JP2011134796A - Bypass diode - Google Patents

Bypass diode Download PDF

Info

Publication number
JP2011134796A
JP2011134796A JP2009291149A JP2009291149A JP2011134796A JP 2011134796 A JP2011134796 A JP 2011134796A JP 2009291149 A JP2009291149 A JP 2009291149A JP 2009291149 A JP2009291149 A JP 2009291149A JP 2011134796 A JP2011134796 A JP 2011134796A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
lead
bypass diode
terminal
lead terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009291149A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Ikuhashi
良一 生橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
POWERED KK
Original Assignee
POWERED KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by POWERED KK filed Critical POWERED KK
Priority to JP2009291149A priority Critical patent/JP2011134796A/en
Publication of JP2011134796A publication Critical patent/JP2011134796A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive bypass diode which is small like the conventional ones and carries a high output current without modifying a heat radiation mechanism of a terminal box or the like. <P>SOLUTION: In the bypass diode, a heat sink 7 made of copper material is soldered to a whole area of a base part (3) of a lead frame (2), a diode chip (8) is fixed onto the heat sink 7, and, while a lead terminal (4a) formed integrally with the base part (3) is connected to one other lead terminal (4b) with a connection (5b), a connection (5c) to still other lead terminal (4c) and a lead part (4a2) of the lead terminal (4a) are cut off, wherein a top surface of the diode chip (3) is connected to a connection terminal (6c) of the still other lead terminal (4c) with a wire (10). <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は，太陽電池用の、特に高出力の太陽電池に適するバイパスダイードに関する。 The present invention relates to a bypass diode suitable for a solar cell, particularly for a high-power solar cell.

一般に太陽電池は、複数の太陽電池セルＢＳ１、・・・、ＢＳＮが直列に接続されており、各電池セルＢＳ１、・・・ＢＳＮに太陽光が当たると各太陽電池セルＢＳ１、・・・、ＢＳＮは、それぞれ当たった太陽光エネルギーを電気量に変換し、発生した電気量に応じた電流を負荷Ｚに供給する。もし、この場合、いずれかの太陽電池セルに光が当たらず電気量を発生しない場合は、その太陽電池セルで通電が途切れ、負荷Ｚに電力が供給されない。     In general, in a solar cell, a plurality of solar cells BS1,..., BSN are connected in series, and when each solar cell BS1,. Each BSN converts the solar energy that has been struck into an amount of electricity, and supplies a current corresponding to the amount of electricity generated to the load Z. In this case, if any of the solar cells does not receive light and does not generate an amount of electricity, energization is interrupted in the solar cell and power is not supplied to the load Z.

そのため、いずれかの太陽電池セルに太陽光が照射されない場合でも負荷Ｚに電力が供給されるように、図７に示すように、各電池セルＢＳ１、・・・、ＢＳＮに、それぞれバイパスダイオードＤ１、・・・、ＤＮを並列に接続し、光の当たらない太陽電池セルがある場合に、その太陽電池セルの代わりに並列接続されたバイパスダイオードに電流を流し、光りが当らない太陽電池セルがある場合でも負荷Ｚに電流が流れるようにしている。   Therefore, as shown in FIG. 7, each battery cell BS1,..., BSN has a bypass diode D1 so that power is supplied to the load Z even when any solar cell is not irradiated with sunlight. When there is a solar cell that does not receive light when DN is connected in parallel, a current is passed through a bypass diode connected in parallel instead of the solar cell, and a solar cell that does not receive light Even in some cases, a current flows through the load Z.

近年、この種の太陽電池装置において、各電池セルが大出力電流を流し得るようになるにしたがい、バイパスダイオードも大電流化が要請されるに至っている。そこで、バイパスダイオードにも大電流が流されると、大電流が流れることによりバイパスダイオードに高熱が発生する。この発生した高熱を放熱させる得るバイパスダイオードとして、チップのアノード電極、カソード極を放熱板を介して端子ボックス内で端子に接続し、放熱板を介して放熱するようにしたバイパスダイオードや（例えば特許文献１参照）、チップダイオードはベアチップダイオードであり、このベアチップダイオードのアノード電極とカソード電極を一対の接続端子に直接的に接続したバイパスダイオード（例えば特許文献２参照）が開示されている。   In recent years, in this type of solar battery device, as each battery cell can pass a large output current, the bypass diode has been required to have a large current. Therefore, when a large current flows through the bypass diode, a large amount of current flows to generate high heat in the bypass diode. As a bypass diode that can dissipate the generated high heat, a bypass diode in which the anode and cathode of the chip are connected to a terminal in a terminal box via a heat sink and radiated through the heat sink (for example, a patent) The chip diode is a bare chip diode, and a bypass diode (for example, see Patent Document 2) in which the anode electrode and the cathode electrode of the bare chip diode are directly connected to a pair of connection terminals is disclosed.

