JP2011102764A - Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit design method, and semiconductor integrated circuit design program - Google Patents

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仁一 前原
Hirobumi Yonetoku
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit, a semiconductor integrated circuit design method and a semiconductor integrated circuit design program capable of reducing the number of test patterns with respect to a semiconductor integrated circuit including an internal clock domain having data path dependency operated in the same frequency. <P>SOLUTION: This semiconductor integrated circuit includes: a first clock domain; a second clock domain operated in the same frequency as the first clock domain, and connected to the first clock domain through a data path; and a path interruption circuit for switching conduction to/from interruption of data transfer through the data path. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路、半導体集積回路設計方法及び半導体集積回路設計プログラムに関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, a semiconductor integrated circuit design method, and a semiconductor integrated circuit design program.

半導体集積回路の作成において、品質を確保するために、機能テストの実施は必須となっている。しかし、近年、半導体集積回路の大規模化、機能の複雑化が進んできているため、機能テストにおけるテストパターン数は増加傾向にある。そのため、半導体集積回路の品質保持のために実施するテストパターン数は膨大になってきている。また、テストパターン数を削減して機能テストを行うためには、テストパターンを入出力するための端子を多数追加しなければならない。   In creating a semiconductor integrated circuit, it is essential to perform a function test in order to ensure quality. However, in recent years, since the scale of semiconductor integrated circuits and the complexity of functions have progressed, the number of test patterns in function tests tends to increase. For this reason, the number of test patterns implemented for maintaining the quality of semiconductor integrated circuits has become enormous. Also, in order to reduce the number of test patterns and perform a function test, it is necessary to add many terminals for inputting / outputting test patterns.

そのため、膨大な数のテストパターンを実施することによるテストコストが増大してしまうという問題や、多数の端子を追加することによってチップ面積が増大し、チップコストが増大してしまうという問題がある。このようなことから、半導体集積回路の作成においては、テストパターン数を削減して、コストを低減することが望まれている。   Therefore, there is a problem that the test cost increases due to the execution of a huge number of test patterns, and there is a problem that the chip area increases due to the addition of a large number of terminals, thereby increasing the chip cost. For this reason, it is desired to reduce the number of test patterns and reduce the cost in the production of a semiconductor integrated circuit.

ここで、特許文献1には、本願出願人によるテストパターンの増加と端子の追加を抑制することが可能となる技術が開示されている。特許文献1に開示の技術は、内部クロックドメインにスキャンクロック信号を供給するDFT(Design For Testability)回路を挿入する場合に、テストする内部クロックドメインのテスト周波数に基づき周波数グループを抽出し、データパス依存関係に基づき周波数グループ内から周波数サブグループを抽出する。そして、周波数グループに基づき、スキャンクロック信号を任意の内部クロックドメインに選択的に供給可能な制御回路を回路情報に追加し、制御回路のスキャンクロック出力端子の数を周波数サブグループに基づいて決定する。これによって、テスト周波数が異なり互いにデータパス依存関係を有さない内部クロックドメインを同時にテストするテストパターンの生成と実行をすることが可能である。   Here, Patent Literature 1 discloses a technique that can suppress an increase in test patterns and addition of terminals by the applicant of the present application. In the technique disclosed in Patent Document 1, when a DFT (Design For Testability) circuit that supplies a scan clock signal to an internal clock domain is inserted, a frequency group is extracted based on the test frequency of the internal clock domain to be tested, and the data path A frequency subgroup is extracted from the frequency group based on the dependency relationship. Based on the frequency group, a control circuit capable of selectively supplying a scan clock signal to an arbitrary internal clock domain is added to the circuit information, and the number of scan clock output terminals of the control circuit is determined based on the frequency subgroup. . Thus, it is possible to generate and execute a test pattern for simultaneously testing internal clock domains having different test frequencies and having no data path dependency.

ここで、図8を参照して、具体的な例について説明する。図8は、特許文献1に開示の技術によって、周波数サブグループFSG111、FSG112を含む周波数グループFG101と、周波数サブグループFSG121、FSG122を含む周波数グループFG102と、周波数サブグループFSG131、FSG132を含む周波数グループFG103とが抽出される半導体集積回路を示す図である。なお、制御回路141a、141b、141cについては図示を省略する。   Here, a specific example will be described with reference to FIG. FIG. 8 shows a frequency group FG101 including frequency subgroups FSG111 and FSG112, a frequency group FG102 including frequency subgroups FSG121 and FSG122, and a frequency group FG103 including frequency subgroups FSG131 and FSG132 by the technique disclosed in Patent Document 1. It is a figure which shows the semiconductor integrated circuit from which these are extracted. The control circuits 141a, 141b, and 141c are not shown.

周波数サブグループFSG111は、内部クロックドメイン121を含み、周波数サブグループFSG122は、内部クロックドメイン122を含む。周波数サブグループFSG121は、内部クロックドメイン123を含み、周波数サブグループFSG122は、内部クロックドメイン124、125を含む。周波数サブグループFSG131は、内部クロックドメイン126を含み、周波数サブグループFSG132は、内部クロックドメイン127を含む。   The frequency sub group FSG 111 includes an internal clock domain 121, and the frequency sub group FSG 122 includes an internal clock domain 122. The frequency subgroup FSG 121 includes an internal clock domain 123, and the frequency subgroup FSG 122 includes internal clock domains 124 and 125. The frequency subgroup FSG 131 includes an internal clock domain 126, and the frequency subgroup FSG 132 includes an internal clock domain 127.

内部クロックドメイン121は、内部クロックドメイン122とデータパス依存関係を有し、内部クロックドメイン124は、内部クロックドメイン123とデータ依存関係を有し、内部クロックドメイン125は、内部クロックドメイン126とデータ依存関係を有し、内部クロックドメイン127は、内部クロックドメイン126とデータ依存関係を有する。   The internal clock domain 121 has a data path dependency with the internal clock domain 122, the internal clock domain 124 has a data dependency with the internal clock domain 123, and the internal clock domain 125 has a data dependency with the internal clock domain 126. The internal clock domain 127 has a data dependency relationship with the internal clock domain 126.

この半導体集積回路において機能テストを実行する場合、制御回路141a〜141cは、周波数グループFG101においては、周波数サブグループFSG111又はFSG112のいずれかに、周波数グループFG102においては、周波数サブグループFSG121又はFSG122のいずれかに、周波数グループFG103においては、周波数サブグループFSG131又はFSG132のいずれかに、選択的にスキャンクロック信号を供給する。これによって、内部クロックドメイン121、123、126を含む第1のテストグループ、又は、内部クロックドメイン122、124、125、127を含む第2のテストグループに選択的にスキャンクロック信号を供給することができる。   When performing a functional test in this semiconductor integrated circuit, the control circuits 141a to 141c are either in the frequency subgroup FSG111 or FSG112 in the frequency group FG101, and in any of the frequency subgroup FSG121 or FSG122 in the frequency group FG102. In the frequency group FG103, a scan clock signal is selectively supplied to either the frequency subgroup FSG131 or the FSG132. Accordingly, the scan clock signal is selectively supplied to the first test group including the internal clock domains 121, 123, and 126 or the second test group including the internal clock domains 122, 124, 125, and 127. it can.

このように、それぞれに含まれる内部クロックドメイン同士がデータパス依存関係を有しないようにテストグループ化された第1及び第2のテストグループに選択的にスキャンクロック信号を供給することで、それぞれのテストグループに含まれる複数の内部クロックドメインを同時にテストするテストパターンの生成と実行をすることが可能としている。これにより、テストパターン数の増加の抑制を可能としている。   In this way, by selectively supplying the scan clock signal to the first and second test groups that are grouped so that the internal clock domains included in each do not have a data path dependency relationship, It is possible to generate and execute a test pattern for simultaneously testing a plurality of internal clock domains included in a test group. This makes it possible to suppress an increase in the number of test patterns.

しかし、特許文献1に開示の技術は、制御回路141a〜141cによって、任意のテストグループに選択的にスキャンクロック信号を供給してテストを実行するものであるため、必ずテストグループ毎にテストパターンの生成と実行をする必要がある。つまり、データパス依存関係を有する内部クロックドメイン同士を同時にテストすることができていないため、テストパターン数を十分に削減することができていないという問題がある。   However, since the technique disclosed in Patent Document 1 is to perform a test by selectively supplying a scan clock signal to an arbitrary test group by the control circuits 141a to 141c, a test pattern is always set for each test group. Need to generate and execute. That is, since the internal clock domains having the data path dependency cannot be tested at the same time, there is a problem that the number of test patterns cannot be reduced sufficiently.

なお、特許文献2には、互いに異なる位相を有する第1クロック領域と第2クロック領域との間にインタフェース信号経路を有する回路を試験する場合に、第1クロック領域からインタフェース信号経路を経て第2クロック領域に予測不可能なサイクルでデータが伝送さえるという問題を解決する技術が開示されている。特許文献2には、インタフェース信号経路においていくらかの追加の遅延を引き起こすシーム回路を追加することによって、全てのクロック領域を試験中に予測可能に制御することができる技術が開示されている。また、シーム回路によって、異なる位相を有するクロック領域を互いに分離し、別々に試験することができる技術が開示されている。   In Patent Document 2, when testing a circuit having an interface signal path between a first clock domain and a second clock domain having different phases, the second signal passes through the interface signal path from the first clock domain. A technique for solving the problem that data can be transmitted in an unpredictable cycle in the clock domain is disclosed. Patent Document 2 discloses a technique in which all clock domains can be controlled predictably during a test by adding a seam circuit that causes some additional delay in the interface signal path. In addition, a technique is disclosed in which clock regions having different phases can be separated from each other and tested separately by a seam circuit.

