JP2011133465A - Radiation imaging apparatus - Google Patents

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Yasuyoshi Ota
恭義 大田
Naoyuki Nishino
直行 西納
Naoto Iwakiri
直人 岩切
Haruyasu Nakatsugawa
晴康 中津川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation imaging apparatus which obtains radiation image data with high precision, uses radiation detection panels and is highly convenient. <P>SOLUTION: In an electronic cassette 10, panel units 14B, 14C are interconnected by a hinge 64, and panel units 14A, 14B are interconnected by a hinge 66. In the panel units 14A to 14C, first surfaces 72 of radiation detection panels 20 in an open state are accommodated facing in the same direction, and in an electronic cassette, second surfaces of the radiation detection panels of the panel units 14A, 14C in a closed state face in the same direction. A filter 84 for energy conversion of the panel unit 14C is arranged between the panel units 14A and 14B. Thereby, in the electronic cassette, image capturing in the open state is possible, as well as radiation image data used for energy subtraction is obtained in the closed state. Further, enhancement of radiation efficiency is achieved, and the radiation detection panels is prevented from receiving influence of heat emitted from a control unit. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、放射線撮像装置に係り、詳細には、放射線検出パネルを備えたに放射線撮像装置に関する。   The present invention relates to a radiation imaging apparatus, and more particularly to a radiation imaging apparatus provided with a radiation detection panel.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリックス基板上に放射線感応層を配置し、照射されたX線等の放射線を検出し、照射放射線量の分布を表す放射線画像のデータへ直接変換して出力するFDP(Flat Panel Detector)が実用化されている。このFDP等のパネル型の放射線検出器と、画像メモリを含む制御部及び電源部を内蔵し、放射線検出器から出力される放射線画像データを画像メモリへ記憶する放射線撮像装置(以下、電子カセッテともいう)も実用化されている。   In recent years, a radiation sensitive layer is arranged on a TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrate, radiation such as irradiated X-rays is detected, and directly converted into radiation image data representing the distribution of radiation dose and output. FDP (Flat Panel Detector) has been put into practical use. A radiation imaging apparatus (hereinafter also referred to as an electronic cassette) that incorporates a panel-type radiation detector such as an FDP, a control unit including an image memory, and a power supply unit, and stores radiation image data output from the radiation detector in the image memory. Is also put into practical use.

例えば、電子カセッテでは、被検者をストレッチャーやベッドに載せたまま撮影できると共に、被検者に対する電子カセッテの配置位置を変更することで、撮像部位の調整も容易であるため、動作が制限されている被検者を撮影する場合にも、柔軟に対処することができる。   For example, with an electronic cassette, the subject can be photographed while being placed on a stretcher or bed, and the position of the electronic cassette relative to the subject can be changed, which makes it easy to adjust the imaging region. Even when a subject is photographed, it can be flexibly dealt with.

このような電子カセッテに関連して、例えば、特許文献1では、光電変換素子をマトリックス状に配置した2枚の平面センサを、互いの一辺で連結することにより開閉可能とすることにより、平面センサの面積の確保と保管性・可搬性を確保するように提案している。また、特許文献2では、放射線検出器を有するカセッテと、放射線検出器を制御する制御ユニットと、を着脱可能とすることにより軽量化を図るように提案している。   In relation to such an electronic cassette, for example, in Patent Document 1, two flat sensors in which photoelectric conversion elements are arranged in a matrix shape can be opened and closed by connecting them on one side, thereby providing a flat sensor. It is proposed to ensure the area of the product and to ensure storage and portability. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-228561 proposes to reduce the weight by allowing the cassette having the radiation detector and the control unit for controlling the radiation detector to be detachable.

一方、同一の被写体に対して、高エネルギー成分の放射線画像と低エネルギー成分の放射線画像を用いることにより、被写体の特定の構造物を強調するエネルギーサブストラクション法がある。この技術において、特許文献3及び特許文献4では、放射線の低エネルギー成分吸収物質を含むフィルタ(放射線エネルギー分離フィルタなど)を用い、2枚のディテクタの間や、輝尽発光により放射線画像を取得可能とする2枚の蓄積性蛍光体シートの間に該当フィルタを配置して、1ショットエネルギーサブストラクションを行う構成が提案されている。   On the other hand, there is an energy subtraction method that emphasizes a specific structure of a subject by using a high-energy component radiation image and a low-energy component radiation image for the same subject. In this technology, in Patent Document 3 and Patent Document 4, a radiation image can be acquired between two detectors or by stimulating light emission using a filter (such as a radiation energy separation filter) containing a low-energy component absorbing material for radiation. The structure which arrange | positions a pertinent filter between the two storage fluorescent substance sheet | seats to perform 1 shot energy subtraction is proposed.

特開2003−339687号公報JP 2003-339687 A 特開2009−80103号公報JP 2009-80103 A 特開2001−299733号公報JP 2001-299733 A 特開2004−264547号公報JP 2004-264547 A

FPDなどを用いたパネル状の放射線検出パネルでは、TFTアクティブマトリックス基板(以下、TFT基板ともいう)の一方の面に、放射線−電荷変換或いは、放射線−光−電荷変換を行う光電変換層などの放射線変換層を設け、放射線変換層で発生された電荷を収集する構成となっている。このような、放射線検出パネルでは、通常、放射線変換層側から照射された放射線に応じた放射線画像データを得るようにしているが、TFT基板側から放射線が照射された場合にも、照射された放射線に応じた放射線画像データが得られる。   In a panel-shaped radiation detection panel using an FPD or the like, a photoelectric conversion layer or the like that performs radiation-charge conversion or radiation-light-charge conversion is provided on one surface of a TFT active matrix substrate (hereinafter also referred to as a TFT substrate). A radiation conversion layer is provided to collect charges generated in the radiation conversion layer. In such a radiation detection panel, radiation image data corresponding to radiation irradiated from the radiation conversion layer side is usually obtained, but irradiation is performed even when radiation is irradiated from the TFT substrate side. Radiation image data corresponding to the radiation is obtained.

本発明はこのような放射線検出パネルを用い、各種の放射線画像の撮像に対応しうる利便性の高い放射線撮像装置の提供を目的とする。   It is an object of the present invention to provide a highly convenient radiation imaging apparatus that uses such a radiation detection panel and can handle various types of radiation images.

上記目的を達成する請求項1に係る本発明は、放射線検出パネル及び複数の放射線検出パネルを制御する制御部を有する第1のパネルユニットと、それぞれが前記制御部に制御される放射線検出パネルを有し、それぞれの一辺が前記第1のパネルユニットの異なる辺に、該辺を軸に回動可能に連結された第2のパネルユニット及び第3のパネルユニットと、を含む。   The present invention according to claim 1, which achieves the above object, comprises a first panel unit having a radiation detection panel and a control unit for controlling the plurality of radiation detection panels, and a radiation detection panel each controlled by the control unit. And a second panel unit and a third panel unit, each of which is connected to a different side of the first panel unit so as to be rotatable about the side.

この発明によれば、第1のパネルユニットの一辺に第2のパネルユニットを回動可能に連結し、第1のパネルユニットの、第2のパネルユニットが連結された辺と異なる辺に、第3のパネルユニットが連結されている。また、第1のパネルユニット、第2のパネルユニット及び第3のパネルユニットには、放射線検出パネルが収容され、それぞれの放射線検出パネルを制御する制御部を第1のパネルユニットに設けている。   According to the present invention, the second panel unit is rotatably connected to one side of the first panel unit, and the first panel unit has a second side different from the side to which the second panel unit is connected. 3 panel units are connected. The first panel unit, the second panel unit, and the third panel unit contain radiation detection panels, and a control unit that controls each radiation detection panel is provided in the first panel unit.

これにより、第1、第2及び第3のパネルユニットのそれぞれに収容している3枚の放射検出パネルを任意の組み合わせで用いて、放射線を用いた被写体の撮像を行うことができる。   Thereby, it is possible to image a subject using radiation by using the three radiation detection panels housed in each of the first, second, and third panel units in any combination.

請求項2に係る発明は、一方の面に放射線検出パネルの一方の面が向けられて該放射線検出パネルが収容された第1のパネルユニット、第2のパネルユニット及び第3のパネルユニットと、前記第1のパネルユニットの一端部と前記第2のパネルユニットの一端部を、前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の2つの状態となるように回動可能に連結する第1の連結部材と、前記第1のパネルユニットの前記一端部と異なる端部と前記第3のパネルユニットの一端部を、前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第3のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第3のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の2つの状態となるように回動可能に連結すると共に、前記第1のパネルユニット及び前記第2のパネルユニットの前記閉状態でかつ、第1のパネルユニット及び前記第3のパネルユニットの前記閉状態では、前記第2のパネルユニットの他方の面に前記第3のパネルの一方の面が対向されるように連結する第2の連結部材と、前記第1のパネルユニット及び前記第2のパネルユニットの前記閉状態で、かつ、前記第1のパネルユニット及び前記第3のパネルユニットの前記閉状態であるときに、前記第2のパネルユニットと前記第3のパネルユニットとの間に配置されて、入射される放射線から所定のエネルギー成分を吸収するフィルタ部材と、を含む。   The invention according to claim 2 is a first panel unit, a second panel unit, and a third panel unit in which one surface of the radiation detection panel is directed to one surface and the radiation detection panel is accommodated; A closed state in which one end of the first panel unit and one end of the second panel unit are opposed to one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit; and A first coupling member that pivotably couples so that one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit are in two open states directed in the same direction. And an end portion different from the one end portion of the first panel unit and an end portion of the third panel unit are connected to one surface of the first panel unit and one surface of the third panel unit. Closed opposite , And one surface of the first panel unit and one surface of the third panel unit are rotatably connected so as to be in two states of being opened in the same direction, and In the closed state of the first panel unit and the second panel unit and in the closed state of the first panel unit and the third panel unit, the second panel unit has the second panel unit on the other surface. A second connecting member that is connected so that one surface of each of the three panels faces, the first panel unit and the second panel unit in the closed state, and the first panel unit and When the third panel unit is in the closed state, the third panel unit is disposed between the second panel unit and the third panel unit to extract a predetermined energy component from incident radiation. Comprising a filter member for yield, the.

この発明によれば、第1のパネルユニットに、第2及び第3のパネルユニットを順に重ねた閉状態と、第1、第2及び第3のパネルユニットを同一平面上に並べた開状態を取り得るように第1及び第2の連結部材により、第1、第2及び第3のパネルユニットが連結されている。   According to this invention, the closed state in which the second and third panel units are sequentially stacked on the first panel unit, and the open state in which the first, second, and third panel units are arranged on the same plane. As can be taken, the first, second and third panel units are connected by the first and second connecting members.

開状態では、第1、第2及び第3のパネルユニット内の放射線検出パネルの同一面(一方の面)が、同一の方向へ向けられる。また、第1、第2及び第3のパネルユニットの閉状態では、第2のパネルユニットの放射線検出パネルと第3の放射検出パネルの同一面(他方の面)が、同一の方向へ向けられて重ねられ、第2及び第3のパネルユニットの間にフィルタ部材が配置される。   In the open state, the same surface (one surface) of the radiation detection panels in the first, second, and third panel units is directed in the same direction. In the closed state of the first, second and third panel units, the same surface (the other surface) of the radiation detection panel and the third radiation detection panel of the second panel unit is directed in the same direction. The filter member is disposed between the second and third panel units.

したがって、第1、第2及び第3のパネルユニットの閉状態で、同一の画像特性の放射線画像データが得られる。また、第1、第2及び第3のパネルユニットの閉状態では、第2のパネルユニットの放射線検出パネルと第3のパネルユニットの放射線検出パネルの同じ画像特性の面を用いて、エネルギーサブストラクション用の放射線画像データを得ることができる。   Therefore, radiation image data having the same image characteristics can be obtained in the closed state of the first, second and third panel units. In the closed state of the first, second, and third panel units, the energy subtraction is performed using the same image characteristics of the radiation detection panel of the second panel unit and the radiation detection panel of the third panel unit. Radiographic image data can be obtained.

このような、本発明では、第1のパネルユニットと第2のパネルユニットの開状態及び、第1のパネルユニットと第3のパネルユニットの開状態でおいて、同一方向へ向けられているそれぞれの一方の面が、同一平面上となる構成としても良く、これにより、3枚の放射線検出パネルを用いて、同一の撮像対象を分割した放射線画像データを得ることができる。   In the present invention, the first panel unit and the second panel unit are opened in the open state, and the first panel unit and the third panel unit are opened in the same direction. The one surface may be on the same plane, and thus, radiation image data obtained by dividing the same imaging target can be obtained using three radiation detection panels.

請求項3に係る発明は、請求項2の発明において、制御部及び電源部により構成される制御ユニットを含み、前記第1のパネルユニット内で、第1のパネルユニットに収容された前記放射線検出パネルの他方の面側となる位置に前記制御ユニットが収容されている。   The invention according to claim 3 is the radiation detection apparatus according to claim 2, further comprising a control unit including a control unit and a power supply unit, wherein the radiation detection unit is accommodated in the first panel unit within the first panel unit. The control unit is accommodated at a position on the other surface side of the panel.

この発明によれば、制御ユニットが、閉状態であっても第2及び第3のパネルユニットの放射線検出パネルから離れた第1のパネルユニット内に設けているので、エネルギーサブストラクション法を用いた画像診断を行うときに、高精度の診断が可能となる放射線画像データが得られる。   According to this invention, since the control unit is provided in the first panel unit away from the radiation detection panels of the second and third panel units even in the closed state, the energy subtraction method is used. When performing image diagnosis, radiation image data that enables highly accurate diagnosis is obtained.

このような請求項3の構成においては、請求項4に記載されるように、前記第1のパネルユニット内の前記放射線検出パネルと前記制御ユニットとの間に、撮像時におけるバック散乱を防止する平板状の放射線吸収部材を含むことができる。   In such a configuration of claim 3, as described in claim 4, back scattering during imaging is prevented between the radiation detection panel in the first panel unit and the control unit. A flat radiation absorbing member can be included.

請求項5に係る発明は、請求項2において、制御部及び電源部により構成される制御ユニットを有し、該制御ユニットが、前記第1及び第2の連結部材内に収容される。   According to a fifth aspect of the present invention, in the second aspect, the control unit includes a control unit and a power supply unit, and the control unit is accommodated in the first and second connecting members.

この発明によれば、第1及び第2の連結部材に、制御ユニットの制御部及び電源部を収容する。これにより、制御部及び電源部が、放射線検出パネルから離れるために、放射線検出パネルが熱の影響を受けてしまうのを防止することができる。   According to this invention, the control unit and the power supply unit of the control unit are accommodated in the first and second connecting members. Thereby, since a control part and a power supply part leave | separate from a radiation detection panel, it can prevent that a radiation detection panel will receive to the influence of a heat | fever.

請求項6の発明は、請求項5において、前記第1の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の一方を収容する本体と、該本体に前記第1及び第2のパネルユニットを回動可能に連結する連結部とを含み、前記第2の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の他方を収容する本体と、を含む。   A sixth aspect of the present invention is the main body according to the fifth aspect, wherein the first connecting member is formed in a box shape and houses one of the control unit or the power source unit of the control unit, And a second connecting member formed in a box shape to connect the other of the control unit or the power source unit to the control unit. And a main body to be accommodated.

この発明によれば、第1及び第2の連結部材の本体の周囲が閉状態及び開状態の何れでも開放されるので、制御部及び電源部に対する放熱効果の向上を図ることができる。   According to this invention, since the periphery of the main body of the first and second connecting members is opened both in the closed state and in the open state, it is possible to improve the heat dissipation effect for the control unit and the power supply unit.

このような請求項6の発明においては、請求項7に記載するように、前記第1、第2及び第3のパネルユニットが、開状態で前記第1の連結部材の前記本体及び、前記第2の連結部材の前記本体に支持される構成を取り得る。   In the invention of claim 6, as described in claim 7, the first, second, and third panel units are in the open state, the main body of the first connecting member, and the first The structure supported by the said main body of 2 connection members can be taken.

また、請求項8に係る発明は、請求項2から請求項7の何れかにおいて、前記第3のパネルユニットの他方の面に、撮像時の撮像対象による散乱線を除去する平板状のグリッドが設けられている。   The invention according to claim 8 is the invention according to any one of claims 2 to 7, wherein a flat grid for removing scattered rays due to an imaging target at the time of imaging is provided on the other surface of the third panel unit. Is provided.

この発明によれば、エネルギーサブストラクション法に用いる放射線画像データを得るときに、撮像対象による放射線の散乱光の影響を防止できるので、高精度の診断が可能となる放射線画像データが得られる。   According to the present invention, when obtaining radiographic image data used in the energy subtraction method, it is possible to prevent the influence of the scattered light of the radiation by the imaging target, so that radiographic image data that enables highly accurate diagnosis can be obtained.

