JP2011075482A - Semiconductor physical quantity sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体物理量センサに関する。 The present invention relates to a semiconductor physical quantity sensor.
従来、半導体物理量センサとして、加速度等の物理量を検出するセンサチップをインターポーザを介して基板に実装したものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor physical quantity sensor is known in which a sensor chip that detects a physical quantity such as acceleration is mounted on a substrate via an interposer (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、かかる従来の技術では、センサチップとインターポーザとの当接面全体に接着剤を塗布することでセンサチップをインターポーザに実装している。そのため、実装したセンサチップと接着剤との熱膨張係数の差によってセンサチップに応力が加わり、センサチップの検出軸がずれて検出精度が低下してしまうおそれがあった。 However, in the conventional technique, the sensor chip is mounted on the interposer by applying an adhesive to the entire contact surface between the sensor chip and the interposer. For this reason, stress is applied to the sensor chip due to the difference in thermal expansion coefficient between the mounted sensor chip and the adhesive, and the detection axis of the sensor chip may be shifted to reduce detection accuracy.
そこで、本発明は、物理量センサチップの検出精度の向上を図ることのできる半導体物理量センサを得ることを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to obtain a semiconductor physical quantity sensor that can improve the detection accuracy of a physical quantity sensor chip.
請求項1の発明にあっては、半導体を用いた物理量センサチップを接着剤を介してパッケージ内に実装する半導体物理量センサにおいて、前記物理量センサチップは、当該物理量センサチップの少なくとも外周端の複数箇所を点状に接着することで前記パッケージ内に実装されることを特徴とする。 According to the first aspect of the present invention, in the semiconductor physical quantity sensor in which a physical quantity sensor chip using a semiconductor is mounted in a package via an adhesive, the physical quantity sensor chip has a plurality of locations at least at the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip. It is mounted in the package by adhering in a dotted manner.
請求項2の発明にあっては、請求項1に記載の半導体物理量センサにおいて、前記物理量センサチップには、物理量を検知するセンサコア部が形成されており、前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、前記センサコア部から等距離にあることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor physical quantity sensor according to the first aspect, the physical quantity sensor chip is formed with a sensor core portion that detects a physical quantity, and each adhesion of an outer peripheral end of the physical quantity sensor chip. The position is equidistant from the sensor core part.
請求項3の発明にあっては、請求項2に記載の半導体物理量センサにおいて、前記物理量センサチップが矩形状に形成されているとともに、前記センサコア部が当該物理量センサチップの中央部に形成されており、前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、当該物理量センサチップの4角部であることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor physical quantity sensor according to the second aspect, the physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape, and the sensor core portion is formed in a central portion of the physical quantity sensor chip. In addition, each bonding position of the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip is a four corner portion of the physical quantity sensor chip.
請求項4の発明にあっては、請求項2に記載の半導体物理量センサにおいて、前記物理量センサチップが矩形状に形成されているとともに、前記センサコア部が当該物理量センサチップの中央部に形成されており、前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、当該物理量センサチップの4辺の中央部であることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor physical quantity sensor according to the second aspect, the physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape, and the sensor core part is formed in a central part of the physical quantity sensor chip. In addition, each bonding position of the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip is a central portion of four sides of the physical quantity sensor chip.
請求項5の発明にあっては、請求項1または請求項2に記載の半導体物理量センサにおいて、前記物理量センサチップが矩形状に形成されており、前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、当該物理量センサチップの角部および物理量センサチップの辺の中央部であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the semiconductor physical quantity sensor according to the first or second aspect, the physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape, and each bonding position of the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip is The corner portion of the physical quantity sensor chip and the central portion of the side of the physical quantity sensor chip.
請求項6の発明にあっては、請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の半導体物理量センサにおいて、前記物理量センサチップは、当該物理量センサチップの中央部で点状に接着されていることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the semiconductor physical quantity sensor according to any one of the first to fifth aspects, the physical quantity sensor chip is bonded in a dotted manner at a central portion of the physical quantity sensor chip. It is characterized by that.
