JP2010225689A - Light emitting element, light emitting device, display device, and electronic apparatus - Google Patents

Light emitting element, light emitting device, display device, and electronic apparatus Download PDF

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JP2010225689A JP2009069004A JP2009069004A JP2010225689A JP 2010225689 A JP2010225689 A JP 2010225689A JP 2009069004 A JP2009069004 A JP 2009069004A JP 2009069004 A JP2009069004 A JP 2009069004A JP 2010225689 A JP2010225689 A JP 2010225689A
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Hidetoshi Yamamoto
英利 山本
Tetsuji Fujita
徹司 藤田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element which can be driven at a relatively low voltage, to provide a reliable light emitting device having the same light emitting element, to provide a display device, and to provide an electronic apparatus. <P>SOLUTION: The light emitting element 1 includes a cathode 9, an anode 3, a light emitting portion 6 arranged between the cathode 9 and anode 3 and emitting light when a drive voltage is applied, a hole injection layer 4 arranged between the anode 3 and light emitting portion 6 and injecting a hole in a layer on a cathode 9 side. The hole injection layer 4 is formed by containing quinoxaline derivative having a cyano group. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子、発光装置、表示装置および電子機器に関するものである。   The present invention relates to a light emitting element, a light emitting device, a display device, and an electronic apparatus.

有機エレクトロルミネッセンス素子(いわゆる有機EL素子)は、陽極と陰極との間に少なくとも1層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。   An organic electroluminescence element (so-called organic EL element) is a light emitting element having a structure in which at least one light emitting organic layer is interposed between an anode and a cathode. In such a light emitting device, by applying an electric field between the cathode and the anode, electrons are injected into the light emitting layer from the cathode side and holes are injected from the anode side, and electrons and holes are injected into the light emitting layer. Recombination generates excitons, and when the excitons return to the ground state, the energy is emitted as light.

このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を積層し、発光させるものが知られている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照)。このような構成の発光素子は、高い電流効率(発光効率)が得られるものの、各層間の界面が多くなるため、駆動電圧が高くなりやすい問題があった。   As such a light-emitting device, for example, a device in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. are laminated between a cathode and an anode to emit light is known. (For example, refer to Patent Document 1 and Non-Patent Document 1). Although the light emitting element having such a configuration can obtain high current efficiency (light emission efficiency), there is a problem that the drive voltage tends to be high because the interface between the layers increases.

特開2007−287691号公報JP 2007-286991 A

Hitoshi Kuma, et.al,SID 07 DIGEST,P1504(2007)Hitachi Kuma, et. al, SID 07 DIGEST, P1504 (2007)

本発明の目的は、比較的低い電圧で駆動することのできる発光素子、かかる発光素子を備えた発光装置、表示装置および電子機器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a light-emitting element that can be driven at a relatively low voltage, a light-emitting device including the light-emitting element, a display device, and an electronic apparatus.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を注入する正孔注入層とを有し、
前記正孔注入層は、シアノ基を有するキノキサリン誘導体を含んで構成されることを特徴とする。
これにより、比較的低い電圧で駆動することのできる発光素子を提供することができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The light emitting device of the present invention comprises a cathode,
The anode,
A light emitting portion that is provided between the cathode and the anode and emits light when a driving voltage is applied;
A hole injection layer that is provided between the anode and the light emitting unit and injects holes into the cathode side layer;
The hole injection layer includes a quinoxaline derivative having a cyano group.
Thus, a light emitting element that can be driven at a relatively low voltage can be provided.

本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、その分子中に2以上のシアノ基を含むことが好ましい。
これにより、正孔注入層は、より効率よく正孔輸送層に正孔を注入することができる。
本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの2量体を骨格として有することが好ましい。
このような化合物を用いた場合、容易に成膜が可能であるため、好適に用いることができる。
In the light emitting device of the present invention, the quinoxaline derivative preferably contains two or more cyano groups in the molecule.
Thereby, the hole injection layer can inject holes into the hole transport layer more efficiently.
In the light-emitting element of the present invention, the quinoxaline derivative preferably has a quinoxaline dimer as a skeleton.
When such a compound is used, it can be preferably used because it can be easily formed into a film.

本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、下記式(1)または下記式(2)で示される化合物であることが好ましい。

Figure 2010225689
Figure 2010225689
このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。
本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの単量体を骨格として有することが好ましい。
このような化合物を用いた場合、容易に成膜が可能であるため、好適に用いることができる。 In the light emitting device of the present invention, the quinoxaline derivative is preferably a compound represented by the following formula (1) or the following formula (2).
Figure 2010225689
Figure 2010225689
Such a compound is particularly excellent in the electron transporting property and the hole injecting property, and the driving voltage at the time of using the light emitting element can be made lower.
In the light emitting device of the present invention, the quinoxaline derivative preferably has a quinoxaline monomer as a skeleton.
When such a compound is used, it can be preferably used because it can be easily formed into a film.

本発明の発光素子では、前記キノキサリン誘導体は、下記式(3)で示される化合物であることが好ましい。

Figure 2010225689
このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。 In the light emitting device of the present invention, the quinoxaline derivative is preferably a compound represented by the following formula (3).
Figure 2010225689
Such a compound is particularly excellent in the electron transporting property and the hole injecting property, and the driving voltage at the time of using the light emitting element can be made lower.

本発明の発光素子では、前記正孔注入層と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を輸送する正孔輸送層を有し、
前記正孔輸送層は、アミン系材料を含むことが好ましい。
アミン系材料は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子を好適に引き抜かれることができ、容易に正孔が注入されることができる材料である。このため、正孔輸送層の構成材料としてアミン系材料を用いることにより、正孔注入層を介して陽極から好適に正孔が注入されることができ、発光素子は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。
In the light emitting device of the present invention, a hole transport layer that is provided between the hole injection layer and the light emitting portion and transports holes to the cathode side layer,
The hole transport layer preferably contains an amine material.
The amine-based material is a material in which electrons can be preferably extracted by a cyano group-containing quinoxaline derivative and holes can be easily injected. Therefore, by using an amine-based material as a constituent material of the hole transport layer, holes can be preferably injected from the anode through the hole injection layer, and the light emitting device has a lower voltage. Can also be suitably driven.

本発明の発光素子では、前記アミン系材料は、下記式(4)で示される化合物であることが好ましい。

Figure 2010225689
このような化合物は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子をより好適に引き抜かれることができ、特に容易に正孔が注入されることができるため、発光素子は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。 In the light emitting device of the present invention, the amine material is preferably a compound represented by the following formula (4).
Figure 2010225689
Such a compound can extract electrons more suitably by a cyano group-containing quinoxaline derivative, and in particular, since holes can be easily injected, the light-emitting element is preferably used even at a lower voltage. It can be driven.

本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、比較的低電圧で駆動できる発光装置を提供することができる。
本発明の表示装置は、本発明の発光装置を備えることを特徴とする。
これにより、比較的低電圧で駆動できる表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、比較的低電圧で駆動できる電子機器を提供することができる。
The light-emitting device of the present invention includes the light-emitting element of the present invention.
Accordingly, a light emitting device that can be driven at a relatively low voltage can be provided.
The display device of the present invention includes the light emitting device of the present invention.
Accordingly, a display device that can be driven at a relatively low voltage can be provided.
An electronic apparatus according to the present invention includes the display device according to the present invention.
Thereby, an electronic device that can be driven at a relatively low voltage can be provided.

本発明の第1実施形態に係る発光素子の縦断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the longitudinal cross-section of the light emitting element which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る発光素子の縦断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the longitudinal cross-section of the light emitting element which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows embodiment of the display apparatus to which the display apparatus of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which an electronic apparatus of the present invention is applied. 本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) to which the electronic device of this invention is applied. 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the digital still camera to which the electronic device of this invention is applied.

以下、本発明の発光素子、発光装置、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光素子の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図1中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a light-emitting element, a light-emitting device, a display device, and an electronic device according to the invention will be described with reference to the accompanying drawings.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram schematically showing a longitudinal section of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG.

図1に示す発光素子(エレクトロルミネッセンス素子)1は、複数種の有機発光材料が、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)に発光することにより、白色発光する有機発光素子である。
このような発光素子1は、陽極3と正孔注入層4と正孔輸送層5と複数の発光層からなる発光部6と電子輸送層7と電子注入層8と陰極9とがこの順に積層されてなるものである。また、発光部6は、陽極3側から陰極9側に、赤色発光層(第1の発光層)61と中間層62と青色発光層(第2の発光層)63と緑色発光層(第3の発光層)64とがこの順に積層された積層体である。
そして、発光素子1は、その全体が基板2上に設けられるとともに、封止部材10で封止されている。
A light-emitting element (electroluminescence element) 1 shown in FIG. 1 is an organic light-emitting element that emits white light when plural types of organic light-emitting materials emit light in R (red), G (green), and B (blue). .
Such a light emitting device 1 includes an anode 3, a hole injection layer 4, a hole transport layer 5, a light emitting part 6 composed of a plurality of light emitting layers, an electron transport layer 7, an electron injection layer 8, and a cathode 9 in this order. It has been made. In addition, the light emitting unit 6 has a red light emitting layer (first light emitting layer) 61, an intermediate layer 62, a blue light emitting layer (second light emitting layer) 63, and a green light emitting layer (third light emitting layer) from the anode 3 side to the cathode 9 side. The light emitting layer) 64 is a laminated body laminated in this order.
The entire light emitting element 1 is provided on the substrate 2 and is sealed with a sealing member 10.

このような発光素子1にあっては、陽極3および陰極9に駆動電圧が印加されることにより、赤色発光層61、青色発光層63、および緑色発光層64に対し、陰極9側から電子が供給(注入)されるとともに、陽極3側から正孔が供給(注入)される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン(励起子)が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー(蛍光やりん光)を放出(発光)する。これにより、発光素子1は、白色発光する。   In such a light emitting element 1, electrons are applied to the red light emitting layer 61, the blue light emitting layer 63, and the green light emitting layer 64 from the cathode 9 side by applying a driving voltage to the anode 3 and the cathode 9. While being supplied (injected), holes are supplied (injected) from the anode 3 side. In each light emitting layer, holes and electrons recombine, and excitons (excitons) are generated by the energy released during the recombination, and energy (fluorescence or phosphorescence) is generated when the excitons return to the ground state. Is emitted (emitted). Thereby, the light emitting element 1 emits white light.

基板2は、陽極3を支持するものである。本実施形態の発光素子1は、基板2側から光を取り出す構成(ボトムエミッション型)であるため、基板2および陽極3は、それぞれ、実質的に透明(無色透明、着色透明または半透明)とされている。
基板2の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような基板2の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜30mm程度であるのが好ましく、0.1〜10mm程度であるのがより好ましい。
The substrate 2 supports the anode 3. Since the light-emitting element 1 of the present embodiment is configured to extract light from the substrate 2 side (bottom emission type), the substrate 2 and the anode 3 are substantially transparent (colorless transparent, colored transparent, or translucent), respectively. Has been.
Examples of the constituent material of the substrate 2 include resin materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, and polyarylate, quartz glass, and soda glass. Such glass materials can be used, and one or more of these can be used in combination.
Although the average thickness of such a board | substrate 2 is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.1-30 mm, and it is more preferable that it is about 0.1-10 mm.

