JP2011077083A - Process gas supply system - Google Patents

Process gas supply system Download PDF

Info

Publication number
JP2011077083A
JP2011077083A JP2009223938A JP2009223938A JP2011077083A JP 2011077083 A JP2011077083 A JP 2011077083A JP 2009223938 A JP2009223938 A JP 2009223938A JP 2009223938 A JP2009223938 A JP 2009223938A JP 2011077083 A JP2011077083 A JP 2011077083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas supply
process gas
valve
flow path
purge gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009223938A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Ozawa
幸生 小澤
Takashi Yajima
孝視 矢島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CKD Corp
Original Assignee
CKD Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CKD Corp filed Critical CKD Corp
Priority to JP2009223938A priority Critical patent/JP2011077083A/en
Publication of JP2011077083A publication Critical patent/JP2011077083A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate contact between a diaphragm valve element and a valve seat to avoid abrasion of contact parts by repetitive metal touch. <P>SOLUTION: A system includes a purge gas mass flow controller 50A disposed on a purge gas flow passage to control the purge gas flow rate, an exhaust flow passage communicating an inlet side of a process gas supply valve and an exhaust duct of a process gas supply flow passage, a flow passage branch point 79A that the exhaust flow passage branches from the process gas supply flow passage, and an exhaust valve provided on the exhaust flow passage. The purge gas flow passage communicates between the flow passage branch point and the inlet side of the process gas supply valve on the process gas supply flow passage. The process gas is cotrolled to flow to the exhaust duct through an exhaust valve when the valve element and the valve seat of the process gas supply valve are not brought into a closed state. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、プロセスガス源と反応槽とを連通するプロセスガス供給流路上に設けられたプロセスガス供給弁と、パージガス源と前記プロセスガス供給流路を連通するパージガス流路上に設けられたパージガス供給弁と、を有するプロセスガス供給システムに関する。   The present invention relates to a process gas supply valve provided on a process gas supply channel that communicates a process gas source and a reaction tank, and a purge gas supply provided on a purge gas channel that communicates the purge gas source and the process gas supply channel. And a process gas supply system having a valve.

薄膜生成を行う半導体・ＦＰＤ・太陽電池製造装置において使用される製膜装置として、従来、図１０に示すプロセスガス供給システム１００がある。
プロセスガス供給システム１００において、プロセス中、気化器１０３により気化されたプロセスガスは、気化器１０３の構造上その流れを止めることができないため、反応槽へプロセスガスを供給するときは、第１制御弁１０４を開け、第２制御弁１０５を閉じる。反対に、プロセスガスを供給しない時は、第１制御弁１０４を閉じ、第２制御弁１０５を開く。
プロセスガスは、２００℃以上で気化させた状態で流される。気体の温度が２００℃以上であると、樹脂製の制御弁は使用することができないため、金属弁座と金属ダイアフラム弁体によるメタルタッチで開閉するダイアフラム弁を第１制御弁１０４及び第２制御弁１０５に使用する。
しかし、メタルタッチで開閉するダイアフラム弁は、密閉されるために強い押圧力で金属弁座と金属ダイアフラム弁体を接触させる必要があり、メタルタッチの繰返しにより、接触部が摩耗する問題がある。メタルタッチにより摩耗粉が発生すると半導体等の歩留りを悪くする問題があった。さらに摩耗が長期間にわたると弁体又は弁座に傷が生じてプロセスガスが傷から漏れる恐れがあった。そのため金属製のダイアフラム弁は頻繁に交換する必要があり問題であった。 Conventionally, there is a process gas supply system 100 shown in FIG. 10 as a film forming apparatus used in a semiconductor / FPD / solar cell manufacturing apparatus for generating a thin film.
In the process gas supply system 100, since the process gas vaporized by the vaporizer 103 during the process cannot be stopped due to the structure of the vaporizer 103, when the process gas is supplied to the reaction vessel, the first control is performed. The valve 104 is opened and the second control valve 105 is closed. On the contrary, when the process gas is not supplied, the first control valve 104 is closed and the second control valve 105 is opened.
The process gas is flowed in a vaporized state at 200 ° C. or higher. When the temperature of the gas is 200 ° C. or higher, the resin control valve cannot be used. Therefore, the first control valve 104 and the second control valve are opened and closed by a metal touch by a metal valve seat and a metal diaphragm valve body. Used for valve 105.
However, since the diaphragm valve that opens and closes by metal touch is hermetically sealed, it is necessary to bring the metal valve seat and the metal diaphragm valve body into contact with each other with a strong pressing force, and there is a problem that the contact portion wears due to repeated metal touch. When wear powder is generated by metal touch, there is a problem that the yield of semiconductors and the like deteriorates. Further, if the wear is continued for a long time, the valve body or the valve seat may be damaged, and the process gas may leak from the damage. For this reason, the metal diaphragm valve has to be replaced frequently, which is a problem.

そこで、従来、弁座と弁体の傷から発生するプロセスガスの漏れを防止するものとして、図１１に示す、特許文献１に記載するダイアフラム弁２００が公知である。ダイアフラム弁２００は、第１弁体２０４及び第２弁体２０９を有する２重弁体構造である。また、弁座２０５にパージガス供給孔２０６が形成され、パージガス供給孔２０６は、閉弁時には、第１弁体２０４及び第２弁体２０９の隙間２１０に連通する。
したがって、ダイアフラム弁２００が閉弁時には、第１弁体２０４及び第２弁体２０９と弁座２０５と間に磨耗による傷ができたとしても、パージガスが第１弁体２０４及び第２弁体２０９の間の隙間２１０に流れ込み、プロセスガスが流れないようにするため、プロセスガスが反応槽に漏れ出すことを防止できた。 Therefore, conventionally, a diaphragm valve 200 described in Patent Document 1 shown in FIG. 11 is known as a means for preventing leakage of process gas generated from damage to a valve seat and a valve body. The diaphragm valve 200 has a double valve body structure having a first valve body 204 and a second valve body 209. A purge gas supply hole 206 is formed in the valve seat 205, and the purge gas supply hole 206 communicates with the gap 210 between the first valve body 204 and the second valve body 209 when the valve is closed.
Therefore, when the diaphragm valve 200 is closed, even if the first valve body 204 and the second valve body 209 and the valve seat 205 are damaged due to wear, the purge gas is discharged from the first valve body 204 and the second valve body 209. In order to prevent the process gas from flowing into the gap 210 between the two, it was possible to prevent the process gas from leaking into the reaction vessel.

特開昭５８−１３４２８４号公報JP 58-134284 A

しかしながら、特許文献１のダイアフラム弁２００を用いたプロセスガス供給システムには、以下のような問題がある。
すなわち、特許文献１には、プロセスガスの漏れ防止の効果は記載されているが、第１弁体２０４、第２弁体２０９と弁座２０５との接触により発生する摩耗についての対策については、何ら記載されていない。したがって、発生する摩耗粉による半導体等の歩留まりが悪化する課題は解決されていないため問題となる。 However, the process gas supply system using the diaphragm valve 200 of Patent Document 1 has the following problems.
That is, Patent Document 1 describes the effect of preventing leakage of process gas, but regarding measures against wear caused by contact between the first valve body 204 and the second valve body 209 and the valve seat 205, It is not described at all. Therefore, the problem that the yield of semiconductors and the like deteriorates due to the generated abrasion powder is a problem because it has not been solved.

そこで、本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、ダイアフラム弁体と弁座との強い押圧力での接触をなくし、メタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗を防止することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and eliminates contact with a strong pressing force between the diaphragm valve body and the valve seat, and prevents wear of the contact portion due to repeated metal touch. With the goal.