また、太陽電池セルのバイパスダイオードとして、従来、図８に示すものが使用されている。ここで示すバイパスダイオード２０は、リードフレーム２１のベース部２２に、例えば正方形状のダイードチップ２３のＮ極面を半田付けする一方、ベース部２２の空領域２２ａとリード端子２４ｂの接続端子２５ｂをリード線２６で接続するとともに、ダイオードチップ２３のＰ極面とリード端子２４ｃの接続端子２５ｃとをリード線２７で接続している。   Moreover, what was conventionally shown in FIG. 8 is used as a bypass diode of a photovoltaic cell. The bypass diode 20 shown here solders, for example, the N pole face of a square-shaped die chip 23 to the base portion 22 of the lead frame 21, while leading the empty region 22a of the base portion 22 and the connection terminal 25b of the lead terminal 24b. In addition to being connected by the wire 26, the P pole surface of the diode chip 23 and the connection terminal 25 c of the lead terminal 24 c are connected by the lead wire 27.

なお、このバイパスダイオード２０の製作前のリードフレーム２１の形状は、図９に示しており、図８のバイパスダイオード２０のリードフレーム２１は、図９のリードフレーム２１のベース部２２にダイオードチップ２３を実装したものから、接続端子２５ｂとベース部２２の空き領域２２ａ、接続端子２５ｃとダイオードチップ２３のＰ電極を、それぞれリード線２６、２７で接続し、さらに、リード端子２４ａと２４ｂの連結部２５ｂ、リード端子２４ａ、リード端子２４ａとリード端子２４ｃの連結部２５ｃを破線の箇所で切除したものである。   The shape of the lead frame 21 before the manufacture of the bypass diode 20 is shown in FIG. 9, and the lead frame 21 of the bypass diode 20 in FIG. 8 is connected to the base portion 22 of the lead frame 21 in FIG. The connection terminal 25b and the open area 22a of the base portion 22, the connection terminal 25c and the P electrode of the diode chip 23 are connected by lead wires 26 and 27, respectively, and the connecting portion of the lead terminals 24a and 24b is connected. 25b, a lead terminal 24a, and a connecting portion 25c of the lead terminal 24a and the lead terminal 24c is cut off at a broken line.

この種の小型のバイパスダイオードとして業界で、型ＴＯ―２２０という素子がよく流通しており、さらに、これより大型なものとしてＴＯ―３Ｐという素子が使用されている。   As this type of small bypass diode, an element of type TO-220 is often distributed in the industry, and further, an element of TO-3P is used as a larger one.

特開２００３−３０３９８８号公報JP 2003-303988 A 特開２００４−２８２１０７号公報JP 2004-282107 A

近年、前記したように、太陽電池には大電流を出力するものが増加して来ており、そのため、大電流を出力する太陽電池装置の端子ボックスに組み込まれるバイパスダイオードも大電流に耐え得るものが必要になって来ている。   In recent years, as described above, the number of solar cells that output a large current has been increasing. Therefore, a bypass diode incorporated in a terminal box of a solar cell device that outputs a large current can also withstand the large current. Is needed.

例えば、前記従来の小型ダイオード素子である型ＴＯ―２２０において、通常は９Ａ程度の通電予定で使用されるものの、最高３５Ａ程度まで流し得るようになっている。その限りにおいては、現在使用しているバイパスダイオードを高出力用に、そのまま３５Ａ通電で使用することが可能である。   For example, the type TO-220, which is a conventional small diode element, is normally used with a current of about 9 A, but can flow up to about 35 A. As long as that is the case, the currently used bypass diode can be used as it is with high current for 35 A for high output.

