JP2011100766A - 薄膜転写装置および薄膜転写方法 - Google Patents
薄膜転写装置および薄膜転写方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】第2プレート19のうちシートフィルムFの裏面を支持する上面37は凹凸形状を有し、JIS B 0601−2001で定義される最大高さをRz、粗さ曲線要素の平均長さをRSmとしたとき、
2μm≦Rz≦11μm、かつ、
RSm≦25μm
の関係を満たしている。
【選択図】図1
Description
2μm≦Rz≦11μm、かつ、
RSm≦25μm
の関係を満たすことを特徴としている。
2μm≦Rz≦11μm、かつ、
RSm≦25μm
の関係を満たすことを特徴としている。
2μm≦Rz≦11μm … 式(1)
RSm≦25μm … 式(2)
の関係を満たしている。また、第2プレート19の上面37は円形に形成されている。また第2プレート19の上面周縁部はテーパー加工されてテーパー面が設けられている。シートフィルムFは基板Wより大きい円形に形成され、その表面(薄膜形成面)には薄膜が形成されている。また、第2プレート19の上面37の平面サイズはシートフィルムFの平面サイズよりも小さく形成されている。
・基板W:ベアシリコン基板
・薄膜材料:住友ベークライト社製の半導体ウエハーバッファーコート用樹脂(型番CRC8300)
・シートフィルムF:ETFE(エチレンテトラフルオロエチレン)
・転写温度:80℃
・荷重圧力:5kPa
・処理空間SPの圧力:10Pa
・転写時間:60秒
そして、上記転写条件にて実施例1〜15および比較例1〜10の第2プレート19を第1プレート17に向けて移動させることで基板WとシートフィルムF上の薄膜を互いに当接させた後で、第2プレート19を第1プレート17から離間駆動させた際における、第2プレート19のシートフィルムFへの密着の有無を目視観察した。その観察結果を図2中の「密着」の欄にまとめるとともに、RzおよびRSmに対応付けて図3にプロットした。また、薄膜の密着が完了すると、薄膜を挟んでシートフィルムFと一体となった基板Wをそのまま処理チャンバ1から取り出し、剥離装置(図示せず)によりシートフィルムFを剥離し、転写が良好に行われているか否かを判定した。それらの判定結果を図2中の「転写不良」の欄にまとめるとともに、RzおよびRSmに対応付けて図3にプロットした。
15…制御ユニット(圧力調整手段)
17…第1プレート
19…第2プレート
33…プレート支持部
37…(第2プレートの)上面
49…加重モータ(駆動手段)
F…シートフィルム(薄膜担持体)
SP…処理空間
W…基板
Claims (6)
- 一方面で基板を保持する第1プレートと、
前記第1プレートの一方面に対向する表面で薄膜を担持する薄膜担持体に対して前記第1プレートの反対側から前記薄膜担持体の裏面を支持可能に設けられた第2プレートと、
前記第2プレートを前記第1プレートに向けて相対的に移動させることで前記基板と前記薄膜を互いに当接させた後で、前記第2プレートを前記第1プレートから相対的に離間させる駆動手段とを備え、
前記第2プレートのうち前記薄膜担持体の裏面を支持する表面領域は凹凸形状を有し、JIS B 0601−2001で定義される最大高さをRz、粗さ曲線要素の平均長さをRSmとしたとき、
2μm≦Rz≦11μm、かつ、
RSm≦25μm
の関係を満たすことを特徴とする薄膜転写装置。 - 前記Rzは、3μm以上で、かつ5μm以下である請求項1に記載の薄膜転写装置。
- 前記RSmは15μm以下である請求項1または2に記載の薄膜転写装置。
- 前記第2プレートはプレート支持部に対して着脱自在となっており、前記表面領域を前記薄膜担持体の裏面に向けて前記プレート支持部に装着された状態で前記プレート支持部と一体的に前記第1プレートに対して相対的に移動可能となっている請求項1ないし3のいずれか一項に記載の薄膜転写装置。
- 前記第1プレート、前記基板、前記薄膜担持体および前記第2プレートを取り囲んで処理空間を形成する処理チャンバと、
前記基板と前記薄膜を互いに当接させるときに前記処理空間を減圧し、前記基板と前記薄膜を互いに当接させた後に前記処理空間を大気圧に戻す圧力調整手段と
をさらに備える請求項1ないし4のいずれか一項に記載の薄膜転写装置。 - 第1プレートの一方面で基板を保持するとともに、前記第1プレートの一方面に対向する表面で薄膜を担持する薄膜担持体に対して前記第1プレートの反対側から第2プレートの表面領域により前記薄膜担持体の裏面を支持し、前記第2プレートを前記第1プレートに向けて相対的に移動させることで前記基板と前記薄膜を互いに当接させる第1工程と、
前記第1工程後に、前記第2プレートを前記第1プレートから相対的に離間させる第2工程とを備え、
前記第2プレートの表面領域は凹凸形状を有し、JIS B 0601−2001で定義される最大高さをRz、粗さ曲線要素の平均長さをRSmとしたとき、
2μm≦Rz≦11μm、かつ、
RSm≦25μm
の関係を満たすことを特徴とする薄膜転写方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2014164109A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン形成装置およびパターン形成方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005136440A (ja) * | 2005-02-02 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008300534A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
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