JP2011091152A - Power module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の表面にベアチップが実装されたパワーモジュールに関し、特にベアチップを冷却する冷却技術に関するものである。 The present invention relates to a power module in which a bare chip is mounted on a surface of a substrate, and more particularly to a cooling technique for cooling the bare chip.
従来より、パワー半導体等のベアチップを実装した基板を有するパワーモジュールが知られている。一般に、上記基板にはセラミックや金属製のものが用いられるが、コスト低減を目的として樹脂製の基板を用いたものが考案されている。しかし、この樹脂製の基板は比較的に熱伝導率が小さい。このため、上記ベアチップで発生した熱が樹脂製の基板を通じて該基板の外側へ放出されにくく、上記ベアチップが高温になる場合がある。 Conventionally, a power module having a substrate on which a bare chip such as a power semiconductor is mounted is known. In general, a ceramic or metal substrate is used as the substrate, but a substrate using a resin substrate has been devised for the purpose of cost reduction. However, this resin substrate has a relatively low thermal conductivity. For this reason, the heat generated in the bare chip is hardly released to the outside of the substrate through the resin substrate, and the bare chip may become high temperature.
特許文献１に開示されたパワーモジュールは、上記樹脂製の基板の内部に冷媒通路が形成されている。この冷媒通路には、パワーモジュールを電気部品として搭載する空調機の冷媒回路を循環する冷媒の一部が流れるようになっている。これにより、上記冷媒通路を通過する冷媒でベアチップが冷却される。 In the power module disclosed in Patent Document 1, a refrigerant passage is formed inside the resin substrate. A part of the refrigerant circulating in the refrigerant circuit of the air conditioner in which the power module is mounted as an electrical component flows through the refrigerant passage. Thereby, the bare chip is cooled by the refrigerant passing through the refrigerant passage.
ところで、上記樹脂基板に実装されたベアチップを効率よく冷却する別の方法として、上記樹脂基板を厚さ方向に貫通するサーマルビアを設ける一方、上記樹脂基板の裏面にベアチップを冷却するための放熱器を取り付ける方法がある。尚、このサーマルビアは、その一端が上記樹脂基板の表面に形成された配線パターンに接して、他端が上記樹脂基板の裏面に露出している。 By the way, as another method for efficiently cooling the bare chip mounted on the resin substrate, a thermal via for providing a thermal via penetrating the resin substrate in the thickness direction and cooling the bare chip on the back surface of the resin substrate is provided. There is a way to attach. The thermal via has one end in contact with the wiring pattern formed on the surface of the resin substrate and the other end exposed on the back surface of the resin substrate.
ここで、上記放熱器は、その冷却性能を高めるために金属製のものを用いるのが一般的である。そして、この金属製の放熱器を上記樹脂基板の裏面に取り付けたとすると、該裏面に露出したサーマルビアを通じて上記ベアチップと上記放熱器とが電気的に接続されてしまう。この結果、上記放熱器とベアチップとがショートするという不具合が生じてしまう。 Here, the radiator is generally made of metal in order to enhance its cooling performance. If this metal radiator is attached to the back surface of the resin substrate, the bare chip and the radiator are electrically connected through the thermal via exposed on the back surface. As a result, there arises a problem that the radiator and the bare chip are short-circuited.
このような不具合を生じさせないようにするため、上記樹脂基板の裏面と放熱器との間に絶縁部材として絶縁シート等を挟んで上記樹脂基板と上記放熱器とを重ね合わせることが考えられる。 In order to prevent such a problem from occurring, it is conceivable that the resin substrate and the radiator are overlapped with an insulating sheet or the like interposed between the back surface of the resin substrate and the radiator.
しかしながら、上記絶縁部材を挟むと、上記放熱器とベアチップとの間がショートするのを回避することができるものの、上記基板の裏面と上記絶縁部材の表面との間、及び上記絶縁部材の裏面と上記冷却部材の表面との間に接触熱抵抗が生じてしまう。こうなると、この絶縁部材の両面に生じる接触熱抵抗により、上記ベアチップの熱が上記基板を通じて上記冷却部材へ伝わるのを阻害することが考えられる。 However, when the insulating member is sandwiched, it is possible to avoid a short circuit between the radiator and the bare chip, but between the back surface of the substrate and the surface of the insulating member, and the back surface of the insulating member Contact thermal resistance occurs between the surface of the cooling member. In this case, it is considered that the heat of the bare chip is prevented from being transmitted to the cooling member through the substrate due to the contact thermal resistance generated on both surfaces of the insulating member.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の裏面側にベアチップを冷却する冷却部材が取り付けられたパワーモジュールにおいて、上記基板の裏面と上記冷却部材との間に絶縁部材を設ける際に、その絶縁部材の両面に生じる接触熱抵抗をできるだけ抑えつつ、上記ベアチップの冷却効率をアップさせることにある。 The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a power module in which a cooling member for cooling a bare chip is attached to the back surface side of the substrate, between the back surface of the substrate and the cooling member. When providing an insulating member, there is to increase the cooling efficiency of the bare chip while suppressing the contact thermal resistance generated on both surfaces of the insulating member as much as possible.
第１の発明は、基板（12）と、該基板（12）の表面側に配置されたパワーデバイス用のベアチップ（10）と、該基板（12）の裏面側に配置されて上記ベアチップ（10）を冷却する冷却部材（15）とを備えたパワーモジュールが前提である。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate (12), a power device bare chip (10) disposed on a front surface side of the substrate (12), and a bare chip (10) disposed on a back surface side of the substrate (12). ) Is a power module provided with a cooling member (15) for cooling.