なお、発光素子1が基板2と反対側から光を取り出す構成(トップエミッション型)の場合、基板2には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
In the case where the light emitting element 1 is configured to extract light from the side opposite to the substrate 2 (top emission type), the substrate 2 can be either a transparent substrate or an opaque substrate.
Examples of the opaque substrate include a substrate made of a ceramic material such as alumina, an oxide film (insulating film) formed on the surface of a metal substrate such as stainless steel, and a substrate made of a resin material. It is done.

以下、発光素子1を構成する各部を順次説明する。
[陽極]
陽極3は、後述する正孔注入層4を介して正孔輸送層5に正孔を注入する電極である。この陽極3の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
Hereinafter, each part which comprises the light emitting element 1 is demonstrated sequentially.
[anode]
The anode 3 is an electrode that injects holes into the hole transport layer 5 through a hole injection layer 4 described later. As a constituent material of the anode 3, it is preferable to use a material having a large work function and excellent conductivity.

陽極3の構成材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In、SnO、Sb含有SnO、Al含有ZnO等の酸化物、Au、Pt、Ag、Cuまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極3の平均厚さは、特に限定されないが、10〜200nm程度であるのが好ましく、50〜150nm程度であるのがより好ましい。
Examples of the constituent material of the anode 3 include oxides such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), In 3 O 3 , SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , and Al-containing ZnO, Au, Pt, and Ag. Cu, alloys containing these, and the like can be used, and one or more of these can be used in combination.
The average thickness of the anode 3 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 200 nm, and more preferably about 50 to 150 nm.

[陰極]
一方、陰極9は、後述する電子注入層8を介して電子輸送層7に電子を注入する電極である。この陰極9の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極9の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
[cathode]
On the other hand, the cathode 9 is an electrode that injects electrons into the electron transport layer 7 through an electron injection layer 8 described later. As a constituent material of the cathode 9, it is preferable to use a material having a small work function.
Examples of the constituent material of the cathode 9 include Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Al, Cs, Rb, and alloys containing these. These can be used alone or in combination of two or more thereof (for example, a multi-layer laminate).

特に、陰極9の構成材料として合金を用いる場合には、Ag、Al、Cu等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極9の構成材料として用いることにより、陰極9の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極9の平均厚さは、特に限定されないが、100〜10000nm程度であるのが好ましく、200〜500nm程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子1は、ボトムエミッション型であるため、陰極9に、光透過性は、特に要求されない。
In particular, when an alloy is used as the constituent material of the cathode 9, it is preferable to use an alloy containing a stable metal element such as Ag, Al, or Cu, specifically, an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi. By using such an alloy as the constituent material of the cathode 9, the electron injection efficiency and stability of the cathode 9 can be improved.
Although the average thickness of such a cathode 9 is not specifically limited, It is preferable that it is about 100-10000 nm, and it is more preferable that it is about 200-500 nm.
In addition, since the light emitting element 1 of this embodiment is a bottom emission type, the light transmittance of the cathode 9 is not particularly required.

[正孔注入層]
正孔注入層4は、陽極3からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
本発明において、正孔注入層4は、その構成材料(正孔注入材料)として、シアノ基を有するキノキサリン誘導体(以下、「シアノ基含有キノキサリン誘導体」ともいう。)を含む。本発明は、この点に特徴を有する。
[Hole injection layer]
The hole injection layer 4 has a function of improving the hole injection efficiency from the anode 3.
In the present invention, the hole injection layer 4 includes a quinoxaline derivative having a cyano group (hereinafter, also referred to as “cyano group-containing quinoxaline derivative”) as a constituent material (hole injection material). The present invention is characterized in this respect.

シアノ基含有キノキサリン誘導体は、シアノ基を有するため電子吸引性が高いものである。一方で、シアノ基含有キノキサリン誘導体は、そのキノキサリン骨格が優れた電子輸送性を有するため、電子輸送性に優れている。このような電子吸引性に優れたシアノ基と電子輸送性に優れたキノキサリン骨格とを有するシアノ基含有キノキサリン誘導体は、陽極3から正孔注入層4に正孔が注入された際に、隣接する陰極9側の層(正孔輸送層5)から効率よく電子を引き抜いて隣接する陰極9側の層(正孔輸送層5)に正孔を注入するとともに、引き抜いた電子を効率よく陽極3に輸送することができる。このため、比較的低電圧であっても陽極3から注入される正孔は、発光部6に届きやすいものとなり、発光素子1は、比較的低電圧で駆動できるものとなる。   Since the cyano group-containing quinoxaline derivative has a cyano group, it has a high electron-withdrawing property. On the other hand, a cyano group-containing quinoxaline derivative has an excellent electron transport property because its quinoxaline skeleton has an excellent electron transport property. Such a cyano group-containing quinoxaline derivative having a cyano group excellent in electron withdrawing property and a quinoxaline skeleton excellent in electron transportability is adjacent when holes are injected from the anode 3 into the hole injection layer 4. Electrons are efficiently extracted from the cathode 9 side layer (hole transport layer 5) to inject holes into the adjacent cathode 9 side layer (hole transport layer 5), and the extracted electrons are efficiently supplied to the anode 3. Can be transported. For this reason, even if the voltage is relatively low, holes injected from the anode 3 are likely to reach the light emitting portion 6, and the light emitting element 1 can be driven at a relatively low voltage.

正孔注入材料として用いることのできるシアノ基含有キノキサリン誘導体としては、シアノ基を有するキノキサリン誘導体であれば特に限定されず、例えば、キノキサリンの単量体やキノキサリンの2量体、3量体等のオリゴマー、キノキサリンのポリマー等の各種キノキサリン骨格を有する化合物のシアノ化物が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
シアノ基含有キノキサリン誘導体としては、より具体的には、例えば下記式(5−1)〜式(5−10)で表わされる化合物が挙げられる。
The cyano group-containing quinoxaline derivative that can be used as the hole injection material is not particularly limited as long as it is a quinoxaline derivative having a cyano group, and examples thereof include a quinoxaline monomer, a quinoxaline dimer, and a trimer. Examples include cyanides of compounds having various quinoxaline skeletons such as oligomers and quinoxaline polymers, and one or more of these can be used in combination.
More specifically, examples of the cyano group-containing quinoxaline derivative include compounds represented by the following formulas (5-1) to (5-10).

Figure 2010225689
Figure 2010225689

Figure 2010225689
Figure 2010225689

上述した中でも、キノキサリンの単量体および2量体を骨格として有するシアノ基含有キノキサリン誘導体は、容易に、成膜が可能であるため、好適に用いることができる。これらの化合物を用いた場合、真空蒸着等の気相成膜法で好適に正孔注入層4を形成することができる。
また、キノキサリンの単量体を骨格として有するシアノ基含有キノキサリン誘導体においては、前記式(5−1)で示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体を用いることがより好ましい。このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子1の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。
Among the above, cyano group-containing quinoxaline derivatives having a quinoxaline monomer and a dimer as a skeleton can be easily used because they can be easily formed into a film. When these compounds are used, the hole injection layer 4 can be suitably formed by a vapor deposition method such as vacuum deposition.
Further, in the cyano group-containing quinoxaline derivative having a quinoxaline monomer as a skeleton, it is more preferable to use the cyano group-containing quinoxaline derivative represented by the formula (5-1). Such a compound is particularly excellent in the electron transport property and the hole injection property, and the driving voltage when the light-emitting element 1 is used can be made lower.

また、キノキサリンの2量体を骨格として有するシアノ基含有キノキサリン誘導体においては、前記式(5−5)および/または前記式(5−6)で示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体を用いることがより好ましい。このような化合物は、電子輸送性および正孔注入性に特に優れており、発光素子1の使用時における駆動電圧をより低いものとすることができる。   Moreover, in the cyano group-containing quinoxaline derivative having a quinoxaline dimer as a skeleton, it is more preferable to use the cyano group-containing quinoxaline derivative represented by the formula (5-5) and / or the formula (5-6). . Such a compound is particularly excellent in the electron transport property and the hole injection property, and the driving voltage when the light-emitting element 1 is used can be made lower.

また、シアノ基含有キノキサリン誘導体は、その分子中に2以上のシアノ基を有することが好ましく、4以上のシアノ基を有することがより好ましい。これにより、正孔注入層4は、より効率よく正孔輸送層5に正孔を注入することができる。
また、上述したシアノ基含有キノキサリン誘導体に加えて、他の正孔注入材料が含まれていてもよい。
このような正孔注入材料としては、特に限定されないが、例えば、4,4’,4’’−トリス(N,N−フェニル−3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、下記式(6)に示すN,N’−ビス−(4−ジフェニルアミノ−フェニル)−N, N’−ジフェニル−ビフェニル−4−4’−ジアミン等が挙げられる。
The cyano group-containing quinoxaline derivative preferably has 2 or more cyano groups in the molecule, and more preferably 4 or more cyano groups. Thereby, the hole injection layer 4 can inject holes into the hole transport layer 5 more efficiently.
In addition to the cyano group-containing quinoxaline derivative described above, other hole injection materials may be included.
Such a hole injection material is not particularly limited. For example, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-phenyl-3-methylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA), N, N′-bis- (4-diphenylamino-phenyl) -N, N′-diphenyl-biphenyl-4-4′-diamine and the like represented by the formula (6) can be mentioned.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

このような正孔注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、1〜100nmであるのが好ましく、1〜80nmであるのがより好ましい。これにより、発光素子1の駆動電圧をより低いものとすることができる。
特に、シアノ基含有キノキサリン誘導体がキノキサリンの単量体を骨格として有する場合には、正孔注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、1〜10nmであるのが好ましく、1〜5nmであるのがより好ましい。これにより、シアノ基含有キノキサリン誘導体が結晶化して、正孔注入層4の電気抵抗が高くなるのを防止しつつ、シアノ基含有キノキサリン誘導体の効果を好適に発揮することができる。
Although the average thickness of such a hole injection layer 4 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-100 nm, and it is more preferable that it is 1-80 nm. Thereby, the drive voltage of the light emitting element 1 can be made lower.
In particular, when the cyano group-containing quinoxaline derivative has a quinoxaline monomer as a skeleton, the average thickness of the hole injection layer 4 is not particularly limited, but is preferably 1 to 10 nm, preferably 1 to 5 nm. More preferably. Thereby, the effect of the cyano group-containing quinoxaline derivative can be suitably exhibited while preventing the cyano group-containing quinoxaline derivative from crystallizing and increasing the electrical resistance of the hole injection layer 4.

