetal or ketal, a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, and a crosslinking agent The transmittance was low and could not be satisfied.

일본 특허공개 평5-165214호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-165214 일본 특허공개 평10-153854호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-153854 일본 특허공개 2004-4669호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-4669 일본 특허공개 2004-264623호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 일본 특허공개 2008-304902호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-304902

그래서, 본 발명의 과제는 감도, 잔막률, 보존 안정성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법으로서, 경화시킴으로써 내열성, 밀착성, 투과율 등이 우수한 경화막이 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition which is excellent in sensitivity, residual film ratio and storage stability and a method for forming a cured film using the positive photosensitive resin composition and a positive photosensitive resin composition which can obtain a cured film excellent in heat resistance, And a method of forming a cured film.

또한, 상기 경화막 형성 방법을 사용하여 얻어지는 경화막, 또한 이 경화막을 갖는 액정 표시 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 또는 유기 EL 소자를 제공하는 것이다.Further, it is intended to provide a cured film obtained by using the cured film forming method, and a liquid crystal display element, an integrated circuit element, a solid-state image pickup element or an organic EL element having the cured film.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 본 발명에 도달했다.Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have reached the present invention.

본 발명은 하기와 같다.The present invention is as follows.

〔1〕 (A1) 하기 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이며, 또한 산해리성기가 해리되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, (A2) 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 중합체 또는 공중합체 및 (B) 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.(A1) A resin which contains a constitutional unit represented by the following general formula (1), is alkali-insoluble or alkali-insoluble and is alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated, (A2) A polymer or copolymer having a constituent unit derived from a radically polymerizable monomer containing a functional group capable of forming a bond, and (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray, Resin composition.

Figure 112010027832557-pat00001
Figure 112010027832557-pat00001

[일반식(1)에 있어서,[In the general formula (1)

R1은 수소 원자, 메틸기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타낸다.R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a cyano group.

R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타낸다. 단, R2 및 R3이 동시에 수소 원자인 경우를 제외한다.R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group. Provided that R < 2 > and R < 3 > are hydrogen atoms at the same time.

R4는 치환되어도 좋은 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 4 represents a linear, branched or cyclic alkyl or aralkyl group which may be substituted.

R2 또는 R3과 R4가 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다.]R 2 or R 3 and R 4 may be connected to form a cyclic ether.]

〔2〕 〔1〕에 있어서, (C) 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(단, 상기 A2를 제외함)을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[2] The positive photosensitive resin composition according to [1], further comprising (C) a compound having two or more epoxy groups in the molecule (excluding the above A2).

〔3〕 〔1〕 또는 〔2〕에 있어서, (B) 성분은 파장 300㎚ 이상의 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[3] The positive photosensitive resin composition according to [1] or [2], wherein the component (B) contains a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays having a wavelength of 300 nm or more.

〔4〕 〔1〕~〔3〕 중 어느 하나에 있어서, (B) 성분은 하기 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[4] The positive photosensitive resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the component (B) comprises a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following general formula (2) .

Figure 112010027832557-pat00002
Figure 112010027832557-pat00002

[일반식(2)에 있어서,[In the general formula (2)

R5는 치환되어도 좋은 직쇄상, 분기상, 환상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 아릴기를 나타낸다.]R 5 represents a linear, branched, cyclic alkyl group which may be substituted or an aryl group which may be substituted.]

〔5〕 〔4〕에 있어서, 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물은 하기 일반식(2-1)로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[5] The positive photosensitive resin composition according to [4], wherein the compound containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (2-1).

Figure 112010027832557-pat00003
Figure 112010027832557-pat00003

[일반식(2-1)에 있어서,[In the general formula (2-1)

R5는 일반식(2)에 있어서의 R5와 동일하다.R 5 is the same as R 5 in the formula (2).

X는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.X represents a linear or branched alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

m은 0~3의 정수를 나타낸다. m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.]m represents an integer of 0 to 3; When m is 2 or 3, plural Xs may be the same or different.]

〔6〕 〔4〕에 있어서, 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물은 하기 일반식(2-2)로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[6] The positive photosensitive resin composition according to [4], wherein the compound containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (2-2).

Figure 112010027832557-pat00004
Figure 112010027832557-pat00004

[일반식(2-2)에 있어서,[In the general formula (2-2)

R5는 일반식(2)에 있어서의 R5와 동일하다.R 5 is the same as R 5 in the formula (2).

R6은 할로겐 원자, 수산기, 알킬기, 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타낸다.R 6 represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group or a nitro group.

l은 0~5의 정수를 나타낸다. l이 2 이상일 때, 복수의 R6은 동일해도 달라도 좋다.]and l represents an integer of 0 to 5. When l is 2 or more, plural R 6 s may be the same or different.]

〔7〕 〔1〕~〔6〕 중 어느 하나에 있어서, 상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기는 에폭시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[7] The positive photosensitive resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is an epoxy group.

〔8〕 〔7〕에 있어서, 상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체는 하기 일반식(3)~(5) 중 어느 하나로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[8] The radically polymerizable monomer containing a functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond according to [7], is a radically polymerizable monomer represented by any one of the following general formulas (3) to (5) Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.

Figure 112010027832557-pat00005
Figure 112010027832557-pat00005

[일반식(3)~(5)에 있어서,[In the general formulas (3) to (5)

R7은 수소 원자, 메틸기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.

R8~R15는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.Each of R 8 to R 15 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.

X는 2가의 연결기를 나타낸다.X represents a divalent linking group.

n은 1~10의 정수이다.]and n is an integer of 1 to 10.]

〔9〕 〔1〕~〔6〕 중 어느 하나에 있어서, 상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기는 옥세타닐기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[9] The positive photosensitive resin composition according to any one of [1] to [6], wherein the functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is an oxetanyl group.

〔10〕 〔9〕에 있어서, 상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체는 하기 일반식(6)으로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[10] The positive resist composition according to [9], wherein the radical polymerizable monomer containing a functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is a radical polymerizable monomer represented by the following formula (6) Sensitive resin composition.

Figure 112010027832557-pat00006
Figure 112010027832557-pat00006

[식 중,[Wherein,

R7은 수소 원자, 메틸기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.

R8~R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.R 8 to R 12 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.

X는 2가의 연결기를 나타낸다.X represents a divalent linking group.

n은 1~10의 정수이다.]and n is an integer of 1 to 10.]

〔11〕 〔1〕~〔10〕 중 어느 하나에 있어서, (D) 밀착 조제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[11] The positive photosensitive resin composition according to any one of [1] to [10], further comprising (D) an adhesion aid.

〔12〕 〔1〕~〔11〕 중 어느 하나에 있어서, (A2) 성분은 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위와, 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 함유하는 공중합체인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[12] The positive resist composition according to any one of [1] to [11], wherein the component (A2) is a copolymer comprising a constituent unit derived from a radically polymerizable monomer containing a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond, 1). ≪ / RTI >

〔13〕〔1〕~〔12〕 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포, 건조시켜 도막을 형성하는 공정, 마스크를 통해 활성 광선을 이용하여 노광하는 공정, 알칼리 현상액을 이용해서 현상하여 패턴을 형성하는 공정 및 얻어진 패턴을 가열 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막 형성 방법.[13] A process for producing a positive photosensitive resin composition according to any one of [1] to [12], wherein the positive photosensitive resin composition is applied onto a substrate and dried to form a coating film, And a step of heat-treating the pattern thus obtained.

〔14〕 〔13〕에 있어서, 알칼리 현상액을 이용해서 현상하여 패턴을 형성하는 공정 후, 얻어진 패턴을 가열 처리하는 공정 전에 전면 노광하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막 형성 방법.[14] The method for forming a cured film according to [13], further comprising a step of performing a front exposure before the step of heat treatment of the obtained pattern after the step of forming a pattern by development using an alkaline developer.

〔15〕 〔13〕 또는 〔14〕에 기재된 경화막 형성 방법을 이용하여 형성되는 경화막.[15] A cured film formed by the cured film forming method according to [13] or [14].

〔16〕 〔15〕에 기재된 경화막을 갖는 액정 표시 소자.[16] A liquid crystal display element having the cured film according to [15].

〔17〕 〔15〕에 기재된 경화막을 갖는 집적 회로 소자.[17] An integrated circuit device having the cured film according to [15].

〔18〕 〔15〕에 기재된 경화막을 갖는 고체 촬상 소자.[18] A solid-state imaging device having the cured film according to [15].

〔19〕 〔15〕에 기재된 경화막을 갖는 유기 EL 소자.[19] An organic EL device having the cured film according to [15].

이하, 본 발명의 더욱 바람직한 실시형태를 열거한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.

〔20〕 〔1〕~〔12〕 중 어느 하나에 있어서, (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부에 대하여 (B) 성분을 0.1~10질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[20] The positive photosensitive resin composition according to any one of [1] to [12], which contains 0.1 to 10 parts by mass of the component (B) based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) Resin composition.

〔21〕 〔1〕~〔12〕 및 〔20〕 중 어느 하나에 있어서, (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부에 대하여 (C) 성분을 1~50질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[21] The positive resist composition according to any one of [1] to [12] and [20], wherein component (C) is contained in an amount of 1 to 50 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.

〔22〕 〔11〕, 〔12〕, 〔20〕 및 〔21〕 중 어느 하나에 있어서, (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부에 대하여 (D) 성분을 0.1~20질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.[22] The positive resist composition according to any one of [11] to [12], wherein the component (D) is contained in an amount of 0.1 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) By weight based on the total weight of the positive photosensitive resin composition.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의해 감도, 잔막률, 보존 안정성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법으로서, 경화시킴으로써 내열성, 밀착성, 투과율 등이 우수한 경화막이 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막 형성 방법을 제공하는 것이 가능하게 되었다.A positive photosensitive resin composition excellent in sensitivity, residual film ratio and storage stability by the present invention and a cured film forming method using the positive photosensitive resin composition are excellent in sensitivity, It has become possible to provide a method of forming a semiconductor device.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

또한, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 아울러 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기) 뿐만 아니라 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.The notation in which the substituent and the non-substituent are not described in the notation of the group (atomic group) in the present specification includes not only a substituent but also a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

(A) 수지 성분(A) a resin component

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물이 함유하는 수지 성분 (A)는 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이며, 또한 산해리성기가 해리되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지(「(A1) 성분」이라고도 함)와 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 함유하는 중합체 또는 공중합체(「(A2) 성분」이라고도 함)를 함유하는 것을 특징으로 하지만 그 이외의 수지를 더 함유해도 좋다. 여기에서, 산해리성기란, 산의 존재하에서 해리할 수 있는 관능기를 나타낸다.The resin component (A) contained in the positive photosensitive resin composition of the present invention contains a constituent unit represented by the general formula (1) and is alkali-insoluble or alkali-insoluble, and becomes alkali-soluble when the acid- (Also referred to as "component (A1)") and a polymer or copolymer containing a constituent unit derived from an epoxy group-containing radical polymerizable monomer (also referred to as "component (A2)") May further contain a resin. Here, the acid-dissociable group means a functional group which can be dissociated in the presence of an acid.

단, 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 함유하는 중합체 또는 공중합체 (A2) 성분은 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 함유하는 구성 단위를 더 함유할 수 있지만 이 경우의 수지는 (A2) 성분이라고 간주한다.However, the polymer or copolymer (A2) containing a structural unit derived from an epoxy group-containing radical polymerizable monomer may further contain a structural unit containing a structural unit represented by the general formula (1) Is considered to be the component (A2).

(A1) 성분(A1) Component

(A1) 성분은 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이며, 또한 산해리성기가 해리되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지이다.The component (A1) is a resin that contains a constitutional unit represented by the general formula (1), is alkali-insoluble or alkali-insoluble and becomes alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated.

Figure 112010027832557-pat00007
Figure 112010027832557-pat00007

일반식(1)에 있어서,In the general formula (1)

R1은 수소 원자, 메틸기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타낸다.R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a cyano group.

R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타낸다. 단, R2 및 R3이 동시에 수소 원자인 경우를 제외한다.R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group. Provided that R < 2 > and R < 3 > are hydrogen atoms at the same time.

R4는 치환되어도 좋은 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기 또는 아랄킬기를 나타낸다.R 4 represents a linear, branched or cyclic alkyl or aralkyl group which may be substituted.

R2 또는 R3과 R4가 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다.R 2 or R 3 and R 4 may be connected to form a cyclic ether.

일반식(1)에 있어서의 R1은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 1 in the general formula (1) is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

R2 및 R3은 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.R 2 and R 3 are preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

R4는 치환되어도 좋은 탄소수 1~10의 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기가 바람직하다. 여기에서, 치환기로서는 탄소수 1~5의 알콕시기 또는 할로겐 원자가 바람직하다.R 4 is preferably a straight, branched or cyclic alkyl group of 1 to 10 carbon atoms which may be substituted. Here, the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms or a halogen atom.

