JP2011119268A - プラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】負荷インピーダンス測定回路の測定誤差や実プロセス中の高周波の波形ひずみ等に起因する負荷インピーダンス測定精度の低下を補償すること。
【解決手段】この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。そして、ロギング終了後に、メモリに取り込んである全ての反射波電力測定値の中で最小のものを最小値決定処理で決定し、この反射波電力最小値が得られたときの基準インピーダンスを当該実プロセスに対応する整合ポイントとして登録する。
【選択図】 図１０

Description

本発明は、被処理基板にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理方法に係り、特にプラズマ生成用の高周波電極に可変整合器を介して所要の高周波を給電するシステムの改善に関する。

半導体デバイスやＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造プロセスには、プラズマを利用してエッチング、堆積、酸化、スパッタリング等の処理を行うプラズマ処理装置が多く使われている。概して、プラズマ処理装置は、処理容器またはチャンバの中または外に高周波電極を配置して高周波給電部より該高周波電極に高周波を給電する。高周波給電部には、高周波を出力する発振器または高周波電源だけでなく、負荷側（電極、プラズマ、チャンバ）のインピーダンスと高周波電源側のインピーダンスとの間で整合（マッチング）をとるための整合器も用いられる。

一般に、この種の整合器は、１個または複数の可変コンデンサまたは可変インダクタンスコイル等の可変リアクタンス素子を含み、ステップモータ等により可変範囲内の各ステップ位置またはポジションを選択することで整合器内のインピーダンスひいては負荷インピーダンスＺ_inを可変調整できる可変整合器として構成されている。そして、プラズマ処理中には、圧力変動などによってプラズマ・インピーダンスが変わると、それら可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションを可変調整して自動的に負荷インピーダンスＺ_inを補正して整合ポイント（５０Ω）に合わせるようになっている。このオートマッチングを行うため、負荷インピーダンスＺ_inを測定する回路や、負荷インピーダンスの測定値を整合ポイント（５０Ω）に一致させるようにステップモータを通じて各可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションを可変制御するコントローラ等が用いられる。

特開平１１−６１４５６号公報

上記のように、可変整合器においてオートマッチングを行うときは、負荷インピーダンスＺ_inの測定値が整合ポイントに一致するように可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションをフィードバック制御で可変制御する。ここで、整合ポイントＺ_MPは高周波電源の出力インピーダンスに等しい純抵抗値の５０Ω（Ｚ_MP＝５０＋ｊ０）に設定されるのが通例である。

しかしながら、負荷インピーダンス測定回路の測定精度に誤差があると、その負荷インピーダンス測定回路で得られる負荷インピーダンスＺ_inの測定値が見かけ上純抵抗値の５０Ω（Ｚ_in＝５０＋ｊ０）を示していても、実際には整合ポイント（Ｚ_MP＝５０＋ｊ０）に一致していないことがある。また、高周波の波形ひずみが大きいときにも負荷インピーダンス測定回路の測定精度が不安定になり、見かけ上Ｚ_in＝５０＋ｊ０の測定値が得られても、整合ポイント（Ｚ_MP＝５０＋ｊ０）に一致していないことがある。このような場合に、上記のようなインピーダンスマッチングのためのフィードバック制御を行えば、整合ポイントＺ_MPからずれたインピーダンスに負荷インピーダンスを合わせる結果となり、ＲＦ伝送特性が低下してプラズマプロセスに影響を来たすおそれがある。

本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、負荷インピーダンスの測定精度に誤差があっても、あるいは実プロセス中の高周波の波形ひずみが大きいときでも、可変整合器における負荷インピーダンス測定精度の低下を補償して、プロセスの安定性や再現性を改善するようにしたプラズマ処理方法を提供する。

本発明の第１の観点におけるプラズマ処理方法は、減圧可能なチャンバ内の所定位置にダミーの被処理基板を配置し、所望のプロセスレシピと実質的に同じ条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、高周波電源より所定周波数の高周波を所定のパワーで所定の高周波電極に可変整合器を介して給電して前記チャンバ内にプラズマを生成し、負荷インピーダンスの測定値が予め選定された複数の基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御する第１の工程と、各々の前記基準インピーダンスの下で前記高周波電源側に得られる反射波の電力を測定して測定値を記録する第２の工程と、前記複数の基準インピーダンスの中で前記反射波電力の測定値が最小値または最小値付近になるときの基準インピーダンスを登録する第３の工程と、前記チャンバ内の前記所定位置に正規の被処理基板を配置し、前記プロセスレシピの条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、前記高周波電源より前記高周波を所定のパワーで前記高周波電極に前記可変整合器を介して給電して前記チャンバ内にプラズマを生成し、負荷インピーダンスの測定値が前記登録された基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御して、前記基板にプラズマ処理を施す第４の工程とを有する。

本発明の第２の観点におけるプラズマ処理方法は、減圧可能なチャンバ内の下部電極の上にダミーの被処理基板を配置し、所望のプロセスレシピと実質的に同じ条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、前記チャンバ内で前記処理ガスを第１の高周波により放電させてプラズマを生成するとともに、高周波電源より第２の周波数の高周波を所定のパワーで前記下部電極に可変整合器を介して給電して前記プラズマ中のイオンを前記基板に引き込み、負荷インピーダンスの測定値が予め選定された複数の基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御する第１の工程と、各々の前記基準インピーダンスの下で前記高周波電源側に得られる反射波の電力を測定して測定値を記録する第２の工程と、前記複数の基準インピーダンスの中で前記反射波電力の測定値が最小値または最小値付近になるときの基準インピーダンスを登録する第３の工程と、前記チャンバ内の前記所定位置に正規の被処理基板を配置し、前記プロセスレシピの条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、前記チャンバ内で前記処理ガスを前記第１の高周波により放電させてプラズマを生成するとともに、前記高周波電源より前記第２の高周波を所定のパワーで前記下部電極に前記可変整合器を介して給電して前記プラズマ中のイオンを前記基板に引き込み、負荷インピーダンスの測定値が前記登録された基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御して、前記基板にプラズマ処理を施す第４の工程とを有する。

本発明のプラズマ処理方法においては、ダミーの被処理基板を使用し、実プロセスと実質的に同じ条件でプラズマを生成し、あるいはプラズマ中のイオンを基板に引き込んで、その時の反射波の電力を零または最小にする方向に整合器の整合ポイントを補正する。このオートラーニングによる整合ポイントの補正は、プロセスレシピ毎にプロセス条件を変えて行われるので、プロセスレシピ毎に補正整合ポイントまたは基準インピーダンスが得られる。

本発明の好適な一態様によれば、第１の工程において、負荷インピーダンスの測定値を各々の基準インピーダンスに一致させる操作を行う度毎に、改めて高周波電源からの高周波を高周波電極に給電してプラズマを生成する。