そして、上記パワーモジュールの基板（12）は、絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第１基板（12c）と絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第２基板（12a,12b）とが積層された多層基板（12）であって、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうちの第２基板（12a,12b）側に、上記ベアチップ（10）及び冷却部材（15）の間の位置で厚さ方向に貫通するサーマルビア（13）が設けられていることを特徴としている。 The substrate (12) of the power module is formed by laminating at least one or more first substrates (12c) having insulation and at least one or more second substrates (12a, 12b) having insulation. A multilayer substrate (12), on the second substrate (12a, 12b) side of the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b), the bare chip (10) and the cooling member (15) A thermal via (13) penetrating in the thickness direction at a position between is provided.
第１の発明では、上記パワーモジュール（1）の基板（12）が多層基板（12）で構成されている。ここで、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうち、上記第１基板（12c）の方には、上記サーマルビア（13）が設けられていない。つまり、この第１基板（12c）が、上記ベアチップ（10）と上記冷却部材（15）との間を絶縁する絶縁部材を構成する。 In 1st invention, the board | substrate (12) of the said power module (1) is comprised by the multilayer board | substrate (12). Here, the thermal via (13) is not provided on the first substrate (12c) out of the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b). That is, the first substrate (12c) constitutes an insulating member that insulates the bare chip (10) from the cooling member (15).
そして、上記多層基板（12）は、複数の基板が熱圧着によって互いに密着するように積層されて構成されている。このことから、各基板間に生じる接触熱抵抗は、従来のように絶縁部材を挟んで重ね合わせることによる接触熱抵抗に比べて小さい。以上より、パワーモジュールの基板（12）を多層基板（12）とすることで、上記第１基板（12c）の外面に生じる接触熱抵抗を小さくすることができるようになる。 And the said multilayer substrate (12) is laminated | stacked and comprised so that a several board | substrate may mutually contact | adhere by thermocompression bonding. For this reason, the contact thermal resistance generated between the substrates is smaller than the contact thermal resistance produced by overlapping the insulating members as in the prior art. As described above, by using the power module substrate (12) as the multilayer substrate (12), the contact thermal resistance generated on the outer surface of the first substrate (12c) can be reduced.
又、上記第２基板（12a,12b）にはサーマルビア（13）を設けられている。このサーマルビア（13）を通じて上記ベアチップ（10）から上記冷却部材（15）への熱の流れが促進される。尚、第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）の両方にサーマルビア（13）を設けない理由は、仮に、両方にサーマルビア（13）を設けたとすると、このサーマルビア（13）を通じて上記ベアチップ（10）と上記冷却部材（15）とが電気的に接続されてしまい、上記第１基板（12c）が絶縁部材としての役割を果たさなってしまうからである。 The second substrate (12a, 12b) is provided with a thermal via (13). Through this thermal via (13), heat flow from the bare chip (10) to the cooling member (15) is promoted. The reason why the thermal via (13) is not provided on both the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b) is that if the thermal via (13) is provided on both, the thermal via (13 ) Through which the bare chip (10) and the cooling member (15) are electrically connected, and the first substrate (12c) serves as an insulating member.
第２の発明は、第１の発明において、上記第２基板（12a,12b）が、上記多層基板（12）における上記ベアチップ（10）側の最外層を構成することを特徴としている。 According to a second invention, in the first invention, the second substrate (12a, 12b) constitutes an outermost layer on the bare chip (10) side in the multilayer substrate (12).
第２の発明では、上記多層基板（12）において、上記サーマルビア（13）が設けられた第２基板（12a,12b）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置している。こうすることにより、上記サーマルビア（13）が設けられていない第１基板（12c）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置する場合に比べて、上記ベアチップ（10）の熱が上記サーマルビア（13）を通じて拡散しやすくなる。 In the second invention, in the multilayer substrate (12), the second substrate (12a, 12b) provided with the thermal via (13) is arranged on the side close to the bare chip (10). By doing so, compared to the case where the first substrate (12c) on which the thermal via (13) is not provided is arranged on the side closer to the bare chip (10), the heat of the bare chip (10) is greater than the thermal via. It becomes easy to spread through (13).
第３の発明は、第１又は第２の発明において、上記第１基板（12c）の熱伝導率は、上記第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高いことを特徴としている。 According to a third invention, in the first or second invention, the thermal conductivity of the first substrate (12c) is higher than the thermal conductivity of the second substrate (12a, 12b).
第３の発明では、第１基板（12c）の熱伝導率が第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高い。ここで、上記第２基板（12a,12b）は、上記サーマルビア（13）によって伝熱促進されるが、第１基板（12c）には、上述したようにサーマルビア（13）を設けることができない。そこで、第３の発明において、第１基板（12c）の熱伝導率を第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高くすることで、第１基板（12c）側の伝熱促進を図ることができるようになる。 In the third invention, the thermal conductivity of the first substrate (12c) is higher than the thermal conductivity of the second substrate (12a, 12b). Here, the second substrate (12a, 12b) is accelerated in heat transfer by the thermal via (13), but the first substrate (12c) may be provided with the thermal via (13) as described above. Can not. Therefore, in the third invention, the heat conductivity of the first substrate (12c) is increased by making the thermal conductivity of the first substrate (12c) higher than the thermal conductivity of the second substrate (12a, 12b). It becomes possible to plan.
第４の発明は、第１から第３の何れか１つの発明において、上記第１基板（12c）の厚みは、上記第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄いことを特徴としている。 According to a fourth invention, in any one of the first to third inventions, the thickness of the first substrate (12c) is thinner than the thickness of the second substrate (12a, 12b).
