JP2011124567A - 有機太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】光電変換特性を向上した有機太陽電池を提供する。
【解決手段】有機太陽電池Aは、一対の電極と、この電極間に介在する光電変換層とを備える。前記光電変換層が、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物と、p型の有機物半導体とを含有する。電子受容体として、繰り返し酸化還元が可能で安定性が高くかつ極めて迅速な電子移動性をあわせ持つn型の有機化合物を用いることにより、光電変換効率を向上する。
【選択図】図1
【解決手段】有機太陽電池Aは、一対の電極と、この電極間に介在する光電変換層とを備える。前記光電変換層が、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物と、p型の有機物半導体とを含有する。電子受容体として、繰り返し酸化還元が可能で安定性が高くかつ極めて迅速な電子移動性をあわせ持つn型の有機化合物を用いることにより、光電変換効率を向上する。
【選択図】図1
Description
本発明は、一対の電極と、この電極間に介在する光電変換層とを備える有機太陽電池に関するものである。
近年、産業の発展に伴いエネルギー使用量が飛躍的に増大しており、その中で地球環境に負荷を与えず、且つ経済的で高性能な新しいクリーンなエネルギー源の開発が求められている。このような新しいエネルギー源として期待されているもののうち、太陽電池は無限にあるといってよい太陽光を利用することから注目されている。
このような太陽電池のうち、現在までに実用化されているものの大部分は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等を用いたシリコン系の無機太陽電池である。しかし、これらの無機シリコン系太陽電池は、その製造プロセスが複雑でコストが高いといった欠点を有しているため、一般家庭に広く普及するには至っていない。
そこで、このような無機太陽電池の欠点を解消するために、有機材料を用いた有機太陽電池の研究が盛んになってきている。この有機太陽電池は、簡単なプロセスで短時間に多量に製造することができ、且つ低コスト化・大面積化が可能であるという利点を有している。
しかし、有機太陽電池に用いられる有機材料は、シリコン等の無機材料とは異なり、光励起により生成した電子−正孔対の解離度やキャリア移動度が低い等の欠点も有している。
このような問題を克服するためのものとして、最近、電子供与体である導電性高分子と、電子受容体であるフラーレンとを混合した光電変換層を有する有機太陽電池が、特許文献1や非特許文献1,2等で提案されている。
この非特許文献1には、例えばITO電極上に正孔輸送剤であるPEDOTをスピンキャスト法にて成膜し、その上に同じくスピンキャスト法により、溶媒に分散させた導電性高分子であるMDMO−PPVとフラーレン誘導体であるPCBMを成膜し、更に、LiF、Alを真空蒸着により積層して太陽電池セルを作製している。このような有機太陽電池としては、AM1.5光照射で、短絡電流〜5mA/cm2、開放電圧780〜820mV、変換効率2.5%のものが得られている。また、非特許文献2では、光電変換層の電子受容体としてビスイミド誘導体も提案されている。
このような有機電子供与体として導電性高分子等を用いると共に電子受容体としてフラーレンを用いた光電変換層を有する有機太陽電池は有望である。しかし、これまでのところは、開放電圧はシリコン系太陽電池と比べれば未だかなり低いものであり、必ずしも簡便に大面積のデバイスを製造できず、未だ有用な有機太陽電池の開発には至っていない。
C. J. Brabec, S. E. Shaheen, T. Fromherz, F.Padinger, J. C.hummelen, A. Dhanabalan, R. A. J. Janssen, N. S. Sariciftci, "SyntheticMetals", 2001年, 第121巻, p. 1517-1520
C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 1986年, 第48巻, 183-185
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、光電変換特性を向上した有機太陽電池を提供することを目的とするものである。
本発明に係る有機太陽電池は、一対の電極と、この電極間に介在する光電変換層とを備え、前記光電変換層が、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物と、p型の有機物半導体とを含有する。
本発明において、前記n型の有機化合物が、ニトロニルニトロキシド、ジフェニルニトロキシド、ガルビノキシルラジカルからなる群から選択される、酸素中心ラジカル分子であることが好ましい。