別の好適な一態様によれば、第２の工程では、タイマ機能によりマッチングが確立した頃合いを見計らって反射波電力の測定値を取り込む。

本発明のプラズマ処理方法によれば、上記のような構成および作用により、可変整合器において負荷インピーダンス測定回路の測定誤差や実プロセス中の高周波の波形ひずみ等に起因する負荷インピーダンス測定精度の低下を補償して、プロセスの安定性や再現性を改善することができる。

本発明の一実施形態におけるプラズマ処理方法の適用可能なプラズマエッチング装置の構成を示す縦断面図である。 図１のプラズマエッチング装置における高周波給電部の構成を示す部分拡大断面図である。 第１の技法における高周波給電システムの構成を示すブロック図である。 第１の技法による整合器インピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値最適化オートラーニングの手順を示すフローチャート図である。 第１の技法のオートラーニングにおいて可変コンデンサのインピーダンス・ポジションを順次移動させる手順の一例を示す図である。 第１の技法のオートラーニングにおいて可変コンデンサの各インピーダンス・ポジションで得られたＶ_pp測定値のマッピングを示す図である。 第１の技法のオートラーニングで得られるＶ_pp測定値分布の一例を特性曲線で示す図である。 第１の技法におけるプラズマ処理の主要な手順を示すフローチャート図である。 本発明の実施形態における高周波給電システムの構成を示すブロック図である。 実施形態において整合ポイント補正機能のためのオートラーニングの手順を示すフローチャート図である。 実施形態のオートラーニングにおいて基準インピーダンスのポイント（選定値）を順次移動させる手順の一例を示す図である。 実施形態のオートラーニングにおいて基準インピーダンスの各ポイントで得られた測定結果の一例をマッピングで示す図である。 実施形態における主制御部の構成例を示すブロック図である。

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。

図１に、本発明の一実施形態におけるプラズマ処理方法の適用可能なプラズマエッチング装置の構成を示す。このプラズマエッチング装置は、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されており、たとえば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバ（処理容器）１０を有している。チャンバ１０は保安接地されている。

チャンバ１０の底部には、セラミックなどの絶縁板１２を介して円柱状のサセプタ支持台１４が配置され、このサセプタ支持台１４の上にたとえばアルミニウムからなるサセプタ１６が設けられている。サセプタ１６は下部電極を構成し、この上に被処理基板としてたとえば半導体ウエハＷが載置される。

サセプタ１６の上面には半導体ウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック１８が設けられている。この静電チャック１８は導電膜からなる電極２０を一対の絶縁層または絶縁シートの間に挟み込んだものであり、電極２０には直流電源２２が電気的に接続されている。直流電源２２からの直流電圧により、半導体ウエハＷがクーロン力で静電チャック１８に吸着保持されるようになっている。静電チャック１８の周囲でサセプタ１６の上面には、エッチングの均一性を向上させるためのたとえばシリコンからなるフォーカスリング２４が配置されている。サセプタ１６およびサセプタ支持台１４の側面にはたとえば石英からなる円筒状の内壁部材２６が貼り付けられている。

サセプタ支持台１４の内部には、たとえば円周方向に延在する冷媒室２８が設けられている。この冷媒室２８には、外付けのチラーユニット（図示せず）より配管３０ａ，３０ｂを介して所定温度の冷媒たとえば冷却水が循環供給される。冷媒の温度によってサセプタ１６上の半導体ウエハＷの処理温度を制御できる。 さらに、伝熱ガス供給機構（図示せず）からの伝熱ガスたとえばＨeガスが、ガス供給ライン３２を介して静電チャック１８の上面と半導体ウエハＷの裏面との間に供給される。

サセプタ１６の上方には、このサセプタと平行に対向する上部電極３４が設けられている。両電極１６，３４の間の空間はプラズマ生成空間である。上部電極３４は、サセプタ（下部電極）１６上の半導体ウエハＷと対向してプラズマ生成空間と接する面つまり対向面を形成する。上部電極３４は、サセプタ１６と所望の間隔を置いて対向配置されているリング形状またはドーナツ形状の外側(outer)上部電極３６と、この外側上部電極３６の半径方向内側に絶縁して配置されている円板形状の内側(inner)上部電極３８とで構成される。これら外側上部電極３６と内側上部電極３８とは、プラズマ生成に関して、前者（３６）が主で、後者（３８）が補助の関係を有している。

図２に、このプラズマエッチング装置における上部高周波給電部の構成を示す。図２に明示するように、外側上部電極３６と内側上部電極３８との間にはたとえば０．２５〜２．０ｍｍの環状ギャップ（隙間）が形成され、このギャップにたとえば石英からなる誘電体４０が設けられる。また、このギャップにセラミック９６を設けることもできる。この誘電体４０を挟んで両電極３６，３８の間にコンデンサが形成される。このコンデンサのキャパシタンスＣ40は、ギャップのサイズと誘電体４０の誘電率に応じて所望の値に選定または調整される。外側上部電極３６とチャンバ１０の側壁との間には、たとえばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）からなるリング形状の絶縁性遮蔽部材４２が気密に取り付けられている。

外側上部電極３６は、ジュール熱の少ない低抵抗の導電体または半導体たとえばシリコンで構成されるのが好ましい。外側上部電極３６には、上部整合器４４、上部給電棒４６、コネクタ４８および給電筒５０を介して上部高周波電源５２が電気的に接続されている。上部高周波電源５２は、１３．５ＭＨｚ以上の周波数たとえばプラズマ生成用の６０ＭＨｚの高周波を出力する。上部整合器４４は、上部高周波電源５２の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるためのもので、チャンバ１０内にプラズマが生成されている時に上部高周波電源５０の出力インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。上部整合器４４の出力端子は上部給電棒４６の上端に接続されている。

給電筒５０は、円筒状または円錐状あるいはそれらに近い形状の導電板たとえばアルミニウム板または銅板からなり、下端が周回方向で連続的に外側上部電極３６に接続され、上端がコネクタ４８によって上部給電棒４６の下端部に電気的に接続されている。給電筒５０の外側では、チャンバ１０の側壁が上部電極３４の高さ位置よりも上方に延びて円筒状の接地導体１０ａを構成している。この円筒状接地導体１０ａの上端部は筒状の絶縁部材５４により上部給電棒４６から電気的に絶縁されている。かかる構成においては、コネクタ４８からみた負荷回路において、給電筒５０および外側上部電極３６と円筒状接地導体１０ａとで前者（３６，５０）を導波路とする同軸線路が形成される。