第４の発明では、第１基板（12c）の厚みが第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄い。そして、上記第１基板（12c）の厚みを第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄くすればなるほど、上記第１基板（12c）の熱抵抗を小さくすることができるようになる。 In the fourth invention, the thickness of the first substrate (12c) is thinner than the thickness of the second substrate (12a, 12b). The thermal resistance of the first substrate (12c) can be reduced as the thickness of the first substrate (12c) is made thinner than the thickness of the second substrate (12a, 12b).
第５の発明は、第１から第４の何れか１つの発明において、上記第１基板（12ｃ）と上記第２基板（12a,12b）は、樹脂製の基板であることを特徴としている。 According to a fifth invention, in any one of the first to fourth inventions, the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b) are resin substrates.
第５の発明では、第１、２基板（12a,12b,12ｃ）が樹脂製で構成されている。一般に、上記パワーモジュールの基板として、セラミック製又は金属製のものが用いられる。第５の発明では、樹脂製のものを用いているので、セラミック製又は金属製のものに比べて基板の製作コストを低く抑えることができるようになる。 In the fifth invention, the first and second substrates (12a, 12b, 12c) are made of resin. Generally, a ceramic or metal substrate is used as the power module substrate. In the fifth invention, since the resin-made one is used, the production cost of the substrate can be suppressed lower than that made of ceramic or metal.
第６の発明は、第１から第５の何れか１つの発明において、上記冷却部材（15）と上記基板（12）との間には、一端面が上記冷却部材（15）に密着して他端面が上記基板（12）に密着することにより上記冷却部材（15）を上記基板（12）に接合する接合部材（14）が設けられていることを特徴としている。 According to a sixth invention, in any one of the first to fifth inventions, one end face is in close contact with the cooling member (15) between the cooling member (15) and the substrate (12). A joining member (14) for joining the cooling member (15) to the substrate (12) is provided by having the other end surface in close contact with the substrate (12).
第６の発明では、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を上記接合部材（14）で接合することにより、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を単に重ね合わせて一体化した場合に比べて、上記冷却部材（15）と上記多層基板（12）との間に生じる接触熱抵抗が小さくなる。これは、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を単に重ね合わせただけでは、この両方の部材の間に多数の微細な隙間が生じてしまい、この隙間にある空気によって上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）の間の熱抵抗を大きくしてしまうからである。 In the sixth invention, the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) are simply overlapped by joining the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) with the joining member (14). Compared with the case of integration, the contact thermal resistance generated between the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) is reduced. This is because if the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) are simply overlapped, a large number of fine gaps are generated between the two members, and the cooling member is caused by the air in the gaps. This is because the thermal resistance between (15) and the multilayer substrate (12) is increased.
尚、この接合部材（14）は、例えば半田又は接着材であってもよい。ここで、上記接合部材（14）として半田を用いる場合には、上記多層基板（12）の裏面にパターンを形成し、そのパターンに上記冷却部材（15）を半田付けする。こうすることで、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を効率よく接合できる。 The joining member (14) may be, for example, solder or an adhesive. Here, when solder is used as the joining member (14), a pattern is formed on the back surface of the multilayer substrate (12), and the cooling member (15) is soldered to the pattern. By doing so, the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) can be joined efficiently.
一方、上記接合部材（14）として接着剤を用いる場合には、熱伝導率の高いものを用いるようにする。こうすると、上記接着材を通じて上記ベアチップ（10）の熱をより効率よく上記冷却部材（15）へ伝えることができる。 On the other hand, when an adhesive is used as the joining member (14), one having a high thermal conductivity is used. If it carries out like this, the heat | fever of the said bare chip (10) can be more efficiently transmitted to the said cooling member (15) through the said adhesive material.
本発明によれば、上記パワーモジュール（1）の基板（12）が多層基板（12）で構成されている。ここで、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうち、上記第１基板（12c）の方には、上記サーマルビア（13）が設けられていない。つまり、この第１基板（12c）が、上記ベアチップ（10）と上記冷却部材（15）との間を絶縁する絶縁部材を構成する。こうすると、この絶縁部材の外面に生じる接触熱抵抗を従来よりも小さくすることができる。この接触熱抵抗の低減により、上記ベアチップ（10）から上記冷却部材（15）への熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をアップさせることができる。 According to the present invention, the substrate (12) of the power module (1) is composed of a multilayer substrate (12). Here, the thermal via (13) is not provided on the first substrate (12c) out of the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b). That is, the first substrate (12c) constitutes an insulating member that insulates the bare chip (10) from the cooling member (15). If it carries out like this, the contact thermal resistance which arises on the outer surface of this insulating member can be made smaller than before. By reducing the contact thermal resistance, the flow of heat from the bare chip (10) to the cooling member (15) becomes smooth, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be increased.
又、上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうち、上記第２基板（12a,12b）の方にサーマルビア（13）を設けることで、該サーマルビア（13）を通じて上記ベアチップ（10）から上記冷却部材（15）への熱の流れがさらに促進され、上記ベアチップ（10）の冷却効率をさらにアップさせることができる。尚、上記第１基板（12c）にはサーマルビア（13）が設けられていないので、該第１基板（12c）における絶縁性は守られる。 Further, by providing a thermal via (13) on the second substrate (12a, 12b) of the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b), the thermal via (13) is provided. The flow of heat from the bare chip (10) to the cooling member (15) is further promoted, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be further increased. Since the first substrate (12c) is not provided with the thermal via (13), the insulation of the first substrate (12c) is protected.