請求項1の発明によれば、物理量センサチップの少なくとも外周端の複数箇所を点状に接着することで当該物理量センサチップをパッケージ内に実装したため、物理量センサチップの接着面積を減少させることができる。そのため、接着剤やパッケージの熱膨張などによる変形が物理量センサチップに与える影響を小さくすることができる。すなわち、熱膨張などによりパッケージに変形が生じた際に、実装した物理量センサチップと接着剤やパッケージとの熱膨張係数の差によって物理量センサチップに応力が加わるのが抑制され、物理量センサチップの検出軸がずれてしまうのを抑制することができる。その結果、物理量センサチップの検出精度の向上を図ることができる。 According to the first aspect of the present invention, since the physical quantity sensor chip is mounted in the package by adhering at least a plurality of locations at the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip in a package, the bonding area of the physical quantity sensor chip can be reduced. . Therefore, it is possible to reduce the influence of the physical quantity sensor chip due to deformation due to thermal expansion of the adhesive or the package. That is, when the package is deformed due to thermal expansion or the like, the physical quantity sensor chip is suppressed from being stressed due to the difference in thermal expansion coefficient between the mounted physical quantity sensor chip and the adhesive or the package. It is possible to prevent the axis from shifting. As a result, the detection accuracy of the physical quantity sensor chip can be improved.
請求項2の発明によれば、物理量センサチップの外周端の各接着位置が、物理量を検知するセンサコア部から等距離にあるため、各接着部分からセンサコア部に加わる応力をより均等にすることができる。その結果、センサコア部に加わる応力の偏在を抑制することができ、物理量センサチップの検出精度が低下してしまうのをより一層抑制することができる。
According to the invention of
請求項3の発明によれば、物理量センサチップを矩形状に形成するとともに、センサコア部を当該物理量センサチップの中央部に形成し、物理量センサチップの外周端の各接着位置を、当該物理量センサチップの4角部としたため、物理量センサチップの外周端の各接着位置を容易にセンサコア部から等距離にすることができる。
According to the invention of
また、物理量センサチップの実装強度の低下を極力抑制しつつ、物理量センサチップの検出精度の向上を図ることができる。 In addition, it is possible to improve the detection accuracy of the physical quantity sensor chip while suppressing a decrease in the mounting strength of the physical quantity sensor chip as much as possible.
請求項4の発明によれば、物理量センサチップを矩形状に形成するとともに、センサコア部を当該物理量センサチップの中央部に形成し、物理量センサチップの外周端の各接着位置を、当該物理量センサチップの4辺の中央部としたため、物理量センサチップの実装強度の低下を極力抑制しつつ、物理量センサチップの検出精度の向上を図ることができる。 According to the invention of claim 4, the physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape, the sensor core part is formed in the center part of the physical quantity sensor chip, and each bonding position of the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip is defined as the physical quantity sensor chip. Therefore, the detection accuracy of the physical quantity sensor chip can be improved while suppressing a decrease in the mounting strength of the physical quantity sensor chip as much as possible.
請求項5の発明によれば、物理量センサチップを矩形状に形成し、物理量センサチップの外周端の各接着位置を、当該物理量センサチップの角部および物理量センサチップの辺の中央部としたため、物理量センサチップの実装強度の低下を極力抑制しつつ、物理量センサチップの検出精度の向上を図ることができる。 According to the invention of claim 5, the physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape, and the bonding positions of the outer peripheral ends of the physical quantity sensor chip are the corners of the physical quantity sensor chip and the central part of the side of the physical quantity sensor chip. It is possible to improve the detection accuracy of the physical quantity sensor chip while suppressing the decrease in the mounting strength of the physical quantity sensor chip as much as possible.
請求項6の発明によれば、物理量センサチップを、当該物理量センサチップの外周端の複数箇所だけでなく物理量センサチップの中央部でも点状に接着させているため、物理量センサチップの実装強度の低下をより一層抑制することができる。 According to the sixth aspect of the present invention, since the physical quantity sensor chip is bonded in a dotted manner not only at a plurality of locations on the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip but also at the center of the physical quantity sensor chip, The decrease can be further suppressed.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、半導体物理量センサとして、静電容量式の加速度センサを例示する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Hereinafter, a capacitance type acceleration sensor will be exemplified as the semiconductor physical quantity sensor. Note that similar components are included in the following embodiments. Therefore, in the following, common reference numerals are given to those similar components, and redundant description is omitted.
