JP2011122934A - Inspection method and device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウェハや液晶ガラス基板等の基板の端部近傍を検査するための検査方法および検査装置に関する。 The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus for inspecting the vicinity of an end portion of a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal glass substrate.
近年、半導体ウェハに形成される回路素子パターンの集積度が高くなるとともに、半導体製造工程でウェハの表面処理に用いられる膜の種類が増加している。これに伴い、膜の境界部分に位置するウェハの外周端部付近の検査が重要となってきている。すなわち、ウェハの端部近傍における欠陥管理が、ウェハから作り出される回路素子の歩留まりに影響する。 In recent years, the degree of integration of circuit element patterns formed on semiconductor wafers has increased, and the types of films used for wafer surface treatment in semiconductor manufacturing processes have increased. Along with this, inspection near the outer peripheral edge of the wafer located at the boundary of the film has become important. That is, defect management near the edge of the wafer affects the yield of circuit elements created from the wafer.
そこで、半導体ウェハ等の円盤状に形成された基板の外周端部周辺(例えば、アペックスや上下のベベル)を複数の方向から観察して、異物や膜の剥離、膜内の気泡、膜の回り込み等といった異常の有無を検査している(例えば、特許文献1を参照)。また、EBR処理の管理や膜の塗布状態を管理する目的で、ウェハの端部付近に位置する膜の端部位置を複数箇所でサンプリングし、膜の位置を管理する場合もある。 Therefore, the periphery of the outer edge of the substrate formed in a disk shape such as a semiconductor wafer (eg apex and upper and lower bevels) is observed from a plurality of directions to remove foreign substances and films, bubbles in the film, and wraparound of the film. The presence or absence of abnormalities such as the above is inspected (see, for example, Patent Document 1). In addition, for the purpose of managing the EBR process and the coating state of the film, the film end position may be sampled at a plurality of locations to manage the film position.
しかしながら、落射照明を用いた撮像系でウェハの端部近傍を撮像すると、落射照明による反射像を撮像しているため、ベベル部の傾斜角度によってはウェハの端部を検出できない。そのため、ウェハの端部から膜の端部までの距離を正確に把握できずに、膜の位置を適切に管理できないおそれがあった。 However, when the vicinity of the edge of the wafer is imaged by an imaging system using epi-illumination, a reflection image by the epi-illumination is captured, so that the end of the wafer cannot be detected depending on the inclination angle of the bevel. Therefore, the distance from the end of the wafer to the end of the film cannot be accurately grasped, and there is a possibility that the position of the film cannot be managed appropriately.
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、膜の位置情報を精度よく管理可能な検査方法および検査装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide an inspection method and an inspection apparatus capable of accurately managing film position information.
このような目的達成のため、本発明に係る検査方法は、一方の平面部を略覆う膜を有する円盤状の基板の端部近傍を検査するための検査方法であって、前記基板の端部位置を検出する第1のステップと、前記第1のステップで検出した前記基板の端部位置において前記膜の端部を含む前記基板の端部近傍を撮像する第2のステップと、前記第2のステップで撮像した前記基板の端部近傍の画像から前記膜の端部位置を検出する第3のステップと、前記第1および第3のステップでそれぞれ検出した前記基板の端部位置および前記膜の端部位置から、前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求める第4のステップと、前記第4のステップで求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査する第5のステップとを有している。 In order to achieve such an object, an inspection method according to the present invention is an inspection method for inspecting the vicinity of an end portion of a disk-shaped substrate having a film that substantially covers one flat surface portion. A first step of detecting a position; a second step of imaging the vicinity of the end of the substrate including the end of the film at the end position of the substrate detected in the first step; A third step of detecting an end position of the film from an image in the vicinity of the end of the substrate imaged in the step, and an end position of the substrate and the film detected in the first and third steps, respectively. A fourth step of obtaining a distance between the edge of the substrate and the edge of the film along the radial direction of the substrate from the edge position of the substrate, and the edge of the substrate obtained in the fourth step Based on the distance between the part and the end of the membrane, And a fifth step of inspecting the presence or absence of abnormality in the vicinity of the end portion of the plate.
