JP2011121016A - Method and device for forming pattern - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、太陽電池素子用の基板上に配線パターンなどのパターンを塗布形成する技術に関する。 The present invention relates to a technique for coating and forming a pattern such as a wiring pattern on a substrate for a solar cell element, for example.
一般に、図10(a)に示すように太陽電池素子用の基板9の表面には出力を取り出すための表面用のバス配線91と、このバス配線に対して直交する方向に交差するとともに互いに平行に設けられた複数のフィンガー配線93が形成されている(例えば、特許文献1参照)。基板9は例えばシリコン基板であり、その表面にはn型拡散層が形成され、このn型拡散層の表面にバス配線91とフィンガー配線93が形成されている。また、バス配線91とフィンガー配線93を除くn型拡散層の表面には反射防止膜が形成されている。
In general, as shown in FIG. 10A, the
上述のバス配線91、フィンガー配線93などの各配線を形成する方法として、スクリーン印刷法を用い、基板上に導電性のペーストを印刷して配線を形成する方法が知られている。スクリーン印刷法により形成されるフィンガー配線は、例えば、その幅が120μmで、その高さが20μmであり、その断面は扁平な凸形状である。
As a method of forming each wiring such as the
近年、太陽電池素子による光電変換効率を向上させるために、上記フィンガー配線93の幅を小さくして、基板9の表面における受光面積を大きくすることが検討されている。しかしながら、フィンガー配線93の幅を小さくすると、フィンガー配線93の断面積が小さくなる。この結果、フィンガー配線93の電気抵抗が大きくなり、フィンガー配線93による集電能力が低下する。
In recent years, in order to improve the photoelectric conversion efficiency by the solar cell element, it has been studied to reduce the width of the
集電能力の低下を防止するためにフィンガー配線93を厚膜化することにより、電気抵抗の増加を抑制する方法が考えられる。換言すれば、フィンガー配線93の幅は小さくするが、その高さを大きくして高アスペクト比の配線を形成することによりフィンガー配線93の断面積を大きくし、電気抵抗の増加を抑制する方法が考えられる。
In order to prevent a decrease in the current collecting capability, a method of suppressing an increase in electrical resistance by increasing the thickness of the
しかしながら、スクリーン印刷法により配線を厚膜化することは難しく、高アスペクト比のフィンガー配線93を容易に形成することができない、という問題が発生する。
However, it is difficult to thicken the wiring by the screen printing method, and there is a problem that the
そこで、スクリーン印刷法に替えて、例えば特許文献2に記載されるような塗布方法を用いて配線を塗布形成する方法が考えられる。この塗布方法によれば基板上に線状に塗布液を複数の吐出口から供給するとともに、基板上に供給された塗布液に光を照射して塗布液を硬化させることによって、厚膜(高アスペクト比)の塗布パターンを形成することができる。 Therefore, instead of the screen printing method, for example, a method of coating and forming wiring using a coating method as described in Patent Document 2 is conceivable. According to this coating method, the coating liquid is supplied linearly onto the substrate from a plurality of discharge ports, and the coating liquid supplied on the substrate is irradiated with light to cure the coating liquid, thereby increasing the thickness of the film (high Aspect ratio) coating pattern can be formed.
しかしながら、上述の塗布方法を用いて基板9上にバス配線パターン71を形成した後、このバス配線パターン71上を交差するようにフィンガー配線パターン73を形成すると次のような問題が発生する。すなわち、図10(b)に示すように、フィンガー配線パターン73の塗布開始端において、塗布パターンの線幅が大きくなり、所謂、開始太り3が発生する。または、フィンガー配線パターン73の塗布開始端において、塗布パターンの線幅が小さくなる、または、塗布パターンが形成されない、所謂、開始細り4が発生する。
However, when the
上述の開始太り3および開始細り4は塗布液のチクソ性に起因して、塗布開始端において、各吐出口から吐出される塗布液の流量が異なるために発生する。また、前回の塗布動作からの経過時間が一定でないと、塗布液のチクソ性に起因して、同一の吐出口から吐出される塗布液の流量が塗布動作毎に異なり、上述の開始太り3および開始細り4が発生する。
The above-described
開始太り3が発生すると、その分だけ基板9表面の受光面積が狭くなるため、光電変換効率が低下する。また、開始細り4が発生すると、フィンガー配線93による集電能力が低下する。
When the
本発明の目的は、上述のような点に鑑み、例えばバス配線に対して交差するフィンガー配線のような塗布パターンを基板の主面に形成する際に、塗布パターンを厚膜(高アスペクト比)に形成することができるとともに、基板の主面に開始太りおよび開始細りが発生することを防止することができるパターン形成方法およびパターン形成装置を提供することにある。 In view of the above-described points, an object of the present invention is to form a coating pattern with a thick film (high aspect ratio) when a coating pattern such as finger wiring intersecting with bus wiring is formed on the main surface of the substrate. Another object of the present invention is to provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus capable of preventing formation of starting thickening and starting thinning on the main surface of a substrate.