R4로서의 아랄킬기는 탄소수 7~10의 아랄킬기가 바람직하다.The aralkyl group as R 4 is preferably an aralkyl group having 7 to 10 carbon atoms.

R2 또는 R3과 R4가 연결되어 환상 에테르를 형성할 때에는 R2 또는 R3과 R4가 연결되어 탄소수 2~5의 알킬렌쇄를 형성하는 것이 바람직하다.When R 2 or R 3 and R 4 are connected to form a cyclic ether, it is preferable that R 2 or R 3 and R 4 are connected to form an alkylene chain having 2 to 5 carbon atoms.

일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면, 오르토-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 메타-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 파라-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 오르토-(1-알킬-1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 메타-(1-알킬-1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 파라-(1-알킬-1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 오르토-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)-α-메틸스티렌, 메타-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)-α-메틸스티렌, 파라-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)-α-메틸스티렌, 오르토-[1-(아랄킬옥시)알킬옥시카르보닐]스티렌, 메타-[1-(아랄킬옥시)알킬옥시카르보닐]스티렌, 파라-[1-(아랄킬옥시)알킬옥시카르보닐]스티렌, 오르토-(2-옥사시클로알킬옥시카르보닐)스티렌, 메타-(2-옥사시클로알킬옥시카르보닐)스티렌, 파라-(2-옥사시클로알킬옥시카르보닐)스티렌 등을 들 수 있다. 이들 중에서 메타-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 파라-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌, 메타-(2-옥사시클로알킬옥시카르보닐)스티렌, 파라-(2-옥사시클로알킬옥시카르보닐)스티렌이 바람직하며, 파라-(1-알콕시알킬옥시카르보닐)스티렌과 파라-(2-옥사시클로알킬옥시카르보닐)스티렌이 특히 바람직하다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit represented by the general formula (1) include ortho - (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene, meta - (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene (1-alkyl-1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene, para- (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene, (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene, ortho- (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) -? - methylstyrene, meta- (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) Styrene, meta- [1- (aralkyloxy) alkyloxycarbonyl] -a- methylstyrene, ortho- [1- (aralkyloxy) alkyloxycarbonyl] (2-oxacycloalkyloxycarbonyl) styrene, meta- (2-oxacycloalkyloxycarbonyl) styrene, para- [1- (aralkyloxy) Carbonyl) styrene, para-, and the like (2-oxa-bicyclo alkyloxycarbonyl) styrene. Among these, styrenes such as metha- (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene, para- (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene, meta- (2-oxacycloalkyloxycarbonyl) styrene, para- Oxycarbonyl) styrene are preferable, and para- (1-alkoxyalkyloxycarbonyl) styrene and para- (2-oxacycloalkyloxycarbonyl) styrene are particularly preferable.

일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면, 오르토-(1-메톡시에톡시카르보닐)스티렌, 메타-(1-메톡시에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-메톡시에톡시카르보닐)스티렌, 오르토-(1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌, 메타-(1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌, 오르토-(1-n-프로폭시에톡시카르보닐)스티렌, 메타-(1-n-프로폭시에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-n-프로폭시에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-이소프로폭시에톡시카르보닐)스티렌, 오르토-(1-n-부톡시에톡시카르보닐)스티렌, 메타-(1-n-부톡시에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-n-부톡시에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-이소부톡시에톡시카르보닐)스티렌, 오르토-(1-벤질에톡시카르보닐)스티렌, 메타-(1-벤질에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-벤질에톡시카르보닐)스티렌, 오르토-(2-옥사시클로헥실옥시카르보닐)스티렌, 메타-(2-옥사시클로헥실옥시카르보닐)스티렌, 파라-(2-옥사시클로헥실옥시카르보닐)스티렌, 파라-(2-옥사시클로펜틸옥시카르보닐)스티렌, 메타-(1-에톡시에톡시카르보닐)α-메틸스티렌, 파라-(1-에톡시에톡시카르보닐)α-메틸스티렌, 메타-(1-메틸-1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌, 파라-(1-메틸-1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌 등을 들 수 있고, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the constituent unit represented by the general formula (1) include ortho - (1-methoxyethoxycarbonyl) styrene, meta- (1-methoxyethoxy Styrene, para- (1-methoxyethoxycarbonyl) styrene, ortho- (1-ethoxyethoxycarbonyl) styrene, (1-n-propoxyethoxycarbonyl) styrene, ortho- (1-n-propoxyethoxycarbonyl) styrene, Styrene, para- (1-n-butoxyethoxycarbonyl) styrene, para- (1-n-butoxyethoxycarbonyl) styrene, Styrene, para- (1-n-butoxyethoxycarbonyl) styrene, para- (1-isobutoxyethoxycarbonyl) styrene, ortho- (1-benzylethoxycarbonyl) - (1-benzyl (2-oxacyclohexyloxycarbonyl) styrene, meta- (2-oxacyclohexyloxycarbonyl) styrene, para- (1-benzylethoxycarbonyl) styrene, - (2-oxacyclohexyloxycarbonyl) styrene, para- (2-oxacyclopentyloxycarbonyl) styrene, meta- (1-ethoxyethoxycarbonyl) Styrene, para- (1-methyl-1-ethoxyethoxycarbonyl) styrene, and the like can be used. And may be used singly or in combination of two or more.

일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법에 의해 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 하기에 나타내는 바와 같이, 비닐안식향산을 산촉매의 존재하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.The radically polymerizable monomer used for forming the constituent unit represented by the general formula (1) may be a commercially available one, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, as shown below, it can be synthesized by reacting vinyl benzoic acid with vinyl ether in the presence of an acid catalyst.

Figure 112010027832557-pat00008
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여기에서, R1, R3 및 R4는 일반식(1)에 있어서의 R1, R3 및 R4에 대응하고, R13 및 R14는 -CH(R13)(R14)로서 일반식(1)에 있어서의 R2에 대응한다.Here, R 1, R 3 and R 4 is a general formula (1) R 1, R 3 and R 4 corresponding to R 13 and R 14 is -CH (R 13) (R 14 ) a in the general Corresponds to R < 2 > in the formula (1).

(A1) 성분에 있어서 필요에 따라 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 형성하기 위한 단량체 이외의 구성 단위를 갖는 단량체를 공중합할 수 있다.In the component (A1), a monomer having a constituent unit other than the monomer for forming the constituent unit represented by the general formula (1) may be copolymerized, if necessary.

일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위 이외의 구성 단위로서는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, α-메틸-아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐안식향산메틸, 비닐안식향산에틸, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산n-프로필, 메타크릴산n-프로필, 아크릴산이소프로필, 메타크릴산이소프로필, 아크릴산tert-부틸, 메타크릴산tert-부틸, 아크릴산2-히드록시에틸, 메타크릴산2-히드록시에틸, 아크릴산2-히드록시프로필, 메타크릴산2-히드록시프로필, 아크릴산벤질, 메타크릴산벤질, 아크릴산이소보르닐, 메타크릴산이소보르닐, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴로니트릴 등에 의한 구성 단위를 예시할 수 있고, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the structural unit other than the structural unit represented by the general formula (1) include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene,? -Methyl-acetoxystyrene, methoxystyrene Methacrylic acid, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, n-butyl methacrylate, Isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, tert-butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2- Examples thereof include structural units derived from hydroxypropyl, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, glycidyl methacrylate, acrylonitrile and the like, It may be used in combination of two or more.

(A1) 성분을 구성하는 반복 단위 중 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위의 함유율은 10~100몰%가 바람직하며, 20~90몰%가 더욱 바람직하고, 30~80몰%가 특히 바람직하다.The content of the structural unit represented by the general formula (1) in the repeating units constituting the component (A1) is preferably 10 to 100 mol%, more preferably 20 to 90 mol%, and particularly preferably 30 to 80 mol% Do.

(A1) 성분의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 바람직하게는 1,000~200,000, 보다 바람직하게는 2,000~50,000의 범위이다.The molecular weight of the component (A1) is preferably from 1,000 to 200,000, more preferably from 2,000 to 50,000, in terms of polystyrene reduced weight average molecular weight.

(A1) 성분은 다른 구성 단위를 함유하는 수지를 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있고, 또한 동일한 구성 단위로 이루어지며, 조성이 다른 2종 이상의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다.The component (A1) may be a mixture of two or more kinds of resins containing different structural units, or a mixture of two or more kinds of resins composed of the same structural units and having different compositions.

또한, (A1) 성분의 합성법에 대해서도 여러가지 방법이 알려져 있지만 일례를 들면, 적어도 일반식(1)로 나티내어지는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 함유하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중 라디칼 중합 개시제를 이용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Further, although various methods are known for the synthesis of the component (A1), for example, a radically polymerizable monomer mixture containing a radically polymerizable monomer used for forming a constitutional unit at least represented by the general formula (1) Can be synthesized by polymerization using a radical polymerization initiator in an organic solvent.

(A2) 성분(A2) Component

(A2) 성분은 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 함유하는 중합체 또는 공중합체이다. 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기로서는 에폭시기 또는 옥세타닐기가 바람직하다.The component (A2) is a polymer or copolymer containing a constituent unit derived from a functional radical-containing radical polymerizable monomer capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond. The functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is preferably an epoxy group or an oxetanyl group.

카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기 함유 라디칼 중합성 단량체로서는 일형태에 있어서 하기 일반식(3)~(5) 중 어느 하나로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체가 바람직하며, 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 일반식(3)~(5)로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체의 분자량은 바람직하게는 100~500, 보다 바람직하게는 120~200이다.As the functional radical-containing radical polymerizable monomer capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond, the radical polymerizable monomer represented by any one of the following general formulas (3) to (5) is preferable in one form, Can be used in combination. The molecular weight of the radical polymerizable monomer represented by the general formulas (3) to (5) is preferably 100 to 500, more preferably 120 to 200.

Figure 112010027832557-pat00009
Figure 112010027832557-pat00009

일반식(3)~(5) 중 X는 2가의 연결기를 나타내고, 예를 들면 -O-, -S- 또는 -COO-, -OCH2COO- 등의 유기기를 들 수 있다. X는 바람직하게는 -COO-이다.In the general formulas (3) to (5), X represents a divalent linking group, and examples thereof include organic groups such as -O-, -S-, -COO-, and -OCH 2 COO-. X is preferably -COO-.

R7은 수소 원자, 메틸기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14 R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기를 나타낸다. 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , And each R 15 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. Preferably a hydrogen atom or a methyl group.

n은 1~10의 정수이며, 바람직하게는 1~3의 정수이다.n is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 3.

카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기 함유 라디칼 중합성 단량체를 구체적으로 예시하면, 에폭시기를 갖는 것으로서는 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, 아크릴산3,4-에폭시부틸, 메타크릴산3,4-에폭시부틸, 아크릴산4,5-에폭시펜틸, 메타크릴산4,5-에폭시펜틸, 아크릴산6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산6,7-에폭시헵틸, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트류; o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르 등의 비닐벤질글리시딜에테르류; o-비닐페닐글리시딜에테르, m-비닐페닐글리시딜에테르, p-비닐페닐글리시딜에테르 등의 비닐페닐글리시딜에테르류를 들 수 있다. 이들 중에서도 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, p-비닐페닐글리시딜에테르, 3,4-에폭시시클로헥실메틸아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트가 바람직하며, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜이 특히 바람직하다.Specific examples of the functional group-containing radical polymerizable monomer capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond include those having an epoxy group such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacryl Epoxy pentyl acrylate, 4,5-epoxy pentyl methacrylate, 6,7-epoxyhexyl acrylate, 6,7-epoxy heptyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexyl acrylate, (Meth) acrylates such as hexyl methyl acrylate and 3,4-epoxycyclohexyl methyl methacrylate; o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether,? -methyl-o-vinyl benzyl glycidyl ether,? -methyl- Vinyl benzyl glycidyl ethers such as diester,? -Methyl-p-vinylbenzyl glycidyl ether; and vinylphenyl glycidyl ethers such as o-vinylphenyl glycidyl ether, m-vinylphenyl glycidyl ether and p-vinylphenyl glycidyl ether. Of these, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, p-vinylphenyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate and 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate are preferable, and acrylic acid Glycidyl, and glycidyl methacrylate are particularly preferable.

카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기 함유 라디칼 중합성 단량체로서는 다른 형태에 있어서 하기 일반식(6) 또는 (7)로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체가 바람직하며, 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 일반식(6) 또는 (7)로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체의 분자량은 바람직하게는 100~500, 보다 바람직하게는 120~200이다.As the functional group-containing radical polymerizable monomer capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond, the radical polymerizable monomer represented by the following general formula (6) or (7) in the other form is preferable, Can be used. The molecular weight of the radically polymerizable monomer represented by the general formula (6) or (7) is preferably 100 to 500, more preferably 120 to 200.