再び図１において、内側上部電極３８は、多数のガス通気孔５６ａを有するたとえばＳi、ＳiＣなどの半導体材料からなる電極板５６と、この電極板５６を着脱可能に支持する導電材料たとえば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体５８とを有する。電極支持体５８の内部には、たとえばＯリングからなる環状隔壁部材６０で分割された２つのガス導入室つまり中心ガス導入室６２と周辺ガス導入室６４とが設けられている。中心ガス導入室６２とその下面に設けられている多数のガス噴出孔５６ａとで中心シャワーヘッドが構成され、周辺ガス導入室６４とその下面に設けられている多数のガス噴出孔５６ａとで周辺シャワーヘッドが構成されている。

これらのガス導入室６２，６４には、共通の処理ガス供給源６６からの処理ガスが所望の流量比で供給されるようになっている。より詳細には、処理ガス供給源６６からのガス供給管６８が途中で２つに分岐してガス導入室６２，６４に接続され、それぞれの分岐管６８ａ，６８ｂに流量制御弁７０ａ，７０ｂが設けられている。処理ガス供給源６６からガス導入室６２，６４までの流路のコンダクタンスは等しいので、流量制御弁７０ａ，７０ｂの調整により、両ガス導入室６２，６４に供給する処理ガスの流量比を任意に調整できるようになっている。なお、ガス供給管６８にはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）７２および開閉バルブ７４が設けられている。このように、中心ガス導入室６２と周辺ガス導入室６４とに導入する処理ガスの流量比を調整することで、中心ガス導入室６２に対応する電極中心部のガス通気孔５６ａつまり中心シャワーヘッドより噴出されるガスの流量Ｆ_Cと周辺ガス導入室６４に対応する電極周辺部のガス通気孔５６ａつまり周辺シャワーヘッドより噴出されるガスの流量Ｆ_Eとの比率（Ｆ_C／Ｆ_E）を任意に調整できるようになっている。なお、中心シャワーヘッドおよび周辺シャワーヘッドよりそれぞれ噴出させる処理ガスの単位面積当たりの流量を異ならせることも可能である。さらに、中心シャワーヘッドおよび周辺シャワーヘッドよりそれぞれ噴出させる処理ガスのガス種またはガス混合比を独立または別個に選定することも可能である。

内側上部電極３８の電極支持体５８には、上部整合器４４、上部給電棒４６、コネクタ４８および下部給電筒７６を介して上部高周波電源５２が電気的に接続されている。下部給電筒７６の途中には、キャパシタンスを可変調整できる可変コンデンサ７８が設けられている。

図示省略するが、外側上部電極３６および内側上部電極３８にも適当な冷媒室または冷却ジャケット（図示せず）を設けて、外部のチラーユニットにより冷媒を介して電極の温度を制御できるように構成してもよい。

チャンバ１０の底部には排気口８０が設けられ、この排気口８０に排気管８２を介して排気装置８４が接続されている。排気装置８４は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ１０内のプラズマ処理空間を所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ１０の側壁には半導体ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ８６が取り付けられている。

このプラズマエッチング装置では、下部電極であるサセプタ１６に下部整合器８８を介して下部高周波電源９０が電気的に接続されている。この下部高周波電源９０は、２〜２７ＭＨｚの範囲内の周波数たとえばイオン引き込み用の２ＭＨｚの高周波を出力する。下部整合器８８は、下部高周波電源９０の内部または出力インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させるためのもので、チャンバ１０内にプラズマが生成されている時に下部高周波電源９０の出力インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。

内側上部電極３８には、上部高周波電源５２からの高周波（６０ＭＨｚ）を通さずに下部高周波電源９０からの高周波（２ＭＨｚ）をグランドへ通すためのローパスフィルタ（ＬＰＦ）９２が電気的に接続されている。このローパスフィルタ（ＬＰＦ）９２は、好適にはＬＲフィルタまたはＬＣフィルタで構成されてよいが、１本の導線だけでも上部高周波電源５２からの高周波（６０ＭＨｚ）に対しては十分大きなリアクタンスを与えることができるので、それで済ますこともできる。一方、サセプタ１６には、上部高周波電源５２からの高周波（６０ＭＨｚ）をグランドへ通すためのハイパスフィルタ（ＨＰＦ）９４が電気的に接続されている。

主制御部１００は、ＣＰＵやメモリ等を含むコンピュータシステムからなり、装置内の各部、特に高周波電源５２，９０、処理ガス供給源６６および整合器４４，８８等の個々の動作と全体の動作（シーケンス）を制御する。主制御部１００内の構成は図１３につき後に説明する。

このプラズマエッチング装置において、エッチングを行なうには、先ずゲートバルブ８６を開状態にして加工対象の半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入して、サセプタ１６の上に載置する。そして、直流電源２２より直流電圧を静電チャック１８の電極２０に印加して、半導体ウエハＷをサセプタ１６に固定する。次いで、排気装置８４によりチャンバ１０内を排気するとともに、処理ガス供給源６６よりエッチングガス（一般に混合ガス）を所定の流量および流量比でガス導入室６２，６４に導入し、排気装置８４によりチャンバ１０内の圧力つまりエッチング圧力を設定値（たとえば数mTorr）とする。次いで、下部高周波電源９０より高周波（２ＭＨｚ）を所定のパワーでサセプタ１６に印加し、続いて上部高周波電源５２からも高周波（６０ＭＨｚ）を所定のパワーで上部電極３４（３６，３８）に印加する。内側上部電極３８のガス通気孔５６ａより吐出されたエッチングガスは上部電極３４（３６，３８）とサセプタ１６間のグロー放電中でプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハＷの被処理面がエッチングされる。

上記のように、上部高周波電源５２より出力される高周波（６０ＭＨｚ）と下部高周波電源９０より出力される高周波（２ＭＨｚ）との間には、イオン引き込み用の高周波（２ＭＨｚ）が先入れで下部電極１６に給電され、プラズマ生成用の上部高周波（６０ＭＨｚ）が後入れで上部電極３４に印加されるという給電開始時間上の前後関係がある。

このプラズマエッチング装置では、上部電極３４に対して高い周波数領域（イオンが動けない５〜１０ＭＨｚ以上）の高周波を印加することにより、プラズマを好ましい解離状態で高密度化し、より低圧の条件下でも高密度プラズマを形成することができる。しかも、後に詳述する先入れ側の上部整合器４４におけるインピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値最適化機能により、プロセスレシピの各種条件（チャンバ内の圧力、上部および下部高周波パワー、ガス流量等）に特別な選定や切り替えを要することなく低圧下でも（あるいはチャンバ内にデポジションが付着していても）プラズマを確実に着火させることができるようになっている。また、プラズマ着火後のオートマッチングでは、負荷インピーダンスのモニタリングに測定誤差があっても、後述する整合ポイント補正機能により、高い精度でマッチング状態を確立できるようになっている。