また、上記第２の発明によれば、上記多層基板（12）において、上記サーマルビア（13）が設けられた第２基板（12a,12b）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置している。こうすると、上記サーマルビア（13）が設けられていない第１基板（12c）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置する場合に比べて、上記ベアチップ（10）の熱が上記サーマルビア（13）を通じて拡散しやすくなる。これにより、上記多層基板（12）内の熱の流れがスムーズになって、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一層アップさせることができる。 According to the second aspect of the invention, in the multilayer substrate (12), the second substrate (12a, 12b) provided with the thermal via (13) is disposed on the side closer to the bare chip (10). Yes. In this case, compared with the case where the first substrate (12c) on which the thermal via (13) is not provided is arranged on the side closer to the bare chip (10), the heat of the bare chip (10) is greater than the thermal via (13 ) To spread easily. Thereby, the flow of heat in the multilayer substrate (12) becomes smooth, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be further improved.
また、上記第３の発明によれば、第１基板（12c）の熱伝導率を第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高くすることにより、上記多層基板（12）の絶縁性を確保するために上記サーマルビア（13）を設けることができなかった第１基板（12c）の伝熱促進を図ることができる。 Further, according to the third aspect of the invention, by making the thermal conductivity of the first substrate (12c) higher than the thermal conductivity of the second substrate (12a, 12b), the insulation of the multilayer substrate (12). It is possible to promote the heat transfer of the first substrate (12c) in which the thermal via (13) could not be provided to ensure the above.
また、上記第４の発明によれば、上記第１基板（12c）の厚みは、上記第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄い。そして、第１基板（12c）の厚みを第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄くすればするほど、上記第１基板（12c）の熱抵抗を小さくすることができる。これにより、第１基板（12c）内の熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率を効果的にアップさせることができる。 According to the fourth aspect of the invention, the thickness of the first substrate (12c) is thinner than the thickness of the second substrate (12a, 12b). The thermal resistance of the first substrate (12c) can be reduced as the thickness of the first substrate (12c) is made thinner than the thickness of the second substrate (12a, 12b). Thereby, the flow of heat in the first substrate (12c) becomes smooth, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be effectively increased.
また、上記第５の発明によれば、第１、２基板（12a,12b,12ｃ）が樹脂製で構成されている。この第１、第２基板（12a,12b,12ｃ）を樹脂製にすると、該第１、第２基板（12a,12b,12ｃ）をセラミック製又は金属製にした場合に比べて、基板の製作コストが低く抑えられる。これにより、上記パワーモジュールの低コスト化を図ることができる。 According to the fifth aspect, the first and second substrates (12a, 12b, 12c) are made of resin. When the first and second substrates (12a, 12b, 12c) are made of resin, the substrate is manufactured compared to the case where the first and second substrates (12a, 12b, 12c) are made of ceramic or metal. Cost is kept low. Thereby, cost reduction of the said power module can be achieved.
また、上記第６の発明によれば、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を上記接合部材（14）で接合することにより、上記冷却部材（15）及び上記多層基板（12）を単に重ね合わせて一体化した場合に比べて、上記冷却部材（15）と上記多層基板（12）との間に生じる接触熱抵抗が小さくすることができる。これにより、上記多層基板（12）から上記冷却部材（15）への熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一段とアップさせることができる。 According to the sixth invention, the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) are joined by joining the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) with the joining member (14). As compared with the case where the two are simply overlapped and integrated, the contact thermal resistance generated between the cooling member (15) and the multilayer substrate (12) can be reduced. Thereby, the heat flow from the multilayer substrate (12) to the cooling member (15) becomes smooth, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be further increased.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１に本実施形態に係るパワーモジュールの縦断面図である。このパワーモジュール（1）は、空気調和装置に搭載される電気部品の一部である。上記パワーモジュール（1）は、基板（12）とベアチップ（10）と冷却器（冷却部材）（15）とを備えている。 FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a power module according to the present embodiment. The power module (1) is a part of electric parts mounted on the air conditioner. The power module (1) includes a substrate (12), a bare chip (10), and a cooler (cooling member) (15).
上記基板（12）は、多層基板（12）であり、上から順に第１、第２、第３樹脂基板（12a,12b,12c）が熱圧着によって互いに密着するように積層されている。そして、上記第１、第２樹脂基板（12a,12b）には、サーマルビア（13）が設けられている。つまり、第１、第２樹脂基板（12a,12b）が本発明の第２基板を構成し、第３樹脂基板（12c）が本発明の第１基板を構成する。尚、第１、第２、第３樹脂基板（12a,12b,12c）は、何れも同じ厚み、同じ材質で形成されている。 The substrate (12) is a multilayer substrate (12), and is laminated so that the first, second, and third resin substrates (12a, 12b, 12c) are in close contact with each other by thermocompression. The first and second resin substrates (12a, 12b) are provided with thermal vias (13). That is, the first and second resin substrates (12a, 12b) constitute the second substrate of the present invention, and the third resin substrate (12c) constitutes the first substrate of the present invention. The first, second, and third resin substrates (12a, 12b, 12c) are all formed of the same thickness and the same material.
