JP2011142270A - 撮像デバイス及び撮像モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】光電変換素子の駆動用の配線レイアウトの制約が小さく、不要輻射によるEMIを低減した撮像デバイス及びこれを用いた撮像モジュールを提供する。
【解決手段】被写体からの光を電気信号に変換する光電変換素子が形成され、該光電変換素子の画素部11が一方の面に設けられた撮像デバイスチップ10と、透明材料で形成され画素部11を保護するために撮像デバイスチップ10の一方の面に貼り付けられたサポート材20と、を有する撮像デバイスであって、サポート材20の撮像デバイスチップ10との接合面に、画素部11を囲うように設けられたシールド電極22と、光電変換素子の駆動用の配線パターン13とは独立して撮像デバイスチップ10に形成され、サポート材20が撮像デバイスチップ10に貼り付けられることによりシールド電極22と当接したGNDパッド16と、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】被写体からの光を電気信号に変換する光電変換素子が形成され、該光電変換素子の画素部11が一方の面に設けられた撮像デバイスチップ10と、透明材料で形成され画素部11を保護するために撮像デバイスチップ10の一方の面に貼り付けられたサポート材20と、を有する撮像デバイスであって、サポート材20の撮像デバイスチップ10との接合面に、画素部11を囲うように設けられたシールド電極22と、光電変換素子の駆動用の配線パターン13とは独立して撮像デバイスチップ10に形成され、サポート材20が撮像デバイスチップ10に貼り付けられることによりシールド電極22と当接したGNDパッド16と、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、不要輻射による電磁波障害を低減した撮像デバイス及びこれを用いた撮像モジュールに関する。
従来、撮像モジュールは、撮像デバイスチップの表面(受光面)に形成される光電変換素子(CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ等)の上部に、画素上に結像するように距離を調整してレンズを配置する構造が基本である。
電子装置や半導体電子デバイスからの妨害電磁波によって周辺機器に誤動作が引き起こされる不要輻射による電磁波障害(EMI:Electro-Magnetic Interference)に関しては、撮像モジュールも例外ではなく、各種の対策が施されている。
具体的には、シリコンウェハを貫通するSi貫通ビア(TSV:Through Silicon Via)技術を適用し、撮像デバイスチップの周囲にボンディングワイヤを引き出す必要が無い撮像モジュールの場合には、撮像デバイスチップの周囲を金属材料等で覆い、電子機器等への搭載又は実装時に金属材料等を電子機器全体のGND(グラウンド)と接続することにより、撮像モジュール側面方向からの漏洩電磁波をシールドしている。
しかし、このような対策法に限らず、撮像デバイスの上方にレンズを配置するという撮像モジュールの構造上、光路を確保する点からデバイス上面方向のシールドは困難である。また、撮像デバイスチップの周囲を金属材料等で覆うため、撮像モジュール全体の外形寸法を小さくすることが困難である。
特許文献1には、半導体基板上に受光領域を取り囲むように導電材料で形成され、半導体基板と電気的に接続されたシールド層を備えた固体撮像装置が開示されている。
しかしながら、特許文献1に開示される従来技術は、半導体基板側にシールド層を設けているため、CCDを駆動するための配線を半導体基板の表面に設ける上での妨げとなり、配線レイアウト上の制約が生じるという問題がある。
本発明は、光電変換素子の駆動用の配線レイアウトの制約が小さく、不要輻射によるEMIを低減した撮像デバイス及びこれを用いた撮像モジュールを提供することを目的とする。
本願発明の一態様によれば、被写体からの光を電気信号に変換する光電変換素子が形成され、該光電変換素子の画素部が一方の面に設けられた撮像デバイスチップと、透明材料で形成され画素部を保護するために撮像デバイスチップの一方の面に貼り付けられたカバー部材と、を有する撮像デバイスであって、カバー部材の撮像デバイスチップとの接合面に、画素部を囲うか又は覆うように設けられたシールド電極と、光電変換素子の駆動用の配線とは独立して撮像デバイスチップに形成され、カバー部材が撮像デバイスチップに貼り付けられることによりシールド電極と当接した接地配線と、を有することを特徴とする撮像デバイスが提供される。
本発明によれば、光電変換素子の駆動用の配線のレイアウトの制約が小さく、不要輻射によるEMIを低減できるという効果を奏する。