(第1実施形態)
本実施形態にかかる加速度センサ1は、図1に示すように、半導体を用いて形成されたセンサチップ(物理量センサチップ)2と、センサチップ2の出力信号を信号処理するICチップ(信号処理チップ)3と、センサチップ2を後述する下段面4aに実装するとともにICチップ3を後述する上段面4bに実装するパッケージ4と、当該パッケージ4を封止するリッド5と、を備えている。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, the
センサチップ2は、図2(a)に示すように、平面視で略正方形状(矩形状)に形成されており、このセンサチップ2の中央部には、加速度(物理量)を検知する平面視で略正方形状のセンサコア部20が形成されている。なお、本実施形態では、後述する固定電極体22、錘部23、ばね部24および支持部25が、このセンサコア部20に相当する。
As shown in FIG. 2A, the
センサチップ2は、本実施形態では、図3(a)に示すように、半導体素子ディバイスを形成したシリコン基板(半導体層)2Aの両面を、保護層となるガラス基板2B、2Cで挟み込み、それらシリコン基板2Aとガラス基板2B、2Cとを例えば陽極接合等により一体に結合することで形成されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 3A, the
シリコン基板2Aには、図3(b)に示すように、シリコン基板2Aに公知の半導体プロセスにより間隙を形成することで、周縁部に形成される枠部21、固定電極体22、可動電極体となる錘部23、ばね部24および当該ばね部24を介して錘部23を支持する支持部25が形成されている。そして、シリコン基板2Aとガラス基板2Bおよびガラス基板2Cとの接合面には比較的浅いギャップがそれぞれ形成されており、シリコン基板2A各部の絶縁性や錘部23の動作性の確保が図られている。
As shown in FIG. 3B, a
本実施形態では、ばね部24を錘部23と支持部25に連結することで、ばね部24に支持部25に対して錘部23を弾性的に可動支持するバネ要素としての機能を与えている。さらに、錘部23に対し、バネ要素としてのばね部24に接続された支持部25により支持される質量要素(マス)としての機能を与え、これらバネ要素と質量要素とによってバネ−マス系を構成している。そして、質量要素としての錘部23の位置変位による錘部23、固定電極体22間の静電容量値の変化を検出し、検出された静電容量値の変化に基づきセンサチップ2に加えられた加速度を検知するようになっている。
In this embodiment, by connecting the
具体的には、この静電容量値の変化は、錘部23、固定電極体22にそれぞれ形成された複数の櫛歯状可動電極26、櫛歯状固定電極27からなる検出部28、29によって検出される。
Specifically, the change in the capacitance value is detected by the
例えば、図3(b)に示すX方向に加速度が与えられると、櫛歯状可動電極26がX方向に変位し、検出部28の櫛歯状可動電極26、櫛歯状固定電極27で検出される静電容量値と、検出部29の櫛歯状可動電極26、櫛歯状固定電極27で検出される静電容量値に差が生じる。そして、このようにして生じた静電容量値の差からX方向の加速度を検出している。
For example, when acceleration is applied in the X direction shown in FIG. 3B, the comb-like
ICチップ3は、シリコン基板を用いて形成されており、図1および図2(a)に示すように、平面視で正方形状に形成されている。このICチップ3には、センサチップ2の出力信号を増幅する増幅回路、センサの感度やオフセット電圧およびそれらの温度特性を補正する温度補償回路、ノイズを除去するノイズ除去回路などが集積化されている。そして、これらの回路を動作させることでセンサチップ2の出力信号がICチップ3によって信号処理される。このICチップ3としては、例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)などを用ることができる。
The
パッケージ4は、本実施形態では、セラミック基板を積層することにより形成されており、上方に開口部4cを有する箱状をしている。そして、パッケージ4の内部底面にはセンサチップ2を実装する下段面4aと、ICチップ3を実装する上段面4bと、が形成されている。なお、実装されたセンサチップ2とICチップ3とがリード線L2を介して電気的に接続されるとともに、ICチップ3がパッケージ4の内壁に設けられた端子台部4dとリード線L1を介して電気的に接続されている。
In this embodiment, the package 4 is formed by laminating ceramic substrates, and has a box shape having an
リッド5は、パッケージ4を封止するものであり、センサチップ2をパッケージ4に実装するとともに、ICチップ3をパッケージ4に実装した後に、パッケージ4の開口部4cをリッド5によって封止することで、加速度センサ1が形成される。このようにして形成された加速度センサ1は、パッケージ4に形成された図示せぬ端子を介してプリント基板(図示せず)に実装される。
The lid 5 seals the package 4, and the
ここで、本実施形態では、センサチップ2を接着剤30を介してパッケージ4内に実装している。このとき、センサチップ2の少なくとも外周端2aの複数箇所を点状に接着することで、センサチップ2をパッケージ4内に実装している。
Here, in this embodiment, the