Figure 112010027832557-pat00010
Figure 112010027832557-pat00010

일반식(6) 및(7) 중 X는 2가의 연결기를 나타내고, 예를 들면, -O-, -S- 또는 -COO-, -OCH2COO- 등의 유기기를 들 수 있다. X는 바람직하게는 -COO-이다.In the general formulas (6) and (7), X represents a divalent linking group, and examples thereof include organic groups such as -O-, -S-, -COO-, and -OCH 2 COO-. X is preferably -COO-.

R7은 수소 원자, 메틸기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom, preferably a hydrogen atom or a methyl group.

R8~R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기를 나타낸다. 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.R 8 to R 15 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Preferably a hydrogen atom or a methyl group.

n은 1~10의 정수이며, 바람직하게는 1~3의 정수이다.n is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 3.

이러한 옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는 에폭시기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체의 상기 구체예에 있어서 에폭시기를 옥세타닐기로 치환한 화합물이나 예를 들면, 일본 특허공개 2001-330953호 공보의 단락 0011~0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the oxetanyl group-containing structural unit include compounds in which the epoxy group is substituted with an oxetanyl group in the above specific examples of the radically polymerizable monomer containing an epoxy group, (Meth) acrylic acid esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A-2001-330953.

카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 갖는 구성 단위의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다.Preferable specific examples of the structural unit having a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond include the following structural units.

Figure 112010027832557-pat00011
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카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기 함유 라디칼 중합성 단량체는 시판의 것을 사용해도, 공지의 방법에 의해 합성한 것을 사용해도 좋다.The functional group-containing radical polymerizable monomer capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond may be commercially available or may be synthesized by a known method.

(A2) 성분에 있어서 필요에 따라 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기 함유 라디칼 중합성 단량체 이외의 구성 단위를 갖는 단량체를 공중합할 수 있다.A monomer having a constituent unit other than a functional group-containing radical polymerizable monomer capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond in the component (A2) can be copolymerized.

이들 구성 단위로서는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, α-메틸-아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐안식향산메틸, 비닐안식향산에틸, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산n-프로필, 메타크릴산n-프로필, 아크릴산이소프로필, 메타크릴산이소프로필, 아크릴산tert-부틸, 메타크릴산tert-부틸, 아크릴산2-히드록시에틸, 메타크릴산2-히드록시에틸, 아크릴산2-히드록시프로필, 메타크릴산2-히드록시프로필, 아크릴산벤질, 메타크릴산벤질, 아크릴산이소보르닐, 메타크릴산이소보르닐, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴로니트릴 등에 의한 구성 단위를 예시할 수 있고, 또한 "일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 형성할 수 있는 단량체"를 공중합할 수 있다. Examples of these structural units include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, hydroxystyrene,? -Methylstyrene, acetoxystyrene,? -Methyl-acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate , Ethyl vinyl benzoate, acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate , Isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, glycidyl methacrylate, acrylonitrile, and the like. The term "a structural unit represented by the general formula (1) Monomer capable of forming "can be copolymerized.

이들 단량체는 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These monomers may be used alone or in combination of two or more.

(A2) 성분을 구성하는 반복 단위 중 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 잇는 관능기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은 5~90몰%가 바람직하며, 10~80몰%가 더욱 바람직하고, 15~70몰%가 특히 바람직하다.The content of the constituent unit derived from the functional radical-polymerizable monomer capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond among the repeating units constituting the component (A2) is preferably from 5 to 90 mol%, more preferably from 10 to 80 mol% , Still more preferably from 15 to 70 mol%.

또한, (A2) 성분을 구성하는 반복 단위 중 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위의 함유율은 바람직하게는 0~70몰%, 더욱 바람직하게는 5~50몰%이다.The content of the structural unit represented by the general formula (1) in the repeating units constituting the component (A2) is preferably 0 to 70 mol%, more preferably 5 to 50 mol%.

(A2) 성분의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 바람직하게는 1,000~200,000, 보다 바람직하게는 2,000~50,000의 범위이다.The molecular weight of the component (A2) is preferably from 1,000 to 200,000, more preferably from 2,000 to 50,000, in terms of polystyrene reduced weight average molecular weight.

(A2) 성분은 다른 구성 단위를 함유하는 수지를 2종 이상 혼합하여 사용할 수도 있고, 또한 동일한 구성 단위로 이루어지며 조성이 다른 2종 이상의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다.The component (A2) may be a mixture of two or more kinds of resins containing different structural units, or a mixture of two or more kinds of resins composed of the same structural units and having different compositions.

또한, (A2) 성분의 합성법에 대해서도 여러가지 방법이 알려져 있지만 일례를 들면, 적어도 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체를 함유하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중 라디칼 중합 개시제를 이용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Although various methods are known for the synthesis of the component (A2), for example, a radical polymerization initiator mixture containing at least an epoxy group-containing radically polymerizable monomer can be synthesized by polymerization using a radical polymerization initiator in an organic solvent .

(A1) 성분과 (A2) 성분의 질량비는 바람직하게는 20:80~80:20이며, 보다 바람직하게는 30:70~70:30이다.The mass ratio of the component (A1) to the component (A2) is preferably 20:80 to 80:20, and more preferably 30:70 to 70:30.

또한, 본 발명의 조성물은 (A1) 성분과 (A2) 성분 이외의 수지를 함유하고 있어도 좋고, (A1) 성분과 (A2) 성분 이외의 수지의 함유율은 (A1) 성분과 (A2) 성분의 총량 100질량부에 대하여 바람직하게는 50질량부 이하이다.The composition of the present invention may contain a resin other than the component (A1) and the component (A2), and the content of the resin other than the component (A1) Is preferably 50 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the total amount.

(A) 성분을 구성하는 전체 수지의 전체 반복 단위 중 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위의 함유율은 10~90몰%가 바람직하며, 20~50몰%가 보다 바람직하다.The content of the structural unit represented by the general formula (1) in the total repeating units of the whole resin constituting the component (A) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 20 to 50 mol%.

에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위의 함유율은 5~50몰%가 바람직하며, 10~40몰%가 보다 바람직하다.The content of the constituent unit derived from an epoxy group-containing radical polymerizable monomer is preferably from 5 to 50 mol%, more preferably from 10 to 40 mol%.

일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위 및 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위 이외의 구성 단위의 함유율은 총량으로서 (A) 성분을 구성하는 전체 수지의 전체 반복 단위 중 85몰% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 70몰% 이하이다.The content ratio of the constitutional units other than the constitutional unit derived from the constituent unit represented by the formula (1) and the radical-polymerizable monomer containing the epoxy group is 85 mol% or less in the total repeating units of the whole resin constituting the component (A) , And more preferably 70 mol% or less.

(B) 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물(B) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation

본 발명에서 사용되는 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물(「(B) 성분」또는 「광산 발생제」라고도 함)로서는 예를 들면, 술포늄염이나 요오드늄염, 디아조메탄 화합물, 이미드술포네이트 화합물, 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있고, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the compound (also referred to as a "component (B)" or "photo-acid generator") that generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation used in the present invention include sulfonium salts, iodonium salts, diazomethane compounds, An imidosulfonate compound, and an oxime sulfonate compound. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

(B) 성분은 파장 300㎚ 이상의 활성 광선에 감광하여 산을 발생시키는 화합물이 바람직하며, 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물이 더욱 바람직하다.The component (B) is preferably a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, more preferably a compound containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2).

Figure 112010027832557-pat00012
Figure 112010027832557-pat00012

일반식(2)에 있어서,In the general formula (2)

R5는 치환되어도 좋은 직쇄상, 분기상, 환상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 아릴기를 나타낸다.R 5 represents a linear, branched, cyclic alkyl group which may be substituted or an aryl group which may be substituted.

R5의 알킬기로서는 탄소수 1~10의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. R5의 알킬기는 탄소수 6~11의 아릴기, 탄소수 1~10의 알콕시기 또는 지환식기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식(有橋式) 지환기를 함유하는 바람직하게는 비시클로알킬기 등)에 의해 치환되어도 좋다.As the alkyl group for R 5 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group of R < 5 > is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms or an alicyclic group (preferably a bridged alicyclic group such as a 7,7-dimethyl- A bicycloalkyl group or the like).

R5의 아릴기로서는 탄소수 6~11의 아릴기가 바람직하며, 페닐기 또는 나프틸기가 더욱 바람직하다. R5의 아릴기는 탄소수 1~5의 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자에 의해 치환되어도 좋다.The aryl group represented by R 5 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, more preferably a phenyl group or a naphthyl group. The aryl group of R 5 may be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group or a halogen atom.

일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 광산 발생제는 일형태에 있어서 하기 일반식(2-1)로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 더욱 바람직하다.The photoacid generator containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the following general formula (2-1) in one form.

Figure 112010027832557-pat00013
Figure 112010027832557-pat00013

일반식(2-1)에 있어서,In the general formula (2-1)

R5는 일반식(2)에 있어서의 R5와 동일하다.R 5 is the same as R 5 in the formula (2).

X는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.X represents a linear or branched alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

m은 0~3의 정수를 나타낸다. m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.m represents an integer of 0 to 3; When m is 2 or 3, plural Xs may be the same or different.

X로서의 알킬기는 탄소수 1~4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.The alkyl group as X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 알콕시기는 탄소수 1~4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group as X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로서의 할로겐 원자는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom as X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m은 0 또는 1이 바람직하다.m is preferably 0 or 1.

특히, 일반식(2-1)에 있어서 m이 1, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토인 화합물이 바람직하며, 또한 R5가 탄소수 1~10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기 또는 p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.Particularly, in the general formula (2-1), a compound wherein m is 1, X is a methyl group and X is a substituted position is ortho, and R 5 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 7,7-dimethyl Oxonoboronylmethyl group or a p-tolyl group is particularly preferable.

옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 예를 들면, 하기 화합물(i), 화합물(ii), 화합물(iii), 화합물(iv), 화합물(v) 등을 들 수 있고, 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 성분과 조합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound include the following compounds (i), (ii), (iii), (iv) and (v) Can be used. Further, it may be used in combination with another kind of component (B).

Figure 112010027832557-pat00014
Figure 112010027832557-pat00014

화합물(i)~(v)은 시판품으로서 입수할 수 있다.The compounds (i) to (v) are commercially available.

일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 광산 발생제는 다른 형태에 있어서 하기 일반식(2-2)로 나타내어지는 화합물인 것이 더욱 바람직하다.The photoacid generator containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2) is more preferably a compound represented by the following general formula (2-2) in another form.

Figure 112010027832557-pat00015
Figure 112010027832557-pat00015

일반식(2-2) 중,In the general formula (2-2)

R5는 일반식(2)에 있어서의 R5와 동일하다.R 5 is the same as R 5 in the formula (2).

R6은 할로겐 원자, 수산기, 알킬기, 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타낸다.R 6 represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group or a nitro group.

l은 0~5의 정수를 나타낸다. l이 2 이상일 때, 복수의 R6은 동일해도 달라도 좋다.and l represents an integer of 0 to 5. When l is 2 or more, plural R 6 s may be the same or different.

일반식(2-2)에 대해서 더욱 상세하게 설명한다.The general formula (2-2) will be described in more detail.

R5로서 바람직하게는 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~5의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1~5의 할로겐화 알콕시기, W에 의해 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W에 의해 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W에 의해 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기 등을 예시할 수 있다. 여기에서, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1~10의 알킬기, 탄소 원자수 1~10의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1~5의 할로겐화 알콕시기를 나타내는 것이다.R 5 is preferably an alkyl group of 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group which may be substituted by W, A naphthyl group which may be present or an anthranyl group which may be substituted by W can be exemplified. W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Or a halogenated alkoxy group.

일반식(2-2)에 있어서의 R5로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 벤질기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하며, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 벤질기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 5 in the general formula (2-2) include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-octyl, , A perfluoro-n-butyl group, a benzyl group, a p-tolyl group, a 4-chlorophenyl group or a pentafluorophenyl group is preferable, and a methyl group, Tolyl group is particularly preferable.

R6으로 나타내어지는 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by R 6 is preferably a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom.

R6으로 나타내어지는 알킬기로서는 탄소 원자수 1~4의 알킬기가 바람직하며, 특히 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.As the alkyl group represented by R 6 , an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, and a methyl group or an ethyl group is particularly preferable.

R6으로 나타내어지는 알콕시기로서는 탄소 원자수 1~4의 알콕시기가 바람직하며, 특히 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group represented by R 6 , an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, and a methoxy group or an ethoxy group is particularly preferable.

l로서는 0~2가 바람직하며, 0 또는 1이 특히 바람직하다.l is preferably 0 to 2, and 0 or 1 is particularly preferable.

