JP2011077153A - Two-fluid nozzle and substrate processing apparatus equipped with the same - Google Patents

Two-fluid nozzle and substrate processing apparatus equipped with the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a two-fluid nozzle capable of controlling a spraying condition of a splayed droplet and a substrate processing apparatus performing a desired process on a substrate using the droplet sprayed from the two-fluid nozzle. <P>SOLUTION: The two-fluid nozzle 3 includes an outer cylinder 20 constituting a casing, an inner cylinder 21 engaged within the outer cylinder 20, and a fixing nut 23 fixing the inner cylinder 21 to the outer cylinder 20. A male screw 36 is formed on a circumference of a large-diameter cylindrical part 24 of the inner cylinder 21. A female screw 37 mating the male screw 36 is formed on a base end part of the outer cylinder 20. The fixing nut 23 has a female screw hole 31 mating the male screw 36 of the inner cylinder 21. The outer cylinder 20 and the inner cylinder 21 are coupled by a screw fitting. By adjusting a screw-in amount of the outer cylinder 20 with respect to the male screw 36, an axial position of a short cylinder part 47 with respect to a shielding part 43 can be adjusted. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、二流体ノズルおよびそれを用いた基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。   The present invention relates to a two-fluid nozzle and a substrate processing apparatus using the same. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate etc. are included.

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という。)の表面からパーティクルなどの異物を除去するための洗浄処理が不可欠である。ウエハの表面を洗浄するための基板処理装置には、たとえば、処理液(洗浄液)と気体とを混合することにより処理液の液滴を形成し、この処理液の液滴をウエハの表面に供給して洗浄処理を行うものがある。   In the manufacturing process of a semiconductor device, a cleaning process for removing foreign substances such as particles from the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) is indispensable. In a substrate processing apparatus for cleaning the surface of a wafer, for example, a droplet of a processing liquid is formed by mixing a processing liquid (cleaning liquid) and a gas, and the droplet of the processing liquid is supplied to the surface of the wafer. In some cases, the cleaning process is performed.

具体的には、基板処理装置は、たとえば、ウエハを水平に保持して回転させるスピンチャックと、回転されているウエハの表面に向けて処理液の液滴を噴射する二流体ノズルと、スピンチャックに保持されたウエハの上方で二流体ノズルを移動(スキャン)させるノズル移動機構とを備えている。
図15は、二流体ノズル200の構造例を示す図解的な断面図である。この二流体ノズル200は、ケーシングを構成する第1筒体201と、第2筒体202とを含んでいる。第2筒体202における上端部以外の部分が、第1筒体201の内部に嵌め込まれている。第1筒体201および第2筒体202は、略円筒状の形状を有しており、中心軸を共有している。第1筒体201と第2筒体202とは溶接により互いに固定されている。第2筒体202の内部空間は処理液流路203となっており、第2筒体202の上端部から処理液流路203に、処理液を導入できるようになっている。処理液流路203の下端は、処理液吐出口204として下方に向けて開口している。
Specifically, the substrate processing apparatus includes, for example, a spin chuck that holds and rotates a wafer horizontally, a two-fluid nozzle that ejects droplets of a processing liquid toward the surface of the rotating wafer, and a spin chuck. And a nozzle moving mechanism for moving (scanning) the two-fluid nozzle above the wafer held on the substrate.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of the two-fluid nozzle 200. The two-fluid nozzle 200 includes a first cylinder 201 and a second cylinder 202 that constitute a casing. Portions other than the upper end portion of the second cylinder 202 are fitted into the first cylinder 201. The first cylinder 201 and the second cylinder 202 have a substantially cylindrical shape and share a central axis. The first cylinder 201 and the second cylinder 202 are fixed to each other by welding. The internal space of the second cylinder 202 serves as a processing liquid channel 203 so that the processing liquid can be introduced into the processing liquid channel 203 from the upper end of the second cylinder 202. The lower end of the processing liquid channel 203 is opened downward as a processing liquid discharge port 204.

一方、第2筒体202と第1筒体201との間には、略円筒状の間隙である気体流路205が形成されている。気体流路205の下端は、処理液吐出口204のまわりに環状の気体吐出口206として開口している。気体流路205は、第1筒体201を貫通した気体供給管207に連通しており、この気体供給管207を介して高圧の窒素ガスが導入されるようになっている。   On the other hand, a gas flow path 205 that is a substantially cylindrical gap is formed between the second cylinder 202 and the first cylinder 201. The lower end of the gas flow path 205 is opened as an annular gas discharge port 206 around the processing liquid discharge port 204. The gas flow path 205 communicates with a gas supply pipe 207 that penetrates the first cylindrical body 201, and high-pressure nitrogen gas is introduced through the gas supply pipe 207.

処理液流路203に処理液を導入し、同時に、気体流路205に窒素ガスを導入すると、処理液吐出口204から処理液が吐出されるとともに、気体吐出口206から窒素ガスが吐出される。これらの処理液および窒素ガスは、それぞれ処理液吐出口204と気体吐出口206から吐出され、第1筒体201の外部(吐出口204,206の近傍)で衝突(混合)する。これにより、処理液の液滴が形成される。この液滴は、噴流となって、その下方に配置されたウエハの表面に衝突する。この際、ウエハの表面に付着しているパーティクル等の異物は、処理液の液滴の運動エネルギーにより、物理的に除去される。   When the processing liquid is introduced into the processing liquid flow path 203 and simultaneously the nitrogen gas is introduced into the gas flow path 205, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge port 204 and the nitrogen gas is discharged from the gas discharge port 206. . These processing liquid and nitrogen gas are discharged from the processing liquid discharge port 204 and the gas discharge port 206, respectively, and collide (mix) outside the first cylinder 201 (in the vicinity of the discharge ports 204 and 206). Thereby, droplets of the processing liquid are formed. These droplets become jets and collide with the surface of the wafer arranged below. At this time, foreign matters such as particles adhering to the surface of the wafer are physically removed by the kinetic energy of the droplets of the processing liquid.

特開2002−270564号公報JP 2002-270564 A

しかしながら、二流体ノズルは加工誤差による寸法の個体差が大きく、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態が二流体ノズルごとにばらつく。そのため、基板処理装置に搭載される二流体ノズルによっては、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態(たとえば、液滴の平均粒径や密度)が所期の噴霧状態と異なるおそれがある。液滴の噴霧状態によって、基板表面に付着する異物を除去する能力(以下、「異物除去能力」という。)や、基板表面に付与するダメージが異なる。   However, the two-fluid nozzle has a large difference in size due to processing errors, and the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle varies for each two-fluid nozzle. Therefore, depending on the two-fluid nozzle mounted on the substrate processing apparatus, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle (for example, the average particle diameter or density of the droplets) may be different from the intended spray state. . The ability to remove foreign matter adhering to the substrate surface (hereinafter referred to as “foreign matter removing ability”) and the damage imparted to the substrate surface differ depending on the droplet spray state.

また、液滴の噴霧状態は、個々の二流体ノズルに固有の特性であり、これを変更することができない。そのため、目的とする基板処理の内容に応じて、専用の二流体ノズルを設計しなければならない。このことが、二流体ノズルによる基板処理を困難にする一因となっている。
そこで、この発明の目的は、適切な噴霧状態で液滴を吐出できる二流体ノズルを提供することである。
Moreover, the spray state of the droplet is a characteristic unique to each two-fluid nozzle and cannot be changed. Therefore, a dedicated two-fluid nozzle must be designed according to the content of the target substrate processing. This contributes to the difficulty of substrate processing with a two-fluid nozzle.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a two-fluid nozzle that can eject droplets in an appropriate spray state.

また、この発明の他の目的は、二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置を提供することである。   Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing desired processing on a substrate using droplets discharged from a two-fluid nozzle.

請求項1記載の発明は、処理液が流通する処理液流路(27)が内部に形成され、先端部に処理液吐出口(28)が開口した第1筒体(21)と、前記第1筒体の周囲を取り囲むように前記第1筒体と同軸に設けられ、前記第1筒体との間に気体が流通する気体流路(50)を区画し、先端部において前記第1筒体との間に気体吐出口(44)を区画する第2筒体(20)と、前記第1筒体の先端部と前記第2筒体の先端部とが軸方向に相対変位可能なように、前記第1筒体と前記第2筒体とを互いに固定する固定手段(36,37,23)とを含み、前記処理液吐出口から吐出される処理液と前記気体吐出口から吐出される気体とを前記第1筒体および第2筒体の外部で混合して前記処理液の液滴を形成し、この処理液の液滴を吐出するようになっている、二流体ノズル(3;90;110;120)である。   In the first aspect of the present invention, the first cylindrical body (21) having a processing liquid flow path (27) through which the processing liquid flows therein is formed inside, and a processing liquid discharge port (28) is opened at a tip portion; A gas flow path (50) is provided coaxially with the first cylinder so as to surround the periphery of the one cylinder, and gas flows between the first cylinder and the first cylinder at the tip. The second cylinder (20) that divides the gas discharge port (44) between the first cylinder and the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder can be displaced relative to each other in the axial direction. And a fixing means (36, 37, 23) for fixing the first cylindrical body and the second cylindrical body to each other. The processing liquid discharged from the processing liquid discharge port and the gas discharge port are discharged from the processing liquid discharge port. Gas is mixed outside the first and second cylinders to form droplets of the treatment liquid, and the treatment liquid droplets are discharged. And it is in the two-fluid nozzle is a (3; 120 90; 110).

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部とが軸方向に相対変位可能なように、第1筒体と第2筒体とが互いに固定されている。処理液流路を流通した処理液は、第1筒体の先端部に開口した処理液吐出口から吐出される。また、第1筒体と第2筒体との間に区画された気体流路を流通した気体は、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との間に区画された気体吐出口から吐出される。そのため、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部とが軸方向に相対変位すると、気体吐出口から吐出される気体の吐出態様が変化し、処理液と気体との混合位置や気体の吐出方向が変化する。その結果、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態も変化する。したがって、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との間の軸方向の相対位置を調節することにより、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる。その結果、二流体ノズルを構成する部品の加工誤差によらずに、適切な噴霧状態を実現できる。また、処理対象(たとえば基板)に対する処理の内容に応じて適切な噴霧状態に調整できるから、処理内容に対応した専用の二流体ノズルを設計する必要もない。すなわち、種々の処理内容に対応できる、汎用性のある二流体ノズルを提供できる。
In addition, although the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later, the scope of the claims is not intended to be limited to the embodiments. The same applies hereinafter.
According to this structure, the 1st cylinder and the 2nd cylinder are mutually fixed so that the front-end | tip part of a 1st cylinder and the front-end | tip part of a 2nd cylinder can be displaced relatively to an axial direction. The processing liquid that has flowed through the processing liquid flow path is discharged from a processing liquid discharge port that opens at the tip of the first cylinder. In addition, the gas flowing through the gas flow path defined between the first cylinder and the second cylinder is the gas defined between the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder. It is discharged from the discharge port. For this reason, when the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder are relatively displaced in the axial direction, the discharge mode of the gas discharged from the gas discharge port changes, and the mixing position of the treatment liquid and the gas The gas discharge direction changes. As a result, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle also changes. Therefore, by adjusting the axial relative position between the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder, it is possible to adjust the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle. . As a result, an appropriate spray state can be realized without depending on processing errors of parts constituting the two-fluid nozzle. In addition, since it is possible to adjust the spray state to an appropriate state according to the content of processing on a processing target (for example, a substrate), it is not necessary to design a dedicated two-fluid nozzle corresponding to the processing content. That is, a versatile two-fluid nozzle that can cope with various processing contents can be provided.

この発明の一実施形態に係る二流体ノズルは、請求項2に記載されているように、前記固定手段が、第1筒体の外周に形成された雄ねじ(36)と、第2筒体の内周に形成され、前記雄ねじに螺合する雌ねじ(37)とを含む。この場合、一方の筒体(たとえば第1筒体)に対する他方の筒体(たとえば第2筒体)のねじ込み量を調節することによって、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との軸方向の相対位置を、簡単に調節することができる。   In the two-fluid nozzle according to one embodiment of the present invention, as described in claim 2, the fixing means includes a male screw (36) formed on the outer periphery of the first cylinder and a second cylinder. A female screw (37) formed on the inner periphery and screwed onto the male screw. In this case, by adjusting the screwing amount of the other cylinder (for example, the second cylinder) with respect to one cylinder (for example, the first cylinder), the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder The relative position in the axial direction can be easily adjusted.

そして、請求項3に記載のように、前記雄ねじに螺合して前記第2筒体に対して軸方向一方側から締め付けられることにより前記第2筒体を前記雄ねじに固定する固定ナット(23)をさらに含むことが好ましい。この場合、一方の筒体(たとえば第1筒体)に対する他方の筒体(たとえば第2筒体)のねじ込み量の調節後に、固定ナットを、軸方向一方側から第2筒体に対して締め付けることにより、第2筒体を雄ねじに固定することができる。これにより、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部とを所望の相対位置に保ったまま、第1筒体と第2筒体とを互いに確実に固定することができる。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a fixing nut (23) for fixing the second cylinder to the male screw by being screwed into the male screw and tightened from one axial side with respect to the second cylinder. ). In this case, after adjusting the screwing amount of the other cylinder (for example, the second cylinder) with respect to one cylinder (for example, the first cylinder), the fixing nut is tightened against the second cylinder from one side in the axial direction. Thereby, a 2nd cylinder can be fixed to an external thread. Thereby, the first cylinder and the second cylinder can be securely fixed to each other while the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder are kept at a desired relative position.

この発明の別の実施形態に係る二流体ノズルは、前記第2筒体が、前記第1筒体に固定された基端部材(92)と、前記先端部を有する先端部材(93)とに軸方向に分割されており、前記固定手段が、前記基端部材と前記先端部材とが軸方向に相対変位可能なように、前記基端部材と前記先端部材とを互いに固定する手段(95,97,98)を含む。この場合、一方の部材(たとえば基端部材)に対する他方の部材(たとえば先端部材)の相対位置を調節することにより、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との間の軸方向の相対位置を調節することができる。   In the two-fluid nozzle according to another embodiment of the present invention, the second cylindrical body includes a proximal end member (92) fixed to the first cylindrical body and a distal end member (93) having the distal end portion. A means (95, 95) that is divided in the axial direction and that fixes the proximal end member and the distal end member to each other so that the proximal end member and the distal end member are relatively displaceable in the axial direction. 97, 98). In this case, by adjusting the relative position of the other member (for example, the distal end member) with respect to one member (for example, the proximal end member), the shaft between the distal end portion of the first cylindrical body and the distal end portion of the second cylindrical body. The relative position of the direction can be adjusted.