上記目的を達成するために、本発明に係るプロセスガス供給システムは、以下の構成を有する。
（１）プロセスガス源と反応槽とを連通するプロセスガス供給流路上に設けられたプロセスガス供給弁と、パージガス源と前記プロセスガス供給流路を連通するパージガス流路上に設けられたパージガス供給弁と、を有するプロセスガス供給システムにおいて、前記パージガス流路上に設けられ、パージガス流量を制御するパージガスマスフローコントローラと、前記プロセスガス供給流路の前記プロセスガス供給弁の入口側と排気ダクトとを連通する排気流路と、前記排気流路が前記プロセスガス供給流路から分岐する流路分岐点と、前記排気流路上に設けられた排気弁と、を有し、前記パージガス流路は、前記プロセスガス供給流路上で前記流路分岐点から前記プロセスガス供給弁の入口側の間に連通すること、前記プロセスガス供給弁の弁体と弁座とが密閉しない状態のときに、前記プロセスガスが前記排気弁を通って前記排気ダクトへ流れるように、制御する制御手段を有すること、を特徴とするものである。
（２）（１）に記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記制御手段により、前記パージガスマスフローコントローラが、パージガスの供給量を一定とすること、前記プロセスガス供給弁、又は、前記パージガス供給弁のいずれか一方、又は、両方の開度を変化させ、前記パージガス供給弁の出力流路における圧力を制御すること、を特徴とするものである。
（３）（１）に記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記制御手段により、前記プロセスガス供給弁、又は、前記パージガス供給弁のいずれか一方、又は、両方の開度を一定とすること、前記パージガスマスフローコントローラが、パージガスの供給量を変化させ、前記パージガス供給弁の出力流路における圧力を制御すること、を特徴とするものである。
（４）（１）乃至（３）のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記パージガス供給弁の出力流路における圧力により、前記プロセスガス供給弁の弁体と弁座の隙間から流れ込もうとするプロセスガスの前記反応槽への流出を防止し、前記プロセスガスを前記排気ダクトへ流入させること、を特徴とするものである。
（５）（１）乃至（４）のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力を計測する圧力計を有すること、前記圧力計は、前記プロセスガス供給流路上で前記流路分岐点から前記プロセスガス供給弁の入口側の間に連通すること、を特徴とするものである。
（６）（１）乃至（５）のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記プロセスガス供給流路上で、前記分岐点から前記パージガス流路のプロセスガス供給流路連通部の間にオリフィスを備えること、を特徴とするものである。
（７）（１）又は（４）に記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記パージガス流路から分岐した第２パージガス流路上に第２パージガス供給弁を有すること、を特徴とするものである。
（８）（５）に記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記第２パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力を計測する第２圧力計を有すること、前記第２圧力計は、前記排気流路上で前記流路分岐点から前記排気弁の入口側の間に連通すること、を特徴とするものである。
（９）（７）又は（８）に記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記排気流路上で、前記分岐点から前記第２パージガス流路の排気流路連通路の間に第２オリフィスを備えること、を特徴とするものである。
（１０）（７）乃至（９）のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、前記パージガス供給弁の出力流路における圧力により、前記排気弁の弁体と弁座の隙間から流れ込もうとするプロセスガスの前記排気ダクトへの流出を防止し、前記プロセスガスを前記反応槽へ流入させること、を特徴とするものである。 In order to achieve the above object, a process gas supply system according to the present invention has the following configuration.
(1) A process gas supply valve provided on a process gas supply channel that communicates the process gas source and the reaction tank, and a purge gas supply valve provided on a purge gas channel that communicates the purge gas source and the process gas supply channel A purge gas mass flow controller provided on the purge gas flow path for controlling the flow rate of the purge gas, and an inlet side of the process gas supply valve of the process gas supply flow path and the exhaust duct. An exhaust passage, a passage branch point at which the exhaust passage branches from the process gas supply passage, and an exhaust valve provided on the exhaust passage, and the purge gas passage includes the process gas Communicating between the flow path branch point on the supply flow path and the inlet side of the process gas supply valve, the process gas supply valve In a state where the valve body and the valve seat is not closed, so that the process gas flows into the exhaust duct through the exhaust valve, having a control means for controlling, and is characterized in.
(2) In the process gas supply system described in (1), the control means causes the purge gas mass flow controller to make the supply amount of the purge gas constant, either the process gas supply valve or the purge gas supply valve. One or both of the opening degrees are changed, and the pressure in the output flow path of the purge gas supply valve is controlled.
(3) In the process gas supply system described in (1), the control means makes the opening degree of either one or both of the process gas supply valve and the purge gas supply valve constant, The purge gas mass flow controller changes the supply amount of the purge gas and controls the pressure in the output flow path of the purge gas supply valve.
(4) In the process gas supply system according to any one of (1) to (3), the pressure in the output flow path of the purge gas supply valve causes a gap between the valve body and the valve seat of the process gas supply valve. The process gas to be introduced is prevented from flowing out into the reaction tank, and the process gas is caused to flow into the exhaust duct.
(5) In the process gas supply system according to any one of (1) to (4), the process gas supply system includes a pressure gauge that measures an output flow path pressure in an output flow path of the purge gas supply valve, and the pressure gauge In the process gas supply flow path, the process gas supply path communicates from the flow path branch point to the inlet side of the process gas supply valve.
(6) In the process gas supply system according to any one of (1) to (5), between the branch point and the process gas supply channel communication portion of the purge gas channel on the process gas supply channel. Is provided with an orifice.
(7) In the process gas supply system described in (1) or (4), a second purge gas supply valve is provided on the second purge gas flow path branched from the purge gas flow path.
(8) In the process gas supply system described in (5), the process gas supply system further includes a second pressure gauge that measures an output flow path pressure in an output flow path of the second purge gas supply valve, and the second pressure gauge includes the exhaust gas It communicates between the flow path branch point and the inlet side of the exhaust valve on the flow path.
(9) In the process gas supply system described in (7) or (8), a second orifice is provided between the branch point and the exhaust passage communication path of the second purge gas passage on the exhaust passage. , Is characterized by.
(10) In the process gas supply system according to any one of (7) to (9), the pressure in the output flow path of the purge gas supply valve flows from the gap between the valve body of the exhaust valve and the valve seat. The process gas is prevented from flowing out into the exhaust duct, and the process gas is allowed to flow into the reaction vessel.