請求項9の発明は、請求項1〜請求項8において、前記放射線検出パネルが、放射線を光に変換するシンチレータで放射線を光に変換し、当該光により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力するものとし、前記シンチレータは、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成されてもよい。   A ninth aspect of the present invention provides the method according to the first to eighth aspects, wherein the radiation detection panel converts the radiation into light by a scintillator that converts the radiation into light, and outputs an electrical signal indicating a radiation image represented by the light. The scintillator may include a columnar crystal of a phosphor material.

請求項10の発明は、請求項9において、前記蛍光体材料を、CsIとすることが好ましい。   According to a tenth aspect of the present invention, in the ninth aspect, the phosphor material is preferably CsI.

請求項11の発明は、請求項9又は請求項10において、前記放射線検出パネルは、絶縁性の基板上に、前記シンチレータで変換された光を受光することにより電荷が発生するセンサ部、および当該センサ部で発生された電荷を読み出すための薄膜トランジスタが形成され、前記センサ部が、有機光電変換材料を含んで構成され、前記薄膜トランジスタの活性層が、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成され、前記基板が、プラスチックにより形成されてもよい。   An eleventh aspect of the present invention is the sensor unit according to the ninth or tenth aspect, wherein the radiation detection panel receives a light converted by the scintillator on an insulating substrate and generates a charge. A thin film transistor for reading out the electric charge generated in the sensor unit is formed, the sensor unit includes an organic photoelectric conversion material, and an active layer of the thin film transistor includes an amorphous oxide, an organic semiconductor material, or a carbon nanotube. The substrate may be made of plastic.

以上説明したように請求項1の発明によれば、3枚の放射線検出パネルを任意に組み合わせて放射線画像データを得ることができる。   As described above, according to the first aspect of the present invention, radiation image data can be obtained by arbitrarily combining three radiation detection panels.

また、請求項2の発明によれば、閉状態及び開状態の何れであっても、放射線検出パネルの間で、画像特性の等しい面を用いた放射線画像データが得られる。   Further, according to the invention of claim 2, radiation image data using a surface having the same image characteristics can be obtained between the radiation detection panels in either the closed state or the open state.

請求項3の発明よれば、少なくともエネルギーサブストラクション用の放射線画像データを得るときに、放射線検出パネルが熱の影響を受けてしまうのを防止することができる。   According to the invention of claim 3, it is possible to prevent the radiation detection panel from being affected by heat when obtaining radiation image data for at least energy subtraction.

請求項4の発明によれば、制御ユニットが設けられている第1のパネルユニットの放射線検出パネルが、バック散乱光の影響を受けてしまうのを防止することができる。   According to invention of Claim 4, it can prevent that the radiation detection panel of the 1st panel unit in which the control unit is provided will receive to the influence of backscattered light.

請求項5の発明よれば、第1から第3のパネルユニットの何れの放射線検出パネルも、制御ユニットの熱の影響を受けてしまうのが防止される。また、請求項6の発明によれば、制御ユニットの放熱効果を向上することができる。   According to the invention of claim 5, any radiation detection panel of the first to third panel units is prevented from being affected by the heat of the control unit. According to the invention of claim 6, the heat dissipation effect of the control unit can be improved.

さらに、請求項8の発明によれば、エネルギーサブストラクション法による診断等に用いる放射線画像データを得るときに、撮影対象に起因する散乱光の影響を受けてしまうことがない。   Furthermore, according to the eighth aspect of the present invention, when obtaining radiographic image data used for diagnosis or the like by the energy subtraction method, there is no influence of scattered light caused by the imaging target.

第1の実施の形態に係る電子カセッテの概略構成を示す斜視図である。It is a perspective view showing a schematic structure of an electronic cassette concerning a 1st embodiment. (A)は図1の電子カセッテの閉状態を示す斜視図、(B)は図1の電子カセッテの開状態を示す斜視図である。(A) is a perspective view which shows the closed state of the electronic cassette of FIG. 1, (B) is a perspective view which shows the open state of the electronic cassette of FIG. (A)は電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、(B)は電子カセッテの開状態を示す概略図、(C)はヒンジの一例を示す電子カセッテの要部の概略構成図である。(A) is a schematic block diagram which shows the closed state of an electronic cassette, (B) is a schematic diagram which shows the open state of an electronic cassette, (C) is a schematic block diagram of the principal part of the electronic cassette which shows an example of a hinge. 放射線検出パネルの層構成を模式的に示した概略図である。It is the schematic which showed the layer structure of the radiation detection panel typically. 放射線検出器のスイッチ素子の構成を概略的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed roughly the structure of the switch element of a radiation detector. 放射線検出パネルを平面視したとの構成を模式的に示した概略図である。It is the schematic which showed typically the structure when the radiation detection panel was planarly viewed. 制御ユニットの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a control unit. 放射線検出器への放射線の表面読取方式と裏面読取方式を説明するための断面側面図である。It is a cross-sectional side view for demonstrating the surface reading system and back surface reading system of the radiation to a radiation detector. 第2の実施の形態に係る電子カセッテの閉状態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the closed state of the electronic cassette concerning 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子カセッテの開状態を示す概略図である。It is the schematic which shows the open state of the electronic cassette concerning 2nd Embodiment. 放射線検出パネルの層構成の他の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows another example of the layer structure of a radiation detection panel. (A)は他の形態の電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、(B)は他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。(A) is a schematic block diagram which shows the closed state of the electronic cassette of another form, (B) is the schematic which shows the open state of the electronic cassette of another form. (A)は他の形態の電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、(B)は他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。(A) is a schematic block diagram which shows the closed state of the electronic cassette of another form, (B) is the schematic which shows the open state of the electronic cassette of another form. 放射線検出パネルを表面読取方式で配置する際の構成の一例を断面図である。It is sectional drawing of an example of a structure at the time of arrange | positioning a radiation detection panel by a surface reading system. (A)は他の形態の電子カセッテの閉状態を示す概略構成図、(B)は他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。(A) is a schematic block diagram which shows the closed state of the electronic cassette of another form, (B) is the schematic which shows the open state of the electronic cassette of another form. 他の形態の電子カセッテの開状態を示す概略図である。It is the schematic which shows the open state of the electronic cassette of another form. 他の形態の電子カセッテの閉状態を示す構成図である。It is a block diagram which shows the closed state of the electronic cassette of another form.

以下に図面を参照して、本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。
〔第1の実施の形態〕
図1乃至図3には、本実施の形態に係る電子カセッテ10が示されている。電子カセッテ10は、複数の筐体を備えている。本実施の形態では、一例として3台の筐体12A、12B、12Cが設けられている。筐体12A〜12Cのそれぞれは、高さ方向(図1乃至図3の紙面上下方向)が低い(薄い)矩形形状(平板形状)に形成されている。
Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[First Embodiment]
1 to 3 show an electronic cassette 10 according to the present exemplary embodiment. The electronic cassette 10 includes a plurality of housings. In the present embodiment, as an example, three housings 12A, 12B, and 12C are provided. Each of the housings 12A to 12C is formed in a rectangular shape (flat plate shape) having a low (thin) height direction (up and down direction in FIG. 1 to FIG. 3).

筐体12A〜12Cのそれぞれには、放射線検出パネル20が収容されており、これにより、パネルユニット14A〜14Cが形成されている。なお、筐体12A〜12C(パネルユニット14A〜14C)には、同等の構成の放射線検出パネル20が収容されるが、以下で、区別する場合には、筐体12Aに放射線検出パネル20Aが収容されてパネルユニット14Aが形成され、筐体12Bに放射線検出パネル20Bが収容されてパネルユニット14Bが形成され、さらに、筐体12Cに放射線検出パネル20Cが収容されてパネルユニット14Cが形成されているものとする。   Each of the casings 12A to 12C accommodates the radiation detection panel 20, thereby forming panel units 14A to 14C. The casings 12A to 12C (panel units 14A to 14C) accommodate the radiation detection panel 20 having the same configuration. However, in the following, the radiation detection panel 20A is accommodated in the casing 12A for distinction. The panel unit 14A is formed, the radiation detection panel 20B is accommodated in the housing 12B, the panel unit 14B is formed, and the radiation detection panel 20C is accommodated in the housing 12C, and the panel unit 14C is formed. Shall.

電子カセッテ10では、パネルユニット14B上にパネルユニット14Cが重ねられ、このパネルユニット14Cに、パネルユニット14Aが重ねられる。図3(A)及び図3(B)に示されるように、パネルユニット14Bとパネルユニット14Cとは、互いに対向される一辺が連結部材の一例とされるヒンジ64によって連結されている。これにより、パネルユニット14Cは、ヒンジ64のピン64Aを軸にしてパネルユニット14Bに対して、重なる位置(閉状態)と展開位置(開状態)との間で回動可能(角度θが0°〜180°範囲)とされている。   In the electronic cassette 10, the panel unit 14C is overlaid on the panel unit 14B, and the panel unit 14A is overlaid on the panel unit 14C. As shown in FIGS. 3A and 3B, the panel unit 14B and the panel unit 14C are connected to each other by a hinge 64 that is an example of a connecting member. Thereby, the panel unit 14C can rotate between the overlapping position (closed state) and the deployed position (open state) with respect to the panel unit 14B with the pin 64A of the hinge 64 as an axis (the angle θ is 0 °). ˜180 ° range).

ここで、ヒンジ64は、比較的細いピン64Aを使用し、複数のヒンジ64(図3(A)及び図3(B)では1つを図示)をパネルユニット14Bとパネルユニット14Cとの間に設けている。これにより、パネルユニット14Bとパネルユニット14Cとの連結強度を確保すると共に、パネルユニット14Bとパネルユニット14Cとの開状態で、パネルユニット14Bとパネルユニット14Cとの間隔が開いてしまうのを防止している。   Here, the hinge 64 uses a relatively thin pin 64A, and a plurality of hinges 64 (one is shown in FIGS. 3A and 3B) are provided between the panel unit 14B and the panel unit 14C. Provided. As a result, the connection strength between the panel unit 14B and the panel unit 14C is secured, and the gap between the panel unit 14B and the panel unit 14C is prevented from being widened when the panel unit 14B and the panel unit 14C are opened. ing.

また、パネルユニット14Aとパネルユニット14Bとは、パネルユニット14Bでヒンジ64が設けられた辺と異なる一辺で、連結部材の一例とするヒンジ66により連結されている。このヒンジ66は、例えば、連結部材の一例とする14A、14B側にピン66Aが設けられ、ピン66Aの間にピン66Bが設けられている。ヒンジ66は、ピン66Bを軸に中折れし、パネルユニット14Aは、パネルユニット14Bとの間隔を変えながら、パネルユニット14Bと重なる閉状態及び、パネルユニット14Bと同一面上に並ぶ開状態との間で回動可能とされている。   The panel unit 14A and the panel unit 14B are connected by a hinge 66, which is an example of a connecting member, on one side different from the side where the hinge 64 is provided in the panel unit 14B. In the hinge 66, for example, a pin 66A is provided on the 14A and 14B sides as an example of a connecting member, and a pin 66B is provided between the pins 66A. The hinge 66 is bent about the pin 66B, and the panel unit 14A has a closed state in which the panel unit 14B overlaps with the panel unit 14B and an open state in which the panel unit 14B is aligned on the same plane while changing the distance from the panel unit 14B. It is possible to rotate between them.

図3(C)に詳細に示されるように(図3(A)及び図3(B)では概略のみを図示)、ヒンジ66は、例えば、パネルユニット14Aの筐体12A及びパネルユニット14Bの筐体12Bのそれぞれに取り付けられる固定板67Aの一端にピン66Aが設けられている。それぞれの固定板67Aのピン66Aには、所定長さの揺動板67Bの一端が軸支されている。それぞれの揺動板67Bの他端には、ピン66Bが軸支されている。これにより、2枚の揺動板67Bが、ピン66Bを軸に回動可能に連結されている。   As shown in detail in FIG. 3C (only the outline is shown in FIGS. 3A and 3B), the hinge 66 is, for example, the housing 12A of the panel unit 14A and the housing of the panel unit 14B. A pin 66A is provided at one end of a fixed plate 67A attached to each of the bodies 12B. One end of a rocking plate 67B having a predetermined length is pivotally supported on the pin 66A of each fixed plate 67A. A pin 66B is pivotally supported on the other end of each swing plate 67B. Thus, the two rocking plates 67B are coupled so as to be rotatable about the pin 66B.

ヒンジ66は、2枚の揺動板67Bを延ばすことにより、パネルユニット14Aとパネルユニット14Bとの間隔を広げることができ、このときに要求される間隔に応じて揺動板67Bの長さが決められている。また、ヒンジ66は、2枚の揺動板67Bを重ねることにより、パネルユニット14Aとパネルユニット14Bとの間隔を狭めることができる。   The hinge 66 can extend the distance between the panel unit 14A and the panel unit 14B by extending the two rocking plates 67B, and the length of the rocking plate 67B can be increased according to the space required at this time. It has been decided. In addition, the hinge 66 can reduce the interval between the panel unit 14A and the panel unit 14B by overlapping the two swing plates 67B.

このようなヒンジ66は、例えば、筐体12Aに段差部13Aを形成すると共に、筐体12Bに段差部13Bを形成することにより、パネルユニット14A、14Bの開状態で、パネルユニット14A(筐体12A)がパネルユニット14B(筐体12B)に接するようにできる。すなわち、パネルユニット14A、14Bの開状態で、パネルユニット14、14Bの間の隙間をなくすことができる。ここで、段差部(段差部13A、13B)は、筐体12A、12Bの何れか一方に設ける構成であっても良い。また、電子カセッテ10では、パネルユニット14B、14Cの間のヒンジ64に換えて、ヒンジ66を設けても良い。なお、図1、図2(A)及び図2(B)では、ヒンジ64、66の図示を省略している。   Such a hinge 66, for example, forms the stepped portion 13A in the housing 12A and the stepped portion 13B in the housing 12B, so that the panel unit 14A (the housing) is opened in the panel units 14A and 14B. 12A) can come into contact with the panel unit 14B (housing 12B). That is, the gap between the panel units 14 and 14B can be eliminated when the panel units 14A and 14B are opened. Here, the step portions (step portions 13A and 13B) may be provided on either one of the housings 12A and 12B. In the electronic cassette 10, a hinge 66 may be provided instead of the hinge 64 between the panel units 14B and 14C. In FIGS. 1, 2A, and 2B, the hinges 64 and 66 are not shown.

これにより、電子カセッテ10では、パネルユニット14Bにパネルユニット14C、14Aを順に重ねた位置(図2(A)、図3(A)参照、以下、電子カセッテ10の閉状態ともいう)及び、パネルユニット14A〜14Cの上面(図1乃至図3の紙面上方側の面)が同一平面上となる位置(以下、電子カセッテ10の開状態ともいう)を取り得るようになっている。   As a result, in the electronic cassette 10, the panel units 14C and 14A are sequentially stacked on the panel unit 14B (see FIGS. 2A and 3A, hereinafter also referred to as the closed state of the electronic cassette 10), and the panel. The units 14A to 14C can take positions (hereinafter also referred to as an open state of the electronic cassette 10) where the upper surfaces (surfaces on the upper side in FIG. 1 to FIG. 3) are on the same plane.

このような電子カセッテ10は、図示しないロック機構により、パネルユニット14A〜14Cを重ね合わせた閉状態で保持可能とされている。また、電子カセッテ10は、該ロック機構を解除することにより、パネルユニット14A、14Cが展開状態へ移動(回動)可能となる。さらに、本実施の形態では、連結部材の一例とする14A〜14Cの長辺で連結するようにしているが、これに限らず短辺で連結しても良く、また、一方を短辺で連結し、他方を長辺で連結する構成であっても良い。また、以下では、パネルユニット14A、14Cが開状態でパネルユニット14Bと同一方向を向く面が、同一面上となるように説明するが、これに限らず、少なくとも同一方向へ向く構成であれば良い。   Such an electronic cassette 10 can be held in a closed state in which the panel units 14A to 14C are overlapped by a lock mechanism (not shown). In addition, the electronic cassette 10 can move (rotate) the panel units 14A and 14C to the unfolded state by releasing the lock mechanism. Furthermore, in this Embodiment, it is made to connect with the long side of 14A-14C which is an example of a connection member, However, It is not restricted to this, You may connect with a short side, Moreover, one side is connected with a short side. However, the structure which connects the other by a long side may be sufficient. In the following description, the panel units 14A and 14C are opened so that the surfaces facing the same direction as the panel unit 14B are on the same surface. However, the present invention is not limited to this. good.

また、図1及び図2(A)に示されるように、電子カセッテ10には、ハンドル(把手)69を設けることができる。なお、図2(A)及び図3では、ハンドル69の図示を省略している。   1 and 2A, the electronic cassette 10 can be provided with a handle 69. Note that the handle 69 is not shown in FIGS.

