JP2011095087A - 温度センサ及び温度検出方法 - Google Patents

温度センサ及び温度検出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011095087A
JP2011095087A JP2009249022A JP2009249022A JP2011095087A JP 2011095087 A JP2011095087 A JP 2011095087A JP 2009249022 A JP2009249022 A JP 2009249022A JP 2009249022 A JP2009249022 A JP 2009249022A JP 2011095087 A JP2011095087 A JP 2011095087A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
transistor
period
temperature sensor
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009249022A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5403514B2 (ja
Inventor
Satoshi Inoue
聡 井上
Mutsumi Kimura
睦 木村
Yuki Sagawa
祐樹 佐川
Akihiro Nakajima
章宏 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Ryukoku University
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Ryukoku University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Ryukoku University filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009249022A priority Critical patent/JP5403514B2/ja
Publication of JP2011095087A publication Critical patent/JP2011095087A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5403514B2 publication Critical patent/JP5403514B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

【課題】1個のTFTを用い、基本的に電圧を測定することにより、基本的に電流を測定する場合に比べて検出精度を高めた、温度センサ及び温度検出方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ2と、このトランジスタ2に接続された容量素子3と、を含む温度センサ1である。トランジスタ2のオフ電流によって容量素子3に充電された電荷が放電した後、容量素子3に残った電荷量あるいはその電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出する。
【選択図】図2

