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垂直薄膜リチウムイオン電池を形成するための方法
本発明は、垂直薄膜リチウムイオン電池を形成するための方法に関する。
リチウムイオン型の電池は固体非可燃性電解質から構成される利点を有している。これはさらに広い温度範囲で良好なイオン伝導率を有している。このような電池は、携帯電話やラップトップコンピュータのような携帯電子器機に使用されることに適している。
薄膜リチウムイオン電池、典型的には2.5cm×2.5cmより小さい大きさを有する電池を形成するため、シャドーマスクを通したスパッタリング技術が通常用いられる。このような技術は、台または基板の上にシャドーマスクを置き、マスクを通し、電池を形成する異なった層をスパッタリングするステップを備える。
しかしながら、薄膜リチウムイオン型電池の大規模な製造のためには、シャドーマスクの使用はかなり費用がかかる。実際、マスクを含むスパッタリングで、スパッタ成分はマスク上に堆積される。したがって、マスクの使用の間、マスク上に堆積した異なった層を除去して再使用する必要がある。
シャドーマスクを通しスパッタリングによって電池を形成する技術はまた、より小さな寸法(3mm辺長より小さい)の電池を形成するために適合していないという欠点を有している。マスクの位置合わせ問題がそのような寸法で発生するためである。現在、そのような電池は、主電池欠陥の発生時にメモリ内のキーデータを保存するためのバックアップ電池として使用される利点を有している。
小さいリチウムイオン型電池を形成するため、リソグラフィー技術を適用することが考えられている。この技術は集積回路の分野でよく知られ、制御されている。しかしながら、大きな基板表面積に適用する場合、そのような技術は比較的高価である。さらにリソグラフィー技術は、樹脂の使用を要求する。これは、湿式処理(一般的に、溶剤ベースの水性混合物)によって除去されるが、これは高反応リチウム型電池の層と化学反応を引き起こす。このような技術の実はリチウムイオン型電池の製造のためには複雑である
したがって、そのような電池を形成する高反応材料の存在に適応し、比較的安価なリチウムイオン型電池を薄膜技術で形成することが可能な方法の要求が存在する。
本発明の実施形態の目的は、そのような電池に存在する材料の反応性と両立できる垂直薄膜リチウムイオン型電池を形成することが可能な方法を提供することである。
本発明の実施形態の他の目的は、手ごろな価格で小さい垂直薄膜リチウムイオン型電池を形成するための方法を提供することである。
したがって、本発明の実施形態は、リチウムイオン型電池を形成するための方法であって、(a)少なくとも局所的に導電性がある基板上に、貫通開口を備える絶縁層を形成するステップと、(b)前記絶縁層の上部表面及び壁部、並びに前記導電性がある基板の外部露出表面上に、連続的かつ表面形状に沿ってカソードコレクタ層、カソード層、電解質層およびアノード層を備える積層を、堆積するステップであって前記積層前記絶縁層の厚さより小さい厚さを有するステップと、(c)前記開口の中に残る空間を満たすアノードコレクタ層を前記積層のに形成して、第1の構造体を得るステップと、(d)前記第1の構造体を平坦化して、前記絶縁層の上部表面を露出して、第2の構造体を得るステップとを含む。
本発明の実施形態によれば、方法はさらに、前記ステップ(d)の後に、前記第2の構造上に少なくとも1つの保護層を形成するステップ前記アノードコレクタ層上の前記保護層の中に開口を形成するステップ及び、保護層の開口中、保護層の一部分上に導電領域を形成するステップを含む。
本発明の実施形態によれば、方法はさらに、前記導電領域の上に第1の端子基板の上に第2の端子を形成するステップを含む。
本発明の実施形態によれば、方法はさらに、前記ステップ(c)の前にシード(Seed)層を形成するステップを含む。
本発明の実施形態によれば、前記アノードコレクタ層は、前記シード層上で低い温度で電解成長によって形成され、前記シード層はチタンおよび銅の積層によって形成される。
本発明の実施形態によれば、前記基板はドープシリコンまたは金属から作られ、前記カソードコレクタ層はチタン、タングステン、モリブデン、タンタル、プラチナまたはこれらの材料の合金また積層から作られ、前記カソード層は、チタンリチウム酸硫化物(LiTiOS)、コバルトリチウム酸化物(LiCoO2)、またはリチウムを挿入することが可能な材料から作られ、前記電解質層は、リチウムリン酸窒化物(LiPON)から作られ、前記アノード層はシリコン、ゲルマニウム、炭素、またはこれらの材料の合金また積層から作られ、前記アノードコレクタ層は、銅から作られる。
本発明の実施形態によれば、前記カソードコレクタ層、前記カソード層、前記電解質層および前記アノード層は物理気相成長法(PVD)によって形成される。
本発明の実施形態によれば、前記保護層は、セラミック、Al23、SiN、またはZrO2から作られる第1の層と、第2のSiO2と、積層から形成される。