しかし、特許文献2に開示の技術は、上述した周波数グループのように、同一の周波数で動作する内部クロックドメイン間においてデータパス依存関係がある場合に、同時にテストすることを可能として、テストパターン数を削減する具体的な技術を開示したものではない。   However, the technique disclosed in Patent Document 2 enables simultaneous testing when there is a data path dependency between internal clock domains operating at the same frequency as in the frequency group described above, and the number of test patterns It does not disclose a specific technique for reducing the amount.

特開2007−212339号公報JP 2007-212339 A 特許第3848686号Japanese Patent No. 3848686

背景技術として説明したように、同一の周波数で動作するデータパス依存関係を有する内部クロックドメインを含む半導体集積回路に対して、テストパターン数を十分に削減することができていないという問題がある。   As described in the background art, there is a problem that the number of test patterns cannot be sufficiently reduced for a semiconductor integrated circuit including an internal clock domain having a data path dependency that operates at the same frequency.

本発明の第1の態様にかかる半導体集積回路は、第1のクロックドメインと、前記第1のクロックドメインと同一の周波数で動作し、前記第1のクロックドメインとデータパスによって接続される第2のクロックドメインと、前記データパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えるパス遮断回路とを備えたものである。   The semiconductor integrated circuit according to the first aspect of the present invention operates with a first clock domain and a second clock that operates at the same frequency as the first clock domain and is connected to the first clock domain by a data path. And a path blocking circuit for switching conduction and blocking of data transfer in the data path.

本発明の第2の態様にかかる半導体集積回路設計方法は、第1のクロックドメインと、前記第1のクロックドメインと同一の周波数で動作する第2のクロックドメインとを接続するデータパスを検出し、前記検出したデータパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えるパス遮断回路を挿入する。   The semiconductor integrated circuit design method according to the second aspect of the present invention detects a data path connecting a first clock domain and a second clock domain operating at the same frequency as the first clock domain. Then, a path blocking circuit for switching conduction and blocking of data transfer in the detected data path is inserted.

本発明の第3の態様にかかる半導体集積回路設計プログラムは、第1のクロックドメインと、前記第1のクロックドメインと同一の周波数で動作する第2のクロックドメインとを接続するデータパスを検出する処理と、前記検出したデータパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えるパス遮断回路を挿入する処理とをコンピュータに実行させる。   A semiconductor integrated circuit design program according to a third aspect of the present invention detects a data path connecting a first clock domain and a second clock domain operating at the same frequency as the first clock domain. The computer is caused to execute a process and a process of inserting a path blocking circuit for switching between conduction and blocking of data transfer in the detected data path.

これにより、第1のクロックドメインと第2のクロックドメインに対して、並行にテストを実施することができるため、テストパターン数を削減することができる。   As a result, tests can be performed in parallel on the first clock domain and the second clock domain, so that the number of test patterns can be reduced.

上述した各態様によれば、同一の周波数で動作するデータパス依存関係を有する内部クロックドメインを含む半導体集積回路に対して、テストパターン数を削減することができる半導体集積回路、半導体集積回路設計方法及び半導体集積回路設計プログラムを提供することができる。   According to each aspect described above, a semiconductor integrated circuit and a semiconductor integrated circuit design method capable of reducing the number of test patterns for a semiconductor integrated circuit including an internal clock domain having a data path dependency that operates at the same frequency. In addition, a semiconductor integrated circuit design program can be provided.

本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路設計システムの構成図である。1 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit design system according to a first exemplary embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路設計システムの処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process of the semiconductor integrated circuit design system concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかるDFT回路が挿入された内部クロックドメインの組の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the group of the internal clock domain in which the DFT circuit concerning Embodiment 1 of this invention was inserted. 本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路の一例を示す図である。1 is a diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. 図4に示す半導体集積回路が生成されるDFT挿入前回路情報に基づいて、背景技術によって生成した半導体集積回路の一例を示す図であるである。FIG. 5 is a diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit generated by background art based on pre-DFT circuit information generated by the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4. 本発明のその他の発明の実施の形態にかかるDFT挿入後回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the circuit after DFT insertion concerning embodiment of the other invention of this invention. 本発明のその他の発明の実施の形態にかかるDFT挿入後回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the circuit after DFT insertion concerning embodiment of the other invention of this invention. 背景技術にかかる半導体集積回路を示す図である。It is a figure which shows the semiconductor integrated circuit concerning background art.

本発明の実施の形態1
図1を参照して、本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路設計システムの構成について説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路設計システムの構成図である。
Embodiment 1 of the present invention
With reference to FIG. 1, the configuration of the semiconductor integrated circuit design system according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit design system according to a first embodiment of the present invention.

半導体集積回路設計システム10は、コンピュータ11、12と、サーバ13を有する。コンピュータ11、12及びサーバ13は、インターネット19を介して相互に接続されている。コンピュータ11は、CPU(Central Processing Unit)14及び記憶装置15を有する。コンピュータ12は、CPU16及び記憶装置17を有する。サーバ13は、記憶装置18を有する。なお、半導体集積回路設計システム10は、好ましくは、並列分散処理を行うコンピュータシステムによって実現する。   The semiconductor integrated circuit design system 10 includes computers 11 and 12 and a server 13. The computers 11 and 12 and the server 13 are connected to each other via the Internet 19. The computer 11 includes a CPU (Central Processing Unit) 14 and a storage device 15. The computer 12 has a CPU 16 and a storage device 17. The server 13 has a storage device 18. The semiconductor integrated circuit design system 10 is preferably realized by a computer system that performs parallel distributed processing.

コンピュータ11、12は、サーバ13から半導体集積回路設計プログラムと、DFT回路挿入前の回路情報(以下、「DFT回路挿入前回路情報」とする)とを取得して、取得したDFT回路挿入前回路情報に基づいて、DFT回路を挿入した回路情報(以下、DFT回路挿入後回路情報)を生成する。コンピュータ11、12は、エンジニアリングワークステーション又はPC(Personal Computer)等の情報処理装置である。
サーバ13は、記憶装置18に格納される半導体集積回路設計プログラムと、DFT回路挿入前回路情報をコンピュータ11、12に送信する。
The computers 11 and 12 acquire the semiconductor integrated circuit design program and the circuit information before the DFT circuit insertion (hereinafter referred to as “circuit information before the DFT circuit insertion”) from the server 13, and the acquired circuit before the DFT circuit insertion. Based on the information, circuit information in which the DFT circuit is inserted (hereinafter, circuit information after insertion of the DFT circuit) is generated. The computers 11 and 12 are information processing apparatuses such as an engineering workstation or a PC (Personal Computer).
The server 13 transmits the semiconductor integrated circuit design program stored in the storage device 18 and the circuit information before the DFT circuit insertion to the computers 11 and 12.

CPU14、16は、サーバ13から取得した半導体集積回路設計プログラムを実行し、DFT回路後回路情報を生成する。
記憶装置15、17は、例えば、ハードディスク又はメモリ等である。
記憶装置18は、DFT回路挿入後回路情報を生成する半導体集積回路設計プログラムと、DFT回路挿入前回路情報が格納される。記憶装置18は、例えば、ハードディスク又はメモリ等である。また、回路情報とは、例えば、ネットリストデータのことである。
The CPUs 14 and 16 execute the semiconductor integrated circuit design program acquired from the server 13 and generate post-DFT circuit information.
The storage devices 15 and 17 are, for example, hard disks or memories.
The storage device 18 stores a semiconductor integrated circuit design program for generating circuit information after DFT circuit insertion and circuit information before DFT circuit insertion. The storage device 18 is, for example, a hard disk or a memory. The circuit information is, for example, net list data.

インターネット19は、コンピュータ11、12及びサーバ13間で、任意のデータを送受信できるネットワークであればどのようなものであってもよい。例えば、インターネット以外に、LANや電話通信回線等である。   The Internet 19 may be any network as long as it can transmit and receive arbitrary data between the computers 11 and 12 and the server 13. For example, in addition to the Internet, there are a LAN and a telephone communication line.

続いて、半導体集積回路設計システムがDFT回路挿入後回路情報を生成する場合における動作概要について説明する。
まず、コンピュータ11は、ネットワーク19を介して、記憶装置18に格納される半導体集積回路設計プログラムをサーバ13からダウンロードする。そして、コンピュータ11は、ダウンロードした半導体集積回路設計プログラムを記憶装置14に格納する。
Next, an outline of the operation when the semiconductor integrated circuit design system generates circuit information after inserting the DFT circuit will be described.
First, the computer 11 downloads a semiconductor integrated circuit design program stored in the storage device 18 from the server 13 via the network 19. Then, the computer 11 stores the downloaded semiconductor integrated circuit design program in the storage device 14.

コンピュータ11のCPU14は、コンピュータ11の入力装置(図示せず)に入力されたユーザからの指示により、記憶装置14から半導体集積回路設計プログラムを取得して実行する。ここで、入力装置は、例えば、マウスやキーボード等である。また、CPU14は、実行する半導体集積回路設計プログラムの命令に従って、インターネット19を介して、サーバ13の記録媒体18に格納されるDFT回路挿入前回路情報を取得する。そして、CPU14は、取得したDFT回路挿入前回路情報を一時的に記憶装置15に格納する。   The CPU 14 of the computer 11 acquires and executes a semiconductor integrated circuit design program from the storage device 14 in accordance with an instruction from a user input to an input device (not shown) of the computer 11. Here, the input device is, for example, a mouse or a keyboard. Further, the CPU 14 acquires circuit information before DFT circuit insertion stored in the recording medium 18 of the server 13 via the Internet 19 in accordance with an instruction of the semiconductor integrated circuit design program to be executed. Then, the CPU 14 temporarily stores the acquired DFT circuit pre-insertion circuit information in the storage device 15.

