JP2011104693A - Substrate polishing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示パネルなどに用いられるガラス基板等の基板の表面を研磨する基板研磨装置に関する。 The present invention relates to a substrate polishing apparatus for polishing a surface of a substrate such as a glass substrate used for a liquid crystal display panel or the like.
近年、コンピュータやテレビなどの家電製品の表示部として、液晶表示パネルが広く用いられている。液晶表示パネルは、一般には薄膜トランジスタ(TFT)アレイ基板とカラーフィルタ(CF)基板とからなる一対のガラス基板が所定の間隔を置いて平行に対向配置され、両基板間に液晶が充填された構成をなしている。 In recent years, liquid crystal display panels have been widely used as display units for home appliances such as computers and televisions. In general, a liquid crystal display panel has a configuration in which a pair of glass substrates, each composed of a thin film transistor (TFT) array substrate and a color filter (CF) substrate, are arranged opposite to each other in parallel at a predetermined interval, and liquid crystal is filled between the substrates. I am doing.
TFTアレイ基板には複数の画素電極がマトリクス状に形成され、CF基板にはほぼ全面に共通電極が形成されており、これら電極間に印加する電圧を変化させることで、液晶を配向制御することができるようになっている。 A plurality of pixel electrodes are formed in a matrix on the TFT array substrate, and a common electrode is formed on almost the entire surface of the CF substrate, and the orientation of the liquid crystal can be controlled by changing the voltage applied between these electrodes. Can be done.
このような液晶表示パネルの製造工程においては、これらTFTアレイ基板およびCF基板に要求される所定の品質基準を満たさないものは、液晶表示パネルに用いることができず、廃棄処分される。 In the manufacturing process of such a liquid crystal display panel, those that do not satisfy the predetermined quality standards required for the TFT array substrate and the CF substrate cannot be used for the liquid crystal display panel and are discarded.
そこで、この廃棄処分されるものからガラス基板上に形成された各種薄膜などを除去して再生処理し、TFTアレイ基板用またはCF基板用のガラス基板として再び利用するということが行われている。 Therefore, various thin films formed on the glass substrate are removed from the discarded materials and regenerated and reused as a glass substrate for a TFT array substrate or a CF substrate.
このようなガラス基板の表面に形成された膜を除去する方法としては、研磨により除去する方法がある。従来、このようなガラス基板の表面を研磨する装置として、図9に示されるような基板研磨装置50が用いられている。この場合、図9は基板研磨装置50の要部の側面図を示しており、図10はその上面図を示している。
As a method of removing the film formed on the surface of such a glass substrate, there is a method of removing by polishing. Conventionally, a
図示されるように、基板研磨装置50は、上下に対向して配置された研磨定盤51,51と研磨ステージ52を備えている。円形状を有した研磨定盤51の下面には、両面粘着シートを介して研磨布54が貼り付けられており、砥液供給ノズル55によって研磨定盤51の上面から供給された砥液が、研磨定盤51の内部を流下して、研磨布54に供給されるようになっている。
As shown in the figure, the
また、研磨ステージ52は、ガラス基板Wとほぼ同じ大きさの長方形状を有した多孔質セラミックからなる部材で、この研磨ステージ52の下部に接続された図示しない真空ポンプによる真空引きにより、研磨ステージ52に載置されたガラス基板Wをその上面で吸着保持できるようになっている。
The
そして、研磨定盤51を研磨ステージ52に押圧して、研磨定盤51の研磨布54と研磨ステージ52との間にガラス基板Wを挟み込んで、砥液を研磨布54に供給しつつ、研磨定盤51および研磨ステージ52を回転させながら、研磨定盤51を矢印Eで示される方向に反復移動(揺動)することでガラス基板Wの研磨加工が行われる。
Then, the
研磨定盤51に供給される研磨用の砥液としては、粉末状のアルミナや酸化セリウムなどからなる砥粒(研磨材)が例えばアルカリ溶液や水に分散された懸濁液(スラリー)が用いられている。この場合、砥液は、砥液貯留タンク57から砥液供給ポンプ58によって砥液供給ノズル55を介して研磨定盤51に供給されるようになっている。
As the polishing abrasive liquid supplied to the
このようなガラス基板Wの研磨工程の後には、研磨定盤51および研磨ステージ52の洗浄工程が行われる。この場合、洗浄液供給ノズル59によって研磨定盤51の上面から供給された純水などの洗浄液が研磨定盤51の内部を流下して、研磨布54に供給されるようになっており、研磨布54と研磨ステージ52の上面がこの洗浄液によって洗浄されるようになっている。
After such a polishing process of the glass substrate W, a cleaning process of the
図示されるように、研磨ステージ52の下方の左右両側には側溝60,60が設けられており、研磨ステージ52から流下する砥液や洗浄液がこの側溝60,60よって回収されて、装置外へと排出されるようになっている。