上記のプロセスガス供給システムの作用及び効果について説明する。
（１）プロセスガス源と反応槽とを連通するプロセスガス供給流路上に設けられたプロセスガス供給弁と、パージガス源と前記プロセスガス供給流路を連通するパージガス流路上に設けられたパージガス供給弁と、を有するプロセスガス供給システムにおいて、前記パージガス流路上に設けられ、パージガス流量を制御するパージガスマスフローコントローラと、プロセスガス供給流路の前記プロセスガス供給弁の入口側と排気ダクトとを連通する排気流路と、排気流路がプロセスガス供給流路から分岐する流路分岐点と、排気流路上に設けられた排気弁と、を有し、パージガス流路は、プロセスガス供給流路上で流路分岐点からプロセスガス供給弁の入口側の間に連通すること、プロセスガス供給弁の弁体と弁座とが密閉しない状態のときに、プロセスガスが排気弁を通って排気ダクトへ流れるように、制御する制御手段を有するので、プロセスガス供給弁の弁体と弁座とが密閉しないため弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗が発生せず、かつ、制御手段によりパージガスがプロセスガスを排気ダクトへ流れるように制御するため、予定外のタイミングで反応槽にプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
これにより、摩耗粉を発生させることがないため、半導体等の歩留まりを発生させることがない。また、傷が発生することがないため、ダイアフラム弁は頻繁に交換する必要がなくなる。
（２）制御手段により、パージガスマスフローコントローラが、パージガスの供給量を一定とすること、プロセスガス供給弁、又は、パージガス供給弁のいずれか一方、又は、両方の開度を変化させ、パージガス供給弁の出力流路における圧力を制御することにより、パージガスがプロセスガスを排気ダクトへ流れるように制御するため、予定外のタイミングで反応槽にプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
（３）制御手段により、プロセスガス供給弁、又は、パージガス供給弁のいずれか一方、又は、両方の開度を一定とすること、パージガスマスフローコントローラが、パージガスの供給量を変化させ、パージガス供給弁の出力流路における圧力を制御することにより、パージガスがプロセスガスを排気ダクトへ流れるように制御するため、予定外のタイミングで反応槽にプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
（４）パージガス供給弁の出力流路における圧力により、プロセスガス供給弁の弁体と弁座の隙間から流れ込もうとするプロセスガスの反応槽への流出を防止し、プロセスガスを排気ダクトへ流入させることにより、プロセスガス供給弁の弁体と弁座とが密閉しないため弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗が発生せず、かつ、制御手段によりパージガスがプロセスガスを排気ダクトへ流れるように制御するため、予定外のタイミングで反応槽にプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
これにより、摩耗粉を発生させることがないため、半導体等の歩留まりを発生させることがない。また、傷が発生することがないため、ダイアフラム弁は頻繁に交換する必要がなくなる。
（５）パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力を計測する圧力計を有すること、圧力計は、プロセスガス供給流路上で流路分岐点からプロセスガス供給弁の入口側の間に連通することにより、プロセスガスが、プロセスガス供給弁の弁体と弁座の間から予定外のタイミングで反応槽へ流れるのを防止することができる。すなわち、プロセスガスは、圧力の高いパージガス供給弁の出力流路には流入しないため、パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力が、プロセスガス供給流路の圧力よりも高くなるように圧力計で計測し、出力流路の圧力を制御することができるからである。
（６）プロセスガス供給流路上で、分岐点からパージガス流路のプロセスガス供給流路連通部の間にオリフィスを備えることにより、プロセスガス供給弁とオリフィスの間に区切られた流路ができ、その区切られた流路内の圧力は、少ないパージガス量で、安定した圧力を得ることができるため、フィードバック制御しようとするときに安定した制御ができる。
（７）パージガス流路から分岐した第２パージガス流路上に第２パージガス供給弁を有するので、排気弁の弁体と弁座とが密閉しない状態のときに、プロセスガスを反応槽へ流すことができる。排気弁の弁体と弁座とが密閉しないため弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗が発生せず、かつ、制御手段によりパージガスがプロセスガスを反応槽へ流れるように制御するため、排気ダクトに高価なプロセスガスが流れ込む量を減少させることができる。
（８）第２パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力を計測する第２圧力計を有すること、第２圧力計は、排気流路上で流路分岐点から排気弁の入口側の間に連通することにより、プロセスガスが、排気弁の弁体と弁座の間から予定外のタイミングで排気ダクトへ流れるのを防止することができる。すなわち、プロセスガスは、圧力の高い第２パージガス供給弁の出力流路には流入しないため、第２パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力が、プロセスガス供給流路の圧力よりも高くなるように圧力計で計測し、出力流路の圧力を制御することができるからである。
（９）排気流路上で、分岐点から第２パージガス流路の排気流路連通路の間に第２オリフィスを備えることにより、排気弁と第２オリフィスの間に区切られた流路ができ、その区切られた流路内の圧力は、少ないパージガス量で、安定した圧力を得ることができるため、フィードバック制御しようとするときに安定した制御ができる。
（１０）パージガス供給弁の出力流路における圧力により、排気弁の弁体と弁座の隙間から流れ込もうとするプロセスガスの排気ダクトへの流出を防止し、プロセスガスを反応槽へ流入させることにより、排気弁の弁体と弁座とが密閉しないため弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗が発生せず、かつ、制御手段によりパージガスがプロセスガスを反応槽へ流れるように制御することができる。
これにより、摩耗粉を発生させることがないため、半導体等の歩留まりを発生させることがない。また、傷が発生することがないため、ダイアフラム弁は頻繁に交換する必要がなくなる。
（１１）制御手段が、パージガスマスフローコントローラを一定流量のパージガスが流れるように流量制御すること、プロセスガス供給弁と排気弁を開度制御すること、パージガス供給弁及び第２パージガス供給弁を開度制御するので、弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗を防止できる。また、反応槽に予定外のタイミングでプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
（１２）制御手段が、パージガスマスフローコントローラを一定流量のパージガスが流れるように流量制御すること、プロセスガス供給弁を開度制御すること、排気弁を開度制御すること、パージガス供給弁及び第２パージガス供給弁を開度制御するので、弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗を防止できる。また、反応槽に予定外のタイミングでプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
（１３）制御手段が、パージガスマスフローコントローラを一定流量のパージガスが流れるように流量制御すること、プロセスガス供給弁及び排気弁を開度制御すること、パージガス供給弁及び第２パージガス供給弁を開度制御するので、弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗を防止できる。また、反応槽に予定外のタイミングでプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
（１４）制御手段が、パージガスマスフローコントローラでパージガスを流量制御（可変）すること、プロセスガス供給弁及び排気弁を開度制御すること、パージガス供給弁及び第２パージガス供給弁を開度制御するので、弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗を防止できる。また、反応槽に予定外のタイミングでプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。
（１５）制御手段が、パージガスマスフローコントローラを流量測定によりパージガスの流量監視すること、プロセスガス供給弁及び排気弁を開度制御すること、パージガス供給弁及び第２パージガス供給弁を開度制御するので、弁体と弁座のメタルタッチの繰返しによる接触部の摩耗を防止できる。また、反応槽に予定外のタイミングでプロセスガスが流れ込むことを防止することができる。 The operation and effect of the process gas supply system will be described.
(1) A process gas supply valve provided on a process gas supply channel that communicates the process gas source and the reaction tank, and a purge gas supply valve provided on a purge gas channel that communicates the purge gas source and the process gas supply channel A purge gas mass flow controller that is provided on the purge gas flow path and controls the flow rate of the purge gas, and an exhaust gas that communicates the inlet side of the process gas supply valve of the process gas supply flow path and the exhaust duct. A flow path, a flow path branch point where the exhaust flow path branches from the process gas supply flow path, and an exhaust valve provided on the exhaust flow path. The purge gas flow path is formed on the process gas supply flow path. When communicating between the branch point and the inlet side of the process gas supply valve, and when the valve body and valve seat of the process gas supply valve are not sealed Since the control means for controlling the process gas to flow to the exhaust duct through the exhaust valve is provided, the valve body and the valve seat of the process gas supply valve are not sealed, and therefore the metal touch of the valve body and the valve seat is repeated. Since the contact portion is not worn and the control means controls the purge gas to flow the process gas to the exhaust duct, it is possible to prevent the process gas from flowing into the reaction vessel at an unscheduled timing.
As a result, no wear powder is generated, so that the yield of semiconductors and the like is not generated. In addition, since no scratches are generated, the diaphragm valve does not need to be frequently replaced.
(2) By the control means, the purge gas mass flow controller makes the supply amount of the purge gas constant, changes the opening degree of one or both of the process gas supply valve and the purge gas supply valve, and the purge gas supply valve By controlling the pressure in the output flow path, the purge gas is controlled so as to flow to the exhaust duct, so that the process gas can be prevented from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.
(3) The opening of both the process gas supply valve and / or the purge gas supply valve is made constant by the control means, the purge gas mass flow controller changes the supply amount of the purge gas, and the purge gas supply valve By controlling the pressure in the output flow path, the purge gas is controlled so as to flow to the exhaust duct, so that the process gas can be prevented from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.
(4) The pressure in the output flow path of the purge gas supply valve prevents the process gas from flowing out from the gap between the valve body and the valve seat of the process gas supply valve to the reaction tank, and the process gas is discharged to the exhaust duct. By flowing in, the valve body and the valve seat of the process gas supply valve are not sealed, so that wear of the contact portion due to repeated metal touch between the valve body and the valve seat does not occur, and the purge gas is discharged from the process gas by the control means. Since control is performed so as to flow into the exhaust duct, it is possible to prevent the process gas from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.
As a result, no wear powder is generated, so that the yield of semiconductors and the like is not generated. In addition, since no scratches are generated, the diaphragm valve does not need to be frequently replaced.
(5) having a pressure gauge for measuring the output flow path pressure in the output flow path of the purge gas supply valve; the pressure gauge communicates between the flow path branch point on the process gas supply flow path and the inlet side of the process gas supply valve By doing so, it is possible to prevent the process gas from flowing from between the valve body of the process gas supply valve and the valve seat to the reaction tank at an unscheduled timing. That is, since the process gas does not flow into the output flow path of the purge gas supply valve having a high pressure, the pressure is set so that the output flow path pressure in the output flow path of the purge gas supply valve is higher than the pressure in the process gas supply flow path. This is because the pressure in the output flow path can be controlled by measuring with a meter.
(6) On the process gas supply channel, by providing an orifice between the branch point and the process gas supply channel communication part of the purge gas channel, a channel partitioned between the process gas supply valve and the orifice is formed, Since the pressure in the divided flow path can be obtained with a small amount of purge gas, stable control can be performed when feedback control is attempted.
(7) Since the second purge gas supply valve is provided on the second purge gas flow path branched from the purge gas flow path, the process gas can be flowed into the reaction tank when the exhaust valve body and the valve seat are not sealed. it can. The exhaust valve and the valve seat are not sealed, so that contact portion wear due to repeated metal touches between the valve and the valve seat does not occur, and the control means controls the purge gas to flow into the reaction tank. Therefore, the amount of expensive process gas flowing into the exhaust duct can be reduced.
(8) having a second pressure gauge for measuring the output flow path pressure in the output flow path of the second purge gas supply valve; the second pressure gauge is located between the flow path branch point on the exhaust flow path and the inlet side of the exhaust valve. By communicating with, it is possible to prevent the process gas from flowing between the valve body of the exhaust valve and the valve seat to the exhaust duct at an unscheduled timing. That is, since the process gas does not flow into the output channel of the second purge gas supply valve having a high pressure, the output channel pressure in the output channel of the second purge gas supply valve is higher than the pressure of the process gas supply channel. This is because the pressure in the output flow path can be controlled by measuring with a pressure gauge.
(9) On the exhaust flow path, by providing the second orifice between the branch point and the exhaust flow path communication path of the second purge gas flow path, a flow path partitioned between the exhaust valve and the second orifice is created, Since the pressure in the divided flow path can be obtained with a small amount of purge gas, stable control can be performed when feedback control is attempted.
(10) The pressure in the output flow path of the purge gas supply valve prevents the process gas from flowing into the exhaust duct from flowing through the gap between the valve body of the exhaust valve and the valve seat, and flows the process gas into the reaction tank As a result, the valve body of the exhaust valve and the valve seat are not sealed, so that wear of the contact portion due to repeated metal touch between the valve body and the valve seat does not occur, and the purge gas flows into the reaction tank by the control means. Can be controlled.
As a result, no wear powder is generated, so that the yield of semiconductors and the like is not generated. In addition, since no scratches are generated, the diaphragm valve does not need to be frequently replaced.
(11) The control means controls the flow of the purge gas mass flow controller so that a constant flow of purge gas flows, controls the opening of the process gas supply valve and the exhaust valve, and opens the purge gas supply valve and the second purge gas supply valve. Since it is controlled, wear of the contact portion due to repeated metal touches between the valve body and the valve seat can be prevented. Further, it is possible to prevent the process gas from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.
(12) The control means controls the flow of the purge gas mass flow controller so that a constant flow of purge gas flows, controls the opening of the process gas supply valve, controls the opening of the exhaust valve, the purge gas supply valve and the second Since the opening of the purge gas supply valve is controlled, it is possible to prevent wear of the contact portion due to repeated metal touches between the valve body and the valve seat. Further, it is possible to prevent the process gas from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.
(13) The control means controls the flow rate of the purge gas mass flow controller so that a constant flow of purge gas flows, controls the opening of the process gas supply valve and the exhaust valve, and opens the purge gas supply valve and the second purge gas supply valve. Since it is controlled, wear of the contact portion due to repeated metal touches between the valve body and the valve seat can be prevented. Further, it is possible to prevent the process gas from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.
(14) The control means controls the flow rate of the purge gas with the purge gas mass flow controller (variable), controls the opening of the process gas supply valve and the exhaust valve, and controls the opening of the purge gas supply valve and the second purge gas supply valve. In addition, wear of the contact portion due to repeated metal touch between the valve body and the valve seat can be prevented. Further, it is possible to prevent the process gas from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.
(15) Since the control means monitors the purge gas flow rate by measuring the purge gas mass flow controller, controls the opening of the process gas supply valve and the exhaust valve, and controls the opening of the purge gas supply valve and the second purge gas supply valve. In addition, wear of the contact portion due to repeated metal touch between the valve body and the valve seat can be prevented. Further, it is possible to prevent the process gas from flowing into the reaction tank at an unscheduled timing.

本発明の本実施例１に係るプロセスガス供給システム１Ａのシステム図である。1 is a system diagram of a process gas supply system 1A according to a first embodiment of the present invention. 本発明の本実施例１に係るプロセスガス供給システム１Ａ（反応槽にプロセスガスを供給している状態）のシステム図である。1 is a system diagram of a process gas supply system 1A (a state in which a process gas is supplied to a reaction tank) according to a first embodiment of the present invention. 本発明の本実施例１に係るプロセスガス供給システム１Ａ（排気ダクトにプロセスガスを供給している状態）のシステム図である。1 is a system diagram of a process gas supply system 1A (a state in which process gas is supplied to an exhaust duct) according to the first embodiment of the present invention. 本発明の本実施例１に係る圧力の制御方法をまとめた表である。It is the table | surface which put together the control method of the pressure which concerns on the present Example 1 of this invention. 本発明の本実施例２に係るプロセスガス供給システム１Ｂのシステム図である。It is a system diagram of a process gas supply system 1B according to the second embodiment of the present invention. 本発明の本実施例３に係るプロセスガス供給システム１Ｃのシステム図である。It is a system diagram of a process gas supply system 1C according to the third embodiment of the present invention. 本発明の本実施例４に係るプロセスガス供給システム１Ｄのシステム図である。It is a system diagram of process gas supply system 1D concerning this Example 4 of the present invention. 本発明の本実施例５に係るプロセスガス供給システム１Ｅのシステム図である。It is a system diagram of a process gas supply system 1E according to the fifth embodiment of the present invention. 本発明の変形例に係るプロセスガス供給システム１Ｆのシステム図である。It is a system diagram of process gas supply system 1F concerning the modification of the present invention. 従来技術に係るプロセスガス供給システム１００のシステム図である。It is a system diagram of process gas supply system 100 concerning a prior art. 従来技術に係るダイアフラム弁２００の断面図である。It is sectional drawing of the diaphragm valve 200 which concerns on a prior art.