CPU14は、記憶装置15に一時的に格納されたDFT回路挿入前回路情報に対して、DFT回路を挿入し、DFT回路挿入後回路情報を生成する。そして、生成したDFT回路挿入後回路情報を記憶装置15、又は、インターネット19を介して、サーバ13の記憶装置14に格納する。なお、コンピュータ12におってDFT回路挿入後回路情報を生成する場合も同様となるため、説明を省略する。   The CPU 14 inserts a DFT circuit into the circuit information before DFT circuit insertion temporarily stored in the storage device 15, and generates circuit information after insertion of the DFT circuit. Then, the generated circuit information after inserting the DFT circuit is stored in the storage device 14 of the server 13 via the storage device 15 or the Internet 19. The same applies to the case where the computer 12 generates circuit information after the DFT circuit is inserted, and a description thereof will be omitted.

続いて、図2を参照して、本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路設計システムの処理について説明する。図2は、本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路設計システムの処理を示すフローチャートである。ここでは、コンピュータ11によってDFT挿入後回路情報を生成する場合について例示する。   Next, processing of the semiconductor integrated circuit design system according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart showing processing of the semiconductor integrated circuit design system according to the first exemplary embodiment of the present invention. Here, a case where circuit information after DFT insertion is generated by the computer 11 is illustrated.

まず、コンピュータ11は、サーバ13の記憶装置18に格納されたDFT回路挿入前回路情報F1を取得する(S101)。CPU14は、DFT回路挿入前回路情報F1に基づいて、内部クロックドメインを抽出する(S102)。CPU14は、抽出した内部クロックドメインを示す内部クロックドメイン情報に基づいて、内部クロックドメインのそれぞれに対して、スキャンクロック信号供給用のマルチプレクサをDFT回路挿入前回路情報F1に挿入する(S103)。具体的には、マルチプレクサが、内部クロックドメインのそれぞれに対して、通常動作時に供給する内部クロック信号か、テスト時に供給するスキャンクロック信号のいずれかを選択的に供給するように追加される。以下、このように、作業用のDFT回路挿入前回路情報F1をメモリ等の記憶装置15に格納して、この情報に対して回路の追加等を行っていく。   First, the computer 11 acquires pre-DFT circuit insertion circuit information F1 stored in the storage device 18 of the server 13 (S101). The CPU 14 extracts the internal clock domain based on the pre-DFT circuit insertion circuit information F1 (S102). Based on the extracted internal clock domain information, the CPU 14 inserts a scan clock signal supply multiplexer into the pre-DFT circuit insertion circuit information F1 for each of the internal clock domains (S103). Specifically, a multiplexer is added to each of the internal clock domains so as to selectively supply either an internal clock signal supplied during normal operation or a scan clock signal supplied during testing. Hereinafter, the working DFT circuit pre-insertion circuit information F1 is stored in the storage device 15 such as a memory, and a circuit is added to this information.

CPU14は、サーバ13の記憶装置18に格納されたDFT回路挿入上限値を取得する(S104)。ここで、コンピュータ11の入力装置によって、ユーザから入力されたDFT回路挿入上限値を取得するようにしてもよい。また、予めDFT回路挿入上限値を記憶装置15に格納しておき、自動又はユーザからの入力によって指定されたものを取得するようにしてもよい。そして、CPU14は、DFT回路挿入上限値を記憶装置15に設けられたDFT回路挿入上限値記憶領域M5に格納する。ここで、DFT回路挿入上限値とは、例えば、半導体集積回路のチップ面積を大きくすることなく追加可能な回路の規模等を示している。さらに具体的に例えると、挿入可能なDFT回路数を特定することができる情報である。   The CPU 14 acquires the DFT circuit insertion upper limit value stored in the storage device 18 of the server 13 (S104). Here, the DFT circuit insertion upper limit value input by the user may be acquired by the input device of the computer 11. Alternatively, the DFT circuit insertion upper limit value may be stored in the storage device 15 in advance, and the one specified automatically or by input from the user may be acquired. Then, the CPU 14 stores the DFT circuit insertion upper limit value in the DFT circuit insertion upper limit storage area M <b> 5 provided in the storage device 15. Here, the DFT circuit insertion upper limit value indicates, for example, the scale of a circuit that can be added without increasing the chip area of the semiconductor integrated circuit. More specifically, the information can specify the number of DFT circuits that can be inserted.

CPU14は、サーバ13の記憶装置18に格納されたテスト周波数情報F2を取得する(S105)。ここで、テスト周波数情報F2は、DFT回路挿入上限値と同様に、ユーザからの入力又は記憶装置15から取得するようにしてもよい。そして、CPU14は、テスト周波数情報F2を記憶装置15に設けられたテスト周波数記憶領域M1に格納する。ここで、テスト周波数情報F2とは、機能テストで内部クロックドメインのそれぞれに供給するスキャンクロック信号の周波数を示す情報である。   The CPU 14 acquires the test frequency information F2 stored in the storage device 18 of the server 13 (S105). Here, the test frequency information F2 may be acquired from a user input or from the storage device 15 in the same manner as the DFT circuit insertion upper limit value. Then, the CPU 14 stores the test frequency information F2 in the test frequency storage area M1 provided in the storage device 15. Here, the test frequency information F2 is information indicating the frequency of the scan clock signal supplied to each of the internal clock domains in the function test.

CPU14は、ステップS102において抽出した内部クロックドメイン間においてデータ転送が行われる経路(以下、「データパス」とする)の依存関係を抽出する(S106)。つまり、任意の内部クロックドメインの組において、その内部クロックドメイン間を接続するデータパスが存在する場合は、データパス依存関係を有することになる。そして、CPU14は、内部クロックドメイン間のデータパスの依存関係を示すデータパス依存関係情報を記憶装置15に設けられたデータパス依存関係記憶領域M2に格納する。   The CPU 14 extracts the dependency relationship of the path (hereinafter referred to as “data path”) through which data is transferred between the internal clock domains extracted in step S102 (S106). In other words, if there is a data path connecting between the internal clock domains in any set of internal clock domains, the data path dependency relationship is established. Then, the CPU 14 stores data path dependency relationship information indicating the data path dependency relationship between the internal clock domains in the data path dependency relationship storage area M <b> 2 provided in the storage device 15.

CPU14は、ステップS102において抽出した内部クロックドメイン情報と、テスト周波数記憶領域M1に格納されるテスト周波数情報F2に基づいて、機能テストにおいて同一の周波数のスキャンクロック信号が供給される内部クロックドメインをグループ化した周波数グループを示す周波数グループ情報を生成する(S107)。そして、CPU14は、周波数グループ情報を記憶装置15に設けられた周波数グループ記憶領域M3に格納する。   Based on the internal clock domain information extracted in step S102 and the test frequency information F2 stored in the test frequency storage area M1, the CPU 14 groups the internal clock domains to which the scan clock signal having the same frequency is supplied in the function test. The frequency group information indicating the converted frequency group is generated (S107). Then, the CPU 14 stores the frequency group information in a frequency group storage area M <b> 3 provided in the storage device 15.

CPU14は、周波数グループ記憶領域M3に格納される周波数グループ情報と、データパス依存関係記憶領域M2に格納されるデータパス依存関係情報に基づいて、同一の周波数グループに属する内部クロックドメインのうち、互いに独立して動作する内部クロックドメインをグループ化した周波数サブグループを示す周波数サブグループ情報を生成する(S108)。つまり、周波数サブグループ情報とは、同一の周波数グループに属するクロックドメインのうち、互いにデータパス依存関係を有さない内部クロックドメインをグループ化したものである。そして、CPU14は、周波数サブグループ情報を記憶装置15に設けられた周波数サブグループ記憶領域M4に格納する。   Based on the frequency group information stored in the frequency group storage region M3 and the data path dependency relationship information stored in the data path dependency relationship storage region M2, the CPU 14 mutually selects internal clock domains belonging to the same frequency group. Frequency subgroup information indicating a frequency subgroup obtained by grouping internal clock domains that operate independently is generated (S108). That is, the frequency subgroup information is a grouping of internal clock domains that do not have data path dependency among clock domains belonging to the same frequency group. Then, the CPU 14 stores the frequency subgroup information in the frequency subgroup storage area M4 provided in the storage device 15.

CPU14は、データパス依存関係記憶領域M2に格納されるデータパス依存関係情報に基づいて、データパスが存在する内部クロックドメインの組の全てについて、DFT回路挿入が必要な数を計算する(S109)。また、ここでのDFT回路とは、任意の2つの内部クロックドメイン間のデータパスに挿入して、そのデータパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替える回路のことである。つまり、ここで算出するDFT回路挿入数は、内部クロックドメインの組のそれぞれにおけるデータパスの数となる。   Based on the data path dependency relationship information stored in the data path dependency storage area M2, the CPU 14 calculates the number of DFT circuit insertions required for all of the internal clock domain groups in which the data path exists (S109). . The DFT circuit here is a circuit that is inserted into a data path between any two internal clock domains and switches between conduction and interruption of data transfer in the data path. That is, the number of DFT circuit insertions calculated here is the number of data paths in each set of internal clock domains.

CPU14は、データパスが存在する内部クロックドメインの組に含まれるスキャンフリップフロップ(以下、「スキャンF/F」とする)の数を抽出する。ここで、一般的にスキャンF/F数が多いと生成されるテストパターンのデータ長さ(以下、「テストパターン長」とする)も長くなる傾向がある。ここで、一般的にテストパターン長の増加に比例して、テストパターン数も増加する傾向があるため、抽出したスキャンF/F数は、生成されるテストパターン数を示す値として用いる。   The CPU 14 extracts the number of scan flip-flops (hereinafter referred to as “scan F / F”) included in the set of internal clock domains in which the data path exists. Here, generally, when the number of scan F / Fs is large, the data length of a test pattern to be generated (hereinafter referred to as “test pattern length”) tends to be long. Here, since the number of test patterns generally tends to increase in proportion to the increase in test pattern length, the extracted scan F / F number is used as a value indicating the number of test patterns to be generated.

