JP2011134810A - Light-emitting element, electronic device, and electronic apparatus - Google Patents

Light-emitting element, electronic device, and electronic apparatus Download PDF

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JP2011134810A JP2009291438A JP2009291438A JP2011134810A JP 2011134810 A JP2011134810 A JP 2011134810A JP 2009291438 A JP2009291438 A JP 2009291438A JP 2009291438 A JP2009291438 A JP 2009291438A JP 2011134810 A JP2011134810 A JP 2011134810A
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Hidetoshi Yamamoto
英利 山本
Tetsuji Fujita
徹司 藤田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element which emits red light with high brightness, and ensures a longer life, and also to provide a reliable exposure head including the same, and an image forming apparatus. <P>SOLUTION: A light-emitting element 74 has: a negative electrode 748; a positive electrode 741, a light-emitting layer 744 which is provided between the negative electrode 748 and the positive electrode 741 and contains a red emission material which emits red light; a first electron transportation layer 746 which is provided between the light-emitting layer 744 and the negative electrode 748 and contains a first electron transportation material which is a nitrogen-contained compound; and a second electron transportation layer 745 which is provided between the light-emitting layer 744 and the first electron transportation layer 746 to contact them and contains a second electron transportation material having a glass transition temperature of 150°C or higher and being different from the first electron transportation material. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。   The present invention relates to a light emitting element, an electronic device, and an electronic apparatus.

有機エレクトロルミネセンス素子(いわゆる有機EL素子)は、陽極と陰極との間に少なくとも1層の発光層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。
このような有機EL素子を、画像形成装置が備える露光装置(露光ヘッド)が有する発光素子に適用することが提案されている。
An organic electroluminescence element (so-called organic EL element) is a light emitting element having a structure in which at least one light emitting layer is interposed between an anode and a cathode. In such a light emitting device, by applying an electric field between the cathode and the anode, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode side and holes are injected from the anode side, and electrons and holes are injected into the light emitting layer. Recombination generates excitons, and when the excitons return to the ground state, the energy is emitted as light.
It has been proposed to apply such an organic EL element to a light emitting element included in an exposure apparatus (exposure head) provided in the image forming apparatus.

より具体的には、電子写真方式を用いる複写機、プリンター等の画像形成装置は、回転する感光体の外表面を露光処理して静電潜像を形成する露光装置を備えている。そして、かかる露光装置として、複数の発光素子を感光体の回転軸線方向に配列した構造を有する露光ヘッドが知られており(例えば、特許文献1参照)、この露光ヘッドが有する発光素子に、有機EL素子を用いることが提案されている。   More specifically, an image forming apparatus such as a copying machine or a printer using an electrophotographic system includes an exposure device that forms an electrostatic latent image by exposing the outer surface of a rotating photoreceptor. As such an exposure apparatus, an exposure head having a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged in the rotation axis direction of a photoreceptor is known (see, for example, Patent Document 1). It has been proposed to use EL elements.

ところで、露光ヘッド用の発光素子としては、例えば発光のピークが600nmの波長の光を用いる場合には20000cd/m以上の発光強度が望ましく、寿命(輝度が10%減衰するまでの時間)は1000時間以上であることが要求されている。
従来、高効率および長寿命で赤色発光する有機EL素子としては、ナフタセン誘導体およびジインデノペリレン誘導体を用いて発光層を形成したものが知られている(例えば、特許文献2参照)。
By the way, as a light emitting element for an exposure head, for example, when light having a wavelength of light emission of 600 nm is used, a light emission intensity of 20000 cd / m 2 or more is desirable, and a lifetime (time until the luminance is attenuated by 10%) is It is required to be 1000 hours or more.
2. Description of the Related Art Conventionally, organic EL elements that emit red light with high efficiency and long life are known in which a luminescent layer is formed using a naphthacene derivative and a diindenoperylene derivative (see, for example, Patent Document 2).

しかし、特許文献2にかかる有機EL素子は、前述したような露光ヘッド用の発光素子に要求される寿命特性を得るには不十分であった。
また、有機EL素子の寿命特性の問題は、有機EL素子を露光ヘッドのような電子デバイスに適用した場合に限らず、表示装置のような電子デバイスに適用した場合にも同様に生じている。
However, the organic EL element according to Patent Document 2 is insufficient to obtain the life characteristics required for the light emitting element for the exposure head as described above.
In addition, the problem of the lifetime characteristics of the organic EL element is not limited to the case where the organic EL element is applied to an electronic device such as an exposure head, but similarly occurs when the organic EL element is applied to an electronic device such as a display device.

特開平2−4546号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2-4546 特許第4024009号公報Japanese Patent No. 4024009

本発明の目的は、高輝度で発光し得るとともに、長寿命化を図ることができる発光素子、この発光素子を備えた信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a light-emitting element that can emit light with high luminance and can have a long lifetime, and a highly reliable electronic device and electronic apparatus including the light-emitting element.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、電圧の印加により発光する発光層と、
前記発光層と前記陰極との間に設けられ、含窒素化合物である第1の電子輸送材料を含んで構成された第1の電子輸送層と、
前記発光層と前記第1の電子輸送層との間に設けられ、前記第1の電子輸送材料とは異なるガラス転移温度が150℃以上の第2の電子輸送材料を含んで構成された第2の電子輸送層とを有することを特徴とする。
これにより、発光素子は、高輝度で発光するとともに、長寿命化が図られたものとなる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The light emitting device of the present invention comprises a cathode,
The anode,
A light emitting layer provided between the cathode and the anode and emitting light by application of a voltage;
A first electron transport layer provided between the light emitting layer and the cathode and configured to include a first electron transport material which is a nitrogen-containing compound;
A second electron transporting material provided between the light emitting layer and the first electron transporting layer and including a second electron transporting material having a glass transition temperature of 150 ° C. or more different from that of the first electron transporting material; And an electron transport layer.
As a result, the light emitting element emits light with high luminance and has a long life.

本発明の発光素子では、前記第2の電子輸送材料は、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムであることが好ましい。
これにより、発光層と第2の電子輸送層との界面で電子が滞留することに起因して、この界面付近が加熱されたとしても、第2の電子輸送材料の変質・劣化を的確に抑制または防止することができる。
In the light emitting device of the present invention, the second electron transport material is preferably tris (8-quinolinolato) aluminum.
As a result, even when the vicinity of the interface is heated due to the retention of electrons at the interface between the light emitting layer and the second electron transport layer, the alteration and deterioration of the second electron transport material are accurately suppressed. Or it can be prevented.

本発明の発光素子では、前記第2の電子輸送層は、主として前記第2の電子輸送材料で構成され、その厚さが、2nm以上、7nm以下であることが好ましい。
これにより、第1の電子輸送層が有する電子輸送性を阻害することなく、発光素子の耐久性を確実に向上させることができる。
本発明の発光素子では、前記第2の電子輸送層は、前記第2の電子輸送材料とは異なる第3の電子輸送材料を含んでいることが好ましい。
これにより、第2の電子輸送層に第3の電子輸送材料が備える特性を付与することができる。
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the second electron transport layer is mainly composed of the second electron transport material and has a thickness of 2 nm or more and 7 nm or less.
Thereby, durability of a light emitting element can be improved reliably, without inhibiting the electron transport property which a 1st electron carrying layer has.
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the second electron transport layer includes a third electron transport material different from the second electron transport material.
Thereby, the characteristic with which a 3rd electron transport material is provided to a 2nd electron transport layer can be provided.

本発明の発光素子では、前記第2の電子輸送層は、主として前記第2の電子輸送材料および第3の電子輸送材料で構成され、その厚さが、2nm以上、10nm以下であることが好ましい。
これにより、第1の電子輸送層が有する電子輸送性を阻害することなく、発光素子の耐久性を確実に向上させることができるとともに、第2の電子輸送材料および第3の電子輸送材料の双方が有する特性を確実に発揮させることができる。
In the light emitting device of the present invention, the second electron transport layer is mainly composed of the second electron transport material and the third electron transport material, and the thickness thereof is preferably 2 nm or more and 10 nm or less. .
Thereby, the durability of the light-emitting element can be reliably improved without impairing the electron transport property of the first electron transport layer, and both the second electron transport material and the third electron transport material can be obtained. The characteristic which has can be exhibited reliably.

本発明の発光素子では、前記第3の電子輸送材料は、前記第1の電子輸送材料と、同種または同一であることが好ましい。
第3の電子輸送材料として、第1の電子輸送材料と、同種または同一の電子輸送材料を選択して、例えば、電子輸送性がよりも高いのを選択すれば、第2の電子輸送層における電子輸送性をより向上させることができる。
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the third electron transport material is the same or the same as the first electron transport material.
If the same electron transport material as the first electron transport material or the same electron transport material is selected as the third electron transport material, for example, a material having higher electron transport properties is selected, the second electron transport layer Electron transportability can be further improved.

本発明の発光素子では、前記発光層は、赤色に発光し、主として赤色に発光する赤色発光材料で構成され、
前記赤色発光材料は、ジインデノペリレン誘導体であることが好ましい。
これにより、発光層をより高輝度で赤色発光させることができ、このように、高輝度で発光する発光素子に、本発明が好適に適用される。
In the light emitting device of the present invention, the light emitting layer is composed of a red light emitting material that emits red light and emits mainly red light,
The red light emitting material is preferably a diindenoperylene derivative.
Thereby, the light emitting layer can emit red light with higher brightness, and thus the present invention is suitably applied to a light emitting element that emits light with higher brightness.

本発明の発光素子では、さらに前記発光層は、ナフタセン誘導体を含んで構成されていることが好ましい。
特に、赤色発光材料としてジインデノペリレン誘導体を用いる場合、このように発光層がナフタセン誘導体を含んで構成されていると、発光層をより高輝度かつ高効率で赤色発光させることができる。
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the light emitting layer further includes a naphthacene derivative.
In particular, when a diindenoperylene derivative is used as a red light emitting material, when the light emitting layer is configured to include a naphthacene derivative as described above, the light emitting layer can emit red light with higher luminance and higher efficiency.

本発明の発光素子では、前記第1の電子輸送層は、アザインドリジン誘導体またはフェナントロリン誘導体を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、第1の電子輸送層の電子輸送性を優れたものとすることができる。その結果、発光素子の高効率化を図ることができる。
本発明の電子デバイスは、発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、耐久性に優れ信頼性の高い電子デバイスを得ることができる。
本発明の電子機器は、電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
In the light emitting device of the present invention, it is preferable that the first electron transporting layer includes an azaindolizine derivative or a phenanthroline derivative.
Thereby, the electron transport property of the first electron transport layer can be made excellent. As a result, high efficiency of the light emitting element can be achieved.
The electronic device of the present invention includes a light emitting element.
Thereby, an electronic device having excellent durability and high reliability can be obtained.
The electronic apparatus of the present invention includes an electronic device.
Thereby, an electronic device with high reliability can be obtained.

本発明の実施形態にかかる画像形成装置の全体構成を示す概略図である。1 is a schematic diagram illustrating an overall configuration of an image forming apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1に示す画像形成装置に備えられた露光ヘッドの部分断面斜視図である。FIG. 2 is a partial sectional perspective view of an exposure head provided in the image forming apparatus shown in FIG. 1. 図2中のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line in FIG. 図2に示す露光ヘッドを平面視したときのレンズと発光素子との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of a lens and a light emitting element when the exposure head shown in FIG. 2 is planarly viewed. 図2に示す露光ヘッドに備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the longitudinal cross-section of the light emitting element with which the exposure head shown in FIG. 2 was equipped.

以下、本発明の発光素子、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
まず、本発明の発光素子を説明するのに先立って、本発明の電子機器について説明する。なお、以下では、本発明の電子機器を画像形成装置に適用した場合を一例に説明する。
(画像形成装置)
図1は、本発明の実施形態にかかる画像形成装置の全体構成を示す概略図、図2は、図1に示す画像形成装置に備えられた露光ヘッドの部分断面斜視図、図3は、図2中のA−A線断面図、図4は、図2に示す露光ヘッドを平面視したときのレンズと発光素子との位置関係を示す図、図5は、図2に示す露光ヘッドに備えられた発光素子の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1〜図3および図5中の上側を「上」、下側を「下」とも言う。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a light-emitting element, an electronic device, and an electronic apparatus according to the invention will be described with reference to the accompanying drawings.
First, prior to describing the light emitting element of the present invention, the electronic apparatus of the present invention will be described. Hereinafter, a case where the electronic apparatus of the present invention is applied to an image forming apparatus will be described as an example.
(Image forming device)
FIG. 1 is a schematic diagram showing the overall configuration of an image forming apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial sectional perspective view of an exposure head provided in the image forming apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2, FIG. 4 is a diagram showing a positional relationship between the lens and the light emitting element when the exposure head shown in FIG. 2 is viewed in plan, and FIG. 5 is provided in the exposure head shown in FIG. It is a figure which shows typically the longitudinal cross-section of the obtained light emitting element. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIGS. 1 to 3 and 5 is also referred to as “upper” and the lower side is also referred to as “lower”.

図1に示す画像形成装置1は、帯電工程・露光工程・現像工程・転写工程・定着工程を含む一連の画像形成プロセスによって画像を記録媒体Pに記録する電子写真方式のプリンターである。本実施形態では、画像形成装置1は、いわゆるタンデム方式を採用するカラープリンターである。
このような画像形成装置1は、図1に示すように、帯電工程・露光工程・現像工程のための画像形成ユニット10と、転写工程のための転写ユニット20と、定着工程のための定着ユニット30と、紙などの記録媒体Pを搬送するための搬送機構40と、この搬送機構40に記録媒体Pを供給する給紙ユニット50とを有している。
An image forming apparatus 1 shown in FIG. 1 is an electrophotographic printer that records an image on a recording medium P through a series of image forming processes including a charging process, an exposure process, a developing process, a transfer process, and a fixing process. In the present embodiment, the image forming apparatus 1 is a color printer that employs a so-called tandem method.
As shown in FIG. 1, the image forming apparatus 1 includes an image forming unit 10 for a charging process, an exposure process, and a developing process, a transfer unit 20 for a transfer process, and a fixing unit for a fixing process. 30, a transport mechanism 40 for transporting a recording medium P such as paper, and a paper feed unit 50 that supplies the recording medium P to the transport mechanism 40.

画像形成ユニット10は、イエローのトナー像を形成する画像形成ステーション10Yと、マゼンタのトナー像を形成する画像形成ステーション10Mと、シアンのトナー像を形成する画像形成ステーション10Cと、ブラックのトナー像を形成する画像形成ステーション10Kとの4つの画像形成ステーションを備えている。
4つの画像形成ステーション10Y、10C、10M、10Kは、それぞれ、静電的な潜像を担持する潜像担持体である感光ドラム(感光体)11を有している。そして、各感光ドラム11の周囲(外周側)には、その回転方向に沿って、帯電ユニット12、露光ヘッド(露光ユニット)13、現像装置14、クリーニングユニット15が配設されている。なお、各画像形成ステーション10Y、10C、10M、10Kは、用いるトナーの色が異なる以外は、ほぼ同じ構成である。
The image forming unit 10 includes an image forming station 10Y that forms a yellow toner image, an image forming station 10M that forms a magenta toner image, an image forming station 10C that forms a cyan toner image, and a black toner image. Four image forming stations including an image forming station 10K to be formed are provided.
Each of the four image forming stations 10Y, 10C, 10M, and 10K includes a photosensitive drum (photosensitive member) 11 that is a latent image carrier that carries an electrostatic latent image. A charging unit 12, an exposure head (exposure unit) 13, a developing device 14, and a cleaning unit 15 are disposed around each photosensitive drum 11 (on the outer peripheral side) along the rotation direction. The image forming stations 10Y, 10C, 10M, and 10K have substantially the same configuration except that the color of the toner used is different.