Description

本発明は、トランジスタを用いた温度センサ、及び温度検出方法等に関する。
薄膜トランジスタ(TFT)は、種々の基板に対してその大きな面積に、低温でしかも低コストで作製できるため、ディスプレイなど種々の電子機器において、キーデバイスとして期待されている。
近年では、このようなTFTを、温度センサとして用いることが提案されている(例えば、特許文献1〜特許文献7参照)。
前記特許文献1〜7における技術によれば、半導体の温度特性を利用することで、高精度な測定が可能になる。
ただし、前記の技術は、主に表示装置の温度特性を補償するための温度センサを開示するもので、TFTによる温度センサを表示装置の基板に集積化することは記載されているものの、TFTを用いた単一の温度センサのみについてしか記載されていない。
一方、抵抗体による温度センサをマトリクス状に配置するとともに、TFTによるアクティブマトリクス回路を備えて構成された温度エリアセンサも提案されている(例えば、特許文献8参照)。この特許文献8の技術によれば、応用はDNAバイオセンサであるものの、アクティブマトリクス回路によって抵抗体に流れる電流を測定することにより、温度の2次元分布を測定することができる。
ここで、種々の基板に対してその大きな面積に、低温でしかも低コストで作製できるという特長を活かした、TFTによる温度エリアセンサを考える。
前記特許文献におけるTFTによる温度センサと、抵抗体による温度センサをマトリクス状に配置するとともに、TFTによるアクティブマトリクス回路を備えて構成された温度センサとを、普通に組み合わせれば、抵抗体をTFTに置き換えた画素回路となり、例えば特許文献4の図2(a)や図2(c)に示されるように、2個のTFTによる画素回路となる。このような2個のTFTによる画素回路では、TFTに適した温度センサの設計・駆動と、アクティブマトリクスのTFTに適した設計・駆動とが、それぞれ可能になる。
特開平06−213730号公報 特開2002−311416号公報 特開2003−329999号公報 特開2006−071564号公報 特開2006−201784号公報 特開2008−083216号公報 特開2008−083217号公報 特開2006−170642号公報
しかしながら、前記の2個のTFTによる画素回路では、以下に示す解決すべき課題がある。
・温度測定のときには定常電流がTFTを流れるため、TFTの自己発熱によって測定誤差が生じる。
・同じく、温度測定のときには定常電流がTFTを流れるため、低消費電力化が難しい。
・信号配線には、走査選択している当該画素の温度センサの電流だけでなく、他の多数の走査選択していない非当該画素のリーク電流も流れるため、測定誤差が生じる。
・TFTが導通モードで破壊すると、当該信号配線に接続する全画素の温度測定が不可能となる。
・2個のTFTによる画素回路では、温度センサのTFTだけでなく、アクティブマトリクスのTFTも温度特性を持つので、温度測定に誤差が生じる。
・同じく、2個のTFTによる画素回路では、画素回路・配線が少し複雑になり、高解像度化や良品率向上に悪影響を与える。
・最終的には信号は電位として測定されることが多いので、電流−電位変換回路が必要となる。
本発明の一態様は、1個のTFTを用い、基本的に電圧を測定することにより、基本的に電流を測定する場合に比べて検出精度を高めた、温度センサ及び温度検出方法を提供するものである。
本発明の温度センサは、トランジスタと、前記トランジスタに接続された容量素子と、を含むことを特徴としている。
トランジスタのオフ電流は温度に依存する。また、容量素子に充電された電荷は、トランジスタがオフのとき、このトランジスタのオフ電流の大きさに応じて放電する。したがって、この温度センサによれば、1個のTFTを用い、前記容量素子の電荷量、あるいはこの電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出することが可能になる。よって、従来のように基本的に電流を測定する場合に比べて、検出精度が高まる。
また、前記温度センサにおいては、前記トランジスタのオフ電流によって前記容量素子に充電された電荷が放電した後、該容量素子に残った電荷量あるいはその電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出するのが好ましい。
このようにすれば、容量素子に残った電荷量を、例えば電位(電圧)を読み出すことで測定するため、前述したように電流を測定する場合に比べ、自己発熱等による測定誤差が少なくなり、検出精度が高まる。
また、前記温度センサにおいては、前記トランジスタが、薄膜トランジスタであるのが好ましい。
このようにすれば、種々の基板に対してその大きな面積に、低温でしかも低コストで作製できるという薄膜トランジスタの特長を活かして、例えばこの薄膜トランジスタやこれに接続される容量素子をマトリクス状に配置することにより、2次元的なエリアの温度検出が可能になる。