CPU14は、データパスによって接続される前段の内部クロックドメインと、後段の内部クロックドメインを一組として、半導体集積回路全体から任意の二組を抽出する。CPU14は、抽出した内部クロックドメインの組に含まれるスキャンF/F数の総和と、前段と後段のそれぞれ含まれるスキャンF/F数のうち、多いほうのスキャンF/F数(以下、「最大スキャンF/F数」とする)を算出し、スキャンF/F数の総和から最大スキャンF/F数を減算した値を、その内部クロックドメインの組の比較値とする。言い換えると、前段と後段の内部クロックドメインのそれぞれ含まれるスキャンF/F数のうち、少ないほうのスキャンF/F数が比較値となる。   The CPU 14 extracts two arbitrary sets from the entire semiconductor integrated circuit, with the preceding internal clock domain and the subsequent internal clock domain connected by the data path as a set. The CPU 14 determines the larger number of scan F / Fs (hereinafter referred to as “maximum”) among the total number of scan F / Fs included in the set of extracted internal clock domains and the number of scan F / Fs included in each of the preceding and subsequent stages. The value obtained by subtracting the maximum scan F / F number from the sum of the scan F / F numbers is used as a comparison value for the set of internal clock domains. In other words, the smaller number of scan F / Fs out of the number of scan F / Fs included in the internal clock domains of the preceding stage and the subsequent stage is the comparison value.

そして、CPU14は、抽出した二組の内部クロックドメインの組について、それぞれの比較値を比較し、同数でなければ比較値が大きいほうの内部クロックドメインの組の優先順位を高く設定し、同数であれば、ステップS109で算出したDFT回路挿入数が少ないほうの組の優先順位を高く設定する。
また、DFT回路挿入数が同数であれば、例えば、内部クロックドメインをDFT回路挿入前回路情報において管理されている並び順等のように、予め決めておいた指標に基づいて、優先順位を設定する。このようにして、データパスが存在する内部クロックドメインの組の全てについて、優先順位を設定するまで繰り返す(S110)。
Then, the CPU 14 compares the comparison values of the two sets of the extracted internal clock domains, and if the number is not the same, sets the priority of the set of the internal clock domains having the larger comparison value, and sets the same number. If there is, the higher priority is set for the group having the smaller number of DFT circuit insertions calculated in step S109.
Also, if the number of DFT circuit insertions is the same, for example, the priority order is set based on a predetermined index such as the arrangement order of internal clock domains managed in the circuit information before DFT circuit insertion. To do. In this way, the process is repeated until the priority order is set for all the sets of internal clock domains in which the data path exists (S110).

CPU14は、ステップS103で決定した優先順位に従って、優先順位の高い内部クロックドメインの組から順番に、その前段の内部クロックドメインと、後段の内部クロックドメインとを接続するデータパスについて、DFT回路を挿入していく(S111)。具体的には、優先順位の高い内部クロックドメインの組に存在するデータパスの全てに対して、DFT回路を挿入できた場合、その次に優先順位の高い内部クロックドメインの組に存在するデータパスに対して、DFT回路を挿入していく。   In accordance with the priority order determined in step S103, the CPU 14 inserts a DFT circuit for the data path connecting the preceding internal clock domain and the subsequent internal clock domain in order from the set of internal clock domains with higher priorities. (S111). Specifically, when a DFT circuit can be inserted into all of the data paths existing in the set of internal clock domains having a high priority, the data paths existing in the set of internal clock domains having the next highest priority. In contrast, a DFT circuit is inserted.

ここで、図3を参照して、ステップS111において挿入されるDFT回路の一例について説明する。図3は、DFT回路が挿入された内部クロックドメインの組の例を示す図である。なお、DFT回路は、パス遮断回路に相当する。   Here, an example of the DFT circuit inserted in step S111 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a set of internal clock domains in which a DFT circuit is inserted. The DFT circuit corresponds to a path cutoff circuit.

図3は、内部クロックドメインの組における前段の内部クロックドメイン21と、後段の内部クロックドメイン22とを示している。周波数サブグループFSG11の内部クロックドメイン21は、スキャンF/F52、53を含み、周波数サブグループFSG12の内部クロックドメイン22は、スキャンF/F54、55を含む。マルチプレクサ31、32は、内部クロックドメイン21、22に対して、内部クロックか、スキャンクロック供給用端子SCKinのいずれかを選択的に供給する。なお、マルチプレクサ31、32による信号の選択は、それぞれに入力されるテストモード制御信号AMCによって行われる。   FIG. 3 shows a front internal clock domain 21 and a rear internal clock domain 22 in a set of internal clock domains. The internal clock domain 21 of the frequency subgroup FSG11 includes scan F / Fs 52 and 53, and the internal clock domain 22 of the frequency subgroup FSG12 includes scan F / Fs 54 and 55. The multiplexers 31 and 32 selectively supply either the internal clock or the scan clock supply terminal SCKin to the internal clock domains 21 and 22. The selection of signals by the multiplexers 31 and 32 is performed by the test mode control signal AMC input to each.

ここで、図3に示すマルチプレクサ38、スキャンF/F51及びスキャンクロック信号SCKの入力端子が、DFT回路に相当する。このDFT回路によって、前段の内部クロックドメイン21と後段の内部クロックドメイン22とを接続するデータパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えることができる。   Here, the input terminals of the multiplexer 38, the scan F / F 51, and the scan clock signal SCK shown in FIG. 3 correspond to the DFT circuit. With this DFT circuit, it is possible to switch between conduction and interruption of data transfer in the data path connecting the internal clock domain 21 at the preceding stage and the internal clock domain 22 at the subsequent stage.

具体的には、マルチプレクサ38にテストモード制御信号AMC"0"が入力された場合、前段の内部クロックドメイン21から後段の内部クロックドメイン22へのデータ転送を導通することができる。また、マルチプレクサ38にテストモード制御信号AMC"1"が入力された場合、スキャンF/F51によって、前段の内部クロックドメイン21から後段の内部クロックドメイン22へのデータ転送を遮断することができる。また、スキャンF/F51に供給するスキャンクロック信号SCKを制御することによって、スキャンF/F51に格納された任意のテスト値を後段の内部クロックドメイン22に出力することもできる。   Specifically, when the test mode control signal AMC “0” is input to the multiplexer 38, the data transfer from the internal clock domain 21 in the previous stage to the internal clock domain 22 in the subsequent stage can be conducted. When the test mode control signal AMC “1” is input to the multiplexer 38, the scan F / F 51 can block data transfer from the internal clock domain 21 at the previous stage to the internal clock domain 22 at the subsequent stage. Also, by controlling the scan clock signal SCK supplied to the scan F / F 51, an arbitrary test value stored in the scan F / F 51 can be output to the internal clock domain 22 at the subsequent stage.

CPU14は、DFT回路を挿入した数が、DFT回路挿入上限値記憶領域M5に格納されたDFT回路挿入上限値を超えていない場合、ステップS104の処理を繰り返す(S112:NO)。具体的には、DFT回路を挿入した数が、DFT回路挿入上限値によって特定されるDFT回路の挿入数の上限を超えていない場合、ステップS104の処理を繰り返す。
CPU14は、DFT回路を挿入した数が、DFT回路挿入上限値記憶領域M5に格納されたDFT回路挿入上限値を超えている場合、DFT回路の挿入を終了する(S112:YES)。
When the number of inserted DFT circuits does not exceed the DFT circuit insertion upper limit value stored in the DFT circuit insertion upper limit storage area M5, the CPU 14 repeats the process of step S104 (S112: NO). Specifically, if the number of inserted DFT circuits does not exceed the upper limit of the number of DFT circuit insertions specified by the DFT circuit insertion upper limit value, the process of step S104 is repeated.
When the number of inserted DFT circuits exceeds the DFT circuit insertion upper limit value stored in the DFT circuit insertion upper limit storage area M5, the CPU 14 ends the insertion of the DFT circuit (S112: YES).

CPU14は、周波数グループ記憶領域M3に格納される周波数グループ情報に基づいて、周波数グループに含まれる内部クロックドメインについて、他の内部クロックドメインと接続されるデータパスが存在する場合、その全てのデータパスについて、ステップS111でDFT回路が挿入されているかどうかを判定する。そして、全てのデータパスについて、DFT回路が挿入されており、データパスにおけるデータ転送が遮断可能となっている場合、周波数グループ内の周波数サブグループに対して選択的にスキャンクロック信号を供給する制御回路が不要な周波数グループだと判定する。CPU14は、制御回路が不要な周波数グループを抽出し、その周波数グループを示す制御回路不要周波数グループ情報を、制御回路不要周波数グループ情報記憶領域M6に格納する(S113)。   When there are data paths connected to other internal clock domains for the internal clock domains included in the frequency group based on the frequency group information stored in the frequency group storage area M3, the CPU 14 determines all the data paths. In step S111, it is determined whether a DFT circuit is inserted. When all the data paths have DFT circuits inserted and data transfer in the data paths can be cut off, the control for selectively supplying the scan clock signal to the frequency subgroup in the frequency group It is determined that the frequency group does not require a circuit. The CPU 14 extracts a frequency group that does not require a control circuit, and stores control circuit unnecessary frequency group information indicating the frequency group in the control circuit unnecessary frequency group information storage area M6 (S113).

CPU14は、制御回路不要周波数グループ情報記憶領域M6に格納された制御回路不要周波数グループ情報に基づいて、制御回路が不要と判定されていない周波数グループに対して、スキャンクロック信号を供給する信号ラインに制御回路とスキャンクロック供給用端子SCKinを挿入する(S114)。また、CPU14は、制御回路が不要と判定された周波数グループに対しては、スキャンクロック供給用端子SCKinを挿入する。   Based on the control circuit unnecessary frequency group information stored in the control circuit unnecessary frequency group information storage area M6, the CPU 14 sets a signal line that supplies a scan clock signal to a frequency group that is not determined to be unnecessary. A control circuit and a scan clock supply terminal SCKin are inserted (S114). In addition, the CPU 14 inserts a scan clock supply terminal SCKin for a frequency group determined to require no control circuit.

