JP2011115022A - Shaft motor, stage device, and exposure apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シャフトモータ及びステージ装置並びに露光装置に関するものである。 The present invention relates to a shaft motor, a stage apparatus, and an exposure apparatus.
ステージ装置及びこのステージ装置を備えた露光装置において、物体を移動させる際の駆動装置としては、電磁気的相互作用の一種であるローレンツ力により相対移動する軸体と筒体とを固定子及び可動子とするシャフトモータが用いられることがある(例えば、特許文献1参照)。 In a stage apparatus and an exposure apparatus provided with this stage apparatus, as a driving apparatus for moving an object, a shaft and a cylinder that move relative to each other by Lorentz force, which is a kind of electromagnetic interaction, are fixed and movable. A shaft motor may be used (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
固定子の中心軸と可動子の中心軸との位置ずれを抑えるために、ガイド装置を用いる必要があるため、装置の大型化及び高価格化を招くという問題が生じる。
However, the following problems exist in the conventional technology as described above.
Since it is necessary to use a guide device in order to suppress the positional deviation between the central axis of the stator and the central axis of the mover, there arises a problem that the apparatus is increased in size and cost.
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、装置の大型化及び高価格化を防止できるシャフトモータ及びステージ装置並びに露光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a shaft motor, a stage apparatus, and an exposure apparatus that can prevent an increase in size and cost of the apparatus.
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のシャフトモータは、軸体と筒体との一方に発磁体が設けられ、軸体と筒体との他方にコイル体が設けられたシャフトーモータであって、前記軸体の軸線位置と、前記筒体の軸線位置とを同軸となるように調整する位置調整装置を有するものである。
In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
A shaft motor according to the present invention is a shaft motor in which a magnetomotive member is provided on one of a shaft body and a cylindrical body, and a coil body is provided on the other of the shaft body and the cylindrical body, and the axial position of the shaft body And a position adjusting device that adjusts the axial position of the cylindrical body to be coaxial.
また、本発明のステージ装置は、本発明のシャフトモータを駆動装置として備えるものである。 Moreover, the stage apparatus of this invention is equipped with the shaft motor of this invention as a drive device.
そして、本発明の露光装置は、本発明のステージ装置を備えるものである。 The exposure apparatus of the present invention includes the stage apparatus of the present invention.
本発明では、装置の大型化及び高価格化を防止しつつ、固定子と可動子との軸線位置を一致させることができる。 In the present invention, the axial positions of the stator and the mover can be matched while preventing an increase in size and cost of the apparatus.
以下、本発明のシャフトモータ及びステージ装置並びに露光装置の実施の形態を、図1ないし図17を参照して説明する。 Embodiments of a shaft motor, a stage apparatus, and an exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
(シャフトモータ;第1実施形態)
まず、シャフトモータの第1実施形態について、図1乃至図3を参照して説明する。
ここでは、発磁体を有する軸体が固定子として設けられ、コイル体を有する筒体が可動子として設けられるシャフトモータを例示して説明する。
(Shaft motor; first embodiment)
First, a first embodiment of a shaft motor will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
Here, a shaft motor in which a shaft body having a magnetism body is provided as a stator and a cylinder body having a coil body is provided as a mover will be described as an example.
図1はシャフトモータSMの外観斜視図である。
この図に示されるシャフトモータSMは、一方向に延びる固定子としてのシャフト軸(軸体)60と、シャフト軸60に挿通される円筒状の可動子としての筒体70と、制御装置CONTとを備えている。
FIG. 1 is an external perspective view of the shaft motor SM.
The shaft motor SM shown in this figure includes a shaft shaft (shaft body) 60 as a stator extending in one direction, a
シャフト軸60は、磁石(発磁体)61をN極同士、S極同士を接合した構造を有しており、磁石61の長さの二つ分のピッチLで磁気回路が、全方位に渡って(放射状に)形成される。
The
筒体70は、シャフト軸60を取り囲んでシャフト軸60の軸線方向(以下、L方向と称する)に移動自在に設けられており、非磁性体部材から成るハウジング71と、このハウジング71に軸線回りの周方向に間隔をあけて複数配置されたコイル体CUとを有している。コイル体CUは、外周側に位置してL方向の推力を生じさせる複数のコイル体CLと、内周側に位置してL方向と略直交する径方向(以下、D方向と称する)の推力を生じさせる複数のコイル体(第2コイル体)CDとから構成される。コイル体CL、CDは、上記L方向(長さ方向)についても間隔をあけて複数配列されている。コイル体CD及び制御装置CONTにより位置調整装置が構成される。
The
より、詳細には、本実施形態では、3相モータが用いられており、コイル体CLは、軸線回りの周方向に一定間隔で複数配置され、上述したピッチLに対して1相分のコイル軸方向長L/3のコイルを3相分、L方向に直列に配列したコイルユニットを複数個直列に接続したものである。コイル体CLに対する通電量は制御装置CONTにより制御され、通電量に応じて磁界が生じ、フレミングの左手の法則による推力で筒体70がL方向に移動する。
More specifically, in this embodiment, a three-phase motor is used, and a plurality of coil bodies CL are arranged at regular intervals in the circumferential direction around the axis, and a coil for one phase with respect to the pitch L described above. A plurality of coil units having three axially aligned coils of length L / 3 arranged in series in the L direction are connected in series. The energization amount for the coil body CL is controlled by the control device CONT, a magnetic field is generated according to the energization amount, and the
コイル体CDは、軸線回りの周方向に一定間隔で複数、ここでは偶数個配置され、軸線を挟んで互いに対向する位置に、L方向についても互いに間隔をあけて複数設けられている。コイル体CDに対する通電量は制御装置CONTにより制御され、通電量に応じた推力で筒体70がD方向に移動する。