As shown in the figure,
通常、研磨工程において研磨ステージ52から流下する砥液は、側溝60を流れて回収タンク62を経由して再び砥液貯留タンク57へと戻る。また、洗浄工程の前半の段階では、側溝60内を流れる洗浄液には砥液が多く含まれることから、これを中間タンク63で回収して、遠心力を利用した固液分離装置の一種であるサイクロン64で高濃度の砥液を分離して取り出し再利用されるようになっている。
Normally, the abrasive liquid flowing down from the
更に、洗浄工程の後半の段階では、側溝60内は洗浄液だけが流れるので、側溝60から回収された洗浄液は、排水タンク65を経由して排水ピット66へ送られるようになっている。この場合、符号61は、側溝60から排出される液の送出先を回収タンク62、中間タンク63、排水タンク65のそれぞれに切り換え可能な切換弁である。尚、本発明に関連する先行技術文献としては下記特許文献が挙げられる。
Further, in the latter half of the cleaning process, only the cleaning liquid flows in the
しかしながら、このような研磨ステージ52の下方に設けられた側溝60は、傾斜が全くないか、傾斜があってもその傾斜が十分に急ではなく砥液や洗浄液が流れにくい場合があり、側溝60内の液の流れが悪く、砥液や洗浄液を十分に回収することができない問題があった。
However, the
そこで、本発明が解決しようとする課題は、研磨される基板が載置される研磨ステージから流下する砥液または洗浄液を回収する側溝内で、これらの液が滞留してしまうことが防止される基板研磨装置を提供することである。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is to prevent these liquids from staying in the side groove for collecting the abrasive liquid or the cleaning liquid flowing down from the polishing stage on which the substrate to be polished is placed. A substrate polishing apparatus is provided.
上記課題を解決するため本発明に係る基板研磨装置は、研磨される基板が載置される研磨ステージから流下する砥液または洗浄液を回収する側溝内に、該側溝の下流側に向けて流体を噴出するノズルが設けられていることを要旨とするものである。 In order to solve the above-mentioned problems, a substrate polishing apparatus according to the present invention supplies a fluid toward a downstream side of a side groove in a side groove for collecting an abrasive liquid or a cleaning liquid flowing down from a polishing stage on which a substrate to be polished is placed. The gist is that a nozzle to be ejected is provided.
このような構成を有する基板研磨装置によれば、砥液または洗浄液を回収する側溝内に、該側溝の下流側に向けて流体を噴出するノズルが設けられているので、側溝内の液をノズルから噴出される流体の圧力によって押し流すことができる。これにより、側溝に傾斜が全くないか、傾斜があってもその傾斜が十分に急ではなく砥液や洗浄液が流れにくい場合でも、側溝内の砥液や洗浄液の流れをスムーズにすることができ、これらを十分に回収することが可能である。 According to the substrate polishing apparatus having such a configuration, the nozzle for ejecting fluid toward the downstream side of the side groove is provided in the side groove for collecting the polishing liquid or the cleaning liquid. It can be swept away by the pressure of the fluid ejected from. As a result, even if there is no inclination in the side groove, or there is an inclination, the inclination is not sufficiently steep and it is difficult for the abrasive liquid or cleaning liquid to flow. These can be recovered sufficiently.
この場合、前記ノズルが前記側溝の上流側から下流側にかけて複数設けられている構成にすれば、側溝内の液の流れを上流側から下流側にかけてスムーズにして、側溝内に液が滞留(残留)しないように回収することができる。また、前記複数のノズルは、前記側溝内に配設された一の流体供給ホースから分岐された複数の枝部の先端に設けられている構成にすれば、複数のノズルを側溝内に簡便に配設することができる。更に、前記ノズルの先端には、前記側溝の幅方向に沿った複数の流体噴出孔が形成されている構成にすれば、側溝内の液の流れをよりスムーズにすることが可能である。 In this case, if a plurality of the nozzles are provided from the upstream side to the downstream side of the side groove, the flow of the liquid in the side groove is made smooth from the upstream side to the downstream side so that the liquid stays (residual) in the side groove. ) Can be recovered. Further, if the plurality of nozzles are provided at the tips of the plurality of branch portions branched from the one fluid supply hose disposed in the side groove, the plurality of nozzles can be easily placed in the side groove. It can be arranged. Furthermore, if a plurality of fluid ejection holes are formed at the tip of the nozzle along the width direction of the side groove, the liquid flow in the side groove can be made smoother.