前記固定手段は、前記基端部材および前記先端部材の一方に形成された雄ねじ(95)と、前記基端部材および前記先端部材の他方に形成され、前記雄ねじに螺合する雌ねじ(97)とを含むものであってもよい。この場合、一方の部材(たとえば基端部材)に対する他方の部材(たとえば先端部材)のねじ込み量を調節することによって、第1筒体の先端部および第2筒体の先端部の軸方向の相対位置を調節することができる。これにより、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる。   The fixing means includes a male screw (95) formed on one of the base end member and the tip member, and a female screw (97) formed on the other of the base end member and the tip member and screwed into the male screw. May be included. In this case, by adjusting the screwing amount of the other member (for example, the front end member) with respect to one member (for example, the base end member), the relative position in the axial direction between the distal end portion of the first cylindrical body and the distal end portion of the second cylindrical body. The position can be adjusted. Thereby, the spraying state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle can be adjusted.

この場合、前記固定手段は、前記雄ねじに螺合して、前記第2筒体に対して軸方向一方側から締め付けられることにより、前記先端部材を前記雄ねじに固定する固定ナット(98)をさらに含むことが好ましい。この場合、一方の部材(たとえば基端部材)に対する他方の部材(たとえば先端部材)のねじ込み量の調節後に、固定ナットを、軸方向一方側から先端部材または基端部材に対して締め付けることにより、その締め付け対象となる部材を雄ねじに固定することができる。これにより、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部とを所望の相対位置に保ったまま、先端部材と基端部材とを互いに確実に固定することができる。   In this case, the fixing means further includes a fixing nut (98) for fixing the tip member to the male screw by being screwed into the male screw and tightened from one axial side with respect to the second cylindrical body. It is preferable to include. In this case, after adjusting the screwing amount of the other member (for example, the distal end member) relative to one member (for example, the proximal end member), by tightening the fixing nut from the one side in the axial direction to the distal end member or the proximal end member, The member to be tightened can be fixed to the male screw. Accordingly, the distal end member and the proximal end member can be reliably fixed to each other while the distal end portion of the first tubular body and the distal end portion of the second tubular body are maintained at a desired relative position.

請求項4記載の発明は、処理対象の基板(W)を保持する基板保持手段(2)と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に、処理液の液滴を供給するための請求項1〜3のいずれか一項に記載の二流体ノズルと、前記二流体ノズルの前記処理液流路に前記処理液を供給するための処理液供給手段(8,10)と、前記二流体ノズルの前記気体流路に前記気体を供給するための気体供給手段(9,11,74)とを含む、基板処理装置(1;70)である。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate holding means (2) for holding a substrate (W) to be processed, and a means for supplying a droplet of a processing liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding means. The two-fluid nozzle according to any one of Items 1 to 3, a treatment liquid supply means (8, 10) for supplying the treatment liquid to the treatment liquid flow path of the two-fluid nozzle, and the two-fluid A substrate processing apparatus (1; 70) including gas supply means (9, 11, 74) for supplying the gas to the gas flow path of the nozzle.

この構成によれば、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との相対位置を変更させることにより、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる。これにより、二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる。
請求項5記載の発明は、前記第1筒体の先端部と前記第2筒体の先端部とを軸方向に相対的に変位させる変位機構(72)と、前記基板保持手段に保持された基板表面の状態を検出する表面状態検出手段(71)と、前記表面状態検出手段の検出結果に基づいて前記変位機構を制御する変位機構制御手段(60)とをさらに含む、請求項4記載の基板処理装置である。
According to this configuration, it is possible to adjust the spray state of the liquid droplets ejected from the two-fluid nozzle by changing the relative position between the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder. As a result, a desired process can be performed on the substrate using the droplets discharged from the two-fluid nozzle.
The invention according to claim 5 is held by the substrate holding means and a displacement mechanism (72) for relatively displacing the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder in the axial direction. The surface condition detection means (71) which detects the state of a substrate surface, The displacement mechanism control means (60) which controls the said displacement mechanism based on the detection result of the said surface condition detection means is further included of Claim 4. A substrate processing apparatus.

この構成によれば、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との軸方向の相対位置が、基板表面の状態に基づいて自動的に調節される。そのため、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態を、基板表面の状態に応じて調整することができる。これにより、基板の表面状態に適応した液滴処理が実現される。
また、前記表面状態検出手段は、請求項6に記載のように、前記基板保持手段に保持された基板表面に付着している異物の量を検出する異物量検出手段(71)を含むものであってもよい。たとえば、基板表面の異物の量が相対的に多いときは、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態は、異物除去能力が高くなる状態に調整されることが好ましい。また、基板表面の異物の量が相対的に少ないときは、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態は、基板表面へのダメージが少なくなるように調整されることが好ましい。
According to this configuration, the relative position in the axial direction between the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder is automatically adjusted based on the state of the substrate surface. Therefore, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle can be adjusted according to the state of the substrate surface. Thereby, the droplet processing adapted to the surface state of the substrate is realized.
The surface state detection means includes a foreign matter amount detection means (71) for detecting the amount of foreign matter adhering to the substrate surface held by the substrate holding means. There may be. For example, when the amount of foreign matter on the substrate surface is relatively large, it is preferable that the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle is adjusted to a state where the foreign matter removing ability is enhanced. When the amount of foreign matter on the substrate surface is relatively small, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle is preferably adjusted so that damage to the substrate surface is reduced.

この構成によれば、基板表面に付着している異物の量に基づいて、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との軸方向の相対位置が自動的に調節される。これにより、二流体ノズルの液滴の噴霧状態を、基板表面の異物の量に応じた状態に調整することができる。
前記表面状態検出手段は、前記基板保持手段に保持された基板の表面のパターンを検出するパターン検出手段であってもよい。
According to this configuration, the relative position in the axial direction between the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder is automatically adjusted based on the amount of foreign matter adhering to the substrate surface. Thereby, the spray state of the droplets of the two-fluid nozzle can be adjusted to a state corresponding to the amount of foreign matter on the substrate surface.
The surface state detection means may be a pattern detection means for detecting a pattern on the surface of the substrate held by the substrate holding means.

請求項7記載の発明は、前記気体供給手段が、前記気体流路に前記気体を供給する気体供給管(9)と、前記気体供給管の途中部に設けられ、前記気体供給管を流通する気体の圧力を検出する圧力センサ(73)とを含み、前記基板処理装置が、前記第1筒体の先端部と前記第2筒体の先端部とを軸方向に相対的に変位させる駆動機構(72)と、前記圧力センサによる検出結果に基づいて前記駆動機構を制御する駆動機構制御手段(60)とをさらに含む、請求項4〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置である。   According to a seventh aspect of the present invention, the gas supply means is provided in a gas supply pipe (9) for supplying the gas to the gas flow path and a middle portion of the gas supply pipe, and circulates through the gas supply pipe. And a pressure sensor (73) for detecting the pressure of the gas, wherein the substrate processing apparatus relatively displaces the distal end portion of the first cylindrical body and the distal end portion of the second cylindrical body in the axial direction. The substrate processing apparatus according to any one of claims 4 to 6, further comprising (72) and drive mechanism control means (60) for controlling the drive mechanism based on a detection result by the pressure sensor. .

第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との軸方向の相対位置が変化すると、二流体ノズルの気体吐出口の状態が変化し、気体吐出口から吐出される気体の圧力が変化する。たとえば二流体ノズルに一定流量の気体が供給される場合は、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部との軸方向の相対位置の変化にともなって、気体流路内の圧力が変化し、それによって、気体供給管の圧力が変化する。したがって、圧力センサの検出値に基づいて、第1筒体の先端部と第2筒体の先端部とを相対変位させることにより、二流体ノズルの気体吐出口の状態を所望の状態に制御することができる。したがって、二流体ノズルから吐出される液滴の噴霧状態を、基板表面の状態に応じた状態に正確に調整することができる。   When the relative position in the axial direction between the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder changes, the state of the gas discharge port of the two-fluid nozzle changes, and the pressure of the gas discharged from the gas discharge port changes. Change. For example, when a constant flow rate of gas is supplied to the two-fluid nozzle, the pressure in the gas flow path changes with the change in the relative position in the axial direction between the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder. Changes, thereby changing the pressure of the gas supply tube. Therefore, the state of the gas discharge port of the two-fluid nozzle is controlled to a desired state by relatively displacing the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder based on the detection value of the pressure sensor. be able to. Therefore, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle can be accurately adjusted to a state according to the state of the substrate surface.

本発明の第1実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図1に示す二流体ノズルの構成を示す図解的な側面図である。It is an illustration side view which shows the structure of the two-fluid nozzle shown in FIG. 図2に示す二流体ノズルの構成を示す図解的な縦断面図である。FIG. 3 is a schematic longitudinal sectional view showing a configuration of a two-fluid nozzle shown in FIG. 2. 図1に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of the substrate processing apparatus shown in FIG. 図1に示す基板処理装置における処理の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the process in the substrate processing apparatus shown in FIG. 本発明の第2実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 図6に示す外筒昇降装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the outer cylinder raising / lowering apparatus shown in FIG. 図6に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 6. 図6に示す基板処理装置における処理の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the process in the substrate processing apparatus shown in FIG. 二流体ノズルの噴霧状態の調整における制御の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of control in adjustment of the spraying state of a two-fluid nozzle. 本発明の第3実施形態に係る基板処理装置の二流体ノズルの構成を示す図解的な側面図である。It is an illustration side view which shows the structure of the two-fluid nozzle of the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 図11に示す二流体ノズルの構成を示す図解的な縦断面図である。FIG. 12 is a schematic longitudinal sectional view showing a configuration of the two-fluid nozzle shown in FIG. 11. 本発明の第4実施形態に係る基板処理装置の二流体ノズルの構成を示す図解的な縦断面図である。It is an illustration longitudinal section showing the composition of the two fluid nozzle of the substrate processing device concerning a 4th embodiment of the present invention. 本発明の第5実施形態に係る基板処理装置の二流体ノズルの構成を示す図解的な縦断面図である。It is an illustration longitudinal section showing the composition of the two fluid nozzle of the substrate processing apparatus concerning a 5th embodiment of the present invention. 従来の基板処理装置に備えられた二流体ノズルの構成を示す図解的な縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view which shows the structure of the two-fluid nozzle with which the conventional substrate processing apparatus was equipped.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態(第1実施形態)に係る基板処理装置1の構成を示す概念図である。この基板処理装置1は、ウエハWの表面を洗浄するための枚葉式の装置であり、ウエハWをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック(基板保持手段)2と、スピンチャック2に保持されたウエハWの表面に処理液(この実施形態ではウエハWを洗浄するための洗浄液)の液滴を供給する二流体ノズル3と、スピンチャック2に保持されたウエハWの表面にDIW(脱イオン水:Deionzied Water)を供給するためのDIWノズル4とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment (first embodiment) of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus for cleaning the surface of a wafer W. The substrate processing apparatus 1 holds a spin chuck (substrate holding means) 2 that rotates while holding the wafer W substantially horizontally, and holds the wafer W on the spin chuck 2. A two-fluid nozzle 3 for supplying droplets of a processing liquid (in this embodiment, a cleaning liquid for cleaning the wafer W) to the surface of the wafer W, and DIW (de-molding) on the surface of the wafer W held by the spin chuck 2. DIW nozzle 4 for supplying ionized water (Deionzied Water).

二流体ノズル3に供給される処理液(洗浄液)は、薬液であってもよいし、脱イオン水その他のリンス液であってもよい。薬液としては、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水混合液)、フッ酸、バファードフッ酸(Buffered HF:フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液)、アンモニア水、ポリマ除去液、有機溶媒(IPA(イソプロパノール)またはHFE(ハイドロフルオロエーテル)など)を例示することができる。リンス液の例としては、脱イオン水のほか、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水などの機能水を挙げることができる。   The treatment liquid (cleaning liquid) supplied to the two-fluid nozzle 3 may be a chemical liquid or a deionized water or other rinse liquid. Chemical solutions include SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution mixture), SC2 (hydrochloric acid hydrogen peroxide solution mixture), SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture), hydrofluoric acid, buffed hydrofluoric acid ( Buffered HF: a mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride), aqueous ammonia, a polymer removing solution, and an organic solvent (such as IPA (isopropanol) or HFE (hydrofluoroether)). Examples of the rinsing liquid include functional water such as carbonated water, electrolytic ionic water, hydrogen water, and magnetic water in addition to deionized water.

スピンチャック2は、スピンモータ5と、このスピンモータ5の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース6と、スピンベース6の周縁の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハWをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材7とを備えている。これにより、スピンチャック2は、複数個の挟持部材7によってウエハWを挟持した状態で、スピンモータ5の回転駆動力によってスピンベース6を回転させることにより、そのウエハWを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース6とともにウエハWの中心軸線まわりに回転させることができる。   The spin chuck 2 is provided at substantially equal intervals at a plurality of locations on the periphery of the spin motor 6, a disc-shaped spin base 6 that is rotated around the vertical axis by the rotational driving force of the spin motor 5, And a plurality of clamping members 7 for clamping the wafer W in a substantially horizontal posture. As a result, the spin chuck 2 rotates the spin base 6 by the rotational driving force of the spin motor 5 in a state where the wafer W is held by the plurality of holding members 7, so that the wafer W is placed in a substantially horizontal posture. In this state, it can be rotated around the central axis of the wafer W together with the spin base 6.