感光ドラム11は、全体形状が円筒状をなし、その軸線まわりに図1中矢印方向に回転可能となっている。そして、感光ドラム11の外周面(円筒面)付近には、有機感光体(OPC)、アモルファスシリコン(α−Si)等で構成された感光層(図示せず)が設けられている。このような感光ドラム11の外周面は、露光ヘッド13からの光L(出射光)を受光する受光面111を有している(図2参照)。   The photosensitive drum 11 has a cylindrical shape as a whole, and can rotate around the axis in the direction of the arrow in FIG. In the vicinity of the outer peripheral surface (cylindrical surface) of the photosensitive drum 11, a photosensitive layer (not shown) made of an organic photoreceptor (OPC), amorphous silicon (α-Si), or the like is provided. The outer peripheral surface of the photosensitive drum 11 has a light receiving surface 111 that receives light L (emitted light) from the exposure head 13 (see FIG. 2).

帯電ユニット12は、コロナ帯電などにより感光ドラム11の受光面111を一様に帯電させるものである。
露光ヘッド13は、図示しないパーソナルコンピュータなどのホストコンピュータから画像情報を受け、これに応じて、感光ドラム11の受光面111に向けて光Lを照射するものである。一様に帯電された感光ドラム11の受光面111に光Lが照射されると、その光Lの照射パターンに対応した潜像(静電潜像)が受光面111上に形成される。なお、露光ヘッド13の構成については、後に詳述する。
The charging unit 12 uniformly charges the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11 by corona charging or the like.
The exposure head 13 receives image information from a host computer such as a personal computer (not shown), and irradiates the light L toward the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11 in response to the image information. When the light L is irradiated on the light receiving surface 111 of the uniformly charged photosensitive drum 11, a latent image (electrostatic latent image) corresponding to the irradiation pattern of the light L is formed on the light receiving surface 111. The configuration of the exposure head 13 will be described in detail later.

現像装置14は、トナーを貯留する貯留部(図示せず)を有しており、当該貯留部から、静電的な潜像を担持する感光ドラム11の受光面111にトナーを供給し、付与する。これにより、感光ドラム11上の潜像がトナー像として可視化(現像)される。
クリーニングユニット15は、感光ドラム11の受光面111に当接するゴム製のクリーニングブレード151を有し、後述する1次転写後の感光ドラム11上に残存するトナーをクリーニングブレード151により掻き落として除去するようになっている。
The developing device 14 has a storage unit (not shown) that stores toner, and supplies toner from the storage unit to the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11 that carries an electrostatic latent image. To do. Thereby, the latent image on the photosensitive drum 11 is visualized (developed) as a toner image.
The cleaning unit 15 includes a rubber cleaning blade 151 that abuts on the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11. The cleaning blade 151 scrapes and removes toner remaining on the photosensitive drum 11 after the primary transfer described later. It is like that.

転写ユニット20は、前述したような各画像形成ステーション10Y、10M、10C、10Kの感光ドラム11上に形成された各色のトナー像を一括して記録媒体Pに転写するようになっている。
このような4つの画像形成ステーション10Y、10C、10M、10Kでは、それぞれ、感光ドラム11が1回転する間に、帯電ユニット12による感光ドラム11の受光面111の帯電と、露光ヘッド13による受光面111の露光と、現像装置14による受光面111へのトナーの供給と、後述する1次転写ローラ22との圧着による中間転写ベルト21への1次転写と、クリーニングユニット15による受光面111のクリーニングとが順次行なわれる。
The transfer unit 20 collectively transfers the toner images of the respective colors formed on the photosensitive drums 11 of the image forming stations 10Y, 10M, 10C, and 10K as described above to the recording medium P.
In the four image forming stations 10Y, 10C, 10M, and 10K, the charging unit 12 charges the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11 and the light receiving surface by the exposure head 13 while the photosensitive drum 11 rotates once. 111 exposure, supply of toner to the light receiving surface 111 by the developing device 14, primary transfer to the intermediate transfer belt 21 by pressure contact with a primary transfer roller 22 described later, and cleaning of the light receiving surface 111 by the cleaning unit 15. Are sequentially performed.

転写ユニット20は、エンドレスベルト状の中間転写ベルト21を有し、この中間転写ベルト21は、複数(図1に示す構成では4つ)の1次転写ローラ22と駆動ローラ23と従動ローラ24とで張架されており、駆動ローラ23の回転により、図1に示す矢印方向に、感光ドラム11の周速度とほぼ同じ周速度で回転駆動される。
複数の1次転写ローラ22は、それぞれ、対応する感光ドラム11に中間転写ベルト21を介して対向配設されており、感光ドラム11上の単色のトナー像を中間転写ベルト21に転写(1次転写)するようになっている。この1次転写ローラ22は、1次転写時に、トナーの帯電極性とは逆の極性の1次転写電圧(1次転写バイアス)が印加される。
The transfer unit 20 includes an endless belt-shaped intermediate transfer belt 21, which includes a plurality of (four in the configuration illustrated in FIG. 1) primary transfer rollers 22, driving rollers 23, and driven rollers 24. 1 is rotated by the rotation of the drive roller 23 in the direction of the arrow shown in FIG.
Each of the plurality of primary transfer rollers 22 is disposed to face the corresponding photosensitive drum 11 via an intermediate transfer belt 21, and transfers a single color toner image on the photosensitive drum 11 to the intermediate transfer belt 21 (primary Transcription). The primary transfer roller 22 is applied with a primary transfer voltage (primary transfer bias) having a polarity opposite to the charging polarity of the toner during the primary transfer.

中間転写ベルト21上には、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのうちの少なくとも1色のトナー像が担持される。例えば、フルカラー画像の形成時には、中間転写ベルト21上に、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの4色のトナー像が順次重ねて転写されて、フルカラーのトナー像が中間転写像として形成される。
また、転写ユニット20は、中間転写ベルト21を介して駆動ローラ23に対向配設される2次転写ローラ25と、中間転写ベルト21を介して従動ローラ24に対向配設されるクリーニングユニット26とを有している。
On the intermediate transfer belt 21, a toner image of at least one of yellow, magenta, cyan, and black is carried. For example, when a full-color image is formed, four color toner images of yellow, magenta, cyan, and black are sequentially transferred onto the intermediate transfer belt 21 to form a full-color toner image as an intermediate transfer image.
The transfer unit 20 includes a secondary transfer roller 25 that is disposed to face the driving roller 23 via the intermediate transfer belt 21, and a cleaning unit 26 that is disposed to face the driven roller 24 via the intermediate transfer belt 21. have.

2次転写ローラ25は、中間転写ベルト21上に形成された単色あるいはフルカラーなどのトナー像(中間転写像)を、給紙ユニット50から供給される紙、フィルム、布等の記録媒体Pに転写(2次転写)するようになっている。2次転写ローラ25は、2次転写時に、中間転写ベルト21に押圧されるとともに2次転写電圧(2次転写バイアス)が印加される。このような2次転写時には、駆動ローラ23は、2次転写ローラ25のバックアップローラとしても機能する。   The secondary transfer roller 25 transfers a single-color or full-color toner image (intermediate transfer image) formed on the intermediate transfer belt 21 to a recording medium P such as paper, film, or cloth supplied from the paper supply unit 50. (Secondary transfer). At the time of secondary transfer, the secondary transfer roller 25 is pressed against the intermediate transfer belt 21 and a secondary transfer voltage (secondary transfer bias) is applied. During such secondary transfer, the drive roller 23 also functions as a backup roller for the secondary transfer roller 25.

クリーニングユニット26は、中間転写ベルト21の表面に当接するゴム製のクリーニングブレード261を有し、2次転写後の中間転写ベルト21上に残存するトナーをクリーニングブレード261により掻き落として除去するようになっている。
定着ユニット30は、定着ローラ301と、定着ローラ301に圧接される加圧ローラ302とを有しており、定着ローラ301と加圧ローラ302との間を記録媒体Pが通過するよう構成されている。また、定着ローラ301は、その内側に当該定着ローラの外周面を加熱するヒータが内蔵されており、通過する記録媒体Pを加熱および加圧することができる。このような構成の定着ユニット30より、トナー像の2次転写を受けた記録媒体Pを加熱および加圧して、トナー像を記録媒体Pに融着させて永久像として定着する。
The cleaning unit 26 has a rubber cleaning blade 261 that abuts on the surface of the intermediate transfer belt 21, and the toner remaining on the intermediate transfer belt 21 after the secondary transfer is scraped off and removed by the cleaning blade 261. It has become.
The fixing unit 30 includes a fixing roller 301 and a pressure roller 302 that is pressed against the fixing roller 301, and is configured such that the recording medium P passes between the fixing roller 301 and the pressure roller 302. Yes. The fixing roller 301 has a built-in heater for heating the outer peripheral surface of the fixing roller, and can heat and press the recording medium P passing therethrough. The fixing unit 30 having such a configuration heats and presses the recording medium P that has received the secondary transfer of the toner image, and fuses the toner image to the recording medium P to fix it as a permanent image.

搬送機構40は、前述した2次転写ローラ25と中間転写ベルト21との間の2次転写部へ給紙タイミングを計りつつ記録媒体Pを搬送するレジストローラ対41と、定着ユニット30での定着処理済みの記録媒体Pを挟持搬送する搬送ローラ対42、43、44とを有している。
このような搬送機構40は、記録媒体Pの一方の面のみに画像形成を行う場合には、定着ユニット30によって一方の面に定着処理された記録媒体Pを搬送ローラ対42により挟持搬送して、画像形成装置1の外部へ排出する。また、記録媒体Pの両面に画像形成する場合には、定着ユニット30によって一方の面に定着処理された記録媒体Pを一旦搬送ローラ対42により挟持した後に、搬送ローラ対42を反転駆動するとともに、搬送ローラ対43、44を駆動して、当該記録媒体Pを表裏反転してレジストローラ対41へ帰還させ、前述と同様の動作により、記録媒体Pの他方の面に画像を形成する。
給紙ユニット50は、未使用の記録媒体Pを収容する給紙カセット51と、給紙カセット51から記録媒体Pを1枚ずつレジストローラ対41へ向け給送するピックアップローラ52とを備えている。
The conveyance mechanism 40 includes a registration roller pair 41 that conveys the recording medium P while feeding the recording medium P to the secondary transfer portion between the secondary transfer roller 25 and the intermediate transfer belt 21 described above, and fixing by the fixing unit 30. Conveying roller pairs 42, 43, and 44 for nipping and conveying the processed recording medium P are provided.
When such a transport mechanism 40 forms an image on only one surface of the recording medium P, the transport mechanism 40 sandwiches and transports the recording medium P fixed on one surface by the fixing unit 30 by the transport roller pair 42. Then, it is discharged outside the image forming apparatus 1. When forming an image on both surfaces of the recording medium P, the recording medium P fixed on one surface by the fixing unit 30 is once sandwiched by the conveying roller pair 42 and then the conveying roller pair 42 is driven to reverse. Then, the pair of conveying rollers 43 and 44 are driven, the recording medium P is turned upside down and returned to the registration roller pair 41, and an image is formed on the other surface of the recording medium P by the same operation as described above.
The paper feeding unit 50 includes a paper feeding cassette 51 that stores unused recording media P, and a pickup roller 52 that feeds the recording media P from the paper feeding cassette 51 to the registration roller pair 41 one by one. .

(露光ヘッド)
ここで、露光ヘッド13について詳述する。なお、以下では、説明の都合上、前述した感光ドラム11の軸線方向(第1の方向)を「主走査方向」、感光ドラム11の受光面111の露光ヘッド13との対向部付近の移動方向に平行な方向(第2の方向)を「副走査方向」と言う。
(Exposure head)
Here, the exposure head 13 will be described in detail. In the following, for convenience of explanation, the axial direction (first direction) of the photosensitive drum 11 described above is the “main scanning direction”, and the movement direction of the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11 near the portion facing the exposure head 13. A direction (second direction) parallel to is called a “sub-scanning direction”.

露光ヘッド13は、感光ドラム11の受光面111に対向して配置されている。
この露光ヘッド13は、レンズアレイ(第1のレンズアレイ)6’と、スペーサ84、レンズアレイ(第2のレンズアレイ)6と、遮光部材(第1の遮光部材)82と、絞り部材(開口絞り)83と、遮光部材(第2の遮光部材)81と、発光素子アレイ7とを有し、これらの部材がケーシング9内に収納されている。
The exposure head 13 is disposed to face the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11.
The exposure head 13 includes a lens array (first lens array) 6 ′, a spacer 84, a lens array (second lens array) 6, a light shielding member (first light shielding member) 82, and a diaphragm member (opening). A diaphragm 83, a light shielding member (second light shielding member) 81, and the light emitting element array 7 are housed in the casing 9.

この露光ヘッド13では、発光素子アレイ7から出射した光Lが、絞り部材83で絞られた後に、レンズアレイ6’およびレンズアレイ6をこの順で通過し、感光ドラム11の受光面111に照射される。
図2に示すように、レンズアレイ6およびレンズアレイ6’は、それぞれ、外形が長尺状をなす板状体で構成されている。
In the exposure head 13, the light L emitted from the light emitting element array 7 is stopped by the stop member 83, and then passes through the lens array 6 ′ and the lens array 6 in this order to irradiate the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11. Is done.
As shown in FIG. 2, each of the lens array 6 and the lens array 6 ′ is composed of a plate-like body whose outer shape is long.

図3に示すように、レンズアレイ6の光Lが入射する下面(入射面)には、複数のレンズ面(凸曲面)62が形成されている。一方、レンズアレイ6の光Lが出射する上面(出射面)は、平坦面となっている。
すなわち、レンズアレイ6では、光Lの入射側の面を凸曲面とし、光Lの出射側の面を平面とする平凸レンズであるレンズ64が複数配置されている。ここで、レンズアレイ6の各レンズ64以外の部分は、各レンズ64を支持する支持部65を構成する。
As shown in FIG. 3, a plurality of lens surfaces (convex curved surfaces) 62 are formed on the lower surface (incident surface) on which the light L of the lens array 6 is incident. On the other hand, the upper surface (outgoing surface) from which the light L of the lens array 6 is emitted is a flat surface.
That is, in the lens array 6, a plurality of lenses 64, which are planoconvex lenses having a light curved surface on the incident side of the light L and a flat surface on the light emitting side of the light L, are arranged. Here, portions of the lens array 6 other than the lenses 64 constitute a support portion 65 that supports the lenses 64.