本発明において、前記n型の有機化合物が、下記[化1]で示される窒素中心ラジカル分子であるフェルダジルラジカルであることが好ましい。
本発明において、前記光電変換層が、有機塩もしくはイオン液体と、n型の有機化合物とを含む層を備えることが好ましい。
本発明において、前記光電変換層が、n型の有機化合物とp型の有機半導体が混合或いは分散されている層を備えることが好ましい。
本発明において、前記光電変換層が、n型の有機化合物を含む層と、この層に積層されているp型の有機半導体を含む層とを備えることが好ましい。
本発明によれば、光電変換特性が高く、且つ設計の自由度が大きい有機太陽電池を得ることができる。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、電子受容体として、繰り返し酸化還元が可能で安定性が高くかつ極めて迅速な電子移動性をあわせ持つn型の有機化合物を用いることにより、光電変換効率を向上することができることを見出した。
すなわち、本実施形態に係る有機太陽電池Aは、一対の電極2,5と、この電極2,5間に介在する光電変換層4とを備え、前記光電変換層4が、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物と、p型の有機物半導体とを含有することを特徴とする。
このため、安定かつ迅速な酸化還元能を持つn型の有機化合物が、光電荷分離により生じた光励起電子を捕捉、輸送することで高い変換効率を実現できる。また、このn型の有機化合物はフラーレンに比べて電荷を捕捉・輸送する部位が小さく、高密度に電荷を導入でき、電荷輸送特性が向上する。また、このn型の有機化合物はラジカル(中性)状態での化学的安定性と、電荷授受にともなう荷電状態での化学的安定性とが共に高いことからキャリア寿命が著しく長く、低照度下での高い発電、光電変換能を実現することができる。また、n型の有機化合物は化学的修飾による分子設計により酸化還元電位や仕事関数などが容易に調製され、このため光電変換特性の制御が容易となる。また、n型の有機化合物はフラーレンに比べ可視光吸収性が低く、光吸収の妨げにならないため、光電変換層4の厚膜化や積層化が容易となる。また、n型の有機化合物は有機溶媒に対する高い溶解性と優れた成膜性とを有するため、大面積のデバイスを容易に製造することができる。
本実施形態においては、前記n型の有機化合物が、ニトロニルニトロキシド、ジフェニルニトロキシド、ガルビノキシルラジカルからなる群から選択される、酸素中心ラジカル分子であることが好ましい。
この場合、n型の有機化合物の室温大気下での安定性が優れたものとなり、n型の酸化還元対が電子受容体として機能する。
本実施形態においては、前記n型の有機化合物が、上記式[化1]で示される窒素中心ラジカル分子であるフェルダジルラジカルであることも好ましい。また、窒素中心ラジカル分子としてビオロゲン誘導体なども挙げられる。
この場合、窒素中心ラジカルであるフェルダジルでも、かさ高い置換基を導入することで光電変換時に安定に電荷を保持でき、高い開放電圧を得ることができる。
本実施形態において、光電変換層4が、有機塩もしくはイオン液体と、n型の有機化合物とを含む層を備えることが好ましい。
この場合、電極/有機層界面での電荷注入・電荷取り出し効率を高めることができる。
本実施形態において、光電変換層4が、n型の有機化合物とp型の有機半導体が混合或いは分散されている層を備えることも好ましい。この場合、光電変換層4における反応界面が大きくなると共に、キャリア輸送能が律速となる有機太陽電池Aにおいて光電荷分離したキャリア(正孔、電子)の移動距離が短くなり、光電変換効率が向上する。
また、本実施形態において、光電変換層4が、n型の有機化合物を含む層と、この層に積層されているp型の有機半導体を含む層とを備えることも好ましい。この場合、p型の有機物半導体を含む層や、n型の有機化合物からなる層を、厚み100nm以下と薄型化することにより電荷輸送特性を向上し、正孔、電子の再結合の機会を低減して光変換効率を向上することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
有機太陽電池Aは、一対の電極2,5と、この電極2,5間に介在する光電変換層4とを備える。図1は有機太陽電池Aの一例を示す。図示の例では基板(透明基板)1の表面上に透明導電膜等から電極2(正極2)を形成し、この正極2の表面上に電荷(ホール)輸送層3を介して光電変換層4を積層し、更にこの光電変換層4の上に透明導電材料等からなる電極5(負極5)を積層して、有機太陽電池Aが構成されている。尚、図示のものは有機太陽電池Aの基本的な構成を示すものであり、このような構成以外にも従来公知の適宜の構成を採用することができる。このとき、正極2と負極5のうち少なくとも一方の電極を透明電極にて形成し、この透明電極を介して光電変換層4に光が入射されるようにすることが好ましい。
上記の光電変換層4は、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物と、p型の有機物半導体とを含有する。n型の有機化合物が電子受容体として機能し、p型の有機物半導体が電子供与体として機能する。