また、前記温度センサにおいては、前記薄膜トランジスタが、ポリシリコンからなるのが好ましい。
このようにすれば、例えば非晶質のシリコンからなるものに比べて結晶性が良好になるため、温度に対するオフ電流値の感度が良好になる。
また、前記温度センサにおいては、前記温度センサを、マトリクス状に配置してエリア温度を検出可能にするのが好ましい。
このようにすれば、2次元的なエリアの温度検出が可能になることにより、エリア内の温度分布なども容易に検出可能になる。
本発明の温度検出方法は、トランジスタと、前記トランジスタに接続された容量素子と、を用い、前記トランジスタのオフ電流によって前記容量素子に充電された電荷が放電した後、該容量素子に残った電荷量あるいはその電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出することを特徴としている。
この温度検出方法によれば、容量素子に残った電荷量を、例えば電位(電圧)を読み出すことで測定するため、前述したように電流を測定する場合に比べ、自己発熱等による測定誤差が少なくなり、検出精度が高まる。
また、前記温度検出方法においては、前記トランジスタとして、薄膜トランジスタを用いるのが好ましい。
このようにすれば、前述したように薄膜トランジスタの特長を活かして、例えばこの薄膜トランジスタやこれに接続される容量素子をマトリクス状に配置して用いることにより、2次元的なエリアの温度検出が可能になる。
また、前記温度検出方法においては、前記薄膜トランジスタとして、ポリシリコンからなるものを用いるのが好ましい。
このようにすれば、例えば非晶質のシリコンからなるものに比べて結晶性が良好になるため、温度に対するオフ電流値の感度が良好になる。
また、前記温度検出方法においては、前記トランジスタと該トランジスタに接続された容量素子とをマトリクス状に配置して、エリア温度を検出するのが好ましい。
このようにすれば、2次元的なエリアの温度検出が可能になることにより、エリア内の温度分布なども容易に検出可能になる。
また、前記温度検出方法においては、前記容量素子に電荷を充電するリセット期間と、
電荷を充電した前記容量素子をその状態に維持するホールド期間と、
前記ホールド期間後に前記容量素子に保持されている電荷量を検出するデテクト期間と、を備え、
前記ホード期間のホールド時間を可変にすることにより、検出する温度範囲を可変にするのが好ましい。
このようにすれば、ホールド時間を可変にすることによって検出する温度範囲が可変になるため、所望の範囲の温度測定を容易に行うことができる。
また、前記温度検出方法においては、前記容量素子に電荷を充電するリセット期間と、
前記トランジスタをオフ電位にして、電荷を充電した前記容量素子をその状態に維持するホールド期間と、
前記ホールド期間後に前記容量素子に保持されている電荷量を検出するデテクト期間と、を備え、
前記ホード期間における前記トランジスタのオフ電位を可変にすることにより、検出する温度範囲を可変にすることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の温度検出方法。
このようにすれば、オフ電位を可変にすることによって検出する温度範囲が可変になるため、所望の範囲の温度測定を容易に行うことができる。
本発明に係る温度エリアセンサの概略構成図である。 本発明の温度センサの一実施形態の、等価回路図である。 薄膜トランジスタのIgs−Vgs特性の温度依存性を示すグラフである。 温度センサの動作説明図である。 温度センサの動作波形を示すグラフである。 温度センサの動作波形を示すグラフである。 温度センサの動作波形を示すグラフである。
以下、図面を参照して本発明を説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図1は、本発明の温度センサを温度エリアセンサに適用した場合の、一実施形態を示す概略構成図である。図2は、図1に示した温度エリアセンサにおける、単一の温度センサ、すなわち本発明における温度センサの一実施形態となる、温度センサの等価回路図である。図1中符号10は温度エリアセンサであり、この温度エリアセンサ10は、図2に示す温度センサ1をマトリクス状に配置し、さらに読み出し回路等を含む制御回路(図示せず)を備えて構成されたものである。
温度センサ1は、基板上に設けられた半導体層に形成され、あるいは半導体基板に形成されたもので、図2に示すようにトランジスタ2と容量3とが直列に接続されて構成されたものである。
前記基板としては、樹脂等からなるフレキシブル基板(可撓性基板)や、ガラス、石英、セラミックス、金属等からなる基板が用いられ、これの上に設けられた半導体層としては、主にシリコンが用いられる。また、半導体基板としては、主にシリコン基板が用いられる。