일반식(2-2)로 나타내어지는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 바람직한 형태로서는 R5가 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내고, R6이 수소 원자 또는 메톡시기를 나타내며, l이 0 또는 1의 형태이다.R 5 is preferred aspect of the compounds included in the photo-acid generator represented by formula (2-2), a methyl group, an ethyl group, n- propyl group, an n- butyl group, or represents a 4-tolyl, R 6 is a hydrogen atom or Methoxy group, and l is 0 or 1.

이하, 일반식(2-2)로 나타내어지는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, particularly preferred examples of the compound included in the photoacid generator represented by the general formula (2-2) are shown, but the present invention is not limited thereto.

α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=메틸기, R4A=수소 원자)? - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = methyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=에틸기, R4A=수소 원자)? - (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = ethyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-프로필기, R4A=수소 원자)? - (n-propylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-propyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-부틸기, R4A=수소 원자)? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-butyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=4-톨릴기, R4A=수소 원자)? - (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = 4-tolyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(벤젠술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=페닐기, R4A=수소 원자)? - (benzenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = phenyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-〔(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=메틸기, R4A=메톡시기)? - [(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = methyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=에틸기, R4A=메톡시기)? - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = ethyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-프로필기, R4A=메톡시기)(R 3 A = n-propyl group, R 4 A = methoxy group)

α-〔(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-부틸기, R4A=메톡시기)? - [(n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = n-butyl group, R 4A =

α-〔(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=4-톨릴 기, R4A=메톡시기).? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = 4-tolyl group, R 4A = methoxy group).

α-〔(벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=페닐기, R4A=메톡시기).? - [(benzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = phenyl group, R 4A = methoxy group).

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서 광산 발생제(B)는 (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부에 대하여 0.1~10질량부 함유되는 것이 바람직하며, 0.5~10질량부 함유되는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator (B) is preferably contained in an amount of 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) and desirable.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 필요에 따라 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 광산 발생제 이외의 광산 발생제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a photoacid generator other than the photoacid generator containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2), if necessary, as a photoacid generator which is sensitive to an actinic ray.

(C) 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(C) a compound having two or more epoxy groups in the molecule

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(「(C) 성분」이라고도 함)의 구체예로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule (also referred to as " component (C) ") include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, Resins and the like.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지로서는 JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010{이상, 재팬에폭시레진(주)제}, EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055{이상, 다이니폰잉크카가쿠코교(주)제} 등을, 비스페놀 F형 에폭시 수지로서는 JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010{이상, 재팬에폭시레진(주)제}, EPICLON830, EPICLON835{이상, 다이니폰잉크카가쿠코교(주)제}, LCE-21, RE-602S{이상, 니폰카야쿠(주)제} 등을, 페놀 노볼락형 에폭시 수지로서는 JER152, JER154, JER157S70{이상, 재팬에폭시레진(주)제}, EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770, EPICLON N-775{이상, 다이니폰잉크카가쿠코교(주)제} 등을, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지로서는 EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695{이상, 다이니폰잉크카가쿠코교(주)제}, EOCN-1020{이상, 니폰카야쿠(주)제} 등을, 지방족 에폭시 수지로서는 ADEKA RESIN EP-4080S, 동 EP-4085S, 동 EP-4088S{이상, ADEKA(주)제}, 셀록사이드 2021P, 셀록사이드 2081, 셀록사이드 2083, 셀록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEAD PB 3600, 동 PB 4700{이상, 다이셀카가쿠(주)제} 등을 들 수 있다. 그 밖에도 ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S{이상, ADEKA(주)제}, NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502{이상, ADEKA(주)제} 등을 예시할 수 있고, 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 { (Manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON 830, EPICLON 835 {or the like) as the bisphenol F type epoxy resin, and JER 806, JER 807, JER 4004, JER 4005, JER 4007, JER152, JER154, JER157S70 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as the phenol novolak type epoxy resin, (Manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), EPICLON N-740, EPICLON N-740, EPICLON N-770 and EPICLON N-775 EPICLON N-660, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N- -1020 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and examples of the aliphatic epoxy resin include ADEKA RESIN EP-4080S, EP-4085S, EP-4088S Side 2081, celloxide 2083, celloxide 2085, EHPE 3150, EPOLEAD PB 3600, PB 4700 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) and the like. In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- 501, EPPN-502 (manufactured by ADEKA CO., LTD.), Etc. These may be used singly or in combination of two or more.

이들 중에서 바람직한 것으로서는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지를 예시할 수 있다. 특히 비스페놀 A형 에폭시 수지가 바람직하다.Among these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin and cresol novolak type epoxy resin. Particularly, a bisphenol A type epoxy resin is preferable.

에폭시 수지(C)의 함유율은 (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부에 대하여 1~50질량부가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5~30질량부이다.The content of the epoxy resin (C) is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 5 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) and (A2).

(C) 성분은 크롬, 몰리브덴, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 동, 코발트, 텅스텐, 니켈 등의 금속층과의 밀착성 향상에 유효하다. 이들 금속층을 스퍼터링법에 의해 제작한 경우에는 그 효과가 현저하다.The component (C) is effective for improving adhesion with metal layers such as chromium, molybdenum, aluminum, tantalum, titanium, copper, cobalt, tungsten and nickel. When these metal layers are produced by the sputtering method, the effect is remarkable.

(D) 밀착 조제(D) Adhesion preparation

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (D) 밀착 조제를 더 함유할 수 있다.The positive photosensitive resin composition of the present invention may further contain (D) an adhesion aid.

본 발명에 사용되는 밀착 조제(D)로서는 기재가 되는 무기물, 예를 들면, 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 동, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 예시할 수 있다.Examples of the adhesion aid (D) used in the present invention include inorganic compounds such as silicon compounds, silicon compounds such as silicon oxide and silicon nitride, and compounds which improve the adhesion between metals such as gold, copper and aluminum and insulating films. Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds.

본 발명에서 사용되는 밀착 조제로서의 실란 커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다. The silane coupling agent as the adhesion promoter used in the present invention is not specifically limited and any known one may be used for the purpose of modifying the interface.

바람직한 실란 커플링제로서는 예를 들면, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferred examples of the silane coupling agent include? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropylalkyldialkoxysilane ,? -chloropropyltrialkoxysilane,? -mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane, and vinyltrialkoxysilane.

γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하며, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 보다 더욱 바람직하다.more preferably γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane or γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane, and even more preferably γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane.

이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성 향상에 유효함과 아울러, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. These are effective in improving the adhesion with the substrate and also in adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서의 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분의 혼합비는 (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부에 대하여 (B) 성분은 0.1~10질량부가 바람직하며, 0.5~10질량부가 보다 바람직하다. The mixing ratio of the component (A), the component (B), the component (C) and the component (D) in the positive photosensitive resin composition of the present invention is (B ) Is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass.

(C) 성분은 상술한 바와 같이, 1~50질량부가 바람직하며, 5~30질량부가 보다 바람직하다. 또한, (D) 성분은 0.1~20질량부가 바람직하며, 0.5~10질량부가 보다 바람직하다.The component (C) is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 5 to 30 parts by mass, as described above. The amount of the component (D) is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass.

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물에는 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분에 추가해서 필요에 따라 염기성 화합물, 계면활성제, 자외선 흡수제, 증감제, 가소제, 증점제, 유기 용제, 밀착 촉진제, 유기 또는 무기의 침전 방지제 등을 첨가할 수 있다.In addition to the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D), the positive photosensitive resin composition of the present invention may further contain a basic compound, a surfactant, an ultraviolet absorbent, a sensitizer, a plasticizer, An organic solvent, an adhesion promoter, an organic or inorganic precipitation inhibitor, and the like.

<염기성 화합물>&Lt; Basic compound >

염기성 화합물로서는 화학 증폭 레지스트에서 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 4급 암모늄히드록시드, 카르복실산 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.As the basic compound, any of those used in the chemically amplified resist may be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, carboxylic quaternary ammonium salts and the like.

지방족 아민으로서는 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amines include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine, and the like.

복소환식 아민으로서는 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5,3,0]-7운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl- Benzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxy Quinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] , 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7 undecene, and the like.

4급 암모늄히드록시드로서는 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide.

카르복실산 4급 암모늄염으로서는 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

염기성 화합물의 배합률은 (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부당 0.001~1질량부로 하는 것이 바람직하며, 0.005~0.2질량부로 하는 것이 보다 바람직하다.The compounding ratio of the basic compound is preferably 0.001 to 1 part by mass, more preferably 0.005 to 0.2 part by mass per 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) and (A2).

<계면활성제><Surfactant>

계면활성제로서는 음이온계, 양이온계, 비이온계 또는 양성 중 어느 것이나 사용할 수 있지만 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다. 비이온계 계면활성제의 예로서는 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 사용할 수 있다. 또한, 이하 상품명에서 KP(신에쓰카가쿠코교제), 폴리플로우(쿄에이샤카가쿠제), 에프톱(JEMCO제), 메가팩(다이니폰잉크카가쿠코교제), 플로라드(스미토모스리엠제), 아사히가드, 서프론(아사히가라스제) PolyFox(OMNOVA사제), 후타젠트(네오스사제) 등의 각 시리즈를 예시할 수 있다.As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants may be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants. Examples of the nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (Kyoeisha Kagaku Co., Ltd.), F-top (manufactured by JEMCO), Megapack (Dainippon Ink & ), Asahi Guard, Surfron (Asahi Glass Co.), PolyFox (OMNOVA), Futazent (Neos), and the like.

또한, 계면활성제로서 하기 일반식(I)로 나타내어지는 구성 단위 A 및 구성 단위 B를 함유하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 한 경우의 겔퍼미에이션 크로마토그래피에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The weight ratio of the surfactant in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (I) and tetrahydrofuran (THF) A preferred example is a copolymer having an average molecular weight (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less.

Figure 112010027832557-pat00016
Figure 112010027832557-pat00016

일반식(I) 중 R1 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내며, R4는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 질량비를 나타내는 질량 백분률이며, p는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내며, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다. In formula (I), R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms P is an integer of not less than 10 mass% and not more than 80 mass%, q is a mass of not less than 20 mass% and not more than 90 mass%, L is an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q are mass percentages representing mass ratios, % Or less, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less.

상기 L은 하기 일반식(II)으로 나타내어지는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 일반식(II)에 있어서의 R5는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하며, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q의 합(p+q)은 p+q=100, 즉, 100질량%인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following general formula (II). R 5 in the general formula (II) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a surface to be coated, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms is preferable desirable. The sum (p + q) of p and q is preferably p + q = 100, that is, 100 mass%.

Figure 112010027832557-pat00017
Figure 112010027832557-pat00017

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 THF를 용매로 한 겔퍼미에이션 크로마토그래피에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산에 있어서 1000 이상 10000 이하가 바람직하며, 1500 이상 5000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is preferably 1000 or more and 10,000 or less, and more preferably 1,500 or more and 5,000 or less, in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography using THF as a solvent.

계면활성제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The surfactants may be used alone or in combination of two or more.

계면활성제의 배합률은 (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부당 통상 10질량부 이하이며, 바람직하게는 0.01~10질량부, 보다 바람직하게는 0.01~1질량부이다.The compounding ratio of the surfactant is usually 10 parts by mass or less, preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.01 to 1 part by mass, per 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) and (A2).

<가소제><Plasticizer>

가소제로서는 예를 들면, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 주석산디부틸, 아디핀산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate, triacetyl glycerin and the like.

가소제의 배합률은 (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부당 0.1~30질량부로 하는 것이 바람직하며, 1~10질량부로 하는 것이 보다 바람직하다.The blending ratio of the plasticizer is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) and (A2).

<증감제><Increase / decrease>

본 발명의 감광성 수지 조성물은 광산 발생제(B)와의 조합에 있어서 그 분해를 촉진시키기 위해서 증감제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer in combination with the photoacid generator (B) in order to promote its decomposition.

증감제는 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기 상태가 된 증감제는 광산 발생제와 접촉하여 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 발생된다. 이것에 의해 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜 분해되어 산을 생성한다.The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer in the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron movement, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator causes a chemical change to decompose to generate an acid.

바람직한 증감제의 예로서는 이하의 화합물류에 속하고 있고, 또한 350㎚~450㎚ 영역 중 어느 하나에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength in any one of the following 350 nm to 450 nm regions, belonging to the following compounds.

다환 방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민 B, 로즈벤갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤), 시아닌류(예를 들면, 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 메로시아닌류(예를 들면, 메로시아닌, 카르보메로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면, 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스스티릴류(예를 들면, 2-[2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐]벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-히드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H[l]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polycyclic aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- Anthracene, xanthone, xanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, etc.), xanthone (e.g., fluorene, eosin, erythrosine, rhodamine B, Tonnes), cyanines (e.g., thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (e.g., merocyanine, carbomerocyanine), rhodacyanines, (Such as acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones (such as acridone, acridine, acridine), acridine (for example, thionine, methylene blue, toluidine blue) Butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (for example, anthraquinone), squaryliums (for example, squalium), styryls, (E.g., 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino 4-methylcoumarin, Methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H [l] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizine-11-pne).