A plurality of coil bodies CD are arranged at regular intervals in the circumferential direction around the axis, and here an even number are arranged, and a plurality of coil bodies CD are also provided at intervals in the L direction at positions facing each other across the axis. The energization amount for the coil body CD is controlled by the control device CONT, and the
上記の構成のシャフトモータSMにおいては、制御装置CONTによりコイル体CLに通電されると、通電量に応じた推力で筒体70がL方向に移動する。また、制御装置CONTにより各コイル体CDに同じ通電量で通電されると、軸線を挟んで対向するコイル体CDによるD方向の推力が同じになって釣り合うことから、筒体70の軸線位置は、シャフト軸60の軸線位置と同軸となる。
In the shaft motor SM having the above configuration, when the coil body CL is energized by the control device CONT, the
ここで、図3に示すように、筒体70の移動時に軸線位置70aがシャフト軸60の軸線位置60aとずれた場合には、ずれた方向で対向するコイル体CD(CD1、CD2とする)に流れる電流の量が変化する。すなわち、シャフト軸60との距離が短いコイル体CD1に流れる電流がシャフト軸60との距離が長いコイル体CD2に流れる電流よりも多くなる。そこで、制御装置CONTは、このようにコイル体CD1、CD2に流れる電流量に変動が生じた場合には、電流値が等しくなるように通電量(すなわちD方向の推力)を調整する。
これにより、筒体70の位置は、軸線70aがシャフト軸60の軸線60aと同軸となるように調整される。
Here, as shown in FIG. 3, when the
Thereby, the position of the
このように、本実施形態では、別途ガイド装置を設けることなく固定子の軸線位置と可動子の軸線位置とを同軸に調整できるため、装置の大型化及び高価格化を防止することができる。また、本実施形態では、L方向への推力を制御する制御装置CONTにより軸線位置60a、70aを調整するため、容易に可動子の位置調整を行うことができる。
As described above, in this embodiment, the axial position of the stator and the axial position of the mover can be adjusted coaxially without providing a separate guide device, and thus the size and cost of the device can be prevented from increasing. In the present embodiment, since the
(シャフトモータ;第2実施形態)
続いて、シャフトモータSMの第2実施形態について、図4を参照して説明する。
この図において、図1乃至図3に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第1実施形態では、コイル体CL、CDを軸線方向と直交するD方向で隣り合って配置する構成としたが、第2実施形態ではL方向で隣りあって配置している。
(Shaft motor; second embodiment)
Next, a second embodiment of the shaft motor SM will be described with reference to FIG.
In this figure, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In the first embodiment, the coil bodies CL and CD are arranged adjacent to each other in the D direction orthogonal to the axial direction. In the second embodiment, the coil bodies CL and CD are arranged adjacent to each other in the L direction.
図4に示すように、本実施形態における筒体70は、コイル体CLが設けられたハウジング71と、ハウジング71のL方向両側に配置されそれぞれコイル体CDが設けられたハウジング72とを備えている。コイル体CL、CDの通電は、制御装置CONTにより制御される。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
As shown in FIG. 4, the
Other configurations are the same as those of the first embodiment.
上記の構成のシャフトモータSMでは、上記第1実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、磁石61とコイル体CLとの距離が短くなるため、効率的にL方向への推力を付与することが可能になる。
In the shaft motor SM configured as described above, in addition to obtaining the same operation and effect as those of the first embodiment, the distance between the
(シャフトモータ;第3実施形態)
続いて、シャフトモータSMの第3実施形態について、図5を参照して説明する。
この図において、図1乃至図3に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第1実施形態では、コイル体CDに流れる電流値の変動に応じて、制御装置CONTが各コイル体CDの通電量を調整する構成としたが、第2実施形態では、軸線方向と略直交するD方向(径方向)のシャフト軸60と筒体70との相対位置関係を計測するセンサを用いている。
(Shaft motor; Third Embodiment)
Next, a third embodiment of the shaft motor SM will be described with reference to FIG.
In this figure, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In the first embodiment, the control unit CONT adjusts the energization amount of each coil body CD according to the fluctuation of the current value flowing through the coil body CD. However, in the second embodiment, it is substantially orthogonal to the axial direction. A sensor that measures the relative positional relationship between the
すなわち、図5に示すように、本実施形態におけるシャフトモータSMのシャフト軸60には、複数(ここでは90°間隔で4つ)の距離センサ(計測装置)65が設けられている。距離センサ65は、筒体70の内周面との距離(シャフト軸60と筒体70との間の隙間量)を計測し、制御装置CONTに出力する。
制御装置CONTは、距離センサ65の出力である、シャフト軸60と筒体70との間の隙間量に分布が生じている場合には、この分布が解消されるようにコイル体CDへの通電量を調整し、筒体70をD方向に駆動する。
That is, as shown in FIG. 5, a plurality of (here, four at 90 ° intervals) distance sensors (measuring devices) 65 are provided on the
When there is a distribution in the gap amount between the
このように、本実施形態では、上記第1実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、距離センサ65でシャフト軸60と筒体70との間の隙間量を実計測するため、各コイル体CDに流れる電流値をモニターする場合と比較して、シャフト軸60の軸線60aと、筒体70の軸線70aとをより高精度に同軸に調整することが可能になる。
As described above, in this embodiment, in addition to obtaining the same operation and effect as in the first embodiment, the
(シャフトモータ;第4実施形態)
次に、シャフトモータSMの第4実施形態について、図6を参照して説明する。
この図において、図1乃至図3に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記第1〜第3実施形態では、シャフト軸60に磁石が設けられ、筒体70にコイル体が設けられる、いわゆるムービングコイル型のシャフトモータSMについて説明したが、第4実施形態ではムービングマグネット型のシャフトモータSMについて説明する。
(Shaft motor; fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the shaft motor SM will be described with reference to FIG.
