JP2011086425A - X線発生装置及びそれを用いる複合装置 - Google Patents

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Kazuyuki Minami
一幸 南
Michikuni Shimo
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Toshiyuki Ishida
稔幸 石田
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Abstract

【課題】小型化可能であり、かつX線発生のオン・オフ制御が容易なX線発生装置を提供する。
【解決手段】紫外線を受けて電子を放出する焦電体10、この焦電体10から放出された電子を受けてX線を放出する金属片20、及び焦電体10へ紫外線を供給するパルスレーザ発振機3、紫外線光用ファイバ5、を備えるX線発生装置1において、パルスレーザ発振機3からは例えば紫外線パルス光が焦電体10へ照射され、そこに局所的な高エネルギー部分が形成される。
【選択図】図1

Description

この発明はX線発生装置に関する。更に詳しくは、この発明は改良された小型のX線発生装置に関する。
省スペース、省エネルギー、可搬性及びX線による被爆量を最小化すること等の要請からX線発生装置を小型化する開発が進められている。
例えば電界放射型カーボンナノチューブカソードを用いた小型X線管とこのX線管へ高電圧超短パルスを印可するための高周波同軸ケーブルを備えてなるX線発生装置が提案されている(特許文献1参照)。
また、焦電体から放出される電子を銅片へ照射し、銅片からX線を放出するタイプのX線発生装置も提案されている(非特許文献1)
本件発明に関連する技術として非特許文献2も参照されたい。
特許第3090910号公報
Published online 31 January 2005 in Wiley InterScience. DOI: 10.1002/xrs.800 焦電結晶とレーザ光を用いたX線源の開発、第44回X線分析討論会、2008年10月18日、P21
上記のX線発生装置はいずれも小型の要請を達成するものであるが、本発明者らの検討によれば、下記の課題が存在する。
小型X線発生装置の一つの用途として、これを体内へ挿入してガン細胞へ直線X線を照射して行うガン治療がある。かかる見地から電界放射型カーボンナノチューブカソードを用いるタイプを検討すると、このタイプではカソードへ高電圧の印加が必要なので、たとえ絶縁性の同軸ケーブルを用いるとしても、治療現場での使用に抵抗感がある。
また、焦電体を用いるタイプではペルチェ素子の上に焦電体が載置され、このペルチェ素子で焦電体を加熱して当該焦電体から電子を放出させている。したがって、ペルチェ素子へ印加する電圧に高電圧を必要としない。しかしながら、昇温状態の焦電体からは電子の放出が継続するので、X線発生のオン・オフ制御が困難になる。電子非放出の状態まで焦電体全体を冷却するのに時間を要するからである。
この発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、この発明の第1の局面は次のように構成される。即ち、
紫外線を受けて電子を放出する電子放出素子と、
該電子放出素子から放出された電子を受けてX線を放出する金属片と、
前記電子放出素子へ紫外線を供給する紫外線供給部と、を備えるX線発生装置であって、
前記紫外線供給部は前記電子放出素子に局所的な高エネルギー部分を形成する、ことを特徴とするX線発生装置。
このように構成された第1の局面のX線発生装置によれば、電子放出素子に形成される高エネルギー部分は局所的であり、この局所的な部分が活性化して電子線放出の原因となる。そして、局所的な高エネルギー部分は短時間でそのエネルギー状態を定常状態に戻すことができる。よって、X線発生のオン・オフ制御が容易となる。
電子放出素子として焦電特性を持つ物質、例えば焦電体が挙げられる。
焦電体は、異極像結晶とも呼ばれ、その温度を昇降させると、結晶内部の自発分極が増減し、表面吸着電荷がその変化に追随できなくなって、電気的な中和が破られ、もって表面から電荷(電子)が放出されるという特性を有している。代表的な異極像結晶体としては、LiNbO単結晶があり、この結晶体内では正電荷(Li、Nb5+)の重心と負電荷(O2−)の重心とが一致しないため、定常状態でも分極していて、この電荷量と等量で異符号の電荷が結晶表面に吸着しているために、常時は電気的に中和されている。
焦電体としては上記LiNbOの外、LiTaO等の一種を単独で又は複数種を併用して、用いることができる。
本発明者らはかかる焦電体につき検討を重ねたところ、電子放出素子としての焦電体へ紫外線を照射すると当該焦電体から電子線が放出されることを見出した。
本発明者らの検討によれば、焦電体に対して紫外線の侵入深さは数十nm程度であるので、紫外線により活性化されて高エネルギーを有する部分は焦電体表面の一部、即ち局所的な部分となる。
紫外線の波長は300nm以下とすることが好ましい(第2の局面)。かかる短波長の紫外線はその殆どが焦電体に吸収されるので高いエネルギー変換効率を確保できるからである。更に好ましい紫外線の波長は250nm以下である。
既述のように紫外線を受けて高エネルギー化される集電体の部分が局所的であるため、紫外線をパルス状にして、特にパルスのオフ時間を制御して焦電体へ印加することにより、焦電体において高エネルギー部分が拡散することを常時防止できる。換言すれば、焦電体において高エネルギー化された部分の局所化を維持できる(第3の局面)。よって、当該部分を簡単に、かつ短時間で非高エネルギー化、即ち定常エネルギー状態に戻すことが可能となる。これにより、電子放出のオン・オフ制御、ひいてはX線放出のオン・オフ制御が容易になる。
パルスの周期はμsec、又はnsec単位とすることができる。
紫外線は、焦電体において金属片と対向する面と反対側の面へ照射することが好ましい。
これにより、金属片、焦電体及び紫外線供給部(紫外線発生部)を直列に配置可能となり、装置の組みつけが容易になる。
棒状の焦電体を電子放出素子として用いるとき、棒状体の一端を金属片へ対向させ、その他端へ紫外線を照射する。
焦電体において金属片と対向する面(電子放出面)に微細加工を施してその表面に突起を形成し、電子放出の促進を図ることができる。
焦電体とカーボンナノチューブとを組み合わせることで電子放出の促進を図ることができる。
金属片には銅若しくは銅合金の薄板を採用することができる。勿論、照射された電子に対応してX線を放出できれば銅以外の金属、例えばアルミニウム若しくはアルミニウム合金を用いることができる。