そして、前記側溝内に前記研磨ステージから砥液が流下する場合は、前記ノズルから噴出される流体がエアまたは砥液である構成にすれば、基板研磨に使用された砥液の濃度を低下させることなく回収して再利用することができる。 When the polishing liquid flows down from the polishing stage into the side groove, the concentration of the polishing liquid used for substrate polishing is reduced if the fluid ejected from the nozzle is air or the polishing liquid. It can be recovered and reused without any problems.
また、前記側溝内に前記研磨ステージから洗浄液が流下する場合は、前記ノズルから噴出される流体がエアである構成にすれば、側溝内の洗浄液を流れ易くして簡便に上述した排水タンク65へ回収し、排水することができる。側溝内の洗浄液の流れが悪い場合、つまり洗浄工程で用いられた洗浄液のすべてが排水タンク65へ回収されずに側溝内に残留したまま次の基板の研磨工程が開始されると、側溝内から上述した回収タンク62に回収されて再度砥液貯留タンク57に送られる砥液にこの残留した洗浄液が混ざってしまい、砥液貯留タンク57内の砥液の濃度が低下してしまう不具合が発生するが、ノズルから噴出されるエアによって、側溝内に洗浄液が残留しないように回収することができるので、このような不具合の発生が防止されることになる。
Further, when the cleaning liquid flows down from the polishing stage into the side groove, if the fluid ejected from the nozzle is air, the cleaning liquid in the side groove can easily flow to the
更に、前記側溝内の液中へのエアバブリングのためのエア噴出孔が該側溝の底部に複数開口形成されている構成にすれば、液が滞留し易い側溝内の端部などの部分の液の流れをエアバブリングによりスムーズにすることが可能である。この場合、前記エア噴出孔が下流側に向かって斜め上に傾斜するように形成されている構成にすれば、側溝内の液の流れをより効果的にスムーズにすることができる。 Further, if a plurality of air ejection holes for air bubbling into the liquid in the side groove are formed at the bottom of the side groove, the liquid in the portion such as the end in the side groove where the liquid is liable to stay. It is possible to make the flow of air smooth by air bubbling. In this case, if the air ejection hole is formed so as to be inclined obliquely upward toward the downstream side, the flow of the liquid in the side groove can be made more effective and smooth.
本発明に係る基板研磨装置によれば、砥液または洗浄液を回収する側溝内に、該側溝の下流側に向けて流体を噴出するノズルが設けられているので、側溝内の液を流れ易くすることができる。これにより、側溝に傾斜が全くないか、傾斜があってもその傾斜が十分に急ではなく砥液や洗浄液が流れにくい場合でも、砥液や洗浄液を十分に回収することができる。 According to the substrate polishing apparatus of the present invention, the nozzle for ejecting the fluid toward the downstream side of the side groove is provided in the side groove for collecting the polishing liquid or the cleaning liquid, so that the liquid in the side groove can easily flow. be able to. As a result, even if there is no inclination in the side groove, or there is an inclination, the inclination is not sufficiently steep and it is difficult for the abrasive liquid or cleaning liquid to flow, so that the abrasive liquid or cleaning liquid can be sufficiently recovered.
