JP2011146599A - Substrate holding case, substrate processing method, and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板保持ケースに関し、特に該基板保持ケースを利用した基板処理方法、及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate holding case, and more particularly to a substrate processing method and a substrate processing apparatus using the substrate holding case.
液晶表示装置の製造技術に用いられる製造プロセスにおいては、ガラス基板の表面に薄膜を形成する工程と、この薄膜を所定のパターンにするパターニング処理を行う工程とが数多く実行される。成膜工程においては、スパッタ法、蒸着法、気相成長(CVD)法などの成膜プロセスが実行される。例えば、気相成長(CVD)法では、まず、ガラス基板をチャンバに入れ、一定の圧力に減圧する。そして、チャンバ内に原料となるガスを流しつつ、必要な反応エネルギー(熱やプラズマ等)を与えて反応生成物を堆積させることによって、ガラス基板の表面に薄膜を形成している。なお、このチャンバ内は、上記原料ガスが導入される一方で、排気装置によって排気されているので、常時一定の圧力に保持されている。この種の液晶表示装置の製造技術に関する先行文献としては、特許文献1等が開示されている。 In the manufacturing process used in the manufacturing technology of the liquid crystal display device, a number of steps of forming a thin film on the surface of the glass substrate and a patterning process for making the thin film into a predetermined pattern are performed. In the film forming process, film forming processes such as sputtering, vapor deposition, and vapor deposition (CVD) are performed. For example, in the vapor deposition (CVD) method, first, a glass substrate is placed in a chamber and depressurized to a constant pressure. A thin film is formed on the surface of the glass substrate by depositing reaction products by supplying necessary reaction energy (heat, plasma, etc.) while flowing a gas as a raw material in the chamber. Note that the inside of the chamber is constantly maintained at a constant pressure because the source gas is introduced and exhausted by the exhaust device. Patent Document 1 and the like are disclosed as prior documents relating to the manufacturing technology of this type of liquid crystal display device.
ところで、上述した成膜工程に用いられるガラス基板は、種々の処理工程(例えば、切断・面取り工程、熱処理・研磨工程など)を経て製造されている。そのため、種々の処理中に、あるいはハンドリング中に、ガラス基板の周縁部または該周縁部以外の表面部に欠けや亀裂などのクラック(傷)が生じる場合がある。このようなクラックが生じたガラス基板を上述した成膜工程に供すると、成膜処理中に受ける温度変化等によって、クラックを起点としてガラス基板が割れる場合がある。 By the way, the glass substrate used for the film-forming process mentioned above is manufactured through various processing processes (for example, a cutting / chamfering process, a heat treatment / polishing process, etc.). Therefore, a crack (scratch) such as a chip or a crack may occur in the peripheral portion of the glass substrate or a surface portion other than the peripheral portion during various treatments or during handling. When a glass substrate in which such a crack has occurred is subjected to the above-described film formation process, the glass substrate may break from the crack as a starting point due to a temperature change received during the film formation process.
ガラス基板が割れると、その破片がチャンバ内に散乱する。したがって、この場合は、装置を停止して、チャンバのメンテナンス(ガラス破片の回収・清掃等)を行なわなければならない。しかしながら、チャンバのメンテナンスを行うためには、チャンバの温度を下げ、さらにチャンバの内部を大気開放する必要があるため、多大な復旧時間を要する。かかるメンテナンス中は成膜装置を稼働できないので、成膜工程のスループットが大幅に低下する要因にもなってしまう。 When the glass substrate breaks, the fragments are scattered into the chamber. Therefore, in this case, the apparatus must be stopped and the chamber must be maintained (collection / cleaning of glass fragments, etc.). However, in order to perform the maintenance of the chamber, it is necessary to lower the temperature of the chamber and to open the interior of the chamber to the atmosphere. Since the film forming apparatus cannot be operated during such maintenance, the throughput of the film forming process is also greatly reduced.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供することにある。また、他の目的は、そのような基板処理方法を好ましく実現し得る基板処理装置および基板保持ケースを提供することにある。 This invention is made | formed in view of this point, The main objective is to provide the substrate processing method which can collect | recover glass fragments quickly, when a glass substrate is broken in a chamber. Another object is to provide a substrate processing apparatus and a substrate holding case capable of preferably realizing such a substrate processing method.