次に、本発明に係るプロセスガス供給システムの一実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
図１には、プロセスガス供給システム１Ａのシステム図を示す。
プロセスガス供給システム１Ａの使用例は、図４に示す５つの使用例がある。以下では、使用例１〜５を用いて順に説明する。
（第１実施形態における使用例１）
＜プロセスガス供給システムの全体構成＞
プロセスガス供給システム１Ａは、プロセスガス源７０Ａとパージガス源８０Ａを有する。
プロセスガス源７０Ａは、プロセスガス連通流路７１Ａに連通する。プロセスガス連通流路７１Ａは、プロセスガス前流路７４Ａ、及び、排気前流路７６Ａに分岐する。プロセスガス前流路７４Ａと排気前流路７６Ａに分岐する分岐点を、流路分岐点７９Ａとする。
一方の、プロセスガス前流路７４Ａは、第１オリフィス４１Ａに連通し、プロセスガス後流路７５Ａを介して、供給弁１１Ａの入力ポートに連通し、出力ポートから反応槽９１Ａへ連通する。使用例１においては、供給弁１１Ａは、開度制御弁である。請求項中のプロセスガス供給流路は、プロセスガス連通路７１Ａ、プロセスガス前流路７４Ａ、プロセスガス後流路７５Ａを有する。
他方、排気前流路７６Ａは、第２オリフィス４２Ａに連通し、排気後流路７７Ａを介して、排気弁１２Ａの入力ポートに連通し、出力ポートから排気ダクト９２Ａへ連通する。排気ダクト９２Ａは、排気処理設備へ連通している。使用例１においては、排気弁１２Ａは、開度制御弁である。請求項中の排気流路は、排気前流路７６Ａ、排気後流路７７Ａを有する。
供給弁１１Ａ及び排気弁１２Ａは、図示しないが、金属弁座及び金属ダイアフラムを有する金属製弁である。 Next, an embodiment of a process gas supply system according to the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 shows a system diagram of a process gas supply system 1A.
There are five usage examples shown in FIG. 4 as usage examples of the process gas supply system 1A. Below, it demonstrates in order using the usage examples 1-5.
(Usage example 1 in the first embodiment)
<Overall configuration of process gas supply system>
The process gas supply system 1A includes a process gas source 70A and a purge gas source 80A.
The process gas source 70A communicates with the process gas communication channel 71A. The process gas communication channel 71A branches into a process gas pre-flow channel 74A and a pre-exhaust flow channel 76A. A branch point that branches into the process gas pre-flow path 74A and the pre-exhaust flow path 76A is defined as a flow path branch point 79A.
On the other hand, the process gas pre-flow path 74A communicates with the first orifice 41A, communicates with the input port of the supply valve 11A via the process gas post-flow path 75A, and communicates with the reaction tank 91A from the output port. In Usage Example 1, the supply valve 11A is an opening degree control valve. The process gas supply flow path in the claims includes a process gas communication path 71A, a process gas pre-flow path 74A, and a process gas post-flow path 75A.
On the other hand, the pre-exhaust flow path 76A communicates with the second orifice 42A, communicates with the input port of the exhaust valve 12A via the post-exhaust flow path 77A, and communicates with the exhaust duct 92A from the output port. The exhaust duct 92A communicates with the exhaust treatment facility. In Usage Example 1, the exhaust valve 12A is an opening control valve. The exhaust flow path in the claims has a pre-exhaust flow path 76A and a post-exhaust flow path 77A.
Although not shown, the supply valve 11A and the exhaust valve 12A are metal valves having a metal valve seat and a metal diaphragm.

パージガス源８０Ａは、マスフローコントローラ５０Ａの入力ポートに連通し、マスフローコトローラ５０Ａの出力ポートは、第１パージガス流路８１Ａを介して、第１パージガス供給弁２１Ａの入力ポートに連通し、出力ポートがプロセスガス後流路７５Ａに連通している。使用例１においては、第１パージガス供給弁２１Ａは、開閉弁である。
また、第１パージガス流路８１Ａから第２パージガス流路８２Ａが分岐し、第２パージガス流路８２Ａは、第２パージガス供給弁２２Ａの入力ポートに連通し、出力ポートが排気後流路７７Ａに連通している。使用例１においては、第２パージガス供給弁２２Ａは、開閉弁である。
プロセスガス後流路７５Ａには、電子式真空圧力計である第１真空圧力計３１Ａが配設されている。排気後流路７７Ａには、電子式真空圧力計である第２真空圧力計３２Ａが配設されている。 The purge gas source 80A communicates with the input port of the mass flow controller 50A, the output port of the mass flow controller 50A communicates with the input port of the first purge gas supply valve 21A via the first purge gas flow path 81A, and the output port It communicates with the process gas post-flow path 75A. In Usage Example 1, the first purge gas supply valve 21A is an on-off valve.
Further, the second purge gas flow path 82A branches from the first purge gas flow path 81A, the second purge gas flow path 82A communicates with the input port of the second purge gas supply valve 22A, and the output port communicates with the post-exhaust flow path 77A. is doing. In Usage Example 1, the second purge gas supply valve 22A is an on-off valve.
A first vacuum pressure gauge 31A, which is an electronic vacuum pressure gauge, is disposed in the process gas post-flow path 75A. A second vacuum pressure gauge 32A, which is an electronic vacuum pressure gauge, is disposed in the post-exhaust flow path 77A.

次に、制御装置について説明する。
供給弁１１Ａ、排気弁１２Ａ、第１パージガス供給弁２１Ａ、第２パージガス供給弁２２Ａ、第１真空圧力計３１Ａ、第２真空圧力計３２Ａ、及び、マスフローコントローラ５０Ａは、プロセスガス供給システム１Ａの全体を電子制御するコントローラ６０Ａにより制御されている。 Next, the control device will be described.
The supply valve 11A, the exhaust valve 12A, the first purge gas supply valve 21A, the second purge gas supply valve 22A, the first vacuum pressure gauge 31A, the second vacuum pressure gauge 32A, and the mass flow controller 50A are the entire process gas supply system 1A. It is controlled by a controller 60A that electronically controls.

＜プロセスガス供給システムの作用・効果＞
プロセスガスを反応槽９１Ａへ流すときの作用を説明する。図２に、プロセスガス供給システム１Ａにおいて、反応槽９１Ａへプロセスガスを流入するときの図を示す。図２中の破線矢印は、プロセスガスの流れを示し、実線矢印は、パージガスの流れを示す。
図２においては、供給弁１１Ａが全開状態、排気弁１２Ａが制御状態（密閉しない弁閉近似状態）、第１パージガス供給弁２１Ａが閉弁され、第２パージガス供給弁２２Ａが開弁された状態である。(「密閉しない弁閉近似状態」とは、弁体を弁座からわずかに離間した場合はもちろん、弁体を弁座に当接させた場合であっても、弁体が弁座の全周にわたって当接されておらず、一か所でも隙間があるような場合も含む(以下同じ。))。
具体的には、図２の破線矢印で示すように、プロセスガス源７０Ａから流入したプロセスガスは、プロセスガス連通流路７１Ａを通り、プロセスガス前流路７４Ａ及び排気前流路７６Ａへ流入する。排気弁１２Ａは、コントローラ６０Ａにより制御状態（密閉しない弁閉近似状態）とされているため、プロセスガスは、排気ダクト９２Ａへは流入しない。反対に、供給弁１１Ａは、コントローラ６０Ａにより開弁状態とされるため、プロセスガスは、反応槽９１Ａへと流入する。 <Operation and effect of process gas supply system>
The operation when the process gas is flowed to the reaction tank 91A will be described. FIG. 2 shows a diagram when the process gas flows into the reaction tank 91A in the process gas supply system 1A. 2 indicate the flow of the process gas, and the solid arrow indicates the flow of the purge gas.
In FIG. 2, the supply valve 11A is in a fully open state, the exhaust valve 12A is in a controlled state (closed valve close approximation state), the first purge gas supply valve 21A is closed, and the second purge gas supply valve 22A is opened. It is. (The `` valve closed approximate state without sealing '' means that the valve body does not move slightly away from the valve seat, but also when the valve body is in contact with the valve seat. This includes the case where there is a gap even at one place (the same shall apply hereinafter)).
Specifically, as indicated by the broken line arrows in FIG. 2, the process gas flowing from the process gas source 70A flows through the process gas communication channel 71A and flows into the process gas pre-flow channel 74A and the pre-exhaust flow channel 76A. . Since the exhaust valve 12A is controlled by the controller 60A (valve closed approximate state without sealing), the process gas does not flow into the exhaust duct 92A. On the contrary, since the supply valve 11A is opened by the controller 60A, the process gas flows into the reaction vessel 91A.