이들 증감제 중에서도 다환 방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류가 바람직하며, 다환 방향족류가 보다 바람직하다. 다환 방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Of these sensitizers, polycyclic aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polycyclic aromatic compounds are more preferable. Of the polycyclic aromatics, anthracene derivatives are most preferred.

<용제><Solvent>

본 발명의 포지티브형 감광성 조성물은 상기 성분을 용제에 용해하여 용액으로서 사용된다. 본 발명의 포지티브형 감광성 조성물에 사용되는 용제로서는 예를 들면,The positive photosensitive composition of the present invention is used as a solution by dissolving the above components in a solvent. As the solvent used in the positive photosensitive composition of the present invention, for example,

(a) 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류;(a) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether;

(b) 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류;(b) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether;

(c) 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;(c) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate and ethylene glycol monobutyl ether acetate;

(d) 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류;(d) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether;

(e) 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류;(e) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(f) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;(f) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate;

(g) 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류;(g) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether;

(h) 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;(h) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate;

(i) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류;(i) dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether;

(j) 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류;(j) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(k) 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류;(k) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate;

(l) 유산메틸, 유산에틸, 유산n-프로필, 유산이소프로필, 유산n-부틸, 유산이소부틸, 유산n-아밀, 유산이소아밀 등의 유산에스테르류;(l) esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, n-butyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and lactic acid digester;

(m) 초산n-부틸, 초산이소부틸, 초산n-아밀, 초산이소아밀, 초산n-헥실, 초산2-에틸헥실, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 낙산메틸, 낙산에틸, 낙산n-프로필, 낙산이소프로필, 낙산n-부틸, 낙산이소부틸 등의 지방족 카르복실산에스테르류;(m) n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate;

(n) 히드록시초산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸낙산에틸, 메톡시초산에틸, 에톡시초산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토초산메틸, 아세토초산에틸, 피루빈산메틸, 피루빈산에틸 등의 다른 에스테르류;(n) is selected from the group consisting of ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxypropionate, Methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate and ethyl pyruvate;

(o) 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류;(o) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone;

(p) N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류;(p) amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone;

(q) γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.(q) lactones such as? -butyrolactone, and the like.

또한, 이들 용제에 필요에 따라 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥타놀, 1-노날, 벤질알코올, 아니솔, 초산벤질, 안식향산에틸, 옥살산디에틸, 말레인산디에틸, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 용제를 더 첨가할 수도 있다.If necessary, these solvents may further contain one or more of benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, A solvent such as norbornene, 1-nonyl, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate may be further added.

용제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The solvents may be used alone or in combination of two or more.

용제의 배합률은 (A1) 및 (A2) 성분의 총량 100질량부당 통상, 50~3,000질량부, 바람직하게는 100~2,000질량부, 더욱 바람직하게는 100~1,000질량부이다.The blending ratio of the solvent is usually 50 to 3,000 parts by mass, preferably 100 to 2,000 parts by mass, and more preferably 100 to 1,000 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of the components (A1) and (A2).

본 발명에 의해 감도, 잔막률 및 경시 안정성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물로서, 경화시킴으로써 내열성, 밀착성, 투명성 등이 우수한 경화막이 얻어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a positive photosensitive resin composition which is excellent in sensitivity, residual film ratio and long-term stability, and which can be cured to obtain a cured film excellent in heat resistance, adhesion, transparency and the like.

<경화막의 형성 방법>&Lt; Method of forming a cured film &

이어서, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming a cured film using the positive photosensitive resin composition of the present invention will be described.

본 발명에 의한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하여 가열함으로써 기판 상에 도막을 형성시킨다.The positive photosensitive resin composition according to the present invention is coated on a substrate and heated to form a coating film on the substrate.

얻어진 도막에 활성 광선을 조사함으로써 (B) 성분이 분해되어 산이 발생된다. 발생된 산의 촉매 작용에 의해 (A1) 성분 중에 함유되는 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위 중의 산해리성기가 가수분해 반응에 의해 해리되어 카르복실기가 생성된다. 이어서, 알칼리 현상액을 사용하여 현상함으로써 알칼리 현상액에 용해되기 쉬운 카르복실기를 갖는 수지를 함유하는 노광부를 제거하여 포지티브 화상이 형성된다.By irradiating the coating film with an actinic ray, the component (B) is decomposed to generate an acid. The acid-dissociable group in the constituent unit represented by the general formula (1) contained in the component (A1) is dissociated by the hydrolysis reaction by the catalytic action of the generated acid to produce a carboxyl group. Subsequently, a positive image is formed by removing an exposed portion containing a resin having a carboxyl group, which is liable to be dissolved in an alkaline developing solution, by using an alkali developing solution.

이 가수분해 반응의 반응식을 이하에 나타낸다.The reaction formula of this hydrolysis reaction is shown below.

Figure 112010027832557-pat00018
Figure 112010027832557-pat00018

본 가수분해 반응을 가속시키기 위해서 필요에 따라 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이후, PEB라고 함)를 행할 수 있다. 단, 그 가열 온도가 고온이 되면 발생된 카르복실기가 에폭시기와 가교 반응을 일으키기 때문에 현상을 할 수 없게 된다.In order to accelerate the hydrolysis reaction, Post Exposure Bake (hereinafter referred to as PEB) can be performed as needed. However, since the carboxyl group generated when the heating temperature becomes high causes a crosslinking reaction with the epoxy group, the development can not be performed.

실제로 p-tert-부톡시카르보닐스티렌을 일반식(1)로 나타내어지는 반복 단위 대신에 사용하면 산해리 반응의 활성화 에너지가 높기 때문에 산해리성기를 해리시키기 위해서는 고온에서 PEB할 필요가 있지만 동시에 가교 반응이 일어나 화상이 얻어지지 않는다.In fact, when p-tert-butoxycarbonylstyrene is used instead of the repeating unit represented by the general formula (1), the activation energy of the acid dissociation reaction is high, so it is necessary to PEB at high temperature to dissociate the acid dissociable group, And no image is obtained.

한편, 본 발명의 일반식(1)로 나타내어지는 산해리성기는 산분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어 카르복실기를 발생시키기 때문에 PEB를 행할 필요가 없고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수 있다.On the other hand, the acid-cleavable group represented by the general formula (1) of the present invention has low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure to generate a carboxyl group, , A positive image can be formed by the development.

또한, 비교적 저온에서 PEB를 행함으로써 가교 반응을 일으키지 않고, 산해리성기의 분해를 촉진해도 좋다.Further, PEB may be performed at a relatively low temperature to accelerate the decomposition of the acid-dissociable group without causing a crosslinking reaction.

PEB 온도는 130℃ 이하인 것이 바람직하며, 110℃ 이하가 더욱 바람직하고, 80℃ 이하가 특히 바람직하다.The PEB temperature is preferably 130 占 폚 or lower, more preferably 110 占 폚 or lower, and particularly preferably 80 占 폚 or lower.

이어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써 일반식(1) 중의 산해리성기를 열분해하여 카르복실기를 생성시키고, 에폭시기와 가교시킴으로써 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 바람직하게는 150℃ 이상의 고온에서 가열되고, 보다 바람직하게는 180~250℃, 특히 바람직하게는 200~250℃에서 가열된다.Next, the obtained positive image is heated to pyrolyze the acid-dissociable group in the general formula (1) to produce a carboxyl group, and the cured film can be formed by crosslinking with an epoxy group. This heating is preferably heated at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 to 250 ° C, particularly preferably 200 to 250 ° C.

가열 시간은 가열 온도 등에 따라 적당히 설정할 수 있지만 일반적으로는 10~90분이다.The heating time can be appropriately set according to the heating temperature and the like, but is generally 10 to 90 minutes.

가열 공정 전에 활성 광선을 전면 조사하는 공정을 추가하면 활성 광선의 조사에 의해 발생되는 산에 의해 가교 반응을 촉진시킬 수 있다.Addition of a step of irradiating the active ray before the heating process can accelerate the crosslinking reaction by the acid generated by irradiation of the active ray.

이어서, 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method of forming a cured film using the positive photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

조성물 용액의 조제 방법: (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 기타 배합제를 소정의 비율로, 또한 임의의 방법에 의해 혼합하고, 교반 용해하여 조성물 용액을 조제한다. 예를 들면, 각각의 성분을 미리 용제에 용해시켜 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하여 조성물 용액을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 조성물 용액은 구멍 직경 0.2㎛의 필터 등을 이용하여 여과한 후에 사용에 제공할 수도 있다.Method for preparing composition solution: The composition solution is prepared by mixing the components (A), (B), (C) and other compounding agents in a predetermined ratio and by any method, and dissolving with stirring. For example, the composition solution may be prepared by dissolving each component in advance in a solvent to prepare a solution, and then mixing them at a predetermined ratio. The composition solution prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.2 mu m or the like.

<도막의 제작 방법>&Lt; Preparation method of coating film &

조성물 용액을 소정 기판에 도포하고, 가열에 의해 용매를 제거(이후, 프리베이킹이라고 함)함으로써 원하는 도막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로서는 예를 들면, 액정 표시 소자의 제조에 있어서는 편광판, 또한 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 형성하고, 투명 도전 회로층을 더 형성한 유리판 등을 들 수 있다. 기판에의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법, 슬릿 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다.A desired coating film can be formed by applying a composition solution to a predetermined substrate and removing the solvent by heating (hereinafter referred to as prebaking). Examples of the substrate include a polarizing plate in the production of a liquid crystal display device, and a glass plate in which a black matrix layer and a color filter layer are formed as required and a transparent conductive circuit layer is further formed. The coating method on the substrate is not particularly limited, and for example, a spraying method, a roll coating method, a rotary coating method, a slit coating method and the like can be used.

또한, 프리베이킹시의 가열 조건은 미노광부에 있어서의 (A) 성분 중의 식(1)로 나타내어지는 반복 단위 등에 있어서의 산해리성기가 해리되어 (A) 성분을 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 다르지만 바람직하게는 80~130℃에서 30~120초간 정도인 것이 바람직하다.The heating conditions at the time of prebaking are a range in which the acid-dissociable group in the repeating unit represented by the formula (1) in the component (A) in the unexposed portion dissociates and the component (A) is not soluble in the alkali developer , And it is preferably about 80 to 130 占 폚 for about 30 to 120 seconds though it depends on the kind of each component and blending ratio.

<패턴 형성 방법>&Lt; Pattern formation method >

도막을 형성한 기판에 소정 패턴의 마스크를 통해 활성 광선을 조사한 후, 필요에 따라 가열 처리(PEB)를 행한 후, 현상액을 이용해서 노광부를 제거하여 화상 패턴을 형성한다.After irradiating the substrate on which the coating film is formed with actinic rays through a mask of a predetermined pattern, the substrate is subjected to heat treatment (PEB) if necessary, and then the exposed portion is removed using a developer to form an image pattern.

활성 광선의 방사에는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있지만 g선, i선, h선 등의 파장 300㎚ 이상의 활성 광선이 바람직하다. 또한, 필요에 따라 장파장 컷 필터, 단파장 컷 필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통해 조사광을 조정할 수도 있다.A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a chemical lamp, or an excimer laser generator may be used for the radiation of the active ray, but an active ray having a wavelength of 300 nm or more such as g line, i line and h line is preferable. If necessary, irradiation light can be adjusted through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

현상액으로서는 예를 들면, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다. Examples of the developing solution include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는 바람직하게는 10.0 이상이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 or more.

현상 시간은 통상 30~180초간이며, 또한 현상의 방법은 퍼들법(puddle method), 딥법 등 중 어느 것이나 좋다. 현상 후에는 유수 세정을 30~90초간 행하여 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is usually from 30 to 180 seconds, and the developing method may be either the puddle method or the dipping method. After the development, washing with water for 30 to 90 seconds is carried out to form a desired pattern.

<가교 공정>&Lt; Crosslinking step &

현상에 의해 얻어진 미노광부를 갖는 패턴에 대해서 핫 플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 이용하여 소정 온도, 예를 들면, 180~250℃에서 소정 시간, 예를 들면, 핫 플레이트 상이면 5~30분간, 오븐이면 30~90분간, 가열 처리를 함으로써 (A1) 성분에 있어서의 산해리성기를 탈리하여 카르복실기를 발생시키고, (A2) 성분에 있어서의 에폭시기와 반응, 가교시켜 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때에는 질소 분위기하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For example, from 180 to 250 DEG C for a predetermined time, for example, from 5 to 30 minutes on a hot plate, by using a heating apparatus such as a hot plate or an oven for the pattern having unexposed portions obtained by the development, , The reaction is carried out for 30 to 90 minutes to remove the acid-dissociable group in the component (A1) to generate a carboxyl group, and a reaction or crosslinking reaction with the epoxy group in the component (A2) Can be formed. Further, when the heat treatment is performed, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또한, 가열 처리에 앞서 패턴 형성한 기판에 활성 광선을 조사함으로써 미노광 부분에 존재하는 (B) 성분으로부터 산을 발생시키는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that an acid is generated from the component (B) present in the unexposed portion by irradiating an actinic ray to the substrate on which the pattern is formed before the heat treatment.