具体的には、センサチップ2は、平面視で、4つの辺2S1〜2S4および4つの角部2T1〜2T4を有しており、センサチップ2の外周端2aにおけるパッケージ4への接着箇所を4つの角部2T1〜2T4としている。このとき、センサチップ2がほぼ正方形状をしており、その中央部にほぼ正方形状のセンサコア部20が形成されているため、センサチップ2の外周端2aの各接着位置は、センサコア部20から等距離になっている。
Specifically, the
さらに、本実施形態では、センサチップ2は、その中央部Cを、パッケージ4に点状に接着させている。
Furthermore, in this embodiment, the
このように、本実施形態では、センサチップ2をパッケージ4に、4つの角部2T1〜2T4および中央部Cの5点で接着している。
As described above, in this embodiment, the
なお、中央部Cにおける接着の際には、固定電極体22や支持部25が接着されないように(固定電極体22や支持部25に接着剤30がつかないように)するのが好適である。このように、固定電極体22や支持部25を接着しないようにすれば、接着剤30やパッケージ4の熱膨張などによる変形が検出部28、29に与える影響を小さくすることができる。
In addition, it is preferable that the fixed
また、図4においては、センサチップ2の外周端2aの各接着位置において、接着剤30がセンサチップ2の外周からはみ出すようにしたものを例示したが、接着剤がセンサチップ2の外周からはみ出さないように、センサチップ2をパッケージ4に接着させてもよい。このことは、以下の各実施形態においても同様である。
4 exemplifies the case where the adhesive 30 protrudes from the outer periphery of the
以上の本実施形態によれば、センサチップ(物理量センサチップ)2の少なくとも外周端2aの複数箇所を点状に接着することで当該センサチップ2をパッケージ4内に実装したため、センサチップ2の接着面積を減少させることができる。そのため、接着剤30やパッケージ4の熱膨張などによる変形がセンサチップ2に与える影響を小さくすることができる。すなわち、熱膨張などによりパッケージ4に変形が生じた際に、実装したセンサチップ2と接着剤30やパッケージ4との熱膨張係数の差によってセンサチップ2に応力が加わるのが抑制され、センサチップ2の検出軸がずれてしまうのを抑制することができる。その結果、センサチップ2の検出精度の向上を図ることができる。
According to the present embodiment described above, since the
また、本実施形態によれば、センサチップ2の外周端2aの各接着位置が、物理量を検知するセンサコア部20から等距離にあるため、各接着部分からセンサコア部20に加わる応力をより均等にすることができる。その結果、センサコア部20に加わる応力の偏在を抑制することができ、センサチップ2の検出精度が低下してしまうのをより一層抑制することができる。
Moreover, according to this embodiment, since each adhesion position of the
また、本実施形態によれば、センサチップ2を正方形状(矩形状)に形成するとともに、センサコア部20を当該センサチップ2の中央部に形成し、センサチップ2の外周端2aの各接着位置を、当該センサチップ2の4角部2T1〜2T4としたため、センサチップ2の外周端2aの各接着位置を容易にセンサコア部20から等距離にすることができる。
Further, according to the present embodiment, the
また、センサチップ2の4角部2T1〜2T4で接着することで、センサチップ2の実装強度の低下を極力抑制しつつ、センサチップ2の検出精度の向上を図ることができるようになる。
Further, by adhering at the four corner portions 2T1 to 2T4 of the
さらに、本実施形態によれば、センサチップ2を、当該センサチップ2の4角部2T1〜2T4だけでなく、センサチップ2の中央部Cで点状に接着させているため、センサチップ2の実装強度の低下をより一層抑制することができる。
Furthermore, according to the present embodiment, the
(第2実施形態)
本実施形態にかかる加速度センサ1は、基本的に上記第1実施形態と同様に構成されており、センサチップ2は、当該センサチップ2の外周端2aの複数箇所で点状に接着されている。
(Second Embodiment)
The
ここで、本実施形態が上記第1実施形態と主に異なる点は、図5に示すように、センサチップ2を、当該センサチップ2の中央部Cで点状に接着させていないことにある。
Here, the main difference between the present embodiment and the first embodiment is that the
すなわち、本実施形態では、センサチップ2をパッケージ4に、4つの角部2T1〜2T4の4点で接着している。
That is, in this embodiment, the
以上の本実施形態によっても、上記第1実施形態とほぼ同様の作用、効果を奏することができる。 Also according to the present embodiment described above, substantially the same operations and effects as the first embodiment can be achieved.