[正孔輸送層]
正孔輸送層5は、正孔注入層4と接触して設けられており、陽極3から正孔注入層4を介して注入された正孔を赤色発光層61まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層5の構成材料には、各種p型の高分子材料や、各種p型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、アミンをその化学構造中に有するアミン系材料を用いることができる。
[Hole transport layer]
The hole transport layer 5 is provided in contact with the hole injection layer 4 and has a function of transporting holes injected from the anode 3 through the hole injection layer 4 to the red light emitting layer 61. is there.
As the constituent material of the hole transport layer 5, various p-type polymer materials and various p-type low-molecular materials can be used alone or in combination. For example, an amine-based material having an amine in its chemical structure. Materials can be used.

アミン系材料は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子を好適に引き抜かれることができ、容易に正孔が注入されることができる材料である。このため、正孔輸送層5の構成材料としてアミン系材料を用いることにより、正孔注入層4を介して陽極3から好適に正孔が注入されることができ、発光素子1は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。   The amine-based material is a material in which electrons can be preferably extracted by a cyano group-containing quinoxaline derivative and holes can be easily injected. For this reason, by using an amine-based material as the constituent material of the hole transport layer 5, holes can be suitably injected from the anode 3 through the hole injection layer 4, and the light emitting element 1 is lower. Even a voltage can be suitably driven.

アミン系材料としては、例えば、下記式(4)に示されるN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the amine-based material include N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-diphenyl-4,4′-diamine represented by the following formula (4) (α -NPD), tetraarylbenzidine derivatives such as N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (TPD), tetraaryldiamino A fluorene compound or a derivative thereof can be used, and one or more of these can be used in combination.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

特に、上述した中でも、アミン系材料としては、上記式(4)に示されるN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)を用いることが好ましい。このような化合物は、シアノ基含有キノキサリン誘導体により電子を、より好適に引き抜かれることができ、特に容易に正孔が注入されることができるため、発光素子1は、より低い電圧であっても好適に駆動できるものとなる。
このような正孔輸送層5の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであるのが好ましく、10〜100nmであるのがより好ましい。
In particular, among the above-described amine materials, N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-diphenyl-4,4 ′ represented by the above formula (4) is used. It is preferable to use a diamine (α-NPD). Such a compound can draw out electrons more suitably by a cyano group-containing quinoxaline derivative, and in particular, holes can be easily injected. Therefore, the light-emitting element 1 can be operated at a lower voltage. It can be suitably driven.
The average thickness of the hole transport layer 5 is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 nm, and more preferably 10 to 100 nm.

[発光部]
上述したように、発光部6は、陽極3側から、赤色発光層(第1の発光層)61と中間層62と、青色発光層(第2の発光層)63と緑色発光層(第3の発光層)64とが積層された積層体である。
[Light emitting part]
As described above, the light emitting unit 6 includes the red light emitting layer (first light emitting layer) 61, the intermediate layer 62, the blue light emitting layer (second light emitting layer) 63, and the green light emitting layer (third light emitting layer) from the anode 3 side. The light emitting layer) 64 is laminated.

(赤色発光層)
この赤色発光層(第1の発光層)61は、赤色(第1の色)に発光する赤色発光材料(第1の発光材料)を含んで構成されている。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Red light emitting layer)
The red light emitting layer (first light emitting layer) 61 includes a red light emitting material (first light emitting material) that emits red light (first color).
Such a red light emitting material is not particularly limited, and various red fluorescent materials and red phosphorescent materials can be used singly or in combination.

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記式(7)に示すテトラアリールジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、2−(1,1−ジメチルエチル)−6−(2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ(ij)キノリジン−9−イル)エテニル)−4H−ピラン−4H−イリデン)プロパンジニトリル(DCJTB)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)等を挙げられる。   The red fluorescent material is not particularly limited as long as it emits red fluorescence. For example, a perylene derivative such as a tetraaryldiindenoperylene derivative represented by the following formula (7), a europium complex, a benzopyran derivative, a rhodamine derivative, Benzothioxanthene derivative, porphyrin derivative, Nile red, 2- (1,1-dimethylethyl) -6- (2- (2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H) , 5H-benzo (ij) quinolizin-9-yl) ethenyl) -4H-pyran-4H-ylidene) propanedinitrile (DCJTB), 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) ) -4H-pyran (DCM) and the like.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも1つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス(1−フェニルイソキノリン)イリジウム、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム(アセチルアセトネート)(btp2Ir(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−12H,23H−ポルフィリン−白金(II)、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム、ビス(2−フェニルピリジン)イリジウム(アセチルアセトネート)が挙げられる。 The red phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits red phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Among the ligands of these metal complexes, And those having at least one of phenylpyridine skeleton, bipyridyl skeleton, porphyrin skeleton and the like. More specifically, tris (1-phenylisoquinoline) iridium, bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinate-N, C 3 ′] iridium (acetylacetonate) (btp2Ir ( acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-12H, 23H-porphyrin-platinum (II), bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl ) Pyridinate-N, C 3 '] iridium, bis (2-phenylpyridine) iridium (acetylacetonate).

また、赤色発光層61の構成材料としては、前述したような赤色発光材料に加えて、この赤色発光材料をゲスト材料とするホスト材料(第1のホスト材料)を用いてもよい。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動(フェルスター移動またはデクスター移動)させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このような第1のホスト材料は、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとして第1のホスト材料にドープして用いることができる。   Further, as a constituent material of the red light emitting layer 61, in addition to the red light emitting material as described above, a host material (first host material) using this red light emitting material as a guest material may be used. This host material recombines holes and electrons to generate excitons, and excites the red light-emitting material by transferring the exciton energy to the red light-emitting material (Felster movement or Dexter movement). It has a function. Such a first host material can be used, for example, by doping the first host material with a red light emitting material, which is a guest material, as a dopant.

このような第1のホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記式(8)に示すようなアントラセン誘導体、2−t−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(TBADN)等のアントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの4量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、下記式(9)に示されるナフタセン誘導体等のナフタセンおよびその誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、4,4’−ビス(2,2’−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。
また、赤色発光材料が赤色燐光材料を含む場合、第1のホスト材料としては、例えば、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニルカルバゾール、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。
Such a first host material is not particularly limited as long as it exhibits the above-described function with respect to the red light emitting material to be used. When the red light emitting material includes a red fluorescent material, for example, Styrylarylene derivatives, anthracene derivatives as shown in the following formula (8), anthracene derivatives such as 2-t-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (TBADN), perylene derivatives, distyrylbenzene derivatives, di A styrylamine derivative, a quinolinolato-based metal complex such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ), a triarylamine derivative such as a tetramer of triphenylamine, an oxadiazole derivative, represented by the following formula (9) Naphthacene such as naphthacene derivatives and derivatives thereof, silole derivatives, dicarbazole Conductors, oligothiophene derivatives, benzopyran derivatives, triazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives, 4,4′-bis (2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi), and the like. One kind can be used alone, or two or more kinds can be used in combination.
Further, when the red light emitting material includes a red phosphorescent material, examples of the first host material include 3-phenyl-4- (1′-naphthyl) -5-phenylcarbazole, 4,4′-N, N ′. -Carbazole derivatives, such as dicarbazole biphenyl (CBP), etc. are mentioned, Among these, it can also be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

Figure 2010225689
Figure 2010225689

赤色発光層61に第1のホスト材料が含まる場合、赤色発光層61中における赤色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.01〜10wt%であるのが好ましく、0.1〜5wt%であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、後述する青色発光層63や緑色発光層64の発光量とのバランスをとりつつ赤色発光層61を発光させることができる。
また、赤色発光層61の平均厚さは、特に限定されないが、1〜20nm程度であるのが好ましく、3〜5nm程度であるのがより好ましい。
When the first host material is included in the red light emitting layer 61, the content (dope amount) of the red light emitting material in the red light emitting layer 61 is preferably 0.01 to 10 wt%, and preferably 0.1 to 5 wt%. % Is more preferred. By setting the content of the red light emitting material in such a range, the light emission efficiency can be optimized, and the red light emitting layer is balanced with the light emitting amount of the blue light emitting layer 63 and the green light emitting layer 64 described later. 61 can emit light.
Moreover, although the average thickness of the red light emitting layer 61 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-20 nm, and it is more preferable that it is about 3-5 nm.

(中間層)
この中間層62は、前述した赤色発光層61と後述する青色発光層63との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層62は、青色発光層63から赤色発光層61へ輸送される電子の量を調節する機能を有する。また、中間層62は、赤色発光層61から青色発光層63へ輸送される正孔の量を調節する機能を有する。また、中間層62は、赤色発光層61と青色発光層63との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、赤色発光層61および青色発光層63をそれぞれ効率よく発光させることができる。この結果、各発光層をバランスよく発光させることができ、発光素子1は目的とする色(本実施形態では白色)を発光することができるものとなるとともに、発光素子1の発光効率および発光寿命の向上を図ることができる。
(Middle layer)
The intermediate layer 62 is provided between and in contact with the red light emitting layer 61 described above and a blue light emitting layer 63 described later. The intermediate layer 62 has a function of adjusting the amount of electrons transported from the blue light emitting layer 63 to the red light emitting layer 61. The intermediate layer 62 has a function of adjusting the amount of holes transported from the red light emitting layer 61 to the blue light emitting layer 63. The intermediate layer 62 has a function of preventing exciton energy from moving between the red light emitting layer 61 and the blue light emitting layer 63. With this function, the red light emitting layer 61 and the blue light emitting layer 63 can each emit light efficiently. As a result, each light emitting layer can emit light in a well-balanced manner, and the light emitting element 1 can emit the target color (white in the present embodiment), and the light emission efficiency and light emission lifetime of the light emitting element 1. Can be improved.

このような中間層62の構成材料としては、中間層62が前述したような機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、正孔を輸送する機能を有する材料(正孔輸送材料)、電子を輸送する機能を有する材料(電子輸送材料)等を用いることができる。
このような中間層62に用いられる正孔輸送材料としては、中間層62が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有するアミン系材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。
The constituent material of the intermediate layer 62 is not particularly limited as long as the intermediate layer 62 can exhibit the functions as described above. For example, a material having a function of transporting holes (a positive layer) Hole transport material), a material having a function of transporting electrons (electron transport material), and the like can be used.
The hole transport material used for such an intermediate layer 62 is not particularly limited as long as the intermediate layer 62 exhibits the function as described above. An amine-based material having a skeleton can be used, but a benzidine-based amine derivative is preferably used.