以下に、本発明に係る基板研磨装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。先ず、本発明に係る基板研磨装置の第1の実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。 Embodiments of a substrate polishing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. First, a first embodiment of a substrate polishing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
図1および図2に示されるように基板研磨装置1は、上下に対向して配置された研磨定盤2,2と研磨ステージ3を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
円形状を有した研磨定盤2の下面には、両面粘着シートを介して研磨布4が貼り付けられている。研磨布4は、内部に砥粒を含まない発泡ウレタンや不織布などからなり、その下面がガラス基板Wの上面を研磨する研磨面となっている。研磨定盤2は、回転可能な支軸2aを介してその上方に配置される図示しないモータおよび昇降シリンダに連結されており、図中の矢印A,Bに示されるように、昇降可能かつ支軸2a周りに回転可能となっている。また、研磨定盤2は、図示しない揺動アームによって図2中の矢印Dに示されるように反復移動(揺動)が可能となっている。
A polishing
研磨定盤2の上方には、砥液供給ノズル5が配置されており、この砥液供給ノズル5からは粉末状のアルミナや酸化セリウムなどからなる砥粒(研磨材)が水に分散された懸濁液(スラリー)からなる砥液が、研磨定盤2に供給される。供給された砥液は研磨定盤2の内部を流下して、研磨布4に供給されるようになっている。
An abrasive
この場合、砥液は、砥液貯留タンク7に貯留されており、砥液貯留タンク7に設けられた砥液供給ポンプ8によって砥液貯留タンク7内の砥液が汲み上げられて、砥液供給ノズル5を介して研磨定盤2に供給されるようになっている。
In this case, the abrasive liquid is stored in the abrasive
また、研磨定盤2の上方には、洗浄液供給ノズル9が配置されており、この洗浄液供給ノズル9からは純水などの洗浄液が、研磨定盤2に供給される。供給された洗浄液は、研磨定盤2の内部を流下して、研磨布4に供給されるようになっている。
A cleaning liquid supply nozzle 9 is disposed above the polishing
研磨ステージ3は、ガラス基板Wとほぼ同じ大きさの長方形状を有した多孔質セラミックからなる部材で、この研磨ステージ3の下部に接続された図示しない真空ポンプによる真空引きにより、研磨ステージ3に載置されたガラス基板Wをその上面で吸着保持できるようになっている。
The polishing
研磨ステージ3は、ステージ軸3aを介してその下方に配置される図示しないモータに連結されており、研磨ステージ3は、図中の矢印Cで示されるようにそのステージ軸3a周りに回転可能になっている。
The polishing
図示されるように、研磨ステージ3の下方の左右両側には、研磨ステージ3を囲む枠体6の底部としての側溝10,10が設けられており、研磨ステージ3から流下する砥液や洗浄液がこの側溝10,10よって回収されて、装置外へと排出されるようになっている。
As shown in the drawing,
このような基板研磨装置1の砥液によるガラス基板Wの研磨工程において、研磨ステージ3から流下する砥液は、側溝10を流れて回収タンク12を経由して再び砥液貯留タンク7へと戻るようになっている。つまり、ガラス基板Wの研磨に供された後、研磨ステージ3から流下する砥液は、側溝10を流れて回収タンク12を経由して再び砥液貯留タンク7へと戻り、砥液貯留タンク7内に貯留されている砥液と混ぜられるようになっている。
In such a polishing process of the glass substrate W with the abrasive liquid of the
また、このような基板研磨装置1の洗浄液による研磨定盤2と研磨ステージ3の洗浄工程において、洗浄工程の前半の段階では、研磨ステージ3から流下して側溝10内を流れる洗浄液には砥液が多く混ざっていることから、これを中間タンク13で回収するようになっている。中間タンク13に回収された洗浄液と砥液が混ざった液は、遠心力を利用した固液分離装置の一種であるサイクロン14に送り出され、このサイクロン14で高濃度の砥液を分離して取り出すことが行われるようになっており、取り出した砥粒の再利用が可能になっている。
Further, in the cleaning process of the polishing
更に、洗浄工程の後半の段階では、研磨ステージ3から流下して側溝10内を流れる洗浄液には砥液がほとんど混ざっていないことから、側溝10内はほとんど洗浄液だけが流れるので、側溝10から回収された洗浄液は、排水タンク15を経由して排水ピット16へ送り出される。尚、符号11は、側溝10の下流端から排出される液の送出先を回収タンク12、中間タンク13、排水タンク15のそれぞれに切り換え可能な切換弁である。
Further, in the latter half of the cleaning process, since the abrasive liquid is hardly mixed in the cleaning liquid flowing down from the polishing