なお、上述したプラズマエッチング装置は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜をエッチングするための装置の例であり、イオン引き込み用の下部高周波（２ＭＨｚ）が先入れで下部電極１６に印加され、プラズマ生成用の上部高周波（６０ＭＨｚ）が後入れで上部電極３４に印加されるという順番であった。しかし、たとえばポリシリコン膜をエッチングするためのプラズマエッチング装置は、諸所の事情または条件により上部電極にまず高周波（たとえば６０ＭＨｚ）を印加し、その後下部電極に高周波（たとえば１３．５６ＭＨｚ）を印加する順番のケースが多い。因みに、ポリシリコン膜をエッチングするためのプラズマ処理装置は、特にチャンバ内の低圧条件が望まれている。

以下では、便宜的に、ポリシリコン膜をエッチングするためのプラズマ処理装置で多用されている上部電極への高周波先入れ、下部電極への高周波後入れのケースで説明する。

図３に、このプラズマエッチング装置に適用可能な第１の技法による高周波給電システムの構成を示す。上部整合器４４は、インピーダンス可変の可変整合器であり、少なくとも１つの可変リアクタンス素子を含む整合回路１０２と、この整合回路１０２の各可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションを個別に可変制御するためのコントローラ１０４と、整合回路１０２を含めた負荷インピーダンスＺ_inを測定する機能を有するＲＦセンサ１０６とを有している。

図示の例では、整合回路１０２が２つの可変コンデンサＣ₁，Ｃ₂と１つのインダクタンスコイルＬ₁とからなるＴ形回路として構成され、コントローラ１０４がステップモータ１０８，１１０を通じて可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）のインピーダンス・ポジションを可変制御できるようになっている。ＲＦセンサ１０６は、たとえばその設置位置における伝送線路上のＲＦ電圧およびＲＦ電流をそれぞれ検出する電圧センサおよび電流センサを有し、電圧測定値および電流測定値から負荷インピーダンスＺ_inの測定値を複素数表示で求める。コントローラ１０４は、たとえばマイクロコンピュータからなり、ＲＦセンサ１０６より負荷インピーダンスＺ_inの測定値を受け取り、主制御部１００からは各種の設定値やコマンドを受け取る。

さらに、この第１の技法では、上部整合器４４の出力側で伝送線路または導波路上の高周波電圧の波高値（ピーク対ピーク値）Ｖ_ppを測定するためのＶ_pp測定回路１１２も上部整合器４４内に設けられている。このＶ_pp測定回路１１２で得られたＶ_ppの測定値は主制御部１００に取り込まれる。

図４に、上部整合器４４および下部整合器８８におけるインピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値最適化のために装置稼動前に行われるオートラーニングの手順（特に主制御部１００の処理手順）を示す。

以下、上部整合器４４に係る上記オートラーニングの手順を説明する。先ず、初期化（ステップＡ₁）では、オートラーニング用の各種設定値を所定のレジスタにセットし、機械的な可動部を初期位置にセットする。次に、排気装置８４を作動させてチャンバ１０内を所定圧力の真空状態にしてから（ステップＡ₂）、上部高周波電源５２をオンにする（ステップＡ₃）。そうすると、上部高周波電源５２より伝送線路上に出力された高周波は上部整合器４４を通ってチャンバ１０内の上部電極３４に給電される。ここで、上部高周波電源５２の出力は、上部電極３４と下部電極１６との間で放電が発しない程度の低いパワーに設定される。なお、下部高周波電源９０はオフのままにしておく。

上部整合器４４においては、両可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）のインピーダンス・ポジションが先の初期化で初期位置にセットされており、Ｖ_pp測定回路１１２はその初期位置の（Ｃ₁，Ｃ₂）インピーダンス・ポジションの下で出力側の導波路上に得られる高周波電圧の波高値Ｖ_ppを測定する。ここで、Ｖ_pp測定回路１１２により測定される導波路上の高周波電圧の波高値Ｖ_ppは、上部電極３４における高周波電圧の波高値と比例関係にある。Ｖ_pp測定回路１１２で得られたＶ_pp測定値は、コントローラ１０４を介して主制御部１００に取り込まれ、主制御部１００内のメモリに格納される（ステップＡ₄）。

こうして、初期位置の（Ｃ₁，Ｃ₂）インピーダンス・ポジションの下でＶ_ppの測定が済むと、次に主制御部１００はコントローラ１０４およびステップモータ１１０，１１２を介して可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）のインピーダンス・ポジションを１ステップ移動させ（ステップＡ₅）、移動先のインピーダンス・ポジションの下でＶ_pp測定回路１１２より得られるＶ_pp測定値を取り込む（ステップＡ₆→Ａ₇→Ａ₄）。その後も、可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）のインピーダンス・ポジションを次のポジションへ移動させ、その移動先のインピーダンス・ポジションでＶ_pp測定回路１１２より得られるＶ_pp測定値を取り込むという一連の処理を繰り返す（ステップＡ₅→Ａ₆→Ａ₇→Ａ₄→Ａ₅・・）。

図５に、可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）のインピーダンス・ポジションを順次移動させる手順の一例を示す。この例では、可変コンデンサＣ₁の移動ポジションが予め可変範囲（０％〜１００％）内で０（０％）からｍ（１００％）までｍ＋１個選定され、可変コンデンサＣ₂の移動ポジションが予め可変範囲（０％〜１００％）内で０（０％）からｎ（１００％）までｎ＋１個選定されている。

図５の（Ａ）に示す手順は、最初に可変コンデンサＣ₁のポジションを０に保ったまま、可変コンデンサＣ₂のポジションを０からｎまで振って、（Ｃ₁，Ｃ₂）＝（０，０），（０，１），・・（０，ｎ）の各インピーダンス・ポジションの下でＶ_ppを測定してその測定値を記録する。次に、可変コンデンサＣ₁のポジションを１に移し、可変コンデンサＣ₂のポジションを０からｎまで振って、（Ｃ₁，Ｃ₂）＝（１，０），（１，１），・・（１，ｎ）の各インピーダンス・ポジションの下でＶ_ppを測定してその測定値を記録する。以下、可変コンデンサＣ₁のポジションを２，３，・・と順次移して上記と同様のＶ_pp測定および記録（ロギング）を繰り返し、最後は（Ｃ₁，Ｃ₂）＝（ｍ，０），（ｍ，１），・・（ｍ，ｎ）の各インピーダンス・ポジションの下でＶ_ppを測定してその測定値を記録する。なお、可変コンデンサＣ₁，Ｃ₂のポジションを振るピッチは１に限るものではなく、２以上でもよい。