特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層62に用いられるアミン系材料としては、2つ以上の芳香環基を導入したものが好ましく、テトラアリールベンジジン誘導体がより好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、前記式(4)に示されるN,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)や、N,N,N’,N’−テトラナフチル−ベンジジン(TNB)などが挙げられる。このようなアミン系材料は、一般に、正孔輸送性に優れている。したがって、赤色発光層61から中間層62を介して青色発光層63へ正孔を円滑に受け渡すことができる。   In particular, among benzidine-based amine derivatives, the amine-based material used for the intermediate layer 62 is preferably a material into which two or more aromatic ring groups are introduced, and a tetraarylbenzidine derivative is more preferable. Examples of such benzidine-based amine derivatives include N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl [1,1′-biphenyl] -4,4 represented by the formula (4). Examples include '-diamine (α-NPD) and N, N, N', N'-tetranaphthyl-benzidine (TNB). Such an amine-based material is generally excellent in hole transportability. Therefore, holes can be smoothly transferred from the red light emitting layer 61 to the blue light emitting layer 63 via the intermediate layer 62.

中間層62に用いることができる電子輸送材料としては、中間層62が前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、アセン系材料を用いることができる。アセン系材料は、電子輸送性に優れるため、青色発光層63から中間層62を介して赤色発光層61へ電子を円滑に受け渡すことができる。また、アセン系材料は励起子に対する体制に優れているため、中間層62の励起子による劣化を防止または抑制し、その結果、発光素子1の耐久性を優れたものとすることができる。   The electron transport material that can be used for the intermediate layer 62 is not particularly limited as long as the intermediate layer 62 exhibits the functions described above, and for example, an acene-based material can be used. Since the acene-based material is excellent in electron transport properties, electrons can be smoothly transferred from the blue light emitting layer 63 to the red light emitting layer 61 through the intermediate layer 62. In addition, since the acene-based material has an excellent structure for excitons, deterioration of the intermediate layer 62 due to excitons can be prevented or suppressed, and as a result, the durability of the light-emitting element 1 can be improved.

このようなアセン系材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体を用いるのが好ましく、アントラセン誘導体を用いることがより好ましい。アントラセン誘導体としては、例えば、前記式(8)に示されるアントラセン誘導体、2−t−ブチル−9,10−ジ−2−ナフチルアントラセン(TBADN)等が挙げられる。
また、中間層62の平均厚さは、特に限定されないが、5〜50nm程度であるのが好ましく、10〜30nm程度であるのがより好ましい。
Examples of such acene-based materials include naphthalene derivatives, anthracene derivatives, tetracene derivatives, pentacene derivatives, hexacene derivatives, heptacene derivatives, and the like, and one or more of these can be used in combination. , Naphthalene derivatives and anthracene derivatives are preferably used, and anthracene derivatives are more preferably used. Examples of the anthracene derivative include an anthracene derivative represented by the formula (8), 2-t-butyl-9,10-di-2-naphthylanthracene (TBADN), and the like.
Further, the average thickness of the intermediate layer 62 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 50 nm, and more preferably about 10 to 30 nm.

(青色発光層)
青色発光層(第2の発光層)63は、青色(第2の色)に発光する青色発光材料(第2の発光材料)を含んで構成されている。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Blue light emitting layer)
The blue light emitting layer (second light emitting layer) 63 includes a blue light emitting material (second light emitting material) that emits blue light (second color).
Such a blue light emitting material is not particularly limited, and various blue fluorescent materials and blue phosphorescent materials can be used alone or in combination of two or more.

青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、下記式(10)で示されるジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、4,4’−ビス(9−エチル−3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)、ポリ[(9.9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(2,5−ジメトキシベンゼン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジヘキシルオキシフルオレン−2,7−ジイル)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−{2−エトキシヘキシルオキシ}フェニレン−1,4−ジイル)]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(エチルニルベンゼン)]等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。   The blue fluorescent material is not particularly limited as long as it emits blue fluorescence. For example, a distyrylamine derivative such as a distyryldiamine compound represented by the following formula (10), a fluoranthene derivative, a pyrene derivative, perylene And perylene derivatives, anthracene derivatives, benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, benzimidazole derivatives, chrysene derivatives, phenanthrene derivatives, distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene, 4,4'-bis (9-ethyl-3-carbazovinylene)- 1,1′-biphenyl (BCzVBi), poly [(9.9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2,5-dimethoxybenzene-1,4-diyl)], poly [(9, 9-dihexyloxyfluorene-2,7-diyl -Ortho-co- (2-methoxy-5- {2-ethoxyhexyloxy} phenylene-1,4-diyl)], poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (ethyl Nilbenzene)] and the like, and one of these may be used alone or two or more of them may be used in combination.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。より具体的には、ビス[4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C’]−ピコリネート−イリジウム、トリス[2−(2,4−ジフルオロフェニル)ピリジネート−N,C’]イリジウム、ビス[2−(3,5−トリフルオロメチル)ピリジネート−N,C’]−ピコリネート−イリジウム、ビス(4,6−ジフルオロフェニルピリジネート−N,C’)イリジウム(アセチルアセトネート)が挙げられる。 The blue phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits blue phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. More specifically, bis [4,6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, tris [2- (2,4-difluorophenyl) pyridinate -N, C 2'] iridium , bis [2- (3,5-trifluoromethyl) pyridinate -N, C 2 '] - picolinate - iridium, bis (4,6-difluorophenyl pyridinium sulfonate -N, C 2') iridium (acetylacetonate ).

また、青色発光層63の構成材料としては、前述したような青色発光材料に加えて、この青色発光材料をゲスト材料とするホスト材料(第2のホスト材料)を用いてもよい。青色発光層63に用いることのできる第2のホスト材料としては、前述した赤色発光層61の第1のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
青色発光層63が第2のホスト材料を含む場合、青色発光層63中における青色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.01〜20wt%であるのが好ましく、1〜15wt%であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層61や後述する緑色発光層64の発光量とのバランスをとりつつ青色発光層63を発光させることができる。
また、青色発光層63の平均厚さは、特に限定されないが、5〜50nm程度であるのが好ましく、10〜40nm程度であるのがより好ましい。
Further, as a constituent material of the blue light emitting layer 63, in addition to the blue light emitting material as described above, a host material (second host material) using the blue light emitting material as a guest material may be used. As the second host material that can be used for the blue light-emitting layer 63, the same host material as the first host material of the red light-emitting layer 61 described above can be used.
When the blue light emitting layer 63 includes the second host material, the content (dope amount) of the blue light emitting material in the blue light emitting layer 63 is preferably 0.01 to 20 wt%, and preferably 1 to 15 wt%. Is more preferable. By setting the content of the blue light emitting material within such a range, the light emission efficiency can be optimized, and the blue light emitting layer is balanced with the light emitting amount of the red light emitting layer 61 and the green light emitting layer 64 described later. 63 can emit light.
The average thickness of the blue light-emitting layer 63 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 50 nm, and more preferably about 10 to 40 nm.

(緑色発光層)
緑色発光層(第3の発光層)64は、緑色(第3の色)に発光する緑色発光材料(第3の発光材料)を含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
(Green light emitting layer)
The green light emitting layer (third light emitting layer) 64 includes a green light emitting material (third light emitting material) that emits green light (third color).
Such a green light emitting material is not particularly limited, and various green fluorescent materials and green phosphorescent materials can be used singly or in combination.

緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、下記式(11)に示すキナクリドン誘導体等のキナクリドンおよびその誘導体、9,10−ビス[(9−エチル−3−カルバゾール)−ビニレニル]−アントラセン、ポリ(9,9−ジヘキシル−2,7−ビニレンフルオレニレン)、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−コ−(1,4−ジフェニレン−ビニレン−2−メトキシ−5−{2−エチルヘキシルオキシ}ベンゼン)]、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニレン)−オルト−コ−(2−メトキシ−5−(2−エトキシルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン)]等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。   The green fluorescent material is not particularly limited as long as it emits green fluorescence. For example, coumarin derivatives, quinacridones such as quinacridone derivatives represented by the following formula (11) and derivatives thereof, 9,10-bis [(9- Ethyl-3-carbazole) -vinylenyl] -anthracene, poly (9,9-dihexyl-2,7-vinylenefluorenylene), poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- ( 1,4-diphenylene-vinylene-2-methoxy-5- {2-ethylhexyloxy} benzene)], poly [(9,9-dioctyl-2,7-divinylenefluorenylene) -ortho-co- (2 -Methoxy-5- (2-ethoxylhexyloxy) -1,4-phenylene)], etc., and one of these may be used alone or two or more may be combined. It is also possible to use Te Align.

Figure 2010225689
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緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられる。中でも、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも1つが、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものが好ましい。より具体的には、ファク−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジネート−N,C’)イリジウム(アセチルアセトネート)、ファク−トリス[5−フルオロ−2−(5−トリフルオロメチル−2−ピリジン)フェニル−C,N]イリジウムが挙げられる。
また、緑色発光層64はホスト材料(第3のホスト材料)を含んでいてもよい。緑色発光層64の第3のホスト材料としては、前述した赤色発光層61のホスト材料と同様のホスト材料を用いることができる。
The green phosphorescent material is not particularly limited as long as it emits green phosphorescence, and examples thereof include metal complexes such as iridium, ruthenium, platinum, osmium, rhenium, and palladium. Among these, at least one of the ligands of these metal complexes preferably has a phenylpyridine skeleton, a bipyridyl skeleton, a porphyrin skeleton, or the like. More specifically, fac - tris (2-phenylpyridine) iridium (Ir (ppy) 3), bis (2-phenyl-pyridinium sulfonate -N, C 2 ') iridium (acetylacetonate), fac - tris [ 5-fluoro-2- (5-trifluoromethyl-2-pyridine) phenyl-C, N] iridium.
Further, the green light emitting layer 64 may contain a host material (third host material). As the third host material of the green light emitting layer 64, the same host material as the host material of the red light emitting layer 61 described above can be used.

緑色発光層64が第3のホスト材料を含む場合、緑色発光層64中における緑色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.01〜20wt%であるのが好ましく、0.5〜15wt%であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層61や青色発光層63の発光量とのバランスをとりつつ緑色発光層64を発光させることができる。
また、緑色発光層64の平均厚さは、特に限定されないが、5〜50nm程度であるのが好ましく、10〜40nm程度であるのがより好ましい。
When the green light emitting layer 64 includes the third host material, the content (dope amount) of the green light emitting material in the green light emitting layer 64 is preferably 0.01 to 20 wt%, and 0.5 to 15 wt%. It is more preferable that By setting the content of the green light emitting material in such a range, the light emission efficiency can be optimized, and the green light emitting layer 64 can be formed while balancing the light emitting amount of the red light emitting layer 61 and the blue light emitting layer 63. Can emit light.
Moreover, the average thickness of the green light emitting layer 64 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 50 nm, and more preferably about 10 to 40 nm.

(電子輸送層)
電子輸送層7は、陰極9から電子注入層8を介して注入された電子を緑色発光層64に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層7の構成材料(電子輸送材料)としては、例えば、下記式(12)に示すトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)等の8−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、下記式(13)に示される化合物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
(Electron transport layer)
The electron transport layer 7 has a function of transporting electrons injected from the cathode 9 through the electron injection layer 8 to the green light emitting layer 64.
As a constituent material (electron transport material) of the electron transport layer 7, for example, 8-quinolinol or a derivative thereof such as tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) represented by the following formula (12) is used as a ligand. Examples include quinoline derivatives such as organometallic complexes, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, compounds represented by the following formula (13), and the like. One or two or more of them can be used in combination.