請求項1に係る発明(パターン形成方法)は、基板の主面に形成された第1方向に延びる第1パターン上に、ノズルから塗布液を供給する供給工程と、供給工程後に、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、ノズルに対して基板を第1方向と交差する第2方向に沿って相対移動させて、基板の主面に第2パターンを形成する移動工程と、を含むことを特徴とする。 The invention according to claim 1 (pattern forming method) includes: a supplying step of supplying a coating liquid from a nozzle onto a first pattern formed in a first direction formed on a main surface of a substrate; A step of moving the substrate relative to the nozzle along a second direction intersecting the first direction to form a second pattern on the main surface of the substrate while continuing to supply the coating liquid. It is characterized by.
請求項2に係る発明(パターン形成方法)は、第1方向に延びる第1パターンを形成すべき基板の主面内の第1領域上に、ノズルから塗布液を供給する供給工程と、供給工程後に、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、ノズルに対して基板を第1方向と交差する第2方向に沿って相対移動させて、基板の主面に第2パターンを形成する移動工程と、を含むことを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention (pattern forming method), a supplying step of supplying a coating liquid from a nozzle onto a first region in a main surface of a substrate on which a first pattern extending in a first direction is to be formed, and a supplying step Later, while continuing to supply the coating liquid from the nozzle, the substrate is moved relative to the nozzle along a second direction intersecting the first direction to form a second pattern on the main surface of the substrate. It is characterized by including these.
請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載されるパターン形成方法において、基板が太陽電池素子用の基板であり、塗布液が導電性を有する導電性のペーストであり、第1パターンがバス配線用の塗布パターンであり、第2パターンがバス配線と直交するフィンガー配線用の塗布パターンであることを特徴とする。
The invention according to
請求項4に係る発明(パターン形成装置)は、塗布液を吐出するノズルと、その主面に第1方向に延びる第1パターンが形成された基板を、第1方向と交差する第2方向に沿ってノズルに対して相対移動させる移動手段と、ノズルから吐出された塗布液を第1パターン上に供給した後、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、移動手段により基板を第2方向に沿って相対移動させる制御手段と、を備えることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention (pattern forming apparatus), a nozzle on which a coating liquid is discharged and a substrate on which a first pattern extending in the first direction is formed are arranged in a second direction intersecting the first direction. And a moving means for moving the substrate relative to the nozzle along the second direction after supplying the coating liquid discharged from the nozzle onto the first pattern and then continuing the supply of the coating liquid from the nozzle in the second direction. And a control means for relative movement along the line.
請求項5に係る発明(パターン形成装置)は、塗布液を吐出するノズルと、その主面内の第1領域に第1方向に延びる第1パターンを形成すべき基板を、第1方向と交差する第2方向に沿ってノズルに対して相対移動させる移動手段と、ノズルから吐出された塗布液を第1領域上に供給した後、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、移動手段により基板を第2方向に沿って相対移動させる制御手段と、を備えることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention (pattern forming apparatus), the nozzle for discharging the coating liquid and the substrate on which the first pattern extending in the first direction is formed in the first region in the main surface intersect the first direction. And a moving means for moving relative to the nozzle along the second direction, and after supplying the coating liquid discharged from the nozzle onto the first region, the moving means continues to supply the coating liquid from the nozzle. And a control means for relatively moving the substrate along the second direction.