本発明に係る基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に所定の表面処理を施す方法である。この基板処理方法は、上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態でガラス基板に表面処理を施すことを特徴とする。
ここに開示される好ましい一態様では、上記表面処理は、プラズマを用いた表面処理である。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ(例えば液晶パネル)用のガラス基板である。
The substrate processing method according to the present invention is a method of performing a predetermined surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber. In this substrate processing method, the glass substrate is transported into the chamber in a state where the glass substrate is accommodated in a concave substrate holding case having an upper opening, and the glass substrate is subjected to a surface treatment while being accommodated in the substrate retaining case. Features.
In a preferred embodiment disclosed herein, the surface treatment is a surface treatment using plasma.
In a preferred embodiment disclosed herein, the glass substrate is a glass substrate for a flat panel display (for example, a liquid crystal panel).
また、本発明は、上記基板処理方法を好ましく実現し得る基板保持ケースを提供する。即ち、この基板保持ケースは、ガラス基板をチャンバ内に搬送するために用いられる凹状の基板保持ケースであって、上方が開口され、ガラス基板が裁置されるケース底面と、上記ケース底面に裁置されたガラス基板に対して、該ガラス基板の周りを取り囲むように上記ケース底面から立ち上がったケース壁面とを備え、上記ケース底面には、該ケース底面に裁置されたガラス基板を持ち上げるための基板持上部が形成されている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記基板持上部として、リフトピンが移動自在に挿入される貫通孔を有する。
ここに開示される好ましい一態様では、上記リフトピンは、上記貫通孔に挿入された状態で上記ケース底面に埋め込まれている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記リフトピンは、軸部と、該軸部よりも外形が大きい頭部とから構成され、上記貫通孔には、上記頭部と係合する段差が設けられている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ケース壁面の上面と、上記ガラス基板の上面とは同一平面上に位置している。
The present invention also provides a substrate holding case capable of preferably realizing the substrate processing method. That is, the substrate holding case is a concave substrate holding case used for transporting the glass substrate into the chamber. The substrate holding case is opened on the upper side, and the case bottom surface on which the glass substrate is placed and the case bottom surface are cut. A case wall surface that rises from the bottom surface of the case so as to surround the glass substrate, and the case bottom surface is for lifting the glass substrate placed on the bottom surface of the case. A substrate holding portion is formed.
In a preferred aspect disclosed herein, the substrate holding portion has a through hole into which a lift pin is movably inserted.
In a preferable aspect disclosed herein, the lift pin is embedded in the bottom surface of the case in a state of being inserted into the through hole.
In a preferred aspect disclosed herein, the lift pin includes a shaft portion and a head portion having an outer shape larger than the shaft portion, and the through hole is provided with a step that engages with the head portion. ing.
In a preferred embodiment disclosed herein, the upper surface of the case wall surface and the upper surface of the glass substrate are located on the same plane.
また、本発明は、上記基板処理方法を好ましく実現し得る基板処理装置を提供する。即ち、この基板処理装置は、チャンバ内に配置されたガラス基板にプラズマを用いて表面処理を施すものであり、チャンバと、上記チャンバ内に配置された下部電極と、上記下部電極に対向する上部電極と、上記下部電極の上面に取り付けられ、内部にガラス基板が収容される凹状の基板保持ケースとを備える。
ここに開示される好ましい一態様では、上記基板保持ケースは、上記下部電極から脱着可能に取り付けられている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記下部電極の上面には、上記基板保持ケースが収容される凹部が形成されている。
ここに開示される好ましい一態様では、上記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ(例えば液晶パネル)用のガラス基板である。
Moreover, this invention provides the substrate processing apparatus which can implement | achieve the said substrate processing method preferably. That is, this substrate processing apparatus performs a surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber using plasma, and includes a chamber, a lower electrode disposed in the chamber, and an upper portion facing the lower electrode. An electrode and a concave substrate holding case attached to the upper surface of the lower electrode and accommodating a glass substrate therein are provided.
In a preferred embodiment disclosed herein, the substrate holding case is detachably attached to the lower electrode.
In a preferred embodiment disclosed herein, a recess for accommodating the substrate holding case is formed on the upper surface of the lower electrode.
In a preferred embodiment disclosed herein, the glass substrate is a glass substrate for a flat panel display (for example, a liquid crystal panel).