In this figure, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In the first to third embodiments, the so-called moving coil type shaft motor SM in which the
図6に示すように、本実施形態における筒体は磁石を有している(または磁石で形成されている)。そして、シャフト軸60には、長さ方向に沿って3相のコイル体CLが間にコイル体CDを介して配列されている。コイル体CDは中心軸線周りに複数配置されている。また、図6では図示していないが、シャフト軸60には、コイル体CDが配置された位置に図5で示したものと同様に距離センサ65が設けられている。
As shown in FIG. 6, the cylindrical body in this embodiment has a magnet (or is formed of a magnet). A three-phase coil body CL is arranged on the
上記の構成のシャフトモータSMにおいては、制御装置CONTによりコイル体CLに通電されると、通電量に応じた推力で筒体70がL方向に移動する。また、制御装置CONTにより各コイル体CDに同じ通電量で通電されると、軸線を挟んで対向するコイル体CDによるD方向の推力が同じになって釣り合うことから、筒体70の軸線位置は、シャフト軸60の軸線位置と同軸となる。
また、制御装置CONTは、距離センサの出力である、シャフト軸60と筒体70との間の隙間量に分布が生じている場合には、この分布が解消されるようにコイル体CDへの通電量を調整し、筒体70をD方向に駆動する。
In the shaft motor SM having the above configuration, when the coil body CL is energized by the control device CONT, the
In addition, when there is a distribution in the gap amount between the
このように、本実施形態では、上記第1実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、距離センサでシャフト軸60と筒体70との間の隙間量を実計測するため、シャフト軸60の軸線60aと、筒体70の軸線70aとをより高精度に同軸に調整することが可能になる。
As described above, in this embodiment, in addition to obtaining the same operation and effect as the first embodiment, in order to actually measure the gap amount between the
(ステージ装置及び露光装置)
続いて、本発明に係るシャフトモータSMが適用されたステージ装置及び露光装置について、図7乃至図13を参照して説明する。
ここでは、露光装置におけるウエハステージに用力を供給する用力供給部材を保持するチューブキャリアの駆動装置にシャフトモータSMを適用する場合について説明する。
(Stage device and exposure device)
Next, a stage apparatus and an exposure apparatus to which the shaft motor SM according to the present invention is applied will be described with reference to FIGS.
Here, a case will be described in which the shaft motor SM is applied to a tube carrier driving device that holds a power supply member that supplies power to the wafer stage in the exposure apparatus.
図7は、本発明の一実施形態による露光装置の概略構成を示す図である。図7に示す露光装置10は、半導体素子を製造するための露光装置であり、レチクル(マスク)Rとウエハ(基板)Wとを同期移動させつつ、レチクルRに形成されたパターンを逐次ウエハW上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置である。
FIG. 7 is a view showing the schematic arrangement of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. An
尚、以下の説明においては、必要であれば図中にXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。このXYZ直交座標系は、X軸及びZ軸が紙面に対して平行となるよう設定され、Y軸が紙面に対して垂直となる方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。また、露光時におけるウエハW及びレチクルRの同期移動方向(走査方向)はY方向に設定されているものとする。 In the following description, if necessary, an XYZ orthogonal coordinate system is set in the drawing, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. This XYZ orthogonal coordinate system is set so that the X-axis and the Z-axis are parallel to the paper surface, and the Y-axis is set to a direction perpendicular to the paper surface. In the XYZ coordinate system in the figure, the XY plane is actually set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z-axis is set vertically upward. Further, it is assumed that the synchronous movement direction (scanning direction) of the wafer W and the reticle R at the time of exposure is set in the Y direction.
図7に示す通り、露光装置10は、照明光学系ILSと、マスクとしてのレチクルRを保持するレチクルステージRSTと、投影光学系PLと、基板としてのウエハWをXY平面内でX方向及びY方向の2次元方向に移動させるステージユニットWST1,WST2を備えるステージ装置としてのウエハステージWSTと、これらを制御する主制御装置MCSとを含んで構成される。尚、図示を省略しているが、ウエハステージWSTには、ステージユニットWST1,WST2に加えて、露光装置10の性能を測定する各種測定機器が設けられたステージユニットを設けてもよい。
As shown in FIG. 7, the
照明光学系ILSは、不図示の光源ユニット(例えば、超高圧ハロゲンランプ又はエキシマレーザ等のレーザ光源)から射出された露光光の整形及び照度分布の均一化を行ってレチクルR上の矩形(又は円弧状)の照明領域IARに均一な照度で照射する。レチクルステージRSTは、不図示のレチクルベース上にステージ可動部11を設けた構成であり、露光時にはステージ可動部11がレチクルベース上を所定の走査速度で所定の走査方向に沿って移動する。
The illumination optical system ILS performs shaping of exposure light emitted from a light source unit (not shown) (for example, a laser light source such as an ultra-high pressure halogen lamp or an excimer laser) and makes the illuminance distribution uniform, thereby making a rectangular (or rectangular) on the reticle R (or Irradiate the illumination area IAR in a circular arc shape with uniform illuminance. The reticle stage RST has a configuration in which a stage
また、ステージ可動部11の上面にはレチクルRが、例えば真空吸着により保持される。このステージ可動部11のレチクルRの下方には、露光光通過穴(図示省略)が形成されている。このステージ可動部11の端部には反射鏡12が配置されており、この反射鏡12の位置をレーザ干渉計13が測定することにより、ステージ可動部11の位置が検出される。レーザ干渉計13の検出結果はステージ制御系SCSへ出力される。ステージ制御系SCSは、レーザ干渉計13の検出結果と、ステージ可動部11の移動位置に基づく主制御装置MCSからの制御信号に基づいて、ステージ可動部11を駆動する。尚、図7においては図示を省略しているが、レチクルステージRSTの上方にはレチクルRに形成されたマーク(レチクルマーク)とウエハステージWSTの基準位置を定める基準部材に形成された基準マークとを同時に観察してこれらの相対的な位置関係を測定するレチクルアライメントセンサが設けられている。
