JP2011124029A - Transparent conductive film and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film superior in transparency and high in conductivity, and its manufacturing method. <P>SOLUTION: The transparent conductive film comprises a CNT (carbon nanotube) 22 coated on a substrate 21 and a PEDOT/PSS 23 which exists on a part of the CNT 22, and contains at least PEDOT/PSS 23 of 10 parts weight against the CNT 22 of 100 parts weight. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、透明電極などに用いられる透明導電膜及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a transparent conductive film used for a transparent electrode and the like and a method for producing the same.

液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどの分野では、透明導電膜が用いられている。透明導電膜の材料としては、ITO(インジウム−スズ酸化物)などの導電性無機材料や、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)/ポリスチレンスルホン酸(PSS)などの導電性有機材料が用いられている。導電性有機材料を用いた透明導電膜としては、PEDOT/PSSを含有する導電性層に所定の割合でカーボンチューブを配合した透明導電性フィルムが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   Transparent conductive films are used in the fields of liquid crystal displays, electroluminescence displays, plasma displays, electrochromic displays, solar cells, touch panels and the like. As a material for the transparent conductive film, a conductive inorganic material such as ITO (indium-tin oxide) or a conductive organic material such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) / polystyrene sulfonic acid (PSS) is used. As a transparent conductive film using a conductive organic material, a transparent conductive film in which a carbon tube is blended at a predetermined ratio in a conductive layer containing PEDOT / PSS has been proposed (for example, see Patent Document 1).

かかる透明導電性フィルムは、ウェットプロセスで成膜される。このウェットプロセスでは、溶媒中にPEDOT/PSS及びカーボンナノチューブを分散した分散液に、塗膜性を改善するためのバインダーを添加した塗布液を用いて成膜する。特許文献1記載の透明導電性フィルムは、カーボンナノチューブを添加することにより、導電性及び機械的強度を改善している。   Such a transparent conductive film is formed by a wet process. In this wet process, a film is formed using a coating liquid in which a binder for improving the coating properties is added to a dispersion liquid in which PEDOT / PSS and carbon nanotubes are dispersed in a solvent. The transparent conductive film described in Patent Document 1 has improved conductivity and mechanical strength by adding carbon nanotubes.

特開2008−50391号公報JP 2008-50391 A

ところで、透明導電膜をタッチパネルなどに用いる場合には、目視によるパターンの視認を防止するため、透明性が高く着色が少ない透明導電膜を用いることが望ましい。ところが、PEDOT/PSSは、1.5eV付近にバンドギャップが存在し、可視光の赤色領域を吸収する。このため、PEDOT/PSSを用いた透明導電膜は、膜厚を厚くした場合、青色に着色する問題がある。これに対して、透明導電膜の膜厚を薄くして着色しないようにすると、透明導電膜の導電性が低下する問題がある。   By the way, when using a transparent conductive film for a touch panel etc., in order to prevent visual recognition of the pattern, it is desirable to use a transparent conductive film with high transparency and little coloring. However, PEDOT / PSS has a band gap in the vicinity of 1.5 eV and absorbs the red region of visible light. For this reason, the transparent conductive film using PEDOT / PSS has a problem of coloring blue when the film thickness is increased. On the other hand, if the transparent conductive film is thinned so as not to be colored, there is a problem that the conductivity of the transparent conductive film is lowered.

また、特許文献1記載の透明導電フィルムは、塗膜性の改善のためバインダーを添加した塗布液を用いて成膜される。しかしながら、透明導電膜にバインダーを添加した場合、バインダーによってPEDOT/PSS及びカーボンナノチューブの導通が阻害され、透明導電膜の導電性が低下する問題があった。このように、従来の透明導電膜においては、透明性と導電性を共に向上することは困難であった。   Moreover, the transparent conductive film described in Patent Document 1 is formed using a coating solution to which a binder is added for improving the coating properties. However, when a binder is added to the transparent conductive film, conduction between PEDOT / PSS and carbon nanotubes is hindered by the binder, and there is a problem that the conductivity of the transparent conductive film is lowered. Thus, it has been difficult to improve both transparency and conductivity in the conventional transparent conductive film.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、透明性に優れ、導電性が高い透明導電膜を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the transparent conductive film excellent in transparency and having high electroconductivity.

本発明の透明導電膜は、基材上に塗膜されたカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上の一部に存在する導電性組成物と、を含み、前記カーボンナノチューブ100重量部に対し、少なくとも前記導電性組成物10重量部を含有することを特徴とする。   The transparent conductive film of the present invention comprises a carbon nanotube coated on a substrate, and a conductive composition existing in a part on the carbon nanotube, and at least the above-mentioned 100 parts by weight of the carbon nanotube It contains 10 parts by weight of a conductive composition.

この構成によれば、導電性組成物がカーボンナノチューブ上の一部に存在することにより、カーボンナノチューブの分子鎖間の接点抵抗を低減できるので、導電性に優れる透明導電膜を実現できる。また、導電性組成物の塗布量を削減しても高い導電性が得られるので、導電性組成物に由来する透明導電膜の着色を低減でき、透明性に優れる透明導電膜を実現することができる。   According to this configuration, since the conductive composition is present in part on the carbon nanotube, the contact resistance between the molecular chains of the carbon nanotube can be reduced, so that a transparent conductive film having excellent conductivity can be realized. Moreover, since high electroconductivity is obtained even if it reduces the application quantity of an electroconductive composition, coloring of the transparent conductive film originating in an electroconductive composition can be reduced, and the transparent conductive film excellent in transparency is implement | achieved. it can.

本発明の透明導電膜においては、前記導電性組成物は、前記カーボンナノチューブ上の少なくとも2つの領域に離間して存在することを特徴とする。   In the transparent conductive film of the present invention, the conductive composition exists in at least two regions on the carbon nanotube so as to be separated from each other.

この構成によれば、導電性組成物がカーボンナノチューブ上の少なくとも2つの領域に離間して存在することにより、それぞれの領域のカーボンナノチューブの分子鎖間の接点抵抗を低減できるので、導電性に優れる透明導電膜を実現できる。また、導電性組成物の塗布量を削減しても高い導電性が得られるので、導電性組成物に由来する透明導電膜の着色を低減でき、透明性に優れる透明導電膜を実現することができる。   According to this configuration, since the conductive composition exists in at least two regions on the carbon nanotube so as to be separated, the contact resistance between the molecular chains of the carbon nanotubes in each region can be reduced, so that the conductivity is excellent. A transparent conductive film can be realized. Moreover, since high electroconductivity is obtained even if it reduces the application quantity of an electroconductive composition, coloring of the transparent conductive film originating in an electroconductive composition can be reduced, and the transparent conductive film excellent in transparency is implement | achieved. it can.

本発明の透明導電膜は、基材と、前記基材上に塗膜されたカーボンナノチューブと、前記基材上に存在する導電性組成物と、を含有し、前記基材上には、前記カーボンナノチューブ上に前記導電性組成物が存在する導電領域により導電パターンが形成され、前記導電領域内において、前記カーボンナノチューブ100重量部に対し、少なくとも前記導電性組成物10重量部を含有することを特徴とする。   The transparent conductive film of the present invention contains a base material, carbon nanotubes coated on the base material, and a conductive composition present on the base material. A conductive pattern is formed by a conductive region where the conductive composition is present on the carbon nanotube, and the conductive region contains at least 10 parts by weight of the conductive composition with respect to 100 parts by weight of the carbon nanotube. Features.

この構成によれば、基材上に導電性組成物の塗布量を削減しても導電性が高い導電領域が形成されるので、導電性組成物に由来する着色を低減でき、導電性が高く透明性に優れる透明導電膜を実現できる。また、基材上の任意の領域にカーボンナノチューブを塗膜することにより、基材上に導電性の異なる領域を任意に形成することができる。さらに、導電領域及び非導電領域に共に導電性組成物を塗布することにより、基材上の導電領域と非導電領域との着色の差を低減でき、さらに透明に優れる透明導電膜を実現できる。   According to this configuration, a conductive region having high conductivity is formed even if the amount of the conductive composition applied is reduced on the substrate, so that coloring derived from the conductive composition can be reduced, and the conductivity is high. A transparent conductive film having excellent transparency can be realized. Moreover, the area | region where electroconductivity differs can be arbitrarily formed on a base material by coating a carbon nanotube in the arbitrary area | regions on a base material. Furthermore, by applying the conductive composition to both the conductive region and the non-conductive region, the difference in coloring between the conductive region and the non-conductive region on the base material can be reduced, and a transparent conductive film excellent in transparency can be realized.

本発明の透明導電膜においては、前記導電領域は、シート抵抗値が100Ω/□から10KΩ/□の範囲であることが好ましい。   In the transparent conductive film of the present invention, the conductive region preferably has a sheet resistance value in a range of 100Ω / □ to 10 KΩ / □.

本発明の透明導電膜においては、前記導電性組成物による前記カーボンナノチューブの被覆率が、5%から50%の範囲であることが好ましい。   In the transparent conductive film of the present invention, the coverage of the carbon nanotubes by the conductive composition is preferably in the range of 5% to 50%.

この構成によれば、導電性組成物によるカーボンナノチューブの被覆率を所定の範囲にすることにより、カーボンナノチューブの分子鎖間の接点抵抗を低減できるので、導電性に優れる透明導電膜を実現できる。また、導電性組成物の塗布量を削減しても高い導電性が得られるので、導電性組成物に由来する透明導電膜の着色を低減でき、透明性に優れる透明導電膜を実現することができる。   According to this configuration, the contact resistance between the molecular chains of the carbon nanotubes can be reduced by setting the coverage of the carbon nanotubes with the conductive composition within a predetermined range, so that a transparent conductive film having excellent conductivity can be realized. Moreover, since high electroconductivity is obtained even if it reduces the application quantity of an electroconductive composition, coloring of the transparent conductive film originating in an electroconductive composition can be reduced, and the transparent conductive film excellent in transparency is implement | achieved. it can.

本発明の透明導電膜においては、前記カーボンナノチューブの膜厚が10nmから500nmの範囲であることが好ましい。この構成により、透明導電膜の透明性をさらに向上させることができる。   In the transparent conductive film of the present invention, the film thickness of the carbon nanotube is preferably in the range of 10 nm to 500 nm. With this configuration, the transparency of the transparent conductive film can be further improved.

本発明の透明導電膜においては、前記導電性組成物は、PEDOT/PSSを含有することが好ましい。この構成により、導電性が高いPEDOT/PSSによって透明導電膜の導電性をさらに向上させることができる。   In the transparent conductive film of the present invention, the conductive composition preferably contains PEDOT / PSS. With this configuration, the conductivity of the transparent conductive film can be further improved by PEDOT / PSS having high conductivity.

本発明の透明導電膜においては、前記PEDOT/PSSの膜厚が40nmから600nmの範囲であることが好ましい。この構成により、カーボンナノチューブの塗膜に対して、十分な膜厚を確保できるので、さらに透明導電膜の導電性を向上できる。   In the transparent conductive film of the present invention, the PEDOT / PSS film thickness is preferably in the range of 40 nm to 600 nm. With this configuration, a sufficient film thickness can be secured with respect to the carbon nanotube coating film, so that the conductivity of the transparent conductive film can be further improved.

本発明の透明導電膜においては、前記カーボンナノチューブは、パターニングされてなることが好ましい。この構成によれば、予めカーボンナノチューブのみパターニングしておけば導電性組成物を全体に形成してもカーボンナノチューブがある部分のみ導電性が向上し、他の部分は導電性を有しないため、導電性の向上した透明電極パターン容易に形成できる。   In the transparent conductive film of the present invention, the carbon nanotube is preferably patterned. According to this configuration, if only the carbon nanotubes are patterned in advance, even if the conductive composition is formed as a whole, the conductivity is improved only in the portions where the carbon nanotubes are present, and the other portions are not conductive. The transparent electrode pattern with improved properties can be easily formed.

本発明の透明導電膜は、基材上に塗膜されたカーボンナノチューブと、下記式(1)で示される化合物と、を含有することを特徴とする。この構成によれば、カーボンナノチューブの分子鎖の導電性を向上できるので、特に導電性が高い透明導電膜を実現できる。
The transparent conductive film of the present invention contains carbon nanotubes coated on a substrate and a compound represented by the following formula (1). According to this configuration, since the conductivity of the molecular chain of the carbon nanotube can be improved, a transparent conductive film having particularly high conductivity can be realized.