請求項6に係る発明は、請求項4または請求項5に記載されるパターン形成装置において、基板が太陽電池素子用の基板であり、塗布液が導電性を有する導電性のペーストであり、第1パターンがバス配線用の塗布パターンであり、第2パターンがバス配線と直交するフィンガー配線用の塗布パターンであることを特徴とする。
The invention according to claim 6 is the pattern forming apparatus according to
請求項1から請求項6のいずれかに係る発明によれば、例えばバス配線に対して交差するフィンガー配線のような塗布パターンを基板の主面に形成する際に、塗布パターンを厚膜(高アスペクト比)に形成することができるとともに、基板の主面に開始太りおよび開始細りが発生することを防止することができる。
According to the invention according to any one of
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。
<第1実施形態>
まず、第1実施形態について説明するが、図1は本発明の第1実施形態であるパターン形成装置1を模式的に示す側面図であり、図2はパターン形成装置1を模式的に示す正面図である。パターン形成装置1は例えば図10(a)に示す太陽電池用の基板9上にバス配線91用のバス配線パターン71a,71bおよびフィンガー配線93用のフィンガー配線パターン73a,73bを塗布形成するものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
<First Embodiment>
First, the first embodiment will be described. FIG. 1 is a side view schematically showing the
基板9は、例えば、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどからなるp型半導体であるシリコン基板である。また、上記バス配線91およびフィンガー配線93が形成される基板9の表面側にはn型拡散層が形成され、このn型拡散層上には反射防止膜が形成されている。
The
パターン形成装置1は、図1および図2に示すように基板載置部20、駆動部30、第1塗布部40および第2塗布部50を備える。基板載置部20は上からステージ21、ターンテーブル23およびナット部25が積層された構造を有する。ステージ21はその上面にて基板9を水平に保持する。ターンテーブル23はステージ21を水平面内において90度、回動させる。ナット部23はターンテーブル23の下面に固定されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
駆動部30は、基台31の(+X)側端部にブラケットを介して固定されたモータ35を備える。モータ35はサーボモータでありエンコーダを内蔵している。モータ35の回転軸にはボール螺子33が固定されている。ボール螺子33の(−X)側端部は基台31の(−X)側端部の上面に、X軸周りに回転自在に固定されている。ボール螺子33は上記ナット部25に螺合されている。一対のガイドレール37は基台31の上面にX方向に沿って延設されている。ガイドレール37は上記ナット部25を滑動自在に支持するとともに基板載置部20の移動方向を規定する。
The
第1塗布部40は比較的線幅の大きいバス配線用の塗布パターン(バス配線パターン71a,71b)を基板9の主面に塗布形成するための塗布部である。
The
第1塗布部40は塗布液である例えば導電性のペースト7を吐出する複数の第1ノズル47を備える。複数の第1ノズル47はY方向に延びる第1ヘッド41の下面にY方向に沿って列状に設けられている。第1ヘッド41は基板載置部20をY方向に沿って跨ぐように基台31に設けられたフレーム81の梁部の下面に取り付けられている。
The
第1ヘッド41には配管42の一方端が流路接続されている。配管42の他方端はタンク43に貯留されたペースト7中に配置される。配管42の途中には流路を開閉するためのバルブ45が介装されている。また、配管44の一方端はタンク43内の上部空間に対して流路接続され、その他方端は図示しない窒素ガスの供給源に流路接続されている。配管44の途中にはタンク43に供給する窒素ガスの圧力を調整するレギュレータ46が介装されている。
One end of a
塗布液であるペースト7は導電性を有し、例えば、導電性粒子、有機ビヒクル(溶剤、樹脂、増粘剤等の混合物)を含む。導電性粒子は例えば銀粉末であり、有機ビヒクルは樹脂材料としてのエチルセルロースと有機溶剤を含む。なお、ペースト7として既に商品化されている導電性ペーストも使用可能であり、このような導電性ペーストには、光硬化などの硬化処理によらず溶剤の揮発のみによって固化させるタイプのものも存在する。また、ペースト7の粘度は例えば常温(23°C)で100Pa・s(パスカル秒)から1000Pa・sの範囲内であり比較的高粘度である。
The
図3(a),(b)に示すように複数の第1ノズル47の下端部が(+X)方向に向かってそれぞれ傾斜するように、第1ヘッド41の下面に複数(例えば2本)の第1ノズル47がY方向に列状に設けられる。
As shown in FIGS. 3A and 3B, a plurality of (for example, two) lower surfaces of the
第1ヘッド41の内部には上記配管42に連通するマニホールド87が形成されている。第1ノズル47の下端部には吐出口85が設けられ、この吐出口85とマニホールド87とを連通する流路83が第1ヘッド41および第1ノズル47内に形成されている。
A manifold 87 that communicates with the
吐出口85のY方向の幅寸法は、塗布形成すべきバス配線パターン71の幅寸法(例えば2mm)とほぼ等しく、また、2つの吐出口85の間隔は2本のバス配線パターン71の間隔とほぼ等しい。
The width dimension of the
第2塗布部50は第1塗布部40より(+X)側に配置されている。第2塗布部50は比較的線幅の小さいフィンガー配線用の塗布パターン(フィンガー配線パターン73a,73b)を基板9の主面に塗布形成するための塗布部である。
The
第2塗布部50は塗布液である例えば導電性のペースト7を吐出する複数の第2ノズル57を備える。複数の第2ノズル57はY方向に延びる第2ヘッド51の下面にY方向に沿って列状に設けられている。第2ヘッド51は基板載置部20をY方向に沿って跨ぐように基台31に設けられたフレーム82の梁部の下面に取り付けられている。
The
第2ヘッド51には配管52の一方端が流路接続されている。配管52の他方端はタンク53に貯留されたペースト7中に配置される。配管52の途中には流路を開閉するためのバルブ55が介装されている。また、配管54の一方端はタンク53内の上部空間に対して流路接続され、その他方端は図示しない窒素ガスの供給源に流路接続されている。配管54の途中にはタンク53に供給する窒素ガスの圧力を調整するレギュレータ56が介装されている。