なお、上述の検査方法では、前記第1のステップにおいて、前記基板を回転させながら前記基板の全周に亘る前記基板の端部位置を検出し、前記第2のステップにおいて、前記基板を回転させながら前記基板の全周に亘り前記基板の端部近傍を撮像し、前記第3のステップにおいて、前記基板の全周に亘る前記膜の端部位置を検出し、前記第4のステップにおいて、前記基板の全周に亘り前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求め、前記第5のステップにおいて、前記基板の全周に亘って求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査することが好ましい。 In the inspection method described above, in the first step, the end position of the substrate is detected over the entire circumference of the substrate while rotating the substrate, and in the second step, the substrate is rotated. While imaging the vicinity of the edge of the substrate over the entire circumference of the substrate, detecting the edge position of the film over the entire circumference of the substrate in the third step, and in the fourth step, The distance between the edge of the substrate and the edge of the film along the radial direction of the substrate over the entire circumference of the substrate was obtained, and was obtained over the entire circumference of the substrate in the fifth step. It is preferable to inspect whether there is an abnormality in the vicinity of the end of the substrate based on the distance between the end of the substrate and the end of the film.
また、本発明に係る検査装置は、一方の平面部を略覆う膜を有する円盤状の基板の端部近傍を検査するための検査装置であって、前記基板の端部位置を検出する第1の検出部と、前記第1の検出部が検出した前記基板の端部位置において前記膜の端部を含む前記基板の端部近傍を撮像する撮像部と、前記撮像部に撮像された前記基板の端部近傍の画像から前記膜の端部位置を検出する第2の検出部と、前記第1および第2の検出部に検出された前記基板の端部位置および前記膜の端部位置から、前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求める演算部と、前記演算部で求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査する検査部とを備えて構成される。 The inspection apparatus according to the present invention is an inspection apparatus for inspecting the vicinity of an end portion of a disk-shaped substrate having a film that substantially covers one flat surface portion, and detects the end position of the substrate. An imaging unit that images the vicinity of the edge of the substrate including the edge of the film at the edge position of the substrate detected by the first detection unit, and the substrate imaged by the imaging unit A second detection unit that detects an end position of the film from an image in the vicinity of the end of the substrate, an end position of the substrate detected by the first and second detection units, and an end position of the film A calculation unit for obtaining a distance between the end of the substrate and the end of the film along a radial direction of the substrate, and an end of the substrate and the end of the film obtained by the calculation unit. And an inspection unit for inspecting the presence or absence of an abnormality in the vicinity of the end portion of the substrate based on the distance between them. That.
なお、上述の検査装置では、前記基板を回転可能に支持する支持部を備え、前記第1の検出部は、前記支持部により前記基板を回転させながら前記基板の全周に亘る前記基板の端部位置を検出し、前記撮像部は、前記支持部により前記基板を回転させながら前記基板の全周に亘り前記基板の端部近傍を撮像し、前記第2の検出部は、前記基板の全周に亘る前記膜の端部位置を検出し、前記演算部は、前記基板の全周に亘り前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求め、前記検査部は、前記基板の全周に亘って求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査することが好ましい。 The inspection apparatus includes a support unit that rotatably supports the substrate, and the first detection unit rotates the substrate by the support unit and rotates the substrate over the entire circumference of the substrate. Detecting the position of the substrate, the imaging unit images the vicinity of the end of the substrate over the entire circumference of the substrate while rotating the substrate by the support unit, and the second detection unit Detecting the position of the edge of the film over the circumference, and the computing unit calculates a distance between the edge of the substrate and the edge of the film along the radial direction of the substrate over the entire circumference of the substrate. The inspection unit inspects whether there is an abnormality in the vicinity of the end portion of the substrate based on the distance between the end portion of the substrate and the end portion of the film obtained over the entire circumference of the substrate. It is preferable.