本発明の透明導電膜においては、前記カーボンナノチューブ100重量部に対し、下記式(1)で示される化合物を少なくとも10重量部を含有することが好ましい。この構成によれば、さらに透明導電膜の導電性をさらに向上できる。
The transparent conductive film of the present invention preferably contains at least 10 parts by weight of a compound represented by the following formula (1) with respect to 100 parts by weight of the carbon nanotubes. According to this configuration, the conductivity of the transparent conductive film can be further improved.

本発明の透明導電膜の製造方法は、基材上にカーボンナノチューブを塗膜する工程と、前記カーボンナノチューブ上にPEDOT/PSS分散液を塗布する工程と、を含むことを特徴とする。   The manufacturing method of the transparent conductive film of this invention is characterized by including the process of coating a carbon nanotube on a base material, and the process of apply | coating a PEDOT / PSS dispersion liquid on the said carbon nanotube.

この方法によれば、カーボンナノチューブの塗膜上にPEDOT/PSSを分散液の状態で塗布することができるので、透明導電膜を容易に製造することができる。   According to this method, since PEDOT / PSS can be applied in a dispersion state on the carbon nanotube coating film, a transparent conductive film can be easily produced.

本発明の透明導電膜の製造方法は、基材上にカーボンナノチューブを塗膜する工程と、前記カーボンナノチューブ上にエチレンジオキシチオフェン及びスルホン酸を含有する組成物を塗布する工程と、前記カーボンナノチューブ上で、前記組成物を重合する工程と、を含有することを特徴とする。   The method for producing a transparent conductive film of the present invention includes a step of coating a carbon nanotube on a substrate, a step of applying a composition containing ethylenedioxythiophene and sulfonic acid on the carbon nanotube, and the carbon nanotube. And a step of polymerizing the composition.

この方法によれば、カーボンナノチューブ間に組成物が浸透してから、組成物を重合するので、カーボンナノチューブ間にも導電性組成物が形成され、導電性が高い透明導電膜を製造することができる。また、低分子化合物のまま基材上に組成物を塗布するので、塗布液の取り扱いが容易になり、透明導電膜を容易に製造することができる。   According to this method, since the composition is polymerized after the composition has permeated between the carbon nanotubes, a conductive composition is formed also between the carbon nanotubes, and a highly conductive transparent conductive film can be produced. it can. Moreover, since a composition is apply | coated on a base material with a low molecular compound, handling of a coating liquid becomes easy and a transparent conductive film can be manufactured easily.

本発明の透明導電膜の製造方法においては、前記基材上にカーボンナノチューブを塗膜する工程において、前記カーボンナノチューブを塗膜してから、下記式(1)で示される化合物を前記カーボンナノチューブ上に塗布することが好ましい。
In the method for producing a transparent conductive film of the present invention, in the step of coating the carbon nanotube on the substrate, the carbon nanotube is coated, and then the compound represented by the following formula (1) is added to the carbon nanotube. It is preferable to apply to.

この方法によれば、基材上に塗膜したカーボンナノチューブ内に上記式(1)で示される化合物が内包されるので、特に導電性が高い透明導電膜を製造することができる。   According to this method, since the compound represented by the above formula (1) is encapsulated in the carbon nanotubes coated on the substrate, a transparent conductive film having particularly high conductivity can be produced.

本発明のタッチパネルは、上記透明導電膜を用いたことを特徴とする。   The touch panel of the present invention is characterized by using the transparent conductive film.

この構成によれば、有機材料で構成された透明導電膜を用いるので、入力操作に伴い透明導電膜が撓み変形した場合においても破損することのない、実用性の高いタッチパネルを実現することができる。また、透明導電膜の変形による破損を防止できるので、透明導電膜の膜厚を薄く形成でき、タッチパネルを安価に製造することができる。   According to this configuration, since a transparent conductive film made of an organic material is used, it is possible to realize a highly practical touch panel that is not damaged even when the transparent conductive film is bent and deformed in accordance with an input operation. . Moreover, since the damage by deformation | transformation of a transparent conductive film can be prevented, the film thickness of a transparent conductive film can be formed thinly and a touch panel can be manufactured cheaply.

本発明によれば、透明性に優れ、導電性が高い透明導電膜を提供することができる。   According to the present invention, a transparent conductive film having excellent transparency and high conductivity can be provided.

(a)は、基材上に塗布されたCNTの分子鎖の分散状態を模式的に示した図であり、(b)は、基材上に塗布されたCNT分子鎖の模式的な拡大図である。(A) is the figure which showed typically the dispersion state of the molecular chain of CNT apply | coated on the base material, (b) is the typical enlarged view of the CNT molecular chain apply | coated on the base material. It is. (a)は、本発明の実施の形態に係る透明導電膜の模式図であり、(b)は、本発明の実施の形態に係る透明導電膜の拡大図である。(A) is a schematic diagram of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention, (b) is an enlarged view of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜のPEDOT/PSSの構造式を示す図である。It is a figure which shows the structural formula of PEDOT / PSS of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の実施の形態に係る透明導電膜の製造工程を示す図である。(A)-(c) is a figure which shows the manufacturing process of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜の塗膜例を示す図である。It is a figure which shows the example of a coating film of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜のシート抵抗値を示す図である。It is a figure which shows the sheet resistance value of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. (a)は、本発明の実施の形態に係るPEDOT/PSSの分子鎖を示す模式図であり、(b)は、基材上でのCNTの分子鎖を示す模式図である。(A) is a schematic diagram which shows the molecular chain of PEDOT / PSS which concerns on embodiment of this invention, (b) is a schematic diagram which shows the molecular chain of CNT on a base material. EDOTの重合反応を示す図である。It is a figure which shows the polymerization reaction of EDOT. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜のカップリング剤による架橋結合を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the bridge | crosslinking by the coupling agent of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. (a)、(b)は、本発明の実施の形態に係る透明導電膜のカップリング剤の塗膜例を示す図である。(A), (b) is a figure which shows the example of a coating film of the coupling agent of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜中でのCNTにドーパントを添加した例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example which added the dopant to CNT in the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜のドーパント添加後のシート抵抗値変化の傾向を示す図である。It is a figure which shows the tendency of the sheet resistance value after dopant addition of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜のシート抵抗値の変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the sheet resistance value of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜の耐熱試験におけるシート抵抗値の変化を示す図である。It is a figure which shows the change of the sheet resistance value in the heat test of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜の吸光スペクトルを示す図である。It is a figure which shows the absorption spectrum of the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る透明導電膜を用いたタッチパネルの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the touch panel using the transparent conductive film which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係る透明導電膜の拡大写真である。It is an enlarged photograph of the transparent conductive film which concerns on the Example of this invention.

タッチパネルなど、透明導電膜が用いられる分野では、透明導電膜の性能の向上のため、カーボンナノチューブ(Carbon Nano Tube:CNT)を添加した透明導電膜が検討されている。CNTは、銅の1000倍以上の電気伝導特性を有すると共に、引っ張り強度が数十GPaと極めて高いことに加え、その分子鎖の直径がナノメートルスケールと極めて細い。このため、CNTは、透明性に優れ、導電性が高い透明導電膜を実現できる材料として期待されている。   In the field where a transparent conductive film is used, such as a touch panel, in order to improve the performance of the transparent conductive film, a transparent conductive film to which carbon nanotubes (CNTs) are added has been studied. CNT has electrical conductivity characteristics 1000 times or more that of copper, has a very high tensile strength of several tens of GPa, and has a molecular chain diameter as thin as a nanometer scale. For this reason, CNT is expected as a material that can realize a transparent conductive film having excellent transparency and high conductivity.

本発明者らは、CNTを用いる透明導電膜について鋭意研究した。まず、本発明者らは、CNTの物性について詳細に調べた。CNTは、炭素原子による複数の6員環が平面状に展開したグラフェンシートを主な構成単位とし、このグラフェンシートが筒状に巻いて形成される円筒形状の分子鎖を有する。CNTの導電性は、グラフェンシートの炭素原子のSP2結合に由来し、その円筒形状の分子鎖の筒軸方向に向けて高い導電性を有する。   The present inventors have intensively studied a transparent conductive film using CNTs. First, the present inventors examined the physical properties of CNT in detail. CNT has a main molecular unit of a graphene sheet in which a plurality of six-membered rings of carbon atoms are expanded in a planar shape, and has a cylindrical molecular chain formed by winding this graphene sheet in a cylindrical shape. The conductivity of CNT originates from the SP2 bond of the carbon atom of the graphene sheet, and has high conductivity toward the cylinder axis direction of the cylindrical molecular chain.

次に、本発明者らは、CNTを透明導電膜に用いた場合におけるCNTの物性について調べた。図1(a)、(b)を参照して透明導電膜中でのCNTの物性について説明する。図1(a)は、基材上に塗布されたCNTの分子鎖の分散状態を模式的に示した図である。CNT11は、溶媒への溶解性が低いため、CNT11を透明導電膜に用いる場合、分散液として基材上に塗膜される。基材上に塗膜されたCNT11の分子鎖は、通常、図1(a)に示すように、それぞれの分子鎖が複雑に分散した状態となっている。   Next, the present inventors investigated the physical properties of CNT when CNT was used for a transparent conductive film. The physical properties of CNT in the transparent conductive film will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a diagram schematically showing a dispersion state of molecular chains of CNTs coated on a substrate. Since CNT11 has low solubility in a solvent, when CNT11 is used for a transparent conductive film, it is coated on a substrate as a dispersion. As shown in FIG. 1A, the molecular chains of the CNTs 11 coated on the substrate are usually in a state where the molecular chains are dispersed in a complicated manner.

図1(b)は、基材上に塗布されたCNT分子差を模式的に示した図である。図1(b)に示すように、基材上に塗膜されたCNT11は円筒形の分子鎖を有している。基材上に塗膜されたCNT11分子鎖は、その分子鎖の一部が交差した状態で塗膜され、プレス機等により基材上に圧着される。ここで、基材上に圧着されたCNT11の分子鎖は、基材面に向けて圧迫されて変形する。   FIG. 1B is a diagram schematically showing the difference between CNT molecules applied on a substrate. As shown in FIG.1 (b), CNT11 coated on the base material has a cylindrical molecular chain. The CNT11 molecular chain coated on the substrate is coated in a state in which a part of the molecular chain intersects, and is pressed onto the substrate by a press machine or the like. Here, the molecular chain of the CNT 11 pressure-bonded on the base material is pressed and deformed toward the base material surface.

そこで、本発明者らは、上述したCNT11を透明導電膜に用いた場合におけるCNT11の特性に着眼し、CNT11の導電性を向上できる透明導電膜について鋭意研究した。その結果、基材上に塗膜されたCNT11上を所定量で被覆するように導電性組成物を塗布することにより、導電性組成物の塗布量を削減でき、透明性に優れ、導電性が高い透明導電膜が得られることを見出した。すなわち、所定量、例えば、塗膜されたCNT11が透明導電膜としての導電性を示すために十分な量だけ導電性組成物を存在させることで、CNT11同士が導電性組成物を介して連結して導電性を高めることができる。このため、CNT11の分子鎖が圧迫された状態でも透明導電膜としての導電性を示すことができる。このように、導電性組成物の量を透明導電膜としての導電性を示すために十分な量だけに制限することにより、透明導電膜の着色を防止することができる。   Therefore, the present inventors have made extensive studies on a transparent conductive film that can improve the conductivity of the CNT 11 by paying attention to the characteristics of the CNT 11 when the above-described CNT 11 is used for the transparent conductive film. As a result, the coating amount of the conductive composition can be reduced by applying the conductive composition so as to cover the CNT 11 coated on the base material with a predetermined amount, and it has excellent transparency and conductivity. It has been found that a high transparent conductive film can be obtained. That is, the CNTs 11 are connected to each other through the conductive composition by allowing the conductive composition to exist in a predetermined amount, for example, a sufficient amount for the coated CNT 11 to exhibit conductivity as a transparent conductive film. The conductivity can be increased. For this reason, the conductivity as a transparent conductive film can be exhibited even in a state where the molecular chain of the CNT 11 is pressed. Thus, coloring of a transparent conductive film can be prevented by restrict | limiting the quantity of a conductive composition to only sufficient quantity in order to show the electroconductivity as a transparent conductive film.