この有機太陽電池Aでは、光電変換層4に、有機電子供与体であるp型の有機物半導体と共に、電子受容体として不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物が含有されていることから、光電変換層4に光が入射されると、p型の有機物半導体とn型の有機化合物との界面において電荷分離が生じる。このとき生じた正孔はp型の有機物半導体間で受け渡されて正極2まで達する。電子はn型の有機化合物に受け渡されてこのn型の有機化合物がアニオンとなり、更にこの電子がn型の有機化合物間でラジカル/アニオン間の自己電子交換反応(ホッピング)により受け渡されて負極5に達する。このときn型の有機化合物は、例えばフラーレンに比べて電荷を捕捉・輸送する部位が小さく、高密度に電荷を導入できるため、n型の有機化合物を使用することにより電荷輸送特性が向上する。また、n型の有機化合物はラジカル(中性)状態の化学的安定性と電荷授受にともなう荷電状態(アニオン状態)での化学的安定性とが共に高いことから、キャリア寿命が著しく長くなり、このため低照度下でも高い発電、光電変換能を発揮することができる。
有機電子供与体であるp型の有機物半導体としては、フタロシアニン系顔料、インジゴ、チオインジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、メロシアニン化合物、シアニン化合物、スクアリウム化合物や、また有機電子写真感光体に用いられる電荷移動剤、電気伝導性有機電荷移動錯体などを挙げることができ、更には導電性高分子を挙げることができる。
上記のフタロシアニン系顔料としては、中心金属がCu,Zn,Co,Ni,Pb,Pt,Fe,Mg等の2価のもの、無金属フタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニン、インジウムクロロフタロシアニン、ガリウムクロロフタロシアニン等のハロゲン原子が配位した3価金属のフタロシアニン、その他バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等の酸素が配位したフタロシアニン等があるが、特にこれに限定されるものではない。
上記の電荷移動剤としては、ヒドラジン化合物、ピラゾリン化合物、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物等があるが、特にこれらに限定されるものではない。
上記電気伝導性有機電荷移動錯体としては、テトラチオフルバレン、テトラフェニルテトラチオフルバレン等があるが特にこれに限定されるものではない。
上記導電性高分子としては、特に制限されるものではないが、特にポリ(3−アルキルチオフェン)等のポリチオフェン誘導体、(2−メトキシ−5−(3’,7’−ジメチルオクチルオキシ)−1,4−フェニレン−ビニレン)(MDMO−PPV)等のポリ(p−フェニレン)−ビニレン誘導体などのようにトルエン等の有機溶媒に可溶なものが挙げられる。有機電子供与体として特にこのような導電性高分子を用いると、n型の有機化合物との界面面積が増大し、電荷分離が生じやすくなる。また導電性高分子を用いる場合には、特にポリ(p−フェニレン)−ビニレン誘導体及びポリチオフェン誘導体から選択される少なくとも一種を用いることが好ましく、この場合はエネルギー準位により、電荷分離が生じやすくなる。
また、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物としては、下記[化2],[化3],[化4]に示すようなニトロニルニトロキシド、下記[化5]に示すようなジフェニルニトロキシド、下記[化6]に示すようなガルビノキシルラジカルなどのような、酸素中心ラジカル分子を使用することが好ましい。このような酸素中心ラジカルは室温大気下での安定性に優れ、n型の酸化還元対が電子受容体として機能する。
また、n型の有機化合物としては、上記[化1]に示すフェルダジルラジカルなどのような、窒素中心ラジカル分子を使用することも好ましい。この場合、窒素中心ラジカルであるフェルダジルなどでも、かさ高い置換基を導入することで光電変換時に安定に電荷を保持でき、高い開放電圧を得ることができる。
これらのラジカル分子は、低分子または[化4]に示すような側鎖ペンダント型で高分子に導入したことにより、酸化還元部位が相互作用することなく独立して電荷授受し、キャリア数を多くすることも可能である。
また、これらのラジカル分子はフラーレンに比べて電荷を捕捉・輸送する部位が小さく、高密度に電荷を導入することができる。
また、これらのラジカル分子は、置換基を付加・変更するなどの化学修飾を施すことで置換基による電気的効果を制御するなどの分子設計を容易におこなうことができ、このためこのラジカル分子の酸化還元電位や仕事関数などを容易に調整することができる。これにより、有機太陽電池Aの開放電圧を高めることができる。
