JP2011146599A - Substrate holding case, substrate processing method, and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate holding case, substrate processing method, and substrate processing apparatus Download PDF

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春雪 森田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing method capable of quickly collecting glass fragments when a glass substrate is broken in a chamber. <P>SOLUTION: The substrate processing method of performing surface processing on the glass substrate arranged in the chamber is characterized in that: the glass substrate 10 stored in a recessed substrate holding case 20 having an opening on the top is carried into the chamber; and the surface processing is performed on the glass substrate 10 while being stored in the substrate holding case 20. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板保持ケースに関し、特に該基板保持ケースを利用した基板処理方法、及び基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate holding case, and more particularly to a substrate processing method and a substrate processing apparatus using the substrate holding case.

液晶表示装置の製造技術に用いられる製造プロセスにおいては、ガラス基板の表面に薄膜を形成する工程と、この薄膜を所定のパターンにするパターニング処理を行う工程とが数多く実行される。成膜工程においては、スパッタ法、蒸着法、気相成長(CVD)法などの成膜プロセスが実行される。例えば、気相成長(CVD)法では、まず、ガラス基板をチャンバに入れ、一定の圧力に減圧する。そして、チャンバ内に原料となるガスを流しつつ、必要な反応エネルギー(熱やプラズマ等)を与えて反応生成物を堆積させることによって、ガラス基板の表面に薄膜を形成している。なお、このチャンバ内は、上記原料ガスが導入される一方で、排気装置によって排気されているので、常時一定の圧力に保持されている。この種の液晶表示装置の製造技術に関する先行文献としては、特許文献1等が開示されている。   In the manufacturing process used in the manufacturing technology of the liquid crystal display device, a number of steps of forming a thin film on the surface of the glass substrate and a patterning process for making the thin film into a predetermined pattern are performed. In the film forming process, film forming processes such as sputtering, vapor deposition, and vapor deposition (CVD) are performed. For example, in the vapor deposition (CVD) method, first, a glass substrate is placed in a chamber and depressurized to a constant pressure. A thin film is formed on the surface of the glass substrate by depositing reaction products by supplying necessary reaction energy (heat, plasma, etc.) while flowing a gas as a raw material in the chamber. Note that the inside of the chamber is constantly maintained at a constant pressure because the source gas is introduced and exhausted by the exhaust device. Patent Document 1 and the like are disclosed as prior documents relating to the manufacturing technology of this type of liquid crystal display device.

特開平10−133186号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-133186

ところで、上述した成膜工程に用いられるガラス基板は、種々の処理工程(例えば、切断・面取り工程、熱処理・研磨工程など)を経て製造されている。そのため、種々の処理中に、あるいはハンドリング中に、ガラス基板の周縁部または該周縁部以外の表面部に欠けや亀裂などのクラック(傷)が生じる場合がある。このようなクラックが生じたガラス基板を上述した成膜工程に供すると、成膜処理中に受ける温度変化等によって、クラックを起点としてガラス基板が割れる場合がある。   By the way, the glass substrate used for the film-forming process mentioned above is manufactured through various processing processes (for example, a cutting / chamfering process, a heat treatment / polishing process, etc.). Therefore, a crack (scratch) such as a chip or a crack may occur in the peripheral portion of the glass substrate or a surface portion other than the peripheral portion during various treatments or during handling. When a glass substrate in which such a crack has occurred is subjected to the above-described film formation process, the glass substrate may break from the crack as a starting point due to a temperature change received during the film formation process.

ガラス基板が割れると、その破片がチャンバ内に散乱する。したがって、この場合は、装置を停止して、チャンバのメンテナンス(ガラス破片の回収・清掃等)を行なわなければならない。しかしながら、チャンバのメンテナンスを行うためには、チャンバの温度を下げ、さらにチャンバの内部を大気開放する必要があるため、多大な復旧時間を要する。かかるメンテナンス中は成膜装置を稼働できないので、成膜工程のスループットが大幅に低下する要因にもなってしまう。   When the glass substrate breaks, the fragments are scattered into the chamber. Therefore, in this case, the apparatus must be stopped and the chamber must be maintained (collection / cleaning of glass fragments, etc.). However, in order to perform the maintenance of the chamber, it is necessary to lower the temperature of the chamber and to open the interior of the chamber to the atmosphere. Since the film forming apparatus cannot be operated during such maintenance, the throughput of the film forming process is also greatly reduced.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供することにある。また、他の目的は、そのような基板処理方法を好ましく実現し得る基板処理装置および基板保持ケースを提供することにある。   This invention is made | formed in view of this point, The main objective is to provide the substrate processing method which can collect | recover glass fragments quickly, when a glass substrate is broken in a chamber. Another object is to provide a substrate processing apparatus and a substrate holding case capable of preferably realizing such a substrate processing method.

本発明に係る基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に所定の表面処理を施す方法である。この基板処理方法は、上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態でガラス基板に表面処理を施すことを特徴とする。
ここに開示される好ましい一態様では、上記表面処理は、プラズマを用いた表面処理である。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ(例えば液晶パネル)用のガラス基板である。
The substrate processing method according to the present invention is a method of performing a predetermined surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber. In this substrate processing method, the glass substrate is transported into the chamber in a state where the glass substrate is accommodated in a concave substrate holding case having an upper opening, and the glass substrate is subjected to a surface treatment while being accommodated in the substrate retaining case. Features.
In a preferred embodiment disclosed herein, the surface treatment is a surface treatment using plasma.
In a preferred embodiment disclosed herein, the glass substrate is a glass substrate for a flat panel display (for example, a liquid crystal panel).