本実施形態では、特に樹脂からなるフレキシブル基板上にポリシコン層を形成したものが好適に用いられる。具体的には、CVD法等によってフレキシブル基板上にアモルファスシリコン層を形成し、その後、レーザーアニール法等によってアモルファスシリコン層を多結晶化し、ポリシリコン層にしたものが用いられる。
トランジスタ2は、前記ポリシリコン層にチャネル領域及びソース/ドレイン領域を形成し、その上に、アルミニウム等の金属などによってゲート電極等の配線を形成した、公知の構成の薄膜トランジスタ(TFT)からなるものである。
容量素子3は、前記ポリシリコン層中やその上に形成された一対の導電層(図示せず)と、これら導電層間に設けられた誘電体層(図示せず)と、からなる公知の構成のものである。そして、図2に示したようにトランジスタ2のドレイン電極(ドレイン領域)2Dが容量素子3の一方の導電層3aに導通することにより、容量素子3は、トランジスタ2に直列に接続したものとなっている。
また、トランジスタ2のソース電極(ソース領域)2Sには、信号配線4が接続され、同じくゲート電極2Gには、走査配線5が接続されている。また、容量素子3の、他方の導電層3bには容量配線6が接続されている。
なお、前記トランジスタ2や容量素子3、さらには各種配線上には、これらを覆って絶縁膜(図示せず)が設けられており、さらに、必要に応じて絶縁膜上に、平坦化膜や保護膜等が設けられている。
ところで、一般にトランジスタは、他の半導体素子と同様に温度特性を有し、薄膜トランジスタはこの温度特性がより大きくなっている。
図3は、薄膜トランジスタのIgs−Vgs特性の温度依存性を示すグラフである。図3に示すように薄膜トランジスタは、その構成に基づいて固有の温度特性を有する。特に、Vgs<0[V]のオフ領域においては、対数グラフでのダイナミックレンジが大きくなり、したがって縦軸に示すオフ電流の、温度依存性(温度特性)が顕著になる。そこで、本発明はこの薄膜トランジスタ(トランジスタ)の温度依存性(温度特性)を利用することにより、温度を検出するようにしている。
すなわち、本実施形態の温度センサ1にあっては、図4に示すように容量素子3に電荷を充電するリセット期間と、トランジスタ2をオフ電位にして、電荷を充電した容量素子3をその状態に維持するホールド期間と、ホールド期間後に容量素子3に保持されている電荷量を検出するデテクト期間と、を備えることにより、トランジスタ2の近傍の温度が検出可能になっている。
具体的には、リセット期間では、走査配線5にトランジスタ2をオンにする電位(Vscan)を印加することによって、信号配線4よりその電位(Vsig)を印加し、これにより、容量素子3の保持容量(電位)が、図4中Vで示す予め設定した値(設定容量V)になるように、容量素子3を充電する。
続いてホールド期間では、走査配線5にトランジスタ2をオフにする電位(オフ電位)を印加する。すると、トランジスタ2ではオフ電流(リーク電流)が生じることにより、容量素子3の電荷量が減少する。
その際、オフ電流には温度依存性(温度特性)があることから、トランジスタ2近傍の雰囲気温度(例えば、トランジスタ2がこれを覆う絶縁膜等を介して接触する対象物の温度)によってオフ電流の大きさが変化し、図4中のV〜Vに示すように容量素子3の電位が低下する。つまり、前記雰囲気温度によってオフ電流が変化し、このオフ電流の変化に伴い、容量素子3に残る電荷量も変化する。
そこで、デテクト期間では再びトランジスタ2をオンにする電位を印加し、容量素子3の電位(V〜V)を読み出す。すると、読み出した電位は、前記のホールド期間におけるオフ電流(リーク電流)によって、前記設定容量Vより低下した値となる。
その際、予めホールド期間を所定の期間(時間)に設定し、かつ、オフ電位を所定の電位にしておくことにより、容量素子3の電位から前記の雰囲気温度を求めることが可能になる。つまり、図3に示したように予め温度とオフ電流値との間の相関を求めておくことにより、トランジスタ2近傍の雰囲気温度(接触する対象物の温度)が求まるようになるのである。
したがって、前記温度センサ1にあっては、前記デテクト期間において容量素子3の電荷量(あるいはこれに基づく電圧)を読み出し回路(図示せず)で読み出すことにより、トランジスタ2近傍の雰囲気温度を検出することが可能になる。
すなわち、前記の温度センサ1を、目的とする被温度検出部に接触させ、あるいはその近傍に配置し、その状態で前記のリセット期間、ホールド期間、デテクト期間についてそれぞれに対応した操作を順次行うことにより、被温度検出部の温度を検出することができる。
また、前記トランジスタ(薄膜トランジスタ)2では、走査配線5にトランジスタ2をオフにする電位(オフ電位)を印加し、トランジスタ2にオフ電流(リーク電流)を生じさせることによって容量素子3の電荷量を減少させる時間、すなわちホールド期間を、図5、図6に示すように変化させることにより、その動作波形が変化する。
ここで、図5、図6に示した動作波形は、W/L(チャネル幅/チャネル長)=4.5/50μmの薄膜トランジスタと、保持容量が100pFの容量素子と、からなる温度センサについてのものである。