焦電体へ紫外線を照射するには、例えばYAGレーザ発振機を紫外線発生部として、この紫外線発生部で発生された紫外線を紫外線用の光ファイバの一端へ導入し、光ファイバの他端を焦電体へ対向する。III族窒化物系化合物半導体からなる紫外線発生レーザダイオード若しくは発光ダイオードを用いることもできる。より高出力が必要な場合はエキシマレーザ発振機を用いることが好ましい。
この発明のX線発生装置の構造を示す概念図である。 X線発生装置の変形態様を示す。 X線発生装置の変形態様を示す。 X線発生装置の変形態様を示す。 X線発生装置とセンサとを組み合わせてなる複合装置を示す。
以下、この発明の実施の形態について説明する。
実施の形態のX線発生装置1はパルスレーザ発振機3、紫外線用ファイバ5、焦電体10及び金属片20を備えてなる。
紫外線発生部としてnd:YAGパルスレーザ発振機3を採用する。このパルスレーザ発振機3の定格は波長:約250nm、パルス幅:100μm、最大出力:約350mjである。
紫外線用ファイバ5にはフレキシブルな石英ファイバを用いることができる。
焦電体10にはLiNbOの棒状体(直径:10mm、長さ:40mm、両端は平坦面)を用いる。なお、焦電体10において金属片20に対向する面(電子放出面13)にはエッチングにより微細加工を施して、好ましくは表面に針状の突起を形成する。
紫外線用ファイバ5の一端はパルスレーザ発振機3に対向し、他端は焦電体10の自由端面11に対向している。これにより、パルスレーザ発振機3から出力された紫外線レーザ光がファイバ5の一端へ導入され、その他端から放出されて焦電体10へ照射される。焦電体10において金属片20と対向する電子放出面13と反対側の自由端面11へ紫外線レーザ光を照射することが好ましい。各要素の配置が直線的となり、組み付けが容易になるからである。
紫外線レーザ光は焦電体10の自由端面11へ垂直に照射することが好ましい。反射を抑制して、紫外線レーザ光のエネルギーを最も効率よく焦電体10へ供給できるからである。
紫外線レーザ光は焦電体10の自由端面11の一部へ照射されればよい。勿論自由端面11の全面へ紫外線レーザ光を照射することを妨げるものではない。
図2に示すとおり、光ファイバ5と焦電体10との間に集光器(フレネルレンズ)15を介在し、光ファイバ5から放出された紫外線レーザを集光することができる。
焦電体10の自由端面11において紫外線レーザ光が照射された部分のみが活性化されて、当該部分に対向する電子放出面の部分から電子が放出される。
電子放出面13から放出される単位面積当たりの電子の量(電流密度)は自由端面11へ入力される紫外線レーザ光の強さに対応するので、図2のように紫外線レーザ光を集光することにより、金属片20へ集中して電子が照射され、もって強いX線の放出が可能となる。
この例では、紫外線レーザ光がパルス状に照射されるので、焦電体10において高エネルギー化される部分が焦電体10の半径方向へ拡散しない。換言すれば高エネルギー部分が拡散しないように、パルス幅を調整する。
金属片20には銅片を用いた。この銅片20は真空室21に配置されており、真空室21は真空引きされている。真空度は目的とする出力に応じて任意に設定される。真空室21には光入射窓(石英窓)があけられ、その窓に焦電体10の電子線放出面13が対向する。真空室21において光入射窓が開けられた反対側の壁にX線放出窓40が設けられている。このX線放出窓は例えばBeで形成される。
上記実施の形態では、銅片20のみが真空室21に配置されている構成を示した。しかし、X線発生装置を体内に挿入する場合、焦電体10が体内組織に接触しない方が好ましい。そこで、焦電体10及び金属片20を真空室21に配置しなければならない。
図3は焦電体及び金属片を真空室に配置したX線装置の構成を示している。同図において、X線発生装置1aは、電子放出素子である焦電体10と金属片である銅片20とを収納し、銅片20から放出されたX線を透過するX線放出窓40を有する真空室21aが更に備えられ、紫外線用ファイバ5の光放出端面が真空室21aの壁を貫通して真空室内で焦電体10に対向するように構成されている。
ここで、X線放出窓40を備える真空室21aに直接、紫外線光用ファイバ5を挿入する場合、ファイバ5が真空室21aに挿入されるインターフェースを空密構造にする必要がある。最も簡単な方法はファイバ5の外被と真空室21aとを接着する方法がある。
また、図4は焦電体及び金属片を真空室に配置したX線装置の他の構成を示している。同図において、焦電体10と金属片20とを収納し、紫外線を透過させる紫外線導入窓50と金属片20から放出されたX線を透過するX線放出窓40とを有する真空室21bが更に備えられる。
ここで、金属片には銅片を用いた。この銅片は真空室21bに配置されており、銅片のX線放出面がX線放出窓40に対向する。真空室21bにおいてX線放出窓40が開けられた反対側の壁に紫外線導入窓50が設けられており、その紫外線導入窓50を介して紫外線用ファイバ5の光放出端面と焦電体10とが対向するように構成されている。
上述のように構成されるX線発生装置1、1a、1bにおいて直接的なX線源となるのは金属片20であるので、X線源の微小化が可能となる。また、金属片20、焦電体10、ファイバ5が直列的に配置されるので、X線源1、1a、1bを平面的に配列可能である。したがって、図5に示すとおり、X線源1、1a、1bを平面的に配列するとともにX線源1、1a、1bの間にセンサ30を配置することが可能となる。このセンサ30として光センサやpHセンサを採用できる。
図5に示した複合装置を体腔内へ挿入することにより、X線を患部へ照射しつつ、患部の特性をセンサ30で観察可能となる。例えば、ガン細胞をX線蛍光物質でマーキングしておくことにより、X線を照射しつつガン細胞の存在を光センサ30で確認可能となる。
このX線発生装置1、1a、1bの光源を可視光線若しくは赤外線に交換すると、図5においてX線源を一般的な光源として使用することが可能となる。この場合、光源の光が焦電体10及び真空室21を通過できるように、焦電体10の長さや金属片20の厚さを調整する。
紫外線を受けて電子を放出可能な強誘電体を電子放出素子として用いることもできる。
この発明は、上記発明の実施の形態及び実施例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
1、1a、1b X線発生装置
3 パルスレーザ発振機
5 紫外線光用ファイバ
10 焦電体
20 金属片
21、21a、21b 真空室
40 X線放出窓
50 紫外線導入窓