また、本発明は、上記基板処理方法を好ましく実現し得る基板保持ケースを提供する。即ち、この基板保持ケースは、ガラス基板をチャンバ内に搬送するために用いられる凹状の基板保持ケースであって、上方が開口され、ガラス基板が裁置されるケース底面と、上記ケース底面に裁置されたガラス基板に対して、該ガラス基板の周りを取り囲むように上記ケース底面から立ち上がったケース壁面とを備え、上記ケース底面には、該ケース底面に裁置されたガラス基板を持ち上げるための基板持上部が形成されている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記基板持上部として、リフトピンが移動自在に挿入される貫通孔を有する。
ここに開示される好ましい一態様では、上記リフトピンは、上記貫通孔に挿入された状態で上記ケース底面に埋め込まれている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記リフトピンは、軸部と、該軸部よりも外形が大きい頭部とから構成され、上記貫通孔には、上記頭部と係合する段差が設けられている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ケース壁面の上面と、上記ガラス基板の上面とは同一平面上に位置している。
The present invention also provides a substrate holding case capable of preferably realizing the substrate processing method. That is, the substrate holding case is a concave substrate holding case used for transporting the glass substrate into the chamber. The substrate holding case is opened on the upper side, and the case bottom surface on which the glass substrate is placed and the case bottom surface are cut. A case wall surface that rises from the bottom surface of the case so as to surround the glass substrate, and the case bottom surface is for lifting the glass substrate placed on the bottom surface of the case. A substrate holding portion is formed.
In a preferred aspect disclosed herein, the substrate holding portion has a through hole into which a lift pin is movably inserted.
In a preferable aspect disclosed herein, the lift pin is embedded in the bottom surface of the case in a state of being inserted into the through hole.
In a preferred aspect disclosed herein, the lift pin includes a shaft portion and a head portion having an outer shape larger than the shaft portion, and the through hole is provided with a step that engages with the head portion. ing.
In a preferred embodiment disclosed herein, the upper surface of the case wall surface and the upper surface of the glass substrate are located on the same plane.

また、本発明は、上記基板処理方法を好ましく実現し得る基板処理装置を提供する。即ち、この基板処理装置は、チャンバ内に配置されたガラス基板にプラズマを用いて表面処理を施すものであり、チャンバと、上記チャンバ内に配置された下部電極と、上記下部電極に対向する上部電極と、上記下部電極の上面に取り付けられ、内部にガラス基板が収容される凹状の基板保持ケースとを備える。
ここに開示される好ましい一態様では、上記基板保持ケースは、上記下部電極から脱着可能に取り付けられている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記下部電極の上面には、上記基板保持ケースが収容される凹部が形成されている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ(例えば液晶パネル)用のガラス基板である。
Moreover, this invention provides the substrate processing apparatus which can implement | achieve the said substrate processing method preferably. That is, this substrate processing apparatus performs a surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber using plasma, and includes a chamber, a lower electrode disposed in the chamber, and an upper portion facing the lower electrode. An electrode and a concave substrate holding case attached to the upper surface of the lower electrode and accommodating a glass substrate therein are provided.
In a preferred embodiment disclosed herein, the substrate holding case is detachably attached to the lower electrode.
In a preferred embodiment disclosed herein, a recess for accommodating the substrate holding case is formed on the upper surface of the lower electrode.
In a preferred embodiment disclosed herein, the glass substrate is a glass substrate for a flat panel display (for example, a liquid crystal panel).

本発明に係る基板処理方法によれば、上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態でガラス基板に表面処理を施すので、ガラス基板の搬送中に、あるいは表面処理中に、ガラス基板が割れたとしても、その破片がチャンバ内に飛散せず、基板保持ケースの内部に閉じ込められる。そのため、基板保持ケースを取り出すだけでガラス破片を回収でき、チャンバのメンテナンス(ガラス破片の回収・清掃等)を行わなくてもよい。したがって、基板処理装置を効率よく稼働させることができ、チャンバのメンテナンス時に装置を停止することによってもたらされるスループットの低下を抑えることができる。   According to the substrate processing method of the present invention, the glass substrate is transported into the chamber in a state in which the glass substrate is accommodated in the concave substrate holding case having an upper opening, and the surface of the glass substrate is accommodated in the substrate retaining case. Since the treatment is performed, even if the glass substrate is broken during the conveyance of the glass substrate or during the surface treatment, the fragments are not scattered in the chamber but are confined in the substrate holding case. Therefore, it is possible to collect glass fragments simply by taking out the substrate holding case, and it is not necessary to perform chamber maintenance (such as glass fragment collection / cleaning). Therefore, the substrate processing apparatus can be operated efficiently, and a decrease in throughput caused by stopping the apparatus during the maintenance of the chamber can be suppressed.

本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view showing typically the composition of the substrate holding case concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the board | substrate holding case which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the board | substrate holding case which concerns on one Embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースからガラス基板を取り出す工程を模式的に示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows typically the process of taking out a glass substrate from the substrate holding case which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースにガラス基板を収容する工程を模式的に示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows typically the process of accommodating a glass substrate in the substrate holding case which concerns on one Embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースを下部電極に取り付ける工程を模式的に示す断面図である。(A)-(c) is sectional drawing which shows typically the process of attaching the substrate holding case which concerns on one Embodiment of this invention to a lower electrode. (a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る基板保持ケースの構成を模式的に示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows typically the structure of the board | substrate holding case which concerns on one Embodiment of this invention.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のために、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、各図における寸法関係(長さ、幅、厚さ等)は実際の寸法関係を反映するものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, components having substantially the same function are denoted by the same reference numerals for the sake of brevity. Note that the dimensional relationship (length, width, thickness, etc.) in each drawing does not reflect the actual dimensional relationship.

図1および図2に、本実施形態に係る基板保持ケース20の一例を示す。図1は、基板保持ケース20の構成を模式的に示す斜視図であり、図2は、基板保持ケース20の側面構成を示す断面模式図である。   1 and 2 show an example of the substrate holding case 20 according to the present embodiment. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of the substrate holding case 20, and FIG. 2 is a schematic sectional view showing the side configuration of the substrate holding case 20.