本発明によれば、膜の位置情報を精度よく管理することができる。 According to the present invention, the position information of the film can be managed with high accuracy.
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る検査装置の一例を図2に示しており、この検査装置1は、半導体ウェハ10(以下、ウェハ10と称する)の外周端部および外周端部近傍における異常の有無を検査するためのものである。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. An example of an inspection apparatus according to the present invention is shown in FIG. 2, and the inspection apparatus 1 is for inspecting for the presence or absence of an abnormality in the outer peripheral end portion of the semiconductor wafer 10 (hereinafter referred to as the wafer 10) and in the vicinity of the outer peripheral end portion. belongs to.
被検基板であるウェハ10は薄い円盤状に形成されており、その表面(主に平面部)には、ウェハ10から取り出される複数の半導体チップ(チップ領域)に対応した回路パターン(図示せず)を形成するため、例えばレジスト膜15が形成される。図5に示すように、ウェハ10の表面(上面)における外周端部内側には、外周側に傾斜した上ベベル部11がリング状に形成され、この上ベベル部11の内側に回路パターンが形成されることになる。また、ウェハ10の裏面(下面)における外周端部内側には、下ベベル部12がウェハ10を基準に上ベベル部11と表裏対称に形成される。そして、上ベベル部11と下ベベル部12とに繋がるウェハ端部がアペックス部13となる。
A
ところで、表面検査装置1は、図2に示すように、ウェハ10を支持して回転させるウェハ支持部20と、ウェハ10の端部位置を検出するためのアライメント部30と、ウェハ10の外周端部および外周端部近傍を撮像する撮像部40と、アライメント部30や撮像部40から入力されたデータに対して所定のデータ処理を行うデータ処理部50とを備えて構成される。
By the way, as shown in FIG. 2, the surface inspection apparatus 1 includes a
ウェハ支持部20は、Xステージ21と、Xステージ21上に設けられたYステージ22と、Yステージ22上に設けられてウェハ10を支持するθステージ23とを有して構成される。θステージ23は、上部の支持面が略円形に形成され、ウェハ10の中心を回転中心としてウェハ10を回転可能に支持する。θステージ23の内部には真空吸着機構(図示せず)が設けられており、真空吸着機構による真空吸着を利用してθステージ23上のウェハ10が吸着保持される。なお、ウェハ10はθステージ23の支持面よりも大きな径を有しており、θステージ23上にウェハ10が吸着保持された状態で、上ベベル部11、下ベベル部12、およびアペックス部13を含むウェハ10の外周端部近傍がθステージ23からはみ出るようになっている。Xステージ21およびYステージ22は、θステージ23を2次元の方向にそれぞれ駆動することで、θステージ23上に吸着保持されたウェハ10を略水平面内で縦横に移動させる。
The
アライメント部30は、透過照明部31と、ラインセンサ32とを有して構成される。透過照明部31は、ウェハ支持部20の側方にウェハ10(θステージ23)の半径方向に沿って配設され、ウェハ10の下方からウェハ10の外周端部近傍に平行光である照明光を照射する。ラインセンサ32は、ウェハ支持部20の上方にウェハ10(θステージ23)の半径方向に沿って配設され、ウェハ10を通り過ぎた透過照明部31からの照明光を検出する。これにより、ラインセンサ32は、ウェハ10を挟んで透過照明部31と対向するように配置されて、透過照明部31からの平行光(照明光)を検出するように構成されるため、ラインセンサ32で検出される光の情報(ウェハ10で遮られる照明光が検出される位置)から、ウェハ10の半径方向に沿ったウェハ10の端部位置を検出することができる。
The
また、ウェハ支持部20に支持されたウェハ10を回転させると、ラインセンサ32に対してウェハ10の外周端部がウェハ10の周方向へ相対回転するため、ラインセンサ32によりウェハ10の全周に亘るウェハ10の端部位置を検出することができる。なお、ラインセンサ32で得られた検出データは、データ処理部50へ出力される。