Figure 2010225689
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Figure 2010225689
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電子輸送層7の平均厚さは、特に限定されないが、0.5〜100nm程度であるのが好ましく、1〜50nm程度であるのがより好ましい。   Although the average thickness of the electron carrying layer 7 is not specifically limited, It is preferable that it is about 0.5-100 nm, and it is more preferable that it is about 1-50 nm.

(電子注入層)
電子注入層8は、陰極9からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層8の構成材料(電子注入材料)としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
(Electron injection layer)
The electron injection layer 8 has a function of improving the electron injection efficiency from the cathode 9.
Examples of the constituent material (electron injection material) of the electron injection layer 8 include various inorganic insulating materials and various inorganic semiconductor materials.

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド(酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物)、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物(アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等)は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層8を構成することにより、発光素子1は、高い輝度が得られるものとなる。   Examples of such inorganic insulating materials include alkali metal chalcogenides (oxides, sulfides, selenides, tellurides), alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides. Of these, one or two or more of these can be used in combination. By forming the electron injection layer using these as main materials, the electron injection property can be further improved. In particular, alkali metal compounds (alkali metal chalcogenides, alkali metal halides, and the like) have a very low work function, and the light-emitting element 1 can be obtained with high luminance by forming the electron injection layer 8 using the work function. Become.

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、LiO、LiO、NaS、NaSe、NaO等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF、BaF、SrF、MgF、BeF等が挙げられる。
Examples of the alkali metal chalcogenide include Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO.
Examples of the alkaline earth metal chalcogenide include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, MgO, and CaSe.
Examples of the alkali metal halide include CsF, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl.
Examples of the alkaline earth metal halide include CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 , and BeF 2 .

また、無機半導体材料としては、例えば、Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnのうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層8の平均厚さは、特に限定されないが、0.1〜1000nm程度であるのが好ましく、0.2〜100nm程度であるのがより好ましく、0.2〜50nm程度であるのがさらに好ましい。
In addition, as the inorganic semiconductor material, for example, an oxide including at least one element of Li, Na, Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn , Nitrides, oxynitrides, and the like, and one or more of these can be used in combination.
The average thickness of the electron injection layer 8 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 1000 nm, more preferably about 0.2 to 100 nm, and about 0.2 to 50 nm. Further preferred.

(封止部材)
封止部材10は、陽極3、積層体15、および陰極9を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材10を設けることにより、発光素子1の信頼性の向上や、変質・劣化の防止(耐久性向上)等の効果が得られる。
封止部材10の構成材料としては、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材10の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材10と陽極3、積層体15、および陰極9との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
また、封止部材10は、平板状として、基板2と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
以上のように構成された発光素子1によれば、正孔注入層4にシアノ基含有キノキサリン誘導体が含まれることにより、発光部6へ効率よく正孔が注入され、発光素子1の駆動電圧が低いものとなる。また、低電圧で効率よく発光させることができることから、発光素子1の発光寿命も長いものとなる。
(Sealing member)
The sealing member 10 is provided so as to cover the anode 3, the laminate 15, and the cathode 9, and has a function of hermetically sealing them and blocking oxygen and moisture. By providing the sealing member 10, effects such as improvement of the reliability of the light emitting element 1 and prevention of deterioration / deterioration (improvement of durability) can be obtained.
Examples of the constituent material of the sealing member 10 include Al, Au, Cr, Nb, Ta, Ti, alloys containing these, silicon oxide, various resin materials, and the like. In addition, when using the material which has electroconductivity as a constituent material of the sealing member 10, in order to prevent a short circuit, it is required between the sealing member 10 and the anode 3, the laminated body 15, and the cathode 9. Accordingly, it is preferable to provide an insulating film.
Further, the sealing member 10 may be formed in a flat plate shape so as to face the substrate 2 and be sealed with a sealing material such as a thermosetting resin.
According to the light-emitting element 1 configured as described above, the hole injection layer 4 includes the cyano group-containing quinoxaline derivative, so that holes are efficiently injected into the light-emitting portion 6 and the driving voltage of the light-emitting element 1 is increased. It will be low. In addition, since the light can be efficiently emitted at a low voltage, the light emission lifetime of the light emitting element 1 is also long.

以上のような発光素子1は、例えば、次のようにして製造することができる。
[1] まず、基板2を用意し、この基板2上に陽極3を形成する。
陽極3は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
The above light emitting element 1 can be manufactured as follows, for example.
[1] First, the substrate 2 is prepared, and the anode 3 is formed on the substrate 2.
The anode 3 is, for example, a chemical vapor deposition method (CVD) such as plasma CVD or thermal CVD, a dry plating method such as vacuum deposition, a wet plating method such as electrolytic plating, a thermal spraying method, a sol-gel method, a MOD method, or a metal foil. It can be formed by using, for example, bonding.

[2] 次に、陽極3上に正孔注入層4を形成する。
正孔注入層4は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層4は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極3上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[2] Next, the hole injection layer 4 is formed on the anode 3.
The hole injection layer 4 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
In addition, the hole injection layer 4 is dried (desolvent or desolvent) after supplying the hole injection layer forming material obtained by, for example, dissolving the hole injection material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the anode 3. It can also be formed by using a dispersion medium.

正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層4を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。
As a method for supplying the hole injection layer forming material, for example, various coating methods such as a spin coating method, a roll coating method, and an ink jet printing method can be used. By using such a coating method, the hole injection layer 4 can be formed relatively easily.
Examples of the solvent or dispersion medium used for the preparation of the hole injection layer forming material include various inorganic solvents, various organic solvents, or mixed solvents containing these.
The drying can be performed, for example, by standing in an atmospheric pressure or a reduced pressure atmosphere, heat treatment, or blowing an inert gas.

また、本工程に先立って、陽極3の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極3の上面を親液性を付与すること、陽極3の上面に付着する有機物を除去(洗浄)すること、陽極3の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー100〜800W程度、酸素ガス流量50〜100mL/min程度、被処理部材(陽極3)の搬送速度0.5〜10mm/sec程度、基板2の温度70〜90℃程度とするのが好ましい。
なお、シアノ基含有キノキサリン誘導体がキノキサリンの単量体または2量体を骨格として有する場合、気相プロセスを用いて好適に、正孔注入層4を形成することができる。
Prior to this step, the upper surface of the anode 3 may be subjected to oxygen plasma treatment. Thereby, it is possible to impart lyophilicity to the upper surface of the anode 3, remove (clean) organic substances adhering to the upper surface of the anode 3, adjust the work function near the upper surface of the anode 3, and the like. .
Here, the oxygen plasma treatment conditions include, for example, a plasma power of about 100 to 800 W, an oxygen gas flow rate of about 50 to 100 mL / min, a conveyance speed of the member to be treated (anode 3) of about 0.5 to 10 mm / sec, and a substrate. The temperature of 2 is preferably about 70 to 90 ° C.
When the cyano group-containing quinoxaline derivative has a quinoxaline monomer or dimer as a skeleton, the hole injection layer 4 can be suitably formed using a gas phase process.

[3] 次に、正孔注入層4上に正孔輸送層5を形成する。
正孔輸送層5は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層4上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[3] Next, the hole transport layer 5 is formed on the hole injection layer 4.
The hole transport layer 5 can be formed, for example, by a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering.
Further, by supplying a hole transport layer forming material obtained by dissolving a hole transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the hole injection layer 4, drying (desolvation or dedispersion medium) is performed. Can also be formed.

[4] 次に、正孔輸送層5上に、赤色発光層61を形成する。
赤色発光層61は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[5] 次に、赤色発光層61上に、中間層62を形成する。
中間層62は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[4] Next, the red light emitting layer 61 is formed on the hole transport layer 5.
The red light emitting layer 61 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
[5] Next, the intermediate layer 62 is formed on the red light emitting layer 61.
The intermediate layer 62 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.

[6] 次に、中間層62上に、青色発光層63を形成する。
青色発光層63は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[7] 次に、青色発光層63上に、緑色発光層64を形成する。
緑色発光層64は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[6] Next, the blue light emitting layer 63 is formed on the intermediate layer 62.
The blue light emitting layer 63 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the like.
[7] Next, the green light emitting layer 64 is formed on the blue light emitting layer 63.
The green light emitting layer 64 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition, sputtering, or the like.

[8] 次に、緑色発光層64上に電子輸送層7を形成する。
電子輸送層7は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層7は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層64上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
[8] Next, the electron transport layer 7 is formed on the green light emitting layer 64.
The electron transport layer 7 can be formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition, sputtering, or the like.
In addition, the electron transport layer 7 is dried (desolvent or dedispersed) after supplying an electron transport layer forming material obtained by, for example, dissolving an electron transport material in a solvent or dispersing in a dispersion medium onto the green light emitting layer 64. It can also be formed by the medium.

[9] 次に、電子輸送層7上に、電子注入層8を形成する。
電子注入層8の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層8は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
[10] 次に、電子注入層8上に、陰極9を形成する。
陰極9は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子1が得られる。
最後に、得られた発光素子1を覆うように封止部材10を被せ、基板2に接合する。
[9] Next, the electron injection layer 8 is formed on the electron transport layer 7.
In the case where an inorganic material is used as the constituent material of the electron injection layer 8, the electron injection layer 8 is formed by, for example, a vapor phase process using a CVD method, a dry plating method such as vacuum deposition or sputtering, or the application and baking of inorganic fine particle ink. Etc. can be used.
[10] Next, the cathode 9 is formed on the electron injection layer 8.
The cathode 9 can be formed by using, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, bonding of metal foil, application and firing of metal fine particle ink, or the like.
The light emitting element 1 is obtained through the steps as described above.
Finally, the sealing member 10 is covered so as to cover the obtained light emitting element 1 and bonded to the substrate 2.

<第2実施形態>
図2は、本発明の発光素子の第2実施形態の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図2中の上側、すなわち陰極9側を「上」、下側、すなわち陽極3側を「下」として説明を行う。
本実施形態にかかる発光素子1Aは、発光部6Aが一層の発光層であること以外は、前述した第1実施形態の発光素子1と同様である。
<Second Embodiment>
FIG. 2 is a view schematically showing a longitudinal section of a second embodiment of the light emitting device of the present invention. In the following description, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 2, that is, the cathode 9 side is described as “up”, and the lower side, that is, the anode 3 side is described as “lower”.
The light emitting element 1A according to the present embodiment is the same as the light emitting element 1 of the first embodiment described above except that the light emitting portion 6A is a single light emitting layer.