排気弁１２Ａは、コントローラ６０Ａにより開度が制御され金属製の弁座と弁体とを完全に当接させず密閉状態としない。弁座と弁体とを当接させず密閉させないことにより、メタルタッチがなくなり、弁座及び弁体の金属摩耗が生じないため、排気弁を頻繁に変える必要がないため、コストを削減することができる。
しかし、排気弁１２Ａの弁座と弁体とを当接させず密閉しないと、弁座と弁体との隙間からプロセスガスが排気ダクト９２Ａへ漏れることになるため問題である。プロセスガスは高価な場合には、漏れをそのままにすると、コストがかかるからである。
第１実施形態の使用例１においては、パージガスの流量は、マスフローコントローラ５０Ａにより一定流量に流量制御されている。第２パージガス供給弁２２Ａがコントローラ６０Ａにより開弁され、図２の実線矢印で示すように、排気後流路７７Ａにパージガスが流入するため、第２オリフィス４２Ａよりも先の排気後流路７７Ａには、プロセスガスは流れない。 The opening degree of the exhaust valve 12A is controlled by the controller 60A, and the metal valve seat and the valve body are not completely brought into contact with each other and are not sealed. By not sealing the valve seat with the valve body, the metal touch is eliminated, and metal wear of the valve seat and valve body does not occur, so there is no need to change the exhaust valve frequently, thus reducing costs. Can do.
However, if the valve seat and the valve body of the exhaust valve 12A are not brought into contact with each other and are not sealed, the process gas leaks from the gap between the valve seat and the valve body to the exhaust duct 92A. This is because when the process gas is expensive, it is costly to leave the leakage as it is.
In Usage Example 1 of the first embodiment, the flow rate of the purge gas is controlled to a constant flow rate by the mass flow controller 50A. The second purge gas supply valve 22A is opened by the controller 60A, and the purge gas flows into the post-exhaust flow passage 77A as shown by the solid line arrow in FIG. 2, so that the second purge gas supply valve 22A enters the post-exhaust flow passage 77A before the second orifice 42A. The process gas does not flow.

なぜならば、パージガスにより、プロセスガス後流路７５Ａの第１真空圧力計３１Ａで計測された圧力（Ｐ１）よりも、排気後流路７７Ａの第２真空圧力計３２Ａで計測された圧力（Ｐ２）のほうが高い圧力となるように排気弁１２Ａを制御しているからである。すなわち、圧力の高さが、Ｐ２＞Ｐ１であり、Ｐ２が高い状態にあれば、プロセスガスは、圧力の高い排気後流路７７Ａには流入しない。そのため、プロセスガスが排気ダクト９２Ａへ流れるのを確実に防止することができる。このとき、Ｐ２＞Ｐ１であるために、パージガスはプロセスガス側に流れ、プロセスガスと混合される。Ｐ２の圧力を高くしすぎると、パージガスとプロセスガスの混合比率が変化することになり、最終製品である半導体等に影響を与えることになる。そのため、Ｐ２の圧力を最終製品である半導体等に影響を与えないように、コントローラ６０Ａが制御をする。
コントローラ６０Ａは、圧力が、Ｐ２＞Ｐ１で一定となるように、第１真空圧力計３１Ａ及び第２真空圧力計３２Ａの圧力によるフィードバック制御で、排気弁１２Ａの開度を変化させる。 This is because the pressure (P2) measured by the second vacuum pressure gauge 32A in the post-exhaust flow path 77A is higher than the pressure (P1) measured by the first vacuum pressure gauge 31A in the post-process gas flow path 75A by the purge gas. This is because the exhaust valve 12A is controlled so that the pressure becomes higher. That is, if the pressure level is P2> P1 and P2 is high, the process gas does not flow into the post-exhaust flow path 77A having a high pressure. Therefore, it is possible to reliably prevent the process gas from flowing into the exhaust duct 92A. At this time, since P2> P1, the purge gas flows to the process gas side and is mixed with the process gas. If the pressure of P2 is too high, the mixing ratio of the purge gas and the process gas will change, which will affect the semiconductor or the like that is the final product. Therefore, the controller 60A controls so that the pressure of P2 does not affect the semiconductor or the like that is the final product.
The controller 60A changes the opening degree of the exhaust valve 12A by feedback control based on the pressures of the first vacuum pressure gauge 31A and the second vacuum pressure gauge 32A so that the pressure becomes constant with P2> P1.

また、第２オリフィス４２Ａが配設されていることにより、第２オリフィス４２Ａと排気弁１２Ａとで区切られた流路である排気後流路７７Ａができる。排気後流路７７Ａが形成されていることにより、そこにパージガスを滞留させることができ、プロセスガスを排気ダクト９２Ａに流れないようにするために必要以上にパージガスを流す必要がない。したがって、第２オリフィス４２Ａが配設されていることにより、パージガスを無駄に浪費することはない。
また、排気後流路７７Ａに第２真空圧力計３２Ａを備えることにより、圧力測定を安定して行うことができる。なぜならば、排気後流路７７Ａは、第２オリフィス４２Ａと排気弁１２Ａとで区切られた流路であり、流路内の圧力は大きく変化しにくいため、フィードバック制御しようとするとき、安定した制御ができる。 In addition, by providing the second orifice 42A, a post-exhaust flow path 77A, which is a flow path divided by the second orifice 42A and the exhaust valve 12A, is formed. Since the post-exhaust flow path 77A is formed, the purge gas can be retained therein, and it is not necessary to flow the purge gas more than necessary to prevent the process gas from flowing into the exhaust duct 92A. Therefore, the purge gas is not wasted by providing the second orifice 42A.
Further, by providing the post-exhaust flow path 77A with the second vacuum pressure gauge 32A, pressure measurement can be performed stably. This is because the post-exhaust flow path 77A is a flow path that is divided by the second orifice 42A and the exhaust valve 12A, and the pressure in the flow path is unlikely to change greatly. Can do.

次に、プロセスガスを反応槽９１Ａへ流さない工程を説明する。図３に、プロセスガス供給システム１Ａにおいて、反応槽９１Ａへプロセスガスを流さないときの図を示す。図３中の破線矢印は、プロセスガスの流れを示し、実線矢印は、パージガスの流れを示す。
図３においては、供給弁１１Ａが制御状態（密閉しない弁閉近似状態）、排気弁１２Ａが全開状態、第１パージガス供給弁２１Ａが開弁され、第２パージガス供給弁２２Ａが閉弁された状態である。
具体的には、図３の破線矢印で示すように、プロセスガス源７０から流入したプロセスガスは、プロセスガス連通流路７１Ａを通り、プロセスガス前流路７４Ａ及び排気後流路７６Ａへ流入する。供給弁１１Ａは、コントローラ６０Ａにより制御状態(密閉しない弁閉近似状態)とされているため、プロセスガスは、反応槽９１Ａは流入しない。反対に、排気弁１２Ａは、コントローラ６０Ａにより開弁状態とされているため、プロセスガスは、排気ダクト９２Ａへと流入する。 Next, the process of not flowing the process gas to the reaction tank 91A will be described. FIG. 3 shows a diagram when the process gas is not flowed to the reaction tank 91A in the process gas supply system 1A. 3 indicate the flow of the process gas, and the solid arrow indicates the flow of the purge gas.
In FIG. 3, the supply valve 11A is in a controlled state (closed valve close approximation state), the exhaust valve 12A is fully opened, the first purge gas supply valve 21A is opened, and the second purge gas supply valve 22A is closed. It is.
Specifically, as indicated by broken line arrows in FIG. 3, the process gas flowing from the process gas source 70 passes through the process gas communication channel 71A and flows into the process gas pre-flow channel 74A and the post-exhaust flow channel 76A. . Since the supply valve 11A is controlled by the controller 60A (a valve-closed approximate state that is not sealed), the process gas does not flow into the reaction tank 91A. On the contrary, since the exhaust valve 12A is opened by the controller 60A, the process gas flows into the exhaust duct 92A.

供給弁１１Ａは、コントローラ６０Ａにより開度が制御され金属製の弁座と弁体とを完全に当接させず密閉状態としない。弁座と弁体とを当接させず密閉状態としないことにより、メタルタッチがなくなり、弁座及び弁体の金属摩耗が生じないため、供給弁を頻繁に交換する必要がなく、コストを削減することができる。
しかし、供給弁１１Ａの弁座と弁体とを当接させず密閉状態としないと、弁座と弁体との隙間からプロセスガスが反応槽９１Ａへ漏れることになるため問題である。プロセスガスが反応槽９１Ａへ漏れると、プロセスガスの性質（濃度）が変化してしまい、結果として最終製品の性能に影響を与えるからである。
第１実施形態の使用例１においては、パージガスの流量は、マスフローコントローラ５０Ａにより一定流量に流量制御されている。第１パージガス供給弁２１Ａがコントローラ６０Ａにより開弁され、プロセスガス後流路７５Ａにパージガスが流入するため、第１オリフィス４１Ａよりも先のプロセスガス後流路７５Ａには、プロセスガスは流れない。 The opening degree of the supply valve 11A is controlled by the controller 60A, and the metal valve seat and the valve body are not completely brought into contact with each other and are not sealed. By not bringing the valve seat and valve body into contact with each other and making them not sealed, there is no metal touch and there is no metal wear on the valve seat and valve body, so there is no need to replace the supply valve frequently, reducing costs. can do.
However, if the valve seat and the valve body of the supply valve 11A are not brought into contact with each other and are not sealed, the process gas leaks from the gap between the valve seat and the valve body to the reaction tank 91A. This is because when the process gas leaks into the reaction vessel 91A, the property (concentration) of the process gas changes, and as a result, the performance of the final product is affected.
In Usage Example 1 of the first embodiment, the flow rate of the purge gas is controlled to a constant flow rate by the mass flow controller 50A. Since the first purge gas supply valve 21A is opened by the controller 60A and the purge gas flows into the post-process gas flow path 75A, the process gas does not flow into the post-process gas flow path 75A before the first orifice 41A.