このような研磨ステージ3から流下する砥液や洗浄液を回収する側溝10内には、複数の流体噴出ノズル20が配設されている。この場合、3つの流体噴出ノズル20が、側溝10の上流、中流、下流の3箇所にそれぞれ配設されている。流体噴出ノズル20は、可撓性を有する一本の流体供給ホース21から枝状に分岐された枝部21aの先端に接続されている。また、流体供給ホース21は、閉栓・開栓動作が可能な開閉弁22を介して圧縮エア供給源23に接続されている。
A plurality of
図3に示されるように流体噴出ノズル20の先端には、側溝10の幅方向に沿って並んだ複数の流体噴出孔20aが形成されており、これら流体噴出孔20aのそれぞれからエアが噴出されるようになっている。この場合、流体噴出ノズル20の流体噴出孔20aは、側溝10の下流側に向けられており、エアを側溝10の上流側から下流側に向けて噴出する。これにより、流体噴出ノズル20から噴出されたエアの圧力によって、側溝10内の砥液や洗浄液を、下流側に向けて押し流すことが可能になっている。
As shown in FIG. 3, a plurality of
このような構成の基板研磨装置1の研磨工程では、先ず、ガラス基板Wを図示しない基板搬送手段によって研磨ステージ3の上面に載置する。研磨ステージ3に載置されたガラス基板Wは図示しない真空ポンプによる吸引によって研磨ステージ3上に吸着保持される。
In the polishing step of the
次に、研磨定盤2を図示しない昇降シリンダの駆動によってガラス基板Wの上面を所定の圧力で押圧させる。次いで、砥液供給ポンプ8を駆動して砥液貯留タンク7内に貯留されている砥液を汲み上げ、砥液供給ノズル5に砥液を送り出す。砥液供給ノズル5から吐出された砥液は、研磨定盤2の研磨布4に供給される。
Next, the upper surface of the glass substrate W is pressed with a predetermined pressure by driving the polishing
そして、砥液を研磨布4に供給しつつ、研磨定盤2および研磨ステージ3を回転させながら、研磨定盤2を矢印Dで示されるように反復移動(揺動)させることでガラス基板Wの研磨加工が行われる。この場合、切換弁11によって側溝10から排出される液の送出先が回収タンク12となるように切り換えられている。
Then, while supplying the polishing liquid to the polishing
このようなガラス基板Wの研磨加工を行っている間は、開閉弁22が開栓されて、流体供給ホース21を介して流体噴出ノズル20からエアが噴出される。このように側溝10内に配設された流体噴出ノズル20からエアが噴出されると、このエアの圧力によって、研磨ステージ3から流下して側溝10で受け止められた側溝10内の砥液が下流側へと押し流されるようになっている。これにより側溝10内の砥液は滞留することなくスムーズに側溝10の上流から下流に向けて流れることになる。
While the glass substrate W is being polished, the on-off
側溝10内の砥液の流れが弱いと、砥液に含まれる砥粒の一部が側溝10内で沈殿してしまい、その結果、回収される砥液の濃度が低下してしまう。このように濃度が低下した砥液が、回収タンク12を介して再び砥液貯留タンク7に戻されて、砥液貯留タンク7内の砥液と混ぜられると、その砥液の濃度が低下してしまう。
When the flow of the abrasive liquid in the
通常、砥液貯留タンク7内に貯留されている砥液の濃度、つまり砥液中における砥粒の含有量は、例えば10重量パーセントなどに設定されており、この砥液の濃度が低下すると、ガラス基板Wの研磨の加工精度が不安定化してしまう。
Usually, the concentration of the abrasive liquid stored in the abrasive
そこで、側溝10内に流体噴出ノズル20を配設し、この流体噴出ノズル20からエアを下流側に向けて噴出させて、そのエアの圧力によって側溝10内の砥液を押し流して砥液の流れを良好にすることで、砥液に含まれる砥粒の一部が側溝10内で沈殿してしまうことが抑制される。これにより、側溝10内から回収される砥液の濃度を低下させることなく、砥液貯留タンク7内に戻すことができ、砥液貯留タンク7内の砥液の濃度の安定化を図ることが可能となる。この場合、流体噴出ノズル20から噴出される流体がエアであるため、回収される砥液の濃度への影響もない。また、傾斜のない側溝や、傾斜を大きくするように改造することができない側溝であっても、流体噴出ノズル20をその側溝内に配設するだけで、側溝内の液の流れをスムーズにすることができる。
Therefore, a
上述したように砥液貯留タンク7内の砥液の濃度が安定すると、ガラス基板Wの研磨の加工精度が安定する。また、砥液貯留タンク7内への砥粒の補充の回数も減少させることができる結果、砥粒の使用量減少によるコストダウンが可能である。更に、砥粒の使用量が減少するので、砥粒の廃棄にかかる費用も減少させることができ、環境への負荷が減る。そして、側溝10内での砥粒の堆積量(沈殿量)が減少するので、基板研磨装置1内の清掃が容易になり作業者への負担が軽減されることになる。
As described above, when the concentration of the abrasive liquid in the abrasive
