JP2011077373A - 磁気デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気デバイス及びその製造方法において、ループ配線により発生した磁束の拡散を防止し、かつ透磁率の高い閉磁路を形成することにより、インダクタンス特性に優れたものとし、しかも、性能バラツキを無くすようにする。
【解決手段】コイル１は、互いに対向した第１の磁性体基板２及び第２の磁性体基板３と、第１の磁性体基板２に設けられるループ配線４と、ループ配線４に電流が流れたときに発生する磁束が通るコア５と備え、コア５と両磁性体基板２、３とにより閉磁路を形成している。コア５は、両磁性体基板２、３間に、ループ配線４を挿通するための空隙を持つ第３の磁性体基板を介在させることにより構成されている。第３の磁性体基板の形状を、コア５が磁束通路として必要な部分に配されるように工夫したので、高透磁率であって、コア５と第１、第２の磁性体基板２、３とを含めてループ配線４を周回するような閉磁路が形成される。
【選択図】図３

Description

本発明は、磁気デバイス及びその製造方法に関し、特に、半導体製作技術やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いて形成されるものに関する。

従来より、この種の磁気デバイスとして、互いに対向した一対の磁性体基板の間に、ループ配線と、このループ配線に電流が流れたときに発生する磁束が通るコアとを形成して成るコイル及びトランスが知られている。例えば、このような磁気デバイスの構成において、ループ配線を形成した磁性体基板上にコアとして磁性樹脂層を形成し、この磁性樹脂層上に他方の磁性体基板を設けることにより、磁性樹脂層と両磁性体基板とにより閉磁路を形成するようにしたものがある（例えば、特許文献１及び２参照）。

特開２００７−１７３３８４号公報 特開２００３−３４７１２２号公報

しかしながら、上記のような構成では、磁性樹脂層が両磁性体基板間の全領域に亘って介在するため、ループ配線により発生した磁束が拡散してループ配線内の磁束密度が減少し、インダクタンス特性が低くなる。また、磁性樹脂層は、磁性粉末を樹脂材料に含有したペーストにより構成されていることから、磁性体基板のような磁性ブロック体と比べて透磁率が低く、その結果、閉磁路全体として高い透磁率を得ることができない。また、磁性樹脂層の厚みを均一に制御することが難しく、磁気デバイスの性能にバラツキが生じる。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ループ配線により発生した磁束の拡散を防止し、かつ透磁率の高い閉磁路を形成することにより、インダクタンス特性に優れたものとし、しかも、性能バラツキを無くすことができる磁気デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１の発明は、互いに対向した第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板と、これら磁性体基板の一方又は両方に設けられるループ配線と、前記ループ配線に電流が流れたときに発生する磁束が通るコアとを備え、前記コア、前記第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板が閉磁路を形成している磁気デバイスにおいて、前記コアは、前記第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との間に、前記ループ配線を挿通するための空隙を持つ第３の磁性体基板を介在させることにより構成されているものである。

請求項２の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第３の磁性体基板は、絶縁性材料から成るものである。

請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記第１、第２及び第３の磁性体基板とが互いに直接結合されているものである。

請求項４の発明は、互いに対向した第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板の基板間に、ループ配線と、このループ配線に電流が流れたときに発生する磁束が通るコアとを形成し、前記コア、前記第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板が閉磁路を形成している磁気デバイスの製造方法であって、前記少なくとも第１の磁性体基板にループ配線を形成するループ配線形成工程と、前記ループ配線を挿通するための凹状の空隙を有した第３の磁性体基板を用いてコアを形成するコア形成工程と、を備え、前記コア形成工程は、前記ループ配線形成工程によりループ配線の形成された第１の磁性体基板と前記第３の磁性体基板とを、前記空隙の開口側が前記ループ配線に臨むように接合する工程と、前記工程の後に、第３の磁性体基板の凹底側を除去する工程と、前記工程の後に、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板とを接合する工程と、を有したものである。