しかし、前記型ＴＯー２２０の素子で、３５Ａの通電を行うと、その大電流通電のため高熱を発生し、９Ａで通電していた場合よりは、冷却手段を大きくする必要が生じる。そのため従来の前記小型バイパスダイオードに３５Ａ程度の大電流を流す場合は、装着する端子ボックスを従来のものより高温放熱できる新たな端子ボックスに代える必要がある。このため、高出力の太陽電池装置を製作するとなると、高温放熱を考慮した新たな端子ボックスを用意する必要があり、その分、従来よりも高コスト化を招くという問題がある。   However, when a current of 35 A is applied to the element of the above type TO-220, high heat is generated due to the large current supply, and it is necessary to enlarge the cooling means compared to the case where the current is supplied at 9 A. Therefore, when a large current of about 35 A is passed through the conventional small bypass diode, it is necessary to replace the terminal box to be mounted with a new terminal box that can dissipate heat at a higher temperature than the conventional one. For this reason, when manufacturing a high-output solar cell device, it is necessary to prepare a new terminal box in consideration of high-temperature heat dissipation, and there is a problem that the cost is increased as compared with the conventional case.

他方、高出力の太陽電池に対応して、大電流を流し得る他のダイオードとして、型ＴＯ―２２０に比べて大型で大電流を流し得る型ＴＯ−３Ｐを使用することも考えられるが、型ＴＯ―３Ｐの素子は、型ＴＯ―２２０に比べてはるかに高価である上、今までＴＯ―２２０を装着していた端子ボックスとは異なる端子ボックスを製作せねばならず、端子ボックスもはるかに高コスト化を招くという問題がある。   On the other hand, it is conceivable to use a type TO-3P, which is larger than the type TO-220 and capable of flowing a large current, as another diode capable of flowing a large current in response to a high output solar cell. The TO-3P element is much more expensive than the type TO-220, and it is necessary to produce a terminal box that is different from the terminal box to which the TO-220 is mounted, and the terminal box is much more There is a problem of increasing the cost.

本発明は、前記問題点に着目してなされたものであって、高出力太陽電池セルに応じて、高電流を流し得る、しかも端子ボックスの放熱機構その他の構造を特に変更することなく、従来と同様の小型のもので対応し得る、安価で高出力化を実現できるバイパスダイオードを提供することを目的とする。   The present invention has been made paying attention to the above-mentioned problems, and can flow a high current according to high-power solar cells, and without any particular change in the heat dissipation mechanism and other structures of the terminal box. It is an object of the present invention to provide a bypass diode that can be manufactured with a small size similar to that of the above and can realize high output at low cost.

前記目的を達成するために本発明のバイパスダイオードは、リードフレームに、ダイオードチップを搭載するベース部と、外部接続のための３つのリード端子とを備え、前記ベース部にダイオードチップを装着するようにしたバイパスダイードにおいて、前記リードフレームの前記ベース部に一体的に形成されたリード端子と他の一方のリード端子を連結したまま、もう一方のリード端子との連結を切除する構成とし、前記ダイオードチップを少なくとも側辺が前記ベース部の端縁に至る程の大きさにして前記ベース部に固着するとともに、前記ダイオードチップの上面と前記他の一方のリード端子の接続端子部とをワイヤー接続してなることを特徴とする。
本発明において、より具体的な構成として、前記ベース部と、前記ダイオードチップの底面の間に、高放熱性の導電部材を設けてもよい。このような構成とするのは、ダイオードチップで発生した熱を高放熱性の導電材を通して、より放熱し易くするためである。
又、その場合、前記電導部財は、前記リードフレームの前記ベース部と同一の広さに設定することが望ましい。これにより、さらに放熱を効率良く行うことが出来る。
又、前記電導部財は、前記ダイオードチップと同一の広さに設定するようにしてもよい。これにより、放熱をより効率良く行うことが出来る。
又、本発明において、前記ダイオードチップは、メサ型のガラスパッシベーションダイオードチップを用いることが望ましい。これにより、通常のＰＮ接合ダイオードチップでは、長方形状とすると折れ易いが、ガラスパッシベーションダイオードチップでは長方形にした場合でも、ガラス層による保護で強度が大であるので、外部から歪力が加えられても破壊されないバイパスダイオードが得られる。 In order to achieve the above object, a bypass diode according to the present invention includes a lead frame including a base portion on which a diode chip is mounted and three lead terminals for external connection, and the diode chip is mounted on the base portion. In the bypass diode, the lead terminal integrally formed with the base portion of the lead frame and the other lead terminal are connected, and the connection with the other lead terminal is cut off. The diode chip is fixed to the base portion with at least a side that reaches the edge of the base portion, and the upper surface of the diode chip and the connection terminal portion of the other lead terminal are connected by wire. It is characterized by becoming.
In the present invention, as a more specific configuration, a highly heat-dissipating conductive member may be provided between the base portion and the bottom surface of the diode chip. The reason for this configuration is to make it easier to dissipate the heat generated in the diode chip through the highly heat-dissipating conductive material.
In this case, it is desirable that the conductive part goods have the same size as the base part of the lead frame. This makes it possible to perform further the heat radiation efficiency.
The conductive component may be set to the same area as the diode chip. This makes it possible to efficiently heat dissipation.
In the present invention, the diode chip is preferably a mesa-type glass passivation diode chip. As a result, in the normal PN junction diode chip, it is easy to break when it is rectangular, but even when the glass passivation diode chip is rectangular, the strength is high due to protection by the glass layer, so that distortion force is applied from the outside. bypass diode obtained is also not destroyed.