One end of a
図3(a),(c)に示すように複数の第2ノズル57の下端部が(+X)方向に向かってそれぞれ傾斜するように、第5ヘッド51の下面に複数(例えば16本)の第2ノズル57がY方向に列状に設けられる。
As shown in FIGS. 3A and 3C, a plurality of (for example, 16) plural
第2ヘッド51の内部には上記配管52に連通するマニホールド88が形成されている。第2ノズル57の下端部には吐出口86が設けられ、この吐出口86とマニホールド88とを連通する流路84が第2ヘッド51および第2ノズル57内に形成されている。
A manifold 88 that communicates with the
吐出口86のY方向の幅寸法は、塗布形成すべきフィンガー配線パターン73の幅寸法とほぼ等しく、例えば50μmであり、複数の吐出口86の間隔は複数本のフィンガー配線パターン73の間隔とほぼ等しい。
The width dimension of the
図4はパターン形成装置1の電気的構成を示すブロック図である。制御部60はCPU、RAMおよびROMなどから構成されるコンピュータである。制御部60はターンテーブル23に電気的に接続され、ターンテーブル23の回動動作を制御する。制御部60はモータ35に電気的に接続され、モータ35の駆動・停止、回転数および回転方向などを制御するとともに、モータ35からのフィードバック情報を取得する。制御部60はバルブ45,55に電気的に接続され、各バルブの開閉動作を制御する。
FIG. 4 is a block diagram showing an electrical configuration of the
また、制御部60はモータ35からのフィードバック情報に基づいて基板載置部20のX方向における原点位置からの移動距離を算出して検出する。換言すれば、制御部60はステージ21に載置された基板9のX方向における位置を算出して検出する。
Further, the
次にパターン形成装置1の動作について、図5に示すフロー図を参照して説明する。
Next, the operation of the
まず、図5に示すステップS10において、図1の(−X)側端部(原点位置)に配置されたステージ21上の所定位置に図示しない搬送ロボットまたは操作者により基板9が載置され、基板が搬入される(基板搬入工程)。基板が搬入されると制御部60はモータ35の駆動を開始してボール螺子33を回転駆動させる。ボール螺子33が回転駆動されるとナット部25が(+X)方向に駆動されて、ステージ21を含む基板載置部20が(+X)方向への移動を開始する(ステップS20、ステージ移動開始工程)。
First, in step S10 shown in FIG. 5, the
次にステップS30においてバス配線パターンの塗布工程(第1塗布工程)が実行され、図8(a)に示すようにX方向に沿った互いに平行な複数(例えば2本)のバス配線パターン71a,71bが基板9の主面に塗布形成される。なお、バス配線パターン71aが本発明の第1パターンに相当する。
Next, in step S30, a bus wiring pattern coating process (first coating process) is executed, and a plurality of (for example, two)
より具体的に上記ステップS30について説明すると、制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9がバス配線パターン71の塗布開始位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ45を開ける。タンク43内は配管44を介して供給された窒素ガスにより加圧されているので、バルブ45が開くと、タンク43内に貯留されたペースト7が配管42を介してタンク43外に押し出される。
The step S30 will be described more specifically. The
配管42により第1ヘッド41に送液されたペースト7は、マニホールド87および流路83を介して第1ノズル47の2個の吐出口85から基板9の進行方向における前方端側(+X方向端側)の主面に向けてそれぞれ吐出される。そして、第1ノズル47の2個の吐出口85から吐出されたペースト7は、X方向に移動する基板9の主面にそれぞれ線状に供給されてX方向に沿うとともに互いに平行な2本のバス配線パターン71a,71bが塗布停止位置まで形成される。
The
制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9がバス配線パターン71a,71bの塗布停止位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ45を閉じて第1ノズル47へのペースト7の送液を停止し、第1ノズル47からのペースト7の吐出を停止する。
The
第1ノズル47から基板9の主面に供給されたペースト7の断面形状は、吐出口85から吐出された直後のペースト7の形状が維持されて、その断面寸法は例えば、幅が2mm、高さが50μmとなる。
The cross-sectional shape of the
ステップS30が完了すると、制御部60はターンテーブル23によって、基板9を保持したステージ21を90度、回動させる。ステージ21が90度、回動すると基板9上に形成されたバス配線パターン71の長手方向がY方向と平行になる(ステップS40、ステージ90度回動工程)。
When step S30 is completed, the
次にステップS52において、第1のフィンガー配線パターン73aの塗布工程(第2の塗布工程)が実行される。第1のフィンガー配線パターン73aは、図8(a)に示すように、第1のバス配線パターン71a上から(+X)側方向に延び、互いに平行に複数(例えば16本)、基板9の主面に塗布形成される。なお、第1のフィンガー配線パターン73aが本発明の第2パターンに相当する。
Next, in step S52, a coating process (second coating process) for the first
ステップS52では、まず、制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、移動するステージ21上の基板9の主面に形成された第1のバス配線パターン71aが第2塗布部50の第2ノズル57の下方に到達したことを検出したときに、モータ35の駆動を停止してステージ21の移動を止める。
In step S52, first, the
次に制御部60はバルブ55を開ける。タンク53内は配管54を介して供給された窒素ガスにより加圧されているので、バルブ55が開くと、タンク53内に貯留されたペースト7が配管52を介してタンク53外に押し出される。
Next, the