請求項５の発明は、互いに対向した第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板の基板間に、ループ配線と、このループ配線に電流が流れたときに発生する磁束が通るコアとを形成し、前記コア、前記第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板が閉磁路を形成している磁気デバイスの製造方法であって、前記少なくとも第１の磁性体基板にループ配線を形成するループ配線形成工程と、ダミー基板上に貼り合わされており、前記ループ配線を挿通するための空隙が形成された第３の磁性体基板を用いてコアを形成するコア形成工程と、を備え、前記コア形成工程は、前記ループ配線形成工程によりループ配線の形成された第１の磁性体基板と前記第３の磁性体基板とを、前記空隙の開口側が前記ループ配線に臨むように接合する工程と、前記工程の後に、第３の磁性体基板からダミー基板を除去する工程と、前記工程の後に、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板とを接合する工程と、を有したものである。

請求項６の発明は、請求項４又は請求項５に記載の発明において、前記第１の磁性体基板と第２の磁性体基板とを接合する工程の前に、コアの厚みを薄くする工程を有するものである。

請求項７の発明は、請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の発明において、前記一連の工程をウェハレベルで実施して磁気デバイスの構造を形成した後に、ダイシングにより各々のチップに個片化するものである。

請求項１の発明によれば、コアが第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との間に第３の磁性体基板を介在させることにより構成され、しかも、第３の磁性体基板の形状を、コアが磁束通路として必要な部分に配されるように工夫したので、高透磁率であって、コアと第１、第２の磁性体基板とを含めてループ配線を周回するような閉磁路が形成される。そのため、ループ配線に所定の電流が流れたときにループ配線を貫く磁束密度を高めることができ、優れたインダクタンス特性を得ることができる。また、コアに磁性体基板を用いることで、コアを所望の厚み及び形状で形成できるので、磁気デバイスの性能バラツキを無くすことができる。

請求項２の発明によれば、渦電流の発生を抑制し、高周波数領域においても優れたインダクタンス特性を得ることができる。

請求項３の発明によれば、コアを第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板に対し隙間なく接合でき、閉磁路内の透磁率をさらに高めることができる。

請求項４の発明によれば、ループ配線の形成された第１の磁性体基板に第３の磁性体基板を空隙の開口側がループ配線に臨むように接合した後、第３の磁性体基板の凹底側を除去して第２の磁性体基板を接合するので、簡単な製造工程でありながら、コアを磁束通路として必要な部分に形成し、高透磁率かつ、コアと第１、第２の磁性体基板とを含めてループ配線を周回するような閉磁路を形成することができる。そのため、低コストでインダクタンス特性の優れた磁気デバイスを得ることができる。

請求項５の発明によれば、ループ配線の形成された第１の磁性体基板に第３の磁性体基板を空隙の開口側がループ配線に臨むように接合した後、第３の磁性体基板からダミー基板を除去して第２の磁性体基板を接合するので、簡単な製造工程でありながら、コアを磁束通路として必要な部分に形成し、高透磁率かつ、コアと第１、第２の磁性体基板とを含めてループ配線を周回するような閉磁路を形成することができる。そのため、低コストでインダクタンス特性の優れた磁気デバイスを得ることができる。

請求項６の発明によれば、両磁性体基板間の距離を狭めて磁路長の短い閉磁路を形成できるので、ループ配線により発生した磁束が閉磁路内を流れ易くなり、磁気デバイスのインダクタンス特性を高めることができる。

請求項７の発明によれば、一連の工程をウェハレベルで実施し、複数個の磁気デバイスを一括して作製するので、寸法安定性に優れた磁気デバイスを量産することができる。

本発明の第１の実施形態に係るコイルの分解図。 上記コイルの斜視図。 （ａ）は図２のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線断面図。 上記コイルの製造方法におけるループ配線形成工程の説明図。 上記製造方法におけるコア成形工程の説明図。 上記コア成形工程の他例の説明図。 本発明の第２の実施形態に係るトランスの分解図。 上記トランスの斜視図。 （ａ）は図８のＣ−Ｃ線断面図、（ｂ）は図８のＤ−Ｄ線断面図。 上記トランスの製造方法におけるループ配線形成工程の説明図。 上記製造方法におけるコア成形工程の説明図。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る磁気デバイスについて図１乃至図５を参照して説明する。図１乃至図３は本実施形態に係る磁気デバイスであるコイル１の構成を示す。本コイル１は、各種電気機器の回路基板上に実装される小型コイルであって、互いに対向した第１の磁性体基板２及び第２の磁性体基板３と、第１の磁性体基板２に設けられる平面型のループ配線４と、ループ配線４に電流が流れたときに発生する磁束が通るコア５と、ループ配線４と接続され外部からの給電を受けるための一対の電極パッド６とを備える。本コイル１は略直方形状とされ、その大きさは、例えば、縦及び横寸法が２ｍｍ程度、厚みが１ｍｍ程度である。