図５の（Ｂ）に示す手順は、可変コンデンサＣ₁のポジションが偶数番目（０，２，４，・・）のときは可変コンデンサＣ₂のポジションを昇順（０，１，２，３・・）で移動させ、可変コンデンサＣ₁のポジションが奇数番目（１，３，５，・・）のときは可変コンデンサＣ₂のポジションを降順（ｎ，ｎ−１，ｎ−２，・・）で移動させる点に特徴があり、他は図５の（Ａ）と同じである。図５の（Ｂ）の方が、可変コンデンサＣ₁のポジションを１ステップ移動させる度毎に可変コンデンサＣ₂側でステップモータ１０８の巻き戻しを行わずに済み、効率がよい。

上記のようなロギングの結果として、主制御部１００内のメモリ上には、図６のマッピングで示すように、可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）の可変範囲内で選定された（全体的に網羅された）全てのインピーダンス・ポジションに対応するＶ_pp測定値が全部出揃う。

図７に、Ｖ_pp測定値分布の一例を特性曲線で示す。この特性曲線は、可変コンデンサＣ₁，Ｃ₂の可変範囲がそれぞれ０〜１５００段階あり、その中でＣ₁のポジションを１００ピッチで振り、Ｃ₂のポジションを７５ピッチで振って得られたものである。この例では、（Ｃ₁，Ｃ₂）＝（１５００，１０５０）のポジションで得られるＶ_pp測定値（約６４０ボルト）が最大値またはその付近の値であることがわかる。

主制御部１００は、ロギング終了後に上部高周波電源５２をオフにし（ステップＡ₈）、メモリに取り込んである全てのＶ_pp測定値の中で最大のものを最大値決定処理（比較演算）で決定し（ステップＡ₉）、このＶ_pp最大値に対応する可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）のインピーダンス・ポジションをプラズマ処理のための上部ＲＦ投入開始時のポジションつまりプラズマ着火用の最適オフ・プリセット・ポジションとして登録する（ステップＡ₁₀）。

下部整合器８８も上部整合器４４と同様の構成または機能を有する可変整合器であり、下部整合器８８におけるインピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値最適化のためのオートラーニングの手順も基本的には上記した上部整合器４４に係るオートラーニングの手順と共通している。ただし、先入れ側の上部整合器４４に係るオートラーニングではプラズマ着火に最適なインピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値を決定（同定）したのに対して、後入れ側の下部整合器８８に係るオートラーニングではその必要はない。むしろ、下部電極１６に対する下部高周波の給電を開始した時には既に着火しているプラズマに極力変動を来たさないようなインピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値を決定（同定）するのが望ましい。

上記のような観点から、下部整合器８８に係るオートラーニングでは、上部整合器４４に係るオートラーニングと同じ手順でＶ_ppロギング情報を得たうえで（ステップＡ₁〜Ａ₈）、全てのＶ_pp測定値の中から最小のものを最小値決定処理（比較演算）で決定し（ステップＡ₉）、このＶ_pp最小値に対応する下部整合器８８のインピーダンス・ポジションを下部ＲＦ投入開始時のポジションつまり着火後のプラズマに与える影響の最も少ない最適オフ・プリセット・ポジションとして登録する（ステップＡ₁₀）。

図８に、第１の技法におけるプラズマ処理の主要な手順（特に主制御部１００の処理手順）を示す。初期化（ステップＢ₁）では、実プロセスに用いる各種条件の設定値（プロセスレシピの設定値）を所定のレジスタにセットし、機械的な可動部分を初期位置にセットする。その中で、主制御部１００は、上部整合器４４および下部整合器８８を上記オートラーニングで登録してあるインピーダンス・ポジションにセットする。より詳細には、上部整合器４４のオフ・プリセット値をＶ_pp最大値に対応する登録インピーダンス・ポジションに合わせ、下部整合器８８のオフ・プリセット値をＶ_pp最小値に対応する登録インピーダンス・ポジションに合わせる。

初期化の後に、加工対象の半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入し、サセプタ１６上に載置する（ステップＢ₂）。そして、直流電源２２より直流電圧を静電チャック１８の電極２０に印加して、半導体ウエハＷをサセプタ１６に固定する。

次いで、排気装置８４によりチャンバ１０内を排気し（ステップＢ₃）、処理ガス供給源６６よりエッチングガスを所定の流量および流量比でガス導入室６２，６４に導入し、排気装置８４によりチャンバ１０内の圧力を設定値（たとえば数mTorr）とする（ステップＢ₄）。

次いで、上部整合器４４が上記のようにＶ_pp最大値に対応する登録インピーダンス・ポジションにセットされている初期状態の下で、上部高周波電源５２をオンにして予設定のＲＦパワーで高周波を出力させる（ステップＢ₅）。上部高周波電源５２より出力された高周波は上部整合器４４を介して上部電極３４に給電され、上部電極３４と下部電極１６との間に高周波の電界が形成される。ここで、上部高周波電源５２と負荷との間にインピーダンス整合がとれていなくても、上部電極３４のＶ_pp（ひいては電極間の高周波電界）は当該上部ＲＦパワーの下で可能な最大の電圧波高値（ひいては最大電界強度）またはその付近の値になっているため、エッチングガスが速やかに放電を開始して、ガスプラズマが発生する。

次に、主制御部１００は、たとえばタイマ機能を用いて、上部ＲＦパワーの投入開始から一定時間後に、上部整合器４４に対してオフ・プリセット値を解除し、上部整合器４４内のオートマッチングに切り替える（ステップＢ₆）。このオートマッチングでは、コントローラ１０４が、ＲＦセンサ１０６より負荷インピーダンスＺ_inの測定値を受け取り、その測定値を整合用の基準インピーダンスまたは整合ポイントＺ_MPに一致させるようにパルスモータ１０８，１１０を通じて可変コンデンサ（Ｃ₁，Ｃ₂）のインピーダンス・ポジションをフィードバック制御で可変制御する。こうして、上部高周波電源５２からの高周波が最大の伝送効率および設定通りのパワーで上部電極３４に給電され、高密度のプラズマが生成される。なお、オフ・プリセット値からオートマッチングへの切り替えを制御するために、タイマ機能に代えて、プラズマが着火したことを光学的に確認するセンサを用いることも可能である。