配管52により第2ヘッド51に送液されたペースト7は、マニホールド88および流路84を介して第2ノズル57の16個の吐出口86から第1のバス配線パターン71a上に供給される(図6のステップS110、供給工程)。このとき、各第2ノズル57の吐出口86から吐出されるペースト7の流量が異なるために、図8(a)に示すように第1のフィンガー配線パターン73aの塗布開始端において、塗布パターンの線幅が大きくなる開始太り3、または、塗布パターンの線幅が小さくなる、または、塗布パターンが形成されない開始細り4が発生する。
The
次に、各第2ノズル57の吐出口86からのペーストの吐出を継続した状態で、制御部60はモータ35を駆動させて、ステージ21を(−X)方向に移動させる(図6のステップS120、移動工程)。このとき、(+X)方向に延びる互いに平行な16本の第1のフィンガー配線パターン73aが線状に塗布形成される。
Next, in a state where the discharge of the paste from the
制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9が第1のフィンガー配線パターン73aの塗布停止位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ55を閉じて第2ノズル57へのペースト7の送液を停止し、第2ノズル57からのペースト7の吐出を停止する。また、制御部60はモータ35の駆動を停止してステージ21の移動を止める。
When the
次にステップS54において、第2のフィンガー配線パターン73bの塗布工程(第3の塗布工程)が実行される。第2のフィンガー配線パターン73bは、図8(a)に示すように、第1のバス配線パターン71a上から(−X)側方向に延びるとともに第2のバス配線パターン71bと交差するように、互いに平行に複数(例えば16本)、基板9の主面に塗布形成される。なお、第2のフィンガー配線パターン73bも本発明の第2パターンに相当する。
Next, in step S54, a coating process (third coating process) for the second
ステップS54では、まず、制御部60はモータ35を駆動して、ステージ21を(+X)方向に移動させる。そして、制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、移動するステージ21上の基板9の主面に形成された第1のバス配線パターン71aが第2塗布部50の第2ノズル57の下方に到達したことを検出したときに、モータ35の駆動を停止してステージ21の移動を止める。
In step S54, first, the
次に制御部60はバルブ55を開ける。タンク53内は配管54を介して供給された窒素ガスにより加圧されているので、バルブ55が開くと、タンク53内に貯留されたペースト7が配管52を介してタンク53外に押し出される。
Next, the
配管52により第2ヘッド51に送液されたペースト7は、マニホールド88および流路84を介して第2ノズル57の16個の吐出口86から第1のバス配線パターン71a上に供給される(図6のステップS110、供給工程)。このとき、各第2ノズル57の吐出口86から吐出されるペースト7の流量が異なるために、図8(a)に示すように第2のフィンガー配線パターン73bの塗布開始端において、塗布パターンの線幅が大きくなる開始太り3、または、塗布パターンの線幅が小さくなる、または、塗布パターンが形成されない開始細り4が発生する。
The
次に、各第2ノズル57の吐出口86からのペーストの吐出を継続した状態で、制御部60はモータ35を駆動させて、ステージ21を(+X)方向に移動させる(図6のステップS120、移動工程)。このとき、(−X)方向に延びる互いに平行な16本の第2のフィンガー配線パターン73bが線状に塗布形成される。
Next, in a state where the discharge of the paste from the
制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9が第2のフィンガー配線パターン73bの塗布停止位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ55を閉じて第2ノズル57へのペースト7の送液を停止し、第2ノズル57からのペースト7の吐出を停止する。
When the
次に図5のステップS60においてステージ21が図1に示す(+X)側の端部に到達したことを制御部60が検出すると、制御部60はモータ35の駆動を停止して、ステージ21の移動を停止する(移動停止工程)。停止したステージ21上から図示しない搬送ロボットまたは操作者が基板9を受け取り搬出する(ステップS70、搬出工程)。
Next, when the
上述のようにステップS52,ステップS54において第1または第2のフィンガー配線パターン73a,73bを塗布形成する際に、第2ノズル57から基板9の主面に供給されたペースト7の断面形状は、吐出口86から吐出された直後のペースト7の形状が維持されて、その断面寸法を例えば幅が50μm、高さが50μmとなるように形成することができる。従来のスクリーン印刷法を用いた場合のフィンガー配線の断面寸法は例えば幅が120μm、高さが20μmであり、本実施形態のパターン形成方法を用いる方が、厚膜の配線パターンを形成することができる。すなわち、本実施形態のパターン形成方法によれば、断面寸法の幅に対する高さの比を大きくすることができ、高アスペクト化を図ることができる。
As described above, when the first or second
また、第1または第2のフィンガー配線パターン73a,73bのそれぞれの塗布開始端の開始太り3または開始細り4は第1のバス配線パターン71a上に発生するため、第1のバス配線パターン71aが形成されていない基板の主面上に開始太り3および開始細り4が発生することを防止することができる。
Further, since the start thick 3 or the start thin 4 of the coating start end of each of the first or second
<第2実施形態>
上述の第1実施形態では、第1塗布工程でバス配線パターン71a,71bを形成した後、第2および第3塗布工程でフィンガー配線パターン73a,73bを形成したが、この形成順序を逆にしても良い。
Second Embodiment
In the above-described first embodiment, the
第2実施形態のパターン形成装置1aは、図1に示すように、第1塗布部40に第2ヘッド51および第2ノズル57を設け、第1塗布部40においてフィンガー配線パターン73a,73bを形成する。また、第2塗布部50に第1ヘッド41および第1ノズル47を設け、第2塗布部50においてバス配線パターン71a,71bを形成する。
As shown in FIG. 1, the
次にパターン形成装置1aの動作について、図7に示すフロー図を参照して説明する。なお、ステップS10,ステップS20,ステップS60およびステップS70については上述の第1実施形態の動作と同様であるので、その説明を省略する。
Next, the operation of the