第１の磁性体基板２は、焼結フェライト又は複合フェライトから成る板状の磁性材料で構成される。第２の磁性体基板３は、第１の磁性体基板２と同じ構成である。ループ配線４は、第１の磁性体基板２上に薄膜金属により形成され、略方形の渦巻き形状を成すループ部を有し、渦巻き状の重なり部分において薄膜金属同士が電気的に接触しないように絶縁部７を介在している。薄膜金属としては、電気伝導性及び加工性に優れた銅や銀、アルミニウム等が挙げられる。ループ配線４の両端は本コイル１の前面側に延出し、各電極パッド６に接続されている。ループ配線４の巻き数は、本コイル１の用途に応じて適宜決定すればよく、ここでは、３ターンとされている。また、ループ配線４は、シリコン酸化膜から成る絶縁膜８により覆われている。

コア５は、第１の磁性体基板２及び第２の磁性体基板３を含めて閉磁路を形成するものであって、第１の磁性体基板２と第２の磁性体基板３との間に、ループ配線を挿通するための空隙を持つ第３の磁性体基板を介在させることにより構成されている。このような構成により、コア５は、ループ配線４の中央部に配される略直方形のコア中心部５１と、ループ配線４の周辺部に配される略四角枠形のコア周壁部５２とを区画形成し、コア中心部５１がループ配線４の内周縁に対し隙間をもって配置され、コア周壁部５２がループ配線４の外周縁に対し隙間をもって配置される。ここに、上記第３の磁性体基板は、絶縁性を有した板状の磁性材料（例えば、フェライト）から成り、第１の磁性体基板２及び第２の磁性体基板３と直接結合される。

各電極パッド６は、薄膜の導電部材から成り、本コイル１前面に沿って上下に伸び、上方側が第２の磁性体基板３の上面に沿うように折り曲げられ、下方側が第１の磁性体基板２の下面に沿うように折り曲げられている。上記のようなコイル１の構成により、例えば、各電極パッド６を介してループ配線４の両端に電圧を印加してループ配線４が励磁されたときに、上向きの磁束Ｍが発生した場合、磁束Ｍの順路は、コア中心部５１→第２の磁性体基板３→コア周壁部５２→第１の磁性体基板２→コア中心部５１となる。発生した磁束の方向が上下逆転すると、磁束の順路も逆転する。

図４及び図５を用いて本コイル１の製造方法について説明する。ここでは、まず、上述の図１乃至図３を参照して製造方法の概要を述べる。コイル１の製造方法は、第１の磁性体基板２にループ配線４を形成するループ配線形成工程と、ループ配線４を形成した第１の磁性体基板２に、第３の磁性体基板を用いてコア５を形成し、第２の磁性体基板３を接合するコア形成工程とを備える（各工程の詳細は後述）。ここで、この製造方法においては、上記一連の工程をウェハレベルで実施し、コイル１の構造を複数個一括して形成した後に、ダイシングにより各々のコイル１のチップに個片化するものとする。具体的には、３枚の磁性体ウエハを用いて、第１、第２、第３の磁性体基板を各ウエハに多数個取りする。

（ループ配線形成工程）
図４はループ配線形成工程の詳細を時系列に示す。まず、第１の磁性体基板２となる磁性体ウエハＷ１に複数のループ配線４を一括形成する（ａ）。ループ配線４の形成方法としては、例えば、磁性体ウエハＷ１のループ配線不要部分をマスキング〜電気めっき〜マスク除去というパターンめっき法や、スクリーン印刷、パッド印刷等が挙げられる。次に、磁性体ウエハＷ１上のループ配線４及びその周囲にシリコン酸化膜により絶縁膜８を形成する（ｂ）。絶縁膜８の形成方法として、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法が挙げられる。また、絶縁膜８は、スピンコート法やディップ法、スプレー法等を用いてポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等により形成されたものであってもよい。