更に、このようなラジカル分子はフラーレンに比べて光吸収性が低く、このため照射光を光電荷分離過程に有効に利用することができて、変換効率が高くなる。またこのため、光電変換層4の厚膜化が容易であり、また複数の光電変換層4を有する積層・タンデム型の有機太陽電池Aを得ることも容易となる。
このn型の有機化合物とp型の有機物半導体とは、光電変換層4中に好ましくは互いに混合・分散されるように含有される。特にこのn型の有機化合物とp型の有機物半導体とが光電変換層4中でミクロ相分離することによって、両者が光電変換層4中で大きい界面積で接触していることが好ましい。この場合、反応界面が大きくなると共に、キャリア輸送能が律速となる有機太陽電池Aにおいて光電荷分離したキャリア(正孔、電子)の移動距離が短くなり、光電変換効率が向上する。
このような光電変換層4を形成するにあたっては、例えば上記のp型の有機物半導体とn型の有機化合物とを所定の比率でピリジン−クロロフォルム溶液等の適宜の溶媒中に分散・混合した混合液をスピンコート法等により塗布した後、溶媒を揮散させることにより成膜することで形成することができるが、特にこのような手法に限られない。
また光電変換層4中におけるp型の有機物半導体とn型の有機化合物との含有比率は、p型の有機物半導体及びn型の有機化合物の種類等に応じ、所望の光電変換特性を発揮するように適宜設定すれば良いが、p型の有機物半導体の含有量に対するn型の有機化合物含有量の質量比率が75〜80%となることが好ましい。
また、光電変換層4は、p型の有機物半導体を含む層と、n型の有機化合物を含む層とが、二層以上積層した構造を有してもよい。
具体的には、例えばp型の有機物半導体からなる層と、n型の有機化合物からなる層とを積層することで、光電変換層4を形成することができる。またp型の有機物半導体からなる層と、p型の有機物半導体とn型の有機化合物とを含有する混合層とを積層させて、光電変換層4を形成することもできる。またp型の有機物半導体とn型の有機化合物とを含有する混合層と、n型の有機化合物からなる層とを積層させて、光電変換層4を形成することもできる。またp型の有機物半導体からなる層と、p型の有機物半導体とn型の有機化合物とを含有する混合層と、n型の有機化合物からなる層とを順次積層させて、光電変換層4を形成することもできる。この場合、p型の有機物半導体からなる層や、n型の有機化合物からなる層を、厚み100nm以下と薄型化することにより電荷輸送特性を向上し、正孔、電子の再結合の機会を低減して光変換効率を向上することができる。
また、光電変換層4におけるn型の有機化合物を含有する層に、有機塩もしくはイオン液体を含有させて一部ドープすることも好ましい。この場合n型の有機化合物を含有する層の電荷輸送能を向上し、電極/有機層界面での電荷注入・電荷取り出し効率が向上し、有機太陽電池Aの短絡電流密度を向上することができる。
前記有機塩としては、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートなどテトラアルキルアンモニウムまたはテトラアルキルホスホニウム系、または一部アルキル基をフェニル基など芳香族置換した塩を挙げることができる。
また、前記イオン液体としては、公知のイオン性液体全般を用いることができるが、例えば1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラシアノボレートなどイミダゾリウム系、ピリジン系、脂環式アミン系、脂肪族アミン系、アゾニウムアミン系のイオン性液体や、欧州特許第718288号明細書、国際公開WO95/18456号パンフレット、電気化学第65巻11号923頁(1997年)、J. Electrochem. Soc.143巻, 10号, 3099頁(1996年)、Inorg.Chem. 35巻, 1168頁(1996年)に記載されたものを挙げることができる。
n型の有機化合物を含有する層における有機塩やイオン液体の添加量は適宜設定されるが、5〜50質量%の範囲であることが好ましい。
有機太陽電池Aを構成する他の部材についても説明する。
基板1は、光透過性を有するものであり、無色透明のもののほか、多少着色されているものであっても、またすりガラス状等の半透明のものでも良い。例えばソーダライムガラスや無アルカリガラス等の透明ガラス基板や、透明プラスチック基板などを用いることができる。尚、光を負極5側から入射する場合には、光透過性はなくても良い。
正極2は正極2と負極5との間で発生した正孔を効率よく収集するための電極であり、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、特に仕事関数が4eV以上のものを用いることが好ましい。このような電極材料としては、例えばITO(インジウム錫酸化物)、SnO2、AZO(アルミニウム亜鉛酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、GZO(ガリウム添加酸化亜鉛)等の導電性透明材料が挙げられる。正極2は、例えばこれらの電極材料を基板1の表面に真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の方法で薄膜に形成することによって作製することができる。