このような砥液によるガラス基板Wの研磨工程が終了すると、砥液の供給を停止させると共に、洗浄液による研磨定盤2と研磨ステージ3の洗浄が行われる。洗浄液供給ノズル9から吐出された洗浄液は、図示しないブラシに供給され、このブラシによって研磨定盤2の研磨布4の洗浄が行われる。また、研磨ステージ3はガラス基板Wを基板研磨装置1に搬入する図示しないローダー、またはガラス基板Wを基板研磨装置1から搬出する図示しないアンローダーに付属したシャワーノズルから供給される洗浄液によって洗浄が行われるようになっている。この場合、切換弁11によって側溝10から排出される液の送出先が、洗浄工程の前半の段階では、中間タンク13となるように切り換えられている。また、洗浄工程の後半の段階では、切換弁11によって側溝10から排出される液の送出先が排水タンク15となるように切り換えられている。
When the polishing process of the glass substrate W with such an abrasive liquid is completed, the supply of the abrasive liquid is stopped and the polishing
このような洗浄液による研磨定盤2と研磨ステージ3の洗浄工程においては、洗浄工程の前半の段階では、研磨ステージ3から流下して側溝10内を流れる洗浄液には砥液が多く混ざっていることから、これを中間タンク13で回収し、サイクロン14で高濃度の砥液を分離して取り出す。
In the cleaning process of the polishing
このような洗浄工程を行っている間も、開閉弁22が開栓されており、流体供給ホース21を介して流体噴出ノズル20からエアが噴出される。このように側溝10内に配設された流体噴出ノズル20からエアが噴出されると、このエアの圧力によって、研磨ステージ3から流下して側溝10で受け止められた側溝10内の洗浄液と砥液が混ざった液が下流側へと押し流されるようになっている。
Even during such a cleaning process, the on-off
これにより側溝10内の洗浄液と砥液が混ざった液は滞留することなくスムーズに側溝10の上流から下流に向けて流れることになる。この場合、側溝10から排出された洗浄液と砥液が混ざった液は中間タンク13を介してサイクロン14に送られることになるが、研磨工程で残った砥液を十分に回収することができるので、サイクロン14による砥粒の取り出し量を従来よりも増加させることが可能となっている。これにより、砥液供給タンク7に充填する砥粒として再利用される砥粒の量を増加させることができるので、砥粒の材料費にかかるコストを下げることが可能である。
Thereby, the liquid in which the cleaning liquid and the abrasive liquid in the
次に、洗浄工程の後半の段階では、研磨ステージ3から流下して側溝10内を流れる洗浄液には砥液がほとんど混ざっていないことから、側溝10内は洗浄液だけが流れるので、側溝10から排出された洗浄液は、排水タンク15を経由して排水ピット16へ送り出される。この場合、切換弁11によって側溝10から排出される液の送出先が排水タンク15となるように切り換えられている。
Next, in the latter half of the cleaning process, since the abrasive liquid is hardly mixed in the cleaning liquid flowing down from the polishing
このような洗浄工程が終了すると、洗浄液の供給が停止されると共に、次のガラス基板Wへの研磨工程が開始されるのであるが、側溝10内に洗浄液が残留している場合、次のガラス基板Wの研磨に供されて研磨ステージ3から流下する砥液が、この残留している洗浄液と混ざってその砥液の濃度が低下してしまう。このように濃度が低下した砥液が、回収タンク12を介して再び砥液貯留タンク7に戻されて、砥液貯留タンク7内の砥液と混ぜられると、その砥液の濃度が低下してしまう。
When such a cleaning process is completed, the supply of the cleaning liquid is stopped and the polishing process to the next glass substrate W is started. If the cleaning liquid remains in the
そこで、この場合も側溝10内に配設された流体噴出ノズル20からエアを下流側に向けて噴出させて、そのエアの圧力によって側溝10内の洗浄液を押し流してその流れを良好にすることで、洗浄液を側溝10内で残留させることなく排出することができる。これにより、次のガラス基板Wの研磨工程において、側溝10内から回収される砥液の濃度を低下させることなく、砥液貯留タンク7内に戻すことができ、砥液貯留タンク7内の砥液の濃度の安定化を図ることが可能となる。
Therefore, in this case as well, the air is ejected from the
次に、本発明に係る基板研磨装置の第2の実施形態について、図4および図5を用いて説明する。尚、上述した第1の実施形態と同一の構成については同符号を付して説明は省略し、異なる点を中心に説明する。 Next, a second embodiment of the substrate polishing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. In addition, about the same structure as 1st Embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted and it demonstrates centering on a different point.