なお、スピンチャック2としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハWの裏面を真空吸着することにより、ウエハWを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
二流体ノズル3には、処理液供給源からの処理液が供給される処理液供給管(処理液供給手段)8と、窒素ガス供給源からの加圧された窒素ガスが供給される窒素ガス供給管(気体供給管)9とが接続されている。処理液供給管8の途中部には、処理液バルブ10が介装されている。一方、窒素ガス供給管9の途中部には、窒素ガスバルブ11が介装されている。処理液バルブ(処理液供給手段)10および窒素ガスバルブ(気体供給手段)11が開かれると、処理液供給管8および窒素ガス供給管9をそれぞれ処理液および窒素ガスが流通し、それらが二流体ノズル3に供給される。そして、二流体ノズル3で処理液の液体と窒素ガスとが混合されて、処理液が微細な液滴となり、この液滴が噴流となって、二流体ノズル3からスピンチャック2に保持されたウエハWの表面に向けて吐出される。
Note that the spin chuck 2 is not limited to the sandwiching type, and for example, the wafer W is held in a horizontal posture by vacuum-sucking the back surface of the wafer W, and further rotated around the vertical rotation axis in that state. Thus, a vacuum chucking type (vacuum chuck) that can rotate the held wafer W may be employed.
The two-fluid nozzle 3 is supplied with a processing liquid supply pipe (processing liquid supply means) 8 to which a processing liquid from a processing liquid supply source is supplied, and a nitrogen gas to which pressurized nitrogen gas is supplied from a nitrogen gas supply source. A supply pipe (gas supply pipe) 9 is connected. A processing liquid valve 10 is interposed in the middle of the processing liquid supply pipe 8. On the other hand, a nitrogen gas valve 11 is interposed in the middle of the nitrogen gas supply pipe 9. When the processing liquid valve (processing liquid supply means) 10 and the nitrogen gas valve (gas supply means) 11 are opened, the processing liquid and nitrogen gas flow through the processing liquid supply pipe 8 and the nitrogen gas supply pipe 9, respectively. It is supplied to the nozzle 3. Then, the liquid of the processing liquid and the nitrogen gas are mixed by the two-fluid nozzle 3, and the processing liquid becomes fine droplets, which are jetted and held by the spin chuck 2 from the two-fluid nozzle 3. It is discharged toward the surface of the wafer W.

また、スピンチャック2の側方には、回動軸12が鉛直方向にほぼ沿って配置されており、その回動軸12の上端部からほぼ水平に延びたアーム13の先端部に取り付けられている。回動軸12には、この回動軸12を中心軸線まわりに所定の角度範囲内で回動させる二流体ノズル駆動機構14が結合されている。二流体ノズル駆動機構14から回動軸12に駆動力を入力して、回動軸12を所定の角度範囲内で回動させることにより、スピンチャック2に保持されたウエハWの上方でアーム13を揺動させることができ、これにともなって、スピンチャック2に保持されたウエハWの表面上で、二流体ノズル3からの液滴の噴流の供給位置をスキャン(移動)させることができる。   Further, a rotation shaft 12 is disposed substantially along the vertical direction on the side of the spin chuck 2 and is attached to the tip of an arm 13 extending substantially horizontally from the upper end of the rotation shaft 12. Yes. The rotary shaft 12 is coupled to a two-fluid nozzle drive mechanism 14 that rotates the rotary shaft 12 around a central axis within a predetermined angle range. A driving force is input from the two-fluid nozzle driving mechanism 14 to the rotating shaft 12 and the rotating shaft 12 is rotated within a predetermined angular range, whereby the arm 13 is positioned above the wafer W held by the spin chuck 2. Accordingly, the supply position of the jet of droplets from the two-fluid nozzle 3 can be scanned (moved) on the surface of the wafer W held by the spin chuck 2.

DIWノズル4は、たとえば、連続流の状態でDIWを吐出するストレートノズルであり、スピンチャック2の上方で、その吐出口をウエハWの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。このDIWノズル4には、DIW供給源からのDIWが供給されるDIW供給管15が接続されている。DIW供給管15の途中部には、DIWノズル4からのDIWの吐出/吐出停止を切り換えるためのDIWバルブ16が介装されている。   The DIW nozzle 4 is, for example, a straight nozzle that discharges DIW in a continuous flow state, and is fixedly disposed above the spin chuck 2 with its discharge port directed toward the vicinity of the rotation center of the wafer W. A DIW supply pipe 15 to which DIW from a DIW supply source is supplied is connected to the DIW nozzle 4. A DIW valve 16 for switching the discharge / discharge stop of DIW from the DIW nozzle 4 is interposed in the middle of the DIW supply pipe 15.

図2は、二流体ノズル3の構成を示す図解的な側面図である。図3は、二流体ノズル3の構成を示す図解的な縦断面図である。二流体ノズル3の構成を示す図解的な断面図である。二流体ノズル3は、いわゆる外部混合型二流体ノズルの構成を有しており、ケーシング外で処理液(洗浄液)に窒素ガスを衝突させて処理液の液滴を生成することができる。
二流体ノズル3は、ほぼ円柱状の外形を有しており、ケーシングを構成する外筒(第2筒体)20と、外筒20に内嵌された内筒(第1筒体)21と、外筒20の基端部(後述する処理液吐出口28側の端部と反対側の端部。図2および図3に示す上端部)側で、内筒21に外嵌されて、内筒21を外筒20に固定するための固定ナット23とを含む。内筒21、外筒20および固定ナット23は、中心軸Lを共有する同軸状に配置されている。
FIG. 2 is a schematic side view showing the configuration of the two-fluid nozzle 3. FIG. 3 is a schematic longitudinal sectional view showing the configuration of the two-fluid nozzle 3. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a two-fluid nozzle 3. FIG. The two-fluid nozzle 3 has a configuration of a so-called external mixing type two-fluid nozzle, and can generate a droplet of the processing liquid by colliding nitrogen gas with the processing liquid (cleaning liquid) outside the casing.
The two-fluid nozzle 3 has a substantially cylindrical outer shape, and includes an outer cylinder (second cylinder) 20 constituting a casing, and an inner cylinder (first cylinder) 21 fitted in the outer cylinder 20. The outer cylinder 20 is externally fitted to the inner cylinder 21 on the side of the base end (the end opposite to the end on the processing liquid discharge port 28 side to be described later, the upper end shown in FIGS. 2 and 3). And a fixing nut 23 for fixing the cylinder 21 to the outer cylinder 20. The inner cylinder 21, the outer cylinder 20, and the fixing nut 23 are arranged coaxially sharing the central axis L.

内筒21は、その基端部(後述する処理液吐出口28側の端部と反対側の端部。図2および図3に示す上端部)から長さ方向の中間部に至る比較的大径の外径を有する大径円筒部24と、大径円筒部24に軸方向に連続して、長さ方向の中間部から先端部(処理液吐出口28側の端部)に至る比較的小径の外径を有する小径円筒部25と、先端部近傍において、小径円筒部25の外周面から径方向外方に向けて張り出すフランジ26とを一体に備えている。大径円筒部24の外周には、その基端部(後述する処理液吐出口28側の端部と反対側の端部。図2および図3に示す上端部)以外のほぼ全域に雄ねじ36が形成されている。   The inner cylinder 21 is relatively large from the base end portion (the end portion on the opposite side to the end portion on the processing liquid discharge port 28 side described later; the upper end portion shown in FIGS. 2 and 3) to the intermediate portion in the length direction. A large-diameter cylindrical portion 24 having an outer diameter, and a large-diameter cylindrical portion 24 that is continuous in the axial direction from the intermediate portion in the length direction to the distal end portion (end portion on the treatment liquid discharge port 28 side). A small-diameter cylindrical portion 25 having a small outer diameter and a flange 26 projecting radially outward from the outer peripheral surface of the small-diameter cylindrical portion 25 in the vicinity of the distal end portion are integrally provided. On the outer periphery of the large-diameter cylindrical portion 24, a male screw 36 is provided in almost the entire region except for the base end portion (the end portion on the opposite side to the end portion on the processing liquid discharge port 28 side described later. The upper end portion shown in FIGS. Is formed.

内筒21の内部空間は、直線状の処理液流路(処理液流路)27となっている。処理液流路27は、内筒21の先端(図2および図3に示す下端)で、処理液吐出口(処理液吐出口)28として円形に開口している。内筒21により、処理液流路27は中心軸Lに沿う直線状に規制され、処理液吐出口28から、この直線(中心軸L)に沿う方向に処理液が吐出される。ウエハWの処理時には、中心軸LがウエハWの表面に垂直になるように、二流体ノズル3が配置される。   The internal space of the inner cylinder 21 is a linear processing liquid flow path (processing liquid flow path) 27. The processing liquid flow path 27 is circularly opened as a processing liquid discharge port (processing liquid discharge port) 28 at the tip of the inner cylinder 21 (the lower end shown in FIGS. 2 and 3). The inner cylinder 21 regulates the processing liquid flow path 27 in a straight line along the central axis L, and the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge port 28 in a direction along the straight line (central axis L). At the time of processing the wafer W, the two-fluid nozzle 3 is arranged so that the central axis L is perpendicular to the surface of the wafer W.

内筒21の基端部(図2および図3に示す上端部)側には、継手部材29が取り付けられている。継手部材29の内部には、処理液流路27と連通する処理液供給路30が形成されている。継手部材29は、略円筒状をなしている。継手部材29の一端部(図2および図3で示す下端部)には、内筒21の基端面(図2および図3に示す上端面)に形成された雌ねじ孔55と螺合する雄ねじ部32が形成されている。処理液供給路30は、継手部材29の他端部(図2および図3に示す上端部)で、処理液導入口33として開口している。処理液導入口33には、処理液供給管8の先端部が接続されている。処理液供給管8からの処理液は、処理液導入口33を通して、処理液供給路30および処理液流路27に供給されるようになっている。継手部材29の他端部には、継手部材29を処理液供給管8に固定するための雄ねじ部35が形成されている。   A joint member 29 is attached to the proximal end portion (upper end portion shown in FIGS. 2 and 3) of the inner cylinder 21. A treatment liquid supply path 30 communicating with the treatment liquid flow path 27 is formed inside the joint member 29. The joint member 29 has a substantially cylindrical shape. A male threaded portion that engages with a female threaded hole 55 formed in the base end surface (the upper end surface illustrated in FIGS. 2 and 3) of the inner cylinder 21 at one end (the lower end illustrated in FIGS. 2 and 3) of the joint member 29. 32 is formed. The processing liquid supply path 30 opens as a processing liquid inlet 33 at the other end of the joint member 29 (upper end shown in FIGS. 2 and 3). The processing liquid inlet 33 is connected to the tip of the processing liquid supply pipe 8. The processing liquid from the processing liquid supply pipe 8 is supplied to the processing liquid supply path 30 and the processing liquid flow path 27 through the processing liquid inlet 33. A male thread portion 35 for fixing the joint member 29 to the processing liquid supply pipe 8 is formed at the other end of the joint member 29.

外筒20の内周の基端部には、雄ねじ36に螺合する雌ねじ37が形成されている。外筒20と内筒21とはねじ嵌合により連結されている。
外筒20は、ほぼ一定の内径を有している。一方、内筒21の小径円筒部25は、外筒20の内径より小さな外径を有している。そのため、小径円筒部25の外壁と外筒20の内壁との間には、中心軸Lを中心とした略円筒状の間隙である円筒流路38が形成されている。
A female screw 37 that is screwed into the male screw 36 is formed at the proximal end portion of the inner periphery of the outer cylinder 20. The outer cylinder 20 and the inner cylinder 21 are connected by screw fitting.
The outer cylinder 20 has a substantially constant inner diameter. On the other hand, the small diameter cylindrical portion 25 of the inner cylinder 21 has an outer diameter smaller than the inner diameter of the outer cylinder 20. Therefore, a cylindrical flow path 38 is formed between the outer wall of the small diameter cylindrical portion 25 and the inner wall of the outer cylinder 20 as a substantially cylindrical gap with the central axis L as the center.

外筒20の長さ方向中間部には、円筒流路38に連通した気体導入口39が形成されている。気体導入口39は、外筒20の内外面を貫通する貫通孔である。この気体導入口39の内周には雌ねじ40が形成されている。窒素ガス配管34は、L字型の配管であり、その一端部(図3に示す右端部)が気体導入口39に接続され、その他端部(図3に示す上端部)は、窒素ガス供給管9の先端部に接続されている。窒素ガス配管34の一端部の外周には、気体導入口39の雌ねじ40と螺合する雄ねじ41が形成されている。つまり、窒素ガス配管34は、外筒20にねじ固定されている。窒素ガス配管34の内部空間と円筒流路38とは連通しており、窒素ガス配管34から気体導入口39を介して、円筒流路38に窒素ガスを導入できるようになっている。窒素ガス配管34の他端部の外周には、窒素ガス供給管9の先端部に接続するための雄ねじ42が形成されている。   A gas introduction port 39 communicating with the cylindrical flow path 38 is formed in the middle portion in the longitudinal direction of the outer cylinder 20. The gas introduction port 39 is a through hole that penetrates the inner and outer surfaces of the outer cylinder 20. A female screw 40 is formed on the inner periphery of the gas introduction port 39. The nitrogen gas pipe 34 is an L-shaped pipe, one end (right end shown in FIG. 3) is connected to the gas inlet 39, and the other end (upper end shown in FIG. 3) is nitrogen gas supply. Connected to the tip of the tube 9. On the outer periphery of one end of the nitrogen gas pipe 34, a male screw 41 that is screwed with the female screw 40 of the gas introduction port 39 is formed. That is, the nitrogen gas pipe 34 is screwed to the outer cylinder 20. The internal space of the nitrogen gas pipe 34 and the cylindrical flow path 38 communicate with each other, and nitrogen gas can be introduced into the cylindrical flow path 38 from the nitrogen gas pipe 34 through the gas inlet 39. On the outer periphery of the other end of the nitrogen gas pipe 34, a male screw 42 for connecting to the tip of the nitrogen gas supply pipe 9 is formed.