本発明の実施形態によれば、前記絶縁層は5から30μmの間の厚さを有し、前記カソードコレクタ層は100から500nmの間の厚さを有し、前記カソード層は1から10μmの間の厚さを有し、前記電解質層は1から3μmの間の厚さを有し、前記アノード層は10から800nmの間の厚さを有する。
本発明の実施形態によれば、さらにリチウムイオン型電池が提供され、該リチウムイオン型電池は、第1の貫通開口を備える絶縁層を支える少なくとも局所的に導電性がある基板と、前記開口の壁と底に沿い、前記第1の開口を満たす積層である、カソードコレクタ層、カソード層、電解質層、アノード層、およびアノードコレクタ層の積層を有する。
本発明の前述の目的、特徴、および利点は、添付の図面とともに、以下の特定の実施形態の非制限的記載によって詳細に説明される。
本発明の実施形態による方法のステップの結果を示す。 本発明の実施形態による方法のステップの結果を示す。 本発明の実施形態による方法のステップの結果を示す。 本発明の実施形態による方法のステップの結果を示す。 本発明の実施形態による方法のステップの結果を示す。 本発明の実施形態による方法のステップの結果を示す。 本発明の実施形態による方法のステップの結果を示す。
明確化のため、同じ要素は異なった図で同じ参照番号で示される。さらに、小さい薄膜構成要素の表現において通常、それぞれは、一律の縮尺には従っていない。
図1から図7は、リチウムイオン型電池を形成するための方法のステップの結果を示す。
図1に示されたステップで、導電基板10を備える構造から開始する。その上に絶縁材料の層12が形成される。開口14は、絶縁材料層の中に作られ、その完全な厚さに渡っている。例として、基板10は500から800μmの間の厚さを有してよく、ドープシリコンまたは金属から作ることができる。絶縁層12は、シリコン酸化物から作ることができる
この構造を得るため、絶縁層は、導電基板10上の全面に堆積されてよく、その後、この層は、適合したパターンが事前に形成された樹脂の手段によるリソグラフィによってエッチングして、開口14を作ることができる。好ましくは酸化物層は5から30μmの間の厚さを有する。
図1と以下の図の中で、リチウムイオン型電池を形成する一つの基本のセルが示されることに注意すべきである。多くの電池が基板10上にお互い隣り合って形成されてよいことを理解すべきである。絶縁領域12は、とりわけ、異なった基本の電池の範囲を定めることを可能にする。例のように、2つの近接した電池の活性領域は1mmより小さい、例えば、200から500μmの間の距離によって分けることができる。2つの基本の電池の間のスクライビング線は100μmより短くてよいことに注意すべきである。
図2に示されたステップで、リチウムイオン型電池を形成する異なった層の積層16は、図1の装置の上、すなわち、絶縁部分12の上部表面上と壁上、及び導電基板10の外部露出表面上に形成される。積層16は物理気相成長法(PVD)の連続によって形成されてよい
積層16は以下の層を備える。
カソードコレクタを形成する第1の層18。この層は、例として、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、プラチナまたはこれらの材料の合金また積層から作られ、100から500nmの間の厚さの範囲を有する。
−電池カソードを形成する第2の層20。LiTiOS(チタンリチウム酸硫化物)、LiCoO2(コバルトリチウム酸化物)、またはLiFePO4(リチウム鉄リン酸塩)のような材料から作られ、1から10μmの間の厚さの範囲を有する。より一般的には、層20はリチウムイオン型電池のカソードとして使用可能なリチウムを挿入することが可能な材料から作られる。
−電池電解質を形成する第3の層22。例えば、LiPON(リチウムリン酸窒化物)または固体リチウムイオンセル電解質を形成することが可能な他の材料から形成される。第3の層は、1から3μmの間の厚さの範囲を有する。
−電池アノードを形成する第4の層24。例として、シリコン、ゲルマニウム、炭素、またはこれらの材料の積層または合金から作られる。第4の層は、10から800nmの間の厚さの範囲を有する。
したがって、リチウムイオン型電池の活性部分を形成する層18から24までの積層16は、5から15μmの間の厚さの範囲を有してよい。この厚さは絶縁層12の厚さより小さい。
前記アノードコレクタ層のためのシード層を形成する第5の層は、積層16上に形成される。例として、この層はチタンおよび銅の積層から形成してよい。この層はまた、前記積層下側層のための保護バリア、主として、とりわけ反応性のリチウム化合物形成される層22と24のため保護バリアを形成する。例としてシード層26は、100から300nmの間の厚さの範囲を有する。前記アノードコレクタ層を形成する材料が直接電池アノード上に形成できる場合、シード層26は省略できることに注意すべきである。
図3に示されたステップで、アノードコレクタ層28は、例として銅から形成され、(リチウム化合物から作られる層で反応を生じることを避けるため)低い温度で、シード層26上に、電解成長によって形成される。銅28が開口14の中に残っている空間を完全に満たし、かつ絶縁領域12上に置かれた層26の部分の表面でも形成されるように、電解成長が提供される
