JP2011109836A - 昇圧回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】P型半導体基板において、低コストの半導体製造プロセスを用いて、基板バイアス効果の影響が少なく、昇圧効率の良い昇圧回路を提供する。
【解決手段】転送用トランジスタとしてP型MOSトランジスタを用い、ゲート端子を昇圧電圧出力端子の電圧で生成したクロック信号で制御する。さらに、バックゲート端子とソース端子は抵抗で接続した。
【選択図】図1
【解決手段】転送用トランジスタとしてP型MOSトランジスタを用い、ゲート端子を昇圧電圧出力端子の電圧で生成したクロック信号で制御する。さらに、バックゲート端子とソース端子は抵抗で接続した。
【選択図】図1
Description
本発明は、電源電圧から昇圧電圧を生成する昇圧回路に関する。
図2は、従来の昇圧回路を示す図である。従来の昇圧回路の昇圧動作を、図を元に説明する。
クロック信号CLK3が立ち下がり、容量C3の容量カップリングによってノードN5の電圧が低くなり、N型MOSトランジスタ11がオフする。次に、クロック信号CLK4が立ち上がり、容量C4の容量カップリングによってN型MOSトランジスタ18のゲート端子電圧が昇圧され、N型MOSトランジスタ18がオンする。また、クロック信号CLK2が立ち下がり、容量C2の容量カップリングによってN型MOSトランジスタ17のゲート端子電圧が低くなり、N型MOSトランジスタ17がオフする。次に、クロック信号CLK1が立ち上がり、容量C1の容量カップリングによってノードN4の電圧が高くなり、N型MOSトランジスタ10がオンする。電源電圧VccがノードN1に供給され、容量C2は充電される。
そして、クロック信号CLK1が立ち下がり、容量C1の容量カップリングによってノードN4の電圧が低くなり、N型MOSトランジスタ10がオフする。次に、クロック信号CLK2が立ち上がり、容量C2の容量カップリングによってノードN1の電圧が昇圧される。同時に、ノードN5に昇圧電圧が供給される。また、クロック信号CLK4が立ち下がり、容量C4の容量カップリングによってN型MOSトランジスタ18のゲート端子電圧が低くなり、N型MOSトランジスタ18がオフする。次に、クロック信号CLK3が立ち上がり、容量C3の容量カップリングによってノードN5の電圧が昇圧され、N型MOSトランジスタ11がオンして、昇圧されたノードN1の電圧がノードN2に供給される。
容量C5及びC6とN型MOSトランジスタ12及び19でも、同様に動作することにより、電源電圧Vccは昇圧電圧Voutに昇圧される。なお、N型MOSトランジスタ13は、逆流防止用ダイオードとして機能する。
N型MOSトランジスタ11〜13のバックゲート端子は、ダイオード接続されたN型MOSトランジスタ14〜16をそれぞれ介して一段前のN型MOSトランジスタのソース端子に接続される。このように構成すると、ソース−バックゲート間の基板バイアス効果の影響が少なくなり、昇圧効率が良くなる(例えば、特許文献1参照)。
しかし、従来の昇圧回路では、N型MOSトランジスタ11〜13のバックゲート端子を制御するため、一般的なP型半導体基板の場合はN型MOSトランジスタ11〜13をトリプルウェル構造にしなければならない。従って、半導体製造プロセスのコストが高くなってしまう、と言う課題がある。
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、P型半導体基板において、低コストの半導体製造プロセスを用いて、基板バイアス効果の影響が少なく、昇圧効率の良い昇圧回路を提供する。
本発明は、上記課題を解決するため、P型半導体基板において、電圧入力端子と昇圧電圧出力端子の間に直列に接続された複数のP型MOSトランジスタと、複数のP型MOSトランジスタのドレイン端子と昇圧電圧出力端子との間に、それぞれ設けられた複数のダイオードと、複数のP型MOSトランジスタのソース端子に一方の端子が夫々接続された複数の容量と、第1のクロック信号を出力する第1の出力回路と、第1のクロック信号と逆相の第2のクロック信号を出力する第2の出力回路とを備え、第1の出力回路と第2の出力回路は隣接する容量と交互に他方の端子で接続された第1制御回路と、第3のクロック信号を出力する第3の出力回路と、第3のクロック信号と逆相の第4のクロック信号を出力する第4の出力回路とを備え、第3の出力回路と第4の出力回路は隣接するP型MOSトランジスタのゲート端子と交互に接続された第2制御回路と、を備えることを特徴とする昇圧回路とした。
本発明の昇圧回路では、P型半導体基板において転送用トランジスタにP型MOSトランジスタを用いて、基板バイアス効果の影響が少なくなるように構成したので、トリプルウェル構造を必要とせず、半導体製造プロセスのコストを安くすることが出来る。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
まず、昇圧回路の構成について説明する。図1は、昇圧回路を示す図である。
本発明の昇圧回路は、P型MOSトランジスタ21〜24と、抵抗26〜29と、ダイオード31〜34と、タイミング生成回路36〜37と、容量42〜44と、バッファ46〜47と、インバータ48〜49を備える。また、昇圧回路は、電圧入力端子である電源端子VDDと、接地端子VSSと、昇圧電圧出力端子VPPと、クロック端子CLKを備える。