また負極5は、光電変換層4中に発生した電子を効率よく収集するための電極であり、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料で形成することが好ましく、特に仕事関数が5eV以下のものを用いることが望ましい。このような負極5の電極材料としては、Al、Ca等に代表される金属電極材料が挙げられる。負極5は、例えばこれらの電極材料を用い、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により薄膜に形成することができる。
またホール輸送層3を形成するホール輸送材料としては、正孔を輸送する能力を有し、更に電子のホール輸送層3への移動を防止し、且つ薄膜形成能力に優れた化合物を挙げることができる。具体的にはフタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルフォネート(PEDOT:PSS)等の導電性高分子などの高分子材料を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
(実施例1)
インジウムスズ酸化物(ITO)透明導電膜が形成されたガラス基板(旭ガラスファブリテック製、150nm,抵抗値10Ω)上に、ポリ[3,4−(エチレンジオキシ)チオフェン]−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)水分散液(CLEVIOS,Al4083)にイソプロピルアルコールを5質量%加えた溶液をスピンコートで500rpm,10秒、1000rpm,10秒、及び6000rpm,60秒の条件により順次塗布し、110℃で20分真空乾燥させ、厚み50nmのPEDOT−PSS層を形成した。
インジウムスズ酸化物(ITO)透明導電膜が形成されたガラス基板(旭ガラスファブリテック製、150nm,抵抗値10Ω)上に、ポリ[3,4−(エチレンジオキシ)チオフェン]−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)水分散液(CLEVIOS,Al4083)にイソプロピルアルコールを5質量%加えた溶液をスピンコートで500rpm,10秒、1000rpm,10秒、及び6000rpm,60秒の条件により順次塗布し、110℃で20分真空乾燥させ、厚み50nmのPEDOT−PSS層を形成した。
p型の有機半導体であるポリ(3−ヘキシルチオフェン)(Rieke MaterialsTM,位置選択性>98.5%)と、n型の有機化合物である[化2]に示すニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンとを1:1の質量比で混合し、これをモノクロロベンゼン中に共に濃度1.5質量%となるように加えた溶液を調製した。この溶液を、前記PEDOT−PSS層上にスピンコートで1000rpm,10秒及び3000rpm,50秒の条件による順次塗布し、150℃で20分間真空乾燥させることで、厚み90nmの光電変換層4を形成した。
次に、前記光電変換層4の上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み150nmのアルミニウム電極を形成し、バルクへテロジャンクション型有機太陽電池Aを得た。
この実施例1の有機太陽電池Aについて、ソーラシミュレータでAM1.5G、100mW/cm2の擬似太陽光(Air Mass 1.5 Global 100mW/cm2)を照射し、この状態で有機太陽電池Aの電流−電圧特性を測定し、短絡光電流値(Jsc)および開放電圧値(Voc)の太陽電池パラメータを導出することで、太陽電池としての駆動を確認した。
その結果、太陽電池パラメータは、開放電圧値(Voc)=930mV、短絡電流密度(Jsc)=0.1mA/cm2であり、太陽電池として機能していることが確認できた。
(実施例2)
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化3]に示すニトロニルニトロキシド置換メトキシベンゼンを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化3]に示すニトロニルニトロキシド置換メトキシベンゼンを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は1.0Vであった。
(実施例3)
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化5]に示すジフェニルニトロキシドを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化5]に示すジフェニルニトロキシドを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は1.2Vであった。