Claims (8)

  1. 紫外線を受けて電子を放出する電子放出素子と、
    該電子放出素子から放出された電子を受けてX線を放出する金属片と、
    前記電子放出素子へ紫外線を供給する紫外線供給部と、を備えるX線発生装置であって、
    前記紫外線供給部は前記電子放出素子に局所的な高エネルギー部分を形成する、ことを特徴とするX線発生装置。
  2. 前記紫外線は300nm以下の波長を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のX線発生装置。
  3. 前記紫外線をパルス状にして前記電子放出素子へ照射する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のX線発生装置。
  4. 前記電子放出素子において前記金属片と対向する面と反対側の面へ前記紫外線を照射する、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のX線発生装置。
  5. 前記紫外線供給部は、
    前記紫外線を発生する紫外線発生部と、紫外線用ファイバとを備え、
    該紫外線発生部で発生された前記紫外線を前記紫外線ファイバを介して前記電子放出素子へ照射する、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のX線発生装置。
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載のX線発生装置と物理量又は化学量を測定可能なセンサとが同一面上に配列される、ことを特徴とする複合装置。
  7. 前記電子放出素子と前記金属片とを収納し、前記金属片から放出されたX線を透過するX線放出窓を有する真空室が更に備えられ、前記紫外線用ファイバの光放出端面が前記真空室の壁を貫通して真空室内で前記電子線放出素子に対向する、ことを特徴とする請求項5に記載のX線発生装置。
  8. 前記電子放出素子と前記金属片とを収納し、紫外線を透過させる紫外線導入窓と前記金属片から放出されたX線を透過するX線放出窓とを有する真空室が更に備えられ、前記紫外線透過窓を介して前記紫外線用ファイバの光放出端面と前記電子放出素子とが対向する、ことを特徴とする請求項5に記載のX線発生装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013058342A1 (ja) * 2011-10-18 2013-04-25 株式会社Bsr 荷電粒子放射装置および同装置を用いたx線発生装置
WO2014017544A1 (ja) * 2012-07-25 2014-01-30 国立大学法人京都大学 元素分析装置

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