上記サーマルビア（13）は、上記第１及び第２樹脂基板（12a,12b）を厚さ方向に貫通するように形成されている。このサーマルビア（13）の上端面が上記第１樹脂基板（12a）の上面に形成されたパターンに接続され、上記サーマルビア（13）の下端面が上記第２樹脂基板（12b）と上記第３樹脂基板（12c）との間の境界面に形成されたパターンに接続されている。尚、図１に示すように、このサーマルビア（13）は、上記第３樹脂基板（12c）には形成されていない。したがって、上記ベアチップ（10）と上記冷却器（15）とが電気的に接続されることはない。 The thermal via (13) is formed so as to penetrate the first and second resin substrates (12a, 12b) in the thickness direction. The upper end surface of the thermal via (13) is connected to a pattern formed on the upper surface of the first resin substrate (12a), and the lower end surface of the thermal via (13) is connected to the second resin substrate (12b) and the second resin substrate (12b). It is connected to the pattern formed on the boundary surface between the three resin substrates (12c). As shown in FIG. 1, the thermal via (13) is not formed on the third resin substrate (12c). Therefore, the bare chip (10) and the cooler (15) are not electrically connected.
上記ベアチップ（10）は、パワー半導体を構成する。このベアチップ（10）は、上記基板（12）の表面側に配置されている。具体的に、上記ベアチップ（10）が、ヒートスプレッダ（熱拡散部材）（11）の上面に実装されている。ここで、上記ヒートスプレッダ（11）は、上記ベアチップ（10）から生じる熱を拡散させるためのものである。そして、このヒートスプレッダ（11）の下面が、記第１樹脂基板（12a）の上面に形成されたパターンに接続されている。 The bare chip (10) constitutes a power semiconductor. The bare chip (10) is disposed on the surface side of the substrate (12). Specifically, the bare chip (10) is mounted on the upper surface of a heat spreader (heat diffusion member) (11). Here, the heat spreader (11) is for diffusing heat generated from the bare chip (10). The lower surface of the heat spreader (11) is connected to a pattern formed on the upper surface of the first resin substrate (12a).
上記冷却器（15）は、上記ベアチップ（10）を冷却するためのものである。この冷却器（15）は、冷却効率を高めるため熱伝導率の高い金属で形成されている。この冷却器（15）の内部には冷媒通路（図示なし）が形成されている。この冷媒通路は、上記空気調和装置の冷媒回路に接続されている。そして、この冷却器（15）が、上記第３樹脂基板（12c）の下面において上記ベアチップ（10）の裏側となる位置に取り付けられている。 The cooler (15) is for cooling the bare chip (10). The cooler (15) is made of a metal having high thermal conductivity in order to increase cooling efficiency. A refrigerant passage (not shown) is formed in the cooler (15). The refrigerant passage is connected to the refrigerant circuit of the air conditioner. And this cooler (15) is attached in the position used as the back side of the said bare chip (10) in the lower surface of the said 3rd resin substrate (12c).
−ベアチップの冷却動作−
上記ベアチップ（10）に電気が流れると、該ベアチップ（10）が発熱する。ここで、上記冷却器（15）内を冷媒が流れている。そして、上記ベアチップ（10）の温度が冷媒の温度よりも高くなると、該ベアチップ（10）の熱が上記冷却器（15）へ伝えられる。
-Bare chip cooling operation-
When electricity flows through the bare chip (10), the bare chip (10) generates heat. Here, the refrigerant flows in the cooler (15). When the temperature of the bare chip (10) becomes higher than the temperature of the refrigerant, the heat of the bare chip (10) is transferred to the cooler (15).
具体的に、上記ベアチップ（10）の熱は上記ヒートスプレッダ（11）の全体に拡散される。この拡散された熱は、上記ヒートスプレッダ（11）の下面から上記第１樹脂基板（12a）の上面にあるパターンを介してサーマルビア（13）の上端面へ伝わる。そして、そのまま、該サーマルビア（13）の内部を通過して該サーマルビア（13）の下端面へ伝わる。その後、上記サーマルビア（13）の下端面の熱は、上記第３樹脂基板（12c）の上面へ伝わる。 Specifically, the heat of the bare chip (10) is diffused throughout the heat spreader (11). The diffused heat is transmitted from the lower surface of the heat spreader (11) to the upper end surface of the thermal via (13) through the pattern on the upper surface of the first resin substrate (12a). Then, it passes through the inside of the thermal via (13) and is transmitted to the lower end surface of the thermal via (13). Thereafter, the heat of the lower end surface of the thermal via (13) is transmitted to the upper surface of the third resin substrate (12c).
そして、上記第３樹脂基板（12c）の上面へ伝えられた熱は、該第３樹脂基板（12c）の内部を通過した後で上記冷却器（15）へ流れる。このように、上記ベアチップ（10）の熱が上記冷却器（15）へ伝えられることにより、上記ベアチップ（10）が冷却される。 The heat transferred to the upper surface of the third resin substrate (12c) flows to the cooler (15) after passing through the inside of the third resin substrate (12c). Thus, the bare chip (10) is cooled by transferring the heat of the bare chip (10) to the cooler (15).
−実施形態の効果−
本実施形態によれば、上記パワーモジュール（1）の基板（12）を多層基板（12）とし、その多層基板（12）内に第３樹脂基板（12c）が形成されている。ここで、この多層基板（12）では、各基板が熱圧着によって互いに密着するように積層されている。このため、各基板間の接触熱抵抗は、従来のように絶縁部材を挟んで重ね合わせることによる接触熱抵抗に比べて小さい。
-Effect of the embodiment-
According to this embodiment, the substrate (12) of the power module (1) is the multilayer substrate (12), and the third resin substrate (12c) is formed in the multilayer substrate (12). Here, in this multilayer substrate (12), each substrate is laminated so as to be in close contact with each other by thermocompression bonding. For this reason, the contact thermal resistance between the substrates is smaller than the contact thermal resistance obtained by overlapping the insulating members as in the prior art.