本発明に係る基板処理方法によれば、上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態でガラス基板に表面処理を施すので、ガラス基板の搬送中に、あるいは表面処理中に、ガラス基板が割れたとしても、その破片がチャンバ内に飛散せず、基板保持ケースの内部に閉じ込められる。そのため、基板保持ケースを取り出すだけでガラス破片を回収でき、チャンバのメンテナンス(ガラス破片の回収・清掃等)を行わなくてもよい。したがって、基板処理装置を効率よく稼働させることができ、チャンバのメンテナンス時に装置を停止することによってもたらされるスループットの低下を抑えることができる。 According to the substrate processing method of the present invention, the glass substrate is transported into the chamber in a state in which the glass substrate is accommodated in the concave substrate holding case having an upper opening, and the surface of the glass substrate is accommodated in the substrate retaining case. Since the treatment is performed, even if the glass substrate is broken during the conveyance of the glass substrate or during the surface treatment, the fragments are not scattered in the chamber but are confined in the substrate holding case. Therefore, it is possible to collect glass fragments simply by taking out the substrate holding case, and it is not necessary to perform chamber maintenance (such as glass fragment collection / cleaning). Therefore, the substrate processing apparatus can be operated efficiently, and a decrease in throughput caused by stopping the apparatus during the maintenance of the chamber can be suppressed.
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のために、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、各図における寸法関係(長さ、幅、厚さ等)は実際の寸法関係を反映するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, components having substantially the same function are denoted by the same reference numerals for the sake of brevity. Note that the dimensional relationship (length, width, thickness, etc.) in each drawing does not reflect the actual dimensional relationship.
図1および図2に、本実施形態に係る基板保持ケース20の一例を示す。図1は、基板保持ケース20の構成を模式的に示す斜視図であり、図2は、基板保持ケース20の側面構成を示す断面模式図である。
1 and 2 show an example of the
本実施形態に係る基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す方法である。この基板処理方法では、図1に示すように、上方が開口された凹状の基板保持ケース20にガラス基板10を収容する。そして、図2に示すように、ガラス基板10を基板保持ケース20ごとチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケース20に収容した状態でガラス基板10に表面処理94を施す。ガラス基板10に施す表面処理94としては特に限定されず、薄膜形成(成膜)処理やドライエッチング処理等の典型的な表面処理技術を適宜採用し得る。この実施形態では、ガラス基板10にプラズマを用いた成膜処理(プラズマCVD)を実行する。
The substrate processing method according to the present embodiment is a method of performing a surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber. In this substrate processing method, as shown in FIG. 1, the