CPU14は、周波数グループ記憶領域M3に格納される周波数グループ情報と、周波数サブグループ記憶領域M4に格納される周波数サブグループ情報に基づいて、作業用のDFT回路挿入前回路情報F1に追加したマルチプレクサ、制御回路、スキャンクロック供給用端子SCKinと、内部クロックドメイン等を接続する(S115)。
コンピュータ11は、以上の処理によって、作業用のDFT回路挿入前回路情報F1にDFT回路が挿入されて、DFT回路挿入後回路情報F3が生成される。CPU14は、DFT回路挿入後回路情報F3を出力して、記憶装置15、又は、インターネット19を介して、サーバ13の記憶装置14に格納する(S116)。
The CPU 14 adds a multiplexer added to the working DFT circuit pre-insertion circuit information F1 based on the frequency group information stored in the frequency group storage area M3 and the frequency subgroup information stored in the frequency subgroup storage area M4. The control circuit, the scan clock supply terminal SCKin, and the internal clock domain are connected (S115).
Through the above processing, the computer 11 inserts the DFT circuit into the working DFT circuit pre-insertion circuit information F1, and generates DFT circuit post-insertion circuit information F3. The CPU 14 outputs the circuit information F3 after the DFT circuit is inserted, and stores it in the storage device 14 of the server 13 via the storage device 15 or the Internet 19 (S116).

続いて、図4、5を参照して、DFT挿入後回路の生成例について説明する。図4は、本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路設計システムによって生成されるDFT挿入後回路情報が示す半導体集積回路の一例を示す図である。また、図5は、比較のために、図4に示す半導体集積回路が生成されるDFT挿入前回路情報に基づいて、特許文献1に開示の技術によって生成したDFT挿入後回路情報が示す半導体集積回路の一例を示す図である。なお、図5に示すDFT挿入後回路については、特許文献1に開示されているものと同様であるため、説明を省略する。   Next, a generation example of a circuit after DFT insertion will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a semiconductor integrated circuit indicated by circuit information after DFT insertion generated by the semiconductor integrated circuit design system according to the first exemplary embodiment of the present invention. For comparison, FIG. 5 shows a semiconductor integrated circuit indicated by circuit information after DFT insertion generated by the technique disclosed in Patent Document 1 based on circuit information before DFT insertion in which the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 is generated. It is a figure which shows an example of a circuit. The circuit after the DFT insertion shown in FIG. 5 is the same as that disclosed in Patent Document 1, and thus the description thereof is omitted.

ステップS101において、DFT回路挿入前回路情報F1を取得する。
ステップS102において、内部クロックドメイン21〜27を抽出する。
ステップS103において、内部クロックドメイン21〜27のそれぞれに対して、スキャンクロック信号供給用のマルチプレクサ31〜37を挿入する。
ステップS104において、DFT回路挿入上限値を取得する。また、ステップS105において、テスト周波数情報F2を取得する。
In step S101, circuit information F1 before DFT circuit insertion is acquired.
In step S102, the internal clock domains 21 to 27 are extracted.
In step S103, multiplexers 31-37 for supplying scan clock signals are inserted into the internal clock domains 21-27, respectively.
In step S104, the DFT circuit insertion upper limit value is acquired. In step S105, test frequency information F2 is acquired.

ステップS106において、内部クロックドメイン22から内部クロックドメイン21にデータを転送するデータパスと、内部クロックドメイン23から内部クロックドメイン24にデータを転送するデータパスと、内部クロックドメイン26から内部クロックドメイン25にデータを転送するデータパスと、内部クロックドメイン26から内部クロックドメイン27にデータを転送するデータパスが抽出される。   In step S 106, a data path for transferring data from the internal clock domain 22 to the internal clock domain 21, a data path for transferring data from the internal clock domain 23 to the internal clock domain 24, and an internal clock domain 26 to the internal clock domain 25. A data path for transferring data and a data path for transferring data from the internal clock domain 26 to the internal clock domain 27 are extracted.

ステップS107において、同一のテスト周波数である内部クロックドメイン21、22を周波数グループFG1として、同一のテスト周波数である内部クロックドメイン23、24、25を周波数グループFG2として、同一のテスト周波数である内部クロックドメイン26、27を周波数グループFG3として抽出する。   In step S107, the internal clock domains 21, 22 having the same test frequency are set as the frequency group FG1, and the internal clock domains 23, 24, 25 being the same test frequency are set as the frequency group FG2, and the internal clock having the same test frequency is set. Domains 26 and 27 are extracted as a frequency group FG3.

ステップS108において、周波数グループFG1については、内部クロックドメイン21と内部クロックドメイン22がデータパス依存関係を有するので、内部クロックドメイン21を周波数サブグループFSG11として、内部クロックドメイン22を周波数サブグループFSG12として抽出する。周波数グループFG2については、内部クロックドメイン23と内部クロックドメイン24がデータパス依存関係を有し、内部クロックドメイン24と内部クロックドメイン25がデータパス依存関係を有しないので、内部クロックドメイン23を周波数サブグループFSG21として、内部クロックドメイン24、25を周波数サブグループFSG22として抽出する。同様に、周波数グループFG3については、内部クロックドメイン26を周波数サブグループFSG31として、内部クロックドメイン27を周波数サブグループFSG32として抽出する。   In step S108, for the frequency group FG1, since the internal clock domain 21 and the internal clock domain 22 have a data path dependency, the internal clock domain 21 is extracted as the frequency subgroup FSG11 and the internal clock domain 22 is extracted as the frequency subgroup FSG12. To do. For the frequency group FG2, the internal clock domain 23 and the internal clock domain 24 have a data path dependency relationship, and the internal clock domain 24 and the internal clock domain 25 have no data path dependency relationship. As the group FSG21, the internal clock domains 24 and 25 are extracted as the frequency subgroup FSG22. Similarly, for the frequency group FG3, the internal clock domain 26 is extracted as the frequency subgroup FSG31, and the internal clock domain 27 is extracted as the frequency subgroup FSG32.

ステップS109において、データパス依存関係を有する内部クロックドメイン21と内部クロックドメイン22、内部クロックドメイン23と内部クロックドメイン24、内部クロックドメイン25と内部クロックドメイン26、内部クロックドメイン26と内部クロックドメイン27の組み合わせのそれぞれについて、必要なDFT回路挿入数を算出する。   In step S109, the internal clock domain 21 and the internal clock domain 22 having the data path dependency, the internal clock domain 23 and the internal clock domain 24, the internal clock domain 25 and the internal clock domain 26, and the internal clock domain 26 and the internal clock domain 27 For each combination, the necessary number of DFT circuit insertions is calculated.

ステップS110において、データパス依存関係を有する内部クロックドメイン21と内部クロックドメイン22、内部クロックドメイン23と内部クロックドメイン24、内部クロックドメイン25と内部クロックドメイン26、内部クロックドメイン26と内部クロックドメイン27の組のそれぞれについて、優先順位を設定する。ここで、内部クロックドメイン21、22の組、内部クロックドメイン23、24の組、内部クロックドメイン25、26の組、内部クロックドメイン26、27の組の順に内部クロックドメインの組の比較値となるスキャンF/F数が多い、つまり、優先順位が高いものとする。   In step S110, the internal clock domain 21 and the internal clock domain 22 having the data path dependency, the internal clock domain 23 and the internal clock domain 24, the internal clock domain 25 and the internal clock domain 26, and the internal clock domain 26 and the internal clock domain 27 Priorities are set for each set. Here, the comparison values of the internal clock domains are set in the order of the internal clock domains 21 and 22, the internal clock domains 23 and 24, the internal clock domains 25 and 26, and the internal clock domains 26 and 27. It is assumed that the number of scan F / Fs is large, that is, the priority order is high.

ステップS111において、最初に、一番優先度の高い、内部クロックドメイン22から内部クロックドメイン21へのデータパスに対して、DFT回路を挿入する。そして、ステップS112において、DFT回路挿入数をチェックして、DFT回路の挿入数の上限に達していない場合、ステップS111に戻る。
二回目のステップS111において、次に優先度の高い、内部クロックドメイン23から内部クロックドメイン24へのデータパスに対して、DFT回路を挿入する。そして、二回目のステップS112において、DFT回路挿入数をチェックし、DFT回路挿入数がDFT回路の挿入数の上限に達している場合、ステップS113に進む。
In step S111, first, a DFT circuit is inserted into the data path from the internal clock domain 22 to the internal clock domain 21 having the highest priority. In step S112, the number of DFT circuit insertions is checked. If the upper limit of the number of DFT circuit insertions has not been reached, the process returns to step S111.
In the second step S111, a DFT circuit is inserted into the data path from the internal clock domain 23 to the internal clock domain 24 having the next highest priority. Then, in the second step S112, the number of DFT circuit insertions is checked. If the number of DFT circuit insertions has reached the upper limit of the number of DFT circuit insertions, the process proceeds to step S113.

なお、ここでのDFT回路挿入数の判定のタイミングは、ある内部クロックドメインの組に存在する全てのデータパスについて、DFT回路が挿入されたときに限られない。例えば、データパスに対して、DFT回路を挿入しているときに、DFT回路の挿入数の上限に達した場合に、ステップS113に進むようにしてもよい。   The timing for determining the number of DFT circuit insertions here is not limited to when DFT circuits are inserted for all data paths existing in a set of internal clock domains. For example, when a DFT circuit is inserted into the data path and the upper limit of the number of inserted DFT circuits is reached, the process may proceed to step S113.