以上より、この第３樹脂基板（12c）の外面に生じる接触熱抵抗を従来よりも小さくすることができ、上記ベアチップ（10）から上記冷却器（15）への熱の流れがスムーズになる。この結果、上記ベアチップ（10）の冷却効率をアップさせることができる。又、上記第１及び第２樹脂基板（12a,12b）にサーマルビア（13）を設けることで、上記ベアチップ（10）から上記冷却器（15）への熱の流れがさらにスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をさらにアップさせることができる。 As described above, the contact thermal resistance generated on the outer surface of the third resin substrate (12c) can be made smaller than before, and the heat flow from the bare chip (10) to the cooler (15) becomes smooth. As a result, the cooling efficiency of the bare chip (10) can be increased. Further, by providing the thermal via (13) in the first and second resin substrates (12a, 12b), the flow of heat from the bare chip (10) to the cooler (15) becomes smoother, The cooling efficiency of the bare chip (10) can be further increased.
又、本実施形態によれば、上記多層基板（12）において、上記サーマルビア（13）が設けられた第１及び第２樹脂基板（12a,12b）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置している。こうすると、上記サーマルビア（13）が設けられていない第３樹脂基板（12c）を上記ベアチップ（10）に近い側へ配置する場合に比べて、上記ベアチップ（10）の熱が上記サーマルビア（13）を通じて拡散しやすくなる。これにより、上記多層基板（12）内の熱の流れがスムーズになって、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一層アップさせることができる。 Further, according to this embodiment, in the multilayer substrate (12), the first and second resin substrates (12a, 12b) provided with the thermal via (13) are arranged on the side close to the bare chip (10). is doing. In this case, compared with the case where the third resin substrate (12c) not provided with the thermal via (13) is arranged on the side closer to the bare chip (10), the heat of the bare chip (10) is more than the thermal via ( 13) It becomes easy to spread through. Thereby, the flow of heat in the multilayer substrate (12) becomes smooth, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be further improved.
−実施形態の変形例１−
図２に示す本実施形態の変形例１のパワーモジュール（20）は、上記第３樹脂基板（12c）の厚みが上記第１及び第２樹脂基板（12a,12b）の厚みよりも薄くなっている。こうすると、図１に示すパワーモジュール（1）のように第１から第３樹脂基板（12a,12b,12c）を全て同一の厚みで構成した場合に比べて、上記第３樹脂基板（12c）の熱抵抗を小さくすることができる。これにより、上記第３樹脂基板（12c）内の熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率を効果的にアップさせることができる。
-Modification 1 of embodiment-
In the power module (20) of Modification 1 of the present embodiment shown in FIG. 2, the thickness of the third resin substrate (12c) is thinner than the thickness of the first and second resin substrates (12a, 12b). Yes. In this case, the third resin substrate (12c) is compared with the case where the first to third resin substrates (12a, 12b, 12c) are all configured with the same thickness as in the power module (1) shown in FIG. The thermal resistance can be reduced. Thereby, the flow of heat in the third resin substrate (12c) becomes smooth, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be effectively increased.
−実施形態の変形例２−
図３に示す本実施形態の変形例２のパワーモジュール（30）は、上記冷却器（15）が上記第３樹脂基板（12c）の下面に形成されたパターンに半田付けで固定されている。
-Modification 2 of embodiment-
In the power module (30) of Modification 2 of the present embodiment shown in FIG. 3, the cooler (15) is fixed to the pattern formed on the lower surface of the third resin substrate (12c) by soldering.
このとき、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に半田を密着させるようにする。こうすると、例えば上記冷却器（15）が上記第３樹脂基板（12c）の下面に接触するようにボルト締めして、上記冷却器（15）及び上記第３樹脂基板（12c）を重ね合わせた場合に比べて、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に生じる接触熱抵抗を小さくすることができる。この接触熱抵抗の減少により、上記多層基板（12）から上記冷却部材（15）への熱の流れがスムーズになり、上記ベアチップ（10）の冷却効率をより一段とアップさせることができる。 At this time, solder is brought into close contact between the cooler (15) and the third resin substrate (12c). Then, for example, the cooler (15) and the third resin substrate (12c) are overlapped with each other by bolting so that the cooler (15) contacts the lower surface of the third resin substrate (12c). Compared to the case, the contact thermal resistance generated between the cooler (15) and the third resin substrate (12c) can be reduced. By reducing the contact thermal resistance, the heat flow from the multilayer substrate (12) to the cooling member (15) becomes smooth, and the cooling efficiency of the bare chip (10) can be further increased.
尚、上記パターンは、上記第３樹脂基板（12c）の下面に形成される配線のパターンと接触しないような位置に形成されている。 In addition, the said pattern is formed in the position which does not contact the pattern of the wiring formed in the lower surface of the said 3rd resin board | substrate (12c).
《その他の実施形態》
上記実施形態については、以下のような構成としてもよい。
<< Other Embodiments >>
About the said embodiment, it is good also as the following structures.
上記実施形態では、３枚の樹脂基板（12a,12b,12c）を重ね合わせることで多層基板を構成したが、これに限定される必要はなく、２枚又は４枚以上の樹脂基板を重ね合わせることで多層基板を構成してもよい。この場合、多層基板を構成する一部の基板にサーマルビア（13）を設ける必要がある。 In the above embodiment, a multilayer substrate is configured by superimposing three resin substrates (12a, 12b, 12c). However, the present invention is not limited to this, and two or four or more resin substrates are superposed. Thus, a multilayer substrate may be configured. In this case, it is necessary to provide thermal vias (13) on some of the substrates constituting the multilayer substrate.