発光部6Aは、発光材料を含んで構成されている。
発光部6Aに用いることのできる発光材料としては、特に限定されず、上述した赤色発光材料、青色発光材料、緑色発光材料等を適宜1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
また、発光部6Aには、発光材料を担持するホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、上述した第1の実施形態の赤色発光層61に用いることのできるホスト材料が挙げられる。
以上のような構成によっても、本発明の第1実施形態と同様の効果が得られる。
The light emitting unit 6A is configured to include a light emitting material.
The light-emitting material that can be used for the light-emitting portion 6A is not particularly limited, and the above-described red light-emitting material, blue light-emitting material, green light-emitting material, and the like can be appropriately used singly or in combination.
In addition, the light emitting portion 6A may include a host material that supports the light emitting material.
As such a host material, the host material which can be used for the red light emitting layer 61 of 1st Embodiment mentioned above is mentioned.
Even with the configuration as described above, the same effects as those of the first embodiment of the present invention can be obtained.

上述したような発光素子1、1Aは、例えば、発光装置(本発明の発光装置)に用いることができる。
このような発光装置は、前述したような発光素子1、1Aを備えるため、比較的低電圧で駆動できるものとなっている。
また、このような発光装置は、例えば照明等に用いる光源等として使用することができる。
また、発光装置中の複数の発光素子1をマトリックス状に配置することにより、ディスプレイ装置に用いる発光装置を構成することができる。
The light-emitting elements 1 and 1A as described above can be used for, for example, a light-emitting device (the light-emitting device of the present invention).
Since such a light-emitting device includes the light-emitting elements 1 and 1A as described above, the light-emitting device can be driven at a relatively low voltage.
Further, such a light emitting device can be used as a light source used for illumination, for example.
Moreover, the light-emitting device used for a display apparatus can be comprised by arrange | positioning the several light emitting element 1 in a light-emitting device in matrix form.

次に、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の一例について説明する。
図2は、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図2に示すディスプレイ装置100は、サブ画素100R、100G、100Bに対応して設けられた複数の発光素子1R、1G、1Bを備える発光装置101と、カラーフィルタ19R、19G、19Bとを有している。ここで、ディスプレイ装置100は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
Next, an example of a display device to which the display device of the present invention is applied will be described.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a display device to which the display device of the present invention is applied.
The display device 100 illustrated in FIG. 2 includes a light emitting device 101 including a plurality of light emitting elements 1R, 1G, and 1B provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, and color filters 19R, 19G, and 19B. ing. Here, the display device 100 is a display panel having a top emission structure. The driving method of the display device is not particularly limited, and may be either an active matrix method or a passive matrix method.

発光装置101は、基板21と発光素子1R、1G、1Bと、駆動用トランジスタ24とを有している。
基板21上には、複数の駆動用トランジスタ24が設けられ、これらの駆動用トランジスタ24を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層22が形成されている。
各駆動用トランジスタ24は、シリコンからなる半導体層241と、半導体層241上に形成されたゲート絶縁層242と、ゲート絶縁層242上に形成されたゲート電極243と、ソース電極244と、ドレイン電極245とを有している。
平坦化層22上には、各駆動用トランジスタ24に対応して発光素子1R、1G、1Bが設けられている。
The light emitting device 101 includes a substrate 21, light emitting elements 1R, 1G, and 1B, and a driving transistor 24.
A plurality of driving transistors 24 are provided on the substrate 21, and a planarizing layer 22 made of an insulating material is formed so as to cover these driving transistors 24.
Each driving transistor 24 includes a semiconductor layer 241 made of silicon, a gate insulating layer 242 formed on the semiconductor layer 241, a gate electrode 243 formed on the gate insulating layer 242, a source electrode 244, and a drain electrode. H.245.
On the planarization layer 22, light emitting elements 1R, 1G, and 1B are provided corresponding to the driving transistors 24, respectively.

発光素子1Rは、平坦化層22上に、反射膜32、腐食防止膜33、陽極3、積層体15、陰極9、陰極カバー34がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子1R、1G、1Bの陽極3は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ24のドレイン電極245に導電部(配線)27により電気的に接続されている。また、各発光素子1R、1G、1Bの陰極9は、共通電極とされている。   In the light emitting element 1 </ b> R, the reflective film 32, the corrosion prevention film 33, the anode 3, the stacked body 15, the cathode 9, and the cathode cover 34 are stacked in this order on the planarizing layer 22. In the present embodiment, the anode 3 of each light emitting element 1R, 1G, 1B constitutes a pixel electrode and is electrically connected to the drain electrode 245 of each driving transistor 24 by a conductive portion (wiring) 27. The cathodes 9 of the light emitting elements 1R, 1G, and 1B are common electrodes.

なお、発光素子1G、1Bの構成は、発光素子1Rの構成と同様である。また、図2では、図1と同様の構成に関しては、同一符号を付してある。また、反射膜32の構成(特性)は、光の波長に応じて、発光素子1R、1G、1B間で異なっていてもよい。
隣接する発光素子1R、1G、1B同士の間には、隔壁31が設けられている。
また、このように構成された発光装置101上には、これを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層35が形成されている。
The configurations of the light emitting elements 1G and 1B are the same as the configuration of the light emitting element 1R. In FIG. 2, the same reference numerals are assigned to the same configurations as those in FIG. 1. Further, the configuration (characteristics) of the reflective film 32 may be different among the light emitting elements 1R, 1G, and 1B depending on the wavelength of light.
A partition wall 31 is provided between the adjacent light emitting elements 1R, 1G, and 1B.
Further, an epoxy layer 35 made of an epoxy resin is formed on the light emitting device 101 thus configured so as to cover it.

カラーフィルタ19R、19G、19Bは、前述したエポキシ層35上に、発光素子1R、1G、1Bに対応して設けられている。
カラーフィルタ19Rは、発光素子1Rからの白色光Wを赤色に変換するものである。また、カラーフィルタ19Gは、発光素子1Gからの白色光Wを緑色に変換するものである。また、カラーフィルタ19Bは、発光素子1Bからの白色光Wを青色に変換するものである。このようなカラーフィルタ19R、19G、19Bを発光素子1R、1G、1Bと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
The color filters 19R, 19G, and 19B are provided on the epoxy layer 35 described above corresponding to the light emitting elements 1R, 1G, and 1B.
The color filter 19R converts the white light W from the light emitting element 1R into red. The color filter 19G converts the white light W from the light emitting element 1G into green. The color filter 19B converts the white light W from the light emitting element 1B into blue. By using such color filters 19R, 19G, and 19B in combination with the light emitting elements 1R, 1G, and 1B, a full color image can be displayed.

また、隣接するカラーフィルタ19R、19G、19B同士の間には、遮光層36が形成されている。これにより、意図しないサブ画素100R、100G、100Bが発光するのを防止することができる。
そして、カラーフィルタ19R、19G、19Bおよび遮光層36上には、これらを覆うように封止基板20が設けられている。
A light shielding layer 36 is formed between the adjacent color filters 19R, 19G, and 19B. Thereby, it is possible to prevent the unintended subpixels 100R, 100G, and 100B from emitting light.
A sealing substrate 20 is provided on the color filters 19R, 19G, 19B and the light shielding layer 36 so as to cover them.

以上説明したようなディスプレイ装置100は、単色表示であってもよく、各発光素子1R、1G、1Bに用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
このようなディスプレイ装置100(本発明の表示装置)は、前述したような発光装置を用いるため、比較的低電圧で駆動することのできるものである。そのため、少ない消費電力で高品位な画像を表示することができる。
The display device 100 as described above may be a single color display, and color display is also possible by selecting a light emitting material used for each light emitting element 1R, 1G, 1B.
Such a display device 100 (display device of the present invention) can be driven at a relatively low voltage because it uses the light emitting device as described above. Therefore, a high-quality image can be displayed with low power consumption.

図3は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部を備える表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ1100において、表示ユニット1106が備える表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a personal computer 1100 includes a main body 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display. The display unit 1106 is rotatable with respect to the main body 1104 via a hinge structure. It is supported by.
In the personal computer 1100, the display unit included in the display unit 1106 is configured by the display device 100 described above.

図4は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206とともに、表示部を備えている。
携帯電話機1200において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) to which the electronic apparatus of the present invention is applied.
In this figure, a cellular phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206, and a display unit.
In the cellular phone 1200, the display unit is configured by the display device 100 described above.

図5は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera to which the electronic apparatus of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver salt photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ1300において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
A display unit is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD, and functions as a finder that displays an object as an electronic image.
In the digital still camera 1300, the display unit is configured by the display device 100 described above.

ケースの内部には、回路基板1308が設置されている。この回路基板1308は、撮像信号を格納(記憶)し得るメモリが設置されている。
また、ケース1302の正面側(図示の構成では裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1308のメモリに転送・格納される。
A circuit board 1308 is installed inside the case. The circuit board 1308 is provided with a memory that can store (store) an imaging signal.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side of the case 1302 (on the back side in the illustrated configuration).
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308.

また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニタ1430が、デ−タ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピュータ1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板1308のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ1430や、パーソナルコンピュータ1440に出力される構成になっている。   In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. As shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the data communication input / output terminal 1314 as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

なお、本発明の電子機器は、図3のパーソナルコンピュータ(モバイル型パーソナルコンピュータ)、図4の携帯電話機、図5のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器(例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。   The electronic apparatus of the present invention includes, for example, a television, a video camera, a viewfinder type, in addition to the personal computer (mobile personal computer) in FIG. 3, the mobile phone in FIG. 4, and the digital still camera in FIG. Monitor direct-view video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, security TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (for example, cash dispensers and automatic ticket vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices, internal Endoscope display device), fish finder, various measuring instruments, Vessels such (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector.

以上、本発明の発光素子、発光装置、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、発光素子が1層、3層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が2層または4層以上であってもよい。このような場合であっても、各発光層に共通のホスト材料を含ませることにより、上述したような効果が得られる。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のR、G、Bに限定されない。
また、例えば、前述した実施形態において、シアノ基含有キノキサリン誘導体等の各種誘導体は、必ずしもその基本骨格から誘導されて製造されるものでなくてもよい。
The light emitting element, the light emitting device, the display device, and the electronic device of the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these.
For example, in the above-described embodiment, the light emitting element has one layer or three layers, but the light emitting layer may be two layers or four layers or more. Even in such a case, the effects as described above can be obtained by including a common host material in each light emitting layer. Further, the emission color of the light emitting layer is not limited to R, G, and B in the above-described embodiment.
In addition, for example, in the above-described embodiment, various derivatives such as a cyano group-containing quinoxaline derivative do not necessarily have to be produced from the basic skeleton.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
1.発光素子の製造
(実施例1)
<1> まず、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ50nmのITO電極(陽極)を形成した。
そして、基板をアセトン、2−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Production of light emitting device (Example 1)
<1> First, a transparent glass substrate having an average thickness of 0.5 mm was prepared. Next, an ITO electrode (anode) having an average thickness of 50 nm was formed on the substrate by sputtering.
And after immersing a board | substrate in order of acetone and 2-propanol and ultrasonically cleaning, the oxygen plasma process was performed.