（コア形成工程）
図５はコア形成工程の詳細を時系列に示す。まず、第３の磁性体基板となる磁性体ウエハＷ３に、ループ配線を挿通するための凹状の空隙Ｃを形成する（ａ）。次に、磁性体ウエハＷ１と磁性体ウエハＷ３とを、空隙Ｃの開口側が磁性体ウエハＷ１上のループ配線４に臨むように接合する（ｂ）。磁性体ウエハＷ１と磁性体ウエハＷ３との接合方法としては、例えば、アルゴンビーム照射により接合面間を直接結合させる表面活性化接合が挙げられる。次に、磁性体ウエハＷ３の凹底側を空隙Ｃが貫穿されるように除去し、これによりコア５が形成される（ｃ）。上記凹底側の除去方法としては、ブラスト加工や研磨、エッチング等が挙げられる。次に、形成したコア５と第２の磁性体基板３となる磁性体ウエハＷ２とを接合する（ｄ）。コア５と磁性体ウエハＷ２との接合についても、上記の表面活性化接合により行うとよい。ここに、コア５と磁性体ウエハＷ２との接合前に、コアの厚みを薄くする工程を有してもよい。これにより、第１の磁性体基板２（磁性体ウエハＷ１）と第２の磁性体基板３（磁性体ウエハＷ２）との間の距離を狭めて磁路長の短い閉磁路を形成でき、ループ配線４により発生した磁束が閉磁路内を流れ易くなる。磁性体ウエハＷ２の接合後、接合した両磁性体ウエハＷ１、Ｗ２にダイシング加工と電極パッドの形成を行って、複数個のコイル１が完成する（ｅ）。

このように本実施形態に係るコイル１によれば、コア５が第１の磁性体基板２と第２の磁性体基板３との間に第３の磁性体基板を介在させることにより構成され、しかも、第３の磁性体基板の形状を、コア５が磁束通路として必要な部分に配されるように工夫したので、高透磁率であって、コア５と第１、第２の磁性体基板とを含めてループ配線４を周回するような閉磁路が形成される。そのため、ループ配線４に所定の電流が流れたときにループ配線４を貫く磁束密度を高めることができ、優れたインダクタンス特性を得ることができる。また、コア５に磁性体基板を用いることで、コア５を所望の厚み及び形状で形成できるので、コイル１の性能バラツキを無くすことができる。また、ループ配線４の形成された第１の磁性体基板２（磁性体ウエハＷ１）に第３の磁性体基板（磁性体ウエハＷ３）を空隙の開口側がループ配線４に臨むように接合した後、第３の磁性体基板の凹底側を除去して第２の磁性体基板３（磁性体ウエハＷ２）を接合するので、簡単な製造工程でありながら、コア５を磁束通路として必要な部分に形成でき、低コストかつインダクタンス特性の高いコイルを製作できる。

さらに、第３の磁性体基板が絶縁性を有しているので、渦電流の発生を抑制し、高周波数領域においても優れたインダクタンス特性を得ることができる。また、第１、第２及び第３の磁性体基板とが互いに直接結合されているので、コア５を第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板に対し隙間なく接合でき、閉磁路内の透磁率をさらに高めることができる。また、コイル１の製造における一連の工程をウェハレベルで実施し、複数個のコイル１を一括して作製するので、寸法安定性に優れたコイルを量産することができる。

ここに、図６を用いて上記コイル１の製造方法におけるコア形成工程の他の例について説明する。まず、第３の磁性体基板となる磁性体ウエハＷ３にダミー基板Ｗ４を貼り合わせる（ａ）。このダミー基板Ｗ４は、後述の空隙形成によって、磁性体ウエハＷ３が分割されないように保持するためのものである。従って、ダミー基板Ｗ４の貼り合わせは、剥離性のよい接着剤を用いて仮止め程度に留めておくのが望ましい。次に、磁性体ウエハＷ３にループ配線４を挿通するための空隙を、ダミー基板と反対側の面から形成する（ｂ）。このとき、空隙は、ダミー基板を貫通しないように形成する。次に、ループ配線４の形成された磁性体ウエハＷ１と磁性体ウエハＷ３とを、空隙Ｃの開口側がループ配線４に臨むように接合する（ｃ）。次に、磁性体ウエハＷ３からダミー基板Ｗ４を除去し、これによりコア５が形成される（ｄ）。次に、形成したコア５と磁性体ウエハＷ２とを接合する（ｅ）。このようなコア形成工程を経て製造されるコイル１についても、コア５を磁束通路として必要な部分に形成でき、低コストかつインダクタンス特性に優れたものとなる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る磁気デバイスについて図７乃至図１１を参照して説明する。図７乃至図９は本実施形態に係る磁気デバイスであるトランス１の構成を示す。本トランス１は、ループ配線４に電磁結合する平面型のループ配線９を第２の磁性体基板３に備え、このループ配線９とループ配線４との間で電力の伝達を行う構成となっている。また、本トランス１の後部側には、ループ配線９と接続される一対の電極パッド１０が設けられている。