内筒21の処理液吐出口28側に設けられたフランジ26には、中心軸L方向にフランジ26を貫通する気流方向変換流路49が形成されている。
外筒20の先端部(処理液吐出口28側の端部)は、先端に向かうに従って内径が小さくなるテーパ状の内壁面を有する遮蔽部43となっている。この遮蔽部43の外壁面は、処理液吐出口28および気体吐出口44を取り囲み、中心軸Lと直交する円筒面からなる先端面45と、外筒20の外周面および先端面45に接続されて、先端面45に向かうに従って外径が小さくなる底面視円筒状のテーパ面46とを備えている。
The flange 26 provided on the inner cylinder 21 on the treatment liquid discharge port 28 side is formed with an airflow direction changing flow path 49 penetrating the flange 26 in the central axis L direction.
The tip of the outer cylinder 20 (the end on the treatment liquid discharge port 28 side) is a shielding part 43 having a tapered inner wall surface whose inner diameter becomes smaller toward the tip. The outer wall surface of the shielding portion 43 surrounds the treatment liquid discharge port 28 and the gas discharge port 44 and is connected to a front end surface 45 formed of a cylindrical surface orthogonal to the central axis L, and an outer peripheral surface and a front end surface 45 of the outer cylinder 20. And a tapered surface 46 having a cylindrical shape as viewed from the bottom, the outer diameter of which decreases toward the front end surface 45.

中心軸L方向に関して、フランジ26の先端からは短筒部47が突出している。すなわち、内筒21の先端部(処理液吐出口28側の端部)は短筒部47となっている。短筒部47は、遮蔽部43のほぼ中心に配置されている。遮蔽部43の内径は短筒部47の外径より大きい。遮蔽部43と短筒部47との間には、中心軸Lを取り囲む略円筒状の間隙である旋回流形成流路48が形成されている。旋回流形成流路48は、処理液吐出口28のまわりに円環状の気体吐出口44として開口している。   A short cylindrical portion 47 protrudes from the tip of the flange 26 with respect to the direction of the central axis L. That is, the distal end portion (end portion on the processing liquid discharge port 28 side) of the inner cylinder 21 is a short cylinder portion 47. The short cylinder portion 47 is disposed substantially at the center of the shielding portion 43. The inner diameter of the shielding part 43 is larger than the outer diameter of the short cylinder part 47. Between the shielding part 43 and the short cylinder part 47, a swirl flow forming channel 48 which is a substantially cylindrical gap surrounding the central axis L is formed. The swirl flow forming channel 48 is opened as an annular gas discharge port 44 around the treatment liquid discharge port 28.

円筒流路38、気流方向変換流路49および旋回流形成流路48は、互いに連通しており、これらの流路38,49,48により、気体流路50が形成されている。気流方向変換流路49から旋回流形成流路48に導かれた窒素ガスは、中心軸L(処理液流路27)のまわりを旋回するように流れ、気体吐出口44へと導かれる。旋回流形成流路48において、窒素ガスが処理液流路27のまわりに旋回するように流れることにより、気体吐出口44から吐出される窒素ガスは、気体吐出口44付近で渦巻き気流を形成する。窒素ガスの渦巻き気流は、処理液吐出口28から中心軸Lに沿って吐出される処理液を取り囲むように形成される。   The cylindrical flow path 38, the airflow direction changing flow path 49, and the swirl flow forming flow path 48 are in communication with each other, and the gas flow path 50 is formed by these flow paths 38, 49, and 48. The nitrogen gas guided from the airflow direction changing flow path 49 to the swirl flow forming flow path 48 flows so as to swirl around the central axis L (the treatment liquid flow path 27), and is guided to the gas discharge port 44. In the swirl flow forming flow channel 48, the nitrogen gas flows so as to swirl around the treatment liquid flow channel 27, so that the nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 forms a swirl airflow in the vicinity of the gas discharge port 44. . The swirling air flow of nitrogen gas is formed so as to surround the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port 28 along the central axis L.

そして、処理液供給管8から処理液流路27に処理液が供給されるとともに、窒素ガス供給管9から窒素ガス配管34に窒素ガスが供給されると、処理液吐出口28から外部空間に処理液が吐出されるとともに、気体吐出口44から外部空間に窒素ガスが吐出される。すると、外部空間において、処理液と窒素ガスとが衝突して混合され、処理液が微細な液滴となり、その液滴が形成される。そして、この処理液の液滴が噴流となって、ウエハWの表面に吐出される。   When the processing liquid is supplied from the processing liquid supply pipe 8 to the processing liquid flow path 27 and nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply pipe 9 to the nitrogen gas pipe 34, the processing liquid discharge port 28 leads to the external space. While the processing liquid is discharged, nitrogen gas is discharged from the gas discharge port 44 to the external space. Then, the treatment liquid and the nitrogen gas collide and mix in the external space, and the treatment liquid becomes fine droplets, and the droplets are formed. Then, the droplets of the processing liquid become jets and are discharged onto the surface of the wafer W.

気体吐出口44から吐出される窒素ガスは、気体吐出口44の接線方向の成分を有する方向に進む。そして、二流体ノズル3から窒素ガスとともにウエハW上に運ばれる処理液の液滴流の輪郭は、処理液吐出口28の近傍に形成される絞り部Fを有している。絞り部Fは、処理液の吐出方向に直交する横断面の面積(略円形断面の径)が、処理液の吐出方向に沿う各部で最も小さくなる部分である。二流体ノズル3からの液滴流の輪郭は、絞り部Fからスピンチャック2に保持されたウエハWの表面に向かうに従って拡開する。二流体ノズル3から噴射される処理液の液滴の主たる進行方向(渦巻き気流の中心軸方向)は、ウエハWに対してほぼ垂直である。   The nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 proceeds in a direction having a tangential component of the gas discharge port 44. The outline of the droplet flow of the processing liquid carried on the wafer W together with the nitrogen gas from the two-fluid nozzle 3 has a constricted portion F formed in the vicinity of the processing liquid discharge port 28. The narrowed portion F is a portion where the cross-sectional area orthogonal to the processing liquid discharge direction (substantially circular cross-sectional diameter) is the smallest in each part along the processing liquid discharge direction. The contour of the droplet flow from the two-fluid nozzle 3 expands from the narrowed portion F toward the surface of the wafer W held by the spin chuck 2. The main traveling direction of liquid droplets of the processing liquid ejected from the two-fluid nozzle 3 (the central axis direction of the spiral airflow) is substantially perpendicular to the wafer W.

固定ナット23は、内筒21の雄ねじ36と螺合する雌ねじ孔31を有している。この固定ナット23は、円筒状に形成されており、その外径は、外筒20の外径とほぼ同径である。固定ナット23を内筒21の雄ねじ36に対してねじ込み、外筒20の基端部側から、固定ナット23を外筒20に対して締め付けることによって、外筒20を内筒21に確実に固定することができる。そして、雄ねじ36に対する外筒20のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置を調節することができる。   The fixing nut 23 has a female screw hole 31 to be screwed with the male screw 36 of the inner cylinder 21. The fixing nut 23 is formed in a cylindrical shape, and its outer diameter is substantially the same as the outer diameter of the outer cylinder 20. The fixing nut 23 is screwed into the male screw 36 of the inner cylinder 21, and the fixing nut 23 is fastened to the outer cylinder 20 from the base end side of the outer cylinder 20, so that the outer cylinder 20 is securely fixed to the inner cylinder 21. can do. And the position of the axial direction of the short cylinder part 47 with respect to the shielding part 43 can be adjusted by adjusting the screwing amount of the outer cylinder 20 with respect to the external thread 36.

固定ナット23の外周および外筒20の外周には、周方向に沿うスケール51が付されている。このスケール51は、固定ナット23の外周における外筒20側端部に設けられた目盛り53と、外筒20の外周の基端部に設けられた指標52とを備えている。
外筒20の内筒21に対するねじ込み量によって、外筒20の内筒21に対する回転方向の位置が変化し、指標52の指示位置が変化する。作業者は、指標52が指示する目盛り53を読み取ることによって、外筒20の内筒21に対するねじ込み量を把握でき、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置を把握できる。
A scale 51 along the circumferential direction is attached to the outer periphery of the fixing nut 23 and the outer periphery of the outer cylinder 20. The scale 51 includes a scale 53 provided at the outer cylinder 20 side end portion on the outer periphery of the fixing nut 23 and an index 52 provided on the proximal end portion of the outer cylinder 20 outer periphery.
Depending on the amount of screwing of the outer cylinder 20 into the inner cylinder 21, the position of the outer cylinder 20 in the rotational direction relative to the inner cylinder 21 changes, and the indicated position of the index 52 changes. The operator can grasp the screwing amount of the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21 by reading the scale 53 indicated by the index 52 and can grasp the axial position of the short cylinder part 47 with respect to the shielding part 43.

外筒20を内筒21に対して軸方向に変位させるときは、固定ナット23を緩め(固定ナット23を雄ねじ36に対して回転させ、外筒20から離れるようにし)、外筒20を適当な方向に回転させる。これにより、雄ねじ36も回転され、雄ねじ36の長さ方向に関して雄ねじ36の位置が変化し、内筒21に対する外筒20の位置(高さ)を調整できる。調整後、固定ナット23を外筒20に向かって締め付けることにより、雄ねじ36が外筒20に対して動かないようにすることができる。これにより、短筒部47が遮蔽部43に対して中心軸Lに沿って変位可能なように、内筒21と外筒20とが互いに固定されている。   When the outer cylinder 20 is displaced in the axial direction with respect to the inner cylinder 21, the fixing nut 23 is loosened (the fixing nut 23 is rotated with respect to the male screw 36 so as to be separated from the outer cylinder 20), and the outer cylinder 20 is appropriately Rotate in any direction. Thereby, the male screw 36 is also rotated, the position of the male screw 36 is changed in the length direction of the male screw 36, and the position (height) of the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21 can be adjusted. After the adjustment, the male screw 36 can be prevented from moving with respect to the outer cylinder 20 by tightening the fixing nut 23 toward the outer cylinder 20. Accordingly, the inner cylinder 21 and the outer cylinder 20 are fixed to each other so that the short cylinder portion 47 can be displaced along the central axis L with respect to the shielding portion 43.

内筒21と外筒20との間に区画された気体流路50を流通した窒素ガスが、短筒部47と遮蔽部43との間に区画された気体吐出口44から吐出される。短筒部47が遮蔽部43に対して中心軸Lに沿って変位すると、気体吐出口44から吐出される窒素ガスの渦巻き気流の態様が変化し、気体吐出口44から絞り部Fまでの距離が変化する。その結果、二流体ノズル3から吐出される液滴の噴霧状態が変化する。   Nitrogen gas flowing through the gas flow path 50 defined between the inner cylinder 21 and the outer cylinder 20 is discharged from the gas discharge port 44 defined between the short cylinder part 47 and the shielding part 43. When the short cylindrical portion 47 is displaced along the central axis L with respect to the shielding portion 43, the mode of the swirling airflow of nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 changes, and the distance from the gas discharge port 44 to the throttle portion F Changes. As a result, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle 3 changes.

図4は、この基板処理装置1の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置1はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置60を備えている。制御装置60には、スピンモータ5、二流体ノズル駆動機構14、窒素ガスバルブ11、処理液バルブ10およびDIWバルブ16が制御対象として接続されている。
たとえば、基板処理装置1内に二流体ノズル3を新規に取り付ける際、および二流体ノズル3の交換の際に、二流体ノズル3の液滴の噴霧状態の調整が行なわれる。具体的には、作業者が手作業で外筒20を内筒21に対して締め込み/緩めることにより、外筒20の内筒21に対する高さ位置を調節して、二流体ノズル3から吐出される液滴の噴霧状態の調整が行われる。このとき、作業者は、スケール51を目安にして、外筒20と内筒21との間の位置調節を行う。
FIG. 4 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 1. The substrate processing apparatus 1 further includes a control device 60 having a configuration including a microcomputer. A spin motor 5, a two-fluid nozzle drive mechanism 14, a nitrogen gas valve 11, a processing liquid valve 10, and a DIW valve 16 are connected to the control device 60 as control targets.
For example, when the two-fluid nozzle 3 is newly installed in the substrate processing apparatus 1 and when the two-fluid nozzle 3 is replaced, the droplet spray state of the two-fluid nozzle 3 is adjusted. Specifically, the operator manually adjusts the height position of the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21 by tightening / loosening the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21 and discharging from the two-fluid nozzle 3. Adjustment of the spray state of the droplets to be performed is performed. At this time, the operator adjusts the position between the outer cylinder 20 and the inner cylinder 21 using the scale 51 as a guide.

図5は、基板処理装置1における処理の一例を示す工程図である。
処理対象のウエハWは、搬送ロボット(図示しない)によって処理室(図示しない)に搬入されて(ステップS1)、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック2に保持される。
ウエハWがスピンチャック2に保持された後、制御装置60は、スピンモータ5を駆動して、ウエハWを回転開始させる(ステップS2)。また、制御装置60は、二流体ノズル駆動機構14を制御して、二流体ノズル3がスピンチャック2の側方に設定された待機位置からスピンチャック2に保持されたウエハWの上方に移動される。
FIG. 5 is a process diagram showing an example of processing in the substrate processing apparatus 1.
The wafer W to be processed is loaded into a processing chamber (not shown) by a transfer robot (not shown) (step S1), and held by the spin chuck 2 with its surface facing upward.
After the wafer W is held on the spin chuck 2, the control device 60 drives the spin motor 5 to start rotating the wafer W (step S2). Further, the control device 60 controls the two-fluid nozzle driving mechanism 14 so that the two-fluid nozzle 3 is moved above the wafer W held by the spin chuck 2 from the standby position set on the side of the spin chuck 2. The

ウエハWの回転速度が所定の液処理速度(たとえば、1000rpm)に達すると、制御装置60は、処理液バルブ10および窒素ガスバルブ11を開いて、二流体ノズル3から処理液と窒素ガスとが混合されて生成された液滴の噴流が吐出される。その一方で、二流体ノズル駆動機構14が制御されて、アーム13が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、二流体ノズル3からの液滴の噴流が導かれるウエハWの表面上の供給位置が、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動し、ウエハWの表面の全域に液滴の噴流がむらなく供給される。液滴の噴流がウエハWの表面に衝突するときの衝撃および処理液の化学的な作用(ただし、処理液が薬液であるとき)によって、ウエハWの表面に付着している汚染物質(たとえば、パーティクル)が、ウエハWの表面から取り除かれる(S3:処理液処理)。   When the rotation speed of the wafer W reaches a predetermined liquid processing speed (for example, 1000 rpm), the control device 60 opens the processing liquid valve 10 and the nitrogen gas valve 11, and the processing liquid and nitrogen gas are mixed from the two-fluid nozzle 3. The jet of the generated droplet is discharged. On the other hand, the two-fluid nozzle drive mechanism 14 is controlled to swing the arm 13 within a predetermined angular range. As a result, the supply position on the surface of the wafer W to which the jet of droplets from the two-fluid nozzle 3 is guided moves within an area extending from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus. Then, a jet of droplets is supplied uniformly over the entire surface of the wafer W. Contaminants adhering to the surface of the wafer W (for example, when the processing liquid is a chemical liquid) due to the impact when the droplet jet collides with the surface of the wafer W and the chemical action of the processing liquid (for example, Particles) are removed from the surface of the wafer W (S3: treatment liquid treatment).