A reticle R is held on the upper surface of the stage
投影光学系PLは、例えば縮小倍率がα(αは、例えば4又は5)である縮小光学系であり、レチクルステージRSTの下方に配置され、その光軸AXの方向がZ軸方向に設定されている。ここではテレセントリックな光学配置となるように、光軸AX方向に沿って所定間隔で配置された複数枚のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されている。尚、レンズエレメントは、光源ユニットから射出される光の波長に応じて適切なものが選択される。上記照明光学系ILSによりレチクルRの照明領域IARが照明されると、レチクルRの照明領域IAR内のパターンの縮小像(部分倒立像)が、ウエハW上の照明領域IARに共役な露光領域IAに形成される。 The projection optical system PL is a reduction optical system having a reduction magnification of α (α is, for example, 4 or 5), for example, and is disposed below the reticle stage RST, and the direction of the optical axis AX is set to the Z-axis direction. ing. Here, a refracting optical system comprising a plurality of lens elements arranged at a predetermined interval along the optical axis AX direction is used so as to provide a telecentric optical arrangement. An appropriate lens element is selected according to the wavelength of light emitted from the light source unit. When the illumination area IAR of the reticle R is illuminated by the illumination optical system ILS, a reduced image (partial inverted image) of the pattern in the illumination area IAR of the reticle R is an exposure area IA conjugate to the illumination area IAR on the wafer W. Formed.
図8は、ウエハステージWSTの構成を示す平面図である。図7及び図8に示すように、ウエハステージWSTは、ベース部材14と、このベース部材14の上面の上方に数μm程度のクリアランスを介して後述するエアスライダによって浮上支持されたステージユニットWST1〜WST2と、これらのステージユニットWST1、WST2の各々をXY面内で2次元方向に駆動する駆動装置15と、ステージユニットWST1〜WST2に接続されるケーブル類(用力供給部材)を中継する多関節型のロボットアーム(多関節型アーム装置)RB1、RB2と、各ロボットアームRB1、RB2(すなわち、上記ケーブル類)を支持してY方向に沿って移動するチューブキャリアTC1、TC2とを備えて構成されている。ステージユニットWST1、WST2はウエハWを保持・搬送するために設けられている。
ステージユニットWST1、WST2の各々に設けられた駆動装置15を個別に駆動することで、ステージユニットWST1、WST2の各々を個別にXY面内の任意の方向に移動させることができる。
FIG. 8 is a plan view showing the configuration of wafer stage WST. As shown in FIGS. 7 and 8, wafer stage WST includes a
By individually driving the
チューブキャリアTC1、TC2には、上述したシャフトモータSMの可動子である筒体70が接続されており、筒体70が固定子であるシャフト軸60に対して相対移動することにより、それぞれY方向に駆動される。
The tube carriers TC1 and TC2 are connected to the
図8に示す例において、ベース部材14の−Y側端部の位置がウエハWのローディングポジションであり、露光処理を終えたウエハWをアンロードする場合、及び未露光処理のウエハWをロードする場合にステージユニットWST1,WST2の何れか一方がこの位置に配置される。また、図8に示す例において、投影光学系PLが配置されている位置が露光ポジションであり、露光処理を行うウエハWを保持しているステージユニットWST1,WST2の何れか一方が露光時にこの位置に配置される。上述の通り、ステージユニットWST1,WST2は、個別にXY面内の任意の方向に移動することができるため、ローディングポジションと露光ポジションとを交互に入れ替わることができる。また、ローディングポジションにおいてウエハのフォーカシング情報を検出しておくように構成しても良い。
In the example shown in FIG. 8, the position of the −Y side end of the
ここで、駆動装置15は、図7に示すように、ベース部材14の上部に設けられた(埋め込まれた)固定部16と、ステージユニットWST1、WST2の底部(ベース対向面側)に固定され、固定部16上の移動面16aに沿って移動する移動部17とを含んで構成される平面モータを備えている。また、移動部17、ベース部材14、及び駆動装置15によって平面モータ装置が構成されている。尚、以下の説明においては、上記の駆動装置15を、便宜上、平面モータ装置15と呼ぶものとする。
Here, as shown in FIG. 7, the driving
ウエハWは、例えば真空吸着によってステージユニットWST1、WST2上に固定されている。また、ステージユニットWST1、WST2の側面はレーザ干渉計18(図7参照)からのレーザビームを反射する反射面とされており、外部に配置されたレーザ干渉計18により、ステージユニットWST1、WST2のXY面内での位置が例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。
Wafer W is fixed on stage units WST1 and WST2 by, for example, vacuum suction. Further, the side surfaces of the stage units WST1 and WST2 are reflection surfaces that reflect the laser beam from the laser interferometer 18 (see FIG. 7), and the stage units WST1 and WST2 are arranged by the
なお、図7では、代表的にレーザ干渉計18を図示しているが、実際にはステージユニットWST1、WST2のY方向の位置を検出するレーザ干渉計、及びX方向の位置を検出するレーザ干渉計から構成されている。
In FIG. 7, the
ステージユニットWST1、WST2の位置情報(又は速度情報)はステージ制御系SCS及びこれを介して主制御装置MCSに送られる。ステージ制御系SCSでは主制御装置MCSからの指示に応じてステージユニットWST1、WST2の各々の位置情報(又は速度情報)に基づいて平面モータ装置15を介してステージユニットWST1、WST2のXY面内の移動をそれぞれ制御する。
The position information (or speed information) of the stage units WST1 and WST2 is sent to the stage control system SCS and the main controller MCS via this. In the stage control system SCS, in the XY plane of the stage units WST1 and WST2 via the
ここで、ウエハステージWSTの構成について説明する。図9はウエハステージWSTに設けられるステージユニットWST1の平面図であり、図10は図9中のA−A線に沿った断面矢視図である。尚、図9及び図10においては図7及び図8に示した部材と同一の部材については同一の符号を付してある。また、ステージユニットWST1とステージユニットWST2とは同一構成であるため、ここではステージユニットWST1を代表して説明する。 Here, the configuration of wafer stage WST will be described. FIG. 9 is a plan view of stage unit WST1 provided on wafer stage WST, and FIG. 10 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 9 and 10, the same members as those shown in FIGS. 7 and 8 are denoted by the same reference numerals. Since stage unit WST1 and stage unit WST2 have the same configuration, stage unit WST1 will be described as a representative here.