図4に示されたステップで、図3の構造の平坦化または研磨が行われ、絶縁材料12の部分の上部表面の上に置かれたすべての層が取り除かれ、この絶縁材料が露出する。
この平坦化を行うため、任意の知られた化学機械研磨(CMP)または純粋な機械的方法が使用される。さらに積層16の異なった層を除去するため、平坦化スラリーの異なった種類が連続的に使用される。層20及び22の材料の反応を妨げるため、非水性スラリーが使用される。
図5に示されたステップで、絶縁保護層は装置全体を覆って形成される。示された例では、この保護は2つの層30と32の積層によって形成される。積層30/32は、図4のステップで空気と接触している積層16の反応材料の部分(層20と22)を守ることを担当している。この目的のため、構造全体を覆って堆積された第1の層30は、セラミック、Al23、SiN、ZrO2または、湿気とリチウムの拡散に対するバリアを形成する可能性のある他の材料である。層32は、層30によって提供された第1の湿気バリアレベルを完全にすることができる不動態化層であるが、リチウムの拡散に対するバリアである必要はない。例として、層32はSiO2から作ることができる。好ましくは、層30は、数十ナノメートルの厚さを有し、層32は、1μmオーダの厚さを有する。
開口34は、アノードコレクタ層28の部分の上で、積層30/32中に形成される。好ましくは、開口34は、50から500μmの間の幅の範囲を有する。開口34はアノードコレクタ層28上で端子ることを可能にする。例として、開口34はリソグラフィによって形成してよい。このような方法の使用は、活性電池層を保護するための積層30/32の存在によって可能となる。
図6に示されたステップで、メタライゼーション36は、開口34のレベルで、および積層30/32の領域上に形成され。メタライゼーション36はアノードコレクタ領域28上で接触領域を形成する。例として、メタライゼーション36は、金属または導電層の全平板堆積によって形成してよく、必要に応じてこの層のエッチングが次に続く。メタライゼーション36は、アルミニウムとタンタルの積層、アルミニウムとチタンの積層、またはアルミニウムとタンタル窒化物の積層から形成してよい
図7に示されたステップで、図6の装置はカプセル化され(図示せず)、端子が電池の両側に形成され。例として、カプセル化は、構造全体を覆って、シリコン酸化物の積層、及びシリコン窒化物、BCB、重合可能なレジスト等の積層を堆積することによって行われる。次いで、カプセル化層の中に開口(図示せず)が形成され、メタライゼーション36(アノード電極)上の第1の端子38を形成することを可能にする端子38は、任意の既知の手段、例えば、ワイヤーボンディング型の手法によって、メタライゼーション36上に形成してよい
カソードのための第2の端子は、基板10の下部表面上、層18から28の積層の前に形成される。例えば、導電領域40は基板10の下部表面上に形成してよく、ワイヤー42は導電領域40上に溶接してよい。変形として、前記下部端子は、導電が形成された表面で、電池を支持体上に置くことによって形成してもよいことに注意すべきである。
薄膜で形成される垂直薄膜リチウムイオン型の基本電池が、このようにして得られる。
基本電池をダイスカットするステップが実行される。ここで開示された方法は、低い温度(300℃以下)で実行される一連のステップを提供するので、反応リチウム化合物材料の層の存在と両立し、これらの材料の劣化を避ける利点がある
本発明の特定の実施形態が開示された。さまざまな改良と変形が当業者にとって見出されることが可能であろう。特に図1の最初の構造は、絶縁基板中に溝を形成し、該絶縁基板が局所的に導電性とされ、もって前記溝のレベルで、前記基板の裏面上での導電領域40の形成を可能にすることによっても得ることできる。
さらに、電池の活性層を形成するために用いられる材料はこの上で言及したものと異なることができる。つまり、任意の既知の材料が薄膜リチウムイオン型電池を形成するために用いることができる。
10 導電基板
12 絶縁層
14 開口
16 積層
18 第1の層
20 第2の層
22 第3の層
24 第4の層
26 シード層
28 アノードコレクタ層
30 保護
32 保護
34 開口
36 メタライゼーション
38 第1の端子
40 導電領域
42 ワイヤー

Claims (10)

  1. (a)少なくとも局所的に導電性がある基板(10)上に、貫通開口(14)を備える絶縁層(12)を形成するステップと、
    (b)前記絶縁層(12)の上部表面及び壁部、並びに前記導電性がある基板(10)の外部露出表面上に、連続的かつ表面形状に沿ってカソードコレクタ層(18)、カソード層(20)、電解質層(22)およびアノード層(24)を備える積層(16)を、堆積するステップであって前記積層前記絶縁層の厚さより小さい厚さを有するステップと
    (c)前記開口(14)の中に残る空間を満たすアノードコレクタ層(28)を前記積層(16)のに形成して、第1の構造体を得るステップと、
    (d)前記第1の構造体を平坦化して、前記絶縁層(12)の上部表面を露出して第2の構造体を得るステップと、