次に、主制御部１００は、たとえば上記と同様のタイマ機能によりプラズマが安定する頃合をみて、下部高周波電源９０をオンにして予設定の下部ＲＦパワーで高周波を出力させる（ステップＢ₇）。この下部ＲＦ投入開始の際に、下部整合器８８は上記のようにＶ_pp最小値に対応する登録インピーダンス・ポジションにセットされている。このため、下部高周波に対応する下部電極１６のＶ_ppは当該下部ＲＦパワーの下で可能な最小の電圧波高値またはその付近の値になり、既発生または生成中のプラズマに与える影響が最小限に抑えられる。そして、たとえば上記と同様のタイマ機能により一定時間後に下部整合器８８に対してオフ・プリセット値を解除し、下部整合器８８内のオートマッチングに切り替える（ステップＢ₆）。この下部整合器８８のオートマッチングでも、図示省略するが、整合器内部のコントローラが、ＲＦセンサより得られる負荷インピーダンスの測定値を整合ポイントに一致させるようにパルスモータを通じて可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションをフィードバック制御で可変制御する。こうして、下部高周波電源９０からの高周波が最大の伝送効率および設定通りのパワーで下部電極１６に給電され、プラズマエッチングが行われる（ステップＢ₉）。

そして、所期のプラズマエッチング加工が完了したなら、上部および下部高周波電源５２，９０をそれぞれオフにし（ステップＢ₁₀）、処理ガス供給源６６にエッチングガスの供給を停止させる（ステップＢ₁₁）。しかる後、処理済の半導体ウエハＷをチャンバ１０から搬出する（ステップＢ₁₂）。

上記の第１の技法においては、プロセスの開始後にプロセス条件（圧力、ＲＦパワー等）の切り替えを一切行うことなく、上部整合器４４および下部整合器８８におけるインピーダンス・ポジションのオフ・プリセット値または初期値を特定の値（最適値）に設定するだけで、低圧力下でもプラズマを確実に着火させ、かつ安定に維持して、高密度プラズマによる微細なエッチング加工を実施することができる。

なお、上記第１の技法において、主制御部１００は、Ｖ_pp測定値の取り込み・記憶、Ｖ_pp測定値の最大値（最小値）決定処理、オフプリセット値の登録インピーダンス・ポジションへの変更、タイマ機能によるオフ・プリセット値の解除、等を行っている。しかし、これに限らず、たとえばタイマ機能およびタイマ機能によるオフ・プリセット値の解除は、整合器４４内にあるコントローラ１０４が行ってもよく、実際にはその方が好ましいことが多々ある。また、Ｖ_pp測定値の取り込み・記憶、Ｖ_pp測定値の最大値（最小値）決定処理、オフ・プリセット値の登録インピーダンス・ポジションへの変更等をコントローラ１０４が行ってもよい。

図９に、本発明の一実施形態における高周波給電システムの構成を示す。この実施形態において上記した第１の技法と異なる構成は２つある。１つは、整合回路１０２の回路構成をＴ形からはしご形に変形した点であり、コントローラ１０４がステップモータ１０８，１１０を通じてそれぞれ可変コンデンサＣ₃および可変インダクタンスコイルＬ₂のインピーダンス・ポジションを可変制御するようになっている。なお、後段のコンデンサＣ₄、インダクタンスコイルＬ₃はそれぞれ固定キャパシタンスおよび固定インダクタンスコイルである。このように、整合器内の整合回路１０２は、１つまたは複数の可変リアクタンス素子を有する任意の可変整合回路で構成することができる。他の特徴的な構成は、高周波電源５２，９０の出力端子に整合器４４，８８側から伝送線路上を伝播してくる反射波を受信して反射波の電力を測定する反射波測定回路１１４，１１６を備えている点である。

上記第１の技法と同様に、各整合器４４，８８においてオートマッチングを行うときは、コントローラ１０４が、ＲＦセンサ１０６で得られる負荷インピーダンスＺ_inの測定値が整合ポイントＺ_MPに一致するようにパルスモータ１０８，１１０を通じて可変コンデンサＣ₃および可変インダクタンスコイルＬ₂のインピーダンス・ポジションをフィードバック制御で可変制御する。ここで、整合ポイントＺ_MPは高周波電源の出力インピーダンスに等しい純抵抗値の５０Ω（Ｚ_MP＝５０＋ｊ０）に設定されるのが通例である。

しかしながら、ＲＦセンサ１０６の測定精度に誤差があると、ＲＦセンサ１０６で得られる負荷インピーダンスＺ_inの測定値が見かけ上純抵抗値の５０Ω（Ｚ_in＝５０＋ｊ０）を示していても、実際には整合ポイント（Ｚ_MP＝５０＋ｊ０）に一致していないことがある。また、高周波の波形ひずみが大きいときにもＲＦセンサ１０６の測定精度が不安定になり、見かけ上Ｚ_in＝５０＋ｊ０の測定値が得られても、整合ポイント（Ｚ_MP＝５０＋ｊ０）に一致していないことがある。このような場合に、上記のようなインピーダンスマッチングのためのフィードバック制御を行えば、整合ポイントＺ_MPからずれたインピーダンスに負荷インピーダンスを合わせる結果となり、ＲＦ伝送特性が低下してプラズマプロセスに影響を来たすおそれがある。

この実施形態では、以下に述べるように、ＲＦセンサの測定誤差や実プロセス中の高周波の波形ひずみ等に起因するＲＦセンサにおける負荷インピーダンス測定精度の低下を補償する整合ポイント補正機能が備わっている。

図１０に、この実施形態において整合ポイント補正機能のために装置稼動前に行われるオートラーニングの手順（特に主制御部１００の処理手順）を示す。

この整合ポイント補正のためのオートラーニングは、特定の実プロセスと実質的に同一の条件の下で、上部整合器４４および下部整合器８８について片方ずつの実施も可能であり、あるいは両方同時実施も可能である。

説明の便宜上、上部整合器４４におけるオートラーニングの手順を説明する。先ず、初期化（ステップＣ₁）では、特定の実プロセスと同一のプロセスレシピを所定のレジスタにセットし、機械的な可動部を初期位置にセットする。ただし、オートラーニングのために、上部整合器４４のオートマッチングにおいて負荷インピーダンスＺ_inの目標点となる基準インピーダンスＺ_s（Ｚ_s＝Ｒ＋ｊＸ）が標準整合ポイントの５０Ω（Ｚ_MP＝５０＋ｊ０）を中心として予め多数選定されており、それらの中の１つ（初期値）をセットする。

初期化の後に、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入し、サセプタ１６上に載置する（ステップＣ₂）。そして、直流電源２２より直流電圧を静電チャック１８の電極２０に印加して、ダミーウエハＷをサセプタ１６に固定する。

次いで、排気装置８４によりチャンバ１０内を排気し（ステップＣ₃）、処理ガス供給源６６より実プロセスと同じ条件でエッチングガス（一般に混合ガス）を所定の流量および流量比でガス導入室６２，６４に導入し、排気装置８４によりチャンバ１０内の圧力を設定値としてから（ステップＣ₄）、上部高周波電源５２および下部高周波電源８８をそれぞれ予設定のＲＦパワーでオンにする（ステップＣ₅）。この場合、上記した第１の実施例と同様に上部ＲＦを先入れでオンにし、下部ＲＦを後入れでオンにしてよい。