噴流供給位置の往復スキャンが所定回数行われると、処理液バルブ10および窒素ガスバルブ11が閉じられて、二流体ノズル3からの液滴の噴流の供給が停止される。そして、二流体ノズル3が、ウエハWの上方からスピンチャック2の側方の待機位置に戻される。
また、制御装置60は、DIWバルブ16を開いて、DIWノズル4からウエハWの表面に向けてDIWを吐出する。ウエハWの表面に供給されたDIWが、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの周縁に向けて流れ、このDIWによってウエハWの上面に付着している処理液が洗い流される(S4:リンス処理)。
When the reciprocating scan of the jet supply position is performed a predetermined number of times, the processing liquid valve 10 and the nitrogen gas valve 11 are closed, and the supply of the jet of droplets from the two-fluid nozzle 3 is stopped. Then, the two-fluid nozzle 3 is returned to the standby position on the side of the spin chuck 2 from above the wafer W.
Further, the control device 60 opens the DIW valve 16 and discharges DIW from the DIW nozzle 4 toward the surface of the wafer W. The DIW supplied to the surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows toward the periphery of the wafer W, and the processing liquid adhering to the upper surface of the wafer W is washed away by this DIW (S4: Rinse treatment).

DIWノズル4によるDIWの吐出開始から所定のリンス処理時間が経過すると、制御装置60は、DIWバルブ16を閉じて、ウエハWへのDIWの供給を停止する。
その後、制御装置60は、スピンチャック2をスピン乾燥回転速度(たとえば2500rpm程度)まで加速する。これにより、DIWによるリンス後のウエハWの表面に付着しているDIWが遠心力で振り切られて、ウエハWが乾燥される(S5:スピンドライ)。
When a predetermined rinsing process time has elapsed from the start of DIW discharge by the DIW nozzle 4, the control device 60 closes the DIW valve 16 and stops the supply of DIW to the wafer W.
Thereafter, the control device 60 accelerates the spin chuck 2 to a spin drying rotation speed (for example, about 2500 rpm). Thereby, DIW adhering to the surface of the wafer W after rinsing with DIW is shaken off by centrifugal force, and the wafer W is dried (S5: spin dry).

スピンドライが所定のスピンドライ時間にわたって行われると、スピンチャック2の回転が停止される(ステップS6)。その後、搬送ロボット(図示しない)によってウエハWが処理室(図示しない)から搬出される(ステップS7)。
以上により、この実施形態によれば、短筒部47が遮蔽部43に対して中心軸Lに沿って変位可能なように、内筒21と外筒20とが互いに固定されている。処理液流路27を流通した処理液は、内筒21の短筒部47に開口した処理液吐出口28から吐出される。また、内筒21と外筒20との間に区画された気体流路50を流通した窒素ガスは、内筒21の短筒部47と外筒20の遮蔽部43との間に区画された気体吐出口44から吐出される。そのため、短筒部47が遮蔽部43に対して中心軸Lに沿って変位すると、気体吐出口44から吐出される窒素ガスの吐出態様が変化し、処理液と窒素ガスとの混合位置や窒素ガスの吐出方向が変化する。その結果、二流体ノズル3から吐出される液滴の噴霧状態も変化する。したがって、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置を調節することにより、二流体ノズル3から吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる。これにより、二流体ノズル3から吐出される液滴を用いて所期の処理をウエハWに施すことができる。
When the spin dry is performed for a predetermined spin dry time, the rotation of the spin chuck 2 is stopped (step S6). Thereafter, the wafer W is unloaded from the processing chamber (not shown) by a transfer robot (not shown) (step S7).
As described above, according to this embodiment, the inner cylinder 21 and the outer cylinder 20 are fixed to each other so that the short cylinder portion 47 can be displaced along the central axis L with respect to the shielding portion 43. The processing liquid that has flowed through the processing liquid flow path 27 is discharged from a processing liquid discharge port 28 that opens in the short cylinder portion 47 of the inner cylinder 21. Further, the nitrogen gas flowing through the gas flow path 50 defined between the inner cylinder 21 and the outer cylinder 20 was partitioned between the short cylinder portion 47 of the inner cylinder 21 and the shielding portion 43 of the outer cylinder 20. It is discharged from the gas discharge port 44. Therefore, when the short cylinder portion 47 is displaced along the central axis L with respect to the shielding portion 43, the discharge mode of the nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 changes, and the mixing position of the treatment liquid and nitrogen gas and nitrogen The gas discharge direction changes. As a result, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle 3 also changes. Therefore, by adjusting the position of the short cylinder portion 47 in the axial direction with respect to the shielding portion 43, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle 3 can be adjusted. As a result, the desired process can be performed on the wafer W using the droplets discharged from the two-fluid nozzle 3.

また、内筒21の外周に雄ねじ36が形成され、外筒20の内周に雌ねじ37が形成されている。雄ねじ36と雌ねじ37とが螺合している。加えて、固定ナット23を雌ねじ37とともに雄ねじ36に螺合して、固定ナット23を外筒20に対して上方側から締め付けて、外筒20を雄ねじ36に固定している。そのため、内筒21に対する外筒20のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置を、簡単に調節することができる。そして、そのねじ込み量の調節後に、固定ナット23を軸方向の基端部側から外筒20に対して締め付けることにより、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置を所望位置に保ったまま、内筒21と外筒20とを互いに確実に固定することができる。   A male screw 36 is formed on the outer periphery of the inner cylinder 21, and a female screw 37 is formed on the inner periphery of the outer cylinder 20. The male screw 36 and the female screw 37 are screwed together. In addition, the fixing nut 23 is screwed to the male screw 36 together with the female screw 37, and the fixing nut 23 is fastened to the outer cylinder 20 from the upper side to fix the outer cylinder 20 to the male screw 36. Therefore, by adjusting the screwing amount of the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21, the axial position of the short cylinder part 47 with respect to the shielding part 43 can be easily adjusted. Then, after adjusting the screwing amount, the fixing nut 23 is tightened with respect to the outer cylinder 20 from the base end side in the axial direction, thereby keeping the axial position of the short cylindrical portion 47 with respect to the shielding portion 43 at a desired position. The inner cylinder 21 and the outer cylinder 20 can be reliably fixed to each other as they are.

図6は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置70の構成を示す概念図である。この第2実施形態において、図1〜図5に示す実施形態(第1実施形態)に示された各部に対応する部分には、第1実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。また、この図6に示す基板処理装置70が、第1実施形態に係る基板処理装置1と大きく相違する点は、ウエハWの表面に付着したパーティクル(異物)の量を検出するためのパーティクルカウンタ(異物量検出手段)71を備えた点、および二流体ノズル3の内筒21に対して外筒20を昇降させる外筒昇降装置72を備えた点である。   FIG. 6 is a conceptual diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 70 according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, portions corresponding to the respective portions shown in the embodiment (first embodiment) shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and described. Is omitted. The substrate processing apparatus 70 shown in FIG. 6 is greatly different from the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment in that a particle counter for detecting the amount of particles (foreign matter) adhering to the surface of the wafer W. (Foreign matter amount detection means) 71 and a point provided with an outer cylinder lifting device 72 for moving the outer cylinder 20 up and down with respect to the inner cylinder 21 of the two-fluid nozzle 3.

パーティクルカウンタ71は、ウエハWの表面に存在する粒子状の異物であるパーティクルの数を検出するための装置であり、ウエハW表面の所定位置におけるパーティクルが検出対象になる。
また、第2実施形態に係る基板処理装置70では、窒素ガス供給管9における窒素ガスバルブ11の下流側に、圧力センサ73および自動流量調節バルブ74が、窒素ガスバルブ11側からこの順で介装されている。自動流量調節バルブ74によって、窒素ガス供給管9から二流体ノズル3(気体流路50)に供給される窒素ガスの流量が常に一定に保たれている。また、圧力センサ73によって窒素ガス供給管9を流通する窒素ガス、すなわち二流体ノズル3に導入される窒素ガスの圧力が検出されるようになっている。
The particle counter 71 is a device for detecting the number of particles that are particulate foreign substances existing on the surface of the wafer W, and particles at a predetermined position on the surface of the wafer W are to be detected.
In the substrate processing apparatus 70 according to the second embodiment, the pressure sensor 73 and the automatic flow rate adjustment valve 74 are interposed in this order from the nitrogen gas valve 11 side on the downstream side of the nitrogen gas valve 11 in the nitrogen gas supply pipe 9. ing. The flow rate of the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply pipe 9 to the two-fluid nozzle 3 (gas flow path 50) is always kept constant by the automatic flow rate adjusting valve 74. Further, the pressure sensor 73 detects the pressure of the nitrogen gas flowing through the nitrogen gas supply pipe 9, that is, the nitrogen gas introduced into the two-fluid nozzle 3.

遮蔽部43に対して短筒部47が変位すると、気体吐出口44から吐出される窒素ガスの圧力が変化する。このとき、二流体ノズル3に導入される窒素ガスの流量が一定に保たれているので、気体流路50内の圧力は変化する。すなわち、気体吐出口44からの窒素ガスの圧力が相対的に高いときは、気体流路50内の圧力は相対的に高くなり、その結果、圧力センサ73の検出値は比較的高い値を示す。また、気体吐出口44からの窒素ガスの圧力が相対的に低いときは、気体流路50内の圧力は相対的に低くなり、その結果、圧力センサ73の検出値は比較的低い値を示す。すなわち、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向位置と圧力センサ73との間には、一定の関係がある。   When the short cylinder portion 47 is displaced with respect to the shielding portion 43, the pressure of the nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 changes. At this time, since the flow rate of the nitrogen gas introduced into the two-fluid nozzle 3 is kept constant, the pressure in the gas flow path 50 changes. That is, when the pressure of nitrogen gas from the gas discharge port 44 is relatively high, the pressure in the gas flow path 50 becomes relatively high, and as a result, the detection value of the pressure sensor 73 shows a relatively high value. . Further, when the pressure of the nitrogen gas from the gas discharge port 44 is relatively low, the pressure in the gas flow path 50 becomes relatively low, and as a result, the detection value of the pressure sensor 73 shows a relatively low value. . That is, there is a certain relationship between the axial position of the short cylinder portion 47 with respect to the shielding portion 43 and the pressure sensor 73.

二流体ノズル3の退避位置(図7に破線で図示)には、有底容器からなるプリディスペンスポッド(図示しない)がその開口部を上方に向けた状態で配置されている。プリディスペンスポッドは、二流体ノズル3に残留して劣化した処理液を廃液するために用いられるものである。また、二流体ノズル3の退避位置(図7に破線で図示)には、外筒昇降装置72が配置されている。この外筒昇降装置72は、外筒20の内筒21に対するねじ込み量を調節するものである。   At the retracted position of the two-fluid nozzle 3 (shown by a broken line in FIG. 7), a pre-dispens pod (not shown) made of a bottomed container is disposed with its opening facing upward. The pre-dispens pod is used to waste the processing liquid remaining in the two-fluid nozzle 3 and deteriorating. In addition, an outer cylinder lifting device 72 is disposed at a retracted position of the two-fluid nozzle 3 (shown by a broken line in FIG. 7). The outer cylinder lifting device 72 adjusts the screwing amount of the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21.

図7は、外筒昇降装置72の構成を示す図である。外筒昇降装置72は、異なる上下方向の高さ位置を有する上ハンド75、中ハンド76および下ハンド77を備えている。
上ハンド75は、短い円柱状をなしている。上ハンド75には、上ハンド75を水平方向に移動させるための上ハンド移動機構78が結合されている。この上ハンド75は、退避位置にある二流体ノズル3の内筒21の外周基端部に圧接して、内筒21を回転不能に固定するためのものである。
FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the outer cylinder lifting device 72. The outer cylinder lifting device 72 includes an upper hand 75, a middle hand 76, and a lower hand 77 having different height positions in the vertical direction.
The upper hand 75 has a short cylindrical shape. An upper hand moving mechanism 78 for moving the upper hand 75 in the horizontal direction is coupled to the upper hand 75. The upper hand 75 is for pressing the outer base end portion of the inner cylinder 21 of the two-fluid nozzle 3 in the retracted position to fix the inner cylinder 21 so as not to rotate.

中ハンド76は、短い円柱状をなしている。中ハンド76には、中ハンド76を水平方向に移動させるための中ハンド移動機構79が結合されている。また、中ハンド76には、中ハンド76をその中心軸線周りに回転させるための中ハンド回転駆動機構80が結合されている。この中ハンド76は、退避位置にある二流体ノズル3の固定ナット23の外周と接触して、固定ナット23を内筒21に対して回転させるためのものである。   The middle hand 76 has a short cylindrical shape. A middle hand moving mechanism 79 for moving the middle hand 76 in the horizontal direction is coupled to the middle hand 76. Further, the middle hand 76 is coupled with a middle hand rotation drive mechanism 80 for rotating the middle hand 76 about its central axis. The middle hand 76 is for contacting the outer periphery of the fixing nut 23 of the two-fluid nozzle 3 in the retracted position to rotate the fixing nut 23 relative to the inner cylinder 21.

下ハンド77は、短い円柱状をなしている。下ハンド77の外周には、グリップが配置されている。下ハンド77には、下ハンド77を水平方向に移動させるための下ハンド移動機構81が結合されている。また、下ハンド77には、下ハンド77をその中心軸線周りに回転させるための下ハンド回転駆動機構82が結合されている。この下ハンド77は、退避位置にある二流体ノズル3の外筒20の外周と接触して、外筒20を内筒21に対して回転させるためのものである。   The lower hand 77 has a short cylindrical shape. A grip is disposed on the outer periphery of the lower hand 77. The lower hand 77 is coupled to a lower hand moving mechanism 81 for moving the lower hand 77 in the horizontal direction. Further, the lower hand 77 is coupled with a lower hand rotation drive mechanism 82 for rotating the lower hand 77 around its central axis. The lower hand 77 is in contact with the outer periphery of the outer cylinder 20 of the two-fluid nozzle 3 in the retracted position, and rotates the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21.