さらに、本発明者らは、透明導電膜の製造工程において、モノマー状態での導電性組成物をCNT11上に塗布してから、導電性組成物を重合することにより、透明導電膜の導電性をより向上できること、CNT11にドーパントとして特定構造を有する化合物を添加することにより、透明導電膜の導電性をさらに向上できること、を見出し、本発明を完成させるに至った。   Furthermore, in the manufacturing process of the transparent conductive film, the present inventors apply the conductive composition in the monomer state on the CNT 11 and then polymerize the conductive composition, thereby improving the conductivity of the transparent conductive film. It has been found that it can be further improved, and that the conductivity of the transparent conductive film can be further improved by adding a compound having a specific structure as a dopant to the CNTs 11, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、基材上にCNT11を塗膜し、このCNT11上に、透明導電膜としての導電性を示すために十分な量だけ導電性組成物を存在させることにより、透明導電膜の透明性の向上と導電性の向上とを共に実現するものである。   That is, the present invention provides a coating of CNT11 on a substrate, and a conductive composition is present on the CNT11 in a sufficient amount to exhibit conductivity as a transparent conductive film. Both improvement of transparency and improvement of conductivity are realized.

以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図2(a)は、本実施の形態に係る透明導電膜の模式図である。図2(a)に示すように、本実施の形態に係る透明導電膜は、基材21に塗膜されたCNT22と、このCNT22の一部を被覆するように基材21上に存在するPEDOT/PSS23とを含有する。CNT22は、それぞれの分子鎖が分散された状態で基材21面上に塗膜されている。PEDOT/PSS23は、透明導電膜としての導電性を示すために十分な量だけ基材21上に存在している。すなわち、基材21上に複数の塗膜領域が離間するように形成されている。このように、本実施の形態においては、PEDOT/PSS23は、CNT22の一部に少なくとも1つの領域に塗膜されることにより、導電性が高い透明導電膜が得られる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 2A is a schematic diagram of the transparent conductive film according to the present embodiment. As shown in FIG. 2A, the transparent conductive film according to the present embodiment includes CNTs 22 coated on the base material 21 and PEDOT present on the base material 21 so as to cover a part of the CNTs 22. / PSS23. The CNT 22 is coated on the surface of the base material 21 in a state in which each molecular chain is dispersed. The PEDOT / PSS 23 is present on the base material 21 in an amount sufficient to show conductivity as a transparent conductive film. That is, a plurality of coating film regions are formed on the substrate 21 so as to be separated from each other. Thus, in this Embodiment, PEDOT / PSS23 is obtained by coating a part of CNT22 in at least 1 area | region, and a transparent conductive film with high electroconductivity is obtained.

図2(b)は、本実施の形態に係る透明導電膜の拡大図である。図2(b)に示すように、CNT22上に被覆するように塗布されたPEDOT/PSS23は、交差するCNT22の分子鎖間に浸透し、CNT22の分子鎖間を導通して接点抵抗を低減する。また、図2(a)、(b)に示すように、PEDOT/PSS23は、その塗膜領域内において、複数のCNT22分子鎖を被覆するように基材21に塗膜される。これにより、複数のCNT22分子鎖間がPEDOT/PSS23を介して導通される。このように、本実施の形態においては、PEDOT/PSS23により、交差するCNT22の分子鎖間及びPEDOT/PSS23の塗膜領域内の複数のCNT22分子鎖間が導通されるので、透明導電膜の導電性が向上する。   FIG. 2B is an enlarged view of the transparent conductive film according to the present embodiment. As shown in FIG. 2 (b), the PEDOT / PSS 23 applied to cover the CNTs 22 penetrates between the molecular chains of the intersecting CNTs 22 and conducts between the molecular chains of the CNTs 22 to reduce the contact resistance. . Further, as shown in FIGS. 2A and 2B, PEDOT / PSS 23 is coated on the base material 21 so as to cover a plurality of CNT22 molecular chains in the coating film region. As a result, the plurality of CNT22 molecular chains are electrically connected via the PEDOT / PSS23. As described above, in this embodiment, the PEDOT / PSS 23 conducts conduction between the molecular chains of the intersecting CNT 22 and between the plurality of CNT 22 molecular chains in the coating region of the PEDOT / PSS 23. Improves.

なお、本実施の形態において透明電極パターンを形成する場合は、CNT22が基材21にパターニングされていることが好ましい。PEDOT/PSS23を塗布した状態でフォトレジストを形成して剥離することは容易ではないが、耐薬品性に優れるCNT22のみが形成されている状態でパターニングすることは比較的容易である。また、PEDOT/PSS23を後から全面に形成してもCNT22が除去された部分ではPEDOT/PSS23のみでは導通しない。   In addition, when forming a transparent electrode pattern in this Embodiment, it is preferable that CNT22 is patterned by the base material 21. FIG. It is not easy to form and peel a photoresist with PEDOT / PSS23 applied, but it is relatively easy to pattern with only CNT22 having excellent chemical resistance. Even if the PEDOT / PSS 23 is formed on the entire surface later, the PEDOT / PSS 23 alone does not conduct in the portion where the CNT 22 is removed.

また、本実施の形態においては、CNT22としては、一枚のグラフェンシートで構成される単層CNT(SWNT)、二枚のグラフェンシートで構成される二層CNT(DWNT)、又は複数のグラフェンシートが同芯状に巻かれた複数層によって構成される多層CNT(MWNT)のいずれのCNTも用いることができる。これらの中でも、得られる透明導電性塗膜の全光線透過率の観点から、単層CNTを用いることが好ましい。また、単層CNTは、炭素原子の配列が良好で構造欠点が少ないので、電気伝導率が向上するため好ましい。CNT22としては、その構造の一部を有機化合物によって修飾したもの、構造中に金属原子やクラスターを含むもの、あるいは、各種の有機化合物や無機化合物と複合(ハイブリッド)化したものを用いることもできる。   In the present embodiment, the CNT 22 includes a single-layer CNT (SWNT) composed of one graphene sheet, a double-wall CNT (DWNT) composed of two graphene sheets, or a plurality of graphene sheets Any CNT of multi-wall CNT (MWNT) composed of a plurality of layers wound concentrically can be used. Among these, it is preferable to use single-walled CNTs from the viewpoint of the total light transmittance of the obtained transparent conductive coating film. Single-walled CNTs are preferable because the electrical conductivity is improved because the arrangement of carbon atoms is good and there are few structural defects. As the CNT 22, a part of the structure modified with an organic compound, a structure containing a metal atom or a cluster in the structure, or a composite (hybrid) with various organic compounds or inorganic compounds can be used. .

また、本実施の形態においては、可視光の散乱を抑制する観点から、CNT22の直径は、0.5nm〜150nmであることが好ましい。より好ましくは、0.5nm〜20nmである。また、CNT22の分子鎖の長さは、CNT22分子鎖の接触点を確保し、導電性を向上する観点から、0.05μm〜5000μmであることが好ましい。より好ましくは、1μm〜5000μmである。   Moreover, in this Embodiment, it is preferable that the diameter of CNT22 is 0.5 nm-150 nm from a viewpoint of suppressing scattering of visible light. More preferably, it is 0.5 nm to 20 nm. Moreover, the length of the molecular chain of CNT22 is preferably 0.05 μm to 5000 μm from the viewpoint of securing the contact point of the CNT22 molecular chain and improving the conductivity. More preferably, it is 1 micrometer-5000 micrometers.

なお、本実施の形態においては、CNT22として市販のCNTをそのまま用いることも可能である。このような市販のCNTとしては、例えば、名城ナノカーボン社製、商品名:SO-type等を挙げることができる。   In the present embodiment, commercially available CNTs can be used as they are as the CNTs 22. Examples of such commercially available CNTs include, for example, trade name: SO-type manufactured by Meijo Nanocarbon Co., Ltd.

次に、図3を参照して、PEDOT/PSS23について説明する。本実施の形態においては、透明導電膜の導電性を向上させる観点から、PEDOT/PSS23を主に含有する導電性組成物を用いる。このPEDOT/PSS23は、図3に示すように、カチオン性のポリチオフェンであるPEDOT24とポリアニオンであるPSS25との高分子錯体である。PEDOT24は、モノマーであるEDOT(2,3−エチレンジオキシチオフェン)からの酸化重合で合成される。一方、PSS25は、ポリスチレンスルホン酸アニオンからの付加重合によって合成される。   Next, PEDOT / PSS 23 will be described with reference to FIG. In the present embodiment, a conductive composition mainly containing PEDOT / PSS23 is used from the viewpoint of improving the conductivity of the transparent conductive film. This PEDOT / PSS23 is a polymer complex of PEDOT24, which is a cationic polythiophene, and PSS25, which is a polyanion, as shown in FIG. PEDOT 24 is synthesized by oxidative polymerization from EDOT (2,3-ethylenedioxythiophene) which is a monomer. On the other hand, PSS25 is synthesized by addition polymerization from polystyrene sulfonate anion.

なお、PEDOT/PSS23としては、市販のPEDOT/PSS分散液(エイチ・シー・スタルク社製、商品名:クレビオスPH510)を用いてもよい。   In addition, as PEDOT / PSS23, you may use a commercially available PEDOT / PSS dispersion liquid (HEC Starck company make, brand name: Clevios PH510).

本実施の形態においては、導電性組成物としては、導電性を有する組成物であれば、PEDOT/PSS23に限定されず、各種導電性組成物を用いることができる。例えば、カチオン性のポリチオフェンとしては、図3に示す3,4−ジ置換チオフェンのみを繰り返し単位としていてもよく、3,4−ジ置換チオフェンの繰り返し単位を主に含有し、これと重合可能な他のモノマーを従成分として含むものであってもよい。また、3,4−ジ置換チオフェンに各種置換基を有するものであってもよい。   In the present embodiment, the conductive composition is not limited to PEDOT / PSS23 as long as it is a conductive composition, and various conductive compositions can be used. For example, as the cationic polythiophene, only a 3,4-disubstituted thiophene shown in FIG. 3 may be used as a repeating unit, and the repeating unit of 3,4-disubstituted thiophene mainly contains and can be polymerized therewith. Another monomer may be included as a subsidiary component. Further, 3,4-disubstituted thiophene may have various substituents.

また、導電性組成物を構成するポリアニオンとしては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸等の高分子状カルボン酸類;ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸等の高分子状スルホン酸類等を用いることができる。また、高分子状カルボン酸およびスルホン酸類等のポリアニオンは、ビニルカルボン酸類、ビニルスルホン酸類等のアニオン性のモノマーのみから重合される単独重合体、複数種のアニオン性モノマーからなる共重合体、及びアニオン性モノマーと共重合可能な他のモノマー類との共重合体であってもよい。   Examples of the polyanion constituting the conductive composition include polymer carboxylic acids such as polyacrylic acid, polymethacrylic acid, and polymaleic acid; polymer sulfonic acids such as polystyrene sulfonic acid and polyvinyl sulfonic acid, and the like. be able to. In addition, polyanions such as polymeric carboxylic acids and sulfonic acids are homopolymers polymerized only from anionic monomers such as vinyl carboxylic acids and vinyl sulfonic acids, copolymers consisting of a plurality of types of anionic monomers, and It may be a copolymer of other monomers copolymerizable with an anionic monomer.

本実施の形態においては、CNT22、100重量部に対し、PEDOT/PSS23を10重量部〜1000重量部の範囲で含有することが好ましい。PEDOT/PSS23が1000重量部以下であればPEDOT/PSS23に由来する透明導電膜の着色をより低減でき、透明導電膜の透明性を向上させることができる。また、PEDOT/PSS23が10重量部以上であれば、CNT22の分子鎖間の接点抵抗が低減され、PEDOT/PSS23の導電性を向上させることができる。PEDOT/PSS23は、CNT22、100重量部に対し、10重量部から1000重量部の範囲で用いることが好ましく、より透明導電膜の着色を低減する観点から10重量部から500重量部の範囲で用いることがより好ましい。   In this Embodiment, it is preferable to contain PEDOT / PSS23 in 10 weight part-1000 weight part with respect to CNT22 and 100 weight part. If PEDOT / PSS23 is 1000 weight part or less, coloring of the transparent conductive film derived from PEDOT / PSS23 can be reduced more, and the transparency of a transparent conductive film can be improved. Moreover, if PEDOT / PSS23 is 10 weight part or more, the contact resistance between the molecular chains of CNT22 will be reduced and the electroconductivity of PEDOT / PSS23 can be improved. PEDOT / PSS23 is preferably used in the range of 10 parts by weight to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of CNT22, and more preferably in the range of 10 parts by weight to 500 parts by weight from the viewpoint of reducing coloring of the transparent conductive film. It is more preferable.