図9及び図10に示す通り、ステージユニットWST1の一部をなす第1ステージ25は、ベース部材14の上部に設けられた固定部16上において、固定部16と所定の間隔(数μm程度)をもって浮上支持される。ウエハステージWSTの一部をなす固定部16は、周囲にコイル21が巻回されており、XY面内において所定のピッチで配列されたコア部材22を備える。このコア部材22は、例えばSS400相当の低炭素鋼、ステンレス等の磁性体により形成されており、頭部22aと支柱部22bとからなる。頭部22aはXY面内における断面形状が矩形形状であり、支柱部22bのXY面内における断面形状は円形形状である。頭部22aと支柱部22bは一体化されており、支柱部22bの周囲にコイル21が巻回されている。
As shown in FIGS. 9 and 10, the
図11は、コア部材22の拡大図である。図11に示す通り、コイル21は断熱材Tiを介してコア部材22の支柱部22bの周囲に巻回されている。これは、コイル21に電流を流したときに発生する熱がコア部材22に伝わることにより生ずるステージユニットWST1、WST2の位置決め誤差を防止するためである。尚、断熱材Tiとしては、断熱性及び耐熱性に優れた樹脂を用いることができる。
FIG. 11 is an enlarged view of the
コア部材22は、頭部22aの先端部が略一面に含まれるようにベース部材14上に配列されている。このとき、コア部材22は、支柱部22bがベース部材14と磁気的に接続される。コア部材22の頭部22aの間には、非磁性体からなるセパレータ23が設けられている。このセパレータ23は、例えばSUS、セラミックスから形成されており、隣接するコア部材22の間で磁気回路が形成されないようにするためのものである。
The
セパレータ23の上部の高さ位置は、コア部材22の頭部22aの先端部の高さ位置と同一になるように設定されているため、固定部16の上面(移動面)はほぼ平坦面になる。また、セパレータ23はコア部材22の頭部22aの間に設けられており、ベース部材14とコア部材22の頭部22a及びセパレータ23によって上下方向が挟まれた空間が形成されることになる。この空間に冷媒を導入することで、コイル21を冷却することが可能になる。
Since the height position of the upper portion of the
固定部16の上面にはガイド部材24が設けられている。このガイド部材24は、ステージユニットWST1、WST2をXY面内で移動させる案内板の役割を果たすものであり非磁性体から形成されている。このガイド部材24は、例えばアルミナ(Al2O3)を平坦面な固定部16の上面に溶射し、高圧ガスで金属の表面に吹き付けて形成される。
A
固定部16に設けられるコイル21には、U相、V相、及びW相からなる三相交流が供給される。XY面内で配列されたコイル21の各々に各相の電流を所定の順序で所定のタイミングで印加することにより、ステージユニットWST1、WST2を所望の方向に所望の速度で移動させることができる。図12は、図10中のB−B線に沿った断面矢視図である。図12に示す通り、断面形状が矩形形状であるコア部材22の頭部22aがXY面内でマトリックス状に配列されており、頭部22aの間にセパレータ23が設けられている。
図12においては、各コア部材22に巻回されたコイル21に印加される三相交流の各相を、コア部材22の頭部22aに対応付けて図示している。図12を参照すると、U相、V相、及びW相の各相がXY面内で規則的に配列されていることが分かる。
The
In FIG. 12, each phase of the three-phase alternating current applied to the
ウエハステージWSTの一部をなす移動部17は、第1ステージ25、永久磁石26、エアパッド27、第2ステージ28、水平駆動機構29、及び垂直駆動機構30を含んで構成される。第1ステージ25の底面には永久磁石26とエアパッド27とが規則的に配列されている。永久磁石27としては、ネオジウム・鉄・コバルト磁石、アルミニウム・ニッケル・コバルト(アルニコ)磁石、フェライト磁石、サマリウム・コバルト磁石、又はネオジム・鉄・ボロン磁石等の希土類磁石を用いることが可能である。
The moving
図13は、図10中のC−C線に沿った断面矢視図である。図13に示す通り、永久磁石26は隣接するものが互いに異なる極となるようXY面内に所定の間隔で配列されている。かかる配列によって、X方向及びY方向の両方向に交番磁界が形成される。また、永久磁石26間には真空予圧型のエアパッド27が設けられている。このエアパッド27は、ガイド部材24に向かってエア(空気)を吹き付けることにより、固定部16に対して移動部17を、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持(非接触支持)させる。
13 is a cross-sectional arrow view taken along the line CC in FIG. As shown in FIG. 13, the
第2ステージ28は、垂直駆動機構30により第1ステージ25上に支持されている。
ここで、垂直駆動機構30は、例えばボイスコイルモータ(VCM)等を含む支持機構30a,30b,30c(図9参照)を備えており、これらの支持機構30a,30b,30cによって第2ステージ28の異なる3点を支持している。支持機構30a,30b,30cはZ方向に伸縮自在に構成されており、これら支持機構30a,30b,30cを同一の伸縮量で駆動することにより、第2ステージ28をZ方向に移動させることができ、支持機構30a,30b,30cを独立して駆動し、又は異なる互いに伸縮量で駆動することにより、第2ステージ28のX軸の周りの回転、及びY軸の周りの回転を制御することができる。
The
Here, the
水平駆動機構29は、例えばボイスコイルモータ(VCM)等を含む駆動機構29a,29b,29c(図9参照)を備えており、これらの駆動機構29a,29b,29cによって第2ステージ28のXY面内における位置及びZ軸回りの回転を制御する。具体的には、駆動機構29a,29bを同一の伸縮量で駆動することにより第2ステージ28のY方向の位置を可変することができ、駆動機構29cを駆動することにより第2ステージ28のX方向の位置を可変することができ、駆動機構29a,29bを互いに異なる伸縮量で駆動することにより第2ステージ28のZ軸回りの回転を可変することができる。つまり、上述した平面モータ17によって駆動される第1ステージ25が粗動ステージであり、水平駆動機構29によって駆動される第2ステージ28が微動ステージであるということができる。尚、水平駆動機構29及び垂直駆動機構30は、ステージ制御系SCSの制御の下で第2ステージ28のXY面内における位置及びZ方向の位置を調整する。