<2> 次に、ITO電極上に、前記式(5−5)に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体([2.2']Biquinoxalinly-6,7,6',7'-teracarbonitrile)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ40nmの正孔注入層を形成した。
<3> 次に、正孔注入層上に、前記式(4)に示されるN,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの正孔輸送層を形成した。
<2> Next, a cyano group-containing quinoxaline derivative ([2.2 ′] Biquinoxalinly-6,7,6 ′, 7′-teracarbonitrile) represented by the above formula (5-5) is deposited on the ITO electrode by a vacuum deposition method. Vapor deposition was performed to form a hole injection layer having an average thickness of 40 nm.
<3> Next, on the hole injection layer, N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl [1,1′-biphenyl] -4, represented by the formula (4), 4′-diamine (α-NPD) was deposited by a vacuum deposition method to form a hole transport layer having an average thickness of 10 nm.

<4> 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの赤色発光層(第1の発光層)を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料(ゲスト材料)として前記式(7)に示されるテトラアリールジインデノペリレン誘導体を用い、ホスト材料として前記式(9)に示されるナフタセン誘導体用いた。また、赤色発光層中の発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)を1.0wt%とた。   <4> Next, the constituent material of the red light-emitting layer was deposited on the hole transport layer by a vacuum vapor deposition method to form a red light-emitting layer (first light-emitting layer) having an average thickness of 10 nm. As a constituent material of the red light emitting layer, a tetraaryldiindenoperylene derivative represented by the above formula (7) was used as a red light emitting material (guest material), and a naphthacene derivative represented by the above formula (9) was used as a host material. . The content (dope concentration) of the light emitting material (dopant) in the red light emitting layer was 1.0 wt%.

<5> 次に、赤色発光層上に、中間層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ7nmの中間層を形成した。中間層の構成材料としては、前記式(4)に示されるN,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)を用いた。
<6> 次に、中間層上に、青色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの青色発光層(第2の発光層)を形成した。青色発光層の構成材料としては、青色発光材料として前記式(10)で示されるジスチリルジアミン系化合物を用い、前記式(8)に示されるアントラセン誘導体を用いた。また、青色発光層中の青色発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、6.0wt%とした。
<5> Next, the constituent material of the intermediate layer was vapor-deposited on the red light emitting layer by a vacuum vapor deposition method to form an intermediate layer having an average thickness of 7 nm. As a constituent material of the intermediate layer, N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine represented by the above formula (4) ( α-NPD) was used.
<6> Next, the constituent material of the blue light-emitting layer was deposited on the intermediate layer by a vacuum vapor deposition method to form a blue light-emitting layer (second light-emitting layer) having an average thickness of 10 nm. As a constituent material of the blue light emitting layer, a distyryldiamine compound represented by the above formula (10) was used as a blue light emitting material, and an anthracene derivative represented by the above formula (8) was used. Further, the content (dope concentration) of the blue light emitting material (dopant) in the blue light emitting layer was 6.0 wt%.

<7> 次に、青色発光層上に、緑色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ30nmの緑色発光層(第3の発光層)を形成した。緑色発光層の構成材料としては、緑色発光材料(ゲスト材料)として前記式(11)に示されるキナクリドン誘導体を用い、ホスト材料として前記式(8)に示されるアントラセン誘導体を用いた。また、緑色発光層中の緑色発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、1.0wt%とした。   <7> Next, the constituent material of the green light emitting layer was deposited on the blue light emitting layer by a vacuum deposition method, thereby forming a green light emitting layer (third light emitting layer) having an average thickness of 30 nm. As a constituent material of the green light emitting layer, a quinacridone derivative represented by the above formula (11) was used as a green light emitting material (guest material), and an anthracene derivative represented by the above formula (8) was used as a host material. Further, the content (dope concentration) of the green light emitting material (dopant) in the green light emitting layer was 1.0 wt%.

<8> 次に、緑色発光層上に、前記式(12)に示されるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ10nmの電子輸送層を形成した。
<9> 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ1nmの電子注入層を形成した。
<8> Next, on the green light-emitting layer, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) represented by the above formula (12) is formed by vacuum deposition to form an electron transport layer having an average thickness of 10 nm. did.
<9> Next, on the electron transport layer, lithium fluoride (LiF) was formed by a vacuum vapor deposition method, thereby forming an electron injection layer having an average thickness of 1 nm.

<10> 次に、電子注入層上に、Alを真空蒸着法により成膜した。これにより、Alで構成される平均厚さ100nmの陰極を形成した。
<11> 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー(封止部材)を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、白色発光する図1に示すような発光素子を製造した。
<10> Next, Al was formed into a film by the vacuum evaporation method on the electron injection layer. Thereby, a cathode having an average thickness of 100 nm made of Al was formed.
<11> Next, a glass protective cover (sealing member) was placed over the formed layers, and fixed and sealed with an epoxy resin.
Through the above steps, a light emitting device as shown in FIG. 1 that emits white light was manufactured.

(実施例2)
正孔注入層の構成材料として、前記式(5−6)に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体([2.2']Biquinoxalinly-3,6,7,3',6',7'-hexacarbonitrile)を用いた以外は、前記実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(実施例3)
正孔注入層の構成材料として、前記式(5−1)に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体([Quinoxaline-2,3,6,7-teracarbonitrile)を用い、正孔注入層の平均厚さを2nm、正孔輸送層の平均厚さを30nmとした以外は、前記実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(Example 2)
As a constituent material of the hole injection layer, the cyano group-containing quinoxaline derivative ([2.2 '] Biquinoxalinly-3,6,7,3', 6 ', 7'-hexacarbonitrile) represented by the above formula (5-6) is used. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that.
Example 3
As the constituent material of the hole injection layer, a cyano group-containing quinoxaline derivative ([Quinoxaline-2,3,6,7-teracarbonitrile) represented by the above formula (5-1) is used, and the average thickness of the hole injection layer is determined. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the average thickness of the hole transport layer was 2 nm and 2 nm.

(比較例1)
正孔注入層の構成材料として、下記式(14)に示されるシアノ基を含まないキノキサリン誘導体を用い、正孔注入層の平均厚さを40nm、正孔輸送層の平均厚さを20nmとした以外は、前記実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(Comparative Example 1)
As the constituent material of the hole injection layer, a quinoxaline derivative not containing a cyano group represented by the following formula (14) was used, the average thickness of the hole injection layer was 40 nm, and the average thickness of the hole transport layer was 20 nm. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except for the above.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

(比較例2)
正孔注入層の構成材料として、前記式(6)に示されるN,N’−ビス−(4−ジフェニルアミノ−フェニル)−N, N’−ジフェニル−ビフェニル−4−4’−ジアミンを用い、正孔注入層の平均厚さを40nm、正孔輸送層の平均厚さを20nmとした以外は、前記実施例1と同様にして発光素子を製造した。
(Comparative Example 2)
As a constituent material of the hole injection layer, N, N′-bis- (4-diphenylamino-phenyl) -N, N′-diphenyl-biphenyl-4-4′-diamine represented by the above formula (6) is used. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the average thickness of the hole injection layer was 40 nm and the average thickness of the hole transport layer was 20 nm.

2.評価
2−1.発光効率および駆動電圧の評価
実施例1〜3および比較例1、2の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に10mA/cmの定電流を流し、輝度計を用いて輝度を測定した。測定された輝度から、発光効率(cd/A、電流あたりの輝度)を求めた。また、このときの駆動電圧(V)を測定した。
2. Evaluation 2-1. Evaluation of luminous efficiency and driving voltage For the light emitting devices of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, a constant current of 10 mA / cm 2 was passed through the light emitting device using a DC power source, and the luminance was measured using a luminance meter. . Luminous efficiency (cd / A, luminance per current) was determined from the measured luminance. Further, the driving voltage (V) at this time was measured.

2−2.発光寿命の評価
実施例1〜3および比較例1、2の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に初期輝度を一定として発光させ、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の80%となるまでの時間(LT80)を測定した。
表1に、上記の評価結果を示す。
2-2. Evaluation of Luminous Life For the light-emitting elements of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, the light-emitting element was caused to emit light with a constant initial luminance using a DC power source, and the luminance was measured using a luminance meter. The time to reach 80% of the luminance (LT80) was measured.
Table 1 shows the evaluation results.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

表1から明らかなように、実施例1〜3の発光素子は、電流密度が一定の使用条件下において比較例1、2の発光素子と比較して駆動電圧が低いものであった。また、実施例1〜3の発光素子は、比較例1、2の発光素子と比較して発光寿命が長いものであった。   As is apparent from Table 1, the light emitting elements of Examples 1 to 3 had a lower driving voltage than the light emitting elements of Comparative Examples 1 and 2 under use conditions where the current density was constant. In addition, the light emitting elements of Examples 1 to 3 had a longer light emission lifetime than the light emitting elements of Comparative Examples 1 and 2.

3.発光素子の製造
(実施例4)
<1> まず、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ50nmのITO電極(陽極)を形成した。
そして、基板をアセトン、2−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
3. Production of light emitting device (Example 4)
<1> First, a transparent glass substrate having an average thickness of 0.5 mm was prepared. Next, an ITO electrode (anode) having an average thickness of 50 nm was formed on the substrate by sputtering.
And after immersing a board | substrate in order of acetone and 2-propanol and ultrasonically cleaning, the oxygen plasma process was performed.

<2> 次に、ITO電極上に、前記式(5−5)に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体([2.2']Biquinoxalinly-6,7,6',7'-teracarbonitrile)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ40nmの正孔注入層を形成した。
<3> 次に、正孔注入層上に、前記式(4)に示されるN,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの正孔輸送層を形成した。
<2> Next, a cyano group-containing quinoxaline derivative ([2.2 ′] Biquinoxalinly-6,7,6 ′, 7′-teracarbonitrile) represented by the above formula (5-5) is deposited on the ITO electrode by a vacuum deposition method. Vapor deposition was performed to form a hole injection layer having an average thickness of 40 nm.
<3> Next, on the hole injection layer, N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl [1,1′-biphenyl] -4, represented by the formula (4), 4′-diamine (α-NPD) was deposited by a vacuum deposition method to form a hole transport layer having an average thickness of 10 nm.

<4> 次に、正孔輸送層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ40nmの発光層(発光部)を形成した。発光層の構成材料としては、赤色発光材料(ゲスト材料)として前記式(7)に示されるテトラアリールジインデノペリレン誘導体を用い、ホスト材料として前記式(9)に示されるナフタセン誘導体用いた。また、赤色発光層中の発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)を1.0wt%とした。   <4> Next, the constituent material of the light emitting layer was vapor-deposited on the hole transport layer by a vacuum vapor deposition method to form a light emitting layer (light emitting portion) having an average thickness of 40 nm. As a constituent material of the light emitting layer, a tetraaryldiindenoperylene derivative represented by the above formula (7) was used as a red light emitting material (guest material), and a naphthacene derivative represented by the above formula (9) was used as a host material. Further, the content (dope concentration) of the light emitting material (dopant) in the red light emitting layer was 1.0 wt%.