次に、図4(a)〜図4(c)を参照して本実施の形態に係る透明導電膜の製造方法について説明する。本実施の形態に係る透明導電膜の製造方法は、基材21にCNT22を塗膜する工程と、基材21に塗膜されたCNT22の一部を被覆するように、PEDOT/PSS23を塗布する工程とを含む。   Next, a method for manufacturing a transparent conductive film according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the method for producing a transparent conductive film according to the present embodiment, PEDOT / PSS 23 is applied so as to coat a part of CNT 22 coated on base 21 and a step of coating CNT 22 on base 21. Process.

図4(a)に示すように、まず、基材21にCNT22分散液を塗布してCNT22を塗膜する。次いで、図4(b)に示すように、基材21に塗膜されたCNT22を被覆するようにPEDOT/PSS23分散液を塗布する。次いで、塗膜を90℃で10分間予備乾燥(プリベーク)し、最後に120℃で20分間本乾燥(ベーク)して透明導電膜を製造する。   As shown in FIG. 4A, first, a CNT22 dispersion is applied to the substrate 21 to coat the CNT22. Next, as shown in FIG. 4B, a PEDOT / PSS23 dispersion is applied so as to cover the CNT 22 coated on the substrate 21. Next, the coating film is preliminarily dried (prebaked) at 90 ° C. for 10 minutes, and finally dried (baked) at 120 ° C. for 20 minutes to produce a transparent conductive film.

基材21としては、金属、ガラス、セラミックス、シリコンウェハなどの無機材料、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー耐熱性樹脂などの有機材料を用いることができる。これらの中でも耐熱性の有機材料を用いることが好ましい。また、基材21としては、疎水性、親水性いずれの材料を用いてもよい。疎水性材料を用いた場合、塗膜後の塗布液の乾燥工程において、CNT22とPEDOT/PSS23との親和性が向上するため好ましい。基材21の材質は、CNT22及びPEDOT/PSS23の分散液との親和性及び形成する透明導電膜の膜厚に応じて任意に選択できる。   Examples of the base material 21 include metals, glass, ceramics, inorganic materials such as silicon wafers, polyimide, polyetheretherketone, polyetherimide, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyamideimide, and liquid crystal polymer heat resistant resin. Organic materials can be used. Among these, it is preferable to use a heat-resistant organic material. Moreover, as the base material 21, either hydrophobic or hydrophilic material may be used. The use of a hydrophobic material is preferable because the affinity between CNT22 and PEDOT / PSS23 is improved in the step of drying the coating liquid after coating. The material of the base material 21 can be arbitrarily selected according to the affinity with the dispersion liquid of CNT22 and PEDOT / PSS23 and the film thickness of the transparent conductive film to be formed.

CNT22の分散媒としては、例えば、水、アルコール、トルエン、アセトン、エーテルおよびそれらを組み合わせた溶媒を含有する分散媒など、各種溶媒を用いることができる。なお、CNT22分散液には、必要に応じて、カップリング剤、架橋剤、安定化剤、沈降防止剤、着色剤、電荷調製剤、滑剤等の添加剤を配合してもよい。CNT22分散液は、例えば、CNT22と界面活性剤、溶媒を塗装製造に慣用の混合分散機(例えば、ボールミル、ロールミル、ホモジナイザーなど)を用いて混合して調製する。また、基材21が樹脂である場合においては、基材21の表面を溶解する成分を用いることによりCNT22を基材21に強固に保持させることもできる。   As a dispersion medium of CNT22, various solvents, such as a dispersion medium containing water, alcohol, toluene, acetone, ether, and a solvent combining them, can be used. In addition, you may mix | blend additives, such as a coupling agent, a crosslinking agent, a stabilizer, an antisettling agent, a coloring agent, an electric charge preparation agent, a lubricant, with CNT22 dispersion liquid. The CNT22 dispersion is prepared, for example, by mixing CNT22, a surfactant, and a solvent using a mixing and dispersing machine (for example, a ball mill, a roll mill, a homogenizer, etc.) that is commonly used for coating production. Further, when the substrate 21 is a resin, the CNT 22 can be firmly held on the substrate 21 by using a component that dissolves the surface of the substrate 21.

CNT22分散液の基材21への塗布は、公知の塗布条件が適用でき、例えば、吹き付け塗装、浸漬コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、キスコーティング、グラビアコーティング、スクリーン印刷、インクジェット印刷、パット印刷、またはロールコーティングなどが挙げられる。また、基材21上に予め接着層を形成しておくことにより、CNT22を基板21により確実に保持させることが出来る。また、CNT22を塗布後にCNT22を基材21に圧着させることによっても、CNT22を基材21により確実に保持させることが出来る。特に基材21が樹脂基板である場合には、樹脂の軟化温度より高い温度で圧着することによりさらに強固に基板に保持できる。CNT22を基材上に圧着することにより、透明導電膜の導電性を向上させることができる。なお、このようにして成膜したCNT22及びPEDOT/PSS23を含む透明導電膜上には、透明絶縁物を形成する。このように、透明絶縁物を形成することにより、透明導電膜を保護することができる。   The application of the CNT22 dispersion to the substrate 21 can be performed by known application conditions such as spray coating, dip coating, spin coating, knife coating, kiss coating, gravure coating, screen printing, inkjet printing, pad printing, or Examples thereof include roll coating. In addition, by forming an adhesive layer on the base material 21 in advance, the CNT 22 can be reliably held by the substrate 21. In addition, the CNT 22 can be reliably held by the base material 21 by pressing the CNT 22 to the base material 21 after applying the CNT 22. In particular, when the base material 21 is a resin substrate, it can be more firmly held on the substrate by pressure bonding at a temperature higher than the softening temperature of the resin. The electrical conductivity of the transparent conductive film can be improved by press-bonding the CNT 22 onto the substrate. Note that a transparent insulator is formed on the transparent conductive film including the CNT 22 and PEDOT / PSS 23 thus formed. Thus, a transparent conductive film can be protected by forming a transparent insulator.

CNT22の膜厚は、導電性の観点から、10nmから500nmの範囲であることが好ましく、20nmから200nmの範囲であることがより好ましい。CNT22の膜厚が20nm以上であることにより、透明導電膜の導電性がより向上する。   The film thickness of the CNT 22 is preferably in the range of 10 nm to 500 nm, more preferably in the range of 20 nm to 200 nm, from the viewpoint of conductivity. When the film thickness of CNT22 is 20 nm or more, the conductivity of the transparent conductive film is further improved.

PEDOT/PSS23分散液の塗布は、CNT22分散液と同様の塗布条件を適用できる。本実施の形態においては、PEDOT/PSS23分散液をエアーブラシ(タミヤ社製、商品名:スプレーワークHG)により、基材21の複数点にそれぞれの塗膜領域が離間するように塗布した。   Application of the PEDOT / PSS23 dispersion can be performed under the same application conditions as the CNT22 dispersion. In the present embodiment, the PEDOT / PSS23 dispersion was applied by an air brush (trade name: Spraywork HG, manufactured by Tamiya Co., Ltd.) so that the respective coating film regions are separated from each other at a plurality of points.

PEDOT/PSS23の膜厚は、導電性及び透明導電膜の透明性の観点から、40nmから600nmの範囲であることが好ましく、60nmから300nmの範囲であることがより好ましい。PEDOT/PSS23の膜厚が40nm以上であれば、透明導電膜の導電性がCNT22だけの導電性から大きく増大する。   The film thickness of PEDOT / PSS23 is preferably in the range of 40 nm to 600 nm, and more preferably in the range of 60 nm to 300 nm, from the viewpoint of conductivity and transparency of the transparent conductive film. If the film thickness of PEDOT / PSS23 is 40 nm or more, the conductivity of the transparent conductive film greatly increases from the conductivity of CNT22 alone.

また、本実施の形態においては、PEDOT/PSS23の塗膜領域の面積は、上述したCNT22に対するPEDOT/PSS23の重量比を満たす範囲であれば、特に限定されず、例えば、点状の微細な面積を有する領域が無数に形成されたものでもよく、広い面積を有する塗膜領域が少数形成されたものであっても良い。   Moreover, in this Embodiment, if the area of the coating-film area | region of PEDOT / PSS23 is a range which satisfy | fills the weight ratio of PEDOT / PSS23 with respect to CNT22 mentioned above, it will not specifically limit, For example, a dot-like fine area An infinite number of regions may be formed, or a small number of coating regions having a wide area may be formed.

尚、上述した例では、CNT22を塗膜してからPEDOT/PSS23を塗膜する例について説明したが、図4(c)に示すように、基材21の複数点にそれぞれの塗膜領域が離間するようにPEDOT/PSS23を塗布してから、基材21にCNT22を塗膜してもよい。   In the above-described example, the example in which the PEDOT / PSS 23 is coated after the CNT 22 is coated has been described. However, as illustrated in FIG. After applying PEDOT / PSS 23 so as to be separated from each other, CNT 22 may be coated on substrate 21.

次に、図5を参照して、本実施の形態に係る透明導電膜の塗膜例の一例について説明する。図5に示す例は、基材21にCNT22をパターニングした導電領域41、42とCNT22をパターニングしない非導電領域43とを形成し、塗膜領域の密度が均等になるように離間配置されたPEDOT/PSS23を基材21の全面に亘って塗布した例である。このように塗膜することにより、基材21上のCNT22がパターニングされた導電領域41、42では、PEDOT/PSS23により導電性が向上する。これに対して、CNT22がパターニングされない非導電領域43は、離間配置されたPEDOT/PSS23同士が接続されないため導電性を持たないままとすることができる。このように、PEDOT/PSS23のパターニングを行わなくとも、CNT22のパターニングのみを行うことにより、基材21上の所望の領域に導電性が向上した導電領域41、42と非導電領域43とを任意に形成することができる。また、基材21の全面に、塗膜領域の密度が均等になるようにPEDOT/PSS23を塗布することにより、透明導電膜の視認性を低減することができる。   Next, an example of a coating film of the transparent conductive film according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In the example shown in FIG. 5, conductive regions 41 and 42 in which the CNTs 22 are patterned and non-conductive regions 43 in which the CNTs 22 are not patterned are formed on the base material 21, and the PEDOTs are spaced apart so that the density of the coating region is uniform. This is an example in which / PSS23 is applied over the entire surface of the substrate 21. By coating in this way, in the conductive regions 41 and 42 in which the CNTs 22 on the substrate 21 are patterned, the conductivity is improved by PEDOT / PSS23. On the other hand, the non-conductive region 43 in which the CNT 22 is not patterned can be left without conductivity because the PEDOT / PSSs 23 that are spaced apart from each other are not connected. As described above, the conductive regions 41 and 42 and the non-conductive region 43 whose conductivity is improved in a desired region on the substrate 21 can be arbitrarily formed by performing only the patterning of the CNT 22 without performing the patterning of the PEDOT / PSS 23. Can be formed. Moreover, the visibility of a transparent conductive film can be reduced by apply | coating PEDOT / PSS23 on the whole surface of the base material 21 so that the density of a coating-film area | region may become equal.

なお、図5に示す例においては、基材21にCNT22をパターニングしてから、PEDOT/PSS23を塗布する実施の形態について説明したが、CNT22の基材21へのパターニングとPEDOT/PSS23の塗膜の順番は特に制限されない。例えば、基材21にPEDOT/PSS23を塗膜してからCNT22をパターニングしてもよく、基材21へのCNT22のパターニングとPEDOT/PSS23の塗膜とを交互に実施してもよい。   In the example shown in FIG. 5, the embodiment in which the PEDOT / PSS 23 is applied after the CNT 22 is patterned on the base material 21 is described. However, the patterning of the CNT 22 on the base material 21 and the coating film of the PEDOT / PSS 23 are described. The order of is not particularly limited. For example, the CNT 22 may be patterned after coating the substrate 21 with PEDOT / PSS 23, or the patterning of the CNT 22 on the substrate 21 and the coating of PEDOT / PSS 23 may be performed alternately.