同様に、レンズアレイ6’の光Lが入射する下面(入射面)には、前述した複数のレンズ面62に対応して、複数のレンズ面(凸曲面)62’が形成されている。一方、レンズアレイ6’の光Lが出射する上面(出射面)は、平坦面となっている。
すなわち、レンズアレイ6’では、光Lの入射側の面を凸曲面とし、光Lの出射側の面を平面とする平凸レンズであるレンズ64’が複数配置されている。ここで、レンズアレイ6’の各レンズ64’以外の部分は、各レンズ64’を支持する支持部65’を構成する。
そして、対応する1対のレンズ64およびレンズ64’は、対応する発光素子群71の各発光素子74から放射された光を結像する結像光学系60を構成する。
Similarly, a plurality of lens surfaces (convex curved surfaces) 62 ′ are formed on the lower surface (incident surface) on which the light L of the lens array 6 ′ is incident, corresponding to the plurality of lens surfaces 62 described above. On the other hand, the upper surface (outgoing surface) from which the light L of the lens array 6 ′ is emitted is a flat surface.
That is, in the lens array 6 ′, a plurality of lenses 64 ′, which are planoconvex lenses having a light curved surface on the incident side of the light L and a flat surface on the light emitting side of the light L, are arranged. Here, the portions other than the lenses 64 ′ of the lens array 6 ′ constitute a support portion 65 ′ that supports the lenses 64 ′.
The corresponding pair of lenses 64 and lens 64 ′ constitute an imaging optical system 60 that forms an image of light emitted from each light emitting element 74 of the corresponding light emitting element group 71.

以下、レンズ64の配置について説明する。なお、レンズ64’の配置(平面視での配置)については、レンズ64の配置と同様であるので、その説明を省略する。
図4に示すように、レンズ64は、主走査方向(第1の方向)に複数列配置されるとともに、主走査方向およびレンズ64の光軸方向のそれぞれに直交する副走査方向(第2の方向)に複数行配置されている。
Hereinafter, the arrangement of the lenses 64 will be described. Note that the arrangement of the lens 64 ′ (arrangement in plan view) is the same as the arrangement of the lens 64, and thus description thereof is omitted.
As shown in FIG. 4, the lenses 64 are arranged in a plurality of rows in the main scanning direction (first direction), and in the sub-scanning direction (second scanning direction orthogonal to the main scanning direction and the optical axis direction of the lens 64, respectively. Multiple lines are arranged in the direction).

より具体的には、複数のレンズ64は、3行n列(nは2以上の整数)の行列状に配置されている。なお、以下、1つの列(レンズ列)に属する3つのレンズ64のうち、中央に位置するレンズ64を「レンズ64b」と言い、それに対して図3中左側(図4中上側)に位置するレンズ64を「レンズ64a」と言い、図3中右側(図4中下側)に位置するレンズ64を「レンズ64c」と言う。また、レンズ64と対をなすレンズ64’について、レンズ64aに対応するレンズ64’を「レンズ64a’」と言い、レンズ64bに対応するレンズ64’を「レンズ64b’」と言い、レンズ64cに対応するレンズ64’を「レンズ64c’」と言う。   More specifically, the plurality of lenses 64 are arranged in a matrix of 3 rows and n columns (n is an integer of 2 or more). Hereinafter, among the three lenses 64 belonging to one row (lens row), the lens 64 located at the center is referred to as a “lens 64b” and is located on the left side in FIG. 3 (upper side in FIG. 4). The lens 64 is referred to as “lens 64a”, and the lens 64 positioned on the right side in FIG. 3 (lower side in FIG. 4) is referred to as “lens 64c”. In addition, regarding the lens 64 ′ paired with the lens 64, the lens 64 ′ corresponding to the lens 64a is referred to as “lens 64a ′”, the lens 64 ′ corresponding to the lens 64b is referred to as “lens 64b ′”, and the lens 64c. The corresponding lens 64 ′ is referred to as “lens 64c ′”.

本実施形態では、1つの列に属する複数のレンズ64(64a〜64c)のうち、副走査方向の中心側に最も近い位置のレンズ64bが、感光ドラム11の受光面111に対し、最も近い位置になるように露光ヘッド13が画像形成装置1に設置される。これにより、複数のレンズ64の光学的特性の設定が容易となる。
また、図3および図4に示すように、各レンズ列では、それぞれ、レンズ64a〜64cが順に主走査方向(図4中右方向)に等距離ずつずれて配置されている。すなわち、各レンズ列では、それぞれ、レンズ64a〜64cの各レンズ中心同士を結ぶ線が主走査方向および副走査方向に対して所定角度傾斜している。
In the present embodiment, among the plurality of lenses 64 (64a to 64c) belonging to one row, the lens 64b closest to the center side in the sub-scanning direction is closest to the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11. The exposure head 13 is installed in the image forming apparatus 1 so that Thereby, the setting of the optical characteristics of the plurality of lenses 64 is facilitated.
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, in each lens row, the lenses 64a to 64c are sequentially arranged at an equal distance in the main scanning direction (right direction in FIG. 4). That is, in each lens row, the line connecting the lens centers of the lenses 64a to 64c is inclined at a predetermined angle with respect to the main scanning direction and the sub-scanning direction.

図3に示す断面でみたときに、1つのレンズ列に属する3つのレンズ64、すなわちレンズ64a〜64cでは、レンズ64aとレンズ64cとは、それらの光軸601同士がレンズ64bの光軸601を介して対称的に配置さている。また、レンズ64a〜64cは、互いの光軸601が平行となるように配置されている。
このようなレンズアレイ6、6’の構成材料としては、前述したような光学特性を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂材料および/またはガラス材料が好適に用いられる。
In the cross section shown in FIG. 3, in the three lenses 64 belonging to one lens row, that is, the lenses 64 a to 64 c, the lens 64 a and the lens 64 c have the optical axes 601 of the lenses 64 a and the optical axes 601 of the lenses 64 b. Are arranged symmetrically. The lenses 64a to 64c are arranged so that their optical axes 601 are parallel to each other.
The constituent material of the lens arrays 6 and 6 ′ is not particularly limited as long as it can exhibit the optical characteristics as described above. For example, a resin material and / or a glass material is preferably used. It is done.

図2、図3に示すように、レンズアレイ6とレンズアレイ6’との間には、スペーサ84が設置されている。そして、レンズアレイ6とレンズアレイ6’とは、スペーサ84を介して接合されている。
スペーサ84は、レンズアレイ6とレンズアレイ6’との間の距離であるギャップ長を規制する機能を有している。
As shown in FIGS. 2 and 3, a spacer 84 is provided between the lens array 6 and the lens array 6 ′. The lens array 6 and the lens array 6 ′ are bonded via a spacer 84.
The spacer 84 has a function of regulating a gap length that is a distance between the lens array 6 and the lens array 6 ′.

スペーサ84の厚さを調整することで、レンズ64とレンズ64’との離間距離を所望の値に調整することができる。
このスペーサ84は、レンズアレイ6の外周部とレンズアレイ6’の外周部とにそれぞれ対応するように枠状をなし、これらの外周部のそれぞれに接合されている。なお、スペーサ84は、前述した機能を発揮することができるものであれば、前述した枠状のものに限定されず、例えば、レンズアレイ6、6’の外周部のうちの互いに対向する1つの辺に対応する部分のみに対応するように1対の部材で構成されていてもよいし、後述する遮光部材81、83のように板状部材に光路に対応した貫通孔を形成した構成であってもよい。
By adjusting the thickness of the spacer 84, the separation distance between the lens 64 and the lens 64 ′ can be adjusted to a desired value.
The spacer 84 has a frame shape so as to correspond to the outer peripheral portion of the lens array 6 and the outer peripheral portion of the lens array 6 ′, and is joined to each of the outer peripheral portions. The spacer 84 is not limited to the above-described frame shape as long as it can perform the above-described function. For example, one of the outer peripheral portions of the lens arrays 6 and 6 ′ facing each other is disposed. It may be configured by a pair of members so as to correspond only to the portion corresponding to the side, or it is configured such that a through-hole corresponding to the optical path is formed in a plate-like member like light shielding members 81 and 83 described later. May be.

このようなスペーサ84の構成材料としては、前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されず、樹脂材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料などを用いることができる。
図3に示すように、レンズアレイ6の光Lの入射側には、遮光部材82、絞り部材83および遮光部材81を介して、発光素子アレイ7が設置されている。発光素子アレイ7は、複数の発光素子群(発光素子グループ)71と、支持体(ヘッド基板)72とを有している。
The constituent material of the spacer 84 is not particularly limited as long as it can exhibit the functions described above, and a resin material, a metal material, a glass material, a ceramic material, or the like can be used.
As shown in FIG. 3, the light emitting element array 7 is installed on the light incident side of the lens array 6 via a light shielding member 82, a diaphragm member 83, and a light shielding member 81. The light emitting element array 7 includes a plurality of light emitting element groups (light emitting element groups) 71 and a support (head substrate) 72.

支持体72は、各発光素子群71をそれぞれ支持するものであり、外形が長尺状をなす板状体で構成されている。この支持体72は、レンズアレイ6と平行に配置されている。
支持体72の構成材料としては、特に限定されないが、本実施形態のように、支持体72の裏面側に発光素子群71を設ける場合(すなわち発光素子74としてボトムエミッション型の発光素子を用いる場合)、各種ガラス材料や各種プラスチック等の透明性を有する材料が好適に用いられる。なお、発光素子74としてトップエミッション型の発光素子を用いる場合、支持体72の構成材料としては、透明性を有する材料に限定されず、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼のような各種金属材料、各種ガラス材料や各種プラスチック等を単独または組み合わせて用いることができる。支持体72を各種金属材料や各種ガラス材料で構成した場合には、各発光素子74の発光により生じる熱を支持体72を介して効率良く放熱することができる。また、支持体72を各種プラスチックで構成した場合には、支持体72の軽量化に寄与する。
The support body 72 supports each light emitting element group 71, and is configured by a plate-like body having a long outer shape. The support 72 is disposed in parallel with the lens array 6.
The constituent material of the support 72 is not particularly limited, but when the light emitting element group 71 is provided on the back surface side of the support 72 as in the present embodiment (that is, when a bottom emission type light emitting element is used as the light emitting element 74). ), Transparent materials such as various glass materials and various plastics are preferably used. In addition, when using a top emission type light emitting element as the light emitting element 74, the constituent material of the support body 72 is not limited to the material which has transparency, For example, various metal materials, such as aluminum and stainless steel, various glass A material, various plastics, etc. can be used individually or in combination. When the support body 72 is comprised with various metal materials or various glass materials, the heat which arises by light emission of each light emitting element 74 can be efficiently radiated | emitted via the support body 72. FIG. Moreover, when the support body 72 is comprised with various plastics, it contributes to the weight reduction of the support body 72. FIG.

また、支持体72の裏面側には、支持体72側に開放する箱状の収納部73が設置されている。この収納部73には、複数の発光素子群71やこれらの発光素子群71(各発光素子74)に電気的に接続された導線類(図示せず)、または、各発光素子74を駆動させるための回路(図示せず)が収納されている。
複数の発光素子群71は、前述した複数のレンズ64に対応して、互いに離間して、3行n列(nは2以上の整数)の行列状に配置されている(例えば、図4参照)。また、各発光素子群71は、それぞれ、複数(本実施形態では8つ)の発光素子74で構成されている。
Further, on the back side of the support 72, a box-shaped storage portion 73 that opens to the support 72 side is installed. In this housing portion 73, a plurality of light emitting element groups 71, conductive wires (not shown) electrically connected to these light emitting element groups 71 (each light emitting element 74), or each light emitting element 74 is driven. A circuit (not shown) is housed.
The plurality of light emitting element groups 71 are arranged in a matrix of 3 rows and n columns (n is an integer equal to or greater than 2) spaced apart from each other, corresponding to the plurality of lenses 64 described above (for example, see FIG. 4). ). Each light emitting element group 71 is composed of a plurality (eight in this embodiment) of light emitting elements 74.

各発光素子群71を構成する8つの発光素子74は、図3に示す支持体72の下面721に沿って配置されている。この8つの発光素子74から発せられた光Lは、それぞれ、対応するレンズ64を経て、感光ドラム11の受光面111上で集光(結像)する。
また、図4に示すように、8つの発光素子74は、互いに離間して、主走査方向に4列配置され、副走査方向に2行配置されている。このように、8つの発光素子74は、2行4列の行列状をなしている。1つの列(発光素子列)に属する互いに隣接した2つの発光素子74同士は、主走査方向にずれて配置されている。
The eight light emitting elements 74 constituting each light emitting element group 71 are arranged along the lower surface 721 of the support 72 shown in FIG. The light L emitted from the eight light emitting elements 74 is condensed (imaged) on the light receiving surface 111 of the photosensitive drum 11 via the corresponding lens 64.
Further, as shown in FIG. 4, the eight light emitting elements 74 are spaced apart from each other, arranged in four columns in the main scanning direction, and arranged in two rows in the sub scanning direction. As described above, the eight light emitting elements 74 are arranged in a matrix of 2 rows and 4 columns. Two adjacent light emitting elements 74 belonging to one row (light emitting element row) are arranged shifted in the main scanning direction.

そして、このように2行4列の行列状をなす8つの発光素子74では、主走査方向に隣接する発光素子74同士の間を、次の行の1つの発光素子74で補完している。
8つの発光素子74を例えばできる限り密に1つの行に配置するのには限界が生じるが、8つの発光素子74を前述したようにずらして配置することにより、これらの発光素子74の配置密度をより高いものとすることができる。これにより、画像を記録媒体Pに記録した際、その記録媒体Pに対する記録密度をより高めることができる。よって、解像度が高く、多階調で、かつ鮮明な画像が担持された記録媒体Pが得られる。
In the eight light emitting elements 74 having a matrix of 2 rows and 4 columns in this way, the light emitting elements 74 adjacent in the main scanning direction are complemented by one light emitting element 74 in the next row.
For example, there is a limit to arranging the eight light emitting elements 74 in one row as densely as possible. However, by arranging the eight light emitting elements 74 to be shifted as described above, the arrangement density of these light emitting elements 74 is reduced. Can be higher. Thereby, when an image is recorded on the recording medium P, the recording density on the recording medium P can be further increased. Therefore, it is possible to obtain the recording medium P having a high resolution, a multi-gradation and a clear image.

なお、1つの発光素子群71に属する8つの発光素子74は、本実施形態では2行4列の行列状に配置されているが、これに限定されず、例えば、4行2列の行列状に配置されていてもよい。
前述したように、複数の発光素子群71は、互いに離間して、3行n列の行列状に配置されている。図4に示すように、1つの列(発光素子群列)に属する3つの発光素子群71は、主走査方向(図4中右方向)に等間隔にずれて配置されている。
The eight light emitting elements 74 belonging to one light emitting element group 71 are arranged in a matrix of 2 rows and 4 columns in the present embodiment, but the present invention is not limited to this, and for example, a matrix of 4 rows and 2 columns. May be arranged.
As described above, the plurality of light emitting element groups 71 are spaced apart from each other and arranged in a matrix of 3 rows and n columns. As shown in FIG. 4, the three light emitting element groups 71 belonging to one row (light emitting element group row) are arranged at equal intervals in the main scanning direction (right direction in FIG. 4).