(実施例4)
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化6]に示すガルビノキシルラジカルを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化6]に示すガルビノキシルラジカルを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は0.8Vであった。
(実施例5)
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化1]に示すトリフェニルフェルダジルを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
実施例1において、n型の有機化合物としてニトロニルニトロキシド置換トリフルオロメチルベンゼンに代えて、[化1]に示すトリフェニルフェルダジルを使用した。それ以外の条件は実施例1と同一にして、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は1.1Vであった。
(実施例6)
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
このPEDOT−PSS層の上に、p型の有機半導体であるポリ(3−ヘキシルチオフェン)を1.0質量%の割合で含有するモノクロロベンゼン溶液をスピンコートで1000rpm,10秒、及び3000rpm,50秒の条件により順次塗布し、150℃で20分間真空乾燥させて、厚み30nmのp型有機半導体層を形成した。
その上に、n型の有機化合物である[化4]で示されるニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンを濃度1.0質量%で含有するメチルエチルケトン溶液をスピンコートで1000rpm,60秒の条件により塗布し、100℃で20分間真空乾燥させて、厚み20nmのn型有機化合物層を形成した。
さらに、その上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み150nmのアルミニウム電極を形成し、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は0.7Vであった。
(実施例7)
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
p型の有機半導体であるポリ(3−ヘキシルチオフェン)と、n型の有機化合物である[化4]に示されるニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンとを1:1の質量比で混合し、これをモノクロロベンゼン中に共に濃度1.0質量%となるように加えた溶液を調製した。この溶液を、前記PEDOT−PSS層上にスピンコートで1000rpm,10秒、及び3000rpm,50秒の条件により順次塗布し、150℃で20分間真空乾燥させることで、厚み100nmの光電変換層4を形成した。
その上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み150nmのアルミニウム電極を形成し、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は1.0Vであった。
(実施例8)
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
p型の有機半導体であるポリ(3−ヘキシルチオフェン)と、n型の有機化合物である[化4]に示されるニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンとを1:1の質量比で混合し、これをモノクロロベンゼン中に共に濃度1.0質量%となるように加えた溶液を調製した。この溶液を、前記PEDOT−PSS層上にスピンコートで1000rpm,10秒、及び3000rpm,50秒の条件により順次塗布し、150℃で20分間真空乾燥させることで、厚み100nmの混合層を形成した。
n型の有機化合物である[化4]に示すニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンをメチルエチルケトンに濃度0.5質量%となるように加えた溶液を調製し、この溶液に更にイオン液体(1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロホスフェート)を濃度0.2質量%となるように添加した。この溶液をスピンコートで1000rpm,60秒の条件により前記混合層の上に塗布し、100℃で20分間真空乾燥させ50nmの膜厚で形成した。