本実施形態に係る基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す方法である。この基板処理方法では、図1に示すように、上方が開口された凹状の基板保持ケース20にガラス基板10を収容する。そして、図2に示すように、ガラス基板10を基板保持ケース20ごとチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケース20に収容した状態でガラス基板10に表面処理94を施す。ガラス基板10に施す表面処理94としては特に限定されず、薄膜形成(成膜)処理やドライエッチング処理等の典型的な表面処理技術を適宜採用し得る。この実施形態では、ガラス基板10にプラズマを用いた成膜処理(プラズマCVD)を実行する。   The substrate processing method according to the present embodiment is a method of performing a surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber. In this substrate processing method, as shown in FIG. 1, the glass substrate 10 is accommodated in a concave substrate holding case 20 opened upward. Then, as shown in FIG. 2, the glass substrate 10 is transferred into the chamber together with the substrate holding case 20, and the glass substrate 10 is subjected to a surface treatment 94 in a state of being accommodated in the substrate holding case 20. The surface treatment 94 applied to the glass substrate 10 is not particularly limited, and a typical surface treatment technique such as thin film formation (film formation) treatment or dry etching treatment can be appropriately employed. In this embodiment, a film forming process (plasma CVD) using plasma is performed on the glass substrate 10.

さらに、本実施形態に係る基板保持ケース20について説明する。この基板保持ケース20は、図1に示すように、ガラス基板10が裁置されるケース底面26と、該ケース底面26から立ち上がった壁面22とを備える。ケース底面26の上方には、開口部24が設けられ、該開口部24を介してガラス基板10がケース底面26に裁置される。この開口部24からは、ガラス基板10の上面(ガラス基板の被処理面)12を露出させることができる。   Furthermore, the substrate holding case 20 according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 1, the substrate holding case 20 includes a case bottom surface 26 on which the glass substrate 10 is placed, and a wall surface 22 rising from the case bottom surface 26. An opening 24 is provided above the case bottom 26, and the glass substrate 10 is placed on the case bottom 26 via the opening 24. From the opening 24, the upper surface (surface to be processed of the glass substrate) 12 of the glass substrate 10 can be exposed.

ケース壁面22は、ケース底面26から略垂直に立ち上がった面であり、ケース底面26に裁置されたガラス基板10に対して、該ガラス基板10の周りを取り囲むように配置されている。本実施形態のケース壁面22は、上面から見て、ロの字型の形状を有しており、その中央部分にガラス基板10が配置される。このようにガラス基板10の周りをケース壁面22で取り囲むことによって、ガラス基板10が割れたとしても、その破片が周辺に飛散せず、基板保持ケース20の内部に閉じ込められる。なお、基板保持ケース20を構成する材料としては、割れ欠けし難く、比較的耐熱性を有するものが好ましく、そのような材料としては、例えばアルミニウム等の比較的軽量な金属、テフロン等の比較的高い温度での耐熱性を有する樹脂材料などが例示される。   The case wall surface 22 is a surface that rises substantially vertically from the case bottom surface 26, and is disposed so as to surround the glass substrate 10 with respect to the glass substrate 10 placed on the case bottom surface 26. The case wall surface 22 of the present embodiment has a square shape when viewed from above, and the glass substrate 10 is disposed at the center thereof. Thus, by surrounding the glass substrate 10 with the case wall surface 22, even if the glass substrate 10 is broken, the fragments are not scattered around and are confined in the substrate holding case 20. The material constituting the substrate holding case 20 is preferably a material that is not easily cracked and has relatively heat resistance, such as a relatively light metal such as aluminum, or a relatively light material such as Teflon. Examples thereof include a resin material having heat resistance at a high temperature.

さらに、本実施形態の基板保持ケース20のその他の特徴について説明する。本実施形態の構成では、図2に示すように、基板保持ケース20にガラス基板10を収容した状態において、ケース壁面22の上面22aと、ガラス基板10の上面12とが同一平面上(または実質的に同一平面)に位置している。換言すると、ケース壁面22の高さ(ケース底面26からの高さ)とガラス基板10の厚み(板厚)とが略同じサイズとなっている。   Further, other features of the substrate holding case 20 of the present embodiment will be described. In the configuration of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the upper surface 22 a of the case wall surface 22 and the upper surface 12 of the glass substrate 10 are on the same plane (or substantially) in a state where the glass substrate 10 is accommodated in the substrate holding case 20. In the same plane). In other words, the height of the case wall surface 22 (height from the case bottom surface 26) and the thickness (plate thickness) of the glass substrate 10 are substantially the same size.

ここで、ケース壁面22をガラス基板10の上面12よりも高くすると、ガラス基板10の上面12の周縁(エッジ)部分がケース壁面22によって隠れるため、ガラス基板10に均一な表面処理を行うことができない場合が起こり得る。したがって、均一な表面処理を行う観点からは、ケース壁面22がガラス基板10の上面12を超えないように形成されていることが好ましい。その一方で、ケース壁面22をガラス基板10の上面12よりも低くしすぎると、ガラス破片がケース壁面22を飛び超え、周辺に飛散する可能性が生じ得る。したがって、ガラス破片の飛散防止の観点からは、ケース壁面22がガラス基板10の上面12よりも低くなりすぎないように形成されていることが好ましい。例えば、図3に示すように、ケース壁面22とガラス基板10の上面12との高低差hが、ガラス基板10の厚みの1/2以下となるように形成されていることが好ましい。ここに開示される技術によれば、通常は、ケース壁面22の上面22aと、ガラス基板10の上面12とが実質的に同一平面上に位置していることが適当である。これにより、ガラス破片の飛散を防ぎつつ、ガラス基板10に均一な表面処理を施すことができる。   Here, when the case wall surface 22 is made higher than the upper surface 12 of the glass substrate 10, a peripheral surface (edge) portion of the upper surface 12 of the glass substrate 10 is hidden by the case wall surface 22, so that a uniform surface treatment can be performed on the glass substrate 10. There are cases where it is impossible. Therefore, from the viewpoint of performing a uniform surface treatment, the case wall surface 22 is preferably formed so as not to exceed the upper surface 12 of the glass substrate 10. On the other hand, if the case wall surface 22 is made too lower than the upper surface 12 of the glass substrate 10, there is a possibility that glass fragments jump over the case wall surface 22 and scatter around. Therefore, it is preferable that the case wall surface 22 is formed so as not to be too lower than the upper surface 12 of the glass substrate 10 from the viewpoint of preventing scattering of glass fragments. For example, as shown in FIG. 3, the height difference h between the case wall surface 22 and the upper surface 12 of the glass substrate 10 is preferably formed to be ½ or less of the thickness of the glass substrate 10. According to the technique disclosed herein, it is usually appropriate that the upper surface 22a of the case wall surface 22 and the upper surface 12 of the glass substrate 10 are located on substantially the same plane. Thereby, a uniform surface treatment can be applied to the glass substrate 10 while preventing scattering of glass fragments.