本発明（請求項１記載の発明）によれば，リードフレームのベース部に一体的に形成されたリード端子と他の一方のリード端子を連結したまま、もう一方のリード端子との連結を切除する構成とし、かつ、ダイオードチップを少なくとも側辺が前記ベース部の端縁に至る程の大きさに延設して前記ベース部に固着するとともに、前記ダイオードチップの上面と前記他の一方のリード端子の接続端子部とをワイヤー接続する構成とすることにより，ダイオードチップを従来の小型のバイパスダイオードのダイオードチップより大きなものを使用できるので、従来の同程度の小型バイパスダイオードより放熱性が良く、より高電流に耐え得ることができ、しかも、リード端子は従来の小型のバイパスダイオードと同様のものなので、端子ボックスを新たに製作する必要がないので、コストアップを必要とせず、高出力用のバイパスダイオードを提供することができる。 According to the present invention (the invention described in claim 1), the connection between the lead terminal integrally formed on the base portion of the lead frame and the other lead terminal is cut off while the other lead terminal is connected. And the diode chip is extended to at least the side of the base part so as to reach the edge of the base part and fixed to the base part, and the upper surface of the diode chip and the other one lead By using wire connection to the terminal connection terminal, the diode chip can be larger than the diode chip of the conventional small bypass diode, so it has better heat dissipation than the conventional small bypass diode, A terminal box that can withstand higher currents, and the lead terminals are similar to conventional small bypass diodes. It is not necessary to newly manufacture, without the need for cost, it is possible to provide a bypass diode for high output.

請求項２記載の発明によれば、より放熱性の高いバイパスダイオードを得ることが出来る。   According to the second aspect of the present invention, a bypass diode with higher heat dissipation can be obtained.

請求項３記載の発明によれば、より効率の良い、放熱性の高いバイパスダイオードを得ることが出来る。   According to the invention described in claim 3, it is possible to obtain a bypass diode having higher efficiency and higher heat dissipation.

請求項４記載の発明によれば、放熱をより効率良く行えるバイパスダイオードを提供で出来る。   According to the fourth aspect of the present invention, a bypass diode that can dissipate heat more efficiently can be provided.

請求項５記載の発明によれば、外部よりの力に強いバイパスダイードを得ることが出来る。   According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to obtain a bypass diode that is strong against external force.