そして、このように3行n列の行列状をなす発光素子群71では、隣接する発光素子群71同士の間隔を、次の行の発光素子群71およびその次の行の発光素子群71で順次補完している。
複数の発光素子群71を例えばできる限り密に1つの行に配置するのには限界が生じるが、複数の発光素子群71を前述したようにずらして配置することにより、これらの発光素子群71の配置密度をより高いものとすることができる。これにより、1つの発光素子群71内の8つの発光素子74がずれて配置されていることと相まって、画像を記録媒体Pに記録した際、その記録媒体Pに対する記録密度を高めることができる。よって、解像度がより高く、多階調で色再現性が良く、より鮮明な画像が担持された記録媒体Pが得られる。
In the light emitting element group 71 having a matrix of 3 rows and n columns in this way, the interval between the adjacent light emitting element groups 71 is set so that the light emitting element group 71 of the next row and the light emitting element group 71 of the next row Complements sequentially.
For example, there is a limit in arranging the plurality of light emitting element groups 71 in one row as densely as possible. However, by arranging the plurality of light emitting element groups 71 so as to be shifted as described above, these light emitting element groups 71 are arranged. The arrangement density of can be made higher. Thereby, coupled with the fact that the eight light-emitting elements 74 in one light-emitting element group 71 are shifted and arranged, when an image is recorded on the recording medium P, the recording density on the recording medium P can be increased. Therefore, it is possible to obtain the recording medium P having higher resolution, multi-gradation, good color reproducibility and carrying a clearer image.

また、各発光素子74は、ボトムエミッション構造の有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)である。なお、発光素子74は、ボトムエミッション構造の素子に限定されず、トップエミッション構造の素子であってもよい。この場合、前述したように、支持体72には、光透過性は要求されない。
各発光素子74が有機EL素子であると、発光素子74同士の間隔(ピッチ)を比較的小さく設定することができる。これにより、画像を記録媒体Pに記録した際、その記録媒体Pに対する記録密度が比較的高くなる。また、各種成膜法を用いて高精度な寸法および位置で各発光素子74を形成することができる。よって、より鮮明な画像が担持された記録媒体Pが得られる。
Each light emitting element 74 is an organic EL element (organic electroluminescence element) having a bottom emission structure. Note that the light emitting element 74 is not limited to an element having a bottom emission structure, and may be an element having a top emission structure. In this case, as described above, the support 72 is not required to have optical transparency.
When each light emitting element 74 is an organic EL element, the interval (pitch) between the light emitting elements 74 can be set to be relatively small. Thereby, when an image is recorded on the recording medium P, the recording density on the recording medium P becomes relatively high. In addition, each light emitting element 74 can be formed with highly accurate dimensions and positions by using various film forming methods. Therefore, the recording medium P carrying a clearer image can be obtained.

本実施形態では、各発光素子74がいずれも赤色光を発光するように構成されている。なお、発光素子74の構成については後に詳述する。
図3に示すように、レンズアレイ6と発光素子アレイ7との間には、遮光部材82、絞り部材83および遮光部材81が設置されている。
遮光部材81、82は、それぞれ、隣接する発光素子群71同士間の光Lのクロストークを防止するものである。
このような遮光部材81には、当該遮光部材81を図3中上下方向(厚さ方向)に貫通する複数の貫通孔(開口部)811が形成されている。これらの貫通孔811は、それぞれ、各レンズ64に対応した位置に配置されている。
In the present embodiment, each light emitting element 74 is configured to emit red light. The configuration of the light emitting element 74 will be described in detail later.
As shown in FIG. 3, a light shielding member 82, a diaphragm member 83, and a light shielding member 81 are installed between the lens array 6 and the light emitting element array 7.
The light shielding members 81 and 82 prevent crosstalk of the light L between the adjacent light emitting element groups 71, respectively.
In such a light shielding member 81, a plurality of through holes (openings) 811 are formed through the light shielding member 81 in the vertical direction (thickness direction) in FIG. 3. Each of these through holes 811 is disposed at a position corresponding to each lens 64.

同様に、遮光部材82には、当該遮光部材82を図3中上下方向(厚さ方向)に貫通する複数の貫通孔821が形成されている。これらの貫通孔821は、それぞれ、前述した各レンズ64に対応した位置に配置されている。
貫通孔811、821は、それぞれ、発光素子群71からそれに対応するレンズ64までの光路を形成する。また、各貫通孔811、821は、それぞれ、平面視で円形をなしており、その内側に、当該貫通孔811、821に対応する発光素子群71の8つの発光素子74を包含している。
Similarly, the light shielding member 82 is formed with a plurality of through holes 821 that penetrate the light shielding member 82 in the vertical direction (thickness direction) in FIG. Each of these through holes 821 is disposed at a position corresponding to each lens 64 described above.
The through holes 811 and 821 each form an optical path from the light emitting element group 71 to the corresponding lens 64. The through holes 811 and 821 each have a circular shape in plan view, and include eight light emitting elements 74 of the light emitting element group 71 corresponding to the through holes 811 and 821 inside.

なお、各貫通孔811、821は、図3に示す構成では円筒状をなしているが、これに限定されず、例えば、上方に向かって拡がった円錐台状をなしていてもよい。
このような遮光部材81、82の間には、絞り部材83が設置されている。
絞り部材83は、発光素子群71からレンズ64に入射する光Lを所定量に制限する開口絞りである。
In addition, although each through-hole 811 and 821 has comprised the cylindrical shape in the structure shown in FIG. 3, it is not limited to this, For example, you may comprise the truncated cone shape expanded toward upper direction.
A diaphragm member 83 is installed between the light shielding members 81 and 82.
The diaphragm member 83 is an aperture diaphragm that limits the light L incident on the lens 64 from the light emitting element group 71 to a predetermined amount.

特に、この絞り部材83は、結像光学系60の前側焦点面付近に設けられている。これにより、結像光学系60が像側テレセントリックとなり、受光面111と露光ヘッド13との距離に取付誤差等による誤差があっても、発光素子74a、74d、74b、74cのそれぞれの像の位置ずれを防止することができる。
絞り部材83は、板状または層状をなし、当該絞り部材83を図3中上下方向(厚さ方向)に貫通する複数の貫通孔(開口部)831が形成されている。これらの貫通孔831は、それぞれ、各レンズ64に対応した位置(すなわち前述した貫通孔811、821)に配置されている。
In particular, the diaphragm member 83 is provided in the vicinity of the front focal plane of the imaging optical system 60. Thereby, the imaging optical system 60 becomes image side telecentric, and even if there is an error due to an attachment error or the like in the distance between the light receiving surface 111 and the exposure head 13, the position of each image of the light emitting elements 74a, 74d, 74b, and 74c. Deviation can be prevented.
The diaphragm member 83 is plate-shaped or layered, and a plurality of through-holes (openings) 831 are formed through the diaphragm member 83 in the vertical direction (thickness direction) in FIG. These through-holes 831 are respectively arranged at positions corresponding to the respective lenses 64 (that is, the above-described through-holes 811 and 821).

また、絞り部材83の貫通孔831は、平面視で円形をなし、その直径は、前述した遮光部材81の貫通孔811の直径よりも小さくなっている。
このような遮光部材81、82および絞り部材83は、レンズアレイ6と支持体72との間の距離、位置関係および姿勢を高精度に規定する機能をも有する。
各レンズ64のレンズ面62とそれに対応する発光素子群71との距離は、後述する結像光学系60の結像位置の図3中の上下方向の位置を定める上で重要な条件(要素)である。したがって、前述したように、遮光部材81、82および絞り部材83がレンズアレイ6と発光素子アレイ7との間の距離であるギャップ長を規制するスペーサとしても機能していると、高精度で、信頼性の高い画像形成装置1が得られる。
Further, the through hole 831 of the aperture member 83 is circular in plan view, and the diameter thereof is smaller than the diameter of the through hole 811 of the light shielding member 81 described above.
Such light shielding members 81 and 82 and the diaphragm member 83 also have a function of defining the distance, positional relationship, and posture between the lens array 6 and the support body 72 with high accuracy.
The distance between the lens surface 62 of each lens 64 and the corresponding light emitting element group 71 is an important condition (element) for determining the vertical position in FIG. 3 of the imaging position of the imaging optical system 60 described later. It is. Therefore, as described above, when the light shielding members 81 and 82 and the diaphragm member 83 function also as a spacer that regulates the gap length, which is the distance between the lens array 6 and the light emitting element array 7, with high accuracy, A highly reliable image forming apparatus 1 is obtained.

また、遮光部材81、82および絞り部材83は、それぞれ、少なくとも内周面が黒色、茶褐色、紺色等の暗色となっているのが好ましい。
このような遮光部材81、82および絞り部材83の構成材料としては、それぞれ、光を透過しない材料であれば特に限定されず、例えば、各種着色剤や、クロム、酸化クロム等の金属系材料、カーボンブラックや着色剤を混練した樹脂等が挙げられる。
Moreover, it is preferable that the light shielding members 81 and 82 and the diaphragm member 83 each have a dark color such as black, brown, or amber at least on the inner peripheral surface.
The constituent materials of the light shielding members 81 and 82 and the diaphragm member 83 are not particularly limited as long as they do not transmit light. For example, various colorants, metal materials such as chromium and chromium oxide, Examples thereof include carbon black and a resin kneaded with a colorant.

図2、図3に示すように、前述したレンズアレイ6と発光素子アレイ7とスペーサ84と遮光部材81、82と絞り部材83とは、一括してケーシング9に収納さている。このケーシング9は、枠部材(ケーシング本体)91と、蓋部材(裏蓋)92と、蓋部材92を枠部材91に固定する複数のクランプ部材93とを有している(図3参照)。
図2に示すように、枠部材91は、全体形状が長尺なものである。
As shown in FIGS. 2 and 3, the lens array 6, the light emitting element array 7, the spacer 84, the light shielding members 81 and 82, and the diaphragm member 83 are collectively stored in the casing 9. The casing 9 includes a frame member (casing body) 91, a lid member (back cover) 92, and a plurality of clamp members 93 that fix the lid member 92 to the frame member 91 (see FIG. 3).
As shown in FIG. 2, the frame member 91 has a long overall shape.

また、枠部材91は、枠状をなしていて、図3に示すように、枠部材91には、その上側および下側に開口する内腔部911が形成されている。この内腔部911の幅は、図3中下方から上方に向かって、段階的に減少している。
内腔部911には、レンズアレイ6’とスペーサ84とレンズアレイ6と遮光部材82と絞り部材83と遮光部材81と発光素子アレイ7とがそれぞれはめ込まれており、これらが例えば接着剤で固定されている。これにより、レンズアレイ6’とスペーサ84とレンズアレイ6と遮光部材82と絞り部材83と遮光部材81と発光素子アレイ7とが枠部材91に一括して保持され、レンズアレイ6’とスペーサ84とレンズアレイ6と遮光部材82と絞り部材83と遮光部材81と発光素子アレイ7との主走査方向および副走査方向の位置決めがなされる。
Further, the frame member 91 has a frame shape, and as shown in FIG. 3, the frame member 91 is formed with a lumen portion 911 that opens to the upper side and the lower side thereof. The width of the lumen portion 911 gradually decreases from the lower side to the upper side in FIG.
In the lumen portion 911, the lens array 6 ′, the spacer 84, the lens array 6, the light shielding member 82, the diaphragm member 83, the light shielding member 81, and the light emitting element array 7 are fitted, and these are fixed with, for example, an adhesive. Has been. As a result, the lens array 6 ′, the spacer 84, the lens array 6, the light shielding member 82, the diaphragm member 83, the light shielding member 81, and the light emitting element array 7 are collectively held by the frame member 91. The lens array 6, the light shielding member 82, the diaphragm member 83, the light shielding member 81, and the light emitting element array 7 are positioned in the main scanning direction and the sub scanning direction.

ここで、発光素子アレイ7の支持体72の上面722は、内腔部911の壁面に形成された段差部915と、第2の遮光部材81の下面とにそれぞれ当て付いて(当接して)いる。そして、内腔部911には、下方から蓋部材92がはめ込まれている。
蓋部材92は、その上部に収納部73が挿入される凹部922を有する長尺部材で構成されている。この蓋部材92の上端面は、枠部材91の境界部915との間で、発光素子アレイ7の支持体72の縁部を挟持している。
さらに、各クランプ部材93によって、蓋部材92が上方に押し付けられている。これにより、蓋部材92が枠部材91に固定される。また、押し付けられた蓋部材92によって、発光素子アレイ7と遮光部材81、82と絞り部材83とレンズアレイ6との主走査方向、副走査方向および図3中上下方向のそれぞれの位置関係が固定される。
Here, the upper surface 722 of the support 72 of the light emitting element array 7 is in contact with (contacts with) the stepped portion 915 formed on the wall surface of the lumen portion 911 and the lower surface of the second light shielding member 81. Yes. A lid member 92 is fitted into the lumen portion 911 from below.
The lid member 92 is formed of a long member having a recess 922 into which the storage portion 73 is inserted. The upper end surface of the lid member 92 sandwiches the edge portion of the support 72 of the light emitting element array 7 with the boundary portion 915 of the frame member 91.
Further, the lid member 92 is pressed upward by each clamp member 93. Thereby, the lid member 92 is fixed to the frame member 91. Further, the positional relationship between the light emitting element array 7, the light shielding members 81, 82, the diaphragm member 83, and the lens array 6 in the main scanning direction, the sub scanning direction, and the vertical direction in FIG. 3 is fixed by the pressed lid member 92. Is done.

クランプ部材93は、主走査方向に沿って等間隔に複数配置されているのが好ましい。これにより、枠部材91と蓋部材92とを主走査方向に沿って均一に挟持することができる。
クランプ部材93は、金属板を折り曲げ加工することで形成されたものである。このクランプ部材93の両端部(図3にて左右の端部)には、それぞれ、爪部931が形成され、各爪部931は、それぞれ、枠部材91の肩部916に係合している。
A plurality of clamp members 93 are preferably arranged at equal intervals along the main scanning direction. Thereby, the frame member 91 and the lid member 92 can be uniformly clamped along the main scanning direction.
The clamp member 93 is formed by bending a metal plate. Claw portions 931 are formed at both end portions (left and right end portions in FIG. 3) of the clamp member 93, and each claw portion 931 is engaged with a shoulder portion 916 of the frame member 91, respectively. .

また、クランプ部材93の中間部には、上向きにアーチ状に湾曲した湾曲部932が形成されている。この湾曲部932の頂部は、前述したように各爪部931が肩部916に係合した状態で、蓋部材92の下面に圧接している。これにより、湾曲部932が弾性変形した状態で、蓋部材92を上方に付勢する。
なお、枠部材91と蓋部材92とを挟持している各クランプ部材93をそれぞれ取り外した場合には、枠部材91から蓋部材92を取り外すことができる。これにより、発光素子アレイ7の交換、修理等のメンテナンスを施すことができる。
A curved portion 932 that is curved upward in an arch shape is formed in the intermediate portion of the clamp member 93. The top portion of the curved portion 932 is in pressure contact with the lower surface of the lid member 92 in a state where each claw portion 931 is engaged with the shoulder portion 916 as described above. Thereby, the lid member 92 is biased upward in a state where the bending portion 932 is elastically deformed.
In addition, when each clamp member 93 holding the frame member 91 and the lid member 92 is removed, the lid member 92 can be removed from the frame member 91. Thereby, maintenance such as replacement and repair of the light emitting element array 7 can be performed.