ここで、内部クロックドメイン21、22の組に存在する全てのデータパスと、内部クロックドメイン23、24の組に存在する全てのデータパスについて、データパスにおけるデータ転送を遮断可能なDFT回路を挿入されている。これにより、例えば、テスト時に、データパスにおけるデータ転送を遮断することで、内部クロックドメイン22から内部クロックドメイン21にデータが転送されることがなくなるため、並行して内部クロックドメイン21、22のテストが可能となる。よって、これらの内部クロックドメインを、別々にテストを実施するテストグループに分ける必要がなくなり、内部クロックドメイン21又は内部クロックドメイン22、内部クロックドメイン23又は内部クロックドメイン24、25のどちらかに選択的にスキャンクロック信号を供給する必要がなくなる。
そのため、ステップS113において、スキャンクロック信号を選択的に供給する制御回路が不要な周波数グループとして、内部クロックドメイン21、22を含む周波数グループFG1と、内部クロックドメイン23、24、25を含む周波数グループFG2を抽出する。
Here, a DFT circuit capable of blocking data transfer in the data path is inserted for all data paths existing in the set of internal clock domains 21 and 22 and all data paths existing in the set of internal clock domains 23 and 24. Has been. Accordingly, for example, by interrupting data transfer in the data path at the time of the test, data is not transferred from the internal clock domain 22 to the internal clock domain 21, so that the internal clock domains 21 and 22 are tested in parallel. Is possible. Therefore, it is not necessary to divide these internal clock domains into test groups for performing tests separately, and selective to either the internal clock domain 21 or the internal clock domain 22, the internal clock domain 23, or the internal clock domains 24, 25. There is no need to supply a scan clock signal.
Therefore, in step S113, the frequency group FG1 including the internal clock domains 21 and 22 and the frequency group FG2 including the internal clock domains 23, 24, and 25 are used as frequency groups that do not require a control circuit that selectively supplies the scan clock signal. To extract.

ステップS114において、制御回路が不要と判定されていない周波数グループFG3に対して、スキャンクロック信号を供給する信号ラインに制御回路41cとスキャンクロック供給用端子SCKinを挿入する。また、周波数グループFG3に対しては、FreqSubCTL信号入力用制御端子と、SMC信号入力用制御端子も挿入される。また、制御回路が不要と判定された周波数グループFG1、FG2に対しては、スキャンクロック供給用端子SCKinを挿入する。   In step S114, the control circuit 41c and the scan clock supply terminal SCKin are inserted into the signal line for supplying the scan clock signal for the frequency group FG3 for which the control circuit is not determined to be unnecessary. For the frequency group FG3, a FreqSubCTL signal input control terminal and an SMC signal input control terminal are also inserted. Further, a scan clock supply terminal SCKin is inserted into the frequency groups FG1 and FG2 that are determined to be unnecessary for the control circuit.

ステップS115において、周波数グループFG1に対するスキャンクロック供給用端子SCKinと、マルチプレクサ31、32とを接続する。また、マルチプレクサ31と内部クロックドメイン21とを接続し、マルチプレクサ32と内部クロックドメイン22とを接続する。
また、周波数グループFG2に対するスキャンクロック供給用端子SCKinと、マルチプレクサ33、34、35とを接続する。また、マルチプレクサ33と内部クロックドメイン23とを接続し、マルチプレクサ34と内部クロックドメイン24とを接続し、マルチプレクサ35と内部クロックドメイン25とを接続する。
In step S115, the scan clock supply terminal SCKin for the frequency group FG1 and the multiplexers 31 and 32 are connected. Further, the multiplexer 31 and the internal clock domain 21 are connected, and the multiplexer 32 and the internal clock domain 22 are connected.
Further, the scan clock supply terminal SCKin for the frequency group FG2 and the multiplexers 33, 34, and 35 are connected. Further, the multiplexer 33 and the internal clock domain 23 are connected, the multiplexer 34 and the internal clock domain 24 are connected, and the multiplexer 35 and the internal clock domain 25 are connected.

また、周波数グループFG2に対するスキャンクロック供給用端子SCKin、FreqSubCTL信号入力用制御端子及びSMC信号入力用制御端子のそれぞれと、制御回路41cとを接続する。また、制御回路41cのスキャンクロック出力端子SCK1とマルチプレクサ36とを接続し、制御回路41cのスキャンクロック出力端子SCK2とマルチプレクサ37とを接続する。また、マルチプレクサ36と内部クロックドメイン26とを接続し、マルチプレクサ37と内部クロックドメイン27とを接続する。ここで、制御回路41cは、FreqSubCTL信号入力用制御端子及びSMC信号入力用制御端子から入力される信号値に応じて、スキャンクロック出力端子SCK1、SCK2のいずれかから選択的にスキャンクロック信号を出力する回路となる。   Further, the control circuit 41c is connected to each of the scan clock supply terminal SCKin, the FreqSubCTL signal input control terminal, and the SMC signal input control terminal for the frequency group FG2. Further, the scan clock output terminal SCK1 of the control circuit 41c and the multiplexer 36 are connected, and the scan clock output terminal SCK2 of the control circuit 41c and the multiplexer 37 are connected. Further, the multiplexer 36 and the internal clock domain 26 are connected, and the multiplexer 37 and the internal clock domain 27 are connected. Here, the control circuit 41c selectively outputs a scan clock signal from one of the scan clock output terminals SCK1 and SCK2 in accordance with signal values input from the FreqSubCTL signal input control terminal and the SMC signal input control terminal. Circuit.

ステップS116において、図4に示す半導体集積回路のDFT回路挿入後回路情報F3を記憶装置15、又は、インターネット19を介して、サーバ13の記憶装置14に格納する。   In step S116, the post-DFT circuit insertion circuit information F3 of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 is stored in the storage device 14 or the storage device 14 of the server 13 via the Internet 19.

このようにして作成された図4に示す半導体集積回路は、内部クロックドメイン21、22の組、内部クロックドメイン23、24、25の組に存在するデータパスにおけるデータ転送を遮断可能なDFT回路を挿入することで、内部クロックドメイン21、22及び内部クロックドメイン23、24、25に対して、並行してテストを実施することができるため、テストパターン数を削減することができる。   The semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 created in this way includes a DFT circuit capable of interrupting data transfer in a data path existing in the set of internal clock domains 21 and 22 and the set of internal clock domains 23, 24, and 25. By inserting the test, it is possible to perform tests on the internal clock domains 21 and 22 and the internal clock domains 23, 24, and 25 in parallel, so that the number of test patterns can be reduced.

具体的に説明すると、図5に示す半導体集積回路においては、図8に示すように、データパス依存関係を有しないように、内部クロックドメイン21、23、26を含む第1のテストグループと、内部クロックドメイン22、24、25、27を含む第2のテストグループに選択的にスキャンクロック信号を供給してテストを実施する。そのため、この半導体集積回路のテストパターン数は、第1のテストグループに含まれる内部クロックドメイン21、23、26のそれぞれのテストパターン数のうち、最も多いテストパターン数と、第2のテストグループに含まれる内部クロックドメイン22、24、25、27のそれぞれのテストパターン数のうち、最も多いテストパターン数の和となる。   Specifically, in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 5, as shown in FIG. 8, a first test group including internal clock domains 21, 23, and 26 so as not to have a data path dependency relationship, A test is performed by selectively supplying a scan clock signal to the second test group including the internal clock domains 22, 24, 25, and 27. Therefore, the number of test patterns of this semiconductor integrated circuit is the largest number of test patterns among the number of test patterns of the internal clock domains 21, 23, and 26 included in the first test group, and the second test group. Of the number of test patterns in each of the included internal clock domains 22, 24, 25, and 27, this is the sum of the largest number of test patterns.

それに対して、図4に示す半導体集積回路においては、データパス依存関係を有しないように、内部クロックドメイン21、22、23、24、25、27を含む第1のテストグループと、内部クロックドメイン26を含む第2のテストグループに分けることができる。   On the other hand, in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4, the first test group including the internal clock domains 21, 22, 23, 24, 25, and 27, and the internal clock domain so as not to have the data path dependency relationship. 26 to a second test group.

ここで、本実施の形態1では、内部クロックドメインの組のうち、比較値としたスキャンF/F数の多い内部クロックドメインの組から優先的にDFT回路を挿入するようにしている。つまり、テストパターン長の長い内部クロックドメインを含む組から優先的にデータパスにおけるデータ転送を遮断可能として、並列してテストを実行することができるようにしている。そのため、図4に示す半導体集積回路において、内部クロックドメイン26を含む第2のテストグループにおけるテストパターン長は、図5に示す半導体集積回路において、内部クロックドメイン22、24、25、27を含む第2のテストグループにおけるテストパターン長よりも短くすることができる。言い換えると、図4に示す半導体集積回路のテストパターン数は、図5に示す半導体集積回路のテストパターン数よりも少なくすることができる。   Here, in the first embodiment, a DFT circuit is preferentially inserted from a set of internal clock domains having a large number of scan F / Fs as a comparison value among a set of internal clock domains. That is, data transfer in the data path can be preferentially cut off from a set including an internal clock domain having a long test pattern length, so that tests can be executed in parallel. Therefore, in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4, the test pattern length in the second test group including the internal clock domain 26 is the same as the test pattern length including the internal clock domains 22, 24, 25, and 27 in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. The test pattern length in the second test group can be made shorter. In other words, the number of test patterns of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 can be made smaller than the number of test patterns of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.