なお、本実施の形態おいては、導電領域41、42とは、シート抵抗値が100Ω/□から10KΩ/□の範囲である領域を指す。導電領域41、42のシート抵抗値は、200Ω/□から5kΩ/□の範囲が好ましい。また、非導電領域43とは、シート抵抗値が500KΩ/□以上の範囲である領域を指す。なお、シート抵抗値は、4探針シート抵抗測定装置で、常温、常湿の条件で測定した値である。   In the present embodiment, the conductive regions 41 and 42 indicate regions where the sheet resistance value is in the range of 100 Ω / □ to 10 KΩ / □. The sheet resistance value of the conductive regions 41 and 42 is preferably in the range of 200Ω / □ to 5 kΩ / □. Further, the nonconductive region 43 refers to a region having a sheet resistance value in a range of 500 KΩ / □ or more. The sheet resistance value is a value measured with a four-probe sheet resistance measuring device under normal temperature and humidity conditions.

また、本実施の形態においては、基材21面上におけるPEDOT/PSS23によるCNT22の被覆率が5%から50%の範囲であることにより、CNT22の分子鎖間の接点抵抗が低減され、透明導電膜の導電性が向上する。被覆率が5%以上の場合には、シート抵抗値が低減されて透明電極として好適に用いることができる。PEDOT/PSS23によるCNT22の被覆率は、好ましくは5%から50%の範囲であり、より好ましくは10%から40%の範囲である。   Moreover, in this Embodiment, the contact resistance between the molecular chains of CNT22 is reduced because the coverage of CNT22 by PEDOT / PSS23 on the base material 21 surface is in the range of 5% to 50%. The conductivity of the film is improved. When the coverage is 5% or more, the sheet resistance value is reduced and it can be suitably used as a transparent electrode. The coverage of CNT22 by PEDOT / PSS23 is preferably in the range of 5% to 50%, more preferably in the range of 10% to 40%.

次に、本発明者らは、本実施の形態に係る透明導電膜のシート抵抗値について詳細に調べた。図6を参照して本発明者らが調べた内容について説明する。図6は、基材上にCNT22のみを塗膜した透明導電膜に対して、エアーブラシでPEDOT/PSS23を所定時間塗工した場合におけるシート抵抗値の変化を示している。図6に示すように、CNT22のみをパターニングした透明導電膜のシート抵抗値が100%であるのに対し、エアーブラシでPEDOT/PSS23を1秒塗工することによりシート抵抗値が約40%に低下する。また、エアーブラシによる塗工時間を長くすることによりシート抵抗値がさらに低下することが分かる。   Next, the present inventors examined in detail about the sheet resistance value of the transparent conductive film which concerns on this Embodiment. The contents investigated by the present inventors will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows a change in sheet resistance when a PEDOT / PSS 23 is applied for a predetermined time with an air brush on a transparent conductive film in which only the CNT 22 is coated on a substrate. As shown in FIG. 6, the sheet resistance value of the transparent conductive film obtained by patterning only the CNT 22 is 100%, but the sheet resistance value is reduced to about 40% by applying PEDOT / PSS23 with an air brush for 1 second. descend. Moreover, it turns out that sheet resistance value falls further by lengthening the coating time by an air brush.

このように、本実施の形態によれば、基材21に塗膜されるCNT22上にPEDOT/PSS23を塗膜することにより、透明導電膜の導電性を向上させることができる。また、PEDOT/PSS23の塗布量が少量でも導電性が向上するので、PEDOT/PSS23に由来する着色の影響を低減することができ、透明性が高い透明導電膜を得ることができる。また、エアーブラシなどによる塗工でPEDOT/PSS23を塗膜できるので、PEDOT/PSS23を分散液の状態で塗工でき、透明導電膜を容易に形成することができる。   Thus, according to this Embodiment, the electroconductivity of a transparent conductive film can be improved by coating PEDOT / PSS23 on CNT22 coated on the base material 21. FIG. Moreover, since electroconductivity improves even if the application quantity of PEDOT / PSS23 is small, the influence of coloring originating in PEDOT / PSS23 can be reduced and a transparent conductive film with high transparency can be obtained. Moreover, since PEDOT / PSS23 can be coated by coating with an air brush or the like, PEDOT / PSS23 can be applied in a dispersion state, and a transparent conductive film can be easily formed.

なお、本実施の形態に係る透明導電膜においては、塗膜した透明導電膜上に保護フィルムなどの絶縁性フィルムを設けて用いてもよい。   In the transparent conductive film according to the present embodiment, an insulating film such as a protective film may be provided on the coated transparent conductive film.

また、本発明者らは、本実施の形態に係る透明導電膜において、PEDOT24前駆体であるEDOTを基材21上に塗膜してから、基材21でEDOTを酸化重合してPEDOT24を合成することにより、透明導電膜の導電性をさらに向上できることを見出した。以下、その詳細について説明する。   In addition, in the transparent conductive film according to the present embodiment, the present inventors coated EDOT, which is a PEDOT 24 precursor, on the base material 21, and then oxidized and polymerized EDOT on the base material 21 to synthesize PEDOT 24. It has been found that the conductivity of the transparent conductive film can be further improved. The details will be described below.

まず、図7(a)、図7(b)を参照して塗布液中でのPEDOT/PSS23の微細形状及びCNT22の微細形状について説明する。図7(a)は、塗布液中でのPEDOT/PSS23の分子鎖を模式的に示した図である。図7(b)は、基材21面上でのCNT22の分子鎖を模式的に示した図である。   First, the fine shape of PEDOT / PSS 23 and the fine shape of CNT 22 in the coating liquid will be described with reference to FIGS. 7 (a) and 7 (b). Fig.7 (a) is the figure which showed typically the molecular chain of PEDOT / PSS23 in a coating liquid. FIG. 7B is a diagram schematically showing the molecular chain of the CNT 22 on the surface of the base material 21.

図7(a)に示すように、PEDOT/PSS23は、EDOTが酸化重合したPEDOT24と、スチレンスルホン酸アニオンが重合したPSS25と、を含有する。PEDOT24は、その重合度が10〜40程度のオリゴマーであり、3nm(図7(a)のL1)程度の分子鎖を有している。一方、PSS25は重合度が大きく、分子量40万程度のポリマーであり、長い分子鎖を有している。   As shown to Fig.7 (a), PEDOT / PSS23 contains PEDOT24 which the EDOT oxidatively polymerized and PSS25 which the styrenesulfonate anion polymerized. PEDOT24 is an oligomer having a degree of polymerization of about 10 to 40, and has a molecular chain of about 3 nm (L1 in FIG. 7A). On the other hand, PSS25 is a polymer having a large degree of polymerization and a molecular weight of about 400,000, and has a long molecular chain.

PEDOT/PSS23は、長い分子鎖を有するアニオン性のPSS25の分子鎖と短い分子鎖を有するカチオン性のPEDOT24との間の分子鎖間の相互作用により、糸状の高分子錯体となる。この高分子錯体は、水中では直径約30nm〜60nm程度(図7(a)のL2)の球状に凝集してコロイド粒子を形成している。   PEDOT / PSS23 becomes a thread-like polymer complex due to the interaction between the molecular chains of the anionic PSS25 molecular chain having a long molecular chain and the cationic PEDOT 24 having a short molecular chain. The polymer complex aggregates into a spherical shape having a diameter of about 30 to 60 nm (L2 in FIG. 7A) in water to form colloidal particles.

一方、図7(b)に示すように、基材21に塗膜されたCNT22は、直径1nmから3.5nm程度(図7(b)のL3)の分子鎖を有する。このように、CNT22の分子鎖は、PEDOT/PSS23のコロイド粒子の直径に対して細いので、CNT22の分子鎖間に形成される間隔は、PEDOT/PSS23のコロイド粒子の直径に対して小さくなる。このため、基材21のCNT22を被覆するようにPEDOT/PSS23の分散液を塗布した場合、CNT22の分子鎖間にPEDOT/PSS23が侵入しにくくなり、PEDOT/PSS23によるCNT22の接点間の抵抗の低減が発現しにくくなることが考えられる。   On the other hand, as shown in FIG. 7B, the CNT 22 coated on the substrate 21 has a molecular chain having a diameter of about 1 nm to 3.5 nm (L3 in FIG. 7B). Thus, since the molecular chain of CNT22 is thin with respect to the diameter of the colloidal particle of PEDOT / PSS23, the space | interval formed between the molecular chains of CNT22 becomes small with respect to the diameter of the colloidal particle of PEDOT / PSS23. For this reason, when the dispersion of PEDOT / PSS23 is applied so as to cover the CNT22 of the substrate 21, it becomes difficult for the PEDOT / PSS23 to enter between the molecular chains of the CNT22, and the resistance between the contacts of the CNT22 by the PEDOT / PSS23 is reduced. It is conceivable that the reduction is less likely to occur.

そこで、本発明者らは、PEDOT24の原料モノマーであるEDOTの状態で基材21上に塗布し、基材上でEDOTを酸化重合してPEDOT24に変換することにより、透明導電膜の導電性を向上できることを見出した。   Therefore, the present inventors applied EDOT in the state of EDOT, which is a raw material monomer of PEDOT 24, and oxidized and polymerized EDOT on the substrate to convert it into PEDOT 24, thereby improving the conductivity of the transparent conductive film. I found that it can be improved.

図8は、PEDOT24の合成反応を示す図である。図8に示すように、PEDOT24は、モノマー状態のEDOT26と酸化剤としてのp−トルエンスルホン酸第二鉄(Fe−pTS)27との酸化重合により合成される。EDOT26は、単分子状態で水や有機溶媒に対して分散、溶解するので、CNT22分子鎖間への侵入が容易となる。また、EDOT26を溶解した塗布液は、低粘度かつ低表面エネルギーとなるので、CNT22分子鎖間に浸透しやすくなる。   FIG. 8 is a diagram showing a synthesis reaction of PEDOT24. As shown in FIG. 8, PEDOT 24 is synthesized by oxidative polymerization of EDOT 26 in a monomer state and ferric p-toluenesulfonate (Fe-pTS) 27 as an oxidizing agent. Since EDOT 26 is dispersed and dissolved in water or an organic solvent in a single molecule state, it is easy to enter between the CNT22 molecular chains. Moreover, since the coating liquid which melt | dissolved EDOT26 becomes low viscosity and low surface energy, it becomes easy to osmose | permeate between CNT22 molecular chains.

このように、本実施の形態においては、PEDOT24の前駆体であるEDOT26をモノマーの状態でCNT22上に塗布し、CNT22の分子鎖間にEDOT26が浸透した状態で酸化重合することにより、PEDOT24がCNT22の分子鎖間でも形成される。このため、CNT22分子鎖間がPEDOT24によって導通されて接点抵抗が低減し、透明導電膜の導電性が向上する。   Thus, in this embodiment, EDOT26, which is a precursor of PEDOT24, is applied onto CNT22 in a monomer state, and EDOT26 is oxidatively polymerized with EDOT26 penetrating between the molecular chains of CNT22. It is also formed between the molecular chains. For this reason, between the CNT22 molecular chains is conducted by PEDOT 24, the contact resistance is reduced, and the conductivity of the transparent conductive film is improved.

次に、上述した基材21でEDOT26を基材上で重合してPEDOT24を合成する透明導電膜の製造方法について説明する。この場合、基材上にCNT22を塗膜する工程と、CNT22上にEDOT26及び酸化剤を含有する組成物を塗布する工程と、CNT22上に塗布した組成物を酸化重合する工程とを、主に含む。   Next, the manufacturing method of the transparent conductive film which superposes | polymerizes EDOT26 on a base material and synthesize | combines PEDOT24 with the base material 21 mentioned above is demonstrated. In this case, the process of coating CNT22 on the substrate, the process of applying a composition containing EDOT26 and an oxidizing agent on CNT22, and the process of oxidative polymerization of the composition applied on CNT22 are mainly performed. Including.

まず上述したPEDOT24を用いる場合と同様に、基材21にCNT22を塗膜する。次いで、EDOT26、酸化剤及びドーパントなどを水/アルコール混合溶媒中で混合した組成物を含有する塗布液を調製する。次に、調製した塗布液を基材21に塗膜し、乾燥することにより、透明導電膜を成膜する。基材21に塗膜されたEDOT26は、乾燥工程で酸化重合してPEDOT24に変換される。   First, as in the case of using the above-described PEDOT 24, the base material 21 is coated with CNT22. Subsequently, the coating liquid containing the composition which mixed EDOT26, the oxidizing agent, the dopant, etc. in the water / alcohol mixed solvent is prepared. Next, the transparent coating film is formed by coating the prepared coating solution on the substrate 21 and drying. The EDOT 26 coated on the substrate 21 is oxidatively polymerized and converted to PEDOT 24 in the drying process.