ステップS32において、第1のフィンガー配線パターン73aの塗布工程(第1の塗布工程)が実行される。第1のフィンガー配線パターン73aは、図8(b)に示すように、後に第1のバス配線パターン71aが形成されるべき第1のバス配線領域71aA上から(+X)側方向に延び、互いに平行に複数(例えば16本)、基板9の主面に塗布形成される。なお、第1のバス配線パターン71a,第1のバス配線領域71aAおよび第1のフィンガー配線パターン73aが、本発明の第1パターン、第1領域および第2パターンにそれぞれ相当する。
In step S32, an application process (first application process) of the first
ステップS32では、まず、制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、移動するステージ21上の基板9の主面内における第1のバス配線領域71aAが第1塗布部40の第2ノズル57の下方に到達したことを検出したときに、モータ35の駆動を停止してステージ21の移動を止める。
In step S <b> 32, first, the
次に制御部60はバルブ45を開ける。タンク43内は配管44を介して供給された窒素ガスにより加圧されているので、バルブ45が開くと、タンク43内に貯留されたペースト7が配管42を介してタンク43外に押し出される。
Next, the
配管42により第2ヘッド51に送液されたペースト7は、マニホールド88および流路84を介して第2ノズル57の16個の吐出口86から第1のバス配線領域71aA上に供給される(図6のステップS110、供給工程)。このとき、各第2ノズル57の吐出口86から吐出されるペースト7の流量が異なるために、図8(b)に示すように第1のフィンガー配線パターン73aの塗布開始端において、塗布パターンの線幅が大きくなる開始太り3、または、塗布パターンの線幅が小さくなる、または、塗布パターンが形成されない開始細り4が発生する。
The
次に、各第2ノズル57の吐出口86からのペーストの吐出を継続した状態で、制御部60はモータ35を駆動させて、ステージ21を(−X)方向に移動させる(図6のステップS120、移動工程)。このとき、(+X)方向に延びる互いに平行な16本の第1のフィンガー配線パターン73aが線状に塗布形成される。
Next, in a state where the discharge of the paste from the
制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9が第1のフィンガー配線パターン73aの塗布停止位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ45を閉じて第2ノズル57へのペースト7の送液を停止し、第2ノズル57からのペースト7の吐出を停止する。また、制御部60はモータ35の駆動を停止してステージ21の移動を止める。
When the
次にステップS34において、第2のフィンガー配線パターン73bの塗布工程(第2の塗布工程)が実行される。第2のフィンガー配線パターン73bは、図8(b)に示すように、第1のバス配線領域71aA上から(−X)側方向に延びるとともに、後に第2のバス配線パターン71bが形成されるべき第2のバス配線領域71bAと交差するように、互いに平行に複数(例えば16本)、基板9の主面に塗布形成される。なお、第2のフィンガー配線パターン73bも本発明の第2パターンに相当する。
Next, in step S34, the application process (second application process) of the second
ステップS34では、まず、制御部60はモータ35を駆動して、ステージ21を(+X)方向に移動させる。そして、制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、移動するステージ21上の基板9の主面内における第1のバス配線領域71aAが第1塗布部40の第2ノズル57の下方に到達したことを検出したときに、モータ35の駆動を停止してステージ21の移動を止める。
In step S34, first, the
次に制御部60はバルブ45を開ける。タンク43内は配管44を介して供給された窒素ガスにより加圧されているので、バルブ45が開くと、タンク43内に貯留されたペースト7が配管42を介してタンク43外に押し出される。
Next, the
配管42により第2ヘッド41に送液されたペースト7は、マニホールド88および流路84を介して第2ノズル57の16個の吐出口86から第1のバス配線領域71aA上に供給される(図6のステップS110、供給工程)。このとき、各第2ノズル57の吐出口86から吐出されるペースト7の流量が異なるために、図8(b)に示すように第2のフィンガー配線パターン73bの塗布開始端において、塗布パターンの線幅が大きくなる開始太り3、または、塗布パターンの線幅が小さくなる、または、塗布パターンが形成されない開始細り4が発生する。
The
次に、各第2ノズル57の吐出口86からのペーストの吐出を継続した状態で、制御部60はモータ35を駆動させて、ステージ21を(+X)方向に移動させる(図6のステップS120、移動工程)。このとき、(−X)方向に延びる互いに平行な16本の第2のフィンガー配線パターン73bが線状に塗布形成される。
Next, in a state where the discharge of the paste from the
制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9が第2のフィンガー配線パターン73bの塗布停止位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ45を閉じて第2ノズル57へのペースト7の送液を停止し、第2ノズル57からのペースト7の吐出を停止する。
When the
ステップS34が完了すると、制御部60はターンテーブル23によって、基板9を保持したステージ21を90度、回動させる。ステージ21が90度、回動すると基板9上に形成されたフィンガー配線パターン73a,73bの長手方向がY方向と平行になる(ステップS40、ステージ90度回動工程)。
When step S34 is completed, the
ステップS56では、制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9が第1および第2のバス配線パターン71a,71bの塗布開始位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ55を開ける。タンク53内は配管54を介して供給された窒素ガスにより加圧されているので、バルブ55が開くと、タンク53内に貯留されたペースト7が配管52を介してタンク53外に押し出される。
In step S56, the
配管52により第1ヘッド41に送液されたペースト7は、マニホールド87および流路83を介して第1ノズル47の2個の吐出口85から基板9の進行方向における前方端側(+X方向端側)の主面に向けてそれぞれ吐出される。そして、第1ノズル47の2個の吐出口85から吐出されたペースト7は、X方向に移動する基板9の主面にそれぞれ線状に供給されてX方向に沿うとともに互いに平行な2本のバス配線パターン71a,71bが塗布停止位置まで形成される。