また、枠部材91および蓋部材92の構成材料としては、特に限定されず、例えば、支持体72と同様の構成材料を用いることができる。クランプ部材93の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼が挙げられる。また、クランプ部材93は、硬質樹脂材料で構成されていてもよい。
さらに、図示しないが、枠部材91の長手方向での両端部には、それぞれ、上方に突出するスペーサが設けられている。このスペーサは、受光面111とレンズアレイ6との距離を規制するものである。
Moreover, it does not specifically limit as a constituent material of the frame member 91 and the cover member 92, For example, the constituent material similar to the support body 72 can be used. It does not specifically limit as a constituent material of the clamp member 93, For example, aluminum and stainless steel are mentioned. The clamp member 93 may be made of a hard resin material.
Furthermore, although not shown, spacers that protrude upward are provided at both ends of the frame member 91 in the longitudinal direction. This spacer regulates the distance between the light receiving surface 111 and the lens array 6.

(発光素子)
<第1実施形態>
次に、発光素子74の第1実施形態について詳述する。
図5に示す本実施形態の発光素子(エレクトロルミネッセンス素子)74は、赤色発光するものである。
(Light emitting element)
<First Embodiment>
Next, the first embodiment of the light emitting element 74 will be described in detail.
The light emitting element (electroluminescence element) 74 of this embodiment shown in FIG. 5 emits red light.

このような発光素子74は、陽極741と正孔注入層742と正孔輸送層743と発光層(赤色発光層)744と第2の電子輸送層745と第1の電子輸送層746と電子注入層747と陰極748とがこの順に積層されてなるものである。
言い換えすれば、発光素子74は、2つの電極間(陽極741と陰極748との間)に、陽極741側から陰極748側へ、正孔注入層742と正孔輸送層743と発光層744と第2の電子輸送層745と第1の第1の電子輸送層746と電子注入層747とがこの順に積層で積層された積層体749が介挿されて構成されている。
Such a light emitting element 74 includes an anode 741, a hole injection layer 742, a hole transport layer 743, a light emitting layer (red light emitting layer) 744, a second electron transport layer 745, a first electron transport layer 746, and an electron injection. A layer 747 and a cathode 748 are laminated in this order.
In other words, the light-emitting element 74 includes a hole injection layer 742, a hole transport layer 743, and a light-emitting layer 744 between two electrodes (between the anode 741 and the cathode 748) and from the anode 741 side to the cathode 748 side. A stacked body 749 in which the second electron transport layer 745, the first first electron transport layer 746, and the electron injection layer 747 are stacked in this order is interposed.

そして、発光素子74は、その全体が支持体72上に設けられるとともに、封止部材75で封止されている。
このような発光素子74にあっては、発光層744に対し、陰極748側から電子が供給(注入)されるとともに、陽極741側から正孔が供給(注入)される。そして、発光層744では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン(励起子)が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー(蛍光やりん光)を放出(発光)する。これにより、発光素子74は、赤色発光する。
The entire light emitting element 74 is provided on the support 72 and is sealed with a sealing member 75.
In such a light emitting element 74, electrons are supplied (injected) from the cathode 748 side to the light emitting layer 744, and holes are supplied (injected) from the anode 741 side. In the light emitting layer 744, holes and electrons are recombined, and excitons (excitons) are generated by energy released upon the recombination, and energy (fluorescence or phosphorescence) is generated when the excitons return to the ground state. Is emitted (emitted). Thereby, the light emitting element 74 emits red light.

特に、本発明では、発光素子74は、2層の電子輸送層(第1の電子輸送層746および第2の電子輸送層745)を有しているので、陰極748と陽極741との間に高電流を流しても、陽極741側から発光層744を介して陰極748側に通り抜けた正孔がさらに陰極748側に移動するのを防止または抑制することができる。そのため、高輝度で発光層を赤色発光させても、発光素子74の劣化を防止し、発光素子74の長寿命化を図ることができる。   In particular, in the present invention, the light-emitting element 74 includes two electron transport layers (a first electron transport layer 746 and a second electron transport layer 745), and thus, between the cathode 748 and the anode 741. Even when a high current is applied, it is possible to prevent or suppress holes that have passed from the anode 741 side to the cathode 748 side through the light emitting layer 744 and further move to the cathode 748 side. Therefore, even when the light emitting layer emits red light with high luminance, the light emitting element 74 can be prevented from being deteriorated and the life of the light emitting element 74 can be extended.

さらに、第2の電子輸送層745が、ガラス転移温度が150℃以上の第2の電子輸送材料を含んで構成されているため、発光層744と第2の電子輸送層745との界面で電子が滞留することに起因する電子輸送層(第1の電子輸送層746および第2の電子輸送層745)の変質・劣化を的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子74の長寿命化を図ることができる。   Further, since the second electron transport layer 745 includes the second electron transport material having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher, electrons are generated at the interface between the light emitting layer 744 and the second electron transport layer 745. Deterioration and deterioration of the electron transport layer (the first electron transport layer 746 and the second electron transport layer 745) due to the retention of the light can be accurately suppressed or prevented. Life can be extended.

以下、発光素子74を構成する各部を順次説明する。
(陽極)
陽極741は、後述する正孔注入層742を介して正孔輸送層743に正孔を注入する電極である。この陽極741の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
Hereinafter, each part which comprises the light emitting element 74 is demonstrated sequentially.
(anode)
The anode 741 is an electrode that injects holes into the hole transport layer 743 through a hole injection layer 742 described later. As a constituent material of the anode 741, it is preferable to use a material having a large work function and excellent conductivity.

陽極741の構成材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In、SnO、Sb含有SnO、Al含有ZnO等の酸化物、Au、Pt、Ag、Cuまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極741の平均厚さは、特に限定されないが、10〜200nm程度であるのが好ましく、50〜150nm程度であるのがより好ましい。
Examples of the constituent material of the anode 741 include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), In 3 O 3 , SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , oxides such as Al-containing ZnO, Au, Pt, and Ag. Cu, alloys containing these, and the like can be used, and one or more of these can be used in combination.
The average thickness of the anode 741 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 200 nm, and more preferably about 50 to 150 nm.

(陰極)
一方、陰極748は、後述する電子注入層747を介して第1の電子輸送層746に電子を注入する電極である。この陰極748の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極748の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
(cathode)
On the other hand, the cathode 748 is an electrode that injects electrons into the first electron transport layer 746 through an electron injection layer 747 described later. As a constituent material of the cathode 748, a material having a small work function is preferably used.
Examples of the constituent material of the cathode 748 include Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Al, Cs, Rb, and alloys containing these. These can be used alone or in combination of two or more thereof (for example, a multi-layer laminate).

特に、陰極748の構成材料として合金を用いる場合には、Ag、Al、Cu等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極748の構成材料として用いることにより、陰極748の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極748の平均厚さは、特に限定されないが、100〜10000nm程度であるのが好ましく、100〜500nm程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子74は、ボトムエミッション型であるため、陰極748に、光透過性は、特に要求されない。
In particular, when an alloy is used as the constituent material of the cathode 748, an alloy containing a stable metal element such as Ag, Al, or Cu, specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi is preferably used. By using such an alloy as a constituent material of the cathode 748, the electron injection efficiency and stability of the cathode 748 can be improved.
The average thickness of the cathode 748 is not particularly limited, but is preferably about 100 to 10000 nm, and more preferably about 100 to 500 nm.
In addition, since the light emitting element 74 of this embodiment is a bottom emission type, the cathode 748 is not particularly required to have light transmittance.

(正孔注入層)
正孔注入層742は、陽極741からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
この正孔注入層742の構成材料(正孔注入材料)としては、特に限定されないが、例えば、下記化学式(1)で表わされる化合物(N,N,N’,N’−テトラフェニル−p−ジアミノベンゼン)およびその誘導体等のアミン系化合物が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
(Hole injection layer)
The hole injection layer 742 has a function of improving the hole injection efficiency from the anode 741.
The constituent material (hole injection material) of the hole injection layer 742 is not particularly limited. For example, a compound represented by the following chemical formula (1) (N, N, N ′, N′-tetraphenyl-p- Examples thereof include amine compounds such as diaminobenzene) and derivatives thereof, and one or more of them can be used in combination.

Figure 2011134810
Figure 2011134810

なお、上記化学式(1)で表わされる化合物の誘導体としては、特に限定されないが、例えば、下記化学式(2)〜(10)で表わされるものが挙げられる。   The derivative of the compound represented by the chemical formula (1) is not particularly limited, and examples thereof include those represented by the following chemical formulas (2) to (10).

Figure 2011134810
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Figure 2011134810
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Figure 2011134810
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このような正孔注入層742の平均厚さは、特に限定されないが、5〜150nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔注入層742は、省略することができる。
(正孔輸送層)
正孔輸送層743は、陽極741から正孔注入層742を介して注入された正孔を発光層744まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層743の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、下記化学式(11)で表わされる化合物(N,N,N’,N’−テトラフェニルベンジジン)およびその誘導体等のアミン系化合物が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The average thickness of such a hole injection layer 742 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 150 nm, and more preferably about 10 to 100 nm.
Note that the hole injection layer 742 can be omitted.
(Hole transport layer)
The hole transport layer 743 has a function of transporting holes injected from the anode 741 through the hole injection layer 742 to the light emitting layer 744.
The constituent material of the hole transport layer 743 is not particularly limited. For example, amine compounds such as a compound represented by the following chemical formula (11) (N, N, N ′, N′-tetraphenylbenzidine) and derivatives thereof A compound is mentioned and 1 type or 2 types or more of these can be used in combination.

Figure 2011134810
Figure 2011134810

また、上記化学式(11)で表わされる化合物の誘導体としては、特に限定されないが、例えば、下記化学式(12)〜(16)で表わされる化合物等が挙げられる。   In addition, the derivative of the compound represented by the chemical formula (11) is not particularly limited, and examples thereof include compounds represented by the following chemical formulas (12) to (16).

Figure 2011134810
Figure 2011134810

Figure 2011134810
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Figure 2011134810
Figure 2011134810

Figure 2011134810
Figure 2011134810

Figure 2011134810
Figure 2011134810

このような正孔輸送層743の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔輸送層743は、省略することができる。
(発光層)
この発光層744は、本実施形態では、赤色に発光する(600nm以上の波長域にピークを有する光を発する)赤色発光材料を含んで構成されている。
赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
The average thickness of the hole transport layer 743 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 150 nm, and more preferably about 10 to 100 nm.
Note that the hole transport layer 743 can be omitted.
(Light emitting layer)
In the present embodiment, the light emitting layer 744 includes a red light emitting material that emits red light (emits light having a peak in a wavelength region of 600 nm or more).
The red light emitting material is not particularly limited, and various red fluorescent materials and red phosphorescent materials can be used alone or in combination of two or more.

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化学式(17)で表わされる化合物(ジインデノペリレン誘導体)等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、2−(1,1−ジメチルエチル)−6−(2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ(ij)キノリジン−9−イル)エテニル)−4H−ピラン−4H−イリデン)プロパンジニトリル(DCJTB)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)等を挙げられる。   The red fluorescent material is not particularly limited as long as it emits red fluorescence. For example, a perylene derivative such as a compound represented by the following chemical formula (17) (diindenoperylene derivative), a europium complex, a benzopyran derivative, rhodamine Derivatives, benzothioxanthene derivatives, porphyrin derivatives, Nile red, 2- (1,1-dimethylethyl) -6- (2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl) -1H, 5H-benzo (ij) quinolizin-9-yl) ethenyl) -4H-pyran-4H-ylidene) propanedinitrile (DCJTB), 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethyl) Aminostyryl) -4H-pyran (DCM) and the like.

Figure 2011134810
Figure 2011134810

中でも、赤色発光材料としては、ジインデノペリレン誘導体を用いるのが好ましい。これにより、発光層744をより高輝度で赤色発光させることができる。
赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも1つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム(アセチルアセトネート)(btp2Ir(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−12H,23H−ポルフィリン−白金(II)、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム、ビス(2−フェニルピリジン)イリジウム(アセチルアセトネート)が挙げられる。
Among these, it is preferable to use a diindenoperylene derivative as the red light emitting material. Thereby, the light emitting layer 744 can emit red light with higher luminance.
The red phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits red phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Among the ligands of these metal complexes, And those having at least one of phenylpyridine skeleton, bipyridyl skeleton, porphyrin skeleton and the like. More specifically, tris (1-phenylisoquinoline) iridium, bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinate-N, C 3 ′] iridium (acetylacetonate) (btp2Ir ( acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-12H, 23H-porphyrin-platinum (II), bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl ) Pyridinate-N, C 3 '] iridium, bis (2-phenylpyridine) iridium (acetylacetonate).

また、発光層744中には、前述した赤色発光材料の他に、赤色発光材料をゲスト材料とするホスト材料が含まれていてもよい。
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動(フェルスター移動またはデクスター移動)させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。
In addition to the red light emitting material described above, the light emitting layer 744 may include a host material using a red light emitting material as a guest material.
The host material recombines holes and electrons to generate excitons, and the exciton energy is transferred to the red light-emitting material (Forster transfer or Dexter transfer) to excite the red light-emitting material. Have In the case of using such a host material, for example, a red light-emitting material that is a guest material can be used as a dopant by doping the host material.

このようなホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、下記化学式(18)で表わされる化合物等のナフタセン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの4量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることもできる。 Such a host material is not particularly limited as long as it exhibits the above-described function with respect to the red light emitting material to be used. When the red light emitting material includes a red fluorescent material, for example, the following chemical formula (18) ) Naphthacene derivatives, distyrylarylene derivatives, perylene derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylamine derivatives, quinolinolato metal complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ), triphenylamine Trimeramine derivatives such as tetramers, oxadiazole derivatives, silole derivatives, dicarbazole derivatives, oligothiophene derivatives, benzopyran derivatives, triazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives, 4,4'-bis (2, '- diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi) and the like, may be used singly or in combination of two or more of them.

Figure 2011134810
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中でも、発光層744のホスト材料としては、ナフタセン誘導体を用いるのが好ましい。特に、赤色発光材料としてジインデノペリレン誘導体を用いる場合、発光層744がナフタセン誘導体を含んで構成されていると、発光層744をより高輝度かつ高効率で赤色発光させることができる。
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、ホスト材料としては、例えば、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニルカルバゾール、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることもできる。
Among these, a naphthacene derivative is preferably used as the host material for the light-emitting layer 744. In particular, in the case where a diindenoperylene derivative is used as a red light emitting material, if the light emitting layer 744 includes a naphthacene derivative, the light emitting layer 744 can emit red light with higher brightness and higher efficiency.
When the red light emitting material includes a red phosphorescent material, examples of the host material include 3-phenyl-4- (1′-naphthyl) -5-phenylcarbazole, 4,4′-N, N′-dicarbazole. Examples thereof include carbazole derivatives such as biphenyl (CBP), and one or more of these can be used in combination.

前述したような赤色発光材料(ゲスト材料)およびホスト材料を用いる場合、発光層744中における赤色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.01〜10wt%であるのが好ましく、0.1〜5wt%であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような発光層744の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nm程度であるのが好ましく、10〜100nm程度であるのがより好ましい。
When the red light emitting material (guest material) and the host material as described above are used, the content (dope amount) of the red light emitting material in the light emitting layer 744 is preferably 0.01 to 10 wt%, More preferably, it is ˜5 wt%. Luminous efficiency can be optimized by setting the content of the red light emitting material within such a range.
Although the average thickness of such a light emitting layer 744 is not specifically limited, It is preferable that it is about 10-150 nm, and it is more preferable that it is about 10-100 nm.