その上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み150nmのアルミニウム電極を形成し、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は1.1V、短絡電流密度(Jsc)は0.2mA/cm2であった。
(実施例9)
実施例8と同一の方法でPEDOT−PSS層、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)とニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンの混合層(質量比1:1)を形成後、ニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンのメチルエチルケトン溶液(濃度0.5質量%)に更にテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを濃度0.2質量%となるように添加した溶液を実施例7と同一の方法で成膜した。その上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み150nmのアルミニウム電極を形成し、有機太陽電池Aを得た。
実施例8と同一の方法でPEDOT−PSS層、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)とニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンの混合層(質量比1:1)を形成後、ニトロニルニトロキシド置換ポリスチレンのメチルエチルケトン溶液(濃度0.5質量%)に更にテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェートを濃度0.2質量%となるように添加した溶液を実施例7と同一の方法で成膜した。その上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み150nmのアルミニウム電極を形成し、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は1.1V、短絡電流密度(Jsc)は0.15mA/cm2であった。
(実施例10)
インジウムスズ酸化物(ITO)透明導電膜が形成されたガラス基板(旭ガラスファブリテック製、150nm,抵抗値10Ω)のITO透明導電膜と、対極とを、トリス(4−シアノピリジニオ)メシチレン−ヘキサフルオロホスフェートを10mMの濃度で含有するイオン性液体(1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェート)中に浸漬した。この状態で、ITO透明導電膜と対極との間に定電圧を400秒間印加した。電圧印加時にはITO透明導電膜の電位が−750mV(vs.Ag/AlCl)となるようにした。これにより、ITO透明導電膜の上にn型の有機半導体であるPTPM(ポリ(トリピリジニオメシチレン)から構成され且つ前記イオン液体を含有する厚み40nmのn型有機半導体層を形成した。続いてこのn型有機半導体層と対極との間に定電圧を、n型有機半導体層の電位が−600mV(vs.Ag/AlCl)となるように印加することで、n型有機半導体層中のPTPMの一部を酸化させた。これにより、n型有機半導体層中に下記[化7]に示すビオロゲンカチオンラジカルを、n型有機半導体層中のラジカル濃度が20〜50%の範囲となるように生成させた。
インジウムスズ酸化物(ITO)透明導電膜が形成されたガラス基板(旭ガラスファブリテック製、150nm,抵抗値10Ω)のITO透明導電膜と、対極とを、トリス(4−シアノピリジニオ)メシチレン−ヘキサフルオロホスフェートを10mMの濃度で含有するイオン性液体(1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムヘキサフルオロフォスフェート)中に浸漬した。この状態で、ITO透明導電膜と対極との間に定電圧を400秒間印加した。電圧印加時にはITO透明導電膜の電位が−750mV(vs.Ag/AlCl)となるようにした。これにより、ITO透明導電膜の上にn型の有機半導体であるPTPM(ポリ(トリピリジニオメシチレン)から構成され且つ前記イオン液体を含有する厚み40nmのn型有機半導体層を形成した。続いてこのn型有機半導体層と対極との間に定電圧を、n型有機半導体層の電位が−600mV(vs.Ag/AlCl)となるように印加することで、n型有機半導体層中のPTPMの一部を酸化させた。これにより、n型有機半導体層中に下記[化7]に示すビオロゲンカチオンラジカルを、n型有機半導体層中のラジカル濃度が20〜50%の範囲となるように生成させた。
p型の有機半導体であるポリ(3−ヘキシルチオフェン)(Rieke MaterialsTM,位置選択性>98.5%)をモノクロロベンゼン中に共に濃度1.0質量%となるように加えた溶液を調製した。この溶液を、前記n型有機半導体層上にスピンコートで塗布し、続いて150℃で20分間真空乾燥させることで、厚み50nmのp型有機半導体層を形成した。