また、本実施形態の構成では、ケース底面26には、該ケース底面26に裁置されたガラス基板10を持ち上げるための基板持上部30が形成されている。この基板持上部30は、基板保持ケース20にガラス基板10を収容するときに使用される。また、基板持上部30は、基板保持ケース20からガラス基板10を取り出すときに使用される。この実施形態では、基板持上部30として、リフトピンが挿入される貫通孔32を有する。この貫通孔32は、図4(a)に示すように、リフトピン34の外径よりも少しだけ大きな内径を有し、リフトピン34が下方から移動(スライド)自在に挿入されるように形成されている。本実施形態の貫通孔32は、図1に示すように、ケース底面26の複数箇所(この例ではケース底面26の中央部および周辺角部の5箇所)に設けられ、それぞれの貫通孔32にリフトピン34が下方から挿入されるようになっている。なお、リフトピン34を構成する材料としては、静電気破壊による欠陥の発生を防ぐために少なくとも表面が絶縁性を示す材料を用いることが好ましい。たとえば、セラミック等の絶縁材料や、あるいはAl(アルミニウム),SUS(ステンレス)等の金属基材の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることができる。   In the configuration of the present embodiment, the case bottom surface 26 is formed with a substrate holding portion 30 for lifting the glass substrate 10 placed on the case bottom surface 26. The substrate holding portion 30 is used when the glass substrate 10 is accommodated in the substrate holding case 20. Further, the substrate holding portion 30 is used when taking out the glass substrate 10 from the substrate holding case 20. In this embodiment, the substrate holding portion 30 has a through hole 32 into which a lift pin is inserted. As shown in FIG. 4A, the through-hole 32 has an inner diameter that is slightly larger than the outer diameter of the lift pin 34, and is formed so that the lift pin 34 can be inserted (moved) freely from below. Yes. As shown in FIG. 1, the through-holes 32 of the present embodiment are provided at a plurality of locations on the case bottom surface 26 (in this example, five locations at the center and peripheral corners of the case bottom surface 26). A lift pin 34 is inserted from below. In addition, as a material which comprises the lift pin 34, in order to prevent the generation | occurrence | production of the defect by electrostatic breakdown, it is preferable to use the material which the surface shows insulation at least. For example, an insulating material such as ceramic or a metal base material such as Al (aluminum) or SUS (stainless steel) coated with an insulating material can be used.

図4(a)〜(c)は、本実施形態のリフトピン34を用いてガラス基板10を基板保持ケース20から取り出す工程を説明するための断面図である。   4A to 4C are cross-sectional views for explaining a process of taking out the glass substrate 10 from the substrate holding case 20 using the lift pins 34 of the present embodiment.

ガラス基板10を基板保持ケース20から取り出す場合には、まず、図4(a)に示すように、リフトピン34をケース底面26の貫通孔32に下方から挿入し、図4(b)に示すように、リフトピンの先端36をガラス基板10の下面14に当接する。そして、図4(c)に示すように、リフトピン34の先端36でガラス基板10を下方から支持しながら、リフトピン34をケース底面26から突出させて上昇させ、ガラス基板10を所定位置まで持ち上げる。そして、所定位置まで持ち上げたガラス基板10を適当な搬送手段(図示せず)に受け渡すことにより、ガラス基板10が基板保持ケース20から取り出される。なお、ガラス基板10を基板保持ケース20に収容する場合は、上述した説明と逆の手順で行うとよい。   When taking out the glass substrate 10 from the substrate holding case 20, first, as shown in FIG. 4A, the lift pins 34 are inserted into the through holes 32 of the case bottom surface 26 from below, as shown in FIG. 4B. Further, the tip 36 of the lift pin is brought into contact with the lower surface 14 of the glass substrate 10. Then, as shown in FIG. 4C, while supporting the glass substrate 10 from below with the tip 36 of the lift pin 34, the lift pin 34 protrudes from the case bottom surface 26 and is lifted to lift the glass substrate 10 to a predetermined position. And the glass substrate 10 is taken out from the substrate holding case 20 by delivering the glass substrate 10 lifted to a predetermined position to an appropriate conveying means (not shown). In addition, when accommodating the glass substrate 10 in the board | substrate holding | maintenance case 20, it is good to carry out in the reverse procedure to the description mentioned above.

続いて、本実施形態に係る基板処理装置100について説明する。図5は、基板処理装置100の構成を模式的に示す図である。この基板処理装置100は、チャンバ90内に配置されたガラス基板10にプラズマを用いて表面処理(ここでは成膜処理)を施す装置である。本実施形態の基板処理装置100は、チャンバ90と、チャンバ90内に配置された下部電極60と、下部電極60に対向する上部電極70と、下部電極60の上面62に取り付けられた凹状の基板保持ケース20とから構成されている。   Subsequently, the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described. FIG. 5 is a diagram schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 is an apparatus that performs a surface treatment (here, a film forming process) on the glass substrate 10 disposed in the chamber 90 using plasma. The substrate processing apparatus 100 of this embodiment includes a chamber 90, a lower electrode 60 disposed in the chamber 90, an upper electrode 70 facing the lower electrode 60, and a concave substrate attached to the upper surface 62 of the lower electrode 60. The holding case 20 is comprised.