(第1の電子輸送層)
第1の電子輸送層746は、陰極748から電子注入層747を介して注入された電子を第2の電子輸送層745に輸送する機能を有するものである。
このような第1の電子輸送層746は、含窒素化合物である電子輸送材料(以下、「第1の電子輸送材料」とも言う)を含んで構成されている。
(First electron transport layer)
The first electron transport layer 746 has a function of transporting electrons injected from the cathode 748 through the electron injection layer 747 to the second electron transport layer 745.
Such a first electron transport layer 746 includes an electron transport material that is a nitrogen-containing compound (hereinafter, also referred to as “first electron transport material”).

第1の電子輸送層746の構成材料(第1の電子輸送材料)としては、窒素を含有し電子輸送性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、下記化学式(19)で表わされる化合物(BPhen)および下記化学式(20)で表わされる化合物(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP))等のアミン系材料(フェナントロリン誘導体)、アントラセンまたはフェニルアントラセンを含む下記化学式(21)で表わされる化合物のようなアザインドリジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体およびニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。   The constituent material (first electron transport material) of the first electron transport layer 746 is not particularly limited as long as it contains nitrogen and has an electron transport property. For example, a compound represented by the following chemical formula (19) (BPhen) and amine-based materials (phenanthroline derivatives) such as a compound represented by the following chemical formula (20) (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP)), anthracene or phenylanthracene And azaindolizine derivatives such as compounds represented by the following chemical formula (21), oxadiazole derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, and the like. Alternatively, two or more kinds can be used in combination.

Figure 2011134810
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Figure 2011134810
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また、第1の電子輸送層746の構成材料の電子輸送性は、後述する第2の電子輸送層745の構成材料の電子輸送性よりも高いのが好ましい。これにより、たとえ、第2の電子輸送層745の構成材料の電子輸送性が低くても、陰極748側から発光層744へ電子を円滑に輸送することができる。
このような観点から、第1の電子輸送層746は、上記化学式(19)のようなフェナントロリン誘導体、または、アザインドリジン誘導体を含んで構成されているのが好ましい。これにより、第1の電子輸送層746の電子輸送性を優れたものとすることができる。その結果、発光素子74の高効率化を図ることができる。
第1の電子輸送層746の平均厚さは、特に限定されないが、8〜80nm程度であるのが好ましく、10〜50nm程度であるのがより好ましい。
Moreover, it is preferable that the electron transport property of the constituent material of the 1st electron transport layer 746 is higher than the electron transport property of the constituent material of the 2nd electron transport layer 745 mentioned later. Thereby, even if the electron transport property of the constituent material of the second electron transport layer 745 is low, electrons can be smoothly transported from the cathode 748 side to the light emitting layer 744.
From such a viewpoint, it is preferable that the first electron transporting layer 746 includes a phenanthroline derivative represented by the above chemical formula (19) or an azaindolizine derivative. Thereby, the electron transport property of the first electron transport layer 746 can be made excellent. As a result, high efficiency of the light emitting element 74 can be achieved.
The average thickness of the first electron transport layer 746 is not particularly limited, but is preferably about 8 to 80 nm, and more preferably about 10 to 50 nm.

(第2の電子輸送層)
第2の電子輸送層745は、前述した第1の電子輸送層746から注入された電子を発光層744に輸送する機能を有するものである。
また、本発明では、第2の電子輸送層745に含まれる第2の電子輸送材料は、前述した第1の電子輸送材料とは異なるガラス転移温度が150℃以上のもので構成される。このような、第2の電子輸送材料は、第1の電子輸送層746に含まれる含窒素化合物である第1の電子輸送材料よりも耐熱性に優れるものである。
(Second electron transport layer)
The second electron transport layer 745 has a function of transporting the electrons injected from the first electron transport layer 746 to the light emitting layer 744.
In the present invention, the second electron transporting material included in the second electron transporting layer 745 is made of a material having a glass transition temperature of 150 ° C. or more different from that of the first electron transporting material described above. Such a second electron transport material is more excellent in heat resistance than the first electron transport material which is a nitrogen-containing compound contained in the first electron transport layer 746.

ここで、発光層744と第2の電子輸送層745との界面で電子が滞留した際には、これに起因してこの界面付近が加熱される。特に、このような界面付近における加熱は、本実施形態のように、発光素子74を露光ヘッドに適用し、20000cd/m以上の発光強度が求められる場合に、より顕著に認められる。
そのため、この加熱により第1の電子輸送材料および第2の電子輸送材料が変質・劣化することとなるが、このように、第2の電子輸送材料をそのガラス転移温度が150℃以上のものとすることにより、第2の電子輸送材料の変質・劣化を的確に抑制または防止することができる。
Here, when electrons stay at the interface between the light emitting layer 744 and the second electron transport layer 745, the vicinity of the interface is heated due to this. In particular, such heating in the vicinity of the interface is more prominently recognized when the light emitting element 74 is applied to an exposure head and a light emission intensity of 20000 cd / m 2 or more is required as in this embodiment.
Therefore, the first electron transport material and the second electron transport material are deteriorated and deteriorated by this heating. Thus, the second electron transport material has a glass transition temperature of 150 ° C. or higher. By doing so, the alteration and deterioration of the second electron transport material can be accurately suppressed or prevented.

このような観点から、第2の電子輸送層745は、下記化学式(22)で表わされるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)やその誘導体等のキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体のうちガラス転移点が150℃以上のものを少なくとも1種含んで構成されているものが用いられる。これにより、第2の電子輸送材料の変質・劣化をより的確に抑制または防止することができる。その結果、発光素子74の長寿命化を確実に図ることができる。 From such a viewpoint, the second electron transport layer 745 has a glass transition among quinoline derivatives and oxadiazole derivatives such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) and its derivatives represented by the following chemical formula (22). What is comprised including at least 1 sort (s) of a point 150 degreeC or more is used. Thereby, the alteration and deterioration of the second electron transport material can be suppressed or prevented more accurately. As a result, the lifetime of the light emitting element 74 can be reliably increased.

さらに、これらの中でも、特に、第2の電子輸送層745は、下記化学式(22)で表わされるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)を含んで構成されているのが好ましい。トリス(8−キノリノラト)アルミニウムは、特に耐久性に優れる電子輸送材料であることから、発光層744と第2の電子輸送層745との界面で加熱されたとしても、このものの電子輸送能が低下するのを確実に防止することができる。 Among these, in particular, the second electron transport layer 745 preferably includes tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) represented by the following chemical formula (22). Since tris (8-quinolinolato) aluminum is an electron transport material having particularly excellent durability, even if heated at the interface between the light-emitting layer 744 and the second electron transport layer 745, the electron transport ability of the tris (8-quinolinolato) aluminum is lowered. Can be surely prevented.

Figure 2011134810
Figure 2011134810

このような、第2の電子輸送層745の厚さは、特に限定されないが、2nm以上、7nm以下程度であるのが好ましく、3nm以上、5nm以下程度であるのがより好ましい。第2の電子輸送層745の厚さをかかる範囲内に設定することにより、第1の電子輸送層746が有する電子輸送性を阻害することなく、発光素子74の耐久性を確実に向上させることができる。   The thickness of the second electron transport layer 745 is not particularly limited, but is preferably about 2 nm to 7 nm, more preferably about 3 nm to 5 nm. By setting the thickness of the second electron transport layer 745 within such a range, the durability of the light-emitting element 74 can be reliably improved without hindering the electron transport property of the first electron transport layer 746. Can do.

また、第2の電子輸送層745は、発光層744と第1の電子輸送層746との間に部分的に設けられ、その面方向において、形成されている第1の部位と、形成されていない第2の部位とを有し、これら第1の部位または第2の部位が散点的に形成されているのが好ましい。これにより、第1の部位においては、発光層744と第1の電子輸送層746とが第2の電子輸送層745を介して接触し、第2の部位においては、発光層744と第1の電子輸送層746とが直接接触することとなる。すなわち、発光層744は、その面方向において、第1の電子輸送層746と接する領域と、第2の電子輸送層745と接する領域との双方を有することとなる。   The second electron transport layer 745 is partially provided between the light emitting layer 744 and the first electron transport layer 746, and is formed with the first portion formed in the surface direction. It is preferable that the first part or the second part is formed in a scattered manner. Accordingly, the light emitting layer 744 and the first electron transport layer 746 are in contact with each other through the second electron transport layer 745 in the first part, and the light emitting layer 744 and the first electron transport layer 746 are in contact with each other in the second part. The electron transport layer 746 is in direct contact. That is, the light emitting layer 744 has both a region in contact with the first electron transport layer 746 and a region in contact with the second electron transport layer 745 in the surface direction.

ここで、上述したように、第1の電子輸送層746と第2の電子輸送層745とは、それぞれに含まれる第1の電子輸送材料と第2の電子輸送材料とが異なる材料で構成されている。
そのため、第1の部位または第2の部位が散点的に形成される構成とすれば、第1の電子輸送材料と第2の電子輸送材料との双方の特性を効果的に発揮させることができるため、発光層744と第2の電子輸送層745との界面で電子が滞留することに起因する電子輸送層(第1の電子輸送層746および第2の電子輸送層745)の変質・劣化をより的確に抑制または防止することができ、その結果、発光素子74の長寿命化を図ることができる。
Here, as described above, the first electron transport layer 746 and the second electron transport layer 745 are made of different materials from each other in the first electron transport material and the second electron transport material. ing.
Therefore, if the first part or the second part is formed in a scattered manner, the characteristics of both the first electron transport material and the second electron transport material can be effectively exhibited. Therefore, alteration / deterioration of the electron transport layer (the first electron transport layer 746 and the second electron transport layer 745) caused by electrons staying at the interface between the light emitting layer 744 and the second electron transport layer 745. As a result, the life of the light emitting element 74 can be extended.

また、かかる構成の第2の電子輸送層745において、第2の電子輸送層745が形成されている第1の部位は、島状をなしているのが好ましい。これにより、第2の電子輸送層745が形成されている第1の部位と、形成されていない第2の部位とを確実に形成することができるとともに、第2の電子輸送層745が形成されていない第2の部位において、発光層744と第1の電子輸送層746とを確実に接触させることができるようになる。
さらに、第2の電子輸送層745が形成されている第1の部位または第2の部位は、散点状をなしているが、第1の部位は、その面方向において、ほぼ均一に設けられているのが好ましい。これにより、第2の電子輸送層745の各部において、その特性にバラツキが生じるのを確実に防止することができるので、第2の電子輸送層745が局所的に変質・劣化するのを効果的に防止できる。
In the second electron transport layer 745 having such a structure, the first portion where the second electron transport layer 745 is formed preferably has an island shape. Accordingly, the first portion where the second electron transport layer 745 is formed and the second portion where the second electron transport layer 745 is not formed can be reliably formed, and the second electron transport layer 745 is formed. The light emitting layer 744 and the first electron transporting layer 746 can be reliably brought into contact with each other in the second portion that is not formed.
Further, the first part or the second part where the second electron transport layer 745 is formed has a scattered dot shape, but the first part is provided almost uniformly in the surface direction. It is preferable. As a result, it is possible to reliably prevent variations in the characteristics of each part of the second electron transport layer 745, so that the second electron transport layer 745 is effectively prevented from being locally altered or deteriorated. Can be prevented.

(電子注入層)
電子注入層747は、陰極748からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層747の構成材料(電子注入材料)としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
(Electron injection layer)
The electron injection layer 747 has a function of improving the electron injection efficiency from the cathode 748.
Examples of the constituent material (electron injection material) of the electron injection layer 747 include various inorganic insulating materials and various inorganic semiconductor materials.

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド(酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物)、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物(アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等)は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層747を構成することにより、発光素子74は、高い輝度が得られるものとなる。   Examples of such inorganic insulating materials include alkali metal chalcogenides (oxides, sulfides, selenides, tellurides), alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides. Of these, one or two or more of these can be used in combination. By forming the electron injection layer using these as main materials, the electron injection property can be further improved. In particular, an alkali metal compound (alkali metal chalcogenide, alkali metal halide, or the like) has a very small work function, and the light-emitting element 74 can obtain high luminance by forming the electron injection layer 747 using the work function. Become.

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、LiO、LiO、NaS、NaSe、NaO等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF、BaF、SrF、MgF、BeF等が挙げられる。
Examples of the alkali metal chalcogenide include Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO.
Examples of the alkaline earth metal chalcogenide include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, MgO, and CaSe.
Examples of the alkali metal halide include CsF, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl.
Examples of the alkaline earth metal halide include CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 , and BeF 2 .

また、無機半導体材料としては、例えば、Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnのうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層747の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜1000nm程度であるのが好ましく、0.2〜100nm程度であるのがより好ましく、0.2〜50nm程度であるのがさらに好ましい。
In addition, as the inorganic semiconductor material, for example, an oxide including at least one element of Li, Na, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn , Nitrides, oxynitrides, and the like, and one or more of these can be used in combination.
The average thickness of the electron injection layer 747 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 1000 nm, more preferably about 0.2 to 100 nm, and about 0.2 to 50 nm. Further preferred.

(封止部材)
封止部材75は、陽極741、積層体749、および陰極748を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材75を設けることにより、発光素子74の信頼性の向上や、変質・劣化の防止(耐久性向上)等の効果が得られる。
(Sealing member)
The sealing member 75 is provided so as to cover the anode 741, the stacked body 749, and the cathode 748, and has a function of hermetically sealing them and blocking oxygen and moisture. By providing the sealing member 75, effects such as improvement of the reliability of the light emitting element 74 and prevention of deterioration / deterioration (improvement of durability) can be obtained.

封止部材75の構成材料としては、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材75の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材75と陽極741、積層体749、および陰極748との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
また、封止部材75は、平板状として、支持体72と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
Examples of the constituent material of the sealing member 75 include Al, Au, Cr, Nb, Ta, Ti, alloys containing these, silicon oxide, various resin materials, and the like. Note that in the case where a conductive material is used as a constituent material of the sealing member 75, it is necessary between the sealing member 75 and the anode 741, the stacked body 749, and the cathode 748 to prevent a short circuit. Accordingly, it is preferable to provide an insulating film.
Further, the sealing member 75 may be formed in a flat plate shape so as to face the support 72 and be sealed with a sealing material such as a thermosetting resin.

以上のように構成された発光素子74によれば、前述したような2層の電子輸送層(第1の電子輸送層746および第2の電子輸送層745)を有しているので、陰極748と陽極741との間に高電流を流しても、陽極741側から発光層744を介して陰極748側に通り抜けた正孔がさらに陰極748側に移動するのを防止または抑制することができる。そのため、高輝度で発光層を赤色発光させても、発光素子74の劣化を防止し、発光素子74の長寿命化を図ることができる。   According to the light emitting element 74 configured as described above, the cathode 748 has the two electron transport layers (the first electron transport layer 746 and the second electron transport layer 745) as described above. Even when a high current is passed between the anode 741 and the anode 741, it is possible to prevent or suppress the holes that have passed from the anode 741 side through the light emitting layer 744 to the cathode 748 side and further move to the cathode 748 side. Therefore, even when the light emitting layer emits red light with high luminance, the light emitting element 74 can be prevented from being deteriorated and the life of the light emitting element 74 can be extended.