ループ配線９は、ループ配線４と対向するように配置され、これによりループ配線９の中央部にはコア中心部５１が位置し、ループ配線９の周辺部にはコア周壁部５２が位置している。ループ配線９の両端は本トランス１の後面側に延出し、各電極パッド１０に接続されている。ループ配線９の巻き数は、ここでは１ターンとされている。ここで、ループ配線４の巻き数は、上記同様に３ターンであり、このことから、ループ配線４を１次側巻線とし、ループ配線９を２次側巻線としたとき、一次側巻線の電圧Ｖ１と２次側巻線の電圧Ｖ２の変圧比は、Ｖ１：Ｖ２＝１：３となる。ループ配線９は、絶縁膜１１により覆われている。上記のような構成により、例えば、各電極パッド６を介してループ配線４の両端に電圧を印加してループ配線４が励磁されたときに、ループ配線４とループ配線９の双方を鎖交する上向きの磁束Ｎが発生した場合、磁束Ｎの順路は、コア中心部５１→第２の磁性体基板３→コア周壁部５２→第１の磁性体基板２→コア中心部５１となる。

次に、図１０及び図１１を用いて本トランス１の製造方法について説明する。ここでは、まず、上述の図７乃至図９を参照して製造方法の概要を述べる。トランス１の製造方法は、第１の磁性体基板２にループ配線４を、第２の磁性体基板３にループ配線９を形成するループ配線形成工程と、ループ配線４を形成した第１の磁性体基板２に第３の磁性体基板を用いてコア５を形成し、その後ループ配線９を形成した第２の磁性体基板３を貼り合わせるコア形成工程とを備える。ここで、この製造方法は、上記同様に、３枚の磁性体ウエハを用いて多数個取りする方法である。

（ループ配線形成工程）
図１０はループ配線形成工程の詳細を時系列に示す。まず、磁性体ウエハＷ１に複数のループ配線４を一括形成し（ａ）、その後、磁性体ウエハＷ１上のループ配線４及びその周囲に絶縁膜８を形成する（ｂ）。また、これとは別に、磁性体ウエハＷ２に複数のループ配線９を一括形成し（ｃ）、その後、磁性体ウエハＷ２上のループ配線９及びその周囲に絶縁膜１１を形成する（ｄ）。ループ配線及び絶縁膜の形成方法は、上記と同様の方法である（以下、他の形成方法について同様）。

（コア形成工程）
図１１はコア形成工程の詳細を時系列に示す。まず、第３の磁性体基板となる磁性体ウエハＷ３に、ループ配線４、９を挿通するための凹状の空隙Ｃを形成する（ａ）。次に、磁性体ウエハＷ１と磁性体ウエハＷ３とを、空隙Ｃの開口側が磁性体ウエハＷ１上のループ配線４に臨むように接合する（ｂ）。次に、磁性体ウエハＷ３の凹底側を、空隙Ｃが貫穿されるように除去し、これによりコア５が形成される（ｃ）。次に、形成したコア５と磁性体ウエハＷ２とを、磁性体ウエハＷ２のループ配線形成面がコア５に臨むように接合する（ｄ）。ここに、コア５と磁性体ウエハＷ２との接合前にコア５の厚みを薄くしておけば、上記と同様に、磁路長の短い閉磁路を形成でき、ループ配線４又は９により発生した磁束が閉磁路内を流れ易くなる。磁性体ウエハＷ２の接合後、接合した両磁性体ウエハＷ１、Ｗ２でコア５を挟み込んだものにダイシング加工と電極パッドの形成を行って、複数個のトランス１が完成する（ｅ）。