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる撮像モジュールを詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。撮像デバイスは、撮像デバイスチップ10とサポート材20とを有する。なお、構成の理解を容易とするために、図1においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。撮像デバイスは、撮像デバイスチップ10とサポート材20とを有する。なお、構成の理解を容易とするために、図1においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
撮像デバイスチップ10は、シリコン基板を基にして形成されており、受光した光を電気信号に変換する画素部11を備えた光電変換素子を有している。画素部11は撮像デバイスチップ10の上面(受光面)に設けられており、マトリクス状に配列した画素を備えている。光電変換素子の駆動用の配線パターン13は、撮像デバイスチップ10の上面を引き回され、撮像デバイスチップ10を貫通して形成されたTSV14を介して、撮像デバイスチップ10の裏面に設けられたバンプ17(図1では不図示)と接続されている。また、撮像デバイスチップ10の上面には、撮像デバイスチップ10の下面(裏面)に設けられた接地用のバンプ15とTSV14aを介して接続されたGNDパッド16も設けられている。すなわち、TSV14aは、撮像デバイスチップ10の上面に設けられたGNDパッド16を下面に設けられた接地用のバンプ15と接続する、電磁シールド専用のビアである。
サポート材20は、撮像デバイスチップ10に形成された光電変換素子を保護するためのカバー部材であり、透明なガラスを材料としたガラス板21を有しており、撮像デバイスチップ10の受光面側に配置される。サポート材20は、撮像デバイスチップ10と対向する面(接合面)にシールド電極22を備えている。シールド電極22は、ITO(Indium Tin Oxide)やZnOなどの透明導体によって細長い帯状に形成されており、画素部11を囲繞可能な大きさ・形状(矩形・円形など)で略環状に配置されている。シールド電極22の両端には、バンプ23が設けられている。なお、シールド電極22の材料として用いる透明導体は、ガラス板21とほぼ同じ屈折率を備えている。
図2は、第1の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの断面図である。撮像デバイスチップ10とサポート材20とは微小な隙間が空くようにして接着剤50によって貼り合わされており、シールド電極22の両端部に設けられたバンプ23は、撮像デバイスチップ10のGNDパッド16に当接している。これにより、シールド電極22は撮像デバイスチップ10のGNDと同電位となっている。なお、撮像デバイスチップ10とサポート材20との間には微小な隙間が形成されており、シールド電極22はバンプ23以外の部分では撮像デバイスチップ10とは接触しないため、撮像デバイスチップ10にサポート材20を貼り付けても、撮像デバイスチップ10の表面に形成された配線パターン13が短絡することはない。
シールド電極22は透明導体を用いて形成されているため、サポート材20を撮像デバイスチップ10に貼り合せた際に画素部11と近接しても、画素部11に対して斜めに入射する光を遮ることが無く、画素部11が生成する電気信号に影響を及ぼさない(画質の劣化を招くことがない)。
図3は、第1の実施の形態にかかる撮像モジュールの断面図である。図2に示した撮像デバイスは、近赤外光を遮光して画素部11へ入射しないようにするIR(Infrared)カットフィルタ30とレンズ41を備えたレンズホルダ40とがサポート材20の上に設置されることによってモジュール化される。なお、レンズ41の表面に赤外光の遮光性を有する薄膜を蒸着することによって、画素部11に近赤外光が入射しないようにすることも可能である。
撮像モジュールが電子機器に搭載又は実装される際には、撮像デバイスチップ10の下面のバンプ15、17が、電子機器の回路基板のパッドに接合されることによって物理的な固定及び電気的な接続がなされる。撮像デバイスチップ10の下面に設けられたバンプ15、17のうち、GNDパッド16と電気的に導通しているバンプ15が電子機器のGNDパッドに接続されることによって、シールド電極22は電子機器全体のGNDと同電位となる。
撮像デバイスの駆動時に光電変換素子から発せられる不要電磁波は、接地されたシールド電極22によってシールドされ、漏洩が防止される。シールド電極22は撮像デバイスチップ10と近接して配置されているため、撮像デバイスの上面方向のみならず、側面方向への電磁波の漏洩が防止される。
このように、本実施の形態にかかる撮像モジュールは、撮像デバイスの上面方向及び側面方向への電磁波の漏洩を防止できる。しかも、シールド電極22は、サポート材20のガラス板21の上に形成されているため、撮像モジュールの外形寸法が大きくなることはない。また、シールド電極22がサポート材20のガラス板21上に設けられているため、撮像デバイスチップ10の上面に配線をレイアウトする上での妨げとはならない。すなわち、電磁シールド用に画素部11を囲う配線パターンを撮像デバイスチップ10の上面に設けるとなると、光電変換素子の駆動用の配線パターン13のレイアウトが制約されてしまうが、本実施の形態の撮像モジュールではシールド電極22がサポート材20のガラス板21上に設けられているため、撮像デバイスチップ10上面の配線レイアウトに制約を及ぼさない。