又、上記実施形態では、第１、第２、第３樹脂基板（12a,12b,12c）が全て同じ材質で形成されているが、これに限定されず、サーマルビア（13）が設けられていない基板（上記実施形態では、第３樹脂基板（12c）である。）の材質を変更して、このサーマルビア（13）が設けられていない基板の熱伝導率を他の基板の熱伝導率よりも高くしてもよい。こうすると、上記ベアチップ（10）の熱が、上記第３樹脂基板（12c）の内部をスムーズに伝わるようになる。これにより、上記ベアチップ（10）の冷却効率が高まる。 In the above embodiment, the first, second, and third resin substrates (12a, 12b, 12c) are all formed of the same material. However, the present invention is not limited to this, and a thermal via (13) is provided. The material of the substrate without the thermal via (13) is changed by changing the material of the substrate without the thermal via (13) in the above embodiment (the third resin substrate (12c)). May be higher. Thus, the heat of the bare chip (10) can be smoothly transmitted through the third resin substrate (12c). This increases the cooling efficiency of the bare chip (10).
又、上記実施形態の変形例２では、上記冷却器（15）及び上記第３樹脂基板（12c）を半田付けで接合したが、これに限定される必要はなく、例えば、接着材を用いるとよい。この場合、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に密着するように接着剤を流し込む。これにより、上記変形例２と同様に、上記冷却器（15）と上記第３樹脂基板（12c）との間に生じる接触熱抵抗を低減することができる。 In the second modification of the embodiment, the cooler (15) and the third resin substrate (12c) are joined by soldering. However, the present invention is not limited to this. For example, when an adhesive is used, Good. In this case, an adhesive is poured so as to be in close contact between the cooler (15) and the third resin substrate (12c). Thereby, like the said modification 2, the contact thermal resistance produced between the said cooler (15) and the said 3rd resin board | substrate (12c) can be reduced.
ここで、上記接着剤には、熱伝導率のよいものを用いるとよい。これにより、上記接着材を通じて上記ベアチップ（10）の熱を効率よく上記冷却部材（15）へ伝えることができる。 Here, it is preferable to use an adhesive having a high thermal conductivity. Thereby, the heat of the bare chip (10) can be efficiently transmitted to the cooling member (15) through the adhesive.
又、上記実施形態では、上記冷却器（15）は、その内部に冷媒通路が形成されており、この冷媒通路を流れる冷媒によって上記ベアチップ（10）を冷却する、いわゆる冷媒冷却方式のものであったが、これに限定される必要はなく、例えば空冷式のものであってもよい。この場合、上記冷却器（15）に冷媒通路を設けなくてもよいが、該冷却器（15）の放熱面が外部に露出するように配置する必要がある。 In the above embodiment, the cooler (15) has a refrigerant passage formed therein, and is of a so-called refrigerant cooling system in which the bare chip (10) is cooled by the refrigerant flowing through the refrigerant passage. However, it is not necessary to be limited to this, and for example, an air cooling type may be used. In this case, it is not necessary to provide a refrigerant passage in the cooler (15), but it is necessary to arrange the cooler (15) so that the heat radiation surface is exposed to the outside.
又、上記実施形態では、上記第１、第２樹脂基板（12a,12b）にサーマルビア（13）を設けることにより、上記第３樹脂基板（12c）を絶縁部材としたが、これに限定される必要はなく、例えば、図４に示すように、第１樹脂基板（12a）を絶縁部材としてよい。この場合には、上記第２、第３樹脂基板（12b,12c）にサーマルビア（13）を設ける。又、図５に示すように、上記第２樹脂基板（12b）を絶縁部材としてよい。この場合には、上記第１、第３樹脂基板（12a,12c）にサーマルビア（13）を設ける。 In the above embodiment, the first resin substrate (12a, 12b) is provided with a thermal via (13) to make the third resin substrate (12c) an insulating member. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 4, the first resin substrate (12a) may be an insulating member. In this case, thermal vias (13) are provided in the second and third resin substrates (12b, 12c). Further, as shown in FIG. 5, the second resin substrate (12b) may be an insulating member. In this case, thermal vias (13) are provided in the first and third resin substrates (12a, 12c).
このように構成した場合でも、図１の実施形態と同様に、絶縁部材の外面に生じる接触抵抗を小さくできる。つまり、どの位置に絶縁部材が配置されたとしても、該絶縁部材の外面に生じる接触抵抗を小さくできる。 Even when configured in this manner, the contact resistance generated on the outer surface of the insulating member can be reduced as in the embodiment of FIG. That is, no matter where the insulating member is arranged, the contact resistance generated on the outer surface of the insulating member can be reduced.
又、上記実施形態では、上記多層基板（12）において、１つの樹脂基板のみが絶縁部材を構成していたが、これに限定される必要はなく、２つの樹脂基板が絶縁部材を構成してもよい。この場合には、１つの樹脂基板のみにサーマルビア（13）を設ける必要がある。尚、上記多層基板（12）が４枚以上の樹脂基板で構成されている場合であっても、１つ以上の樹脂基板が絶縁部材であればよい。 In the above embodiment, in the multilayer substrate (12), only one resin substrate constitutes the insulating member. However, the present invention is not limited to this, and the two resin substrates constitute the insulating member. Also good. In this case, it is necessary to provide a thermal via (13) only on one resin substrate. Even if the multilayer substrate (12) is composed of four or more resin substrates, one or more resin substrates may be insulating members.
なお、以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。 In addition, the above embodiment is an essentially preferable illustration, Comprising: It does not intend restrict | limiting the range of this invention, its application thing, or its use.