この発明の一実施形態に係るバイパスダイオードの樹脂封止前の平面図である。It is a top view before resin sealing of the bypass diode which concerns on one Embodiment of this invention. 同実施形態に係るバイパスダイオードの各構成部品を説明するための図であって、リードフレームの平面図（ａ）、放熱板の平面図（ｂ）、同放熱板の側面図（ｃ）、ダイオードチップの平面図（ｄ）である。It is a figure for demonstrating each component of the bypass diode which concerns on the same embodiment, Comprising: The top view (a) of a lead frame, the top view (b) of a heat sink, the side view (c) of the heat sink, a diode It is a top view (d) of a chip. 同実施形態に係るバイパスダイオードのリード端子切除後を示す平面図である。It is a top view which shows after the lead terminal excision of the bypass diode concerning the embodiment. 同実施形態に係るバイパスダイオードの作製方法を説明するための分解斜視図である。It is a disassembled perspective view for demonstrating the manufacturing method of the bypass diode which concerns on the same embodiment. この発明の他の実施形態に係るバイパスダイードを説明するための分解斜視図である。It is a disassembled perspective view for demonstrating the bypass die according to other embodiment of this invention. この発明の上記実施形態に係るバイパスダイオードに使用されるメサ型のガラスパッシベーションダイオードチップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the mesa type | mold glass passivation diode chip | tip used for the bypass diode which concerns on the said embodiment of this invention. 太陽電池の太陽電池セル及びバイパスダイオードの一般的な接続を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the general connection of the photovoltaic cell of a solar cell, and a bypass diode. 従来、よく使用されている小型バイパスダイオードの平面図である。It is a top view of the small bypass diode used well conventionally. 同従来の小型バイパスダイオードを説明するためのリードフレームのベース部にダイオードチップを搭載した場合の斜視図である。It is a perspective view at the time of mounting a diode chip in the base part of the lead frame for demonstrating the conventional small bypass diode.

以下，添付した図面を参照して，本発明を具体化した実施の形態により，この発明をさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings by embodiments of the present invention.

図１は、本発明の一実施形態に係る太陽電池用のバイパスダイオードを示す平面図である。このバイパスダイード１は、リードフレーム２を有する。このリードフレーム２は、図２の（ａ）に示すように、ベース部３と、このベース部３より、一体的に延設される第１のリード端子４ａと、この第１のリード端子４ａに連結部５ｂで連結される第２のリード端子４ｂと、同じく第１のリード端子４ａに連結部５ｃで連結される第３のリード端子４ｃと、を備えている。第２と第３のリード端子４ｂ，４ｃは、それぞれベース部３の端辺３ａより離隔したリード線接続用の接続端子６ｂ、６ｃを有する。     FIG. 1 is a plan view showing a bypass diode for a solar cell according to an embodiment of the present invention. The bypass diode 1 has a lead frame 2. As shown in FIG. 2A, the lead frame 2 includes a base portion 3, a first lead terminal 4a extending integrally from the base portion 3, and the first lead terminal 4a. And a second lead terminal 4b connected to the first lead terminal 4a by a connecting part 5c. The second lead terminal 4b is connected to the first lead terminal 4a by a connecting part 5c. The second and third lead terminals 4b and 4c have lead wire connection terminals 6b and 6c that are spaced apart from the end side 3a of the base portion 3, respectively.