酸化剤としては、図8に示すp−トルエンスルホン酸第二鉄(Fe−pTS)27など、各種の酸化剤を用いることができる。ドーパントとしては、架橋剤、安定化剤、沈降防止剤、着色剤、電荷調製剤、滑剤等の添加剤を用いることができる。   As the oxidizing agent, various oxidizing agents such as p-toluenesulfonic acid ferric acid (Fe-pTS) 27 shown in FIG. 8 can be used. As the dopant, additives such as a crosslinking agent, a stabilizer, an anti-settling agent, a colorant, a charge adjusting agent, and a lubricant can be used.

なお、本実施の形態に係る透明導電膜においては、カップリング剤の添加により、透明導電膜の機械的強度及び耐湿性を向上させることができる。図9を参照して本実施の形態に係る透明導電膜におけるカップリング剤の作用について説明する。   In addition, in the transparent conductive film which concerns on this Embodiment, the mechanical strength and moisture resistance of a transparent conductive film can be improved by addition of a coupling agent. With reference to FIG. 9, the effect | action of the coupling agent in the transparent conductive film which concerns on this Embodiment is demonstrated.

カップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するアルコキシシランなどが用いられる。エポキシ基を含有するアルコキシシランをカップリング剤として用いた場合、図9に示すように、基材21に塗膜されたPEDOT/PSS23とカップリング剤とが反応して分子鎖間に架橋結合28(3次元クロスリンク)が形成される。この架橋結合28により、PEDOT/PSS23分子鎖間の結合が強化されて透明導電膜の機械的強度及び耐湿性が向上する。   As the coupling agent, for example, an alkoxysilane containing an epoxy group is used. When an alkoxysilane containing an epoxy group is used as a coupling agent, as shown in FIG. 9, the PEDOT / PSS 23 coated on the substrate 21 reacts with the coupling agent to crosslink 28 between the molecular chains. (Three-dimensional cross link) is formed. By this cross-linking 28, the bond between the PEDOT / PSS 23 molecular chains is strengthened, and the mechanical strength and moisture resistance of the transparent conductive film are improved.

次に、図10(a)、図10(b)を参照して、PEDOT/PSS23を用いた透明導電膜にカップリング剤を用いた場合における透明導電膜の塗膜例について説明する。図10(a)は、PEDOT/PSS23とカップリング剤29とを混合して塗膜した例である。この場合、カップリング剤29が基材21に一様に塗布される。一方、図10(b)は、PEDOT/PSS23を基材21に塗布してからカップリング剤29を塗布した例である。このように、カップリング剤29は、PEDOT/PSS23と混合して塗布してもよく、PEDOT/PSS23を塗膜した透明導電膜上に塗布しても良い。   Next, with reference to FIG. 10 (a) and FIG.10 (b), the coating film example of the transparent conductive film at the time of using a coupling agent for the transparent conductive film using PEDOT / PSS23 is demonstrated. FIG. 10A shows an example in which PEDOT / PSS 23 and a coupling agent 29 are mixed and coated. In this case, the coupling agent 29 is uniformly applied to the base material 21. On the other hand, FIG. 10B shows an example in which the coupling agent 29 is applied after the PEDOT / PSS 23 is applied to the substrate 21. Thus, the coupling agent 29 may be mixed and applied with PEDOT / PSS23, or may be applied onto the transparent conductive film coated with PEDOT / PSS23.

また、本発明者らは、CNT22を含有する透明導電膜に特定構造を有するドーパントを添加することにより、透明導電膜の導電性をさらに改善できることを見出した。以下、その詳細について説明する。   In addition, the present inventors have found that the conductivity of the transparent conductive film can be further improved by adding a dopant having a specific structure to the transparent conductive film containing CNT22. The details will be described below.

図11は、本実施の形態に係るドーパント30を添加したCNT22を示す模式図である。図11に示すように、CNT22にドーパント30を添加した場合、ドーパント30が理想的な場合にはCNT22の内部に内包される。ここで、ドーパント30として電子吸引性化合物又は電子供与性化合物を添加することにより、CNT22の電子的特性が変化して透明導電膜の導電性が向上する。本実施の形態においては、CNT22に添加するドーパント30として、下記式(1)に示されるTCNQ−F4を用いることにより、透明導電膜の性能を低下することなく導電性を向上できる。   FIG. 11 is a schematic diagram showing the CNT 22 to which the dopant 30 according to the present embodiment is added. As shown in FIG. 11, when the dopant 30 is added to the CNT 22, the dopant 30 is included inside the CNT 22 in an ideal case. Here, by adding an electron-withdrawing compound or an electron-donating compound as the dopant 30, the electronic properties of the CNT 22 change and the conductivity of the transparent conductive film is improved. In this Embodiment, electroconductivity can be improved, without reducing the performance of a transparent conductive film by using TCNQ-F4 shown by following formula (1) as the dopant 30 added to CNT22.

本実施の形態においては、上記式(1)に示されるTCNQ−F4の添加量は、CNT22、100重量部に対し、10重量部から200重量部の範囲であることが好ましい。TCQN−F4の添加量が10重量部以上の場合、透明導電膜の導電性が向上する。また、TCQN−F4の添加量が200以下の場合、透明導電膜の性能の低下を抑制できる。TCNQ−F4の添加量は、10重量部から200重量部であることが好ましく、20重量部から150重量部であることがより好ましい。   In this Embodiment, it is preferable that the addition amount of TCNQ-F4 shown by said Formula (1) is the range of 10 to 200 weight part with respect to CNT22 and 100 weight part. When the amount of TCQN-F4 added is 10 parts by weight or more, the conductivity of the transparent conductive film is improved. Moreover, when the addition amount of TCQN-F4 is 200 or less, the fall of the performance of a transparent conductive film can be suppressed. The amount of TCNQ-F4 added is preferably 10 to 200 parts by weight, and more preferably 20 to 150 parts by weight.

次に、上記式(1)に示されるTCNQ−F4を用いた透明導電膜の製造方法について説明する。まず、基材21にCNT22分散液を塗布してCNT22を塗膜する。次いで、0.01重量%の濃度となるようにエタノールに溶解したTCNQ−F4溶液を調製し、調製したTCNQ−F4溶液を基材21に塗膜されたCNT22に塗布する。次いで、エタノールを蒸発させることにより、CNT22中にTCNQ−F4が作用した透明導電膜が形成される。   Next, the manufacturing method of the transparent conductive film using TCNQ-F4 shown by said Formula (1) is demonstrated. First, a CNT22 dispersion is applied to the substrate 21 to coat the CNT22. Next, a TCNQ-F4 solution dissolved in ethanol to a concentration of 0.01% by weight is prepared, and the prepared TCNQ-F4 solution is applied to the CNTs 22 coated on the substrate 21. Next, by evaporating ethanol, a transparent conductive film in which TCNQ-F4 acts in CNT22 is formed.

次に、本発明者らは、ドーパント30を添加した透明導電膜について詳細に調べた。その結果、本実施の形態に係る透明導電膜にドーパント30を添加することにより、シート抵抗値が半分以下に低減されることが分かった。また、ドーパント30を添加した透明導電膜は、IPA(イソプロピルアルコール)で洗浄してもシート抵抗値がほとんど変化しないこと、加熱してもシート抵抗値の増大がわずかであること、得られた透明導電膜着色が少ないこと、が分かった。以下、図12〜図15を参照しながら、本発明者らが調べた内容について説明する。   Next, the present inventors investigated in detail about the transparent conductive film to which the dopant 30 was added. As a result, it was found that by adding the dopant 30 to the transparent conductive film according to the present embodiment, the sheet resistance value is reduced to half or less. Further, the transparent conductive film to which the dopant 30 is added has almost no change in sheet resistance even when washed with IPA (isopropyl alcohol), and the increase in sheet resistance is slight even when heated. It was found that there was little coloring of the conductive film. Hereinafter, the contents investigated by the present inventors will be described with reference to FIGS.

まず、本発明者らは、ドーパント30添加前後の透明導電膜のシート抵抗値の変化を調べた。図12は、ドーパント30添加後の透明導電膜のシート抵抗値の変化を示す図である。図12に示すように、ドーパント30未添加の透明導電膜のシート抵抗値R1を100%とした場合、ドーパント30添加後の透明導電膜のシート抵抗値R2は、約35%に低下した。さらにドーパント30添加後の透明導電膜にPEDOT/PSS23を塗膜した透明導電膜のシート抵抗値R3は、約17%に低下した。これらの結果から、ドーパント30の添加により透明導電膜の導電性が向上し、PEDOT/PSS23を塗膜することにより、さらに導電性が向上することが分かる。   First, the inventors examined the change in the sheet resistance value of the transparent conductive film before and after the addition of the dopant 30. FIG. 12 is a diagram showing a change in the sheet resistance value of the transparent conductive film after the dopant 30 is added. As shown in FIG. 12, when the sheet resistance value R1 of the transparent conductive film to which the dopant 30 was not added was 100%, the sheet resistance value R2 of the transparent conductive film after the addition of the dopant 30 was reduced to about 35%. Furthermore, the sheet resistance value R3 of the transparent conductive film obtained by coating PEDOT / PSS23 on the transparent conductive film after addition of the dopant 30 was reduced to about 17%. From these results, it can be seen that the conductivity of the transparent conductive film is improved by the addition of the dopant 30, and the conductivity is further improved by coating the PEDOT / PSS23.

次に、本発明者らは、ドーパント30を添加した透明導電膜の耐久性について調べた。図13は、ドーパント30を添加した透明導電膜のIPA洗浄に対するシート抵抗値の変化の傾向を示す図である。なお、図13では、シート抵抗値の変化の傾向を模式的に示している。図13に示すように、ドーパント30未添加の透明導電膜のシート抵抗値R4は、高い値を示すのに対し、ドーパント30添加後の透明導電膜のシート抵抗値R5は大幅に低減することが分かる。また、この透明導電膜をIPA(イソプロピルアルコール)で洗浄した場合のシート抵抗値R6は洗浄前のシート抵抗値R5と同等であり、IPAでの洗浄の前後でほとんど変化しないことが分かる。また、IPA洗浄後の透明導電膜に対して、ドーパント30を再添加した透明導電膜のシート抵抗値R7は、ドーパント30の再添加の前のシート抵抗値R6とほぼ同等であった。また、この透明導電膜を再度IPAで洗浄した場合のシート抵抗値R8は、洗浄前のシート抵抗値R7と比較してわずかに増大した。この結果から、ドーパント30を添加した透明導電膜は、IPAで洗浄してもドーパント30がほとんど流出せず、低いシート抵抗値を示すことが分かる。   Next, the inventors investigated the durability of the transparent conductive film to which the dopant 30 was added. FIG. 13 is a diagram showing a tendency of change in sheet resistance value with respect to IPA cleaning of the transparent conductive film to which the dopant 30 is added. In addition, in FIG. 13, the tendency of the change of a sheet resistance value is shown typically. As shown in FIG. 13, the sheet resistance value R4 of the transparent conductive film to which the dopant 30 is not added shows a high value, whereas the sheet resistance value R5 of the transparent conductive film after the addition of the dopant 30 is significantly reduced. I understand. Further, it can be seen that the sheet resistance value R6 when this transparent conductive film is washed with IPA (isopropyl alcohol) is equivalent to the sheet resistance value R5 before washing, and hardly changes before and after washing with IPA. In addition, the sheet resistance value R7 of the transparent conductive film obtained by re-adding the dopant 30 with respect to the transparent conductive film after IPA cleaning was substantially equal to the sheet resistance value R6 before the dopant 30 was added again. Further, the sheet resistance value R8 when this transparent conductive film was washed again with IPA slightly increased compared to the sheet resistance value R7 before washing. From this result, it can be seen that the transparent conductive film to which the dopant 30 is added does not substantially flow out of the dopant 30 even when washed with IPA and exhibits a low sheet resistance value.