以上説明したように、本発明は、基板の表面にベアチップが実装されたパワーモジュールに関し、特にベアチップを冷却する冷却技術について有用である。 As described above, the present invention relates to a power module in which a bare chip is mounted on the surface of a substrate, and is particularly useful for a cooling technique for cooling the bare chip.
1 パワーモジュール
10 ベアチップ
11 ヒートスプレッダ
12 多層基板
12a 第１樹脂基板（第２基板）
12b 第２樹脂基板（第２基板）
12c 第３樹脂基板（第１基板）
13 サーマルビア
14 半田（接合部材）
15 冷却器（冷却部材）
1 Power module
10 Bare chip
11 Heat spreader
12 multilayer board
12a First resin substrate (second substrate)
12b Second resin substrate (second substrate)
12c Third resin substrate (first substrate)
13 Thermal via
14 Solder (joining material)
15 Cooler (cooling member)
Claims (6)
上記基板（12）は、絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第１基板（12c）と絶縁性を有する少なくとも１つ以上の第２基板（12a,12b）とが積層された多層基板（12）であって、
上記第１基板（12c）及び第２基板（12a,12b）のうちの第２基板（12a,12b）側に、上記ベアチップ（10）及び冷却部材（15）の間の位置で厚さ方向に貫通するサーマルビア（13）が設けられていることを特徴とするパワーモジュール。 A substrate (12), a bare chip (10) for a power device disposed on the front surface side of the substrate (12), and a cooling member disposed on the back surface side of the substrate (12) for cooling the bare chip (10) (15) a power module comprising:
The substrate (12) is a multilayer substrate (12) in which at least one or more first substrates (12c) having insulating properties and at least one or more second substrates (12a, 12b) having insulating properties are laminated. Because
Of the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b), on the second substrate (12a, 12b) side, in the thickness direction at a position between the bare chip (10) and the cooling member (15). A power module comprising a thermal via (13) penetrating therethrough.
上記第２基板（12a,12b）が、上記多層基板（12）における上記ベアチップ（10）側の最外層を構成することを特徴とするパワーモジュール。 In claim 1,
The power module, wherein the second substrate (12a, 12b) constitutes the outermost layer on the bare chip (10) side in the multilayer substrate (12).
上記第１基板（12c）の熱伝導率は、上記第２基板（12a,12b）の熱伝導率よりも高いことを特徴とするパワーモジュール。 In claim 1 or 2,
The power module, wherein the thermal conductivity of the first substrate (12c) is higher than the thermal conductivity of the second substrate (12a, 12b).
上記第１基板（12c）の厚みは、上記第２基板（12a,12b）の厚みよりも薄いことを特徴とするパワーモジュール。 In any one of Claims 1-3,
The power module according to claim 1, wherein a thickness of the first substrate (12c) is thinner than a thickness of the second substrate (12a, 12b).
上記第１基板（12ｃ）と上記第２基板（12a,12b）は、樹脂製の基板であることを特徴とするパワーモジュール In any one of Claims 1-4,
The power module, wherein the first substrate (12c) and the second substrate (12a, 12b) are resin substrates.
上記冷却部材（15）と上記基板（12）との間には、一端面が上記冷却部材（15）に密着して他端面が上記基板（12）に密着することにより上記冷却部材（15）を上記基板（12）に接合する接合部材（14）が設けられていることを特徴とするパワーモジュール。 In any one of claims 1 to 5,
Between the cooling member (15) and the substrate (12), one end surface is in close contact with the cooling member (15) and the other end surface is in close contact with the substrate (12), thereby the cooling member (15). A power module is provided, wherein a joining member (14) for joining the substrate to the substrate (12) is provided.
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013219227A (en) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Denso Corp | Electronic device |
| WO2014050081A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 株式会社デンソー | Electronic device |
| JP2014131081A (en) * | 2012-09-25 | 2014-07-10 | Denso Corp | Electronic device |
| JP2016009771A (en) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| WO2020235148A1 (en) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Semiconductor device and electronic apparatus |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432656A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | Manufacture of substrate for loading semiconductor element |
| JPS6432655A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | Substrate for loading semiconductor element |
| JP2002261454A (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | Circuit board, manufacturing method therefor, electronic circuit device for automobile |
| JP2006196853A (en) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Daikin Ind Ltd | Heat pump equipment |
-
2009
- 2009-10-21 JP JP2009242482A patent/JP2011091152A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432656A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | Manufacture of substrate for loading semiconductor element |
| JPS6432655A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Chemical Co Ltd | Substrate for loading semiconductor element |
| JP2002261454A (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | Circuit board, manufacturing method therefor, electronic circuit device for automobile |
| JP2006196853A (en) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Daikin Ind Ltd | Heat pump equipment |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013219227A (en) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Denso Corp | Electronic device |
| WO2014050081A1 (en) * | 2012-09-25 | 2014-04-03 | 株式会社デンソー | Electronic device |
| JP2014082474A (en) * | 2012-09-25 | 2014-05-08 | Denso Corp | Electronic device |
| JP2014131081A (en) * | 2012-09-25 | 2014-07-10 | Denso Corp | Electronic device |
| CN104685619A (en) * | 2012-09-25 | 2015-06-03 | 株式会社电装 | Electronic device |
| US9686854B2 (en) | 2012-09-25 | 2017-06-20 | Denso Corporation | Electronic device |
| JP2016009771A (en) * | 2014-06-25 | 2016-01-18 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| WO2020235148A1 (en) * | 2019-05-20 | 2020-11-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Semiconductor device and electronic apparatus |
| US11961783B2 (en) | 2019-05-20 | 2024-04-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor apparatus and electronic apparatus |
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