上部整合器４４においては、上部ＲＦについて負荷インピーダンスＺ_inを基準インピーダンスＺ_sに一致させるためのオートマッチングが行われる。より詳細には、コントローラ１０４が、ＲＦセンサ１０６で得られる負荷インピーダンスの測定値が基準インピーダンスＺ_s（Ｚ_s＝Ｒ＋ｊＸ）に一致するようにパルスモータ１０８，１１０を通じて可変コンデンサＣ₁および／または可変インダクタンスコイルＬ₁のインピーダンス・ポジションをフィードバック制御で可変制御する。ここで、基準インピーダンスＺ_sは先の初期化（ステップＣ₁）でセットされている初期値である。

主制御部１００は、たとえばタイマ機能によりマッチングが確立した頃合を見計らって、反射波測定回路１１４で得られた反射波電力Ｐ_rの測定値を取り込んでメモリに格納する（ステップＣ₆）。しかる後、上部高周波電源５２をいったんオフにする（ステップＣ₇）。そして、基準インピーダンスＺ_sを次のポイントへ移動させ（ステップＣ₇）、改めて上部高周波電源５２をオンにしてＲＦ給電を再開し（ステップＣ₉→Ｃ₁₀→Ｃ₅）、上部整合器４４にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路１１４で得られた反射波電力Ｐ_rの測定値を取り込む（ステップＣ₆）。その後も、基準インピーダンスＺ_sを予設定のポジションへ順次移動させて、各移動先の基準インピーダンスＺ_sの下で反射波測定回路１１４より得られるＰ_r測定値を取り込む一連の処理を繰り返す（ステップＣ₈→Ｃ₉→Ｃ₁₀→Ｃ₅→Ｃ₆・・）。

図１１に、基準インピーダンスＺ_s（Ｚ_s＝Ｒ＋ｊＸ）のポイント（選定値）を順次移動させる手順の一例を示す。この例では、実数部Ｒが標準の５０（Ω）を中心に３０（Ω）〜７０（Ω）の範囲内に５（Ω）のピッチで複数ポイント選定され、虚数部Ｘが標準の０（Ω）を中心に−２０（Ω）〜２０（Ω）の範囲内に５（Ω）のピッチで複数ポイント選定される。

図示の手順は、最初に実数部Ｒを５０（Ω）に固定して、虚数部Ｘを０（Ω）から２０（Ω）まで振り、（Ｒ＋ｊＸ）＝（５０＋ｊ０），（５０＋ｊ５），・・（５０＋ｊ２０）の各基準インピーダンスＺ_sの下で上部整合器４４にオートマッチングを行わせ、Ｐ_rを測定してその測定値を記録する。次に、実数部Ｒを５０（Ω）に保ったまま、虚数部Ｘを０（Ω）から−２０（Ω）まで振って、（Ｒ＋ｊＸ）＝（５０−ｊ０），（５０−ｊ５），・・（５０−ｊ２０）の各基準インピーダンスＺ_sの下で上部整合器４４にオートマッチングを行わせ、Ｐ_rを測定してその測定値を記録する。次に、実数部Ｒを４５（Ω）に移動または変更し、上記と同様の仕方で虚数部Ｘを０（Ω）から２０（Ω）まで、および０（Ω）から−２０（Ω）まで振って、各基準インピーダンスＺ_sの下で上部整合器４４にオートマッチングを行わせ、Ｐ_rを測定してその測定値を記録する。次に、実数部Ｒを５５（Ω）に移動または変更し、上記と同様の仕方で虚数部Ｘを０（Ω）から２０（Ω）まで、および０（Ω）から−２０（Ω）まで振って、各基準インピーダンスＺ_sの下で上部整合器４４にオートマッチングを行わせ、Ｐ_rを測定してその測定値を記録する。以下、上記の要領で基準インピーダンスＺ_sの移動とＰ_r測定および記録（ロギング）とを繰り返す。

上記のようなロギングの結果として、主制御部１００内のメモリ上には、実プロセスと同じ条件の下で、予め選定された全ての基準インピーダンスＺ_sに対する上部整合器４４のオートマッチングの結果として反射波測定回路１１６より得られたＰ_r測定値が全部出揃う。実際には、たとえば図１２に示すように、基準インピーダンスＺ_sの値によっては、マッチングが全然とれず、反射が大きすぎたり、反射波がハンチングを起こして測定不能となる（インターロックから外れる）場合が多いので、傾向分析からロギングの絞込みを行ってもよい。

主制御部１００は、ロギング終了後に処理ガス供給源６６をオフにしてエッチングガスの供給を停止し（ステップＣ₁₁）、メモリに取り込んである全てのＰ_r測定値の中で最小のもの（理想的にはＰ_r＝０）を最小値決定処理（比較演算）で決定し（ステップＣ₁₂）、このＰ_r最小値が得られたときの基準インピーダンスＺ_sを当該実プロセスに対応する整合ポイントＺ_MSとして登録する（ステップＣ₁₃）。図１２の例の場合は、Ｒ＋ｊＸ＝６０−ｊ１０のポイントでＰ_r最小値が得られているので、当該実プロセス用の上部整合器４４の整合ポイントＺ_MSはＺ_MS＝６０−ｊ１０と設定される。

下部整合器８８における整合ポイント補正のためのオートラーニングも、主制御１００と下部整合器８８と反射波測定回路１１６との間で上記と全く同じ手順（図１０）で行われてよい。もっとも、下部高周波給電系統と上部高周波給電系統とは周波数やＲＦパワーだけでなく負荷インピーダンスそのものも異なるので、オートラーニングの結果として得られる補正整合ポイントＺ_MSの値も異なるのが普通である。また、この実施例のオートラーニングは、プロセスレシピ毎にプロセス条件を変えて行われるので、プロセスレシピ毎に独立した補正整合ポイントＺ_MSが得られる。実際のプロセスにおけるオートマッチング（たとえば図８のステップＢ₆，Ｂ₈）では、当該プロセスレシピに対応した補正整合ポイントＺ_MSが主制御部１００よりコントローラ１０４に与えられる。

この実施形態によれば、上部整合器４４のＲＦセンサ１０６または下部整合器４４のＲＦセンサ（図示せず）の測定精度に誤差があっても、あるいは実プロセス中の高周波の波形ひずみが大きいときでも、上記のようなオートラーニングによる整合ポイント補正機能により、反射波の電力を零または最小にする方向に整合器４４，８８のオートマッチングが働くので、プロセスの安定性や再現性を改善できる。