(第3実施形態)
本実施形態にかかる加速度センサ1は、基本的に上記第1実施形態と同様に構成されており、センサチップ2は、当該センサチップ2の外周端2aの複数箇所で点状に接着されている。
(Third embodiment)
The
ここで、本実施形態が上記第1実施形態と主に異なる点は、図6に示すように、センサチップ2の外周端2aの各接着位置を、当該センサチップ2の角部および物理量センサチップの辺の中央部としたことにある。 Here, the main difference between the present embodiment and the first embodiment is that, as shown in FIG. It is in the central part of the side.
本実施形態では、センサチップ2をパッケージ4に、2つの角部2T2、2T3および1つの辺2S1の3点で接着している。なお、この角部と辺のうち接着する部分の組み合わせに関しては、様々に設定することが可能である。
In the present embodiment, the
以上の本実施形態によっても、上記第1実施形態とほぼ同様の作用、効果を奏することができる。 Also according to the present embodiment described above, substantially the same operations and effects as the first embodiment can be achieved.
なお、本実施形態においても、上記第1実施形態のように、センサチップ2を、当該センサチップ2の中央部で点状に接着させるようにしてもよい。この場合、固定電極体22や支持部25が接着されないようにするのが好適である。
In the present embodiment, the
また、センサコア部20が各接着箇所の重心となるように、センサチップ2におけるセンサコア部20の形成位置をずらして各接着箇所がセンサコア部20から等距離となるようにしてもよい。
Further, the position where the
(第4実施形態)
本実施形態にかかる加速度センサ1は、基本的に上記第1実施形態と同様に構成されており、センサチップ2は、当該センサチップ2の外周端2aの複数箇所で点状に接着されている。
(Fourth embodiment)
The
ここで、本実施形態が上記第1実施形態と主に異なる点は、図7に示すように、センサチップ2の外周端2aの各接着位置を、当該センサチップ2の4つの辺2S1〜2S4の中央部としたことにある。
Here, this embodiment is mainly different from the first embodiment in that each bonding position of the outer
また、本実施形態でも、センサチップ2がほぼ正方形状をしており、その中央部にほぼ正方形状のセンサコア部20が形成されているため、センサチップ2の外周端2aの各接着位置は、センサコア部20から等距離になっている。
Also in this embodiment, the
以上の本実施形態によっても、上記第1実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。 Also according to this embodiment described above, the same operations and effects as those of the first embodiment can be achieved.
なお、本実施形態においても、上記第1実施形態のように、センサチップ2を、当該センサチップ2の中央部で点状に接着させるようにしてもよい。この場合、固定電極体22や支持部25が接着されないようにするのが好適である。
In the present embodiment, the
(第1参考例)
第1参考例について図面を参照して説明する。図8は、本参考例にかかる物理量センサチップの接着箇所を示す図である。本参考例の加速度センサ1の基本的な構造は、上記第1実施形態の加速度センサ1と同じである。よって、第1実施形態との相違点を中心に説明し、第1実施形態と同じ部分には同一符号を付し重複する説明は省略する。
(First Reference Example)
A first reference example will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a diagram showing an adhesion location of the physical quantity sensor chip according to this reference example. The basic structure of the
図8に示すように、本参考例の加速度センサ1は、センサチップ2を外周端2aにおいてパッケージ4に接着させるのではなく、センサチップ2の中央部Cのみをパッケージ4に点状に接着させている点が、上記第1実施形態の加速度センサ1に対して異なっている。
As shown in FIG. 8, in the
この場合にあっても、センサチップ2をパッケージ4に点状に接着しているため、センサチップ2の接着面積を減少させることができ、接着剤30やパッケージ4の熱膨張などによる変形がセンサチップ2に与える影響を小さくすることができる。
Even in this case, since the
また、固定電極体22や支持部25を接着しないようにすれば、接着剤30やパッケージ4の熱膨張などによる変形が検出部28、29に与える影響を小さくすることができる。
Further, if the fixed
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
例えば、上記各実施形態では、物理量センサチップとして、水平方向の加速度を検知する1軸加速度センサを例示したが、これに限らず、垂直方向(センサチップの厚さ方向)の加速度を検知する加速度センサや、2軸加速度センサや3軸加速度センサを用いることも可能である。 For example, in each of the above embodiments, the uniaxial acceleration sensor that detects the acceleration in the horizontal direction is illustrated as the physical quantity sensor chip. However, the present invention is not limited to this, and the acceleration that detects the acceleration in the vertical direction (thickness direction of the sensor chip). It is also possible to use a sensor, a 2-axis acceleration sensor, or a 3-axis acceleration sensor.