なぜならば、パージガスにより、排気後流路７７Ａの第２真空圧力計３２Ａで計測された圧力（Ｐ２）よりも、プロセスガス後流路７５Ａの第１真空圧力計３１Ａで計測された圧力（Ｐ１）のほうが高い圧力となるよう、供給弁１１Ａを制御しているからである。すなわち、圧力の高さが、Ｐ１＞Ｐ２であり、Ｐ１が高い状態にあれば、プロセスガスは、圧力の高いプロセスガス後流路７５Ａには流入しない。そのため、プロセスガスが反応槽９１Ａへ流れるのを確実に防止することができる。コントローラ６０Ａは、圧力の高さが、Ｐ１＞Ｐ２で一定となるように、第１真空圧力計３１Ａ及び第２真空圧力計３２Ａの圧力によるフィードバック制御で、供給弁１１Ａの開度を変化させる。
なお、プロセスガスを排気ダクト９２Ａへ流す工程では、プロセスガスを反応槽９１Ａへ流すときと異なり、パージガスが第１オリフィス４１Ａから第２流路側に漏れ、排気ダクト９２Ａに流れ込んだとしても、最終製品には影響が少ない。そのため、プロセスガスを反応槽９１Ａへ流すときほどの精密さは求められない。
プロセスガスは、圧力の低い排気前流路７６Ａ及び排気後流路７７Ａへ流れ、排気弁１２Ａが開弁されているため、そのまま排気ダクト９２Ａへ流れる。 This is because the pressure (P1) measured by the first vacuum pressure gauge 31A in the post-process gas flow path 75A is higher than the pressure (P2) measured by the second vacuum pressure gauge 32A in the post-exhaust flow path 77A. This is because the supply valve 11A is controlled so that the pressure becomes higher. That is, if the pressure level is P1> P2 and P1 is high, the process gas does not flow into the high-pressure process gas post-flow path 75A. Therefore, it is possible to reliably prevent the process gas from flowing into the reaction tank 91A. The controller 60A changes the opening of the supply valve 11A by feedback control based on the pressures of the first vacuum pressure gauge 31A and the second vacuum pressure gauge 32A so that the pressure level is constant at P1> P2.
In the step of flowing the process gas to the exhaust duct 92A, unlike the case of flowing the process gas to the reaction vessel 91A, even if the purge gas leaks from the first orifice 41A to the second flow path side and flows into the exhaust duct 92A, the final product Has little effect. Therefore, the precision as high as when the process gas is flowed to the reaction tank 91A is not required.
The process gas flows to the pre-exhaust flow path 76A and the post-exhaust flow path 77A having a low pressure, and flows to the exhaust duct 92A as it is because the exhaust valve 12A is opened.

また、第１オリフィス４１Ａが配設されていることにより、第１オリフィス４１Ａと供給弁１１Ａとで区切られた流路であるプロセスガス後流路７５Ａができる。プロセスガス後流路７５Ａが形成されていることにより、そこにパージガスを滞留させることができ、プロセスガスを反応槽９１Ａに流れないようにするために必要以上にパージガスを流す必要がない。したがって、第１オリフィス４１Ａが配設されていることにより、パージガスを無駄に浪費することはない。
また、プロセスガス後流路７５Ａに第１真空圧力計３１Ａを備えることにより、圧力測定を安定して行うことができる。なぜならば、プロセスガス後流路７５Ａは、第１オリフィス４１Ａと供給弁１１Ａとで区切られた流路であり、流路内の圧力は大きく変化しにくいため、フィードバック制御しようとするときに安定した制御ができる。 Further, by providing the first orifice 41A, a process gas post-flow path 75A, which is a flow path divided by the first orifice 41A and the supply valve 11A, is formed. Since the post-process gas flow path 75A is formed, the purge gas can be retained therein, and it is not necessary to flow the purge gas more than necessary to prevent the process gas from flowing into the reaction tank 91A. Therefore, since the first orifice 41A is disposed, the purge gas is not wasted.
Moreover, pressure measurement can be stably performed by providing the first vacuum pressure gauge 31A in the post-process-gas flow path 75A. This is because the process gas post-flow path 75A is a flow path partitioned by the first orifice 41A and the supply valve 11A, and the pressure in the flow path is not easily changed, so that it is stable when attempting feedback control. Can control.

（第１実施形態における使用例２）
使用例２においては、プロセスガス供給システム１Ａの、供給弁１１Ａに開度制御弁を用い、排気弁１２Ａに開閉弁（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）を用い、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２パージガス供給弁２２Ａに開閉弁を用いる。
使用例２では、コントローラ６０Ａが、パージガスマスフローコントローラ５０Ａを一定流量のパージガスが流れるように流量制御し、供給弁１１Ａを圧力フィードバックにより開度制御し、排気弁１２Ａを開閉（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）し、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２パージガス供給弁２２Ａを開閉すること、によりプロセスガス供給システム１Ａを作用させる。使用例１に対して、よりガス混合量が嫌われる反応槽へ続く供給弁１１Ａのみを圧力のフィードバックによる開度制御としている。使用例１に対して、よりガス混合が嫌われる反応槽へのラインだけを圧力のフィードバック制御とするためである。 (Usage example 2 in the first embodiment)
In the usage example 2, in the process gas supply system 1A, an opening control valve is used as the supply valve 11A, an opening / closing valve (a valve close approximation state that is not sealed in the valve closed state) is used as the exhaust valve 12A, and the first purge gas supply valve On-off valves are used for 21A and the second purge gas supply valve 22A.
In Usage Example 2, the controller 60A controls the flow rate of the purge gas mass flow controller 50A so that a constant flow rate of purge gas flows, controls the opening of the supply valve 11A by pressure feedback, and opens and closes the exhaust valve 12A (not sealed when the valve is closed). The process gas supply system 1A is operated by opening and closing the first purge gas supply valve 21A and the second purge gas supply valve 22A. In contrast to the first use example, only the supply valve 11A that continues to the reaction tank in which the amount of gas mixture is disliked is the opening degree control by pressure feedback. This is because the pressure feedback control is performed only on the line to the reaction vessel in which gas mixing is disliked with respect to the use example 1.

（第１実施形態における使用例３）
使用例３においては、プロセスガス供給システム１Ａの、供給弁１１Ａ、及び、排気弁１２Ａに開閉弁（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）を用い、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２パージガス供給弁２２Ａに開閉弁を用いる。
使用例３では、コントローラ６０Ａが、パージガスマスフローコントローラ５０Ａを一定流量のパージガスが流れるように流量制御し、供給弁１１Ａ及び排気弁１２Ａを開閉（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）し、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２パージガス供給弁２２Ａを開閉すること、によりプロセスガス供給システム１Ａを作用させる。 (Usage example 3 in the first embodiment)
In the usage example 3, the first purge gas supply valve 21A and the second purge gas are used in the process gas supply system 1A by using on-off valves (valve closed approximate states that are not sealed in the valve closed state) for the supply valves 11A and the exhaust valves 12A. An on-off valve is used as the supply valve 22A.
In Usage Example 3, the controller 60A controls the flow rate of the purge gas mass flow controller 50A so that a constant flow rate of purge gas flows, opens and closes the supply valve 11A and the exhaust valve 12A (valve closed approximate state in which the valve is not closed), The process gas supply system 1A is operated by opening and closing the first purge gas supply valve 21A and the second purge gas supply valve 22A.

（第１実施形態における使用例４）
使用例４においては、プロセスガス供給システム１Ａの、供給弁１１Ａ、及び、排気弁１２Ａに開閉弁（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）を用い、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２パージガス供給弁２２Ａに開閉弁を用いる。
使用例４では、コントローラ６０Ａが、パージガスマスフローコントローラ５０Ａを用い圧力計の圧力によるフィードバック制御によりパージガスを流量制御し、供給弁１１Ａ及び排気弁１２Ａを開閉（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）し、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２第２パージガス供給弁２２Ａを開閉すること、によりプロセスガス供給システム１Ａを作用させる。 (Usage example 4 in the first embodiment)
In the usage example 4, the first purge gas supply valve 21A and the second purge gas are used in the process gas supply system 1A by using on-off valves (valve closed approximate states that are not sealed in the valve closed state) for the supply valve 11A and the exhaust valve 12A. An on-off valve is used as the supply valve 22A.
In Usage Example 4, the controller 60A controls the flow rate of the purge gas by feedback control based on the pressure of the pressure gauge using the purge gas mass flow controller 50A, and opens and closes the supply valve 11A and the exhaust valve 12A (valve closed approximate state that does not seal when the valve is closed). The process gas supply system 1A is operated by opening and closing the first purge gas supply valve 21A and the second second purge gas supply valve 22A.

（第１実施形態における使用例５）
使用例５においては、プロセスガス供給システム１Ａの、供給弁１１Ａ、及び、排気弁１２Ａに開閉弁（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）を用い、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２パージガス供給弁２２Ａに開度制御弁を用いる。
使用例５では、コントローラ６０Ａが、パージガスマスフローコントローラ５０Ａはパージガスの流量測定を行い、供給弁１１Ａ及び排気弁１２Ａを開閉（弁閉状態では密閉しない弁閉近似状態）し、第１パージガス供給弁２１Ａ及び第２パージガス供給弁２２Ａを圧力計の圧力によるフィードバック制御で開度を変化すること、によりプロセスガス供給システム１Ａを作用させる。 (Usage example 5 in the first embodiment)
In Usage Example 5, the first purge gas supply valve 21A and the second purge gas are used by using on-off valves (valve closed approximate states that do not seal in the valve closed state) for the supply valve 11A and the exhaust valve 12A of the process gas supply system 1A. An opening control valve is used as the supply valve 22A.
In usage example 5, the controller 60A measures the flow rate of the purge gas, the purge gas mass flow controller 50A opens and closes the supply valve 11A and the exhaust valve 12A (valve closed approximate state in which the valve is not closed), and the first purge gas supply valve 21A. And the process gas supply system 1A is operated by changing the opening of the second purge gas supply valve 22A by feedback control based on the pressure of the pressure gauge.