また、このような発光素子74を備える露光ヘッド13は、長寿命であり、高解像度で露光処理を行うことができる。
また、このような露光ヘッド13を備える画像形成装置1は、高品位な画像を得ることができ、信頼性に優れる。
以上のような発光素子74は、例えば、次のようにして製造することができる。
Moreover, the exposure head 13 provided with such a light emitting element 74 has a long life and can perform exposure processing with high resolution.
Further, the image forming apparatus 1 including such an exposure head 13 can obtain a high-quality image, and is excellent in reliability.
The light emitting element 74 as described above can be manufactured, for example, as follows.

[1] まず、支持体72を用意し、この支持体72上に陽極741を形成する。
陽極741は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
[2] 次に、陽極741上に正孔注入層742を形成する。
正孔注入層742は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層742は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極741上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[1] First, a support 72 is prepared, and an anode 741 is formed on the support 72.
The anode 741 is, for example, a chemical vapor deposition method (CVD) such as plasma CVD or thermal CVD, a dry plating method such as vacuum deposition, a wet plating method such as electrolytic plating, a thermal spraying method, a sol-gel method, a MOD method, or a metal foil. It can be formed by using, for example, bonding.
[2] Next, the hole injection layer 742 is formed on the anode 741.
The hole injection layer 742 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
In addition, the hole injection layer 742 is dried (desolvent or desolvent) after supplying the hole injection layer forming material obtained by, for example, dissolving the hole injection material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the anode 741. It can also be formed by using a dispersion medium.

正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層742を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
As a method for supplying the hole injection layer forming material, for example, various coating methods such as a spin coating method, a roll coating method, and an ink jet printing method can be used. By using such a coating method, the hole injection layer 742 can be formed relatively easily.
Examples of the solvent or dispersion medium used for the preparation of the hole injection layer forming material include various inorganic solvents, various organic solvents, or mixed solvents containing these.
The drying can be performed, for example, by standing in an atmospheric pressure or a reduced pressure atmosphere, heat treatment, or blowing an inert gas.

また、本工程に先立って、陽極741の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極741の上面を親液性を付与すること、陽極741の上面に付着する有機物を除去(洗浄)すること、陽極741の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー100〜800W程度、酸素ガス流量50〜100mL/min程度、被処理部材(陽極741)の搬送速度0.5〜10mm/sec程度、支持体72の温度20〜90℃程度とするのが好ましい。
Prior to this step, the upper surface of the anode 741 may be subjected to oxygen plasma treatment. Thus, the upper surface of the anode 741 can be made lyophilic, organic substances adhering to the upper surface of the anode 741 can be removed (washed), the work function near the upper surface of the anode 741 can be adjusted, and the like. .
Here, the oxygen plasma treatment conditions include, for example, a plasma power of about 100 to 800 W, an oxygen gas flow rate of about 50 to 100 mL / min, a conveyance speed of the member to be treated (anode 741) of about 0.5 to 10 mm / sec, and a support. The temperature of the body 72 is preferably about 20 to 90 ° C.

[3] 次に、正孔注入層742上に正孔輸送層743を形成する。
正孔輸送層743は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層742上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[3] Next, the hole transport layer 743 is formed on the hole injection layer 742.
The hole transport layer 743 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
Further, by supplying a hole transport layer forming material obtained by dissolving a hole transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the hole injection layer 742, the material is dried (desolvent or dedispersion medium). Can also be formed.

[4] 次に、正孔輸送層743上に、発光層744を形成する。
発光層744は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[5] 次に、発光層744上に、第2の電子輸送層745を形成する。
第2の電子輸送層745は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、第2の電子輸送層745は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、発光層744上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[4] Next, the light emitting layer 744 is formed on the hole transport layer 743.
The light emitting layer 744 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
[5] Next, a second electron transporting layer 745 is formed on the light emitting layer 744.
The second electron transport layer 745 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
The second electron-transport layer 745 is formed by supplying a material for forming an electron-transport layer formed by, for example, dissolving an electron-transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the light-emitting layer 744 and then drying (desolvent or solvent removal). It can also be formed by dedispersing medium).

[6] 次に、第2の電子輸送層745上に、第1の電子輸送層746を形成する。
第1の電子輸送層746は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、第1の電子輸送層746は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、第2の電子輸送層745上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[6] Next, the first electron transport layer 746 is formed on the second electron transport layer 745.
The first electron transport layer 746 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
The first electron transport layer 746 is formed by supplying an electron transport layer forming material obtained by, for example, dissolving an electron transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the second electron transport layer 745, and then drying the material. It can also be formed by (desolvent or dedispersing medium).

[7] 次に、第1の電子輸送層746上に、電子注入層747を形成する。
電子注入層747の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層747は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
[8] 次に、電子注入層747上に、陰極748を形成する。
陰極748は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子74が得られる。
最後に、得られた発光素子74を覆うように封止部材75を被せ、支持体72に接合する。
[7] Next, an electron injection layer 747 is formed on the first electron transport layer 746.
When an inorganic material is used as the constituent material of the electron injection layer 747, the electron injection layer 747 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or applying and baking inorganic fine particle ink. Etc. can be used.
[8] Next, the cathode 748 is formed on the electron injection layer 747.
The cathode 748 can be formed using, for example, a vacuum evaporation method, a sputtering method, bonding of metal foil, application and baking of metal fine particle ink, or the like.
The light emitting element 74 is obtained through the steps as described above.
Finally, a sealing member 75 is placed so as to cover the obtained light emitting element 74 and bonded to the support 72.

以上のような発光素子74は、本実施形態では、発光層744が、主として赤色発光材料で構成され赤色に発光する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、例えば、発光層744は、主として緑色発光材料で構成され緑色に発光するものであってもよいし、主として青色発光材料で構成され青色に発光するものであってもよい。さらに、これら赤色、緑色および青色に発光するそれぞれの層が順次積層された積層体で構成され、これにより、白色に発光するものであってもよい。
この場合、緑色発光材料としては、例えば、各種緑色蛍光材料および緑色燐光材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
In the present embodiment, the light-emitting element 74 as described above has been described with respect to the case where the light-emitting layer 744 is mainly made of a red light-emitting material and emits red light. However, the present invention is not limited to this case. It may be composed mainly of a green light emitting material and emit green light, or may be composed mainly of a blue light emitting material and emit blue light. Furthermore, each of the red, green, and blue light emitting layers may be formed of a laminated body that is sequentially laminated, thereby emitting white light.
In this case, examples of the green light emitting material include various green fluorescent materials and green phosphorescent materials, and one or more of these can be used in combination.

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記化学式(23)に示すキナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、9,10−ビス[(9−エチル−3−カルバゾール)−ビニレニル]−アントラセン、ポリ(9,9−ジヘキシル−2,7−ビニレンフルオレニレン)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(1,4−ジフェニレン−ビニレン−2−メトキシ−5−{2−エチルヘキシルオキシ}ベンゼン)]、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−(2−エトキシルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン)]等が挙げられる。   The green fluorescent material is not particularly limited as long as it emits green fluorescence. For example, coumarin derivatives, quinacridones such as quinacridone derivatives represented by the following chemical formula (23) and derivatives thereof, 9,10-bis [(9- Ethyl-3-carbazole) -vinylenyl] -anthracene, poly (9,9-dihexyl-2,7-vinylenefluorenylene), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- ( 1,4-diphenylene-vinylene-2-methoxy-5- {2-ethylhexyloxy} benzene)], poly [(9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenylene) -ortho-co- (2 -Methoxy-5- (2-ethoxylhexyloxy) -1,4-phenylene)] and the like.

Figure 2011134810
Figure 2011134810

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジネート−N,C’)イリジウム(アセチルアセトネート)、ファク−トリス[5−フルオロ−2−(5−トリフルオロメチル−2−ピリジン)フェニル−C,N]イリジウム等が挙げられる。
また、青色発光材料としては、例えば、各種青色蛍光材料および青色燐光材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
The green phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits green phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, palladium, and the like. tris (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) 3), bis (2-phenyl-pyridinium sulfonate -N, C 2 ') iridium (acetylacetonate), fac - tris [5-fluoro-2- (5 -Trifluoromethyl-2-pyridine) phenyl-C, N] iridium and the like.
Examples of the blue light emitting material include various blue fluorescent materials and blue phosphorescent materials, and one or a combination of two or more of these can be used.

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記化学式(24)で示されるジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)、ポリ[(9.9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジヘキシルオキシフルオレン−2,7−ジイル)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−{2−エトキシヘキシルオキシ}フェニレン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(エチルニルベンゼン)]等が挙げられる。   The blue fluorescent material is not particularly limited as long as it emits blue fluorescence. For example, a distyrylamine derivative such as a distyryldiamine compound represented by the following chemical formula (24), a fluoranthene derivative, a pyrene derivative, perylene And perylene derivatives, anthracene derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzimidazole derivatives, chrysene derivatives, phenanthrene derivatives, distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene, 4,4'-bis (9-ethyl-3-carbazovinylene)- 1,1′-biphenyl (BCzVBi), poly [(9.9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2,5-dimethoxybenzene-1,4-diyl)], poly [(9, 9-dihexyloxyfluorene-2,7-di ) -Ortho-co- (2-methoxy-5- {2-ethoxyhexyloxy} phenylene-1,4-diyl)], poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (Ethylnylbenzene)] and the like.

Figure 2011134810
Figure 2011134810

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ビス[4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C’]−ピコリネート−イリジウム、トリス[2−(2,4−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム、ビス[2−(3,5−トリフルオロメチル)ピリジネート−N,C’]−ピコリネート−イリジウム、ビス(4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C’)イリジウム(アセチルアセトネート)等が挙げられる。 The blue phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits blue phosphorescence. Examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Specifically, bis [4 , 6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, tris [2- (2,4-difluorophenyl) pyridinate -N, C 2'] iridium, bis [2- (3,5 - trifluoromethyl) pyridinate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, bis (4,6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2') iridium (acetylacetonate) and the like.

<第2実施形態>
次に、発光素子74の第2実施形態について説明する。
以下、第2実施形態にかかる発光素子74について説明するが、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本実施形態にかかる発光素子74は、発光素子74が備える第2の電子輸送層745の構成が異なること、すなわち、第2の電子輸送層745が、第2の電子輸送材料とは異なる第3の電子輸送材料をさらに含んでいること以外は、前記第1実施形態と同様である。
第3の電子輸送材料としては、第2の電子輸送材料と異なるものであれば、特に限定されず、前述した第1の電子輸送層746と同様の構成材料を用いることができる。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the light emitting element 74 will be described.
Hereinafter, although the light emitting element 74 concerning 2nd Embodiment is demonstrated, it demonstrates centering around difference with the said 1st Embodiment, and abbreviate | omits the description about the same matter.
The light-emitting element 74 according to the present embodiment is different in the configuration of the second electron transport layer 745 included in the light-emitting element 74, that is, the second electron transport layer 745 is different from the second electron transport material. This is the same as the first embodiment except that the above-described electron transport material is further included.
The third electron transport material is not particularly limited as long as it is different from the second electron transport material, and the same constituent material as that of the first electron transport layer 746 described above can be used.

本実施形態のように、第2の電子輸送材料とは異なる第3の電子輸送材料をさらに含有する構成とすることにより、第2の電子輸送層745に第3の電子輸送材料が備える特性を付与することができる。
第3の電子輸送材料として、第2の電子輸送材料と同種の電子輸送材料を選択して、ガラス転移温度が150℃以上のものを選択すれば、第2の電子輸送層745をより確実に耐熱性(耐久性)に優れるものとすることができる。
As in this embodiment, the third electron transport material has a characteristic that the second electron transport layer 745 includes the third electron transport material by further including a third electron transport material different from the second electron transport material. Can be granted.
If the same electron transport material as the second electron transport material is selected as the third electron transport material and a material having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher is selected, the second electron transport layer 745 can be more reliably formed. It can be excellent in heat resistance (durability).

また、第3の電子輸送材料として、第1の電子輸送材料と、同種または同一の電子輸送材料を選択して、例えば、電子輸送性がよりも高いのを選択すれば、第2の電子輸送層745における電子輸送性をより向上させることができる。
このような第2の電子輸送層745は、その厚さが、2nm以上、10nm以下程度であるのが好ましく、4nm以上、8nm以下程度であるのがより好ましい。これにより、第1の電子輸送層746が有する電子輸送性を阻害することなく、発光素子の耐久性を確実に向上させることができるとともに、第2の電子輸送材料および第3の電子輸送材料の双方が有する特性を確実に発揮させることができる。
Further, if the same electron transport material as the first electron transport material or the same electron transport material is selected as the third electron transport material, for example, the electron transport property is higher, the second electron transport material is selected. The electron-transport property in the layer 745 can be further improved.
The thickness of the second electron transport layer 745 is preferably about 2 nm or more and 10 nm or less, and more preferably about 4 nm or more and 8 nm or less. Accordingly, the durability of the light-emitting element can be reliably improved without hindering the electron transport property of the first electron transport layer 746, and the second electron transport material and the third electron transport material can be improved. The characteristic which both have can be exhibited reliably.

以上、本発明の発光素子、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、発光層に対して陽極側の各層間や、第1の電子輸送層に対して陰極側の各層間に任意の層を追加してもよい。
また、本発明の電子デバイスとしては、露光ヘッドに適用する場合に限らず、表示装置や照明装置に適用することができる。
As mentioned above, although the light emitting element, electronic device, and electronic device of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to these.
For example, an arbitrary layer may be added between each layer on the anode side with respect to the light emitting layer and between each layer on the cathode side with respect to the first electron transport layer.
In addition, the electronic device of the present invention is not limited to being applied to an exposure head, but can be applied to a display device or a lighting device.

さらに、本発明の電子デバイスを表示装置に適用する場合には、本発明の電子機器は、例えば、パーソナルコンピュータ(モバイル型パーソナルコンピュータ)、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器(例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。   Furthermore, when the electronic device of the present invention is applied to a display device, the electronic apparatus of the present invention is, for example, a personal computer (mobile personal computer), a mobile phone, a digital still camera, a television, a video camera, or a viewfinder type. , Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, crime prevention TV monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers of financial institutions, automatic ticket vending machines), medical devices (for example, electronic thermometers, sphygmomanometers, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasonic diagnostic devices, Endoscopy display device), fish Detector, various measuring instruments, gages (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
1.発光素子の製造
(実施例1)
<1> まず、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ100nmのITO電極(陽極)を形成した。
そして、基板をアセトン、2−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Production of light emitting device (Example 1)
<1> First, a transparent glass substrate having an average thickness of 0.5 mm was prepared. Next, an ITO electrode (anode) having an average thickness of 100 nm was formed on the substrate by sputtering.
And after immersing a board | substrate in order of acetone and 2-propanol and ultrasonically cleaning, the oxygen plasma process was performed.