なお、上記実施形態において、主制御部１００は、反射波電力Ｐ_rの取り込み・記憶、Ｐ_r測定値の最小値決定処理、Ｚ_MSの登録、等を行っている。しかし、上記第１の技法と同様に、これに限られず、上記の機能をコントローラ１０４が行ってもよい。

図１３に、主制御部１００の構成例を示す。この構成例の主制御部１００は、バス１２０を介して接続されたプロセッサ（ＣＰＵ）１２２、メモリ（ＲＡＭ）１２４、プログラム格納装置（ＨＤＤ）１２６、フロッピドライブあるいは光ディスクなどのディスクドライブ（ＤＲＶ）１２８、キーボードやマウスなどの入力デバイス（ＫＥＹ）１３０、表示装置（ＤＩＳ）１３２、ネットワーク・インタフェース（ＣＯＭ）１３４、および周辺インタフェース（Ｉ／Ｆ）１３６を有する。

プロセッサ（ＣＰＵ）１２２は、ディスクドライブ（ＤＲＶ）１２８に装填されたＦＤあるいは光ディスクなどの記憶媒体１３８から所要のプログラムのコードを読み取って、ＨＤＤ１２６に格納する。あるいは、所要のプログラムをネットワークからネットワーク・インタフェース７６を介してダウンロードすることも可能である。そして、プロセッサ（ＣＰＵ）１２２は、各段階または各場面で必要なプログラムのコードをＨＤＤ１２６からワーキングメモリ（ＲＡＭ）１２４上に展開して各ステップを実行し、所要の演算処理を行って周辺インタフェース７８を介して装置内の各部（整合器４４，８８、高周波電源５２，９０、処理ガス供給源６６、排気装置８４等）を制御する。上記第１および第２の実施例で説明したオートラーニングや実プロセスに用いるプログラムは全てこのコンピュータシステムで実行される。

以上、一実施形態について説明したが、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、平行平板型において、高周波を一方の電極だけに給電し、他方の電極には給電しない方式や、あるいは一方の電極に２種類の高周波を同時に給電する方式等も可能であり、いずれの場合でも各高周波電源と各電極との間に接続される可変整合器に本発明を適用することができる。また、整合器内の構成も整合回路１０２だけでなくＲＦセンサやコントローラ類も種々の変形が可能であり、Ｖ_pp測定回路１１２を整合器の外に設ける構成も可能である。

上記した実施形態は高周波電極をチャンバの中に設ける容量結合型の平行平板プラズマ処理装置に係るものであったが、本発明は高周波電極をチャンバの外に設けるヘリコン波プラズマ方式やＥＣＲプラズマ方式等のプラズマ処理装置にも適用可能である。本発明は、プラズマエッチングに限らず、プラズマＣＶＤ、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリングなど種々のプラズマ処理に適用可能である。発明における被処理基板は半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用の各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等も可能である。

１０ チャンバ
１６ サセプタ（下部電極）
３４ 上部電極
４４ 上部整合器
５２ 上部高周波電源
６６ 処理ガス供給源
８８ 下部整合器
９０ 下部高周波電源
１００ 主制御部
１０２ 整合回路
Ｃ₁，Ｃ₂，Ｃ₃ 可変コンデンサ
Ｌ₁ 可変インダクタンスコイル
１０４ コントローラ
１０６ ＲＦセンサ
１０８，１１０ ステップモータ
１１２ Ｖ_pp 測定回路
１１４，１１６ 反射波測定回路
１２２ プロセッサ（ＣＰＵ）
１２４ メモリ（ＲＡＭ）
１２８ プログラム記憶装置（ＨＤＤ）
１３８ 記憶媒体

Claims (4)

1. 減圧可能なチャンバ内の所定位置にダミーの被処理基板を配置し、所望のプロセスレシピと実質的に同じ条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、高周波電源より所定周波数の高周波を所定のパワーで所定の高周波電極に可変整合器を介して給電して前記チャンバ内にプラズマを生成し、負荷インピーダンスの測定値が予め選定された複数の基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御する第１の工程と、
   各々の前記基準インピーダンスの下で前記高周波電源側に得られる反射波の電力を測定して測定値を記録する第２の工程と、
   前記複数の基準インピーダンスの中で前記反射波電力の測定値が最小値または最小値付近になるときの基準インピーダンスを登録する第３の工程と、
   前記チャンバ内の前記所定位置に正規の被処理基板を配置し、前記プロセスレシピの条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、前記高周波電源より前記高周波を所定のパワーで前記高周波電極に前記可変整合器を介して給電して前記チャンバ内にプラズマを生成し、負荷インピーダンスの測定値が前記登録された基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御して、前記基板にプラズマ処理を施す第４の工程と
   を有するプラズマ処理方法。
2. 減圧可能なチャンバ内の下部電極の上にダミーの被処理基板を配置し、所望のプロセスレシピと実質的に同じ条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、前記チャンバ内で前記処理ガスを第１の高周波により放電させてプラズマを生成するとともに、高周波電源より第２の周波数の高周波を所定のパワーで前記下部電極に可変整合器を介して給電して前記プラズマ中のイオンを前記基板に引き込み、負荷インピーダンスの測定値が予め選定された複数の基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御する第１の工程と、
   各々の前記基準インピーダンスの下で前記高周波電源側に得られる反射波の電力を測定して測定値を記録する第２の工程と、
   前記複数の基準インピーダンスの中で前記反射波電力の測定値が最小値または最小値付近になるときの基準インピーダンスを登録する第３の工程と、
   前記チャンバ内の前記所定位置に正規の被処理基板を配置し、前記プロセスレシピの条件で前記チャンバ内を所定の真空度に減圧し、前記チャンバ内に所定の処理ガスを供給し、前記チャンバ内で前記処理ガスを前記第１の高周波により放電させてプラズマを生成するとともに、前記高周波電源より前記第２の高周波を所定のパワーで前記下部電極に前記可変整合器を介して給電して前記プラズマ中のイオンを前記基板に引き込み、負荷インピーダンスの測定値が前記登録された基準インピーダンスに一致するように前記可変整合器のインピーダンスを可変制御して、前記基板にプラズマ処理を施す第４の工程と
   を有するプラズマ処理方法。
3. 前記第１の工程では、前記負荷インピーダンスの測定値を各々の前記基準インピーダンスに一致させる操作を行う度毎に、改めて前記高周波電源からの前記高周波を前記高周波電極に給電してプラズマを生成する、請求項１または請求項２記載のプラズマ処理方法。
4. 前記第２の工程では、タイマ機能によりマッチングが確立した頃合いを見計らって反射波電力の測定値を取り込む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。

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