ハンドル69は、パネルユニット14Aの筐体12Aに設けているハンドル69A、パネルユニット14Bの筐体12Bに設けているハンドル69B、及びパネルユニット14Cの筐体12Cに設けているハンドル69Aによって構成されている。ハンドル69A〜69Cは、筐体12A〜12Cの同一方向に向いている面に設けられている。また、ハンドル69A〜69Cは、パネルユニット14A〜14Cを重ねたときに、互いに重なる位置となっている。また、ハンドル69A〜69Cは、パネルユニット14A〜14Cの閉状態(パネルユニット14A、14C、14Bの順で重ねた状態)で、例えば、ハンドル69A、69Cが一端側のハンドル69Bへ向けて傾くか、ハンドル69A、69Bが中央側となるハンドル69Cへ向けて傾いて一体となる。   The handle 69 includes a handle 69A provided on the casing 12A of the panel unit 14A, a handle 69B provided on the casing 12B of the panel unit 14B, and a handle 69A provided on the casing 12C of the panel unit 14C. Yes. The handles 69A to 69C are provided on the surfaces of the casings 12A to 12C facing in the same direction. Further, the handles 69A to 69C are positioned to overlap each other when the panel units 14A to 14C are overlapped. In addition, in the closed state of the panel units 14A to 14C (the panel units 14A, 14C, and 14B are stacked in this order), for example, the handles 69A and 69C are inclined toward the handle 69B on one end side. The handles 69A and 69B are tilted toward the handle 69C on the center side and integrated.

電子カセッテ10では、このようなハンドル69が設けられていることにより、パネルユニット14A〜14Cの開閉操作(開状態から閉状態への移行及び、閉状態から開状態への移動)が容易となっている。また、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの閉状態で運搬ないし保管が行われるが、ハンドル69が設けられていることにより、このときの取り扱いが容易となっている。なお、本実施の形態では、ハンドル69を図1及び図2(B)の紙面奥側に設けたが、後述する送受光部62側となる紙面手前側であっても良い。   In the electronic cassette 10, by providing such a handle 69, the panel units 14A to 14C can be easily opened and closed (the transition from the open state to the closed state and the movement from the closed state to the open state). ing. The electronic cassette 10 is transported or stored in the closed state of the panel units 14A to 14C. However, since the handle 69 is provided, handling at this time is easy. In the present embodiment, the handle 69 is provided on the back side of the sheet of FIG. 1 and FIG. 2B, but it may be on the near side of the sheet, which will be described later.

パネルユニット14A〜14Cのそれぞれに内蔵されている放射線検出パネル20(20A〜20C)について説明する。放射線検出パネル20は、照射される放射線を検出し、照射放射線量の分布に応じた電気信号(放射線検出信号)を出力する。図4に示されるように、放射線検出パネル20は、絶縁性基板22に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)などのスイッチング素子24が形成されて成る基板(以下、TFT基板26とする)を備えている。この絶縁性基板22としては、例えば、ガラス基板、各種セラミック基板、樹脂基板を用いることができるが、これらの材料に限るものではない。   The radiation detection panel 20 (20A-20C) incorporated in each of the panel units 14A-14C will be described. The radiation detection panel 20 detects the irradiated radiation and outputs an electrical signal (radiation detection signal) corresponding to the distribution of the radiation dose. As shown in FIG. 4, the radiation detection panel 20 includes a substrate (hereinafter referred to as a TFT substrate 26) in which a switching element 24 such as a thin film transistor (TFT) is formed on an insulating substrate 22. Yes. For example, a glass substrate, various ceramic substrates, and a resin substrate can be used as the insulating substrate 22, but the insulating substrate 22 is not limited to these materials.

TFT基板26上には、入射される放射線を変換する放射線変換層の一例として、入射される放射線を光に変換するシンチレータ層28が形成されている。シンチレータ層28としては、例えば、CsI:Tl、GOS(GdS:Tb)を用いることができるが、これらの材料に限るものではない。 On the TFT substrate 26, a scintillator layer 28 that converts incident radiation into light is formed as an example of a radiation conversion layer that converts incident radiation. As the scintillator layer 28, for example, CsI: Tl, GOS (Gd 2 O 2 S: Tb) can be used, but it is not limited to these materials.

シンチレータ層28が発する光の波長域は、可視光域(波長360nm〜830nm)であることが好ましく、この放射線検出パネル20によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。   The wavelength range of light emitted by the scintillator layer 28 is preferably a visible light range (wavelength 360 nm to 830 nm), and in order to enable monochrome imaging by the radiation detection panel 20, a green wavelength range is included. It is more preferable.

シンチレータ層28に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム(CsI)を含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm〜600nmにあるCsI(Tl)を用いることが特に好ましい。なお、CsI(Tl)の可視光域における発光ピーク波長は565nmである。   Specifically, the phosphor used in the scintillator layer 28 preferably contains cesium iodide (CsI) when imaging using X-rays as radiation, and the emission spectrum upon irradiation with X-rays is 420 nm to 600 nm. It is particularly preferred to use some CsI (Tl). Note that the emission peak wavelength of CsI (Tl) in the visible light region is 565 nm.

シンチレータ層28は、例えば、CsI(Tl)等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板への蒸着によって形成されてもよい。このように蒸着によってシンチレータ層28を形成する場合、蒸着基板は、X線の透過率、コストの面からAlの板がよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ層28としてGOSを用いる場合、蒸着基板を用いずにTFT基板26の表面にGOSを塗布することにより、シンチレータ層28を形成してもよい。   The scintillator layer 28 may be formed by vapor deposition on a vapor deposition substrate, for example, when it is intended to be formed of columnar crystals such as CsI (Tl). Thus, when the scintillator layer 28 is formed by vapor deposition, an Al plate is often used as the vapor deposition substrate from the viewpoint of X-ray transmittance and cost, but is not limited thereto. When GOS is used as the scintillator layer 28, the scintillator layer 28 may be formed by applying GOS to the surface of the TFT substrate 26 without using a vapor deposition substrate.

TFT基板26とシンチレータ層28との間には、シンチレータ層28によって変換された光が入射されることにより電荷を発生する光導電層30が配置されている。この光導電層30のシンチレータ層28側の表面には、光導電層30にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極32が形成されている。   Between the TFT substrate 26 and the scintillator layer 28, a photoconductive layer 30 that generates charges when light converted by the scintillator layer 28 is incident is disposed. A bias electrode 32 for applying a bias voltage to the photoconductive layer 30 is formed on the surface of the photoconductive layer 30 on the scintillator layer 28 side.

なお、TFT基板26上には、TFT基板26を平坦化するための平坦化層38が形成されている。また、TFT基板26とシンチレータ層28との間であって、平坦化層38上には、シンチレータ層28をTFT基板26に接着するための接着層39が形成されている。   A flattening layer 38 for flattening the TFT substrate 26 is formed on the TFT substrate 26. An adhesive layer 39 for bonding the scintillator layer 28 to the TFT substrate 26 is formed between the TFT substrate 26 and the scintillator layer 28 and on the planarizing layer 38.

光導電層30は、シンチレータ層28から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光導電層30は、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光導電層30であれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ層28による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光導電層30であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ層28による発光以外の電磁波が光導電層30に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光導電層30で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。   The photoconductive layer 30 absorbs light emitted from the scintillator layer 28 and generates a charge corresponding to the absorbed light. The photoconductive layer 30 may be formed of a material that generates charges when irradiated with light. For example, the photoconductive layer 30 may be formed of amorphous silicon, an organic photoelectric conversion material, or the like. The photoconductive layer 30 containing amorphous silicon has a wide absorption spectrum and can absorb light emitted by the scintillator layer 28. If the photoconductive layer 30 includes an organic photoelectric conversion material, it has a sharp absorption spectrum in the visible region, and electromagnetic waves other than light emitted by the scintillator layer 28 are hardly absorbed by the photoconductive layer 30, such as X-rays. Noise generated when radiation is absorbed by the photoconductive layer 30 can be effectively suppressed.

光導電層30を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ層28で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ層28の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ層28の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ層28から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ層28の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。   The organic photoelectric conversion material constituting the photoconductive layer 30 is preferably such that its absorption peak wavelength is closer to the emission peak wavelength of the scintillator layer 28 in order to absorb light emitted by the scintillator layer 28 most efficiently. Ideally, the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material matches the emission peak wavelength of the scintillator layer 28, but if the difference between the two is small, the light emitted from the scintillator layer 28 can be sufficiently absorbed. It is. Specifically, the difference between the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material and the emission peak wavelength with respect to the radiation of the scintillator layer 28 is preferably within 10 nm, and more preferably within 5 nm.

このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ層28の材料としてCsI(Tl)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光導電層30で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。   Examples of the organic photoelectric conversion material that can satisfy such conditions include quinacridone organic compounds and phthalocyanine organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength of quinacridone in the visible region is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Tl) is used as the material of the scintillator layer 28, the difference in the peak wavelength may be within 5 nm. The amount of charge generated in the photoconductive layer 30 can be substantially maximized.

TFT基板26には、光導電層30で発生した電荷を収集する電荷収集電極34が形成されている。TFT基板26は、電荷収集電極34のそれぞれに対応して設けられているスイッチング素子24がオンされることで、各電荷収集電極34で収集された電荷が読み出される。   On the TFT substrate 26, a charge collecting electrode 34 for collecting charges generated in the photoconductive layer 30 is formed. The TFT substrate 26 reads the charges collected by the charge collection electrodes 34 by turning on the switching elements 24 provided corresponding to the charge collection electrodes 34, respectively.

次に、本実施の形態に係る放射線検出パネル20に適用可能な光導電層30について具体的に説明する。   Next, the photoconductive layer 30 applicable to the radiation detection panel 20 according to the present embodiment will be specifically described.

本発明に係る放射線検出パネル20における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電荷収集電極34,バイアス電極32と、該電荷収集電極34,バイアス電極32間に挟まれた有機光導電層30を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合により形成することができる。   The electromagnetic wave absorption / photoelectric conversion site in the radiation detection panel 20 according to the present invention includes a pair of charge collection electrodes 34 and a bias electrode 32 and an organic photoconductive layer 30 sandwiched between the charge collection electrodes 34 and the bias electrode 32. It can be comprised by the organic layer to contain. More specifically, this organic layer is a part that absorbs electromagnetic waves, a photoelectric conversion part, an electron transport part, a hole transport part, an electron blocking part, a hole blocking part, a crystallization preventing part, an electrode, and an interlayer contact improvement. It can be formed by stacking or mixing parts.

上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。   The organic layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound.

有機p型半導体(化合物)は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体(化合物)であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。   The organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound) mainly represented by a hole-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Therefore, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound.

有機n型半導体(化合物)は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体(化合物)であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。   An organic n-type semiconductor (compound) is an acceptor organic semiconductor (compound) mainly represented by an electron-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Therefore, as the acceptor organic compound, any organic compound can be used as long as it is an electron-accepting organic compound.

この有機p型半導体及び有機n型半導体として適用可能な材料、及び光導電層30の構成については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。なお、光導電層30は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。   Since the materials applicable as the organic p-type semiconductor and organic n-type semiconductor and the configuration of the photoconductive layer 30 are described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted. The photoconductive layer 30 may be formed by further containing fullerenes or carbon nanotubes.

各画素部を構成するセンサ部35は、少なくとも電荷収集電極34、光導電層30、及びバイアス電極32を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。   The sensor unit 35 constituting each pixel unit may include at least the charge collection electrode 34, the photoconductive layer 30, and the bias electrode 32. In order to suppress an increase in dark current, an electron blocking film and a hole blocking unit are included. It is preferable to provide at least one of the films, and it is more preferable to provide both.

電子ブロッキング膜は、電荷収集電極34と光導電層30との間に設けることができ、電荷収集電極34とバイアス電極32間にバイアス電圧を印加したときに、電荷収集電極34から光導電層30に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The electron blocking film can be provided between the charge collection electrode 34 and the photoconductive layer 30, and when a bias voltage is applied between the charge collection electrode 34 and the bias electrode 32, the charge collection electrode 34 to the photoconductive layer 30. It is possible to prevent the dark current from being increased due to the injection of electrons.

電子ブロッキング膜には、電子供与性有機材料を用いることができる。   An electron donating organic material can be used for the electron blocking film.

実際に電子ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光導電層30の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上電子親和力(Ea)が大きく、かつ、隣接する光導電層30の材料のイオン化ポテンシャル(Ip)と同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   The material actually used for the electron blocking film may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoconductive layer 30 and the like, and the electron function is 1.3 eV or more from the work function (Wf) of the adjacent electrode material. Those having a large affinity (Ea) and an Ip equivalent to or smaller than the ionization potential (Ip) of the material of the adjacent photoconductive layer 30 are preferable. Since the material applicable as the electron donating organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

電子ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部35の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the electron blocking film is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably 50 nm, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in the photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 35. It is 100 nm or less.

正孔ブロッキング膜は、光導電層30とバイアス電極32との間に設けることができ、電荷収集電極34とバイアス電極32間にバイアス電圧を印加したときに、バイアス電極32から光導電層30に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。   The hole blocking film can be provided between the photoconductive layer 30 and the bias electrode 32. When a bias voltage is applied between the charge collecting electrode 34 and the bias electrode 32, the hole blocking film is applied from the bias electrode 32 to the photoconductive layer 30. It is possible to suppress the increase in dark current due to the injection of holes.

正孔ブロッキング膜には、電子受容性有機材料を用いることができる。   An electron-accepting organic material can be used for the hole blocking film.

正孔ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部35の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the hole blocking film is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to reliably exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the sensor unit 35. It is 50 nm or more and 100 nm or less.

実際に正孔ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光導電層30の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上イオン化ポテンシャル(Ip)が大きく、かつ、隣接する光導電層30の材料の電子親和力(Ea)と同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   The material actually used for the hole blocking film may be selected according to the material of the adjacent electrode, the material of the adjacent photoconductive layer 30 and the like, and 1.3 eV or more from the work function (Wf) of the material of the adjacent electrode. A material having a large ionization potential (Ip) and an Ea equivalent to or larger than the electron affinity (Ea) of the material of the adjacent photoconductive layer 30 is preferable. Since the material applicable as the electron-accepting organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

なお、光導電層30で発生した電荷のうち、正孔がバイアス電極32に移動し、電子が電荷収集電極34に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜の位置を逆にすれば良い。又、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。   In the case where the bias voltage is set so that the holes move to the bias electrode 32 and the electrons move to the charge collecting electrode 34 among the charges generated in the photoconductive layer 30, the electron blocking film and the hole blocking are set. What is necessary is just to reverse the position of a film | membrane. Moreover, it is not necessary to provide both the electron blocking film and the hole blocking film. If either one is provided, a certain degree of dark current suppressing effect can be obtained.

図5には、スイッチング素子24の構成が概略的に示されている。   FIG. 5 schematically shows the configuration of the switching element 24.

電荷収集電極34に対応して、電荷収集電極34に移動した電荷を電気信号に変換して出力するスイッチング素子24が形成されている。スイッチング素子24の形成された領域は、平面視において電荷収集電極34と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部におけるスイッチング素子24とセンサ部35とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出パネル20(画素部)の平面積を最小にするために、スイッチング素子24の形成された領域が電荷収集電極34によって完全に覆われていることが望ましい。   Corresponding to the charge collection electrode 34, a switching element 24 is formed that converts the electric charge transferred to the charge collection electrode 34 into an electric signal and outputs the electric signal. The region where the switching element 24 is formed has a portion that overlaps the charge collection electrode 34 in plan view. With such a configuration, the switching element 24 and the sensor unit 35 in each pixel portion have a thickness. There will be overlap in the direction. In order to minimize the plane area of the radiation detection panel 20 (pixel unit), it is desirable that the region where the switching element 24 is formed is completely covered by the charge collection electrode 34.

スイッチング素子24は、ゲート電極220、ゲート絶縁膜222、及び活性層(チャネル層)224が積層され、さらに、活性層224上にソース電極226とドレイン電極228が所定の間隔を開けて形成されている。   In the switching element 24, a gate electrode 220, a gate insulating film 222, and an active layer (channel layer) 224 are stacked, and a source electrode 226 and a drain electrode 228 are formed on the active layer 224 at a predetermined interval. Yes.

ドレイン電極228は、絶縁性基板22と電荷収集電極34との間に設けられた絶縁膜219を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する電荷収集電極34と電気的に接続されている。これにより、電荷収集電極34で捕集された電荷をスイッチング素子24に移動させることができる。   The drain electrode 228 is electrically connected to the corresponding charge collection electrode 34 through a wiring made of a conductive material formed through an insulating film 219 provided between the insulating substrate 22 and the charge collection electrode 34. Has been. Thereby, the charges collected by the charge collection electrode 34 can be moved to the switching element 24.

活性層224は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層224を構成する材料は、これらに限定されるものではない。   The active layer 224 can be formed of, for example, amorphous silicon, amorphous oxide, organic semiconductor material, carbon nanotube, or the like. Note that the material forming the active layer 224 is not limited thereto.