このように本実施形態に係るトランス１についても、ループ配線４、９を貫く磁束密度を高めることができ、優れたインダクタンス特性を得ることができる。従って、ループ配線４、９同士が互いに電磁結合するとき、漏れ磁束の発生が減少してループ配線４とループ配線９との間の磁気結合度が高くなり、電力変換効率を向上できる。ここに、本トランス１が、上記ダミー基板を用いたコア形成工程を経て製造される場合であっても、本効果を得ることができる。

なお、本発明は、上記各種実施形態の構成に限られず、発明の趣旨を変更しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、コア中心部５１及びコア枠上部の形状は、上面視で方形に限られず、例えば、円形状であってもよい。また、コイル又はトランスの下面にのみ電極パッドを設けて、電極パッドとループ配線とをスルーホールにより導通させる構成であってもよい。

１ コイル、トランス（磁気デバイス）
２ 第１の磁性体基板
３ 第２の磁性体基板
４、９ ループ配線
５ コア（第３の磁性体基板）
Ｃ 空隙
Ｗ１ 磁性体ウエハ（第１の磁性体基板）
Ｗ２ 磁性体ウエハ（第２の磁性体基板）
Ｗ３ 磁性体ウエハ（第３の磁性体基板）
Ｗ４ ダミー基板

Claims (7)

1. 互いに対向した第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板と、これら磁性体基板の一方又は両方に設けられるループ配線と、前記ループ配線に電流が流れたときに発生する磁束が通るコアとを備え、前記コア、前記第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板が閉磁路を形成している磁気デバイスにおいて、
   前記コアは、前記第１の磁性体基板と第２の磁性体基板との間に、前記ループ配線を挿通するための空隙を持つ第３の磁性体基板を介在させることにより構成されていることを特徴とする磁気デバイス。
2. 前記第３の磁性体基板は、絶縁性材料から成ることを特徴とする請求項１に記載の磁気デバイス。
3. 前記第１、第２及び第３の磁性体基板とが互いに直接結合されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気デバイス。
4. 互いに対向した第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板の基板間に、ループ配線と、このループ配線に電流が流れたときに発生する磁束が通るコアとを形成し、前記コア、前記第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板が閉磁路を形成している磁気デバイスの製造方法であって、
   前記少なくとも第１の磁性体基板にループ配線を形成するループ配線形成工程と、
   前記ループ配線を挿通するための凹状の空隙を有した第３の磁性体基板を用いてコアを形成するコア形成工程と、を備え、
   前記コア形成工程は、
   前記ループ配線形成工程によりループ配線の形成された第１の磁性体基板と前記第３の磁性体基板とを、前記空隙の開口側が前記ループ配線に臨むように接合する工程と、
   前記工程の後に、第３の磁性体基板の凹底側を除去する工程と、
   前記工程の後に、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板とを接合する工程と、を有したことを特徴とする磁気デバイスの製造方法。
5. 互いに対向した第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板の基板間に、ループ配線と、このループ配線に電流が流れたときに発生する磁束が通るコアとを形成し、前記コア、前記第１の磁性体基板及び第２の磁性体基板が閉磁路を形成している磁気デバイスの製造方法であって、
   前記少なくとも第１の磁性体基板にループ配線を形成するループ配線形成工程と、
   ダミー基板上に貼り合わされており、前記ループ配線を挿通するための空隙が形成された第３の磁性体基板を用いてコアを形成するコア形成工程と、を備え、
   前記コア形成工程は、
   前記ループ配線形成工程によりループ配線の形成された第１の磁性体基板と前記第３の磁性体基板とを、前記空隙の開口側が前記ループ配線に臨むように接合する工程と、
   前記工程の後に、第３の磁性体基板からダミー基板を除去する工程と、
   前記工程の後に、第１の磁性体基板と第２の磁性体基板とを接合する工程と、を有したことを特徴とする磁気デバイスの製造方法。
6. 前記第１の磁性体基板と第２の磁性体基板とを接合する工程の前に、コアの厚みを薄くする工程を有することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の磁気デバイスの製造方法。
7. 前記一連の工程をウェハレベルで実施して磁気デバイスの構造を形成した後に、ダイシングにより各々のチップに個片化することを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の磁気デバイスの製造方法。

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