図１、図２に示すリードフレーム２は、図９に示す従来のバイパスダイオードのリ−ドフレーム２１と同様のものであり、本実施形態の固有のリード端子とする切除前のものである。ベース部３の上面に銅製の放熱板７が半田付けされている。この放熱板７は、ベース部３と同面積の広さを持つものであり、図２の（ｂ）、（ｃ）に示すように、縦（６．０ｍｍ）×横（７．７ｍｍ）、厚さ（０．３５ｍｍ）の長方形状であり、この放熱板７を設けたことが、この実施形態バイパスダイードの特徴一つである。
放熱板７の上面に、ダイオードチップ８が、Ｎ層を下に、Ｐ層を上にして半田付けされている。このダイオードチップ８は、平面視長方形のメサ型のガラスパッシベーションチップを使用している。このガラスパッシベーションチップ８は、図６に示すように、Ｐ層１３と、アノード電極１４と、Ｎ層１５と、カソード電極１６と、側面にＰ−Ｎ接合面に亘って設けられたガラス層１７と、から構成されている。ダイオードチップ８のＰ層１３上面のアノード電極１４とリード端子４ｃの接続端子６ｃがワイヤー１０によって接続されている。
放熱板７の上面にダイオードチップ８を固着することにより、ダイオードチップ８の面積を従来のダイオードに比べて大とし、大電流を流すことが可能であり、その放熱板７によってダイオードチップ８で発生する高熱を放熱でき、端子ボックスの構造を変更することなく、バイパスダイオード１に大電流を流すことが出来る。
ここでは、ダイオードチップ８は、図２の（ｄ）に示すように縦（５．０ｍｍ）×（６．０ｏｒ６．５ｍｍ）の大きさの長方形状をしており、上記放熱板７より少し、面積を小さくしているが、それでも図９に示す従来のものよりは、十分に広く設定している。このダイオードチップ８は、必要に応じ、放熱板７と同面積の広さとしても良い。
この実施形態バイパスダイオード１は、最終的には、図１に示す状態でリードフレーム２の第１のリード端子４ａと第３のリード端子４ｃの間の連結部５ｃと、第１のリード端子４ａの破線部でリード端子先端４ａ２とを切除し、第３図に示すものとする。このように、ベース部３に一体的に連結される第１のリード端子４ａと第３のリード端子４ｃの連結部５ｃ、及びリード端子部４ａ２以降を切除するとともに、第２のリード端子４ｂとの連結部５ｂを残しておき、ダイオードチップ８のＮ層（カソード電極）を第１のリード端子４ａ、連結部５ｂを経て第２のリード端子４ｂにより外部接続するようにしたことも、この実施形態バイパスダイードの特徴の一つである。
このように構成することで、ダイードチップ８のカソードを、ベース部３、第１のリード端子４ａを経て第２のリード端子４ｂに接続することにより、外部接続はリード端子４ｂ、４ｃで従来のものと変わりなく、それでいて、ベース部３に空域を設ける必要がなく、その分ベース部３領域全体にダイオードチップ８を大きくして使用できるので、従来より大電流を流し得るバイパスダイードが得られる。 The lead frame 2 shown in FIGS. 1 and 2 is the same as the lead frame 21 of the conventional bypass diode shown in FIG. 9, and is the one before cutting as the unique lead terminal of this embodiment. A copper heat sink 7 is soldered to the upper surface of the base portion 3. The heat radiating plate 7 has the same area as that of the base portion 3 and, as shown in FIGS. 2B and 2C, is vertical (6.0 mm) × horizontal (7.7 mm), One feature of this embodiment bypass diode is that it has a rectangular shape with a thickness (0.35 mm) and is provided with this heat sink 7.
A diode chip 8 is soldered to the upper surface of the heat sink 7 with the N layer down and the P layer up. The diode chip 8 uses a mesa-type glass passivation chip having a rectangular shape in plan view. As shown in FIG. 6, the glass passivation chip 8 includes a P layer 13, an anode electrode 14, an N layer 15, a cathode electrode 16, and a glass layer 17 provided on the side surface across the PN junction surface. And is composed of. The anode electrode 14 on the upper surface of the P layer 13 of the diode chip 8 and the connection terminal 6 c of the lead terminal 4 c are connected by a wire 10.
By fixing the diode chip 8 on the upper surface of the heat sink 7, the area of the diode chip 8 can be made larger than that of a conventional diode, and a large current can flow. The heat sink 7 generates the diode chip 8. High heat can be radiated, and a large current can be passed through the bypass diode 1 without changing the structure of the terminal box.
Here, the diode chip 8 has a rectangular shape with a length (5.0 mm) × (6.0 or 6.5 mm) as shown in FIG. Although the area is small, it is still set sufficiently wider than the conventional one shown in FIG. The diode chip 8 may have the same area as the heat sink 7 as necessary.
In this embodiment, the bypass diode 1 finally has a connecting portion 5c between the first lead terminal 4a and the third lead terminal 4c of the lead frame 2 and the first lead terminal 4a in the state shown in FIG. The lead terminal tip 4a2 is cut off at the broken line portion shown in FIG. In this manner, the first lead terminal 4a and the third lead terminal 4c connected to the base portion 3 are cut out from the connecting portion 5c of the third lead terminal 4c and the lead terminal portion 4a2, and the second lead terminal 4b. In this embodiment, the connecting portion 5b is left and the N layer (cathode electrode) of the diode chip 8 is externally connected through the first lead terminal 4a and the connecting portion 5b to the second lead terminal 4b. This is one of the features of the form bypass die.
By configuring in this way, the cathode of the die chip 8 is connected to the second lead terminal 4b through the base part 3 and the first lead terminal 4a, so that the external connection is conventional with the lead terminals 4b and 4c. However, there is no need to provide an air space in the base portion 3, and the diode chip 8 can be enlarged and used in the entire base portion 3 region, so that a bypass diode capable of flowing a larger current than before can be obtained.