図5に示したように、ホールド電位(Holdオフ電位)を0Vとし、ホールド時間を2ms(2×10−3秒)とした場合には、測定可能温度範囲を、50〜150℃に設定することが可能になる。また、図6に示したように、ホールド電位を0Vとし、ホールド時間を20ms(2×10−2秒)とした場合には、測定可能温度範囲を、室温〜100℃に設定することが可能になる。
したがって、本実施形態の温度センサ1にあっては、前記ホード期間のホールド時間を可変にすることにより、検出する温度範囲を可変にするよう構成するのが好ましい。具体的には、ホールド時間と測定可能温度範囲との間の相関を予めとっておき、温度測定の対象となる被温度検出部の予想温度から、前記相関に基づいてホールド時間を決定する。
このように構成することにより、検出する温度範囲が可変になるため、所望の範囲の温度測定を容易に行うことができる。
また、前記トランジスタ(薄膜トランジスタ)2では、ホールド期間において、走査配線5にトランジスタ2をオフにする際の電位(オフ電位)を変化させることによっても、その動作波形が変化する。図6に示した動作波形の薄膜トランジスタを、ホールド期間におけるオフ電位を−2Vにし、さらにホールド時間を22ms(2×10−2秒)まで延ばすと、その動作波形は図7に示すようになる。すなわち、測定可能温度範囲を、110〜200℃に設定することが可能になる。
したがって、本実施形態の温度センサ1にあっては、前記ホード期間における前記トランジスタのオフ電位を可変にすることにより、検出する温度範囲を可変にするよう構成するのが好ましい。具体的には、オフ電位と測定可能温度範囲との間の相関を予めとっておき、温度測定の対象となる被温度検出部の予想温度から、前記相関に基づいてオフ電位を決定する。
このように構成することにより、検出する温度範囲が可変になるため、所望の範囲の温度測定を容易に行うことができる。
なお、前記ホード期間のホールド時間と、前記ホード期間における前記トランジスタのオフ電位とを共に可変にすれば、検出する温度をより広い範囲に亘って可変にすることができ、したがって所望の範囲の温度測定をより容易に行うことができる。
また、図1に示した温度エリアセンサ10にあっては、前記温度センサ1をマトリクス状に多数配置しているので、2次元的なエリアの温度検出が可能になることにより、エリア内の温度分布なども容易に検出することができる。
すなわち、この温度エリアセンサ10では個々の温度センサ1、1間のピッチを、例えば数十μm〜数百μm程度に配置することができる。これは、人間(生物)の皮膚における痛点のピッチとほぼ等しく、したがってこの温度エリアセンサ10は、特に接触式の温度センサとした場合に、人間(生物)に近い感度でのセンサリングが可能になる。
そこで、このような温度エリアセンサ10を、例えばロボットのアームなどに取り付けることにより、アームで掴んだもの(被温度検出部)の温度を検出するとともに、この被温度検出部の温度分布も容易に検出することができるようになる。
さらに、前記温度センサ1とこれを備えた温度エリアセンサ10にあっては、以下の優れた作用効果を奏する。
・温度測定のときも、容量素子3の充放電電流という小電流が流れるだけであるので、自己発熱がほとんどなく、したがって測定誤差がほとんど生じないことにより、検出精度を高めることができる。
・同じく、小電流が流れるだけであるので、低消費電力化が容易になる。
・容量素子3は絶縁性が良好になるので、信号配線4には、走査選択していない他の多数の温度センサ1からのリーク電流がないため、測定誤差が生じない。
・TFT(トランジスタ2)が導通モードで破壊しても、容量素子3は絶縁性が良好なため、当該信号配線4に接続する他の温度センサ1による温度測定は可能なままになる。
・1個のTFT(トランジスタ2)を用いた回路であるので、2個のTFTによる回路で生じていた、温度測定の誤差が生じない。
・同じく、2個のTFTによる回路よりも、良品率向上が可能である。
・容量素子3の容量をその電位で測定するため、電流−電位変化回路が不要になる。
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、前記の温度センサ1やこれをマトリクス状に配置した温度エリアセンサ10にあっては、温度測定の対象を生体とし、その温度分布の測定に用いることもできる。
また、図2に示した温度センサ1においては、容量素子3と配線寄生容量とのかねあい、あるいは、出力電圧の要求精度により、必要に応じてセンサ1内に増幅器を設けることもできる。
さらに、トランジスタとしては、ポリシリコンからなる薄膜トランジスタに代えて、有機薄膜トランジスタや、単結晶シリコン基板に作製したトランジスタを用いることもできる。
1…温度センサ、2…トランジスタ、3…容量素子、4…信号配線、5…走査配線、6…容量配線、10…温度エリアセンサ