(第２実施形態)
図５に、第２実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ｂを示す。プロセスガス供給システム１Ｂは、第１実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ａと比較して、第２オリフィス４２Ａがないこと、第２オリフィスがないことにより、排気前流路７６Ａ、及び、排気後流路７７Ａがない点で異なる。それ以外の構成はプロセスガス供給システム１Ａと同様であるため、図５において、同様の構成のものについては、例えば、供給弁１１Ａを供給弁１１Ｂとして記載する。その他の、構成要素も同様である。
図１における排気後流路７７Ａがないため、第２真空圧力計３２Ｂの圧力測定を第１実施形態ほど安定して行うことができない。
しかし、プロセスガス供給システム１Ｂは、第２オリフィスがないことにより、オリフィス１つ分のコストを削減することができる効果を有する。 (Second embodiment)
FIG. 5 shows a process gas supply system 1B according to the second embodiment. Compared with the process gas supply system 1A according to the first embodiment, the process gas supply system 1B has no second orifice 42A and no second orifice. The difference is that there is no road 77A. Since the other configuration is the same as that of the process gas supply system 1A, in FIG. 5, for the same configuration, for example, the supply valve 11A is described as the supply valve 11B. The same applies to other components.
Since there is no post-exhaust flow path 77A in FIG. 1, the pressure measurement of the second vacuum pressure gauge 32B cannot be performed as stably as in the first embodiment.
However, the process gas supply system 1B has the effect of reducing the cost of one orifice because there is no second orifice.

(第３実施形態)
図６に、第３実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ｃを示す。プロセスガス供給システム１Ｃは、第１実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ａと比較して、第１オリフィス４１Ａ、第２オリフィス４２Ａがないこと、及び、第１オリフィスがないことによりプロセスガス前流路７４Ａ、及び、プロセスガス後流路７５Ａがない点、第２オリフィスがないことにより、排気前流路７６Ａ、及び、排気後流路７７Ａがない点で異なる。それ以外の構成はプロセスガス供給システム１Ａと同様であるため、図６において、同様の構成のものについては、例えば、供給弁１１Ａを供給弁１１Ｃとして記載する。その他の、構成要素も同様である。
図１における、プロセスガス後流路７４Ａがないため、第１真空圧力計３１Ｃの圧力測定を第１実施形態ほど安定して行うことができない。さらに、排気後流路７７Ａがないため、第２真空圧力計３２Ｃの圧力測定を第１実施形態ほど安定して行うことができない。
しかし、プロセスガス供給システム１Ｃは、第１オリフィス及び第２オリフィスがないことにより、オリフィス２つ分のコストを削減することができる効果を有する。 (Third embodiment)
FIG. 6 shows a process gas supply system 1C according to the third embodiment. Compared with the process gas supply system 1A according to the first embodiment, the process gas supply system 1C has no first orifice 41A, no second orifice 42A, and no first orifice. The difference is that there is no post-exhaust flow path 76A and no post-exhaust flow path 77A due to the absence of 74A and the post-process gas flow path 75A and the absence of the second orifice. Since the other configuration is the same as that of the process gas supply system 1A, in FIG. 6, for the same configuration, for example, the supply valve 11A is described as the supply valve 11C. The same applies to other components.
Since there is no post-process gas flow path 74A in FIG. 1, the pressure measurement of the first vacuum pressure gauge 31C cannot be performed as stably as in the first embodiment. Furthermore, since there is no post-exhaust flow path 77A, the pressure measurement of the second vacuum pressure gauge 32C cannot be performed as stably as in the first embodiment.
However, the process gas supply system 1 </ b> C has an effect of reducing the cost of two orifices due to the absence of the first orifice and the second orifice.

(第４実施形態)
図７に、第４実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ｄを示す。プロセスガス供給システム１Ｄは、第１実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ａと比較して、第２真空圧力計３２Ａがない点で異なる。それ以外の構成はプロセスガス供給システム１Ａと同様であるため、図７において、同様の構成のものについては、例えば、供給弁１１Ａを供給弁１１Ｄとして記載する。その他の、構成要素も同様である。
図１における、第２真空圧力計３２Ａがないため、排気後流路７７Ｄの圧力を測定することができない。
しかし、プロセスガス供給システム１Ｄは、第２真空圧力計３２Ａがないことにより、真空圧力計１つ分のコストを削減することができる効果を有する。 (Fourth embodiment)
FIG. 7 shows a process gas supply system 1D according to the fourth embodiment. The process gas supply system 1D is different from the process gas supply system 1A according to the first embodiment in that there is no second vacuum pressure gauge 32A. Since the other configuration is the same as that of the process gas supply system 1A, in FIG. 7, for the same configuration, for example, the supply valve 11A is described as the supply valve 11D. The same applies to other components.
Since there is no second vacuum pressure gauge 32A in FIG. 1, the pressure in the post-exhaust flow path 77D cannot be measured.
However, the process gas supply system 1D has an effect of reducing the cost for one vacuum pressure gauge because the second vacuum pressure gauge 32A is not provided.

(第５実施形態)
図８に、第５実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ｅを示す。プロセスガス供給システム１Ｅは、第１実施形態に係るプロセスガス供給システム１Ａと比較して、第２パージガス供給弁２２がない点で異なる。それ以外の構成はプロセスガス供給システム１Ａと同様であるため、図８において、同様の構成のものについては、例えば、供給弁１１Ａを供給弁１１Ｅとして記載する。その他の、構成要素も同様である。
図１における排気後流路７７に第２パージガス供給弁２２がないため、排気弁１２を閉弁する場合には、弁座と弁体との間から、プロセスガスが漏れ、排気ダクト９２へ流れる。
しかし、排気ダクト９２からプロセスガスが漏れたとしても、最終製品には何ら影響を与えないため大きな問題はない。また、第２パージガス供給弁２２がないことにより、コストを削減できる効果がある。 (Fifth embodiment)
FIG. 8 shows a process gas supply system 1E according to the fifth embodiment. The process gas supply system 1E is different from the process gas supply system 1A according to the first embodiment in that the second purge gas supply valve 22 is not provided. Since the other configuration is the same as that of the process gas supply system 1A, in FIG. 8, for the same configuration, for example, the supply valve 11A is described as the supply valve 11E. The same applies to other components.
Since there is no second purge gas supply valve 22 in the post-exhaust flow path 77 in FIG. 1, when the exhaust valve 12 is closed, the process gas leaks from between the valve seat and the valve body and flows to the exhaust duct 92. .
However, even if the process gas leaks from the exhaust duct 92, there is no big problem because it does not affect the final product. Further, since the second purge gas supply valve 22 is not provided, there is an effect that the cost can be reduced.

尚、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、発明の趣旨を逸脱することのない範囲で色々な応用が可能である。
例えば、供給弁１１及び排気弁１２は、空気圧弁又は電磁弁のどちらでも使用することができる。また、空気圧弁を使用するときには、コントローラ６０が操作用エアの圧力をコントロールすることで、バルブ開度を任意に制御する。また、電磁弁を使用するときには、コントローラ６０が、ソレノイドに負荷する電流値を制御することで、バルブ開度を任意に制御する。
例えば、供給弁１１及び排気弁１２が閉弁時に弁座と弁体との間に隙間を残すためには、シール力を発揮させるスプリングの荷重をあらかじめ小さくする。また、空気圧弁を使用するときには、アクチュエータに空気圧を残しシールのための荷重を軽減する。また、電磁弁を使用するときには、微小電流をソレノイドに負荷する。
例えば、圧力計は正圧の場合もある。
例えば、上記実施例においては、マスフローコントローラを使用したが、図９に示すように、ニードル弁であってもよい。
例えば、上記実施例において、閉弁時に隙間を残すために空気圧制御や電流通制御としたが、メガストッパを設けてもよい。
例えば、使用例１乃至使用例５では、プロセスガス供給弁、又は、パージガス供給弁のいずれか一方の開度を変化させることとしたが、プロセスガス供給弁とパージガス供給弁の開度を変化させ、パージガス供給弁の出力流路における圧力を制御することもできる。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various applications are possible without departing from the spirit of the invention.
For example, the supply valve 11 and the exhaust valve 12 can be either a pneumatic valve or a solenoid valve. Moreover, when using a pneumatic valve, the controller 60 arbitrarily controls the valve opening degree by controlling the pressure of the operation air. Further, when using the electromagnetic valve, the controller 60 arbitrarily controls the valve opening by controlling the current value loaded on the solenoid.
For example, in order to leave a gap between the valve seat and the valve body when the supply valve 11 and the exhaust valve 12 are closed, the load of the spring that exerts the sealing force is reduced in advance. When a pneumatic valve is used, the pneumatic pressure is left in the actuator to reduce the load for sealing. In addition, when using a solenoid valve, a minute current is applied to the solenoid.
For example, the pressure gauge may be positive pressure.
For example, although the mass flow controller is used in the above embodiment, a needle valve may be used as shown in FIG.
For example, in the above embodiment, air pressure control or current flow control is used to leave a gap when the valve is closed, but a mega stopper may be provided.
For example, in Usage Examples 1 to 5, the opening degree of either the process gas supply valve or the purge gas supply valve is changed. However, the opening degrees of the process gas supply valve and the purge gas supply valve are changed. The pressure in the output flow path of the purge gas supply valve can also be controlled.