図4および図5(a)に示されるように、基板研磨装置30に設けられた側溝10の底部10aには、上流から下流にかけて複数のエア噴出孔10bが開口形成されている。このエア噴出孔10bは、開閉弁31を介して圧縮エア供給源23と接続されてエアを噴出することが可能になっている。この場合、側溝10内を砥液や洗浄液が流れる際に、エア噴出孔10bからエアを噴出させることでそれら液中へのエアバブリングを行うことができるようになっている。
As shown in FIGS. 4 and 5A, a plurality of air ejection holes 10b are formed in the
特に、側溝10内を砥液が流れる際に、エアバブリングを行うことで、砥液中の砥粒が底部10a上に沈殿することが抑制されることになる。また、このようなエアバブリングによって側溝10内の例えば角部のような液の流れの弱い箇所に沈殿する砥粒を浮遊させることができるので、流体噴出ノズル20から噴出されるエアの圧力による砥液の押し流しとの相乗効果によって、効率的に砥液を下流側へと流すことが可能である。この場合、図5(b)に示されるように、エア噴出孔10bを下流側に向かって斜め上に傾斜した形状に形成すれば、エアバブリングによって沈殿する砥粒を浮遊させる作用・効果と共に、側溝10内の砥液を下流側へと押し流す作用・効果を奏することが可能である。
In particular, when the abrasive fluid flows in the
次に、本発明に係る基板研磨装置の第3の実施形態について図6を用いて説明する。尚、上述した第1の実施形態と同一の構成については同符号を付して説明は省略し、異なる点を中心に説明する。 Next, a third embodiment of the substrate polishing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. In addition, about the same structure as 1st Embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted and it demonstrates centering on a different point.
図示されるような基板研磨装置40において、流体供給ホース21は切換弁41を介して砥液供給ポンプ8および圧縮エア供給源23と接続されており、流体噴出ノズル20からはエアまたは砥液を噴出することが可能となっている。
In the
このような基板研磨装置40では、ガラス基板Wの研磨加工を行っている間は、切換弁22の動作によって流体供給ホース21は、砥液供給ポンプ8と接続されて、流体供給ホース21を介して流体噴出ノズル20から砥液が噴出されるようになっている。このように側溝10内に配設された流体噴出ノズル20から砥液が噴出されると、噴出された砥液の圧力によって、研磨ステージ3から流下して側溝10で受け止められた側溝10内の砥液が下流側へと押し流されるようになっている。これにより側溝10内の砥液は滞留することなくスムーズに側溝10の上流から下流に向けて流れることになる。
In such a
このように流体噴出ノズル20から噴出される流体は、砥液供給ポンプ8から供給される砥液、つまり研磨加工に用いられる砥液と同じであるため、側溝10で回収される砥液の濃度への影響もない。
Since the fluid ejected from the
したがって、上述した第1の実施形態の場合と同様に、側溝10内から回収される砥液の濃度を低下させることなく、砥液貯留タンク7内に戻すことができ、砥液貯留タンク7内の砥液の濃度の安定化を図ることが可能となる。また、研磨定盤2に砥液を供給またはその供給を停止するタイミングと、流体噴出ノズル20に砥液を供給またはその供給を停止するタイミングを一致させることができるので、砥液供給ポンプをもう一台増設することなく、図示されるような1台の砥液供給ポンプ8からの配管を分配するだけで研磨定盤2および流体噴出ノズル20の双方に砥液を供給することができる。
Therefore, as in the case of the first embodiment described above, the abrasive liquid recovered from the
尚、研磨工程が終了して洗浄工程が開始されると、切換弁41の動作によって流体供給ホース21は圧縮エア供給源23と接続されて、流体供給ホース21を介して流体噴出ノズル20からエアが噴出されるようになっており、上述した第1の実施形態と同様の洗浄工程の前半段階および後半段階における側溝10内の洗浄液のエアによる押し流しが行われるようになっている。
When the polishing process is completed and the cleaning process is started, the
以上説明した本発明に係る基板研磨装置によれば、砥液または洗浄液を回収する側溝10内に、その側溝10の下流側に向けて流体を噴出するノズル20が設けられているので、側溝10内の液をノズル20から噴出される流体の圧力によって押し流すことができる。これにより、側溝10に傾斜が全くないか、傾斜があってもその傾斜が十分に急ではなく砥液や洗浄液が流れにくい場合でも、側溝10内の砥液や洗浄液の流れをスムーズにすることができ、これらを十分に回収することが可能である。
According to the substrate polishing apparatus according to the present invention described above, the
この場合、ノズル20が側溝10の上流側から下流側にかけて複数設けられているので、側溝10内の液の流れを上流側から下流側にかけてスムーズにして、側溝内に液が滞留(残留)しないように回収することができる。また、複数のノズル20が、側溝10内に配設された一の流体供給ホース21から分岐された複数の枝部21aの先端に設けられているので、複数のノズル20を側溝10内に簡便に配設することができる。更に、ノズル20の先端には、側溝10の幅方向に沿った複数の流体噴出孔20aが形成されているので、側溝10内の液の流れをよりスムーズにすることが可能である。
In this case, since a plurality of
更に、側溝10内に研磨ステージ3から砥液が流下する場合は、ノズル20から噴出される流体がエアまたは砥液である構成にすれば、基板研磨に使用された砥液の濃度を低下させることなく回収して再利用することができる。
Further, when the abrasive liquid flows down from the polishing