活性層224を構成可能な非晶質酸化物としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga−O系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO(ZnO)(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnOがより好ましい。なお、活性層224を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。 The amorphous oxide that can form the active layer 224 is preferably an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn (for example, In—O-based), and at least two of In, Ga, and Zn. Oxides containing one (for example, In—Zn—O, In—Ga—O, and Ga—Zn—O) are more preferable, and oxides including In, Ga, and Zn are particularly preferable. As the In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide, an amorphous oxide whose composition in a crystalline state is represented by InGaO 3 (ZnO) m (m is a natural number less than 6) is preferable, and InGaZnO is particularly preferable. 4 is more preferable. Note that the amorphous oxide that can form the active layer 224 is not limited thereto.

活性層224を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009−212389号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   Examples of the organic semiconductor material that can form the active layer 224 include, but are not limited to, phthalocyanine compounds, pentacene, vanadyl phthalocyanine, and the like. In addition, about the structure of a phthalocyanine compound, since it is demonstrated in detail in Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-212389, description is abbreviate | omitted.

スイッチング素子24の活性層224を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、スイッチング素子24におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。   If the active layer 224 of the switching element 24 is formed of an amorphous oxide, an organic semiconductor material, or a carbon nanotube, the radiation such as X-rays is not absorbed, or even if it is absorbed, a very small amount remains. Generation of noise in the element 24 can be effectively suppressed.

また、活性層224をカーボンナノチューブで形成した場合、スイッチング素子24のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低いスイッチング素子24を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層224を形成する場合、活性層224に極微量の金属性不純物が混入するだけで、スイッチング素子24の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。   Further, when the active layer 224 is formed of carbon nanotubes, the switching speed of the switching element 24 can be increased, and the switching element 24 having a low degree of light absorption in the visible light region can be formed. When the active layer 224 is formed of carbon nanotubes, the performance of the switching element 24 is remarkably deteriorated only by mixing a very small amount of metallic impurities into the active layer 224. Therefore, the carbon nanotubes of extremely high purity can be obtained by centrifugation or the like. Need to be separated and extracted.

ここで、上述した非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板22としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。特に本実施の形態に係る電子カセッテ10は、放射線検出パネル20を3枚内蔵している。このため、放射線検出パネル20の各光導電層30を有機光電変換材料を含んで構成し、各スイッチング素子24の活性層224を、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成して、絶縁性基板22にプラスチック製を用いることにより、電子カセッテ10を大幅に軽量化できる。   Here, any of the above-described amorphous oxide, organic semiconductor material, carbon nanotube, and organic photoelectric conversion material can be formed at a low temperature. Therefore, the insulating substrate 22 is not limited to a highly heat-resistant substrate such as a semiconductor substrate, a quartz substrate, and a glass substrate, and a flexible substrate such as plastic, aramid, or bionanofiber can also be used. Specifically, flexible materials such as polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene). A conductive substrate can be used. If such a plastic flexible substrate is used, it is possible to reduce the weight, which is advantageous for carrying around, for example. In particular, the electronic cassette 10 according to the present exemplary embodiment incorporates three radiation detection panels 20. For this reason, each photoconductive layer 30 of the radiation detection panel 20 includes an organic photoelectric conversion material, and each active layer 224 of each switching element 24 includes an amorphous oxide, an organic semiconductor material, or a carbon nanotube. Thus, by using plastic for the insulating substrate 22, the electronic cassette 10 can be significantly reduced in weight.

また、基板22には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。   In addition, the substrate 22 is provided with an insulating layer for ensuring insulation, a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving flatness or adhesion to electrodes, and the like. May be.

アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために,透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(indium tin oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板22を形成してもよい。   Since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce the resistance, and can also be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (indium tin oxide) or a glass substrate, warping after production is small and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. The insulating substrate 22 may be formed by laminating an ultrathin glass substrate and aramid.

バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板22を形成できる。   Bionanofiber is a composite of cellulose microfibril bundles (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60-70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. A thin insulating substrate 22 can be formed.

本実施の形態では、絶縁性基板22上に、スイッチング素子24、センサ部35、透明な平坦化層38を順に形成し、当該絶縁性基板22上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いた接着層39でシンチレータ層28を貼り付けることにより放射線検出パネル20を形成している。以下、透明絶縁膜206まで形成された絶縁性基板22をTFT基板26と称する。   In the present embodiment, the switching element 24, the sensor unit 35, and the transparent planarization layer 38 are sequentially formed on the insulating substrate 22, and an adhesive resin having a low light absorption property or the like is used on the insulating substrate 22. The radiation detection panel 20 is formed by attaching the scintillator layer 28 with the adhesive layer 39. Hereinafter, the insulating substrate 22 formed up to the transparent insulating film 206 is referred to as a TFT substrate 26.

図6に示されるように、センサ部35及びスイッチング素子24は、TFT基板26に二次元状に配置されている。TFT基板26には、一定方向(行方向)に延設された各スイッチング素子24をオン/オフするための複数本のゲート配線40と、ゲート配線40と交差する方向(列方向)に延設され、オン状態のスイッチング素子24を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線42が設けられている。TFT基板26は、例えば、平面視において外縁に4辺を有する矩形状とされ、平面視におけるTFT基板26の周縁部のうちの一辺には、個々のゲート配線40及び個々のデータ配線42が接続された接続端子43が配置されている。   As shown in FIG. 6, the sensor unit 35 and the switching element 24 are two-dimensionally arranged on the TFT substrate 26. On the TFT substrate 26, a plurality of gate wirings 40 for turning on / off each switching element 24 extending in a certain direction (row direction) and a direction intersecting with the gate wirings 40 (column direction) are extended. In addition, a plurality of data wirings 42 for reading out charges through the switching element 24 in the on state are provided. The TFT substrate 26 has, for example, a rectangular shape having four sides at the outer edge in plan view, and individual gate wirings 40 and individual data wirings 42 are connected to one side of the peripheral portion of the TFT substrate 26 in plan view. The connection terminals 43 are arranged.

図3に示されるように、電子カセッテ10では、放射線検出パネル20A〜20Cのそれぞれを用いた放射線画像の撮像等の制御を行う制御ユニット18が、パネルユニット14Bに設けられている。図7に示されるように、放射線検出パネル20A〜20Cのそれぞれの接続端子43は、接続配線44を介して制御ユニット18に設けられている制御部50に接続されている。なお、図7では、模式的に、放射線検出パネル20A〜20Cをずらして並べ、接続端子43を一辺に設けて接続配線44を引き出すようにして図示している。また、パネルユニット14A、14Cのそれぞれとパネルユニット14Bとの間は、例えば、接続配線44としてフレキシブルケーブルなどを用いて接続するなど、公知の任意の接続形態を取り得る。   As shown in FIG. 3, in the electronic cassette 10, a control unit 18 that performs control such as radiographic imaging using each of the radiation detection panels 20 </ b> A to 20 </ b> C is provided in the panel unit 14 </ b> B. As shown in FIG. 7, each connection terminal 43 of the radiation detection panels 20 </ b> A to 20 </ b> C is connected to a control unit 50 provided in the control unit 18 via a connection wiring 44. In FIG. 7, the radiation detection panels 20 </ b> A to 20 </ b> C are schematically arranged in a shifted manner, the connection terminals 43 are provided on one side, and the connection wiring 44 is drawn out. The panel units 14 </ b> A and 14 </ b> C and the panel unit 14 </ b> B may take any known connection form, such as a connection using a flexible cable as the connection wiring 44.

制御部50は、放射線検出パネル20A〜20Cの駆動や、放射線検出パネル20A〜20Cから出力された放射線検出信号の放射線画像データへの変換を行う。また、制御ユニット18には、制御部50等に電力を供給する電源部70が設けられている。   The control unit 50 drives the radiation detection panels 20A to 20C and converts radiation detection signals output from the radiation detection panels 20A to 20C into radiation image data. Further, the control unit 18 is provided with a power supply unit 70 that supplies power to the control unit 50 and the like.

制御部50は、ゲート配線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、カセッテ制御部58及び無線通信部60を備えている。放射線検出パネル20A〜20Cの各スイッチング素子24(図7では、図示を省略。図4、図6参照。)は、ゲート配線ドライバ52からゲート配線40を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされたスイッチング素子24により読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線42から接続配線44を伝送されて信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像を表す放射線検出信号が取得される。   The control unit 50 includes a gate wiring driver 52, a signal processing unit 54, an image memory 56, a cassette control unit 58, and a wireless communication unit 60. Each of the switching elements 24 (not shown in FIG. 7; see FIGS. 4 and 6) of the radiation detection panels 20A to 20C is sequentially supplied in units of rows by a signal supplied from the gate wiring driver 52 through the gate wiring 40. The electric charges read by the switching element 24 that is turned on and turned on are transmitted from the data wiring 42 through the connection wiring 44 as an electrical signal and input to the signal processing unit 54. Thereby, the electric charges are sequentially read out in units of rows, and a radiation detection signal representing a two-dimensional radiation image is acquired.

図示は省略するが、信号処理部54には、入力される電気信号を増幅する増幅回路及びサンプルホールド回路が、データ配線42ごとに備えられている。個々のデータ配線42を伝送されて入力された電気信号は、増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路で保持される。また、サンプルホールド回路の出力側には、マルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器(何れも図示省略)が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号は、マルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によりデジタルの画像データ(放射線画像データ)へ変換される。   Although not shown, the signal processing unit 54 is provided with an amplification circuit and a sample hold circuit for amplifying an input electric signal for each data wiring 42. The electric signals transmitted through the individual data wirings 42 and input are amplified by the amplifier circuit and then held by the sample and hold circuit. Further, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter (both not shown) are sequentially connected to the output side of the sample hold circuit, and the electric signals held in the individual sample hold circuits are the multiplexers. Are sequentially input (serially) and converted into digital image data (radiation image data) by an A / D converter.

信号処理部54は、画像メモリ56に接続されており、信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データが、放射線検出パネル20A〜20Cを用いて撮影された放射線画像データとして、画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は、複数枚分(複数画像分)の放射線画像データを記憶可能とする記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた放射線画像データが、画像メモリ56に順に記憶される。ゲート配線ドライバ52及び信号処理部54は、放射線検出パネル20A〜20Cを別々に動作可能としている。これにより、電子カセッテ10では、3枚の放射線検出パネル20A〜20Cを用いて同時に得られる放射線画像データを、一つの連続する放射線画像データとして処理することができると共に、特性の異なる一組の放射線画像データとして処理することもできる。   The signal processing unit 54 is connected to the image memory 56, and image data output from the A / D converter of the signal processing unit 54 is captured as radiation image data captured using the radiation detection panels 20A to 20C. The images are sequentially stored in the image memory 56. The image memory 56 has a storage capacity capable of storing a plurality of pieces of radiation image data (for a plurality of images), and each time a radiation image is captured, the radiation image data obtained by the imaging is The images are sequentially stored in the image memory 56. The gate wiring driver 52 and the signal processing unit 54 can operate the radiation detection panels 20A to 20C separately. Thereby, in the electronic cassette 10, the radiation image data obtained simultaneously using the three radiation detection panels 20A to 20C can be processed as one continuous radiation image data, and a set of radiation having different characteristics. It can also be processed as image data.

カセッテ制御部58には、ゲート配線ドライバ52、信号処理部54及び画像メモリ56が接続されている。カセッテ制御部58は、マイクロコンピュータから成り、CPU58A、ROM及びRAMを含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備え、電子カセッテ10の全体の動作を制御する。   A gate wiring driver 52, a signal processing unit 54, and an image memory 56 are connected to the cassette control unit 58. The cassette control unit 58 includes a microcomputer, and includes a CPU 58A, a memory 58B including a ROM and a RAM, a non-volatile storage unit 58C including a flash memory and the like, and controls the entire operation of the electronic cassette 10.

また、カセッテ制御部58には、無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、例えば、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g/n等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部装置との間での各種情報の伝送を制御する。   In addition, a wireless communication unit 60 is connected to the cassette control unit 58. The wireless communication unit 60 corresponds to a wireless local area network (LAN) standard represented by IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11a / b / g / n, for example, and is an external device by wireless communication. Controls the transmission of various information to and from.

無線通信部60は、例えば、赤外線通信により双方向で各種の情報の伝送がなされる。この場合、図1、図2(A)、図2(B)に示されるように(図3(A)及び図3(B)では図示省略)、電子カセッテ10では、例えば、筐体12Aの側面に送受光部62が設けられる。これにより、パネルユニット14A〜14Cの閉状態、パネルユニット14A〜14Cの開状態の何れであっても、送受光部62が被検者の影になって情報の伝送が妨げられてしまうのを防止できる。   The wireless communication unit 60 transmits various kinds of information bidirectionally by infrared communication, for example. In this case, as shown in FIGS. 1, 2A, and 2B (not shown in FIGS. 3A and 3B), in the electronic cassette 10, for example, the housing 12A A light transmitting / receiving unit 62 is provided on the side surface. Thereby, in any of the closed state of the panel units 14A to 14C and the open state of the panel units 14A to 14C, the transmission / reception unit 62 becomes a shadow of the subject and the transmission of information is hindered. Can be prevented.

カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線撮影の制御又は管理を行う外部装置(例えば、放射線発生装置等の機器の動作を制御するコンソール、或いは病院内ネットワークに接続されたサーバ等)と無線通信が可能とされている。なお、ここでは、一例として、コンソールとの間で各種情報の送受信が行われるものとする。また、本実施の形態では、無線通信部60を例に説明するが、これに換えて有線接続されることにより通信を行う有線通信部を適用しても良く、また、通信規格は、任意の規格を適用して良い。   The cassette control unit 58 is an external device that controls or manages radiation imaging via the wireless communication unit 60 (for example, a console that controls the operation of a device such as a radiation generator or a server connected to a hospital network) ) And wireless communication. Here, as an example, it is assumed that various types of information are transmitted to and received from the console. In the present embodiment, the wireless communication unit 60 will be described as an example. However, instead of this, a wired communication unit that performs communication by wired connection may be applied. Standards may be applied.

カセッテ制御部58は、コンソールから無線通信部60を介して受信される撮影条件情報や被検者である患者に関する患者情報などの各種の情報を記憶し、撮影条件情報に基づいて各放射線検出パネル20の動作制御及び各放射線検出パネル20からの電荷の読出制御を行う。   The cassette control unit 58 stores various types of information such as imaging condition information received from the console via the wireless communication unit 60 and patient information regarding the patient who is the subject, and each radiation detection panel is based on the imaging condition information. 20 operation control and charge readout control from each radiation detection panel 20 are performed.

このようなカセッテ10では、例えば、液晶パネル(LCD:Liquid Crystal Display)などを用いた表示部が設けられても良い。表示部が設けられている場合、カセッテ制御部58が表示部の表示を制御すればよい。このとき、カセッテ制御部58は、例えば、無線通信部60を介してコンソールから入力される撮影条件情報、患者情報などから、撮影時に有用であると設定されている情報を表示する。このような情報としては、例えば、被検者(患者)を特定する氏名やID等の情報を適用することができ、これにより、撮影技師等の操作者は、被検者本人に対して、本人であるか否かの確認が可能となり、撮影を行う被検者の取り違えが生じるのを防止することができる。   In such a cassette 10, for example, a display unit using a liquid crystal panel (LCD) may be provided. When the display unit is provided, the cassette control unit 58 may control the display of the display unit. At this time, the cassette control unit 58 displays information set to be useful at the time of imaging from, for example, imaging condition information and patient information input from the console via the wireless communication unit 60. As such information, for example, information such as a name and ID for identifying a subject (patient) can be applied, so that an operator such as a radiographer can It is possible to confirm whether or not the person is the person, and it is possible to prevent the subject who performs the photographing from being mixed up.

また、表示部に表示する情報としては、撮影部位や撮影条件を含んでも良く、これにより、撮影部位がずれたり、誤った撮影条件などで撮影されてしまうのを未然に防止することができる。例えば、撮影部位を特定する方法としては、該当部位を文字などによって表示しても良く、また、撮像部位のサンプル画像を表示するようにしても良い。さらに、表示部には、被検者に対する撮影手順などの撮影ガイダンスを表示しても良い。これにより、撮影技師は、被検者と離れた場所で被検者の動作を確認しながら撮影を行うことができるので、撮影技師が受ける放射線の量を抑えることができる。   Further, the information displayed on the display unit may include an imaging region and imaging conditions, thereby preventing the imaging region from being shifted or being imaged under an erroneous imaging condition. For example, as a method for specifying the imaging region, the corresponding region may be displayed by characters or the like, or a sample image of the imaging region may be displayed. Furthermore, imaging guidance such as imaging procedures for the subject may be displayed on the display unit. Thereby, since the radiographer can perform radiographing while confirming the operation of the subject at a location away from the subject, the amount of radiation received by the radiographer can be suppressed.

電源部70は、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、無線通信部60及び、カセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ)に電力を供給する。なお、図7では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線の図示を省略している。また、電源部70は、バッテリ(二次電池)を内蔵し、このバッテリが電力源として用いられても良い。   The power supply unit 70 supplies power to the various circuits and elements described above (a microcomputer functioning as the gate line driver 52, the signal processing unit 54, the image memory 56, the wireless communication unit 60, and the cassette control unit 58). In FIG. 7, illustration of wiring connecting the power supply unit 70 to various circuits and elements is omitted. Further, the power supply unit 70 may include a battery (secondary battery), and this battery may be used as a power source.