次に、本発明者らは、ドーパント30を添加した透明導電膜の80℃における安定性について調べた。図14は、ドーパント30を添加した透明導電膜の80℃におけるシート抵抗値変化割合を示す図である。図14に示すように、ドーパント30を添加した透明導電膜を80℃に加熱した場合、試験開始時にはシート抵抗値変化割合が約20%であったのに対し、60時間経過してもシート抵抗値変化割合が約25%とわずかに増大した程度であった。この結果から、ドーパント30を添加した透明導電膜は、加熱試験した場合においても抵抗値変化割合が小さいことが分かる。   Next, the present inventors investigated the stability at 80 ° C. of the transparent conductive film to which the dopant 30 was added. FIG. 14 is a diagram showing a sheet resistance value change rate at 80 ° C. of the transparent conductive film to which the dopant 30 is added. As shown in FIG. 14, when the transparent conductive film to which the dopant 30 was added was heated to 80 ° C., the sheet resistance value change rate was about 20% at the start of the test, whereas the sheet resistance even after 60 hours passed. The value change ratio was slightly increased to about 25%. From this result, it can be seen that the transparent conductive film to which the dopant 30 is added has a small resistance value change ratio even when the heating test is performed.

次に、本発明者らは、本実施の形態に係る透明導電膜の着色について調べた。図15は、CNT22のみを用いた透明導電膜M1、CNT22及びPEDOT/PSS23を用いた透明導電膜M2及びCNT22、PEDOT/PSS23及びドーパント30を添加した透明導電膜M3の吸光スペクトルを示す図である。図15に示すように、透明導電膜M1〜透明導電膜M3のいずれの透明導電膜についても可視光領域の吸収スペクトルが平坦となり、透明導電膜の着色が少ないことが分かる。この結果から、本実施の形態に係る透明導電膜は、着色が少なく、また、透明導電膜にドーパントを添加しても着色などの影響がないことが分かる。   Next, the present inventors investigated the coloring of the transparent conductive film according to the present embodiment. FIG. 15 is a diagram showing an absorption spectrum of a transparent conductive film M1 using only CNT22, a transparent conductive film M2 using CNT22, and PEDOT / PSS23, and a transparent conductive film M3 added with CNT22, PEDOT / PSS23, and a dopant 30. . As shown in FIG. 15, it can be seen that the absorption spectrum in the visible light region is flat for any of the transparent conductive films M1 to M3, and the transparent conductive film is less colored. From this result, it can be seen that the transparent conductive film according to the present embodiment is less colored, and even if a dopant is added to the transparent conductive film, there is no influence such as coloring.

このように、本実施の形態においては、ドーパント30の添加により、透明導電膜の物性に影響することなく導電性を向上できるので、特に導電性が高い透明導電膜を実現することができる。   As described above, in this embodiment, the addition of the dopant 30 can improve the conductivity without affecting the physical properties of the transparent conductive film, so that a transparent conductive film having particularly high conductivity can be realized.

次に、図16を参照して、本実施の形態に係る透明導電膜の応用例について説明する。本実施の形態に係る透明導電膜は、例えば、タッチパネルなどの用途に応用することができる。   Next, an application example of the transparent conductive film according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The transparent conductive film according to the present embodiment can be applied to uses such as a touch panel, for example.

図16は、本実施の形態に係る透明導電膜が用いられる抵抗膜式のタッチパネルの断面図である。図16に示すように、このタッチパネルは、下部パネル板101と、下部パネル板101と対向して設けられる上部パネル板102とを備える。下部パネル板101の上面には第1透明導電膜103が設けられ、この第1透明導電膜103と対向するように、上部パネル板102の下面に第2透明導電膜104が設けられている。下部パネル板101と上部パネル板102との間は、スペーサー105を介して接続されている。   FIG. 16 is a cross-sectional view of a resistive film type touch panel in which the transparent conductive film according to the present embodiment is used. As shown in FIG. 16, the touch panel includes a lower panel plate 101 and an upper panel plate 102 provided to face the lower panel plate 101. A first transparent conductive film 103 is provided on the upper surface of the lower panel plate 101, and a second transparent conductive film 104 is provided on the lower surface of the upper panel plate 102 so as to face the first transparent conductive film 103. The lower panel plate 101 and the upper panel plate 102 are connected via a spacer 105.

下部パネル板101、上部パネル版102としては、ポリエチレン、ポリエステルなど、各種高分子材料を用いることができる。第1透明導電膜103及び第2透明導電膜104としては、上述した本実施の形態に係る透明導電膜を用いる。また、第1透明導電膜103及び第2透明導電膜は、それぞれ導電率が異なるように、材料の組成比を変えて構成することが好ましい。   As the lower panel plate 101 and the upper panel plate 102, various polymer materials such as polyethylene and polyester can be used. As the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104, the transparent conductive film according to this embodiment described above is used. In addition, the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film are preferably configured by changing the composition ratio of the materials so that the electrical conductivity differs.

次に、本実施の形態に係るタッチパネルの動作について説明する。まず、下部パネル板101、上部パネル板102から指やタッチペンなどにより座標入力操作が行われる。この入力操作により、タッチパネルのパネル板101、102が撓み変形し、第1透明導電膜103と第2透明導電膜104とが接触する。この第1透明導電膜103と第2透明導電膜104との接触により、第1透明導電膜103及び第2透明導電膜104との間が通電される。この第1透明導電膜103及び第2透明導電膜104との間の通電を検出することにより、入力座標を特定する。   Next, the operation of the touch panel according to the present embodiment will be described. First, a coordinate input operation is performed from the lower panel plate 101 and the upper panel plate 102 with a finger or a touch pen. By this input operation, the panel plates 101 and 102 of the touch panel are bent and deformed, and the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104 come into contact with each other. The contact between the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104 energizes the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104. The input coordinates are specified by detecting energization between the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104.

本実施の形態に係るタッチパネルにおいては、第1透明導電膜103及び第2透明導電膜104に上述したCNT22にPEDOT/PSS23を塗布した透明導電膜を用いる。この透明導電膜は、下部パネル板101、上部パネル板102上に直接塗膜により成膜できるので、容易にタッチパネルを製造することができる。また、本実施の形態に係る透明導電膜は、有機材料で構成されているので、可撓性基板と共に撓み変形することができる。このため、例えば、第1透明導電膜103、第2透明導電膜104をITOなどの無機材料で構成した場合と比較し、第1透明導電膜103、第2透明導電膜104の撓み変形による破損を防止できるので、耐久性が高いタッチパネルを実現することができる。また、無機材料で構成される透明導電膜と比較して薄く塗膜しても透明導電膜が破損しないので、タッチパネルを薄くすることもできる。さらに、透明導電膜の変形による破損を防止できるので、透明導電膜の膜厚を薄く形成でき、タッチパネルを安価に製造することができる。   In the touch panel according to the present embodiment, a transparent conductive film obtained by applying PEDOT / PSS23 to the CNT 22 described above is used for the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104. Since this transparent conductive film can be directly formed on the lower panel plate 101 and the upper panel plate 102 by a coating film, a touch panel can be easily manufactured. Moreover, since the transparent conductive film which concerns on this Embodiment is comprised with the organic material, it can bend and deform | transform with a flexible substrate. For this reason, for example, compared with the case where the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104 are made of an inorganic material such as ITO, the first transparent conductive film 103 and the second transparent conductive film 104 are damaged due to bending deformation. Therefore, a highly durable touch panel can be realized. Moreover, since a transparent conductive film is not damaged even if it coats thinly compared with the transparent conductive film comprised with an inorganic material, a touch panel can also be made thin. Furthermore, since the damage due to the deformation of the transparent conductive film can be prevented, the thickness of the transparent conductive film can be reduced, and the touch panel can be manufactured at low cost.

次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。なお、本発明は、以下の実施例によって限定されるものではない。   Next, examples performed for clarifying the effects of the present invention will be described. The present invention is not limited to the following examples.

本実施例においては、本実施の形態に係る透明導電膜及び比較例に係る透明導電膜を作製し、下記の条件により各種物性を評価した。以下に、各種物性測定条件を示す。   In this example, the transparent conductive film according to the present embodiment and the transparent conductive film according to the comparative example were produced, and various physical properties were evaluated under the following conditions. Below, various physical property measurement conditions are shown.

<透明電膜の評価>
透明導電膜の評価は、下記の条件に従って実施した。
<Evaluation of transparent electromembrane>
The transparent conductive film was evaluated according to the following conditions.

<全光線透過率(透明導電膜のみ)>
透明導電膜の全光線透過率は、UV可視スペクトルメータを用いて測定した。
<Total light transmittance (only transparent conductive film)>
The total light transmittance of the transparent conductive film was measured using a UV-visible spectrum meter.

<面積抵抗試験>
透明導電膜の面積抵抗試験は、透明導電膜の表面抵抗を4探針式面積抵抗計(三菱化学社製、LORESTA EP MCP−1360)を用いて実施し、面積抵抗(シート抵抗値)を測定した。
<Area resistance test>
The area resistance test of the transparent conductive film was carried out by measuring the surface resistance of the transparent conductive film using a 4-probe area resistance meter (Mitsubishi Chemical Corporation, LORESTA EP MCP-1360) and measuring the sheet resistance (sheet resistance value) did.

以下の実施例及び比較例においては、基材上にCNTを塗工した後、導電性組成物を塗布して形成した透明導電膜(実施例1)、導電性組成物の作製条件を変更して形成した透明導電膜(実施例2)を作成した。さらに、ドーパントを添加した透明導電膜を作成し、その性能を評価した(実施例3)。また、実施例3に対し、ドーパントを添加せずに作製した透明導電膜を作成し、その性能を評価した。   In the following Examples and Comparative Examples, the transparent conductive film (Example 1) formed by applying a conductive composition after coating CNTs on a substrate, and the production conditions of the conductive composition were changed. A transparent conductive film (Example 2) was formed. Furthermore, the transparent conductive film which added the dopant was created, and the performance was evaluated (Example 3). Moreover, the transparent conductive film produced without adding a dopant was created with respect to Example 3, and the performance was evaluated.

(実施例1)
<基材の調製>
基材は、以下の様に調製した。先ず、クリーンルーム内で基材(材料:PET)を40mm四方にカットした(長さ40mm×幅40mm×厚さ0.2mm)。次いで、このPETフィルムをガラスウェハー(φ100mm×厚さ1.1mm)に貼り付けて導電薄膜の基材を調製した。
<CNT塗布液調製>
CNT0.01g(名城ナノカーボン社製、商品名:SO−Type)をエタノール100gに分散させてCNT塗布液を調製した。
Example 1
<Preparation of substrate>
The substrate was prepared as follows. First, a base material (material: PET) was cut into a 40 mm square in a clean room (length 40 mm × width 40 mm × thickness 0.2 mm). Next, this PET film was attached to a glass wafer (φ100 mm × thickness 1.1 mm) to prepare a conductive thin film substrate.
<CNT coating solution preparation>
A CNT coating solution was prepared by dispersing 0.01 g of CNT (trade name: SO-Type, manufactured by Meijo Nanocarbon Co., Ltd.) in 100 g of ethanol.

<PEDOT/PSS塗布液調製工程>
PEDOT/PSS水性分散液(エイチ・シー・スタルク社製、商品名:クレビオスPH510)を塗布液とした。次にエンハンサーとして、塗布液に対して5重量%のDMSOを添加した。混合溶解した後、塗布液をクリーンルーム内で孔0.45μmのフィルターでろ過してPEDOT/PSS分散液を調製した。
<PEDOT / PSS coating solution preparation process>
A PEDOT / PSS aqueous dispersion (manufactured by H.C. Starck, trade name: Clevios PH510) was used as a coating solution. Next, 5% by weight of DMSO was added to the coating solution as an enhancer. After mixing and dissolving, the coating solution was filtered with a 0.45 μm filter in a clean room to prepare a PEDOT / PSS dispersion.

<CNT塗布工程>
スピンコーター(ミカサ社製)を用いて回転数1400rpm、回転時間20秒の条件下、基材上にCNTを塗布した。
<CNT application process>
Using a spin coater (manufactured by Mikasa Co., Ltd.), CNTs were coated on the substrate under the conditions of a rotation speed of 1400 rpm and a rotation time of 20 seconds.

<PEDOT/PSS塗工工程>
エアーブラシ(タミヤ社製、スプレーワークHG)を用いて、塗工時間2秒の条件で基材上にPEDOTを塗布した。基材上に塗工したPEDOTの写真を図17に示す。図17に示すように、PEDOT/PSSは、基材上に点在するように塗布されていた。
<PEDOT / PSS coating process>
Using an air brush (Tamiya Co., Ltd., spray work HG), PEDOT was applied onto the substrate under the condition of a coating time of 2 seconds. A photograph of PEDOT coated on the substrate is shown in FIG. As shown in FIG. 17, PEDOT / PSS was applied so as to be scattered on the substrate.