また、図4に示す半導体集積回路において、第1のテストグループに含まれる内部クロックドメイン21、22、23、24、25、27は、データパスがあってもデータ転送を遮断可能して、並列してテストを実施できるようにしている。そのため、第1のテストグループに含まれる内部クロックドメインの数が増加しても、テストパターン長は、内部クロックドメイン21、22、23、24、25、27のテストパターンのうち、最も多いテストパターン長を超えることはない。   In the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4, the internal clock domains 21, 22, 23, 24, 25, and 27 included in the first test group can block data transfer even in the presence of a data path, and are parallel. So that the test can be carried out. Therefore, even when the number of internal clock domains included in the first test group increases, the test pattern length is the largest among the test patterns of the internal clock domains 21, 22, 23, 24, 25, and 27. Never exceed the length.

したがって、図4に示す半導体集積回路によれば、第1のテストグループにおけるテストパターン長を極力長くせずに、第2のテストパターン長を短くすることができる。つまり、図4に示す半導体集積回路によれば、第1のテストグループにおけるテストパターン数を極力増加させずに、第2のテストパターン数を削減することができる。   Therefore, according to the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4, the second test pattern length can be shortened without making the test pattern length in the first test group as long as possible. That is, according to the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4, the number of second test patterns can be reduced without increasing the number of test patterns in the first test group as much as possible.

そのため、図4に示す半導体集積回路のテストパターン数は、第1のテストパターンに含まれる内部クロックドメイン21、22、23、24、25、27のテストパターンのうち、最も多いテストパターン数と、第2のテストグループに含まれる内部クロックドメイン26のテストパターン数の和となるが、図5に示す半導体集積回路のテストパターン数よりも、テストパターン数を削減することができる。   Therefore, the number of test patterns of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 is the largest number of test patterns among the test patterns of the internal clock domains 21, 22, 23, 24, 25, and 27 included in the first test pattern. Although this is the sum of the number of test patterns of the internal clock domain 26 included in the second test group, the number of test patterns can be reduced more than the number of test patterns of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.

また、図4に示す半導体集積回路のテストパターン長を、図5に示す半導体集積回路のテストパターン長よりも短くすることができるため、テストを実施する際に、テスト値をスキャンF/Fに対して入出力する時間も削減することができる。
また、図4に示す半導体集積回路では、図5に示す半導体集積回路と比較して、制御回路41a、41bの数を削減することができるため、コストを低減することができる。
Further, since the test pattern length of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4 can be made shorter than the test pattern length of the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 5, the test value is set to the scan F / F when performing the test. In contrast, the time required for input / output can be reduced.
Further, in the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 4, the number of control circuits 41a and 41b can be reduced as compared with the semiconductor integrated circuit shown in FIG. 5, so that the cost can be reduced.

また、本実施の形態1では、優先順位を決定するときに、スキャンF/F数が同数である場合、DFT回路挿入数が少ないほうの内部クロックドメインの組から優先的にDFT回路を挿入するようにしている。そのため、DFT回路挿入上限値までしかDFT回路を挿入できない場合であっても、より多く内部クロックドメインの組について、その組に存在するデータパスを遮断可能とすることができる。   In the first embodiment, when the priority order is determined, if the number of scan F / Fs is the same, the DFT circuit is preferentially inserted from the set of internal clock domains with the smaller number of DFT circuit insertions. I am doing so. Therefore, even when the DFT circuit can be inserted only up to the DFT circuit insertion upper limit value, it is possible to block the data paths existing in the set for more sets of internal clock domains.

また、本実施の形態1によれば、DFT回路挿入上限値に達する前に、半導体集積回路に含まれる全ての内部クロックドメインの組に存在するデータパスにDFT回路を挿入できた場合には、内部クロックドメインの全てについて並列にテストを実施することができる。この場合、テストパターン数は、全ての内部クロックドメインのテストパターンのうち、最も多いテストパターン数となり、大幅にテストパターン数を削減することができる。   Further, according to the first embodiment, before the DFT circuit insertion upper limit value is reached, when the DFT circuit can be inserted into the data paths existing in all the internal clock domain sets included in the semiconductor integrated circuit, Tests can be performed in parallel for all of the internal clock domains. In this case, the number of test patterns is the largest number of test patterns among all the internal clock domain test patterns, and the number of test patterns can be greatly reduced.

また、本実施の形態1によれば、DFT回路のスキャンF/F51に任意のテスト値を設定して、スキャンクロック信号SCKを制御することによって、任意のタイミングでテスト値を後段の内部クロックドメインに出力することができる。そのため、縮退故障を検出可能なテストパターンも生成することができ、縮退故障検出率を低下させることがなくなる。   Further, according to the first embodiment, an arbitrary test value is set in the scan F / F 51 of the DFT circuit and the scan clock signal SCK is controlled, so that the test value can be transferred to the internal clock domain in the subsequent stage at an arbitrary timing. Can be output. Therefore, a test pattern that can detect a stuck-at fault can be generated, and the stuck-at fault detection rate is not lowered.

以上に説明したように、本実施の形態1によれば、同一の周波数で動作する第1のクロックドメインと第2のクロックドメインが含まれている半導体集積回路において、第1のクロックドメインと第2のクロックドメインを接続するデータパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えるパス遮断回路を挿入するようにしている。そのため、第1のクロックドメインと第2のクロックドメインに対して、選択的にスキャンクロック信号を供給して個別にテストを実施することなく、並行にテストを実施することができるため、テストパターン数を削減することができる。   As described above, according to the first embodiment, in the semiconductor integrated circuit including the first clock domain and the second clock domain that operate at the same frequency, the first clock domain and the first clock domain A path cut-off circuit for switching conduction and cut-off of data transfer in the data path connecting the two clock domains is inserted. Therefore, since the test can be performed in parallel without selectively supplying the scan clock signal to the first clock domain and the second clock domain and performing the test individually, the number of test patterns Can be reduced.

その他の発明の実施の形態.
図3で例示したDFT回路に代わり、ステップS111において、図6に例示するDFT回路を挿入するようにしてもよい。
図6に例示するOR回路56がDFT回路に相当する。OR回路に、テストモード制御信号AMC"1"を入力することによって、OR回路の出力が"1"に固定され、前段の内部クロックドメイン21から後段の内部クロックドメイン22へのデータ転送を遮断することができる。
Other embodiments of the invention.
Instead of the DFT circuit illustrated in FIG. 3, the DFT circuit illustrated in FIG. 6 may be inserted in step S111.
The OR circuit 56 illustrated in FIG. 6 corresponds to the DFT circuit. By inputting the test mode control signal AMC “1” to the OR circuit, the output of the OR circuit is fixed to “1”, and the data transfer from the internal clock domain 21 in the previous stage to the internal clock domain 22 in the subsequent stage is cut off. be able to.

また、図3で例示したDFT回路に代わり、ステップS111において、図7に例示するDFT回路を挿入するようにしてもよい。
図7に例示するAND回路57及びINVERTER回路58がDFT回路に相当する。INVERTER回路に、テストモード制御信号AMC"1"を入力することによって、AND回路の出力が"0"に固定され、前段の内部クロックドメイン21から後段の内部クロックドメイン22へのデータ転送を遮断することができる。
Further, instead of the DFT circuit illustrated in FIG. 3, the DFT circuit illustrated in FIG. 7 may be inserted in step S111.
An AND circuit 57 and an INVERTER circuit 58 illustrated in FIG. 7 correspond to the DFT circuit. By inputting the test mode control signal AMC “1” to the INVERTER circuit, the output of the AND circuit is fixed to “0”, and the data transfer from the internal clock domain 21 in the previous stage to the internal clock domain 22 in the subsequent stage is cut off. be able to.

以上に説明したように、その他の発明の実施の形態では、実施の形態1に例示したスキャンF/Fで構成されたDFT回路よりも少ない素子数で、DFT回路を構成することができるため、チップ面積を小さくして、コストを低減することができる。   As described above, in other embodiments of the invention, the DFT circuit can be configured with a smaller number of elements than the DFT circuit configured with the scan F / F illustrated in the first embodiment. The chip area can be reduced and the cost can be reduced.

なお、本発明は上記した実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、優先順位を決定する場合の比較値として、前段と後段の内部クロックドメインのそれぞれ含まれるスキャンF/F数のうち、少ないほうのスキャンF/F数を用いているが、クロックドメインの組に含まれるスキャンフリップフロップ数であれば、これに限られない。例えば、スキャンF/F数の総和や、最大スキャンF/F数を比較値として用いてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, as the comparison value for determining the priority order, the smaller scan F / F number of the scan F / F numbers included in each of the internal clock domains in the preceding stage and the subsequent stage is used. As long as the number of scan flip-flops included in is not limited to this. For example, the sum of the scan F / F numbers or the maximum scan F / F number may be used as the comparison value.

以上に説明した本発明にかかる半導体集積回路設計プログラムは様々な種類の記憶媒体に格納することが可能であり、通信媒体を介して伝達されることが可能である。ここで、記憶媒体には、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)、DVD(Digital Versatile Disc)、BD(Blu-ray(登録商標) Disc)、ROM(Read Only Memory)カートリッジ、バッテリバックアップ付きRAM(Random Access Memory)、メモリカートリッジ、フラッシュメモリカートリッジ、不揮発性RAMカートリッジを含む。また、通信媒体には、電話回線等の有線通信媒体、マイクロ波回線等の無線通信媒体を含む。また、上述のプログラムは、インターネットを介して伝達することも可能である。   The semiconductor integrated circuit design program according to the present invention described above can be stored in various types of storage media, and can be transmitted via a communication medium. Here, examples of the storage medium include a flexible disk, a hard disk, a magnetic disk, a magneto-optical disk, a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory), a DVD (Digital Versatile Disc), and a BD (Blu-ray (registered trademark) Disc. ), ROM (Read Only Memory) cartridge, RAM (Random Access Memory) with battery backup, memory cartridge, flash memory cartridge, and nonvolatile RAM cartridge. The communication medium includes a wired communication medium such as a telephone line and a wireless communication medium such as a microwave line. Moreover, the above-mentioned program can also be transmitted via the Internet.