基板保持ケース20は、下部電極60から脱着可能に取り付けられている。即ち、基板保持ケース20は、内部にガラス基板10を収容した状態でチャンバ90内に搬送され、下部電極60の所定位置に設置されるようになっている。また、基板保持ケース20は、表面処理の完了後、下部電極60の所定位置から取り外され、内部にガラス基板10を収容した状態でチャンバ90の外部に搬送されるようになっている。なお、この実施形態では、下部電極60の上面62に凹部64が設けられ、該凹部64に基板保持ケース20が収容される。凹部64の底面68には、基板保持ケース20を持ち上げるためのリフトピン84が取り付けられている。なお、本実施形態のガラス基板10は、液晶パネル用のガラス基板(例えば、アレイ基板)である。   The substrate holding case 20 is detachably attached to the lower electrode 60. That is, the substrate holding case 20 is transported into the chamber 90 in a state where the glass substrate 10 is accommodated therein, and is set at a predetermined position of the lower electrode 60. The substrate holding case 20 is removed from a predetermined position of the lower electrode 60 after the surface treatment is completed, and is transported to the outside of the chamber 90 with the glass substrate 10 accommodated therein. In this embodiment, a recess 64 is provided on the upper surface 62 of the lower electrode 60, and the substrate holding case 20 is accommodated in the recess 64. A lift pin 84 for lifting the substrate holding case 20 is attached to the bottom surface 68 of the recess 64. In addition, the glass substrate 10 of this embodiment is a glass substrate (for example, array substrate) for liquid crystal panels.

図5に示した基板処理装置100は、平行平板型プラズマ成膜装置であり、チャンバ90内には、上部電極70と下部電極60とが対向して配置されている。この例では、上部電極70は高周波電源に接続されており、一方、下部電極60はグランドに接続されている。また、チャンバ90内には、原料ガスの導入口92が配置されている。チャンバ内に導入される原料ガスは、ガラス基板10の上に形成される薄膜の種類に応じて適宜好適なものが選択される。原料ガスは、水素ガスや窒素ガス等のキャリヤガスを含んでもよい。   A substrate processing apparatus 100 shown in FIG. 5 is a parallel plate type plasma film forming apparatus, and an upper electrode 70 and a lower electrode 60 are arranged in a chamber 90 to face each other. In this example, the upper electrode 70 is connected to a high frequency power source, while the lower electrode 60 is connected to the ground. A source gas introduction port 92 is disposed in the chamber 90. The source gas introduced into the chamber is appropriately selected according to the type of thin film formed on the glass substrate 10. The source gas may include a carrier gas such as hydrogen gas or nitrogen gas.

基板処理装置(成膜装置)100の動作時には、下部電極60と上部電極70との間に導入口92から原料ガスが導入され、また、下部電極60と上部電極70との間には、高周波電圧が印可されてプラズマが形成される。なお、チャンバ90内は、上記原料ガスが導入される一方で、図示しない排気装置によって排気されているので、常時一定の圧力に保持されている。   During the operation of the substrate processing apparatus (film forming apparatus) 100, a source gas is introduced from the introduction port 92 between the lower electrode 60 and the upper electrode 70, and a high frequency is introduced between the lower electrode 60 and the upper electrode 70. A voltage is applied to form a plasma. Note that the inside of the chamber 90 is constantly maintained at a constant pressure because it is exhausted by an exhaust device (not shown) while the source gas is introduced.

上記基板処理装置(成膜装置)100を用いてガラス基板10に表面処理を施す場合には、まず、チャンバ90の外側で基板保持ケース20にガラス基板10を収容する。即ち、図6(a)に示すように、適当な搬送手段(図示せず)を用いてガラス基板10を基板保持ケース20の上方まで搬送する。次いで、図6(b)に示すように、リフトピン34をケース底面26の貫通孔32に下方から挿入し、該リフトピンの先端36をガラス基板10の下面14に当接する。そして、リフトピン34の先端36でガラス基板10を下方から支持しながらリフトピン34を下降させ、図6(c)に示すように、リフトピン34をケース底面26に没入させる。これにより、ガラス基板10だけがケース底面26に裁置され、ガラス基板10が基板保持ケース20に収容される。   When surface treatment is performed on the glass substrate 10 using the substrate processing apparatus (film forming apparatus) 100, the glass substrate 10 is first accommodated in the substrate holding case 20 outside the chamber 90. That is, as shown in FIG. 6A, the glass substrate 10 is transported to above the substrate holding case 20 using an appropriate transport means (not shown). Next, as shown in FIG. 6B, the lift pins 34 are inserted into the through holes 32 of the case bottom surface 26 from below, and the tip 36 of the lift pins is brought into contact with the lower surface 14 of the glass substrate 10. Then, the lift pin 34 is lowered while the glass substrate 10 is supported from below by the tip 36 of the lift pin 34, and the lift pin 34 is inserted into the case bottom surface 26 as shown in FIG. 6C. Thereby, only the glass substrate 10 is placed on the case bottom surface 26, and the glass substrate 10 is accommodated in the substrate holding case 20.