上ハンド移動機構78によって、上ハンド75が二流体ノズル3の内筒21に向けて移動される。そして、上ハンド75の外周が、内筒21の外周に圧接されることにより、内筒21が回転不能な状態とされる。
また、中ハンド76は、中ハンド移動機構79により、固定ナット23に向けて移動され、中ハンド76の外周が固定ナット23の外周に接触する。そして、内筒21が回転不能とされた状態で、中ハンド回転駆動機構80によって中ハンド76が中心軸線まわりに回転されることにより、固定ナット23が回転する。雄ねじ36に固定されている固定ナット23が所定の緩み方向に回転されることにより、固定ナット23を緩めることができる。
The upper hand moving mechanism 78 moves the upper hand 75 toward the inner cylinder 21 of the two-fluid nozzle 3. Then, the outer circumference of the upper hand 75 is brought into pressure contact with the outer circumference of the inner cylinder 21 so that the inner cylinder 21 cannot be rotated.
The middle hand 76 is moved toward the fixed nut 23 by the middle hand moving mechanism 79, and the outer periphery of the middle hand 76 contacts the outer periphery of the fixed nut 23. In a state where the inner cylinder 21 is not rotatable, the middle hand 76 is rotated around the central axis by the middle hand rotation drive mechanism 80, whereby the fixing nut 23 is rotated. The fixing nut 23 can be loosened by rotating the fixing nut 23 fixed to the male screw 36 in a predetermined loosening direction.

また、下ハンド77は、下ハンド移動機構81により、外筒20に向けて移動され、下ハンド77の外周が外筒20の外周に接触する。そして、内筒21が回転不能とされた状態で、下ハンド回転駆動機構82によって下ハンド77が中心軸線まわりに回転される。これにより、外筒20も回転し、雄ねじ36の長さ方向に関して雌ねじ37の位置が変化し、内筒21に対する外筒20の軸方向の位置が変化する。   Further, the lower hand 77 is moved toward the outer cylinder 20 by the lower hand moving mechanism 81, and the outer periphery of the lower hand 77 contacts the outer periphery of the outer cylinder 20. Then, the lower hand 77 is rotated around the central axis by the lower hand rotation drive mechanism 82 in a state where the inner cylinder 21 is not rotatable. As a result, the outer cylinder 20 also rotates, the position of the female screw 37 changes in the longitudinal direction of the male screw 36, and the position of the outer cylinder 20 in the axial direction with respect to the inner cylinder 21 changes.

外筒20の位置調整後、中ハンド回転駆動機構80によって固定ナット23が所定の締め付け方向(緩み方向とは逆方向)に回転されることにより、固定ナット23を外筒20に締め付けることができる。
図8は、この基板処理装置70の電気的構成を示すブロック図である。制御装置60には、パーティクルカウンタ71から出力される信号および圧力センサ73から出力される信号が入力されるようになっている。
After adjusting the position of the outer cylinder 20, the fixing nut 23 can be tightened to the outer cylinder 20 by rotating the fixing nut 23 in a predetermined tightening direction (a direction opposite to the loosening direction) by the middle hand rotation drive mechanism 80. .
FIG. 8 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 70. A signal output from the particle counter 71 and a signal output from the pressure sensor 73 are input to the control device 60.

制御装置60には、スピンモータ5、二流体ノズル駆動機構14、処理液バルブ10、窒素ガスバルブ11、DIWバルブ16、上ハンド移動機構78、中ハンド回転駆動機構80、中ハンド移動機構79、下ハンド回転駆動機構82および下ハンド移動機構81が制御対象として接続されている。
制御装置60には記憶部(図示しない)が接続されている。この記憶部には、パーティクルカウンタ71による検出値(パーティクル量)と、窒素ガス配管34に導入される窒素ガスの圧力として設定すべき設定圧力値との対応関係を表す検出パーティクル量−設定圧力値対応テーブル(図示しない)が記憶されている。このテーブルにおける検出値と設定圧力との関係は、検出値が相対的に低いときは、設定圧力値が相対的に大きく、検出値が相対的に高いときは、設定圧力値が相対的に小さい。
The control device 60 includes a spin motor 5, a two-fluid nozzle drive mechanism 14, a processing liquid valve 10, a nitrogen gas valve 11, a DIW valve 16, an upper hand moving mechanism 78, an intermediate hand rotation driving mechanism 80, an intermediate hand moving mechanism 79, and a lower A hand rotation driving mechanism 82 and a lower hand moving mechanism 81 are connected as control targets.
A storage unit (not shown) is connected to the control device 60. In this storage unit, the detected particle amount-set pressure value representing the correspondence between the detected value (particle amount) by the particle counter 71 and the set pressure value to be set as the pressure of the nitrogen gas introduced into the nitrogen gas pipe 34. A correspondence table (not shown) is stored. The relationship between the detected value and the set pressure in this table is that the set pressure value is relatively large when the detected value is relatively low, and the set pressure value is relatively small when the detected value is relatively high. .

図9は、基板処理装置70における処理の一例を示す工程図である。基板処理装置70における処理に際しては、前述の図5の場合と同様、図示しない搬送ロボット(図示しない)によって処理室(図示しない)に搬入されて(ステップS11)、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック2に保持される。
次いで、二流体ノズル3の退避位置において、二流体ノズル3からの液滴の噴霧状態の調整が行われる(ステップS12:二流体ノズル噴霧状態の調整)。
FIG. 9 is a process diagram showing an example of processing in the substrate processing apparatus 70. During the processing in the substrate processing apparatus 70, as in the case of FIG. 5 described above, the substrate is carried into a processing chamber (not shown) by a transfer robot (not shown) (not shown) (step S11) and the surface thereof is directed upward. Is held by the spin chuck 2.
Next, at the retracted position of the two-fluid nozzle 3, the droplet spray state from the two-fluid nozzle 3 is adjusted (step S12: adjustment of the two-fluid nozzle spray state).

図10は、二流体ノズル3の噴霧状態の調整における制御の流れを示すフローチャートである。
ウエハWがスピンチャック2に保持された後、ウエハWの表面に存在するパーティクルの量がパーティクルカウンタ71により検出される(ステップS21)。その検出出力が制御装置60に与えられる。制御装置60は、記憶部(図示しない)に記憶されている検出パーティクル量−設定圧力値対応テーブル(図示しない)を参照し、その検出結果(パーティクルの量)に対応する設定圧力値を取得する(ステップS22)。
FIG. 10 is a flowchart showing the flow of control in adjusting the spray state of the two-fluid nozzle 3.
After the wafer W is held on the spin chuck 2, the amount of particles present on the surface of the wafer W is detected by the particle counter 71 (step S21). The detection output is given to the control device 60. The control device 60 refers to a detected particle amount-set pressure value correspondence table (not shown) stored in a storage unit (not shown), and acquires a set pressure value corresponding to the detection result (particle amount). (Step S22).

また、制御装置60は、処理液バルブ10および窒素ガスバルブ11を開く(ステップS23,ステップS24)。これにより、二流体ノズル3から処理液と窒素ガスとが混合されて生成された液滴の噴流が吐出される。二流体ノズル3から吐出される処理液と窒素ガスとの液滴は、有底容器からなるプリディスペンスポッド(図示しない)の開口部に向けて吐出され、そのプリディスペンスポッド(図示しない)に受け止められた後、廃液される。   Further, the control device 60 opens the processing liquid valve 10 and the nitrogen gas valve 11 (steps S23 and S24). Thereby, a jet of droplets generated by mixing the treatment liquid and nitrogen gas is discharged from the two-fluid nozzle 3. The treatment liquid and nitrogen gas droplets discharged from the two-fluid nozzle 3 are discharged toward an opening of a pre-dispense pod (not shown) made of a bottomed container and received by the pre-dispense pod (not shown). And then drained.

そして、制御装置60は、上ハンド移動機構78、中ハンド回転駆動機構80および下ハンド回転駆動機構82を駆動して、外筒20を内筒21に対してねじ込み/緩めて、外筒20を内筒21に対して昇降させる(ステップS25)。そして、圧力センサ73の検出値が、ステップS22で決定された設定圧力値になるまで中ハンド回転駆動機構80および下ハンド回転駆動機構82による駆動は継続される(ステップS26)。   Then, the control device 60 drives the upper hand moving mechanism 78, the middle hand rotation driving mechanism 80, and the lower hand rotation driving mechanism 82 to screw / unscrew the outer cylinder 20 with respect to the inner cylinder 21, thereby The inner cylinder 21 is moved up and down (step S25). Then, the driving by the middle hand rotation driving mechanism 80 and the lower hand rotation driving mechanism 82 is continued until the detected value of the pressure sensor 73 reaches the set pressure value determined in step S22 (step S26).

検出パーティクル量−設定圧力値対応テーブル(図示しない)における検出値と設定圧力との関係は、検出値が相対的に低いときは、設定圧力値が相対的に大きく、また、検出値が相対的に高いときは、設定圧力値が相対的に小さくされている。そのため、ウエハW表面に付着するパーティクルの量が相対的に多いときは、気体吐出口44から吐出される窒素ガスの圧力が比較的低く、二流体ノズル3(気体吐出口)から吐出される液滴の噴霧状態は液滴の噴霧面積が大きくなるため、異物除去能力が高くなる。また、ウエハW表面に付着するパーティクルの量が相対的に少ないときは、気体吐出口44から吐出される窒素ガスの圧力が比較的高く、二流体ノズル3から吐出される液滴の噴霧状態は液滴の噴霧面積が小さくなるため、ウエハW表面にダメージを与えない状態である。   The relationship between the detected value and the set pressure in the detected particle amount-set pressure value correspondence table (not shown) is that when the detected value is relatively low, the set pressure value is relatively large, and the detected value is relatively When the pressure is high, the set pressure value is relatively small. Therefore, when the amount of particles adhering to the surface of the wafer W is relatively large, the pressure of nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 is relatively low, and the liquid discharged from the two-fluid nozzle 3 (gas discharge port). In the spray state of the droplets, the spray area of the droplets becomes large, so that the foreign matter removing ability is enhanced. When the amount of particles adhering to the surface of the wafer W is relatively small, the pressure of the nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 is relatively high, and the spray state of the droplet discharged from the two-fluid nozzle 3 is Since the spray area of the droplet is small, the surface of the wafer W is not damaged.

そして、圧力センサ73の検出値が、ステップS22で決定された設定圧力値になると(ステップS26でYES)、中ハンド回転駆動機構80および下ハンド回転駆動機構82による駆動を停止させて、外筒20の昇降を停止させ、内筒21と外筒20とを互いに固定する(ステップS27)。
その後、制御装置60は、処理液バルブ10および窒素ガスバルブ11を開じて(ステップS27,S28)、二流体ノズル3の噴霧状態の調整のための制御を終了する。
When the detected value of the pressure sensor 73 reaches the set pressure value determined in step S22 (YES in step S26), the driving by the middle hand rotation driving mechanism 80 and the lower hand rotation driving mechanism 82 is stopped, and the outer cylinder The raising / lowering of 20 is stopped and the inner cylinder 21 and the outer cylinder 20 are mutually fixed (step S27).
Thereafter, the control device 60 opens the processing liquid valve 10 and the nitrogen gas valve 11 (steps S27 and S28), and ends the control for adjusting the spray state of the two-fluid nozzle 3.

再び図9を参照して、二流体ノズル3の噴霧状態の調整(ステップS12)後、制御装置60は、スピンモータ5を駆動して、ウエハWを回転開始させる(ステップS13)。また、制御装置60は、二流体ノズル駆動機構14を制御して、二流体ノズル3がウエハWの上方に移動される。
ウエハWの回転速度が所定の液処理速度(たとえば、1000rpm)に達すると、制御装置60は、処理液バルブ10および窒素ガスバルブ11を開く。これにより、二流体ノズル3から処理液と窒素ガスとが混合されて生成された液滴の噴流が吐出される。また、制御装置60は、二流体ノズル駆動機構14を制御して、アーム13を所定の角度範囲内で揺動させる(S14:処理液処理)。
Referring to FIG. 9 again, after adjusting the spray state of the two-fluid nozzle 3 (step S12), the control device 60 drives the spin motor 5 to start rotating the wafer W (step S13). Further, the control device 60 controls the two-fluid nozzle driving mechanism 14 so that the two-fluid nozzle 3 is moved above the wafer W.
When the rotation speed of the wafer W reaches a predetermined liquid processing speed (for example, 1000 rpm), the control device 60 opens the processing liquid valve 10 and the nitrogen gas valve 11. Thereby, a jet of droplets generated by mixing the treatment liquid and nitrogen gas is discharged from the two-fluid nozzle 3. Further, the control device 60 controls the two-fluid nozzle driving mechanism 14 to swing the arm 13 within a predetermined angle range (S14: treatment liquid treatment).

噴流供給位置の往復スキャンが所定回数行われると、処理液バルブ10および窒素ガスバルブ11が閉じられて、二流体ノズル3からの液滴の噴流の供給が停止される。そして、二流体ノズル3が、ウエハWの上方からスピンチャック2の側方の待機位置に戻される。
また、制御装置60は、DIWバルブ16を開いて、DIWノズル4からウエハWの表面に向けてDIWを吐出する。ウエハWの上面に付着している処理液が、このDIWによって洗い流される(S15:リンス処理)。DIWノズル4によるDIWの吐出開始から所定のリンス処理時間が経過すると、制御装置60は、DIWバルブ16を閉じて、ウエハWへのDIWの供給を停止する。その後、制御装置60は、スピンチャック2をスピン乾燥回転速度(たとえば2500rpm程度)まで加速する。これにより、ウエハWが乾燥される(S16:スピンドライ)。これらステップS13,S14,S15,S16の処理は、それぞれ、図3のステップS2,S3,S4,S5と同様の処理である。
When the reciprocating scan of the jet supply position is performed a predetermined number of times, the processing liquid valve 10 and the nitrogen gas valve 11 are closed, and the supply of the jet of droplets from the two-fluid nozzle 3 is stopped. Then, the two-fluid nozzle 3 is returned to the standby position on the side of the spin chuck 2 from above the wafer W.
Further, the control device 60 opens the DIW valve 16 and discharges DIW from the DIW nozzle 4 toward the surface of the wafer W. The processing liquid adhering to the upper surface of the wafer W is washed away by the DIW (S15: rinsing process). When a predetermined rinsing process time has elapsed from the start of DIW discharge by the DIW nozzle 4, the control device 60 closes the DIW valve 16 and stops the supply of DIW to the wafer W. Thereafter, the control device 60 accelerates the spin chuck 2 to a spin drying rotation speed (for example, about 2500 rpm). Thereby, the wafer W is dried (S16: spin dry). The processes in steps S13, S14, S15, and S16 are the same as steps S2, S3, S4, and S5 in FIG.