The
図7に戻り、本実施形態の露光装置10は、図10に示したエアパッド27に対して加圧エアを供給するための空気ポンプ40を備える。空気ポンプ40とステージユニットWST1,WST2とはチューブ41、42を介してそれぞれ接続されており、空気ポンプ40からのエアは、チューブ41を介してステージユニットWST1に供給されるとともに、チューブ42を介してステージユニットWST2に供給される。また、図10に示したコイル21を冷却するための冷却装置43が設けられている、この冷却装置43は、冷媒供給管44と冷媒排出管45とによりベース部材14に接続されている。冷却装置43からの冷媒は冷媒供給管44を介してベース部材14(固定部16内のコイル21が設けられている部位)に供給され、ベース部材14を介した冷媒は冷媒排出管45を介して冷却装置43に回収される。例えば、図10においては、上下をガイド部材24とベース14とに挟まれ、内部にコイル21、コア部材22、及びセパレータ23が配置された空間に水等の冷媒を供給するように構成することができる。
Returning to FIG. 7, the
尚、図7においては図示を省略しているが、露光装置10にはウエハWに形成されたアライメントマークの位置情報を計測するためのオフ・アクシス型のウエハアライメントセンサが投影光学系PLの側方に設けられ、又は投影光学系PLを介してウエハWに形成されたアライメントマークの位置情報を計測するTTL(スルー・ザ・レンズ)型のアライメントセンサが設けられている。また、ウエハWに対して斜め方向からスリット状の検出光を照射し、その反射光を測定してウエハWのZ方向の位置及び姿勢(X軸及びY軸回りの回転)を検出し、この検出結果に基づいてウエハWのZ方向の位置及び姿勢を補正してウエハWの表面を投影光学系PLの像面に合わせ込むオートフォーカス機構及びオートレベリング機構が設けられている。
Although not shown in FIG. 7, the
上記構成のステージユニットWST1、WST2を移動させる場合には、三相交流で駆動する公知のリニアモータと同様の駆動方法を用いることができる。つまり、ステージユニットWST1、WST2がX方向に移動可能に構成されたリニアモータとY方向に移動可能に構成されたリニアモータからなると考え、ステージユニットWST1、WST2をX方向に移動させる場合には、X方向に配列された各コイル21に対してX方向に移動可能に構成されたリニアモータと同様の三相交流を印加し、ステージユニットWST1、WST2をY方向に移動させる場合には、Y方向に配列された各コイル21に対してY方向に移動可能に構成されたリニアモータと同様の三相交流を印加すれば良い。
When the stage units WST1 and WST2 configured as described above are moved, a driving method similar to that of a known linear motor driven by three-phase AC can be used. That is, when the stage units WST1 and WST2 are considered to be composed of a linear motor configured to be movable in the X direction and a linear motor configured to be movable in the Y direction, the stage units WST1 and WST2 are moved in the X direction. When applying the same three-phase alternating current as the linear motor configured to be movable in the X direction to the
また、走査時には、露光領域IAにレチクルRの一部のパターン像が投影され、投影光学系PLに対して、レチクルRが−X方向(又は+X方向)に速度Vで移動するのに同期して、ウエハWが+X方向(又は−X方向)に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。1つのショット領域に対する露光処理が終了すると、主制御装置MCSはステージユニットWST1をステッピング移動させて次のショット領域を走査開始位置に移動させ、以下同様にステップ・アンド・スキャン方式で各ショット領域に対する露光処理が順次行われる。 Further, during scanning, a part of the pattern image of the reticle R is projected onto the exposure area IA, and is synchronized with the movement of the reticle R in the −X direction (or + X direction) at the speed V with respect to the projection optical system PL. Thus, the wafer W moves in the + X direction (or -X direction) at a speed β · V (β is a projection magnification). When the exposure process for one shot area is completed, main controller MCS moves stage unit WST1 to step the next shot area to the scanning start position, and thereafter, similarly to each shot area by the step-and-scan method. Exposure processing is performed sequentially.