このようにしてガラス基板10を基板保持ケース20に収容したら、次に、ガラス基板10を基板保持ケース20ごとチャンバ90内に搬送し、基板保持ケース20を下部電極60に設置する。具体的には、図7(a)に示すように、適当な搬送手段(図示せず)を用いて基板保持ケース20を下部電極60の上方まで搬送する。次いで、図7(b)に示すように、凹部64の底面のリフトピン84を上昇させ、該リフトピン84の先端を基板保持ケース20の下面に当接する。そして、リフトピン84の先端で基板保持ケース20を下方から支持しながらリフトピン84を下降させ、図7(c)に示すように、リフトピン84を凹部64の底面に没入させる。これにより、基板保持ケース20だけが凹部64の底面に裁置され、基板保持ケース20が下部電極60に取り付けられる。   After the glass substrate 10 is accommodated in the substrate holding case 20 in this way, the glass substrate 10 is then transferred into the chamber 90 together with the substrate holding case 20, and the substrate holding case 20 is placed on the lower electrode 60. Specifically, as shown in FIG. 7A, the substrate holding case 20 is transported to above the lower electrode 60 using an appropriate transport means (not shown). Next, as shown in FIG. 7B, the lift pins 84 on the bottom surface of the recess 64 are raised, and the tips of the lift pins 84 are brought into contact with the lower surface of the substrate holding case 20. Then, the lift pin 84 is lowered while supporting the substrate holding case 20 from below with the tip of the lift pin 84, and the lift pin 84 is immersed in the bottom surface of the recess 64 as shown in FIG. As a result, only the substrate holding case 20 is placed on the bottom surface of the recess 64, and the substrate holding case 20 is attached to the lower electrode 60.

このようにして基板保持ケース20を下部電極60に取り付けたら、基板処理装置(成膜装置)100を動作させ、ガラス基板10に成膜処理を実行する。かかる成膜処理は、ガラス基板10を基板保持ケース20に収容した状態で行われる。成膜処理が完了したら、基板保持ケース20を下部電極60から取り外し、ガラス基板10を基板保持ケース20ごとチャンバ90の外部へと搬送する。なお、基板保持ケース20を下部電極60から取り外す工程は、上述した説明と逆の手順で行うとよい。このようにして、ガラス基板に成膜処理を施すことができる。   When the substrate holding case 20 is attached to the lower electrode 60 in this way, the substrate processing apparatus (film forming apparatus) 100 is operated to perform the film forming process on the glass substrate 10. The film forming process is performed in a state where the glass substrate 10 is accommodated in the substrate holding case 20. When the film forming process is completed, the substrate holding case 20 is removed from the lower electrode 60, and the glass substrate 10 is transferred to the outside of the chamber 90 together with the substrate holding case 20. The step of removing the substrate holding case 20 from the lower electrode 60 may be performed in the reverse order to the above description. In this way, a film forming process can be performed on the glass substrate.

本実施形態の構成によれば、上方が開口された凹状の基板保持ケース20にガラス基板10を収容した状態でチャンバ90内に搬送し、かつ、該基板保持ケース20に収容した状態でガラス基板10に表面処理を施すので、図7(a)〜(c)に示すようなガラス基板10の搬送中に、あるいは表面処理中に、ガラス基板10が割れたとしても、その破片がチャンバ90内に飛散せず、基板保持ケース10の内部に閉じ込められる。そのため、基板保持ケース20を取り出すだけでガラス破片を回収でき、チャンバ90のメンテナンス(ガラス破片の回収・清掃等)を行わなくてもよい。したがって、基板処理装置100を効率よく稼働させることができ、チャンバ90のメンテナンス時に基板処理装置100を停止することによってもたらされる表面処理工程のスループットの低下を抑えることができる。   According to the configuration of the present embodiment, the glass substrate 10 is transferred into the chamber 90 in a state in which the glass substrate 10 is accommodated in the concave substrate holding case 20 having an upper opening, and the glass substrate is accommodated in the substrate holding case 20. 10 is subjected to the surface treatment, even if the glass substrate 10 is broken during the conveyance of the glass substrate 10 or during the surface treatment as shown in FIGS. And is confined within the substrate holding case 10. Therefore, it is possible to collect glass fragments simply by taking out the substrate holding case 20, and maintenance of the chamber 90 (collection / cleaning of glass fragments, etc.) need not be performed. Therefore, the substrate processing apparatus 100 can be operated efficiently, and a decrease in the throughput of the surface treatment process caused by stopping the substrate processing apparatus 100 during the maintenance of the chamber 90 can be suppressed.

また、本実施形態の構成では、基板保持ケース20は、図1及び図2に示すように、ガラス基板10が裁置されるケース底面26と、ケース底面26に裁置されたガラス基板10に対して、該ガラス基板10の周りを取り囲むようにケース底面26から立ち上がったケース壁面22とを備えている。そして、ケース壁面22の上面22aとガラス基板10の上面12とが同一平面上に位置している。この場合、ケース壁面22によってガラス破片の飛散を防ぎつつ、ガラス基板10の上面12に均一な表面処理を施すことができる。   Further, in the configuration of the present embodiment, the substrate holding case 20 is provided on the case bottom surface 26 on which the glass substrate 10 is placed and the glass substrate 10 placed on the case bottom surface 26 as shown in FIGS. 1 and 2. On the other hand, a case wall surface 22 rising from the case bottom surface 26 is provided so as to surround the periphery of the glass substrate 10. And the upper surface 22a of the case wall surface 22 and the upper surface 12 of the glass substrate 10 are located on the same plane. In this case, uniform surface treatment can be performed on the upper surface 12 of the glass substrate 10 while preventing the glass fragments from being scattered by the case wall surface 22.

さらに、本実施形態の構成では、図4(a)〜(c)に示すように、ケース底面26には、該ケース底面26に裁置されたガラス基板10を持ち上げるための基板持上部30(リフトピン34が移動自在に挿入される貫通孔32)が形成されている。基板持上部30を用いることによって、ガラス基板10を基板保持ケース20に収容する作業およびガラス基板10を基板保持ケース20から取り外す作業を安定して行うことができる。したがって、かかる作業時の不良の発生を防止し、歩留まりの低下を抑えることが可能となる。   Further, in the configuration of the present embodiment, as shown in FIGS. 4A to 4C, a substrate holding portion 30 (for lifting the glass substrate 10 placed on the case bottom surface 26 is provided on the case bottom surface 26. A through hole 32) into which the lift pin 34 is movably inserted is formed. By using the substrate holding portion 30, the operation of housing the glass substrate 10 in the substrate holding case 20 and the operation of removing the glass substrate 10 from the substrate holding case 20 can be performed stably. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of defects during such work and suppress the decrease in yield.