Further, when the
撮像部40は、ウェハ10の上ベベル部11と対向するようにウェハ支持部20の上方に配設され、落射照明部41と、イメージセンサ42とを有して構成される。落射照明部41による照明光が図示しない撮像光学系を介してウェハ10の外周端部近傍に照射されると、ウェハ10からの反射光が撮像光学系によってイメージセンサ42に導かれ、撮像光学系により上ベベル部11やレジスト膜15の端部を含むウェハ10の外周端部近傍の反射像がイメージセンサ42の撮像面上に結像される。そして、イメージセンサ42は、ウェハ10の外周端部近傍の反射像を撮像し、ウェハ10の外周端部近傍の画像データをデータ処理部50へ出力する。なお、ウェハ支持部20に支持されたウェハ10を回転させると、撮像部40の撮像領域に対してウェハ10の外周端部がウェハ10の周方向へ相対回転するため、撮像部40によりウェハ10の外周端部近傍を周方向(すなわち相対回転方向)へ連続的に複数撮像することができ、ウェハ10の全周に亘ってウェハ10の外周端部近傍を撮像することが可能になる。
The
データ処理部50は、ラインセンサ32から入力された検出データよりウェハ10の半径方向に沿ったウェハ10の端部位置を検出し、イメージセンサ42から入力された画像データよりウェハ10の半径方向に沿ったレジスト膜15の端部位置を検出する。そして、データ処理部50は、ウェハ10の端部位置およびレジスト膜15の端部位置を検出すると、これらに基づいてウェハ10の半径方向に沿ったウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離を求め、ウェハ10の全周に亘って求めたウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離に基づいて、ウェハ10の外周端部近傍における異常の有無を検査する(詳細は後述する)。
The
以上のように構成される検査装置1を用いてウェハ10の端部近傍を検査する方法について、図1に示すフローチャートを参照しながら説明する。まず、透過型センサであるラインセンサ32を用いて、ウェハ10の端部位置の位置データを取得する(ステップS101)。このとき、透過照明部31は、ウェハ支持部20に支持されたウェハ10の下方からウェハ10の外周端部近傍に平行光である照明光を照射し、ラインセンサ32は、ウェハ10を通り過ぎた透過照明部31からの照明光を検出して、その検出データをデータ処理部50へ出力する。そうすると、データ処理部50は、ラインセンサ32から入力された検出データより外径基準位置を求めるとともに、ウェハ10の端部位置を検出し、検出したウェハ10の端部位置の位置データを外径基準位置基準で図示しない内部メモリに記憶させる。
A method for inspecting the vicinity of the end of the
またこのとき、ウェハ支持部20(θステージ23)に支持されたウェハ10を回転させて、所定の回転角度(例えば1度)毎にウェハ10の端部位置を検出することで、ウェハ10の全周に亘るウェハ10の端部位置の位置データを繰り返し取得する(ステップS102)。なお、ウェハ10の位置形状を円として求めるため、データの取得回数は3回以上であることが好ましい。
At this time, the
次に、データ処理部50は、ステップS101およびS102で取得したウェハ10の端部位置の位置データから、ウェハ10の中心位置を求める(ステップS103)。また、データ処理部50は、ウェハ10の中心と予め求めておいたウェハ支持部20(θステージ23)の回転中心との間の偏芯量を求め、求めた偏芯量に応じて、先のステップで取得したウェハ10の端部位置の位置データを、ウェハ10の中心を基準とするウェハ10の端部位置の位置データとなるように補正する。
Next, the
次に、反射型センサであるイメージセンサ42を用いて、レジスト膜15の端部位置の位置データを取得する(ステップS104)。このとき、落射照明部41による照明光が撮像部40の撮像光学系(図示せず)を介してウェハ10の外周端部近傍に照射され、ウェハ10からの反射光が撮像光学系によってイメージセンサ42に導かれて、撮像光学系により上ベベル部11やレジスト膜15の端部を含むウェハ10の外周端部近傍の反射像がイメージセンサ42の撮像面上に結像される。そこで、イメージセンサ42は、ウェハ10の外周端部近傍の反射像を撮像し、ウェハ10の外周端部近傍の画像データをデータ処理部50へ出力する。そうすると、データ処理部50は、イメージセンサ42から入力された画像データよりウェハ10の半径方向に沿ったレジスト膜15の端部位置と外径基準位置を検出し、検出したレジスト膜15の端部位置の位置データを外径基準位置基準で図示しない内部メモリに記憶させる。
Next, the position data of the end position of the resist