The
制御部60はモータ35から取得したフィードバック情報に基づいてステージ21のX方向における位置を算出して、基板9がバス配線パターン71a,71bの塗布停止位置に到達したことを検出したときに、制御部60はバルブ45を閉じて第1ノズル47へのペースト7の送液を停止し、第1ノズル47からのペースト7の吐出を停止する。この結果、第1のバス配線パターン71aが第1のバス配線領域71aAに形成され、第2のバス配線パターン71bが第2のバス配線領域71bAに形成される。
The
第1ノズル47から基板9の主面に供給されたペースト7の断面形状は、吐出口85から吐出された直後のペースト7の形状が維持されて、その断面寸法は例えば、幅が2mm、高さが50μmとなる。
The cross-sectional shape of the
上述のようにステップS32,ステップS34において第1または第2のフィンガー配線パターン73a,73bを塗布形成する際に、第2ノズル57から基板9の主面に供給されたペースト7の断面形状は、吐出口86から吐出された直後のペースト7の形状が維持されて、その断面寸法を例えば幅が50μm、高さが50μmとなるように形成することができる。従来のスクリーン印刷法を用いた場合のフィンガー配線の断面寸法は例えば幅が120μm、高さが20μmであり、本実施形態のパターン形成方法を用いる方が、厚膜の配線パターンを形成することができる。すなわち、本実施形態のパターン形成方法によれば、断面寸法の幅に対する高さの比を大きくすることができ、高アスペクト化を図ることができる。
As described above, when the first or second
また、第1または第2のフィンガー配線パターン73a,73bのそれぞれの塗布開始端の開始太り3または開始細り4は第1のバス配線領域71aA上に発生するが、その後、第1のバス配線領域71aA内の開始太り3または開始細り4上に第1のバス配線パターン71aが形成される。この結果、第1のバス配線パターン71aが形成されていない基板の主面上に開始太り3および開始細り4が発生することを防止することができる。
In addition, the start thick 3 or the start thin 4 at the coating start end of each of the first or second
上述のように基板9の表面にある反射防止膜上に形成されたバス配線パターン71a,71bおよびフィンガー配線パターン73a,73bは、後工程である焼成工程においてファイアースルー法により反射防止膜の下に形成されているn型拡散層に電気的に接続されることとなる。
As described above, the
なお、上述の実施形態を以下のように変形実施しても良い。
図6に示す移動工程で実行される基板9の移動方向は、例えばX方向等の一方向に限定されない。例えばステージ21をY方向に駆動する機構を設け、図9(a)に示すように基板9の移動開始時は第1のバス配線パターン71aに沿った(−Y)方向に基板9を移動させる。その後、(−X)方向に基板9を移動させて、L字状の第1のフィンガー配線パターン73aを塗布形成しても良い。第2のフィンガー配線パターン73bも同様にL字状に塗布形成しても良い。この変形例の移動工程は、第2実施形態のようにバス配線パターンの塗布工程(図7のステップS56)前に実行されても良い(図9(b)参照)。
The above-described embodiment may be modified as follows.
The moving direction of the
上述の各実施形態や変形例において、光硬化性を有するペーストを用い、基板9の主面に供給されたペーストに紫外線などの光を照射してペーストを硬化させる構成としても良い。光硬化性を有するペーストは、導電性および光硬化性を有し、例えば、導電性粒子、有機ビヒクル(溶剤、樹脂、増粘剤等の混合物)および光重合開始剤を含む。導電性粒子は例えば銀粉末であり、有機ビヒクルは樹脂材料としてのエチルセルロースと有機溶剤を含む。なお、光硬化性を有しない上記ペースト7を加熱するなどして硬化させる構成でも良い。
In each of the above-described embodiments and modifications, a paste having photocurability may be used, and the paste supplied to the main surface of the
上記各実施形態においては第1塗布部40および第2塗布部50に対して基板9が移動する構成であるが、固定配置された基板9に対して第1塗布部40および第2塗布部50をX方向に移動させても良い。または、固定配置された基板9に対して第1塗布部40を所定方向(例えばX方向)に移動させるとともに第2塗布部50を所定方向と直交する方向(例えばY方向)に移動させる構成でも良い。
In each of the above embodiments, the
バス配線パターン71a,71bとフィンガー配線パターン73a,73bのように直交関係で交差する塗布パターンに限らず、直交(90度)以外の角度で交差する塗布パターンの形成に本発明を適用しても良い。
Even if the present invention is applied to the formation of a coating pattern that intersects at an angle other than orthogonal (90 degrees), it is not limited to a coating pattern that intersects in an orthogonal relationship like the
フィンガー配線パターン73a,73bと比較して、高アスペクト比に形成する必要がないバス配線パターン71a,71bについては、スクリーン印刷など他の方法を用いて形成しても良い。
As compared with the
本発明によって形成する塗布パターンは上記バス配線パターンやフィンガー配線パターンに限定されず、例えばプラズマディスプレイパネル(PDP)を製造する際に基板上に形成される隔壁を塗布形成するための塗布パターンでも良い。また、基板上に接着剤であるペーストを塗布形成するための塗布パターンでも良い。 The coating pattern formed according to the present invention is not limited to the above bus wiring pattern or finger wiring pattern, and may be a coating pattern for coating partition walls formed on a substrate when manufacturing a plasma display panel (PDP), for example. . Moreover, the application pattern for apply | coating and forming the paste which is an adhesive agent on a board | substrate may be sufficient.