また、コンピュータが半導体集積回路設計プログラムを実行することにより、上述の実施の形態の機能が実現されるだけではなく、このプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOS(Operating System)もしくはアプリケーションソフトと共同して上述の実施の形態の機能が実現される場合も、発明の実施の形態に含まれる。   Further, when the computer executes the semiconductor integrated circuit design program, not only the functions of the above-described embodiments are realized, but also an OS (Operating System) or a computer running on the computer based on an instruction of the program. The case where the functions of the above-described embodiment are realized in cooperation with application software is also included in the embodiment of the invention.

さらに、半導体集積回路設計プログラムの処理の全てもしくは一部がコンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットにより行われて上述の実施の形態の機能が実現される場合も、発明の実施の形態に含まれる。   Furthermore, when all or part of the processing of the semiconductor integrated circuit design program is performed by a function expansion board inserted into the computer or a function expansion unit connected to the computer, the functions of the above-described embodiments may be realized. It is contained in embodiment of invention.

10 半導体集積回路設計システム
11、12 コンピュータ
13 サーバ
14、16 CPU
15、17、18 記憶装置
19 インターネット
21、22、23、24、25、26、27 内部クロックドメイン
31、32、33、34、35、36、37、38 マルチプレクサ
41a、41b、41c 制御回路
51、52、53、54、55 スキャンフリップフロップ
56 OR回路
57 AND回路
58 INVERTER回路
F1 DFT回路挿入前回路情報
F2 テスト周波数情報
F3 DFT回路挿入後回路情報
M1 テスト周波数記憶領域
M2 データパス依存関係記憶領域
M3 周波数グループ記憶領域
M4 周波数サブグループ記憶領域
M5 DFT回路挿入上限値記憶領域
M6 制御回路不要周波数グループ情報記憶領域
FG1、FG2、FG3、FG101、FG102、FG103 周波数グループ
FSG11、FSG12、FSG21、FSG22、FSG31、FSG32、FSG111、FSG112、FSG121、FSG122、FSG131、FSG132 周波数サブグループ
AMC テストモード制御信号
SMC スキャンモード制御信号
FreqSubCTL 周波数サブグループ選択信号
SCK スキャンクロック信号
SCK1、SCK2 スキャンクロック出力端子
SCKin スキャンクロック供給用端子
10 Semiconductor Integrated Circuit Design System 11, 12 Computer 13 Server 14, 16 CPU
15, 17, 18 Storage device 19 Internet 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27 Internal clock domain 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38 Multiplexer 41a, 41b, 41c Control circuit 51, 52, 53, 54, 55 Scan flip-flop 56 OR circuit 57 AND circuit 58 INVERTER circuit F1 DFT circuit pre-insertion circuit information F2 Test frequency information F3 DFT circuit post-insertion circuit information M1 Test frequency storage area M2 Data path dependency storage area M3 Frequency group storage area M4 Frequency subgroup storage area M5 DFT circuit insertion upper limit storage area M6 Control circuit unnecessary frequency group information storage areas FG1, FG2, FG3, FG101, FG102, FG103 Frequency groups FSG11, FSG12, FS G21, FSG22, FSG31, FSG32, FSG111, FSG112, FSG121, FSG122, FSG131, FSG132 Frequency subgroup AMC Test mode control signal SMC Scan mode control signal FreqSubCTL Frequency subgroup selection signal SCK Scan clock signal SCK1, SCK2 Scan clock output terminal SCKin Scan clock supply pin

Claims (12)

第1のクロックドメインと、
前記第1のクロックドメインと同一の周波数で動作し、前記第1のクロックドメインとデータパスによって接続される第2のクロックドメインと、
前記データパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えるパス遮断回路とを備えた半導体集積回路。
A first clock domain;
A second clock domain that operates at the same frequency as the first clock domain and is connected to the first clock domain by a data path;
A semiconductor integrated circuit comprising: a path cutoff circuit that switches conduction and interruption of data transfer in the data path.
前記半導体集積回路は、前記第1及び第2のクロックドメインの組を複数有し、
前記パス遮断回路は、前記第1及び第2のクロックドメインの組に含まれるスキャンフリップフロップ数に応じた数が、当該第1及び第2のクロックドメインの組に対して備えられる請求項1に記載の半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit has a plurality of sets of the first and second clock domains,
The number of the path cutoff circuits corresponding to the number of scan flip-flops included in the first and second clock domain sets is provided for the first and second clock domain sets. The semiconductor integrated circuit as described.
前記パス遮断回路は、前記第1及び第2のクロックドメインのうち、少ないほうのスキャンフリップフロップ数が多い前記第1及び第2のクロックドメインの組に対して優先的にパス遮断回路を有する請求項2に記載の半導体集積回路。   The path cutoff circuit has a path cutoff circuit preferentially with respect to the set of the first and second clock domains in which the smaller number of scan flip-flops among the first and second clock domains is larger. Item 3. The semiconductor integrated circuit according to Item 2. 前記半導体集積回路は、任意のパス遮断回路上限数を超えない数のパス遮断回路を有する請求項3に記載の半導体集積回路。   The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the semiconductor integrated circuit has a number of path cutoff circuits not exceeding an upper limit number of arbitrary path cutoff circuits. 前記半導体集積回路は、前記第1及び第2のクロックドメインを接続する全てのデータパスについてパス遮断回路を有していない場合、当該第1及び第2のクロックドメインのいずれかに選択的にスキャンクロック信号を供給する制御回路を備えた請求項2乃至4のいずれか1項に記載の半導体集積回路。   When the semiconductor integrated circuit does not have a path blocking circuit for all data paths connecting the first and second clock domains, the semiconductor integrated circuit selectively scans to either the first or second clock domain. 5. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, further comprising a control circuit that supplies a clock signal. 前記複数の第1及び第2のクロックドメインの組は、前記第1及び第2のクロックドメインの組ごとに異なる周波数で動作するものを含む請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体集積回路。   6. The semiconductor according to claim 1, wherein the plurality of first and second clock domain sets includes one that operates at a different frequency for each of the first and second clock domain sets. Integrated circuit. 前記パス遮断回路は、スキャンフリップフロップを含み、当該スキャンフリップフロップによって、前記データパスの遮断を行う請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体集積回路。   The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the path cutoff circuit includes a scan flip-flop, and the data path is shut off by the scan flip-flop. 前記パス遮断回路は、OR回路、又は、AND回路及びINVERTER回路によって、前記データ転送の導通及び遮断を切り替える請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体集積回路。   7. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the path cut-off circuit switches between conduction and cut-off of the data transfer by an OR circuit, an AND circuit, and an INVERTER circuit. コンピュータが実行する半導体集積回路の設計方法であって、
記憶部から回路情報と周波数情報とを読み込んで、第1のクロックドメインと、前記第1のクロックドメインと同一の周波数で動作する第2のクロックドメインとを接続するデータパスを検出し、
前記検出したデータパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えるパス遮断回路を挿入する半導体集積回路設計方法。
A method of designing a semiconductor integrated circuit executed by a computer,
Read circuit information and frequency information from the storage unit, detect a data path connecting the first clock domain and the second clock domain operating at the same frequency as the first clock domain,
A method for designing a semiconductor integrated circuit, wherein a path blocking circuit for switching conduction and blocking of data transfer in the detected data path is inserted.
前記データパスの検出において、複数の前記第1及び第2のクロックドメインの組について、データパスを検出し、
さらに前記第1及び第2のクロックドメインのそれぞれに含まれるスキャンフリップフロップ数のうち、少ないほうのスキャンフリップフロップ数を算出し、
前記パス遮断回路の挿入において、前記算出したスキャンフリップフロップ数が多い前記第1及び第2のクロックドメインの組に対して優先的にパス遮断回路を挿入する請求項9に記載の半導体集積回路設計方法。
In the detection of the data path, a data path is detected for a plurality of sets of the first and second clock domains,
Further, out of the number of scan flip-flops included in each of the first and second clock domains, the smaller number of scan flip-flops is calculated,
10. The semiconductor integrated circuit design according to claim 9, wherein in inserting the path cutoff circuit, a path cutoff circuit is inserted preferentially with respect to the set of the first and second clock domains having a large number of the calculated scan flip-flops. Method.
記憶部から回路情報と周波数情報とを読み込んで、第1のクロックドメインと、前記第1のクロックドメインと同一の周波数で動作する第2のクロックドメインとを接続するデータパスを検出する処理と、
前記検出したデータパスにおけるデータ転送の導通及び遮断を切り替えるパス遮断回路を挿入する処理とをコンピュータに実行させる半導体集積回路設計プログラム。
Processing for reading circuit information and frequency information from the storage unit and detecting a data path connecting the first clock domain and the second clock domain operating at the same frequency as the first clock domain;
A semiconductor integrated circuit design program for causing a computer to execute a process of inserting a path blocking circuit for switching conduction and blocking of data transfer in the detected data path.
前記データパスを検出する処理において、複数の前記第1及び第2のクロックドメインの組について、データパスを検出し、
さらに前記第1及び第2のクロックドメインのそれぞれに含まれるスキャンフリップフロップ数のうち、少ないほうのスキャンフリップフロップ数を算出する処理を行い、
前記パス遮断回路を挿入する処理において、前記算出したスキャンフリップフロップ数が多い前記第1及び第2のクロックドメインの組に対して優先的にパス遮断回路を挿入する請求項11に記載の半導体集積回路設計プログラム。
In the process of detecting the data path, a data path is detected for a plurality of sets of the first and second clock domains,
Further, a process of calculating a smaller number of scan flip-flops among the number of scan flip-flops included in each of the first and second clock domains is performed,
12. The semiconductor integrated circuit according to claim 11, wherein in the process of inserting the path cutoff circuit, a path cutoff circuit is inserted preferentially with respect to the set of the first and second clock domains having a large number of the calculated scan flip-flops. Circuit design program.
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