次に、この実施形態バイパスダイオードを製作する方法を、図４を参照して説明する。図４において、説明を簡略するために、１個のリードフレーム２のみを示している。このリードフレーム２のベース部３に、放熱板７をリフロー炉に入れ半田付けする。次に、放熱板７の上面にダイオードチップ８を半田付けする。続いて、ダイオードチップ８のアノード１４と接続端子６ｃをワイヤー１０で接続し、さらにダイオードチップ８の部分１１を樹脂封止する（図１参照）。最後に、連結部５ｃを切除するとともに、第１のリード端子４ａの先端部４ａ２を切除する。   Next, a method of manufacturing this embodiment bypass diode will be described with reference to FIG. In FIG. 4, only one lead frame 2 is shown to simplify the description. A heat sink 7 is placed in a reflow furnace and soldered to the base portion 3 of the lead frame 2. Next, the diode chip 8 is soldered to the upper surface of the heat sink 7. Subsequently, the anode 14 of the diode chip 8 and the connection terminal 6c are connected by the wire 10, and the portion 11 of the diode chip 8 is resin-sealed (see FIG. 1). Finally, the connecting portion 5c is cut and the tip portion 4a2 of the first lead terminal 4a is cut.

なお、上記実施形態において、ダイオードチップ８として、ガラスパッシベーションダイーオドを使用しているが、これに代えてＰ層とＮ層からなるＰＮ接合ダイオードを使用しても良い。
以上説明した実施形態は、本発明において、好ましい実施形態であるが、他の実施形態として、図５に示す場合を説明する。この実施形態に係るバイパスダイオード１は、図１の場合と同様のリードフレーム２を備えるが、図１に示すものとは、相違しベース部３に放熱板を備えず、ダイオードチップ１８のＮ層の電極を直接ベース部３に半田付けしたものである。また、ダイオードチップ１８は、ＰＮ接合ダイオードを使用している。この実施形態において、ダイオードチップ１８は、ＰＮ接合ダイオードに代えて、メサ型ガラスパッシベーションチップを用いても良いこと言うまでもない。 In the above embodiment, a glass passivation diode is used as the diode chip 8, but a PN junction diode composed of a P layer and an N layer may be used instead.
The embodiment described above is a preferred embodiment in the present invention, but the case shown in FIG. 5 will be described as another embodiment. The bypass diode 1 according to this embodiment includes a lead frame 2 similar to that shown in FIG. 1, but is different from that shown in FIG. the electrodes directly base 3 is obtained by soldering. The diode chip 18 uses a PN junction diode. In this embodiment, it goes without saying that the mesa-type glass passivation chip may be used as the diode chip 18 in place of the PN junction diode.

１ バイパスダイオード
２ リードフレーム
３ ベース部
４ａ 第１のリード端子
４ｂ 第２のリード端子
４ｃ 第３のリード端子
５ｂ、５ｃ 連結部
６ｂ、６ｃ 接続端子
７ 放熱板
８、１８ ダイオードチップ
９、１４ Ｐ電極（アノード電極）
１０ ワイヤー
１１ 樹脂封止部
１３ Ｐ層
１５ Ｎ層
１６ Ｎ電極（カソード電極）
１７ ガラス層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bypass diode 2 Lead frame 3 Base part 4a 1st lead terminal 4b 2nd lead terminal 4c 3rd lead terminal 5b, 5c Connection part 6b, 6c Connection terminal 7 Heat sink 8, 18 Diode chip 9, 14 P electrode (Anode electrode)
10 Wire 11 Resin sealing part 13 P layer
15 N layer 16 N electrode (cathode electrode)
17 Glass layer

Claims (5)