ところで、図4に示されるように、放射線検出パネル20は、TFT基板26、平坦化層38、接着層39が放射線を透過する材料から形成されている。放射線検出パネル20を用いた撮像に用いられる放射線には、高エネルギー成分(例えば、エネルギーが50keV以上)の放射線と、低エネルギー成分の放射線(例えば、エネルギーが40keV以下)が含まれ、放射線検出パネル20では、高エネルギー成分及び低エネルギー成分の何れの放射線も透過するが、高エネルギー成分の放射線の透過率に比べて、低エネルギー成分の放射線の透過率が低くなっている。   Incidentally, as shown in FIG. 4, in the radiation detection panel 20, the TFT substrate 26, the planarization layer 38, and the adhesive layer 39 are formed of a material that transmits radiation. The radiation used for imaging using the radiation detection panel 20 includes radiation having a high energy component (for example, energy is 50 keV or more) and radiation having a low energy component (for example, energy is 40 keV or less). In 20, the radiation of both high energy components and low energy components is transmitted, but the transmittance of radiation of low energy components is lower than the transmittance of radiation of high energy components.

なお、以下では、放射線検出パネル20のシンチレータ層28側の面(通常の放射線照射面、表面)を第1面72とし、シンチレータ層28と反対側(TFT基板26側)の面(通常の放射線照射面と反対側の面、裏面)を第2面74として説明する。   In the following, the surface on the scintillator layer 28 side (normal radiation irradiation surface, surface) of the radiation detection panel 20 is referred to as a first surface 72, and the surface on the side opposite to the scintillator layer 28 (TFT substrate 26 side) (normal radiation). The second surface 74 will be described as a surface opposite to the irradiation surface, the back surface).

放射線検出パネル20では、シンチレータ層28側(第1面72側)から放射線が照射された場合、シンチレータ層28の厚さ方向に沿って光導電層30から離れた部分で放射線から光への変換が行われる。また、放射線検出パネル20では、TFT基板26側(第2面74側)から放射線が照射された場合、シンチレータ層28の厚さ方向で光導電層30に近い部分で放射線から光への変換が行われる。   In the radiation detection panel 20, when radiation is irradiated from the scintillator layer 28 side (first surface 72 side), radiation is converted into light at a portion away from the photoconductive layer 30 along the thickness direction of the scintillator layer 28. Is done. In the radiation detection panel 20, when radiation is irradiated from the TFT substrate 26 side (second surface 74 side), conversion from radiation to light is performed in a portion near the photoconductive layer 30 in the thickness direction of the scintillator layer 28. Done.

したがって、放射線検出パネル20では、第1面72側から放射線が照射された場合に得られる放射線画像データと、第2面74側から放射線が照射された場合に得られる放射線画像データとの間には、得られる画像の間に相違が生じる。   Therefore, in the radiation detection panel 20, between the radiation image data obtained when radiation is irradiated from the first surface 72 side and the radiation image data obtained when radiation is irradiated from the second surface 74 side. There is a difference between the obtained images.

具体的に、放射線検出パネル20は、図8に示すように、シンチレータ層28が形成された側(第1面72側)から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたTFT基板26により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式(所謂PSS(Penetration Side Sampling)方式)とされた場合、シンチレータ層28の同図上面側(TFT基板26の反対側)でより強く発光し、TFT基板26側(第2面74側)から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたTFT基板26により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式(所謂ISS(Irradiation Side Sampling)方式)とされた場合、TFT基板26を透過した放射線がシンチレータ層28に入射してシンチレータ層28のTFT基板26側がより強く発光する。TFT基板26に設けられた各センサ部35には、シンチレータ層28で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出パネル20は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもTFT基板26に対するシンチレータ層28の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。   Specifically, as shown in FIG. 8, the radiation detection panel 20 is provided on the back side of the incident surface of the radiation irradiated with radiation from the side on which the scintillator layer 28 is formed (the first surface 72 side). When the so-called back side scanning method (so-called PSS (Penetration Side Sampling) method) is used to read a radiation image by the TFT substrate 26, the scintillator layer 28 emits light more strongly on the upper side of the figure (opposite side of the TFT substrate 26). A so-called surface reading method (so-called ISS (Irradiation Side), in which a radiation image is read by the TFT substrate 26 provided on the surface side of the radiation incident surface when radiation is irradiated from the TFT substrate 26 side (second surface 74 side). Sampling) method), the radiation transmitted through the TFT substrate 26 is incident on the scintillator layer 28, and the TFT substrate 26 side of the scintillator layer 28 is stronger. To light. Electric charges are generated in each sensor portion 35 provided on the TFT substrate 26 by the light generated in the scintillator layer 28. For this reason, the radiation detection panel 20 is closer to the light emission position of the scintillator layer 28 with respect to the TFT substrate 26 when the front side reading method is used than when the rear side reading method is used. Is expensive.

また、放射線検出パネル20は、光導電層30を有機光電変換材料により構成した場合、光導電層30で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出パネル20は、表面読取方式により放射線がTFT基板26を透過する場合でも光導電層30による放射線の吸収量を少ないため、放射線Xに対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がTFT基板26を透過してシンチレータ層28に到達するが、このように、TFT基板26の光導電層30を有機光電変換材料により構成した場合、光導電層30での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。   In the radiation detection panel 20, when the photoconductive layer 30 is made of an organic photoelectric conversion material, the photoconductive layer 30 hardly absorbs radiation. For this reason, the radiation detection panel 20 according to the present embodiment suppresses a decrease in sensitivity to the radiation X because the amount of radiation absorbed by the photoconductive layer 30 is small even when the radiation is transmitted through the TFT substrate 26 by the surface reading method. be able to. In the surface reading method, radiation passes through the TFT substrate 26 and reaches the scintillator layer 28. Thus, when the photoconductive layer 30 of the TFT substrate 26 is formed of an organic photoelectric conversion material, Since there is almost no absorption of radiation and attenuation of radiation can be suppressed to a low level, it is suitable for the surface reading method.

また、スイッチング素子24の活性層224を構成する非晶質酸化物や光導電層30を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、絶縁性基板22を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された絶縁性基板22は放射線の吸収量を少ないため、表面読取方式により放射線がTFT基板26を透過する場合でも、放射線Xに対する感度の低下を抑えることができる。   Further, the amorphous oxide constituting the active layer 224 of the switching element 24 and the organic photoelectric conversion material constituting the photoconductive layer 30 can be formed at a low temperature. For this reason, the insulating substrate 22 can be formed of plastic resin, aramid, or bionanofiber that absorbs little radiation. Since the insulating substrate 22 formed in this way has a small amount of radiation absorption, a decrease in sensitivity to the radiation X can be suppressed even when the radiation is transmitted through the TFT substrate 26 by the surface reading method.

ここで、図3(A)及び図3(B)に示されるように、パネルユニット14Bには、下方側(紙面下方側)に制御ユニット18が配置され、この制御ユニット18の上方に放射線検出パネル20Bが配置されている。また、パネルユニット14Bには、制御ユニット18と放射線検出パネル20Bとの間に、放射線吸収板76が配置されている。放射線吸収板76は、例えば、鉛(鉛板)などによって形成され、放射線検出パネル20Bを通過した放射線を吸収する。   Here, as shown in FIGS. 3A and 3B, the panel unit 14B is provided with a control unit 18 on the lower side (lower side in the drawing), and radiation detection is performed above the control unit 18. Panel 20B is arranged. In the panel unit 14B, a radiation absorbing plate 76 is disposed between the control unit 18 and the radiation detection panel 20B. The radiation absorbing plate 76 is formed of, for example, lead (lead plate) or the like, and absorbs radiation that has passed through the radiation detection panel 20B.

電子カセッテ10では、パネルユニット14Bに設ける放射線検出パネル20Bを、第1面72側が上方に向けられ、第2面74側が制御ユニット18側へ向けられて配置されている。また、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの開状態で、パネルユニット14Aの放射線検出パネル20A及びパネルユニット14Cの放射線検出パネル20Cのそれぞれを、第1面72が放射線検出パネル20Bの第1面と同じ向きとなるように配置されている。   In the electronic cassette 10, the radiation detection panel 20B provided in the panel unit 14B is arranged with the first surface 72 side facing upward and the second surface 74 side facing the control unit 18 side. Further, in the electronic cassette 10, the panel units 14A to 14C are opened, and the radiation detection panel 20A of the panel unit 14A and the radiation detection panel 20C of the panel unit 14C are respectively the first surface 72 of the radiation detection panel 20B. It is arranged to be in the same direction as the surface.

電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの開状態及び、閉状態で放射線画像データが得られるようにしている。電子カセッテ10は、パネルユニット14A〜14Cの開状態でパネルユニット14A〜14Cのそれぞれの上面が撮像面78A、78B、78Cとされ、この撮像面78A〜78Cに放射線が照射されることにより、放射線検出パネル20A〜20Cのそれぞれの第1面72に放射線が照射される。また、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの閉状態で、パネルユニット14Aの上面(撮像面78Aと反対側の面)が撮像面78Dとされ、この撮像面78Dに放射線が照射されることにより、放射線検出パネル20A、20Cの第2面74に放射線が照射される。なお、図2及び図3では、放射線の照射方向を矢印Aで示している。   In the electronic cassette 10, radiation image data is obtained in the open state and the closed state of the panel units 14A to 14C. In the electronic cassette 10, when the panel units 14A to 14C are opened, the upper surfaces of the panel units 14A to 14C are imaging surfaces 78A, 78B, and 78C, and radiation is applied to the imaging surfaces 78A to 78C. Radiation is irradiated to the first surfaces 72 of the detection panels 20A to 20C. Further, in the electronic cassette 10, when the panel units 14A to 14C are closed, the upper surface (the surface opposite to the imaging surface 78A) of the panel unit 14A is used as the imaging surface 78D, and radiation is applied to the imaging surface 78D. As a result, radiation is applied to the second surfaces 74 of the radiation detection panels 20A and 20C. 2 and 3, the irradiation direction of the radiation is indicated by an arrow A.

電子カセッテ10は、閉状態でパネルユニット14A内の放射線検出パネル20A及びパネルユニット14C内の放射線検出パネル20Cが共に表面読取方式となる。このため、電子カセッテ10は、閉状態の1回の放射線の照射で、パネルユニット14A、14Cによりエネルギーサブストラクション用の放射線画像を撮影する際に、高画質な画像を得ることができる。   When the electronic cassette 10 is in the closed state, both the radiation detection panel 20A in the panel unit 14A and the radiation detection panel 20C in the panel unit 14C are of the surface reading system. For this reason, the electronic cassette 10 can obtain a high-quality image when the radiation image for energy subtraction is captured by the panel units 14A and 14C by one irradiation of radiation in the closed state.

また、電子カセッテ10は、開状態でパネルユニット14A〜14C内の放射線検出パネル20A〜20Cが共に裏面読取方式となるため、開状態で放射線検出パネル20〜20Cにより撮影される放射線画像の画質の差が生じない。   In addition, since the radiation detection panels 20A to 20C in the panel units 14A to 14C are both in the back surface reading mode when the electronic cassette 10 is in the open state, the image quality of the radiation image captured by the radiation detection panels 20 to 20C in the open state is high. There is no difference.

一方、図1乃至図3に示されるように、パネルユニット14Aには、撮像面78Dにグリッド80が設けられている。このグリッド80は、パネルユニット14Aの撮像面78Dに照射される放射線(矢印A)から撮像対象に起因する散乱線を除去する。なお、グリッド80は、放射線から散乱線を除去する構成であれば任意の構成を適用することができる。   On the other hand, as shown in FIGS. 1 to 3, the panel unit 14A is provided with a grid 80 on the imaging surface 78D. The grid 80 removes scattered radiation caused by the imaging target from the radiation (arrow A) irradiated to the imaging surface 78D of the panel unit 14A. Note that any configuration can be applied to the grid 80 as long as it is configured to remove scattered radiation from radiation.

図1乃至図3に示されように、電子カセッテ10では、パネルユニット14B内に制御ユニット18が設けられているため、パネルユニット14Bの高さが、パネルユニット14A、14Cの高さよりも高くなっている。図3(B)に示されるように、電子カセッテ10では、パネルユニット14Aにグリッド80を設けることにより、パネルユニット14Aの高さ(放射線の照射方向に沿った高さ)がパネルユニット14Bの高さと一致するようにしている。   As shown in FIGS. 1 to 3, in the electronic cassette 10, since the control unit 18 is provided in the panel unit 14B, the height of the panel unit 14B is higher than the height of the panel units 14A and 14C. ing. As shown in FIG. 3B, in the electronic cassette 10, the panel unit 14A is provided with a grid 80, so that the height of the panel unit 14A (height along the radiation direction) is higher than that of the panel unit 14B. To match.

なお、パネルユニット14Cに対しては、例えば、図2(B)に示されるように、側面に一端部が軸支されるように脚部82を設ける構成として、パネルユニット14Cの開状態で、撮像面78Cが撮像面78A、78Bと同一面となるように支持されるものであっても良い。このような脚部82は、パネルユニット14Cの筐体12Cに着脱可能な構成を適用することもできる。また、電子カセッテ10を図示しない基台上に載置して撮像を行う場合、基台に段差を設けるなどして、パネルユニット14A〜14Cの間の高さの差を解消する構成であっても良い。   For the panel unit 14C, for example, as shown in FIG. 2B, the leg unit 82 is provided such that one end is pivotally supported on the side surface. The imaging surface 78C may be supported so as to be flush with the imaging surfaces 78A and 78B. Such a leg portion 82 may be configured to be detachable from the casing 12C of the panel unit 14C. In addition, when the electronic cassette 10 is placed on a base (not shown) and images are taken, the height difference between the panel units 14A to 14C is eliminated by providing a step on the base. Also good.

一方、図3(A)に示されるように、電子カセッテ10では、パネルユニット14A、14Cを重ねたとき(閉状態)に、パネルユニット14A、14Cの間に、フィルタ部材の一例とされるエネルギー変換用フィルタ84が配置される。エネルギー変換用フィルタ78は、例えば、銅、タングステン、モリブデンなどの重金属が用いられ、薄板状(例えば、厚さ0.8mm〜2.0mm程度、また、厚さはこれに限らず2.0mm以上であっても良い)に形成されている。なお、エネルギー変換用フィルタ84の構成は、これに限るものでなく、所望の波長の放射線が吸収される任意の構成を適用できる。   On the other hand, as shown in FIG. 3A, in the electronic cassette 10, when the panel units 14A and 14C are overlapped (closed state), energy that is an example of a filter member is interposed between the panel units 14A and 14C. A conversion filter 84 is disposed. The energy conversion filter 78 is made of, for example, heavy metal such as copper, tungsten, or molybdenum, and has a thin plate shape (for example, a thickness of about 0.8 mm to 2.0 mm. The thickness is not limited to this, but is 2.0 mm or more. May be formed). The configuration of the energy conversion filter 84 is not limited to this, and any configuration that absorbs radiation having a desired wavelength can be applied.

このエネルギー変換用フィルタ84は、例えば、所定の波長範囲の放射線のエネルギーを吸収するように構成され、これにより、エネルギー変換用フィルタ84に入射された放射線が所定のエネルギー成分が吸収される。   For example, the energy conversion filter 84 is configured to absorb the energy of radiation in a predetermined wavelength range, and thereby, the radiation incident on the energy conversion filter 84 absorbs a predetermined energy component.

前記したように、放射線検出パネル20に照射される放射線には、比較的周波数の高い高エネルギー成分(高周波数成分)と、比較的周波数の低い低エネルギー成分とが含まれ、放射線中の高エネルギー成分の放射線画像データから高圧画像が得られ、低エネルギー成分の放射線画像データから低圧画像が得られる。また、エネルギー変換用フィルタ84で低エネルギー成分を殆ど吸収することで、軟部組織と骨部組織とを強調又は分離した画像(軟部画像と骨部画像)が得られる(エネルギーサブストラクション法)。電子カセッテ10では、エネルギー変換用フィルタ84により低エネルギー成分が吸収されるようにしている。   As described above, the radiation applied to the radiation detection panel 20 includes a high energy component (high frequency component) having a relatively high frequency and a low energy component having a relatively low frequency, and high energy in the radiation. A high pressure image is obtained from the radiation image data of the component, and a low pressure image is obtained from the radiation image data of the low energy component. Further, the energy conversion filter 84 absorbs almost all of the low energy component, thereby obtaining an image (soft part image and bone part image) in which the soft tissue and the bone tissue are emphasized or separated (energy subtraction method). In the electronic cassette 10, the low energy component is absorbed by the energy conversion filter 84.