ポリ[3,4−(エチレンジオキシ)チオフェン]−ポリスチレンスルホン酸(PEDOT−PSS)水分散液(CLEVIOS PH500)と1−プロパノールを重量比1:3で混合した溶液をp型有機半導体層上に湿式法で塗布成膜することで、厚み80nmのPEDOT−PSS層を形成した。
PEDOT−PSS層の上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み80nmのアルミニウム電極を形成し、続いて150℃で15分間アニーリングした。これにより、有機太陽電池Aを得た。
この有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)は0.7V、短絡電流密度(Jsc)は[0.1]mA/cm2であった。
(比較例1)
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
実施例1と同一の方法でPEDOT−PSS層を形成した。
クロロベンゼンに対してp型半導体ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(Rieke MaterialsTM,位置選択性>98.5%)を1.0質量%、フラーレン誘導体(PCBM、Aldrich社製)を0.9質量%の濃度となるように配合して混合溶液を調製した。この混合溶液を前記PEDOT−PSS層の上にスピンコートで1000rpm,10秒の条件により塗布し、80℃で5分間プレアニーリングした後、150℃で5分間アニーリング真空乾燥させ、厚み100nmの光電変換層4を形成した。
その上にアルミニウムを真空蒸着することで厚み150nmのアルミニウム電極を形成し、バルクへテロジャンクション型有機太陽電池を得た。
この有機太陽電池の開放電圧値(Voc)は400〜500mVに留まった。
(評価)
上記実施例1〜10及び比較例1での有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)と、実施例1〜6及び比較例1におけるn型の有機化合物の最高占有分子軌道(HOMO),最低非占有分子軌道(LUMO)の各エネルギー準位、並びにn型の有機化合物のLUMOとp型の有機半導体であるポリ(3−ヘキシルチオフェン)のHOMOとの準位差をまとめて、下記表1にまとめて示す。
上記実施例1〜10及び比較例1での有機太陽電池Aの開放電圧値(Voc)と、実施例1〜6及び比較例1におけるn型の有機化合物の最高占有分子軌道(HOMO),最低非占有分子軌道(LUMO)の各エネルギー準位、並びにn型の有機化合物のLUMOとp型の有機半導体であるポリ(3−ヘキシルチオフェン)のHOMOとの準位差をまとめて、下記表1にまとめて示す。
このように実施例1〜10では、n型の有機化合物のLUMOとp型の有機半導体のHOMOとの準位差に対する開放電圧値の値が、比較例1よりも高くなっており、高い光電変換特性を有することが確認された。
また、図2は、実施例1の有機太陽電池Aにおける、負極5(ITO膜)、ホール輸送層3(PEDOT−PSS層)、光電変換層4(ポリ(3−ヘキシルチオフェン)及び[化2]に示すn型の有機化合物)、及び正極2(アルミニウム電極)のエネルギー準位図を示す。
A 有機太陽電池
2 電極(正極)
4 光電変換層
5 電極(負極)
2 電極(正極)
4 光電変換層
5 電極(負極)
Claims (6)
- 一対の電極と、この電極間に介在する光電変換層とを備え、前記光電変換層が、不対電子を有し酸化還元可能なn型の有機化合物と、p型の有機物半導体とを含有することを特徴とする有機太陽電池。
- 前記n型の有機化合物が、ニトロニルニトロキシド、ジフェニルニトロキシド、ガルビノキシルラジカルからなる群から選択される、酸素中心ラジカル分子であることを特徴とする請求項1に記載の有機太陽電池。
- 前記光電変換層が、有機塩もしくはイオン液体と、n型の有機化合物とを含む層を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機太陽電池。
- 前記光電変換層が、n型の有機化合物とp型の有機半導体が混合或いは分散されている層を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機太陽電池。
- 前記光電変換層が、n型の有機化合物を含む層と、この層に積層されているp型の有機半導体を含む層とを備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機太陽電池。
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-
2010
- 2010-11-16 JP JP2010255577A patent/JP2011124567A/ja not_active Withdrawn
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