<乾燥工程>
得られた薄膜を90℃で10分予備乾燥し、次いで、120℃で20分間本乾燥して透明導電膜を作製した。得られた透明導電膜の膜厚は、200nmであった。また、全光線透過率は85%、シート抵抗値は2.7KΩ/□であった。
<Drying process>
The obtained thin film was pre-dried at 90 ° C. for 10 minutes, and then main-dried at 120 ° C. for 20 minutes to produce a transparent conductive film. The film thickness of the obtained transparent conductive film was 200 nm. The total light transmittance was 85%, and the sheet resistance value was 2.7 KΩ / □.

次に、基材上にEDOTを塗布した後、基材上で酸化重合した透明導電膜を作製した実施例について説明する。   Next, the Example which produced the transparent conductive film which apply | coated EDOT on the base material, and was oxidatively polymerized on the base material is demonstrated.

(実施例2)
<基材の調製>
実施例1と同様に基材を調製した。
<EDOT塗布工程>
0.2gEDOT、50重量%p−トルエンスルホン酸エタノール溶液2.5g、及び酸化剤である硫酸第2鉄と過硫酸ソーダ(1:1)とを混合した30%水溶液を徐々に混合し、80℃で約30分反応させた。この溶液を5mlピペットで分取し、実施例1と同様に調製したCNTコート済み基材上にエアーブラシを用いて塗布した。
(Example 2)
<Preparation of substrate>
A substrate was prepared in the same manner as in Example 1.
<EDOT coating process>
80 g of 0.2 g EDOT, 2.5 g of 50 wt% p-toluenesulfonic acid ethanol solution, and 30% aqueous solution in which ferric sulfate as an oxidizing agent and sodium persulfate (1: 1) are mixed are gradually mixed. The reaction was carried out at about 30 ° C. for about 30 minutes. This solution was collected with a 5 ml pipette and applied onto a CNT-coated substrate prepared in the same manner as in Example 1 using an air brush.

<乾燥工程>
得られた薄膜を90℃で10分間予備乾燥を行い、120℃で20分本乾燥を実施した。得られた透明電極膜の膜厚は、155nmであった。また、全光線透過率は85%、シート抵抗値は700Ω/□であった。
<Drying process>
The obtained thin film was pre-dried at 90 ° C. for 10 minutes, and main drying was performed at 120 ° C. for 20 minutes. The film thickness of the obtained transparent electrode film was 155 nm. The total light transmittance was 85%, and the sheet resistance value was 700Ω / □.

以上の結果から、モノマーのEDOTを用いたin−situ方式(基材上でPEDOTを酸化重合して調製した)のPEDOT:PSSはより良好な透明電極膜になることが分かった。   From the above results, it was found that PEDOT: PSS of the in-situ system using monomer EDOT (prepared by oxidative polymerization of PEDOT on a base material) was a better transparent electrode film.

次に、実施例3としてCNTにドーパントを添加した透明導電膜を作製した。また、比較例として、ドーパントを添加しない透明導電膜を作製した。   Next, as Example 3, a transparent conductive film in which a dopant was added to CNT was produced. Moreover, the transparent conductive film which does not add a dopant as a comparative example was produced.

(実施例3)
<基材の調製>
実施例1と同様に基材を調製した。
(Example 3)
<Preparation of substrate>
A substrate was prepared in the same manner as in Example 1.

<CNT塗布液の調製>
実施例1と同様にCNT塗布液を調製した。
<Preparation of CNT coating solution>
A CNT coating solution was prepared in the same manner as in Example 1.

<ドーパント溶液の調製>
4フッ化テトラシアノキノジメタン(TCNQ−F4)1重量部をエタノール100000重量部に溶かしてドーパント溶液を調製した。
<Preparation of dopant solution>
A dopant solution was prepared by dissolving 1 part by weight of tetracyanoquinodimethane (TCNQ-F4) tetrafluoride in 100,000 parts by weight of ethanol.

<PEDOT/PSS塗布液調製工程>
実施例1と同様にPEDOT/PSS分散液を調製した。
<PEDOT / PSS coating solution preparation process>
A PEDOT / PSS dispersion was prepared in the same manner as in Example 1.

<CNT塗布工程>
実施例1と同様に基材にCNT溶液を塗布してCNT膜を形成した。
<CNT application process>
In the same manner as in Example 1, a CNT solution was applied to the substrate to form a CNT film.

<ドーピング工程>
CNT膜の面積が20cmに対してドーパント溶液1mlをCNT膜に滴下した後、エタノールを室温にて蒸発させた。
<Doping process>
After 1 ml of the dopant solution was dropped onto the CNT film with respect to the area of the CNT film of 20 cm 2 , ethanol was evaporated at room temperature.

<PEDOT/PSS塗工工程>
実施例1と同様に基材上にPEDOTを塗布した。
<PEDOT / PSS coating process>
PEDOT was applied on the substrate in the same manner as in Example 1.

<乾燥工程>
実施例1と同様に乾燥させた。
<Drying process>
Drying was performed in the same manner as in Example 1.

(比較例1)
ドーピング工程が無いだけで他の調製方法は実施例3と同様に調製した。
(Comparative Example 1)
Other preparation methods were the same as in Example 3 except that there was no doping step.

実施例3及び比較例1で作製した透明導電膜を評価した結果、ドーパントを添加した透明導電膜は、シート抵抗値が大幅に低減することが分かった。   As a result of evaluating the transparent conductive film prepared in Example 3 and Comparative Example 1, it was found that the sheet resistance value of the transparent conductive film to which the dopant was added was significantly reduced.

以上説明したように、本実施の形態に係る透明導電膜によれば、基材21上にCNT22を塗膜してからCNT22上にPEDOT/PSS23を塗布することにより、透明性が高く、導電性が高い透明導電膜を実現できる。また、モノマー状態のEDOTを塗布し、基材上で酸化重合することにより、更に透明導電膜の導電性を向上できる。さらに、CNTにドーパントを添加することにより、透明導電膜の導電性を向上できる。   As described above, according to the transparent conductive film according to the present embodiment, by applying PEDOT / PSS23 on CNT 22 after coating CNT 22 on base material 21, the transparency is high and the conductivity is high. High transparent conductive film can be realized. Moreover, the electroconductivity of a transparent conductive film can further be improved by apply | coating EDOT of a monomer state and performing oxidative polymerization on a base material. Furthermore, the electroconductivity of a transparent conductive film can be improved by adding a dopant to CNT.

また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time is illustrative in all respects and is not limited to this embodiment. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

本発明は、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネル、電子ペーパー等に用いられる透明電極及び電磁波シールドなど、各種透明導電膜を用いたデバイスに適用可能である。   The present invention is applicable to devices using various transparent conductive films, such as transparent electrodes and electromagnetic wave shields used in liquid crystal displays, electroluminescent displays, plasma displays, electrochromic displays, solar cells, touch panels, electronic papers and the like.

11 CNT
21 基材
22 CNT
23 PEDOT/PSS
24 PEDOT
25 PSS
26 EDOT
28 架橋結合
29 カップリング剤
30 ドーパント
101 下部パネル板
102 上部パネル板
103 第1透明導電膜
104 第2透明導電膜
105 スペーサー
11 CNT
21 Base material 22 CNT
23 PEDOT / PSS
24 PEDOT
25 PSS
26 EDOT
28 Cross-linking 29 Coupling agent 30 Dopant 101 Lower panel plate 102 Upper panel plate 103 First transparent conductive film 104 Second transparent conductive film 105 Spacer

Claims (15)

基材上に塗膜されたカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上の一部に存在する導電性組成物と、を含み、前記カーボンナノチューブ100重量部に対し、少なくとも前記導電性組成物10重量部を含有することを特徴とする透明導電膜。   Carbon nanotubes coated on a substrate, and a conductive composition present in a part of the carbon nanotubes, and at least 10 parts by weight of the conductive composition with respect to 100 parts by weight of the carbon nanotubes. A transparent conductive film characterized by containing. 前記導電性組成物は、前記カーボンナノチューブ上の少なくとも2つの領域に離間して存在することを特徴とする請求項1記載の透明導電膜。   2. The transparent conductive film according to claim 1, wherein the conductive composition is separated from at least two regions on the carbon nanotube. 基材と、前記基材上に塗膜されたカーボンナノチューブと、前記基材上に存在する導電性組成物と、を含有し、前記基材上には、前記カーボンナノチューブ上に前記導電性組成物が存在する導電領域により導電パターンが形成され、前記導電領域内において、前記カーボンナノチューブ100重量部に対し、少なくとも前記導電性組成物10重量部を含有することを特徴とする透明導電膜。   A base material, a carbon nanotube coated on the base material, and a conductive composition present on the base material, wherein the conductive composition is formed on the carbon nanotube on the base material. A transparent conductive film characterized in that a conductive pattern is formed by a conductive region in which an object is present, and the conductive region contains at least 10 parts by weight of the conductive composition with respect to 100 parts by weight of the carbon nanotubes. 前記導電領域は、シート抵抗値が100Ω/□から10KΩ/□の範囲であることを特徴とする請求項3記載の透明導電膜。   The transparent conductive film according to claim 3, wherein the conductive region has a sheet resistance value in a range of 100 Ω / □ to 10 KΩ / □. 前記導電性組成物による前記カーボンナノチューブの被覆率が、5%から50%の範囲であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の透明導電膜。   The transparent conductive film according to any one of claims 1 to 4, wherein a coverage of the carbon nanotubes by the conductive composition is in the range of 5% to 50%. 前記カーボンナノチューブの膜厚が10nmから500nmの範囲であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の透明導電膜。   The transparent conductive film according to any one of claims 1 to 5, wherein the carbon nanotube has a film thickness in a range of 10 nm to 500 nm. 前記導電性組成物は、PEDOT/PSSを含有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の透明導電膜。   The transparent conductive film according to claim 1, wherein the conductive composition contains PEDOT / PSS. 前記PEDOT/PSSの膜厚が40nmから600nmの範囲であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の透明導電膜。   8. The transparent conductive film according to claim 1, wherein the thickness of the PEDOT / PSS is in the range of 40 nm to 600 nm. 前記カーボンナノチューブは、パターニングされてなることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載の透明導電膜。   The transparent conductive film according to claim 1, wherein the carbon nanotube is patterned. 基材上に塗膜されたカーボンナノチューブと、下記式(1)で示される化合物と、を含有することを特徴とする透明導電膜。
A transparent conductive film comprising carbon nanotubes coated on a substrate and a compound represented by the following formula (1).
前記カーボンナノチューブ100重量部に対し、下記式(1)で示される化合物を少なくとも10重量部含有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の透明導電膜。
The transparent conductive film according to claim 1, comprising at least 10 parts by weight of a compound represented by the following formula (1) with respect to 100 parts by weight of the carbon nanotubes.
基材上にカーボンナノチューブを塗膜する工程と、前記カーボンナノチューブ上にPEDOT/PSS分散液を塗布する工程と、を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法。   A method for producing a transparent conductive film, comprising: a step of coating a carbon nanotube on a substrate; and a step of applying a PEDOT / PSS dispersion on the carbon nanotube. 基材上にカーボンナノチューブを塗膜する工程と、前記カーボンナノチューブ上にエチレンジオキシチオフェン及びスルホン酸を含有する組成物を塗布する工程と、前記カーボンナノチューブ上で、前記組成物を重合する工程と、を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法。   Coating a carbon nanotube on a substrate, applying a composition containing ethylenedioxythiophene and sulfonic acid on the carbon nanotube, and polymerizing the composition on the carbon nanotube; The manufacturing method of the transparent conductive film characterized by including these. 前記基材上にカーボンナノチューブを塗膜する工程において、前記カーボンナノチューブを塗膜してから、下記式(1)で示される化合物を前記カーボンナノチューブ上に塗布したことを特徴とする請求項12または請求項13に記載の透明導電膜の製造方法。
In the step of coating the carbon nanotubes on the substrate, the compound represented by the following formula (1) is coated on the carbon nanotubes after coating the carbon nanotubes. The manufacturing method of the transparent conductive film of Claim 13.
請求項1から請求項11のいずれかに記載の透明導電膜を用いたことを特徴とするタッチパネル。
A touch panel using the transparent conductive film according to claim 1.
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