タイミング生成回路36の入力端子は、クロック端子に接続され、第一出力端子は、インバータ48の入力端子に接続され、第二出力端子は、バッファ46の入力端子に接続される。インバータ48の出力端子は、容量43を介してP型MOSトランジスタ23のドレイン端子に接続される。バッファ46の出力端子は、容量42を介してP型MOSトランジスタ22のドレイン端子に接続され、また、容量44を介してP型MOSトランジスタ24のドレイン端子に接続される。
タイミング生成回路37の入力端子は、クロック端子に接続され、第一出力端子は、インバータ49の入力端子に接続され、第二出力端子は、バッファ47の入力端子に接続される。インバータ49の出力端子は、P型MOSトランジスタ22及びP型MOSトランジスタ24のゲート端子に接続される。バッファ47の出力端子は、P型MOSトランジスタ21及びP型MOSトランジスタ23のゲート端子に接続される。
P型MOSトランジスタ24のソース端子は、昇圧電圧出力端子に接続される。P型MOSトランジスタ23のソース端子は、P型MOSトランジスタ24のドレイン端子に接続される。P型MOSトランジスタ22のソース端子は、P型MOSトランジスタ23のドレイン端子に接続される。P型MOSトランジスタ21のソース端子は、P型MOSトランジスタ22のドレイン端子に接続され、ドレイン端子は、電源端子に接続される。
抵抗26は、P型MOSトランジスタ21のソース端子とバックゲート端子との間に設けられる。抵抗27は、P型MOSトランジスタ22のソース端子とバックゲート端子との間に設けられる。抵抗28は、P型MOSトランジスタ23のソース端子とバックゲート端子との間に設けられる。抵抗29は、P型MOSトランジスタ24のソース端子とバックゲート端子との間に設けられる。ダイオード31のアノードは、P型MOSトランジスタ21のドレイン端子に接続され、カソードは、昇圧電圧出力端子に接続される。ダイオード32のアノードは、P型MOSトランジスタ22のドレイン端子に接続され、カソードは、昇圧電圧出力端子に接続される。ダイオード33のアノードは、P型MOSトランジスタ23のドレイン端子に接続され、カソードは、昇圧電圧出力端子に接続される。ダイオード34のアノードは、P型MOSトランジスタ24のドレイン端子に接続され、カソードは、昇圧電圧出力端子に接続される。ここで、ダイオード31〜34の閾値電圧Vfは、P型MOSトランジスタ21〜24の閾値電圧よりも低くなっている。
次に、本発明の昇圧回路の動作について説明する。
クロック信号CLKが、タイミング生成回路36及び37に入力する。タイミング生成回路36及びインバータ48は、電源電圧VDD及び接地電圧VSSに基づき、パルス信号S3を生成する。タイミング生成回路36及びバッファ46は、電源電圧VDD及び接地電圧VSSに基づき、パルス信号S4を生成する。パルス信号S3とパルス信号S4は、互いに逆相の信号で、容量42〜44に入力される昇圧用の信号である。また、タイミング生成回路37及びインバータ49は、昇圧電圧VPP及び接地電圧VSSに基づき、パルス信号S1を生成する。タイミング生成回路37及びバッファ47は、昇圧電圧VPP及び接地電圧VSSに基づき、パルス信号S2を生成する。パルス信号S1とパルス信号S2は、互いに逆相の信号で、P型MOSトランジスタ21〜24をオンオフ制御する、転送用の信号である。なお、タイミング生成回路36とインバータ48とバッファ46とは第1制御回路を構成し、タイミング生成回路37とインバータ49とバッファ47とは第2制御回路を構成する。
パルス信号S1とパルス信号S3が同相に、パルス信号S2とパルス信号S4が同相に制御される。パルス信号S1及びパルス信号S3がハイレベルで、パルス信号S2及びパルス信号S4がローレベルのとき、P型MOSトランジスタ21及びP型MOSトランジスタ23がオンし、P型MOSトランジスタ22及びP型MOSトランジスタ24がオフし、容量43がポンピングされる。また、パルス信号S1及びパルス信号S3がローレベルで、パルス信号S2及びパルス信号S4がハイレベルのとき、P型MOSトランジスタ21及びP型MOSトランジスタ23がオフし、P型MOSトランジスタ22及びP型MOSトランジスタ24がオンし、容量42と容量44はポンピングされる。
上記のように昇圧回路は、パルス信号S1〜S4によって容量42〜43とP型MOSトランジスタ21〜24を制御して、昇圧動作をする。
電源起動時など、昇圧電圧VPPが出力されていない場合は、タイミング生成回路37は電源電圧が供給されず、動作することが出来ない。ここで、P型MOSトランジスタ21〜24のドレイン端子と昇圧電圧出力端子の間にダイオード31〜34が接続されている。すなわち、ダイオード31によって電源電圧VDDから電圧VFが降下した電圧が、ダイオード32によって電圧V2から電圧VFが降下した電圧が、ダイオード33によって電圧V3から電圧VFが降下した電圧が、ダイオード34によって電圧V4から電圧VFが降下した電圧が、昇圧電圧出力端子に供給される。従って、その時点で一番高い電圧が昇圧電圧VPPとなり、タイミング生成回路37の電源として供給される。従って、P型MOSトランジスタ21〜24は、上記昇圧電圧VPPがゲート端子に印加されることにより、十分にオフすることが出来るので、昇圧効率が高くなる。さらに、昇圧電圧出力端子が予めプリチャージされるので、昇圧効率が高くなる。