さらに、本実施形態の構成では、図1に示すように、ケース底面26には、リフトピン34が挿入される貫通孔32が複数箇所(ケース底面26の中央部および周辺角部の5箇所)に設けられ、それぞれの貫通孔32に挿入されたリフトピン34がガラス基板10の中央部および周辺角部の5箇所を支持するように配置されている。この場合、リフトピン34でガラス基板10を持ち上げたときに、ガラス基板10が大きく撓むのを抑制することができ、かかる作業時の不良の発生をより効果的に防止することができる。   Furthermore, in the configuration of the present embodiment, as shown in FIG. 1, the case bottom surface 26 has a plurality of through holes 32 into which the lift pins 34 are inserted (at the central portion and the peripheral corner portions of the case bottom surface 26). The lift pins 34 provided and inserted into the respective through holes 32 are arranged so as to support the central portion and the peripheral corner portions of the glass substrate 10. In this case, when the glass substrate 10 is lifted by the lift pins 34, it is possible to suppress the glass substrate 10 from being greatly bent, and it is possible to more effectively prevent the occurrence of defects during such work.

なお、ここに開示される技術の好ましい適用対象として、大型で、かつ薄板なガラス基板が挙げられる。例えば、40インチ以上で、1.0mm以下の板厚を有するガラス基板が好ましく例示される。このような大型で、かつ薄板なガラス基板は、非常に破損しやすく、搬送中に僅かな撓みが生じただけでも破損する可能性があるため、本発明の構成を採用することによる技術的価値が高い。特に限定するものではないが、本実施形態のガラス基板10のサイズを例示すると、縦730mm×横920mm×厚さ0.7mm程度である。   In addition, a large and thin glass substrate is mentioned as a preferable application target of the technique disclosed here. For example, a glass substrate having a thickness of 40 inches or more and 1.0 mm or less is preferably exemplified. Such a large and thin glass substrate is very easy to break, and even if a slight deflection occurs during transportation, it may break, so the technical value by adopting the configuration of the present invention Is expensive. Although it does not specifically limit, when the size of the glass substrate 10 of this embodiment is illustrated, it will be about 730 mm x 920 mm x thickness 0.7mm.

以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。   As mentioned above, although this invention was demonstrated by suitable embodiment, such description is not a limitation matter and of course various modifications are possible.

例えば、本実施形態のガラス基板10は、液晶パネル用のガラス基板であるが、ガラス基板10は、薄膜トランジスタ(TFT)が作製されるアレイ基板であってもよいし、カラーフィルタ(CF)が形成されるCF基板であってもよい。加えて、液晶パネル用のガラス基板10に限らず、PDP、有機ELパネル、その他フラットパネルディスプレイまたは電子デバイスを製作する上での薄型のガラス基板であってもよい。   For example, the glass substrate 10 of the present embodiment is a glass substrate for a liquid crystal panel, but the glass substrate 10 may be an array substrate on which a thin film transistor (TFT) is manufactured, or a color filter (CF) is formed. A CF substrate may be used. In addition, it is not limited to the glass substrate 10 for a liquid crystal panel, but may be a thin glass substrate for manufacturing a PDP, an organic EL panel, other flat panel displays or electronic devices.

また、本実施形態では、ガラス基板10にプラズマを用いた成膜処理を行っているが、これに限定されず、例えば、スパッタを用いた成膜処理であってもよいし、蒸着法による成膜処理であってもよい。さらに、上述した成膜処理に限らず、例えば、エッチング処理(プラズマを用いたドライエッチング等)などの表面処理であっても構わない。本発明の方法は、チャンバ内でガラス基板に施される種々の表面処理技術に対して広く適用することができる。   In the present embodiment, the film forming process using plasma is performed on the glass substrate 10, but the present invention is not limited to this. For example, the film forming process using sputtering may be used, and the film forming process may be performed by an evaporation method. It may be a membrane treatment. Furthermore, it is not limited to the above-described film forming process, and for example, a surface process such as an etching process (such as dry etching using plasma) may be used. The method of the present invention can be widely applied to various surface treatment techniques applied to a glass substrate in a chamber.

さらに、基板保持ケース20の構成は上述したものに限らず、他の形態に変更することも可能である。図8(a)及び(b)を参照しながら、本実施形態の基板保持ケース20の改変例を説明する。図8(a)及びおよび図8(b)は、ケース底面126に形成された貫通孔132と、該貫通孔132に挿入されたリフトピン134の断面構成を示している。   Furthermore, the configuration of the substrate holding case 20 is not limited to that described above, and can be changed to other forms. With reference to FIGS. 8A and 8B, a modified example of the substrate holding case 20 of the present embodiment will be described. FIGS. 8A and 8B show a cross-sectional configuration of a through hole 132 formed in the case bottom surface 126 and a lift pin 134 inserted into the through hole 132.

図8(a)に示した例では、リフトピン134は、貫通孔132に挿入された状態でケース底面126に埋め込まれている。そして、図8(b)に示すように、貫通孔132の下方から別のリフトピン135を挿入し、ケース底面126に埋め込まれたリフトピン134を上方に押し上げることによって、リフトピン134がケース底面126から突出するようになっている。この構成を用いれば、貫通孔132がリフトピン134、135によって常に塞がれるため、ガラス基板が割れたときに、その破片が貫通孔132を通じてケース外部に流出することを防止することができる。   In the example shown in FIG. 8A, the lift pin 134 is embedded in the case bottom surface 126 while being inserted into the through hole 132. Then, as shown in FIG. 8B, another lift pin 135 is inserted from below the through hole 132 and the lift pin 134 embedded in the case bottom surface 126 is pushed upward, so that the lift pin 134 protrudes from the case bottom surface 126. It is supposed to be. If this structure is used, since the through-hole 132 is always closed by the lift pins 134 and 135, it is possible to prevent the fragments from flowing out of the case through the through-hole 132 when the glass substrate is broken.