    を含むことを特徴とするリチウムイオン型電池を形成するための方法。
  2. 前記ステップ(d)の後に、
    前記第2の構造体の平坦化された表面上に少なくとも1つの保護層(30、32)を形成し、前記アノードコレクタ層(28)上の前記保護層の中に開口(34)を形成するステップと
    前記保護層の開口中、及び前記保護層の一部分上に導電領域(36)を形成するステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記導電領域36)の上に第1の端子(38)を形成し、前記基板(10)の上に第2の端子(42)を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
  4. 前記ステップ(c)の前にシード層(26)を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記アノードコレクタ層(28)が、前記シード層(26)上で低い温度での電解成長によって形成され、前記シード層はチタンおよび銅の積層によって形成されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
  6. 前記基板(10)が、ドープシリコンまたは金属から作られ、
    前記カソードコレクタ層(18)が、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、プラチナまたはこれらの材料の合金また積層から作られ、
    前記カソード層(20)、チタンリチウム酸硫化物(LiTiOS)、コバルトリチウム酸化物(LiCoO2)、またはリチウムを挿入することが可能な材料から作られ、
    前記電解質層(22)、リチウムリン酸窒化物(LiPON)から作られ、
    前記アノード層(24)はシリコン、ゲルマニウム、炭素、またはこれらの材料の合金また積層から作られ、
    前記アノードコレクタ層(28)は、銅から作られる
    ことを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記カソードコレクタ層(18)、前記カソード層(20)、前記電解質層(22)および前記アノード層(24)が、物理気相成長法(PVD)によって形成されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記保護層、セラミック、Al23、SiN、またはZrO2から作られる第1の層(30)と、第2のSiO2層(32)と、積層から形成されることを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 前記絶縁層が、5から30μmの間の厚さを有し、
    前記カソードコレクタ層(18)が、100から500nmの間の厚さを有し、
    前記カソード層(20)が、1から10μmの間の厚さを有し、
    前記電解質層(22)が、1から3μmの間の厚さを有し、
    前記アノード層(24)が、10から800nmの間の厚さを有することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。
  10. 第1の貫通開口(14)を備える絶縁層(12)を支える少なくとも局所的に導電性がある基板(10)と、
    前記開口(14)の壁と底に沿い、前記第1の開口を満たす積層である、カソードコレクタ層(18)、カソード層(20)、電解質層(22)、アノード層(24)およびアノードコレクタ層(28)の積層と、
    を有することを特徴とするリチウムイオン型電池。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2584629B1 (en) * 2011-10-21 2014-10-01 BlackBerry Limited Recessed tab for higher energy density and thinner batteries
US10446828B2 (en) 2011-10-21 2019-10-15 Blackberry Limited Recessed tab for higher energy density and thinner batteries
US9142840B2 (en) 2011-10-21 2015-09-22 Blackberry Limited Method of reducing tabbing volume required for external connections
FR2994338A1 (fr) * 2012-08-03 2014-02-07 St Microelectronics Tours Sas Procede de formation d'une batterie de type lithium-ion
US10553898B2 (en) * 2017-08-11 2020-02-04 International Business Machines Corporation Thin-film lithium ion battery with fast charging speed