スピンドライが所定のスピンドライ時間にわたって行われると、スピンチャック2の回転が停止される(ステップS17)。その後、搬送ロボット(図示しない)によってウエハWが処理室(図示しない)から搬出される(ステップS18)。
この第2実施形態によれば、ウエハW表面に付着しているパーティクルの量が、パーティクルカウンタ71によって検出される。そのため、パーティクルカウンタ71の検出結果に基づいて、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置を調節することができる。したがって、二流体ノズル3の液滴の噴霧状態を、ウエハW表面のパーティクルの量に応じた状態に自動的に調整することができる。
When the spin dry is performed for a predetermined spin dry time, the rotation of the spin chuck 2 is stopped (step S17). Thereafter, the wafer W is unloaded from the processing chamber (not shown) by a transfer robot (not shown) (step S18).
According to the second embodiment, the particle counter 71 detects the amount of particles adhering to the wafer W surface. Therefore, based on the detection result of the particle counter 71, the axial position of the short cylindrical portion 47 with respect to the shielding portion 43 can be adjusted. Therefore, the droplet spray state of the two-fluid nozzle 3 can be automatically adjusted to a state corresponding to the amount of particles on the surface of the wafer W.

遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置が変化すると、二流体ノズル3の気体吐出口44の態様が変化し、気体吐出口44から吐出される窒素ガスの圧力が変化する。たとえば二流体ノズル3に一定流量の窒素ガスが供給される場合は、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置の変化にともなって、気体流路50内の圧力、ひいては窒素ガス供給管9の圧力が変化する。したがって、圧力センサ73の検出出力に基づいて、短筒部47を遮蔽部43に対して中心軸Lに沿って変位させることにより、二流体ノズル3の気体吐出口44の態様を所望の態様に制御することができる。したがって、二流体ノズル3から吐出される液滴の噴霧状態を、ウエハW表面の状態に応じた状態に正確に調整することができる。   When the axial position of the short cylinder portion 47 with respect to the shielding portion 43 changes, the aspect of the gas discharge port 44 of the two-fluid nozzle 3 changes, and the pressure of nitrogen gas discharged from the gas discharge port 44 changes. For example, when a constant flow rate of nitrogen gas is supplied to the two-fluid nozzle 3, the pressure in the gas flow path 50, and thus the nitrogen gas supply pipe, with the change in the axial position of the short cylinder portion 47 with respect to the shielding portion 43. 9 pressure changes. Therefore, the mode of the gas discharge port 44 of the two-fluid nozzle 3 is changed to a desired mode by displacing the short cylindrical portion 47 along the central axis L with respect to the shielding portion 43 based on the detection output of the pressure sensor 73. Can be controlled. Therefore, the spray state of the droplets discharged from the two-fluid nozzle 3 can be accurately adjusted to a state according to the state of the wafer W surface.

図11は、本発明の第3実施形態に係る基板処理装置の二流体ノズル90の構成を示す図解的な側面図である。図12は、二流体ノズル90の構成を示す図解的な縦断面図である。この第3実施形態において、図1〜図5に示す実施形態(第1実施形態)に示された各部に対応する部分には、第1実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。   FIG. 11 is a schematic side view showing the configuration of the two-fluid nozzle 90 of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. FIG. 12 is a schematic longitudinal sectional view showing the configuration of the two-fluid nozzle 90. In the third embodiment, portions corresponding to those shown in the embodiment (first embodiment) shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and will be described. Is omitted.

この図11および図12に示す基板処理装置の二流体ノズル90が、第1実施形態の二流体ノズル3と大きく相違する点は、外筒20に代えて、軸方向に2分割された外筒91が用いられている点である。外筒91は、軸方向の基端側(図11および図12に示す上側)の基端部材92と、軸方向先端側(図11および図12に示す下側)の先端部材93とを備えている。   The two-fluid nozzle 90 of the substrate processing apparatus shown in FIGS. 11 and 12 is greatly different from the two-fluid nozzle 3 of the first embodiment in that the outer cylinder is divided into two in the axial direction instead of the outer cylinder 20. 91 is used. The outer cylinder 91 includes a base end member 92 on the base end side in the axial direction (upper side shown in FIGS. 11 and 12) and a tip member 93 on the front side in the axial direction (lower side shown in FIGS. 11 and 12). ing.

先端部材93は、第1実施形態の二流体ノズル3の外筒20の先端部(図2および図3参照)と同等の構成である。先端部材93は、短筒からなる下筒94と、下筒94の下方に設けられた遮蔽部43と、下筒94の上方に設けられ、基端部材92とねじ連結する雄ねじ部(雄ねじ)95とを備えている。雄ねじ部95は、円筒状に形成されている。雄ねじ部95の外周には、雄ねじが形成されている。雄ねじ部95の内径は下筒94の内径と同径である。雄ねじ部95の外径は下筒94の外径よりも小径にされている。   The tip member 93 has the same configuration as the tip portion (see FIGS. 2 and 3) of the outer cylinder 20 of the two-fluid nozzle 3 of the first embodiment. The distal end member 93 includes a lower cylinder 94 formed of a short cylinder, a shielding part 43 provided below the lower cylinder 94, and a male screw part (male screw) provided above the lower cylinder 94 and screwed to the base end member 92. 95. The male screw part 95 is formed in a cylindrical shape. A male screw is formed on the outer periphery of the male screw portion 95. The inner diameter of the male screw portion 95 is the same as the inner diameter of the lower cylinder 94. The outer diameter of the male screw portion 95 is smaller than the outer diameter of the lower cylinder 94.

基端部材92は、第1実施形態の二流体ノズル3の外筒20における先端部(図2および図3参照)以外の部分と同等の構成である。基端部材92は、上筒96と、上筒96の下方に設けられ、先端部材93とねじ連結する雌ねじ部(雌ねじ)97とを備えている。上筒96は、下筒94と同じ内径および外径を有している。上筒96は、上下方向の途中部に、処理液導入口33を有している。雌ねじ部97は、円筒状に形成されている。雌ねじ部97の外径は、上筒96の外径と同径である。雌ねじ部97の内径は上筒96の内径よりも大径にされている。雌ねじ部97の内周には、先端部材93の雄ねじ部95と螺合する雌ねじが形成されている。   The proximal end member 92 has the same configuration as the portion other than the distal end portion (see FIGS. 2 and 3) in the outer cylinder 20 of the two-fluid nozzle 3 of the first embodiment. The base end member 92 includes an upper tube 96 and a female screw portion (female screw) 97 provided below the upper tube 96 and screw-connected to the distal end member 93. The upper cylinder 96 has the same inner diameter and outer diameter as the lower cylinder 94. The upper cylinder 96 has a processing liquid inlet 33 in the middle in the vertical direction. The female screw portion 97 is formed in a cylindrical shape. The outer diameter of the female screw portion 97 is the same as the outer diameter of the upper tube 96. The internal diameter of the female thread portion 97 is larger than the internal diameter of the upper tube 96. On the inner periphery of the female screw portion 97, a female screw that is screwed with the male screw portion 95 of the tip member 93 is formed.

基端部材92と、先端部材93の下筒94との間には、先端部材93を基端部材92に固定するための下固定ナット98が配置されている。
下固定ナット(固定ナット)98は、基端部材92の雄ねじ部95と螺合する雌ねじ孔99を有している。この下固定ナット98は、円筒状に形成されており、その外径は、上筒96および下筒94の外径とほぼ同じにされている。下固定ナット98を先端部材93の雄ねじ部95に対してねじ込み、基端部材92の基端部側から、下固定ナット98を基端部材92に対して締め付けることによって、先端部材93を基端部材92に固定することができる。そして、雄ねじ部95に対する基端部材92のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部43に対する短筒部47の軸方向の位置を調節することができる。
A lower fixing nut 98 for fixing the distal end member 93 to the proximal end member 92 is disposed between the proximal end member 92 and the lower cylinder 94 of the distal end member 93.
The lower fixing nut (fixing nut) 98 has a female screw hole 99 that is screwed into the male screw portion 95 of the base end member 92. The lower fixing nut 98 is formed in a cylindrical shape, and the outer diameter thereof is substantially the same as the outer diameters of the upper cylinder 96 and the lower cylinder 94. The lower fixing nut 98 is screwed into the male screw portion 95 of the distal end member 93, and the lower fixing nut 98 is tightened against the proximal end member 92 from the proximal end portion side of the proximal end member 92, whereby the distal end member 93 is The member 92 can be fixed. The axial position of the short tube portion 47 relative to the shielding portion 43 can be adjusted by adjusting the screwing amount of the base end member 92 with respect to the male screw portion 95.

先端部材93の下筒94の外周および基端部材92の上筒96の外周には、周方向に沿うスケール100が付されている。なお、この二流体ノズル90では、スケール51が付されていない。
スケール100は、下筒94の外周の基端部に設けられた目盛り102と、基端部材92の上筒96の外周の先端部に設けられた指標101とを備えている。すなわち、スケール100は、図2に示すスケール51と同様の構成である。
A scale 100 along the circumferential direction is attached to the outer periphery of the lower cylinder 94 of the distal end member 93 and the outer periphery of the upper cylinder 96 of the base end member 92. In the two-fluid nozzle 90, the scale 51 is not attached.
The scale 100 includes a scale 102 provided at the proximal end portion of the outer periphery of the lower tube 94 and an index 101 provided at the distal end portion of the outer periphery of the upper tube 96 of the proximal end member 92. That is, the scale 100 has the same configuration as the scale 51 shown in FIG.

第3実施形態によれば、先端部材93を基端部材92に対して中心軸Lに沿って変位させることにより、短筒部47の遮蔽部43に対する軸方向位置を調節することができる。これにより、二流体ノズル90から吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる。
図13は、本発明の第4実施形態に係る基板処理装置の二流体ノズル110の構成を示す図解的な縦断面図である。この第4実施形態において、図1〜図5に示す実施形態(第1実施形態)に示された各部に対応する部分には、第1実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この図13に示す基板処理装置の二流体ノズル110が、第1実施形態の二流体ノズル3と相違する点は、外筒20の遮蔽部43の下側の端面にテーパ面が形成されておらず、遮蔽部43の下側の端面が、中心軸Lと直交する円筒面からなる先端面111だけによって形成されている点である。
According to the third embodiment, the axial position of the short cylindrical portion 47 relative to the shielding portion 43 can be adjusted by displacing the distal end member 93 along the central axis L with respect to the proximal end member 92. Thereby, the spray state of the droplet discharged from the two-fluid nozzle 90 can be adjusted.
FIG. 13 is a schematic longitudinal sectional view showing the configuration of the two-fluid nozzle 110 of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment, parts corresponding to those shown in the embodiment (first embodiment) shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and will be described. Is omitted. The two-fluid nozzle 110 of the substrate processing apparatus shown in FIG. 13 is different from the two-fluid nozzle 3 of the first embodiment in that a tapered surface is formed on the lower end surface of the shielding portion 43 of the outer cylinder 20. In other words, the lower end surface of the shielding portion 43 is formed only by the tip surface 111 formed of a cylindrical surface orthogonal to the central axis L.

図14は、本発明の第5実施形態に係る基板処理装置の二流体ノズル120の構成を示す図解的な縦断面図である。この第5実施形態において、図1〜図5に示す実施形態(第1実施形態)に示された各部に対応する部分には、第1実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この図14に示す基板処理装置の二流体ノズル120が、第1実施形態の二流体ノズル3と相違する点は、外筒20の遮蔽部43の下側の端面が、径方向外方に向かうに従って低くなる底面視円筒状の第1テーパ面121と、第1テーパ面121と連続し、径方向外方に向かうに従って高くなる底面視円筒状の第2テーパ面122とを備えている点である。   FIG. 14 is a schematic longitudinal sectional view showing the configuration of the two-fluid nozzle 120 of the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. In the fifth embodiment, parts corresponding to those shown in the embodiment (first embodiment) shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and will be described. Is omitted. The two-fluid nozzle 120 of the substrate processing apparatus shown in FIG. 14 is different from the two-fluid nozzle 3 of the first embodiment in that the lower end surface of the shielding portion 43 of the outer cylinder 20 faces radially outward. The first tapered surface 121 having a cylindrical shape as viewed from the bottom and the second tapered surface 122 having a cylindrical shape as viewed from the bottom, which is continuous with the first tapered surface 121 and increases in the radial direction, is provided. is there.

以上、この発明の5つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、第2実施形態では、パーティクルカウンタとして、レーザー式のパーティクルカウンタ71を例示したが、これに代えて他のパーティクルカウンタが採用されていてもよい。この場合、ウエハWの表面の全域におけるパーティクルを検出対象とすることもできる。
As mentioned above, although five embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.
For example, in the second embodiment, the laser type particle counter 71 is exemplified as the particle counter, but other particle counters may be employed instead. In this case, particles in the entire surface of the wafer W can be detected.

また、第2実施形態では、パーティクルカウンタ71に代えて、ウエハWの表面におけるパターンの有無を検出するためのセンサ(CCDセンサ)を設けた構成としてもよい。そして、ウエハWの表面におけるパターンの有無に基づいて、二流体ノズル3から吐出される液滴の噴霧状態が変化されるものであってもよい。
また、これらのパーティクルカウンタ71やセンサは、二流体ノズル3の噴霧状態の調整時にだけ処理室(図示しない)内に引き出され、それ以外のときは処理室外に退避させておくこともできる。
In the second embodiment, instead of the particle counter 71, a sensor (CCD sensor) for detecting the presence or absence of a pattern on the surface of the wafer W may be provided. The spray state of the droplets ejected from the two-fluid nozzle 3 may be changed based on the presence or absence of a pattern on the surface of the wafer W.
These particle counters 71 and sensors can be drawn into the processing chamber (not shown) only when the spray state of the two-fluid nozzle 3 is adjusted, and can be retracted outside the processing chamber at other times.