図1、図2(B)及び図3(B)に示されるように、電子カセッテ10では、このエネルギー変換用フィルタ84をパネルユニット14Cの撮像面78Cと反対側の面、すなわち、パネルユニット14A、14Cを重ねたときにパネルユニット14Aに対向する面(紙面上方側の面)、パネルユニット12Cの開状態で紙面下方側となる面に取り付けられている。なお、エネルギー変換用フィルタ84は、パネルユニット14Cの筐体12C内に収容されていても良く、また、必要に応じてパネルユニット12に取り付けられるものであっても良い。   As shown in FIGS. 1, 2B, and 3B, in the electronic cassette 10, the energy conversion filter 84 is disposed on the surface opposite to the imaging surface 78C of the panel unit 14C, that is, the panel unit 14A. , 14C are attached to the surface that faces the panel unit 14A (the surface on the upper side of the drawing), the surface that is on the lower side of the drawing in the open state of the panel unit 12C. The energy conversion filter 84 may be accommodated in the housing 12C of the panel unit 14C, or may be attached to the panel unit 12 as necessary.

これにより、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの閉状態で、パネルユニット14Aとパネルユニット14Cとの間にエネルギー変換用フィルタ84が配置され、パネルユニット14Aの撮像面78Dに照射された放射線が放射線検出パネル20A、20Cに照射される。このとき、放射線検出パネル20Aの第2面74には、高エネルギー成分と低エネルギー成分とを含む放射線が照射されるが、放射線検出パネル20Cの第2面74には、エネルギー変換用フィルタ84により低エネルギー成分が吸収されて、高エネルギー成分の放射線が照射される。   Thereby, in the electronic cassette 10, the filter 84 for energy conversion is arrange | positioned between the panel unit 14A and the panel unit 14C in the closed state of the panel units 14A-14C, and the radiation with which the imaging surface 78D of the panel unit 14A was irradiated Is irradiated to the radiation detection panels 20A and 20C. At this time, radiation including a high energy component and a low energy component is irradiated to the second surface 74 of the radiation detection panel 20A. However, the energy conversion filter 84 is applied to the second surface 74 of the radiation detection panel 20C. The low energy component is absorbed and the high energy component radiation is irradiated.

したがって、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの閉状態では、パネルユニット14Aの放射線検出パネル20Aから低圧画像の放射線画像データが得られ、パネルユニット14Cの放射線検出パネル20Cから高圧画像の放射線画像データが得られる。   Therefore, in the electronic cassette 10, when the panel units 14A to 14C are closed, the radiation image data of the low pressure image is obtained from the radiation detection panel 20A of the panel unit 14A, and the radiation image of the high pressure image is obtained from the radiation detection panel 20C of the panel unit 14C. Data is obtained.

次に第1の実施の形態の作用を説明する。電子カセッテ10には、それぞれに放射線検出パネル20(20A〜20C)が設けられたパネルユニット14A〜14Cを有し、パネルユニット14Bとパネルユニット14Cとがヒンジ64により連結され、パネルユニット14Aとパネルユニット14Bとがヒンジ66により連結されている。これにより、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの閉状態及び、パネルユニット14A〜14Cの開状態で放射線画像の撮像が可能となっている。   Next, the operation of the first embodiment will be described. The electronic cassette 10 has panel units 14A to 14C each provided with a radiation detection panel 20 (20A to 20C). The panel unit 14B and the panel unit 14C are connected by a hinge 64, and the panel unit 14A and the panel are connected to each other. The unit 14B is connected by a hinge 66. Thereby, in the electronic cassette 10, radiographic images can be captured in the closed state of the panel units 14A to 14C and the open state of the panel units 14A to 14C.

電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの開状態で、3枚の放射線検出パネル20A〜20Cが並べて得られる面積での撮像が可能となり、1枚の放射線検出パネル20を用いる場合に比べて、撮像面積が拡大され、大きな被写体であっても1回の放射線の照射で、複数枚に分割された放射線画像として得られる。このときで、電子カセッテ10では、パネルユニット14Aとパネルユニット14Bの間隙及び、パネルユニット14Bとパネルユニット14Cの間隙が狭められるようになっている。また、電子カセッテ10では、ハンドル69が設けられていることにより、パネルユニット14A〜14Cの開閉操作(パネルユニット14Bに対するパネルユニット14A、14Cの開閉操作)が容易となっている。   In the electronic cassette 10, the panel units 14A to 14C are opened, and imaging with an area obtained by arranging the three radiation detection panels 20A to 20C becomes possible. Compared to the case where one radiation detection panel 20 is used, The imaging area is enlarged, and even a large subject can be obtained as a radiation image divided into a plurality of sheets by one irradiation of radiation. At this time, in the electronic cassette 10, the gap between the panel unit 14A and the panel unit 14B and the gap between the panel unit 14B and the panel unit 14C are reduced. Further, the electronic cassette 10 is provided with the handle 69, so that the opening / closing operation of the panel units 14A to 14C (opening / closing operation of the panel units 14A and 14C with respect to the panel unit 14B) is facilitated.

また、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cの閉状態で、パネルユニット14Aの撮像面78Dに照射される放射線により2枚の放射線検出パネル20A、20Cに並行して放射線画像の撮像を行なうことができる。   In the electronic cassette 10, radiographic images are captured in parallel with the two radiation detection panels 20 </ b> A and 20 </ b> C by radiation applied to the imaging surface 78 </ b> D of the panel unit 14 </ b> A when the panel units 14 </ b> A to 14 </ b> C are closed. Can do.

ここで、電子カセッテ10では、パネルユニット14Cにエネルギー変換用フィルタ84が設けられており、パネルユニット14A〜14Cの閉状態で、パネルユニット14A、14Cの間にエネルギー変換用フィルタ84が配置される。これにより、電子カセッテ10では、放射線がパネルユニット14Aの撮像面78Dに照射されることにより、放射線検出パネル20Aの第2面74には、低エネルギー成分を含む放射線が照射されて、該当放射線による放射線画像データが得られる。また、パネルユニット14Cには、エネルギー変換用フィルタ84を透過することにより、低エネルギー成分が吸収された放射線が照射され、これにより、パネルユニット14C内の放射線検出パネル20Cには、高エネルギー成分の放射線が照射される。電子カセッテ10では、放射線検出パネル20Aにおいても、低エネルギー成分の放射線が照射されるが、エネルギー変換用フィルタ84が設けられていることにより、低エネルギー成分が確実に吸収されて除去された放射線が放射線検出パネル20Cに照射される。   Here, in the electronic cassette 10, the energy conversion filter 84 is provided in the panel unit 14C, and the energy conversion filter 84 is disposed between the panel units 14A and 14C when the panel units 14A to 14C are closed. . Thereby, in the electronic cassette 10, the radiation including the low energy component is irradiated on the second surface 74 of the radiation detection panel 20A by irradiating the imaging surface 78D of the panel unit 14A with radiation. Radiation image data is obtained. Further, the panel unit 14C is irradiated with the radiation that has absorbed the low energy component by passing through the energy conversion filter 84, whereby the radiation detection panel 20C in the panel unit 14C has a high energy component. Radiation is irradiated. In the electronic cassette 10, the radiation detection panel 20 </ b> A is also irradiated with radiation having a low energy component, but by providing the energy conversion filter 84, the radiation that has been reliably absorbed and removed by the low energy component is removed. The radiation detection panel 20C is irradiated.

このように、電子カセッテ10では、1回の放射線の照射で、エネルギーサブストラクション法に用いられる、低エネルギー成分を含む放射線による放射線画像データと、高エネルギー成分の放射線による放射線画像データとが得られる。これらの放射線画像データを用いることにより、エネルギーサブストラクション法に用いる低圧画像と高圧画像が得られる。   As described above, in the electronic cassette 10, radiation image data based on radiation including a low energy component and radiation image data based on radiation having a high energy component, which are used in the energy subtraction method, can be obtained by a single radiation irradiation. . By using these radiation image data, a low-pressure image and a high-pressure image used in the energy subtraction method can be obtained.

なお、この場合、放射線検出パネル20Bにも放射線が照射されるが、放射線検出パネル20Bから得られる放射線画像データが不要であれば、放射線検出パネル20Bからの放射線画像データの読込を停止すれば良い。また、放射線検出パネル20Bでは、第2面74と画像特性の異なる第1面72に放射線が照射されるので、放射線検出パネル20Cとは異なる画像特性の放射線画像データとして読み込むようにしても良い。   In this case, the radiation detection panel 20B is also irradiated with radiation, but if the radiation image data obtained from the radiation detection panel 20B is unnecessary, reading of the radiation image data from the radiation detection panel 20B may be stopped. . Further, in the radiation detection panel 20B, radiation is irradiated onto the first surface 72 having different image characteristics from the second surface 74. Therefore, the radiation detection panel 20B may be read as radiation image data having image characteristics different from those of the radiation detection panel 20C.

電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cを開状態とすることにより、1回の放射線の照射で、放射線検出パネル20A〜20Cにより被写体を分割した放射線画像データが得られる。このとき、電子カセッテ10では、放射線検出パネル20A〜20Cのそれぞれで、同じ第1面72に放射線が照射される。   In the electronic cassette 10, by setting the panel units 14A to 14C to the open state, radiation image data obtained by dividing the subject by the radiation detection panels 20A to 20C can be obtained by one irradiation of radiation. At this time, in the electronic cassette 10, the same first surface 72 is irradiated with radiation in each of the radiation detection panels 20A to 20C.

一方、制御ユニット18に設けられる制御部50や電源部70は、多数の電子分品を含んで構成されており、電源部70の電力により作動することにより発熱する。また、放射線検出パネル20は、温度変化によって電気的特性が変化する。例えば、放射線検出パネル20にASICが設けられている場合、このASICが温度上昇により特性が悪化し、ノイズ成分が増加する(S/N比が悪化)。また、放射線検出パネル20では、温度上昇によりTFT(スイッチング素子24)の暗電流が増加し、出力される放射線画像データに影響を及ぼす。   On the other hand, the control unit 50 and the power supply unit 70 provided in the control unit 18 are configured to include a large number of electronic components, and generate heat when operated by the power of the power supply unit 70. In addition, the electrical characteristics of the radiation detection panel 20 change due to temperature changes. For example, when the radiation detection panel 20 is provided with an ASIC, the characteristics of the ASIC deteriorate due to the temperature rise, and the noise component increases (S / N ratio deteriorates). In the radiation detection panel 20, the dark current of the TFT (switching element 24) increases due to the temperature rise and affects the output radiation image data.

さらに、放射線検出パネル20は、温度上昇により積層構造を形成する各部材の熱膨張係数の相違に起因する変形、破損が生じたり、温度変化が繰り返されることによる接着剤の劣化による層の剥離などによる劣化が生じる。   Further, the radiation detection panel 20 is deformed or broken due to a difference in thermal expansion coefficient of each member forming the laminated structure due to a temperature rise, or peeling of a layer due to deterioration of an adhesive due to repeated temperature changes. Deterioration due to.

ここで、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cを重ねた閉状態のみでなく、開状態とすることで、放熱面積が広がるので冷却効率/放熱効率を高く、制御ユニット18から発生する熱を放出できる。これにより、電子カセッテ10では、パネルユニット14Aの放射線検出パネル20B又は、パネルユニット14A〜14Cの放射線検出パネル20A〜20Cを用いて、連続した放射線画像データを取得する場合でも、放射線検出パネル20A〜20Cの温度変化に起因する放射線画像データの品質低下や、放射線検出パネル20A〜20Cの劣化等が抑えられる。   Here, in the electronic cassette 10, not only the closed state in which the panel units 14 </ b> A to 14 </ b> C are overlapped but also the open state, the heat radiation area is widened, so the cooling efficiency / heat radiation efficiency is high, and the heat generated from the control unit 18 is increased. Can be released. Thereby, in the electronic cassette 10, even when acquiring continuous radiation image data using the radiation detection panel 20B of the panel unit 14A or the radiation detection panels 20A to 20C of the panel units 14A to 14C, the radiation detection panels 20A to 20C. Degradation of the quality of the radiation image data due to the temperature change of 20C, deterioration of the radiation detection panels 20A to 20C, and the like can be suppressed.

また、GOSは温度変化による感度の変化はほとんどないが、CsIは温度の上昇により感度が変化(例えば、温度が1℃上昇する毎に感度が約0.3%低下)する。従って、シンチレータ層28をCsIにより形成した場合、連続的に撮影を繰り返す動画撮影(透視撮影)中にシンチレータ層28の温度が大きく変化すると、シンチレータ層28の感度変化が大きくなり、一連の動画撮影画像において、フレーム初期の画像と最後の画像で濃度差が大きくなり、視認性が悪くなり、また、診断精度も低下してしまう。しかし、本実施の形態に係る電子カセッテ10は、パネルユニット14A、14Cの放射線検出パネル20A、20Cで動画撮像を行うことにより、制御ユニット18の熱が放射線検出パネル20Bに伝わり難いため、CsIの温度変化による感度変化を抑制できる。   Further, GOS hardly changes in sensitivity due to temperature change, but CsI changes in sensitivity due to temperature increase (for example, the sensitivity decreases by about 0.3% every time the temperature increases by 1 ° C.). Therefore, when the scintillator layer 28 is formed of CsI, if the temperature of the scintillator layer 28 changes greatly during moving image shooting (perspective shooting) in which continuous shooting is repeated, the sensitivity change of the scintillator layer 28 increases, and a series of moving image shooting is performed. In the image, the density difference between the image at the beginning of the frame and the last image becomes large, the visibility deteriorates, and the diagnostic accuracy also decreases. However, since the electronic cassette 10 according to the present embodiment performs moving image capturing with the radiation detection panels 20A and 20C of the panel units 14A and 14C, it is difficult for the heat of the control unit 18 to be transmitted to the radiation detection panel 20B. Sensitivity change due to temperature change can be suppressed.

また、電子カセッテ10では、パネルユニット14A〜14Cを閉状態として、エネルギーサブストラクション用の放射線画像データを取得するときに、熱源となる制御ユニット18に近い放射線検出パネル20Bを用いず、熱源から離れた放射線検出パネル20A、20Cを用いるので、ノイズを抑えた放射線画像データが得られる。   Further, in the electronic cassette 10, when the panel units 14A to 14C are closed and the radiation image data for energy subtraction is acquired, the radiation detection panel 20B close to the control unit 18 serving as a heat source is not used, and the electronic cassette 10 is separated from the heat source. Since the radiation detection panels 20A and 20C are used, radiation image data with reduced noise can be obtained.

なお、電子カセッテ10では、例えば、制御ユニット18が設けられる筐体12Bの底面に放熱用のフィンを形成するなどしても良く、これにより、より一層の放熱効果が得られ、放射線検出パネル20の劣化防止のみでなく、ノイズ成分の少ない放射線画像データを得ることができる。
〔第2の実施の形態〕
以下に第2の実施の形態を説明する。なお、第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同等の構成については、第1の実施の形態と同じ符号を付与してその説明を省略する。
In the electronic cassette 10, for example, fins for heat dissipation may be formed on the bottom surface of the casing 12 </ b> B where the control unit 18 is provided, and thereby a further heat dissipation effect can be obtained, and the radiation detection panel 20. In addition to preventing deterioration, radiation image data with less noise components can be obtained.
[Second Embodiment]
The second embodiment will be described below. Note that in the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and description thereof is omitted.

図9及び図10には、第2の実施の形態に係る電子カセッテ110の概略構成が示されている。この電子カセッテ110は、それぞれが矩形薄箱状(平板状)に形成された筐体112A、112B、112Cを備え、放射線検出パネル20A、20B、20Cが収容されることにより、パネルユニット114A、114B、114Cが形成されている。なお、パネルユニット114A〜114Cは、放射線検出パネル20のみを収容する構成なので薄く形成することができる。   9 and 10 show a schematic configuration of the electronic cassette 110 according to the second exemplary embodiment. The electronic cassette 110 includes casings 112A, 112B, and 112C each formed in a rectangular thin box shape (flat plate shape), and the radiation detection panels 20A, 20B, and 20C are accommodated, whereby the panel units 114A and 114B are accommodated. , 114C are formed. The panel units 114 </ b> A to 114 </ b> C can be formed thin because they are configured to accommodate only the radiation detection panel 20.

この電子カセッテ110には、連結部材とされるヒンジ部116、118が設けられている。ヒンジ部116は、パネルユニット114Bとパネルユニット114Cとを連結している。また、ヒンジ部118は、パネルユニット114Aとパネルユニット114Bとを連結している。   The electronic cassette 110 is provided with hinge portions 116 and 118 serving as connecting members. The hinge part 116 connects the panel unit 114B and the panel unit 114C. The hinge portion 118 connects the panel unit 114A and the panel unit 114B.