さらに、本実施形態に係る基板保持ケース20について説明する。この基板保持ケース20は、図1に示すように、ガラス基板10が裁置されるケース底面26と、該ケース底面26から立ち上がった壁面22とを備える。ケース底面26の上方には、開口部24が設けられ、該開口部24を介してガラス基板10がケース底面26に裁置される。この開口部24からは、ガラス基板10の上面(ガラス基板の被処理面)12を露出させることができる。
Furthermore, the
ケース壁面22は、ケース底面26から略垂直に立ち上がった面であり、ケース底面26に裁置されたガラス基板10に対して、該ガラス基板10の周りを取り囲むように配置されている。本実施形態のケース壁面22は、上面から見て、ロの字型の形状を有しており、その中央部分にガラス基板10が配置される。このようにガラス基板10の周りをケース壁面22で取り囲むことによって、ガラス基板10が割れたとしても、その破片が周辺に飛散せず、基板保持ケース20の内部に閉じ込められる。なお、基板保持ケース20を構成する材料としては、割れ欠けし難く、比較的耐熱性を有するものが好ましく、そのような材料としては、例えばアルミニウム等の比較的軽量な金属、テフロン等の比較的高い温度での耐熱性を有する樹脂材料などが例示される。
The
さらに、本実施形態の基板保持ケース20のその他の特徴について説明する。本実施形態の構成では、図2に示すように、基板保持ケース20にガラス基板10を収容した状態において、ケース壁面22の上面22aと、ガラス基板10の上面12とが同一平面上(または実質的に同一平面)に位置している。換言すると、ケース壁面22の高さ(ケース底面26からの高さ)とガラス基板10の厚み(板厚)とが略同じサイズとなっている。
Further, other features of the
ここで、ケース壁面22をガラス基板10の上面12よりも高くすると、ガラス基板10の上面12の周縁(エッジ)部分がケース壁面22によって隠れるため、ガラス基板10に均一な表面処理を行うことができない場合が起こり得る。したがって、均一な表面処理を行う観点からは、ケース壁面22がガラス基板10の上面12を超えないように形成されていることが好ましい。その一方で、ケース壁面22をガラス基板10の上面12よりも低くしすぎると、ガラス破片がケース壁面22を飛び超え、周辺に飛散する可能性が生じ得る。したがって、ガラス破片の飛散防止の観点からは、ケース壁面22がガラス基板10の上面12よりも低くなりすぎないように形成されていることが好ましい。例えば、図3に示すように、ケース壁面22とガラス基板10の上面12との高低差hが、ガラス基板10の厚みの1/2以下となるように形成されていることが好ましい。ここに開示される技術によれば、通常は、ケース壁面22の上面22aと、ガラス基板10の上面12とが実質的に同一平面上に位置していることが適当である。これにより、ガラス破片の飛散を防ぎつつ、ガラス基板10に均一な表面処理を施すことができる。
Here, when the
また、本実施形態の構成では、ケース底面26には、該ケース底面26に裁置されたガラス基板10を持ち上げるための基板持上部30が形成されている。この基板持上部30は、基板保持ケース20にガラス基板10を収容するときに使用される。また、基板持上部30は、基板保持ケース20からガラス基板10を取り出すときに使用される。この実施形態では、基板持上部30として、リフトピンが挿入される貫通孔32を有する。この貫通孔32は、図4(a)に示すように、リフトピン34の外径よりも少しだけ大きな内径を有し、リフトピン34が下方から移動(スライド)自在に挿入されるように形成されている。本実施形態の貫通孔32は、図1に示すように、ケース底面26の複数箇所(この例ではケース底面26の中央部および周辺角部の5箇所)に設けられ、それぞれの貫通孔32にリフトピン34が下方から挿入されるようになっている。なお、リフトピン34を構成する材料としては、静電気破壊による欠陥の発生を防ぐために少なくとも表面が絶縁性を示す材料を用いることが好ましい。たとえば、セラミック等の絶縁材料や、あるいはAl(アルミニウム),SUS(ステンレス)等の金属基材の表面を絶縁材料で被覆したものを用いることができる。
In the configuration of the present embodiment, the case
図4(a)〜(c)は、本実施形態のリフトピン34を用いてガラス基板10を基板保持ケース20から取り出す工程を説明するための断面図である。
4A to 4C are cross-sectional views for explaining a process of taking out the
ガラス基板10を基板保持ケース20から取り出す場合には、まず、図4(a)に示すように、リフトピン34をケース底面26の貫通孔32に下方から挿入し、図4(b)に示すように、リフトピンの先端36をガラス基板10の下面14に当接する。そして、図4(c)に示すように、リフトピン34の先端36でガラス基板10を下方から支持しながら、リフトピン34をケース底面26から突出させて上昇させ、ガラス基板10を所定位置まで持ち上げる。そして、所定位置まで持ち上げたガラス基板10を適当な搬送手段(図示せず)に受け渡すことにより、ガラス基板10が基板保持ケース20から取り出される。なお、ガラス基板10を基板保持ケース20に収容する場合は、上述した説明と逆の手順で行うとよい。