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ プロセスガス供給システム
１１Ａ 供給弁（プロセスガス供給弁）
１２Ａ 排気弁
２１Ａ 第１パージガス供給弁（パージガス供給弁）
２２Ａ 第２パージガス供給弁
３１Ａ 第１真空圧力計（パージガス圧力計）
３２Ａ 第２真空圧力計（第２パージガス圧力計）
４１Ａ 第１オリフィス
４２Ａ 第２オリフィス
５０Ａ パージガスマスフローコントローラ
６０Ａ コントローラ
７０Ａ プロセスガス源
７１Ａ、７４Ａ、７５Ａ プロセスガス供給流路
７６Ａ、７７Ａ 排気流路
７９Ａ 流路分岐点
８０Ａ パージガス源
８１Ａ パージガス流路
９１Ａ 反応槽
９２Ａ 排気ダクト 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F Process gas supply system 11A Supply valve (process gas supply valve)
12A Exhaust valve 21A First purge gas supply valve (purge gas supply valve)
22A Second purge gas supply valve 31A First vacuum pressure gauge (purge gas pressure gauge)
32A Second vacuum pressure gauge (second purge gas pressure gauge)
41A First orifice 42A Second orifice 50A Purge gas mass flow controller 60A Controller 70A Process gas sources 71A, 74A, 75A Process gas supply channels 76A, 77A Exhaust channel 79A Channel branch point 80A Purge gas source 81A Purge gas channel 91A Reaction tank 92A Exhaust duct

Claims (10)

プロセスガス源と反応槽とを連通するプロセスガス供給流路上に設けられたプロセスガス供給弁と、パージガス源と前記プロセスガス供給流路を連通するパージガス流路上に設けられたパージガス供給弁と、を有するプロセスガス供給システムにおいて、
前記パージガス流路上に設けられ、パージガス流量を制御するパージガスマスフローコントローラと、
前記プロセスガス供給流路の前記プロセスガス供給弁の入口側と排気ダクトとを連通する排気流路と、
前記排気流路が前記プロセスガス供給流路から分岐する流路分岐点と、
前記排気流路上に設けられた排気弁と、を有し、
前記パージガス流路は、前記プロセスガス供給流路上で前記流路分岐点から前記プロセスガス供給弁の入口側の間に連通すること、
前記プロセスガス供給弁の弁体と弁座とが密閉しない状態のときに、
前記プロセスガスが前記排気弁を通って前記排気ダクトへ流れるように、制御する制御手段を有すること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 A process gas supply valve provided on a process gas supply channel communicating the process gas source and the reaction tank; and a purge gas supply valve provided on a purge gas channel communicating the purge gas source and the process gas supply channel. In a process gas supply system having
A purge gas mass flow controller provided on the purge gas flow path for controlling the purge gas flow rate;
An exhaust passage communicating the inlet side of the process gas supply valve of the process gas supply passage with an exhaust duct;
A flow path branch point where the exhaust flow path branches from the process gas supply flow path;
An exhaust valve provided on the exhaust flow path,
The purge gas flow path communicates between the flow path branch point and the inlet side of the process gas supply valve on the process gas supply flow path;
When the valve body and the valve seat of the process gas supply valve are not sealed,
Control means for controlling the process gas to flow through the exhaust valve to the exhaust duct;
Process gas supply system characterized by 請求項１に記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記制御手段により、
前記パージガスマスフローコントローラが、パージガスの供給量を一定とすること、
前記プロセスガス供給弁、又は、前記パージガス供給弁のいずれか一方、又は、両方の開度を変化させ、前記パージガス供給弁の出力流路における圧力を制御すること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 The process gas supply system according to claim 1, wherein
By the control means,
The purge gas mass flow controller makes the supply amount of purge gas constant,
Changing the opening degree of either the process gas supply valve or the purge gas supply valve, or both, and controlling the pressure in the output flow path of the purge gas supply valve;
Process gas supply system characterized by 請求項１に記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記制御手段により、
前記プロセスガス供給弁、又は、前記パージガス供給弁のいずれか一方、又は、両方の開度を一定とすること、
前記パージガスマスフローコントローラが、パージガスの供給量を変化させ、前記パージガス供給弁の出力流路における圧力を制御すること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 The process gas supply system according to claim 1, wherein
By the control means,
Either one of the process gas supply valve or the purge gas supply valve, or making the opening degree of both constant,
The purge gas mass flow controller controls the pressure in the output flow path of the purge gas supply valve by changing the supply amount of the purge gas;
Process gas supply system characterized by 請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記パージガス供給弁の出力流路における圧力により、前記プロセスガス供給弁の弁体と弁座の隙間から流れ込もうとするプロセスガスの前記反応槽への流出を防止し、前記プロセスガスを前記排気ダクトへ流入させること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 In the process gas supply system according to any one of claims 1 to 3,
The pressure in the output flow path of the purge gas supply valve prevents the process gas from flowing out from the gap between the valve body and the valve seat of the process gas supply valve to the reaction tank and exhausts the process gas. Flowing into the duct,
Process gas supply system characterized by 請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力を計測する圧力計を有すること、
前記圧力計は、前記プロセスガス供給流路上で前記流路分岐点から前記プロセスガス供給弁の入口側の間に連通すること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 In the process gas supply system according to any one of claims 1 to 4,
Having a pressure gauge for measuring an output flow path pressure in an output flow path of the purge gas supply valve;
The pressure gauge communicates between the process gas supply valve and the inlet side of the process gas supply valve on the process gas supply flow path;
Process gas supply system characterized by 請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記プロセスガス供給流路上で、前記分岐点から前記パージガス流路のプロセスガス供給流路連通部の間にオリフィスを備えること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 The process gas supply system according to any one of claims 1 to 5,
On the process gas supply channel, an orifice is provided between the branch point and the process gas supply channel communication part of the purge gas channel,
Process gas supply system characterized by 請求項１又は請求項４に記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記パージガス流路から分岐した第２パージガス流路上に第２パージガス供給弁を有すること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 In the process gas supply system according to claim 1 or 4,
Having a second purge gas supply valve on the second purge gas channel branched from the purge gas channel;
Process gas supply system characterized by 請求項５に記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記第２パージガス供給弁の出力流路における出力流路圧力を計測する第２圧力計を有すること、
前記第２圧力計は、前記排気流路上で前記流路分岐点から前記排気弁の入口側の間に連通すること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 The process gas supply system according to claim 5, wherein
Having a second pressure gauge for measuring an output flow path pressure in an output flow path of the second purge gas supply valve;
The second pressure gauge communicates between the flow path branch point and the inlet side of the exhaust valve on the exhaust flow path;
Process gas supply system characterized by 請求項７又は請求項８に記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記排気流路上で、前記分岐点から前記第２パージガス流路の排気流路連通路の間に第２オリフィスを備えること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。 In the process gas supply system according to claim 7 or claim 8,
A second orifice is provided between the branch point and the exhaust passage communication path of the second purge gas passage on the exhaust passage;
Process gas supply system characterized by 請求項７乃至請求項９のいずれか一つに記載するプロセスガス供給システムにおいて、
前記パージガス供給弁の出力流路における圧力により、前記排気弁の弁体と弁座の隙間から流れ込もうとするプロセスガスの前記排気ダクトへの流出を防止し、前記プロセスガスを前記反応槽へ流入させること、
を特徴とするプロセスガス供給システム。
The process gas supply system according to any one of claims 7 to 9,
The pressure in the output flow path of the purge gas supply valve prevents the process gas from flowing out from the gap between the valve body of the exhaust valve and the valve seat to the exhaust duct, and the process gas is supplied to the reaction tank. Inflow,
Process gas supply system characterized by
JP2009223938A 2009-09-29 2009-09-29 Process gas supply system Pending JP2011077083A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009223938A JP2011077083A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Process gas supply system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009223938A JP2011077083A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Process gas supply system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011077083A true JP2011077083A (en) 2011-04-14

Family

ID=44020804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009223938A Pending JP2011077083A (en) 2009-09-29 2009-09-29 Process gas supply system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011077083A (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58134284A (en) * 1982-02-03 1983-08-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd High-temperature fluid intercepting valve
JPH09249500A (en) * 1996-03-13 1997-09-22 Nec Corp Vapor growth apparatus
JP2002339071A (en) * 2001-05-18 2002-11-27 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Treating-gas feed mechanism in alcvd system
JP2004288703A (en) * 2003-03-19 2004-10-14 Hitachi Ltd Device and method for forming film
JP2004327753A (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate-treating device and method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58134284A (en) * 1982-02-03 1983-08-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd High-temperature fluid intercepting valve
JPH09249500A (en) * 1996-03-13 1997-09-22 Nec Corp Vapor growth apparatus
JP2002339071A (en) * 2001-05-18 2002-11-27 L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude Treating-gas feed mechanism in alcvd system
JP2004288703A (en) * 2003-03-19 2004-10-14 Hitachi Ltd Device and method for forming film
JP2004327753A (en) * 2003-04-25 2004-11-18 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate-treating device and method for manufacturing semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8910529B2 (en) Gas flow-rate verification system and gas flow-rate verification unit
US8794261B2 (en) Fluid control system and fluid control method
CN109477586A (en) Valve built in discharge orifice and pressure flow-rate controller
TWI534577B (en) Pressure flow control device
CN109321896B (en) Atomic layer deposition system
JP2015138338A (en) Pressure type flow rate control apparatus, and preventing method for overshooting of the same upon starting flow rate control
JP2013532326A (en) Valve stem and valve plug apparatus for use with fluid regulators
JP2006512545A5 (en)
US8371334B2 (en) Rotary switching valve
JP5831192B2 (en) Flow control mechanism and gas chromatograph equipped with the flow control mechanism
WO2006022096A1 (en) Liquid regulator
US20050126483A1 (en) Arrangement for depositing atomic layers on substrates
JP2011077083A (en) Process gas supply system
US6408879B1 (en) Fluid control device
JP5008086B2 (en) High-speed gas switching device with pressure adjustment function
CN111826638B (en) Gas distribution device and method, atomic layer deposition equipment
KR20120091564A (en) Apparatus for supplying gas and method for controlling the same
JP2016211864A (en) Gas supply device
KR20080059506A (en) Gas integrated uint
KR101086238B1 (en) Gas piping system for manufacturing device of electronic material and method to prevent flowing backward of purge gas in the gas piping system
KR200158763Y1 (en) Controller of nitrogen gas pressure
CN115369382B (en) Air path device and air inlet method of atomic layer deposition process
WO2020049900A1 (en) Method and equipment for supplying fluorine-gas-containing gas
JP7333577B2 (en) Valve device, fluid control device and semiconductor manufacturing device using this valve device
JP2021025536A (en) Flow diverter and semiconductor manufacturing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130222

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20130402

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20130723

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02