ヒンジ部116は、箱体形状に形成された本体120と本体120から対で突出された支持壁122(図9及び図10では、一方のみを図示)を備え、ヒンジ部116に対応するパネルユニット14B、14Cには、端部に支軸124が設けられている。パネルユニット114B、114Cは、支軸124が設けられた端部が、ヒンジ部116の支持壁122の間に嵌め込まれ、支軸124が支持壁122に軸支されることより回動可能に連結されている。   The hinge part 116 includes a main body 120 formed in a box shape and a support wall 122 (only one of them is shown in FIGS. 9 and 10) protruding from the main body 120 as a pair, and a panel unit corresponding to the hinge part 116. A support shaft 124 is provided at the end of each of 14B and 14C. The panel units 114 </ b> B and 114 </ b> C are rotatably connected by the end portion where the support shaft 124 is provided being fitted between the support walls 122 of the hinge portion 116 and the support shaft 124 being pivotally supported by the support wall 122. Has been.

また、ヒンジ部118は、前記ヒンジ部116の本体120と同様に箱体形状に形成された本体126と本体126から対で突出された支持壁128(図9及び図10では、一方のみを図示)を備え、ヒンジ部118に対応するパネルユニット114A、114Bには、端部に支軸130が設けられている。パネルユニット114A、114Bは、支軸130が設けられた端部が、ヒンジ部118の支持壁128の間に嵌め込まれ、支軸130が支持壁128に軸支されることより回動可能に連結されている。また、支持壁128には、パネルユニット114Aの支軸130に対応して長孔132が形成され、パネルユニット114Aの支軸130がこの長孔132に挿入され、パネルユニット114Bの支軸130との接離方向へ移動可能となっている。   In addition, the hinge portion 118 has a main body 126 formed in a box shape like the main body 120 of the hinge portion 116 and a support wall 128 projecting in pairs from the main body 126 (only one is shown in FIGS. 9 and 10). The panel unit 114A, 114B corresponding to the hinge portion 118 is provided with a support shaft 130 at the end. The panel units 114 </ b> A and 114 </ b> B are connected to each other so that the end provided with the support shaft 130 is fitted between the support walls 128 of the hinge portion 118, and the support shaft 130 is pivotally supported by the support wall 128. Has been. A long hole 132 is formed in the support wall 128 corresponding to the support shaft 130 of the panel unit 114A. The support shaft 130 of the panel unit 114A is inserted into the long hole 132, and the support wall 130 is connected to the support shaft 130 of the panel unit 114B. It is possible to move in the direction of contact.

これにより、図9に示されるように、電子カセッテ110では、パネルユニット114Bに重ねたパネルユニット114Cに載せるようにパネルユニット114Aを重ねることができる。このとき、パネルユニット114Cにエネルギー変換用フィルタ84が設けられていることにより、パネルユニット114Aとパネルユニット114Cの間、すなわち、放射線検出パネル20Aと放射線検出パネル20Cの間にエネルギー変換用フィルタ84が配置される。   Accordingly, as shown in FIG. 9, in the electronic cassette 110, the panel unit 114A can be stacked so as to be placed on the panel unit 114C stacked on the panel unit 114B. At this time, since the energy conversion filter 84 is provided in the panel unit 114C, the energy conversion filter 84 is provided between the panel unit 114A and the panel unit 114C, that is, between the radiation detection panel 20A and the radiation detection panel 20C. Be placed.

図10に示されるように、電子カセッテ110では、パネルユニット114Aを開いたときに、パネルユニット114Aがパネルユニット114Bへ向けて移動可能となり、パネルユニット114Aをパネルユニット114Bへ向けて移動することにより、パネルユニット114Bとの間隔が詰められる。   As shown in FIG. 10, in the electronic cassette 110, when the panel unit 114A is opened, the panel unit 114A is movable toward the panel unit 114B, and the panel unit 114A is moved toward the panel unit 114B. The interval with the panel unit 114B is reduced.

また、電子カセッテ110では、パネルユニット114Cを開いたときに、パネルユニット114Cが、パネルユニット114Bから離れることがないので、開状態でパネルユニット114B、114Cの間隙が開くことがない。なお、パネルユニット114A,114Cの開状態で、パネルユニット114Cに設けているエネルギー変換用フィルタ84が、ヒンジ部116の本体120と干渉する場合、本体120に段差部120Aを設けるようにしても良い。   Further, in the electronic cassette 110, when the panel unit 114C is opened, the panel unit 114C is not separated from the panel unit 114B, so that the gap between the panel units 114B and 114C is not opened in the open state. When the energy conversion filter 84 provided in the panel unit 114C interferes with the main body 120 of the hinge portion 116 in the open state of the panel units 114A and 114C, the step portion 120A may be provided in the main body 120. .

また、電子カセッテ110では、パネルユニット114A〜114Cの開状態で、撮像面78A〜78Cが同一平面上となるようにヒンジ部116の本体120とヒンジ部118の本体126とによって支持される。なお、電子カセッテ110においても、ハンドル69が設けられていることが好ましい。   In the electronic cassette 110, the panel units 114A to 114C are supported by the main body 120 of the hinge portion 116 and the main body 126 of the hinge portion 118 so that the imaging surfaces 78A to 78C are on the same plane. Note that the electronic cassette 110 is also preferably provided with a handle 69.

一方、電子カセッテ110では、例えば、ヒンジ部116を形成している本体120内に、制御ユニット18の電源部70が収容され、また、ヒンジ部118を形成している本体126内に制御ユニット18の制御部50が収容されている。   On the other hand, in the electronic cassette 110, for example, the power supply unit 70 of the control unit 18 is accommodated in the main body 120 forming the hinge portion 116, and the control unit 18 is included in the main body 126 forming the hinge portion 118. The control unit 50 is accommodated.

このように構成された電子カセッテ110では、開状態で、放射線検出パネル20A〜20Cの第1面70が同一方向(放射線の照射方向)へ向けられ、放射線が照射されることにより放射線画像データを得ることができる。また、電子カセッテ110では、パネルユニット114A〜114Cの閉状態でパネルユニット114A、114Cの間にエネルギー変換用フィルタ84が配置される。これにより、電子カセッテ110では、放射線検出パネル20Aの第2面74に放射される放射線から低エネルギー成分を含む放射線画像データが得られ、放射線検出パネル20Cの第2面74に放射される放射線から高エネルギー成分の放射線画像データが得られる。   In the electronic cassette 110 configured as described above, in the open state, the first surfaces 70 of the radiation detection panels 20A to 20C are directed in the same direction (radiation direction), and radiation image data is obtained by irradiation with radiation. Obtainable. In the electronic cassette 110, the energy conversion filter 84 is disposed between the panel units 114A and 114C with the panel units 114A to 114C being closed. Thereby, in the electronic cassette 110, radiation image data including a low energy component is obtained from the radiation emitted to the second surface 74 of the radiation detection panel 20A, and from the radiation emitted to the second surface 74 of the radiation detection panel 20C. Radiation image data of high energy components can be obtained.

一方、電子カセッテ10では、発熱源となる制御ユニット18の制御部50及び電源部70を、パネルユニット114A〜114Cから離れえたヒンジ部116の本体120及び、ヒンジ部118の本体126内に設けている。これにより、パネルユニット114A〜114B内の放射線検出パネル20A〜20Cが制御部50や電源部70が発する熱の影響を受けることがない。   On the other hand, in the electronic cassette 10, the control unit 50 and the power supply unit 70 of the control unit 18 serving as a heat generation source are provided in the main body 120 of the hinge unit 116 and the main body 126 of the hinge unit 118 that are separated from the panel units 114 </ b> A to 114 </ b> C. Yes. Thereby, the radiation detection panels 20A to 20C in the panel units 114A to 114B are not affected by the heat generated by the control unit 50 or the power supply unit 70.

また、ヒンジ部116の本体120及びヒンジ部118の本体126は、周囲が開放されているために放熱効果が高い。このために、制御部50及び電源部70に発熱が生じても、パネルユニット114A〜114Cや、パネルユニット114A〜114C内の放射線検出パネル20A〜20Cの温度上昇が抑制される。   Further, the main body 120 of the hinge part 116 and the main body 126 of the hinge part 118 have a high heat dissipation effect because their surroundings are open. For this reason, even if heat is generated in the control unit 50 and the power supply unit 70, temperature rises of the panel units 114A to 114C and the radiation detection panels 20A to 20C in the panel units 114A to 114C are suppressed.

一般に、パネルユニット114A〜114Cは、撮像される被検者が触れることが多く、温度上昇が生じていると、被検者に不快感や不安感を生じさせてしまうことがある。このときに、電子カセッテ110では、被検者の触れるパネルユニット114A〜114Cの温度上昇は勿論、制御部50と電源部70が設けられているヒンジ部116の本体120及びヒンジ部118の本体126の温度上昇が抑えられるので、被検者に不快感や不安感を生じさせてしまうことがない。   In general, the panel units 114 </ b> A to 114 </ b> C are often touched by the subject to be imaged, and if the temperature rises, the subject may feel uncomfortable or uneasy. At this time, in the electronic cassette 110, the temperature of the panel units 114 </ b> A to 114 </ b> C touched by the subject is raised, and the main body 120 of the hinge part 116 and the main body 126 of the hinge part 118 provided with the control unit 50 and the power supply unit 70. Therefore, the subject is not made uncomfortable or uneasy.

なお、電子カセッテ110では、グリッド80を省略しているが、グリッド80は、パネルユニット114Aに予め設けられていても良く、また、必要に応じて装着されるものであっても良い。また、エネルギー変換用フィルタ84は、パネルユニット114C内に収容されていても良い。さらに、ヒンジ部116の本体120及びヒンジ部118の本体126の表面には、凹凸や多数の放熱フィンなどを設けた構成としても良く、これにより、放熱効果の向上と温度上昇の抑制を図ることができる。   In the electronic cassette 110, the grid 80 is omitted, but the grid 80 may be provided in the panel unit 114A in advance, or may be attached as necessary. The energy conversion filter 84 may be accommodated in the panel unit 114C. Furthermore, the surface of the main body 120 of the hinge part 116 and the main body 126 of the hinge part 118 may be provided with unevenness and a large number of heat dissipating fins, thereby improving the heat dissipating effect and suppressing the temperature rise. Can do.

なお、以上説明した本実施の形態では、放射線検出パネルの一例として、放射線をシンチレータ層28で一旦光に変換した後、変換した光を光導電層30で電荷に変換して蓄積する間接変換方式の放射線検出パネル20を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線を、アモルファスセレン等を用いたセンサ部により電荷へ直接変換して蓄積する直接変換方式の放射線検出パネルを用いても良い。   In the present embodiment described above, as an example of the radiation detection panel, an indirect conversion method in which radiation is once converted into light by the scintillator layer 28, and then the converted light is converted into charges by the photoconductive layer 30 and stored. However, the present invention is not limited to this. For example, a direct conversion radiation detection panel that directly converts radiation into charges by a sensor unit using amorphous selenium or the like may be used.

図11には、直接変換方式の放射線検出パネル100の一例と示している。この放射線検出パネル100では、入射される放射線を電荷に変換する光導電層102が、TFT基板26上に形成されている。光導電層102としては、アモルファスSe、Bi12MO30(M:Ti、Si、Ge)、Bi12(M:Ti、Si、Ge)、Bi、BiMO(M:Nb、Ta、V)、BiWO、Bi2439、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、MNbO(M:Li、Na、K)、PbO、HgI、PbI、CdS、CdSe、CdTe、BiI、GaAs等のうち少なくとも1つを主成分とする化合物などが用いられるが、暗抵抗が高く、X線(放射線)照射に対して良好な光導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非結晶(アモルファス)材料が好適である。 FIG. 11 shows an example of the direct conversion type radiation detection panel 100. In the radiation detection panel 100, a photoconductive layer 102 that converts incident radiation into electric charges is formed on the TFT substrate 26. As the photoconductive layer 102, amorphous Se, Bi 12 MO 30 (M: Ti, Si, Ge), Bi 4 M 3 O 12 (M: Ti, Si, Ge), Bi 2 O 3 , BiMO 4 (M: Nb, Ta, V), Bi 2 WO 6 , Bi 24 B 2 O 39 , ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, MNbO 3 (M: Li, Na, K), PbO, HgI 2 , PbI 2 , CdS, CdSe , CdTe, BiI 3 , GaAs, and the like are used as a main component, but they have high dark resistance and show good photoconductivity against X-ray (radiation) irradiation. Therefore, an amorphous material capable of forming a large area film at a low temperature is suitable.

光導電層102上には、光導電層102の表面側に、光導電層102へバイアス電圧を印加するためのバイアス電極104が形成される。また、TFT基板26には、間接変換方式の放射線検出パネル20と同様に、光導電層102で発生した電荷を収集する電荷収集電極34が形成されている。さらに、直接変換方式の放射線検出パネル100のTFT基板26には、各電荷収集電極34で収集された電荷を蓄積する電荷蓄積容量106が設けられている。各電荷蓄積容量106に蓄積された電荷は、スイッチング素子24がオンされることで読み出される。   A bias electrode 104 for applying a bias voltage to the photoconductive layer 102 is formed on the photoconductive layer 102 on the surface side of the photoconductive layer 102. Further, on the TFT substrate 26, as in the indirect conversion type radiation detection panel 20, a charge collection electrode 34 that collects charges generated in the photoconductive layer 102 is formed. Further, the TFT substrate 26 of the direct conversion type radiation detection panel 100 is provided with a charge storage capacitor 106 for storing charges collected by the charge collection electrodes 34. The charge accumulated in each charge storage capacitor 106 is read when the switching element 24 is turned on.

また、電子カセッテ10は、図12(A)に示すように、閉状態で、パネルユニット14A内の放射線検出パネル20A及びパネルユニット14C内の放射線検出パネル20Cを第1面72側が上方側(図12(A)の紙面上方側)へ向くように配置すると共に、パネルユニット14B内の放射線検出パネル20Bを第2面74側が上方側(図12(A)の紙面上方側)へ向くように配置してもよい。   Further, as shown in FIG. 12A, the electronic cassette 10 is in a closed state, and the radiation detection panel 20A in the panel unit 14A and the radiation detection panel 20C in the panel unit 14C are on the first surface 72 side upward (see FIG. 12A, and the radiation detection panel 20B in the panel unit 14B is disposed so that the second surface 74 side is directed upward (upward in FIG. 12A). May be.

これにより、図12(B)に示すように、電子カセッテ10は、開状態でパネルユニット14A〜14C内の放射線検出パネル20A〜20Cが表面読取方式となるため、高い画質で撮影できる。また、開状態で放射線検出パネル20A〜20Cにより撮影される放射線画像の画質の差が生じない。   Accordingly, as shown in FIG. 12B, the electronic cassette 10 can be photographed with high image quality because the radiation detection panels 20A to 20C in the panel units 14A to 14C are in the open state in the open state. In addition, there is no difference in image quality between radiographic images taken by the radiation detection panels 20A to 20C in the open state.

また、電子カセッテ10は、図13(A)に示すように、閉状態で、パネルユニット14A内の放射線検出パネル20Aを第2面74側が上方側(図13(A)の紙面上方側)へ向くように配置すると共に、パネルユニット14B内の放射線検出パネル20B及びパネルユニット14C内の放射線検出パネル20Cを第1面72側が上方側(図13(A)の紙面上方側)へ向くように配置してもよい。   Further, as shown in FIG. 13A, the electronic cassette 10 is in a closed state, and the radiation detection panel 20A in the panel unit 14A is directed upward on the second surface 74 side (upper side of the paper surface in FIG. 13A). The radiation detection panel 20B in the panel unit 14B and the radiation detection panel 20C in the panel unit 14C are arranged so that the first surface 72 side is directed upward (upward on the paper surface in FIG. 13A). May be.

これにより、閉状態でパネルユニット14A内の放射線検出パネル20Aが表面読取方式となるため、閉状態の撮影で高画質な画像を得ることができる。なお、この場合、電子カセッテ10は、図13(B)に示すように、開状態でパネルユニット14C内の放射線検出パネル20Cが表面読取方式となり、パネルユニット14A、14B内の放射線検出パネル20A、20Bが裏面読取方式となり、開状態で放射線検出パネル20A、20Bと放射線検出パネル20Cにより撮影される放射線画像の画質の差が生じるが、所定の画像処理を行うことで解消すれば良い。   As a result, the radiation detection panel 20A in the panel unit 14A in the closed state becomes the surface reading method, so that a high-quality image can be obtained by shooting in the closed state. In this case, as shown in FIG. 13B, in the electronic cassette 10, the radiation detection panel 20C in the panel unit 14C is in a surface reading mode in the open state, and the radiation detection panels 20A in the panel units 14A and 14B 20B is a back side scanning method, and there is a difference in image quality between radiographic images taken by the radiation detection panels 20A and 20B and the radiation detection panel 20C in the open state, but this can be solved by performing predetermined image processing.