When taking out the
続いて、本実施形態に係る基板処理装置100について説明する。図5は、基板処理装置100の構成を模式的に示す図である。この基板処理装置100は、チャンバ90内に配置されたガラス基板10にプラズマを用いて表面処理(ここでは成膜処理)を施す装置である。本実施形態の基板処理装置100は、チャンバ90と、チャンバ90内に配置された下部電極60と、下部電極60に対向する上部電極70と、下部電極60の上面62に取り付けられた凹状の基板保持ケース20とから構成されている。
Subsequently, the
基板保持ケース20は、下部電極60から脱着可能に取り付けられている。即ち、基板保持ケース20は、内部にガラス基板10を収容した状態でチャンバ90内に搬送され、下部電極60の所定位置に設置されるようになっている。また、基板保持ケース20は、表面処理の完了後、下部電極60の所定位置から取り外され、内部にガラス基板10を収容した状態でチャンバ90の外部に搬送されるようになっている。なお、この実施形態では、下部電極60の上面62に凹部64が設けられ、該凹部64に基板保持ケース20が収容される。凹部64の底面68には、基板保持ケース20を持ち上げるためのリフトピン84が取り付けられている。なお、本実施形態のガラス基板10は、液晶パネル用のガラス基板(例えば、アレイ基板)である。
The
図5に示した基板処理装置100は、平行平板型プラズマ成膜装置であり、チャンバ90内には、上部電極70と下部電極60とが対向して配置されている。この例では、上部電極70は高周波電源に接続されており、一方、下部電極60はグランドに接続されている。また、チャンバ90内には、原料ガスの導入口92が配置されている。チャンバ内に導入される原料ガスは、ガラス基板10の上に形成される薄膜の種類に応じて適宜好適なものが選択される。原料ガスは、水素ガスや窒素ガス等のキャリヤガスを含んでもよい。
A
基板処理装置(成膜装置)100の動作時には、下部電極60と上部電極70との間に導入口92から原料ガスが導入され、また、下部電極60と上部電極70との間には、高周波電圧が印可されてプラズマが形成される。なお、チャンバ90内は、上記原料ガスが導入される一方で、図示しない排気装置によって排気されているので、常時一定の圧力に保持されている。
During the operation of the substrate processing apparatus (film forming apparatus) 100, a source gas is introduced from the
上記基板処理装置(成膜装置)100を用いてガラス基板10に表面処理を施す場合には、まず、チャンバ90の外側で基板保持ケース20にガラス基板10を収容する。即ち、図6(a)に示すように、適当な搬送手段(図示せず)を用いてガラス基板10を基板保持ケース20の上方まで搬送する。次いで、図6(b)に示すように、リフトピン34をケース底面26の貫通孔32に下方から挿入し、該リフトピンの先端36をガラス基板10の下面14に当接する。そして、リフトピン34の先端36でガラス基板10を下方から支持しながらリフトピン34を下降させ、図6(c)に示すように、リフトピン34をケース底面26に没入させる。これにより、ガラス基板10だけがケース底面26に裁置され、ガラス基板10が基板保持ケース20に収容される。
When surface treatment is performed on the
このようにしてガラス基板10を基板保持ケース20に収容したら、次に、ガラス基板10を基板保持ケース20ごとチャンバ90内に搬送し、基板保持ケース20を下部電極60に設置する。具体的には、図7(a)に示すように、適当な搬送手段(図示せず)を用いて基板保持ケース20を下部電極60の上方まで搬送する。次いで、図7(b)に示すように、凹部64の底面のリフトピン84を上昇させ、該リフトピン84の先端を基板保持ケース20の下面に当接する。そして、リフトピン84の先端で基板保持ケース20を下方から支持しながらリフトピン84を下降させ、図7(c)に示すように、リフトピン84を凹部64の底面に没入させる。これにより、基板保持ケース20だけが凹部64の底面に裁置され、基板保持ケース20が下部電極60に取り付けられる。
After the
このようにして基板保持ケース20を下部電極60に取り付けたら、基板処理装置(成膜装置)100を動作させ、ガラス基板10に成膜処理を実行する。かかる成膜処理は、ガラス基板10を基板保持ケース20に収容した状態で行われる。成膜処理が完了したら、基板保持ケース20を下部電極60から取り外し、ガラス基板10を基板保持ケース20ごとチャンバ90の外部へと搬送する。なお、基板保持ケース20を下部電極60から取り外す工程は、上述した説明と逆の手順で行うとよい。このようにして、ガラス基板に成膜処理を施すことができる。
When the