(실시예)(Example)

이어서, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.EXAMPLES Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to these examples.

〔합성예 1: A1-1의 합성〕[Synthesis Example 1: Synthesis of A1-1]

파라-(1-n-부톡시에톡시카르보닐)스티렌 89.4g(0.36몰), 메타크릴산벤질 21.1g(0.12몰), 파라비닐안식향산 17.8g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A1-1(파라-(1-n-부톡시에톡시카르보닐)스티렌/메타크릴산벤질/파라비닐안식향산)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.136 mol) of para- (1-n-butoxyethoxycarbonyl) styrene, 21.1 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate, 17.8 g (0.12 mol) of parabinyl benzoic acid and 300 ml of methyl isobutyl ketone , And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A1-1 (para- (1-n-butoxyethoxycarbonyl ) Styrene / benzyl methacrylate / parabinyl benzoic acid) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.8이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 7,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.8.

〔합성예 2: A1-2의 합성〕[Synthesis Example 2: Synthesis of A1-2]

파라-(1-벤질옥시에톡시카르보닐)스티렌 135.5g (0.48몰), 메타크릴산2-히드록시에틸 7.8g(0.06몰), 메타크릴산 5.2g(0.06몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A1-2(파라-(1-벤질옥시에톡시카르보닐)스티렌/메타크릴산2-히드록시에틸/메타크릴산)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.48 mol) of para- (1-benzyloxyethoxycarbonyl) styrene, 7.8 g (0.06 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 5.2 g (0.06 mol) of methacrylic acid and 300 ml of methyl isobutyl ketone Necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A1-2 (para- (1-benzyloxyethoxycarbonyl) styrene / Methacrylic acid 2-hydroxyethyl / methacrylic acid) was obtained as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 6000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 6,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7.

〔합성예 3: A1-3의 합성〕 [Synthesis Example 3: Synthesis of A1-3]

파라-(1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌 92.5g(0.42몰), 메타크릴산벤질 21.1g(0.12몰), 메타크릴산2-히드록시에틸 7.8g(0.06몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A1-3(파라-(1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌/메타크릴산벤질/메타크릴산2-히드록시에틸)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.42 mole) of para- (1-ethoxyethoxycarbonyl) styrene, 21.1 g (0.12 mole) of benzyl methacrylate, 7.8 g (0.06 mole) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 300 ml were introduced into a 500-ml three-necked flask, and 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto as a radical polymerization initiator and polymerized at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A1-3 (para- (1-ethoxyethoxycarbonyl) styrene / Benzyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate) was obtained as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.8이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 7,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.8.

〔합성예 4: A1-4의 합성〕[Synthesis Example 4: Synthesis of A1-4]

파라-(1-에톡시에톡시카르보닐)α-메틸스티렌 84.3g(0.36몰), 메타크릴산벤질 21.1g(0.12몰), 메타크릴산2-히드록시에틸 15.6g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A1-4(파라-(1-에톡시에톡시카르보닐)α-메틸스티렌/메타크릴산벤질/메타크릴산2-히드록시에틸)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.36 mol) of para- (1-ethoxyethoxycarbonyl)? -Methylstyrene, 21.1 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate, 15.6 g (0.12 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 300 ml of isobutyl ketone was poured into a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added thereto as a radical polymerization initiator, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours under a nitrogen stream . The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A1-4 (para- (1-ethoxyethoxycarbonyl) alpha -Methylstyrene / benzyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 4000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.6이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 4,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.6.

〔합성예 5: A1-5의 합성〕[Synthesis Example 5: Synthesis of A1-5]

메타-(1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌 39.7g(0.18몰), 메타크릴산벤질 52.9g(0.30몰), 메타크릴산 10.3g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A1-5(메타-(1-에톡시에톡시카르보닐)스티렌/메타크릴산벤질/메타크릴산)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.18 mol) of metha- (1-ethoxyethoxycarbonyl) styrene, 52.9 g (0.30 mol) of benzyl methacrylate, 10.3 g (0.12 mol) of methacrylic acid and 300 ml of methyl isobutyl ketone were dissolved in 500 ml of 3 Necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A1-5 (meta- (1-ethoxyethoxycarbonyl) styrene / Benzyl methacrylate / methacrylic acid) was obtained as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 11000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.8이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 11,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.8.

〔합성예 6: A1-6의 합성〕[Synthesis Example 6: synthesis of A1-6]

파라-(1-시클로헥실옥시에톡시카르보닐)스티렌 82.3g(0.30몰), p-메톡시스티렌 40.3g(0.30몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A1-6(파라-(1-시클로헥실옥시에톡시카르보닐)스티렌/p-메톡시스티렌)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.82.3 g (0.30 mol) of para- (1-cyclohexyloxyethoxycarbonyl) styrene, 40.3 g (0.30 mol) of p-methoxystyrene and 300 ml of methyl isobutyl ketone were charged into a 500 ml three-necked flask, A catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator, and polymerization was carried out at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A1-6 (para- (1-cyclohexyloxyethoxycarbonyl) Styrene / p-methoxystyrene) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.The molecular weight and the molecular weight distribution of the obtained polymer were measured by GPC using polystyrene as a standard, and as a result, the weight average molecular weight was about 7,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔합성예 7: A1-7의 합성〕[Synthesis Example 7: Synthesis of A1-7]

파라-(2-옥사시클로헥실)옥시카르보닐스티렌 71.5g(0.42몰), p-아세톡시스티렌 19.5g(0.12몰), 메타크릴산2-히드록시에틸 7.8g(0.06몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A1-7(파라-(2-옥사시클로헥실)옥시카르보닐스티렌/p-아세톡시스티렌/메타크릴산2-히드록시에틸)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.42 mol) of para- (2-oxacyclohexyl) oxycarbonylstyrene, 19.5 g (0.12 mol) of p-acetoxystyrene, 7.8 g (0.06 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 300 ml of ketone was poured into a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added thereto as a radical polymerization initiator, followed by polymerization for 6 hours at 80 ° C in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A1-7 (para- (2-oxacyclohexyl) oxycarbonylstyrene / p-acetoxystyrene / 2-hydroxyethyl methacrylate) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 9000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.8이었다.The molecular weight and the molecular weight distribution of the obtained polymer were measured by GPC using polystyrene as a standard, and as a result, the weight average molecular weight was about 9,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.8.

〔A1-8~A1-11의 합성〕[Synthesis of A1-8 to A1-11]

상술한 제조 방법과 동일한 방법에 의해 나중의 게시에 나타내는 폴리머 A1-8~A1-11을 얻었다.Polymers A1-8 to A1-11 shown in the later publication were obtained by the same method as the above-mentioned production method.

〔합성예 8: A2-1의 합성〕[Synthesis Example 8: Synthesis of A2-1]

메타크릴산글리시딜 51.2g(0.36몰), 메타크릴산벤질 42.3g(0.24몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A2-1(메타크릴산글리시딜/메타크릴산벤질)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.51.3 g (0.36 mol) of glycidyl methacrylate, 42.3 g (0.24 mol) of benzyl methacrylate and 300 ml of methyl isobutyl ketone were charged into a 500 ml three-necked flask. To this, a catalytic amount of 2,2 '-Azobis (methyl 2-methylpropionate) was added, and the mixture was polymerized at 80 ° C for 6 hours in a stream of nitrogen. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A2-1 (glycidyl methacrylate / benzyl methacrylate) Diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7.

〔합성예 9: A2-2의 합성〕[Synthesis Example 9: Synthesis of A2-2]

아크릴산글리시딜 46.1g(0.36몰), 메타크릴산2-히드록시에틸 15.6g(0.12몰), p-아세톡시스티렌 19.5g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A2-2(아크릴산글리시딜/메타크릴산2-히드록시에틸/p-아세톡시스티렌)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.36 mol) of glycidyl acrylate, 15.6 g (0.12 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate, 19.5 g (0.12 mol) of p-acetoxystyrene and 300 ml of methyl isobutyl ketone were placed in a 500 ml three-necked flask And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A2-2 (glycidyl acrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / p-acetoxystyrene) was obtained as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 5000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.6이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 5,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.6.

〔합성예 10: A2-3의 합성〕[Synthesis Example 10: Synthesis of A2-3]

3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트(다이셀카가쿠사제 사이크로머 M100) 58.9g(0.30몰), 메타크릴산벤질 31.7g(0.18몰), 메타크릴산 10.3g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A2-3(3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트/메타크릴산벤질/메타크릴산)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.58.9 g (0.30 mol) of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (Cyclomer M100, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 31.7 g (0.18 mol) of benzyl methacrylate, 10.3 g (0.12 mol) 300 ml of butyl ketone was poured into a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added thereto as a radical polymerization initiator, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A2-3 (3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate / meta Benzyl acrylate / methacrylic acid) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.The molecular weight and the molecular weight distribution of the obtained polymer were measured by GPC using polystyrene as a standard, and as a result, the weight average molecular weight was about 7,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔합성예 11: A2-4의 합성〕[Synthesis Example 11: Synthesis of A2-4]

p-비닐페닐글리시딜에테르 52.9g(0.30몰), 메타크릴산1-에톡시에틸 19.0g(0.12몰), p-아세톡시스티렌 29.2g(0.18몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A2-4(p-비닐페닐글리시딜에테르/메타크릴산1-에톡시에틸/p-아세톡시스티렌)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.12 mol) of p-vinylphenylglycidyl ether, 19.0 g (0.12 mol) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 29.2 g (0.18 mol) of p-acetoxystyrene and 300 ml of methyl isobutyl ketone Necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization for 6 hours at 80 ° C in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A2-4 (p-vinylphenyl glycidyl ether / methacrylic acid 1 -Ethoxyethyl / p-acetoxystyrene) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 4000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.6이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 4,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.6.

〔합성예 12: A2-5의 합성〕[Synthesis Example 12: Synthesis of A2-5]

메타크릴산글리시딜 34.1g(0.24몰), 메타크릴산1-에톡시에틸 38.0g(0.24몰), 메타크릴산2-히드록시에틸 15.6g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A2-5(메타크릴산글리시딜/메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산2-히드록시에틸)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.24 mole) of glycidyl methacrylate, 38.0 g (0.24 mole) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 15.6 g (0.12 mole) of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 300 ml of methyl isobutyl ketone , And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether, and the heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A2-5 (glycidyl methacrylate / methacrylic acid 1- Ethoxyethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 9000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 9,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7.

〔합성예 13: A2-6의 합성〕[Synthesis Example 13: Synthesis of A2-6]

메타크릴산글리시딜 34.1g(0.24몰), 메타크릴산1-에톡시에틸 28.5g(0.18몰), 메타크릴산 2-히드록시에틸 7.8g(0.06몰), 메타크릴산벤질 21.1g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A2-6(메타크릴산글리시딜/메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산2-히드록시에틸/메타크릴산벤질)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.24 mole) of glycidyl methacrylate, 28.5 g (0.18 mole) of 1-ethoxyethyl methacrylate, 7.8 g (0.06 mole) of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 21.1 g of benzyl methacrylate 0.12 mole) and methyl isobutyl ketone (300 ml) were introduced into a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) was added thereto as a radical polymerization initiator. For 6 hours. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration, and then dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether. Heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A2-6 (glycidyl methacrylate / methacrylic acid 1- Ethoxyethyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate / benzyl methacrylate) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 8000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.7.

〔합성예 14: A2-7의 합성〕[Synthesis Example 14: Synthesis of A2-7]

메타크릴산글리시딜 51.2g(0.36몰), 메타크릴산벤질 21.1g(0.12몰), 메타크릴산 10.3g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A2-7(메타크릴산글리시딜/메타크릴산벤질/메타크릴산)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.51.2 g (0.36 mol) of glycidyl methacrylate, 21.1 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate, 10.3 g (0.12 mol) of methacrylic acid and 300 ml of methyl isobutyl ketone were charged into a 500 ml three-necked flask, Azobis (methyl 2-methylpropionate) was added as a radical polymerization initiator in a catalytic amount, and polymerization was carried out at 80 DEG C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration and dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether. The heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A2-7 (glycidyl methacrylate / benzyl methacrylate / meta Acrylic acid) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 4000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.6이었다.As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained polymer were found to have a weight average molecular weight of about 4,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.6.