また、図8(a)に示した例では、リフトピン134は、軸部134bと、該軸部134bよりも外形が大きい頭部134aとから構成されている。そして、貫通孔132には、リフトピン134の頭部134aと係合する段差132aが設けられている。この構成を用いれば、ガラス基板が割れたときに、その破片が貫通孔132とリフトピン134の頭部134aとの僅かな隙間に入り込んだとしても、貫通孔132の段差132aによってガラス破片の更なる侵入が阻止される。したがって、ガラス破片のケース外部への流出をより効果的に防ぐことができる。   In the example shown in FIG. 8A, the lift pin 134 includes a shaft portion 134b and a head portion 134a having a larger outer shape than the shaft portion 134b. The through hole 132 is provided with a step 132 a that engages with the head 134 a of the lift pin 134. With this configuration, when the glass substrate is broken, even if the broken piece enters a slight gap between the through hole 132 and the head part 134a of the lift pin 134, the glass piece is further increased by the step 132a of the through hole 132. Intrusion is prevented. Therefore, it is possible to more effectively prevent the glass fragments from flowing out of the case.

本発明によれば、チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing method capable of quickly collecting glass fragments when a glass substrate is broken in a chamber.

10 ガラス基板
12 上面
14 下面
20 基板保持ケース
22 ケース壁面
22a 上面
24 開口部
26 ケース底面
30 基板持上部
32 貫通孔
34 リフトピン
36 先端
60 下部電極
62 上面
64 凹部
68 底面
70 上部電極
84 リフトピン
90 チャンバ
92 原料ガス導入口
100 基板処理装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Glass substrate 12 Upper surface 14 Lower surface 20 Substrate holding case 22 Case wall surface 22a Upper surface 24 Opening part 26 Case bottom surface 30 Substrate holding part 32 Through-hole 34 Lift pin 36 Tip 60 Lower electrode 62 Upper surface 64 Recess 68 Bottom surface 70 Upper electrode 84 Lift pin 90 Chamber 92 Source gas inlet 100 Substrate processing equipment

Claims (12)

チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す基板処理方法であって、
上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態で前記ガラス基板に表面処理を施すことを特徴とする、基板処理方法。
A substrate processing method for performing a surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber,
The substrate is transported into a chamber in a state in which the glass substrate is accommodated in a concave substrate holding case having an upper opening, and the glass substrate is subjected to a surface treatment in a state of being accommodated in the substrate holding case. Processing method.
前記表面処理は、プラズマを用いた表面処理である、請求項1に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein the surface treatment is a surface treatment using plasma. 前記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板である、請求項1または2に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein the glass substrate is a glass substrate for a flat panel display. ガラス基板をチャンバ内に搬送するために用いられる凹状の基板保持ケースであって、
上方が開口され、ガラス基板が裁置されるケース底面と、
前記ケース底面に裁置されたガラス基板に対して、該ガラス基板の周りを取り囲むように前記ケース底面から立ち上がったケース壁面と
を備え、
前記ケース底面には、該ケース底面に裁置されたガラス基板を持ち上げるための基板持上部が形成されている、基板保持ケース。
A concave substrate holding case used for transporting a glass substrate into a chamber,
The bottom of the case where the top is opened and the glass substrate is placed,
With respect to the glass substrate placed on the bottom surface of the case, a case wall surface rising from the bottom surface of the case so as to surround the glass substrate,
A substrate holding case in which a substrate holding portion for lifting a glass substrate placed on the bottom surface of the case is formed on the bottom surface of the case.
前記基板持上部として、リフトピンが挿入される貫通孔を有する、請求項4に記載の基板保持ケース。   The board | substrate holding case of Claim 4 which has a through-hole in which a lift pin is inserted as said board | substrate holding | maintenance part. 前記リフトピンは、前記貫通孔に挿入された状態で前記ケース底面に埋め込まれている、請求項5に記載の基板保持ケース。   The substrate holding case according to claim 5, wherein the lift pin is embedded in the bottom surface of the case while being inserted into the through hole. 前記リフトピンは、軸部と、該軸部よりも外形が大きい頭部とから構成され、
前記貫通孔には、前記頭部と係合する段差が設けられている、請求項6に記載の基板保持ケース。
The lift pin is composed of a shaft portion and a head having a larger outer shape than the shaft portion,
The substrate holding case according to claim 6, wherein the through hole is provided with a step that engages with the head.
前記ケース壁面の上面と、前記ガラス基板の上面とは同一平面上に位置している、請求項4から7の何れか一つに記載の基板保持ケース。   The substrate holding case according to claim 4, wherein an upper surface of the case wall surface and an upper surface of the glass substrate are located on the same plane. チャンバ内に配置されたガラス基板にプラズマを用いて表面処理を施す基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された下部電極と、
前記下部電極に対向する上部電極と、
前記下部電極の上面に取り付けられ、内部にガラス基板が収容される凹状の基板保持ケースと
を備えた、基板処理装置。
A substrate processing apparatus for performing surface treatment using a plasma on a glass substrate disposed in a chamber,
A chamber;
A lower electrode disposed in the chamber;
An upper electrode facing the lower electrode;
A substrate processing apparatus comprising: a concave substrate holding case attached to the upper surface of the lower electrode and accommodating a glass substrate therein.
前記基板保持ケースは、前記下部電極から脱着可能に取り付けられている、請求項9に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the substrate holding case is detachably attached to the lower electrode. 前記下部電極の上面には、前記基板保持ケースが収容される凹部が形成されている、請求項9または10に記載の基板処理装置。   11. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein a recess for accommodating the substrate holding case is formed on an upper surface of the lower electrode. 前記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板である、請求項9から11の何れか一つに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the glass substrate is a glass substrate for a flat panel display.
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