また、電子カセッテ10は、図15(A)に示すように、閉状態で、パネルユニット14A内の放射線検出パネル20A及びパネルユニット14C内の放射線検出パネル20Cを第2面74側が上方側(図15(A)の紙面上方側)へ向くように配置すると共に、パネルユニット14B内の放射線検出パネル20Bを第1面72側が上方側(図15(A)の紙面上方側)へ向くように配置してもよい。これにより、閉状態でパネルユニット14A内の放射線検出パネル20Aが表面読取方式となるため、閉状態の撮影で高画質な画像を得ることができる。なお、この場合、電子カセッテ10は、図15(B)に示すように、開状態でパネルユニット14B、14C内の放射線検出パネル20B、20Cが表面読取方式となり、パネルユニット14A内の放射線検出パネル20Aが裏面読取方式となり、開状態で放射線検出パネル20B、20Cと放射線検出パネル20Aにより撮影される放射線画像の画質の差が生じるが、所定の画像処理を行うことで解消すれば良い。   Further, as shown in FIG. 15A, the electronic cassette 10 is in a closed state, and the radiation detection panel 20A in the panel unit 14A and the radiation detection panel 20C in the panel unit 14C are on the second surface 74 side upward (see FIG. 15A). 15A, and the radiation detection panel 20B in the panel unit 14B is arranged so that the first surface 72 side is directed upward (upward in FIG. 15A). May be. As a result, the radiation detection panel 20A in the panel unit 14A in the closed state becomes the surface reading method, so that a high-quality image can be obtained by shooting in the closed state. In this case, as shown in FIG. 15B, in the electronic cassette 10, the radiation detection panels 20B and 20C in the panel units 14B and 14C are in a surface reading mode in the open state, and the radiation detection panel in the panel unit 14A. 20A becomes the back side scanning method, and there is a difference in image quality between the radiation images captured by the radiation detection panels 20B and 20C and the radiation detection panel 20A in the open state, but this can be solved by performing predetermined image processing.

また、放射線検出パネル20A〜20Cを表面読取方式で配置する場合、例えば、図14に示すように、それぞれパネルユニット14A〜14C内部の筐体部分に貼り付けるものとしもよい。絶縁性基板22を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出パネル20自体の剛性が高いため、パネルユニット14やパネルユニット16の筐体を薄く形成することができる。また、絶縁性基板22を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出パネル20自体が可撓性を有するため、衝撃が加わった場合でも放射線検出パネル20が破損しづらい。   Moreover, when arrange | positioning the radiation detection panels 20A-20C by a surface reading system, as shown in FIG. 14, for example, it is good also as what is affixed on the housing | casing part inside panel units 14A-14C, respectively. When the insulating substrate 22 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bionanofiber, the radiation detection panel 20 itself has a high rigidity, so that the casing of the panel unit 14 or the panel unit 16 can be formed thin. In addition, when the insulating substrate 22 is formed of a highly rigid plastic resin, aramid, or bionanofiber, the radiation detection panel 20 itself has flexibility, so that the radiation detection panel 20 is not easily damaged even when an impact is applied.

放射線検出パネル20A〜20Cのシンチレータ層28は、同一の構成としてもよく、異なる構成としてもよい。例えば、放射線検出パネル20A〜20Cのシンチレータ層28を全てGOSで構成してもよい。この場合、電子カセッテ10を安価に製造できる。   The scintillator layers 28 of the radiation detection panels 20A to 20C may have the same configuration or different configurations. For example, you may comprise all the scintillator layers 28 of radiation detection panel 20A-20C by GOS. In this case, the electronic cassette 10 can be manufactured at low cost.

また、放射線検出パネル20A〜20Cのシンチレータ層28を全てCsI等による柱状結晶で構成してもよい。この場合、放射線の照射されることにより柱状結晶で発生した光が柱状結晶に沿って導かれるため、高画質化できる。   Alternatively, all of the scintillator layers 28 of the radiation detection panels 20A to 20C may be formed of columnar crystals of CsI or the like. In this case, since light generated in the columnar crystal by being irradiated with radiation is guided along the columnar crystal, the image quality can be improved.

また、パネルユニット14A、14C内の放射線検出パネル20A、20Cのシンチレータ層28をCsI等による柱状結晶で構成し、パネルユニット14B内の放射線検出パネル20Bのシンチレータ層28をGOSで構成してもよい。この場合、電子カセッテ10を閉状態として1回の放射線の照射で、パネルユニット14A、14Cによりエネルギーサブストラクション用の放射線画像を撮影する際に、高画質な画像を得ることができる。また、パネルユニット14Bに温度変化が発生してもパネルユニット14Bで撮影される放射線画像の画質変化を抑制できる。また、パネルユニット14A内の放射線検出パネル20Aのシンチレータ層28をCsI等による柱状結晶で構成し、パネルユニット14B、14C内の放射線検出パネル20B、20Cのシンチレータ層28をGOSで構成してもよい。これらの場合、また、図3や図13、図15に示すように、パネルユニット14A内の放射線検出パネル20Aを閉状態で第2面74側が上方側へ向くように配置することにより、グリッド80を通過した放射線による画像を放射線検出パネル20Aで撮影できるため、高画質な画像を得ることができる。また、エネルギーサブストラクション用の放射線画像の撮影において放射線検出パネル20Aにより高画質な低エネルギーの照射線画像を得ることができる。   Further, the scintillator layer 28 of the radiation detection panels 20A and 20C in the panel units 14A and 14C may be configured by columnar crystals of CsI or the like, and the scintillator layer 28 of the radiation detection panel 20B in the panel unit 14B may be configured by GOS. . In this case, a high-quality image can be obtained when radiographic images for energy subtraction are taken by the panel units 14A and 14C with one irradiation of radiation with the electronic cassette 10 closed. Further, even if a temperature change occurs in the panel unit 14B, it is possible to suppress a change in the image quality of the radiographic image captured by the panel unit 14B. Further, the scintillator layer 28 of the radiation detection panel 20A in the panel unit 14A may be composed of columnar crystals made of CsI or the like, and the scintillator layers 28 of the radiation detection panels 20B and 20C in the panel units 14B and 14C may be composed of GOS. . In these cases, as shown in FIGS. 3, 13, and 15, the grid 80 is arranged by disposing the radiation detection panel 20 </ b> A in the panel unit 14 </ b> A in the closed state so that the second surface 74 side faces upward. Since the radiation detection panel 20A can capture an image of the radiation that has passed through, a high-quality image can be obtained. In addition, when capturing a radiation image for energy subtraction, a high-energy, low-energy irradiation line image can be obtained by the radiation detection panel 20A.

例えば、上記実施の形態では、パネルユニット14Bを平板状とした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線検出パネル20は、液晶ディスプレイと同様にガラス基板などに形成することができ、比較的薄くすることができる。一方、パネルユニット14Bは制御ユニット18を内蔵しており、制御ユニット18に内蔵されるインダクタンスやコイルなどの回路素子やバッテリは、高さが放射線検出パネル20に比較して高い。このため、パネルユニット14Bはパネルユニット14A、14Cに比べ厚く形成されている。   For example, in the above-described embodiment, the case where the panel unit 14B has a flat plate shape has been described, but the present invention is not limited to this. For example, the radiation detection panel 20 can be formed on a glass substrate or the like like a liquid crystal display, and can be made relatively thin. On the other hand, the panel unit 14 </ b> B has a built-in control unit 18, and a circuit element such as an inductance or a coil or a battery built in the control unit 18 has a higher height than the radiation detection panel 20. For this reason, the panel unit 14B is formed thicker than the panel units 14A and 14C.

そこで、図16、図17に示すように、パネルユニット14A、14を薄く形成する。また、パネルユニット14A、14Cに比べてパネルユニット14Bの筐体12Bを長く形成すると共に、閉状態とされている際にパネルユニット14A、14Cが折り畳まれて重なる重畳部分150内に放射線検出パネル20Bを配置してパネルユニット14A、14と略同一の厚さに形成し、閉状態とされている際にパネルユニット14A、14Cと重ならない非重畳部分152を重畳部分150より厚く形成して、非重畳部分14B内に制御ユニット18を配置するようにしてもよい。   Therefore, as shown in FIGS. 16 and 17, the panel units 14A and 14 are formed thin. Further, the casing 12B of the panel unit 14B is formed longer than the panel units 14A and 14C, and the radiation detection panel 20B is placed in the overlapping portion 150 where the panel units 14A and 14C are folded and overlapped when the panel unit 14A is closed. Is formed to have substantially the same thickness as the panel units 14A and 14, and a non-overlapping portion 152 that does not overlap with the panel units 14A and 14C when being closed is formed thicker than the overlapping portion 150. The control unit 18 may be disposed in the overlapping portion 14B.

さらに、本実施の形態では、電子カセッテ10、110を例に説明したが、本発明が適用される放射線画像撮像装置は、これに限らず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることはいうまでもない。   Furthermore, in the present embodiment, the electronic cassettes 10 and 110 have been described as examples. However, the radiographic image capturing apparatus to which the present invention is applied is not limited to this, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. Needless to say.

10、110 電子カセッテ
14A、114A パネルユニット(第3のパネルユニット)
14B、114B パネルユニット(第1のパネルユニット)
14C、114C パネルユニット(第2のパネルユニット)
18 制御ユニット
20(20A、20B、20C)、100 放射線検出パネル
50 制御部
64 ヒンジ(第1の連結部材)
66 ヒンジ(第2の連結部材)
70 電源部
72 第1面
74 第2面
76 放射線吸収板
80 グリッド
84 エネルギー変換用フィルタ(フィルタ部材)
116 ヒンジ部(第1の連結部材)
118 ヒンジ部(第2の連結部材)
120、126 本体
122、128 支持壁
124、130 支軸
132 長孔
10, 110 Electronic cassette 14A, 114A Panel unit (third panel unit)
14B, 114B Panel unit (first panel unit)
14C, 114C Panel unit (second panel unit)
18 Control unit 20 (20A, 20B, 20C), 100 Radiation detection panel 50 Control unit 64 Hinge (first connecting member)
66 Hinge (second connecting member)
70 Power Supply Unit 72 First Surface 74 Second Surface 76 Radiation Absorbing Plate 80 Grid 84 Energy Conversion Filter (Filter Member)
116 Hinge part (first connecting member)
118 Hinge part (second connecting member)
120, 126 Main body 122, 128 Support wall 124, 130 Spindle 132 Long hole

Claims (11)

放射線検出パネル及び複数の放射線検出パネルを制御する制御部を有する第1のパネルユニットと、
それぞれが前記制御部に制御される放射線検出パネルを有し、それぞれの一辺が前記第1のパネルユニットの異なる辺に、該辺を軸に回動可能に連結された第2のパネルユニット及び第3のパネルユニットと、
を含む放射線撮像装置。
A first panel unit having a radiation detection panel and a controller for controlling the plurality of radiation detection panels;
A second panel unit and a second panel unit each having a radiation detection panel controlled by the control unit, each side of which is connected to a different side of the first panel unit so as to be rotatable about the side. 3 panel units,
A radiation imaging apparatus including:
一方の面に放射線検出パネルの一方の面が向けられて該放射線検出パネルが収容された第1のパネルユニット、第2のパネルユニット及び第3のパネルユニットと、
前記第1のパネルユニットの一端部と前記第2のパネルユニットの一端部を、前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第2のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の2つの状態となるように回動可能に連結する第1の連結部材と、
前記第1のパネルユニットの前記一端部と異なる端部と前記第3のパネルユニットの一端部を、前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第3のパネルユニットの一方の面とが対向する閉状態、及び前記第1のパネルユニットの一方の面と前記第3のパネルユニットの一方の面とが同一方向へ向けられた開状態の2つの状態となるように回動可能に連結すると共に、前記第1のパネルユニット及び前記第2のパネルユニットの前記閉状態でかつ、第1のパネルユニット及び前記第3のパネルユニットの前記閉状態では、前記第2のパネルユニットの他方の面に前記第3のパネルの一方の面が対向されるように連結する第2の連結部材と、
前記第1のパネルユニット及び前記第2のパネルユニットの前記閉状態で、かつ、前記第1のパネルユニット及び前記第3のパネルユニットの前記閉状態であるときに、前記第2のパネルユニットと前記第3のパネルユニットとの間に配置されて、入射される放射線から所定のエネルギー成分を吸収するフィルタ部材と、
を含む請求項1に記載の放射線撮像装置。
A first panel unit, a second panel unit, and a third panel unit in which one side of the radiation detection panel is directed to one side and the radiation detection panel is accommodated;
A closed state in which one end of the first panel unit and one end of the second panel unit are opposed to one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit; and A first coupling member that pivotably couples so that one surface of the first panel unit and one surface of the second panel unit are in two open states directed in the same direction. When,
The one end of the first panel unit and the one end of the third panel unit are opposed to the end different from the one end of the first panel unit and the one end of the third panel unit. In a closed state and in an open state in which one surface of the first panel unit and one surface of the third panel unit are directed in the same direction so as to be rotatable. And the other surface of the second panel unit in the closed state of the first panel unit and the second panel unit and in the closed state of the first panel unit and the third panel unit. A second connecting member that is connected so that one surface of the third panel is opposed to the third panel;
The second panel unit when the first panel unit and the second panel unit are in the closed state and the first panel unit and the third panel unit are in the closed state; A filter member disposed between the third panel unit and absorbing a predetermined energy component from incident radiation;
The radiation imaging apparatus according to claim 1, comprising:
制御部及びが電源部により構成される制御ユニットを含み、
前記第1のパネルユニット内で、第1のパネルユニットに収容された前記放射線検出パネルの他方の面側となる位置に前記制御ユニットが収容された、
請求項2に記載の放射線撮像装置。
Including a control unit including a control unit and a power supply unit;
In the first panel unit, the control unit is accommodated at a position on the other surface side of the radiation detection panel accommodated in the first panel unit.
The radiation imaging apparatus according to claim 2.
前記第1のパネルユニット内の前記放射線検出パネルと前記制御ユニットとの間に、撮像時におけるバック散乱を防止する平板状の放射線吸収部材を含む、
請求項3に記載の放射線撮像装置。
Between the radiation detection panel in the first panel unit and the control unit, a flat radiation absorbing member that prevents back scattering during imaging is included.
The radiation imaging apparatus according to claim 3.
制御部及びが電源部により構成される制御ユニットを有し、該制御ユニットが、前記第1及び第2の連結部材内に収容される、
請求項2に記載の放射線撮像装置。
A control unit and a control unit including a power supply unit, and the control unit is accommodated in the first and second connecting members;
The radiation imaging apparatus according to claim 2.
前記第1の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の一方を収容する本体と、該本体に前記第1及び第2のパネルユニットを回動可能に連結する連結部とを含み、
前記第2の連結部材が、箱体形状に形成されて前記制御ユニットの前記制御部又は前記電源部の他方を収容する本体と、を含む、
請求項5に記載の放射線撮像装置。
The first connecting member is formed in a box shape and accommodates one of the control unit and the power supply unit of the control unit, and the first and second panel units can be rotated on the main body. And a connecting part connected to
The second connecting member includes a main body that is formed in a box shape and accommodates the other of the control unit or the power supply unit of the control unit.
The radiation imaging apparatus according to claim 5.
前記第1、第2及び第3のパネルユニットが、開状態で前記第1の連結部材の前記本体及び、前記第2の連結部材の前記本体に支持される、
請求項6に記載の放射線撮像装置。
The first, second and third panel units are supported by the main body of the first connecting member and the main body of the second connecting member in an open state,
The radiation imaging apparatus according to claim 6.
前記第3のパネルユニットの他方の面に、撮像時の撮像対象による散乱線を除去する平板状のグリッドが設けられた、
請求項2から請求項7のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
On the other surface of the third panel unit, a flat grid for removing scattered radiation due to an imaging target at the time of imaging is provided.
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 2 to 7.
前記放射線検出パネルは、放射線を光に変換するシンチレータで放射線を光に変換し、当該光により表わされる放射線画像を示す電気信号を出力するものとし、
前記シンチレータは、蛍光体材料の柱状結晶を含んで構成された
請求項1〜請求項8の何れか1項記載の放射線撮像装置。
The radiation detection panel is a scintillator that converts radiation into light, converts the radiation into light, and outputs an electrical signal indicating a radiation image represented by the light,
The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the scintillator includes a columnar crystal of a phosphor material.
前記蛍光体材料を、CsIとした
請求項9に記載の放射線撮像装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 9, wherein the phosphor material is CsI.
前記放射線検出パネルは、絶縁性の基板上に、前記シンチレータで変換された光を受光することにより電荷が発生するセンサ部、および当該センサ部で発生された電荷を読み出すための薄膜トランジスタが形成され、
前記センサ部は、有機光電変換材料を含んで構成され、
前記薄膜トランジスタの活性層は、非晶質酸化物又は有機半導体材料又はカーボンナノチューブを含んで構成され、
前記基板は、プラスチックにより形成された
請求項9又は請求項10に記載の放射線撮像装置。
In the radiation detection panel, a sensor part that generates charges by receiving light converted by the scintillator and a thin film transistor for reading out the charges generated by the sensor part are formed on an insulating substrate.
The sensor unit includes an organic photoelectric conversion material,
The active layer of the thin film transistor includes an amorphous oxide or an organic semiconductor material or a carbon nanotube,
The radiation imaging apparatus according to claim 9, wherein the substrate is made of plastic.
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