(第2の実施の形態)
図4は、本発明の第2の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。なお、構成の理解を容易とするために、図4においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
図4は、本発明の第2の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。なお、構成の理解を容易とするために、図4においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
本実施の形態においては、サポート材20に設置されるシールド電極24は不透明な導体で形成されており、画素部11の外形と比して大きな環状に配置されている。これにより、図5に示すように、撮像デバイスチップ10とサポート材20とを貼り合わせた際の画素部11の周縁とシールド電極24との間隔は、第1の実施の形態の撮像モジュールの場合(画素部11の周縁とシールド電極22との間隔)よりも広くなるようになっている。ここで、画素部11とシールド電極24との間隔は、画素部11に対して斜めに入射する光がシールド電極24によって遮られることが無い間隔に調整されている。これにより、画素部11に対して斜めに入射する光がシールド電極24によって遮られて画質が劣化することを防止している。
シールド電極24の電気的な接続及び電磁シールドの効果については、第1の実施の形態での透明なシールド電極22と同様であるため、重複する説明は割愛する。
本実施の形態に係る撮像モジュールは、安価な不透明導体をシールド電極として適用できるため、透明導体をシールド電極に適用する第1の実施の形態の撮像モジュールと比較して製造コストを低減できる。
(第3の実施の形態)
図6は、本発明の第3の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。なお、構成の理解を容易とするために、図6においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
図6は、本発明の第3の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。なお、構成の理解を容易とするために、図6においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
本実施の形態においては、サポート材20に設置されたシールド電極25は第1の実施の形態と同様に透明導体を用いて形成されている。ただし、本実施の形態においては、シールド電極25は、サポート材20を撮像デバイスチップ10と貼り合せた際に、画素部11を囲うのではなく、画素部11を覆うように略矩形状に形成されている。
シールド電極25は、サポート材20と貼り合わせた際に画素部11を挟んで対向する2箇所(矩形部分の対角近傍)にバンプ23が形成されている。また、撮像デバイスチップ10のGNDパッド16も画素部11の対角近傍に形成されている。GNDパッド16が撮像デバイスチップ10を貫通して設けられたTSV14を介して、撮像デバイスチップ10の下面に設けられた接地用のバンプ15と接続される点については第1の実施の形態と同様である。
本実施の形態にかかる撮像モジュールは、シールド電極25が画素部11を覆うため、デバイス上面方向への電磁波の漏洩をより確実に防止できる。ただし、透明であるにしてもシールド電極25を介して画素部11に光が入射することは、撮像によって生成される画像の画質が劣化する原因となりうる。このため、第1の実施の形態のように画素部11を囲うようにシールド電極22を設けるか、本実施の形態のように画素部11を覆うようにシールド電極25を設けるかを、画質とシールド効果のいずれを優先するかに応じて選択すれば良い。
(第4の実施の形態)
図7は、本発明の第4の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。なお、構成の理解を容易とするために、図7においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
図7は、本発明の第4の実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスの構成を示す分解斜視図である。なお、構成の理解を容易とするために、図7においてサポート材20は、撮像デバイスチップ10との接合面を上向きにして図示している。
サポート材20の構成は第1の実施の形態と同様であり、ガラス板21の上にシールド電極22が配置されており、シールド電極22の両端部にはバンプ23が形成されている。一方、撮像デバイスチップ10は、本実施形態ではサポート材20のガラス板21よりも大きくなっており、撮像デバイスチップ10の上面が露出した領域にワイヤボンディング用のパッド18が形成されている。撮像デバイスは、撮像デバイスチップ10の下面に接着剤などを塗布することによって回路基板などに対する物理的な固定がなされ、パッド18がボンディングワイヤによって回路基板のパッドにボンディングされることによって電気的な接続がなされる。