またこのとき、ウェハ支持部20(θステージ23)に支持されたウェハ10を回転させて、所定の回転角度(例えば1度)毎にレジスト膜15の端部位置を検出することで、ウェハ10の全周に亘るレジスト膜15の端部位置の位置データを繰り返し取得する(ステップS105)。なお、θステージ23によりウェハ10を回転させる際、Xステージ21およびYステージ22は、ウェハ10の中心とθステージ23の回転中心との間の偏芯に拘わらずウェハ10の外周端部近傍を一定の相対位置関係で撮像できるように、先のステップで求めた偏芯量に応じてθステージ23上のウェハ10を略水平面内で移動させる。
Further, at this time, the
次に、データ処理部50は、ウェハ10の端部位置およびレジスト膜15の端部位置を検出すると、これらに基づいてウェハ10の半径方向に沿ったウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離を求める(ステップS105)。このとき、前述した所定の回転角度(例えば1度)毎に、ウェハ10の全周に亘りウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離を求める。
Next, when the
ところで、撮像部40における視野FOV(撮像範囲)を図3および図4に示す。前述したように、落射照明部41を用いた撮像部40でウェハ10の外周端部近傍を撮像すると、落射照明による反射像を撮像しているため、上ベベル部11の傾斜によってウェハ10の端部位置Cを検出することができない。図5に示すように、視野FOVに映るウェハ10の端部位置Bは、上ベベル部11の(ウェハ10の平坦部との)境界部の位置である。一方、アライメント部30では、平行光を用いた透過照明(テレセントリックな光学系)を用いているため、図5に示すように、ラインセンサ32において光の検出信号強度が立ち上がる位置を検出することで、ウェハ10の端部位置Cを検出ことができ、図6に示すような、ウェハ10の中心Pを基準とするウェハ10の半径方向に沿ったウェハ10の端部位置Cを求めることができる。なお、このときのウェハ10の端部位置Cは、ウェハ10の半径方向の線とウェハ10の外周端部との交点Qの位置である。また、図5に示すように、イメージセンサ42(ウェハ10の外周端部近傍の画像)において信号強度が大きく変化する位置を検出することで、レジスト膜15の端部位置Aを検出することができる。そのため、ラインセンサ32を用いて検出したウェハ10の端部位置Cの位置データおよび、イメージセンサ42を用いて検出したレジスト膜15の端部位置Aの位置データを用いることにより、ウェハ10の半径方向に沿ったウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離を精度よく求めることができる。なお、比較のため、図2、図3、図4、および図6において、ウェハ10の外周端部(アペックス部13)を破線で示す。
Incidentally, the field of view FOV (imaging range) in the
そして、データ処理部50は、ウェハ10の全周に亘って求めたウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離に基づいて、ウェハ10の外周端部近傍における異常の有無を検査する。このとき例えば、所定の回転角度毎に求めた距離についての標準偏差(もしくは3σ)を求め、求めた標準偏差が所定値より大きければ異常と判定し、その旨を報知する。これにより、レジスト膜15の端部で生じた形状崩れ等を検出することができる。また、所定の回転角度毎に求めた距離についてFFTアナライザ(図示せず)等により周波数変換を行い、所定の周波数よりも高い周波数成分が検出された場合に、異常と判定するようにしてもよい。これにより、レジスト膜15の端部で生じた細かいうねり等を検出することができる。
Then, the
この結果、本実施形態によれば、アライメント用のラインセンサ32を用いて検出したウェハ10の端部位置に基づいて、ウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離を求めるため、ウェハ10の端部位置を正確に検出できることから、膜の位置情報を精度よく管理することができ、検査精度を向上させることができる。なお、ウェハ10の全周に亘ってウェハ10の端部とレジスト膜15の端部との間の距離を求めるようにすれば、膜の位置情報をさらに精度よく管理することができる。
As a result, according to the present embodiment, the distance between the end portion of the