〔A2-8~A2-11의 합성〕[Synthesis of A2-8 to A2-11]

상술한 제조 방법과 동일한 방법에 의해 나중의 게시에 나타내는 폴리머 A2-8~A2-11을 얻었다.Polymers A2-8 to A2-11 shown in the later publication were obtained by the same method as the above-mentioned production method.

〔합성 비교예 1: A'1-12의 합성〕[Synthetic Comparative Example 1: Synthesis of A'1-12]

p-tert-부톡시카르보닐스티렌 73.5g(0.36몰), 메타크릴산벤질 21.1g(0.12몰), 메타크릴산 10.3g(0.12몰) 및 메틸이소부틸케톤 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 라디칼 중합 개시제로서 촉매량의 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산메틸)을 첨가하고, 질소 기류하에서 80℃에서 6시간 중합시켰다. 반응액을 냉각시킨 후, 대량의 헵탄에 부어 폴리머를 석출시켰다. 결정을 여과 채취한 후, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르에 용해하고, 용액 중에 함유되는 헵탄과 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A'1-12(p-tert-부톡시카르보닐스티렌/메타크릴산벤질/메타크릴산)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다.(0.36 mol) of p-tert-butoxycarbonyl styrene, 21.1 g (0.12 mol) of benzyl methacrylate, 10.3 g (0.12 mol) of methacrylic acid and 300 ml of methyl isobutyl ketone were charged into a 500 ml three-necked flask , And a catalytic amount of 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate) as a radical polymerization initiator was added thereto, followed by polymerization at 80 ° C for 6 hours in a nitrogen stream. The reaction solution was cooled and poured into a large amount of heptane to precipitate a polymer. The crystals were collected by filtration and dissolved in diethylene glycol ethyl methyl ether. The heptane and methyl isobutyl ketone contained in the solution were distilled off under reduced pressure to obtain polymer A'1-12 (p-tert-butoxycarbonylstyrene / meta Benzyl acrylate / methacrylic acid) as a diethylene glycol ethyl methyl ether solution.

얻어진 폴리머의 분자량과 분자량 분포는 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 7000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.7이었다.The molecular weight and the molecular weight distribution of the obtained polymer were measured by GPC using polystyrene as a standard, and as a result, the weight average molecular weight was about 7,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.7.

〔합성 비교예 2: A'1-13의 합성〕[Synthesis Comparative Example 2: Synthesis of A'1-13]

폴리4-히드록시스티렌(니폰소다 가부시키가이샤제 VP-8000) 72.1g과 에틸비닐에테르 16.4g 및 초산에틸 300ml를 500ml의 3목 플라스크에 주입하고, 이것에 촉매량의 파라톨루엔술폰산을 첨가하고, 질소 기류하에서 실온하에서 3시간 반응시켰다. 소량의 트리에틸아민을 첨가한 후, 순수에 의해 수세한다. 초산에틸층에 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르를 첨가하고, 초산에틸을 감압 증류 제거함으로써 폴리머 A'1-13(p-1-에톡시에톡시스티렌/p-히드록시스티렌)을 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 용액으로서 얻었다. 72.1 g of poly-4-hydroxystyrene (VP-8000 manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.), 16.4 g of ethyl vinyl ether and 300 ml of ethyl acetate were placed in a 500 ml three-necked flask, and a catalytic amount of para- toluenesulfonic acid was added thereto, And the mixture was allowed to react at room temperature under a nitrogen stream for 3 hours. After adding a small amount of triethylamine, it is washed with pure water. Diethyleneglycol ethyl methyl ether was added to the ethyl acetate layer and the ethyl acetate was distilled off under reduced pressure to obtain a polymer A'1-13 (p-1-ethoxyethoxystyrene / p-hydroxystyrene) in diethylene glycol ethyl methyl Ether solution.

얻어진 폴리머의 p-1-에톡시에톡시스티렌 단위와 p-히드록시스티렌 단위의 구성 비율은 NMR 측정으로부터 약 35:65였다. 또한, 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 9000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.2였다.The composition ratio of the p-1-ethoxyethoxystyrene unit and the p-hydroxystyrene unit in the obtained polymer was about 35:65 from the NMR measurement. As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the weight average molecular weight was about 9,000 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.2.

[합성 비교예 3: A'-14의 합성][Synthesis Comparative Example 3: Synthesis of A'-14]

일본 특허공개 2004-264623호 공보에 기재된 합성예 1에 따라 A'-14의 합성을 행했다.Synthesis of A'-14 was carried out according to Synthesis Example 1 described in JP-A-2004-264623.

3목 플라스크에 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 주입하고, 이어서 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트 40질량부, 스티렌 5질량부, 메타크릴산글리시딜 45질량부, 2-히드록시에틸메타크릴레이트 10질량부 및 α-메틸스티렌 다이머 3질량부를 주입하고, 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 유지하여 공중합체(A'-14)를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 폴리머의 분자량은 폴리스티렌을 표준으로 한 GPC 측정의 결과, 중량 평균 분자량은 약 11000이며, 분자량 분포(Mw/Mn)는 1.9였다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were poured into a three-neck flask, and then 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate 40 parts by mass of styrene, 5 parts by mass of styrene, 45 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of 2-hydroxyethylmethacrylate and 3 parts by mass of? -Methylstyrene dimer were poured into the autoclave and purged with nitrogen, it started. The temperature of the solution was raised to 70 캜 and maintained at this temperature for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A'-14). As a result of GPC measurement using polystyrene as a standard, the molecular weight of the obtained polymer was found to have a weight average molecular weight of about 11,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.9.

〔실시예 1~17 및 비교예 1~6〕[Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 6]

(1) 포지티브형 감광성 수지 조성물 용액의 조제(1) Preparation of positive-working photosensitive resin composition solution

하기 표 1에 나타내는 각 성분을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 이용해서 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 용액을 조제했다.Each component shown in Table 1 below was mixed to prepare a homogeneous solution, which was then filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.2 mu m to prepare a positive photosensitive resin composition solution.

(2) 보존 안정성의 평가(2) Evaluation of storage stability

포지티브형 감광성 수지 조성물 용액의 23℃에 있어서의 점도를 토키산교 가부시키가이샤제 E형 점토계를 사용하여 측정했다. 상기 조성물을 23℃의 항온조에 1개월간 보존한 후의 점도를 측정했다. 조제 후의 점도에 대하여 실온 1개월간 보존한 후의 점도 상승이 5% 미만인 경우를 ○, 5% 이상인 경우를 ×로 했다. 그 결과를 하기 표 2에 나타냈다.The viscosity of the positive photosensitive resin composition solution at 23 캜 was measured using an E-type clay system manufactured by Toki Sangyo K.K. After the composition was stored in a thermostatic chamber at 23 占 폚 for one month, the viscosity of the composition was measured. A viscosity increase after storage for 1 month at room temperature was evaluated as &amp; cir &amp; and a viscosity increase of less than 5% was rated &amp; cir &amp; The results are shown in Table 2 below.

(3) 감도 및 현상시의 잔막률의 평가(3) Evaluation of the sensitivity and the residual film ratio at the time of development

실리콘 산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 상에 포지티브형 감광성 수지 조성물 용액을 회전 도포한 후, 100℃에서 60초간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3㎛의 도막을 형성했다.A positive photosensitive resin composition solution was spin coated on a silicon wafer having a silicon oxide film and then baked on a hot plate at 100 캜 for 60 seconds to form a coating film having a film thickness of 3 탆.

이어서, i-선 스테퍼(캐논사제 FPA-3000i5+)를 이용하여 소정 마스크를 통해 노광했다. 그리고, 50℃에서 60초간 베이킹한 후, 표 2에 기재된 알칼리 현상액(2.38질량% 또는 0.4질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)에 의해 23℃에서 60초간 현상한 후, 초순수에 의해 1분간 린스했다. 이들 조작에 의해 5㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 노광량(Eopt)을 감도로 했다.Then, an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.) was used to expose through a predetermined mask. After baking at 50 DEG C for 60 seconds, the resist film was developed for 60 seconds at 23 DEG C with the alkali developer (2.38 mass% or 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) shown in Table 2 for 60 seconds, Rinse. With these operations, the optimum exposure amount (Eopt) at the time of resolving a line-and-space of 5 mu m at a ratio of 1: 1 was taken as sensitivity.

현상 후의 미노광부의 막 두께를 측정하고, 도포 후의 막 두께에 대한 비율{현상 후의 미노광부 막 두께÷도포 후의 막 두께×100(%)}을 구함으로써 현상시의 잔막률을 평가했다.After the development, the film thickness of the unexposed portion was measured and the ratio to the film thickness after coating (unexposed film thickness after development divided by film thickness after coating 100 (%)) was evaluated to evaluate the retention rate at the time of development.

감도 및 현상시의 잔막률의 평가 결과를 표 2에 나타냈다.The evaluation results of the sensitivity and the residual film ratio at the time of development are shown in Table 2.

(4) 내열성(4) Heat resistance

상기 (3)에 있어서 실리콘 산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 대신에 투명 기판(코닝사제 코닝 1737)을 사용한 이외에는 상기 (3)과 마찬가지로 도막을 형성하고, 프록시미티 노광 장치(우시오덴키사제 UX-1000SM)를 이용하여 소정 마스크를 밀착시켜 365㎚에서의 광 강도가 18mW/㎠인 자외선을 이용하여 노광했다. 이어서, 표 2에 기재된 알칼리 현상액(2.38질량% 또는 0.4질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)을 이용하여 23℃에서 60초간 현상한 후, 초순수에 의해 10초간 린스했다. 이들 조작에 의해 10㎛의 라인 앤드 스페이스가 1:1이 되는 패턴을 제작했다. 얻어진 패턴을 다시 100초간 전면 노광하고, 오븐 속에서 220℃에서 1시간 가열하여 가열 경화막을 유리 기판 상에 형성했다.A coating film was formed in the same manner as in the above (3) except that a transparent substrate (Corning 1737 produced by Corning Incorporated) was used instead of the silicon wafer having the silicon oxide film in the above (3), and a proximity photolithography apparatus (UX-1000S manufactured by Usuio Denki Co., Ltd.) Then, a predetermined mask was closely contacted, and exposure was performed using ultraviolet light having a light intensity of 36 mW / cm 2 at 365 nm. Subsequently, the resist film was developed with an alkali developing solution (2.38 mass% or 0.4 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) shown in Table 2 at 23 占 폚 for 60 seconds and rinsed with ultrapure water for 10 seconds. By these operations, a pattern in which a line-and-space of 10 mu m was 1: 1 was produced. The obtained pattern was subjected to front exposure for 100 seconds again and heated at 220 占 폚 for 1 hour in an oven to form a heat cured film on the glass substrate.

가열 경화 전후의 보텀 치수의 변화율(1-가열 경화막의 보텀 치수÷현상 후의 보텀 치수)×100(%)을 측정함으로써 내열성의 평가를 행했다.The heat resistance was evaluated by measuring the rate of change of the bottom dimension before and after the heat curing (1 - bottom dimension of the heat cured film / bottom dimension after development) x 100 (%).

내열성의 평가 결과를 표 2에 나타냈다.The evaluation results of the heat resistance are shown in Table 2.

(5) 투과율 및 밀착성(5) Transmittance and adhesion

상기 (4)와 마찬가지로 도막을 형성하고, 노광하지 않고, 표 2에 기재된 알칼리 현상액(2.38질량% 또는 0.4질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)을 이용하여 23℃에서 60초간 현상한 후, 초순수에 의해 10초간 린스했다. 이어서, 프록시미티 노광 장치(우시오덴키사제 UX-1000SM)를 이용하여 365㎚에서의 광 강도가 18mW/㎠인 자외선을 이용하여 100초간 전면 노광했다. 이어서, 오븐 속에서 240℃에서 1시간 가열함으로써 가열 경화막을 유리 기판 상에 형성했다.A coating film was formed in the same manner as in the above (4), and developed at 23 DEG C for 60 seconds using the alkali developer (2.38 mass% or 0.4 mass% of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution) described in Table 2 without exposure, And rinsed with ultrapure water for 10 seconds. Subsequently, the entire surface was exposed for 100 seconds using UV light having a light intensity at 365 nm of 18 mW / cm &lt; 2 &gt; using a proximity photolithography apparatus (UX-1000SM manufactured by Ushio Inc.). Subsequently, the heated cured film was formed on the glass substrate by heating in an oven at 240 캜 for 1 hour.

얻어진 가열 경화막의 투과율을 분광 광도계(U-3000: 히타치세이사쿠쇼제) 를 이용하여 파장 400~800㎚로 측정했다.The transmittance of the obtained thermally cured film was measured at a wavelength of 400 to 800 nm using a spectrophotometer (U-3000: Hitachi, Ltd.).