本実施形態の構成によれば、上方が開口された凹状の基板保持ケース20にガラス基板10を収容した状態でチャンバ90内に搬送し、かつ、該基板保持ケース20に収容した状態でガラス基板10に表面処理を施すので、図7(a)〜(c)に示すようなガラス基板10の搬送中に、あるいは表面処理中に、ガラス基板10が割れたとしても、その破片がチャンバ90内に飛散せず、基板保持ケース10の内部に閉じ込められる。そのため、基板保持ケース20を取り出すだけでガラス破片を回収でき、チャンバ90のメンテナンス(ガラス破片の回収・清掃等)を行わなくてもよい。したがって、基板処理装置100を効率よく稼働させることができ、チャンバ90のメンテナンス時に基板処理装置100を停止することによってもたらされる表面処理工程のスループットの低下を抑えることができる。
According to the configuration of the present embodiment, the
また、本実施形態の構成では、基板保持ケース20は、図1及び図2に示すように、ガラス基板10が裁置されるケース底面26と、ケース底面26に裁置されたガラス基板10に対して、該ガラス基板10の周りを取り囲むようにケース底面26から立ち上がったケース壁面22とを備えている。そして、ケース壁面22の上面22aとガラス基板10の上面12とが同一平面上に位置している。この場合、ケース壁面22によってガラス破片の飛散を防ぎつつ、ガラス基板10の上面12に均一な表面処理を施すことができる。
Further, in the configuration of the present embodiment, the
さらに、本実施形態の構成では、図4(a)〜(c)に示すように、ケース底面26には、該ケース底面26に裁置されたガラス基板10を持ち上げるための基板持上部30(リフトピン34が移動自在に挿入される貫通孔32)が形成されている。基板持上部30を用いることによって、ガラス基板10を基板保持ケース20に収容する作業およびガラス基板10を基板保持ケース20から取り外す作業を安定して行うことができる。したがって、かかる作業時の不良の発生を防止し、歩留まりの低下を抑えることが可能となる。
Further, in the configuration of the present embodiment, as shown in FIGS. 4A to 4C, a substrate holding portion 30 (for lifting the
さらに、本実施形態の構成では、図1に示すように、ケース底面26には、リフトピン34が挿入される貫通孔32が複数箇所(ケース底面26の中央部および周辺角部の5箇所)に設けられ、それぞれの貫通孔32に挿入されたリフトピン34がガラス基板10の中央部および周辺角部の5箇所を支持するように配置されている。この場合、リフトピン34でガラス基板10を持ち上げたときに、ガラス基板10が大きく撓むのを抑制することができ、かかる作業時の不良の発生をより効果的に防止することができる。
Furthermore, in the configuration of the present embodiment, as shown in FIG. 1, the case
なお、ここに開示される技術の好ましい適用対象として、大型で、かつ薄板なガラス基板が挙げられる。例えば、40インチ以上で、1.0mm以下の板厚を有するガラス基板が好ましく例示される。このような大型で、かつ薄板なガラス基板は、非常に破損しやすく、搬送中に僅かな撓みが生じただけでも破損する可能性があるため、本発明の構成を採用することによる技術的価値が高い。特に限定するものではないが、本実施形態のガラス基板10のサイズを例示すると、縦730mm×横920mm×厚さ0.7mm程度である。
In addition, a large and thin glass substrate is mentioned as a preferable application target of the technique disclosed here. For example, a glass substrate having a thickness of 40 inches or more and 1.0 mm or less is preferably exemplified. Such a large and thin glass substrate is very easy to break, and even if a slight deflection occurs during transportation, it may break, so the technical value by adopting the configuration of the present invention Is expensive. Although it does not specifically limit, when the size of the
以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。 As mentioned above, although this invention was demonstrated by suitable embodiment, such description is not a limitation matter and of course various modifications are possible.