ここで、上記ステージユニットWST1がベース部材14上(固定部16上)で移動した際には、ステージユニットWST1のY方向の位置に応じてチューブキャリアTC1がY方向に追従して移動するとともに、ステージユニットWST1のX方向の位置に応じてロボットアームRB1が回転することにより、ステージユニットWST1の移動に伴うケーブル類の変形等で振動等の誤差要因がステージユニットWST1に伝わることを防止できる。 Here, when the stage unit WST1 moves on the base member 14 (on the fixed portion 16), the tube carrier TC1 moves following the Y direction according to the position of the stage unit WST1 in the Y direction, By rotating the robot arm RB1 according to the position of the stage unit WST1 in the X direction, it is possible to prevent an error factor such as vibration from being transmitted to the stage unit WST1 due to deformation of cables or the like accompanying the movement of the stage unit WST1.
このように、本実施形態では、上記のシャフトモータSMでチューブキャリアTC1、TC2を駆動するため、装置の大型化及び高価格化を招くことなく、高精度にチューブキャリアTC1、TC2を移動させることが可能になる。 As described above, in the present embodiment, since the tube carriers TC1 and TC2 are driven by the shaft motor SM, the tube carriers TC1 and TC2 can be moved with high accuracy without increasing the size and cost of the apparatus. Is possible.
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。 As described above, the preferred embodiments according to the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.
例えば、上記実施形態では、コイル体CDを設け、このコイル体CDへの通電制御により、シャフト軸60及び筒体70の軸線位置を同軸に調整する構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば、図14に示すように、コイル体CLが設けられたハウジング71のL方向両側に、周方向に沿って位置調整装置としての磁石(第2発磁体)62を有するハウジング72、または磁石62で形成されたハウジング72を設ける構成であってもよい。
この構成では、磁石62がシャフト軸60に設けられた磁石61との間でD方向に一様に反発力または吸引力を生じさせるため、シャフト軸60と磁石62との間の距離、すなわちシャフト軸60と筒体70との間の距離を一定に維持することが可能になる。
この場合、コイル体CDを用いた場合のような電力消費が生じず、エネルギー効率の高い位置調整が可能になる。
For example, in the above embodiment, the coil body CD is provided, and the axial positions of the
In this configuration, since the
In this case, power consumption does not occur as in the case of using the coil body CD, and position adjustment with high energy efficiency becomes possible.
また、上記実施形態では、シャフト軸60と筒体70とのいずれか一方に、軸線位置を調整する位置調整装置を設ける構成としたが、これに限定されるものではなく、例えば、図15に示すように、筒体の周囲に複数の位置調整装置80をL方向に沿って設ける構成としてもよい。
この構成において、シャフト軸60にコイル体を設け、筒体70に磁石を設けた場合には、位置調整装置80として、筒体70の磁石に対してD方向の推力を付与するコイル体を設けたり、筒体70の磁石との間で反発力を生じさせる極性の第2発磁体を設ければよい。
一方、シャフト軸60に磁石を設け、筒体70にコイル体を設けた場合には、筒体70の外周側に上述したコイル体CDを設けるとともに、位置調整装置80として第2発磁体を設ければよい。
Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure which provides the position adjustment apparatus which adjusts an axis line position in any one of the shaft axis |
In this configuration, when a coil body is provided on the
On the other hand, when the
また、上記実施形態では、シャフト軸60を固定子とし、筒体70を可動子とする構成について説明したが、これとは逆にシャフト軸60を可動子とし、筒体70を固定子とする構成であってもよい。
この場合、図8に示したチューブキャリアTC1、TC2はシャフト軸60に接続される構成となる。
Moreover, in the said embodiment, although the
In this case, the tube carriers TC <b> 1 and TC <b> 2 shown in FIG. 8 are connected to the
さらに、上記実施形態では、シャフト軸60と筒体70との位置調整に電磁力を用いる構成としているが、これに限られず、例えば空気圧等の流体圧を用いる構成であってもよい。この場合、シャフト軸60と筒体70のいずれか一方から流体を噴出させる構成とすればよいが、噴出する流体による悪影響を考慮して、筒体70とシャフト軸60とがL方向で重なり合う箇所のみに流体を噴出させることが好ましい。
Furthermore, in the said embodiment, although it is set as the structure which uses an electromagnetic force for the position adjustment of the
また、上記実施形態では、本発明に係るシャフトモータSMをウエハステージWST及び露光装置に適用する構成を例示したが、この他に、各種計測装置や工作機械等に適用することが可能である。 In the above-described embodiment, the configuration in which the shaft motor SM according to the present invention is applied to the wafer stage WST and the exposure apparatus is exemplified. However, the present invention can be applied to various measuring apparatuses, machine tools, and the like.
露光装置10としては、レチクルRとウエハWとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRのパターンを一括露光し、ウエハWを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。また、本発明はウエハW上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
As the
また、上記実施形態の基板としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 In addition to the semiconductor wafer for manufacturing semiconductor devices, the substrate of the above embodiment includes a glass substrate for display devices, a ceramic wafer for thin film magnetic heads, or an original mask (reticle) used in an exposure apparatus (synthesis). Quartz, silicon wafer) or the like is applied.
また、本発明が適用される露光装置の光源には、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)等のみならず、g線(436nm)及びi線(365nm)を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、反射屈折型や屈折型の光学系でもよい。 The light source of the exposure apparatus to which the present invention is applied includes not only KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 laser (157 nm), but also g-line (436 nm) and i-line (365 nm). ) Can be used. Further, the magnification of the projection optical system may be not only a reduction system but also an equal magnification or an enlargement system. In the above embodiment, the refraction type projection optical system is exemplified, but the present invention is not limited to this. For example, a catadioptric or refractive optical system may be used.