リードフレームにダイオードチップを搭載するベース部と外部接続のための３つのリード端子を備え、前記ベース部にダイオードチップを装着するようにしたバイパスダイードにおいて、
前記リードフレームの前記ベース部に一体的に形成されたリード端子と他の一方のリード端子を連結したまま、もう一方の他のリード端子との連結を切除する構成とし、
前記ダイオードチップを少なくとも側辺が前記ベース部の端縁に至る程の大きさにして前記ベース部に固着するとともに、前記ダイオードチップの上面と前記もう一方の他のリード端子の接続端子部とをワイヤー接続してなることを特徴とするバイパスダイーオード。 In a bypass diode including a base portion on which a diode chip is mounted on a lead frame and three lead terminals for external connection, the diode chip is mounted on the base portion.
The lead terminal integrally formed with the base portion of the lead frame and the other one lead terminal are connected, and the connection with the other other lead terminal is cut off.
While fixed to the base portion at least sides of the diode chip in the size of the extent to reach the edge of the base portion, and a connection terminal portion of the upper surface and the other other lead terminal of the diode chips Bypass diode characterized by wire connection. 前記ベース部と、前記ダイオードチップの底面の間に、高放熱性の導電部材を設けてなることを特徴とする請求項１記載のバイパスダイーオード。 2. The bypass diode according to claim 1, wherein a conductive material having high heat dissipation is provided between the base portion and the bottom surface of the diode chip. 前記導電部材は、前記リードフレームの前記ベース部と同一の広さに設定されたものであることを特徴とする請求項２記載のバイパスダイーオード。 The bypass diode according to claim 2, wherein the conductive member is set to have the same area as the base portion of the lead frame. 前記導電部材は、前記ダイオードチップと同一の広さに設定されたものであることを特徴とする請求項２又は請求項３記載のバイパスダイーオード。 The bypass diode according to claim 2, wherein the conductive member is set to have the same area as the diode chip. 前記ダイオードチップは、メサ型のガラスパッシベーションダイオードチップであることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４記載のバイパスダイーオード。 The bypass diode according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the diode chip is a mesa-type glass passivation diode chip.
JP2009291149A 2009-12-22 2009-12-22 Bypass diode Pending JP2011134796A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009291149A JP2011134796A (en) 2009-12-22 2009-12-22 Bypass diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009291149A JP2011134796A (en) 2009-12-22 2009-12-22 Bypass diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011134796A true JP2011134796A (en) 2011-07-07

Family

ID=44347240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009291149A Pending JP2011134796A (en) 2009-12-22 2009-12-22 Bypass diode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011134796A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943593A (en) * 2014-03-26 2014-07-23 张轩 Lead frame with two kinds of chips
CN116936515A (en) * 2023-07-28 2023-10-24 杭州道铭微电子有限公司 Bypass diode structure and bypass diode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943593A (en) * 2014-03-26 2014-07-23 张轩 Lead frame with two kinds of chips
CN116936515A (en) * 2023-07-28 2023-10-24 杭州道铭微电子有限公司 Bypass diode structure and bypass diode

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6253409B2 (en) Power semiconductor module
JP4803241B2 (en) Semiconductor module
JP4948535B2 (en) Panel type semiconductor module
JP2011146646A (en) Led unit
JP2014207446A (en) Led component formed by integrating epitaxial structure and package substrate and process of manufacturing the same
JP5484372B2 (en) Semiconductor module
JP2006286996A (en) Terminal box for solar panel
JP2014534798A (en) Diode cell module
EP2442370A2 (en) Package structure of concentrated photovoltaic cell
JP2011199161A (en) Semiconductor device
JP2019079839A (en) Semiconductor power module
JP4458028B2 (en) Semiconductor device
JP2011134796A (en) Bypass diode
JP4471823B2 (en) Power semiconductor device
CN105390585A (en) Chip packaging module and packaging substrate
KR20160002710U (en) Floating Heat Sink Support with Copper Sheets and LED Package Assembly for LED Flip Chip Package
US9590126B2 (en) Solar cell assembly II
JP2009246053A (en) Diode having frame board
JP2007227762A (en) Semiconductor device and semiconductor module equipped therewith
JP2001036001A (en) Power semiconductor module
JP3108179U (en) Terminal box for a solar cell module using a terminal plate having heat radiation fins
JP2013197464A (en) Solar cell circuit
JP2003347573A (en) Bypass diode for solar battery
EP3410501B1 (en) Light-emitting diode module and light apparatus
JP5145966B2 (en) Semiconductor module