例えば、本実施形態のガラス基板10は、液晶パネル用のガラス基板であるが、ガラス基板10は、薄膜トランジスタ(TFT)が作製されるアレイ基板であってもよいし、カラーフィルタ(CF)が形成されるCF基板であってもよい。加えて、液晶パネル用のガラス基板10に限らず、PDP、有機ELパネル、その他フラットパネルディスプレイまたは電子デバイスを製作する上での薄型のガラス基板であってもよい。
For example, the
また、本実施形態では、ガラス基板10にプラズマを用いた成膜処理を行っているが、これに限定されず、例えば、スパッタを用いた成膜処理であってもよいし、蒸着法による成膜処理であってもよい。さらに、上述した成膜処理に限らず、例えば、エッチング処理(プラズマを用いたドライエッチング等)などの表面処理であっても構わない。本発明の方法は、チャンバ内でガラス基板に施される種々の表面処理技術に対して広く適用することができる。
In the present embodiment, the film forming process using plasma is performed on the
さらに、基板保持ケース20の構成は上述したものに限らず、他の形態に変更することも可能である。図8(a)及び(b)を参照しながら、本実施形態の基板保持ケース20の改変例を説明する。図8(a)及びおよび図8(b)は、ケース底面126に形成された貫通孔132と、該貫通孔132に挿入されたリフトピン134の断面構成を示している。
Furthermore, the configuration of the
図8(a)に示した例では、リフトピン134は、貫通孔132に挿入された状態でケース底面126に埋め込まれている。そして、図8(b)に示すように、貫通孔132の下方から別のリフトピン135を挿入し、ケース底面126に埋め込まれたリフトピン134を上方に押し上げることによって、リフトピン134がケース底面126から突出するようになっている。この構成を用いれば、貫通孔132がリフトピン134、135によって常に塞がれるため、ガラス基板が割れたときに、その破片が貫通孔132を通じてケース外部に流出することを防止することができる。
In the example shown in FIG. 8A, the
また、図8(a)に示した例では、リフトピン134は、軸部134bと、該軸部134bよりも外形が大きい頭部134aとから構成されている。そして、貫通孔132には、リフトピン134の頭部134aと係合する段差132aが設けられている。この構成を用いれば、ガラス基板が割れたときに、その破片が貫通孔132とリフトピン134の頭部134aとの僅かな隙間に入り込んだとしても、貫通孔132の段差132aによってガラス破片の更なる侵入が阻止される。したがって、ガラス破片のケース外部への流出をより効果的に防ぐことができる。
In the example shown in FIG. 8A, the
本発明によれば、チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing method capable of quickly collecting glass fragments when a glass substrate is broken in a chamber.
10 ガラス基板
12 上面
14 下面
20 基板保持ケース
22 ケース壁面
22a 上面
24 開口部
26 ケース底面
30 基板持上部
32 貫通孔
34 リフトピン
36 先端
60 下部電極
62 上面
64 凹部
68 底面
70 上部電極
84 リフトピン
90 チャンバ
92 原料ガス導入口
100 基板処理装置
DESCRIPTION OF
Claims (12)
上方が開口された凹状の基板保持ケースにガラス基板を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケースに収容した状態で前記ガラス基板に表面処理を施すことを特徴とする、基板処理方法。 A substrate processing method for performing a surface treatment on a glass substrate disposed in a chamber,
The substrate is transported into a chamber in a state in which the glass substrate is accommodated in a concave substrate holding case having an upper opening, and the glass substrate is subjected to a surface treatment in a state of being accommodated in the substrate holding case. Processing method.
上方が開口され、ガラス基板が裁置されるケース底面と、
前記ケース底面に裁置されたガラス基板に対して、該ガラス基板の周りを取り囲むように前記ケース底面から立ち上がったケース壁面と
を備え、
前記ケース底面には、該ケース底面に裁置されたガラス基板を持ち上げるための基板持上部が形成されている、基板保持ケース。 A concave substrate holding case used for transporting a glass substrate into a chamber,
The bottom of the case where the top is opened and the glass substrate is placed,
With respect to the glass substrate placed on the bottom surface of the case, a case wall surface rising from the bottom surface of the case so as to surround the glass substrate,
A substrate holding case in which a substrate holding portion for lifting a glass substrate placed on the bottom surface of the case is formed on the bottom surface of the case.
前記貫通孔には、前記頭部と係合する段差が設けられている、請求項6に記載の基板保持ケース。 The lift pin is composed of a shaft portion and a head having a larger outer shape than the shaft portion,
The substrate holding case according to claim 6, wherein the through hole is provided with a step that engages with the head.
チャンバと、
前記チャンバ内に配置された下部電極と、
前記下部電極に対向する上部電極と、
前記下部電極の上面に取り付けられ、内部にガラス基板が収容される凹状の基板保持ケースと
を備えた、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing surface treatment using a plasma on a glass substrate disposed in a chamber,
A chamber;
A lower electrode disposed in the chamber;
An upper electrode facing the lower electrode;
A substrate processing apparatus comprising: a concave substrate holding case attached to the upper surface of the lower electrode and accommodating a glass substrate therein.
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- 2010-01-15 JP JP2010007371A patent/JP2011146599A/en not_active Withdrawn
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