また、第2実施形態を変形して、制御装置60に接続される記憶部(図示しない)に記憶される検出パーティクル量−設定圧力値対応テーブル(図示しない)は、検出圧力値そのものでなく、検出圧力値の閾値が規定された構成であってもよい。
また、第2実施形態では、窒素ガス供給管9に介装されている圧力センサ73を省略することもできる。この場合、制御装置60に接続されている記憶部に、検出パーティクル量−設定圧力値対応テーブルに代えて、パーティクルカウンタ71による検出値(パーティクル量)と、下ハンド回転駆動機構82によって回転させる(ねじ込ませる)べき外筒20(の内筒21に対する)回転量(ねじ込み量)との対応関係を表す検出パーティクル量−回転量対応テーブルを記憶させてもよい。そして、制御装置60は、検出パーティクル量−回転量対応テーブルを参照して、検出結果に対応する回転量を取得し、その回転量に応じて、外筒20をねじ込み/緩めることができる。
Further, the second embodiment is modified so that the detected particle amount-set pressure value correspondence table (not shown) stored in the storage unit (not shown) connected to the control device 60 is not the detected pressure value itself, A configuration in which a threshold value of the detected pressure value is defined may be employed.
In the second embodiment, the pressure sensor 73 interposed in the nitrogen gas supply pipe 9 can be omitted. In this case, instead of the detected particle amount-set pressure value correspondence table, the storage unit connected to the control device 60 is rotated by the detection value (particle amount) by the particle counter 71 and the lower hand rotation drive mechanism 82 ( You may memorize | store the detection particle amount-rotation amount corresponding | compatible table showing the correspondence with the rotation amount (screw amount) with respect to the outer cylinder 20 (with respect to the inner cylinder 21) to be screwed. And the control apparatus 60 can acquire the rotation amount corresponding to a detection result with reference to the detection particle amount-rotation amount correspondence table, and can screw / unscrew the outer cylinder 20 according to the rotation amount.

また、第2実施形態において、二流体ノズル3に代えて、二流体ノズル90,110,120を用いてもよい。第3実施形態の二流体ノズル90を第2実施形態に係る基板処理装置70に適用する場合は、中ハンド76で基端部材92を操作させ、下ハンド77で先端部材93を操作させる構成としてもよい。
また、第3実施形態では、外筒20および内筒21を、互いがたとえば溶接により相対変位不能に固定された構成とすることもできる。この場合、固定ナット23は省略することができる。
In the second embodiment, two-fluid nozzles 90, 110, and 120 may be used instead of the two-fluid nozzle 3. When the two-fluid nozzle 90 of the third embodiment is applied to the substrate processing apparatus 70 according to the second embodiment, the base end member 92 is operated by the middle hand 76 and the tip member 93 is operated by the lower hand 77. Also good.
Moreover, in 3rd Embodiment, the outer cylinder 20 and the inner cylinder 21 can also be set as the structure mutually fixed so that relative displacement was impossible by welding, for example. In this case, the fixing nut 23 can be omitted.

また、第3実施形態において、二流体ノズル90を、先端部材93が基端部材92に外嵌された構成とすることもできる。この場合、基端部材92に雄ねじ部を設けられ、先端部材93に、雄ねじ部と螺合する雌ねじ部を設ければ、短筒部47を遮蔽部43に対して中心軸Lに沿って変位させることができる。
また、第3実施形態を変形して、スケール100の指標101を下固定ナット98の外周に設ける構成であってもよい。また、スケール100の目盛り102を基端部材92の外周または下固定ナット98の外周に設け、スケール51の指標52を固定ナット23の外周に設ける構成であってもよい。スケール100の指標101を先端部材93の外周に設ける構成であってもよい。
In the third embodiment, the two-fluid nozzle 90 may be configured such that the distal end member 93 is externally fitted to the proximal end member 92. In this case, if the base end member 92 is provided with a male screw portion and the tip member 93 is provided with a female screw portion that is screwed with the male screw portion, the short cylindrical portion 47 is displaced along the central axis L with respect to the shielding portion 43. Can be made.
Further, the third embodiment may be modified such that the index 101 of the scale 100 is provided on the outer periphery of the lower fixing nut 98. Further, the scale 102 of the scale 100 may be provided on the outer periphery of the base end member 92 or the outer periphery of the lower fixing nut 98, and the index 52 of the scale 51 may be provided on the outer periphery of the fixing nut 23. A configuration in which the index 101 of the scale 100 is provided on the outer periphery of the tip member 93 may be employed.

また、第1、第2、第4および第5実施形態を変形して、スケール51の目盛り53を外筒20の外周に設け、スケール51の指標52を固定ナット23の外周に設ける構成であってもよい。
また、前述の各実施形態を変形して、雄ねじ36を、外筒20の雌ねじ37と螺合する部分と固定ナット23と螺合する部分とに分け、これら2つの部分のねじの巻き方向を互いに異なる方向としてもよい。この場合、外筒20の雌ねじ37と固定ナット23の雌ねじ孔31とは、ねじの巻き方向が互いに異なる方向になっている。
Further, the first, second, fourth and fifth embodiments are modified so that the scale 53 of the scale 51 is provided on the outer periphery of the outer cylinder 20 and the index 52 of the scale 51 is provided on the outer periphery of the fixing nut 23. May be.
Further, by modifying each of the above-described embodiments, the male screw 36 is divided into a part screwed with the female screw 37 of the outer cylinder 20 and a part screwed with the fixing nut 23, and the winding direction of the screw of these two parts is changed. The directions may be different from each other. In this case, the female screw 37 of the outer cylinder 20 and the female screw hole 31 of the fixing nut 23 have different screw winding directions.

また、内筒21と外筒20とを相対変位可能とする態様として、固定状態にある外筒20に対して内筒21を変位させることもできる。このとき、内筒21の短筒部47を、外筒20の遮蔽部43に対して中心軸Lに沿って変位させることができる。
また、前記各実施形態を変形して、雄ねじ36および雌ねじ37が、雄ねじ36と雌ねじ37との螺合だけで強固な結合力が得られるような構造である場合には、固定ナット23を省略することもできる。また、第3実施形態を変形して、雄ねじ部95と雌ねじ部97との螺合だけで強固な結合力が得られるような構造である場合には、下固定ナット98を省略することもできる。
Further, as an aspect in which the inner cylinder 21 and the outer cylinder 20 can be relatively displaced, the inner cylinder 21 can be displaced with respect to the outer cylinder 20 in a fixed state. At this time, the short cylinder part 47 of the inner cylinder 21 can be displaced along the central axis L with respect to the shielding part 43 of the outer cylinder 20.
Further, when the above-described embodiments are modified so that the male screw 36 and the female screw 37 have a structure in which a strong coupling force can be obtained only by screwing the male screw 36 and the female screw 37, the fixing nut 23 is omitted. You can also Further, when the third embodiment is modified so that a strong coupling force can be obtained only by screwing the male screw portion 95 and the female screw portion 97, the lower fixing nut 98 can be omitted. .

また、二流体ノズル3,90に対して1種類の処理液だけでなく、複数の処理液(たとえば、薬液およびDIW)を切り換えて供給できる構成とすることもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Further, not only one type of processing liquid but also a plurality of processing liquids (for example, chemical liquid and DIW) can be switched and supplied to the two-fluid nozzles 3 and 90.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

1 基板処理装置
2 スピンチャック(基板保持手段)
3 二流体ノズル
8 処理液供給管(処理液供給手段)
9 窒素ガス供給管(気体供給管)
10 処理液バルブ(処理液供給手段)
11 窒素ガスバルブ(気体供給手段)
20 外筒(第2筒体)
21 内筒(第1筒体)
23 固定ナット
27 処理液流路(処理液流路)
28 処理液吐出口(処理液吐出口)
36 雄ねじ
37 雌ねじ
44 気体吐出口
50 気体流路
60 制御装置
70 基板処理装置
71 パーティクルセンサ(異物量検出手段)
72 外筒昇降装置(駆動機構,変位機構)
73 圧力センサ
90 二流体ノズル
92 基端部材
93 先端部材
110 二流体ノズル
120 二流体ノズル
W ウエハ(基板)
1. Substrate processing apparatus 2. Spin chuck (substrate holding means)
3 Two-fluid nozzle 8 Treatment liquid supply pipe (treatment liquid supply means)
9 Nitrogen gas supply pipe (gas supply pipe)
10 Treatment liquid valve (treatment liquid supply means)
11 Nitrogen gas valve (gas supply means)
20 outer cylinder (second cylinder)
21 Inner cylinder (first cylinder)
23 fixing nut 27 treatment liquid flow path (treatment liquid flow path)
28 Processing liquid discharge port (Processing liquid discharge port)
36 male screw 37 female screw 44 gas discharge port 50 gas flow path 60 control device 70 substrate processing device 71 particle sensor (foreign matter amount detection means)
72 Outer cylinder lifting device (drive mechanism, displacement mechanism)
73 Pressure sensor 90 Two-fluid nozzle 92 Base end member 93 Tip member 110 Two-fluid nozzle 120 Two-fluid nozzle W Wafer (substrate)

Claims (7)

処理液が流通する処理液流路が内部に形成され、先端部に処理液吐出口が開口した第1筒体と、
前記第1筒体の周囲を取り囲むように前記第1筒体と同軸に設けられ、前記第1筒体との間に気体が流通する気体流路を区画し、先端部において前記第1筒体との間に気体吐出口を区画する第2筒体と、
前記第1筒体の先端部と前記第2筒体の先端部とが軸方向に相対変位可能なように、前記第1筒体と前記第2筒体とを互いに固定する固定手段とを含み、
前記処理液吐出口から吐出される処理液と前記気体吐出口から吐出される気体とを前記第1筒体および第2筒体の外部で混合して前記処理液の液滴を形成し、この処理液の液滴を吐出するようになっている、二流体ノズル。
A first cylindrical body in which a processing liquid flow path through which the processing liquid flows is formed inside, and a processing liquid discharge port is opened at the tip;
The first cylinder is provided coaxially with the first cylinder so as to surround the first cylinder, and defines a gas flow path through which gas flows between the first cylinder and the first cylinder at the tip. A second cylinder defining a gas discharge port between
A fixing means for fixing the first cylinder and the second cylinder to each other so that the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder can be relatively displaced in the axial direction; ,
The processing liquid discharged from the processing liquid discharge port and the gas discharged from the gas discharge port are mixed outside the first cylinder and the second cylinder to form droplets of the processing liquid. A two-fluid nozzle designed to eject droplets of processing liquid.
前記固定手段が、第1筒体の外周に形成された雄ねじと、第2筒体の内周に形成され、前記雄ねじに螺合する雌ねじとを含む、請求項1記載の二流体ノズル。   2. The two-fluid nozzle according to claim 1, wherein the fixing means includes a male screw formed on the outer periphery of the first cylinder and a female screw formed on the inner periphery of the second cylinder and screwed into the male screw. 前記固定手段が、前記雄ねじに螺合して前記第2筒体に対して軸方向一方側から締め付けられることにより、前記第2筒体を軸方向一方側から締め付けて前記雄ねじに固定させる固定ナットをさらに含む、請求項2記載の二流体ノズル。   The fixing means is fixed to the male screw by tightening the second cylinder from one side in the axial direction by being screwed into the male screw and tightened from the one side in the axial direction with respect to the second cylinder. The two-fluid nozzle of claim 2, further comprising: 処理対象の基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に、処理液の液滴を供給するための請求項1〜3のいずれか一項に記載の二流体ノズルと、
前記二流体ノズルの前記処理液流路に前記処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記二流体ノズルの前記気体流路に前記気体を供給するための気体供給手段とを含む、基板処理装置。
Substrate holding means for holding a substrate to be processed;
The two-fluid nozzle according to any one of claims 1 to 3, for supplying a droplet of a processing liquid to the surface of the substrate held by the substrate holding means.
Treatment liquid supply means for supplying the treatment liquid to the treatment liquid flow path of the two-fluid nozzle;
And a gas supply means for supplying the gas to the gas flow path of the two-fluid nozzle.
前記第1筒体の先端部と前記第2筒体の先端部とを軸方向に相対的に変位させる変位機構と、
前記基板保持手段に保持された基板表面の状態を検出する表面状態検出手段と、
前記表面状態検出手段の検出結果に基づいて前記変位機構を制御する変位機構制御手段とをさらに含む、請求項4記載の基板処理装置である。
A displacement mechanism that relatively displaces the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder in the axial direction;
Surface state detection means for detecting the state of the substrate surface held by the substrate holding means;
The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a displacement mechanism control unit that controls the displacement mechanism based on a detection result of the surface state detection unit.
前記表面状態検出手段が、前記基板保持手段に保持された基板表面に付着している異物の量を検出する検出手段を含む、請求項4または5記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the surface state detection unit includes a detection unit that detects an amount of foreign matter attached to the substrate surface held by the substrate holding unit. 前記気体供給手段が、
前記気体流路に前記気体を供給する気体供給管と、
前記気体供給管の途中部に設けられ、前記気体供給管を流通する気体の圧力を検出する圧力センサとを含み、
前記基板処理装置が、
前記第1筒体の先端部と前記第2筒体の先端部とを軸方向に相対的に変位させる駆動機構と、
前記圧力センサによる検出結果に基づいて前記駆動機構を制御する駆動機構制御手段とをさらに含む、請求項4〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The gas supply means
A gas supply pipe for supplying the gas to the gas flow path;
A pressure sensor that is provided in the middle of the gas supply pipe and detects the pressure of the gas flowing through the gas supply pipe;
The substrate processing apparatus is
A drive mechanism for relatively displacing the tip of the first cylinder and the tip of the second cylinder in the axial direction;
The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a drive mechanism control unit that controls the drive mechanism based on a detection result by the pressure sensor.
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