また、本発明の露光装置は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体基板上へ転写する露光装置、液晶表示素子の製造に用いられて回路パターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウエハ上へ転写する露光装置、及びCCD等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。 The exposure apparatus of the present invention is an exposure apparatus that is used for manufacturing a semiconductor element to transfer a device pattern onto a semiconductor substrate, an exposure apparatus that is used for manufacturing a liquid crystal display element to transfer a circuit pattern onto a glass plate, The present invention can also be applied to an exposure apparatus that is used for manufacturing a thin film magnetic head and transfers a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD.
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第99/49504号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平6−124873号公報、特開平10−303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。 Further, the present invention is applied to a so-called immersion exposure apparatus in which a liquid is locally filled between the projection optical system and the substrate, and the substrate is exposed through the liquid. It is disclosed in the publication No. 99/49504 pamphlet. Further, in the present invention, the entire surface of the substrate to be exposed as disclosed in JP-A-6-124873, JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043 and the like is in the liquid. The present invention is also applicable to an immersion exposure apparatus that performs exposure while being immersed.
また、上記実施形態では、ステージユニットが複数(2基)設けられる構成を例示したが、これに限定されるものではなく、単数で設けられる構成であってもよい。
また、ステージユニットが複数設けられるのではなく、特開平11−135400号公報や特開2000−164504号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載して、露光に関する情報を計測する計測ステージとをそれぞれ備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
In the above embodiment, a configuration in which a plurality of (two) stage units are provided is illustrated. However, the configuration is not limited to this, and a configuration in which a single unit is provided may be used.
In addition, a plurality of stage units are not provided, but a reference member on which a substrate stage for holding a substrate and a reference mark are formed, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135400 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-164504. In addition, the present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a measurement stage that measures information related to exposure by mounting various photoelectric sensors.
以上のように、本願実施形態の露光装置10は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
As described above, the
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図16は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
Next, an embodiment of a manufacturing method of a micro device using the exposure apparatus and the exposure method according to the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 16 is a flowchart illustrating a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, or the like).
First, in step S10 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S11 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S12 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.
Next, in step S13 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in steps S10 to S12, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S14 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S13. This step S14 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S15 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S14 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.
図17は、半導体デバイスの場合におけるステップS13の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S13 in the case of a semiconductor device.
In step S21 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step S22 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S23 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step S24 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps S21 to S24 constitutes a pre-processing process at each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.
At each stage of the wafer process, when the above pre-process is completed, the post-process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S25 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step S26 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer by the lithography system (exposure apparatus) and the exposure method described above. Next, in step S27 (development step), the exposed wafer is developed, and in step S28 (etching step), exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. In step S29 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
また、液晶表示素子又は半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘパターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。 In addition, not only microdevices such as liquid crystal display elements or semiconductor elements, but also mother reticles for manufacturing reticles or masks used in light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a pattern to a glass substrate or silicon wafer. Here, in an exposure apparatus using DUV (deep ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. In proximity-type X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, and the like, a transmissive mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate. Such an exposure apparatus is disclosed in WO99 / 34255, WO99 / 50712, WO99 / 66370, JP-A-11-194479, JP-A2000-12453, JP-A-2000-29202, and the like. .
10…露光装置、 60…シャフト軸(軸体、固定子)、 61…磁石(発磁体)、 62…磁石(第2発磁体、位置調整装置)、 65…距離センサ(計測装置)、 70…筒体(可動子)、 CD…コイル体(第2コイル体)、 CL…コイル体、 SM…シャフトモータ、 WST…ウエハステージ(ステージ装置)
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記軸体の軸線位置と、前記筒体の軸線位置とを同軸となるように調整する位置調整装置を有するシャフトモータ。 A shaft motor in which a magnetomotive member is provided on one of the shaft body and the cylinder, and a coil body is provided on the other of the shaft body and the cylinder,
The shaft motor which has a position adjustment apparatus which adjusts the axial line position of the said shaft body, and the axial line position of the said cylinder so that it may become coaxial.
前記位置調整装置は、前記筒体に周方向に沿って設けられ、前記発磁体との間で前記軸線と略直交する方向の力を作用させる第2発磁体を有する請求項1記載のシャフトモータ。 The magnetomotive body is provided on the shaft body,
2. The shaft motor according to claim 1, wherein the position adjusting device includes a second magnetism member that is provided along the circumferential direction in the cylindrical body and applies a force in a direction substantially orthogonal to the axis between the magnetism generator. .
前記位置調整装置は、前記筒体に周方向に複数設けられて前記発磁体に前記軸線と略直交する方向の推力を付与する第2コイル体を有する請求項1記載のシャフトモータ。 The magnetomotive body is provided on the shaft body,
2. The shaft motor according to claim 1, wherein the position adjusting device includes a second coil body that is provided in a plurality in the circumferential direction on the cylindrical body and applies thrust in a direction substantially orthogonal to the axis to the magnetomotive body.
前記計測装置の計測結果に基づいて前記第2コイル体への通電量を制御する制御装置とを有する請求項4記載のシャフトモータ。 A measuring device that measures a relative positional relationship between the shaft body and the cylindrical body in a direction substantially orthogonal to the axis;
The shaft motor according to claim 4, further comprising: a control device that controls an energization amount to the second coil body based on a measurement result of the measurement device.
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JP2009272028A JP2011115022A (en) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | Shaft motor, stage device, and exposure apparatus |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0250763A (en) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Tokyo Electric Co Ltd | Commodity working operation planning system |
JP2015104184A (en) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 多摩川精機株式会社 | Cylindrical linear motor and method of detecting position of the same |
-
2009
- 2009-11-30 JP JP2009272028A patent/JP2011115022A/en active Pending
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JPH0250763A (en) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Tokyo Electric Co Ltd | Commodity working operation planning system |
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