また、P型MOSトランジスタ21〜24において、各バックゲート端子電圧は各ソース端子電圧に基づくので、基板バイアス効果の影響が少なくなり、閾値電圧の変動が少なくなる。よって、P型MOSトランジスタ22〜24は、接地電圧VSSがゲート端子に印加されることにより、十分にオンすることが出来るので、昇圧効率が高くなる。
また、図示はしないが、P型半導体基板上のN型ウェル(バックゲート端子)に形成されるP型MOSトランジスタにおいて、寄生のPNP型バイポーラトランジスタが存在している。寄生のPNP型バイポーラトランジスタは、N型ウェルをベースとし、ドレイン端子をエミッタとし、P型半導体基板をコレクタとしている。ここで、P型MOSトランジスタ21〜24において、バックゲート端子とソース端子の間に抵抗26〜29が設けられている。すなわち、抵抗はソース端子から寄生のPNP型バイポーラトランジスタのベースまでの電流経路に存在する。従って、寄生のPNP型バイポーラトランジスタがリーク電流を流してしまうことがあっても、この抵抗によって寄生のPNP型バイポーラトランジスタのベース電流は少なくなり、エミッタ電流及びコレクタ電流を少なくすることが出来る。すなわち、寄生のPNP型バイポーラトランジスタによる電力損失が少なくして、昇圧効率を高くすることが出来る。
以上説明したように、本発明の昇圧回路によれば、P型半導体基板において転送用トランジスタにP型MOSトランジスタを用いて、基板バイアス効果の影響が少なくなるように構成したので、トリプルウェル構造を必要とせず、半導体製造プロセスのコストを安くすることが出来る。
なお、本発明の実施形態では、ダイオード31〜34によって昇圧電圧出力端子に電圧を供給するように説明したが、ダイオード接続されたMOSトランジスタであっても良い。但し、これらのMOSトランジスタの閾値電圧は、P型MOSトランジスタ21〜24の閾値電圧よりも低く設計する。
36、37 タイミング生成回路
46、47 バッファ
48、49 インバータ
46、47 バッファ
48、49 インバータ
Claims (2)
- P型半導体基板に構成された昇圧回路であって、
電圧入力端子と昇圧電圧出力端子の間に直列に接続された複数のP型MOSトランジスタと、
前記複数のP型MOSトランジスタのドレイン端子と前記昇圧電圧出力端子との間に、それぞれ設けられた複数のダイオードと、
前記複数のP型MOSトランジスタのソース端子に一方の端子が夫々接続された複数の容量と、
第1のクロック信号を出力する第1の出力回路と、前記第1のクロック信号と逆相の第2のクロック信号を出力する第2の出力回路と、を備え、前記第1の出力回路と前記第2の出力回路は隣接する前記容量と交互に他方の端子で接続された、前記電圧入力端子の電圧で動作する第1制御回路と、
第3のクロック信号を出力する第3の出力回路と、前記第3のクロック信号と逆相の第4のクロック信号を出力する第4の出力回路と、を備え、前記第3の出力回路と前記第4の出力回路は隣接する前記P型MOSトランジスタのゲート端子と交互に接続された、前記昇圧電圧出力端子の電圧で動作する第2制御回路と、
を備えることを特徴とする昇圧回路。 - 前記複数のP型MOSトランジスタは、ソース端子とバックゲート端子との間に抵抗が接続されたことを特徴とする請求項1記載の昇圧回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009263377A JP2011109836A (ja) | 2009-11-18 | 2009-11-18 | 昇圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009263377A JP2011109836A (ja) | 2009-11-18 | 2009-11-18 | 昇圧回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011109836A true JP2011109836A (ja) | 2011-06-02 |
Family
ID=44232701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009263377A Pending JP2011109836A (ja) | 2009-11-18 | 2009-11-18 | 昇圧回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2011109836A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016054586A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-11-18 JP JP2009263377A patent/JP2011109836A/ja active Pending
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