なお、上述の実施形態において、図7に示すように、ウェハ支持部20(θステージ23)の側方に、ウェハ10の側方からウェハ10の外周端部近傍(上ベベル部11等)を拡散照明するベベル照明装置60を設けるようにしてもよい。このようにすれば、傾斜する上ベベル部11に対して落射照明だけではなく拡散照明も行われるため、撮像部40を用いて上ベベル部11を鮮明に撮像することが可能となり、撮像部40に撮像されたウェハ10の外周端部近傍の画像から、上ベベル部11まで達したレジスト膜15の端部位置Aを精度よく検出することができる。なお、ウェハ10の端部位置Cは、上述の実施形態と同様、ラインセンサ32を用いて検出されるが、上ベベル部11の傾斜や撮像倍率によっては、拡散照明を用いて撮像部40に撮像されたウェハ10の外周端部近傍の画像から検出することもできる。
In the above-described embodiment, as shown in FIG. 7, the vicinity of the outer peripheral edge of the wafer 10 (
また、上述の実施形態において、ウェハ10の表面にレジスト膜15が形成されているが、これに限られるものではなく、例えば、いわゆるトップコート等の膜が設けられていてもよい。
In the above-described embodiment, the resist
また、上述の実施形態において、ウェハ10の検査を行っているが、これに限られるものではなく、例えば、液晶ガラス基板等の基板の検査を行う場合であってもよい。
In the above-described embodiment, the
1 検査装置
10 半導体ウェハ(基板) 11 上ベベル部
12 下ベベル部 13 アペックス部
15 レジスト膜
20 ウェハ支持部
30 アライメント部
31 透過照明部 32 ラインセンサ
40 撮像部
41 落射照明部 42 イメージセンサ
50 データ処理部(第1および第2の検出部、演算部、検査部)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (4)
前記基板の端部位置を検出する第1のステップと、
前記第1のステップで検出した前記基板の端部位置において前記膜の端部を含む前記基板の端部近傍を撮像する第2のステップと、
前記第2のステップで撮像した前記基板の端部近傍の画像から前記膜の端部位置を検出する第3のステップと、
前記第1および第3のステップでそれぞれ検出した前記基板の端部位置および前記膜の端部位置から、前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求める第4のステップと、
前記第4のステップで求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査する第5のステップとを有することを特徴とする検査方法。 An inspection method for inspecting the vicinity of an end of a disk-shaped substrate having a film that substantially covers one planar portion,
A first step of detecting an end position of the substrate;
A second step of imaging the vicinity of the end of the substrate including the end of the film at the end position of the substrate detected in the first step;
A third step of detecting an end position of the film from an image in the vicinity of the end of the substrate imaged in the second step;
From the edge position of the substrate and the edge position of the film detected in the first and third steps, respectively, between the edge of the substrate and the edge of the film along the radial direction of the substrate. A fourth step for determining the distance;
And a fifth step of inspecting whether there is an abnormality in the vicinity of the end portion of the substrate based on the distance between the end portion of the substrate and the end portion of the film obtained in the fourth step. A characteristic inspection method.