<5> 次に、発光層上に、前記式(13)に示される化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ20nmの電子輸送層を形成した。
<6> 次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ1nmの電子注入層を形成した。
<7> 次に、電子注入層上に、Alを真空蒸着法により成膜した。これにより、Alで構成される平均厚さ100nmの陰極を形成した。
<8> 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー(封止部材)を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、白色発光する図2に示すような発光素子を製造した。
<5> Next, the compound represented by the formula (13) was formed on the light-emitting layer by a vacuum deposition method to form an electron transport layer having an average thickness of 20 nm.
<6> Next, on the electron transport layer, lithium fluoride (LiF) was formed by a vacuum deposition method to form an electron injection layer having an average thickness of 1 nm.
<7> Next, Al was formed into a film by the vacuum evaporation method on the electron injection layer. Thereby, a cathode having an average thickness of 100 nm made of Al was formed.
<8> Next, a glass protective cover (sealing member) was placed over the formed layers, and fixed and sealed with an epoxy resin.
Through the above steps, a light emitting device as shown in FIG.

(実施例5)
正孔注入層の構成材料として、前記式(5−6)に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体([2.2']Biquinoxalinly-3,6,7,3',6',7'-hexacarbonitrile)を用いた以外は、前記実施例4と同様にして発光素子を製造した。
(実施例6)
正孔注入層の構成材料として、前記式(5−1)に示されるシアノ基含有キノキサリン誘導体([Quinoxaline-2,3,6,7-teracarbonitrile)を用い、正孔注入層の平均厚さを2nm、正孔輸送層の平均厚さを40nmとした以外は、前記実施例4と同様にして発光素子を製造した。
(Example 5)
The cyano group-containing quinoxaline derivative ([2.2 '] Biquinoxalinly-3,6,7,3', 6 ', 7'-hexacarbonitrile) represented by the above formula (5-6) is used as the constituent material of the hole injection layer. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 4 except that.
(Example 6)
As the constituent material of the hole injection layer, a cyano group-containing quinoxaline derivative ([Quinoxaline-2,3,6,7-teracarbonitrile) represented by the above formula (5-1) is used, and the average thickness of the hole injection layer is determined. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 4 except that the average thickness of the hole transport layer was set to 2 nm and 2 nm.

(比較例3)
正孔注入層の構成材料として、前記式(14)に示されるシアノ基を含まないキノキサリン誘導体を用い、正孔注入層の平均厚さを40nm、正孔輸送層の平均厚さを10nmとした以外は、前記実施例4と同様にして発光素子を製造した。
(比較例4)
正孔注入層の構成材料として、前記式(6)に示されるN,N’−ビス−(4−ジフェニルアミノ−フェニル)−N, N’−ジフェニル−ビフェニル−4−4’−ジアミンを用い、正孔注入層の平均厚さを40nm、正孔輸送層の平均厚さを10nmとした以外は、前記実施例4と同様にして発光素子を製造した。
(Comparative Example 3)
As the constituent material of the hole injection layer, a quinoxaline derivative not containing a cyano group represented by the formula (14) was used, the average thickness of the hole injection layer was 40 nm, and the average thickness of the hole transport layer was 10 nm. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 4 except for the above.
(Comparative Example 4)
As a constituent material of the hole injection layer, N, N′-bis- (4-diphenylamino-phenyl) -N, N′-diphenyl-biphenyl-4-4′-diamine represented by the above formula (6) is used. A light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 4 except that the average thickness of the hole injection layer was 40 nm and the average thickness of the hole transport layer was 10 nm.

4.評価
4−1.発光効率および駆動電圧の評価
実施例4〜6および比較例3、4の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に10mA/cmの定電流を流し、輝度計を用いて輝度を測定した。測定された輝度から、発光効率(cd/A、電流あたりの輝度)を求めた。また、このときの駆動電圧(V)を測定した。
4). Evaluation 4-1. Evaluation of Luminous Efficiency and Driving Voltage For the light emitting devices of Examples 4 to 6 and Comparative Examples 3 and 4, a constant current of 10 mA / cm 2 was passed through the light emitting device using a DC power source, and the luminance was measured using a luminance meter. . Luminous efficiency (cd / A, luminance per current) was determined from the measured luminance. Further, the driving voltage (V) at this time was measured.

4−2.発光寿命の評価
実施例4〜6および比較例3、4の発光素子について、直流電源を用いて発光素子に初期輝度を一定として発光させ、輝度計を用いて輝度を測定し、その輝度が初期の輝度の80%となるまでの時間(LT80)を測定した。
表2に、上記の評価結果を示す。
4-2. Evaluation of Luminous Life For the light-emitting elements of Examples 4 to 6 and Comparative Examples 3 and 4, the light-emitting element was caused to emit light with a constant initial luminance using a DC power supply, and the luminance was measured using a luminance meter. The time to reach 80% of the luminance (LT80) was measured.
Table 2 shows the evaluation results.

Figure 2010225689
Figure 2010225689

表2から明らかなように、実施例4〜6の発光素子は、電流密度が一定の使用条件下において比較例3、4の発光素子と比較して駆動電圧が低いものであった。また、実施例4〜6の発光素子は、比較例3、4の発光素子と比較して発光寿命が長いものであった。   As is clear from Table 2, the light emitting elements of Examples 4 to 6 had a lower driving voltage than the light emitting elements of Comparative Examples 3 and 4 under the use conditions where the current density was constant. In addition, the light emitting elements of Examples 4 to 6 had a longer light emission lifetime than the light emitting elements of Comparative Examples 3 and 4.

1、1A、1B、1G、1R……発光素子 2……基板 3……陽極 4……正孔注入層 5……正孔輸送層 6、6A……発光部 61……赤色発光層(第1の発光層) 62……中間層 63……青色発光層(第2の発光層) 64……緑色発光層(第3の発光層) 7……電子輸送層 8……電子注入層 9……陰極 10……封止部材 15……積層体 19B、19G、19R……カラーフィルタ 100……ディスプレイ装置 101……発光装置 100R、100G、100B……サブ画素 20……封止基板 21……基板 22……平坦化層 24……駆動用トランジスタ 241……半導体層 242……ゲート絶縁層 243……ゲート電極 244……ソース電極 245……ドレイン電極 27……配線 31……隔壁 32……反射膜 33……腐食防止膜 34……陰極カバー 35……エポキシ層 36……遮光層 1100……パーソナルコンピュータ 1102……キーボード 1104……本体部 1106……表示ユニット 1200……携帯電話機 1202……操作ボタン 1204……受話口 1206……送話口 1300……ディジタルスチルカメラ 1302……ケース(ボディー) 1304……受光ユニット 1306……シャッタボタン 1308……回路基板 1312……ビデオ信号出力端子 1314……データ通信用の入出力端子 1430……テレビモニタ 1440……パーソナルコンピュータ   1, 1A, 1B, 1G, 1R ... Light emitting element 2 ... Substrate 3 ... Anode 4 ... Hole injection layer 5 ... Hole transport layer 6, 6A ... Light emitting part 61 ... Red light emitting layer (first 62 ... Intermediate layer 63 ... Blue light-emitting layer (second light-emitting layer) 64 ... Green light-emitting layer (third light-emitting layer) 7 ... Electron transport layer 8 ... Electron injection layer 9 ... ... Cathode 10 ... Sealing member 15 ... Laminate 19B, 19G, 19R ... Color filter 100 ... Display device 101 ... Light emitting device 100R, 100G, 100B ... Sub-pixel 20 ... Sealing substrate 21 ... Substrate 22 ... Planarization layer 24 ... Driving transistor 241 ... Semiconductor layer 242 ... Gate insulating layer 243 ... Gate electrode 244 ... Source electrode 245 ... Drain electrode 27 ... Wiring 31 ... Partition 32 ... Anti Film 33 ... Corrosion prevention film 34 ... Cathode cover 35 ... Epoxy layer 36 ... Shading layer 1100 ... Personal computer 1102 ... Keyboard 1104 ... Body 1106 ... Display unit 1200 ... Mobile phone 1202 ... Operation Button 1204 ...... Earpiece 1206 ...... Mouthpiece 1300 ...... Digital still camera 1302 ...... Case (body) 1304 ...... Light receiving unit 1306 ...... Shutter button 1308 ...... Circuit board 1312 ...... Video signal output terminal 1314 …… Input / output terminal for data communication 1430 …… TV monitor 1440 …… Personal computer

Claims (11)

陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、駆動電圧が印加されることにより発光する発光部と、
前記陽極と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を注入する正孔注入層とを有し、
前記正孔注入層は、シアノ基を有するキノキサリン誘導体を含んで構成されることを特徴とする発光素子。
A cathode,
The anode,
A light emitting portion that is provided between the cathode and the anode and emits light when a driving voltage is applied;
A hole injection layer that is provided between the anode and the light emitting unit and injects holes into the cathode side layer;
The light-emitting element, wherein the hole injection layer includes a quinoxaline derivative having a cyano group.
前記キノキサリン誘導体は、その分子中に2以上のシアノ基を含む請求項1に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the quinoxaline derivative contains two or more cyano groups in the molecule. 前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの2量体を骨格として有する請求項1または2に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the quinoxaline derivative has a quinoxaline dimer as a skeleton. 前記キノキサリン誘導体は、下記式(1)または下記式(2)で示される化合物である請求項3に記載の発光素子。
Figure 2010225689
Figure 2010225689
The light-emitting element according to claim 3, wherein the quinoxaline derivative is a compound represented by the following formula (1) or the following formula (2).
Figure 2010225689
Figure 2010225689
前記キノキサリン誘導体は、キノキサリンの単量体を骨格として有する請求項1または2に記載の発光素子。   The light-emitting element according to claim 1, wherein the quinoxaline derivative has a quinoxaline monomer as a skeleton. 前記キノキサリン誘導体は、下記式(3)で示される化合物である請求項5に記載の発光素子。
Figure 2010225689
The light-emitting element according to claim 5, wherein the quinoxaline derivative is a compound represented by the following formula (3).
Figure 2010225689
前記正孔注入層と前記発光部との間に設けられ、前記陰極側の層に正孔を輸送する正孔輸送層を有し、
前記正孔輸送層は、アミン系材料を含む請求項1ないし6のいずれかに記載の発光素子。
A hole transport layer that is provided between the hole injection layer and the light emitting part and transports holes to the cathode side layer;
The light-emitting element according to claim 1, wherein the hole transport layer includes an amine material.
前記アミン系材料は、下記式(4)で示される化合物である請求項7に記載の発光素子。
Figure 2010225689
The light emitting device according to claim 7, wherein the amine material is a compound represented by the following formula (4).
Figure 2010225689
請求項1ないし8のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。   A light-emitting device comprising the light-emitting element according to claim 1. 請求項9に記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。   A display device comprising the light emitting device according to claim 9. 請求項10に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the display device according to claim 10.
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