가열 경화막에 커터를 이용하여 종횡으로 1㎜의 간격으로 절입을 형성하고, 스카치테이프를 이용하여 테이프 박리 시험을 행했다. 테이프 이면에 전사된 경화막의 면적으로부터 경화막과 기판 간의 밀착성을 평가했다. 그 면적이 1% 미만인 경우를 ○, 1~5% 미만인 경우를 △, 5% 이상인 경우를 ×로 했다.The thermosetting film was cut at intervals of 1 mm vertically and horizontally using a cutter, and a tape peeling test was conducted using a scotch tape. The adhesion between the cured film and the substrate was evaluated from the area of the cured film transferred on the back side of the tape. A case where the area was less than 1% was rated as?, A case where the area was less than 1 to 5% was evaluated as?, And a case where the area was not less than 5% was evaluated as X.

[실시예 18][Example 18]

실시예 10의 조성물을 이용하여 이하와 같이 해서 패턴을 형성했다.Using the composition of Example 10, a pattern was formed as follows.

2,160×2,460㎜의 유리 기판 상에 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후, 90℃에서 90초간 핫 플레이트 상에 있어서 프리베이킹하여 용제를 제거해서 막 두께 3㎛의 도막을 형성했다. 이어서, FX-85S{(주)니콘제}를 이용하여 직경 15㎛의 컨택트 홀 패턴의 마스크를 통해 최적 노광량 노광했다. 노광 후, 0.4질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 샤워 현상한 후, 초순수에 의해 1분간 린스했다. 이들 조작에 의해 패턴을 얻었다. 다시 얻어진 패턴을 전면 노광하고, 오븐 속에서 220℃에서 1시간 가열하여 가열 경화막을 유리 기판 상에 형성했다. 전자 현미경에 의해 관찰한 결과, 보텀 직경 15㎛의 테이퍼 형상의 깔끔한 컨택트 홀 패턴이었다.A photosensitive resin composition was coated on a glass substrate having a size of 2,160 x 2,460 mm by a slit and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 90 seconds to remove the solvent to form a coating film having a thickness of 3 탆. Subsequently, using an FX-85S (manufactured by Nikon Corporation), an optimum exposure dose was exposed through a mask having a contact hole pattern having a diameter of 15 mu m. After exposure, the substrate was subjected to shower development at 23 DEG C for 60 seconds with a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution of 0.4% by mass, and then rinsed with ultrapure water for 1 minute. A pattern was obtained by these operations. The pattern obtained again was exposed to the whole surface and heated at 220 캜 for 1 hour in an oven to form a heat cured film on the glass substrate. As a result of observation with an electron microscope, it was a tapered contact hole pattern having a bottom diameter of 15 mu m.

[실시예 19][Example 19]

노광을 파장 355㎚의 레이저로 변경한 것 이외에는 실시예 18과 마찬가지로 컨택트 홀 패턴을 제작했다. 실시예 20과 마찬가지로 깔끔한 컨택트 홀 패턴이 얻어졌다. 또한, 레이저 장치는 가부시키가이샤 부이테크놀로지사제의 「AEGIS」를 사용했다.A contact hole pattern was produced in the same manner as in Example 18 except that the exposure was changed to a laser having a wavelength of 355 nm. A clean contact hole pattern was obtained in the same manner as in Example 20. The laser device used was "AEGIS" manufactured by Boi Technology Co., Ltd.

투과율 및 밀착성의 평가 결과를 표 2에 나타냈다.The evaluation results of the transmittance and the adhesiveness are shown in Table 2.

Figure 112010027832557-pat00019
Figure 112010027832557-pat00019

표 1 중에 기재되어 있는 (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분, 염기성 화합물, 용제 및 계면활성제는 하기와 같다.The component (A), the component (B), the component (C), the component (D), the basic compound, the solvent and the surfactant described in Table 1 are as follows.

(A) 성분(A) Component

구성 단위의 우측의 수치는 구성 단위의 몰비를 나타낸다.The numerical value on the right side of the structural unit represents the molar ratio of the structural unit.

Figure 112010027832557-pat00020
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Figure 112010027832557-pat00021
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Figure 112010027832557-pat00022
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Figure 112010027832557-pat00023
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Figure 112010027832557-pat00024
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Figure 112010027832557-pat00026
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(B) 성분Component (B)

Figure 112010027832557-pat00027
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Figure 112010027832557-pat00028
Figure 112010027832557-pat00028

(C) 성분(C) Component

C1: JER1001{재팬에폭시레진(주)제}C1: JER1001 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

C2: JER834{재팬에폭시레진(주)제}C2: JER834 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

C3: JER157S70{재팬에폭시레진(주)제}C3: JER157S70 {manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.}

C4: JER154{재팬에폭시레진(주)제}.C4: JER154 (manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.).

(D) 성분(D) Component

D1: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란D1: gamma -glycidoxypropyltrimethoxysilane

D2: β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란D2:? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane

D3: γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란.D3:? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane.

〔염기성 화합물〕[Basic compound]

E1: 4-디메틸아미노피리딘E1: 4-Dimethylaminopyridine

E2: 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨.E2: 1,5-Diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene.

〔계면활성제〕〔Surfactants〕

F1: 플로라드 F-430(쓰리엠사제)F1: Florad F-430 (manufactured by 3M)

F2: 메가팩 R-08(다이니폰잉크카가쿠코교제)F2: Megapack R-08 (Dainippon Ink Kagakuko Company)

F3: PolyFox PF-6320(OMNOVA사제)F3: PolyFox PF-6320 (manufactured by OMNOVA)

W-3:W-3:

Figure 112010027832557-pat00029
Figure 112010027832557-pat00029

〔증감제〕[Sensitizer]

DBA: 9,10-디부톡시안트라센DBA: 9,10-dibutoxyanthracene

Figure 112010027832557-pat00030
Figure 112010027832557-pat00030

표 2로부터 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 감도, 잔막률, 보존 안정성이 우수하며, 또한 경화시킴으로써 내열성, 밀착성, 투과율 등이 우수한 경화막을 형성할 수 있는 것이 명백하다.From Table 2, it is clear that the positive photosensitive resin composition of the present invention is excellent in sensitivity, residual film ratio and storage stability, and can be cured to form a cured film excellent in heat resistance, adhesiveness and transmittance.

Claims (19)

(A1) 하기 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이며, 또한 산해리성기가 해리되었을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, (A2) 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 중합체 또는 공중합체 및 (B) 활성 광선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물을 함유하고, 상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기는 에폭시기 또는 옥세타닐기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112017000129273-pat00037

[일반식(1)에 있어서,
R1은 수소 원자, 메틸기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타낸다.
R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타낸다. 단, R2 및 R3이 동시에 수소 원자인 경우를 제외한다.
R4는 치환되어도 좋은 직쇄상, 분기상 또는 환상 알킬기 또는 아랄킬기를 나타낸다.
R2 또는 R3과 R4가 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다.]
(A1) a resin which contains a constitutional unit represented by the following general formula (1), is alkali-insoluble or alkali-insoluble and becomes alkali-soluble when the acid-dissociable group is dissociated, (A2) a resin which reacts with a carboxyl group to form a covalent bond A polymer or copolymer having a constituent unit derived from a radically polymerizable monomer containing a functional group capable of reacting with a carboxyl group and (B) a compound generating an acid upon irradiation with an actinic ray, and reacting with the carboxyl group to form a covalent bond Wherein the functional group is an epoxy group or an oxetanyl group.
Figure 112017000129273-pat00037

[In the general formula (1)
R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a cyano group.
R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group. Provided that R &lt; 2 &gt; and R &lt; 3 &gt; are hydrogen atoms at the same time.
R 4 represents a linear, branched or cyclic alkyl or aralkyl group which may be substituted.
R 2 or R 3 and R 4 may be connected to form a cyclic ether.]
제 1 항에 있어서,
(C) 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(단, 상기 A2를 제외함)을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
(C) a compound having two or more epoxy groups in a molecule (excluding the above-mentioned A2).
삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (B) 성분은 하기 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112015040024943-pat00032

[일반식(2)에 있어서,
R5는 치환되어도 좋은 직쇄상, 분기상, 환상 알킬기 또는 치환되어도 좋은 아릴기를 나타낸다.]
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the component (B) contains a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following general formula (2).
Figure 112015040024943-pat00032

[In the general formula (2)
R 5 represents a linear, branched, cyclic alkyl group which may be substituted or an aryl group which may be substituted.]
제 4 항에 있어서,
상기 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물은 하기 일반식(2-1)로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112010027832557-pat00033

[일반식(2-1)에 있어서,
R5는 상기 일반식(2)에 있어서의 R5와 동일하다.
X는 직쇄상 또는 분기상 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
m은 0~3의 정수를 나타낸다. m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.]
5. The method of claim 4,
Wherein the compound containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (2-1).
Figure 112010027832557-pat00033

[In the general formula (2-1)
R 5 is the same as R 5 in the general formula (2).
X represents a linear or branched alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.
m represents an integer of 0 to 3; When m is 2 or 3, plural Xs may be the same or different.]
제 4 항에 있어서,
상기 일반식(2)로 나타내어지는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물은 하기 일반식(2-2)로 나타내어지는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112010027832557-pat00034

[일반식(2-2)에 있어서,
R5는 상기 일반식(2)에 있어서의 R5와 동일하다.
R6은 할로겐 원자, 수산기, 알킬기, 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타낸다.
l은 0~5의 정수를 나타낸다. l이 2 이상일 때, 복수의 R6은 동일해도 달라도 좋다.]
5. The method of claim 4,
Wherein the compound containing an oxime sulfonate group represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (2-2).
Figure 112010027832557-pat00034

[In the general formula (2-2)
R 5 is the same as R 5 in the general formula (2).
R 6 represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group or a nitro group.
and l represents an integer of 0 to 5. When l is 2 or more, plural R 6 s may be the same or different.]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기는 에폭시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is an epoxy group.
제 7 항에 있어서,
상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체는 하기 일반식(3)~(5) 중 어느 하나로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112010027832557-pat00035

[일반식(3)~(5)에 있어서,
R7은 수소 원자, 메틸기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
R8~R15는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.
X는 2가의 연결기를 나타낸다.
n은 1~10의 정수이다.]
8. The method of claim 7,
Wherein the radical polymerizable monomer containing a functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is a radically polymerizable monomer represented by any one of the following general formulas (3) to (5) .
Figure 112010027832557-pat00035

[In the general formulas (3) to (5)
R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.
Each of R 8 to R 15 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group.
X represents a divalent linking group.
and n is an integer of 1 to 10.]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기는 옥세타닐기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is an oxetanyl group.
제 9 항에 있어서,
상기 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체는 하기 일반식(6)으로 나타내어지는 라디칼 중합성 단량체인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure 112010027832557-pat00036

[식 중,
R7은 수소 원자, 메틸기 또는 할로겐 원자를 나타낸다.
R8~R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.
X는 2가의 연결기를 나타낸다.
n은 1~10의 정수이다.]
10. The method of claim 9,
Wherein the radical polymerizable monomer containing a functional group capable of reacting with the carboxyl group to form a covalent bond is a radically polymerizable monomer represented by the following general formula (6).
Figure 112010027832557-pat00036

[Wherein,
R 7 represents a hydrogen atom, a methyl group or a halogen atom.
R 8 to R 12 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.
X represents a divalent linking group.
and n is an integer of 1 to 10.]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
(D) 밀착 조제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(D) an adhesion-promoting agent.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
(A2) 성분은 카르복실기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 함유하는 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위와, 상기 일반식(1)로 나타내어지는 구성 단위를 함유하는 공중합체인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The component (A2) is a copolymer containing a constituent unit derived from a radically polymerizable monomer containing a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond, and a constituent unit represented by the above general formula (1) Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포, 건조시켜 도막을 형성하는 공정, 마스크를 통해 활성 광선 을 이용하여 노광하는 공정, 알칼리 현상액을 이용해서 현상하여 패턴을 형성하는 공정 및 얻어진 패턴을 가열 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막 형성 방법.A positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3, which is applied onto a substrate and dried to form a coating film, a step of exposing the film to an actinic ray through a mask, a step of developing with an alkali developer to form a pattern And a step of heat-treating the obtained pattern. 제 13 항에 있어서,
상기 알칼리 현상액을 이용해서 현상하여 패턴을 형성하는 공정 후, 얻어진 패턴을 가열 처리하는 공정 전에 전면 노광하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Further comprising the step of performing a front exposure before the step of heat-treating the obtained pattern after the step of forming the pattern by the development using the alkali developing solution.
제 13 항에 기재된 경화막 형성 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 경화막.A cured film formed by the cured film forming method according to claim 13. 제 15 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.A liquid crystal display element having the cured film according to claim 15. 제 15 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 집적 회로 소자.An integrated circuit device having the cured film according to claim 15. 제 15 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자.A solid-state imaging device having the cured film according to claim 15. 제 15 항에 기재된 경화막을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자.An organic EL device having the cured film according to claim 15.
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