本実施の形態にかかる撮像モジュールに適用される撮像デバイスは、TSV技術が適用されておらず、撮像デバイスチップ10の画素部11を駆動するための配線パターン13やシールド電極22をGNDに接続する(GNDパッド16を接地する)ための配線19が撮像デバイスチップ10の表面に形成され、これらはパッド18に繋がっている。撮像デバイスチップ10の上面に設けられたパッド18のうち、GNDパッド16と電気的に導通しているものを電子機器のGNDパッドと接続することによって、シールド電極22は電子機器全体のGNDと同電位となる。
図7に示すようなTSV技術を適用していない撮像デバイスであっても、画素部11を囲うようにシールド電極22を設けることで、デバイス上方向への電磁波の漏洩を防止することが可能となる。TSV技術を適用していない撮像モジュールでは、撮像デバイスチップ10の表面に配線パターン13を密にレイアウトする必要があるため、撮像デバイスチップ10側にシールド電極を設けることは困難である。本実施の形態に係る撮像モジュールは、サポート材20側にシールド電極を配置しているため、画素部11を駆動するための配線13のレイアウトを妨げることがない。
なお、ここでは第1の実施の形態と同様のシールド電極を設けた構成を例としたが、第2、第3の実施の形態と同様のシールド電極を設けることも可能であることは言うまでもない。
なお、上記の実施の形態は実施の一例であり、本発明はこれらに限定されることなく様々な変形が可能である。
10 撮像デバイスチップ、11 画素部、13 配線パターン、14、14a TSV、15、17 バンプ、16 GNDパッド、18 パッド、20 サポート材、22、24、25 シールド電極、41 レンズ。
Claims (5)
- 被写体からの光を電気信号に変換する光電変換素子が形成され、該光電変換素子の画素部が一方の面に設けられた撮像デバイスチップと、透明材料で形成され前記画素部を保護するために前記撮像デバイスチップの前記一方の面に貼り付けられたカバー部材と、を有する撮像デバイスであって、
前記カバー部材の前記撮像デバイスチップとの接合面に、前記画素部を囲うか又は覆うように設けられたシールド電極と、
前記光電変換素子の駆動用の配線とは独立して前記撮像デバイスチップに形成され、前記カバー部材が前記撮像デバイスチップに貼り付けられることにより前記シールド電極と当接した接地配線と、
を有することを特徴とする撮像デバイス。 - 前記シールド電極が、透明導体を材料として形成されたことを特徴とする請求項1記載の撮像デバイス。
- 回路基板への実装用のバンプを前記撮像デバイスチップの他方の面に備え、
前記接地配線が、前記撮像デバイスチップを貫通するビアを介して、前記バンプに接続されたことを特徴とする請求項1又は2記載の撮像デバイス。 - 前記撮像デバイスチップは、前記カバー部材に覆われずに前記一方の面が露出した領域に形成されたワイヤボンディング用のパッドを有し、
前記接地配線が前記パッドに接続されたことを特徴とする請求項1又は2記載の撮像デバイス。 - 請求項1から4のいずれか1項記載の撮像デバイスを用いた撮像モジュールであって、
前記カバー部材の前記接合面と反対側の面に配置され、前記被写体からの光を前記画素部上に集光するレンズを有することを特徴とする撮像モジュール。
Priority Applications (1)
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JP2010003160A JP2011142270A (ja) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 撮像デバイス及び撮像モジュール |
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Cited By (2)
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CN108352389A (zh) * | 2015-11-12 | 2018-07-31 | 索尼公司 | 固态成像装置与固态成像设备 |
WO2022085326A1 (ja) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-01-08 JP JP2010003160A patent/JP2011142270A/ja active Pending
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WO2022085326A1 (ja) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法 |
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