Claims (11)

  1. トランジスタと、前記トランジスタに接続された容量素子と、を含むことを特徴とする温度センサ。
  2. 前記トランジスタのオフ電流によって前記容量素子に充電された電荷が放電した後、該容量素子に残った電荷量あるいはその電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出することを特徴とする請求項1記載の温度センサ。
  3. 前記トランジスタが、薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の温度センサ。
  4. 前記薄膜トランジスタが、ポリシリコンからなることを特徴とする請求項3記載の温度センサ。
  5. 請求項1〜4のいずれか一項に記載の温度センサを、マトリクス状に配置してエリア温度を検出可能にしたことを特徴とする温度センサ。
  6. トランジスタと、前記トランジスタに接続された容量素子と、を用い、
    前記トランジスタのオフ電流によって前記容量素子に充電された電荷が放電した後、該容量素子に残った電荷量あるいはその電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出することを特徴とする温度検出方法。
  7. 前記トランジスタとして、薄膜トランジスタを用いることを特徴とする請求項6に記載の温度検出方法。
  8. 前記薄膜トランジスタとして、ポリシリコンからなるものを用いることを特徴とする請求項7記載の温度検出方法。
  9. 前記トランジスタと該トランジスタに接続された容量素子とをマトリクス状に配置して、エリア温度を検出することを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載の温度検出方法。
  10. 前記容量素子に電荷を充電するリセット期間と、
    電荷を充電した前記容量素子をその状態に維持するホールド期間と、
    前記ホールド期間後に前記容量素子に保持されている電荷量を検出するデテクト期間と、を備え、
    前記ホード期間のホールド時間を可変にすることにより、検出する温度範囲を可変にすることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の温度検出方法。
  11. 前記容量素子に電荷を充電するリセット期間と、
    前記トランジスタをオフ電位にして、電荷を充電した前記容量素子をその状態に維持するホールド期間と、
    前記ホールド期間後に前記容量素子に保持されている電荷量を検出するデテクト期間と、を備え、
    前記ホード期間における前記トランジスタのオフ電位を可変にすることにより、検出する温度範囲を可変にすることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の温度検出方法。
JP2009249022A 2009-10-29 2009-10-29 温度センサ及び温度検出方法 Active JP5403514B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009249022A JP5403514B2 (ja) 2009-10-29 2009-10-29 温度センサ及び温度検出方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009249022A JP5403514B2 (ja) 2009-10-29 2009-10-29 温度センサ及び温度検出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011095087A true JP2011095087A (ja) 2011-05-12
JP5403514B2 JP5403514B2 (ja) 2014-01-29