前記第2のステップにおいて、前記基板を回転させながら前記基板の全周に亘り前記基板の端部近傍を撮像し、
前記第3のステップにおいて、前記基板の全周に亘る前記膜の端部位置を検出し、
前記第4のステップにおいて、前記基板の全周に亘り前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求め、
前記第5のステップにおいて、前記基板の全周に亘って求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査することを特徴とする請求項1に記載の検査方法。 In the first step, the end position of the substrate is detected over the entire circumference of the substrate while rotating the substrate,
In the second step, the vicinity of the edge of the substrate is imaged over the entire circumference of the substrate while rotating the substrate,
In the third step, detecting the end position of the film over the entire circumference of the substrate;
In the fourth step, the distance between the edge of the substrate and the edge of the film along the radial direction of the substrate over the entire circumference of the substrate is determined,
In the fifth step, based on the distance between the end portion of the substrate and the end portion of the film obtained over the entire circumference of the substrate, the presence or absence of an abnormality in the vicinity of the end portion of the substrate is inspected. The inspection method according to claim 1.
前記基板の端部位置を検出する第1の検出部と、
前記第1の検出部が検出した前記基板の端部位置において前記膜の端部を含む前記基板の端部近傍を撮像する撮像部と、
前記撮像部に撮像された前記基板の端部近傍の画像から前記膜の端部位置を検出する第2の検出部と、
前記第1および第2の検出部に検出された前記基板の端部位置および前記膜の端部位置から、前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求める演算部と、
前記演算部で求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査する検査部とを備えて構成されることを特徴とする検査装置。 An inspection apparatus for inspecting the vicinity of an end of a disk-shaped substrate having a film that substantially covers one planar portion,
A first detection unit for detecting an end position of the substrate;
An imaging unit that images the vicinity of the end of the substrate including the end of the film at the end position of the substrate detected by the first detection unit;
A second detection unit that detects an end position of the film from an image near the end of the substrate imaged by the imaging unit;
From the edge position of the substrate and the edge position of the film detected by the first and second detection units, between the edge of the substrate and the edge of the film along the radial direction of the substrate. An arithmetic unit for calculating the distance of
An inspection unit that inspects for the presence or absence of an abnormality in the vicinity of the end of the substrate based on the distance between the end of the substrate and the end of the film obtained by the arithmetic unit. Characteristic inspection device.
前記第1の検出部は、前記支持部により前記基板を回転させながら前記基板の全周に亘る前記基板の端部位置を検出し、
前記撮像部は、前記支持部により前記基板を回転させながら前記基板の全周に亘り前記基板の端部近傍を撮像し、
前記第2の検出部は、前記基板の全周に亘る前記膜の端部位置を検出し、
前記演算部は、前記基板の全周に亘り前記基板の半径方向に沿った前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離を求め、
前記検査部は、前記基板の全周に亘って求めた前記基板の端部と前記膜の端部との間の距離に基づいて、前記基板の端部近傍における異常の有無を検査することを特徴とする請求項3に記載の検査装置。 A support portion for rotatably supporting the substrate;
The first detection unit detects the position of the end of the substrate over the entire circumference of the substrate while rotating the substrate by the support unit,
The imaging unit images the vicinity of the end of the substrate over the entire circumference of the substrate while rotating the substrate by the support unit,
The second detection unit detects an end position of the film over the entire circumference of the substrate,
The calculation unit obtains the distance between the end of the substrate and the end of the film along the radial direction of the substrate over the entire circumference of the substrate,
The inspection unit inspects whether there is an abnormality in the vicinity of the end portion of the substrate based on the distance between the end portion of the substrate and the end portion of the film obtained over the entire circumference of the substrate. The inspection apparatus according to claim 3.
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