1 パターン形成装置
7 ペースト
9 基板
20 基板載置部
30 駆動部
40 第1塗布部
41 第1ヘッド
47 第1ノズル
50 第2塗布部
51 第2ヘッド
57 第2ノズル
60 制御部
71a 第1のバス配線パターン
71b 第2のバス配線パターン
71aA 第1のバス配線領域
71bA 第2のバス配線領域
73a 第1のフィンガー配線パターン
73b 第2のフィンガー配線パターン
DESCRIPTION OF
Claims (6)
供給工程後に、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、ノズルに対して基板を第1方向と交差する第2方向に沿って相対移動させて、基板の主面に第2パターンを形成する移動工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 A supplying step of supplying a coating liquid from a nozzle on a first pattern formed in a first direction formed on a main surface of the substrate;
After the supplying step, while continuing to supply the coating liquid from the nozzle, the substrate is moved relative to the nozzle along the second direction intersecting the first direction to form a second pattern on the main surface of the substrate. Moving process;
A pattern forming method comprising:
供給工程後に、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、ノズルに対して基板を第1方向と交差する第2方向に沿って相対移動させて、基板の主面に第2パターンを形成する移動工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 A supplying step of supplying a coating liquid from a nozzle onto a first region in a main surface of a substrate on which a first pattern extending in a first direction is to be formed;
After the supplying step, while continuing to supply the coating liquid from the nozzle, the substrate is moved relative to the nozzle along the second direction intersecting the first direction to form a second pattern on the main surface of the substrate. Moving process;
A pattern forming method comprising:
基板が太陽電池素子用の基板であり、
塗布液が導電性を有する導電性のペーストであり、
第1パターンがバス配線用の塗布パターンであり、
第2パターンがバス配線と直交するフィンガー配線用の塗布パターンであることを特徴とするパターン形成方法。 In the pattern formation method described in Claim 1 or Claim 2,
The substrate is a substrate for solar cell elements,
The coating liquid is a conductive paste having conductivity,
The first pattern is a coating pattern for bus wiring,
A pattern forming method, wherein the second pattern is a coating pattern for finger wiring orthogonal to the bus wiring.
その主面に第1方向に延びる第1パターンが形成された基板を、第1方向と交差する第2方向に沿ってノズルに対して相対移動させる移動手段と、
ノズルから吐出された塗布液を第1パターン上に供給した後、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、移動手段により基板を第2方向に沿って相対移動させる制御手段と、
を備えることを特徴とするパターン形成装置。 A nozzle for discharging the coating liquid;
A moving means for relatively moving the substrate on which the first pattern extending in the first direction is formed on the main surface with respect to the nozzle along the second direction intersecting the first direction;
Control means for relatively moving the substrate along the second direction by the moving means while supplying the coating liquid discharged from the nozzle onto the first pattern and then continuing to supply the coating liquid from the nozzle;
A pattern forming apparatus comprising:
その主面内の第1領域に第1方向に延びる第1パターンを形成すべき基板を、第1方向と交差する第2方向に沿ってノズルに対して相対移動させる移動手段と、
ノズルから吐出された塗布液を第1領域上に供給した後、ノズルからの塗布液の供給を継続しつつ、移動手段により基板を第2方向に沿って相対移動させる制御手段と、
を備えることを特徴とするパターン形成装置。 A nozzle for discharging the coating liquid;
Moving means for relatively moving a substrate on which a first pattern extending in the first direction is formed in a first region in the main surface with respect to the nozzle along a second direction intersecting the first direction;
Control means for relatively moving the substrate along the second direction by the moving means while supplying the coating liquid discharged from the nozzle onto the first region and then continuing to supply the coating liquid from the nozzle;
A pattern forming apparatus comprising:
基板が太陽電池素子用の基板であり、
塗布液が導電性を有する導電性のペーストであり、
第1パターンがバス配線用の塗布パターンであり、
第2パターンがバス配線と直交するフィンガー配線用の塗布パターンであることを特徴とするパターン形成装置。 In the pattern formation apparatus described in Claim 4 or Claim 5,
The substrate is a substrate for solar cell elements,
The coating liquid is a conductive paste having conductivity,
The first pattern is a coating pattern for bus wiring,
The pattern forming apparatus, wherein the second pattern is a finger wiring application pattern orthogonal to the bus wiring.
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