Family

ID=44112167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009249022A Active JP5403514B2 (ja) 2009-10-29 2009-10-29 温度センサ及び温度検出方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5403514B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230040A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Seiko Epson Corp 温度計測方法
JP2012230039A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Seiko Epson Corp 温度センサー
JP2012230038A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Seiko Epson Corp 温度センサー
JP2013167455A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Seiko Epson Corp 温度センサー及び温度計測方法、電気光学装置
WO2020012296A1 (ja) * 2018-07-10 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021157547A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 ローム株式会社 容量検出回路、入力装置
US11362647B2 (en) 2018-12-19 2022-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hysteresis comparator, semiconductor device, and power storage device
WO2022193409A1 (zh) * 2021-03-19 2022-09-22 Tcl华星光电技术有限公司 控制电路、显示装置以及电子设备
US12040653B2 (en) 2018-10-25 2024-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Charge control circuit and abnormality detection system of secondary battery

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60202321A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Seiko Epson Corp 温度検知回路
JPH0283423A (ja) * 1988-09-20 1990-03-23 Nec Corp 人工衛星搭載用温度モニタ装置
JPH0599756A (ja) * 1991-10-03 1993-04-23 Seikosha Co Ltd 温度検出回路
JPH09318436A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 熱型赤外線センサ及びその製造方法並びにこれを用いたイメージセンサ
WO2009084352A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Nec Corporation 温度測定装置及び方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60202321A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Seiko Epson Corp 温度検知回路
JPH0283423A (ja) * 1988-09-20 1990-03-23 Nec Corp 人工衛星搭載用温度モニタ装置
JPH0599756A (ja) * 1991-10-03 1993-04-23 Seikosha Co Ltd 温度検出回路
JPH09318436A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp 熱型赤外線センサ及びその製造方法並びにこれを用いたイメージセンサ
WO2009084352A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Nec Corporation 温度測定装置及び方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230040A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Seiko Epson Corp 温度計測方法
JP2012230039A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Seiko Epson Corp 温度センサー
JP2012230038A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Seiko Epson Corp 温度センサー
JP2013167455A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Seiko Epson Corp 温度センサー及び温度計測方法、電気光学装置
WO2020012296A1 (ja) * 2018-07-10 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPWO2020012296A1 (ja) * 2018-07-10 2021-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11961979B2 (en) 2018-07-10 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US12040653B2 (en) 2018-10-25 2024-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Charge control circuit and abnormality detection system of secondary battery
US11664786B2 (en) 2018-12-19 2023-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hysteresis comparator, semiconductor device, and power storage device
US11362647B2 (en) 2018-12-19 2022-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hysteresis comparator, semiconductor device, and power storage device
JP7337742B2 (ja) 2020-03-27 2023-09-04 ローム株式会社 容量検出回路、入力装置
JP2021157547A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 ローム株式会社 容量検出回路、入力装置
WO2022193409A1 (zh) * 2021-03-19 2022-09-22 Tcl华星光电技术有限公司 控制电路、显示装置以及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP5403514B2 (ja) 2014-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5403514B2 (ja) 温度センサ及び温度検出方法
US7884810B2 (en) Unevenness detecting apparatus for compensating for threshold voltage and method thereof
JP7086602B2 (ja) アクティブマトリクス式oledディスプレイ装置及びデータ電圧を補償する方法
KR101133758B1 (ko) 센서 및 이를 구비한 박막 트랜지스터 표시판
EP2033178B1 (en) Active matrix display compensating apparatus
US10007300B2 (en) Array substrate, display panel and method for detecting bent degree of the same
US10551419B2 (en) Capacitance value measurement method and device
US10339358B2 (en) Palmprint recognition circuit based on LTPS technology, a palmprint recognition method and a display screen
JP5426766B2 (ja) イオンセンサ、表示装置、イオンセンサの駆動方法、及び、イオン濃度の算出方法
JP2007025685A (ja) 表示装置用温度センサ、これを備えた薄膜トランジスタ表示板及び液晶表示装置、液晶表示装置の駆動回路、並びに液晶表示装置のフリッカ調整システム
TW200416650A (en) Picture display apparatus
CN102982778A (zh) 一种用于goa电路的驱动电压补偿系统
US20220005419A1 (en) Driver circuit for display panel, display panel and driving method for display panel
US20070252829A1 (en) Electronic circuit, electro-optical device, and electronic apparatus including the same
US20230408441A1 (en) Ion sensing device
JP5330600B2 (ja) イオンセンサ及び表示装置
US10872569B2 (en) Compensation method for pixel circuit, pixel circuit, and display device
WO2004100110A1 (ja) アクティブマトリックスパネルの検査装置、検査方法、およびアクティブマトリックスoledパネルの製造方法
JP5777148B2 (ja) 温度計測方法
JPWO2011152209A1 (ja) イオンセンサ及び表示装置
JP5953464B2 (ja) 温度センサー及び温度計測方法、電気光学装置
JP2006073712A (ja) Tftアレイ試験方法および試験装置
KR20160027428A (ko) 박막트랜지스터의 누설전류 측정방법
KR101059096B1 (ko) 터치패널의 터치셀 구조, 그를 이용한 터치패널 및 터치입력 검출방법
Shrivastava et al. Temperature Detection System Using Oxide TFTs on a Flexible Substrate

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120127

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121024

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20121024

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130828

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130924

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131021

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5403514

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250