<2> 次に、ITO電極上に、真空蒸着法を用いて前述した化学式(7)で表わされる化合物で構成される平均厚さ50nmの正孔注入層を形成した。
<3> 次に、正孔注入層上に、真空蒸着法を用いて前述した化学式(13)で表わされる化合物で構成される平均厚さ20nmの正孔輸送層を形成した。
<4> 次に、正孔輸送層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す発光層の構成材料で構成される平均厚さ40nmの発光層(赤色発光層)を形成した。
ここで、発光層の構成材料としては、赤色発光材料(ゲスト材料)として前述した化学式(17)で表わされる化合物(ジインデノペリレン誘導体)を用い、ホスト材料として前述した化学式(18)で表わされる化合物(ナフタセン誘導体)を用いた。また、発光層中の赤色発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、1.0wt%とした。
<2> Next, on the ITO electrode, a hole injection layer having an average thickness of 50 nm composed of the compound represented by the chemical formula (7) described above was formed using a vacuum deposition method.
<3> Next, on the hole injection layer, a hole transport layer having an average thickness of 20 nm composed of the compound represented by the chemical formula (13) described above was formed using a vacuum deposition method.
<4> Next, on the hole transport layer, a light emitting layer (red light emitting layer) having an average thickness of 40 nm composed of the constituent materials of the light emitting layer described below was formed using a vacuum deposition method.
Here, as the constituent material of the light emitting layer, the compound represented by the chemical formula (17) described above (diindenoperylene derivative) is used as the red light emitting material (guest material), and the chemical formula (18) described above is used as the host material. (Naphthacene derivative) was used. Further, the content (dope concentration) of the red light emitting material (dopant) in the light emitting layer was 1.0 wt%.

<5> 次に、発光層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第2の電子輸送層の構成材料(第2の電子輸送材料)で構成される平均厚さ5nmの第2の電子輸送層を形成した。
ここで、第2の電子輸送材料としては、前述した化学式(22)で表わされる化合物(Alq;ガラス転移点150℃)を用いた。
<6> 次に、第2の電子輸送層上に、真空蒸着法を用いて以下に示す第1の電子輸送層の構成材料(第1の電子輸送材料)で構成される平均厚さ25nmの第1の電子輸送層を形成した。
ここで、第1の電子輸送材料の構成材料としては、前述した化学式(21)で表わされる化合物を用いた。
<5> Next, a second electron having an average thickness of 5 nm is formed on the light-emitting layer using the constituent material of the second electron transport layer (second electron transport material) shown below by using a vacuum deposition method. A transport layer was formed.
Here, as the second electron transporting material, the compound (Alq 3 ; glass transition point 150 ° C.) represented by the chemical formula (22) described above was used.
<6> Next, on the second electron transport layer, an average thickness of 25 nm composed of a constituent material (first electron transport material) of the first electron transport layer shown below using a vacuum deposition method is used. A first electron transport layer was formed.
Here, as the constituent material of the first electron transport material, the compound represented by the chemical formula (21) described above was used.

<7> 次に、第1の電子輸送層上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム(LiF)で構成される、平均厚さ1nmの電子注入層を形成した。
<8> 次に、電子注入層上に、真空蒸着法を用いてAlで構成される、平均厚さ150nmの陰極を形成した。
<9> 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー(封止部材)を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図1に示すような発光素子を製造した。
<7> Next, an electron injection layer having an average thickness of 1 nm and made of lithium fluoride (LiF) was formed on the first electron transport layer using a vacuum deposition method.
<8> Next, a cathode having an average thickness of 150 nm made of Al was formed on the electron injection layer using a vacuum deposition method.
<9> Next, a glass protective cover (sealing member) was placed over the formed layers, and fixed and sealed with an epoxy resin.
Through the above steps, a light emitting device as shown in FIG. 1 was manufactured.

(実施例2)
前記工程<5>において、第2の電子輸送層の構成材料として、前述した化学式(22)で表わされる化合物(Alq)(第2の電子輸送材料)と、前述した化学式(21)で表わされる化合物(第2の電子輸送材料)との混合材料を用いて、平均厚さ10nmの第2の電子輸送層を形成し、前記工程<6>において、第1の電子輸送層を、平均厚さ20nmの厚さで形成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、図1に示す発光素子を製造した。
なお、混合材料中における、前記化学式(22)で表わされる化合物と、前記化学式(19)で表わされる化合物との混合比は、重量比で、1:1とした。
(Example 2)
In the step <5>, the constituent material of the second electron transport layer is represented by the compound (Alq 3 ) (second electron transport material) represented by the chemical formula (22) described above and the chemical formula (21) described above. A second electron transport layer having an average thickness of 10 nm is formed using a mixed material with the compound (second electron transport material) to be obtained, and in the step <6>, the first electron transport layer is A light emitting device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness was 20 nm.
The mixing ratio of the compound represented by the chemical formula (22) and the compound represented by the chemical formula (19) in the mixed material was 1: 1 by weight.

(実施例3)
前記工程<5>において、前述した化学式(22)で表わされる化合物(Alq)で構成される第2の電子輸送層を、平均厚さ1nmの厚さで形成し、前記工程<6>において、第1の電子輸送層を、平均厚さ29nmの厚さで形成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、図1に示す発光素子を製造した。
(Example 3)
In the step <5>, a second electron transport layer composed of the compound (Alq 3 ) represented by the chemical formula (22) described above is formed with an average thickness of 1 nm, and in the step <6> A light emitting device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the first electron transport layer was formed with an average thickness of 29 nm.

(実施例4)
前記工程<5>において、前述した化学式(22)で表わされる化合物(Alq)で構成される第2の電子輸送層を、平均厚さ10nmの厚さで形成し、前記工程<6>において、第1の電子輸送層を、平均厚さ20nmの厚さで形成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、図1に示す発光素子を製造した。
Example 4
In the step <5>, the second electron transport layer composed of the compound (Alq 3 ) represented by the chemical formula (22) described above is formed with an average thickness of 10 nm, and in the step <6> The light emitting device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the first electron transport layer was formed with an average thickness of 20 nm.

(比較例1)
前記工程<5>における第2の電子輸送層の形成を省略するとともに、前記工程<6>において形成する第1の電子輸送層の厚さを30nmとしたこと以外は、前記実施例1と同様にして、図1に示す発光素子を製造した。
(比較例2)
前記工程<5>において、第2の電子輸送層の構成材料として、前述した化学式(22)で表わされる化合物(Alq)に代えて、前述した化学式(20)で表わされる化合物(BCP;ガラス転移点80℃)を用いて第2の電子輸送層を形成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、図1に示す発光素子を製造した。
(Comparative Example 1)
The same as in Example 1 except that the formation of the second electron transport layer in the step <5> is omitted and the thickness of the first electron transport layer formed in the step <6> is 30 nm. Thus, the light emitting device shown in FIG. 1 was manufactured.
(Comparative Example 2)
In the step <5>, as a constituent material of the second electron transport layer, instead of the compound (Alq 3 ) represented by the above chemical formula (22), a compound (BCP; glass represented by the above chemical formula (20)) The light emitting device shown in FIG. 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the second electron transport layer was formed using a transition point of 80 ° C.

2.評価
各実施例および各比較例の発光素子に対して、それぞれ、陽極と陰極との間に直流電源により200mA/cmの電流を流し、発光素子にかかる電圧、発光素子から放出された光の輝度および色度(x,y)を測定した。
また、各実施例および各比較例の発光素子について、それぞれ、輝度が20000cd/mとなるように発光素子に電流を流し、初期の輝度の90%となるまでの時間(LT90)を測定した。
これらの結果を表1に示す。
2. Evaluation A current of 200 mA / cm 2 was passed between the anode and the cathode by a DC power source for each of the light emitting devices of each example and each of the comparative examples, and the voltage applied to the light emitting device and the light emitted from the light emitting device were measured. Luminance and chromaticity (x, y) were measured.
In addition, for each of the light-emitting elements of each example and each comparative example, a current was passed through the light-emitting elements so that the luminance was 20000 cd / m 2, and the time (LT90) until 90% of the initial luminance was measured. .
These results are shown in Table 1.

Figure 2011134810
Figure 2011134810

表1から明らかなように、各実施例の発光素子は、第2の電子輸送層に含まれる第2の電子輸送材料をガラス転移点が150℃以上のAlqとしたことにより、長寿命化を図ることができた。なお、この際、かかる構成の第2の電子輸送層を設ける構成とした影響を受けることなく、感光体を露光するのに必要な輝度の光を有していた。
これに対し、各比較例の発光素子は、各実施例の発光素子と比較して、耐久性(寿命特性)が低いものとなった。
As can be seen from Table 1, the light emitting device of each example has a long lifetime because the second electron transport material contained in the second electron transport layer is Alq 3 having a glass transition point of 150 ° C. or higher. We were able to plan. At this time, light having a luminance necessary for exposing the photosensitive member was obtained without being affected by the configuration in which the second electron transport layer having such a configuration was provided.
On the other hand, the light emitting device of each comparative example had low durability (life characteristics) compared to the light emitting device of each example.

1…画像形成装置 6…第2のレンズアレイ 6’…第1のレンズアレイ 60、60a、60b、60c…結像光学系 601…光軸 62、62’、62A…レンズ面 62a、62b、62c、62d、62e…領域 64、64’、64A、64a、64a’、64b、64b’、64c、64c’…レンズ 65、65’…レンズ支持部 7…発光素子アレイ 71…発光素子群(発光素子グループ) 72…支持体(ヘッド基板) 721…下面 722…上面 73…収納部 74、74a、74b、74c、74d…発光素子 81…第1の遮光部材 82…第2の遮光部材 83…絞り部材 811、821、831…貫通孔 84…スペーサ 9…ケーシング 91…枠部材(ケーシング本体) 911…内腔部 915…境界部(段差部) 916…肩部 92…蓋部材(裏蓋) 922…凹部 93…クランプ部材 931…爪部 932…湾曲部 10…画像形成ユニット 10C、10K、10M、10Y…画像形成ステーション 11…感光ドラム(感光体) 111…受光面 12…帯電ユニット 13…露光ヘッド 14…現像装置 15…クリーニングユニット 151…クリーニングブレード 20…転写ユニット 21…中間転写ベルト 22…一次転写ローラ 23…駆動ローラ 24…従動ローラ 25…二次転写ローラ 26…クリーニングユニット 261…クリーニングブレード 30…定着ユニット 301…定着ローラ 302…加圧ローラ 40…搬送機構 41…レジストローラ対 42、43、44…搬送ローラ対 50…給紙ユニット 51…給紙カセット 52…ピックアップローラ a…通過領域 P…記録媒体 741……陽極 742……正孔注入層 743……正孔輸送層 744……発光層 745……第2の電子輸送層 746……第1の電子輸送層 747……電子注入層 748……陰極 75……封止部材 749……積層体   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Image forming apparatus 6 ... 2nd lens array 6 '... 1st lens array 60, 60a, 60b, 60c ... Imaging optical system 601 ... Optical axis 62, 62', 62A ... Lens surface 62a, 62b, 62c , 62d, 62e ... regions 64, 64 ', 64A, 64a, 64a', 64b, 64b ', 64c, 64c' ... lens 65, 65 '... lens support 7 ... light emitting element array 71 ... light emitting element group (light emitting element group) 72) Supporting body (head substrate) 721 ... Lower surface 722 ... Upper surface 73 ... Storage part 74, 74a, 74b, 74c, 74d ... Light emitting element 81 ... First light shielding member 82 ... Second light shielding member 83 ... Diaphragm member 811, 821, 831 ... through hole 84 ... spacer 9 ... casing 91 ... frame member (casing body) 911 ... lumen portion 915 ... boundary (step) 916 ... Shoulder 92 ... Cover member (back cover) 922 ... Recessed portion 93 ... Clamp member 931 ... Claw portion 932 ... Curved portion 10 ... Image forming unit 10C, 10K, 10M, 10Y ... Image forming station 11 ... Photosensitive drum (photosensitive) 111) Light receiving surface 12 ... Charging unit 13 ... Exposure head 14 ... Developing device 15 ... Cleaning unit 151 ... Cleaning blade 20 ... Transfer unit 21 ... Intermediate transfer belt 22 ... Primary transfer roller 23 ... Drive roller 24 ... Driven roller 25 ... Secondary transfer roller 26 ... Cleaning unit 261 ... Cleaning blade 30 ... Fixing unit 301 ... Fixing roller 302 ... Pressure roller 40 ... Conveying mechanism 41 ... Registration roller pair 42, 43, 44 ... Conveying roller pair 50 ... Feeding unit 51 ... Paper cassette G 52 ... Pick-up roller a ... Passing area P ... Recording medium 741 ... Anode 742 ... Hole injection layer 743 ... Hole transport layer 744 ... Light emitting layer 745 ... Second electron transport layer 746 ... First Electron transport layer 747 ... Electron injection layer 748 ... Cathode 75 ... Sealing member 749 ... Laminate

Claims (11)

陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、電圧の印加により発光する発光層と、
前記発光層と前記陰極との間に設けられ、含窒素化合物である第1の電子輸送材料を含んで構成された第1の電子輸送層と、
前記発光層と前記第1の電子輸送層との間に設けられ、前記第1の電子輸送材料とは異なるガラス転移温度が150℃以上の第2の電子輸送材料を含んで構成された第2の電子輸送層とを有することを特徴とする発光素子。
A cathode,
The anode,
A light emitting layer provided between the cathode and the anode and emitting light by application of a voltage;
A first electron transport layer provided between the light emitting layer and the cathode and configured to include a first electron transport material which is a nitrogen-containing compound;
A second electron transporting material provided between the light emitting layer and the first electron transporting layer and including a second electron transporting material having a glass transition temperature of 150 ° C. or more different from that of the first electron transporting material; A light emitting element comprising: an electron transport layer.
前記第2の電子輸送材料は、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムである請求項1に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 1, wherein the second electron transport material is tris (8-quinolinolato) aluminum. 前記第2の電子輸送層は、主として前記第2の電子輸送材料で構成され、その厚さが、2nm以上、7nm以下である請求項1または2に記載の発光素子。   3. The light emitting device according to claim 1, wherein the second electron transport layer is mainly composed of the second electron transport material and has a thickness of 2 nm or more and 7 nm or less. 前記第2の電子輸送層は、前記第2の電子輸送材料とは異なる第3の電子輸送材料を含んでいる請求項1または2に記載の発光素子。   3. The light emitting device according to claim 1, wherein the second electron transport layer includes a third electron transport material different from the second electron transport material. 前記第2の電子輸送層は、主として前記第2の電子輸送材料および第3の電子輸送材料で構成され、その厚さが、2nm以上、10nm以下である請求項4に記載の発光素子。   The light emitting device according to claim 4, wherein the second electron transport layer is mainly composed of the second electron transport material and the third electron transport material, and has a thickness of 2 nm or more and 10 nm or less. 前記第3の電子輸送材料は、前記第1の電子輸送材料と、同種または同一である請求項4または5に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 4, wherein the third electron transport material is the same type or the same as the first electron transport material. 前記発光層は、赤色に発光し、主として赤色に発光する赤色発光材料で構成され、
前記赤色発光材料は、ジインデノペリレン誘導体である請求項1ないし6のいずれかに記載の発光素子。
The light emitting layer is composed of a red light emitting material that emits red light and emits mainly red light,
The light emitting device according to claim 1, wherein the red light emitting material is a diindenoperylene derivative.
さらに、前記発光層は、ナフタセン誘導体を含んで構成されている請求項7に記載の発光素子。   Furthermore, the said light emitting layer is a light emitting element of Claim 7 comprised including the naphthacene derivative. 前記第1の電子輸送層は、アザインドリジン誘導体またはフェナントロリン誘導体を含んで構成されている請求項1ないし8のいずれかに記載の発光素子。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the first electron transporting layer includes an azaindolizine derivative or a phenanthroline derivative. 請求項1ないし9のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする電子デバイス。   An electronic device comprising the light emitting element according to claim 1. 請求項10に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electronic device according to claim 10.
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