そして、側溝10内に研磨ステージから洗浄液が流下する場合は、ノズル20から噴出される流体がエアである構成にすれば、側溝10内の洗浄液を流れ易くして簡便に回収することができる。側溝10内の洗浄液の流れが悪い場合、つまり洗浄工程で用いられた洗浄液がすべて回収されずに側溝10内に残留したまま次のガラス基板Wの研磨工程が開始されると、側溝10内から回収されて再度砥液貯留タンク7に送られる砥液にこの残留した洗浄液が混ざってしまい、砥液貯留タンク7内の砥液の濃度が低下してしまう不具合が発生するが、ノズル20から噴出されるエアによって、側溝10内に洗浄液が残留しないように回収することができるので、このような不具合の発生が防止されることになる。
When the cleaning liquid flows down from the polishing stage into the
また、側溝10内の液中へのエアバブリングのためのエア噴出孔10bがその側溝10の底部10aに複数開口形成されている構成にすれば、液が滞留し易い側溝10内の角部などの部分の液の流れをエアバブリングによりスムーズにすることが可能である。この場合、エア噴出孔10bが下流側に向けて斜め上に傾斜するように形成すれば、側溝10内の液の流れをより効果的にスムーズにすることができる。
Further, if a plurality of air ejection holes 10b for bubbling air into the liquid in the
以上、本発明に係る基板研磨装置の実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施できることは勿論である。 Although the embodiments of the substrate polishing apparatus according to the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and can be implemented in various modes without departing from the gist of the present invention. Of course.
例えば、図7に示される流体供給ホース26には、管壁にその内側から下流側に向けて傾斜するように開口形成された流体噴出孔25aを有する流体噴出ノズル25が、上流側から下流側にかけて複数設けられており、この流体噴出ノズル25からは下流側に向かって斜めにエアまたは砥液が噴出されるようになっている。従って、図8に示されるように、このような構成の流体供給ホース26を側溝10内に配設しても、流体噴出ノズル25から噴出される流体の圧力によって側溝10内の液を押し流すことが可能であり、上述した実施の形態には限定されない。
For example, the
1,30,40 基板研磨装置
2 研磨定盤
3 研磨ステージ
4 研磨布
5 砥液供給ノズル
6 枠体
7 砥液貯留タンク
8 砥液供給ポンプ
9 洗浄液供給ノズル
10 側溝
11 切換弁
12 回収タンク
13 中間タンク
14 サイクロン
15 排水タンク
16 排水ピット
20 流体噴出ノズル
20a 流体噴出孔
21 流体供給ホース
21a 枝部
22 開閉弁
23 圧縮エア供給源
25 流体噴出ノズル
25a 流体噴出孔
26 流体供給ホース
31 開閉弁
41 切換弁
W ガラス基板
1, 30, 40
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014162708A1 (en) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 株式会社クラレ | Slurry regeneration apparatus, slurry regeneration method, and regenerated slurry |
JP2015071205A (en) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | 信越半導体株式会社 | Cleaning method for polishing cloth and polishing method for wafer |
CN116160365A (en) * | 2023-04-25 | 2023-05-26 | 通威微电子有限公司 | SiC polishing solution table top recovery device |
KR20230120806A (en) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 에스케이실트론 주식회사 | Polishing slurry recovery device and recovery method therefor |
-
2009
- 2009-11-16 JP JP2009261027A patent/JP2011104693A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014162708A1 (en) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 株式会社クラレ | Slurry regeneration apparatus, slurry regeneration method, and regenerated slurry |
JP2015071205A (en) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | 信越半導体株式会社 | Cleaning method for polishing cloth and polishing method for wafer |
KR20230120806A (en) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 에스케이실트론 주식회사 | Polishing slurry recovery device and recovery method therefor |
KR102684327B1 (en) | 2022-02-10 | 2024-07-11 | 에스케이실트론 주식회사 | Polishing slurry recovery device and recovery method therefor |
CN116160365A (en) * | 2023-04-25 | 2023-05-26 | 通威微电子有限公司 | SiC polishing solution table top recovery device |
CN116160365B (en) * | 2023-04-25 | 2023-08-08 | 通威微电子有限公司 | SiC polishing solution table top recovery device |
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