GB2575792B (en) * 2018-07-20 2021-11-03 Dyson Technology Ltd Stack for an energy storage device
GB2575787B (en) * 2018-07-20 2021-12-01 Dyson Technology Ltd Stack for an energy storage device
CN109609910B (zh) * 2019-01-10 2021-04-13 深圳市致远动力科技有限公司 薄膜电池制备装置及方法
CN112449732A (zh) * 2019-06-10 2021-03-05 深圳市汇顶科技股份有限公司 薄膜锂离子电池、薄膜锂离子电池的制备方法和终端
KR20210032689A (ko) * 2019-09-17 2021-03-25 현대자동차주식회사 전극간 쇼트발생을 억제하는 전고체 전지용 양극 및 그 제조방법
GB2587419A (en) * 2019-09-30 2021-03-31 Ilika Tech Limited Method of fabricating a component material for a battery cell

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100305903B1 (ko) * 1998-08-21 2001-12-17 박호군 수직으로통합연결된박막형전지를구비하는전기및전자소자와그제작방법
KR100296741B1 (ko) * 1999-05-11 2001-07-12 박호군 트렌치 구조를 갖는 전지 및 그 제조방법
DE60112109D1 (de) * 2000-03-24 2005-08-25 Cymbet Corp Gehäuse für die anordnung und anordnungen mit integrierter batterie
US6417093B1 (en) * 2000-10-31 2002-07-09 Lsi Logic Corporation Process for planarization of metal-filled trenches of integrated circuit structures by forming a layer of planarizable material over the metal layer prior to planarizing
US6650000B2 (en) * 2001-01-16 2003-11-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for forming a battery in an integrated circuit
JPWO2002065573A1 (ja) * 2001-02-15 2004-06-17 松下電器産業株式会社 固体電解質電池およびその製造方法
WO2004093223A2 (en) * 2003-04-14 2004-10-28 Massachusetts Institute Of Technology Integrated thin film batteries on silicon integrated circuits
US20070172735A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 David R. Hall Thin-film Battery
JP2007273249A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Arisawa Mfg Co Ltd リチウムイオン二次電池の製造方法
CA2658092A1 (en) * 2006-07-18 2008-01-24 Cymbet Corporation Method and apparatus for solid-state microbattery photolithographic manufacture, singulation and passivation
EP2047554A2 (en) * 2006-07-25 2009-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for the manufacture of a thin-layer battery stack on a three-dimensional substrate
DE102008011523A1 (de) * 2008-02-26 2009-08-27 Varta Microbattery Gmbh Dreidimensionale Mikrobatterie und Verfahren zu deren Herstellung

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