また、物理量センサチップとして3層構造のものを例示したが、単層のものや2層、4層以上の多層構造のものを用いることも可能である。 In addition, although the physical quantity sensor chip has a three-layer structure, it is also possible to use a single-layer structure or a multilayer structure of two layers, four layers or more.
また、物理量センサチップに形成される枠部、固定電極体、可動電極体、ばね部および支持部の形状や配置も適宜に設計することが可能である。 In addition, the shape and arrangement of the frame portion, fixed electrode body, movable electrode body, spring portion, and support portion formed on the physical quantity sensor chip can be appropriately designed.
また、上記各実施形態では、物理量センサチップとして加速度センサを例示したが、物理量センサチップは、これに限らず、加速度以外の物理量を検出するものであってもよい。 In each of the above embodiments, the acceleration sensor is exemplified as the physical quantity sensor chip. However, the physical quantity sensor chip is not limited to this and may detect a physical quantity other than the acceleration.
また、上記各実施形態では、半導体物理量センサとして、静電容量式の加速度センサを例示したが、ピエゾ抵抗型やガス温度分布型の半導体物理量センサを用いても本発明を実施することができる。 In each of the above embodiments, the capacitance type acceleration sensor is exemplified as the semiconductor physical quantity sensor. However, the present invention can also be implemented using a piezoresistance type or gas temperature distribution type semiconductor physical quantity sensor.
また、上記各実施形態では、物理量センサチップを直接パッケージに接着させたものを例示したが、台座等を介してパッケージに実装させるようにしてもよい。この場合、物理量センサチップは、台座等に、少なくとも物理量センサチップの外周端の複数箇所で点状に接着されることになる。 In each of the above embodiments, the physical quantity sensor chip is directly bonded to the package. However, the physical quantity sensor chip may be mounted on the package via a pedestal or the like. In this case, the physical quantity sensor chip is adhered to a pedestal or the like at least at a plurality of locations on the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip.
また、センサコア部やパッケージ、その他細部のスペック(形状、大きさ、レイアウト等)も適宜に変更可能である。 In addition, the specifications (shape, size, layout, etc.) of the sensor core part, the package, and other details can be changed as appropriate.
1 加速度センサ(半導体物理量センサ)
2 センサチップ(物理量センサチップ)
2a 外周端
4 パッケージ
20 センサコア部
30 接着剤
2S1、2S2、2S3、2S4 辺
2T1、2T2、2T3、2T4 角部
C 中央部
1 Acceleration sensor (Semiconductor physical quantity sensor)
2 Sensor chip (physical quantity sensor chip)
2a Outer peripheral edge 4
Claims (6)
前記物理量センサチップは、当該物理量センサチップの少なくとも外周端の複数箇所を点状に接着することで前記パッケージ内に実装されることを特徴とする半導体物理量センサ。 In a semiconductor physical quantity sensor that mounts a physical quantity sensor chip using a semiconductor in a package via an adhesive,
The physical quantity sensor chip is mounted in the package by adhering at least a plurality of locations on the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip in a dot shape.
前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、前記センサコア部から等距離にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体物理量センサ。 In the physical quantity sensor chip, a sensor core part for detecting a physical quantity is formed,
2. The semiconductor physical quantity sensor according to claim 1, wherein the bonding positions of the outer peripheral ends of the physical quantity sensor chip are equidistant from the sensor core portion.
前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、当該物理量センサチップの4角部であることを特徴とする請求項2に記載の半導体物理量センサ。 The physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape, and the sensor core part is formed in the central part of the physical quantity sensor chip,
3. The semiconductor physical quantity sensor according to claim 2, wherein each bonding position of the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip is a four corner portion of the physical quantity sensor chip.
前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、当該物理量センサチップの4辺の中央部であることを特徴とする請求項2に記載の半導体物理量センサ。 The physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape, and the sensor core part is formed in the central part of the physical quantity sensor chip,
3. The semiconductor physical quantity sensor according to claim 2, wherein each bonding position of an outer peripheral end of the physical quantity sensor chip is a central portion of four sides of the physical quantity sensor chip.
前記物理量センサチップの外周端の各接着位置が、当該物理量センサチップの角部および物理量センサチップの辺の中央部であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体物理量センサ。 The physical quantity sensor chip is formed in a rectangular shape,
3. The semiconductor physical quantity sensor according to claim 1, wherein each bonding position of the outer peripheral end of the physical quantity sensor chip is a corner portion of the physical quantity sensor chip and a central portion of a side of the physical quantity sensor chip.
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